Survey on CMOS Digital Circuits. Y. Tsiatouhas. VLSI Technology & Computer Architecture Lab
|
|
- Νικίας Γλυκύς
- 8 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 CMOS INTEGRATE CIRCUIT ESIGN TECHNIQUES Uiversity of Ioaia MOS Trasistor ad CMOS Iverter ept. of Computer Sciece ad Egieerig Survey o CMOS igital Circuits Y. Tsiatouhas CMOS Itegrated Circuit esig Techiques Overview 1. MOS trasistor. Chael modulatio 3. Threshold voltage 4. Velocity saturatio 5. CMOS iverter VLSI Techology & Computer Architecture Lab 6. Noise margis 7. CMOS techology scalig 1
2 MOS Trasistor MOS Trasistor & CMOS Iverter 3 MOS FET (MOS Trasistor) p Isulator S G + L + Gate S Source V GS >V 0 V t t G Source (S) L + + V S 0 Gat e Substrate Bulk W p rai () + + V t threshold voltage V t > 0 p Substrate Bulk Chael MOS Trasistor & CMOS Iverter 4
3 MOS Trasistor Operatio (Ι) S G V GS >V t V0 S < 0 V S << + + I p MOS Trasistor & CMOS Iverter 5 MOS Trasistor Operatio (ΙΙ) I V GS V t +4V Cut off V GS V t +3V V GS V t +V V GS V t +1V V GS V t V S (mv) Liear Regio MOS Trasistor & CMOS Iverter 6 3
4 MOS Trasistor Operatio (ΙΙΙ) S G V GS 0 >V t V GS S V 0 t > V S >>0 + + p Liear regio: V S V GS V t MOS Trasistor & CMOS Iverter 7 MOS Trasistor Operatio (ΙV) S G V GS >V t V S >>> V GS V GS V t V t + + V GS V t p Pich Off Saturatio: V S >V GS V t MOS Trasistor & CMOS Iverter 8 4
5 MOS I V S Characteristic Liear (Resistive) Regio The chael resistace is icreased ad this affects the curret growth rate I V t V S < V GS V Saturatio Regio V S > V GS V t Curret saturatio. A icrease of V S will almost ot affect the curret I. V GS >V t Liear behavior V Ssat V GS V t V S MOS Trasistor & CMOS Iverter 9 MOS Trasistor Curret Equatios p W + L + k με W t L ox Curret gai factor I 0 V GS V t < 0 Cut off regio k (V GS V t )V S V S 0 < V S < V GS V t Liear regio k ( V V ) GS t 0 < V GS V t < V S Saturatio regio MOS Trasistor & CMOS Iverter 10 5
6 MOS I V S Characteristic Liear Regio I V Ssat V GS V t V GS V t +4V GS t Saturatio Regio V S > V GS V t V GS V t +3V I G 0 I V GS V t +V V GS V t +1V V GS I S I V S i K VSsat Cut off Regio V GS V t V S MOS Trasistor & CMOS Iverter 11 MOS I V GS Saturatio Characteristic I Saturatio V S V GS V t I k ( V V ) GS t Threshold Voltage V t V GS MOS Trasistor & CMOS Iverter 1 6
7 The chael legth (L) I epedecies The drai curret (o curret) depeds o: The chael width (W) The threshold voltage (V t ) The gate oxide thickess (t ox ) The gate oxide permittivity (ε) The electro/hole mobility (μ) MOS Trasistor & CMOS Iverter 13 pmos Trasistor Isulator S G p + L p + S Gate Source V GS V <V0 tp G Source (S) L p + p + V S 0 Gate Substrate Bulk W rai () V tp threshold voltage p + p + Substrate Bulk V tp < 0 Chael MOS Trasistor & CMOS Iverter 14 7
8 pmos Trasistor Operatio (Ι) S G V GS <V tp V<<V S S 0< 0 p + p + I MOS Trasistor & CMOS Iverter 15 pmos Trasistor Operatio (ΙΙ) S G V GS <V tp V GS S V 0 tp < V S <<0 p + p + Liear regio: 0 > V S > V GS V tp MOS Trasistor & CMOS Iverter 16 8
9 pmos Trasistor Operatio (ΙII II) V GS <V tp G S V S <<< V GS V GS V tp V tp p + p + Saturatio: V S <V GS V tp < 0 Pich Off MOS Trasistor & CMOS Iverter 17 pmos Trasistor Curret Equatios W p + L p + k p μpε t ox W L Curret gai factor I 0 V GS V tp > 0 Cut off regio kp (V GS V tp )V S V S 0 > V S > V GS V tp Liear regio k p ( V V ) GS tp 0 >V GS V tp > V S Saturatio regio MOS Trasistor & CMOS Iverter 18 9
10 pmos I V S Characteristic V S V GS V tp V GS V tp 1V V GS V tp V V GS V tp 3V V GS V tp 4V Cut off Regio I K VSsat Saturatio Regio V S < V GS V tp Liear (Resistive) Regio V tp <0 V Ssat V GS V tp I MOS Trasistor & CMOS Iverter 19 Liear ad Saturatio Regios Voltage V Voltage V Saturatio V S V S V tp Liear V G V G V tp V S +V t V S Liear V t Gd Saturatio MOS pmos MOS Trasistor & CMOS Iverter 0 10
11 I Liear Regio Saturatio ti Regio Trascoductace V GS4 V GS3 Liear Regio The chael resistace (trasistor ourput resistace) is give by: di dv S V 0 S k(v GS V ) R t C 1 k(v V ) GS t Cut off Regio V GS V GS1 V GS0 V S The trascoductace (g m ) represets the relatio betwee I ad V GS ad it is defied as follows: di gm k VS dv GS V σταθ. S Saturatio The MOS trasistor operates like a curret source sice the curret I is almost idepedet of the voltage V S. The trascoductace is provided by: g k(v V ) m GS t MOS Trasistor & CMOS Iverter 1 Additioal MOS Trasistor epedecies The equatios ad curves preseted earlier are approximatios of the MOS trasistor t operatio. A more dtild detailed aalysis must cosider the followig pheomea: thechael legth modulatio (διαμόρφωση μήκους καναλιού ) thebody effect (φαινόμενο σώματος ) ad other V t depedecies thevelocityy saturatio (κορεσμός ρ μ ς ταχύτητας ς) ) MOS Trasistor & CMOS Iverter 11
