10o ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ Στοιχεία Χωροθεσίας (Layout) CMOS
|
|
- Λουκᾶς Γερμανός
- 5 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 10o ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ Στοιχεία Χωροθεσίας (Layout) CMOS Εισαγωγή Θα ξεκινήσουμε σχεδιάζοντας της χωροθεσία μεμονωμένων διατάξεων Θα σχεδιάσουμε τα διάφορα επίπεδα της διάταξης (του τρανζίστορ). Τα ΟΚ κατασκευάζονται από πολλά τρανζίστορς (MOS), οπότε η διαδικασία που θα δούμε εδώ για το ένα, απλά θα πρέπει να επαναληφθεί για όλα τα MOS ενός πολύπλοκου κυκλώματος. Εστιάζουμε στη CMOS τεχνολογία που είναι αυτή που χρησιμοποιούμε σήμερα για την κατασκευή των πιο σύγχρονων κυκλωμάτων επεξεργαστών. To nmos κατασκευάζεται από μια πύλη polysilicon, τοποθετημένη πάνω από ένα λεπτό στρώμα SiO 2 και πάνω από την ενεργό περιοχή n-active (τις περιοχές των προσμίξεων). Η ενεργός περιοχή είναι εκεί που θα εμφυτετούν άτομα για να δημιουργήσουμε το τρανζίστορ. Η επικάλυψη ανάμεσα στην πύλη και στο στρώμα της ενεργού περιοχής καθορίζει το μέγεθος της διάταξης (το μήκος καναλιού και το πλάτος του MOS). Εικόνα 1. Ένα nmos σχεδιάζεται με ένα παραλληλόγραμμο polysilicon (κόκκινο) πάνω από ένα παραλληλόγραμμο n-active (πράσινο). Το λογισμικό της σχεδίασης έχει κατάλληλους κανόνες, ώστε να αναγνωρίζει ότι κάτω από το polysilicon υπάρχει στρώμα μονωτικού SiO 2 καθώς και ότι η ενεργός περιοχή θα διακόπτεται από την λωρίδα του polysilicon. Το μήκος καναλιού του nmos σε αυτή την περίπτωση είναι ίσο με τη μικρή διάσταση του polysilicon, ενώ το πλάτος του ίσο με τη μικρή διάσταση του n-active. Σχεδίαση μακριών MOS Ας υποθέσουμε ότι στο κύκλωμα της Εικόνας 2, το Μ 1 και το Μ 2 έχουν προδιαγραφές: W=200μm, L=1μm και το Μ 3 : W=60μm, L=1μm. Η τομή για ένα μακρύ MOS φαίνεται στην Εικόνα 3, (δεν είναι βέβαια σε κλίμακα). Γενικά, μακριά και λεπτά MOS έχουν προβλήματα. 1
2 Εικόνα 2. Εικόνα 3. Περιοχή polysilicon με μεγάλο μήκος θα εμφανίζει μεγάλη παρασιτική αντίσταση. Ένας τρόπος να ελαττώσουμε την παρασιτική αντίσταση είναι να διαιρέσουμε το μεγάλο μήκος σε πολλά μικρότερα. Για παράδειγμα μπορούμε να ενώσουμε παράλληλα 4 μικρότερα MOS με πλάτος 50μm το καθένα θα έχουμε ουσιαστικά το ίδιο πλάτος : 4 x 50 = 200μm (Εικόνα 4). Μπορούμε να θεωρούμε τα 4 MOS ως ισοδύναμα με ένα μοναδικό μεγάλο MOS, εφόσον συνδεθούν κατάλληλα. Κάθε άκροδέκτης καθενός MOS θα πρέπει να συνδεθεί στον αντίστοιχο ακροδέκτη καθενός από τα άλλα MOS. Με τον τρόπο αυτό έχουμε μικρότερα MOS του ίδιου συνολικού πλάτους πύλης αλλά με μικρότερη παρασιτική αντίσταση. Κάθε πύλη είναι το ¼ του πλάτους του μεγάλου MOS, άρα θα έχει αντίσταση το ¼ της αντίστασης πύλης του μεγάλου MOS. Επειδή μάλιστα η σύνδεση θα γίνει παράλληλα, θα προκύψει τελικά συνολική αντίσταση ίση με το ¼ της αρχικής αντίστασης άρα τελικά αντίσταση ίση με το 1/16 της αντίστασης της ενιαίας πύλης με το μεγάλο πλάτος. Εφόσον ελαττώθηκε η παρασιτική αντίσταση, ανάλογα θα ελαττώθηκε η σταθερά χρόνου RC οπότε το MOS θα λειτουργεί αποτελεσματικότερα. S I II III IV D G I II III IV W=50u Εικόνα 4. 2
3 Δεν υπάρχει όριο σε αυτή της τεχνική. Ανάλογα με το μέγεθος της διάταξης και άλλους παράγοντες μπορούμε να χωρίζουμε το MOS σε όλοένα μικρότερα τμήματα. Συμπερασματικα, έχουμε χωρίσει ένα MOS με μεγάλο πλάτος σε 4 μικρότερα χωρίς να επηρεάσουμε το ενεργό πλάτος πύλης. Ωστόσο γλυτώσαμε από ένα μεγάλο ποσό παρασιτικής αντίστασης. Η αρχική παρασιτική χωρητικότητα εξακολουθεί να παραμένει γιατί η επικάλυψη (overlap) της πύλης δε μπορεί να αλλάξει. Σχεδίαση με διαμοίραση πηγής απαγωγού Στην Εικόνα 5, έχουμε ξανά το αρχικό μακρύ nmos το οποίο έχουμε μοιράσει σε 4 κομμάτια. Το Α και το Β μπορεί να είναι η πηγή ή ο απαγωγός αντίστοιχα. Τo C θα είναι η πύλη. Οι διαφορετικοί κόμβοί πρέπει να είναι σε ελάχιστη μεταξύ τους απόσταση. Η χωροθέτηση θα πρέπει να είναι όσο πυκνή μας επιτρέπουν οι σχεδιαστικοί κανόνες γιατί έτσι μπορούμε να βάλουμε περισσότερα τρανζίστορς στο τσιπ. Πρέπει να συνδέσουμε όλα τα Α μεταξύ τους, όλα τα Β μεταξύ τούς και όλα τα C μεταξύ τους. Στην εικόνα βλέπουμε έναν τρόπο διασύνδεσης. Οι πηγές έχουν συνδεθεί πάνω, οι απαγωγοί κάτω και οι πύλες επίσης κάτω (Εικόνα 6). C Α Β A B A B A B A B Ι ΙΙ ΙΙΙ IV Εικόνα 5. C C C C A B A B A B A B Ι ΙΙ ΙΙΙ IV C C C C Εικόνα 6. Επειδή σε ένα MOS η πηγή και ο απαγωγός είναι κόμβοι που μπορούν να ανταλλαχθούν, μπορούμε να αντικατοπτρίσουμε το σχέδιο με τα 4 MOS (Εικόνα 6) ώστε να αποκτήσει τη δομή Α-Β-Β-Α-Α-Β-Β-Α. Δηλαδή το 2ο και το 4ο τρανζίστορ έχουν σχεδιαστεί κατοπτρικά ως προς την πύλη. Με τον τρόπο αυτό η σύνδεση μεταξύ των τρανζίστορ γίνεται ευκολότερη (Εικόνα 7). A B Β Α A B Β Α Ι ΙΙ ΙΙΙ IV Εικόνα 7. C C C C Μπορούμε τώρα να συμπτίξουμε τις κοινές περιοχές Α και Β έτσι ώστε η συνδυασμένη περιοχή να είναι ταυτόχρονα πηγή για το ένα τρανζίστορ και απαγωγός για το άλλο. Έτσι εξαλείφουμε την κενή περιοχή μεταξύ 3
4 των παράλληλων τρανζίστορς αλλά συνδυάζουμε και τμήματα τους (Εικόνα 8). Συμπερασμα: Η διαμοίραση πηγής απαγωγού μπορεί να γίνει μεταξύ δύο διατάξεων που είναι δίπλα και έχουν κοινό ακροδέκτη. A B Α B Α Ι ΙΙ ΙΙΙ IV Εικόνα 8. Εφαρμογή C C C C Εικόνα 9. Α V+ B V+ Α V+ V+ B Α V+ B Εικόνα 10. Θα χρησιμοποιήσουμε τώρα όχι έχουμε μάθει μέχρι στιγμής για να σχεδιάσουμε τη χωροθεσία του κυκλώματος της Εικόνας 9. Στο κύκλωμα αυτό, το τερματικό άκρο που μπορεί να μοιραστεί είναι αυτό της V+. Τα Α και Β πρέπει να είναι ξεχωριστά γιατί δε συνδέονται. Η διαδικασία φαίνεται στην Εικόνα 10, με όλα τα ενδιάμεσα στάδια. 4
