ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ. ΑΥΤΟ-ΟΡΓΑΝΟΥΜΕΝΑ ΥΜΕΝΙΑ ΠΟΡΩΔΟΥΣ Αl 2 O 3 ΣΕ ΥΠΟΣΤΡΩΜΑ Si ΚΑΙ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ. ΑΥΤΟ-ΟΡΓΑΝΟΥΜΕΝΑ ΥΜΕΝΙΑ ΠΟΡΩΔΟΥΣ Αl 2 O 3 ΣΕ ΥΠΟΣΤΡΩΜΑ Si ΚΑΙ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ"

Transcript

1 ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗ ΔΙΑΤΡΙΒΗ ΑΥΤΟ-ΟΡΓΑΝΟΥΜΕΝΑ ΥΜΕΝΙΑ ΠΟΡΩΔΟΥΣ Αl 2 O 3 ΣΕ ΥΠΟΣΤΡΩΜΑ Si ΚΑΙ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ Η διατριβή εκπονήθηκε στο Ινστιτούτο Μικροηλεκτρονικής του ΕΚΕΦΕ «Δημόκριτος» και στο τμήμα Φυσικής του Πανεπιστημίου Πατρών ΒΙΟΛΕΤΤΑ Β. ΓΙΑΝΝΕΤΑ ΠΑΤΡΑ 2009

2

3 This thesis is part of the 03ED375 research project, implemented within the framework of the Reinforcement Programme of Human Research Manpower (PENED) and co-financed by National and Community Funds (20% from the Greek Ministry of Development-General Secretariat of Research and Technology and 80% from E.U.-European Social Fund). Αυτή η διατριβή αποτελεί τμήμα του ερευνητικού προγράμματος 03ED375 που υλοποιείται στα πλαίσια του Προγράμματος Ενίσχυσης Νέου Ερευνητικού Δυναμικού (ΠΕΝΕΔ) και συγχρηματοδοτείται από Εθνικούς και Κοινοτικούς πόρους (20% από το ελληνικό Υπουργείο Ανάπτυξης-Γενική Γραμματεία Έρευνας και Τεχνολογίας και 80% από το Ευρωπαϊκό Κοινωνικό Ταμείο).

4 Επιβλέπουσα Καθηγήτρια: Γεωργά Σταυρούλα Αναπληρώτρια Καθηγήτρια Συμβουλευτική Επιτροπή: Νασιοπούλου Ανδρούλα Γεωργά Σταυρούλα Διευθύντρια Ερευνών Αναπληρώτρια Καθηγήτρια Κροντηράς Χριστόφορος Αναπληρωτής Καθηγητής Εξεταστική επιτροπή: Νασιοπούλου Ανδρούλα Πιζάνιας Μιχαήλ Σακκόπουλος Σωτήριος Γεωργά Σταυρούλα Διευθύντρια Ερευνών Καθηγητής Καθηγητής Αναπληρώτρια Καθηγήτρια Κροντηράς Χριστόφορος Αναπληρωτής Καθηγητής Γαρδέλης Σπυρίδων Εντεταλμένος Ερευνητής

5 Στους γονείς μου

6 Αντί προλόγου Η παρούσα διδακτορική διατριβή εκπονήθηκε στo πλαίσιo ερευνητικού προγράμματος PENED 2003 και συγχρηματοδοτήθηκε κατά 80% από την Ευρωπαϊκή Ένωση και κατά 20% από τη Γενική Γραμματεία Έρευνας και Τεχνολογίας του Ελληνικού Υπουργείου Ανάπτυξης, με κύριο ερευνητικό φορέα το Ινστιτούτο Μικροηλεκτρονικής του Εθνικού Κέντρου Έρευνας Φυσικών Επιστημών «Δημόκριτος», και συνεργαζόμενο φορέα το τμήμα Φυσικής του Πανεπιστημίου Πατρών. Κατά το μεγαλύτερο μέρος της πραγματοποιήθηκε στο Ινστιτούτο Μικροηλεκτρονικής του ΕΚΕΦΕ «Δημόκριτος». Από τη θέση αυτή θα ήθελα να ευχαριστήσω τα μέλη της τριμελούς Συμβουλευτικής Επιτροπής κα Σταυρούλα Γεωργά Αναπληρώτρια καθηγήτρια του τμήματος Φυσικής του Πανεπιστημίου Πατρών ως επιβλέπουσα, την Δρ. κα Ανδρούλα Νασιοπούλου Διευθύντρια Ερευνών του Ινστιτούτου Μικροηλεκτρονικής του ΕΚΕΦΕ «Δημόκριτος» και τον κ. Χριστόφορο Κροντηρά Αναπληρωτή καθηγητή του τμήματος Φυσικής του Πανεπιστημίου Πατρών, για την καθοδήγησή τους και την εποικοδομητική συμβολή τους στην όλη διατριβή. Ιδιαίτερα ευχαριστώ: Την κα Σ. Γεωργά, για την πολύτιμη στήριξή της τόσο σε επιστημονικό όσο και προσωπικό επίπεδο, καθώς και για την εμπιστοσύνη που μου έδειξε καθ όλη τη διάρκεια της εκπόνησης του έργου αυτού. Την κα Α. Νασιοπούλου για την ευκαιρία που μου προσέφερε να διεκπεραιώσω την παρούσα διατριβή, παρέχοντάς μου τις εργαστηριακές υποδομές του Ινστιτούτου Μικροηλεκτρονικής του ΕΚΕΦΕ «Δημόκριτος», αλλά και την αμέριστη επιστημονική της καθοδήγηση όλα αυτά τα χρόνια. Η συμβολή της ήταν καθοριστική, καθώς μέσα από όλη αυτή την πορεία, μου εμφύσησε ενθουσιασμό, αγάπη και επιμονή για την έρευνα. Τον κ. Χ. Κροντηρά, για τις εύστοχες παρατηρήσεις, εποικοδομητικές συζητήσεις και καθοδήγηση, ιδιαίτερα, στο πεδίο του ηλεκτρικού χαρακτηρισμού. Όσον αφορά την τεχνική υποστήριξη του πονήματος αυτού, ευχαριστώ την υπεύθυνη του Καθαρού χώρου του Ινστιτούτου Μικροηλεκτρονικής κα Ελισάβετ Τσώη και ανεξαιρέτως όλα τα μέλη του τεχνικού προσωπικού, για την άριστη συνεργασία μας.