12 Chael Legth Modulatio Saturatio: L chael source V S(κορ) ΔL drai I Liear Saturatio V S Ι (κορ) V GS Cut off Early Voltage V A 1/λ A / Icreasig the V S by ΔV S above V S(κορ) [V S V S(κορ) +ΔV S ] the chael legth L is decreased by ΔL. Sice Ι is coversely proportioal of the chael legth, Ι is icreased. Cosequetly, i saturatio stads that: k I ( VGS Vt ) (1 + λvs) V S MOS Trasistor & CMOS Iverter 3 Threshold Voltage Η τάση κατωφλίου είναι η τάση για την οποία το ρεύμα I γίνεται πολύ μικρό, πρακτικά σε κάποιες εφαρμογές αμελητέο. Γενικά η τάση κατωφλίου εξαρτάται από: το υλικό της πύλης το υλικό του μονωτή της πύλης το πάχος του μονωτή την συγκέντρωση των προσμείξεων του καναλιού και την τάση μεταξύ πηγής και υποστρώματος (V SB ) Ειδικά για συγκεκριμένο υλικό πύλης η τάση κατωφλίου δίδεται από τη σχέση: tox V V ± γ ( )φ + V φ με γ qεsin Συντελεστής t t0 ( F SB F ) ε ox όπου V t0 ητάσηκατωφλίουγιαv SB 0, φ F το δυναμικό Fermi ( 0.3V) ενώ t ox, ε ox το πάχος και η διηλεκτρική σταθερά του μονωτή,qτο φορτίο του ηλεκτρονίου, ε Si η διηλεκτρική σταθερά του πυριτίου και Ν η πυκνότητα συγκέντρωσης των προσμείξεων στο υπόστρωμα. Το σημείο +/ αναφέρεταισεmos / pmos τρανζίστορ αντίστοιχα. Φαινομένου Σώματος MOS Trasistor & CMOS Iverter 4 1
13 The Body Effect p + + p M V SB 0 M 1 V SB1 0 V t > V t1 V t V (V) T V (V) BS V BS The icremet of V SB results i the icremet of the chael depletio regio which chages the trasistor geometry so that the substrate turs to act as a secod gate ad thus the threshold voltage is icreased. MOS Trasistor & CMOS Iverter 5 Threshold Voltage epedecies V t V t of a log chael trasistor V t V t for low V S Threshold voltage as a fuctio of the chael legth for low V S L V S rai iduced barrier lowerig (IBL) for low L MOS Trasistor & CMOS Iverter 6 13
14 Velocity Saturatio All I V equatios above apply uder the assumptio that the carriers velocity υ i a trasistor is proportioal to the electric field E, which meas that the carriers mobility μ is stable. However, the velocity υ p/ is saturated whe the electric field reaches a critical level E c c, due to the scatterig of the carriers i the chael. I short chael L trasistors ad uder the velocity saturatio ifluece, the curret is saturated earlier ad at a lower value tha the expected, accordig to the followig equatio: m/s υ velocity stable mobility (slopeμ) Ε c electric field υ sat 10 5 υ με Ε V/μm stable velocity I k (VGS Liear regio curret V t V S (VS /E L) MOS Trasistor & CMOS Iverter 7 )V S Velocity saturatio impact c Velocity Saturatio Impact (I) I VGS V V SAT < V GS V t log chael trasistor Ι SAT) Ι SAT(vs) < I SAT Ι SAT(vs) short chael trasistor VSAT V GS V t The W/L ratio ad the V GS of the two trasistors are the same i both cases V SAT E L c V S 4 x 10 (A).5 I short chael trasistor V GS.5 V V GS.0 V V GS 1.5 V V GS 1.0 V Liear ep pedece V S (V) MOS Trasistor & CMOS Iverter 8 14
15 Velocity Saturatio Impact (ΙI) 6 x x 10-4 I (A) quadratic depedece I (A) liear depedece V GS (V) Log chael trasistor 0.5 quadratic depedece V GS (V) Short chael trasistor Στα μικρού μήκους καναλιού τρανζίστορ η ταχύτητα των κινούμενων φορέων τείνει να κορεστεί νωρίς με την αύξηση του ηλεκτρικού πεδίου. Ως αποτέλεσμα αυξάνοντας το V S το I φτάνει στον κόρο νωρίτερα από την τιμή (V GS V t ) και το I έχει γραμμική εξάρτηση από το V GS. MOS Trasistor & CMOS Iverter 9 Velocity Saturatio Impact (III) I (A) 6 x 10 4 V GS.5 V Τρίοδος V S V GS V t Κόρος V GS.0 V V GS 1.5 V V GS 1.0 V V S (V) Log chael trasistor Quadratic depedece fro om V GS I (A) 4.5 x 10 V GS.5 V V GS.0 V V GS 1.5 V V GS 1.0 V V S (V) Short chael trasistor Liear depedece from V GS The W/L ratio of the two trasistors is the same i both cases. MOS Trasistor & CMOS Iverter 30 15
16 Αγωγιμότητα Υποκατωφλίου I (A) I off 10 - Liear regio Expoetial regio V t Quadratic regio V GS (V) I off VGS Vt kt /q S I e 1 e VS kt /q (1 + λv S I S και εμπειρικές παράμετροι, με 1 Χαρακτηριστικός παράγοντας η εξασθένηση του ρεύματος I σε σχέση με τη V GS. Παράγοντας κλίσης (slope factor): kt S l(10) q ΜετράπόσοπρέπειναμειωθείηV GS για να μειωθεί το I κατά 10. Για 1.5 ο ρυθμός μείωσης είναι: S90mV/decade MOS Trasistor & CMOS Iverter 31 ) Άλλα Φαινόμενα Μεταβολή Κινητικότητας Η κινητικότητα (μ) των φορέων (ηλεκτρόνια/οπές) μειώνεται με την αύξηση της συγκέντρωσης των προσμείξεων και της θερμοκρασίας. Διόδευση Fowler Nordheim Για λεπτά οξείδια πύλης μπορεί να υπάρξει ροή ρεύματος μέσα από το οξείδιο το οποίο έχει το ρόλο μονωτή. Το ρεύμα αυτό οφείλεται σε κβαντομηχανικά φαινόμενα διόδευσης (καναλισμού) των ηλεκτρονίων και είναι ανάλογο της επιφάνειας της πύλης. Θερμά Ηλεκτρόνια Το ηλεκτρικό πεδίο της υποδοχής αυξάνεται μειώνοντας το μήκος του καναλιού (L) με ενδεχόμενο τα ηλεκτρόνια να αποκτήσουν αρκετή ενέργεια (θερμά ηλεκτρόνια) ώστε να κινηθούν προς την υποδοχή. Διάτρηση Υποστρώματος Για μικρά μήκη καναλιού (L) και όταν η τάση της υποδοχής είναι υψηλή η περιοχή της αραίωσης γύρω από την υποδοχή μπορεί να επεκταθεί προς την πηγή με αποτέλεσμα την ροή ρεύματος μεταξύ υποδοχής πηγής ανεξαρτήτως της τάσης στην πύλη. Δεν επιφέρει μόνιμη καταστροφή του τρανζίστορ. Διάτρηση Μονωτή Πύλης Για μεγάλες τιμές τάσης μεταξύ πύλης πηγήςομονωτήςτηςπύληςμπορείναδιατρηθείοδηγώντας σε μόνιμη καταστροφή του τρανζίστορ. MOS Trasistor & CMOS Iverter 3 16
17 CMOS Iverter MOS Trasistor & CMOS Iverter 33 Iput Output Characteristic Curve (I) Iput Output (Static) Characteristic Curve [V out f(v i )] V out I I p A B / C V i V out E Gd 0 V t / +V tp V i MOS Trasistor & CMOS Iverter 34 17