5 Τεχνική σύνδεσης διατάξεων με επέκταση polysilicon Η διασύνδεση πύλης είναι ελαφρώς διαφορετική από αυτή μεταξύ απαγωγών και πηγών. Σε μερικές περιπτώσεις το πολυσιλικον μπορεί να χρησιμοποιηθεί ως μέσω σύνδεσης δηλαδή σε ρόλο μετάλλου. Επειδή το polysilicon είναι αγώγιμο μπορούμε να επεκτείνουμε τα δάκτυλα της πύλης έξω από τη διάταξη και να τα συνδέσουμε μεταξύ τους. Η χρήση του polysilicon για σύνδεση είναι ικανή μόνο για μικρές αποστάσεις. Επειδή είναι πολύ μεγαλύτερης αντίστασης από το μέταλλο, μετά από σχετικά μικρό μήκος, η αντίσταση είναι μεγάλη. Αν το καλώδιο που θέλουμε να δημιουργήσου με μεταφέρει ρεύμα και έχει μεγάλη αντίσταση τότε υπάρχει ο κίνδυνος να πάψει να λειτουργεί το κύκλωμα. Για το λόγο αυτό πρέπει να χρησιμοποιούμε με σύνεση το πολυσίλικον. Δηλαδή πρέπει να προσαρμόζουμε προσεκτικά, αποστάσεις, ρεύμα και αντίσταση. Στο παράδειγμά μας έχουμε προσθέσει λίγο μέταλλο στις επαφές πύλης ώστε επιπλέον σύνδεση να μπορεί να γίνει από εκεί και πέρα με μέταλλο. Άρα το αρχικό 200x1 τρανζίστορ έχει πλέον τη μορφή της Εικόνας 11 αλλά αυτό έχει παρασιτική αντίσταση πολύ μικρότερη και λειτουργεί πολύ ταχύτερα, ενω διαχερίζεται με καλύτερο τρόπο την πολύτιμη επιφάνεια. A B Α B Α Ι ΙΙ ΙΙΙ IV C C C C Εικόνα 11. Poly-contact-metal Σχεδίαση με «τράβηγμα» του μετάλλου ακριβώς πάνω από τις διατάξεις Αν θέλουμε να κερδίσουμε ακόμα περισσότερο σε χώρο, μπορούμε να απαλλαγούμε από μερικές επαφές και να κάνουμε τις συνδέσεις άμεσα πάνω από τις διατάξεις μας (Εικόνα 12). Με τον τρόπο αυτό τα διάφορα κομμάτια μετάλλου έρχονται πάνω σιτς διατάξες. Πρέπει ωστόσο να είμαστε προσεκτικοί να μην διώξουμε περισσότερες επαφές απ όσες είναι αναγκαίες για την ικανή μεταφορά του ρεύματος μέσω αυτών. Τα σχέδια στις Εικόνες 11 και 12 είναι ισοδύναμα. Τα Α συνδέονται και πάλι με μέταλλο που μοιάζει με Μ ενώ τα Β συνδέονται με μέταλλο σε σχήμα U. Τα C ενωνονται με μια λωρίδα poly κατά μήκος της βάσης του σχεδίου. Εικόνα 12. 5
6 Σχεδίαση των πυλών διακριτά και με συνδέσει μετάλλου Στο παράδειγμα μας τώρα στηνς Εικόνα 13, η μόνη διαφορά σε σχέση με πριν είναι ότι τα δάκτυλα της πύλης έχουν συνδεθεί με μεταλλική λωρίδα. Αυτή η μέθοδος είναι η πιο ασφαλής. Χρησιμοποιεί το ελάχιστο ποσό polysilicon και μπορεί με ασφάλεια να συνδεθεί σε και διαμέσου της πύλης των διατάξεων χωρίς να ανησυχούμε για το είδος του σήματος που θα μεταδοθεί. Εικόνα 13. Σχεδίαση με τετραγωνισμένα κυκλώματα Ως γενικός σχεδιαστικός κανόνας είναι το ότι πρέπει να υλοποιούμε μεγάλα σχέδια από μικρά και εύκολα κατανοητά μπλοκς. Ο στόχος είναι να κάνουμε τη χωροθέτησή μας πυκνή. Πρέπει να έχουμε στόχο να κάνουμε τις διατάξεις που σχεδιάζουμε οσο το δυνατό πιο τετραγωνισμένες. Πρέπει να έχουμε κατά νου ότι ένα τετραγωνισμένο χωροθετημένο κύκλωμα μπορεί πιο εύκολα να προσαρμοστεί σε ένα μεγαλύτερο κύκλωμα με εκατομμύρια άλλα τετραγωνισμένα κυκλώματα. (Εικόνα 15), παρά ένα με ακανόνιστο σχήμα (Εικόνα 14). Ωστόσο, θα προκύψουν περιπτώσεις που θα πρέπει να σχεδιάσουμε κάποιο ακανόνιστο σχήμα. Σε τέτοια περίπτωση θα πρέπει να εξετάσουμε τα άλλα κυκλώματα που αλληλεπιδρούν με το κομμάτι της χωροθεσίας που έχει αυτή την απαίτηση, και αν είμαστε τυχεροί μπορούμε να προετοιμάσουμε την τοποθέτηση των άλλων κυκλωμάτων με τέτοιο τρόπο που να καταλλήξουμε σε ένα συνολικό τετραγωνισμένης χωροθεσίας κύκλωμα. Εικόνα 14. Δύσκολη δομή για μεγάλη πυκνότητα σχεδίασης. Εικόνα 15. Τετραγωνισμένη δομή, κατάλληλη για μεγάλη πυκνότητα σχεδίασης. 6
7 Γραμμικά Διαγράμματα Κυκλωμάτων (Stock Diagrams) Πως πηγαίνουμε από ένα διάγραμμα κυκλώματος στην πιο επαρκή σχεδίαση διαμοίρασης πύλης απαγωγού; Ένα χρήσιμο εργαλειο προς αυτή την κατεύθυνση είναι το γραμμικό διάγραμμα. Πρόκειται για μια απλή αναπαράσταση των διατάξεων και των διασυνδέσεών. Είναι ένα διάγραμμα ενδιάμεσο ανάμεσα στο σχηματικό και στην τελική χωροθέτηση. Με την ολοκλήρωσή του, μας δίνει την θέση των διατάξεων και των μεταξύ τους διασυνδέσεων. Αυτό που έχουμε να κάνουμε στη συνέχεια είναι να υλοποιήσουμε την πραγματική χωροθεσία και τις καλωδιώσεις. Στην τεχνολογία CMOS, τυπικά χτίζουμε όλες τις διατάξεις τύπου p σε μια κοινή περιοχή πηγάδι τύπου n. Κάθε διάταξη θα πρέπει να χτιστεί στο n-πηγάδι τα οποία συνήθως είναι όλα συνδεδεμένα στο ίδιο σημείο. Οπότε έχει νόημα να χτίσουμε όλες τις διατάξεις σε ένα κοινό πηγάδι. Η τεχνική κοινού n πηγαδιού ελαττώνει την επιφάνεια κυκλώματος αφού συνήθως οι κανόνες για τη γειτονία περιοχών n πηγαδιού απαιτούν συνήθως μεγάλες αποστάσεις. Δηλαδή έτσι οι κανόνες σχεδίασης ορίζοντ αι με βάση τις αποστάσεις τρανζίστορ τρανζίστορ. Αντίστοιχα, οι διατάξεις τύπου n χτίζονται σε κοινή περιοχή, είτε σε πηγάδι τύπου p είτε πάνω σε p υπόστρωμα. Επειδή χρησιμοποιούμε κοινές περιοχές, όλες οι p διατάξεις είναι γενικά κοντά μεταξύ τους και αντίστοιχα οι περιοχές τύπου n είναι αντίστοιχα κοντά μεταξύ τους. Συνεπώς, μπορούμε να σχεδιάσουμε p διαχύσεις ως οριζόντιες γραμμές κατά μήκος της κορυφής του διαγράμματος και οι n διαχύσεις ως πάλι οριζόντες γραμμές κατά μήκος της βάσης τους διαγράμματος. Σε γραμμικό διάγραμμα γραμμών αναπαριστούμε το polysilicon, τις διαχύσεις και τα καλώδια ως απλές γραμμές στο χαρτί. Στα σημεία όπου οι γραμμές του polysilicon και των διαχύσεων τέμνονται, έχουμε ένα MOS τρανζίστορ. Θα σχεδιάσουμε σε γραμμικό διάγραμμα του κύκλωμα της Εικόνας 15. Ξεκινάμε σχεδιάζοντας παράλληλες γραμμές για τις περιοχές τύπου p και τύπου n, όπως στην Εικόνα 16. Οι πύλες του polysilicon σχεδιάζονται ως κάθετες γραμμές που διασταυρώνουν τις διαχύσεις, όπου υπάρχει τρανζίστορ (Εικόνα 17). Τέλος, η καλωδίωση αναπαρίσταται από γραμμές που συνδέουν τα διάφορα τερματικά άκρα των διατάξεων (Εικόνα 18). Εικόνα 15. P Εικόνα 16. N Τα σημεία επαφών αναπαρίστανται συνήθως με ένα μικρό (x) εκεί που είναι η επαφή. Στη συνέχεια εφαρμόζουμε τη διαμοίραση πηγής απαγωγού. Από το σχηματικό του κυκλώματος βλέπουμε ότι το πρώτο p τρανζίστορ έχει εναν ακροδέκτη με όνομα Α και έναν με όνομα V+. Στη συνέχεια θα πρέπει να προχωρήσουμε 7
