Οπτικοηλεκτρονικά κυκλώµατα υψηλής πυκνότητας ολοκλήρωσης για υψίρυθµα φωτονικά µικροσυστήµατα

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "Οπτικοηλεκτρονικά κυκλώµατα υψηλής πυκνότητας ολοκλήρωσης για υψίρυθµα φωτονικά µικροσυστήµατα"

Transcript

1 ΕΘΝΙΚΟ ΚΑΙ ΚΑΠΟ ΙΣΤΡΙΑΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΑΘΗΝΩΝ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΩΝ ΣΠΟΥ ΩΝ Ι ΑΚΤΟΡΙΚΗ ΙΑΤΡΙΒΗ Οπτικοηλεκτρονικά κυκλώµατα υψηλής πυκνότητας ολοκλήρωσης για υψίρυθµα φωτονικά µικροσυστήµατα Κυριακή Μινόγλου ΑΘΗΝΑ ΜΑΡΤΙΟΣ 2007

2

3 Ι ΑΚΤΟΡΙΚΗ ΙΑΤΡΙΒΗ Οπτικοηλεκτρονικά κυκλώµατα υψηλής πυκνότητας ολοκλήρωσης για υψίρυθµα φωτονικά µικροσυστήµατα Κυριακή Μινόγλου ΕΠΙΒΛΕΠΩΝ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ: ηµήτριος Συβρίδης, Αναπληρωτής Καθηγητής ΕΚΠΑ ΤΡΙΜΕΛΗΣ ΕΠΙΤΡΟΠΗ ΠΑΡΑΚΟΛΟΥΘΗΣΗΣ: ηµήτριος Συβρίδης, Αναπληρωτής Καθηγητής ΕΚΠΑ Αγγελική Αραπογιάννη, Αναπληρώτρια Καθηγήτρια EKΠΑ Γεώργιος Χαλκιάς, Ερευνητής Α ΕΚΕΦΕ ηµόκριτος ΕΠΤΑΜΕΛΗΣ ΕΞΕΤΑΣΤΙΚΗ ΕΠΙΤΡΟΠΗ ηµήτριος Συβρίδης, Αναπληρωτής Καθηγητής ΕΚΠΑ Αγγελική Αραπογιάννη, Αναπληρώτρια Καθηγήτρια ΕΚΠΑ Θωµάς Σφηκόπουλος, Καθηγητής ΕΚΠΑ Νικηφόρος Θεοφάνους, Καθηγητής ΕΚΠΑ Κυριάκος Χιτζανίδης, Καθηγητής ΕΜΠ ηµήτριος Τσουκαλάς, Αναπληρωτής Καθηγητής ΕΜΠ Γεώργιος Χαλκιάς ιευθυντής Ερευνών ΕΚΕΦΕ ηµόκριτος Ηµεροµηνία εξέτασης 5/3/2007

4

5 ΠΕΡΙΛΗΨΗ Η τεχνολογία της υψηλής πυκνότητας υβριδικής ολοκλήρωσης οπτικοηλεκτρονικών ΙΙΙ-V κυκλωµάτων (ΟΕ) µε CMOS Ολοκληρωµένα Κυκλώµατα (IC s) διαφαίνεται ικανή στο να παρέχει τα χαρακτηριστικά και τις επιδόσεις που απαιτούνται από τα υψηλών προδιαγραφών υποσυστήµατα επεξεργασίας πληροφοριών νέας γενιάς. Στόχος αυτής της διδακτορικής διατριβής είναι η µελέτη των υψίρυθµων φωτονικών µικροσυστηµάτων τόσο από τη σκοπιά της ανάπτυξης συγκεκριµένης τεχνολογίας για την υβριδική ολοκλήρωση τους όσο και από την πλευρά της ανάπτυξης ενός πλήρους µοντέλου για ένα συγκεκριµένου τύπου οπτικοηλεκτρονικό στοιχείο φωτοεκποµπής, το VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser). Όσον αφορά την υβριδική ολοκλήρωση µελετώνται τεχνικές συγκόλλησης δισκιδίων τόσο µε τη χρήση SiO 2 και Spin-on-Glass (SOG) όσο και µε την χρήση κράµατος µετάλλων. Αναφορικά, παρουσιάζεται η µεθοδολογία που αναπτύχθηκε για τη συγκόλληση µε χρήση SOG, καθορίζονται τα κρίσιµα στάδια, χαρακτηρίζονται τα κολληµένα δισκίδια και σχεδιάζεται και κατασκευάζεται µια ολοκληρωµένη οπτοηλεκτρονική διασύνδεση. Παρόµοια, σχετικά µε τη µεταλλική συγκόλληση, καθορίζεται η δοµή και η σύσταση του κράµατος, µελετάται η οµοιοµορφία των επιµεταλλώσεων, µετρώνται ηλεκτρικές παράµετροι, και µελετάται η δυνατότητα µορφοποίησης του κράµατος. Παράλληλα, η διδακτορική διατριβή ασχολείται µε την εισαγωγή µέσα σε ενιαίο περιβάλλον σχεδιασµού ολοκληρωµένων κυκλωµάτων πολύ µεγάλης κλίµακας (VLSI) ενός πλήρους µοντέλου για τα VCSELS. Το πλήρες µοντέλο, το οποίο περιλαµβάνει το παρασιτικό κύκλωµα εισόδου, τα εσωτερικά θερµο-ηλεκτρικά χαρακτηριστικά του στοιχείου και τις φυσικές διαφορικές εξισώσεις παραγωγής φωτός, υλοποιείται, προσοµοιώνεται και σε συνδυασµό µε τις πειραµατικές µετρήσεις εµπορικών λέιζερ εκτιµάται η εγκυρότητα και η πληρότητά του ενώ ταυτόχρονα αναπτύσσεται µεθοδολογία εξαγωγής των παραµέτρων του µοντέλου. ΘΕΜΑΤΙΚΗ ΠΕΡΙΟΧΗ:Υβριδική Ολοκλήρωση και Μοντελοποίηση Λέιζερ ΛΕΞΕΙΣ ΚΛΕΙ ΙΑ: υβριδική ολοκλήρωση, οπτικοηλεκτρονικά κυκλώµατα, συγκόλληση δισκιδίων, µοντέλο VCSEL Κυριακή Μινόγλου v

6 Κυριακή Μινόγλου vi

7 ABSTRACT High-density hybrid integration of III-V compound optoelectronics (OE) with Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Integrated Circuits (ICs) is emerging as a technology able to provide the features and performance required by the next generation of high functionality information processing subsystems. The aim of this PhD thesis is the study of hybrid integration technologies of III-V OEs with CMOS of high speed photonic microsystems under the view of developing not only a heterogeneous integration technology but also a compact and efficient full model for a special type laser device, the VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser). Regarding hybrid integration, in this work a SIO 2 /SOG(Spin-On-Glass) based and a metallic bonding technique are proposed which can be used for the bonding of the photonic wafer on the CMOS wafer. Definition of the procedure and identification of critical steps are taking place and finally implementation of an in-plane optical link is demonstrated. Concerning metallic bonding, appropriate metal alloy s composition and structure, lithography and alloy patterning possibility and electrical characteristics are investigated. This thesis also studies the possibility for accurate simulation of the mixed photonic/vlsi modules under a unified VLSI design CAD environment through the presentation of a model for the VCSEL device. Implementation of the model (fundamental device rate equations, thermal effects, non-linear gain and transparency number functions and input parasitics elements) is accomplished. Simulation results are compared with commercial available laser measurements and a three-step parameter extraction procedure is developed. To conclude, the purpose of the work presented in this thesis is to obtain an understanding of hybrid optoelectronic microsystems since (a) in a technological level, proposes an hybrid integration technology of III-V OEs with CMOS and (b) in a device level approach, studies in deep and develops a model, of great value for the IC designers, for a basic photonic module of the full high-speed photonic microsystem. SUBJECT AREA: Hybrid Integration and Laser Modeling KEYWORDS: hybrid integration, photonic microsystems, metallic bonding, VCSEL model Κυριακή Μινόγλου vii

8 Κυριακή Μινόγλου viii

9 Στους γονείς µου και στον Άκη Κυριακή Μινόγλου ix

10 Κυριακή Μινόγλου x

11 Ευχαριστίες Υπάρχουν αρκετοί άνθρωποι χωρίς την βοήθεια των οποίων δεν θα ήταν δυνατή η ολοκλήρωση αυτού του διδακτορικού. Πρωτίστως, ανάµεσα σε αυτούς βρίσκεται ο επιβλέπων µου στο Ινστιτούτο Μικροηλεκτρονικής του ηµοκρίτου, ρ. Γ. Χαλκιάς, τον οποίο ευχαριστώ θερµά για την ανάθεση της συγκεκριµένης µελέτης, την άψογη επιστηµονική καθοδήγηση καθώς επίσης και την ευκαιρία που µου δόθηκε να συνεργαστώ µε σηµαντικούς επιστήµονες ξένων ερευνητικών κέντρων και πανεπιστηµίων, στα πλαίσια συµµετοχής σε Ευρωπαικά προγράµµατα. Εκτιµώ βαθύτατα την εµπιστοσύνη που έδειξε στις δυνατότητες µου και δεν θα ξεχάσω ποτέ την ηθική υποστήριξη και το πραγµατικό ενδιαφέρον που έδειξε για την πρόοδο και την ολοκλήρωση της εργασίας µου. Ευχαριστώ επίσης τους επιβλέποντες καθηγητές στο Τµήµα Πληροφορικής του Πανεπιστηµίου Αθηνών, Α. Αραπογιάννη και. Συβρίδη, για τις συµβουλές τους και για την δυνατότητα που µου παρείχαν να χρησιµοποιήσω τον εργαστηριακό εξοπλισµό του Τµήµατος. εν θα µπορούσα να παραλείψω τις ευχαριστίες µου στον καθηγητή του τµήµατος Ηλεκτρονικής του ΤΕΙ Πειραιά, Ε. Κυριάκη Μπιτζάρο, για τις εποικοδοµητικές συζητήσεις και τις καθοδηγήσεις του αλλά και γιατί µε έκανε να καταλάβω πως η αρνητική κριτική όταν γίνεται από καλή πρόθεση σε κάνει όχι µόνο καλύτερο αλλά και πιο δυνατό. Επίσης, ευχαριστώ πολύ τον κ. Σ. Κατσαφούρο που µοιράστηκε µαζί µου την εµπειρία και τις γνώσεις του και που µε βοήθησε να ανοίξω τους πιθανούς επαγγελµατικούς µου ορίζοντες, ενώ για την άψογη συνεργασία και την συναδελφικότητα στη µελέτη της µεταλλικής συγκόλλησης ευχαριστώ θερµά τον κ. Π. Ροµπογιαννάκη. Θα ήθελα να ευχαριστήσω όλους του ανθρώπους που εργάζονται στο Ινστιτούτο Μικροηλεκτρονικής του ηµοκρίτου, την ιευθύντρια κα. Α. Νασσιοπούλου, την «πολύτιµη» κα. Ζ. Μακρίδη, τον κ. Σ. Χατζανδρούλη για την ηθική υποστήριξη και τον «δεικτικό σχολιασµό των κακώς κειµένων», τον κ. Χ. Κοντοπανάγο για τις συµβουλές του στις RF µετρήσεις, τους υπόλοιπους ερευνητές, τους τεχνικούς καθώς και όλους τους συνεργάτες µε τους οποίους µοιράστηκα τις χαρές, τις αγωνίες και τις απογοητεύσεις που κρύβει η διαδικασία εκπόνησης ενός διδακτορικού. Τέλος, ένα ιδιαίτερα µεγάλο ευχαριστώ στην οικογένειά µου και στους φίλους µου για την κατανόηση και την υποµονή που έδειξαν, στηρίζοντάς µε ο κάθε ένας µε τον τρόπο του. Παρέµειναν στο πλευρό µου όλα τα χρόνια που διήρκησε αυτή τη διατριβή και σε αυτούς αφιερώνεται. Κυριακή Μινόγλου xi

