ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ"

Transcript

1 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΟΜΗ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar junction transistor-bjt) είναι ένας κρύσταλλος µε τρεις περιοχές εµπλουτισµένες µε προσµίξεις, δηλ. αποτελείται από τρία διαδοχικά εναλλασσόµενα στρώµατα ηµιαγωγού υλικού (sandwich υλικό), εκ των οποίων το ενδιάµεσο υλικό είναι είτε τύπου -n (τρανζίστορ τύπου-pnp) ή τύπου-p (τρανζίστορ τύπου -npn), βλ. Σχ. 1. (α) (β) Σχήµα 1: οµή και κυκλωµατικό σύµβολο τρανζίστορ (α) τρανζίστορ-pnp, (β) τρανζίστορ-npn (Σηµείωση: Στο κυκλωµατικό σύµβολο, το βέλος βρίσκεται πάντα στον εκποµπό και δείχνει τη συµβατική φορά του ηλεκτρικού ρεύµατος, ενώ η φορά του βέλους δείχνει τον ηµιαγωγό-n) Ένα τρανζίστορ αποτελείται από 3 περιοχές µε διακεκριµένη λειτουργία η καθεµία: Εκποµπός (emitter): Είναι µια έντονα εµπλουτισµένη περιοχή (τονίζεται µε δύο ++ στο Σχ. 1) και εκπέµπει φορτία προς τη βάση. Βάση (base): Είναι µια πολύ λεπτή περιοχή λιγότερο εµπλουτισµένη (τονίζεται µε ένα + στο Σχ. 1), που επιτρέπει στα περισσότερα φορτία που εκπέµπονται από τον εκποµπό να φθάνουν στο συλλέκτη Συλλέκτης (collector): Συλλέγει τα φορτία που καταφθάνουν από τον εκποµπό. Το επίπεδο εµπλουτισµού του βρίσκεται µεταξύ αυτών του εκποµπού και της βάσης, ενώ η ισχύς που καταναλώνεται σ αυτόν είναι µεγαλύτερη από εκείνες που καταναλώνονται στη βάση και στον εκποµπό, γιαυτό και η περιοχή που καταλαµβάνει ο συλλέκτης είναι µεγαλύτερη. Μπορεί να θεωρηθεί ότι το διπολικό τρανζίστορ αποτελείται από δύο διόδους συνδεδεµένες σε αντίθετη φορά, µια µεταξύ βάσης και εκποµπού (δίοδος ή επαφή εκποµπού) και µια µεταξύ βάσης και συλλέκτη (δίοδος ή επαφή συλλέκτη). Οι φορείς πλειονότητας σε εκποµπό και συλλέκτη στο τρανζίστορ-pnp είναι οπές, ενώ στο τρανζίστορ-npn είναι ηλεκτρόνια. Αυτό σηµαίνει ότι ο ένας τύπος τρανζίστορ είναι 1

2 συµπληρωµατικός του άλλου ή ισοδύναµα ότι κατά τη λειτουργία τους θα έχουν ρεύµατα και πολώσεις µε αντίθετη φορά. Στη συνέχεια, η µελέτη αναφέρεται στο τρανζίστορ-npn και αντίστοιχα συµπεράσµατα θα εξάγονται κατ αναλογία για το τρανζίστορ-pnp. Όταν δεν εφαρµόζεται πόλωση, τα ελεύθερα ηλεκτρόνια του εκποµπού και του συλλέκτη διαχέονται προς τη βάση, ενώ µέρος των οπών της βάσης από κάθε άκρο της διαχέονται αντίστοιχα προς τον εκποµπό και το συλλέκτη, µε αποτέλεσµα να δηµιουργείται περιοχή απογύµνωσης σε κάθε επαφή (επαφή εκποµπού και επαφή συλλέκτη). Κατά µήκος κάθε επαφής αναπτύσσεται φράγµα δυναµικού, το οποίο στους 23 C έχει ύψος 0.3V σε ηµιαγωγό Ge και 0.7V σε ηµιαγωγό Si (ευρύτατης χρήσης, λόγω των µεγαλύτερων περιορισµών τάσης και έντασης και της µικρότερης εξάρτησης των χαρακτηριστικών του από τη θερµοκρασία). Στη συνέχεια, η µελέτη θα επικεντρωθεί στα τρανζίστορ πυριτίου. Τα επίπεδα εµπλουτισµού είναι διαφορετικά στις 3 περιοχές του τρανζίστορ, µε αποτέλεσµα καθεµία περιοχή φορτίου χώρου να εκτείνεται σε διαφορετικό βάθος. Έτσι, στη δίοδο εκποµπού το µικρότερο εύρος περιοχής φορτίου χώρου συναντάται στον εκποµπό, ενώ στη δίοδο συλλέκτη, το µικρότερο εύρος περιοχής φορτίου χώρου συναντάται στη βάση, βλ. Σχ. 2. Σχήµα 2 Περιοχές φορτίου χώρου σε τρανζίστορ-npn χωρίς πόλωση Είναι προφανές ότι, για να είναι σε θέση ο εκποµπός να εκπέµπει φορτία προς τη βάση, πρέπει η δίοδος εκποµπού να είναι ορθά πολωµένη και, αντίστοιχα, για να είναι εφικτή η συλλογή φορτίων από τον συλλέκτη, πρέπει η δίοδος συλλέκτη να είναι ανάστροφα πολωµένη. Στο Σχ. 3 παρουσιάζεται ένα πολωµένο τρανζίστορ, στο οποίο παρατηρείται ελάττωση του εύρους της περιοχής φορτίου χώρου του εκποµπού και αύξηση του εύρους της περιοχής φορτίου χώρου του συλλέκτη σε σύγκριση µε τα αντίστοιχα µεγέθη χωρίς πόλωση. Σχήµα 3 Περιοχές φορτίου χώρου σε τρανζίστορ-npn µε πόλωση ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Η λειτουργία ενός διπολικού τρανζίστορ (bipolar ή BJT), βασίζεται στην εκποµπή φορέων από το εκποµπό και τη συλλογή τους από τον συλλέκτη. Σε κανονική λειτουργία, η επαφή εκποµπού είναι πάντα ορθά πολωµένη και η επαφή συλλέκτη ανάστροφα πολωµένη (σε κάποιες ειδικές περιπτώσεις µόνο η επαφή συλλέκτη είναι ορθά πολωµένη), βλ. Σχ. 4. Ανάλογα µε την τιµή της τάσης βάσης-εκποµπού (V BE ), είναι δυνατές οι ακόλουθες περιπτώσεις: 2

3 Όταν είναι V BE <0.7V (για τρανζίστορ Si), πρακτικά δεν διέρχεται ρεύµα από τη βάση προς τον εκποµπό. Όταν γίνει V BE >0.7, υπάρχει αισθητή ροή ελεύθερων ηλεκτρονίων από τον εκποµπό προς τη βάση και ελεύθερων οπών από τη βάση προς τον εκποµπό. Η επαφή του συλλέκτη (ανάστροφα πολωµένη) περιορίζει σηµαντικά το εύρος της βάσης, µε αποτέλεσµα την αύξηση του ποσοστού των ηλεκτρονίων που δεν θα παραµείνουν στο χώρο της βάσης αλλά θα εισέλθουν στο χώρο της επαφής του συλλέκτη. Το ηλεκτρικό πεδίο στην περιοχή φορτίου χώρου του συλλέκτη έχει φορά που ωθεί τα ηλεκτρόνια, που έχουν εισέλθει, προς τον συλλέκτη. Αυτά τα ηλεκτρόνια συλλέγονται από την επαφή του συλλέκτη και δίδουν το ρεύµα συλλέκτη (I C ) (υπάρχει και το ρεύµα ανάστροφης πόλωσης της διόδου συλλέκτη, που θεωρείται αµελητέο). Τα ελεύθερα ηλεκτρόνια, τα οποία παραµένουν στο χώρο της βάσης, µαζί µε τις ελεύθερες οπές, οι οποίες εισέρχονται στην περιοχή του εκποµπού, δίνουν το ρεύµα βάσης (I B ). Επειδή το ρεύµα αυτό προκύπτει από αλληλεξουδετέρωση ελεύθερων ηλεκτρονίων µε ελεύθερες οπές, ονοµάζεται και ρεύµα επανασύνδεσης (recombination current). Στα περισσότερα τρανζίστορ, περισσότερο από το 95% των φορτίων, που εκπέµπονται από τον εκποµπό, φθάνουν στο συλλέκτη και λιγότερο από το 5% παραµένουν στη βάση και συµβάλλουν στο ρεύµα της βάσης. Σε γενικές γραµµές: Το ρεύµα συλλέκτη (Ι C )είναι περίπου ίσο µε το ρεύµα του εκποµπού (Ι Ε ). Το ρεύµα βάσης (I B )είναι πολύ µικρό. Σχήµα 4 Πόλωση του τρανζίστορ και ροή των ελεύθερων ηλεκτρονίων και οπών. Από τον πρώτο νόµο του Kirchhoff (κόµβος το τρανζίστορ) προκύπτει: IE = IB + I C (1) Ο συντελεστής α DC εκφράζει το ποσοστό των ελεύθερων φορέων του εκποµπού που φτάνει στο συλλέκτη και δίνει το ρεύµα συλλέκτη και ορίζεται ως το πηλίκο του ρεύµατος του συλλέκτη IC προς το ρεύµα του εκποµπού, δηλ. ισχύει: α DC =. I ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΕΙΣ 1. Όσο µεγαλύτερος είναι ο συντελεστής α DC, τόσο περισσότερα ηλεκτρόνια φθάνουν στο συλλέκτη και τόσο µικρότερο είναι το ρεύµα της βάσης. 2. Το ρεύµα της βάσης µπορεί να ελαττωθεί αν η βάση γίνει λεπτότερη και µειωθεί ο εµπλουτισµός της. 3. Ο συντελεστής α DC δεν µπορεί να γίνει ίσος µε τη µονάδα διότι στο ρεύµα της βάσης συνεισφέρουν: (i) στα µεν τρανζίστορ-npn και οι ελεύθερες οπές της βάσης, (ii) στα δε E 3

