ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ"

Transcript

1 ΤΕΙ ΛΑΜΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ ΠΑΝΑΓΙΩΤΗ ΤΣΙΤΣΙΠΗ ΛΑΜΙΑ 2007

2 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 2 H εκτύπωση αυτή έγινε µε δαπάνη του Έργου «Αναµόρφωση Προπτυχιακών Προγραµµάτων Σπουδών του ΤΕΙ Λαµίας», Υποέργο 1 «Αναµόρφωση Προπτυχιακού Προγράµµατος Σπουδών Τµ. Ηλεκτρονικής»

3 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 3 ΠΡΟΛΟΓΟΣ Παρακάτω θα προσπαθήσουµε να δώσουµε κάποιες συνοπτικές οδηγίες χρήσης του προγράµµατος εξοµοίωσης DesignLab της εταιρίας MICROSIM. Το πρόγραµµα χρησιµοποιείται για την εκτέλεση εργαστηριακών ασκήσεων στα πλαίσια του µαθήµατος Ηλεκτρονικά Χαµηλών Συχνοτήτων του Τµήµατος Ηλεκτρονικής του ΤΕΙ Λαµίας. Οι οδηγίες αυτές απευθύνονται στους σπουδαστές που για πρώτη φορά έρχονται σε επαφή µε το πρόγραµµα και έχουν σκοπό να τους οδηγήσουν πολύ σύντοµα και εύκολα στη δηµιουργία και µελέτη ηλεκτρονικών κυκλωµάτων χωρίς να χρειαστεί η σχολαστική κατατριβή µε λεπτοµέρειες. Άλλωστε η χρησιµοποίηση του προγράµµατος αυτού στο εργαστήριο έχει σα σκοπό την ευκολότερη και ταχύτερη µελέτη ηλεκτρονικών κυκλωµάτων χωρίς τα πρακτικά προβλήµατα που εισάγουν τα πραγµατικά κυκλώµατα. Το περιβάλλον εργασίας του προγράµµατος είναι το λειτουργικό σύστηµα Windows που παρέχει µεγάλη λειτουργικότητα και ευκολία στη χρήση. Αυτό όµως προϋποθέτει στοιχειώδεις γνώσεις πάνω στη χρήση Η/Υ και στον τρόπο λειτουργίας του περιβάλλοντος αυτού. Στα επόµενα κεφάλαια θα γίνει µια καθοδήγηση στον τρόπο εργασίας µε το πρόγραµµα και στη συνέχεια θα προταθεί η µελέτη κάποιων γνωστών ηλεκτρονικών κυκλωµάτων µε τη βοήθεια του προγράµµατος. Εκείνο που θα πρέπει να γίνει καλά κατανοητό είναι ότι σε καµιά περίπτωση το πρόγραµµα δεν υποκαθιστά τη µ ελέτη της αντίστοιχης θεωρίας γεγονός που θεωρείται βασική προϋπόθεση για οποιαδήποτε παραπέρα απόπειρα. Μετά από αυτά και µε δεδοµένο ότι οι δυνατότητες του προγράµµατος δεν εξαντλούνται στο µάθηµα «Ηλεκτρονικά Χαµηλών Συχνοτήτων» αλλά επεκτείνονται σε πάρα πολλά µαθήµατα του προγράµµατος σπουδών του Τµήµατος Ηλεκτρονικής, εύχοµαι στους σπουδαστές µας καλή επιτυχία και εύκολη ανταπόκριση στη νέα αυτή προσπάθεια του Τµήµατος που είναι βέβαιο ότι θα αναβαθµίσει τις σπουδές τους και θα τους εξοπλίσει µε περισσότερες δεξιότητες.

4 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 4

5 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 5 ΓΕΝΙΚΑ Πριν από την έναρξη χρήσης του προγράµµατος εξοµοίωσης πρέπει o κάθε χρήστης του προγράµµατος να θέσει σε λειτουργία τον Η/Υ και εφόσον του ζητηθεί να εισέλθει µε όνοµα χρήστη user και κωδικό επίσης user. Η έναρξη του προγράµµατος γίνεται µε πολλούς τρόπους. Ο πιο εύκολος όµως είναι µε την εντολή Εκκίνηση Προγράµµατα DesignLab Schematics Με τον τρόπο αυτό φορτώνεται ο επεξεργαστής ηλεκτρονικών σχεδίων (Schematics) µε τον οποίο µπορούµε να σχεδιάζουµε τα κυκλώµατα. Στην οθόνη εµφανίζεται το περιβάλλον εργασίας που φαίνεται στo σχ.1. Σχ.1 Το περιβάλλον εργασίας του Schematics. Όλα τα άλλα προγράµµατα θα τα τρέχουµε µέσα από αυτό. Θα πρέπει να σηµειώσουµε εδώ ότι το "Schematics" τρέχει χωρίς να χρειάζεται άδεια χρήσης. Στην πρώτη γραµµή της οθόνης εµφανίζεται το κύριο µενού µε τις οµάδες των εντολών. File Edit Draw Navigate View Options Analysis Tools Markers Window Help Κάθε µια από τις οµάδες αυτές "ανοίγει" ένα δευτερεύον µενού µε τις αντίστοιχες εντολές. Ας γνωρίσουµε τις σπουδαιότερες από τις εντολές αυτές. File New Ανοίγει νέο φύλλο για το σχεδιασµό ενός νέου κυκλώµατος. Open Ανοίγει ένα υπάρχον αρχείο σχεδιασµού. Τα αρχεία αυτά έχουν όλα παρέκταµα. sch. Close Κλείνει το ενεργό αρχείου σχεδίου. Export ηµιουργεί ένα αρχείο DFX που περιέχει το σχέδιο. (Πολύ χρήσιµο για πιστή µεταφορά του σχεδίου σε άλλα σχε-

6 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 6 Save Save As Print Printer Select View Messages Exit διαστικά προγράµµατα). Σώζει το αρχείο σχεδίου στο δίσκο. Την πρώτη φορά ζητάει όνοµα ενώ τις υπόλοιπες το σώζει κατ' ευθείαν µε το υπάρχον όνοµα. Σώζει το αρχείο σχεδίου στο δίσκο µε ένα νέο όνοµα. Τυπώνει το σχέδιο στον εκτυπωτή. Επιλογή εκτυπωτή από τους εγκατεστηµένους στον Η/Υ. Ανοίγει το παράθυρο όπου έχουν καταχωρηθεί τα κάθε είδους µηνύµατα για να τα δούµε. Κλείνει το "Schematics". Edit Undo Αναιρεί την τελευταία ενέργεια. Redo Επαναλαµβάνει την τελευταία ενέργεια που έχει ακυρωθεί µε την εντολή Undo. Cut Αποκόπτει τα αντικείµενα που έχουν σηµειωθεί. Ταυτόχρονα όµως µε την αποκοπή δηµιουργούνται αντίγραφα των αντικειµένων αυτών ώστε να µη χαθούν εντελώς. Η σηµείωση ενός αντικειµένου γίνεται µε διπλοπάτηµα σε οποιοδήποτε σηµείο του αντικειµένου. Copy ηµιουργεί αντίγραφα των αντικειµένων που είναι σηµειωµένα. Paste Προσθέτει ότι αντίγραφα έχει αποθηκευµένο. Copy to Clipboard ηµιουργεί αντίγραφα των σηµειωµένων αντικειµένων στο Clipboard (ειδικά αντίγραφα που να µη σβήνουν µε το κλείσιµο της εφαρµογής). Delete Σβήνει εντελώς τα σηµειωµένα αντικείµενα. Attributes ιορθώνει τα χαρακτηριστικά του σηµειωµένου εξαρτήµατος. Rotate Περιστρέφει τα σηµειωµένα αντικείµενα κατά 90 αριστερόστροφα. Flip ηµιουργεί το κατοπτρικό είδωλο του σηµειωµένου αντικειµένου ως προς κατακόρυφο άξονα, µε ταυτόχρονο σβήσιµο του παλιού αντικειµένου. Align Horizontal Ευθυγραµµίζει τα σηµειωµένα αντικείµενα σε µια οριζόντια γραµµή. Align Vertical Ευθυγραµµίζει τα αντικείµενα σε µια κάθετη γραµµή. Draw Repeat Επαναλαµβάνει την τοποθέτηση στο σχέδιο του εξαρτήµατος που τοποθετήθηκε πρόσφατα. Place Part Τοποθετεί εξαρτήµατα στο σχέδιο. Πριν την τοποθέτηση ζητά το όνοµα του εξαρτήµατος από µια λίστα εξαρτηµάτων που έχουν χρησιµοποιηθεί πρόσφατα. Text Τοποθετεί κείµενο µέσα στο σχέδιο. Wire Συνδέει µε αγωγούς τα εξαρτήµατα. Bus Τοποθετεί διαδρόµους αγωγών µέσα στο σχέδιο. Get New Part Επιλέγει ένα νέο εξάρτηµα από τις βιβλιοθήκες.

7 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 7 View Fit In Out Area Previous Entire Page Redraw Pan-New Center Analysis Setup Simulate Probe Setup Run Probe Markers Mark Voltage/Level Mark Differential Current into Pin Advanced Clear Show All Show Selected Κάνει zoom ώστε το σχέδιο να χωράει στην οθόνη µε τη µέγιστη µεγέθυνση. Μεγεθύνει κατά ένα βήµα το σχέδιο. Πριν από αυτό ζητάει το νέο κέντρο της οθόνης. Σµικρύνει την οθόνη (αντίθετη της προηγούµενης). Κάνει zoom πάνω σε τµήµα του σχεδίου. Πριν από αυτό ζητάει τα όρια του τµήµατος. Εµφανίζει την προηγούµενη όψη του σχεδίου. Εµφανίζει ολόκληρη τη σελίδα του σχεδίου. Ξαναζωγραφίζει το σχέδιο. Πολλές φορές αυτό είναι απαραίτητο για να καθαρίσει η οθόνη από κάποια "σκουπίδια". Μετακινεί την οθόνη πάνω στο σχέδιο χωρίς να αλλάζει η κλίµακα. Καθορίζεται το είδος της ανάλυσης που θα γίνει µε την εξοµοίωση, όπως επίσης και οι παράµετροι της ανάλυσης. Ξεκινάει την εξοµοίωση. Καθορίζει τις παραµέτρους του προγράµµατος ελέγχου αποτελεσµάτων. Τρέχει το πρόγραµµα ελέγχου αποτελεσµάτων. Τοποθετεί ένα σηµείο ελέγχου δυναµικού σε σηµείο του κυκλώµατος. Τοποθετεί δυο σηµεία για την παρατήρηση της διαφοράς δυναµικού σε δυο σηµεία του κυκλώµατος. Τοποθετεί ένα σηµείο για τον έλεγχο του ρεύµατος σε ένα σηµείο του κυκλώµατος. Σβήνει όλα τα τοποθετηµένα σηµεία ελέγχου σ' ένα κύκλωµα. Με το τρέξιµο του Probe, εµφανίζει γραφικές παραστάσεις για όλα τα σηµεία ελέγχου που έχουν τοποθετηθεί στο κύκλωµα. Με το τρέξιµο του Probe, εµφανίζει γραφικές παραστάσεις για όλα τα επιλεγµένα σηµεία ελέγχου που έχουν τοποθετηθεί στο κύκλωµα. Η οµάδα Navigate αφορά πολυσέλιδα σχέδια που µε αυτά εµείς δεν θα ασχοληθούµε. Η οµάδα εντολών Options αφορά διαµόρφωση του περιβάλλοντος, µε το οποίο όχι µόνο δεν θα ασχοληθούµε αλλά ΑΠΑΓΟΡΕΥΕΤΑΙ ΑΥΣΤΗΡΑ γιατί µπορεί να δηµιουργήσει προβλήµατα στην οµοιογένεια των µηχανηµάτων. Με αυτά τα σηµεία του προγράµµατος µπορούν να ασχοληθούν οι σπουδαστές κατ' ιδίαν σε δικά τους µηχανήµατα. Επίσης, κάποιες εντολές που εδώ δεν αναφέρονται είτε θα εξεταστούν στα πλαίσια άλλων µαθηµάτων ή επαφίενται για παραπέρα εξερεύνηση στους σπουδαστές. Στην κατεύθυνση αυτή, οι σπουδαστές θα βρουν πολύ ωφέλιµη τη χρήση του On line Help που αναπτύσσεται µέσα από την οµάδα εντολών Help.

