ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ"

Transcript

1 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΟΜΗ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar junction transistor-bjt) είναι ένας κρύσταλλος µε τρεις περιοχές εµπλουτισµένες µε προσµίξεις, δηλ. αποτελείται από τρία διαδοχικά εναλλασσόµενα στρώµατα ηµιαγωγού υλικού (sandwich υλικό), εκ των οποίων το ενδιάµεσο υλικό είναι είτε τύπου -n (τρανζίστορ τύπου-pnp) ή τύπου-p (τρανζίστορ τύπου -npn), βλ. Σχ. 1. (α) (β) Σχήµα 1: οµή και κυκλωµατικό σύµβολο τρανζίστορ (α) τρανζίστορ-pnp, (β) τρανζίστορ-npn (Σηµείωση: Στο κυκλωµατικό σύµβολο, το βέλος βρίσκεται πάντα στον εκποµπό και δείχνει τη συµβατική φορά του ηλεκτρικού ρεύµατος, ενώ η φορά του βέλους δείχνει τον ηµιαγωγό-n) Ένα τρανζίστορ αποτελείται από 3 περιοχές µε διακεκριµένη λειτουργία η καθεµία: Εκποµπός (emitter): Είναι µια έντονα εµπλουτισµένη περιοχή (τονίζεται µε δύο ++ στο Σχ. 1) και εκπέµπει φορτία προς τη βάση. Βάση (base): Είναι µια πολύ λεπτή περιοχή λιγότερο εµπλουτισµένη (τονίζεται µε ένα + στο Σχ. 1), που επιτρέπει στα περισσότερα φορτία που εκπέµπονται από τον εκποµπό να φθάνουν στο συλλέκτη Συλλέκτης (collector): Συλλέγει τα φορτία που καταφθάνουν από τον εκποµπό. Το επίπεδο εµπλουτισµού του βρίσκεται µεταξύ αυτών του εκποµπού και της βάσης, ενώ η ισχύς που καταναλώνεται σ αυτόν είναι µεγαλύτερη από εκείνες που καταναλώνονται στη βάση και στον εκποµπό, γιαυτό και η περιοχή που καταλαµβάνει ο συλλέκτης είναι µεγαλύτερη. Μπορεί να θεωρηθεί ότι το διπολικό τρανζίστορ αποτελείται από δύο διόδους συνδεδεµένες σε αντίθετη φορά, µια µεταξύ βάσης και εκποµπού (δίοδος ή επαφή εκποµπού) και µια µεταξύ βάσης και συλλέκτη (δίοδος ή επαφή συλλέκτη). Οι φορείς πλειονότητας σε εκποµπό και συλλέκτη στο τρανζίστορ-pnp είναι οπές, ενώ στο τρανζίστορ-npn είναι ηλεκτρόνια. Αυτό σηµαίνει ότι ο ένας τύπος τρανζίστορ είναι 1

2 συµπληρωµατικός του άλλου ή ισοδύναµα ότι κατά τη λειτουργία τους θα έχουν ρεύµατα και πολώσεις µε αντίθετη φορά. Στη συνέχεια, η µελέτη αναφέρεται στο τρανζίστορ-npn και αντίστοιχα συµπεράσµατα θα εξάγονται κατ αναλογία για το τρανζίστορ-pnp. Όταν δεν εφαρµόζεται πόλωση, τα ελεύθερα ηλεκτρόνια του εκποµπού και του συλλέκτη διαχέονται προς τη βάση, ενώ µέρος των οπών της βάσης από κάθε άκρο της διαχέονται αντίστοιχα προς τον εκποµπό και το συλλέκτη, µε αποτέλεσµα να δηµιουργείται περιοχή απογύµνωσης σε κάθε επαφή (επαφή εκποµπού και επαφή συλλέκτη). Κατά µήκος κάθε επαφής αναπτύσσεται φράγµα δυναµικού, το οποίο στους 23 C έχει ύψος 0.3V σε ηµιαγωγό Ge και 0.7V σε ηµιαγωγό Si (ευρύτατης χρήσης, λόγω των µεγαλύτερων περιορισµών τάσης και έντασης και της µικρότερης εξάρτησης των χαρακτηριστικών του από τη θερµοκρασία). Στη συνέχεια, η µελέτη θα επικεντρωθεί στα τρανζίστορ πυριτίου. Τα επίπεδα εµπλουτισµού είναι διαφορετικά στις 3 περιοχές του τρανζίστορ, µε αποτέλεσµα καθεµία περιοχή φορτίου χώρου να εκτείνεται σε διαφορετικό βάθος. Έτσι, στη δίοδο εκποµπού το µικρότερο εύρος περιοχής φορτίου χώρου συναντάται στον εκποµπό, ενώ στη δίοδο συλλέκτη, το µικρότερο εύρος περιοχής φορτίου χώρου συναντάται στη βάση, βλ. Σχ. 2. Σχήµα 2 Περιοχές φορτίου χώρου σε τρανζίστορ-npn χωρίς πόλωση Είναι προφανές ότι, για να είναι σε θέση ο εκποµπός να εκπέµπει φορτία προς τη βάση, πρέπει η δίοδος εκποµπού να είναι ορθά πολωµένη και, αντίστοιχα, για να είναι εφικτή η συλλογή φορτίων από τον συλλέκτη, πρέπει η δίοδος συλλέκτη να είναι ανάστροφα πολωµένη. Στο Σχ. 3 παρουσιάζεται ένα πολωµένο τρανζίστορ, στο οποίο παρατηρείται ελάττωση του εύρους της περιοχής φορτίου χώρου του εκποµπού και αύξηση του εύρους της περιοχής φορτίου χώρου του συλλέκτη σε σύγκριση µε τα αντίστοιχα µεγέθη χωρίς πόλωση. Σχήµα 3 Περιοχές φορτίου χώρου σε τρανζίστορ-npn µε πόλωση ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Η λειτουργία ενός διπολικού τρανζίστορ (bipolar ή BJT), βασίζεται στην εκποµπή φορέων από το εκποµπό και τη συλλογή τους από τον συλλέκτη. Σε κανονική λειτουργία, η επαφή εκποµπού είναι πάντα ορθά πολωµένη και η επαφή συλλέκτη ανάστροφα πολωµένη (σε κάποιες ειδικές περιπτώσεις µόνο η επαφή συλλέκτη είναι ορθά πολωµένη), βλ. Σχ. 4. Ανάλογα µε την τιµή της τάσης βάσης-εκποµπού (V BE ), είναι δυνατές οι ακόλουθες περιπτώσεις: 2

3 Όταν είναι V BE <0.7V (για τρανζίστορ Si), πρακτικά δεν διέρχεται ρεύµα από τη βάση προς τον εκποµπό. Όταν γίνει V BE >0.7, υπάρχει αισθητή ροή ελεύθερων ηλεκτρονίων από τον εκποµπό προς τη βάση και ελεύθερων οπών από τη βάση προς τον εκποµπό. Η επαφή του συλλέκτη (ανάστροφα πολωµένη) περιορίζει σηµαντικά το εύρος της βάσης, µε αποτέλεσµα την αύξηση του ποσοστού των ηλεκτρονίων που δεν θα παραµείνουν στο χώρο της βάσης αλλά θα εισέλθουν στο χώρο της επαφής του συλλέκτη. Το ηλεκτρικό πεδίο στην περιοχή φορτίου χώρου του συλλέκτη έχει φορά που ωθεί τα ηλεκτρόνια, που έχουν εισέλθει, προς τον συλλέκτη. Αυτά τα ηλεκτρόνια συλλέγονται από την επαφή του συλλέκτη και δίδουν το ρεύµα συλλέκτη (I C ) (υπάρχει και το ρεύµα ανάστροφης πόλωσης της διόδου συλλέκτη, που θεωρείται αµελητέο). Τα ελεύθερα ηλεκτρόνια, τα οποία παραµένουν στο χώρο της βάσης, µαζί µε τις ελεύθερες οπές, οι οποίες εισέρχονται στην περιοχή του εκποµπού, δίνουν το ρεύµα βάσης (I B ). Επειδή το ρεύµα αυτό προκύπτει από αλληλεξουδετέρωση ελεύθερων ηλεκτρονίων µε ελεύθερες οπές, ονοµάζεται και ρεύµα επανασύνδεσης (recombination current). Στα περισσότερα τρανζίστορ, περισσότερο από το 95% των φορτίων, που εκπέµπονται από τον εκποµπό, φθάνουν στο συλλέκτη και λιγότερο από το 5% παραµένουν στη βάση και συµβάλλουν στο ρεύµα της βάσης. Σε γενικές γραµµές: Το ρεύµα συλλέκτη (Ι C )είναι περίπου ίσο µε το ρεύµα του εκποµπού (Ι Ε ). Το ρεύµα βάσης (I B )είναι πολύ µικρό. Σχήµα 4 Πόλωση του τρανζίστορ και ροή των ελεύθερων ηλεκτρονίων και οπών. Από τον πρώτο νόµο του Kirchhoff (κόµβος το τρανζίστορ) προκύπτει: IE = IB + I C (1) Ο συντελεστής α DC εκφράζει το ποσοστό των ελεύθερων φορέων του εκποµπού που φτάνει στο συλλέκτη και δίνει το ρεύµα συλλέκτη και ορίζεται ως το πηλίκο του ρεύµατος του συλλέκτη IC προς το ρεύµα του εκποµπού, δηλ. ισχύει: α DC =. I ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΕΙΣ 1. Όσο µεγαλύτερος είναι ο συντελεστής α DC, τόσο περισσότερα ηλεκτρόνια φθάνουν στο συλλέκτη και τόσο µικρότερο είναι το ρεύµα της βάσης. 2. Το ρεύµα της βάσης µπορεί να ελαττωθεί αν η βάση γίνει λεπτότερη και µειωθεί ο εµπλουτισµός της. 3. Ο συντελεστής α DC δεν µπορεί να γίνει ίσος µε τη µονάδα διότι στο ρεύµα της βάσης συνεισφέρουν: (i) στα µεν τρανζίστορ-npn και οι ελεύθερες οπές της βάσης, (ii) στα δε E 3