12 Κυριακή Μινόγλου xii

13 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΠΙΝΑΚΑΣ ΣΥΜΒΟΛΩΝ...xv ΚΑΤΑΛΟΓΟΣ ΣΧΗΜΑΤΩΝ...xvii ΚΑΤΑΛΟΓΟΣ ΠΙΝΑΚΩΝ...xx ΠΙΝΑΚΑΣ ΣΥΝΤΜΗΣΕΩΝ...xxi ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ Η System-On-Package τεχνολογία Ολοκλήρωση Οπτικοηλεκτρονικών Στοιχείων Πυκνή ολοκλήρωση µε κλασικά ηλεκτρονικά κυκλώµατα Κατάλληλα οπτικοηλεκτρονικά στοιχεία Στόχος και οργάνωση της παρούσας διατριβής...7 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΥΒΡΙ ΙΚΗΣ ΟΛΟΚΛΗΡΩΣΗΣ Εισαγωγή Τεχνολογία Flip-Chip Flip-Chip σε συµβατά CMOS Flip-Chip σε Silicon-On-Sapphire CMOS Επιταξιακό Liftoff Μέθοδος Appliqué Συγκόλληση µε πολυαµίδια Τοποθέτηση των ψηφίδων Ανύψωση και τοποθέτηση µε ροµποτική ακρίβεια Ευθυγράµµιση Τεχνολογίες Αυτό-Συναρµολόγησης µέσω ρευστών Συµπεράσµατα...29 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3 ΣΥΓΚΟΛΛΗΣΗ ΙΣΚΙ ΙΩΝ ΣΕ ΧΑΜΗΛΗ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑ Ολοκλήρωση οπτικοηλεκτρονικών στοιχείων από GaAs Συγκόλληση µε SOG/SiO Υβριδική ολοκλήρωση µε µεταλλικό κράµµα Χαρακτηριστικά του κράµατος και δοµή Οµοιοµορφία δοµών Πειράµατα συγκόλλησης και ποιοτικός έλεγχος Ηλεκτρικός χαρακτηρισµός Συµπεράσµατα...49 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 VCSELs : ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΚΑΙ ΑΝΑΣΚΟΠΗΣΗ Λέιζερ επιφανειακής εκποµπής Τύποι VCSELs Εξελιξη των VCSELs Πλεονεκτήµατα και µειονεκτήµατα των VCSELs Εφαρµογές των VCSELs, τάσεις και προβλέψεις Βασικές αρχές λειτουργίας των VCSELs Οπτικές διαδικασίες στα ηµιαγωγικά λείζερ Εξισώσεις εκποµπής...70 Κυριακή Μινόγλου xiii

14 4.2.3 Εξισώσεις ρυθµού Κατάσταση σταθερής ηλεκτρικής πόλωσης Ρεύµα κατωφλίου Ισχύς εξόδου και συντελεστής απόδοσης ιαµόρφωση Συντονισµένος τρόπος ταλάντωσης ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5 ΜΟΝΤΕΛΟ ΕΙΣΟ ΟΥ ΓΙΑ ΤΟ VCSEL Η ανάγκη για µοντέλα οπτικοηλεκτρονικών στοιχείων Μοντέλα για λέιζερ σε επίπεδο κυκλώµατος Η ανάγκη για ένα µη γραµµικό ισοδύναµο µοντέλο VCSEL Περιγραφή του µοντέλου Μεθοδολογία προσδιορισµού παραµέτρων Μετρήσεις και εξαγωγή παραµέτρων Μελέτη του µεταβλητού πυκνωτή C j Μέτρηση της πλακέτας ελέγχου και αξιοποίηση των δεδοµένων Συµπεράσµατα ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 ΠΛΗΡΕΣ ΜΟΝΤΕΛΟ ΜΕ ΕΞΙΣΩΣΕΙΣ ΡΥΘΜΟΥ Ανάπτυξη του πλήρους µοντέλου Υλοποίηση των διαφορικών εξισώσεων µε κυκλώµατα Μετρήσεις και προσοµοιώσεις Συµπεράσµατα ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 ΕΦΑΡΜΟΓΗ ΤΟΥ ΜΟΝΤΕΛΟΥ ΣΤΗ ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ Ο ΗΓΗΣΗΣ ΤΩΝ VCSELs Οδήγηση υψίσυχνων VCSELs Οδήγηση µε ιδανικές πηγές Οδήγηση µε πραγµατικά κυκλώµατα Συµπεράσµατα ΚΕΦΑΛΑΙΟ 8 ΣΥΜΠΕΡΑΣΜΑΤΑ ΠΡΟΤΑΣΕΙΣ ΓΙΑ ΜΕΛΛΟΝΤΙΚΗ ΕΡΕΥΝΑ ΒΙΒΛΙΟΓΡΑΦΙΚΕΣ ΑΝΑΦΟΡΕΣ ηµοσιεύσεις σε διεθνή περιοδικά Συµµετοχή σε Ελληνικά και ιεθνή Συνέδρια ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ Υπολογισµός των παραµέτρων επικάλυψης απολαβής και modes Κυριακή Μινόγλου xiv

15 ΠΙΝΑΚΑΣ ΣΥΜΒΟΛΩΝ ΣΥΜΒΟΛΟ Ελληνικά Αγγλικά n f c jo παράγοντας ευαισθησίας θερµικής τάσης χωρητικότητα επαφής µηδενικής πόλωσης Ν πλήθος φορέων carrier number I χωρικά εξαρτόµενο ρεύµα έγχυσης spatially dependent injection current S k ψ k συνολικός αριθµός φωτονίων στo k εγκάρσιo τρόπο ταλάντωσης κανονικοποιηµένη κατανοµή του k τρόπου ταλάντωσης total photon number in the kth transverse mode normalized transverse mode profile in the kth transverse mode T θερµοκρασία του στοιχείου device temperature G k απολαβή στο k τρόπο ταλάντωσης gain of the kth mode I l θερµικό ρεύµα διαρροής thermal leakage current n i απόδοση έγχυσης ρεύµατος current injection efficiency τ n χρόνος ζωής φορέων carrier lifetime L eff ενεργό µήκος διάχυσης φορέων effective carrier diffision length Q φορτίο ηλεκτρονίου electron charge V ενεργός όγκος της ενεργού περιοχής effective active layer volume β k συντελεστής σύζευξης αυθόρµητης εκποµπής για τον k τρόπο ταλάντωσης spontaneous emission coupling coefficient for the kth mode τ pk χρόνος ζωής των φωτονίων στον k τρόπο ταλάντωσης photon lifetime for the kth mode V T ολικός όγκος της ενεργού περιοχής total volume of active region Ν 0 µέση τιµή πλήθους φορέων average carrier number N 1 Πλήθος φορέων που οφείλονται στον κύριο τρόπο ταλάντωσης spatial hole produced by the fundamental mode Io ολικό ρεύµα που διαρρέει το στοιχείο total current flowing in the device G(T) απολαβή εξαρτώµενη από τη θερµοκρασία temperature dependent gain N t (T) G 0 N to πλήθος διάφανων φορέων που εξαρτάται από τη θερµοκρασία σταθερά απολαβής ανεξάρτητη από τη θερµοκρασία πλήθος διάφανων φορέων ανεξάρτητο από την θερµοκρασία temperature dependent transparency number temperature independent gain constant temperature independent transparency number a g0,a g1,a g2 παράµετροι της εξίσωσης κέρδους gain fitting constants b g0, b g1, b g2 παράµετροι της εξίσωσης κέρδους gain fitting constants c n0, c n1, c n2 tranparency number fitting constants Ε συντελεστής κορεσµού απολαβής gain saturation factor H 1 B 0, b 1 γ 0, γ 1, φ 0, φ 1, λ 0 και λ 1 παράµετρος που προσοµοιώνει τα φαινόµενα διάχυσης παράµετρος που προσοµοιώνει την ενδογεννή αυθόρµητη εκποµπή παράµετροι που πρoσδιορίζουν την αλληλοεπικάλυψη της απολαβής µε τους parameter modeling diffusive effects parameter modeling integrated spontaneous emission overlap integral values Κυριακή Μινόγλου xv

16 τρόπους ταλάντωσηςs I lo, a 0, a 1, a 2 παράµετροι του ρεύµατος διαρροής P ισχύς εξόδου output power k f συντελεστής σύζευξης ισχύος εξόδου output power coupling coefficient W m W χαρακτηριστικό µήκος της οικογένειας των Laguerre-Gaussian τρόπων ταλάντωσηςs ενεργή ακτίνα της ενεργού περιοχής (αντιστοιχεί στον ενεργό όγκο V) Characteristic width of the family of Lagherre-Gaussian modes effective active layer radius r therm θερµική αντίσταση του VCSEL vcsel's thermal impedance K σταθερά του Boltzman Boltzman's constant Ε g ενεργειακό χάσµα energy gap δ m, δ n, z n arbitrary constants L lp (x) γενικευµένα πολυώνυµα Laguerre Generalized Laguerre polynomials a pl παράγοντας κανονικοποίησης Normalization coefficient Ψ k (r) κανονικοποιηµένη κατανοµή φωτονίων Normalized photon distribution σ i ι-οστή ρίζα της Bessel J 1 (x) συνάρτησης πρώτης τάξης ith root of the 1 st order Bessel function J 1 (x) Κυριακή Μινόγλου xvi

17 ΚΑΤΑΛΟΓΟΣ ΣΧΗΜΑΤΩΝ Σχήµα 1.1 SOP το οποίο συνδυάζει τρεις διαφορετικούς τύπους κυκλωµάτων στα διηλεκτρικά στρώµατα 2 Σχήµα 2.1 Σχηµατική flip-chip διαδικασία συγκόλλησης 16 Σχήµα 2.2 Σχηµατική απεικόνιση µιας SOS OE βαθµίδας 20 Σχήµα 2.3 Κάµψη των καλυµµένων µε κερί επιταξιακών στρωµάτων 22 Σχήµα 2.4 Ευθυγραµµισµένη ELO διαδικασία 24 Σχήµα 2.5 ιάγραµµα ροής της µεθόδου Appliqué 25 Σχήµα 2.6 Απεικόνιση της τεχνολογίας αυτό-συναρµολόγησης µέσω ρευστών 33 Σχήµα 3.1 Συγκόλληση δισκιδίων σε χαµηλή θερµοκρασία 39 Σχήµα 3.2 Τελικό OE σύστηµα που βασίζεται σε LT συγκόλληση δισκιδίων 39 Σχήµα 3.3 Nomarski οπτική µικροσκοπία µε την πλήρη οπτική διασύνδεση που κατασκευάστηκε. 42 Σχήµα 3.4 Χαρακτηριστικές καµπύλες οπτικής ισχύος του οπτικού link 43 Σχήµα 3.5 Σχηµατική αναπαράσταση υβριδικής ολοκλήρωσης 44 Σχήµα 3.6 Σχηµατική αναπαράσταση της µεθόδου µεταλλικής συγκόλλησης 45 Σχήµα 3.7 Pads µεταλλικού κράµατος 46 Σχήµα 3.8 Pads και γραµµές µεταλλικού κράµατος 47 Σχήµα 3.9 SEM φωτογραφία συστοιχίας από pads 48 Σχήµα 3.10 SEM φωτογραφία ενός pad πάχους 1µm 48 Σχήµα 3.11 Pads πριν και µετά την ανόπτηση 49 Σχήµα 3.12 Πειραµατική συσκευή συγκόλλησης που χρησιµοποιήθηκε 49 Σχήµα 3.13 Τοπολογία των ψηφίδων που χρησιµοποιήθηκαν 51 Σχήµα in δισκίδιο Si µε ψηφίδες κολληµένες σε συγκεκριµένες περιοχές 53 Σχήµα 3.15 I-V χαρακτηριστικές για µεταλλικές γραµµές 55 Σχήµα 3.16 Αντίσταση του pad επαφής σε συνάρτηση µε την διάµετρο του pad 55 Σχήµα 4.1 οµή ενός τυπικού VCSEL 62 Σχήµα 4.2 Κλασική δοµή του VCSEL 63 Σχήµα 4.3 Υλικά κατασκευής VCSEL s και αντίστοιχα µήκη κύµατος ακτινοβολίας 64 Σχήµα 4.4 οµές για περιορισµό του ρεύµατος στα VCSEL s 65 Σχήµα 4.5 οµές για περιορισµό του φωτός στα VCSEL s 67 Σχήµα 4.6 VCSEL µε δίοδο σήραγγας 71 Σχήµα 4.7 Ορισµένα από τα σηµαντικότερα στάδια ανάπτυξης των VCSELs 72 Σχήµα 4.8 H παγκόσµια αγορά των VCSELs 76 Κυριακή Μινόγλου xvii