7 Επιπλέον θα ήθελα να ευχαριστήσω ιδιαιτέρως, την Δρ. Μαρία Huffman, καθώς και τους τεχνικούς Λ. Λιναράκη και Μ. Καρμπαδάκη για τις ώρες που διέθεσαν για τον δομικό χαρακτηρισμό των δειγμάτων. Επίσης, τους συναδέλφους με τους οποίους μοιραστήκαμε τον ίδιο χώρο εργασίας, κοινά προβλήματα και επιστημονικές ανησυχίες. Τον Φιλήμονα ειδικότερα, τόσο για την συνεργασία μας σε ερευνητικό επίπεδο, όσο και για τη συμπαράστασή του όλα αυτά τα χρόνια, καθώς εκτός από τον χώρο εργασίας μοιραστήκαμε και τις ίδιες ανησυχίες, απογοητεύσεις και επιτυχίες σε αυτή την κοινή πορεία. Επίσης τον Δρ. Μ. Φακή για την επιστημονική μας συνεργασία. Τέλος, τους γονείς μου Βασίλη και Γεωργία για τα όσα μου έχουν προσφέρει μέχρι σήμερα.

8 Περίληψη Στην παρούσα διδακτορική διατριβή μελετάται η ανάπτυξη λεπτών υμενίων πορωδών ανοδικών οξειδίων του αλουμινίου (αναφέρονται και ως πορώδης ανοδική αλουμίνα) σε υπόστρωμα πυριτίου. Επιπλέον, εξετάζεται η ανάπτυξη εφαρμογών που αφορούν τη χρήση της πορώδους αλουμίνας ως μάσκα και ως μήτρα για την δημιουργία νανονημάτων ή κβαντικών τελειών (νανονησίδων) στο Si. Το πρώτο κεφάλαιο πραγματεύεται τη θεωρία και τους μηχανισμούς που διέπουν την ανάπτυξη πορωδών υμενίων, που προέρχονται από ανοδική οξείδωση (ανοδίωση) τόσο φύλλων αλουμινίου, όσο και υμενίων αλουμινίου σε υπόστρωμα πυριτίου. Επιπροσθέτως, παρατίθεται ο ρόλος που διαδραματίζουν οι ηλεκτροχημικές συνθήκες ανοδίωσης, όπως το ph, η θερμοκρασία και η εφαρμοζόμενη τάση, στα τελικά δομικά χαρακτηριστικά των πορωδών υμενίων. Στο δεύτερο κεφάλαιο παρουσιάζονται τα τεχνολογικά βήματα διεργασιών που αφορούν την προετοιμασία των δειγμάτων τα οποία πρόκειται να ανοδιωθούν, και δίνονται λεπτομέρειες για την πειραματική διάταξη η οποία χρησιμοποιείται κατά την ανοδίωση. Στο τρίτο κεφάλαιο μελετώνται εκτενώς, τρεις παράγοντες που έχουν σημαντική επίδραση στα τελικά δομικά χαρακτηριστικά των πορωδών υμενίων. Κατά τους δύο πρώτους, εξετάζεται η επίδραση του πάχους του προς ανοδίωση υμενίου αλουμινίου πάνω στο Si, καθώς και ο περιορισμός του σε επιφάνειες μερικών τετραγωνικών μικρομέτρων πάνω στο Si, στο μέγεθος και την πυκνότητα των πόρων. Ο τρίτος παράγοντας αφορά το ρόλο της ανοδίωσης του υμενίου του αλουμινίου σε δύο και τρία στάδια σε συνδυασμό με τη χημική εγχάραξή του μετά από κάθε στάδιο ανοδίωσης, στην ανάπτυξη εξαγωνικής συμμετρίας στην κατανομή των πόρων. Το τέταρτο κεφάλαιο, πραγματεύεται την ανάπτυξη εφαρμογών που συνδέονται με τη χρήση της πορώδους αλουμίνας ως μάσκα και ως μήτρα για τη δημιουργία νανοδομών επάνω στο πυρίτιο. Ως εκ τούτου παρουσιάζεται η δημιουργία νανονησίδων Cr, Ti, νανοστηλών Si, και νανονημάτων Au, πάνω στο Si, εφαρμογές στις οποίες τα πορώδη ανοδικά υμένια χρησιμοποιήθηκαν ως ενδιάμεσο στάδιο. Στο πέμπτο κεφάλαιο παρατίθεται η ανάπτυξη διαμέσου της πορώδους αλουμίνας, εξαγωνικά διατεταγμένων νανονησίδων SiO 2 στο Si. Επίσης, παρουσιάζεται ο ηλεκτρικός χαρακτηρισμός διατάξεων οι οποίες αποτελούνται από την εν λόγω δομή. Σε ένα επιπλέον βήμα, οι νανονησίδες SiO 2 χρησιμοποιούνται για