4 τρανζίστορ-pnp και τα ελεύθερα ηλεκτρόνια της βάσης, µε αποτέλεσµα την αύξηση του ρεύµατος βάσης χωρίς αντίστοιχη αύξηση του ρεύµατος συλλέκτη. Εάν σε ένα τρανζίστορ αυξηθεί η τάση της διόδου εκποµπού του, θα αυξηθεί το ρεύµα βάσης (I B ) και πειραµατικά έχει διαπιστωθεί ότι σηµειώνεται αναλογική αύξηση του ρεύµατος συλλέκτη (I C ). Άρα, υπάρχει δυνατότητα ελέγχου του ρεύµατος συλλέκτη µέσω του ρεύµατος βάσης. Επειδή το ρεύµα βάσης είναι µικρό ενώ το ρεύµα του συλλέκτη µεγάλο, ορίζεται ο συντελεστής: DC κέρδος ή απολαβή ρεύµατος (β DC ), ως το πηλίκο του ρεύµατος συλλέκτη προς το ρεύµα IC βάσης, δηλ. είναι β DC =. I ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΕΙΣ B 1. Σε τρανζίστορ χαµηλής ισχύος, ο συντελεστής β DC λαµβάνει τιµές στην περιοχή , ενώ σε τρανζίστορ ισχύος οι τιµές του κυµαίνονται από βdc αdc 2. Τα µεγέθη β DC και α DC συνδέονται µε τις σχέσεις: α DC = και β 1 + β DC =. DC 1 αdc 3. Για περαιτέρω ελάττωση της συνεισφοράς των ελεύθερων φορέων της περιοχής της βάσης στο ρεύµα της βάσης, δηλ. για αύξηση του συντελεστή α DC, έχουν αναπτυχθεί σήµερα (µε σχετικά περιορισµένες εφαρµογές) τα διπολικά τρανζίστορ ετεροεπαφής (heterojunction bipolar transistor), στα οποία εφαρµόζονται διαφορετικοί ηµιαγωγοί για τον εκποµπό και τη βάση, π.χ. στερεά διαλύµατα πυριτίου-γερµανίου (SiGe) ή αρσενικούχου γαλλίου-αργιλίου (AlGaAs). ΒΑΣΙΚΕΣ ΣΥΝ ΕΣΜΟΛΟΓΙΕΣ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Στο Σχ. 5 παρουσιάζονται οι βασικές συνδεσµολογίες διπολικού τρανζίστορ. Σηµειώνεται ότι για την πόλωση ενός τρανζίστορ απαιτούνται δύο πηγές τάσης, µια για το βρόγχο ορθής πόλωσης της διόδου εκποµπού και µια για την ανάστροφη πόλωση του βρόχου της διόδου συλλέκτη. (α) (β) (γ) Σχήµα 5: Βασικές συνδεσµολογίες τρανζίστορ (α) κοινού εκποµπού (CE), (β) κοινής βάσης (CB) και (γ) κοινού συλλέκτη (CC) ιακρίνουµε: (α) Συνδεσµολογία κοινού εκποµπού (Common Emitter, CE): Οι βρόχοι έχουν ως κοινό σηµείο τον εκποµπό, ο οποίος είναι γειωµένος. (β) Συνδεσµολογία κοινής βάσης (Common Base, CB): Οι βρόχοι έχουν ως κοινό σηµείο τη βάση, η οποία είναι γειωµένη. (γ) Συνδεσµολογία κοινού συλλέκτη (Common Collector, CC): Οι δύο βρόχοι έχουν ως κοινό σηµείο τους το συλλέκτη, ο οποίος είναι γειωµένος. Η µεταβολή της συνδεσµολογίας ενός τρανζίστορ από κοινή βάση σε κοινό εκποµπό ή κοινό συλλέκτη, δεν µεταβάλλει την εσωτερική λειτουργία του. 4

5 Στη συνέχεια, η µελέτη θα γίνει για τη συνδεσµολογία κοινού εκποµπού, βλ. Σχ. 6. Σχήµα 6: Συνδεσµολογία κοινού εκποµπού Ισοδύναµο κύκλωµα τρανζίστορ Χαρακτηριστική ρεύµατος βάσης I B = V BB V R B BE Χαρακτηριστικές καµπύλες συλλέκτη Περιοχές λειτουργίας τρανζίστορ Περιοχή κόρου (saturation region): Είναι η περιοχή µικρών τάσεων V CE (V CE =0-1V), στην οποία το ρεύµα συλλέκτη αυξάνεται απότοµα. Σ αυτή την περιοχή η δίοδος συλλέκτη δεν είναι ανάστροφα πολωµένη. Eνεργός περιοχή (active region): Είναι περιοχή κανονικής λειτουργίας µε V CE =1-30V. Σ αυτή την περιοχή η δίοδος εκποµπού είναι ορθά πολωµένη και η δίοδος συλλέκτη ανάστροφα πολωµένη, το δε ρεύµα συλλέκτη καθορίζεται µόνο από το ρεύµα βάσης. Η διάταξη συµπεριφέρεται ως πηγή ρεύµατος ( IC = βdc IB). Περιοχή διάσπασης (breakdown region): Στην περιοχή αυτή, η τάση συλλέκτη έχει υπερβεί την τάση διάσπασης συλλέκτη-εκποµπού και η διάταξη παύει να λειτουργεί ως τρανζίστορ. Περιοχή αποκοπής (cutoff region): Είναι η περιοχή που αντιστοιχεί σε χαρακτηριστική µε ρεύµα βάσης µηδέν και ρεύµα συλλέκτη πολύ µικρό (ρεύµα αποκοπής συλλέκτη). Σχήµα 7: Χαρακτηριστικά της λειτουργίας τρανζίστορ 5

6 Η συνολική εικόνα των δυνατοτήτων λειτουργίας του διπολικού τρανζίστορ συνοψίζεται στον Πίν. 1. Πίνακας 1: υνατότητες λειτουργίας του διπολικού τρανζίστορ Πόλωση επαφής συλλέκτη ορθή ανάστροφη Πόλωση επαφής εκποµπού ορθή ανάστροφη Περιοχή κόρου (κλειστός διακόπτης) Ενεργός περιοχή ανάστροφης λειτουργίας (κακός ενισχυτής) Ενεργός περιοχή ορθής λειτουργίας (καλός ενισχυτής) Περιοχή αποκοπής (ανοιχτός διακόπτης) 2. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕ ΙΟΥ ΕΠΑΦΗΣ (JFET) Το τρανζίστορ εγκαρσίου πεδίου επαφής (Junction Field Effect Transistor, JFET) είναι ένα µονοπολικό τρανζίστορ, δεδοµένου ότι η λειτουργία του βασίζεται σε ένα µόνο είδος φορέων, δηλαδή σε ηλεκτρόνια ή σε οπές, σε αντίθεση µε το διπολικό τρανζίστορ που βασίζει τη λειτουργία του και στα δύο είδη φορέων. ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ Η αρχή κατασκευής ενός JFET περιλαµβάνει την επιλογή ενός βασικού ηµιαγώγιµου τµήµατος ορισµένου τύπου (π.χ. τύπου-n), στις δύο πλευρές του οποίου προστίθενται περιοχές αντίθετου τύπου (δηλ. τύπου-p), βλ. Σχ. 8. Η συγκέντρωση των προσµίξεων στις προστιθέµενες περιοχές (τύπου-p) είναι πολύ µεγαλύτερες από αυτή του βασικού τµήµατος. Καθεµία από τις προστιθέµενες περιοχές (τύπου-p) καλείται πύλη (gate). Τα δύο άκρα του βασικού ηµιαγωγού (τύπου-n) ονοµάζονται αντίστοιχα πηγή (source) και απαγωγός (drain), ενώ το τµήµα του που βρίσκεται ανάµεσα στις πύλες ονοµάζεται κανάλι ή δίαυλος (channel). Ο τύπος του JFET ορίζεται ανάλογα µε τον τύπο ηµιαγωγού του καναλιού, π.χ. JFET n- καναλιού ή JFET p-καναλιού. Ένα JFET µπορεί να έχει 1 ή 2 πύλες. Ευρύτερη εφαρµογή συναντούν οι διατάξεις µε 1 πύλη. Υλοποίηση JFET JFET διπλής πύλης JFET απλής πύλης Σχήµα 8: Τρανζίστορ εγκαρσίου πεδίου επαφής (JFET) 6