8 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 8 Κάτω από το κύριο µενού υπάρχει µια διπλή γραµµή από εικονίδια που ονοµάζεται γραµµή εργαλείων (toolbar). Το πάτηµα ενός εργαλείου εκτελεί και µια εντολή. Τα εργαλεία βλέπουµε παρακάτω. Εκτελεί την εντολή File New Εκτελεί την εντολή File Open Εκτελεί την εντολή File Save Εκτελεί την εντολή File Print Εκτελεί την εντολή Edit Cut Εκτελεί την εντολή Edit Copy Εκτελεί την εντολή Edit Paste Εκτελεί την εντολή Edit Undo Εκτελεί την εντολή Edit Redo Εκτελεί την εντολή View Redraw Εκτελεί την εντολή View In Εκτελεί την εντολή View Out Εκτελεί την εντολή View Area Εκτελεί την εντολή View Fit Εκτελεί την εντολή Draw Wire Εκτελεί την εντολή Draw Bus Εκτελεί την εντολή Draw Block Εκτελεί την εντολή Draw Get New Part Εκτελεί την εντολή Draw PlacePart Εκτελεί την εντολή Edit Attributes Ανοίγει το πρόγραµµα για τη διόρθωση των εξαρτηµάτων Εκτελεί την εντολή Analysis Setup Εκτελεί την εντολή Anallysis Simulate Η σχεδίαση ενός κυκλώµατος είναι µια µάλλον απλή διαδικασία που συνίσταται κατά κύριο λόγο από τοποθέτηση στην κατάλληλη θέση εξαρτηµάτων και καλωδιώσεων. Απαραίτητα µέσα στο κύκλωµα ένα σηµείο θα πρέπει να γειώνεται.

9 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 9 ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΕΙΣ Μπορούµε να µετακινήσουµε κάποια ετικέτα µε κείµενο, αν επιλέξουµε το κείµενο αυτό (µε ένα κλικ) και στη συνέχεια το σύρουµε στη θέση που θέλουµε. Όταν ένα εξάρτηµα επιλεγεί το χρώµα του αλλάζει σε κόκκινο. Μπορούµε να διορθώσουµε τις τιµές των εξαρτηµάτων ή τα ονόµατα αναφοράς τους µε διπλοπάτηµα πάνω στις ετικέτες τους. Έτσι ανοίγει ένα παράθυρο διαλόγου απ' όπου µπορούµε να διορθώσουµε τις τιµές αυτές. Μπορούµε να µετακινήσουµε οποιοδήποτε εξάρτηµα, αν επιλέξουµε τα εξάρτηµα αυτό (µε ένα κλικ) και στη συνέχεια το σύρουµε στη θέση που θέλουµε. Μπορούµε να σβήσουµε οποιοδήποτε εξάρτηµα, αν επιλέξουµε το εξάρτηµα αυτό (µε ένα κλικ) και στη συνέχεια πατήσουµε Del. Μπορούµε να διορθώσουµε οποιαδήποτε παράµετρο ενός εξαρτήµατος µε διπλοπάτηµα πάνω στο εξάρτηµα. Μπορούµε να περιστρέψουµε ένα εξάρτηµα κατά 90 αριστερόστροφα αν επιλέξουµε το εξάρτηµα και πατήσουµε τον συνδυασµό πλήκτρων Ctrl-R. Μπορούµε να αντιστρέψουµε ένα εξάρτηµα ώστε να σχηµατιστεί το κατοπτρικό είδωλό του αν επιλέξουµε το εξάρτηµα και πατήσουµε τον συνδυασµό πλήκτρων Ctrl-F. Εξοµοίωση Αφού σχεδιαστεί το κύκλωµα είναι απαραίτητο να περιγραφεί ο τρόπος ανάλυσης του κυκλώµατος. Αυτό γίνεται µε την εντολή Analysis Setup. Με την εντολή αυτή ανοίγει ένα παράθυρο διαλόγου, όπως αυτό του σχ. 2 Από τις επιλογές που υπάρχουν εµείς θα ασχοληθούµε κυρίως µε την Transient Analysis και την DC Sweep Analysis. Η ενεργοποίηση της αντίστοιχης ανάλυσης γίνεται µε το πάτηµα

10 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 10 στο αντίστοιχο check box. Για να διορθωθούν οι παράµετροι της Transient Analysis πατάµε το αντίστοιχο button οπότε ανοίγει το παράθυρο διαλόγου της εικ. 3. Transient Analysis Βασικές παράµετροι στην ανάλυση αυτή είναι το βήµα εκτύπωσης (Print Step) και ο τελικός χρόνος (Final Time). Εννοείται ότι ο χρόνος έναρξης είναι µηδέν. Η ανάλυση γίνεται για χρονικό διάστηµα από µηδέν µέχρι Final Time σε βήµατα των Print Step. Η τιµή του Final Time προσδιορίζεται από τον αριθµό των περιόδων (n) που θέλουµε να βλέπουµε στην οθόνη παρατήρησης των κυµατοµορφών και από τη συχνότητα του σήµατος (f). ηλαδή 1 Final Time = n f Η τιµή στο Print Step προσδιορίζεται από το πλήθος των σηµείων (Ν) που θα καθορίσουν την κυµατοµορφή. Το πλήθος αυτό δεν πρέπει να είναι πολύ µικρό γιατί επιβαρύνει την ποιότητα της κυµατοµορφής αλλά ούτε και πολύ µεγάλο (µεγαλύτερο από την ανάλυση της οθόνης του Η/Υ) γιατί δεν βελτιώνει το αποτέλεσµα ενώ αυξάνει το χρόνο που απαιτείται για την εξοµοίωση. Η τιµή του Ν=100 δίνει σχετικά καλά αποτελέσµατα. Εποµένως Final Time Print Step = N Τέλος, συµπληρώνουµε την τιµή της παραµέτρου Step Ceiling µε την ίδια τιµή του Print Step, ενέργεια η οποία βελτιώνει την εµφάνιση της κυµατοµορφής.

11 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 11 Παράδειγµα Αν, για την ανάλυση ενός κυκλώµατος χρησιµοποιήσουµε σήµα συχνότητας 1kHz, για να βλέπουµε στην οθόνη µας 3 περιόδους πρέπει να θέσουµε Final Time =3ms και για να έχουµε 100 σηµεία στην κυµατοµορφή θα πρέπει να θέσουµε Print Step και Final Time =30µs. Μετά τον προσδιορισµό της ανάλυσης, µπορούµε να ξεκινήσουµε την εξοµοίωση µε την εντολή Analysis Simulate. DC Sweep Analysis Οι παράµετροι της ανάλυσης αυτής είναι Το είδος του µεγέθους που «σαρώνεται». Η επιλογή είναι µεταξύ τάσεων, ρευµάτων, θερµοκρασίας, και παραµέτρων γενικώς ή ειδικά ενός µοντέλου. Το είδος της σάρωσης, µε επιλογή ανάµεσα σε γραµµική σάρωση, λογαριθµική (Octave, Decade) ή µε βάση µια λίστα τιµών. Το όνοµα της µεταβλητής που σαρώνεται (πχ τάση V1). Οι παράµετροι της σάρωσης, δηλαδή η αρχική τιµή (Start Value), η τελική τιµή (End Value) και το βήµα αύξησης (Increment). Παρατήρηση κυµατοµορφών Η εξοµοίωση γίνεται αυτόµατα και αµέσως µετά φορτώνεται το πρόγραµµα παρατήρησης των κυµατοµορφών (probe) και απεικονίζονται οι κυµατοµορφές στα σηµεία ελέγχου. Τώρα το περιβάλλον εργασίας αλλάζει και εµφανίζεται η εικόνα που φαίνεται παρακάτω.

12 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 12 Βέβαια, εύκολα µπορεί να αναγνωρίσει κανείς, το κύριο µενού, τη γραµµή εργαλείων, πολλές εντολές αλλά και εργαλεία, που κάνουν την ίδια δουλειά όπως τα γνωρίσαµε. Βέβαια η τοποθέτηση κυµατοµορφών και η επιλογή αξόνων γίνονται αυτόµατα, αλλά καλό είναι να γνωρίσουµε τις δυνατότητες του προγράµµατος στο σηµείο αυτό. Η προσθήκη µιας νέας γραφικής παράστασης γίνεται µε την εντολή Trace Add ή µε το πάτηµα του εργαλείου Η κίνηση αυτή ανοίγει ένα παράθυρο διαλόγου για την επιλογή ανάµεσα σε όλους τους διαθέσιµους κόµβους του κυκλώµατος. Η επιλογή ενός απ' αυτούς προσθέτει µια επί πλέον κυµατοµορφή στο διάγραµµα. Ο αντίστοιχος κόµβος φαίνεται στο κάτω µέρος του διαγράµµατος. Η διαγραφή του γίνεται µε επιλογή της κυµατοµορφής και εκτέλεση της εντολής Trace Delete. Μπορούµε να προσθέσουµε µια επιπλέον γραφική παράσταση πάνω από την πρώτη µε την εντολή Plot Add Plot. Μπορούµε να προσθέσουµε ένα νέο Υ άξονα µε την εντολή Plot Add Y Axis. Αυτό για την περίπτωση που πρέπει να απεικονιστούν στο ίδιο διάγραµµα δύο µεγέθη µε τιµές που δεν είναι συγκρίσιµες. Μπορούµε να κάνουµε διάφορες ρυθµίσεις στις παραµέτρους των δύο αξόνων. Αυτό γίνεται µε τις εντολές Χ Axis Settings και Y Axis Settings. Οι ρυθµίσεις στους άξονες δίνονται µέσα από ένα παράθυρο διαλόγου που φαίνεται παρακάτω.

13 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 13 Από τις επιλογές που προσφέρονται εδώ είναι η βαθµονόµηση του κάθε άξονα (γραµµική λογαριθµική) η µέγιστη και η ελάχιστη τιµή του άξονα ή των δεδοµένων καθώς και το µέγεθος ή ο συνδυασµός των µεγεθών που µεταβάλλονται στον άξονα αυτόν. Βασικό µέρος του προγράµµατος, εδώ, είναι η επεξεργασία των κυµατοµορφών που γίνεται µε την εντολή Tools Cursor Display ή µε το πάτηµα του εργαλείου Η κίνηση αυτή εµφανίζει δυο σταυρονήµατα στο γράφηµα, και ένα πλαίσιο όπου εµφανίζονται οι συντεταγµένες τους και η διαφορές των συντεταγµένων. Η τοποθέτηση του ενός σταυρονήµατος γίνεται µε το αριστερό πάτηµα και του άλλου µε το δεξιό πάτηµα. Η απόδοση του κάθε σταυρονήµατος σε συγκεκριµένη κυµατοµορφή γίνεται µε αριστερό ή δεξί πάτηµα στο σηµείο ταυτότητας της κυµατοµορφής που βρίσκεται στο κάτω µέρος του γραφή- µατος. Μπορούµε να προσθέσουµε κείµενο σε οποιαδήποτε σηµείο του γραφήµατος µε το πάτη- µα του εργαλείου.