9 την ανάπτυξη νανοκρυσταλλιτών Si στο εσωτερικό τους μέσω της τεχνικής της ιοντικής σύνθεσης. Τα σημαντικότερα αποτελέσματα και συμπεράσματα που προέκυψαν από την εκπόνηση της παρούσας διδακτορικής διατριβής συνοψίζονται στα εξής: Βελτίωση της εξαγωνικής συμμετρίας στην κατανομή των πόρων, μέσω ανοδίωσης σε δύο ή τρία στάδια σε συνδυασμό με χημική εγχάραξη του προς ανοδίωση αλουμινίου έπειτα από κάθε στάδιο ανοδίωσης. Αύξηση της πυκνότητας των πόρων των ανοδικών υμενίων κατά μία τάξη μεγέθους, με περιορισμό του προς ανοδίωση αλουμινίου σε προεπιλεγμένες περιοχές στο Si, επιφάνειας μερικών τετραγωνικών μικρομέτρων. Ανάπτυξη διατεταγμένων νανοδομών Ti και Cr σε υπόστρωμα Si χρησιμοποιώντας λεπτά υμένια πορώδους αλουμίνας πάνω σε Si. Ιδιαίτερα οι δομές Cr, μπορούν να χρησιμοποιηθούν ως μεταλλική νανοδομημένη μάσκα για την εγχάραξη με ενεργά ιόντα του υποστρώματος Si και τη δημιουργία νανοστηλών Si πάνω σε αυτό. Η δημιουργία νανοστηλών Si, βρίσκει πληθώρα εφαρμογών στη Νανοηλεκτρονική, σε αισθητήρες, Nανοφωτονική, μνήμες κ.τ.λ. Οι πυκνότητες διεπιφανειακών καταστάσεων που προέκυψαν από τον ηλεκτρικό χαρακτηρισμό της διεπιφάνειας υμενίων πορώδους αλουμίνας με το πυρίτιο, και της διεπιφάνειας πορώδους αλουμίνας νανονησίδων SiO 2 με το πυρίτιο. Οι τιμές που υπολογίστηκαν είναι ενθαρρυντικές, αν ληφθεί υπόψη ο ηλεκτροχημικός τρόπος παρασκευής των εν λόγω σύνθετων υμενίων πάνω στο πυρίτιο. Ανάπτυξη μεμονωμένων νανοκρυσταλλιτών Si ενσωματωμένων σε νανονησίδες SiO 2. Για το σκοπό αυτό συνδυάστηκαν δύο διαφορετικές τεχνολογίες, εκείνη της ιοντικής σύνθεσης και εκείνη της ανάπτυξης νανονησίδων SiO 2 διαμέσου λεπτών υμενίων πορώδους αλουμίνας απευθείας σε υπόστρωμα Si. Τέτοιες δομές νανοκρυσταλλιτών έχουν εφαρμογές σε διατάξεις μη πτητικών μνημών, όπου η κατανεμημένη αποθήκευση φορτίου στους νανοκρυσταλλίτες ευνοεί τη χρήση λεπτότερων οξειδίων πύλης και τη δυνατότητα σμίκρυνσης του πάχους των οξειδίων αυτών χωρίς να μειώνεται ο χρόνος αποθήκευσης φορτίου.

10 Abstract In the present thesis, the growth of porous anodic alumina films on Si substrate was studied extensively. Potential applications of porous anodic alumina films formed directly on Si, regarding the use of porous membranes as mask or template for various nanostructures growth directly on Si, are discussed. Chapter one deals with the theory and mechanisms governing porous anodic alumina film growth, either on porous anodic films formed by anodization of aluminum foils, or on porous anodic films developed on Si substrates. Additionally, the effect of different factors (ph, temperature, applied voltage) on the final structural characteristics is presented. In chapter two, the preliminary processing steps regarding sample preparation before the anodization procedure are quoted. Moreover, details about the experimental set-up and the electrochemical conditions used during the sample anodization in the current work are given. In chapter three, the influence of three different factors, in the final structural characteristics, is investigated. Primarily, the impact of the initial aluminum thickness deposited on Si substrate, and secondly the confinement of the aluminum film in areas of a few μm 2, in the pore size and pore density are studied. Finally, the influence of the third factor is associated with a three-step instead of a two-step anodization, in combination with an in-between step of aluminum chemical etching, on the ordering and the uniformity of the pores. The deposition of Ti and Cr nanodots arrays on Si, using the porous alumina membrane as a masking layer, is investigated in chapter four. Furthermore, the Ti nanodots are used for the electrodeposition of Au nanodots and nanowires inside the porous alumina films. Additionally, the Cr dots are used as metallic nanostructured mask for the Si etching by reactive ion etching process, that leads to the formation of Si nanopillars on Si substrate. In chapter five the growth of hexagonally ordered SiO 2 dots on Si through porous anodic alumina membranes, in various acidic electrolytes, is studied. Moreover, the electrical characterization of the interface of porous alumina film/si and porous alumina film with SiO 2 dots in pore bottoms/ Si is presented. Finally, in the present thesis the technology of fabrication of Si nanocrystals embedded in SiO 2 dots arrays through porous alumina membranes on Si substrate is developed for the

11 first time. This was achieved by the combination of ion beam synthesis with the already existing technology of porous anodic alumina growth on Si substrates. The nanocrystals are electrically isolated from the substrate. This technique is promising as an application in non-volatile memory devices. The main achievements accomplished through this study are summarized as follows: The optimization of pores ordering by developing the porous alumina membrane in two or three processing steps in combination with the chemical etching of Al film, lying above the porous membrane, following each anodization cycle. The increase of pores density by the confinement of porous alumina film in areas of a few μm 2 on Si. The development of Ti and Cr nanodots arrays, directly on Si, through porous alumina membranes. The use of Cr nanodots as nanostructured masking layer for the formation of Si nanopillars, formed by etching of Si substrate with RIE, on Si. The density of interface stages results from the electrical characterization of porous alumina with or without SiO 2 dots at each pore bottom, with the Si substrate. The results are encouraging, keeping in mind that the pore membranes and SiO 2 dots were electrochemically grown directly on Si substrate. The development of distinct Si nanocrystals, embedded in SiO 2 dots, combining for the first time two different technologies, that is the fabrication of porous anodic alumina films directly on Si substrate, as well as the ion beam synthesis technique. The proposed technique is promising for the fabrication of non-volatile memory devices.