7 Στο Σχ. 9 παρουσιάζονται τα κυκλωµατικά σύµβολα ενός JFET. JFET n-καναλιού JFET p-καναλιού Σχήµα 9: Κυκλωµατικά σύµβολα ενός JFET (G: Βάση, D: Συλλέκτης, S: Πηγή) ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ Η λειτουργία του JFET µιας πύλης βασίζεται στην επαφή πύλης-καναλιού (επαφή ή δίοδος πύλης). Η περιοχή φορτίου χώρου της επαφής έχει ως αποτέλεσµα την µείωση της διατοµής του καναλιού και τη µεταβολή της αντίστασης του, βλ. Σχ.10. Με τον τρόπο αυτό, µέσω της (ανάστροφης) πόλωσης της διόδου πύλης είναι δυνατή η ρύθµιση του εύρους της περιοχής φορτίου χώρου της επαφής και, κατά συνέπεια, ο έλεγχος της αντίστασης του καναλιού και του ρεύµατος που διαρρέει το JFET. Η διαδικασία αυτή είναι γνωστή µε τον όρο επίδραση πεδίου. Σχήµα 10: Περιοχές φορτίων χώρου ενός JFET Στο Σχ. 11 παρουσιάζεται τυπικό κύκλωµα πόλωσης ενός JFET καναλιού τύπου-n, µε τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Στο κύκλωµα χρησιµοποιούνται δύο πηγές τάσεως. Η πρώτη (V DD )συνδέεται µεταξύ απαγωγού και πηγής και παρέχει την τάση απαγωγού (V DS ). Η δεύτερη (V GG ) συνδέεται µεταξύ πύλης και πηγής και παρέχει την τάση πύλης (V GS ). Η V GG πολώνει ανάστροφα τη δίοδο πύλης, µε αποτέλεσµα το ρεύµα πύλης I G να είναι πάρα πολύ µικρό και η αντίσταση εισόδου πάρα πολύ µεγάλη. Η τάση της πύλης (V GS ) διαµορφώνει την αντίσταση του καναλιού. Στο Σχ. 11 παρουσιάζεται η µορφή της χαρακτηριστικής ρεύµατος απαγωγού ενός JFET καναλιού-n και στο Σχ. 12 παρουσιάζεται οικογένεια χαρακτηριστικών καµπυλών ρεύµατος απαγωγού (I D ) συναρτήσει της τάσης απαγωγού (V DS ) για διάφορες τιµές της τάσης πύλης (V GS ). 7

8 Κανονική πόλωση JFET Χαρακτηριστική καµπύλη ρεύµατος Σχήµα 11: Τυπικό κύκλωµα πόλωσης ενός JFET καναλιού τύπου-n Σχήµα 12: Χαρακτηριστικές καµπύλες απαγωγού. Σε κάθε χαρακτηριστική καµπύλη ρεύµατος απαγωγού διακρίνονται τα ακόλουθα χαρακτηριστικά και περιοχές λειτουργίας: Κατάσταση βραχυκυκλωµένης πύλης (shorted-gate): Αντιστοιχεί σε µηδενισµό της τάσης πύλης (πύλη και πηγή βραχυκυκλώνουν). Χαρακτηρίζεται από το ρεύµα απαγωγού στην κατάσταση βραχυκυκλωµένης πύλης (I DSS ), το οποίο είναι το µέγιστο ρεύµα απαγωγού σε κανονική λειτουργία του JFET. Τάση συµπίεσης (pinch-off voltage): Είναι η τάση απαγωγού (V P ), πέραν της οποίας το ρεύµα απαγωγού γίνεται περίπου σταθερό, στην κατάσταση βραχυκυκλωµένης πύλης. Όταν η τάση απαγωγού γίνει ίση µε V P, το αγώγιµο κανάλι γίνεται εξαιρετικά στενό (συµπιέζεται) και οι περιοχές φορτίου χώρου σχεδόν εφάπτονται. Αν η τάση απαγωγού αυξηθεί κι άλλο, το ρεύµα του απαγωγού θα αυξηθεί ελάχιστα γιατί το εύρος του αγώγιµου καναλιού είναι πολύ µικρό και δεν µεταβάλλεται παρά ελάχιστα. Με βάση την τάση συµπίεσης υφίστανται οι ακόλουθες περιοχές στη χαρακτηριστική ενός JFET: Ενεργός περιοχή: Αντιστοιχεί σε τιµές της τάσης απαγωγού µεγαλύτερες από την τάση συµπίεσης. 8

9 Ωµική περιοχή: Εντοπίζεται σε τιµές της τάσης απαγωγού µικρότερες από την τάση συµπίεσης. Στην περιοχή αυτή, το ρεύµα απαγωγού πρακτικά δεν εξαρτάται από την τάση της πύλης. Τάση αποκοπής πύλης πηγής (gate cut-off voltage): Είναι η τάση V GS(off), στην οποία αποκόπτεται το ρεύµα απαγωγού, λόγω της επαφής των περιοχών φορτίου χώρου και υπολογίζεται από τη σχέση: VP = V ( ). GS off Χαρακτηριστική διαγωγιµότητας (transconductance curve) ενός JFET: Eίναι η γραφική παράσταση του ρεύµατος απαγωγού συναρτήσει της τάσης πύλης (Σχ. 13) και περιγράφεται από τη σχέση: V GS ID = IDSS 1 V GS( off ) 2 3. ΜOFSET Σχήµα 13: Χαρακτηριστική διαγωγιµότητας ενός JFET Το MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor FET) ή IGFET (Insulated-Gate FET) είναι το ευρύτερα χρησιµοποιούµενο τρανζίστορ. Όπως και το JFET, αποτελείται και αυτό από τα ίδια στοιχεία πηγή, απαγωγό και πύλη µε τη διαφορά ότι η πύλη του είναι ηλεκτρικά µονωµένη ως προς το κανάλι, µε αποτέλεσµα το ρεύµα πύλης να είναι πάρα πολύ µικρό, ανεξάρτητα από τη φορά της τάσης που εφαρµόζεται µεταξύ πύλης και πηγής. Ως µονωτικό χρησιµοποιείται ένα πολύ λεπτό στρώµα SiO 2 που παρεµβάλλεται µεταξύ της µεταλλικής πύλης και του ηµιαγωγού. Ο τύπος του καναλιού καθορίζεται από το είδος των φορτίων (ηλεκτρόνια ή οπές) που άγουν το ρεύµα από την πηγή προς τον απαγωγό. Το όνοµα της διάταξης MOSFET καθορίζεται από τη σειρά διαδοχής των στρωµάτων. Ανάλογα µε τον τρόπο λειτουργίας του, διακρίνουµε δυο κατηγορίες MOSFET: MOSFET τύπου αραίωσης (Depletion mode). MOSFET τύπου πύκνωσης (Enhancement mode). MOSFET ΤΥΠΟΥ ΑΡΑΙΩΣΗΣ Το MOSFET αραίωσης (Σχ. 14) αποτελείται από ένα τµήµα ηµιαγωγού-n, στα άκρα του οποίου συνδέονται οι ακροδέκτες πηγής και απαγωγού. Η εφαρµογή τάσης µεταξύ πηγής και απαγωγού, 9

10 όπου ο απαγωγός συνδέεται στο θετικό πόλο της πηγής, θέτει τα ηλεκτρόνια σε ροή από την πηγή προς τον απαγωγό. MOSFET αραίωσης µε αρνητική τάση στην πύλη Σχήµα 14: οµή ενός MOSFET αραίωσης Πίνακας 2: Τύποι ΜΟSFET αραίωσης MOSFET αραίωσης µε θετική τάση στην πύλη Η πηγή τάσης V DD ωθεί τα ηλεκτρόνια να κινηθούν από την πηγή προς τον απαγωγό µέσω του λεπτού καναλιού µεταξύ της περιοχής p και της πύλης. Η αρνητική τάση στην πύλη απωθεί τα ηλεκτρόνια του καναλιού, µε αποτέλεσµα την ελάττωση της πυκνότητας τους και την Εφαρµογή θετικής τάσης στην πύλη έχει ως συνέπεια την προσέλκυση ηλεκτρονίων προς την πύλη και αύξηση της πυκνότητας τους µέσα στο κανάλι. Η διαδικασία αυτή ονοµάζεται λειτουργία πύκνωσης (enhancement mode). Το δε κανάλι, αν και πρακτικά δεν αλλάζει ελάττωση του ρεύµατος απαγωγού. διαστάσεις, γίνεται πιο αγώγιµο µε Η διαδικασία αυτή ονοµάζεται λειτουργία αποτέλεσµα να αυξηθεί το ρεύµα απαγωγού. αραίωσης (depletion mode). Όσο η τάση της πύλης γίνεται περισσότερο αρνητική, το ρεύµα απαγωγού ελαττώνεται µέχρις ότου αποκοπεί. Το ρεύµα της πύλης είναι αµελητέο και στους δύο τρόπους λειτουργίας. Αντίθετα, η αντίσταση εισόδου της πύλης είναι πολύ µεγάλη (από Ωµ). 10