4 τρανζίστορ-pnp και τα ελεύθερα ηλεκτρόνια της βάσης, µε αποτέλεσµα την αύξηση του ρεύµατος βάσης χωρίς αντίστοιχη αύξηση του ρεύµατος συλλέκτη. Εάν σε ένα τρανζίστορ αυξηθεί η τάση της διόδου εκποµπού του, θα αυξηθεί το ρεύµα βάσης (I B ) και πειραµατικά έχει διαπιστωθεί ότι σηµειώνεται αναλογική αύξηση του ρεύµατος συλλέκτη (I C ). Άρα, υπάρχει δυνατότητα ελέγχου του ρεύµατος συλλέκτη µέσω του ρεύµατος βάσης. Επειδή το ρεύµα βάσης είναι µικρό ενώ το ρεύµα του συλλέκτη µεγάλο, ορίζεται ο συντελεστής: DC κέρδος ή απολαβή ρεύµατος (β DC ), ως το πηλίκο του ρεύµατος συλλέκτη προς το ρεύµα IC βάσης, δηλ. είναι β DC =. I ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΕΙΣ B 1. Σε τρανζίστορ χαµηλής ισχύος, ο συντελεστής β DC λαµβάνει τιµές στην περιοχή , ενώ σε τρανζίστορ ισχύος οι τιµές του κυµαίνονται από βdc αdc 2. Τα µεγέθη β DC και α DC συνδέονται µε τις σχέσεις: α DC = και β 1 + β DC =. DC 1 αdc 3. Για περαιτέρω ελάττωση της συνεισφοράς των ελεύθερων φορέων της περιοχής της βάσης στο ρεύµα της βάσης, δηλ. για αύξηση του συντελεστή α DC, έχουν αναπτυχθεί σήµερα (µε σχετικά περιορισµένες εφαρµογές) τα διπολικά τρανζίστορ ετεροεπαφής (heterojunction bipolar transistor), στα οποία εφαρµόζονται διαφορετικοί ηµιαγωγοί για τον εκποµπό και τη βάση, π.χ. στερεά διαλύµατα πυριτίου-γερµανίου (SiGe) ή αρσενικούχου γαλλίου-αργιλίου (AlGaAs). ΒΑΣΙΚΕΣ ΣΥΝ ΕΣΜΟΛΟΓΙΕΣ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Στο Σχ. 5 παρουσιάζονται οι βασικές συνδεσµολογίες διπολικού τρανζίστορ. Σηµειώνεται ότι για την πόλωση ενός τρανζίστορ απαιτούνται δύο πηγές τάσης, µια για το βρόγχο ορθής πόλωσης της διόδου εκποµπού και µια για την ανάστροφη πόλωση του βρόχου της διόδου συλλέκτη. (α) (β) (γ) Σχήµα 5: Βασικές συνδεσµολογίες τρανζίστορ (α) κοινού εκποµπού (CE), (β) κοινής βάσης (CB) και (γ) κοινού συλλέκτη (CC) ιακρίνουµε: (α) Συνδεσµολογία κοινού εκποµπού (Common Emitter, CE): Οι βρόχοι έχουν ως κοινό σηµείο τον εκποµπό, ο οποίος είναι γειωµένος. (β) Συνδεσµολογία κοινής βάσης (Common Base, CB): Οι βρόχοι έχουν ως κοινό σηµείο τη βάση, η οποία είναι γειωµένη. (γ) Συνδεσµολογία κοινού συλλέκτη (Common Collector, CC): Οι δύο βρόχοι έχουν ως κοινό σηµείο τους το συλλέκτη, ο οποίος είναι γειωµένος. Η µεταβολή της συνδεσµολογίας ενός τρανζίστορ από κοινή βάση σε κοινό εκποµπό ή κοινό συλλέκτη, δεν µεταβάλλει την εσωτερική λειτουργία του. 4

5 Στη συνέχεια, η µελέτη θα γίνει για τη συνδεσµολογία κοινού εκποµπού, βλ. Σχ. 6. Σχήµα 6: Συνδεσµολογία κοινού εκποµπού Ισοδύναµο κύκλωµα τρανζίστορ Χαρακτηριστική ρεύµατος βάσης I B = V BB V R B BE Χαρακτηριστικές καµπύλες συλλέκτη Περιοχές λειτουργίας τρανζίστορ Περιοχή κόρου (saturation region): Είναι η περιοχή µικρών τάσεων V CE (V CE =0-1V), στην οποία το ρεύµα συλλέκτη αυξάνεται απότοµα. Σ αυτή την περιοχή η δίοδος συλλέκτη δεν είναι ανάστροφα πολωµένη. Eνεργός περιοχή (active region): Είναι περιοχή κανονικής λειτουργίας µε V CE =1-30V. Σ αυτή την περιοχή η δίοδος εκποµπού είναι ορθά πολωµένη και η δίοδος συλλέκτη ανάστροφα πολωµένη, το δε ρεύµα συλλέκτη καθορίζεται µόνο από το ρεύµα βάσης. Η διάταξη συµπεριφέρεται ως πηγή ρεύµατος ( IC = βdc IB). Περιοχή διάσπασης (breakdown region): Στην περιοχή αυτή, η τάση συλλέκτη έχει υπερβεί την τάση διάσπασης συλλέκτη-εκποµπού και η διάταξη παύει να λειτουργεί ως τρανζίστορ. Περιοχή αποκοπής (cutoff region): Είναι η περιοχή που αντιστοιχεί σε χαρακτηριστική µε ρεύµα βάσης µηδέν και ρεύµα συλλέκτη πολύ µικρό (ρεύµα αποκοπής συλλέκτη). Σχήµα 7: Χαρακτηριστικά της λειτουργίας τρανζίστορ 5