12 Περιεχόμενα Εισαγωγή Κεφάλαιο Ι Ηλεκτροχημική ανάπτυξη πορώδους αλουμίνας Ι.1 Ανάπτυξη πορώδους αλουμίνας Ι.1.1 Συμπαγή και πορώδη ανοδική υμένια οξειδίου του αλουμινίου Ι.1.2 Ιστορικά στοιχεία για την πορώδη αλουμίνα Ι.1.2α Ανάπτυξη πορώδους αλουμίνας με ανοδίωση φύλλων αλουμινίου Ι.1.2β Ανάπτυξη πορώδους αλουμίνας με ανοδίωση υμενίων αλουμινίου σε υπόστρωμα Si Ι.2 Δομή πορωδών ανοδικών υμενίων οξειδίου του αλουμινίου Ι.3 Ηλεκτροχημεία Ι.4 Σύσταση πορωδών ανοδικών υμενίων μετά από ανοδίωση στους σημαντικότερους ηλεκτρολύτες Ι.5 Επίδραση εφαρμοζόμενης τάσης στη γεωμετρία των πόρων Ι.5.1 Μελέτη επίδρασης της εφαρμοζόμενης τάσης στην έκταση της εξαγωνικής κατανομής των πόρων Ι.6 Επίδραση θερμοκρασίας, συγκέντρωσης και είδους ηλεκτρολύτη στη γεωμετρία των πόρων Ι.6.1 Μελέτη επίδρασης της θερμοκρασίας και του ph στην έκταση της εξαγωνικής κατανομής των πόρων Ι.7 Εξαγωνική συμμετρία κατανομής πόρων Ι.7.1 Μελέτη εξαγωνικής κατανομής πόρων κανόνας του πορώδους 10% Ι.7.2 Παράθυρα και βέλτιστες συνθήκες

13 Ι.8 Καμπύλη ρεύματος συναρτήσει χρόνου ανοδίωσης για σταθερή τάση και φάσεις ανοδίωσης Ι.8.1 Νόμος Faraday για την ηλεκτρόλυση Ι.9 Μηχανισμοί ανάπτυξης της πορώδους δομής Φάση σταθερής ανάπτυξης των πόρων Ι.10 Ανάπτυξη λεπτών υμενίων πορώδους αλουμίνας σε υπόστρωμα πυριτίου Ι Διεπιφάνεια πορώδους αλουμίνας/υποστρώματος Si Ι.11 Σύνοψη κεφαλαίου Κεφάλαιο ΙΙ Παρασκευή δειγμάτων - Πειραματικές διατάξεις - Πειραματικές διεργασίες παρασκευής δειγμάτων για ανοδίωση ΙΙ.1 Προετοιμασία δειγμάτων ΙΙ.2 Ηλεκτροχημική κυψελίδα πειραματική διάταξη ΙΙ.3 Μέθοδοι δομικού χαρακτηρισμού δειγμάτων ΙΙ.4 Μέθοδοι ηλεκτρικού χαρακτηρισμού II.5 Σύνοψη κεφαλαίου Κεφάλαιο ΙΙΙ Παρασκευή και χαρακτηρισμός λεπτών υμενίων πορώδους αλουμίνας σε υπόστρωμα Si ΙΙΙ.1 Ανοδίωση δειγμάτων σε διαφορετικές ηλεκτροχημικές συνθήκες

14 ΙΙΙ.2 Επίδραση πάχους του προς ανοδίωση Al στα δομικά χαρακτηριστικά της πορώδους αλουμίνας ΙΙΙ.3 Ανοδίωση σε προεπιλεγμένες περιοχές πάνω στο πυρίτιο ΙΙΙ.4 Ανάπτυξη πορώδους αλουμίνας σε δύο και τρία στάδια σε συνδυασμό με χημική εγχάραξη του αλουμινίου ΙΙΙ.5 Σύνοψη κεφαλαίου Κεφάλαιο ΙV Χρήση πορώδους αλουμίνας ως μήτρας για την ανάπτυξη νανοϋλικών στο πυρίτιο IV.1. Ανάπτυξη διατεταγμένων νανονησίδων Ti και Cr στο Si ΙV.1.1 Αποτελέσματα δομών Ti και Cr σε Si ΙV.1.2 Διατεταγμένες δομές σε περιορισμένη επιφάνεια ΙV.1.3 Συμπεράσματα ενότητας IV.I IV.2. Χρήση διατεταγμένων δομών Ti στην ανάπτυξη νημάτων νανοδιαστάσεων και νανονησίδων Au IV.3. Χρήση διατεταγμένων δομών Cr ως μάσκας για εγχάραξη του Si και δημιουργία νανοστηλών Si σε υπόστρωμα Si IV.4. Σύνοψη κεφαλαίου Κεφάλαιο V Παρασκευή συστοιχιών νανονησίδων SiO 2 διαμέσου πορώδους αλουμίνας V.1 Ανάπτυξη νανονησίδων SiΟ 2 σε υπόστρωμα Si διαμέσου υμενίου ορώδους αλουμίνας