14 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 14 ΑΣΚΗΣΗ 1 Η ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΜΕ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΘΕΩΡΙΑ Στην άσκηση αυτή θα µελετήσουµε τη συµπεριφορά των τριών τύπων ενισχυτή µε τρανζίστορ, δηλαδή κοινού εκποµπού (CE), κοινής βάσης (CB) και κοινού συλλέκτη (CC). Ακολουθεί µια σύντοµη θεωρητική µατιά στους τρεις αυτούς τύπους ενισχυτών. Ενισχυτής κοινού εκποµπού (CE) Είναι ενισχυτής όπως αυτός του παρακάτω σχήµατος. Το σήµα εισέρχεται από τη βάση του τρανζίστορ και εξέρχεται από το συλλέκτη. Από τη θεωρητική ανάλυση του κυκλώµατος προκύπτουν τα χαρακτηριστικά του ενισχυτή αυτού V που είναι, η ενίσχυση (απολαβή) τάσης o Io A V =, η ενίσχυση (απολαβή ρεύµατος) AI =, V I η αντίσταση εισόδου R i V i είσοδο). Από την ανάλυση προκύπτει = και η αντίσταση εξόδου I i i R V o o = ( µε βραχυκυκλωµένη Io i A V R i A I R o gm( ro Rc R L) Rb r π Ri ro R A R V L c όπου R c, R L, R 1, R 2 στοιχεία του κυκλώµατος, παράµετροι του τρανζίστορ που δίνονται από τους τύπους: R = R R = b 1 2 R1R 2 R + R 1 2 και g m, r π, r o

15 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 15 V ro = I A C g m I = V C T r V T π = = I B e kt όπου VT = = 26mV, β=200, I B, I C τα ρεύµατα πόλωσης βάσης και συλλέκτη και V A πα- q ράµετρος του τρανζίστορ που στην περίπτωση του 2Ν2222 είναι 98,5V β g m Ενισχυτής κοινής βάσης (CB) Είναι ενισχυτής όπως αυτός του παρακάτω σχήµατος. Το σήµα εισέρχεται από τον εκποµπό του τρανζίστορ και εξέρχεται από το συλλέκτη. Από τη θεωρητική ανάλυση του κυκλώµατος προκύπτουν τα χαρακτηριστικά του ενισχυτή αυτού που είναι A V R i A I R o gm( Rc R L) Re r R e i R c AV R L όπου r e α = και g m προηγουµένως. β α = β + 1. Οι παράµετροι β και g m προσδιορίζονται όπως Ενισχυτής κοινού συλλέκτη (CC) Είναι ενισχυτής όπως αυτός του παρακάτω σχήµατος.

16 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 16 Το σήµα εισέρχεται από τη βάση του τρανζίστορ και εξέρχεται από τον εκποµπό. Από τη θεωρητική ανάλυση του κυκλώµατος προκύπτουν τα χαρακτηριστικά του ενισχυτή αυτού που είναι A V R i A I R o ( β + 1 )( ro Rc RL) Rb ( β + 1 )( r ) R o c L i r π + r R R π AV Re ro r + β + 1 r R R R β + 1 π ( )( ) o c L L ΑΣΚΗΣΗ Θα σχεδιάσουµε τα κυκλώµατα των ενισχυτών θα µετρήσουµε το σηµείο λειτουργίας και στη συνέχεια θα τρέξουµε την transfer analysis στα κυκλώµατα αυτά, για να µετρήσουµε έτσι τις ενισχύσεις τάσης και ρεύµατος και τις αντιστάσεις εισόδου και εξόδου. Α 1. Σχεδιάστε το κύκλωµα του ενισχυτή CE.

17 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ Μετρήστε το σηµείο λειτουργίας και καταχωρήστε το στον πίνακα I B I C V BE V CE 3. ιορθώστε τη βαθµίδα διέγερσης (V i ) έτσι ώστε να δίνει ηµιτονική τάση πλάτους 5mV συχνότητας 1kHz. 4. Ρυθµίστε τις παραµέτρους στο Analysis Setup ώστε να γίνει η transient ανάλυση και να εµφανίζονται 3 περίοδοι του σήµατος. 5. Κάντε την εξοµοίωση µε την εντολή Analysis Simulate. 6. Στο περιβάλλον του Probe που θα εµφανιστεί τοποθετείστε την κυµατοµορφή εισόδου (V(Vi:+)) µε την εντολή Trace Add. 7. Προσθέτουµε και δεύτερο Υ άξονα µε την εντολή Plot Add Y Axis. 8. Εµφανίστε και την κυµατοµορφή εξόδου (V(RL:2)) µε την εντολή Trace Add. 9. Μετρείστε τις τάσεις αυτές (εισόδου εξόδου) και σηµειώστε τις τιµές τους όπως και την ενίσχυση τάσης στα αντίστοιχα κελιά του πίνακα Ι. 10. Καθαρίστε την οθόνη από τις δυο κυµατοµορφές και επαναλάβετε τα βήµατα 6 8 για το ρεύµα εισόδου (I(Vi)) και το ρεύµα εξόδου (I(RL)). Σηµειώστε τις τιµές που βρήκατε όπως και την ενίσχυση ρεύµατος στα αντίστοιχα κελιά του πίνακα Ι. 11. Υπολογίστε την αντίσταση εισόδου του ενισχυτή από την τάση και το ρεύµα εισόδου και σηµειώστε την τιµή της στο αντίστοιχο κελί του πίνακα Ι. 12. Αφαιρέστε την αντίσταση φορτίου, συνδέστε στην έξοδο του ενισχυτή τη γεννήτρια ηµιτονικής τάσης και βραχυκυκλώστε την είσοδο του ενισχυτή. µετρήστε τώρα την τάση και το ρεύµα εξόδου και καταχωρήστε τις τιµές αυτές στον πίνακα Ι. 13. Υπολογίστε την αντίσταση εξόδου του ενισχυτή από τις µετρήσεις του βήµατος Αντιγράψτε τις εργαστηριακές τιµές των A V, A I, R i και R o που βρήκατε, από τον πίνακα Ι στον πίνακα ΙΙ. Συµπληρώστε τον πίνακα ΙΙ µε τις θεωρητικές τιµές των ίδιων µεγεθών που θα τις υπολογίσετε µε τη βοήθεια των τύπων που παρατίθενται παραπάνω. Συγκρίνετε τις αντίστοιχες τιµές.

18 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 18 ΠΙΝΑΚΑΣ Ι CE CB CC V i V o I i Ι o Α V Α Ι R i V o I o R o ΠΙΝΑΚΑΣ ΙΙ CE CB CC Πειρ. Θεωρ. Πειρ. Θεωρ. Πειρ. Θεωρ. Α V Α Ι R i R o Β 1. Σχεδιάστε το κύκλωµα CB

19 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 19 Γ 2. Εκτελέστε όλα τα βήµατα της ενότητας Α από 3 µέχρι 14 και σηµειώστε τις τιµές που βρίσκετε ή υπολογίζετε, στα αντίστοιχα κελιά των πινάκων Ι και ΙΙ. 1. Σχεδιάστε το κύκλώµα του ενισχυτή CC 2. Εκτελέστε όλα τα βήµατα της ενότητας Α από 3 µέχρι 14 και σηµειώστε τις τιµές που βρίσκετε ή υπολογίζετε, στα αντίστοιχα κελιά των πινάκων Ι και ΙΙ. ΠΡΟΣΟΧΗ Προτιµείστε να δώσετε στην είσοδο τάση µεγαλύτερου πλάτους (=100mV).

20 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 20 ΑΣΚΗΣΗ 2 Η ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΜΕ FET ΘΕΩΡΙΑ Στην άσκηση αυτή θα µελετήσουµε τα χαρακτηριστικά ενισχυτών µε FET. Συγκεκριµένα θα εξετάσουµε τον ενισχυτή κοινής πηγής (CS) χρησιµοποιώντας το FET 2N3816 που είναι ένα FET επαφής n-καναλιού γενικής χρήσης. Στο παρακάτω σχήµα βλέπουµε το βασικό κύκλωµα πόλωσης ενός ενισχυτή CS καθώς και το ισοδύναµο κύκλωµά του. Από την ανάλυση προκύπτουν η ενίσχυση τάσης (Α V ) και οι αντιστάσεις εισόδου (R i ) και εξόδου (R o ) του ενισχυτή οι οποίες και συνοψίζονται στον παρακάτω πίνακα A V R i R o g r R R R g r R ( ) m o d L o d Εδώ το g m δίνεται από τον τύπο:

21 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 21 g m V = gmo V 1 GS όπου g mo =7,867mA/V και δίνεται από τον κατασκευαστή για 27 ο C, όπως επίσης και η τάση στραγγαλισµού V P =3V. Η τάση V GS είναι η τάση πόλωσης της πύλης του τρανζίστορ. Η αντίσταση r o είναι παράµετρος του FET και δίνεται από τον κατασκευαστή. Για πόλωση στην περιοχή κόρου του FET: r o =86KΩ. Αν από τον προηγούµενο ενισχυτή αφαιρεθεί ο πυκνωτής C s προκύπτει µια παραλλαγή του ενισχυτή αυτού που λέγεται ενισχυτής κοινής πηγής µε αντίσταση στην πηγή. Τα χαρακτηριστικά του ενισχυτή αυτού είναι P A V R i R o Rd RL R g R d R s ΑΣΚΗΣΗ 1. Πραγµατοποιείστε το κύκλωµα του παρακάτω σχήµατος. Ρυθµίστε τις παραµέτρους της γεννήτριας ηµιτονικού σήµατος ώστε να δίνει σήµα πλάτους 5mV και συχνότητας 1kHz. 2. Μετρήστε το ρεύµα πόλωσης εκροής και τις τάσεις πόλωσης V GS και V DS και συνοψίστε τις στον πίνακα Ι. Πίνακας Ι I D V GS V DS g m

22 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ Με τη βοήθεια των τύπων που γνωρίζουµε από τη θεωρία και από τα δεδοµένα του κατασκευαστή για το 2N3819 υπολογίστε την παράµετρο g m και συµπληρώστε τον πίνακα Ι. 4. Μετρήστε τις τάσεις εισόδου και εξόδου του ενισχυτή καθώς και τα ρεύµατα εισόδου και εξόδου. 5. Υπολογίστε την ενίσχυση τάσης (Α V ) καθώς και τις αντιστάσεις εισόδου (R i ) και εξόδου (R o ) του ενισχυτή. 6. Αφαιρέστε την αντίσταση φορτίου R L, στη θέση της συνδέστε την πηγή τάσης V 1, και βραχυκυκλώστε την είσοδο του ενισχυτή. 7. Μετρήστε την τάση (V o ) και το ρεύµα (I o ) στην έξοδο, καταχωρήστε τα στον πίνακα ΙΙ και υπολογίστε την αντίσταση εξόδου (R o ) του ενισχυτή. 8. Αφαιρέστε τον πυκνωτή C s και επαναλάβετε τα βήµατα 4-7. Καταχωρήστε όλα στον πίνακα ΙΙ. 9. Αντιγράψτε τα A V, R i, R o στον πίνακα ΙΙΙ. Υπολογίστε τις αντίστοιχες θεωρητικές τιµές και συµπληρώστε τον πίνακα ΙΙΙ µε αυτές. Κάντε τις συγκρίσεις σας. ΠΙΝΑΚΑΣ ΙΙ CS CS µε αντίσταση V i V o I i I o A V R i V o I o R o ΠΙΝΑΚΑΣ ΙΙΙ πειραµατική CS θεωρητική Α V R i R o CS µε αντίσταση Α V R i R o

23 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 23 ΑΣΚΗΣΗ 3 Η ΙΑΦΟΡΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΘΕΩΡΙΑ Στην άσκηση αυτή θα µελετήσουµε τη συµπεριφορά του διαφορικού ενισχυτή. Θα πάρουµε τις χαρακτηριστικές καµπύλες µεταφοράς του διαφορικού ενισχυτή και στη συνέχεια θα µελετήσουµε το ρόλο της αντίστασης εκποµπού στη διαµόρφωση του CMRR. ΑΣΚΗΣΗ 1. Σχεδιάστε το κύκλωµα του διαφορικού ενισχυτή και τοποθετείστε Markers στους συλλέκτες των τρανζίστορ του διαφορικού ενισχυτή (Q1, Q2).