11 Το MOSFET αραίωσης έχει µία µόνο περιοχή p, που ονοµάζεται υπόστρωµα (substrate) και περιορίζει δραστικά τη διατοµή του καναλιού, µε αποτέλεσµα να µένει ένα πολύ λεπτό στρώµα µόνο που επιτρέπει στα ελεύθερα ηλεκτρόνια να κινούνται από την πηγή προς τον απαγωγό. Ένα πολύ λεπτό υµένιο SiO 2 προσαρµόζεται στην αντίθετη πλευρά του καναλιού και πάνω σ αυτό τοποθετείται η µεταλλική πύλη. Ανάλογα µε την εφαρµοζόµενη τάση στην πύλη διακρίνονται δύο τύποι MOSFET αραίωσης: Με αρνητική τάση στην πύλη. Με θετική τάση στην πύλη. Η λειτουργία και τα χαρακτηριστικά των δύο αυτών τύπων περιγράφονται στον Πίν. 2. Στο Σχ. 14 παρουσιάζονται τα κυκλωµατικά σύµβολα MOSFET τύπου αραίωσης n-καναλιού µε τα εξής χαρακτηριστικά: Η πύλη έχει τη µορφή οπλισµού πυκνωτή. εξιά από την πύλη, υπάρχει λεπτή γραµµή που παριστάνει το κανάλι. Το βέλος του υποστρώµατος δείχνει προς τον ηµιαγωγό, το δε υπόστρωµα µπορεί να συνδέεται εξωτερικά ή εσωτερικά µε την πηγή (οπότε προκύπτει διάταξη τριών ακροδεκτών). Με ακροδέκτη υποστρώµατος Χωρίς ακροδέκτη υποστρώµατος Σχήµα 14: τα κυκλωµατικά σύµβολα MOSFET τύπου αραίωσης n-καναλιού ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ MOSFET ΑΡΑΙΩΣΗΣ Τα MOSFET τύπου αραίωσης χρησιµοποιούνται κυρίως στα αναλογικά ηλεκτρονικά. Οι ενισχυτές µε MOSFET τύπου αραίωσης είναι παρόµοιοι µε τους ενισχυτές µε JFET και γι αυτό το λόγο µπορεί να ακολουθηθεί η AC ανάλυση, η οποία χρησιµοποιείται στα JFET. Επιπλέον, επειδή έχουν στην είσοδο τους µονωµένη την πύλη, επιτυγχάνουν πολύ υψηλές αντιστάσεις εισόδου. Τέλος, επειδή η αντίσταση του καναλιού µεταβάλλεται µε την τάση της πύλης, βρίσκουν εφαρµογή σε κυκλώµατα αυτοµάτου ελέγχου απολαβής (AGC). Επειδή εµφανίζουν µη µηδενικό ρεύµα απαγωγού για µηδενική τάση πύλης ονοµάζονται και MOSFET κανονικά σε κατάσταση ΟΝ (normally on MOSFET). ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΑΠΑΓΩΓΟΥ ΕΝΟΣ MOSFET n-καναλιου Στο Σχ. 15 παρουσιάζονται οι χαρακτηριστικές V DS -I D ενός MOSFET n-καναλιού. Οι καµπύλες που βρίσκονται στο πάνω τµήµα των χαρακτηριστικών αντιστοιχούν σε θετικές τιµές της τάσης πύλης (V GS > 0) και αντιστοιχούν σε λειτουργία πύκνωσης. Η κατώτερη καµπύλη µε ρεύµα απαγωγού σχεδόν µηδενικό αντιστοιχεί σε τάση πύλης ίση µε την τάση αποκοπής (V GS = V GS(off) ). Οι ενδιάµεσες καµπύλες (V GS(off) <V GS < 0 V) αντιστοιχούν σε λειτουργία αραίωσης. 11

12 Σχήµα 15: Χαρακτηριστικές ρεύµατος απαγωγού / τάσης απαγωγού-πηγής. ΓΕΝΙΚΟΣ ΚΑΝΟΝΑΣ: Το MOSFET τύπου αραίωσης µπορεί να λειτουργήσει είτε µε αραίωση είτε µε πύκνωση. MOSFET ΤΥΠΟΥ ΠΥΚΝΩΣΗΣ Το MOSFET τύπου πύκνωσης (enhancement mode MOSFET) λειτουργεί αποκλειστικά µε πύκνωση και επιτρέπει την ταυτόχρονη ολοκλήρωση στο ίδιο τσιπ, διατάξεων n-καναλιού και p- καναλιού µε αποτέλεσµα τη δηµιουργία συστηµάτων συµπληρωµατικών στοιχείων (κυκλώµατα CMOS Complementary MOS). Στη δοµή των MOSFET πύκνωσης το υπόστρωµα εκτείνεται µέχρι την επίστρωση του οξειδίου, µε αποτέλεσµα να µην υπάρχει κανάλι µεταξύ πηγής και απαγωγού. Η όλη δοµή µοιάζει να αποτελείται από δύο διόδους συνδεδεµένες αντίθετα µεταξύ τους, βλ. Σχ. 16. Σχήµα 16: οµή MOSFET τύπου πύκνωσης ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΕΝΟΣ MOSFET ΤΥΠΟΥ ΠΥΚΝΩΣΗΣ Σε συνθήκες κανονικής πολικότητας της πύλης και του απαγωγού (Σχ. 17), εάν η τάση της πύλης είναι µηδέν (κατάσταση βραχυκυκλωµένης πύλης), το ρεύµα δε µπορεί να διέλθει από την πηγή προς τον απαγωγό (το p-τύπου υπόστρωµα έχει πάρα πολύ λίγα ελεύθερα ηλεκτρόνια και η δίοδος υποστρώµατος/απαγωγού είναι ανάστροφα πολωµένη). Συνεπώς, το ρεύµα του απαγωγού είναι αµελητέο. 12

13 Σχήµα 17: Κανονική πόλωση ΜΟSFΕΤ Για να υπάρξει ρεύµα απαγωγού, πρέπει το υπόστρωµα να µετατραπεί σε n-τύπου (έστω και τοπικά) ώστε να µην υπάρχουν οι δίοδοι υποστρώµατος/πηγής και υποστρώµατος/απαγωγού και να εξασφαλιστεί η ύπαρξη ηλεκτρονίων στο υπόστρωµα. Η διαδικασία προς τούτο είναι η ακόλουθη: Η πύλη σχηµατίζει µε το υπόστρωµα πυκνωτή. Εφαρµογή µιας αρκετά "υψηλής" θετικής τάσης στην πύλη, φορτίζει τον οπλισµό-πύλης του πυκνωτή θετικά, ενώ συσσωρεύονται ηλεκτρόνια στον οπλισµό/υπόστρωµα και µάλιστα στην περιοχή ακριβώς κάτω από το λεπτό στρώµα του οξειδίου της πύλης, καλύπτοντας όλη τη διαδροµή από την πηγή µέχρι τον απαγωγό. Το σχηµατιζόµενο τοπικό πολύ λεπτό στρώµα µε φορείς πλειονότητας τα ηλεκτρόνια συµπεριφέρεται ως τύπου-n και η παρουσία του αποκαθιστά την αγωγιµότητα (ηλεκτρικό ρεύµα) µεταξύ πηγής και απαγωγού. Περαιτέρω αύξηση της θετικής τάσης της πύλης, οδηγεί σε αύξηση της πυκνότητας ηλεκτρονίων στο υπόστρωµα και αύξηση του ρεύµατος απαγωγού. Επειδή το κανάλι είναι n-τύπου, η διάταξη ονοµάζεται MOSFET πύκνωσης n-καναλιού (nchannel enhancement mode MOSFET). Το λεπτό στρώµα τύπου-n του p-τύπου υποστρώµατος, που σχηµατίζεται από το ισχυρό ηλεκτρικό πεδίο και εφάπτεται στο στρώµα SiO 2, ονοµάζεται στρώµα αναστροφής n-τύπου (inversion layer). Τάση κατωφλίου (threshold voltage- V GS(th) ) είναι η ελάχιστη τάση πύλης/πηγής, που προκαλεί την εµφάνιση του στρώµατος αναστροφής n-τύπου, µε τα εξής χαρακτηριστικά, βλ. Σχ. 18: Εάν είναι V GS <V GS(th), το MOSFET είναι ανοικτό. Εάν είναι V GS >V GS(th), το MOSFET άγει. Σχήµα 18: Χαρακτηριστικές V DS -I D για διάφορες τιµές της τάσης πύλης V GS. 13

