ΤΘ 133 Γεωργιανοί Ηµαθίας Βέροια Τηλ:

Transcript

1 ΣΠΟΥ ΕΣ ΓΕΩΡΓΙΟΣ ΚΩΣΤΟΥΛΑΣ ΤΘ 133 Γεωργιανοί Ηµαθίας Βέροια Τηλ: MBA, Boston College, Boston, Massachusetts 1995 Ph.D. (Φυσική), University of Rochester, Rochester, New York 1991 M.Sc. (Φυσική), University of Rochester, Rochester, New York 1989 B.Sc. (Φυσική), Αριστοτέλειο Πανεπιστήµιο Θεσσαλονίκης ΠΡΟΥΠΗΡΕΣΙΑ τώρα Αναπληρωτής Καθηγητής (ειδικότητα Φυσικός), Γενικό Τµήµα Θετικών Επιστηµών, ΤΕΙ υτικής Μακεδονίας Υπεύθυνος για την διδασκαλία του µαθηµατος Φυσικής και Εργαστηρίων Φυσικής Επισκέπτης Αναπληρωτής Καθηγητής, Vanderbilt University, Nashville, TN: Έρευνα σε Silicon Photonics και υπέρλεπτα υµένια Πυριτίου Massachusetts Institute of Technology, Υπεύθυνος Μεταφοράς Τεχνολογίας Υπεύθυνος για την µεταφορά πανεπιστηµιακής τεχνολογίας στη βιοµηχανία στις περιοχές των ηµιαγωγών, της οπτικής, της επιστήµης υλικών, της νανοτεχνολογίας και του λογισµικού Brooks Automation, ιευθυντής Συστηµάτων Πυριτίου Υπεύθυνος για την ανάπτυξη νέων εφαρµογών και αγορών για τα συστήµατα διαχείρησης δίσκων πυριτίου (πρώτη ύλη για την παραγωγή ηλεκτρονικών). Τα συστήµατα αυτά χρησιµοποιούνται στην παραγωγή ολοκληρωµένων κυκλωµάτων (Integrated Circuits) από κατασκεθαστές όπως η Intel, HP Infineon κ.α Accent Optical Technologies, ιευθυντής Τοµέα Marketing Οπτοηλεκτρονικών Συστηµάτων Υπεύθυνος για την ανάπτυξη νέων εφαρµογών και αγορών για τα συστήµατα µετρήσεων της εταιρίας. Τα συστήµατα αυτά χρησιµοποιούνται στην παραγωγή ολοκληρωµένων κυκλωµάτων (Integrated Circuits) για τις οπτικές και ασύρµατες τηλεπικοινωνίες (Optical and Wireless telecommunications) ADE Corporation, Product Manager ιαχείριση σειράς προϊόντων λογισµικού για ανάλυση δεδοµένων. ιδασκαλία χρησιµοποίησης των ανωτέρω προϊόντων (χρήστες των προϊόντων είναι προϊστάµενοι µηχανικοί και µηχανικοί παραγωγής σε εταιρίες παραγωγής ολοκληρωµένων κυκλωµάτων (π.χ. Intel, Infineon, ST Microelectronics). Συνολικός κύκλος εργασιών από τα ανωτέρω προϊόντα $1 million ετησίως. ADE Corporation, Sr. Applications Engineer Έρευνα και ανάπτυξη οπτικών µεθόδων µέτρησης λεπτών στρωµάτων Πυριτίου (Si) µε βάση την τεχνολογία FT-IR reflectometry Συµµετοχή σε διεθνείς επιτροπές για τον καθορισµό Standard µεθόδων µετρήσεων στον κλάδο των ηµιαγωγών