8 με τους επόμενους ακροδέκτες. Ωστόσο όπως βλέπουμε από την αντίστοιχη εικόνα, δεν έχουμε κάνει και πολύ καλή δουλειά, γιατί πρέπει να σπάσουμε τη διάχυση σε πολλά μέρη ώστε να πετύχουμε την σωστή τοποθέτηση (Εικόνα 18). Η τομή στη διάχυση απεικονίζεται με δύο κάθετες παράλληλες γραμμές στο σημείο τομής. Η τομή γίνεται στη διάχυση για να πετύχουμε αρκετή απόσταση μεταξύ ανόμοιων διατάξεων. Μερικές φορές είναι απαραίτητη η τομή αν δε μπορεί να γίνει διαμοίραση μεταξύ πηγών και απαγωγών. Κάθε τομή στη διάχυση χωρίζει τα τρανζίστορς και άρα σπαταλάει επιφάνεια. Η τέλεια λύση θα ήταν να μην υπάρχουν καθόλου σπασίματα. A V+ P N Εικόνα 17. A V+ Β V+ C V+ P A V- Β V- C V- N Εικόνα 18. Χρειάζεται να ελαττώσουμε το μέγεθος της χωροθέτησης. Εξετάζουμε την τοποθέτηση των διατάξεων για να δούμε αν με τη διαμοίραση πηγής απαγωγού μπορεί να αφαιρέσει μερικά από τα σπασίματα στις διαχύσεις. Αν κάνουμε αντικατοπτρισμό ως προς την κατακόρυφο του BV+ και αντίστοιχα του BV- ως V+ B και V-B αντίστοιχα, τότε έχουμε μια μικρή βελτίωση αλλά και πάλι παραμένει από ένα σπάσιμο σε κάθε διάχυση. Δε μπορούμε να κάνουμε παραπέρα βελτίωση με διαμοίραση πηγής-απαγωγού (Εικόνα 20). Σε μεγαλύτερα κυκλώματα η διαμοίραση πηγής απαγωγού γίνεται πολλές φορές μέχρις σημείου που δε μπορούμε να απλοποιήσουμε παραπέρα. Ίσως να πρέπει να αλλάξουμε και τη σειρά με την οποία οι διατάξεις είναι τοποθετημένες για να πετύχουμε πυκνότερη διάταξη. Μετά τη διαδικασία διαμοίρασης πηγής απαγωγού θα πρέπει να τοποθετήσουμε τις διατάξεις μας. Μπορούμε συνδέσουμε τους υπόλοιπους ακροδέκτες. Στα ψηφιακά κυκλώματα είναι τυπικό για κάθε τρανζίστορ τύπου p να υπάρχει ένα τρανζίστορ τύπου n. Καλό είναι να διατηρούμε τα ζεύγη κοντά ώστε οι πύλες τους να καλωδιωθούν με ένα μκρό κομμάτι polysilicon. 8
9 A V+ V+ B C V+ P A V- V- B C V- N Εικόνα 20. Στη συνέχεια τοποθετούμε γραμμές μετάλλου και κάνουμε τις επαφές (Εικόνα 21) Εικόνα 21. Σε αυτό το παράδειγμα βελτιώνουμε ακόμα περισσότερο το σχέδιο με τον να τουμπάρουμε το τρίτο τρανζίστορ ώστε η έξοδόςτου C να μην διασταυρώνεται με το μέταλλο (Εικόνα 22). Εικόνα 22. Σε υβριδική μορφή το γραμμικό διάγραμμα της χωροθέτησης χρησιμοποιεί παραλληλόγραμμα για τις διαχύσεις αντί για γραμμές (Εικόνα 23). Έτσι, δίνει περισσότερο την αίσθηση των διατάξεων και είναι λίγο πιο κοντά στην τελική χωροθεσία. 9
10 Εικόνα 23. Εργασίες Εργασία 1 Υλοποιήστε τη χωροθεσία του κυκλώματος της Εικόνας 24, όσο το δυνατό πιο τετραγωνισμένη και θεωρώντας ότι τα pmos έχουν τριπλάσιο πλάτος από τα nmos. Χρησιμοποιήστε τεχνολογία CMOS 0.12μm. Εικόνα 24. Εργασία 2 Υλοποιήστε τη χωροθεσία του κυκλώματος της Εικόνας 25, όσο το δυνατό πιο τετραγωνισμένη. Χρησιμοποιήστε τεχνολογία CMOS 0.12μm. Λάβετε υπόψη το πλάτος του κάθε MOS που αναγράφεται, ώστε να τα υλοποιήσετε σε αντίστοιχο πλήθος κομματιών. 10
11 Εικόνα 25. Εργασία 3 Υλοποιήστε τη χωροθεσία του κυκλώματος της Εικόνας 26, όσο το δυνατό πιο τετραγωνισμένη. Χρησιμοποιήστε τεχνολογία CMOS 0.12μm. Λάβετε υπόψη το πλάτος του κάθε MOS που αναγράφεται, ώστε να τα υλοποιήσετε σε αντίστοιχο πλήθος κομματιών. Εικόνα
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (10 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (10 η σειρά διαφανειών) Σχεδιασμός και Προσομοίωση Βασικών Κυκλωμάτων Τεχνολογίας CMOS Με βάση το εργαλείο σχεδιασμού Microwind Σκοπός: η
Διαβάστε περισσότεραΦυσική σχεδίαση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
Φυσική σχεδίαση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων Βασικές έννοιες και τεχνικές Γιώργος Δημητρακόπουλος Δημοκριτειο Πανεπιστήμιο Θράκης Φθινόπωρο 2013 Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα 1 Τι χρειαζόμαστε για να φτιάξουμε
Διαβάστε περισσότεραΚαθυστέρηση στατικών πυλών CMOS
Καθυστέρηση στατικών πυλών CMOS Πρόχειρες σημειώσεις Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Άνοιξη 2008 Παρόλο που οι εξισώσεις των ρευμάτων των MOS τρανζίστορ μας δίνουν
Διαβάστε περισσότεραΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ - VLSI Ενότητα: Συνδιαστικά κυκλώματα, βασικές στατικές λογικές πύλες, σύνθετες και δυναμικές πύλες Κυριάκης
Διαβάστε περισσότεραΕργαστήριο Εισαγωγής στη Σχεδίαση Συστημάτων VLSI
Ε.Μ.Π. - ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΫΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ VLSI
Διαβάστε περισσότεραΑΣΚΗΣΗ 3 η Ο ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑΣ CMOS
ΑΣΚΗΣΗ 3 η Ο ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑΣ CMOS ΘΕΩΡΙΑ Οι ασκήσεις 3 και 4 αφορούν τον αντιστροφέα CMOS, ο οποίος είναι η απλούστερη αλ α ταυτόχρονα και σημαντικότερη πύλη για την κατανόηση της λειτουργίας των Ολοκληρωμένων