6 Η συνολική εικόνα των δυνατοτήτων λειτουργίας του διπολικού τρανζίστορ συνοψίζεται στον Πίν. 1. Πίνακας 1: υνατότητες λειτουργίας του διπολικού τρανζίστορ Πόλωση επαφής συλλέκτη ορθή ανάστροφη Πόλωση επαφής εκποµπού ορθή ανάστροφη Περιοχή κόρου (κλειστός διακόπτης) Ενεργός περιοχή ανάστροφης λειτουργίας (κακός ενισχυτής) Ενεργός περιοχή ορθής λειτουργίας (καλός ενισχυτής) Περιοχή αποκοπής (ανοιχτός διακόπτης) 2. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕ ΙΟΥ ΕΠΑΦΗΣ (JFET) Το τρανζίστορ εγκαρσίου πεδίου επαφής (Junction Field Effect Transistor, JFET) είναι ένα µονοπολικό τρανζίστορ, δεδοµένου ότι η λειτουργία του βασίζεται σε ένα µόνο είδος φορέων, δηλαδή σε ηλεκτρόνια ή σε οπές, σε αντίθεση µε το διπολικό τρανζίστορ που βασίζει τη λειτουργία του και στα δύο είδη φορέων. ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ Η αρχή κατασκευής ενός JFET περιλαµβάνει την επιλογή ενός βασικού ηµιαγώγιµου τµήµατος ορισµένου τύπου (π.χ. τύπου-n), στις δύο πλευρές του οποίου προστίθενται περιοχές αντίθετου τύπου (δηλ. τύπου-p), βλ. Σχ. 8. Η συγκέντρωση των προσµίξεων στις προστιθέµενες περιοχές (τύπου-p) είναι πολύ µεγαλύτερες από αυτή του βασικού τµήµατος. Καθεµία από τις προστιθέµενες περιοχές (τύπου-p) καλείται πύλη (gate). Τα δύο άκρα του βασικού ηµιαγωγού (τύπου-n) ονοµάζονται αντίστοιχα πηγή (source) και απαγωγός (drain), ενώ το τµήµα του που βρίσκεται ανάµεσα στις πύλες ονοµάζεται κανάλι ή δίαυλος (channel). Ο τύπος του JFET ορίζεται ανάλογα µε τον τύπο ηµιαγωγού του καναλιού, π.χ. JFET n- καναλιού ή JFET p-καναλιού. Ένα JFET µπορεί να έχει 1 ή 2 πύλες. Ευρύτερη εφαρµογή συναντούν οι διατάξεις µε 1 πύλη. Υλοποίηση JFET JFET διπλής πύλης JFET απλής πύλης Σχήµα 8: Τρανζίστορ εγκαρσίου πεδίου επαφής (JFET) 6

7 Στο Σχ. 9 παρουσιάζονται τα κυκλωµατικά σύµβολα ενός JFET. JFET n-καναλιού JFET p-καναλιού Σχήµα 9: Κυκλωµατικά σύµβολα ενός JFET (G: Βάση, D: Συλλέκτης, S: Πηγή) ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ Η λειτουργία του JFET µιας πύλης βασίζεται στην επαφή πύλης-καναλιού (επαφή ή δίοδος πύλης). Η περιοχή φορτίου χώρου της επαφής έχει ως αποτέλεσµα την µείωση της διατοµής του καναλιού και τη µεταβολή της αντίστασης του, βλ. Σχ.10. Με τον τρόπο αυτό, µέσω της (ανάστροφης) πόλωσης της διόδου πύλης είναι δυνατή η ρύθµιση του εύρους της περιοχής φορτίου χώρου της επαφής και, κατά συνέπεια, ο έλεγχος της αντίστασης του καναλιού και του ρεύµατος που διαρρέει το JFET. Η διαδικασία αυτή είναι γνωστή µε τον όρο επίδραση πεδίου. Σχήµα 10: Περιοχές φορτίων χώρου ενός JFET Στο Σχ. 11 παρουσιάζεται τυπικό κύκλωµα πόλωσης ενός JFET καναλιού τύπου-n, µε τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Στο κύκλωµα χρησιµοποιούνται δύο πηγές τάσεως. Η πρώτη (V DD )συνδέεται µεταξύ απαγωγού και πηγής και παρέχει την τάση απαγωγού (V DS ). Η δεύτερη (V GG ) συνδέεται µεταξύ πύλης και πηγής και παρέχει την τάση πύλης (V GS ). Η V GG πολώνει ανάστροφα τη δίοδο πύλης, µε αποτέλεσµα το ρεύµα πύλης I G να είναι πάρα πολύ µικρό και η αντίσταση εισόδου πάρα πολύ µεγάλη. Η τάση της πύλης (V GS ) διαµορφώνει την αντίσταση του καναλιού. Στο Σχ. 11 παρουσιάζεται η µορφή της χαρακτηριστικής ρεύµατος απαγωγού ενός JFET καναλιού-n και στο Σχ. 12 παρουσιάζεται οικογένεια χαρακτηριστικών καµπυλών ρεύµατος απαγωγού (I D ) συναρτήσει της τάσης απαγωγού (V DS ) για διάφορες τιµές της τάσης πύλης (V GS ). 7

8 Κανονική πόλωση JFET Χαρακτηριστική καµπύλη ρεύµατος Σχήµα 11: Τυπικό κύκλωµα πόλωσης ενός JFET καναλιού τύπου-n Σχήµα 12: Χαρακτηριστικές καµπύλες απαγωγού. Σε κάθε χαρακτηριστική καµπύλη ρεύµατος απαγωγού διακρίνονται τα ακόλουθα χαρακτηριστικά και περιοχές λειτουργίας: Κατάσταση βραχυκυκλωµένης πύλης (shorted-gate): Αντιστοιχεί σε µηδενισµό της τάσης πύλης (πύλη και πηγή βραχυκυκλώνουν). Χαρακτηρίζεται από το ρεύµα απαγωγού στην κατάσταση βραχυκυκλωµένης πύλης (I DSS ), το οποίο είναι το µέγιστο ρεύµα απαγωγού σε κανονική λειτουργία του JFET. Τάση συµπίεσης (pinch-off voltage): Είναι η τάση απαγωγού (V P ), πέραν της οποίας το ρεύµα απαγωγού γίνεται περίπου σταθερό, στην κατάσταση βραχυκυκλωµένης πύλης. Όταν η τάση απαγωγού γίνει ίση µε V P, το αγώγιµο κανάλι γίνεται εξαιρετικά στενό (συµπιέζεται) και οι περιοχές φορτίου χώρου σχεδόν εφάπτονται. Αν η τάση απαγωγού αυξηθεί κι άλλο, το ρεύµα του απαγωγού θα αυξηθεί ελάχιστα γιατί το εύρος του αγώγιµου καναλιού είναι πολύ µικρό και δεν µεταβάλλεται παρά ελάχιστα. Με βάση την τάση συµπίεσης υφίστανται οι ακόλουθες περιοχές στη χαρακτηριστική ενός JFET: Ενεργός περιοχή: Αντιστοιχεί σε τιµές της τάσης απαγωγού µεγαλύτερες από την τάση συµπίεσης. 8

9 Ωµική περιοχή: Εντοπίζεται σε τιµές της τάσης απαγωγού µικρότερες από την τάση συµπίεσης. Στην περιοχή αυτή, το ρεύµα απαγωγού πρακτικά δεν εξαρτάται από την τάση της πύλης. Τάση αποκοπής πύλης πηγής (gate cut-off voltage): Είναι η τάση V GS(off), στην οποία αποκόπτεται το ρεύµα απαγωγού, λόγω της επαφής των περιοχών φορτίου χώρου και υπολογίζεται από τη σχέση: VP = V ( ). GS off Χαρακτηριστική διαγωγιµότητας (transconductance curve) ενός JFET: Eίναι η γραφική παράσταση του ρεύµατος απαγωγού συναρτήσει της τάσης πύλης (Σχ. 13) και περιγράφεται από τη σχέση: V GS ID = IDSS 1 V GS( off ) 2 3. ΜOFSET Σχήµα 13: Χαρακτηριστική διαγωγιµότητας ενός JFET Το MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor FET) ή IGFET (Insulated-Gate FET) είναι το ευρύτερα χρησιµοποιούµενο τρανζίστορ. Όπως και το JFET, αποτελείται και αυτό από τα ίδια στοιχεία πηγή, απαγωγό και πύλη µε τη διαφορά ότι η πύλη του είναι ηλεκτρικά µονωµένη ως προς το κανάλι, µε αποτέλεσµα το ρεύµα πύλης να είναι πάρα πολύ µικρό, ανεξάρτητα από τη φορά της τάσης που εφαρµόζεται µεταξύ πύλης και πηγής. Ως µονωτικό χρησιµοποιείται ένα πολύ λεπτό στρώµα SiO 2 που παρεµβάλλεται µεταξύ της µεταλλικής πύλης και του ηµιαγωγού. Ο τύπος του καναλιού καθορίζεται από το είδος των φορτίων (ηλεκτρόνια ή οπές) που άγουν το ρεύµα από την πηγή προς τον απαγωγό. Το όνοµα της διάταξης MOSFET καθορίζεται από τη σειρά διαδοχής των στρωµάτων. Ανάλογα µε τον τρόπο λειτουργίας του, διακρίνουµε δυο κατηγορίες MOSFET: MOSFET τύπου αραίωσης (Depletion mode). MOSFET τύπου πύκνωσης (Enhancement mode). MOSFET ΤΥΠΟΥ ΑΡΑΙΩΣΗΣ Το MOSFET αραίωσης (Σχ. 14) αποτελείται από ένα τµήµα ηµιαγωγού-n, στα άκρα του οποίου συνδέονται οι ακροδέκτες πηγής και απαγωγού. Η εφαρµογή τάσης µεταξύ πηγής και απαγωγού, 9