18 Iput Output Characteristic Curve (II) V out At the Cregio both A trasistors are i saturatio B V +V tp ad behave as curret sources. pmos Liear V i V tp / V i V t 0 MOS Cut Cut off C pmos Saturatio MOS Saturatio MOS Liear pmos Cut Cut off V t / +V tp E There is a iput voltage level for which it stads V i V out ad it is called trasitio threshold (κατώφλι μετάβασης)v Μ of the logic gate. At this voltage the whole system is ot stable. V tp <0 V i (At the figure beside, give that k p k the trasitio threshold is equal to /). MOS Trasistor & CMOS Iverter 35 V out V Μ 0 A The Trasitio Threshold B C MOS saturatio +V tp pmos Saturatio V t V Μ +V tp V i E k At the Cregio both trasistors are i saturatio. I additio, both trasistor currets are equal ad for V i V M it stads: k p (VM Vt) (VM V Vtp ) k (VM V V tp) kp (VM Vt) μp/ ε W kp/ t L ox I case that a specific trasitio threshold V M is required, the the appropriate trasistor width ratio is give by the ext equatio: W μ p (V W μ p M V Vtp) (VM Vt) L L p MOS Trasistor & CMOS Iverter 36 18
19 k /k p Effect o the Iput Output Curve V out k (VM V Vtp) 1 k k p (V V M Vt) V VM 0.1 kp V t V tp / k k k p 10 k 1 k k p k p/ / μ p/ t ox ε W L 0 V t / +V tp V i MOS Trasistor & CMOS Iverter 37 Noise Margis Output Logic 1 Tolerace V OHmi NM H Iput Logic 1 Tolerace Iput Swig V IHmi Noise Margis Output Swig NM H V OHmi V IHmi NM L V ILmax V OLmax V ILmax Output Logic 0 Tolerace V OLmax Gd NM L Iput Logic 0 Tolerace MOS Trasistor & CMOS Iverter 38 19
20 Noise Margis (II) dvout 1 dvi V out V OH V M dv dv out i g V IH V IL (V OH V g OL ) V OL 0 V IL V M V IH V i MOS Trasistor & CMOS Iverter 39 Noise Margis (III) dv dv out i ( V ) {( ) ( ) ( ) } 1/ i Vtp + Vi Vtp Vi V / Vtp V k / k p Vi V tp 1 V i VIL V OH dvout 1 dv i V IL 3V k / k p 1 3 V 8 tp + 5V t V out V M NM L V IL VOL 0 V OL 0 V IL V M V IH V i MOS Trasistor & CMOS Iverter 40 0
21 Noise Margis (IV) V OH dvout B 1 dv i V IH 5V 5 Vtp + 3V 8 t k / k p 1 V out V M NM H V V IH VOH V V OL 0 V IL V M V IH V i NM H 3V + 5 V 8 tp 3V t k / k p 1 MOS Trasistor & CMOS Iverter 41 Noise Margis (V) Noise Margis NM H NM L Cosiderig that: V t V tp k /k p MOS Trasistor & CMOS Iverter 4 1
22 The CMOS Iverter V i V out Gd + p + p + well + + p substrate p + MOS Trasistor & CMOS Iverter 43 Latch Up V i V out Gd + p + p p + p pp p MOS Trasistor & CMOS Iverter 44
23 CMOS Techology Scalig MOS Trasistor & CMOS Iverter 45 Διακύμανση Κατασκευαστικών Παραμέτρων Οι κατασκευαστικές παράμετροι ενός τρανζίστορ παρουσιάζουν διακυμάνσεις στις τιμές τους από δισκίο (wafer) σε δισκίο ή ακόμη και μέσα στο ίδιο το ολοκληρωμένο. Οι διακυμάνσεις αυτές είναι σχεδόν τυχαίες και μη σχετιζόμενες μεταξύ τους και οφείλονται σε: Διακυμάνσεις του πάχους του οξειδίου, του βάθους της περιοχής διάχυσης, της συγκέντρωσης των προσμίξεων κ.α., με αποτέλεσμα την απόκλιση των αναμενόμενων τιμών αντιστάσεων ή της τάσης κατωφλίου. Διακυμάνσεις σε γεωμετρικά χαρακτηριστικά όπως ο λόγος W/L, ή το πλάτος των γραμμών μετάλλου διασύνδεσης. Οι διακυμάνσεις της κατασκευαστικής διαδικασίας οδηγούν σε αποκλίσεις (θετικές ή αρνητικές) της αναμενόμενης απόκρισης των κυκλωμάτων. Προς βοήθεια των σχεδιαστών, στην πρόβλεψη αυτών των αποκλίσεων, οι κατασκευαστές ΟΚ παρέχουν επιπρόσθετα γρήγορα και αργά μοντέλα των κυκλωματικών στοιχείων (τρανζίστορ) που αντιστοιχούν σε διακυμάνσεις των παραμέτρων τους κατά ± 3σ. MOS Trasistor & CMOS Iverter 46 3
24 Process Variatios MOS Trasistor & CMOS Iverter 47 MOS Trasistor Size Scalig /α t ox /α p + p + L/α W/α Χ/α αn Parameter Scalig Factor Electric Field: 1 epletio Layer: 1/α Parasitic Capacitace: 1/α Gate elay: 1/α C Power issipatio: 1/α yamic Power issipatio: 1/α Parameter Scalig Factor Power Speed Product: 1/α 3 Gate Area: 1/α Power esity: 1 Curret esity: α Trascoductace: 1 MOS Trasistor & CMOS Iverter 48 4
25 Yield #of _good_chips _o_wafer Y totall _ umber _of _chips Seed Model: Y e A A >> & Y<30% Murphy Model: 1 e Y A A A << & Y>30% where: Α die area defect desity (defects/cm ) MOS Trasistor & CMOS Iverter 49 Bibliography igital Itegrated Circuits, J. Rabaey, A. Chadrakasa ad B. Nikolic, Pretice Hall, 003. CMOS VLSI esig: A Circuits ad Systems Perspective, N. Weste ad. Harris Addiso Wesley, 010. MOS Trasistor & CMOS Iverter 50 5
Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων CMOS Αναστροφέας Κεφάλαιο ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας VLSI Systems ad Computer Architecture Lab ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Διάρθρωση 1. I V χαρακτηριστική
Διαβάστε περισσότεραΘεωρία MOS Τρανζίστορ
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ I Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Θεωρία MO Τρανζίστορ Κεφάλαιο ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ I Διάρθρωση I ystems ad Comuter Architecture ab 1. Ημιαγωγοί Επαφή. MO τρανζίστορ
Διαβάστε περισσότεραΤρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου (FET) FET) Ι VLI Techology ad Comuter Architecture Lab Τρανζίστορ Φαινοµένου Ι Γ.Πεδίου Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 2: Το Τρανζίστορ Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. Άδειες Χρήσης
Διαβάστε περισσότεραΒασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική
Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Ηµιαγώγιµα υλικά και πυρίτιο Η κατασκευή ενός ολοκληρωµένου κυκλώµατος γίνεται µε βάση ένα υλικό ηµιαγωγού (semiconductor), το οποίο
Διαβάστε περισσότεραHY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI Διδάσκων: Χ. Σωτηρίου, Βοηθοί: θα ανακοινωθούν http://www.csd.uoc.gr/~hy330 1 Περιεχόμενα Συσκευές στο Πυρίτιο Πυρίτιο n και p Δίοδος Θετική, αρνητική
Διαβάστε περισσότεραΕρωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET
Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET 1. Nα σχεδιάσετε τη δομή (διατομή) και το κυκλωματικό σύμβολο ενός τρανζίστορ MOSFET πύκνωσης (ή εμπλουτισμού) καναλιού τύπου n. 2. Να αναπτύξετε τις
Διαβάστε περισσότεραΤρανζίστορ FET Επαφής
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου ((FET) FET) Ι Τρανζίστορ Φαινοµένου Ι Γ.Πεδίου Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 1 Τρανζίστορ
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Βασική Φυσική Στοιχείων MOS
Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 5 o και 7 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. Κατανάλωση Ισχύος 2
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Κατανάλωση Ισχύος Κεφάλαιο 5 o και 7 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Διάρθρωση 1. Στατική κατανάλωση ισχύος. Δυναμική κατανάλωση
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Αγγελική Αραπογιάννη Σχολή Θετικών Επιστημών Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών The MOS Transistor Polysilicon Aluminum 2 N-MOS Τρανζίστορ Διάταξη τριών
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών) Τα μοντέρνα ψηφιακά κυκλώματα (λογικές πύλες, μνήμες, επεξεργαστές και άλλα σύνθετα κυκλώματα) υλοποιούνται σήμερα
Διαβάστε περισσότεραΣχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I
Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I Επιμέλεια: Γεώργιος Θεοδωρίδης, Επίκουρος Καθηγητής Οδυσσέας Κουφοπαύλου, Καθηγητής Ανδρέας Εμερετλής, Υποψήφιος Διδάκτορας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Τεχνολογίας
Διαβάστε περισσότεραΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Τρανζίστορ Μετάλλου Οξειδίου MOSFET
ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Τρανζίστορ Μετάλλου Οξειδίου MOSFET Recommended Text: Microelectronic Devices, Keith Leaver (4 th Chapter) Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Behzad Razavi ( nd Chapter)
Διαβάστε περισσότεραΤα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής
Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Τα πιο βασικά στοιχεία δομής των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3: Τρανζίστορ FET Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης Το παρόν
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (11 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (11 η σειρά διαφανειών) Μελέτη των Παρασιτικών Χωρητικοτήτων και της Καθυστέρησης στα Κυκλώματα CMOS Με βάση το εργαλείο σχεδιασμού Microwind
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική
Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 5: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (MOS-FET, J-FET) Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Αγγελική Αραπογιάννη Σχολή Θετικών Επιστημών Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Τύποι Αναλύσεων (1 από2) Για την μελέτη της συμπεριφοράς των κυκλωμάτων
Διαβάστε περισσότεραΘεωρία Τρανζίστορ MOS
2 η Θεµατική Ενότητα : Θεωρία Τρανζίστορ MOS Επιµέλεια διαφανειών:. Μπακάλης Θεωρία Τρανζίστορ MOS Ένα τρανζίστορ MOS ορίζεται ως στοιχείο φορέων πλειονότητας (majority - carrier device) του οποίου το
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου
Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός
Διαβάστε περισσότεραΣτατική ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική
Στατική ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMO Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Στατική (C) ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMO Θα εξάγουµε τη χαρακτηριστική τάσης = f( ) (καθώς και τη χαρακτηριστική ρεύµατος
Διαβάστε περισσότεραοµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 οµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Τα τρανζίστορ MOSFET είναι διατάξεις ελεγχόµενες από τάση οι οποίες δεν απαιτούν µεγάλα ρεύµατα
Διαβάστε περισσότεραΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Σχήμα 1 Σχήμα 2 Σχήμα 3
ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Μάθημα: Φυσική Ημιαγωγών και Διατάξεων Εξεταστική Περίοδος: Ιούνιος 017 Καθηγητής: Δ. Τριάντης ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ ΘΕΜΑ 1 Ο (+=4 ΜΟΝΑΔΕΣ) Α) Θεωρούμε μια διάταξη MIS (Metal: Al, Isulator:
Διαβάστε περισσότερα«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο
ΤΕΙ Δυτικής Ελλάδας Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Εργαστήριο Σχεδίασης Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων «Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο 2016-2017 Διάλεξη 2 η :
Διαβάστε περισσότεραΣχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I
Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I 2 η Εργαστηριακή Άσκηση Μελέτη των Παρασιτικών Χωρητικοτήτων και της Καθυστέρησης στα Κυκλώματα CMOS Άδειες Χρήσης Το παρόν υλικό διατίθεται με τους όρους της