Διαβάστε περισσότεραΕργαστηριακή άσκηση. Κανόνες σχεδίασης και κατασκευαστικές λεπτομέρειες στη σχεδίασης μασκών (layout) και προσομοίωσης κυκλώματος VLSI
Ε.Μ.Π. - ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΫΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ VLSI
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών) Διεργασίες Μικροηλεκτρονικής Τεχνολογίας, Οξείδωση, Διάχυση, Φωτολιθογραφία, Επιμετάλλωση, Εμφύτευση, Περιγραφή CMOS
Διαβάστε περισσότεραΑποκωδικοποιητές Μνημών
Αποκωδικοποιητές Μνημών Φθινόπωρο 2008 Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Γ. Δημητρακόπουλος ΗΥ422 1 Η χρήση των αποκωδικοποιητών Η δομή της μνήμης (για λόγους πυκνότητας)
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (11 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (11 η σειρά διαφανειών) Μελέτη των Παρασιτικών Χωρητικοτήτων και της Καθυστέρησης στα Κυκλώματα CMOS Με βάση το εργαλείο σχεδιασμού Microwind
Διαβάστε περισσότεραΟργάνωση της φυσικής δομής του ολοκληρωμένου κυκλώματος
Οργάνωση της φυσικής δομής του ολοκληρωμένου κυκλώματος Γιώργος Δημητρακόπουλος Δημοκρίτειο Πανεπιστήμιο Θράκης Φθινόπωρο 2013 Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα 1 Οργάνωση του φυσικού σχεδίου Αποφασίζουμε
Διαβάστε περισσότεραΣχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I
Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I 2 η Εργαστηριακή Άσκηση Μελέτη των Παρασιτικών Χωρητικοτήτων και της Καθυστέρησης στα Κυκλώματα CMOS Άδειες Χρήσης Το παρόν υλικό διατίθεται με τους όρους της
Διαβάστε περισσότεραΑΣΚΗΣΗ 7. ΘΕΜΑ 1ο MINORITY A B C. C out
ΑΣΚΗΣΗ 7 ΘΕΜΑ 1ο MINORITY A B C C out S S C out C OUT = MAJ(A,B,C) = Majority(A,B,C) = 1 when at least 2 (majority) of A, B, and C are equal to 1. Opposite Minority MAJ(A,B,C) = AB + BC + AC (PMOS and
Διαβάστε περισσότεραΠανεπιστήµιο Αιγαίου Τµήµα Μηχανικών Πληροφοριακών και Επικοινωνιακών Συστηµάτων. 3η Άσκηση Logical Effort - Ένα ολοκληρωµένο παράδειγµα σχεδίασης
Πανεπιστήµιο Αιγαίου Τµήµα Μηχανικών Πληροφοριακών και Επικοινωνιακών Συστηµάτων Εισαγωγή σε VLSI 3η Άσκηση Logical Effort - Ένα ολοκληρωµένο παράδειγµα σχεδίασης Μανόλης Καλλίγερος (kalliger@aegean.gr)
Διαβάστε περισσότεραΠολυσύνθετες πύλες. Διάλεξη 11
Πολυσύνθετες πύλες NMOS και CMOS Διάλεξη 11 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή ΗσύνθετηλογικήNMOS ΗσύνθετηλογικήCMOS Η πύλη μετάδοσης CMOS Ασκήσεις 2 Πολυσύνθετες πύλες NMOS και CMOS Εισαγωγή 3 Εισαγωγή Στη λογική
Διαβάστε περισσότεραΕργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε αναστροφείς CMOS VLSI
Ε.Μ.Π. - ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΫΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ VLSI
Διαβάστε περισσότεραΤα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής
Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Τα πιο βασικά στοιχεία δομής των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων
Διαβάστε περισσότερα4/10/2008. Στατικές πύλες CMOS και πύλες με τρανζίστορ διέλευσης. Πραγματικά τρανζίστορ. Ψηφιακή λειτουργία. Κανόνες ψηφιακής λειτουργίας
2 η διάλεξη 25 Σεπτεμβρίου Πραγματικά τρανζίστορ Στατικές πύλες CMOS και πύλες με τρανζίστορ διέλευσης Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Η τάση στο gate του τρανζίστορ
Διαβάστε περισσότερα4 η διάλεξη Καθυστέρηση Διασυνδέσεων Μοντέλο Elmore
1 4 η διάλεξη Καθυστέρηση Διασυνδέσεων Μοντέλο Elmore 2 3 Εξετάζοντας αναλυτικά την φυσική υπόσταση μιας διασύνδεσης φαίνεται ότι διασύνδεει έναν αποστολέα του σήματος με έναν δέκτη μέσω επιμέρους τμημάτων
Διαβάστε περισσότεραΕργαστηριακή άσκηση. Σχεδίαση layout και προσομοίωση κυκλώματος με το πρόγραμμα MICROWIND
Ε.Μ.Π. - ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΫΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ VLSI
Διαβάστε περισσότεραΕργαστήριο Εισαγωγής στη Σχεδίαση Συστημάτων VLSI
Ε.Μ.Π. - ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΫΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ VLSI
Διαβάστε περισσότεραΑΣΚΗΣΗ 2 η N-MOS ΚΑΙ P-MOS TRANSISTOR ΩΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ
ΑΣΚΗΣΗ 2 η N-MOS ΚΑΙ P-MOS TRANSISTOR ΩΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ ΘΕΩΡΙΑ 1. Εργαλεία εξομοίωσης, SPICE, αρχεία περιγραφής κυκλωμάτων (netlist) (Παρ. 3.4, σελ 152-155) 2. To transistor ως διακόπτης, πύλη διέλευσης. (Παρ
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 3. Λογικές Πύλες
Κεφάλαιο 3 Λογικές Πύλες 3.1 Βασικές λογικές πύλες Τα ηλεκτρονικά κυκλώματα που εκτελούν τις βασικές πράξεις της Άλγεβρας Boole καλούνται λογικές πύλες.κάθε τέτοια πύλη δέχεται στην είσοδό της σήματα με
Διαβάστε περισσότεραΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΑΣΚΗΣΗ 1η: ΜΕΛΕΤΗ ΤΟΥ MOSFET Σκοπός της άσκησης Στην άσκηση αυτή θα μελετήσουμε το τρανζίστορ τύπου MOSFET και τη λειτουργία
Διαβάστε περισσότεραΠυρίτιο. Η βάση για τα σύγχρονα ημιαγωγικά κυκλώματα είναι. Ένας κρύσταλλος καθαρού πυριτίου συμπεριφέρεται
Τεχνολογία CMOS Πυρίτιο Η βάση για τα σύγχρονα ημιαγωγικά κυκλώματα είναι το πυρίτιο Ένας κρύσταλλος καθαρού πυριτίου συμπεριφέρεται σαν μονωτής Εάν προσθέσουμε προσμόξεις (impurities) τότε αλλάζουμε την