2 Συµµετοχή σε τεχνολογικές και στρατηγικές συνεργασίες µε άλλες εταιρίες του κλάδου καθώς και εκπαιδευτικούς και κυβερνητικούς οργανισµούς (π.χ. National Institute of Standards and Technology - NIST, Massachusetts Institute of Technology - MIT, Online Technologies, Inc.) Postdoctoral Fellow, Τµήµα Φυσικής, University of Toronto Πειραµατική έρευνα στον τοµέα Φυσικής Υλικών (Ηµιαγωγών τύπου GaAs, InP) µε τη χρήση Οπτικών µεθόδων (Ultrashort laser pulses). Η έρευνα ήταν στο χώρο Coherent Control of Semiconductors with Lasers και τα αποτελέσµατα δηµοσιεύθηκαν στο Physical Review Letters (βλ. ΗΜΟΣΙΕΥΣΕΙΣ για περισσότερες λεπτοµέρειες) Μελέτη νέων Οπτικών κρυστάλλων µε τεχνικές µη γραµµικής οπτικής Λέκτορας, Τµήµα Φυσικής, University of Toronto ιδασκαλία του µαθήµατος Introductory Physics for the Life Sciences Teaching Assistant, Laboratory for Laser Energetics, University of Rochester ιδασκαλία προπτυχιακών µαθηµάτων και εργαστηρίων 1990 Research Assistant, Brookhaven National Laboratories Long Island, NY. Ερευνητική εργασία στον τοµέα Φυσικής Στοιχειωδών Σωµατιδίων 1989 Research Assistant, European Center for Nuclear Research (CERN), Geneva, Switzerland Ερευνητική εργασία στον τοµέα Φυσικής Στοιχειωδών Σωµατιδίων ΥΠΟΤΡΟΦΙΕΣ Νικητής παναµερικανικού διαγωνισµού για την υποτροφία Link, 1994 (Link Energy Fellowship, Ίδρυµα Link - 6 απονοµές επί συνόλου 150 υποβληθέντων προτάσεων). ΕΠΑΓΓΕΛΜΑΤΙΚΗ ΡΑΣΤΗΡΙΟΤΗΤΑ Μέλος των κάτωθι οργανισµών: American Physical Society Institute of Electrical and Electronics Engineers Optical Society of America Επιθεωρητής στα κάτωθι Περιοδικά: Applied Physics Letters National Science Foundation ΗΜΟΣΙΕΥΣΕΙΣ Scatterometry for Lithography Process Control and Characterization in IC Manufacturing, Y. Kostoulas, C. Raymond, M. Littau, Materials Research Society Fall Meeting, November Correlation of FT-IR epitaxial thickness measurements, Y. Kostoulas, G. Kneissl, I. Kohl Solid State Technology, July Quantification of Wafer Printability Improvements with Scanning Steppers using New Flatness Metrics, Y. Kostoulas, S. B. Tanikawa, D. Kallus, R. K. Goodall, SPIE's 24th International Microlithography Conference, Santa Clara, California, March 14-19,

3 Advanced process control for epitaxial silicon, W. Zhang, M. Richter, P. Solomon, ON-LINE Technologies, Y. Kostoulas, G. Kneissl, ADE Corp, W. Aarts, Wacker Siltronic Corp, A. Waldhauer, Applied Materials Corp., Solid State Technology, Sep 1998 Coherent control of free carrier density in GaAs, J.M. Fraser, R. Atanasov, Y. Kostoulas, J.E. Sipe, H.M. van Driel, International Quantum Electronics Conference, San Francisco, California, May 98. Determination The Non-Linear Refractive Indices Of Ca2Ga2SiO7 and SrLaGa3O7 Using Intense Femtosecond Optical Pulses Z. Burstein, Y. Kostoulas, and H. M. van Driel, J. Opt. Soc. Of America B 14, 2477 (1997). Observation of Coherently Controlled Photocurrent In An Unbiased, Bulk Semiconductor, A. Haché, Y. Kostoulas, R. Atanasov, J. L. P. Hughes, J. E. Sipe, and H. M. van Driel, Phys. Rev. Lett., 78, 306 (1997). The Femtosecond Optical Response Of Porous, Amorphous And Crystalline Silicon, J. Von Behren, Y. Kostoulas, K. Burak Üçer, and P. M. Fauchet, Journal of. Non-Crystalline Solids, (1-3), 957, (1996). Coherent Control Of Photocurrent Generation In Bulk Unbiased GaAs, Y. Kostoulas, A. Haché, R. Atanasov, J. Sipe, and H. M. van Driel, International Quantum Electronics Conference, Sydney, Australia, July 96. (Postdeadline) Coherent Control Of Photocurrent Generation In Bulk GaAs, A. Haché, Y. Kostoulas, R. Atanasov, J. Sipe, and H. M. van Driel, Conference on Lasers and Electro-optics, Anaheim, California, June 96. (Postdeadline) Femtosecond Carrier Dynamics In Low Temperature Grown Ga0.51In0.49P, Y. Kostoulas, K. B. Ucer, G. W. Wicks, and P. M. Fauchet, Appl. Phys. Lett. 67, 3756 (1995). Hot Carrier Dynamics In Low Temperature Grown III-V Semiconductors, A. I. Lobad, Y. Kostoulas, P. M. Fauchet, and G. W. Wicks, to appear in Hot Carriers In Semiconductors, edited by K. Hess, J -P. Leburton, and U. Ravaioli, Plenum Press, Ultrafast Carrier Dynamics In Porous Silicon, P. M. Fauchet, J. von Behren, K. B. Ucer, Y. Kostoulas, Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) May 23-25, 1995, Baltimore, Maryland. The Ultrafast Carrier Dynamics In Semiconductors: The Role of Defects, P. M. Fauchet, G. W. Wicks, Y. Kostoulas, A. I. Lobad, and K. B. Ucer, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 348, (1995). Ultrafast Optical Response of LT III-V Semiconductors: Physics and Materials Science, P. M. Fauchet, G. W. Wicks, Y. Kostoulas, M. W. Koch, K. B. Ucer, and A. I. Lobad, 37th Electronic Materials Conference, Charlottesville, Virginia, Carrier Trapping and Recombination In Low Temperature Grown III-V Semiconductors At Sub- Picosecond Time Scales, Y. Kostoulas, Research Reports of the Link Foundation Fellows, vol. 3