18 Σχήµα 4.9 Οπτικές διαδικασίες 77 Σχήµα 4.10 ιαφορά στον τρόπο εκποµπής των in-plane και των VCSELs 80 Σχήµα 5.1 Κυκλωµατικό ισοδύναµο του VCSEL µε τα παρασιτικά της εισόδου 97 Σχήµα 5.2 Υλοποίηση της θερµικής εξίσωσης 100 Σχήµα 5.3 Μετρητική διάταξη των DC και S11 χαρακτηριστικών 104 Σχήµα 5.4 Μετρήσεις ρεύµατος-φωτός και ρεύµατος-τάσης για το VCSEL-B 105 Σχήµα 5.5 Μετρήσεις και προσοµοίωση της I-V για το VCSEL-A 106 Σχήµα 5.6 Μετρήσεις και προσοµοίωση της I-V για το VCSEL-Β 106 Σχήµα 5.7 Μετρήσεις και προσοµοίωση της S 11 για το VCSEL-Α σε πόλωση 5mA 108 Σχήµα 5.8 Μετρήσεις και προσοµοίωση της S 11 για το VCSEL-Β σε πόλωση 5mA 108 Σχήµα 5.9 Μετρήσεις και προσοµοίωση της S 11 για το VCSEL-Α σε πόλωση 8mA µε χρήση των παραµέτρων που εξήχθησαν για πόλωση 5mA 109 Σχήµα 5.10 Προσοµοιώσεις για διαφορετικές πολώσεις 109 Σχήµα 5.11 Οι τιµές που παίρνει η χωρητικότητα C j 111 Σχήµα 5.12 Μετρήσεις και προσοµοίωση I-V σε 4 διαφορετικές θερµοκρασίες 112 Σχήµα 5.13 Μετρήσεις και προσοµοίωση της S 11 σε 3 πολώσεις 113 Σχήµα 5.14 Το µοντέλο της διάταξης δοκιµής 114 Σχήµα 5.15 Mετρήσεις και προσοµοιώσεις για την πλακέτα δοκιµών 115 Σχήµα 5.16 Μετρήσεις και προσοµοίωση της I-V σε 3 διαφορετικές θερµοκρασίες 116 Σχήµα 5.17 Μετρήσεις και προσοµοίωση της S Σχήµα 6.1 Υλοποίηση των εξισώσεων ρυθµού µε κυκλώµατα 129 Σχήµα 6.2 ιάταξη για την µέτρση της S21 παραµέτρου 133 Σχήµα 6.3 Ac απόκριση της φωτοδιόδου που χρησιµοποιήθηκε 134 Σχήµα 6.4 AC απόκριση του VCSEL_A για διαφορετικά ρεύµατα πόλωσης 134 Σχήµα 6.5 AC απόκριση της φωτοδιόδου και του VCSEL_A στο ίδιο διάγραµµα 135 Σχήµα 6.6 AC απόκριση του VCSEL_B µε την χρήση µικροκυµµατικής πλακέτας 136 Σχήµα 6.7 S21 παράµετρος για το VCSEL_A µετά από αφαίρεση 136 Σχήµα 6.8 S21 παράµετρος για το VCSEL_Β µετά από αφαίρεση 137 Σχήµα 6.9 Προσοµοίωση και µέτρηση της I-L και S21 παραµέτρου 138 Σχήµα 6.10 Προσοµοίωση και µέτρηση της S21 παραµέτρου µετά από αφαίρεση (5-2)mA και (3-2)mΑ 138 Σχήµα 6.11 Προσοµοίωση και µέτρηση της S21 παραµέτρου σε 3 πολώσεις 139 Σχήµα 6.12 ιάγραµµα ροής διαδικασιών για την εξαγωγή των παραµέτρων του πλήρους µοντέλου. 141 Κυριακή Μινόγλου xviii

19 Σχήµα 7.1 Κανονικοποιηµένη απόκριση του εσωτερικού µόνο VCSEL όταν οδηγείται µε ιδανική πηγή ρεύµατος και τάσης 147 Σχήµα 7.2 Κανονικοποιηµένη απόκριση ολόκληρου του VCSEL όταν οδηγείται µε ιδανική πηγή ρεύµατος και τάσης 147 Σχήµα 7.3 Η µεταβατική (transient) απόκριση του οπτικού ρεύµατος κατά την οδήγησηι µε ιδανική παλµική πηγή ρεύµατος και τάσης (µοντέλο µε αποµονωµένη είσοδο από την έξοδο) 148 Σχήµα 7.4 Η µεταβατική (transient) απόκριση του οπτικού ρεύµατος κατά την οδήγησηι µε ιδανική παλµική πηγή ρεύµατος και τάσης (µοντέλο µε υλοποιηµένες τις εξισώσεις ρυθµού) 149 Σχήµα 7.5 Η µεταβατική (transient) απόκριση της οπτικής ισχύος κατά την οδήγησηι µε ιδανική παλµική πηγή ρεύµατος και τάσης (µοντέλο µε υλοποιηµένες τις εξισώσεις ρυθµού) 149 Σχήµα 7.6 Κυκλώµατα οδήγησης παλµών ρεύµατος και παλµών τάσης υλοποιηµένα σε τεχνολογία 0.35µm SiGe HBT 151 Σχήµα 7.7 Η µεταβατική (transient) απόκριση του οπτικού ρεύµατος κατά την οδήγηση µε LDD παλµών ρεύµατος και τάσης (µοντέλο µε αποµονωµένη είσοδο από την έξοδο) 151 Σχήµα 7.8 Προσοµοιωµένα δισγράµµατα µατιού του οπτικού ρεύµατος σε διαφορετικές συχνότητες κατά την λειτουργία µε οδήγηση µε LDD ρεύµατος 152 Σχήµα 7.9 Προσοµοιωµένα διαγράµµατα µατιού του οπτικού ρεύµατος κατά την οδήγηση µε παλµούς ρεύµατος και τάσης 153 Σχήµα 7.10 ιαγράµµατα µατιού της οπτικής απόκρισης για οδήγηση µε LDD τάσης σε διαφορετικές συχνότητες 153 Σχήµα 7.11 Το κύκλωµα για την λειτουργία του LDD παλµών τάσης και την µέτρηση της απώλειας ισχύος 155 Σχήµα 7.12 Πολυωνυµική προσέγγιση τετάρτου βαθµού της I-L 158 Κυριακή Μινόγλου xix

20 ΚΑΤΑΛΟΓΟΣ ΠΙΝΑΚΩΝ Πίνακας 3.1 Υποστρώµατα όπου κολλήθηκαν τα δείγµατα 51 Πίνακας 3.2 Παράµετροι των πειραµάτων µε πάχος κράµατος τα 800nm 52 Πίνακας 3.3 Παράµετροι των πειραµάτων µε πάχος κράµατος τα 250nm 53 Πίνακας 4.1: Στάδια ανάπτυξης της τεχνολογίας των VCSELs από την εµφάνισή τους µέχρι τα τέλη του Πίνακας 4.2: Εφαρµογές των VCSELs 75 Πίνακας 4.3 Σύγκριση τιµών χαρακτηριστικών παραµέτρων των κλασικών ηµιαγωγικών λέιζερ και των επιφανειακής εκποµπής 83 Πίνακας 5.1 Τιµές που εξήχθησαν για τις παραµέτρους του µοντέλου µετά την εφαρµογή της µεθοδολογίας για τα δύο διαφορετικά VCSELs 108 Πίνακας 5.2 ιαφορετικά set τιµών των παραµέτρων του πυκνωτή C j και υπολογισµός του C j 110 Πίνακας 5.3 Οι τιµές των παραµέτρων που προκύπτουν για fitting σε τρεις διαφορετικές πολώσεις 112 Πίνακας 5.4 Τιµέ των παρασιτικών στοιχείων της πλακέτας δοκιµής 115 Πίνακας 5.5 Τιµές που εξήχθησαν για τις παραµέτρους του µοντέλου µετά την εφαρµογή της µεθοδολογίας 116 Πίνακας 6.1.Όλες οι παράµετροι του πλήρους µοντέλου 130 Πίνακας 6.2 Τιµές για όλες τις παραµέτρους που εξήχθησαν µε την εφαρµογή της προτεινόµενης µεθοδολογίας 140 Κυριακή Μινόγλου xx

21 ΠΙΝΑΚΑΣ ΣΥΝΤΜΗΣΕΩΝ Κυριακή Μινόγλου AELO AFM BCB BER BH BiCMOS BTJ CAD CMOS CMP COD CW DBR DFB DOES DUT ECL EEL ELO EMI FET FFP FSA FSO GPS GSEL HBT HDL IC LAN LD LDD LEDs LT MASA MBE MEMS MESFET MOCVD MSM NFP NMOS NRZ OE PCB Aligned Epitaxial Lift-Off Atomic Force Microscopy Benzocyclobutene Bit Error Rate Buried Heterostructure Bipolar CMOS Buried Tunnel Junction Computer-Aided Design Complementary Metal Oxide Semiconductor Chemical Mechanical Polishing Catastrophic Optic Damage Continuous Wave Distributed Bragg Reflector Distributed Feedback Double-Heterostructure Optoelectronic Switch Device Under Test External Cavity Laser Edge-Emitting Laser Epitaxial Lift-Off Electro-Magnetic Interference Field Effect Transistor Far-Field Pattern Fluidic Self-Assembly Free-Space Optics Global Positioning System Grating-outcoupled Surface-Emitting Laser Hetero Bipolar Transistor Hardware Description Language Integrated Circuit Local Area Network Laser Diode Laser Diode Driver Light Emitting Diodes Low Temperature Magnetically Assisted Statistical Assembly Molecular Beam Epitaxy Micro-Electro-Mechanical Systems Metal-Semiconductor Field Effect Transistor Metal Organic Chemical Vapor Deposition Metal-Semiconductor-Metal Near-Field Pattern N-channel Metal Oxide Semiconductor Non-Return-to-Zero, Οptoelectronics Printed Circuit Board xxi

22 PD PECVD POF PRBS QD RIE RPTV SAM SEM SFP SM SOC SOG SOI SOP SOS S-SEED TCE TEM TIA VCSEL VLSI VNA WDM WG Photodiode Plasma Enhanced Convention Vapor Deposition Plastic Optical Fibre Pseudo-Random-Bit-Stream Quantum Dot Reactive Ion Etching Rear-Projection Television Scanning Acoustic Microscopy Scanning Electron Microscopy Small Form-Factor Pluggable Single Mode System-on-Chip Spin-on-Glass Silicon-On-Insulator System-on-Package Silicon-On-Sapphire Symmetric Self-electro-optic Device Thermal Coefficient Expansion Transverse Electromagnetic Transimpedance Amplifier Vertical Cavity Surface Emitting Laser Very Large Scale Integration Vector Network Analyzer Wavelength Division Multiplexing Waveguide Κυριακή Μινόγλου xxii

23 ΠΡΟΛΟΓΟΣ Η παρούσα διδακτορική διατριβή εκπονήθηκε στο Ινστιτούτο Μικροηλεκτρονικής του Ε.Κ.Ε.Φ.Ε. ηµόκριτος, σε συνεργασία µε το Τµήµα Πληροφορικής του Πανεπιστηµίου Αθηνών. Όσον αφορά τη µελέτη των τεχνικών υβριδικής ολοκήρωσης µε την χρήση SOG/SiO 2 και κράµατος µετάλλων, αυτή διενεργήθηκε στα πλαίσια των Ευρωπαϊκών προγραµµάτων BONTEC και PICMOS αντίστοιχα. Οι πειραµατικές µετρήσεις των VCSELs πραγµατοποιήθηκαν στο Ινστιτούτο Μικροηλεκτρονικής και στο εργαστήριο οπτικών µετρήσεων του Τµήµατος Πληροφορικής. Κυριακή Μινόγλου xxiii

24 Κυριακή Μινόγλου xxiv

25 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ 1.1 Η System-On-Package τεχνολογία Η εκθετική αύξηση που χαρακτηρίζει τον τοµέα των ολοκληρωµένων ηλεκτρονικών και που, όπως είναι γνωστό, περιγράφεται µε το νόµο του Moore [1], σε συνδυασµό µε την αντίστοιχη εξάπλωση του internet οδήγησαν σε µεγάλες απαιτήσεις όσον αφορά το µεγάλο εύρος ζώνης και το χαµηλό κόστος των επικοινωνιακών δικτύων [2]. Όπως είναι γνωστό στον υπολογιστικό κόσµο το να έχει κανείς πολλά τρανζίστορ σε µία ψηφίδα (chip) σηµαίνει µεγαλύτερη ταχύτητα και πιθανώς περισσότερες λειτουργίες. Σε πολλές περιπτώσεις όµως ο νόµος του Moore για τα ολοκληρωµένα κυκλώµατα (ICs) αφορά µόνο το 10% ενός συστήµατος. Το υπόλοιπο 90% παραµένει και εµφανίζεται ως µια συστοιχία διακριτών παθητικών στοιχείων, όπως αντιστάσεις, χωρητικότητες, πηνία, κεραίες, φίλτρα και διακόπτες, τα οποία βρίσκονται συνδεδεµένα µεταξύ τους πάνω σε µία ή δύο πλακέτες τυπωµένου κυκλώµατος (PCB). Η πραγµατική βελτιστοποίηση απαιτεί εποµένως ένα συνδυασµό από ολοκληρωµένα κυκλώµατα µε διακριτά στοιχεία λεπτού φιλµ κλίµακας µικροµέτρου, όλα ενσωµατωµένα σε νέου τύπου συσκευασία (package) πολύ µικρής διάστασης. Η τεχνολογία που µόλις περιγράφηκε είναι η system-on-package (SOP), η οποία γνωρίζει πολύ µεγάλη άνθιση τα τελευταία χρόνια και απασχολεί αρκετές ερευνητικές οµάδες ανά τον κόσµο. Η τεχνολογία SOP αποτελεί µια εντελώς διαφορετική προσέγγιση των συστηµάτων καθώς µειώνει στο ελάχιστο τις ογκώδεις πλακέτες κυκλωµάτων µε τα εξαρτήµατά τους. Στην πραγµατικότητα θέτει ένα νέο νόµο στην ολοκλήρωση των συστηµάτων, καθώς δεν αναφέρεται µόνο στο διπλασιασµό των τρανζίστορ µέσα στα ολοκληρωµένα κυκλώµατα όπως ο νόµος του Moore, αλλά στο διπλασιασµό της πυκνότητας των στοιχείων σε ένα ολόκληρο σύστηµα και την αντίστοιχη αύξηση του πλήθους των λειτουργιών ενός SOP. Η τεχνολογία SOP ξεφεύγει από τη δοµή των ολοκληρωµένων συστηµάτων πάνω σε πλακέτα και επικεντρώνεται στη σύνδεση όλων των δοµικών στοιχείων (ολοκληρωµένα κυκλώµατα(ο.κ.), παθητικά στοιχεία, διασυνδέσεις) σε µια πολυστρωµατική (multilayer) συσκευασία. Το κύριο χαρακτηριστικό είναι εκτός από την αύξηση των στοιχείων, εποµένως και των λειτουργιών, η δυνατότητα για µείωση των διαστάσεων, µε αποτέλεσµα πιο γρήγορη επικοινωνία ανάµεσα στα Ο.Κ. σε χαµηλότερα ρεύµατα και Κυριακή Μινόγλου 1