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών) Τα μοντέρνα ψηφιακά κυκλώματα (λογικές πύλες, μνήμες, επεξεργαστές και άλλα σύνθετα κυκλώματα) υλοποιούνται σήμερα
Διαβάστε περισσότεραΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Α. Αναστροφέας MOSFET. Α.1 Αναστροφέας MOSFET µε φορτίο προσαύξησης. Ο αναστροφέας MOSFET (πύλη NOT) αποτελείται από
Διαβάστε περισσότεραΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Σχήμα 1 Σχήμα 2 Σχήμα 3
ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Μάθημα: Φυσική Ημιαγωγών και Διατάξεων Εξεταστική Περίοδος: Ιούνιος 017 Καθηγητής: Δ. Τριάντης ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ ΘΕΜΑ 1 Ο (+=4 ΜΟΝΑΔΕΣ) Α) Θεωρούμε μια διάταξη MIS (Metal: Al, Isulator:
Διαβάστε περισσότερα1 η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΚΑΜΠΥΛΗ ΩΜΙΚΟΥ ΑΝΤΙΣΤΑΤΗ ΚΑΙ ΛΑΜΠΤΗΡΑ ΠΥΡΑΚΤΩΣΗΣ
1 ο Γενικό Λύκειο Ηρακλείου Αττικής Σχ έτος 2011-2012 Εργαστήριο Φυσικής Υπεύθυνος : χ τζόκας 1 η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΚΑΜΠΥΛΗ ΩΜΙΚΟΥ ΑΝΤΙΣΤΑΤΗ ΚΑΙ ΛΑΜΠΤΗΡΑ ΠΥΡΑΚΤΩΣΗΣ Η γραφική παράσταση
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ενότητα: Ασκήσεις Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Σελίδα 2 1. Άσκηση 1... 5 2. Άσκηση 2... 5 3. Άσκηση 3... 7 4. Άσκηση 4...
Διαβάστε περισσότερα«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο
ΤΕΙ Δυτικής Ελλάδας Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Εργαστήριο Σχεδίασης Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων «Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο 2016-2017 Διάλεξη 5 η :
Διαβάστε περισσότεραΦΥΛΛΟ ΑΠΑΝΤΗΣΕΩΝ. Όνομα και Επώνυμο: Όνομα Πατέρα:.. Όνομα Μητέρας:.. Σχολείο:.. Τάξη / Τμήμα:... Εξεταστικό Κέντρο:..
ΦΥΛΛΟ ΑΠΑΝΤΗΣΕΩΝ Όνομα και Επώνυμο: Όνομα Πατέρα:.. Όνομα Μητέρας:.. Σχολείο:.. Τάξη / Τμήμα:... Εξεταστικό Κέντρο:.. ΘΕΜΑ 1 Ο ΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ A.1. Παράλληλα συνδεδεμένες είναι οι αντιστάσεις στα κυκλώματα:
Διαβάστε περισσότεραΤρανζίστορ FET Επαφής
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου ((FET) FET) Ι Τρανζίστορ Φαινοµένου Ι Γ.Πεδίου Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 1 Τρανζίστορ
Διαβάστε περισσότερα2. Ο νόμος του Ohm. Σύμφωνα με το νόμο του Ohm, η τάση V στα άκρα ενός αγωγού με αντίσταση R που τον διαρρέει ρεύμα I δίνεται από τη σχέση: I R R I
2. Ο νόμος του Ohm 1. ΘΕΩΡΙΑ Σύμφωνα με το νόμο του Ohm, η τάση στα άκρα ενός αγωγού με αντίσταση R που τον διαρρέει ρεύμα δίνεται από τη σχέση: R Ισοδύναμα ο νόμος του Ohm μπορεί να διατυπωθεί και ως:
Διαβάστε περισσότεραΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ - VLSI Ενότητα: Ο Αντιστροφέας CMOS Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. 1 Άδειες
Διαβάστε περισσότερα1. ΕΝΤΑΣΗ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΥ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Ένταση ηλεκτρικού ρεύματος δίνεται από την σχέση Ι = Με την βοήθεια την σχέσης αυτής
ΜΕΘΟΔΟΛΟΓΙΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2 ΤΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ 1. ΕΝΤΑΣΗ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΥ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Ένταση ηλεκτρικού ρεύματος δίνεται από την σχέση Ι = Με την βοήθεια την σχέσης αυτής Υπολογισμός ηλεκτρικού φορτίου σε αγωγό ή κύκλωμα
Διαβάστε περισσότεραΣχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I
Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I 1 η Εργαστηριακή Άσκηση Σχεδιασμός και Προσομοίωση Βασικών Κυκλωμάτων Τεχνολογίας CMOS Άδειες Χρήσης Το παρόν υλικό διατίθεται με τους όρους της άδειας χρήσης
Διαβάστε περισσότεραΠανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων
Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων Εργαστήριο 3 Νόμος του Ohm, Κυκλώματα σε Σειρά και Παράλληλα Λευκωσία, 2010 Εργαστήριο 3 Νόμος
Διαβάστε περισσότεραΒασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική
Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Ηµιαγώγιµα υλικά και πυρίτιο Η κατασκευή ενός ολοκληρωµένου κυκλώµατος γίνεται µε βάση ένα υλικό ηµιαγωγού (semiconductor), το οποίο
Διαβάστε περισσότερα4.2 Αναπαράσταση δυαδικών τιμών στα ψηφιακά κυκλώματα
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗΣ 4.1 Εισαγωγή Για την υλοποίηση των λογικών πυλών χρησιμοποιήθηκαν αρχικά ηλεκτρονικές λυχνίες κενού και στη συνέχεια κρυσταλλοδίοδοι και διπολικά τρανζίστορ. Τα ολοκληρωμένα
Διαβάστε περισσότεραΕργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε λογικά δίκτυα πολλών σταδίων
Ε.Μ.Π. - ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΫΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ VLSI
Διαβάστε περισσότεραΝΟΜΟΣ ΤΟΥ OHM ΕΠΩΝΥΜΟ: ΟΝΟΜΑ: ΑΜ: ΕΠΩΝΥΜΟ: ΟΝΟΜΑ: ΑΜ: ΕΠΩΝΥΜΟ: ΟΝΟΜΑ: ΑΜ: 1 ΣΚΟΠΟΣ 1 2 ΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΥΠΟΒΑΘΡΟ 1 3 ΕΞΟΠΛΙΣΜΟΣ 5 4 ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ 5
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΝΟΜΟΣ ΤΟΥ OHM ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: ΤΡΙΩΡΟ: ΕΠΩΝΥΜΟ: ΟΝΟΜΑ: ΑΜ: ΕΠΩΝΥΜΟ: ΟΝΟΜΑ: ΑΜ: ΕΠΩΝΥΜΟ: ΟΝΟΜΑ: ΑΜ: Περιεχόμενα 1 ΣΚΟΠΟΣ 1 2 ΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΥΠΟΒΑΘΡΟ 1 2.1 Η ΓΡΑΜΜΙΚΗ ΣΧΕΣΗ ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΚΑΙ ΤΑΣΗΣ 3
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ενότητα 10: Κατασκευή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ.