15 V.1.1 Χαρακτηρισμός των νανονησίδων με ηλεκτρονική μικροσκοπία ατομικής δύναμης (AFM) V.1.2 Μελέτη ανάπτυξης νανονησίδων SiO 2 σε θειικό οξύ V.1.3 Ανάπτυξη διατεταγμένων νανονησίδων SiO 2 σε προεπιλεγμένες περιοχές στο Si V.2 Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός υμενίων πορώδους αλουμίνας με νανονησίδες SiO V.2.1 Ανάπτυξη δομών MIS αποτελούμενων από πορώδη ανοδική αλουμίνα και από σύνθετο υμένιο πορώδους ανοδικής αλουμίνας με νανονησίδες SiO V.2.2 Μετρήσεις C-V, G-V V.2.2.a Γενικά V.2.2β Σύστημα μέτρησης V.2.2γ Χαρακτηρισμός δείγματος V.2.2δ Χαρακτηρισμός δείγματος V.2.2ε Υπολογισμός διηλεκτρικής σταθεράς V.2.2στ Προσδιορισμός πυκνότητος διεπιφανειακών καταστάσεων με τη μέθοδο τα αγωγιμότητος (Conductance Method) V.3 Ανάπτυξη νανοκρυσταλλιτών Si στο εσωτερικό νανονησίδων SiO V.3.1. Διεργασίες παρασκευής των νανοκρυσταλλιτών σε SiO V.3.2. Δομικός χαρακτηρισμός Νανοκρυσταλλιτών Si V.3.2α Δομικός χαρακτηρισμός με μικροσκοπία ατομικής δύναμης (AFM) V.3.2β Δομικός χαρακτηρισμός με μικροσκοπία διερχόμενης ηλεκτρονικής δέσμης (TEM) V.4 Σύνοψη κεφαλαίου Συμπεράσματα Βιβλιογραφία Κεφαλαίων

16

17 Εισαγωγή Η επιτακτική ανάγκη για διαρκή σμίκρυνση των ηλεκτρονικών διατάξεων, δημιούργησε τα τελευταία χρόνια πρόσφορο έδαφος για την ανάπτυξη συνεχώς νέων νανοδομών πάνω στο πυρίτιο. Επίσης, δημιουργήθηκαν δυνατότητες κατασκευής νέων διατάξεων στο Si και νέων εφαρμογών. Ο έλεγχος του μεγέθους και της πυκνότητας τέτοιων νανοδομών, στη συμβατική τεχνολογία, επαφίεται σε τεχνικές οπτικής λιθογραφίας και εγχάραξης. Οι τεχνικές λιθογραφίας άρχισαν να αναπτύσσονται ραγδαία στις αρχές του 20 ου αιώνα, μετά την ανακάλυψη των MOSFETs και των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων, επιτεύγματα τα οποία έφεραν επανάσταση στους τρόπους επικοινωνίας, στη διάδοση πληροφοριών, στις μεταφορές κ.λ.π. ανοίγοντας το δρόμο στη λεγόμενη «ψηφιακή εποχή». Η μικρότερη διάσταση την οποία μπορεί να «αγγίξει» κανείς με την οπτική λιθογραφία, είναι ίση με το μήκος κύματος της πηγής έκθεσης. Δομές κάτω από τα όρια της περίθλασης Rayleigh, μπορούν να επιτευχθούν με κάποιες πιο πολύπλοκες τεχνικές (resolution enhancing, RET). Η παρασκευή δομών κάτω από 30nm είναι δυνατόν να πραγματοποιηθεί με λιθογραφία ηλεκτρονικής δέσμης ή με την τεχνική τοπικής εγχάραξης με εστιασμένη δέσμη ιόντων. Ωστόσο, οι τεχνικές αυτές απαιτούν προηγμένη τεχνολογία και επιτρέπουν την αποτύπωση δομών μία προς μία, σε μικρή επιφάνεια, καθώς η δέσμη ηλεκτρονίων ή η δέσμη ιόντων σαρώνουν διαδοχικά τα σημεία που πρέπει να εκτεθούν. Ο σειριακός αυτός χαρακτήρας τους τις καθιστά ιδιαίτερα χρονοβόρες ως τεχνικές και ακατάλληλες για αποτύπωση δομών σε μεγάλες επιφάνειες. Εναλλακτικά, η ανάπτυξη νανοδομών επάνω στο πυρίτιο μπορεί να πραγματοποιηθεί με τη χρήση αυτοοργανούμενων νανοδομημένων υλικών ως μάσκα εγχάραξης. Μια τέτοια προσέγγιση φαίνεται να οδηγεί σε αρκετά ενδιαφέροντα αποτελέσματα και στην περίπτωση των πορωδών ανοδικών οξειδίων του αλουμινίου (πορώδης ανοδική αλουμίνα). Η πορώδης αλουμίνα, η οποία θα αποτελέσει και τη βάση της παρούσας διδακτορικής διατριβής, ανήκει στα υλικά εκείνα, τα οποία εάν παρασκευαστούν υπό κατάλληλες ηλεκτροχημικές συνθήκες, αναπτύσσουν κατακόρυφους προς το υπόστρωμα πόρους νανοδιαστάσεων, οι οποίοι αυτο οργανώνονται σε εξαγωνική κατανομή. Το μέγεθος των πόρων της κυμαίνεται από 5 έως 200nm, ενώ οι πυκνότητές τους από πόρους/cm 2. Αυτά τα ιδιαίτερα 1