26 τάσεις, εποµένως και µε χαµηλότερη κατανάλωση ισχύος. Επίσης µε τη SOP τεχνολογία δεν υπάρχει περιορισµός ως προς το υλικό κατασκευής των στοιχείων που χρησιµοποιούνται και εποµένως ξεπερνιούνται και τα σχετικά προβλήµατα που θέτει η system-on-chip (SOC) τεχνολογία, που προσπαθεί να συνδυάσει διαφορετικές τεχνολογίες πάνω αποκλειστικά σε πυρίτιο. Τα στοιχεία που χρησιµοποιούνται είναι κατασκευασµένα από Si, από GaAs ή από οποιοδήποτε άλλο υλικό είναι καταλληλότερο για τα ολοκληρωµένα κυκλώµατα και τα διακριτά στοιχεία. Για παράδειγµα τα ψηφιακά κυκλώµατα και κάποια RF όπως ενισχυτές και ταλαντωτές είναι ολοκληρωµένα κυκλώµατα πυριτίου, ενώ ανάµεσα στα στρώµατα της συσκευασίας ενσωµατώνονται ως λεπτά φιλµ κεραίες, πυκνωτές, πηνία, αντιστάσεις, φίλτρα, κρύσταλλοι και κυµατοδηγοί. Για εφαρµογές βιοαισθητήρων αναπτύσσονται αισθητήρες από µικροσκοπικά nanotubes και µικρο-ηλεκτρο-µηχανικά συστήµατα (MEMs). Στο σχήµα1.1 παρουσιάζεται η απεικόνιση ενός συστήµατος SOP, όπου γίνεται φανερή η λογική του many in one. Σχήµα 1.1: SOP το οποίο συνδυάζει τρεις διαφορετικούς τύπους κυκλωµάτων στα διηλεκτρικά στρώµατα [3] Περιλαµβάνει ένα οπτικό κύκλωµα (µε κυµατοδηγό και ανιχνευτή ακριβώς κάτω από την επιφάνεια), RF στοιχεία λεπτού φιλµ (αντιστάσεις, πηνία και κεραίες ενσωµατωµένα στη συσκευασία) και ψηφιακά στοιχεία λεπτού φιλµ (διηλεκτρικά χαµηλών απωλειών, αγωγοί χαµηλής αντίστασης, πυκνωτές αποσύζευξης) στο χαµηλότερο επίπεδο. Επιπλέον, υπάρχουν διάφορα συσκευασµένα ή όχι στοιχεία, όπως µνήµες flash, µικροεπεξεργαστές, system-on-chip (SOC), GaAs λέιζερ δίοδοι του οπτικού κυκλώµατος, MEMS. Ο χρόνος που απαιτείται για το σχεδιασµό και την κατασκευή ενός συστήµατος είναι µικρότερος µε την SOP τεχνολογία, καθώς δεν απαιτείται κάποια συγκεκριµένη τεχνολογία και εποµένως τα κατασκευαστικά βήµατα µπορούν να γίνουν Κυριακή Μινόγλου 2

27 παράλληλα. Τέλος, µε την τεχνολογία των SOP, µπορούν να δηµιουργηθούν οπτικοηλεκτρονικές διασυνδέσεις ανάµεσα στις ψηφίδες, αντικαθιστώντας τα σύρµατα χαλκού µε οπτικές ίνες και µε την ενσωµάτωση κυµατοδηγών, λέιζερ και ανιχνευτών. Για την εφαρµογή των SOP σε ευρεία κλίµακα απαιτείται η ανάπτυξη σε τρεις κυρίως τοµείς. Πρώτον, θα πρέπει να εξελιχθούν τα υπάρχοντα εργαλεία για ταυτόχρονο σχεδιασµό αναλογικών, ψηφιακών και οπτικών κυκλωµάτων συµπεριλαµβανοµένων των συσκευασιών. εύτερον θα πρέπει να επέλθουν αλλαγές στον τοµέα κατασκευής των σηµερινών ολοκληρωµένων κυκλωµάτων και των συσκευασιών. Οι εταιρείες σχεδιάζουν και κατασκευάζουν τα ολοκληρωµένα κυκλώµατα αλλά εξαρτώνται συνήθως από άλλες εταιρίες για τη συσκευασία τους. Αντίστοιχα, οι εταιρείες σχεδιασµού συστηµάτων βασίζονται σε αυτές που τους παρέχουν τα συσκευασµένα ολοκληρωµένα κυκλώµατα, τις πλακέτες και που αναλαµβάνουν την συναρµολόγηση (assembly) όλου του συστήµατος. Όλο αυτό το µοντέλο που ακολουθείται θα πρέπει να αλλάξει αν υιοθετηθεί η µέθοδος των SOP, καθώς εξαιτίας του τρόπου µε τον οποίο τα SOP σχεδιάζονται και ολοκληρώνονται απαιτούν την ταυτόχρονη ανάπτυξη και κατασκευή τους. Τέλος, η τρίτη αλλαγή που πρέπει να επέλθει σχετίζεται µε τις τεχνολογίες που εφαρµόζονται αν σκεφτεί κανείς την υβριδική φύση των υποστρωµάτων που χρησιµοποιούνται στα SOP. Απαιτούνται στάδια επεξεργασίας λεπτών φιλµ σε καθαρούς χώρους όπως ακριβώς στην κατασκευή των ολοκληρωµένων κυκλωµάτων, που να είναι χαµηλού κόστους και να µπορούν να εφαρµοστούν σε µεγάλη επιφάνεια του δισκιδίου. Ειδικότερα στον τοµέα των οπτικών, η δυνατότητα που παρέχουν τα MOEMS να ενσωµατώνουν τα οπτικά στοιχεία µέσα σε ένα σύστηµα όπου είναι εφικτή η ακριβής και ελεγχόµενη κίνηση, εποµένως και ο δυναµικός και µεγάλης ακριβείας έλεγχος της φωτεινής δέσµης, αποτελεί σηµαντικό χαρακτηριστικό τους και τα κάνει να ξεχωρίζουν από τα κλασικά οπτικά. Έχοντας στο νου την µεγάλη πρόοδο που έχει σηµειωθεί ήδη στον τοµέα των SOP και των MOEMS αλλά και τη γενικότερη εξέλιξη που αναµένεται να σηµειωθεί στο χώρο της υβριδικής ολοκλήρωσης τέτοιων δοµών, µπορούµε να σκεφτούµε µια πληθώρα πρακτικών και ταυτόχρονα µεγάλης εµπορικής σηµασίας εφαρµογών που µπορούν να αναπτυχθούν ή να εξελιχθούν. Εφαρµογές οι οποίες βασίζονται στα SOP και στα MOEMS µπορεί να έχουν σχέση µε το διάστηµα (µικροδορυφόροι της τάξης των kg έως τους femto-δορυφόρους της τάξης των <0,1kg, τηλεµετρία, συστήµατα ελέγχου της τροχιάς, προωθητικά συστήµατα, µικρο-µπαταρίες, επιταχυνσιόµετρα και γυροσκόπια, µικρο-φασµατογράφοι), την αµυντική βιοµηχανία (έλεγχος της αεροδυναµικής των αεροπλάνων, µονάδες οδήγησης πάνω σε ψηφίδες για Κυριακή Μινόγλου 3

Το υποσύστηµα "αίσθησης" απαιτήσεις και επιδόσεις φυσικά µεγέθη γενική δοµή και συγκρότηση

Το υποσύστηµα αίσθησης απαιτήσεις και επιδόσεις φυσικά µεγέθη γενική δοµή και συγκρότηση Το υποσύστηµα "αίσθησης" απαιτήσεις και επιδόσεις φυσικά µεγέθη γενική δοµή και συγκρότηση Το υποσύστηµα "αίσθησης" είσοδοι της διάταξης αντίληψη του "περιβάλλοντος" τροφοδοσία του µε καθορίζει τις επιδόσεις

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ : ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΔΙΑΡΚΕΙΑ: 1 περιόδος. 24/11/2011 12:09 Όνομα: Λεκάκης Κωνσταντίνος καθ. Τεχνολογίας

ΘΕΜΑ : ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΔΙΑΡΚΕΙΑ: 1 περιόδος. 24/11/2011 12:09 Όνομα: Λεκάκης Κωνσταντίνος καθ. Τεχνολογίας ΘΕΜΑ : ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΔΙΑΡΚΕΙΑ: 1 περιόδος 24/11/2011 12:09 καθ. Τεχνολογίας ΜΙΚΡΟΕΠΕΞΕΡΓΑΣΤΗΣ Ένας μικροεπεξεργαστής είναι ένα ολοκληρωμένο κύκλωμα που επεξεργάζεται όλες τις πληροφορίες σε ένα

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή Σε Ολοκληρωµένα Κυκλώµατα (Microchips) Αναλογικά ή Ψηφιακά Κυκλώµατα;

Εισαγωγή Σε Ολοκληρωµένα Κυκλώµατα (Microchips) Αναλογικά ή Ψηφιακά Κυκλώµατα; Εισαγωγή Σε Ολοκληρωµένα Κυκλώµατα (Microchips) ρ. Ιούλιος Γεωργίου Further Reading Texts: Design of Analog CMOS Integrated Circuits Behzad Razavi Microelectronic Circuits, Sedra & Smith Αναλογικά ή Ψηφιακά

Διαβάστε περισσότερα

http://www.electronics.teipir.gr /personalpages/papageorgas/ download/3/

http://www.electronics.teipir.gr /personalpages/papageorgas/ download/3/ Δίοδος επαφής 1 http://www.electronics.teipir.gr /personalpages/papageorgas/ download/3/ 2 Θέματα που θα καλυφθούν Ορθή πόλωση Forward bias Ανάστροφη πόλωση Reverse bias Κατάρρευση Breakdown Ενεργειακά

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στις κρυσταλλολυχνίες (Transistors)

Εισαγωγή στις κρυσταλλολυχνίες (Transistors) Εισαγωγή στις κρυσταλλολυχνίες (Transistors) Dr. Petros Panayi Διακόπτες Ένας διακόπτης είναι μια συσκευή που αλλάζει τη ροή ενός κυκλώματος. Το πρότυπο είναι μια μηχανική συσκευή (παραδείγματος χάριν

Διαβάστε περισσότερα

Θέµατα που θα καλυφθούν

Θέµατα που θα καλυφθούν Ηµιαγωγοί Semiconductors 1 Θέµατα που θα καλυφθούν Αγωγοί Conductors Ηµιαγωγοί Semiconductors Κρύσταλλοι πυριτίου Silicon crystals Ενδογενείς Ηµιαγωγοί Intrinsic semiconductors ύο τύποι φορέων για το ρεύµασεηµιαγωγούς

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΙΑΦΟΡΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ 1 1-1 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε BJT s 1 και ιπλή Έξοδο Ανάλυση µε το Υβριδικό Ισοδύναµο του Τρανζίστορ 2 Ανάλυση µε βάση τις Ενισχύσεις των Βαθµίδων CE- 4

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ενότητα 10: Κατασκευή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ενότητα 10: Κατασκευή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 10: Κατασκευή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών

Διαβάστε περισσότερα

Μετρήσεις Διατάξεων Laser Ανιχνευτές Σύμφωνης Ακτινοβολίας. Ιωάννης Καγκλής Φυσικός Ιατρικής Ακτινοφυσικός