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 10: Κατασκευή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών
Διαβάστε περισσότεραΕρωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET
Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET 1. Nα σχεδιάσετε τη δομή (διατομή) και το κυκλωματικό σύμβολο ενός τρανζίστορ MOSFET πύκνωσης (ή εμπλουτισμού) καναλιού τύπου n. 2. Να αναπτύξετε τις
Διαβάστε περισσότεραΣημειώσεις για την Άσκηση 2: Μετρήσεις σε RC Κυκλώματα
Σημειώσεις για την Άσκηση 2: Μετρήσεις σε RC Κυκλώματα Ένας πυκνωτής με μία αντίσταση σε σειρά αποτελούν ένα RC κύκλωμα. Τα RC κυκλώματα χαρακτηρίζονται για την απόκρισή τους ως προς τη συχνότητα και ως
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Αγγελική Αραπογιάννη Σχολή Θετικών Επιστημών Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Πυρίτιο Η βάση για τα σύγχρονα ημιαγωγικά κυκλώματα είναι το πυρίτιο
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στους Υπολογιστές
Ιόνιο Πανεπιστήμιο Τμήμα Πληροφορικής Εισαγωγή στην Επιστήμη των Υπολογιστών 2015-16 Εισαγωγή στους Υπολογιστές (αρχές λειτουργίας και τεχνολογία) http://di.ionio.gr/~mistral/tp/csintro/ Μ.Στεφανιδάκης
Διαβάστε περισσότεραΦόρτιση πυκνωτή μέσω αντίστασης Εάν αρχικά, η τάση στο άκρο του πυκνωτή είναι 0, τότε V DD V(t) για την τάση σε χρόνο t, V(t) θα έχουμε V t ( t ) (1 e ) V DD Αποφόρτιση πυκνωτή Εάν αρχικά, η τάση στο άκρο
Διαβάστε περισσότερα«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο
ΤΕΙ Δυτικής Ελλάδας Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Εργαστήριο Σχεδίασης Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων «Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο 2016-2017 Διάλεξη 2 η :
Διαβάστε περισσότεραΣυμπληρωματικό Φύλλο Εργασίας 10+ ( * ) 10. Το Ηλεκτρικό βραχυ-κύκλωμα Κίνδυνοι και "Ασφάλεια"
Συμπληρωματικό Φύλλο Εργασίας 10+ ( * ) 10. Το Ηλεκτρικό βραχυ-κύκλωμα Κίνδυνοι και "Ασφάλεια" ( * ) + επιπλέον πληροφορίες, ιδέες και προτάσεις προαιρετικών πειραματικών δραστηριοτήτων, ερωτήσεις... Σε
Διαβάστε περισσότεραΣΥΜΠΛΗΡΩΣΗ ΑΝΑΦΟΡΑΣ ΑΣΚΗΣΗ 5 Β. ΠΡΟΕΤΟΙΜΑΣΙΑ ΣΤΟ ΣΠΙΤΙ ΠΡΙΝ ΑΠΟ ΤΟ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ
ΣΥΜΠΛΗΡΩΣΗ ΑΝΑΦΟΡΑΣ ΑΣΚΗΣΗ 5 Β. ΠΡΟΕΤΟΙΜΑΣΙΑ ΣΤΟ ΣΠΙΤΙ ΠΡΙΝ ΑΠΟ ΤΟ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ Θα πρέπει να μελετήσετε τα παραπάνω και να γνωρίζετε τα εξής : Ηλεκτρικό πεδίο, Ηλεκτρικές δυναμικές γραμμές, Δυναμικό, ισοδυναμικές
Διαβάστε περισσότεραΤρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου (FET) FET) Ι VLI Techology ad Comuter Architecture Lab Τρανζίστορ Φαινοµένου Ι Γ.Πεδίου Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ
Διαβάστε περισσότεραΑΣΚΗΣΗ 6 ΠΟΛΥΠΛΕΚΤΕΣ (MUX) ΑΠΟΠΛΕΚΤΕΣ (DEMUX)
ΑΣΚΗΣΗ 6 ΠΟΛΥΠΛΕΚΤΕΣ (MUX) ΑΠΟΠΛΕΚΤΕΣ (DEMUX) Αντικείμενο της άσκησης: Η κατανόηση των εννοιών πολύπλεξης - απόπλεξης, η σχεδίαση σε επίπεδο πυλών ενός πολυπλέκτη και εφαρμογές με τα ολοκληρωμένα κυκλώματα
Διαβάστε περισσότεραΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5
ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5 Cascode Κυκλώματα (1/2) Χρησιμοποιούμε ένα κοινήςπύλης/βάσης τρανζίστορ για να: Βελτιώσουμε την αντίσταση εξόδου ενός άλλου τρανζίστορ. V drain Μειώσουμε το φαινόμενο Gate-to-
Διαβάστε περισσότερα4/10/2008. Εισαγωγή στη σχεδίαση συστημάτων VLSI. Περιεχόμενα μαθήματος. Γιώργος Δημητρακόπουλος. Βιβλιογραφία. Ψηφιακά συστήματα.
Εισαγωγή στη σχεδίαση συστημάτων VLSI Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Περιεχόμενα μαθήματος Τα τρανζίστορ NMOS και PMOS Φυσικός σχεδιασμός των ψηφιακών κυκλωμάτων
Διαβάστε περισσότεραV Vin $N PULSE 1.8V p 0.1p 1n 2n M M1 $N 0002 $N 0001 Vout $N 0002 MpTSMC180 + L=180n + W=720n + AD=0.324p + AS=0.