18 δομικά χαρακτηριστικά της πορώδους αλουμίνας, καθώς και το ότι συγκαταλέγεται στα υλικά μεγάλης διηλεκτρικής σταθεράς, με πολύ μικρή θερμική και ηλεκτρική αγωγιμότητα, την καθιστούν κατάλληλη για εφαρμογές στον τομέα της Μίκρο- και Νανο- ηλεκτρονικής. Επίσης, ένα σημαντικότατο πλεονέκτημα είναι ότι μπορεί να αναπτυχθεί με ανοδίωση υμενίων αλουμινίου, απευθείας σε πυρίτιο, δημιουργώντας έτσι μια πολύ «ευέλικτη» σε διαστάσεις μήτρα ή μάσκα πάνω σε αυτό, με πλήθος εφαρμογών στην τεχνολογία του πυριτίου. Στο πλαίσιο της παρούσας διδακτορικής διατριβής αναπτύχθηκαν πορώδη ανοδικά υμένια οξειδίου του αλουμινίου σε υπόστρωμα πυριτίου με σκοπό την χρήση τους σε διάφορες εφαρμογές. Σε αυτές συγκαταλέγονται η δημιουργία μεταλλικών νημάτων και νανονησίδων επάνω στο πυρίτιο, νανοστηλών πυριτίου, νανονησίδων SiO 2, και νανοκρυσταλλιτών πυριτίου ενσωματωμένων σε νανονησίδες SiO 2 επάνω στο Si. Παράλληλα πραγματοποιήθηκε δομικός ή και ηλεκτρικός χαρακτηρισμός αυτών των δομών. Στο πρώτο κεφάλαιο, το οποίο συγκεντρώνει το θεωρητικό κομμάτι αυτής της διδακτορικής διατριβής, παρατίθεται εν συντομία η ιστορική αναδρομή σχετικά με την ανάπτυξη πορωδών ανοδικών υμενίων οξειδίου του αλουμινίου, τόσο για υμένια που προήλθαν από ανοδίωση φύλλων αλουμινίου όσο και για υμένια αλουμινίου, σε υπόστρωμα πυριτίου. Εν συνεχεία, γίνεται εκτενής ανάλυση των παραγόντων οι οποίοι επιδρούν στην τελική δομή και μορφολογία των υμενίων αυτών. Ιδιαίτερη βαρύτητα επίσης δίδεται στην περίπτωση όπου τα πορώδη υμένια προκύπτουν από ανοδίωση υμενίων αλουμινίου σε υπόστρωμα πυριτίου, και εξετάζονται λεπτομερώς οι διαφορές στη μορφή και τη σύσταση κυρίως της διεπιφάνειας του πορώδους υμενίου με το πυρίτιο. Όσα αναφέρονται σε αυτό το κεφάλαιο είναι σημαντικά, ώστε να αποσαφηνιστεί ο τρόπος διαχείρισης των πορωδών υμενίων σε υπόστρωμα πυριτίου για τις διάφορες εφαρμογές που πρόκειται να αναπτυχθούν. Στο δεύτερο κεφάλαιο παρατίθενται οι διεργασίες οι οποίες ακολουθήθηκαν κατά την προετοιμασία των δειγμάτων, καθώς και η πειραματική διάταξη που χρησιμοποιήθηκε για την ανοδίωσή των. Στο τρίτο κεφάλαιο γίνεται εκτενής μελέτη της επίδρασης τριών διαφορετικών παραγόντων, στα τελικά δομικά χαρακτηριστικά των πορωδών υμενίων τα οποία έχουν αναπτυχθεί σε υπόστρωμα Si. Ο πρώτος παράγοντας ο οποίος εξετάστηκε διεξοδικά είναι η επίδραση του αρχικού πάχους του προς ανοδίωση αλουμινίου. Ο δεύτερος αφορά τον περιορισμό σε δύο διαστάσεις, του υμενίου του αλουμινίου πάνω στο πυρίτιο, από τοιχώματα SiO 2 ή πολυκρυσταλλικού πυριτίου. Οι επιφάνειες που 2

19 οριοθετούνται από τα εν λόγω τοιχώματα έχουν διαστάσεις μερικών τετραγωνικών μικρομέτρων. Τέλος, μελετάται η επίδραση ανοδίωσης η οποία λαμβάνει χώρα σε δύο ή περισσότερα στάδια, με ενδιάμεσο των σταδίων βήμα τη χημική εγχάραξη του αλουμινίου μέσω του πορώδους υμενίου που προκύπτει από το κάθε στάδιο ανοδίωσης. Οι τρεις παράγοντες που αναφέρθηκαν, μελετήθηκαν για πρώτη φορά, καθώς από τη βιβλιογραφική διερεύνηση που πραγματοποιήθηκε, δεν προέκυψε αντίστοιχη ερευνητική μελέτη. Αντιθέτως, υπάρχει πληθώρα εργασιών που αφορά μελέτη παραγόντων όπως το ph και η θερμοκρασία, οι οποίες έχουν καταλήξει σε «παράθυρα» βέλτιστων συνθηκών για την ανάπτυξη όσο το δυνατόν τελειότερων δομικών χαρακτηριστικών. Στη διερεύνηση των τριών παραγόντων οι οποίοι μελετήθηκαν, τηρήθηκαν οι βέλτιστες συνθήκες ανοδίωσης οι οποίες αναφέρονται στη βιβλιογραφία, ώστε τα αποτελέσματα που λαμβάνονται να είναι όσο το δυνατόν καλύτερα. Στο τέταρτο κεφάλαιο συνδυάζεται η τεχνολογία παρασκευής πορωδών υμενίων αλουμίνας σε υπόστρωμα πυριτίου, με την τεχνική της κονιορτοποίησης μέσω ιοντοβολής, για εναπόθεση Cr και Ti στο εσωτερικό των πόρων της. Τα πάχη των πορωδών υμενίων τα οποία χρησιμοποιήθηκαν κυμάνθηκαν από 55 έως 850nm, και είχαν μέση διάμετρο πόρων από 25 έως 40nm. Με την τεχνική αυτή έγινε δυνατό να δημιουργηθούν διατεταγμένες νανοδομές Cr και Ti πάνω στο Si, με διάμετρο που κυμαίνεται μεταξύ 20 και 40nm, μεγίστου ύψους 15nm. Εν συνεχεία χρησιμοποιήθηκαν οι νανονησίδες Ti για ηλεκτροεναπόθεση ιόντων χρυσού στο εσωτερικό των πόρων της αλουμίνας, καταλήγοντας σε νανονήματα χρυσού με διαστάσεις ανάλογες με εκείνες των πόρων. Οι διατεταγμένες νανονησίδες Cr οι οποίες αποκαλύφθηκαν στην επιφάνεια του Si έπειτα από την απομάκρυνση της πορώδους αλουμίνας, αποτέλεσαν μεταλλική μάσκα για την ανισοτροπική εγχάραξη του Si με ενεργά ιόντα. Με τη δεύτερη τεχνική, η οποία συνδυάζει δύο παράλληλου χαρακτήρα και χαμηλού κόστους τεχνολογίες (ανάπτυξη πορώδους αλουμίνας σε πυρίτιο με την τεχνική της ιοντοβολής), επιτεύχθηκε ο σχηματισμός στηλών πυριτίου πάνω στο πυρίτιο, με μέγιστο ύψος ~90nm και διάμετρο μεταξύ ~30 και 40nm. Στο πέμπτο κεφάλαιο αυτής της διδακτορικής διατριβής χρησιμοποιήθηκαν υμένια πορώδους αλουμίνας στην ανάπτυξη νανονησίδων SiO 2 στη βάση των πόρων της, με επιλεκτική οξείδωση του υποστρώματος Si διαμέσου αυτής. Μελετήθηκε για πρώτη φορά εκτενώς η επίδραση που έχουν οι σημαντικότεροι ηλεκτρολύτες αλλά και ο χρόνος έκθεσης του υποστρώματος σε αυτούς κατά την ανοδίωση, στο τελικό 3