24 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 24 πηγή ρεύµατος 2. Ρυθµίστε την ανάλυση του κυκλώµατος ώστε η V1 να σαρώνει στο συνεχές, τιµές από 120mV ως +120mV ανά 10mV. 3. Τρέξτε την εξοµοίωση και παρατηρείστε το αποτέλεσµα που παρουσιάζεται αυτόµατα. Γράψτε το όνοµά σας και τυπώστε το αποτέλεσµα µε την εντολή File Print. 4. Αντικαταστήστε την πηγή συνεχούς τάσης V1 µε πηγή εναλλασσόµενης τάσης V1 πλάτους 1mV συχνότητας 1kHz και µετρείστε µόνο την µια έξοδο (πχ V 01 = τάση στο συλλέκτη του Q1. Καταχωρείστε τη µέτρηση στον πίνακα Ι και υπολογίστε τη διαφορική ενίσχυση. 5. Συνδέστε τη V1 µε "κοινό τρόπο", δώστε τάση πλάτους 200mV και µετρείστε έτσι την ενίσχυση κοινού τρόπου, καταχωρώντας επίσης τα αποτελέσµατα στον πίνακα Ι. ΠΙΝΑΚΑΣ Ι V 1 V 0 A d V 1 V 0 A c CMRR Με πηγή ρεύµατος R E = 10ΚΩ R E =1ΚΩ 6. Αντικαταστήστε την πηγή ρεύµατος (τρανζίστορ Q3) µε αντίσταση R E =10ΚΩ και επαναλάβετε τα ερωτήµατα 4 και Αντικαταστήστε την R E αντίσταση 1ΚΩ και επαναλάβετε τα ερωτήµατα 4 και Συγκρίνετε τους τρεις διαφορικούς ενισχυτές και βγάλτε τα συµπεράσµατά σας.

25 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 25 ΑΣΚΗΣΗ 4 Η ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΕ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΘΕΩΡΙΑ Στην άσκηση αυτή θα µελετήσουµε διάφορα γραµµικά κυκλώµατα µε ΤΕ. Συγκεκριµένα να µελετήσουµε τον αναστρέφοντα ενισχυτή, τον µη αναστρέφοντα ενισχυτή, τον αθροιστή, και τον αφαιρέτη. Σαν ΤΕ θα χρησιµοποιήσουµε ένα πολύ κοινό ΤΕ τον µα741. Ωστόσο η θεωρητική ανάλυση είναι ανεξάρτητη από το συγκεκριµένο µοντέλο. Αναστρέφων ενισχυτής. Το βασικό κύκλωµα του ενισχυτή αυτού φαίνεται στο παρακάτω σχήµα. Όπως εύκολα αποδεικνύεται, 1 η ενίσχυση τάσης, η ενίσχυση ρεύµατος του ενισχυτή αυτού, η αντίσταση εισόδου και η αντίσταση εξόδου, για ιδανικό ΤΕ δίνονται από τους τύπους Ενίσχυση τάσης Ενίσχυση ρεύµατος Αντίσταση εισόδου Αντίσταση εξόδου R2 R2 R R 0 1 RL 1 Μη αναστρέφων ενισχυτής. Το βασικό κύκλωµα του ενισχυτή αυτού φαίνεται στο παρακάτω σχήµα. 1 βιβλίο θεωρίας

26 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 26 Αποδεικνύεται, 2 ότι η ενίσχυση τάσης, η ενίσχυση ρεύµατος του ενισχυτή αυτού, η αντίσταση εισόδου και η αντίσταση εξόδου, για ιδανικό ΤΕ δίνονται από τους τύπους Ενίσχυση τάσης Ενίσχυση ρεύµατος Αντίσταση εισόδου Αντίσταση εξόδου R2 1 R Αθροιστής Το βασικό κύκλωµα του αθροιστή φαίνεται στο παρακάτω σχήµα. Αποδεικνύεται, 3 ότι η τάση εξόδου είναι συνάρτηση των τάσεων εισόδου σύµφωνα µε τον τύπο 2 βιβλίο θεωρίας 3 βιβλίο θεωρίας

27 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 27 Αφαιρέτης V o R R = V + V R i1 i2 1 R2 Το βασικό κύκλωµα του αφαιρέτη φαίνεται στο παρακάτω σχήµα. Αποδεικνύεται, 4 ότι η τάση εξόδου είναι συνάρτηση των τάσεων εισόδου σύµφωνα µε τον τύπο R2 Vo = ( Vi2 V i 1) R 1 ΑΣΚΗΣΗ 1. Πραγµατοποιήστε το κύκλωµα του σχήµατος, οδηγείστε το κύκλωµα µε ηµιτονική τάση V i πλάτους 10mV συχνότητας 1kHz και τρέξτε την transient ανάλυση. 4 βιβλίο θεωρίας

28 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ Στο περιβάλλον παρατήρησης κυµατοµορφών, µετρείστε και καταγράψτε τις τάσεις εισόδου (V i ), εξόδου (V o ) και τα ρεύµατα εισόδου (Ι I ) και εξόδου (I o ). 10. Υπολογίστε την ενίσχυση τάσης (Α V ) του ενισχυτή, την ενίσχυση ρεύµατος (Α I ) και την αντίσταση εισόδου (R i ), καταχωρώντας τα αποτελέσµατα στον πίνακα Ι. 11. Αφαιρέστε τη γεννήτρια από την είσοδο του ενισχυτή και συνδέστε τη στην έξοδό του, χωρίς να αλλάξετε τις παραµέτρους της. Βραχυκυκλώστε την είσοδο του ενισχυτή και τρέξτε πάλι την εξοµοίωση. Μετρείστε και καταγράψτε τις τιµές των V o και I o. 12. Υπολογίστε την τιµή της αντίστασης εξόδου (R o ) του ενισχυτή. 13. Υπολογίστε θεωρητικά τις τιµές των A V, A I, R i, R o και καταχωρήστε τις στον πίνακα Ι. ΠΙΝΑΚΑΣ Ι Αναστρέφων Μη Αναστρέφων V i V 0 A V A V (θεωρ) Ι i I ο A I A I (θεωρ) R i R i (θεωρ) V 0 I ο R o R o (θεωρ)

29 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ Πραγµατοποιείστε το κύκλωµα του παρακάτω σχήµατος, οδηγείστε το κύκλωµα µε την ίδια ηµιτονική τάση V i και τρέξτε πάλι την transient ανάλυση. 15. Πάρτε µετρήσεις επαναλαµβάνοντας τα βήµατα 2-6 και συµπληρώστε τον πίνακα Ι. 16. Πραγµατοποιείστε το κύκλωµα του παρακάτω σχήµατος, οδηγείστε το κύκλωµα µε ηµιτονικές τάσεις V i1 µε πλάτος 20mV και V i2 και πλάτος 30mV και τρέξτε πάλι την transient ανάλυση. 17. Μετρήστε τις τάσεις V i1, V i2 και την τάση εξόδου V o και καταχωρήστε τις στον πίνακα ΙΙ. 18. Υπολογίστε θεωρητικά την τάση εξόδου V o συµπληρώστε τον πίνακα ΙΙ. Πϊνακας ΙΙ Αθροιστής V i1 V i2 V o V o (θεωρ)

30 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 30 Αφαιρέτης 19. Πραγµατοποιείστε το κύκλωµα του παρακάτω σχήµατος, οδηγείστε το κύκλωµα µε ηµιτονικές τάσεις V i1 µε πλάτος 20mV και V i2 µε πλάτος 30mV και τρέξτε πάλι την transient ανάλυση. 20. Μετρήστε τις τάσεις V i1, V i2 και την τάση εξόδου V o και καταχωρήστε τις πίνακα ΙΙ. 21. Υπολογίστε θεωρητικά την τάση εξόδου V o συµπληρώστε τον πίνακα ΙΙ. στον

31 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 31 ΑΣΚΗΣΗ 5 Η ΑΝΟΡΘΩΣΗ ΚΑΙ ΣΤΑΘΕΡΟΠΟΙΗΣΗ ΘΕΩΡΙΑ Ανόρθωση µιας εναλλασσόµενης τάσης (V i ) λέµε την αποκοπή των αρνητικών ή θετικών κορυφών της και εποµένως την παραγωγή µε αυτόν τον τρόπο µιας συνεχούς τάσης (V o ). Η πιο απλή µέθοδος ανόρθωσης είναι η απλή ανόρθωση και γίνεται µε το κύκλωµα του παρακάτω σχήµατος. Η παραγόµενη τάση είναι µεν συνεχής, όµως έχει πολύ µεγάλη κυµάτωση (ripple) σχεδόν όση το πλάτος της αρχικής τάσης. Η κυµάτωση αυτή µπορεί να µειωθεί µε την προσθήκη ενός πυκνωτή (C 1 ) στο κύκλωµα (βλ. παρακάτω σχήµα). Ως τάση κυµάτωσης (V r ) ορίζεται η peak-to-peak τιµή της τάσης εξόδου (V o ). Αποδεικνύεται ότι η τάση κυµάτωσης σχετίζεται µε τη χωρητικότητα του πυκνωτή µε τη σχέση Idc Vr = 2 fc όπου I dc είναι το ρεύµα που διαρρέει την αντίσταση (φορτίου) του κυκλώµατος, f συχνότητα της εναλλασσόµενης τάσης και C η χωρητικότητα του πυκνωτή. η

32 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 32 Η τιµή της τάσης V dc εξόδου βρίσκεται ως ο µέσος όρος της µέγιστης και της ελάχιστης τιµής της τάσης εξόδου (V o ). Αποδεικνύεται ότι η τάση V dc συνδέεται µε την τάση κυµάτωσης µε τη σχέση Vr Vdc = Vm 2 όπου V m η µέγιστη τιµή της τάσης. Οι δίοδοι ανόρθωσης διαρρέονται από ρεύµα µόνο στη φάση φόρτισης του πυκνωτή. Το ρεύµα αυτό είναι τόσο µεγαλύτερο όσο η χωρητικότητα του πυκνωτή όσο το ρεύµα I dc είναι µεγαλύτερα (βλ. παρακάτω σχήµα). Α η µια δίοδος αντικατασταθεί από δικτύωµα τεσσάρων διόδων σε συνδεσµολογία γέφυρας, τότε προκύπτει κύκλωµα πλήρους ανόρθωσης (βλ. παρακάτω σχήµα). Το κύκλωµα πλήρους ανόρθωσης δίνει µικρότερη τάση κυµάτωσης (σχεδόν τη µισή) σε σχέση µε το κύκλωµα απλής ανόρθωσης και µεγαλύτερη τάση V dc χωρίς να φορτίζει περισσότερο µια δίοδο.

33 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 33 Η µείωση της κυµάτωσης µε την αύξηση της χωρητικότητας του πυκνωτή έχει όρια γιατί οδηγεί ενίοτε σε υπερβολικά µεγάλες τιµές χωρητικότητας. Αντί αυτού συχνά χρησιµοποιείται συµπληρωµατικά κύκλωµα µε δίοδο zener (βλ. παρακάτω σχήµα) στο οποίο η κυµάτωση µειώνεται σηµαντικά.

34 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 34 ΑΣΚΗΣΗ 1. Πραγµατοποιείστε το κύκλωµα απλής ανόρθωσης του σχήµατος και τροφοδοτείστε την είσοδο του κυκλώµατος µε τάση 10V/50Hz. 2. Ρυθµίστε τις παραµέτρους τη εξοµοίωσης ώστε να εµφανιστούν 4 περίοδοι της τάσης και τρέξτε την εξοµοίωση. Στο περιβάλλον παρατήρησης (Probe), προσθέστε την τάση V i :+.Επίσης, προσθέστε ένα δεύτερο άξονα Υ και προσθέστε επίσης την κυµατοµορφή του ρεύµατος που διαρρέει τη δίοδο (I(D1)). 3. Σχεδιάστε τις κυµατοµορφές. 4. Μετρείστε τη µέση τιµή της τάσης εξόδου, την τάση κυµάτωσης και το ρεύµα κορυφής που διαρρέει τη δίοδο. V DC = V ripple = I peak = 5. Πραγµατοποιείστε το κύκλωµα διπλής ανόρθωσης του σχήµατος και τροφοδοτείστε την είσοδο του κυκλώµατος µε τάση 10V/50Hz. 6. Επαναλάβετε τα βήµατα 2,3,4, και για το νέο αυτό κύκλωµα. Εδώ χρειάζεται να προσθέσετε µόνο την κυµατοµορφή I(D1). V DC = V ripple = I peak = 7. Προσθέστε στο προηγούµενο κύκλωµα διπλής ανόρθωσης το κύκλωµα της διόδου zener. Το κύκλωµα που θα προκύψει φαίνεται σο παρακάτω σχήµα. Τροφοδοτείστε την είσοδο του κυκλώµατος µε τάση 10V/50Hz.