14 ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΕΙΣ 1. Στο κυκλωµατικό σύµβολο ενός ΜOSFET πύκνωσης (Σχ. 19), το κανάλι δηλώνεται µε διακεκοµµένη γραµµή για να δηλωθεί ότι στην κατάσταση βραχυκυκλωµένης πύλης δεν υπάρχει κανάλι µεταξύ πηγής και απαγωγού (κατάσταση off). 2. Στο κυκλωµατικό σύµβολο ενός ΜOSFET πύκνωσης p-καναλιού, το υπόστρωµα είναι n-τύπου, η τάση κατωφλίου αρνητική και το ρεύµα απαγωγού ρέει σε αντίθετη κατεύθυνση από αυτή του MOSFET n-καναλιού. 3. To µονωτικό λεπτό στρώµα SiO 2 που παρεµβάλλεται µεταξύ πύλης και καναλιού σ όλα τα MOSFET µπορεί να καταστραφεί από διάφορες αιτίες, όπως: Επιβολή υψηλής τάσης στην πύλη. Τοποθέτηση ή αποµάκρυνση του MOSFET από κύκλωµα που ήδη τροφοδοτείται (ανάπτυξη υψηλών µεταβατικών τάσεων). Ηλεκτροστατικά φορτία που εναποτίθενται στην πύλη λόγω επαφής. n-καναλιού p-καναλιού Σχήµα 19: Κυκλωµατικά σύµβολα του ΜOSFET πύκνωσης ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΤΩΝ MOSFET ΠΥΚΝΩΣΗΣ Σε αναλογικά κυκλώµατα, για την κατασκευή τελεστικών ενισχυτών, όπως π.χ. ο TLC251 (Texas Instruments) και ο CA3130 (HARRIS). Στα ψηφιακά ηλεκτρονικά, σε µνήµες και µικροεπεξεργαστές (οι οποίοι περιέχουν περισσότερο από ένα εκατοµµύριο MOSFET σε κάθε ψηφίδα). Λόγω της µικρής κατανάλωσης ισχύος τους, στην κατασκευή φορητών υπολογιστών ισχυρής υπολογιστικής ικανότητας, σε εφαρµογές σε τηλεπικοινωνιακούς δορυφόρους, στην κατασκευή κινητών τηλεφώνων, κλπ. Σε εφαρµογές ισχύος: µετατροπείς τάσης, από συνεχή σε εναλλασσόµενη (inverter), σε παλµοτροφοδοτικά, µονάδες εξόδου ενισχυτών τάξης Β ή ΑΒ υψηλής ισχύος, κλπ. 14

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4ο ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Διπολικά τρανζίστορ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar ή BJT) είναι ένας κρύσταλλος τριών στρωμάτων με διαφορετικό επίπεδο εμπλουτισμού: τον εκπομπό Ε, τη βάση

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. 12. ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)-Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ ιαφάνεια 1 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. Αρχή

Διαβάστε περισσότερα

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ ΕΠΑΦΗΣ (JFET) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Α. Αναστροφέας MOSFET. Α.1 Αναστροφέας MOSFET µε φορτίο προσαύξησης. Ο αναστροφέας MOSFET (πύλη NOT) αποτελείται από

Διαβάστε περισσότερα

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B. 3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός είδους

Διαβάστε περισσότερα

«Αναθεώρηση των FET Transistor»

«Αναθεώρηση των FET Transistor» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Αναθεώρηση των FET Transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή FET Χαρακτηριστικά Λειτουργία Πόλωση Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για FET ΤΗΜΜΥ - 2

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1 Δομή Παρουσίασης MOSFET

Διαβάστε περισσότερα

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Τα πιο βασικά στοιχεία δομής των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων

Διαβάστε περισσότερα

οµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).

οµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 οµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Τα τρανζίστορ MOSFET είναι διατάξεις ελεγχόµενες από τάση οι οποίες δεν απαιτούν µεγάλα ρεύµατα

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών) Τα μοντέρνα ψηφιακά κυκλώματα (λογικές πύλες, μνήμες, επεξεργαστές και άλλα σύνθετα κυκλώματα) υλοποιούνται σήμερα

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 1-1 Ενεργειακές Ζώνες 3 1-2 Αµιγείς και µη Αµιγείς Ηµιαγωγοί 5 ότες 6 Αποδέκτες 8 ιπλοί ότες και Αποδέκτες 10 1-3 Γένεση, Παγίδευση και Ανασύνδεση Φορέων 10 1-4 Ένωση pn

Διαβάστε περισσότερα

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ.Ε.

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET

Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET 1. Nα σχεδιάσετε τη δομή (διατομή) και το κυκλωματικό σύμβολο ενός τρανζίστορ MOSFET πύκνωσης (ή εμπλουτισμού) καναλιού τύπου n. 2. Να αναπτύξετε τις

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 5: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (MOS-FET, J-FET) Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα

Διαβάστε περισσότερα

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΧΑΤΖΟΠΟΥΛΟΣ ΑΡΓΥΡΗΣ ΚΟΖΑΝΗ 2005 ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΥΜΒΟΛΙΣΜΟΙ Για τον καλύτερο προσδιορισµό των µεγεθών που χρησιµοποιούµε στις εξισώσεις, χρησιµοποιούµε τους παρακάτω συµβολισµούς

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας ΔΙΟΔΟΣ Οι περισσότερες ηλεκτρονικές συσκευές όπως οι τηλεοράσεις, τα στερεοφωνικά συγκροτήματα και οι υπολογιστές χρειάζονται τάση dc για να λειτουργήσουν σωστά.

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET)

Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET) Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET) Εισαγωγή Σκοπός Πειράµατος Στην εργαστηριακή αυτή άσκηση θα µελετηθεί το transistor επίδρασης πεδίου (Field Effect Transistors). Πιο συγκεκριµένα µε την βοήθεια

Διαβάστε περισσότερα

Περιεχόμενο της άσκησης

Περιεχόμενο της άσκησης Προαπαιτούμενες γνώσεις Επαφή p- Στάθμη Fermi Χαρακτηριστική ρεύματος-τάσης Ορθή και ανάστροφη πόλωση Περιεχόμενο της άσκησης Οι επαφές p- παρουσιάζουν σημαντικό ενδιαφέρον επειδή βρίσκουν εφαρμογή στη

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ). 7. Εισαγωγή στο διπολικό τρανζίστορ-ι.σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 7. TΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Ανάλογα µε το υλικό διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και 2. τρανζίστορ πυριτίου

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου

ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου Απαραίτητα όργανα και υλικά ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου 7. Απαραίτητα όργανα και υλικά. Τροφοδοτικό DC.. Πολύμετρα (αμπερόμετρο, βολτόμετρο).. Πλακέτα για την

Διαβάστε περισσότερα

Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT)

Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT) Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT) Θέματα που θα καλυφθούν Δομή και συμβολισμός των διπολικών τρανζίστορ Φυσική λειτουργία διπολικού τρανζίστορ Τα ρεύματα στο τρανζίστορ Μοντέλο μεγάλο

Διαβάστε περισσότερα

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ»

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗMMΥ Σκοπός διάλεξης Παρουσίαση των σημαντικότερων τοπολογιών ενισχυτών με ένα και περισσότερα

Διαβάστε περισσότερα

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2) Ηλ/κά ΙΙ, Σεπτ. 05 ΘΕΜΑ 1 ο (2,5 µον.) R 1 (Ω) R B Ρελέ R2 R3 Σχ. (1) Σχ. (2) Φωτεινότητα (Lux) Ένας επαγγελµατίας φωτογράφος χρειάζεται ένα ηλεκτρονικό κύκλωµα για να ενεργοποιεί µια λάµπα στο εργαστήριό

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ A. Πίνακες αληθείας λογικών πυλών. Στη θετική λογική το λογικό 0 παριστάνεται µε ένα χαµηλό δυναµικό, V L, ενώ το λογικό 1

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Σχήµα 1. Κύκλωµα DC πόλωσης ηλεκτρονικού στοιχείου Στο ηλεκτρονικό στοιχείο του σχήµατος

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονικά Ισχύος. ίοδος

Ηλεκτρονικά Ισχύος. ίοδος Ηλεκτρονικά Ισχύος Πρόκειται για στοιχεία κατασκευασμένα από υλικά με συγκεκριμένες μη γραμμικές ηλεκτρικές ιδιότητες (ημιαγωγά στοιχεία) Τα κυριότερα από τα στοιχεία αυτά είναι: Η δίοδος Το thyristor

Διαβάστε περισσότερα

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 3. ΙΟ ΟΣ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΙΟ ΩΝ Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση των Τρανζίστορ

Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση λέμε την κατάλληλη συνεχή τάση που πρέπει να εφαρμόσουμε στο κύκλωμα που περιλαμβάνει κάποιο ηλεκτρονικό στοιχείο (π.χ τρανζίστορ), έτσι ώστε να εξασφαλίσουμε την ομαλή λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

Το BJT ως Διακόπτης. 3/22/13 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά - Κ.Ι.Κυριακόπουλος. Control Systems Laboratory

Το BJT ως Διακόπτης. 3/22/13 Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά - Κ.Ι.Κυριακόπουλος. Control Systems Laboratory Το BJT ως Διακόπτης Οταν το transistor χρησιμοποιείται σαν διακόπτης ευρίσκεται είτε στην κατάσταση αποκοπής είτε σε αυτή του κορεσμού. Η βασική αρχή αυτής της χρήσης έγκειται στην διακριτή μεταβολή της

Διαβάστε περισσότερα

ΜΕΛΕΤΗ TRANSISTOR MOSFET

ΜΕΛΕΤΗ TRANSISTOR MOSFET ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΗΠΕΙΡΟΥ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Τ.Ε. ΜΕΛΕΤΗ TRANSISTOR MOSFET Πτυχιακή εργασία της Μήτσιου Χριστίνας Επιβλέπων Καθηγητής: Αγγέλης Κωνσταντίνος ΑΡΤΑ 2015 Περιεχόμενα

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών

Διαβάστε περισσότερα

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών Μία PWM κυματομορφή στην πραγματικότητα αποτελεί μία περιοδική κυματομορφή η οποία έχει δύο τμήματα. Το τμήμα ΟΝ στο οποίο η κυματομορφή έχει την μέγιστη