10 όπου ο απαγωγός συνδέεται στο θετικό πόλο της πηγής, θέτει τα ηλεκτρόνια σε ροή από την πηγή προς τον απαγωγό. MOSFET αραίωσης µε αρνητική τάση στην πύλη Σχήµα 14: οµή ενός MOSFET αραίωσης Πίνακας 2: Τύποι ΜΟSFET αραίωσης MOSFET αραίωσης µε θετική τάση στην πύλη Η πηγή τάσης V DD ωθεί τα ηλεκτρόνια να κινηθούν από την πηγή προς τον απαγωγό µέσω του λεπτού καναλιού µεταξύ της περιοχής p και της πύλης. Η αρνητική τάση στην πύλη απωθεί τα ηλεκτρόνια του καναλιού, µε αποτέλεσµα την ελάττωση της πυκνότητας τους και την Εφαρµογή θετικής τάσης στην πύλη έχει ως συνέπεια την προσέλκυση ηλεκτρονίων προς την πύλη και αύξηση της πυκνότητας τους µέσα στο κανάλι. Η διαδικασία αυτή ονοµάζεται λειτουργία πύκνωσης (enhancement mode). Το δε κανάλι, αν και πρακτικά δεν αλλάζει ελάττωση του ρεύµατος απαγωγού. διαστάσεις, γίνεται πιο αγώγιµο µε Η διαδικασία αυτή ονοµάζεται λειτουργία αποτέλεσµα να αυξηθεί το ρεύµα απαγωγού. αραίωσης (depletion mode). Όσο η τάση της πύλης γίνεται περισσότερο αρνητική, το ρεύµα απαγωγού ελαττώνεται µέχρις ότου αποκοπεί. Το ρεύµα της πύλης είναι αµελητέο και στους δύο τρόπους λειτουργίας. Αντίθετα, η αντίσταση εισόδου της πύλης είναι πολύ µεγάλη (από Ωµ). 10

11 Το MOSFET αραίωσης έχει µία µόνο περιοχή p, που ονοµάζεται υπόστρωµα (substrate) και περιορίζει δραστικά τη διατοµή του καναλιού, µε αποτέλεσµα να µένει ένα πολύ λεπτό στρώµα µόνο που επιτρέπει στα ελεύθερα ηλεκτρόνια να κινούνται από την πηγή προς τον απαγωγό. Ένα πολύ λεπτό υµένιο SiO 2 προσαρµόζεται στην αντίθετη πλευρά του καναλιού και πάνω σ αυτό τοποθετείται η µεταλλική πύλη. Ανάλογα µε την εφαρµοζόµενη τάση στην πύλη διακρίνονται δύο τύποι MOSFET αραίωσης: Με αρνητική τάση στην πύλη. Με θετική τάση στην πύλη. Η λειτουργία και τα χαρακτηριστικά των δύο αυτών τύπων περιγράφονται στον Πίν. 2. Στο Σχ. 14 παρουσιάζονται τα κυκλωµατικά σύµβολα MOSFET τύπου αραίωσης n-καναλιού µε τα εξής χαρακτηριστικά: Η πύλη έχει τη µορφή οπλισµού πυκνωτή. εξιά από την πύλη, υπάρχει λεπτή γραµµή που παριστάνει το κανάλι. Το βέλος του υποστρώµατος δείχνει προς τον ηµιαγωγό, το δε υπόστρωµα µπορεί να συνδέεται εξωτερικά ή εσωτερικά µε την πηγή (οπότε προκύπτει διάταξη τριών ακροδεκτών). Με ακροδέκτη υποστρώµατος Χωρίς ακροδέκτη υποστρώµατος Σχήµα 14: τα κυκλωµατικά σύµβολα MOSFET τύπου αραίωσης n-καναλιού ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ MOSFET ΑΡΑΙΩΣΗΣ Τα MOSFET τύπου αραίωσης χρησιµοποιούνται κυρίως στα αναλογικά ηλεκτρονικά. Οι ενισχυτές µε MOSFET τύπου αραίωσης είναι παρόµοιοι µε τους ενισχυτές µε JFET και γι αυτό το λόγο µπορεί να ακολουθηθεί η AC ανάλυση, η οποία χρησιµοποιείται στα JFET. Επιπλέον, επειδή έχουν στην είσοδο τους µονωµένη την πύλη, επιτυγχάνουν πολύ υψηλές αντιστάσεις εισόδου. Τέλος, επειδή η αντίσταση του καναλιού µεταβάλλεται µε την τάση της πύλης, βρίσκουν εφαρµογή σε κυκλώµατα αυτοµάτου ελέγχου απολαβής (AGC). Επειδή εµφανίζουν µη µηδενικό ρεύµα απαγωγού για µηδενική τάση πύλης ονοµάζονται και MOSFET κανονικά σε κατάσταση ΟΝ (normally on MOSFET). ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΑΠΑΓΩΓΟΥ ΕΝΟΣ MOSFET n-καναλιου Στο Σχ. 15 παρουσιάζονται οι χαρακτηριστικές V DS -I D ενός MOSFET n-καναλιού. Οι καµπύλες που βρίσκονται στο πάνω τµήµα των χαρακτηριστικών αντιστοιχούν σε θετικές τιµές της τάσης πύλης (V GS > 0) και αντιστοιχούν σε λειτουργία πύκνωσης. Η κατώτερη καµπύλη µε ρεύµα απαγωγού σχεδόν µηδενικό αντιστοιχεί σε τάση πύλης ίση µε την τάση αποκοπής (V GS = V GS(off) ). Οι ενδιάµεσες καµπύλες (V GS(off) <V GS < 0 V) αντιστοιχούν σε λειτουργία αραίωσης. 11

12 Σχήµα 15: Χαρακτηριστικές ρεύµατος απαγωγού / τάσης απαγωγού-πηγής. ΓΕΝΙΚΟΣ ΚΑΝΟΝΑΣ: Το MOSFET τύπου αραίωσης µπορεί να λειτουργήσει είτε µε αραίωση είτε µε πύκνωση. MOSFET ΤΥΠΟΥ ΠΥΚΝΩΣΗΣ Το MOSFET τύπου πύκνωσης (enhancement mode MOSFET) λειτουργεί αποκλειστικά µε πύκνωση και επιτρέπει την ταυτόχρονη ολοκλήρωση στο ίδιο τσιπ, διατάξεων n-καναλιού και p- καναλιού µε αποτέλεσµα τη δηµιουργία συστηµάτων συµπληρωµατικών στοιχείων (κυκλώµατα CMOS Complementary MOS). Στη δοµή των MOSFET πύκνωσης το υπόστρωµα εκτείνεται µέχρι την επίστρωση του οξειδίου, µε αποτέλεσµα να µην υπάρχει κανάλι µεταξύ πηγής και απαγωγού. Η όλη δοµή µοιάζει να αποτελείται από δύο διόδους συνδεδεµένες αντίθετα µεταξύ τους, βλ. Σχ. 16. Σχήµα 16: οµή MOSFET τύπου πύκνωσης ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΕΝΟΣ MOSFET ΤΥΠΟΥ ΠΥΚΝΩΣΗΣ Σε συνθήκες κανονικής πολικότητας της πύλης και του απαγωγού (Σχ. 17), εάν η τάση της πύλης είναι µηδέν (κατάσταση βραχυκυκλωµένης πύλης), το ρεύµα δε µπορεί να διέλθει από την πηγή προς τον απαγωγό (το p-τύπου υπόστρωµα έχει πάρα πολύ λίγα ελεύθερα ηλεκτρόνια και η δίοδος υποστρώµατος/απαγωγού είναι ανάστροφα πολωµένη). Συνεπώς, το ρεύµα του απαγωγού είναι αµελητέο. 12