Μετρήσεις Διατάξεων Laser Ανιχνευτές Σύμφωνης Ακτινοβολίας. Ιωάννης Καγκλής Φυσικός Ιατρικής Ακτινοφυσικός Μετρήσεις Διατάξεων Laser Ανιχνευτές Σύμφωνης Ακτινοβολίας Ιωάννης Καγκλής Φυσικός Ιατρικής Ακτινοφυσικός Maximum Permissible Exposure (MPE) - Nominal Hazard Zone (NHZ) Μέγιστη Επιτρεπτή Έκθεση (MPE) Το

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ A. Πίνακες αληθείας λογικών πυλών. Στη θετική λογική το λογικό 0 παριστάνεται µε ένα χαµηλό δυναµικό, V L, ενώ το λογικό 1

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 4. ΕΙ ΙΚΕΣ ΙΟ ΟΙ. ίοδος zener. Χαρακτηριστική καµπύλη διόδου zener. Χαρακτηριστική καµπύλη διόδου Zener

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 4. ΕΙ ΙΚΕΣ ΙΟ ΟΙ. ίοδος zener. Χαρακτηριστική καµπύλη διόδου zener. Χαρακτηριστική καµπύλη διόδου Zener 4. Ειδικές ίοδοι - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 4. ΕΙ ΙΚΕΣ ΙΟ ΟΙ ίοδος zener Χαρακτηριστική καµπύλη διόδου zener Τάση Zener ( 100-400 V για µια απλή δίοδο) -V Άνοδος Ι -Ι Κάθοδος V Τάση zener V Z I Ζ 0,7V

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν 1. Εισαγωγικά στοιχεία ηλεκτρονικών - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 1. ΘΕΜΕΛΙΩ ΕΙΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΑΙ ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Ηλεκτρικό στοιχείο: Κάθε στοιχείο που προσφέρει, αποθηκεύει και καταναλώνει

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 1-1 Ενεργειακές Ζώνες 3 1-2 Αµιγείς και µη Αµιγείς Ηµιαγωγοί 5 ότες 6 Αποδέκτες 8 ιπλοί ότες και Αποδέκτες 10 1-3 Γένεση, Παγίδευση και Ανασύνδεση Φορέων 10 1-4 Ένωση pn

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 1ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 1ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα ο. Λιούπης Ύλη του µαθήµατος () Ψηφιακά ολοκληρωµένα κυκλώµατα Πλεονεκτήµατα-µειονεκτήµατα Λογικές οικογένειες Χαρακτηριστικά Λογική άµεσα συζευγµένων transistor Λογική αντίστασης-transistor

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΧΗΜΕΙΑΣ & Τ/Υ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΦΥΣΙΚΗΣ ΟΠΤΙΚΗΣ - ΟΠΤΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ & LASER

ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΧΗΜΕΙΑΣ & Τ/Υ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΦΥΣΙΚΗΣ ΟΠΤΙΚΗΣ - ΟΠΤΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ & LASER ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΧΗΜΕΙΑΣ & Τ/Υ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΦΥΣΙΚΗΣ ΟΠΤΙΚΗΣ - ΟΠΤΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ & LASER ΑΣΚΗΣΗ ΝΟ6 ΜΕΛΕΤΗ ΦΩΤΟΗΛΕΚΤΡΙΚΟΥ ΦΑΙΝΟΜΕ- ΝΟΥ ΜΕ ΧΡΗΣΗ ΦΩΤΟΕΚΠΕΜΠΟΥΣΩΝ ΙΟ ΩΝ (LEDS) Γ. Μήτσου Α. Θεωρία 1. Εισαγωγή

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 3ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 3ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 3ο. Λιούπης Χαρακτηριστική καµπύλη µεταφοράς τάσης TTL V out (volts) εγγυηµένη περιοχή V OH V OH(min) V OL(max) 2.4 Ηκαµπύλη µεταφοράς εξαρτάται από τη θερµοκρασία περιβάλλοντος

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στα κυκλώµατα CMOS 2

Εισαγωγή στα κυκλώµατα CMOS 2 1 η Θεµατική Ενότητα : Εισαγωγή στα κυκλώµατα CMOS Επιµέλεια διαφανειών:. Μπακάλης Εισαγωγή Τεχνολογία CMOS = Complementary Metal Oxide Semiconductor Συµπληρωµατικού Ηµιαγωγού Μετάλλου Οξειδίου Αποτελείται

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4ο ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Διπολικά τρανζίστορ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar ή BJT) είναι ένας κρύσταλλος τριών στρωμάτων με διαφορετικό επίπεδο εμπλουτισμού: τον εκπομπό Ε, τη βάση

Διαβάστε περισσότερα

Πώς γίνεται η µετάδοση των δεδοµένων µέσω οπτικών ινών:

Πώς γίνεται η µετάδοση των δεδοµένων µέσω οπτικών ινών: 1 ΔΟΜΗ ΟΠΤΙΚΗΣ ΙΝΑΣ Κάθε οπτική ίνα αποτελείται από τρία μέρη: Την κεντρική γυάλινη κυλινδρική ίνα, που ονομάζεται πυρήνας(core core) και είναι το τμήμα στο οποίο διαδίδεται το φως. Την επικάλυψη (απλή

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής 3 Ενισχυτές Μετρήσεων 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής Πολλές φορές ένας ενισχυτής σχεδιάζεται ώστε να αποκρίνεται στη διαφορά µεταξύ δύο σηµάτων εισόδου. Ένας τέτοιος ενισχυτής ονοµάζεται ενισχυτής διαφοράς

Διαβάστε περισσότερα

ΠΑΡΑΓΩΓΗ ΜΙΚΡΟΚΥΜAΤΩΝ ΜΕ ΔΙΟΔΟ GUNN

ΠΑΡΑΓΩΓΗ ΜΙΚΡΟΚΥΜAΤΩΝ ΜΕ ΔΙΟΔΟ GUNN ΠΑΡΑΓΩΓΗ ΜΙΚΡΟΚΥΜAΤΩΝ ΜΕ ΔΙΟΔΟ GUNN Το φαινόμενο Gunn, ή το φαινόμενο των μεταφερόμενων ηλεκτρονίων, που ανακαλύφθηκε από τον Gunn το 1963 δηλώνει ότι όταν μια μικρή τάση DC εφαρμόζεται κατά μήκος του

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο Τρία: Ψηφιακά Ηλεκτρονικά

Κεφάλαιο Τρία: Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Κεφάλαιο Τρία: 3.1 Τι είναι αναλογικό και τι ψηφιακό µέγεθος Αναλογικό ονοµάζεται το µέγεθος που µπορεί να πάρει οποιαδήποτε τιµή σε µια συγκεκριµένη περιοχή τιµών π.χ. η ταχύτητα ενός αυτοκινήτου. Ψηφιακό

Διαβάστε περισσότερα

Συλλογή μεταφορά και έλεγχος Δεδομένων ΘΟΡΥΒΟΣ - ΓΕΙΩΣΕΙΣ

Συλλογή μεταφορά και έλεγχος Δεδομένων ΘΟΡΥΒΟΣ - ΓΕΙΩΣΕΙΣ Συλλογή μεταφορά και έλεγχος Δεδομένων ΘΟΡΥΒΟΣ - ΓΕΙΩΣΕΙΣ ΘΟΡΥΒΟΣ - ΓΕΙΩΣΕΙΣ Σε ένα ηλεκτρικό κύκλωμα δημιουργούνται ανεπιθύμητα ηλεκτρικά σήματα, που οφείλεται σε διάφορους παράγοντες, καθώς επίσης και

Διαβάστε περισσότερα

10η Ενότητα: Το υποσύστημα "αίσθησης"

10η Ενότητα: Το υποσύστημα αίσθησης 10η Ενότητα: Το υποσύστημα "αίσθησης" απαιτήσεις και επιδόσεις φυσικά μεγέθη γενική δομή και συγκρότηση ΤΕΙ Πειραιά Καθηγητής Γ. Χαμηλοθώρης ΜΗΧΑΤΡΟΝΙΚΗ ISL I nt el l i gent Syst ems Lab 1 Το υποσύστημα

Διαβάστε περισσότερα

Ασκήσεις στα Συστήµατα Ηλεκτρονικών Επικοινωνιών Κεφάλαιο 3 ο : ΕΙΣΑΓΩΓΗ στις ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΜΑΓΝΗΤΙΚΟ ΚΥΜΑ και ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΙΑΜΟΡΦΩΣΗΣ

Ασκήσεις στα Συστήµατα Ηλεκτρονικών Επικοινωνιών Κεφάλαιο 3 ο : ΕΙΣΑΓΩΓΗ στις ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΜΑΓΝΗΤΙΚΟ ΚΥΜΑ και ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΙΑΜΟΡΦΩΣΗΣ Κεφάλαιο 3 ο : ΕΙΣΑΓΩΓΗ στις ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΜΑΓΝΗΤΙΚΟ ΚΥΜΑ και ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΙΑΜΟΡΦΩΣΗΣ 1. Ποµπός ΑΜ εκπέµπει σε φέρουσα συχνότητα 1152 ΚΗz, µε ισχύ φέροντος 10KW. Η σύνθετη αντίσταση της κεραίας είναι

Διαβάστε περισσότερα

1) Ταχύτητα. (Χρόνος καθυστερήσεως της διαδόσεως propagation delay Tpd ). Σχήμα 11.1β Σχήμα 11.1γ

1) Ταχύτητα. (Χρόνος καθυστερήσεως της διαδόσεως propagation delay Tpd ). Σχήμα 11.1β Σχήμα 11.1γ Κεφάλαιο 11 ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 11.1. Εισαγωγή Τα ψηφιακά κυκλώματα κατασκευάζονται κυρίως με χρήση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων (που λέγονται για συντομία ICs INTEGRATED CIRCUITS). Κάθε IC είναι ένας μικρός

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 15 Μελέτη φωτοδιόδου (φωτοανιχνευτή) και διόδου εκπομπής φωτός LED

ΑΣΚΗΣΗ 15 Μελέτη φωτοδιόδου (φωτοανιχνευτή) και διόδου εκπομπής φωτός LED ΑΣΚΗΣΗ 15 Μελέτη φωτοδιόδου (φωτοανιχνευτή) και διόδου εκπομπής φωτός LED Απαραίτητα όργανα και υλικά 15.1 Απαραίτητα όργανα και υλικά 1. LED, Φωτοδίοδοι (φωτοανιχνευτές). 2. Τροφοδοτικό με δύο εξόδους.

Διαβάστε περισσότερα

Μάθηµα 3 ο : Το δορυφορικό τηλεπικοινωνιακό υποσύστηµα

Μάθηµα 3 ο : Το δορυφορικό τηλεπικοινωνιακό υποσύστηµα Μάθηµα 3 ο : Το δορυφορικό τηλεπικοινωνιακό υποσύστηµα Στόχοι: Στο τέλος αυτού του µαθήµατος ο σπουδαστής θα γνωρίζει: Tη δοµή και τις βασικές λειτουργίες ενός δορυφορικού τηλεπικοινωνιακού υποσυστήµατος

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (2 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (2 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (2 η σειρά διαφανειών) Τα ψηφιακά ηλεκτρονικά κυκλώματα χωρίζονται σε κατηγορίες ( λογικές οικογένειες ) ανάλογα με την τεχνολογία κατασκευής

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 5ο. Λιούπης Τεχνολογία CMOS Υλοποιεί την πλειοψηφία των µοντέρνων ψηφιακών κυκλωµάτων λογικές πύλες µνήµες επεξεργαστές άλλα σύνθετα κυκλώµατα Συνδυάζει συµπληρωµατικά pmos και

Διαβάστε περισσότερα

ιδάσκων: Λευτέρης Λοιδωρίκης Π1 0-7146

ιδάσκων: Λευτέρης Λοιδωρίκης Π1 0-7146 Φωτονικά Υλικά ιδάσκων: Λευτέρης Λοιδωρίκης Π1 0-7146 Τεχνολογίες φωτός σήμερα Το φώς έχει εισχωρήσει προ πολλού στη ζωή μας Ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία Καλύπτει πολύ μεγάλο φάσμα Συστατικά τεχνολογίας

Διαβάστε περισσότερα

Δίοδοι Ορισμός της διόδου - αρχή λειτουργίας Η δίοδος είναι μια διάταξη από ημιαγώγιμο υλικό το οποίο επιτρέπει την διέλευση ροής ρεύματος μόνο από

Δίοδοι Ορισμός της διόδου - αρχή λειτουργίας Η δίοδος είναι μια διάταξη από ημιαγώγιμο υλικό το οποίο επιτρέπει την διέλευση ροής ρεύματος μόνο από Δίοδοι Ορισμός της διόδου - αρχή λειτουργίας Η δίοδος είναι μια διάταξη από ημιαγώγιμο υλικό το οποίο επιτρέπει την διέλευση ροής ρεύματος μόνο από την μία κατεύθυνση, ανάλογα με την πόλωσή της. Κατασκευάζεται