35 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ Επαναλάβετε τα βήµατα 2,3,4, και για το νέο αυτό κύκλωµα. Εδώ χρειάζεται να προσθέσετε µόνο την κυµατοµορφή I(D1). V DC = V ripple = I peak = 9. Αντικαταστήστε το κύκλωµα εξοµάλυνσης µε ζένερ από το ολοκληρωµένο κύκλωµα 7805 και επαναλάβετε τα βήµατα 2,3,4. V DC = V ripple = I peak =

36 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 36 ΑΣΚΗΣΗ 6 Η ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙ ΩΝ ΕΙ ΙΚΟΙ ΤΥΠΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ ΘΕΩΡΙΑ Στην άσκηση αυτή θα µελετήσουµε τις ιδιότητες δυο ή περισσοτέρων βαθµίδων ενισχυτών σε σύζευξη. Επίσης, θα µελετηθούν δυο χαρακτηριστικοί τύποι ενισχυτών που αποτελούνται από δυο βαθµίδες, δηλαδή τον ενισχυτή Darlington και τον ενισχυτή Cascode. Ακολουθεί µια σύντοµη θεωρητική µατιά. Ενισχυτές πολλών βαθµίδων Έστω τρεις ενισχυτές σε σύζευξη ( διατρέχονται διαδοχικά από αναλογικό σήµα). Έστω επίσης ότι οι απολαβές τάσης των ενισχυτών αυτών είναι Α V1, A V2, A V3 και οι απολαβές ρεύµατος A I1, A I2, A I3. i 1 i 2 i 3 i 4 v 1 #1 v 2 #2 v 3 #3 v 4 R L Από τον ορισµό των απολαβών τάσης θα ισχύει: v v A = A = v A = 4 v 2 3 V1 V2 V3 v1 v2 3 και συνεπώς A V v v v v = = = AV 1AV2A V3 v1 v1 v2 v3 επίσης από τον ορισµό των απολαβών ρεύµατος θα ισχύει: i i i A = A = A = i 2 3 I1 I2 I3 i1 i2 4 3 και συνεπώς A I i i i i = = = AI 1AI2A I3 i1 i1 i2 i3

37 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 37 Επίσης, όπως εύκολα αντιλαµβανόµαστε, η αντίσταση εισόδου του ολικού ενισχυτή συµπίπτει µε την αντίσταση της πρώτης βαθµίδας, ενώ η αντίσταση εισόδου των εποµένων βαθµίδων λειτουργούν ως αντιστάσεις φορτίου των ακριβώς προηγουµένων τους βαθµίδων. Ri,n = RL,n 1 Επίσης, η αντίσταση εξόδου του ολικού ενισχυτή θα είναι η αντίσταση εξόδου της τελευταίας βαθµίδας, ενώ η αντίσταση εξόδου µιας βαθµίδας λειτουργεί ως η αντίσταση πηγής της επόµενης βαθµίδας Ro,n = R s,n + 1 Ενισχυτής Darlington Είναι ενισχυτής που χρησιµοποιεί δυο τρανζίστορ όπως φαίνεται στο επόµενο κύκλωµα. Μπορεί να θεωρηθεί ως δυο βαθµίδες κοινού συλλέκτη µε απ ευθείας σύζευξη. Αυτό µπορούµε να το αντιληφθούµε αν θεωρήσουµε ως αντίσταση εκποµπού της πρώτης βαθµίδας µια άπειρη αντίσταση. Σύµφωνα λοιπόν µε τα παραπάνω, η ανάλυση κάθε βαθµίδας µπορεί να γίνει µε τους γνωστούς τύπους από την άσκηση 1 για τον ενισχυτή κοινού συλλέκτη και τα αποτελέσµατα αυτά να συνδυαστούν µε τη βοήθεια των παραπάνω σχέσεων. A V1 ( β1+ 1 )( ro 1 Ri2) + ( β + 1 )( ) r r R π 1 1 o1 i2 A V2 ( β2 + 1 )( ro2 Re RL) + ( β + 1 )( R ) r r R π 2 2 o2 e L R i R i2 A I R o R ( )( i ) Ri r b β 1+ 1 rπ 1+ ro 1 R 2 ( β2 + 1 )( rπ 2 + r o 2 R e R L ) π 2 AV Re ro2 R β +1 L 2

38 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 38 όπου R1R 2 Rb = R1 R2 = R + R 1 2 τους τύπους που αναφέρονται στην 1η άσκηση. ενώ τις παραµέτρους των δυο τρανζίστορ τις υπολογίζουµε από Ενισχυτής Cascode Είναι ενισχυτής που χρησιµοποιεί δυο τρανζίστορ όπως φαίνεται στο επόµενο κύκλωµα. Μπορεί να θεωρηθεί ως δυο βαθµίδες κοινού εκποµπού κοινής βάσης µε απ ευθείας σύζευξη. Σύµφωνα λοιπόν µε τα παραπάνω, η ανάλυση κάθε βαθµίδας µπορεί να γίνει µε τους γνωστούς τύπους από την άσκηση 1 για τους ενισχυτές κοινού εκποµπού και κοινής βάσης και τα αποτελέσµατα αυτά να συνδυαστούν µε τη βοήθεια των παραπάνω σχέσεων. A V1 A V2 g ( r R R ) g ( R R ) m1 o1 c1 i2 m2 c2 L R i R i2 A I R o Rb r π 1 Re r R e2 i R c2 A R V L όπου R1R 2 Rb = R1 R2 = R + R 1 2 τους τύπους που αναφέρονται στην 1η άσκηση. ενώ τις παραµέτρους των δυο τρανζίστορ τις υπολογίζουµε από

39 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ 39 ΑΣΚΗΣΗ Θα σχεδιάσουµε τα κυκλώµατα των ενισχυτών θα µετρήσουµε το σηµείο λειτουργίας και στη συνέχεια θα τρέξουµε την transfer analysis στα κυκλώµατα αυτά, για να µετρήσουµε έτσι τις ενισχύσεις τάσης και ρεύµατος και τις αντιστάσεις εισόδου και εξόδου. 1. Σχεδιάστε το κύκλωµα του ενισχυτή Darlington. Α 2. Μετρήστε το σηµείο λειτουργίας για κάθε τρανζίστορ και καταχωρήστε το στον πίνακα I B I C V BE V CE #1 #2 3. ιορθώστε τη βαθµίδα διέγερσης (V i ) έτσι ώστε να δίνει ηµιτονική τάση πλάτους 100mV συχνότητας 1kHz. 4. Ρυθµίστε τις παραµέτρους στο Analysis Setup ώστε να γίνει η transient ανάλυση και να εµφανίζονται 3 περίοδοι του σήµατος. 5. Κάντε την εξοµοίωση µε την εντολή Analysis Simulate. 6. Μετρείστε τις τάσεις εισόδου και εξόδου καθώς και τα ρεύµατα εισόδου και εξόδου του ενισχυτή και σηµειώστε τις τιµές που βρήκατε στα αντίστοιχα κελιά του πίνακα Ι. 7. Υπολογίστε τις απολαβές τάσης και ρεύµατος καθώς και την αντίσταση εισόδου του ενισχυτή από την τάση και το ρεύµα εισόδου και σηµειώστε τις τιµές αυτές στα αντίστοιχα κελιά του πίνακα Ι.

40 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ Αφαιρέστε την αντίσταση φορτίου, συνδέστε στην έξοδο του ενισχυτή τη γεννήτρια ηµιτονικής τάσης και βραχυκυκλώστε την είσοδο του ενισχυτή. µετρήστε τώρα την τάση και το ρεύµα εξόδου και καταχωρήστε τις τιµές αυτές στον πίνακα Ι. 9. Υπολογίστε την αντίσταση εξόδου του ενισχυτή από τις µετρήσεις του βήµατος Αντιγράψτε τις εργαστηριακές τιµές των A V, A I, R i και R o που βρήκατε, από τον πίνακα Ι στον πίνακα ΙΙ. Συµπληρώστε τον πίνακα ΙΙ µε τις θεωρητικές τιµές των ίδιων µεγεθών που θα τις υπολογίσετε µε τη βοήθεια των τύπων που παρατίθενται παραπάνω. Συγκρίνετε τις αντίστοιχες τιµές. ΠΙΝΑΚΑΣ Ι Darlington Cascode V i V o I i Ι o Α V Α Ι R i V o I o R o ΠΙΝΑΚΑΣ ΙΙ Darlington Cascode Πειρ. Θεωρ. Πειρ. Θεωρ. Α V Α Ι R i R o Β 11. Σχεδιάστε το κύκλωµα του ενισχυτή Cascode

41 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΧΑΜΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ Μετρήστε το σηµείο λειτουργίας για κάθε τρανζίστορ και καταχωρήστε το στον πίνακα I B I C V BE V CE #1 #2 13. ιορθώστε τη βαθµίδα διέγερσης (V i ) έτσι ώστε να δίνει ηµιτονική τάση πλάτους 1mV συχνότητας 1kHz. 14. Εκτελέστε όλα τα βήµατα της ενότητας Α από 4 µέχρι 10 και σηµειώστε τις τιµές που βρίσκετε ή υπολογίζετε, στα αντίστοιχα κελιά των πινάκων Ι και ΙΙ.

ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ

ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΤΕΙ ΚΑΛΑΜΑΤΑΣ - ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ ΣΠΑΡΤΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ: ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΗΤΡΩΟΥ:.. ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ: ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΗΤΡΩΟΥ:.. Α. ΜΕΤΡΗΣΗ ΣΥΝΕΧΟΥΣ

Διαβάστε περισσότερα

Tools, Help.

Tools, Help. Εισαγωγή Το LTspice είναι ένα πρόγραµµα εξοµοίωσης της συµπεριφοράς των ηλεκτρονικών εξαρτηµάτων και κυκλωµάτων. Το πρόγραµµα διατίθεται δωρεάν και µπορείτε να το κατεβάσετε από την παρακάτω ηλεκτρονική

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΠΕΛΟΠΟΝΝΗΣΟΥ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Τ.Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ (μέσω προσομοίωσης) Γιάννης

Διαβάστε περισσότερα

PWL REPEAT FOREVER ( m m m 0) ENDREPEAT

PWL REPEAT FOREVER ( m m m 0) ENDREPEAT ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ Μοντέλο ενός τελεστικού ενισχυτή Ο τελεστικός ενισχυτής είναι ένα κύκλωµα µε δύο εισόδους και µία έξοδο Στην έξοδο εµφανίζεται η διαφορά των εξόδων πολλαπλασιασµένη επί το κέρδος ανοιχτού

Διαβάστε περισσότερα

MOSFET. Shockley W L W L

MOSFET. Shockley W L W L MOSFET Χαρακτηριστικές εισόδου, εξόδου ιαγωγιµότητα Η λειτουργία του MOSFET στην ενεργό περιοχή περιγράφεται από την εξίσωση του Shockley I D = K V ( V ) 2 GS T όπου V Τ η τάση κατωφλίου και Κ σταθερά.