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 8. Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET)

Κεφάλαιο 8. Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Κεφάλαιο 8. Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σύνοψη Στο κεφάλαιο αυτό αναλύεται η λειτουργία του τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (Field Effect Transistor -FET), μελετώνται τα χαρακτηριστικά του καθώς και

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 6.1 ΚΑΘΡΕΠΤΕΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Σε ένα καθρέπτη ρεύµατος, το ρεύµα του κλάδου της εξόδου είναι πάντα ίσο µε το ρεύµα του κλάδου της εισόδου, αποτελεί δηλαδή το είδωλο του. Μία τέτοια διάταξη δείχνει

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Φυσική (Εργαστήριο) ρ. Κ. Ι. ηµητρίου ΙΟ ΟΙ

Ηλεκτρονική Φυσική (Εργαστήριο) ρ. Κ. Ι. ηµητρίου ΙΟ ΟΙ Ηλεκτρονική Φυσική (Εργαστήριο) ρ. Κ. Ι. ηµητρίου ΙΟ ΟΙ Για να κατανοήσουµε τη λειτουργία και το ρόλο των διόδων µέσα σε ένα κύκλωµα, θα πρέπει πρώτα να µελετήσουµε τους ηµιαγωγούς, υλικά που περιέχουν

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙΙI ΤΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 3.1 ιπολικό Τρανζίστορ 3.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131 Περιεχόμενα v ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1: ΔΙΟΔΟΙ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ...1 1.1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ...1 1.2 ΥΛΙΚΑ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ: Ge, Si ΚΑΙ GaAs...2 1.3 ΟΜΟΙΟΠΟΛΙΚΟΙ ΔΕΣΜΟΙ ΚΑΙ ΕΝΔΟΓΕΝΗ ΥΛΙΚΑ...3 1.4 ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΕΣ ΣΤΑΘΜΕΣ...6 1.5 ΕΞΩΓΕΝΗ

Διαβάστε περισσότερα

HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα

HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Συνοπτική παρουσίαση της δομής και λειτουργίας του MOS τρανζίστορ Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Η δομή του τρανζίστορ Όπως ξέρετε υπάρχουν

Διαβάστε περισσότερα

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

Διπολικά τρανζίστορ (BJT) Διπολικά τρανζίστορ (BJT) Το τρανζίστορ npn Εκπομπός Σλλέκτης Βάση Σχηματική παράσταση το τρανζίστορ npn Περιοχές λειτοργίας διπολικού τρανζίστορ Περιοχή EBJ BJ Αποκοπή Ανάστροφα Ανάστροφα Εγκάρσια τομή

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής Ηλεκτρονική Ι Εαρινό εξάµηνο 2005 Πρακτική ανάλυση ενισχυτή κοινού εκποµπού Τransstors βασικές αρχές Τι κάνουν τα transstors Πώς αναλύoνται τα κυκλώµατα των transstors Μικρά

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3ο ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΔΙΟΔΟΙ Επαφή ΡΝ Σε ένα κομμάτι κρύσταλλο πυριτίου προσθέτουμε θετικά ιόντα 5σθενούς στοιχείου για τη δημιουργία τμήματος τύπου Ν από τη μια μεριά, ενώ από την

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 3: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 3: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι Ενότητα 3: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creative Commons.

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Διάλεξη 4: Διπολικά Τρανζίστορ Δρ Δημήτριος Λαμπάκης ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ 1 Ηλεκτρονικές λυχνίες κενού Η εφεύρεση του τρανζίστορ υπήρξε αποτέλεσμα της προσπάθειας κατασκευής μιας

Διαβάστε περισσότερα

Επαφή / ίοδος p- n. Σχήµα 1: Επαφή / ίοδος p-n

Επαφή / ίοδος p- n. Σχήµα 1: Επαφή / ίοδος p-n Επαφή / ίοδος p- n 1. ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΙΟ ΟΥ p-n ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΟΡΙΣΜΟΙ Επαφή p-n ή ένωση p-n δηµιουργείται στην επιφάνεια επαφής ενός ηµιαγωγού-p µε έναν ηµιαγωγό-n. ίοδος p-n ή κρυσταλλοδίοδος είναι το ηλεκτρονικό

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 5ο. Λιούπης Τεχνολογία CMOS Υλοποιεί την πλειοψηφία των µοντέρνων ψηφιακών κυκλωµάτων λογικές πύλες µνήµες επεξεργαστές άλλα σύνθετα κυκλώµατα Συνδυάζει συµπληρωµατικά pmos και

Διαβάστε περισσότερα

Δίοδοι Zener. Οι Zener χρησιμοποιούνται σε ρυθμιστές τάσεως (voltage. I s regulators) δηλαδή συσκευές όπου η τάση του φορτίου

Δίοδοι Zener. Οι Zener χρησιμοποιούνται σε ρυθμιστές τάσεως (voltage. I s regulators) δηλαδή συσκευές όπου η τάση του φορτίου ontrol Systems Laboratory Δίοδοι Zener συνεχ. Οι Zener χρησιμοποιούνται σε ρυθμιστές τάσεως (voltage I s regulators) δηλαδή συσκευές όπου η τάση του φορτίου I V Z υ διατηρείται σταθερή για μία ευρεία περιοχή

Διαβάστε περισσότερα

Relay Module. Relay. Στο πλαίσιο αυτής της προσπάθειας λοιπόν, ένα relay module είναι σχεδόν σίγουρο πως θα μας χρειαστεί.

Relay Module. Relay. Στο πλαίσιο αυτής της προσπάθειας λοιπόν, ένα relay module είναι σχεδόν σίγουρο πως θα μας χρειαστεί. Relay Module PanosRCng Στην πορεία προς ένα μέλλον αυτοματισμών, όπου θα μπορούμε να ελέγχουμε τα πάντα μέσω του φιλόξενου περιβάλλοντος του προσωπικού μας υπολογιστή, ή θα μπορούμε να αναθέτουμε σε ένα

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΦΥΣΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ (Σημειώσεις)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΦΥΣΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ (Σημειώσεις) ΗΜΗΤΡΗΣ Α. ΦΩΤΙΑ ΗΣ Ηλεκτρονικός Μηχανικός M.Sc. Καθηγητής Εφαρμογών Τ.Ε.Ι. υτικής Μακεδονίας - Παράρτημα Καστοριάς Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΦΥΣΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ (Σημειώσεις) Καστοριά

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ 4.1 MOS Τρανζίστορ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙV ΤΟ MOS ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 4.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

Γιάννης Λιαπέρδος ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Κριτική Ανάγνωση: Αγγελική Αραπογιάννη. Επιμέλεια πολυμεσικού διαδραστικού υλικού: Γιώργος Θεοφάνους

Γιάννης Λιαπέρδος ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Κριτική Ανάγνωση: Αγγελική Αραπογιάννη. Επιμέλεια πολυμεσικού διαδραστικού υλικού: Γιώργος Θεοφάνους Γιάννης Λιαπέρδος ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Κριτική Ανάγνωση: Αγγελική Αραπογιάννη Επιμέλεια πολυμεσικού διαδραστικού υλικού: Γιώργος Θεοφάνους opyright ΣΕΑΒ, 2015 Το παρόν έργο αδειοδοτείται υπό τους

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής 1. Ένα τρανζίστορ διπλής επαφής είναι πολωµένο σωστά όταν: α. Η βάση είναι σε υψηλότερο δυναµικό από τον εκποµπό και σε χαµηλότερο από το συλλέκτη β. Η βάση είναι σε χαµηλότερο

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ 45 ίοδοι - Επαφή p-n Τα ηλεκτρονικά εξαρτήµατα κατασκευάζονται µε βάση έναν κρύσταλλο πυριτίου. Το πυρίτιο σε πολύ χαµηλή θερµοκρασία έχει τα τέσσερα ηλεκτρόνια σθένους

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 5 ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΟ ΦΑΙΝΟΜΕΝΟ

Άσκηση 5 ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΟ ΦΑΙΝΟΜΕΝΟ Άσκηση 5 ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΟ ΦΑΙΝΟΜΕΝΟ 1. ΓΕΝΙΚΑ Τα ηλιακά στοιχεία χρησιμοποιούνται για τη μετατροπή του φωτός (που αποτελεί μία μορφή ηλεκτρομαγνητικής ενέργειας) σε ηλεκτρική ενέργεια. Κατασκευάζονται από

Διαβάστε περισσότερα

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; Ηλεκτρονικοί Υπολογιστές Κινητά τηλέφωνα Τηλεπικοινωνίες Δίκτυα Ο κόσμος της Ηλεκτρονικής Ιατρική Ενέργεια Βιομηχανία Διασκέδαση ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τι περιέχουν οι ηλεκτρονικές

Διαβάστε περισσότερα

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014 ΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΜΑΚΑΡΙΟΣ Γ ΣΧΟΛΙΚΗ ΧΡΟΝΙΑ: 2013 2014 ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014 Κατεύθυνση: Θεωρητική Μάθημα: Τεχνολ.& Εργ. Ηλεκτρονικών Τάξη: Β Αρ. Μαθητών: 8 Κλάδος: Ηλεκτρολογία

Διαβάστε περισσότερα

1. Ρεύμα επιπρόσθετα

1. Ρεύμα επιπρόσθετα 1. Ρεύμα Ρεύμα είναι οποιαδήποτε κίνηση φορτίων μεταξύ δύο περιοχών. Για να διατηρηθεί σταθερή ροή φορτίου σε αγωγό πρέπει να ασκείται μια σταθερή δύναμη στα κινούμενα φορτία. r F r qe Η δύναμη αυτή δημιουργεί

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 8. Η δοµή του JFET n-διαύλου φαίνεται στο σχήµα 8.1. Σχ.8.1. οµή του JFET (α) και επικρατέστερο σύµβολο για n-διαύλου (β) και p-διαύλου (γ).