Διαβάστε περισσότερα

ίκτυα Υπολογιστών και Επικοινωνία ίκτυα Υπολογιστών & Επικοινωνία ΙΑΛΕΞΗ 8 Η Παντάνο Ρόκου Φράνκα 1 ιάλεξη 8: Το Φυσικό Επίπεδο

ίκτυα Υπολογιστών και Επικοινωνία ίκτυα Υπολογιστών & Επικοινωνία ΙΑΛΕΞΗ 8 Η Παντάνο Ρόκου Φράνκα 1 ιάλεξη 8: Το Φυσικό Επίπεδο ίκτυα Υπολογιστών & Επικοινωνία ΙΑΛΕΞΗ 8 Η ιδάσκουσα: Παντάνο Ρόκου Φράνκα Παντάνο Ρόκου Φράνκα 1 ιάλεξη 8 η : Το Φυσικό Επίπεδο Το Φυσικό Επίπεδο ιάδοση Σήµατος Ηλεκτροµαγνητικά Κύµατα Οπτικές Ίνες Γραµµές

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ: Τεχνολογία Κατασκευής Ολοκληρωµένων Κυκλωµάτων

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ: Τεχνολογία Κατασκευής Ολοκληρωµένων Κυκλωµάτων ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ: Τεχνολογία Κατασκευής Ολοκληρωµένων Κυκλωµάτων Required Text: Microelectronic Devices, Keith Leaver (6 th Chapter) Τεχνολογία Κατασκευής Ολοκληρωµένων Κυκλωµάτων Si SiO 2

Διαβάστε περισσότερα

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 3. ΙΟ ΟΣ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΙΟ ΩΝ Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου

ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου Απαραίτητα όργανα και υλικά ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου 7. Απαραίτητα όργανα και υλικά. Τροφοδοτικό DC.. Πολύμετρα (αμπερόμετρο, βολτόμετρο).. Πλακέτα για την

Διαβάστε περισσότερα

Bασική διάταξη τηλεπικοινωνιακού συστήµατος οπτικών ινών

Bασική διάταξη τηλεπικοινωνιακού συστήµατος οπτικών ινών ΕΙ ΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ - διαφάνεια 1 - Bασική διάταξη τηλεπικοινωνιακού συστήµατος οπτικών ινών ιαµορφωτής Ηλεκτρικό Σήµα Ποµπός Οπτικό Σήµα Οπτική Ίνα διαµορφωτής: διαµορφώνει τη φέρουσα συχνότητα

Διαβάστε περισσότερα

Σύντομο Βιογραφικό v Πρόλογος vii Μετατροπές Μονάδων ix Συμβολισμοί xi. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 ο : ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΤΗΣ ΜΕΤΑΔΟΣΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ

Σύντομο Βιογραφικό v Πρόλογος vii Μετατροπές Μονάδων ix Συμβολισμοί xi. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 ο : ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΤΗΣ ΜΕΤΑΔΟΣΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ Περιεχόμενα ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ Σύντομο Βιογραφικό v Πρόλογος vii Μετατροπές Μονάδων ix Συμβολισμοί xi ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 ο : ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΤΗΣ ΜΕΤΑΔΟΣΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ 1.1 Θερμοδυναμική και Μετάδοση Θερμότητας 1 1.2

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. 12. ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)-Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ ιαφάνεια 1 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. Αρχή

Διαβάστε περισσότερα

4. Παρατηρείστε το ίχνος ενός ηλεκτρονίου (click here to select an electron

4. Παρατηρείστε το ίχνος ενός ηλεκτρονίου (click here to select an electron Τα ηλεκτρόνια στα Μέταλλα Α. Χωρίς ηλεκτρικό πεδίο: 1. Τι είδους κίνηση κάνουν τα ηλεκτρόνια; Τα ηλεκτρόνια συγκρούονται μεταξύ τους; 2. Πόσα ηλεκτρόνια περνάνε προς τα δεξιά και πόσα προς τας αριστερά

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (1 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (1 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (1 η σειρά διαφανειών) Τα ηλεκτρονικά κυκλώματα, ιδιαίτερα τα ψηφιακά χρησιμοποιούνται για την υλοποίηση λογικών συναρτήσεων και την αποθήκευση

Διαβάστε περισσότερα

ΜΕΤΑΤΡΟΠΕΙΣ ΣΥΝΕΧΟΥΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ

ΜΕΤΑΤΡΟΠΕΙΣ ΣΥΝΕΧΟΥΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΜΑΘ.. 12 ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟΥΣ ΜΕΤΑΤΡΟΠΕΙΣ ΣΥΝΕΧΟΥΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ 1. ΓΕΝΙΚΑ Οι μετατροπείς συνεχούς ρεύματος επιτελούν τη μετατροπή μιας τάσης συνεχούς μορφής, σε συνεχή τάση με ρυθμιζόμενο σταθερό πλάτος ή και πολικότητα.

Διαβάστε περισσότερα

ΟΠΤΙΚΕΣ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ ΚΑΙ ΟΠΤΙΚΑ ΙΚΤΥΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΟΠΤΙΚΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΚΑΙ ΣΤΑ ΟΠΤΙΚΑ ΦΙΛΤΡΑ

ΟΠΤΙΚΕΣ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ ΚΑΙ ΟΠΤΙΚΑ ΙΚΤΥΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΟΠΤΙΚΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΚΑΙ ΣΤΑ ΟΠΤΙΚΑ ΦΙΛΤΡΑ ΕΘΝΙΚΟ ΚΑΙ ΚΑΠΟ ΙΣΤΡΙΑΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΑΘΗΝΩΝ ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΟΠΤΙΚΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΜΑΘΗΜΑ: ΟΠΤΙΚΕΣ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ ΚΑΙ ΟΠΤΙΚΑ ΙΚΤΥΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΟΠΤΙΚΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

Διαβάστε περισσότερα

ΟΠΤΙΚΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Μάθημα 6ο Φωτοπηγές Φωτοεκπέμπουσες δίοδοι LED. Αρ. Τσίπουρας, Phd ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ &ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ

ΟΠΤΙΚΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Μάθημα 6ο Φωτοπηγές Φωτοεκπέμπουσες δίοδοι LED. Αρ. Τσίπουρας, Phd   ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ &ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΟΠΤΙΚΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Μάθημα 6ο Φωτοπηγές Φωτοεκπέμπουσες δίοδοι LED Αρ. Τσίπουρας, Phd Email: aris@di.uoa.gr 1 Περιεχόμενα Παραγωγή φωτός Απαιτούμενα χαρακτηριστικά φωτοπηγών Λειτουργία LED 2 Εκπομπή φωτός

Διαβάστε περισσότερα

2. ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ. e-book ΛΟΓΙΚΗ ΣΧΕ ΙΑΣΗ ΑΣΗΜΑΚΗΣ-ΒΟΥΡΒΟΥΛΑΚΗΣ- ΚΑΚΑΡΟΥΝΤΑΣ-ΛΕΛΙΓΚΟΥ 1

2. ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ. e-book ΛΟΓΙΚΗ ΣΧΕ ΙΑΣΗ ΑΣΗΜΑΚΗΣ-ΒΟΥΡΒΟΥΛΑΚΗΣ- ΚΑΚΑΡΟΥΝΤΑΣ-ΛΕΛΙΓΚΟΥ 1 2. ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ e-book ΛΟΓΙΚΗ ΣΧΕ ΙΑΣΗ ΑΣΗΜΑΚΗΣ-ΒΟΥΡΒΟΥΛΑΚΗΣ- ΚΑΚΑΡΟΥΝΤΑΣ-ΛΕΛΙΓΚΟΥ 1 ΟΙ ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ NOT, AND ΚΑΙ OR Οι βασικές πράξεις της Άλγεβρας Boole είναι οι πράξεις NOT, ANDκαι OR. Στα ψηφιακά

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2ο ΑΝΤΙΣΤΑΣΕΙΣ Θερμική ενέργεια Q και Ισχύς Ρ Όταν μια αντίσταση R διαρρέεται από ρεύμα Ι για χρόνο t, τότε παράγεται θερμική ενέργεια Q. Για το συνεχές ρεύμα η ισχύς

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Α. Αναστροφέας MOSFET. Α.1 Αναστροφέας MOSFET µε φορτίο προσαύξησης. Ο αναστροφέας MOSFET (πύλη NOT) αποτελείται από

Διαβάστε περισσότερα

Ροµποτικοί Επενεργητές Σερβοκινητήρες Πνευµατικοί Υδραυλικοί Ηλεκτρικοί

Ροµποτικοί Επενεργητές Σερβοκινητήρες Πνευµατικοί Υδραυλικοί Ηλεκτρικοί Ηλεκτρικό & Ηλεκτρονικό Υποσύστηµα ενός Ροµπότ Επενεργητές Αισθητήρες Σύστηµα Ελέγχου Επενεργητές στη Ροµποτική Απαιτήσεις Ροµποτικών Επενεργητών χαµηλή αδράνεια µεγάλη σχέση ισχύος-βάρους, ικανότητα ανάπτυξης

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΑΥΤΟΜΑΤΟΥ ΕΛΕΓΧΟΥ ΣΑΕ ΙΙ. Αισθητήρια θερμοκρασίας Εισαγωγή

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΑΥΤΟΜΑΤΟΥ ΕΛΕΓΧΟΥ ΣΑΕ ΙΙ. Αισθητήρια θερμοκρασίας Εισαγωγή ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΑΥΤΟΜΑΤΟΥ ΕΛΕΓΧΟΥ ΣΑΕ ΙΙ Εργαστηριακή Άσκηση 1 Αισθητήρια θερμοκρασίας Εισαγωγή Η μέτρηση της θερμοκρασίας είναι μια σημαντική ασχολία για τους μηχανικούς παραγωγής γιατί είναι, συνήθως,

Διαβάστε περισσότερα

ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ Δ ΝΑΙ ΝΑΙ ΝΑΙ ΝΑΙ

ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ Δ ΝΑΙ ΝΑΙ ΝΑΙ ΝΑΙ Φ Υ Λ Λ Ο Σ Υ Μ Μ Ο Ρ Φ Ω Σ Η Σ Νο 1 α/α Περιγραφή Προδιαγραφής Απαίτηση Απάντηση Παραπομπή ΦΩΤΙΣΤΙΚΑ ΣΩΜΑΤΑ LED, ΥΠΟΓΕΙΑΣ ΔΙΑΒΑΣΗΣ Κατασκευαστής φωτιστικού/ μοντέλο : 1. Φωτιστικό τεχνολογίας led με σύστημα

Διαβάστε περισσότερα

HELECO 05. Αθανάσιος Νταγκούµας, Νίκος Λέττας, ηµήτρης Τσιαµήτρος, Γρηγόρης Παπαγιάννης, Πέτρος Ντοκόπουλος

HELECO 05. Αθανάσιος Νταγκούµας, Νίκος Λέττας, ηµήτρης Τσιαµήτρος, Γρηγόρης Παπαγιάννης, Πέτρος Ντοκόπουλος HELECO 05 ΟΙΚΟΝΟΜΙΚΕΣ ΚΑΙ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΙΚΕΣ ΕΠΙΠΤΩΣΕΙΣ ΑΠΟ ΤΗΝ ΕΦΑΡΜΟΓΗ ΕΝΟΣ ΣΥΣΤΗΜΑΤΟΣ ΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΚΑΤΑΝΑΛΩΣΗΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΣΕ ΕΥΡΩΠΑΪΚΟ ΕΠΙΠΕ Ο Αθανάσιος Νταγκούµας, Νίκος Λέττας, ηµήτρης Τσιαµήτρος,

Διαβάστε περισσότερα

ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ 2015 Β ΦΑΣΗ. Γ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ (1ος Κύκλος) ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ Ηµεροµηνία: Κυριακή 19 Απριλίου 2015 ιάρκεια Εξέτασης: 3 ώρες

ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ 2015 Β ΦΑΣΗ. Γ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ (1ος Κύκλος) ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ Ηµεροµηνία: Κυριακή 19 Απριλίου 2015 ιάρκεια Εξέτασης: 3 ώρες ΤΑΞΗ: ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ: ΜΑΘΗΜΑ: Α.1. Γ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ (1ος Κύκλος) ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ Ηµεροµηνία: Κυριακή 19 Απριλίου 2015 ιάρκεια Εξέτασης: 3 ώρες ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α Α Για τις προτάσεις που ακολουθούν,

Διαβάστε περισσότερα

Κατηγορίες Αντιστατών. Σταθεροί Ροοστάτες (µεταβλητοί) Ποτενσιόµετρα (µεταβλητοί)