13 Σχήµα 17: Κανονική πόλωση ΜΟSFΕΤ Για να υπάρξει ρεύµα απαγωγού, πρέπει το υπόστρωµα να µετατραπεί σε n-τύπου (έστω και τοπικά) ώστε να µην υπάρχουν οι δίοδοι υποστρώµατος/πηγής και υποστρώµατος/απαγωγού και να εξασφαλιστεί η ύπαρξη ηλεκτρονίων στο υπόστρωµα. Η διαδικασία προς τούτο είναι η ακόλουθη: Η πύλη σχηµατίζει µε το υπόστρωµα πυκνωτή. Εφαρµογή µιας αρκετά "υψηλής" θετικής τάσης στην πύλη, φορτίζει τον οπλισµό-πύλης του πυκνωτή θετικά, ενώ συσσωρεύονται ηλεκτρόνια στον οπλισµό/υπόστρωµα και µάλιστα στην περιοχή ακριβώς κάτω από το λεπτό στρώµα του οξειδίου της πύλης, καλύπτοντας όλη τη διαδροµή από την πηγή µέχρι τον απαγωγό. Το σχηµατιζόµενο τοπικό πολύ λεπτό στρώµα µε φορείς πλειονότητας τα ηλεκτρόνια συµπεριφέρεται ως τύπου-n και η παρουσία του αποκαθιστά την αγωγιµότητα (ηλεκτρικό ρεύµα) µεταξύ πηγής και απαγωγού. Περαιτέρω αύξηση της θετικής τάσης της πύλης, οδηγεί σε αύξηση της πυκνότητας ηλεκτρονίων στο υπόστρωµα και αύξηση του ρεύµατος απαγωγού. Επειδή το κανάλι είναι n-τύπου, η διάταξη ονοµάζεται MOSFET πύκνωσης n-καναλιού (nchannel enhancement mode MOSFET). Το λεπτό στρώµα τύπου-n του p-τύπου υποστρώµατος, που σχηµατίζεται από το ισχυρό ηλεκτρικό πεδίο και εφάπτεται στο στρώµα SiO 2, ονοµάζεται στρώµα αναστροφής n-τύπου (inversion layer). Τάση κατωφλίου (threshold voltage- V GS(th) ) είναι η ελάχιστη τάση πύλης/πηγής, που προκαλεί την εµφάνιση του στρώµατος αναστροφής n-τύπου, µε τα εξής χαρακτηριστικά, βλ. Σχ. 18: Εάν είναι V GS <V GS(th), το MOSFET είναι ανοικτό. Εάν είναι V GS >V GS(th), το MOSFET άγει. Σχήµα 18: Χαρακτηριστικές V DS -I D για διάφορες τιµές της τάσης πύλης V GS. 13

14 ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΕΙΣ 1. Στο κυκλωµατικό σύµβολο ενός ΜOSFET πύκνωσης (Σχ. 19), το κανάλι δηλώνεται µε διακεκοµµένη γραµµή για να δηλωθεί ότι στην κατάσταση βραχυκυκλωµένης πύλης δεν υπάρχει κανάλι µεταξύ πηγής και απαγωγού (κατάσταση off). 2. Στο κυκλωµατικό σύµβολο ενός ΜOSFET πύκνωσης p-καναλιού, το υπόστρωµα είναι n-τύπου, η τάση κατωφλίου αρνητική και το ρεύµα απαγωγού ρέει σε αντίθετη κατεύθυνση από αυτή του MOSFET n-καναλιού. 3. To µονωτικό λεπτό στρώµα SiO 2 που παρεµβάλλεται µεταξύ πύλης και καναλιού σ όλα τα MOSFET µπορεί να καταστραφεί από διάφορες αιτίες, όπως: Επιβολή υψηλής τάσης στην πύλη. Τοποθέτηση ή αποµάκρυνση του MOSFET από κύκλωµα που ήδη τροφοδοτείται (ανάπτυξη υψηλών µεταβατικών τάσεων). Ηλεκτροστατικά φορτία που εναποτίθενται στην πύλη λόγω επαφής. n-καναλιού p-καναλιού Σχήµα 19: Κυκλωµατικά σύµβολα του ΜOSFET πύκνωσης ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΤΩΝ MOSFET ΠΥΚΝΩΣΗΣ Σε αναλογικά κυκλώµατα, για την κατασκευή τελεστικών ενισχυτών, όπως π.χ. ο TLC251 (Texas Instruments) και ο CA3130 (HARRIS). Στα ψηφιακά ηλεκτρονικά, σε µνήµες και µικροεπεξεργαστές (οι οποίοι περιέχουν περισσότερο από ένα εκατοµµύριο MOSFET σε κάθε ψηφίδα). Λόγω της µικρής κατανάλωσης ισχύος τους, στην κατασκευή φορητών υπολογιστών ισχυρής υπολογιστικής ικανότητας, σε εφαρµογές σε τηλεπικοινωνιακούς δορυφόρους, στην κατασκευή κινητών τηλεφώνων, κλπ. Σε εφαρµογές ισχύος: µετατροπείς τάσης, από συνεχή σε εναλλασσόµενη (inverter), σε παλµοτροφοδοτικά, µονάδες εξόδου ενισχυτών τάξης Β ή ΑΒ υψηλής ισχύος, κλπ. 14

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4ο ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Διπολικά τρανζίστορ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar ή BJT) είναι ένας κρύσταλλος τριών στρωμάτων με διαφορετικό επίπεδο εμπλουτισμού: τον εκπομπό Ε, τη βάση

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) 1 FET Δομή και λειτουργία Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. 12. ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)-Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ ιαφάνεια 1 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. Αρχή

Διαβάστε περισσότερα

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ ΕΠΑΦΗΣ (JFET) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός είδους

Διαβάστε περισσότερα

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους 3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B. 3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Α. Αναστροφέας MOSFET. Α.1 Αναστροφέας MOSFET µε φορτίο προσαύξησης. Ο αναστροφέας MOSFET (πύλη NOT) αποτελείται από

Διαβάστε περισσότερα

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B. 3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1 Δομή Παρουσίασης MOSFET

Διαβάστε περισσότερα

«Αναθεώρηση των FET Transistor»

«Αναθεώρηση των FET Transistor» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Αναθεώρηση των FET Transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή FET Χαρακτηριστικά Λειτουργία Πόλωση Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για FET ΤΗΜΜΥ - 2

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor

Κεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor Κεφάλαιο Ένα: 1.1 Εισαγωγή Το 1951 ο William Schockley εφεύρε το πρώτο transistor επαφής, µια ηµιαγωγική διάταξη η οποία µπορεί να ενισχύσει ηλεκτρονικά σήµατα, όπως ραδιοφωνικά και τηλεοπτικά σήµατα.

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G). ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Μάθημα V Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου. Καθηγητής Αντώνιος Γαστεράτος Τμήμα Μηχανικών Παραγωγής και Διοίκησης, Δ.Π.Θ.

Ηλεκτρονική Μάθημα V Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου. Καθηγητής Αντώνιος Γαστεράτος Τμήμα Μηχανικών Παραγωγής και Διοίκησης, Δ.Π.Θ. Ηλεκτρονική Μάθημα V Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Καθηγητής Αντώνιος Γαστεράτος Τμήμα Ε.ΔΙ.Π. Μηχανικών Δρ. Αθανάσιος Παραγωγής Ψωμούλης και Διοίκησης, Δ.Π.Θ. Τμήμα Μηχανικών Παραγωγής και Διοίκησης, Δ.Π.Θ.

Διαβάστε περισσότερα

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Τα πιο βασικά στοιχεία δομής των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 5 Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη των

Διαβάστε περισσότερα

οµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).

οµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 οµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Τα τρανζίστορ MOSFET είναι διατάξεις ελεγχόµενες από τάση οι οποίες δεν απαιτούν µεγάλα ρεύµατα

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών) Τα μοντέρνα ψηφιακά κυκλώματα (λογικές πύλες, μνήμες, επεξεργαστές και άλλα σύνθετα κυκλώματα) υλοποιούνται σήμερα

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET)

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET) ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 7 Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET) Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η κατανόηση της λειτουργία των

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 1-1 Ενεργειακές Ζώνες 3 1-2 Αµιγείς και µη Αµιγείς Ηµιαγωγοί 5 ότες 6 Αποδέκτες 8 ιπλοί ότες και Αποδέκτες 10 1-3 Γένεση, Παγίδευση και Ανασύνδεση Φορέων 10 1-4 Ένωση pn

Διαβάστε περισσότερα

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Ηµιαγώγιµα υλικά και πυρίτιο Η κατασκευή ενός ολοκληρωµένου κυκλώµατος γίνεται µε βάση ένα υλικό ηµιαγωγού (semiconductor), το οποίο

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET

Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET 1. Nα σχεδιάσετε τη δομή (διατομή) και το κυκλωματικό σύμβολο ενός τρανζίστορ MOSFET πύκνωσης (ή εμπλουτισμού) καναλιού τύπου n. 2. Να αναπτύξετε τις

Διαβάστε περισσότερα

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ.Ε.

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 5: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (MOS-FET, J-FET) Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας ΔΙΟΔΟΣ Οι περισσότερες ηλεκτρονικές συσκευές όπως οι τηλεοράσεις, τα στερεοφωνικά συγκροτήματα και οι υπολογιστές χρειάζονται τάση dc για να λειτουργήσουν σωστά.