Διαβάστε περισσότερα

1η Εργαστηριακή Άσκηση: Απόκριση κυκλώµατος RC σε βηµατική και αρµονική διέγερση

1η Εργαστηριακή Άσκηση: Απόκριση κυκλώµατος RC σε βηµατική και αρµονική διέγερση Ονοµατεπώνυµο: Αριθµός Μητρώου: Εξάµηνο: Υπογραφή Εργαστήριο Ηλεκτρικών Κυκλωµάτων και Συστηµάτων 1η Εργαστηριακή Άσκηση: Απόκριση κυκλώµατος σε βηµατική και αρµονική διέγερση Μέρος Α : Απόκριση στο πεδίο

Διαβάστε περισσότερα

4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ

4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΣΤΟΧΟΙ 4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ Ημερομηνία:.... /.... /...... Τμήμα:.... Ομάδα: η κατανόηση της αρχής λειτουργίας ενός ενισχυτή δύο βαθμίδων με άμεση σύζευξη η εύρεση της περιοχής

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ 4.1 MOS Τρανζίστορ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙV ΤΟ MOS ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 4.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

ΠΙΝΑΚΑΣ ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΩΝ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ

ΠΙΝΑΚΑΣ ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΩΝ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ ΠΙΝΑΚΑΣ ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΩΝ ΠΡΟΛΟΓΟΣ...17 ΕΙΣΑΓΩΓΗ...19 ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΠΡΩΤΟ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΜΕΘΟ ΟΛΟΓΙΑ ΣΧΕ ΙΑΣΗΣ 1.1 Μεθοδολογία σχεδίασης...25 1.2 Η διαδικασία της σχεδίασης...26 1.3 ηµιουργικότητα στη

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙΙI ΤΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 3.1 ιπολικό Τρανζίστορ 3.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής 1. Ένα τρανζίστορ διπλής επαφής είναι πολωµένο σωστά όταν: α. Η βάση είναι σε υψηλότερο δυναµικό από τον εκποµπό και σε χαµηλότερο από το συλλέκτη β. Η βάση είναι σε χαµηλότερο

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ 1.1 Τελεστικοί ενισχυτές 1.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΗΜΟΚΡΙΤΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΡΑΚΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΞΑΝΘΗΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΥΣΗΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΙΙΙ

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM ΜΑΘΗΜΑ : ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM Σκοπός: Η Εξέταση λειτουργίας του ενισχυτή κοινού εκπομπού και εντοπισμός βλαβών στο κύκλωμα με τη χρήση του προγράμματος προσομοίωσης

Διαβάστε περισσότερα

5. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ

5. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ. Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙ Ημερομηνία:.... /.... /...... Τμήμα:.... Ομάδα: 5. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΧΟΙ η κατανόηση της επίδρασης

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Εργαστήριο 1 Εισαγωγή στις Μετρήσεις Σηµάτων Λευκωσία, 2013 Εργαστήριο 1 Εισαγωγή στις Μετρήσεις

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής 3 Ενισχυτές Μετρήσεων 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής Πολλές φορές ένας ενισχυτής σχεδιάζεται ώστε να αποκρίνεται στη διαφορά µεταξύ δύο σηµάτων εισόδου. Ένας τέτοιος ενισχυτής ονοµάζεται ενισχυτής διαφοράς

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας ΔΙΟΔΟΣ Οι περισσότερες ηλεκτρονικές συσκευές όπως οι τηλεοράσεις, τα στερεοφωνικά συγκροτήματα και οι υπολογιστές χρειάζονται τάση dc για να λειτουργήσουν σωστά.

Διαβάστε περισσότερα

8. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL

8. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ. Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙ ΣΤΟΧΟΙ Ημερομηνία:.... /.... /...... Τμήμα:.... Ομάδα: 8. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ USH-ULL η κατανόηση της αρχής λειτουργίας ενός

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήµιο Θεσσαλίας

Πανεπιστήµιο Θεσσαλίας Πανεπιστήµιο Θεσσαλίας Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών ΗΥ 130 : Ψηφιακή σχεδίαση Βόλος 2015 1 Εισαγωγή Το Multisim είναι ένα ολοκληρωμένο περιβάλλον προσομοίωσης της συμπεριφοράς

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ 2 ΑΣΚΗΣΗ 1 η Μετρήσεις τάσεων και ρευμάτων με χρήση ψηφιακού πολύμετρου. Προετοιμασία: Για να πραγματοποιήσετε την άσκηση, θα πρέπει να έχετε μελετήσει τα κεφάλαια 1 και 2 του θεωρητικού

Διαβάστε περισσότερα

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ 3 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το διπολικό τρανζίστορ Άσκηση 8η. Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ. 1. Πραγματοποιήστε την συνδεσμολογία του κυκλώματος του Σχ. 1α (τρανζίστορ 2Ν2219). Σχήμα

Διαβάστε περισσότερα

Σελίδα 1 από 8. Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52

Σελίδα 1 από 8. Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52 Σελίδα 1 από 8 Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52 Ερώτηση 1 η : Πολυδονητές ονοµάζονται τα ηλεκτρονικά κυκλώµατα που παράγουν τετραγωνικούς παλµούς. 2 η : Ανάλογα µε τον τρόπο λειτουργίας τους διακρίνονται σε:

Διαβάστε περισσότερα

ΣΥΝΤΟΜΟ ΕΓΧΕΙΡΙ ΙΟ ΤΟΥ ΛΟΓΙΣΜΙΚΟΥ ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΣΗΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΜULTISIM

ΣΥΝΤΟΜΟ ΕΓΧΕΙΡΙ ΙΟ ΤΟΥ ΛΟΓΙΣΜΙΚΟΥ ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΣΗΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΜULTISIM ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΣΥΝΤΟΜΟ ΕΓΧΕΙΡΙ ΙΟ ΤΟΥ ΛΟΓΙΣΜΙΚΟΥ ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΣΗΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΜULTISIM ΕΑΡΙΝΟ ΕΞΑΜΗΝΟ 2007-08 ΣΥΝΤΟΜΟ ΕΓΧΕΙΡΙ ΙΟ ΤΟΥ ΛΟΓΙΣΜΙΚΟΥ

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΙΑΦΟΡΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ 1 1-1 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε BJT s 1 και ιπλή Έξοδο Ανάλυση µε το Υβριδικό Ισοδύναµο του Τρανζίστορ 2 Ανάλυση µε βάση τις Ενισχύσεις των Βαθµίδων CE- 4

Διαβάστε περισσότερα

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014 ΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΜΑΚΑΡΙΟΣ Γ ΣΧΟΛΙΚΗ ΧΡΟΝΙΑ: 2013 2014 ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014 Κατεύθυνση: Θεωρητική Μάθημα: Τεχνολ.& Εργ. Ηλεκτρονικών Τάξη: Β Αρ. Μαθητών: 8 Κλάδος: Ηλεκτρολογία

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση των Τρανζίστορ

Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση λέμε την κατάλληλη συνεχή τάση που πρέπει να εφαρμόσουμε στο κύκλωμα που περιλαμβάνει κάποιο ηλεκτρονικό στοιχείο (π.χ τρανζίστορ), έτσι ώστε να εξασφαλίσουμε την ομαλή λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 4. Δίοδος Zener

Άσκηση 4. Δίοδος Zener ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 4 Δίοδος Zener Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη της διόδου Zener. Γίνεται μελέτη της χαρακτηριστικής

Διαβάστε περισσότερα

2. ΞΕΚΙΝΩΝΤΑΣ ΤΟ PSPICE

2. ΞΕΚΙΝΩΝΤΑΣ ΤΟ PSPICE 2. ΞΕΚΙΝΩΝΤΑΣ ΤΟ PSPICE Για την εκκίνηση του πακέτου εξοµοίωσης PSpice 9.1. (Student Version) είναι απαραίτητη η εκτέλεση του αρχείου Capture.exe. Αυτό κατά κανόνα βρίσκεται στο φάκελο όπου είναι εγκατεστηµένο

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν 1. Εισαγωγικά στοιχεία ηλεκτρονικών - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 1. ΘΕΜΕΛΙΩ ΕΙΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΑΙ ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Ηλεκτρικό στοιχείο: Κάθε στοιχείο που προσφέρει, αποθηκεύει και καταναλώνει

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής Ο διαφορικός ενισχυτής (differential amplifier) είναι από τα πλέον διαδεδομένα και χρήσιμα κυκλώματα στις ενισχυτικές διατάξεις. Είναι βασικό δομικό στοιχείο του τελεστικού

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Εργαστήριο 8 Εκθετικά κύµατα και Σύνθετη Αντίσταση Λευκωσία, 2014 Εργαστήριο 8 Εκθετικά κύµατα

Διαβάστε περισσότερα

9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ. Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να

9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ. Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να 9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να ενισχύσει ένα σήµα (δηλ. να αυξήσει ονοµαστικά το µέγεθος της τάσης ή του ρεύµατος).

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΠΕΙΡΑΜΑ 4

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΠΕΙΡΑΜΑ 4 Εφόσον το τρανζίστορ ενός ενισχυτή κοινού εκπομπού πολωθεί με το σημείο Q να βρίσκεται κοντά στο μέσο της DC γραμμής φορτίου, μπορεί να συνδεθεί ένα μικρό ac σήμα στη βάση. Με αυτόν τον τρόπο, παράγεται

Διαβάστε περισσότερα

Μετρήσεις µε παλµογράφο

Μετρήσεις µε παλµογράφο Η6 Μετρήσεις µε παλµογράφο ΜΕΡΟΣ 1 ο ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟΣ Α. Γενικά Κατά την απεικόνιση ενός εναλλασσόµενου µεγέθους (Σχήµα 1), είναι γνωστό ότι στον κατακόρυφο άξονα «Υ» παριστάνεται το πλάτος του µεγέθους, ενώ

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτής Κοινού Εκπομπού

Ενισχυτής Κοινού Εκπομπού Θεωρητική Ανάλυση: Ενισχυτής Κοινού Εκπομπού 1. Κατασκευάστε έναν ενισχυτή κοινού εκπομπού, όπως φαίνεται στο παρακάτω σχήμα με κέρδος τάσης -10, ο οποίος να τροφοδοτείται από τάση VCC=+12V και να εμφανίζει

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟΥ ΛΟΓΙΣΜΙΚΟΥ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΣ» ΓΙΑ ΤΙΣ ΑΝΑΓΚΕΣ ΤΗΣ ΤΕΧΝΙΚΗΣ ΕΠΑΓΓΕΛΜΑΤΙΚΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ.

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟΥ ΛΟΓΙΣΜΙΚΟΥ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΣ» ΓΙΑ ΤΙΣ ΑΝΑΓΚΕΣ ΤΗΣ ΤΕΧΝΙΚΗΣ ΕΠΑΓΓΕΛΜΑΤΙΚΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ. 478 ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟΥ ΛΟΓΙΣΜΙΚΟΥ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΣ» ΓΙΑ ΤΙΣ ΑΝΑΓΚΕΣ ΤΗΣ ΤΕΧΝΙΚΗΣ ΕΠΑΓΓΕΛΜΑΤΙΚΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ. Γλάρος Ιωάννης ΤΕ 01 Ηλεκτρονικός Εκπαιδευτικός Δ.Ε http://3tee-rodou.dod.sch.gr

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ 5 ο ΕΞΑΜΗΝΟ ΗΜΜΥ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ 1 Ι. ΠΑΠΑΝΑΝΟΣ ΑΠΡΙΛΙΟΣ

Διαβάστε περισσότερα

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2) Ηλ/κά ΙΙ, Σεπτ. 05 ΘΕΜΑ 1 ο (2,5 µον.) R 1 (Ω) R B Ρελέ R2 R3 Σχ. (1) Σχ. (2) Φωτεινότητα (Lux) Ένας επαγγελµατίας φωτογράφος χρειάζεται ένα ηλεκτρονικό κύκλωµα για να ενεργοποιεί µια λάµπα στο εργαστήριό

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Εργαστήριο 7 Εκθετικά κύµατα και Σύνθετη Αντίσταση Λευκωσία, 2013 Εργαστήριο 7 Εκθετικά κύµατα

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΔΙΟΔΟΣ (Μάθημα 4 ο 5 ο 6 ο 7 ο ) 1/12 4 o εργαστήριο Ιδανική δίοδος n Συμβολισμός της διόδου n 2/12 4 o εργαστήριο Στατική χαρακτηριστική διόδου Άνοδος (+) Κάθοδος () Αν στην ιδανική