20 μέγεθος και την πυκνότητα των νανονησίδων. Επίσης αναπτύχθηκαν πολύ καλές σε ομοιομορφία και πυκνότητα νανονησίδες, μέσω ανοδίωσης πορωδών υμενίων τα οποία κατά την ανάπτυξή τους περιορίζονταν σε συγκεκριμένες επιφάνειες μερικών τετραγωνικών μικρομέτρων πάνω στο πυρίτιο. Η δημιουργία νανοδομών SiO 2 σε επιφάνεια Si αποτελεί ένα απαραίτητο στάδιο σε συστήματα νανοηλεκτρονικής και νανοηλεκτρομηχανικής. Τέτοιου τύπου δομές συνήθως απαιτούν τεχνολογικά προηγμένες τεχνικές λιθογραφίας με αποτέλεσμα η ανάπτυξη τους να καθίσταται χρονοβόρα και ακριβή. Η χρήση της τεχνολογίας της πορώδους αλουμίνας σε υπόστρωμα πυριτίου παρέχει τη δυνατότητα δημιουργίας νανοδομών με πυκνότητες που ξεπερνούν τις 5x10 11 νανονησίδες/cm 2 σε ένα μόνο βήμα. Στο ίδιο κεφάλαιο παρουσιάζεται και ο ποιοτικός χαρακτηρισμός της διεπιφάνειας πολύ λεπτών υμενίων πορώδους αλουμίνας στη βάση της οποίας έχουν αναπτυχθεί νανονησίδες SiO 2 με το πυρίτιο. Για το σκοπό αυτό διεξήχθησαν ηλεκτρικές μετρήσεις χωρητικότητας συναρτήσει τάσης, και χωρητικότητας συναρτήσει συχνότητας, ώστε να υπολογιστούν η διηλεκτρική σταθερά των εν λόγω σύνθετων υμενίων, καθώς και η πυκνότητα των διεπιφανειακών τους καταστάσεων. Από τον χαρακτηρισμό των εν λόγω δομών διαπιστώθηκε ότι, παρ ότι τα συγκεκριμένα υμένια παρασκευάστηκαν ηλεκτροχημικά και μάλιστα εκτός καθαρού χώρου, η τάξη μεγέθους της πυκνότητας των διεπιφανειακών καταστάσεων δεν διαφέρει ιδιαίτερα από την τάξη μεγέθους που προκύπτει από πολύ καλής ποιότητας θερμικά ανεπτυγμένων οξειδίων πάνω σε πυρίτιο. Τέλος, χρησιμοποιήθηκαν οι νανονησίδες SiO 2, ως μήτρα για την ιοντική σύνθεση νανοκρυσταλλιτών Si στο εσωτερικό τους. Η ανάπτυξη νανοκρυσταλλιτών ενσωματωμένων σε υπέρλεπτα υμένια SiO 2, βρίσκει εφαρμογές σε δομές μη πτητικών μνημών, όπου το στρώμα φόρτισης είναι το δισδιάστατο στρώμα των απομονωμένων νανοκρυσταλλιτών. Με ανάπτυξη τέτοιων απομονωμένων μεταξύ τους νανοκρυσταλλιτών, η αποθήκευση του φορτίου μπορεί να πραγματοποιείται στον κάθε ένα χωριστά και να ελέγχεται ευκολότερα λόγω φαινομένων φραγής Coulomb (Coulomb blockade effect), καθώς και να ελαχιστοποιούνται τα ρεύματα διαρροής. Όπως παρουσιάζεται στα πειραματικά αποτελέσματα, έγινε δυνατό να δημιουργηθούν μεμονωμένοι νανοκρυσταλλίτες Si, εμφυτεύοντας ιόντα Si χαμηλής ενέργειας στο εσωτερικό των νανονησίδων SiO 2 που αναπτύχθηκαν στη διεπιφάνεια της πορώδους αλουμίνας με το πυρίτιο. Οι νανοκρυσταλλίτες διαχωρίζονται από το υπόστρωμα με ένα λεπτό στρώμα SiO 2 το οποίο αποτελεί τη βάση κάθε νανονησίδας 4