Εργασία Μικροηλεκτρονικής 2013-2014 Θέμα: Σχεδίαση και Ανάλυση CMOS Αντιστροφέα και CMOS Λογικών Κυκλωμάτων στο SPICE Ονοματεπώνυμο: Αλέξανδρος Γεώργιος Μουντογιαννάκης Σχολή: Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 1 ο. Βασικά στοιχεία των Κυκλωμάτων
Κεφάλαιο 1 ο Βασικά στοιχεία των Κυκλωμάτων Ένα ηλεκτρικό/ηλεκτρονικό σύστημα μπορεί εν γένει να παρασταθεί από ένα κυκλωματικό διάγραμμα ή δικτύωμα, το οποίο αποτελείται από στοιχεία δύο ακροδεκτών συνδεδεμένα
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕ ΙΑΣΜΟΣ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΩΝ
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΣΧΕ ΙΑΣΜΟΣ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Ι ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ Λάµπρος Μπισδούνης Πάτρα 1996 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1. Σχεδιασµός και εξοµοίωση
Διαβάστε περισσότεραΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ
Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ 4.1 MOS Τρανζίστορ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙV ΤΟ MOS ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 4.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής
Διαβάστε περισσότεραΣχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I
Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I Επιμέλεια: Γεώργιος Θεοδωρίδης, Επίκουρος Καθηγητής Οδυσσέας Κουφοπαύλου, Καθηγητής Ανδρέας Εμερετλής, Υποψήφιος Διδάκτορας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Τεχνολογίας
Διαβάστε περισσότεραΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΊΔΡΥΜΑ ΑΘΗΝΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΒΙΟΪΑΤΡΙΚΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΊΔΡΥΜΑ ΑΘΗΝΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΒΙΟΪΑΤΡΙΚΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΚΑΙ ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΣΤΗ ΒΙΟΪΑΤΡΙΚΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 6: ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ
Διαβάστε περισσότεραΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ VLSI. Δρ. ΕΥΣΤΑΘΙΟΣ ΚΥΡΙΑΚΗΣ-ΜΠΙΤΖΑΡΟΣ ΑΝΑΠΛΗΡΩΤΗΣ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ VLSI Δρ. ΕΥΣΤΑΘΙΟΣ ΚΥΡΙΑΚΗΣ-ΜΠΙΤΖΑΡΟΣ ΑΝΑΠΛΗΡΩΤΗΣ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ ΦΕΒΡΟΥΑΡΙΟΣ 2011 ΠΡΟΛΟΓΟΣ Στο φυλλάδιο αυτό περιλαμβάνονται οι ασκήσεις του Eργαστηρίου
Διαβάστε περισσότεραΨηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα
Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα Εισαγωγή Γιώργος Δημητρακόπουλος Δημοκρίτειο Πανεπιστήμιο Θράκης Φθινόπωρο 2013 Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα 1 O κόσμος των ηλεκτρονικών... Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα
Διαβάστε περισσότερα3. Βασικές αρχές ψηφιακών κυκλωμάτων και συστημάτων
3. Βασικές αρχές ψηφιακών κυκλωμάτων και συστημάτων Σύνοψη Στο προηγούμενο κεφάλαιο συζητήσαμε για τα λειτουργικά συστήματα, τα οποία αποτελούν τη βάση του λογισμικού των υπολογιστικών συστημάτων, αλλά
Διαβάστε περισσότεραΒασικές CMOS Λογικές οικογένειες (CMOS και Domino)
Βασικές CMOS Λογικές οικογένειες (CMOS και Domino) CMOS Κάθε λογική πύλη αποτελείται από δύο τμήματα p-mos δικτύωμα, τοποθετείται μεταξύ τροφοδοσίας και εξόδου. Όταν είναι ενεργό φορτίζει την έξοδο στην
Διαβάστε περισσότεραΠολύμετρο Βασικές Μετρήσεις
Πολύμετρο Βασικές Μετρήσεις 1. Σκοπός Σκοπός της εισαγωγικής άσκησης είναι η εξοικείωση του σπουδαστή με τη χρήση του πολύμετρου για τη μέτρηση βασικών μεγεθών ηλεκτρικού κυκλώματος, όπως μέτρηση της έντασης
Διαβάστε περισσότεραΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΒΙΟΜΗΧΑΝΙΑΣ
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΒΙΟΜΗΧΑΝΙΑΣ Α. Θεωρητικό Μέρος MM205 ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΕΓΚΑΤΑΣΤΑΣΕΙΣ Εργαστήριο 1 ο Όργανα μέτρησης ηλεκτρικών μεγεθών Μετρήσεις στο συνεχές ρεύμα
Διαβάστε περισσότεραΣχετικά με το μάθημα. Ο Υπολογιστής Η γενική εικόνα. Η μνήμη. Ενότητες μαθήματος. Εισαγωγή στους Υπολογιστές. Βιβλία για το μάθημα
Ιόνιο Πανεπιστήμιο Τμήμα Πληροφορικής Εισαγωγή στην Επιστήμη των Υπολογιστών 2014-15 Εισαγωγή στους Υπολογιστές (αρχές λειτουργίας και τεχνολογία) Σχετικά με το μάθημα Ενότητες μαθήματος Αρχές λειτουργίας
Διαβάστε περισσότεραΚανόνες του Εργαστηρίου Ψηφιακών Συστημάτων Βαθμολογία του Εργαστηρίου Υλικά και εξοπλισμός που θα χρησιμοποιηθούν σωστός τρόπος χειρισμού τους και
Κανόνες του Εργαστηρίου Ψηφιακών Συστημάτων Βαθμολογία του Εργαστηρίου Υλικά και εξοπλισμός που θα χρησιμοποιηθούν σωστός τρόπος χειρισμού τους και προβλήματα που μπορεί να συναντηθούν Επιπλέον συμβουλές
Διαβάστε περισσότεραΠαλμογράφος Βασικές Μετρήσεις
Παλμογράφος Βασικές Μετρήσεις 1. Σκοπός Σκοπός της άσκησης είναι η εξοικείωση του σπουδαστή με τον παλμογράφο και τη χρήση του για τη μέτρηση των πιο βασικών μεγεθών όπως μέτρηση του πλάτους και της συχνότητας
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 4 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. Λογικός Φόρτος 2
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Λογικός Φόρτος Κεφάλαιο 4 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Διάρθρωση. Μοντέλο γραμμικής καθυστέρησης. Λογικός και ηλεκτρικός φόρτος
Διαβάστε περισσότεραΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017
ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Λ ΜΠΙΣΔΟΥΝΗΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 6/0/07 ΘΕΜΑ ο ( μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται:
Διαβάστε περισσότεραΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 15/09/2016
ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: /09/06 ΘΕΜΑ ο ( μονάδες) Στον πίνακα που ακολουθεί δίνονται οι τιμές της τάσης εξόδου ενός θερμοζεύγους χαλκού-κονσταντάνης για διάφορες τιμές
Διαβάστε περισσότεραΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ
ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: /6/6 ΘΕΜΑ ο (5 μονάδες Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: =, = 6 kω, = kω και = = Ε = = kω, ενώ για το τρανζίστορ δίνονται: = 78, β
Διαβάστε περισσότερα7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα
7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα 1 2 3 4 5 6 7 Παραπάνω βλέπουμε ακολουθιακό κύκλωμα σχεδιασμένο με μανταλωτές διαφορετικής φάσης. Παρατηρούμε ότι συνδυαστική λογική μπορεί να προστεθεί μεταξύ και των
Διαβάστε περισσότεραΚατασκευάστε ένα απλό antenna tuner (Μέρος Α )
Κατασκευάστε ένα απλό antenna tuner (Μέρος Α ) Του Νίκου Παναγιωτίδη (SV6 DBK) φυσικού και ραδιοερασιτέχνη. Ο σκοπός του άρθρου αυτού είναι να κατευθύνει τον αναγνώστη ραδιοερασιτέχνη να κατασκευάσει το
Διαβάστε περισσότερα1. Εισαγωγή. 2. Τεχνικές και «κρατούμενα»
1. Εισαγωγή Η προσέγγιση των Μαθηματικών της Β Δημοτικού από το παιδί προϋποθέτει την κατανόηση των μαθηματικών εννοιών που παρουσιάστηκαν στην Α Δημοτικού και την εξοικείωση του παιδιού με τις πράξεις
Διαβάστε περισσότεραΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 06/02/2009 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ
ΘΕΜΑ ο (.5 μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: V 0V, V E 0.7 V, kω, 00 kω, kω, 0 kω, β h e 00, h e.5 kω. (α) Να προσδιορίσετε το σημείο λειτουργίας Q (I, V E ) του τρανζίστορ. (β)
Διαβάστε περισσότεραΑπαντήσεις στο 1 0 Homework στην Προχωρημένη Ηλεκτρονική Εαρινό Εξάμηνο
Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Απαντήσεις στο 1 0 Homework στην Προχωρημένη Ηλεκτρονική Εαρινό Εξάμηνο 2014 2015 Διδάσκων: Πλέσσας Φώτιος Βοηθός Διδασκαλίας: Ζωγραφόπουλος
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρικές Ταλαντώσεις: Εξαναγκασμένη Ηλεκτρική Ταλάντωση
Σκοπός της άσκησης Ηλεκτρικές Ταλαντώσεις: Εξαναγκασμένη Ηλεκτρική Ταλάντωση Να παρατηρήσουν οι μαθητές στην πράξη το φαινόμενο του συντονισμού στην εξαναγκασμένη ηλεκτρική ταλάντωση Να αντιληφθούν τον
Διαβάστε περισσότεραΑνάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων
Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 7: Μεταβατική απόκριση κυκλωμάτων RL και RC Οι διαφάνειες ακολουθούν το βιβλίο του Κων/νου Παπαδόπουλου «Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων» ISBN: 9789609371100 κωδ. ΕΥΔΟΞΟΣ:
Διαβάστε περισσότεραΣχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I
Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I Επιμέλεια: Γεώργιος Θεοδωρίδης, Επίκουρος Καθηγητής Ανδρέας Εμερετλής, Υποψήφιος Διδάκτορας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Τεχνολογίας Υπολογιστών Άδειες Χρήσης
Διαβάστε περισσότεραΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΔΙΟΔΟΣ (Μάθημα 4 ο 5 ο 6 ο 7 ο ) 1/12 4 o εργαστήριο Ιδανική δίοδος n Συμβολισμός της διόδου n 2/12 4 o εργαστήριο Στατική χαρακτηριστική διόδου Άνοδος (+) Κάθοδος () Αν στην ιδανική
Διαβάστε περισσότεραΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΣΥΝΔΕΣΗ ΑΝΤΙΣΤΑΤΩΝ. Ηλεκτρική τάση - Ένταση του ηλεκτρικού ρεύματος Αντιστάτης Αντίσταση Ισοδύναμη ή ολική αντίσταση
ΕΚΦΕ ΑΝ. ΑΤΤΙΚΗΣ (Παλλήνη) υπ. Κ. Παπαμιχάλης ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΣΥΝΔΕΣΗ ΑΝΤΙΣΤΑΤΩΝ Έννοιες και φυσικά μεγέθη Ηλεκτρική τάση - Ένταση του ηλεκτρικού ρεύματος Αντιστάτης Αντίσταση Ισοδύναμη ή ολική αντίσταση Στόχοι.