Διαβάστε περισσότερα

Χρήση του Παλμογράφου

Χρήση του Παλμογράφου Κορδάς Γεώργιος Φυσικός MSc. ΕΚΦΕ Ρόδου Ιανουάριος 2011 Ο παλμογράφος είναι ένας απεικονιστής τάσης με την πάροδο του χρόνου. Είναι βολτόμετρο που δεν καταγράφει τις τιμές, αλλά απεικονίζει στην οθόνη

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήµιο Κύπρου. Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών. ΗΜΥ 100 Εισαγωγή στην Τεχνολογία

Πανεπιστήµιο Κύπρου. Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών. ΗΜΥ 100 Εισαγωγή στην Τεχνολογία Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών ΗΜΥ 100 Εισαγωγή στην Τεχνολογία Εργαστήριο: Εισαγωγή στο Βασικό Εξοπλισµό Μετρήσεως Σηµάτων Σκοποί: 1. Η εξοικείωση µε τη βασική

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ 45 ίοδοι - Επαφή p-n Τα ηλεκτρονικά εξαρτήµατα κατασκευάζονται µε βάση έναν κρύσταλλο πυριτίου. Το πυρίτιο σε πολύ χαµηλή θερµοκρασία έχει τα τέσσερα ηλεκτρόνια σθένους

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ ΕΠΩΝΥΜΟ ΟΝΟΜΑ Α.Μ. ΤΜΗΜΑ ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΔΙΕΞΑΓΩΓΗΣ:.... /..../ 20.. ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΠΑΡΑΔΟΣΗΣ:.... /..../ 20.. ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΣΤΟΧΟΙ η κατανόηση

Διαβάστε περισσότερα

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα. Τεχνική Σχεδίαση

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα. Τεχνική Σχεδίαση ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Τεχνική Σχεδίαση Ενότητα: ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 5 ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΣΗ ΒΑΣΙΚΟΥ ΚΥΚΛΩΜΑΤΟΣ ΜΕ ΧΡΗΣΗ ΤΟΥ ORCAD PSPICE ΘΕΟΔΩΡΟΣ ΓΚΑΝΕΤΣΟΣ Τμήμα Μηχ.

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7. Σχ.7.1. Σύµβολο κοινού τελεστικού ενισχυτή και ισοδύναµο κύκλωµα.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7. Σχ.7.1. Σύµβολο κοινού τελεστικού ενισχυτή και ισοδύναµο κύκλωµα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 7. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ Ο τελεστικός ενισχυτής εφευρέθηκε κατά τη διάρκεια του δεύτερου παγκοσµίου πολέµου και. χρησιµοποιήθηκε αρχικά στα συστήµατα σκόπευσης των αντιαεροπορικών πυροβόλων για

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής Ο τελεστικός ενισχυτής, TE (operational ampliier, op-amp) είναι ένα από τα πιο χρήσιμα αναλογικά κυκλώματα. Κατασκευάζεται ως ολοκληρωμένο κύκλωμα (integrated circuit) και

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙΙ Η ΙΟ ΟΣ 2.1 ίοδοι 2.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής άσκησης είναι η επαφή

Διαβάστε περισσότερα

2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος Thevenin

2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος Thevenin Ονοµατεπώνυµο: Αριθµός Μητρώου: Εξάµηνο: Υπογραφή Εργαστήριο Ηλεκτρικών Κυκλωµάτων και Συστηµάτων 2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος hevenin Απόκριση στο πεδίο της συχνότητας

Διαβάστε περισσότερα

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα. Τεχνική Σχεδίαση

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα. Τεχνική Σχεδίαση ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Τεχνική Σχεδίαση Ενότητα: ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 3 ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΣΧΗΜΑΤΙΚΟΥ ΔΙΑΓΡΑΜΜΑΤΟΣ ΜΕ ΧΡΗΣΗ ΤΟΥ ORCAD ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΘΕΟΔΩΡΟΣ ΓΚΑΝΕΤΣΟΣ Τμήμα Μηχ.

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 1-1 Ενεργειακές Ζώνες 3 1-2 Αµιγείς και µη Αµιγείς Ηµιαγωγοί 5 ότες 6 Αποδέκτες 8 ιπλοί ότες και Αποδέκτες 10 1-3 Γένεση, Παγίδευση και Ανασύνδεση Φορέων 10 1-4 Ένωση pn

Διαβάστε περισσότερα

5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση. Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού

5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση. Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού 5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 5. ΤΡΟΦΟ ΟΤΙΚΑ 220 V, 50 Hz. 0 V Μετασχηµατιστής Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση 0 V 0 V Ανορθωτής Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού Φίλτρο

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ & ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ & ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ Σχολή Θετικών Επιστημών και Τεχνολογίας Τμήμα Επιστήμης και Τεχνολογίας Τηλεπικοινωνιών ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ & ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ Αρχές Τηλ/ων Συστημάτων Εργαστήριο 2 ο : Φάσμα σημάτων - AWGN Βοηθητικές

Διαβάστε περισσότερα

2. ΑΝΟΡΘΩΤΙΚΗ ΔΙΑΤΑΞΗ ΓΕΦΥΡΑΣ

2. ΑΝΟΡΘΩΤΙΚΗ ΔΙΑΤΑΞΗ ΓΕΦΥΡΑΣ ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ. Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙ ΣΤΟΧΟΙ Ημερομηνία:.... /.... /...... Τμήμα:.... Ομάδα: 2. ΑΝΟΡΘΩΤΙΚΗ ΔΙΑΤΑΞΗ ΓΕΦΥΡΑΣ η κατανόηση της τρόπου λειτουργίας

Διαβάστε περισσότερα

Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1

Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3...2 ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ...2 3.1 Απόκριση συχνότητας ενισχυτών...2 3.1.1 Παραμόρφωση στους ενισχυτές...5 3.1.2 Πιστότητα των ενισχυτών...6 3.1.3

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 2 ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΑΠΟ ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΠΛΑΤΟΥΣ (ΑΜ)

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 2 ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΑΠΟ ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΠΛΑΤΟΥΣ (ΑΜ) ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 2 ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΑΠΟ ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΠΛΑΤΟΥΣ (ΑΜ) 1. ιαµόρφωση Πλάτους. Στην άσκηση αυτή θα ασχοληθούµε µε τη ιαµόρφωση Πλάτους (Amplitude Modulation) χρησιµοποιώντας τον ολοκληρωµένο διαµορφωτή

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΤΙΣΤΑΘΜΙΣΗ ΑΕΡΓΟΥ ΙΣΧΥΟΣ

ΑΝΤΙΣΤΑΘΜΙΣΗ ΑΕΡΓΟΥ ΙΣΧΥΟΣ ΕΙΚΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 2 ΑΝΤΙΣΤΑΘΜΙΣΗ ΑΕΡΓΟΥ ΙΣΧΥΟΣ Εισαγωγή Στα πειράµατα της εικονικής άσκησης 1 δόθηκε η ευκαιρία να παρατηρήσουµε τα προβλήµατα που δηµιουργεί η ροή αέργου ισχύος στο δίκτυο,

Διαβάστε περισσότερα

Ερώτηση 3 (2 µον.) Ε 1. ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2003-2004

Ερώτηση 3 (2 µον.) Ε 1. ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2003-2004 ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2003-2004 Ερώτηση 1 (2 µον.) Το σχ. (α) δείχνει το κύκλωµα ενός περιοριστή. Από τη χαρακτηριστική καµπύλη τάσης εισόδου-εξόδου V out =

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΕΠΩΝΥΜΟ ΟΝΟΜΑ Α.Μ. ΤΜΗΜΑ ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΔΙΕΞΑΓΩΓΗΣ:.... /..../ 20.. ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΠΑΡΑΔΟΣΗΣ:.... /..../ 20.. ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΣΤΟΧΟΙ η

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά -1- Η τιμή της dc παραμέτρου β ενός npn transistor έχει τιμή ίση με 100. Το transistor λειτουργεί στην ενεργή περιοχή με ρεύμα συλλέκτη 1mA. Το ρεύμα βάσης έχει

Διαβάστε περισσότερα

Κάθε ένα κελί θα πρέπει να περιέχει ένα μόνο στοιχείο δεδομένων, για παράδειγμα το όνομα σε ένα κελί, το επίθετο σε άλλο κελί.

Κάθε ένα κελί θα πρέπει να περιέχει ένα μόνο στοιχείο δεδομένων, για παράδειγμα το όνομα σε ένα κελί, το επίθετο σε άλλο κελί. ΜΑΘΗΜΑ 2 ΣΤΟΧΟΙ: 1. Εισαγωγή Δεδομένων Σε Κελιά 2. Αλλαγή Προβολής Φύλλου Εργασίας 3. Επιλογή Κελιών 4. Επιλογή Όλου Του Φύλλου Εργασίας 5. Μετακίνηση Στο Φύλλο Εργασίας 6. Επεξεργασία Δεδομένων Σε Ένα

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΣΥΛΛΕΚΤΗ ΑΚΟΛΟΥΘΗΤΗΣ ΤΑΣΗΣ

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΣΥΛΛΕΚΤΗ ΑΚΟΛΟΥΘΗΤΗΣ ΤΑΣΗΣ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 41 ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΣΥΛΛΕΚΤΗ ΑΚΟΛΟΥΘΗΤΗΣ ΤΑΣΗΣ Η συνδεσµολογία κοινού συλλέκτη φαίνεται στο σχήµα 41 Αν σχηµατίσουµε το ac ισοδύναµο θα δούµε ότι ο συλλέκτης συνδέεται στη γη και αποτελεί κοινό

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 11 Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ua741 ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ

Άσκηση 11 Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ua741 ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ Άσκηση 11 Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ua741 ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ Αυτό έργο χορηγείται με άδεια Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike Greece 3.0. Ονοματεπώνυμο: Μητρόπουλος Σπύρος Α.Ε.Μ.: 3215

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Σχήµα 1. Κύκλωµα DC πόλωσης ηλεκτρονικού στοιχείου Στο ηλεκτρονικό στοιχείο του σχήµατος

Διαβάστε περισσότερα

4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET

4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET 4 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το MOSFET Άσκηση 12η. Ενισχυτής κοινής πηγής με MOSFET, DC λειτουργία. 1. Υλοποιείστε το κύκλωμα του ενισχυτή κοινής πηγής με MOSFET (2Ν7000) του Σχ. 1. V DD = 12 V C by R g = 50 C i R A 1

Διαβάστε περισσότερα

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131 Περιεχόμενα v ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1: ΔΙΟΔΟΙ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ...1 1.1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ...1 1.2 ΥΛΙΚΑ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ: Ge, Si ΚΑΙ GaAs...2 1.3 ΟΜΟΙΟΠΟΛΙΚΟΙ ΔΕΣΜΟΙ ΚΑΙ ΕΝΔΟΓΕΝΗ ΥΛΙΚΑ...3 1.4 ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΕΣ ΣΤΑΘΜΕΣ...6 1.5 ΕΞΩΓΕΝΗ

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 6.1 ΚΑΘΡΕΠΤΕΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Σε ένα καθρέπτη ρεύµατος, το ρεύµα του κλάδου της εξόδου είναι πάντα ίσο µε το ρεύµα του κλάδου της εισόδου, αποτελεί δηλαδή το είδωλο του. Μία τέτοια διάταξη δείχνει

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017 ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Λ ΜΠΙΣΔΟΥΝΗΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 6/0/07 ΘΕΜΑ ο ( μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται:

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ). 7. Εισαγωγή στο διπολικό τρανζίστορ-ι.σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 7. TΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Ανάλογα µε το υλικό διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και 2. τρανζίστορ πυριτίου

Διαβάστε περισσότερα

1. Κατανόηση Και Αλλαγή Μεταξύ Προβολών Εμφάνισης Της Παρουσίασης. 1. Κατανόηση Και Αλλαγή Μεταξύ Προβολών Εμφάνισης Της Παρουσίασης