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 5: Αντιστροφέας CMOS Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. Άδειες Χρήσης
Διαβάστε περισσότεραHY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα
HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Συνοπτική παρουσίαση της δομής και λειτουργίας του MOS τρανζίστορ Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Η δομή του τρανζίστορ Όπως ξέρετε υπάρχουν
Διαβάστε περισσότεραΥ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design
Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ.Ε.
Διαβάστε περισσότεραΓιάννης Λιαπέρδος ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Κριτική Ανάγνωση: Αγγελική Αραπογιάννη. Επιμέλεια πολυμεσικού διαδραστικού υλικού: Γιώργος Θεοφάνους
Γιάννης Λιαπέρδος ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Κριτική Ανάγνωση: Αγγελική Αραπογιάννη Επιμέλεια πολυμεσικού διαδραστικού υλικού: Γιώργος Θεοφάνους Coyright ΣΕΑΒ, 2015 Το παρόν έργο αδειοδοτείται υπό τους
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI
Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1 Δομή Παρουσίασης MOSFET
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου ΙΙ 2
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο (FET FET) Ι Κεφάλαια 4 ο και 6 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση. Το MOS τρανζίστορ σε ενισχτές. Ενισχτής
Διαβάστε περισσότεραα β
6. Eerg, Mometum coefficiets for differet velocit distributios Rehbock obtaied ) For Liear Velocit Distributio α + ε Vmax { } Vmax ε β +, i which ε v V o Give: α + ε > ε ( α ) Liear velocit distributio
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου «Ηλεκτρικός Θόρυβος»
Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός
Διαβάστε περισσότεραΤρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET)
Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET) Χρησιµοποιούνται σε κλίµακα υψηλής ολοκλήρωσης VLSI Χρησιµοποιούνται και σε αναλογικούς ενισχυτές καθώς και στο στάδιο εξόδου ενισχυτών Ισχύος-
Διαβάστε περισσότεραΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΦΥΣΙΚΗΣ ( ΡΑΔΙΟΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ) ΒΑΡΝΑΒΙΔΟΥ Β. ΧΡΙΣΤΙΝΑ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ Ανάλυση λειτουργίας βασικών
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ενότητα 2:Στοιχεία Ηλεκτρονικής Σχεδίασης VLSI Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 1: Οι διατάξεις MOS
Σχεδίαση Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ενότητα 2:Στοιχεία Ηλεκτρονικής Σχεδίασης VLSI Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 1: Οι διατάξεις MOS Αραπογιάννη Αγγελική Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών. Σελίδα 2 1. Σκοποί
Διαβάστε περισσότεραHY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI.
HY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI Διδάσκων: Χ. Σωτηρίου, Βοηθοί: θα ανακοινωθούν http://inf-server.inf.uth.gr/courses/e330 1 Περιεχόμενα Διαισθητική λειτουργία Χαρακτηριστικά Αντιστροφέα
Διαβάστε περισσότεραΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2018
ΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2018 ΔΙΑΛΕΞΗ 4: CMOS Αντιστροφέας (Inverter) ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ (ttheocharides@ucy.ac.cy) [Προσαρμογή από Rabaey s Digital Integrated Circuits, 2002,
Διαβάστε περισσότεραΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2017
ΗΜΥ 307 ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Εαρινό Εξάμηνο 2017 ΔΙΑΛΕΞΗ 4: CMOS Αντιστροφέας (Inverter) ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ (ttheocharides@ucy.ac.cy) [Προσαρμογή από Rabaey s Digital Integrated Circuits, 2002,
Διαβάστε περισσότεραHomework for 1/27 Due 2/5
Name: ID: Homework for /7 Due /5. [ 8-3] I Example D of Sectio 8.4, the pdf of the populatio distributio is + αx x f(x α) =, α, otherwise ad the method of momets estimate was foud to be ˆα = 3X (where
Διαβάστε περισσότεραΕπιπλέον, για ευκολία στις πράξεις ορίζουμε τις παρακάτω μεταβλητές
Αναστροφέας με φορτίο Depletion MOSFET Ένας ακόμη αναστροφέας NMOS τεχνολογίας είναι ο αναστροφέας με φορτίο (ML) Depletion NMOS. Ο αναστροφέας αυτός έχει καλύτερη χαρακτηριστική μεταφοράς σε σύγκριση
Διαβάστε περισσότεραΠανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Οικογένειες Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ψηφιακής Λογικής
Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Οικογένειες Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ψηφιακής Λογικής Επιμέλεια Διαφανειών: Δ. Μπακάλης Πάτρα, Φεβρουάριος 2009 Περιεχόμενα Βασικά ηλεκτρικά χαρακτηριστικά
Διαβάστε περισσότεραΛογικά Κυκλώματα CMOS. Διάλεξη 5
Λογικά Κυκλώματα CMOS Διάλεξη 5 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή Η τεχνολογία αντιστροφέων CMOS Λειτουργία του κυκλώματος Χαρακτηριστική μεταφοράς τάσης Περιθώρια θορύβου Κατανάλωση ισχύος Οι πύλες CMOS NOR
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) 1 FET Δομή και λειτουργία Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός
Διαβάστε περισσότεραIntroduction of Numerical Analysis #03 TAGAMI, Daisuke (IMI, Kyushu University)