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 8. Η δοµή του JFET n-διαύλου φαίνεται στο σχήµα 8.1. Σχ.8.1. οµή του JFET (α) και επικρατέστερο σύµβολο για n-διαύλου (β) και p-διαύλου (γ). ΚΕΦΑΛΑΙΟ 8 8.1 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) χαρακτηρίζονται ως τρανζίστορ µονοφυούς αγωγιµότητας διότι οι φορείς ρεύµατος είναι µόνο ενός είδους, δηλαδή ηλεκτρόνια

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά -1- Η τιμή της dc παραμέτρου β ενός npn transistor έχει τιμή ίση με 100. Το transistor λειτουργεί στην ενεργή περιοχή με ρεύμα συλλέκτη 1mA. Το ρεύμα βάσης έχει

Διαβάστε περισσότερα

http://www.electronics.teipir.gr /personalpages/papageorgas/ download/3/

http://www.electronics.teipir.gr /personalpages/papageorgas/ download/3/ Δίοδος επαφής 1 http://www.electronics.teipir.gr /personalpages/papageorgas/ download/3/ 2 Θέματα που θα καλυφθούν Ορθή πόλωση Forward bias Ανάστροφη πόλωση Reverse bias Κατάρρευση Breakdown Ενεργειακά

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Διάλεξη 2: Δίοδος pn Δρ Δημήτριος Λαμπάκης 1 Δίοδος pn Είναι μια μη γραμμική συσκευή Η γραφική παράσταση του ρεύματος σε σχέση με την τάση δεν είναι ευθεία γραμμή Η εξωτερική τάση

Διαβάστε περισσότερα

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Καθρέπτες ρεύματος, ενεργά φορτία και αναφορές τάσης ρεύματος» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Σκοπός διάλεξης Παρουσίαση των καθρεπτών ρεύματος και της χρήσης τους

Διαβάστε περισσότερα

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF 8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1 8. ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ο ΗΓΗΣΗΣ ΦΟΡΤΙΟΥ Το τρανζίστορ σαν διακόπτης ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON περιοχή αποκοπής: OFF 8. ιακοπτική Λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. (Silicon Controlled Rectifier). πυριτίου (TRlAC). (Silicon Controll ed Switch). - 0 ελεγχόµενος ανορθωτής πυριτίου SCR

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. (Silicon Controlled Rectifier). πυριτίου (TRlAC). (Silicon Controll ed Switch). - 0 ελεγχόµενος ανορθωτής πυριτίου SCR 6. Θυρίστορ - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφανεια 1 6. ΤΑ ΘΥΡΙΣΤΟΡ - 0 ελεγχόµενος ανορθωτής πυριτίου SCR (Silicon Controlled Rectifier). - Η αµφίδροµη δίοδος THYRlSTOR (DIAC). - 0 αµφίδροµος ελεγχόµενος ανορθωτής

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν 1. Εισαγωγικά στοιχεία ηλεκτρονικών - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 1. ΘΕΜΕΛΙΩ ΕΙΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΑΙ ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Ηλεκτρικό στοιχείο: Κάθε στοιχείο που προσφέρει, αποθηκεύει και καταναλώνει

Διαβάστε περισσότερα

ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ AC-DC. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1ο ΒΑΣΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΚΑΙ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ - ΑΠΛΑ ΓΡΑΜΜΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ

ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ AC-DC. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1ο ΒΑΣΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΚΑΙ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ - ΑΠΛΑ ΓΡΑΜΜΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ AC-DC ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1ο ΒΑΣΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΚΑΙ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ - ΑΠΛΑ ΓΡΑΜΜΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Βασικά στοιχεία κυκλωμάτων Ένα ηλεκτρονικό κύκλωμα αποτελείται από: Πηγή ενέργειας (τάσης ή ρεύματος) Αγωγούς Μονωτές

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Διπολικά Τρανζίστορ

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Διπολικά Τρανζίστορ ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Διπολικά Τρανζίστορ Rquird Txt: Microlctronic Dvics, Kith Lavr (5 th Chaptr) Τρανζίστορ Ανακαλύφθηκε το 1948 από τους William Shockly, John Bardn και Waltr Brattain στα εργαστήρια

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1

ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1 ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1 Ενισχυτές ενός τρανζίστορ Ο στόχος αυτής της παρουσίασης είναι 1. Μελέτη των χαρακτηριστικών ενός ενισχυτή 2. Ανάλυση του ενισχυτή χρησιμοποιώντας ωμικά φορτία 2 Χαρακτηριστικά

Διαβάστε περισσότερα

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΑ ΔΙΚΤΥΑ ΥΨΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ (Θ) Ενότητα 1: Μικροκυματικές Διατάξεις ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΤΕ 1 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 1: Δίοδοι ανόρθωσης. Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 1: Δίοδοι ανόρθωσης. Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι Ενότητα 1: Δίοδοι ανόρθωσης Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creative Commons. Για εκπαιδευτικό

Διαβάστε περισσότερα

Θέματα Ηλεκτρολογίας στις Πανελλαδικές. Ηλεκτρονικά

Θέματα Ηλεκτρολογίας στις Πανελλαδικές. Ηλεκτρονικά Θέματα Ηλεκτρολογίας στις Πανελλαδικές Ηλεκτρονικά ΠΑΝΕΛΛΗΝΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Γ ΤΑΞΗΣ ΗΜΕΡΗΣΙΟΥ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΠΑΡΑΣΚΕΥΗ 1 ΙΟΥΝΙΟΥ 2012 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ

Διαβάστε περισσότερα

Δίοδοι Ορισμός της διόδου - αρχή λειτουργίας Η δίοδος είναι μια διάταξη από ημιαγώγιμο υλικό το οποίο επιτρέπει την διέλευση ροής ρεύματος μόνο από

Δίοδοι Ορισμός της διόδου - αρχή λειτουργίας Η δίοδος είναι μια διάταξη από ημιαγώγιμο υλικό το οποίο επιτρέπει την διέλευση ροής ρεύματος μόνο από Δίοδοι Ορισμός της διόδου - αρχή λειτουργίας Η δίοδος είναι μια διάταξη από ημιαγώγιμο υλικό το οποίο επιτρέπει την διέλευση ροής ρεύματος μόνο από την μία κατεύθυνση, ανάλογα με την πόλωσή της. Κατασκευάζεται

Διαβάστε περισσότερα

ΗΥ-121: Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Γιώργος Δημητρακόπουλος. Βασικές Αρχές Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

ΗΥ-121: Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Γιώργος Δημητρακόπουλος. Βασικές Αρχές Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Πανεπιστήμιο Κρήτης Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών ΗΥ-121: Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Γιώργος Δημητρακόπουλος Άνοιξη 2008 Βασικές Αρχές Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Ηλεκτρικό ρεύμα Το ρεύμα είναι αποτέλεσμα της κίνησης

Διαβάστε περισσότερα

Υ53 Τεχνολογία Κατασκευής Μικροηλεκτρονικών Κυκλωμάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

Υ53 Τεχνολογία Κατασκευής Μικροηλεκτρονικών Κυκλωμάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design Υ53 Τεχνολογία Κατασκευής Μικροηλεκτρονικών Κυκλωμάτων Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ.Ε. 1 Εξέλιξη

Διαβάστε περισσότερα

Περιοχή φορτίων χώρου

Περιοχή φορτίων χώρου 1. ΔΙΟΔΟΙ (ΚΑΙ ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ) 1.1. Γενικά Η δίοδος αποτελείται από έναν ημιαγωγό τύπου «p» (φορείς πλειονότητας: οπές) και έναν ημιαγωγό τύπου «n» (φορείς πλειονότητας: ηλεκτρόνια). Γύρω από την επαφή

Διαβάστε περισσότερα

ΠΟΛΩΣΗ ΘΕΡΜΙΚΗ ΣΤΑΘΕΡΟΠΟΙΗΣΗ 1. Εισαγωγή

ΠΟΛΩΣΗ ΘΕΡΜΙΚΗ ΣΤΑΘΕΡΟΠΟΙΗΣΗ 1. Εισαγωγή ΠΟΛΩΣΗ ΘΕΡΜΙΚΗ ΣΤΑΘΕΡΟΠΟΙΗΣΗ Εισαγωγή Στο κεφάλαιο αυτό θα µιλήσουµε για ενισχυτές µιας βαθµίδας µε διπολικά τρανζίστρ. Σε επόµενα κεφάλαια θα µιλήσουµε για ενισχυτές µε FET, όπως και για ενισχυτές µε

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών) Διεργασίες Μικροηλεκτρονικής Τεχνολογίας, Οξείδωση, Διάχυση, Φωτολιθογραφία, Επιμετάλλωση, Εμφύτευση, Περιγραφή CMOS

Διαβάστε περισσότερα

ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ. Ρεύµατα στο τρανζίστορ επαφής

ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ. Ρεύµατα στο τρανζίστορ επαφής ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Στο κεφάλαιο αυτό θα εξετάσουµε τη φυσική συµπεριφορά του διπολικού τρανζίστορ επαφής (Bipolar Junction Transistor) ή όπως θα το ονοµάζουµε απλά τρανζίστορ. Ο όρος διπολικό αφορά στο ότι

Διαβάστε περισσότερα

ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ ΙΑΚΟΠΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ

ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ ΙΑΚΟΠΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3 ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ ΙΑΚΟΠΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ 2.1 Η ΙΟ ΟΣ ΙΣΧΥΟΣ Η επαφή p n επιτρέπει τη διέλευση του ρεύµατος µόνο κατά τη µια φορά και ονοµάζεται δίοδος. Η δίοδος είναι ο απλούστερος ηµιαγωγός διακόπτης ισχύος.