Διαβάστε περισσότερα

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΧΑΤΖΟΠΟΥΛΟΣ ΑΡΓΥΡΗΣ ΚΟΖΑΝΗ 2005 ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΥΜΒΟΛΙΣΜΟΙ Για τον καλύτερο προσδιορισµό των µεγεθών που χρησιµοποιούµε στις εξισώσεις, χρησιµοποιούµε τους παρακάτω συµβολισµούς

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΥΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΟΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΜΕΛΕΤΗ DC ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑΣ Στο σχήμα φαίνεται ένα κύκλωμα κοινού εκπομπού από το βρόχο εισόδου Β-Ε ο νόμος του Kirchhoff δίνει: Τελικά έχουμε: I I BB B B E E BE B BB E IE

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3: Τρανζίστορ FET Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης Το παρόν

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET)

Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET) Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET) Εισαγωγή Σκοπός Πειράµατος Στην εργαστηριακή αυτή άσκηση θα µελετηθεί το transistor επίδρασης πεδίου (Field Effect Transistors). Πιο συγκεκριµένα µε την βοήθεια

Διαβάστε περισσότερα

Περιεχόμενο της άσκησης

Περιεχόμενο της άσκησης Προαπαιτούμενες γνώσεις Επαφή p- Στάθμη Fermi Χαρακτηριστική ρεύματος-τάσης Ορθή και ανάστροφη πόλωση Περιεχόμενο της άσκησης Οι επαφές p- παρουσιάζουν σημαντικό ενδιαφέρον επειδή βρίσκουν εφαρμογή στη

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ). 7. Εισαγωγή στο διπολικό τρανζίστορ-ι.σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 7. TΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Ανάλογα µε το υλικό διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και 2. τρανζίστορ πυριτίου

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου

ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου Απαραίτητα όργανα και υλικά ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου 7. Απαραίτητα όργανα και υλικά. Τροφοδοτικό DC.. Πολύμετρα (αμπερόμετρο, βολτόμετρο).. Πλακέτα για την

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση των Τρανζίστορ

Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση λέμε την κατάλληλη συνεχή τάση που πρέπει να εφαρμόσουμε στο κύκλωμα που περιλαμβάνει κάποιο ηλεκτρονικό στοιχείο (π.χ τρανζίστορ), έτσι ώστε να εξασφαλίσουμε την ομαλή λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ A. Πίνακες αληθείας λογικών πυλών. Στη θετική λογική το λογικό 0 παριστάνεται µε ένα χαµηλό δυναµικό, V L, ενώ το λογικό 1

Διαβάστε περισσότερα

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2) Ηλ/κά ΙΙ, Σεπτ. 05 ΘΕΜΑ 1 ο (2,5 µον.) R 1 (Ω) R B Ρελέ R2 R3 Σχ. (1) Σχ. (2) Φωτεινότητα (Lux) Ένας επαγγελµατίας φωτογράφος χρειάζεται ένα ηλεκτρονικό κύκλωµα για να ενεργοποιεί µια λάµπα στο εργαστήριό

Διαβάστε περισσότερα

Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT)

Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT) Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT) Θέματα που θα καλυφθούν Δομή και συμβολισμός των διπολικών τρανζίστορ Φυσική λειτουργία διπολικού τρανζίστορ Τα ρεύματα στο τρανζίστορ Μοντέλο μεγάλο

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονικά Ισχύος. ίοδος

Ηλεκτρονικά Ισχύος. ίοδος Ηλεκτρονικά Ισχύος Πρόκειται για στοιχεία κατασκευασμένα από υλικά με συγκεκριμένες μη γραμμικές ηλεκτρικές ιδιότητες (ημιαγωγά στοιχεία) Τα κυριότερα από τα στοιχεία αυτά είναι: Η δίοδος Το thyristor

Διαβάστε περισσότερα

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ»

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗMMΥ Σκοπός διάλεξης Παρουσίαση των σημαντικότερων τοπολογιών ενισχυτών με ένα και περισσότερα

Διαβάστε περισσότερα

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 3. ΙΟ ΟΣ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΙΟ ΩΝ Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτές με FET. Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Ενισχυτές με FET. Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ενισχυτές με FET Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ενισχυτές με FET Τα FET οδηγούνται με την τάση u GS ενώ τα BJT με το ρεύμα i B Μηχανισμός ενίσχυσης Για το FET η σχέση

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ Σκοπός : 1. Γνωριμία με το τρανζίστορ. Μελέτη πόλωσης του τρανζίστορ και ευθεία φορτίου. 2. Μελέτη τρανζίστορ σε λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Σχήµα 1. Κύκλωµα DC πόλωσης ηλεκτρονικού στοιχείου Στο ηλεκτρονικό στοιχείο του σχήµατος

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης reatve ommons. Για εκπαιδευτικό

Διαβάστε περισσότερα

ΜΕΛΕΤΗ TRANSISTOR MOSFET

ΜΕΛΕΤΗ TRANSISTOR MOSFET ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΗΠΕΙΡΟΥ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Τ.Ε. ΜΕΛΕΤΗ TRANSISTOR MOSFET Πτυχιακή εργασία της Μήτσιου Χριστίνας Επιβλέπων Καθηγητής: Αγγέλης Κωνσταντίνος ΑΡΤΑ 2015 Περιεχόμενα

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙΙI ΤΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 3.1 ιπολικό Τρανζίστορ 3.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 8. Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET)

Κεφάλαιο 8. Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Κεφάλαιο 8. Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σύνοψη Στο κεφάλαιο αυτό αναλύεται η λειτουργία του τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (Field Effect Transistor -FET), μελετώνται τα χαρακτηριστικά του καθώς και

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Φυσική (Εργαστήριο) ρ. Κ. Ι. ηµητρίου ΙΟ ΟΙ

Ηλεκτρονική Φυσική (Εργαστήριο) ρ. Κ. Ι. ηµητρίου ΙΟ ΟΙ Ηλεκτρονική Φυσική (Εργαστήριο) ρ. Κ. Ι. ηµητρίου ΙΟ ΟΙ Για να κατανοήσουµε τη λειτουργία και το ρόλο των διόδων µέσα σε ένα κύκλωµα, θα πρέπει πρώτα να µελετήσουµε τους ηµιαγωγούς, υλικά που περιέχουν

Διαβάστε περισσότερα

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών Μία PWM κυματομορφή στην πραγματικότητα αποτελεί μία περιοδική κυματομορφή η οποία έχει δύο τμήματα. Το τμήμα ΟΝ στο οποίο η κυματομορφή έχει την μέγιστη

Διαβάστε περισσότερα

Το BJT ως Διακόπτης. 3/22/13 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά - Κ.Ι.Κυριακόπουλος. Control Systems Laboratory

Το BJT ως Διακόπτης. 3/22/13 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά - Κ.Ι.Κυριακόπουλος. Control Systems Laboratory Το BJT ως Διακόπτης Οταν το transistor χρησιμοποιείται σαν διακόπτης ευρίσκεται είτε στην κατάσταση αποκοπής είτε σε αυτή του κορεσμού. Η βασική αρχή αυτής της χρήσης έγκειται στην διακριτή μεταβολή της

Διαβάστε περισσότερα

Βιοµηχανικά Ηλεκτρονικά (Industrial Electronics) Κ.Ι.Κυριακόπουλος Καθηγητής Ε.Μ.Π.