Itroductio of Numerical Aalysis #03 TAGAMI, Daisuke (IMI, Kyushu Uiversity) web page of the lecture: http://www2.imi.kyushu-u.ac.jp/~tagami/lec/ Strategy of Numerical Simulatios Pheomea Error modelize
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στις κρυσταλλολυχνίες (Transistors)
Εισαγωγή στις κρυσταλλολυχνίες (Transistors) Dr. Petros Panayi Διακόπτες Ένας διακόπτης είναι μια συσκευή που αλλάζει τη ροή ενός κυκλώματος. Το πρότυπο είναι μια μηχανική συσκευή (παραδείγματος χάριν
Διαβάστε περισσότεραΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ηµιαγωγοί VLSI T echnol ogy ogy and Computer A r A chitecture Lab Γ Τσ ιατ α ο τ ύχ ύ α χ ς ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ηµιαγωγοί VSI Techology ad Comuter Archtecture ab Ηµιαγωγοί Γ. Τσιατούχας ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση. Φράγμα δυναμικού. Ενεργειακές ζώνες Ημιαγωγοί
Διαβάστε περισσότεραΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ
Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ 4.1 MOS Τρανζίστορ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙV ΤΟ MOS ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 4.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής
Διαβάστε περισσότεραΧαρακτηρισμός και μοντέλα τρανζίστορ λεπτών υμενίων βιομηχανικής παραγωγής: Τεχνολογία μικροκρυσταλλικού πυριτίου χαμηλής θερμοκρασίας
Χαρακτηρισμός και μοντέλα τρανζίστορ λεπτών υμενίων βιομηχανικής παραγωγής: Τεχνολογία μικροκρυσταλλικού πυριτίου χαμηλής θερμοκρασίας Υποψήφιος Διδάκτορας: Α. Χατζόπουλος Περίληψη Οι τελευταίες εξελίξεις
Διαβάστε περισσότερα«Αναθεώρηση των FET Transistor»
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Αναθεώρηση των FET Transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή FET Χαρακτηριστικά Λειτουργία Πόλωση Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για FET ΤΗΜΜΥ - 2
Διαβάστε περισσότεραCHAPTER 103 EVEN AND ODD FUNCTIONS AND HALF-RANGE FOURIER SERIES
CHAPTER 3 EVEN AND ODD FUNCTIONS AND HALF-RANGE FOURIER SERIES EXERCISE 364 Page 76. Determie the Fourier series for the fuctio defied by: f(x), x, x, x which is periodic outside of this rage of period.
Διαβάστε περισσότερα( )( ) ( )( ) 2. Chapter 3 Exercise Solutions EX3.1. Transistor biased in the saturation region
Chapter 3 Exercise Solutios EX3. TN, 3, S 4.5 S 4.5 > S ( sat TN 3 Trasistor biased i the saturatio regio TN 0.8 3 0. / K K K ma (a, S 4.5 Saturatio regio: 0. 0. ma (b 3, S Nosaturatio regio: ( 0. ( 3
Διαβάστε περισσότεραΕνισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)
Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Βασικά κυκλώµατα ενισχυτών µε transstr MOS Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Transstr ως ενισχυτής Ενισχυτής κοινής πηγής (cmmn surce amplfer (κύκλωµα αντιστροφέα
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Φαινομένου
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τρανζίστορ Φαινομένο Πεδίο (FET FET) Ι Κεφάλαια 4 ο και 6 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση. Το MO τρανζίστορ σε ενισχτές. Ενισχτής
Διαβάστε περισσότεραΑΣΚΗΣΗ 3 η Ο ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑΣ CMOS
ΑΣΚΗΣΗ 3 η Ο ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑΣ CMOS ΘΕΩΡΙΑ Οι ασκήσεις 3 και 4 αφορούν τον αντιστροφέα CMOS, ο οποίος είναι η απλούστερη αλ α ταυτόχρονα και σημαντικότερη πύλη για την κατανόηση της λειτουργίας των Ολοκληρωμένων
Διαβάστε περισσότεραHY:433 Σχεδίαση Αναλογικών/Μεικτών και Υψισυχνών Κυκλωμάτων
HY:433 Σχεδίαση Αναλογικών/Μεικτών και Υψισυχνών Κυκλωμάτων «Ηλεκτρικός Θόρυβος» Φώτης Πλέσσας fplessas@e-ce.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Δομή Παρουσίασης Εισαγωγή Στατιστικά Χαρακτηριστικά
Διαβάστε περισσότερα(Ο Ηλεκτρονικός Διακόπτης)
(Ο Ηλεκτρονικός Διακόπτης) The MOS Transistor Polysilicon Aluminum N MOS Τρανζίστορ ρ Διάταξη τριών ακροδεκτών Πηγή (Source) Καταβόθρα (Drain) Πύλη (Gate) Κατασκευαστικά η Πηγή και η Καταβόθρα είναι όμοιες
Διαβάστε περισσότεραΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1
ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1 Ενισχυτές ενός τρανζίστορ Ο στόχος αυτής της παρουσίασης είναι 1. Μελέτη των χαρακτηριστικών ενός ενισχυτή 2. Ανάλυση του ενισχυτή χρησιμοποιώντας ωμικά φορτία 2 Χαρακτηριστικά
Διαβάστε περισσότεραΥλοποίηση λογικών πυλών µε τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική
Υλοποίηση λογικών πυλών µε τρανζίστορ MOS Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Λογική MOS Η αναπαράσταση των λογικών µεταβλητών 0 και 1 στα ψηφιακά κυκλώµατα γίνεται µέσω κατάλληλων επιπέδων τάσης, όπου κατά σύµβαση
Διαβάστε περισσότεραΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Αγωγιμότητα σε ημιαγωγούς
ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Αγωγιμότητα σε ημιαγωγούς Required Text: Microelectronic Devices, Keith Leaver (1 st Chapter) Μέτρηση του μ e και προσδιορισμός του προσήμου των φορέων φορτίου Πρόβλημα: προσδιορισμός
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ημιαγωγοί - ίοδος Επαφής 2
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Ημιαγωγοί Δίοδος Επαφής Κεφάλαιο 3 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας SI Techology ad Comuter Architecture ab ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση 1. Φράγμα δυναμικού.