Κατηγορίες Αντιστατών. Σταθεροί Ροοστάτες (µεταβλητοί) Ποτενσιόµετρα (µεταβλητοί) Κατηγορίες Αντιστατών Σταθεροί Ροοστάτες (µεταβλητοί) Ποτενσιόµετρα (µεταβλητοί) 1 Παράµετροι Αντιστατών Τιµή Ισχύς Ανοχή Θερµοκρασιακός συντελεστής αντίστασης Θόρυβος Χρόνος ζωής 2 Τύποι Αντιστατών Οι

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝ ΕΙΚΤΙΚΑ ΠΑΡΑ ΕΙΓΜΑΤΑ ΚΡΙΤΗΡΙΩΝ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗΣ

ΕΝ ΕΙΚΤΙΚΑ ΠΑΡΑ ΕΙΓΜΑΤΑ ΚΡΙΤΗΡΙΩΝ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗΣ ΕΝ ΕΙΚΤΙΚΑ ΠΑΡΑ ΕΙΓΜΑΤΑ ΚΡΙΤΗΡΙΩΝ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗΣ 1ο Παράδειγµα κριτηρίου (εξέταση στο µάθηµα της ηµέρας) ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΜΑΘΗΤΗ ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ:... ΤΑΞΗ:... ΤΜΗΜΑ:... ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ:... ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ:... Σκοπός της

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΟΤΗΤΑ 3 3.0 ΜΕΣΑ ΜΕΤΑΔΟΣΗΣ ΕΙΣΑΓΩΓΗ

ΕΝΟΤΗΤΑ 3 3.0 ΜΕΣΑ ΜΕΤΑΔΟΣΗΣ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΕΝΟΤΗΤΑ 3 3.0 ΜΕΣΑ ΜΕΤΑΔΟΣΗΣ ΕΙΣΑΓΩΓΗ Όπως είναι ήδη γνωστό, ένα σύστημα επικοινωνίας περιλαμβάνει τον πομπό, το δέκτη και το κανάλι επικοινωνίας. Στην ενότητα αυτή, θα εξετάσουμε τη δομή και τα χαρακτηριστικά

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικο-ηλεκτρονική Εισαγωγή

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικο-ηλεκτρονική Εισαγωγή Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικο-ηλεκτρονική Εισαγωγή Α ΕΞΑΜΗΝΟ ΣΠΟΥΔΩΝ α/α Τίτλος Μαθήματος Ωρες Διδασκαλίας ΣΥΝΟΛΟ Θεωρία Ασκ. Πράξης Εργαστ. 1 Μαθηματικά Ι 4 3 1 0 2 Φυσική 6 3 1 2 3 Η//N Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Διαβάστε περισσότερα

ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΕΠΟΠΤΙΚΟ ΥΛΙΚΟ

ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΕΠΟΠΤΙΚΟ ΥΛΙΚΟ ΤΕΙ ΣΤΕΡΕΑΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΕΠΟΠΤΙΚΟ ΥΛΙΚΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΕΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ Χ. ΤΣΩΝΟΣ ΛΑΜΙΑ 2013 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16

Διαβάστε περισσότερα

ΕΙ ΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ & ΘΕΜΑΤΑ ΠΕΡΑΣΜΕΝΩΝ ΕΞΕΤΑΣΤΙΚΩΝ ΠΕΡΙΟ ΩΝ

ΕΙ ΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ & ΘΕΜΑΤΑ ΠΕΡΑΣΜΕΝΩΝ ΕΞΕΤΑΣΤΙΚΩΝ ΠΕΡΙΟ ΩΝ ΕΙ ΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ & ΘΕΜΑΤΑ ΠΕΡΑΣΜΕΝΩΝ ΕΞΕΤΑΣΤΙΚΩΝ ΠΕΡΙΟ ΩΝ α. Τι ονοµάζουµε διασπορά οπτικού παλµού σε µια οπτική ίνα; Ποια φαινόµενα παρατηρούνται λόγω διασποράς; (Αναφερθείτε σε

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ Γ ΗΜΕΡΗΣΙΩΝ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ Γ ΗΜΕΡΗΣΙΩΝ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ ΑΡΧΗ ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ Γ ΗΜΕΡΗΣΙΩΝ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ ΠΑΝΕΛΛΑΔΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Γ ΤΑΞΗΣ ΗΜΕΡΗΣΙΟΥ ΚΑΙ Δ ΤΑΞΗΣ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΠΑΡΑΣΚΕΥΗ 6 ΙΟΥΝΙΟΥ 4 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ

Διαβάστε περισσότερα

«Μικροοπτικές διατάξεις και ολοκληρωµένα οπτικά» ΜΙΚΡΟΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΚΑΙ ΝΑΝΟ ΙΑΤΑΞΕΙΣ ιατµηµατικο Μεταπτυχιακο Προγραµµα. Ι. Ζεργιώτη ΣΕΜΦΕ, ΕΜΠ

«Μικροοπτικές διατάξεις και ολοκληρωµένα οπτικά» ΜΙΚΡΟΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΚΑΙ ΝΑΝΟ ΙΑΤΑΞΕΙΣ ιατµηµατικο Μεταπτυχιακο Προγραµµα. Ι. Ζεργιώτη ΣΕΜΦΕ, ΕΜΠ «Μικροοπτικές διατάξεις και ολοκληρωµένα οπτικά» ΜΙΚΡΟΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΚΑΙ ΝΑΝΟ ΙΑΤΑΞΕΙΣ ιατµηµατικο Μεταπτυχιακο Προγραµµα Ι. Ζεργιώτη ΣΕΜΦΕ, ΕΜΠ Ολοκληρωµενα Οπτικα = ιαδοση φωτος σε περιορισµενο χωρο Μικρο-Οπτο-Ηλεκτρο-Μηχανικα

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων

Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων Εργαστήριο 10 Μετάδοση και Αποδιαμόρφωση Ραδιοφωνικών Σημάτων Λευκωσία, 2010 Εργαστήριο 10

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήμιο Πειραιώς Τμήμα Πληροφορικής Πρόγραμμα Μεταπτυχιακών Σπουδών «Προηγμένα Συστήματα Πληροφορικής» Μεταπτυχιακή Διατριβή

Πανεπιστήμιο Πειραιώς Τμήμα Πληροφορικής Πρόγραμμα Μεταπτυχιακών Σπουδών «Προηγμένα Συστήματα Πληροφορικής» Μεταπτυχιακή Διατριβή Πανεπιστήμιο Πειραιώς Τμήμα Πληροφορικής Πρόγραμμα Μεταπτυχιακών Σπουδών «Προηγμένα Συστήματα Πληροφορικής» Μεταπτυχιακή Διατριβή Δοκιμή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων με χρήση του Inovys Personal Ocelot και

Διαβάστε περισσότερα

ΕΠΙΠΕΔΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ. αρχικό υλικό. *στάδια επίπεδης τεχνολογίας. πλακίδιο Si. *ακολουθία βημάτων που προσθέτουν ή αφαιρούν υλικά στο πλακίδιο Si

ΕΠΙΠΕΔΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ. αρχικό υλικό. *στάδια επίπεδης τεχνολογίας. πλακίδιο Si. *ακολουθία βημάτων που προσθέτουν ή αφαιρούν υλικά στο πλακίδιο Si ΕΠΙΠΕΔΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ αρχικό υλικό + *στάδια επίπεδης τεχνολογίας πλακίδιο Si *ακολουθία βημάτων που προσθέτουν ή αφαιρούν υλικά στο πλακίδιο Si οξείδωση εναπόθεση διάχυση φωτολιθογραφία φωτοχάραξη Παραγωγή

Διαβάστε περισσότερα

Προσομοίωση, Έλεγχος και Βελτιστοποίηση Ενεργειακών Συστημάτων

Προσομοίωση, Έλεγχος και Βελτιστοποίηση Ενεργειακών Συστημάτων ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΑΘΗΝΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ Μαρία Σαμαράκου Καθηγήτρια, Τμήμα Μηχανικών Ενεργειακής Τεχνολογίας Διονύσης Κανδρής Επίκουρος Καθηγητής, Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών

Διαβάστε περισσότερα

Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET)

Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET) Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET) Χρησιµοποιούνται σε κλίµακα υψηλής ολοκλήρωσης VLSI Χρησιµοποιούνται και σε αναλογικούς ενισχυτές καθώς και στο στάδιο εξόδου ενισχυτών Ισχύος-

Διαβάστε περισσότερα

Μάθηµα 1ο Μέρος 1ο. Ανάλυση Κυκλωµάτων DC ΑΝΑΛΟΓΙΚΗ ΣΧΕΔΙΑΣΗ

Μάθηµα 1ο Μέρος 1ο. Ανάλυση Κυκλωµάτων DC ΑΝΑΛΟΓΙΚΗ ΣΧΕΔΙΑΣΗ Μάθηµα 1ο Μέρος 1ο Ανάλυση Κυκλωµάτων DC ΑΝΑΛΟΓΙΚΗ ΣΧΕΔΙΑΣΗ 1 Σκοπός του µαθήµατος Εισαγωγή στις ηλεκτρονικές διατάξεις µε στόχο την απόκτηση αναλυτικής ικανότητας στα θέµατα αυτά. Απόκτηση απαραίτητων

Διαβάστε περισσότερα

ΤΟΜΕΑΣ HΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ. Επαγγελματικό λογισμικό στην ΤΕΕ: Επιμόρφωση και Εφαρμογή ΣΕΜΙΝΑΡΙΟ 1

ΤΟΜΕΑΣ HΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ. Επαγγελματικό λογισμικό στην ΤΕΕ: Επιμόρφωση και Εφαρμογή ΣΕΜΙΝΑΡΙΟ 1 ΤΟΜΕΑΣ HΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Επαγγελματικό λογισμικό στην ΤΕΕ: Επιμόρφωση και Εφαρμογή ΣΕΜΙΝΑΡΙΟ 1 Εργαστηριακές ασκήσεις σε Εικονικό Περιβάλλον με τα Λογισμικά LabVIEW, Eagle και ΝΙ Circuit Design Suite 10 ΕΓΧΕΙΡΙΔΙΟ

Διαβάστε περισσότερα

7 η Θεµατική Ενότητα : Εισαγωγή στις Γλώσσες Περιγραφής Υλικού

7 η Θεµατική Ενότητα : Εισαγωγή στις Γλώσσες Περιγραφής Υλικού 7 η Θεµατική Ενότητα : Εισαγωγή στις Γλώσσες Περιγραφής Υλικού Εισαγωγή Η χειρονακτική σχεδίαση ενός ψηφιακού συστήµατος είναι εξαιρετικά δύσκολη και επιρρεπής σε λάθη Συστήµατα που ξεπερνούς τις µερικές

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ. 3 η ενότητα ΡΥΘΜΙΣΗ ΣΗΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΠΡΟΣΑΡΜΟΓΗ ΜΕ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΠΑΘΗΤΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. ρ. Λάμπρος Μπισδούνης.

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ. 3 η ενότητα ΡΥΘΜΙΣΗ ΣΗΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΠΡΟΣΑΡΜΟΓΗ ΜΕ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΠΑΘΗΤΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. ρ. Λάμπρος Μπισδούνης. ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής η ενότητα ΡΥΘΜΙΣΗ ΣΗΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΠΡΟΣΑΡΜΟΓΗ ΜΕ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΠΑΘΗΤΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ T... ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Περιεχόμενα ης ενότητας

Διαβάστε περισσότερα

ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ. Εφαρμοσμένος & Υπολογιστικός Ηλεκτρομαγνητισμός Ηλ. Αιθ. 012, 013. Στοχαστικά Συστήματα & Επικοινωνίες Ηλ. Αμφ.

ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ. Εφαρμοσμένος & Υπολογιστικός Ηλεκτρομαγνητισμός Ηλ. Αιθ. 012, 013. Στοχαστικά Συστήματα & Επικοινωνίες Ηλ. Αμφ. ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ Ακαδημαϊκό Έτος 2014-2015 Περίοδος Ιουνίου 2015 ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΩΡΑ 1ο-2ο ΕΞΑΜΗΝΟ 3ο-4ο ΕΞΑΜΗΝΟ 5ο-6ο ΕΞΑΜΗΝΟ

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήµιο Θεσσαλίας

Πανεπιστήµιο Θεσσαλίας Πανεπιστήµιο Θεσσαλίας Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών ΗΥ 130 : Ψηφιακή σχεδίαση Βόλος 2015 1 Εισαγωγή Το Multisim είναι ένα ολοκληρωμένο περιβάλλον προσομοίωσης της συμπεριφοράς

Διαβάστε περισσότερα

Επιδόσεις της σύνδεσης για κάλυψη µε κεραία πολλαπλής δέσµης σε σχέση µε κάλυψη µε κεραία απλής δέσµης

Επιδόσεις της σύνδεσης για κάλυψη µε κεραία πολλαπλής δέσµης σε σχέση µε κάλυψη µε κεραία απλής δέσµης Επιδόσεις της σύνδεσης για κάλυψη µε κεραία πολλαπλής δέσµης σε σχέση µε κάλυψη µε κεραία απλής δέσµης Η συνολική ποιότητα της σύνδεσης µέσω ραδιοσυχνοτήτων εξαρτάται από την 9000 απολαβή της κεραίας του

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΠΕΛΟΠΟΝΝΗΣΟΥ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Τ.Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ (μέσω προσομοίωσης) Γιάννης

Διαβάστε περισσότερα

Α.Τ.Ε.Ι. Ηρακλείου Ψηφιακή Επεξεργασία Εικόνας ιδάσκων: Βασίλειος Γαργανουράκης. Ανθρώπινη Όραση - Χρωµατικά Μοντέλα

Α.Τ.Ε.Ι. Ηρακλείου Ψηφιακή Επεξεργασία Εικόνας ιδάσκων: Βασίλειος Γαργανουράκης. Ανθρώπινη Όραση - Χρωµατικά Μοντέλα Ανθρώπινη Όραση - Χρωµατικά Μοντέλα 1 Τι απαιτείται για την όραση Φωτισµός: κάποια πηγή φωτός Αντικείµενα: που θα ανακλούν (ή διαθλούν) το φως Μάτι: σύλληψη του φωτός σαν εικόνα Τρόποι µετάδοσης φωτός

Διαβάστε περισσότερα

ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ. Διατάξεις Ημιαγωγών. Ηλ. Αιθ. 013. Αριθμητικές Μέθοδοι Διαφορικών Εξισώσεων Ηλ. Αιθ. 013

ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ. Διατάξεις Ημιαγωγών. Ηλ. Αιθ. 013. Αριθμητικές Μέθοδοι Διαφορικών Εξισώσεων Ηλ. Αιθ. 013 ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ Ακαδημαϊκό Έτος 2014-2015 Περίοδος Φεβρουαρίου 2015 ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΩΡΑ 1ο-2ο ΕΞΑΜΗΝΟ 3ο-4ο ΕΞΑΜΗΝΟ 5ο-6ο

Διαβάστε περισσότερα

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΜΕΤΑΔΟΣΗ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΜΕΤΑΔΟΣΗ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΜΕΤΑΔΟΣΗ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ Η Επιστήμη της Θερμοδυναμικής ασχολείται με την ποσότητα της θερμότητας που μεταφέρεται σε ένα κλειστό και απομονωμένο σύστημα από μια κατάσταση ισορροπίας σε μια άλλη

Διαβάστε περισσότερα

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing).

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Κεφάλαιο 4 Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Οι ενδείξεις (τάσεις εξόδου) των θερμοζευγών τύπου Κ είναι δύσκολο να

Διαβάστε περισσότερα

«Επικοινωνίες δεδομένων»

«Επικοινωνίες δεδομένων» Εργασία στο μάθημα «Διδακτική της Πληροφορικής» με θέμα «Επικοινωνίες δεδομένων» Αθήνα, Φεβρουάριος 2011 Χρονολογική απεικόνιση της εξέλιξης των Τηλεπικοινωνιών Χρονολογική απεικόνιση της εξέλιξης των

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 3: Δίοδος. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 3: Δίοδος. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας (1/2) Η ιδανική δίοδος και η χρήση της. Η πραγματική χαρακτηριστική - της διόδου πυριτίου. Τα γραμμικά μοντέλα

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Βασική Φυσική Στοιχείων MOS

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Βασική Φυσική Στοιχείων MOS Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός

Διαβάστε περισσότερα

τα μεταλλικά Μια στρώμα. Για την έννοια πως αν και νανοσωματίδια (με εξάχνωση Al). πρέπει κανείς να τοποθετήσει τα μερικές δεκάδες nm πράγμα

τα μεταλλικά Μια στρώμα. Για την έννοια πως αν και νανοσωματίδια (με εξάχνωση Al). πρέπει κανείς να τοποθετήσει τα μερικές δεκάδες nm πράγμα Φραγή Coulomb σε διατάξεις που περιέχουν νανοσωματίδια. Ι. Φραγή Coulomb σε διατάξεις που περιέχουν μεταλλικά νανοσωματίδια 1. Περιγραφή των διατάξεων Μια διάταξη που περιέχει νανοσωματίδια μπορεί να αναπτυχθεί

Διαβάστε περισσότερα

1.1 Θεωρητική εισαγωγή

1.1 Θεωρητική εισαγωγή ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ NOT, AND, NAND Σκοπός: Να εξοικειωθούν οι φοιτητές µε τα ολοκληρωµένα κυκλώµατα της σειράς 7400 για τη σχεδίαση και υλοποίηση απλών λογικών συναρτήσεων.

Διαβάστε περισσότερα

Συστήµατα DAQ. 6.1 Εισαγωγή

Συστήµατα DAQ. 6.1 Εισαγωγή 6 Συστήµατα DAQ 6.1 Εισαγωγή Με τον όρο Acquisition (Απόκτηση) περιγράφουµε τον τρόπο µε τον οποίο µεγέθη όπως η πίεση, η θερµοκρασία, το ρεύµα µετατρέπονται σε ψηφιακά δεδοµένα και απεικονίζονται στην

Διαβάστε περισσότερα

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΑ ΔΙΚΤΥΑ ΥΨΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ (Θ) Ενότητα 9: Μικροκυματικές Διατάξεις ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΤΕ 1 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό

Διαβάστε περισσότερα

Σχ.3. Το breadboard του εργαστηρίου στο οποίο γίνονται οι ασκήσεις

Σχ.3. Το breadboard του εργαστηρίου στο οποίο γίνονται οι ασκήσεις ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 3 Ο TMHMA ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΗΧΟΥ & ΜΟΥΣΙΚΩΝ ΟΡΓΑΝΩΝ του παραρτήµατος Ληξουρίου ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΑΡΙΝΟ ΕΞΑΜΗΝΟ ΣΠΟΥ ΩΝ 2007-2008 ΥΠΕΥΘΥΝΟΣ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ ΒΟΥΤΣΙΝΑΣ Ν. ΠΑΝΑΓΙΩΤΗΣ ΦΥΣΙΚΟΣ-ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΣ

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ. Εργαστήριο Φυσικής IΙ. Μελέτη της απόδοσης φωτοβολταϊκού στοιχείου με χρήση υπολογιστή. 1. Σκοπός. 2. Σύντομο θεωρητικό μέρος

ΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ. Εργαστήριο Φυσικής IΙ. Μελέτη της απόδοσης φωτοβολταϊκού στοιχείου με χρήση υπολογιστή. 1. Σκοπός. 2. Σύντομο θεωρητικό μέρος ΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ 1. Σκοπός Το φωτοβολταϊκό στοιχείο είναι μία διάταξη ημιαγωγών η οποία μετατρέπει την φωτεινή ενέργεια που προσπίπτει σε αυτήν σε ηλεκτρική.. Όταν αυτή φωτιστεί με φωτόνια κατάλληλης συχνότητας

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Ενεργειακές Ζώνες και Στατιστική Φορέων Φορτίου Required Text: Microelectronic Devices, Keith Leaver (2 nd Chapter) Εισαγωγή Στο προηγούμενο κεφάλαιο προσεγγίσαμε τους ημιαγωγούς

Διαβάστε περισσότερα

οµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).

οµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 οµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Τα τρανζίστορ MOSFET είναι διατάξεις ελεγχόµενες από τάση οι οποίες δεν απαιτούν µεγάλα ρεύµατα

Διαβάστε περισσότερα

ΝΑΝΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΓΙΩΡΓΟΣ ΤΣΙΓΑΡΙΔΑΣ. E-mail: gtsigaridas@teilam.gr

ΝΑΝΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΓΙΩΡΓΟΣ ΤΣΙΓΑΡΙΔΑΣ. E-mail: gtsigaridas@teilam.gr ΝΑΝΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΓΙΩΡΓΟΣ ΤΣΙΓΑΡΙΔΑΣ E-mail: gtsigaridas@teilam.gr ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΑ Η ΕΞΕΛΙΞΗ ΤΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΟΔΗΓΕΙ ΣΤΗΝ ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΔΙΑΤΑΞΕΩΝ ΣΕ ΟΛΟΕΝΑ ΚΑΙ ΜΙΚΡΟΤΕΡΗ ΚΛΙΜΑΚΑ ΜΕ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑ ΝΑ ΜΗΝ ΙΣΧΥΟΥΝ ΠΛΕΟΝ

Διαβάστε περισσότερα

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; Ηλεκτρονικοί Υπολογιστές Κινητά τηλέφωνα Τηλεπικοινωνίες Δίκτυα Ο κόσμος της Ηλεκτρονικής Ιατρική Ενέργεια Βιομηχανία Διασκέδαση ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τι περιέχουν οι ηλεκτρονικές

Διαβάστε περισσότερα

Δίκτυα Τηλεπικοινωνιών. και Μετάδοσης

Δίκτυα Τηλεπικοινωνιών. και Μετάδοσης Τεχνολογικό Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Σερρών Τμήμα Πληροφορικής & Επικοινωνιών Δίκτυα Τηλεπικοινωνιών και Μετάδοσης Σύστημα μετάδοσης με οπτικές ίνες Tο οπτικό φέρον κύμα μπορεί να διαμορφωθεί είτε από αναλογικό

Διαβάστε περισσότερα

Overview of optoelectronic devices

Overview of optoelectronic devices Overview of optoelectronic devices LEDs Laser diodes Optical amplifiers Photodetectors Photovoltaics-Solar Cells Light Modulators ίοδος εκποµπής φωτός ιάταξη που εκπέµπει αυθόρµητα φως λόγω έγχυσης των

Διαβάστε περισσότερα

6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC

6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC 6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC Θεωρητικό µέρος Αν µεταξύ δύο αρχικά αφόρτιστων αγωγών εφαρµοστεί µία συνεχής διαφορά δυναµικού ή τάση V, τότε στις επιφάνειές τους θα

Διαβάστε περισσότερα

Μέθοδοι μέτρησης μηχανικών ιδιοτήτων κυττάρων και μοντέλα κυτταρικής μηχανικής συμπεριφοράς

Μέθοδοι μέτρησης μηχανικών ιδιοτήτων κυττάρων και μοντέλα κυτταρικής μηχανικής συμπεριφοράς ΕΜΒΙΟΜΗΧΑΝΙΚΗ ΒΙΟΪΑΤΡΙΚΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ Μέθοδοι μέτρησης μηχανικών ιδιοτήτων κυττάρων και μοντέλα κυτταρικής μηχανικής συμπεριφοράς Πετρόπουλος Ηλίας Σωτηρόπουλος Εμμανουήλ Μέθοδοι μέτρησης των μηχανικών ιδιοτήτων

Διαβάστε περισσότερα

Μάθηµα Εισαγωγή στις Τηλεπικοινωνίες

Μάθηµα Εισαγωγή στις Τηλεπικοινωνίες Μάθηµα Εισαγωγή στις Τηλεπικοινωνίες Ενότητα 3η Τεχνολογία Τηλεπικοινωνιών Μάθηµα 4ο ΕΘΝΙΚΟ & ΚΑΠΟ ΙΣΤΡΙΑΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΑΘΗΝΩΝ Τοµέας Επικοινωνιών και Επεξεργασίας Σήµατος 1 Τµήµα Πληροφορικής & Τηλεπικοινωνιών

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΣΗΣΗ 5

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΣΗΣΗ 5 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΩΝ ΣΠΟΥ ΩΝ ΦΥΣΙΚΗ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΣΗΣΗ 5 Προσδιορισµός του ύψους του οραικού στρώµατος µε τη διάταξη lidar. Μπαλής

Διαβάστε περισσότερα

219 Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Θεσσαλονίκης

219 Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Θεσσαλονίκης 219 Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Θεσσαλονίκης Το Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών ιδρύθηκε με το ΒΔ.400/72 και άρχισε να λειτουργεί το 1972-73. Το ΑΠΘ είχε τότε ήδη 28.000 φοιτητές. Η ακριβής

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ 4.1 MOS Τρανζίστορ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙV ΤΟ MOS ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 4.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

«Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ»

«Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤHMMY Σκοπός διάλεξης Μελέτη της συμπεριφοράς μικρού σήματος των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

Διαβάστε περισσότερα

Γενικά Στοιχεία Ηλεκτρονικού Υπολογιστή

Γενικά Στοιχεία Ηλεκτρονικού Υπολογιστή Γενικά Στοιχεία Ηλεκτρονικού Υπολογιστή 1. Ηλεκτρονικός Υπολογιστής Ο Ηλεκτρονικός Υπολογιστής είναι μια συσκευή, μεγάλη ή μικρή, που επεξεργάζεται δεδομένα και εκτελεί την εργασία του σύμφωνα με τα παρακάτω

Διαβάστε περισσότερα