Βιοµηχανικά Ηλεκτρονικά (Industrial Electronics) Κ.Ι.Κυριακόπουλος Καθηγητής Ε.Μ.Π. Βιοµηχανικά Ηλεκτρονικά (Industrial Electronics) Κ.Ι.Κυριακόπουλος Καθηγητής Ε.Μ.Π. Εισαγωγή Control Systems Laboratory Γιατί Ηλεκτρονικά? Τι είναι τα Mechatronics ( hrp://mechatronic- design.com/)? Περιεχόμενο

Διαβάστε περισσότερα

4. Τρανζίστορ επαφής. 4.1 Χαρακτηριστικά του τρανζίστορ

4. Τρανζίστορ επαφής. 4.1 Χαρακτηριστικά του τρανζίστορ 1 4. Τρανζίστορ επαφής 4.1 Χαρακτηριστικά του τρανζίστορ Το τρανζίστορ είναι ένας ημιαγωγός με προσμίξεις, που περιέχεται μεταξύ δύο ημιαγωγών από το ίδιο υλικο, αλλά με αντίθετου τύπου προσμίξεις. Έχουμε

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών

Διαβάστε περισσότερα

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT)

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT) Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών & Πληροφορικής Μάθημα: Βασικά Ηλεκτρονικά Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT) Εργασία του Βασίλη Σ. Βασιλόπουλου Χειμερινό Εξάμηνο 2017-18 Πηγή:

Διαβάστε περισσότερα

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΦΥΣΙΚΗΣ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ & ΔΙΑΤΑΞΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: 10 ΤΙΤΛΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ: Χαρακτηριστικές n-mosfet ΑΣΚΗΣΗ 10: Το tranitor MOSFET Σε αυτή την Άσκηση θα

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 6.1 ΚΑΘΡΕΠΤΕΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Σε ένα καθρέπτη ρεύµατος, το ρεύµα του κλάδου της εξόδου είναι πάντα ίσο µε το ρεύµα του κλάδου της εισόδου, αποτελεί δηλαδή το είδωλο του. Μία τέτοια διάταξη δείχνει

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ Άσκηση 1 To κύκλωµα του Fig.1 χρησιµοποιεί τρανζίστορ Ge (αγνοείστε τη Vbe) και οι χαρακτηριστικές του δίδονται στο Fig.2. Να υπολογίσετε τις αντιστάσεις εκποµπού και συλλέκτη, έτσι ώστε

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2010 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2010 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2010 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α ΠΡΩΤΗ A1. Για τις ηµιτελείς προτάσεις Α1.1 έως και Α1.4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της πρότασης

Διαβάστε περισσότερα

Διαφορικοί Ενισχυτές

Διαφορικοί Ενισχυτές Διαφορικοί Ενισχυτές Γενικά: Ο Διαφορικός ενισχυτής (ΔΕ) είναι το βασικό δομικό στοιχείο ενός τελεστικού ενισχυτή. Η λειτουργία ενός ΔΕ είναι η ενίσχυση της διαφοράς μεταξύ δύο σημάτων εισόδου. Τα αρχικά

Διαβάστε περισσότερα

Δ1. Δ2. Δ3. Δ4. Λύση Δ1. Δ2. Δ3. Δ4.

Δ1. Δ2. Δ3. Δ4. Λύση Δ1. Δ2. Δ3. Δ4. 1) Δύο αντιστάτες με αντιστάσεις R 1 = 2 Ω, R 2 = 4 Ω, είναι μεταξύ τους συνδεδεμένοι σε σειρά, ενώ ένας τρίτος αντιστάτης R 3 = 3 Ω είναι συνδεδεμένος παράλληλα με το σύστημα των δύο αντιστατών R 1, R

Διαβάστε περισσότερα

HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα

HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Συνοπτική παρουσίαση της δομής και λειτουργίας του MOS τρανζίστορ Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Η δομή του τρανζίστορ Όπως ξέρετε υπάρχουν

Διαβάστε περισσότερα

Βασικές Λειτουργίες των TR

Βασικές Λειτουργίες των TR Βασικές Λειτουργίες των TR Το TR για να λειτουργήσει απαιτεί να εφαρµοστούν σε αυτό τάσεις δυναµικά για να κινηθούν µέσα σε αυτά τα αντίστοιχα ρεύµατα. Τα δυναµικά που µπορούν να εφαρµοστούν σε αυτό είναι:

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3ο ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΔΙΟΔΟΙ Επαφή ΡΝ Σε ένα κομμάτι κρύσταλλο πυριτίου προσθέτουμε θετικά ιόντα 5σθενούς στοιχείου για τη δημιουργία τμήματος τύπου Ν από τη μια μεριά, ενώ από την

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής Ηλεκτρονική Ι Εαρινό εξάµηνο 2005 Πρακτική ανάλυση ενισχυτή κοινού εκποµπού Τransstors βασικές αρχές Τι κάνουν τα transstors Πώς αναλύoνται τα κυκλώµατα των transstors Μικρά

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 6

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 6 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 6: Διπολικό τρανζίστορ (BJT) Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης

Διαβάστε περισσότερα

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131 Περιεχόμενα v ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1: ΔΙΟΔΟΙ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ...1 1.1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ...1 1.2 ΥΛΙΚΑ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ: Ge, Si ΚΑΙ GaAs...2 1.3 ΟΜΟΙΟΠΟΛΙΚΟΙ ΔΕΣΜΟΙ ΚΑΙ ΕΝΔΟΓΕΝΗ ΥΛΙΚΑ...3 1.4 ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΕΣ ΣΤΑΘΜΕΣ...6 1.5 ΕΞΩΓΕΝΗ

Διαβάστε περισσότερα

Θέµατα Εξετάσεων 94. δ. R

Θέµατα Εξετάσεων 94. δ. R Θέµατα Εξετάσεων 94 Συνεχές ρεύµα 42) Ο ρόλος µιας ηλεκτρικής πηγής σ' ένα κύκλωµα είναι: α) να δηµιουργεί διαφορά δυναµικού β) να παράγει ηλεκτρικά φορτία γ) να αποθηκεύει ηλεκτρικά φορτία δ) να επιβραδύνει

Διαβάστε περισσότερα

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ T.E.I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 1 Περιεχόμενα 2 ης ενότητας Στην δεύτερη ενότητα θα ασχοληθούμε

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων

Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Αγγελική Αραπογιάννη Σχολή Θετικών Επιστημών Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών The MOS Transistor Polysilicon Aluminum 2 N-MOS Τρανζίστορ Διάταξη τριών

Διαβάστε περισσότερα

1. Ρεύμα επιπρόσθετα

1. Ρεύμα επιπρόσθετα 1. Ρεύμα Ρεύμα είναι οποιαδήποτε κίνηση φορτίων μεταξύ δύο περιοχών. Για να διατηρηθεί σταθερή ροή φορτίου σε αγωγό πρέπει να ασκείται μια σταθερή δύναμη στα κινούμενα φορτία. r F r qe Η δύναμη αυτή δημιουργεί

Διαβάστε περισσότερα

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

Διπολικά τρανζίστορ (BJT) Διπολικά τρανζίστορ (BJT) Το τρανζίστορ npn Εκπομπός Σλλέκτης Βάση Σχηματική παράσταση το τρανζίστορ npn Περιοχές λειτοργίας διπολικού τρανζίστορ Περιοχή EBJ BJ Αποκοπή Ανάστροφα Ανάστροφα Εγκάρσια τομή

Διαβάστε περισσότερα

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ Γιάννης Λιαπέρδος TI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Ιστορικά Στοιχεία Περιεχόμενα 1 Ιστορικά

Διαβάστε περισσότερα

Επαφή / ίοδος p- n. Σχήµα 1: Επαφή / ίοδος p-n

Επαφή / ίοδος p- n. Σχήµα 1: Επαφή / ίοδος p-n Επαφή / ίοδος p- n 1. ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΙΟ ΟΥ p-n ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΟΡΙΣΜΟΙ Επαφή p-n ή ένωση p-n δηµιουργείται στην επιφάνεια επαφής ενός ηµιαγωγού-p µε έναν ηµιαγωγό-n. ίοδος p-n ή κρυσταλλοδίοδος είναι το ηλεκτρονικό

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Διάλεξη 2: Δίοδος pn Δρ Δημήτριος Λαμπάκης 1 Δίοδος pn Είναι μια μη γραμμική συσκευή Η γραφική παράσταση του ρεύματος σε σχέση με την τάση δεν είναι ευθεία γραμμή Η εξωτερική τάση

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ & ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΑ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ & ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ & ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΑ 1 ΝΟΜΟΣ ΤΟΥ OHM (ΩΜ) Για πολλά υλικά ο λόγος της πυκνότητας του ρεύματος προς το ηλεκτρικό πεδίο είναι σταθερός και ανεξάρτητος από το ηλεκτρικό

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Διάλεξη 4: Διπολικά Τρανζίστορ Δρ Δημήτριος Λαμπάκης ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ 1 Ηλεκτρονικές λυχνίες κενού Η εφεύρεση του τρανζίστορ υπήρξε αποτέλεσμα της προσπάθειας κατασκευής μιας

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ ΘΕΩΡΙΑ

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ ΘΕΩΡΙΑ ΠΡΟΛΟΓΟΣ Το παρόν βιβλίο «Ηλεκτρονικά Κυκλώματα-Θεωρία και Ασκήσεις» αποτελεί μία διευθέτηση ύλης που προέρχεται από τον Α και Β τόμο του συγγράμματος «Γενική Ηλεκτρονική» Α και Β τόμων έκδοσης 2001 και