Διαβάστε περισσότεραHY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI.
HY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI Διδάσκων: Χ. Σωτηρίου, Βοηθοί: θα ανακοινωθούν http://inf-server.inf.uth.gr/courses/ce330 1 ΗΥ330 - Διάλεξη 1η - Θεμέλια Ηλεκτρικών Περιεχόμενα Νόμος
Διαβάστε περισσότεραOutline. M/M/1 Queue (infinite buffer) M/M/1/N (finite buffer) Networks of M/M/1 Queues M/G/1 Priority Queue
Queueig Aalysis Outlie M/M/ Queue (ifiite buffer M/M//N (fiite buffer M/M// (Erlag s B forula M/M/ (Erlag s C forula Networks of M/M/ Queues M/G/ Priority Queue M/M/ M: Markovia/Meoryless Arrival process
Διαβάστε περισσότεραHY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI. Σταθερές Μνήμες Αρχιτεκτονικές Μνήμης RAM
HY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI Διδάσκων: Χ. Σωτηρίου, Βοηθοί: θα ανακοινωθούν http://inf-server.inf.uth.gr/courses/ce330 1 ΗΥ330 - Διάλεξη 12η - Κυκλώματα Μνήμης Περιεχόμενα Είδη
Διαβάστε περισσότεραΨηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 5ο. Λιούπης Τεχνολογία CMOS Υλοποιεί την πλειοψηφία των µοντέρνων ψηφιακών κυκλωµάτων λογικές πύλες µνήµες επεξεργαστές άλλα σύνθετα κυκλώµατα Συνδυάζει συµπληρωµατικά pmos και
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 6.3: Συνδυαστική Λογική - Δυναμικές Πύλες Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών
Διαβάστε περισσότεραΤο MOS τρανζίστορ και οι ιδιότητες του
Το MOS τρανζίστορ και οι ιδιότητες του Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Φθινόπωρο 2008 1 Αναλογία φορτίου νερού Ενα μόριο νερού με μάζα m σε ύψος h έχει ενέργεια
Διαβάστε περισσότεραV CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής Επα φής Ι VLS Technology and omputer Archtecture Lab ιπολικό ΤρανζίστορΓ. Επαφής Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στα κυκλώµατα CMOS 2
1 η Θεµατική Ενότητα : Εισαγωγή στα κυκλώµατα CMOS Επιµέλεια διαφανειών:. Μπακάλης Εισαγωγή Τεχνολογία CMOS = Complementary Metal Oxide Semiconductor Συµπληρωµατικού Ηµιαγωγού Μετάλλου Οξειδίου Αποτελείται
Διαβάστε περισσότεραΗ αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.
3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ
Διαβάστε περισσότεραΣε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους
3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ
Διαβάστε περισσότερα3 η διάλεξη Συσκευές στο Πυρήτιο
3 η διάλεξη Συσκευές στο Πυρήτιο 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Η δίοδος συναντάται ως δομή σε κάθε MOS τρανζίστορ. Αποτελείται από δυο ομοιογενείς περιοχές n και p πυριτίου, οι οποίες διαχωρίζονται από ένα χώρο μετάβασης
Διαβάστε περισσότεραp n r.01.05.10.15.20.25.30.35.40.45.50.55.60.65.70.75.80.85.90.95
r r Table 4 Biomial Probability Distributio C, r p q This table shows the probability of r successes i idepedet trials, each with probability of success p. p r.01.05.10.15.0.5.30.35.40.45.50.55.60.65.70.75.80.85.90.95
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 9 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. CMOS Λογικές ομές 2
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Συνδυαστική Λογική Κεφάλαιο 9 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Διάρθρωση 1. Στατική CMOS λογική και λογική 2. Διαφορική λογική 3.
Διαβάστε περισσότεραΗ αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.
3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ
Διαβάστε περισσότερα4.2 Αναπαράσταση δυαδικών τιμών στα ψηφιακά κυκλώματα
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗΣ 4.1 Εισαγωγή Για την υλοποίηση των λογικών πυλών χρησιμοποιήθηκαν αρχικά ηλεκτρονικές λυχνίες κενού και στη συνέχεια κρυσταλλοδίοδοι και διπολικά τρανζίστορ. Τα ολοκληρωμένα
Διαβάστε περισσότεραHY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI. 1 ΗΥ330 - Διάλεξη 7η - Ακολουθιακά Κυκλώματα
HY330 Ψηφιακά - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI Διδάσκων: Χ. Σωτηρίου, Βοηθοί: θα ανακοινωθούν http://inf-server.inf.uth.gr/courses/ce330 1 Μανταλωτές θετικής, αρνητικής πολικότητας Σχεδίαση με Μανταλωτές
Διαβάστε περισσότεραL.K.Gupta (Mathematic Classes) www.pioeermathematics.com MOBILE: 985577, 4677 + {JEE Mai 04} Sept 0 Name: Batch (Day) Phoe No. IT IS NOT ENOUGH TO HAVE A GOOD MIND, THE MAIN THING IS TO USE IT WELL Marks:
Διαβάστε περισσότερα1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed.
Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας ΗΥ430: Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων Άνοιξη 2005 Εργαστηριακές Ασκήσεις Περιεχόμενα 1 Διπολικό και MOS τρανσίστορ................................... 2 2 Ενισχυτές με διπολικά
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική. Ενότητα 9: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (FET) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών
Ηλεκτρονική Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενο ενότητας (1 από 2) Τύποι τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (JFET, MOSFET, MESFET). Ομοιότητες και διαφορές των FET με τα διπολικά
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Ενίσχυση Κέρδους (Gain Boosting)
Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός
Διαβάστε περισσότεραΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ
ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΦΥΣΙΚΗΣ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ & ΔΙΑΤΑΞΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: 10 ΤΙΤΛΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ: Χαρακτηριστικές n-mosfet ΑΣΚΗΣΗ 10: Το tranitor MOSFET Σε αυτή την Άσκηση θα
Διαβάστε περισσότεραηλεκτρικό ρεύμα ampere
Ηλεκτρικό ρεύμα Το ηλεκτρικό ρεύμα είναι ο ρυθμός με τον οποίο διέρχεται ηλεκτρικό φορτίο από μια περιοχή του χώρου. Η μονάδα μέτρησης του ηλεκτρικού ρεύματος στο σύστημα SI είναι το ampere (A). 1 A =
Διαβάστε περισσότεραFREE VIBRATION OF A SINGLE-DEGREE-OF-FREEDOM SYSTEM Revision B
FREE VIBRATION OF A SINGLE-DEGREE-OF-FREEDOM SYSTEM Revisio B By Tom Irvie Email: tomirvie@aol.com February, 005 Derivatio of the Equatio of Motio Cosier a sigle-egree-of-freeom system. m x k c where m
Διαβάστε περισσότεραBλάβες, ελαττώματα και. Δημήτρης Νικολός, Τμήμα Μηχ. Ηλεκτρονικών Υπολογιστών και Πληροφορικής, Παν. Πατρών
Bλάβες, ελαττώματα και μοντέλα σφαλμάτων Περίγραμμα ργρ παρουσίασης Βλάβες (Failures) Ελαττώματα (Defects) Μοντέλα σφαλμάτων (Fault models) Μοντέλο σφαλμάτων μόνιμης μης τιμής (Stuck-at faults Βραχυκυκλώματα
Διαβάστε περισσότεραΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
ΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Χειµερινό Εξάµηνο 2016 ΔΙΑΛΕΞΗ 5: Το CMOS transistor και κυκλώµατα CMOS ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ Επίκουρος Καθηγητής, ΗΜΜΥ (ttheocharides@ucy.ac.cy) Περίληψη q Κυκλώµατα
Διαβάστε περισσότερα«Τεχνολογίες ολοκληρωμένων κυκλωμάτων»
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Τεχνολογίες ολοκληρωμένων κυκλωμάτων» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Σκοπός διάλεξης Γνωριμία κυρίως με τη MOS και τη διπολική τεχνολογία ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
Διαβάστε περισσότεραΠόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης
Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών & Πληροφορικής Μάθημα: Βασικά Ηλεκτρονικά Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης Εργασία των Άννα Μαγιάκη και Καλλιόπης-Κλέλιας Λυκοθανάση Χειμερινό
Διαβάστε περισσότεραΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Αγωγιμότητα σε ημιαγωγούς
ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Αγωγιμότητα σε ημιαγωγούς Δρ. Ιούλιος Γεωργίου Required Text: Microelectronic Devices, Keith Leaver (1 st Chapter) Τρέχον περιεχόμενο Αγωγή ηλεκτρικών φορτίων σε ημιαγωγούς
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 12 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. Μνήμες 2
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Μνήμες Κεφάλαιο 1 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Διάρθρωση 1. Οργάνωση και αρχιτεκτονική μνημών. Μνήμες 3. Μνήμες AM 4. Μνήμες
Διαβάστε περισσότεραΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Α. Αναστροφέας MOSFET. Α.1 Αναστροφέας MOSFET µε φορτίο προσαύξησης. Ο αναστροφέας MOSFET (πύλη NOT) αποτελείται από
Διαβάστε περισσότερα1. For each of the following power series, find the interval of convergence and the radius of convergence:
Math 6 Practice Problems Solutios Power Series ad Taylor Series 1. For each of the followig power series, fid the iterval of covergece ad the radius of covergece: (a ( 1 x Notice that = ( 1 +1 ( x +1.
Διαβάστε περισσότεραEE101: Resonance in RLC circuits
EE11: Resonance in RLC circuits M. B. Patil mbatil@ee.iitb.ac.in www.ee.iitb.ac.in/~sequel Deartment of Electrical Engineering Indian Institute of Technology Bombay I V R V L V C I = I m = R + jωl + 1/jωC
Διαβάστε περισσότεραSolutions: Homework 3
Solutios: Homework 3 Suppose that the radom variables Y,, Y satisfy Y i = βx i + ε i : i,, where x,, x R are fixed values ad ε,, ε Normal0, σ ) with σ R + kow Fid ˆβ = MLEβ) IND Solutio: Observe that Y
Διαβάστε περισσότεραLast Lecture. Biostatistics Statistical Inference Lecture 19 Likelihood Ratio Test. Example of Hypothesis Testing.
Last Lecture Biostatistics 602 - Statistical Iferece Lecture 19 Likelihood Ratio Test Hyu Mi Kag March 26th, 2013 Describe the followig cocepts i your ow words Hypothesis Null Hypothesis Alterative Hypothesis
Διαβάστε περισσότεραHY121 Ηλεκτρικά Κυκλώματα
HY121 Ηλεκτρικά Κυκλώματα Διδάςκων: Χ. Σωτηρίου, Βοηθοί: Ε. Βαςιλάκησ, Δ. Πούλιοσ http://www.csd.uoc.gr/~hy121 1 Περιεχόμενα Μζτρα ποιότθτασ Κυκλϊματοσ Κόςτοσ Παραγωγισ Ψθφιακι Λογικι - Καμπφλθ Μετάβαςθσ
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 4 o και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. Καθυστέρηση ιάδοσης Σήματος 2
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VSI Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Καθυστέρηση Διάδοσης Σήματος Κεφάλαιο 4 o και 6 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VSI Διάρθρωση VSI Sysems ad omuer rchiecure ab. Παρασιτικές
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 6.1: Συνδυαστική Λογική - Βασικές Πύλες Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών
Διαβάστε περισσότερα