Διαβάστε περισσότεραΔ1. Δ2. Δ3. Δ4. Λύση Δ1. Δ2. Δ3. Δ4.
1) Δύο αντιστάτες με αντιστάσεις R 1 = 2 Ω, R 2 = 4 Ω, είναι μεταξύ τους συνδεδεμένοι σε σειρά, ενώ ένας τρίτος αντιστάτης R 3 = 3 Ω είναι συνδεδεμένος παράλληλα με το σύστημα των δύο αντιστατών R 1, R
Διαβάστε περισσότεραΗΥ-121: Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Γιώργος Δημητρακόπουλος. Βασικές Αρχές Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων
Πανεπιστήμιο Κρήτης Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών ΗΥ-121: Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Γιώργος Δημητρακόπουλος Άνοιξη 2008 Βασικές Αρχές Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Ηλεκτρικό ρεύμα Το ρεύμα είναι αποτέλεσμα της κίνησης
Διαβάστε περισσότεραΑσκήσεις 2 ου Κεφαλαίου, Νόμος του Gauss
Ασκήσεις 2 ου Κεφαλαίου, Νόμος του Guss 22.36.Μία αγώγιμη σφαίρα με φορτίο q έχει ακτίνα α. Η σφαίρα βρίσκεται στο εσωτερικό μίας κοίλης ομόκεντρης αγώγιμης σφαίρας με εσωτερική ακτίνα και εξωτερική ακτίνα.
Διαβάστε περισσότεραΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;
ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; Ηλεκτρονικοί Υπολογιστές Κινητά τηλέφωνα Τηλεπικοινωνίες Δίκτυα Ο κόσμος της Ηλεκτρονικής Ιατρική Ενέργεια Βιομηχανία Διασκέδαση ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τι περιέχουν οι ηλεκτρονικές
Διαβάστε περισσότεραHY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI
HY422 Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI Διδάσκων: Χ. Σωτηρίου, Βοηθός: Π. Ματτθαιάκης http://www.csd.uoc.gr/~hy422 HY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI Διδάσκων: Χ. Σωτηρίου, Βοηθοί: θα ανακοινωθούν
Διαβάστε περισσότεραΛογικά Κυκλώματα με Διόδους, Αντιστάσεις και BJTs. Διάλεξη 2
Λογικά Κυκλώματα με Διόδους, Αντιστάσεις και BJTs Διάλεξη 2 Δομή της διάλεξης Επανάληψη άλγεβρας Boole Λογική με διόδους Λογική Αντιστάσεων-Τρανζίστορ (Resistor-Transistor Logic ή RTL) Λογική Διόδων-Τρανζίστορ
Διαβάστε περισσότεραΥ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ
Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ Γιάννης Λιαπέρδος TI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Ιστορικά Στοιχεία Περιεχόμενα 1 Ιστορικά
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ημιαγωγοί - ίοδος Επαφής 2
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Ημιαγωγοί Δίοδος Επαφής Κεφάλαιο 3 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας SI Techology ad Comuter Architecture ab ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση 1. Φράγμα δυναμικού.
Διαβάστε περισσότεραΣχ.3. Το breadboard του εργαστηρίου στο οποίο γίνονται οι ασκήσεις
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 3 Ο TMHMA ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΗΧΟΥ & ΜΟΥΣΙΚΩΝ ΟΡΓΑΝΩΝ του παραρτήµατος Ληξουρίου ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΑΡΙΝΟ ΕΞΑΜΗΝΟ ΣΠΟΥ ΩΝ 2007-2008 ΥΠΕΥΘΥΝΟΣ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ ΒΟΥΤΣΙΝΑΣ Ν. ΠΑΝΑΓΙΩΤΗΣ ΦΥΣΙΚΟΣ-ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΣ
Διαβάστε περισσότεραΔΙΑΣΤΑΣΕΙΣ ΣΧΕΔΙΟΥ. Αναγκαιότητα τοποθέτησης διαστάσεων. 29/10/2015 Πολύζος Θωμάς
Αναγκαιότητα τοποθέτησης διαστάσεων 29/10/2015 Πολύζος Θωμάς 1 Αναγκαιότητα τοποθέτησης διαστάσεων Σφάλμα μέτρησης που οφείλεται: Σε υποκειμενικό λάθος εκείνου που κάνει την μέτρηση. Σε σφάλμα του οργάνου
Διαβάστε περισσότεραΥλοποίηση λογικών πυλών µε τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική
Υλοποίηση λογικών πυλών µε τρανζίστορ MOS Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Λογική MOS Η αναπαράσταση των λογικών µεταβλητών 0 και 1 στα ψηφιακά κυκλώµατα γίνεται µέσω κατάλληλων επιπέδων τάσης, όπου κατά σύµβαση
Διαβάστε περισσότεραΣυλλογή μεταφορά και έλεγχος Δεδομένων ΘΟΡΥΒΟΣ - ΓΕΙΩΣΕΙΣ
Συλλογή μεταφορά και έλεγχος Δεδομένων ΘΟΡΥΒΟΣ - ΓΕΙΩΣΕΙΣ ΘΟΡΥΒΟΣ - ΓΕΙΩΣΕΙΣ Σε ένα ηλεκτρικό κύκλωμα δημιουργούνται ανεπιθύμητα ηλεκτρικά σήματα, που οφείλεται σε διάφορους παράγοντες, καθώς επίσης και
Διαβάστε περισσότεραΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων
ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων Χειμερινό Εξάμηνο 2018-2019 Ροή Σχεδίασης Κυκλωμάτων και Εργαλεία CAD ΗΥ220 - Βασίλης Παπαευσταθίου 1 Transistor: Δομική μονάδα κυκλωμάτων Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα
Διαβάστε περισσότεραΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων
ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων Χειμερινό Εξάμηνο 2017-2018 Ροή Σχεδίασης Κυκλωμάτων και Εργαλεία CAD ΗΥ220 - Γιώργος Καλοκαιρινός & Βασίλης Παπαευσταθίου 1 Transistor: Δομική μονάδα κυκλωμάτων Τα
Διαβάστε περισσότεραΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ
ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2008 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ (Ι) ΤΕΧΝΙΚΩΝ ΣΧΟΛΩΝ ΘΕΩΡΗΤΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΜΑΘΗΜΑ : ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ
Διαβάστε περισσότεραΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ & ΑΥΤΟΜΑΤΟΥ ΕΛΕΓΧΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Διδάσκων : Δημήτρης Τσιπιανίτης Γεώργιος Μανδέλλος
Διαβάστε περισσότερα