Διαβάστε περισσότερα

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΑ ΔΙΚΤΥΑ ΥΨΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ (Θ) Ενότητα 1: Μικροκυματικές Διατάξεις ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΤΕ 1 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 5ο. Λιούπης Τεχνολογία CMOS Υλοποιεί την πλειοψηφία των µοντέρνων ψηφιακών κυκλωµάτων λογικές πύλες µνήµες επεξεργαστές άλλα σύνθετα κυκλώµατα Συνδυάζει συµπληρωµατικά pmos και

Διαβάστε περισσότερα

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k, Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ) με τα εξής χαρακτηριστικά: 3 k, 50, k, S k και V 5 α) Nα υπολογιστούν οι τιμές των αντιστάσεων β) Να επιλεγούν οι χωρητικότητες C, CC έτσι ώστε ο ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής 1. Ένα τρανζίστορ διπλής επαφής είναι πολωµένο σωστά όταν: α. Η βάση είναι σε υψηλότερο δυναµικό από τον εκποµπό και σε χαµηλότερο από το συλλέκτη β. Η βάση είναι σε χαµηλότερο

Διαβάστε περισσότερα

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; Ηλεκτρονικοί Υπολογιστές Κινητά τηλέφωνα Τηλεπικοινωνίες Δίκτυα Ο κόσμος της Ηλεκτρονικής Ιατρική Ενέργεια Βιομηχανία Διασκέδαση ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τι περιέχουν οι ηλεκτρονικές

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 3: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 3: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι Ενότητα 3: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creative Commons.

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ 4.1 MOS Τρανζίστορ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙV ΤΟ MOS ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 4.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

ΗΥ-121: Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Γιώργος Δημητρακόπουλος. Βασικές Αρχές Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

ΗΥ-121: Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Γιώργος Δημητρακόπουλος. Βασικές Αρχές Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Πανεπιστήμιο Κρήτης Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών ΗΥ-121: Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Γιώργος Δημητρακόπουλος Άνοιξη 2008 Βασικές Αρχές Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Ηλεκτρικό ρεύμα Το ρεύμα είναι αποτέλεσμα της κίνησης

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 5 ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΟ ΦΑΙΝΟΜΕΝΟ

Άσκηση 5 ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΟ ΦΑΙΝΟΜΕΝΟ Άσκηση 5 ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΟ ΦΑΙΝΟΜΕΝΟ 1. ΓΕΝΙΚΑ Τα ηλιακά στοιχεία χρησιμοποιούνται για τη μετατροπή του φωτός (που αποτελεί μία μορφή ηλεκτρομαγνητικής ενέργειας) σε ηλεκτρική ενέργεια. Κατασκευάζονται από

Διαβάστε περισσότερα

Relay Module. Relay. Στο πλαίσιο αυτής της προσπάθειας λοιπόν, ένα relay module είναι σχεδόν σίγουρο πως θα μας χρειαστεί.

Relay Module. Relay. Στο πλαίσιο αυτής της προσπάθειας λοιπόν, ένα relay module είναι σχεδόν σίγουρο πως θα μας χρειαστεί. Relay Module PanosRCng Στην πορεία προς ένα μέλλον αυτοματισμών, όπου θα μπορούμε να ελέγχουμε τα πάντα μέσω του φιλόξενου περιβάλλοντος του προσωπικού μας υπολογιστή, ή θα μπορούμε να αναθέτουμε σε ένα

Διαβάστε περισσότερα

http://www.electronics.teipir.gr /personalpages/papageorgas/ download/3/

http://www.electronics.teipir.gr /personalpages/papageorgas/ download/3/ Δίοδος επαφής 1 http://www.electronics.teipir.gr /personalpages/papageorgas/ download/3/ 2 Θέματα που θα καλυφθούν Ορθή πόλωση Forward bias Ανάστροφη πόλωση Reverse bias Κατάρρευση Breakdown Ενεργειακά

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 2

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 2 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 2: Ένωση pn Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό

Διαβάστε περισσότερα

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF 8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1 8. ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ο ΗΓΗΣΗΣ ΦΟΡΤΙΟΥ Το τρανζίστορ σαν διακόπτης ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON περιοχή αποκοπής: OFF 8. ιακοπτική Λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014 ΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΜΑΚΑΡΙΟΣ Γ ΣΧΟΛΙΚΗ ΧΡΟΝΙΑ: 2013 2014 ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014 Κατεύθυνση: Θεωρητική Μάθημα: Τεχνολ.& Εργ. Ηλεκτρονικών Τάξη: Β Αρ. Μαθητών: 8 Κλάδος: Ηλεκτρολογία

Διαβάστε περισσότερα

ÖÑÏÍÔÉÓÔÇÑÉÏ ÊÏÑÕÖÇ ÓÅÑÑÅÓ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 28 ΜΑΪΟΥ 2010 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

ÖÑÏÍÔÉÓÔÇÑÉÏ ÊÏÑÕÖÇ ÓÅÑÑÅÓ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 28 ΜΑΪΟΥ 2010 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 8 ΜΑΪΟΥ 00 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α ΠΡΩΤΗ A. Για τις ηµιτελείς προτάσεις Α. έως και Α.4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Δομή και λειτουργία του τρανζίστορ npn (και pnp). Ρεύμα Βάσης, Εκπομπού, Συλλέκτη. Περιοχές λειτουργίας του

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά -1- Η τιμή της dc παραμέτρου β ενός npn transistor έχει τιμή ίση με 100. Το transistor λειτουργεί στην ενεργή περιοχή με ρεύμα συλλέκτη 1mA. Το ρεύμα βάσης έχει

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 8. Η δοµή του JFET n-διαύλου φαίνεται στο σχήµα 8.1. Σχ.8.1. οµή του JFET (α) και επικρατέστερο σύµβολο για n-διαύλου (β) και p-διαύλου (γ).

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 8. Η δοµή του JFET n-διαύλου φαίνεται στο σχήµα 8.1. Σχ.8.1. οµή του JFET (α) και επικρατέστερο σύµβολο για n-διαύλου (β) και p-διαύλου (γ). ΚΕΦΑΛΑΙΟ 8 8.1 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) χαρακτηρίζονται ως τρανζίστορ µονοφυούς αγωγιµότητας διότι οι φορείς ρεύµατος είναι µόνο ενός είδους, δηλαδή ηλεκτρόνια

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης

Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης Το σημείο ηρεμίας επιλέγεται σε μία τιμή πάνω από την αποκοπή (διαφέρει ανάλογα με το τρανζίστορ). Άρα χρειάζεται και επιπλέον ρυθμιστική

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν 1. Εισαγωγικά στοιχεία ηλεκτρονικών - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 1. ΘΕΜΕΛΙΩ ΕΙΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΑΙ ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Ηλεκτρικό στοιχείο: Κάθε στοιχείο που προσφέρει, αποθηκεύει και καταναλώνει

Διαβάστε περισσότερα

Δίοδοι Zener. Οι Zener χρησιμοποιούνται σε ρυθμιστές τάσεως (voltage. I s regulators) δηλαδή συσκευές όπου η τάση του φορτίου

Δίοδοι Zener. Οι Zener χρησιμοποιούνται σε ρυθμιστές τάσεως (voltage. I s regulators) δηλαδή συσκευές όπου η τάση του φορτίου ontrol Systems Laboratory Δίοδοι Zener συνεχ. Οι Zener χρησιμοποιούνται σε ρυθμιστές τάσεως (voltage I s regulators) δηλαδή συσκευές όπου η τάση του φορτίου I V Z υ διατηρείται σταθερή για μία ευρεία περιοχή

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΘΕΩΡΙΑ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΘΕΩΡΙΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΘΕΩΡΙΑ 2 Το τρανζιστορ Ορισμός Το τρανζίστορ είναι μία διάταξη στερεάς κατάστασης φτιαγμένη από ημιαγώγιμο υλικό με ακροδέκτες σε τρία ή περισσότερα σημεία τα ηλεκτρικά χαρακτηριστικά

Διαβάστε περισσότερα

Γιάννης Λιαπέρδος ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Κριτική Ανάγνωση: Αγγελική Αραπογιάννη. Επιμέλεια πολυμεσικού διαδραστικού υλικού: Γιώργος Θεοφάνους

Γιάννης Λιαπέρδος ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Κριτική Ανάγνωση: Αγγελική Αραπογιάννη. Επιμέλεια πολυμεσικού διαδραστικού υλικού: Γιώργος Θεοφάνους Γιάννης Λιαπέρδος ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Κριτική Ανάγνωση: Αγγελική Αραπογιάννη Επιμέλεια πολυμεσικού διαδραστικού υλικού: Γιώργος Θεοφάνους opyright ΣΕΑΒ, 2015 Το παρόν έργο αδειοδοτείται υπό τους

Διαβάστε περισσότερα