1. Κατανόηση Και Αλλαγή Μεταξύ Προβολών Εμφάνισης Της Παρουσίασης. 1. Κατανόηση Και Αλλαγή Μεταξύ Προβολών Εμφάνισης Της Παρουσίασης ΜΑΘΗΜΑ 2 ΣΤΟΧΟΙ: 1. Κατανόηση Και Αλλαγή Μεταξύ Προβολών Εμφάνισης Της Παρουσίασης 2. Καρτέλα Διάρθρωσης (Outline Tab) 3. Προσθήκη Νέας Διαφάνειας 4. Αλλαγή Διάταξης Διαφάνειας 5. Προσθήκη Κειμένου Και

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων Στον χώρο της ηλεκτρονικής οι ενισχυτές είναι ευρέως χρησιμοποιούμενες διατάξεις με τις οποίες μπορούμε να ενισχύσουμε ένα σήμα με σχετικά μικρό πλάτος (πχ. το σήμα

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Εργαστήριο 6 Θεώρηµα Thevenin Λευκωσία, 2015 Εργαστήριο 6 Θεώρηµα Thevenin Σκοπός: Σκοπός

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ & ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ & ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ Σχολή Θετικών Επιστημών και Τεχνολογίας Τμήμα Επιστήμης και Τεχνολογίας Τηλεπικοινωνιών ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ & ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ Ι Εργαστήριο 1 ο : Εισαγωγή στο Simulink-Σήματα ημιτόνου-awgn

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων

Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων Εργαστήριο 7 Εκθετικά κύματα και Σύνθετη Αντίσταση Λευκωσία, 2010 Εργαστήριο 7 Εκθετικά κύματα

Διαβάστε περισσότερα

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../. A(dB) ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ Μάθημα: Αναλογικά Ηλεκτρονικά Εισηγητής: Ηλίας Σταύρακας Θέμα 1 ο (μονάδες 3): Ακαδημαϊκό Έτος 201112 Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις :

Διαβάστε περισσότερα

ΜΕΛΕΤΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΜΕ ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟ

ΜΕΛΕΤΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΜΕ ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟ 4.1 ΑΣΚΗΣΗ 4 ΜΕΛΕΤΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΜΕ ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟ A. ΣΥΝΘΕΣΗ ΚΑΘΕΤΩΝ ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΩΝ ΚΑΙ ΕΥΡΕΣΗ ΤΗΣ ΔΙΑΦΟΡΑΣ ΦΑΣΕΩΣ ΤΟΥΣ Η σύνθεση δύο καθέτων ταλαντώσεων, x x0 t, y y0 ( t ) του ίδιου πλάτους της ίδιας συχνότητας

Διαβάστε περισσότερα

«Ενισχυτές με διπολικό transistor»

«Ενισχυτές με διπολικό transistor» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Ενισχυτές με διπολικό transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή Πόλωση Αρχές ενίσχυσης Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για BJT ΤΗΜΜΥ 2 Σκοπός αυτής

Διαβάστε περισσότερα

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k, Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ) με τα εξής χαρακτηριστικά: 3 k, 50, k, S k και V 5 α) Nα υπολογιστούν οι τιμές των αντιστάσεων β) Να επιλεγούν οι χωρητικότητες C, CC έτσι ώστε ο ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

Συστήματα Αυτομάτου Ελέγχου

Συστήματα Αυτομάτου Ελέγχου ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΠΕΙΡΑΙΑ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΥ Καθ. Εφαρμογών: Σ. Βασιλειάδου Εργαστήριο Συστήματα Αυτομάτου Ελέγχου για Ηλεκτρολόγους Μηχανικούς Εργαστηριακές Ασκήσεις Χειμερινό

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 3 ΣΧΕ ΙΑΣΜΟΣ ΚΑΙ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΕΝΕΡΓΩΝ ΦΙΛΤΡΩΝ. ΣΚΟΠΟΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 3 ΣΧΕ ΙΑΣΜΟΣ ΚΑΙ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΕΝΕΡΓΩΝ ΦΙΛΤΡΩΝ. ΣΚΟΠΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 3 ΣΧΕ ΙΑΣΜΟΣ ΚΑΙ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΕΝΕΡΓΩΝ ΦΙΛΤΡΩΝ. ΣΚΟΠΟΣ Ένα ενεργό σύστηµα είναι ένα ηλεκτρικό κύκλωµα που αποτελείται από παθητικά στοιχεία και ελεγχόµενες πηγές. Ενεργή σύνθεση είναι η

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στις Τηλεπικοινωνίες / Εργαστήριο

Εισαγωγή στις Τηλεπικοινωνίες / Εργαστήριο ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Εισαγωγή στις Τηλεπικοινωνίες / Εργαστήριο Εργαστηριακή Άσκηση 4: Πειραματική μελέτη συστημάτων διαμόρφωσης συχνότητας (FΜ) Δρ.

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τελεστικοί Ενισχυτές Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ο ιδανικός τελεστικός ενισχυτής Είσοδος αντιστροφής Ισοδύναμα Είσοδος μη αντιστροφής A( ) A d 2 1 2 1

Διαβάστε περισσότερα

Αναλογικά Ηλεκτρονικά. Γνωριµία µε τον εξοπλισµό του εργαστηρίου. Άσκηση 1

Αναλογικά Ηλεκτρονικά. Γνωριµία µε τον εξοπλισµό του εργαστηρίου. Άσκηση 1 Άσκηση 1 Γνωριµία µε τον εξοπλισµό του εργαστηρίου (α) Breadboard Για να κατασκευάσουµε ένα ηλεκτρικό κύκλωµα χωρίς να καταστρέψουµε τα ηλεκτρικά στοιχεία που έχουµε στην διάθεση µας χρειαζόµαστε κάποιου

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ Σκοπός : 1. Γνωριμία με το τρανζίστορ. Μελέτη πόλωσης του τρανζίστορ και ευθεία φορτίου. 2. Μελέτη τρανζίστορ σε λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

Πείραμα. Ο Διαφορικός Ενισχυτής. Εξοπλισμός. Διαδικασία

Πείραμα. Ο Διαφορικός Ενισχυτής. Εξοπλισμός. Διαδικασία Ο Διαφορικός Ενισχυτής Ο διαφορικός ενισχυτής είναι η βαθμίδα εισόδου άμεσης σύζευξης ενός τυπικού τελεστικού ενισχυτή. Η πιο κοινή μορφή ενός διαφορικού ενισχυτή είναι ένα κύκλωμα με είσοδο δύο άκρων

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3ο ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΔΙΟΔΟΙ Επαφή ΡΝ Σε ένα κομμάτι κρύσταλλο πυριτίου προσθέτουμε θετικά ιόντα 5σθενούς στοιχείου για τη δημιουργία τμήματος τύπου Ν από τη μια μεριά, ενώ από την

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ένα ηλεκτρικό κύκλωμα αποτελείται από ένα σύνολο

Διαβάστε περισσότερα

ΜΑΡΛΙΤΣΗΣ ΔΗΜΗΤΡΗΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΜΕ ΘΕΜΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΕ ΤΟ P-SPICE Α.Μ.

ΜΑΡΛΙΤΣΗΣ ΔΗΜΗΤΡΗΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΜΕ ΘΕΜΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΕ ΤΟ P-SPICE Α.Μ. ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΜΕ ΘΕΜΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΕ ΤΟ P-SPICE ΜΑΡΛΙΤΣΗΣ ΔΗΜΗΤΡΗΣ Α.Μ. : 3926 ΕΠΙΒΛΕΠΩΝ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ: ΔΡΑΚΑΚΗΣ ΕΜΜΑΝΟΥΗΛ, ΑΝΑΠΛΗΡΩΤΗΣ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ-3: ΣΧΗΜΑΤΑ LISSAJOUS

ΑΣΚΗΣΗ-3: ΣΧΗΜΑΤΑ LISSAJOUS ΑΣΚΗΣΗ-3: ΣΧΗΜΑΤΑ LISSAJOUS ΣΤΟΧΟΙ ΕΚΜΑΘΗΣΗΣ Δημιουργία σχημάτων Lissajous με ψηφιακό παλμογράφο για την μέτρηση της διαφοράς φάσης μεταξύ των κυματομορφών της ημιτονοειδούς τάσης εισόδου και τάσης εξόδου

Διαβάστε περισσότερα

1η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ:

1η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Ι η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: ΣΤΟΙΧΕΙΩΔΕΣ ΤΗΛΕΦΩΝΙΚΟ ΣΥΣΤΗΜΑ Εισαγωγή. Η διεξαγωγή της παρούσας εργαστηριακής άσκησης προϋποθέτει την μελέτη τουλάχιστον των πρώτων παραγράφων του

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ-3: Διαφορά φάσης

ΑΣΚΗΣΗ-3: Διαφορά φάσης ΑΣΚΗΣΗ-3: Διαφορά φάσης Ημερομηνία:. ΤΜΗΜΑ:.. ΟΜΑΔΑ:. Ονομ/νυμο: Α.Μ. Συνεργάτες Ονομ/νυμο: Α.Μ. Ονομ/νυμο: Α.Μ. ΠΕΡΙΛΗΨΗ ΤΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ (καθένας με δικά του λόγια, σε όλες τις γραμμές) ΒΑΘΜΟΣ#1: ΥΠΟΓΡΑΦΗ:

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός είδους

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών

Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων Εργαστήριο 6 Θεώρημα Thevenin Λευκωσία, 2010 Εργαστήριο 6 Θεώρημα Thevenin Σκοπός: Σκοπός

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Διάλεξη 3: Δίοδος pn (συνέχεια) - Δίοδος Zener Δρ Δημήτριος Λαμπάκης 1 Ημιανόρθωση Έχει μια δίοδο pn σε σειρά με μια αντίσταση φορτίου Η τάση στα άκρα της αντίστασης φορτίου είναι

Διαβάστε περισσότερα

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα. Τεχνική Σχεδίαση

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα. Τεχνική Σχεδίαση ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Τεχνική Σχεδίαση Ενότητα: ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 1 - ΘΕΩΡΗΤΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΟΣ Ι ΧΡΗΣΗΣ ΚΑΝΟΝΩΝ KIRCHOFF ΘΕΟΔΩΡΟΣ ΓΚΑΝΕΤΣΟΣ Τμήμα Μηχ.

Διαβάστε περισσότερα

Visual Basic Γλώσσα οπτικού

Visual Basic Γλώσσα οπτικού Visual Basi Γλώσσα οπτικού προγραµµατισµού «Η αρχή είναι το ήµισυ του παντός» Κουλλάς Χρίστος www.oullas.om oullas 2 Στόχοι Μαθήµατος Οι µαθητές να µπορούν: να εξηγούν τι είναι η Visual Basi. ναεξηγούνταστάδιαδηµιουργίας

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ & ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ & ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ Σχολή Οικονομίας Διοίκησης και Πληροφορικής Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ & ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ Αρχές Τηλ/ων Συστημάτων Εργαστήριο 1 ο : Εισαγωγή στο Simulink-Σήματα ημιτόνου-awgn

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 2 JUT ΚΑΙ PUT

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 2 JUT ΚΑΙ PUT ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΕΙ ΙΚΟΙ ΤΥΠΟΙ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ 1-1 ίοδος Σήραγγας 1 Μετακίνηση του Σηµείου Ηρεµίας 4 Πόλωση ιόδου Σήραγγας 6 Ανίχνευση Κατωφλίου Τάσης 8 Εφαρµογή της ιόδου Tunnel στην Ενίσχυση 8 Η ίοδος Tunnel

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστηριακή άσκηση. Κανόνες σχεδίασης και κατασκευαστικές λεπτομέρειες στη σχεδίασης μασκών (layout) και προσομοίωσης κυκλώματος VLSI

Εργαστηριακή άσκηση. Κανόνες σχεδίασης και κατασκευαστικές λεπτομέρειες στη σχεδίασης μασκών (layout) και προσομοίωσης κυκλώματος VLSI Ε.Μ.Π. - ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΫΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ VLSI

Διαβάστε περισσότερα