4 10, edited by Brian J. Thompson, The University of Rochester Press in association with the Link Foundation, (December 94). Femtosecond Carrier Dynamics In Low-Temperature-Grown Indium Phosphide Y. Kostoulas, L. J. Waxer, I. A. Walmsley, G. W. Wicks, and P. M. Fauchet, Appl. Phys. Lett. 66, 1821 (1995). Femtosecond Excited Carrier Dynamics of a Conjugated Polymer X. Weng, Y. Kostoulas, P. M. Fauchet, J. A. Osaheni and S. A. Jenekhe, Phys. Rev. B 51, 6838 (1995). Ultrafast Carrier Lifetime In Low-Temperature Grown GaAs, InP and In0.49Ga0.51P, Y. Kostoulas, K. B. Ucer, L. J. Waxer, G. W. Wicks, I. A. Walmsley, and P. M. Fauchet, LEOS 94: Applied Optical Diagnostics Of Semiconductor Materials and Devices. Ultrafast Electronic Processes In Porous Silicon, P. M. Fauchet, Y. Kostoulas, Ju. V. Vandyshev, L. Tsybescov, K. B. Ucer, L. J. Waxer, I. A. Walmsley, and V. Petrova-Koch, edited by P. F. Barbara, W. H. Knox, G. A. Mourou, and A. H. Zewail, Ultrafast phenomena IX, Springer-Verlag Series In Chemical Physics, 60, 283 (1994). Femtosecond Carrier Dynamics In Low Temperature Grown III-V Semiconductors, Y. Kostoulas, P. M. Fauchet, T. Gong, B. C. Tousley, G. W. Wicks, and P. Cooke, in Ultrafast Phenomena In Semiconductors, edited by D. K. Ferry and H. M. van Driel (SPIE Bellingham, WA, 1994), vol pp (Invited) Investigation Of Carrier-Carrier Scattering By Three-Pulse Pump-Probe Spectroscopy, Y. Kostoulas, T. Gong, and P. M. Fauchet, Semicond. Sci. Technol. 9, (1994). Femtosecond Optical Response Of Y-B-Cu-O Films And Their Applications In Optoelectronics, R. Sobolewski, L. Shi, T. Gong, W. Xiong, X. Weng, Y. Kostoulas, and P. M. Fauchet, in High-Temperature Superconducting Detectors: Bolometric And Nonbolometric, edited by M. Nahum and J.-C. Villegier (SPIE, Bellingham WA, 1994), vol. 2159, pp (Invited) Femtosecond Reflectivity of 60 K Y-B-Cu-O Thin Films, L. Shi, T. Gong, X. Weng, Y. Kostoulas, R. Sobolewski, and P. M. Fauchet, Appl. Phys. Lett. 64, (1994). Ultrafast Optical and Optoelectronic Response of Y-B-Cu-O, T. Gong, L. X. Zheng, Y. Kostoulas, W. Xiong, W. Kula, K. B. Ucer, R. Sobolewski, and P. M. Fauchet, in OSA Proceedings on Ultrafast Electronics and Optoelectronics Femtosecond Optical Response of Y-B-Cu-O Thin Films: The Dependence on Optical Frequency, Excitation Intensity and Electric Current, T. Gong, L. X. Zheng, W. Xiong, W. Kula, Y. Kostoulas, R. Sobolewski, and P. M. Fauchet, Phys. Rev. B 47, (1993). "Femtosecond Optical Measurements of the Position of the Fermi Level in Y-Ba-Cu-O Films with Different Oxygen Content", R. Sobolewski, T. Gong, Y. Kostoulas, W. Xiong, W. Kula, and P. M. Fauchet, Conference on Lasers and Electro-optics (CLEO) 93, Baltimore, Maryland. 4

5 Carrier-Carrier Interactions in the Presence of Dense Plasmas, T. Gong, K. B. Ucer, Y. Kostoulas, G. W. Wicks, and P. M. Fauchet, Quantum Electronics and Laser Science, Anaheim, California, May 92. ΠΑΡΟΥΣΙΑΣΕΙΣ Scatterometry for Lithography Process Control and Characterization, MRS Fall Meeting, November Ultrafast Electronic Processes in Porous Silicon Ultrafast phenomena IX, Dana Point, California (1994). Ultrafast Carrier Dynamics in porous Silicon American Physical Society Meeting, Pittsburgh, Pennsylvania (1994). Study of Carrier-Carrier Dynamics Using a Novel Three-Beam Pump-Probe Technique, Eighth International Conference on Hot Carriers In Semiconductors, Oxford, UK (1993) Femtosecond Spectral Hole Burning in III-V Semiconductors March Meeting of the American Physical Society, Indianapolis, Indiana, March 92. 5