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΘΕΩΡΙΑ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΘΕΩΡΙΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΘΕΩΡΙΑ 2 Το τρανζιστορ Ορισμός Το τρανζίστορ είναι μία διάταξη στερεάς κατάστασης φτιαγμένη από ημιαγώγιμο υλικό με ακροδέκτες σε τρία ή περισσότερα σημεία τα ηλεκτρικά χαρακτηριστικά

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στις κρυσταλλολυχνίες (Transistors)

Εισαγωγή στις κρυσταλλολυχνίες (Transistors) Εισαγωγή στις κρυσταλλολυχνίες (Transistors) Dr. Petros Panayi Διακόπτες Ένας διακόπτης είναι μια συσκευή που αλλάζει τη ροή ενός κυκλώματος. Το πρότυπο είναι μια μηχανική συσκευή (παραδείγματος χάριν

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικο-ηλεκτρονική Εισαγωγή

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικο-ηλεκτρονική Εισαγωγή Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικο-ηλεκτρονική Εισαγωγή Α ΕΞΑΜΗΝΟ ΣΠΟΥΔΩΝ α/α Τίτλος Μαθήματος Ωρες Διδασκαλίας ΣΥΝΟΛΟ Θεωρία Ασκ. Πράξης Εργαστ. 1 Μαθηματικά Ι 4 3 1 0 2 Φυσική 6 3 1 2 3 Η//N Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ

ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Ηλεκτρικό κύκλωμα ονομάζεται μια διάταξη που αποτελείται από ένα σύνολο ηλεκτρικών στοιχείων στα οποία κυκλοφορεί ηλεκτρικό ρεύμα. Τα βασικά ηλεκτρικά στοιχεία είναι οι γεννήτριες,

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΙΑΦΟΡΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ 1 1-1 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε BJT s 1 και ιπλή Έξοδο Ανάλυση µε το Υβριδικό Ισοδύναµο του Τρανζίστορ 2 Ανάλυση µε βάση τις Ενισχύσεις των Βαθµίδων CE- 4

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ 2 Δίοδοι-Επαφή pn 1. Ποιες είναι οι 3 κατηγορίες υλικών στην ηλεκτρονική; a) Στερεά, υγρά αέρια. b) Αγωγοί, μονωτές, ημιαγωγοί. c) Γη, αέρας, φωτιά. d) Ημιαγωγοί, μονωτές,

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στα κυκλώµατα CMOS 2

Εισαγωγή στα κυκλώµατα CMOS 2 1 η Θεµατική Ενότητα : Εισαγωγή στα κυκλώµατα CMOS Επιµέλεια διαφανειών:. Μπακάλης Εισαγωγή Τεχνολογία CMOS = Complementary Metal Oxide Semiconductor Συµπληρωµατικού Ηµιαγωγού Μετάλλου Οξειδίου Αποτελείται

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 4 ίοδος Zener

Άσκηση 4 ίοδος Zener Άσκηση 4 ίοδος Zener Εισαγωγή Σκοπός Πειράµατος Στην εργαστηριακή άσκηση 2 µελετήθηκε η δίοδος ανόρθωσης η οποία είδαµε ότι λειτουργεί µονάχα εάν πολωθεί ορθά. Το ίδιο ισχύει και στην περίπτωση της φωτοεκπέµπουσας

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4: Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ

ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΤΕΙ ΚΑΛΑΜΑΤΑΣ - ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ ΣΠΑΡΤΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ: ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΗΤΡΩΟΥ:.. ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ: ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΗΤΡΩΟΥ:.. Α. ΜΕΤΡΗΣΗ ΣΥΝΕΧΟΥΣ

Διαβάστε περισσότερα

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου. ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής Επα φής Ι VLS Technology and omputer Archtecture Lab ιπολικό ΤρανζίστορΓ. Επαφής Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Πάτρα 0 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Τ.Ε.Ι. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ Ενότητες του μαθήματος Η πιο συνηθισμένη επεξεργασία αναλογικών σημάτων είναι η ενίσχυση τους, που επιτυγχάνεται με

Διαβάστε περισσότερα

αγωγοί ηµιαγωγοί µονωτές Σχήµα 1

αγωγοί ηµιαγωγοί µονωτές Σχήµα 1 Η2 Μελέτη ηµιαγωγών 1. Σκοπός Στην περιοχή της επαφής δυο ηµιαγωγών τύπου p και n δηµιουργούνται ορισµένα φαινόµενα τα οποία είναι υπεύθυνα για τη συµπεριφορά της επαφής pn ή κρυσταλλοδιόδου, όπως ονοµάζεται,

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρική Ενέργεια. Ηλεκτρικό Ρεύμα

Ηλεκτρική Ενέργεια. Ηλεκτρικό Ρεύμα Ηλεκτρική Ενέργεια Σημαντικές ιδιότητες: Μετατροπή από/προς προς άλλες μορφές ενέργειας Μεταφορά σε μεγάλες αποστάσεις με μικρές απώλειες Σημαντικότερες εφαρμογές: Θέρμανση μέσου διάδοσης Μαγνητικό πεδίο

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝ ΕΙΚΤΙΚΑ ΠΑΡΑ ΕΙΓΜΑΤΑ ΚΡΙΤΗΡΙΩΝ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗΣ

ΕΝ ΕΙΚΤΙΚΑ ΠΑΡΑ ΕΙΓΜΑΤΑ ΚΡΙΤΗΡΙΩΝ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗΣ ΕΝ ΕΙΚΤΙΚΑ ΠΑΡΑ ΕΙΓΜΑΤΑ ΚΡΙΤΗΡΙΩΝ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗΣ 1ο Παράδειγµα κριτηρίου (εξέταση στο µάθηµα της ηµέρας) ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΜΑΘΗΤΗ ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ:... ΤΑΞΗ:... ΤΜΗΜΑ:... ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ:... ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ:... Σκοπός της

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 2 Transistors

Κεφάλαιο 2 Transistors Κεφάλαιο 2 Transistors 1. Εισαγωγή - Γενικά 2. Διπολικά Transistors (ipolar Juncon Transistors - JT) a. Χαρακτηριστικά Λειτουργίας Συνδεσμολογία Κοινού Εκπομπού b. Πόλωση Transistor c. Το JT Ως Ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

0 Φυσική Γενικής Παιδείας Β Λυκείου Συνεχές ηλεκτρικό ρεύμα - 3.2. Συνεχές ηλεκτρικό ρεύμα. Κώστας Παρασύρης - Φυσικός

0 Φυσική Γενικής Παιδείας Β Λυκείου Συνεχές ηλεκτρικό ρεύμα - 3.2. Συνεχές ηλεκτρικό ρεύμα. Κώστας Παρασύρης - Φυσικός 0 Φυσική Γενικής Παιδείας Β Λυκείου Συνεχές ηλεκτρικό ρεύμα - 3. Συνεχές ηλεκτρικό ρεύμα Φυσική Γενικής Παιδείας Β Λυκείου Συνεχές ηλεκτρικό ρεύμα -. Ηλεκτρική πηγή Ηλεκτρικό ρεύμα Ο ρόλος της ηλεκτρικής

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 6. Κυκλώματα με διπολικό τρανζίστορ επαφής (BJT) Λειτουργία διακόπτη

Κεφάλαιο 6. Κυκλώματα με διπολικό τρανζίστορ επαφής (BJT) Λειτουργία διακόπτη Κεφάλαιο 6. Κυκλώματα με διπολικό τρανζίστορ επαφής (BJT) Λειτουργία διακόπτη Σύνοψη Στο κεφάλαιο αυτό, αφού έχει παρουσιαστεί και κατανοηθεί η λειτουργία των ημιαγωγικών διατάξεων και η χρήση των διόδων,

Διαβάστε περισσότερα

Σελίδα 1 από 8. Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52

Σελίδα 1 από 8. Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52 Σελίδα 1 από 8 Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52 Ερώτηση 1 η : Πολυδονητές ονοµάζονται τα ηλεκτρονικά κυκλώµατα που παράγουν τετραγωνικούς παλµούς. 2 η : Ανάλογα µε τον τρόπο λειτουργίας τους διακρίνονται σε:

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ & ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ

ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ & ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ 1 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ & ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Α. Α. Χατζόπουλος ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΕΡΓΑΣΤΗΡΙAKEΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

Διαβάστε περισσότερα