21 πάνω στο Si. Εν τούτοις, φάνηκε ότι η ανάπτυξη του νανοκρυσταλλίτη ακολουθεί την κρυσταλλογραφική διεύθυνση του υποστρώματος Si. Ηλεκτρικές μετρήσεις που πραγματοποιήθηκαν σε τέτοιες δομές, έδειξαν ότι οι νανοκρυσταλλίτες είναι ηλεκτρικά πλήρως απομονωμένοι από το υπόστρωμα και μπορούν να λειτουργήσουν ως στοιχεία μνημών. Ο συγκεκριμένος ηλεκτρικός χαρακτηρισμός δεν παρατίθεται στην εν λόγω εργασία, καθώς ξεφεύγει από το πλαίσιο της διατριβής αυτής. Ολοκληρώνοντας, παρατίθενται τα κυριότερα συμπεράσματα που προέκυψαν από το παρόν πόνημα: Αναπτύχθηκαν για πρώτη φορά πορώδη υμένια με πυκνότητα πόρων έως και μία τάξη μεγέθους μεγαλύτερη από ότι λαμβάνεται με τις συνήθεις ηλεκτροχημικές συνθήκες ανοδίωσης, με περιορισμό των προς ανοδίωση υμενίων σε περιοχές εύρους μερικών τετραγωνικών μικρομέτρων. Διαπιστώθηκε ότι το μέγεθος των πόρων στα πορώδη υμένια καθορίζεται, εκτός από το pη του ηλεκτρολυτικού διαλύματος, και από πάχος του προς ανοδίωση υμενίου αλουμινίου. Παρασκευάστηκαν πορώδη υμένια με ιδιαίτερα καλή εξαγωνική κατανομή πόρων με ανοδίωση λεπτών υμενίων αλουμινίου πάνω στο Si, συνδυάζοντας την τεχνική της διπλής ανοδίωσης με τη χημική εγχάραξη του αλουμινίου. Η χημική εγχάραξη του αλουμινίου, λαμβάνει χώρα διαμέσου του ίδιου του πορώδους υμενίου που αναπτύσσεται κατά την ανοδίωση του πρώτου σταδίου. Παρασκευάστηκαν μεγάλης πυκνότητος νανονησίδες SiO 2 πάνω στο Si, επίσης με περιορισμό των προς ανοδίωση υμενίων του αλουμινίου. Χρησιμοποιήθηκαν νανονησίδες SiO 2 για ιοντική σύνθεση νανοκρυσταλλιτών Si στο εσωτερικό των πόρων τους με αξιόλογα αποτελέσματα, τεχνική που μέχρι τώρα δεν έχει παρουσιαστεί στη βιβλιογραφία. Τέλος, Έγινε ηλεκτρικός χαρακτηρισμός της διεπιφάνειας πολύ λεπτών υμενίων πορώδους αλουμίνας με νανονησίδες SiO 2 στο εσωτερικό των πόρων της με το πυρίτιο, και η πυκνότητα των διεπιφανειακών καταστάσεων η οποία υπολογίστηκε πλησιάζει αυτή των θερμικών διοξειδίων του Si. 5

ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΑΝΤΟΧΗΣ ΣΤΗ ΔΙΑΒΡΩΣΗ ΤΟΥ ΑΛΟΥΜΙΝΙΟΥ ΑΝΟΔΙΩΣΗ

ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΑΝΤΟΧΗΣ ΣΤΗ ΔΙΑΒΡΩΣΗ ΤΟΥ ΑΛΟΥΜΙΝΙΟΥ ΑΝΟΔΙΩΣΗ Εισαγωγή ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΑΝΤΟΧΗΣ ΣΤΗ ΔΙΑΒΡΩΣΗ ΤΟΥ ΑΛΟΥΜΙΝΙΟΥ ΑΝΟΔΙΩΣΗ Το γαλβανικό κελί (γαλβανική διάβρωση) είναι μια ηλεκτροχημική αντίδραση οξείδωσης-αναγωγής (redox), η οποία συμβαίνει όταν δύο ανόμοια μέταλλα

Διαβάστε περισσότερα

Βιογραφικό Σημείωμα. Βιολέττας Γιαννέτα. Κερύνειας 13, Πάτρα, Ελλάδα, 26441 Οκτώβριος 25, 1978 Πάτρα Αχαΐας, Ελλάδα

Βιογραφικό Σημείωμα. Βιολέττας Γιαννέτα. Κερύνειας 13, Πάτρα, Ελλάδα, 26441 Οκτώβριος 25, 1978 Πάτρα Αχαΐας, Ελλάδα Βιογραφικό Σημείωμα Βιολέττας Γιαννέτα ΠΡΟΣΩΠΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ Διεύθυνση: Ημερομηνία Γέννησης: Τόπος Γέννησης: Διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου: Tηλ: Κερύνειας 13, Πάτρα, Ελλάδα, 26441 Οκτώβριος 25, 1978

Διαβάστε περισσότερα

ΛΕΠΤΑ ΥΜΕΝΙΑ ΠΟΡΩΔΟΥΣ ΑΛΟΥΜΙΝΑΣ ΣΕ ΥΠΟΣΤΡΩΜΑ ΠΥΡΙΤΙΟΥ. ΠΑΡΑΣΚΕΥΗ ΤΟΥ ΥΛΙΚΟΥ, ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ, ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ.

ΛΕΠΤΑ ΥΜΕΝΙΑ ΠΟΡΩΔΟΥΣ ΑΛΟΥΜΙΝΑΣ ΣΕ ΥΠΟΣΤΡΩΜΑ ΠΥΡΙΤΙΟΥ. ΠΑΡΑΣΚΕΥΗ ΤΟΥ ΥΛΙΚΟΥ, ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ, ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ. ΣΧΟΛΗ ΕΦΑΡΜΟΣΜΕΝΩΝ ΜΑΘΗΜΑΤΙΚΩΝ & ΦΥΣΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗ ΔΙΑΤΡΙΒΗ ΛΕΠΤΑ ΥΜΕΝΙΑ ΠΟΡΩΔΟΥΣ ΑΛΟΥΜΙΝΑΣ ΣΕ ΥΠΟΣΤΡΩΜΑ ΠΥΡΙΤΙΟΥ. ΠΑΡΑΣΚΕΥΗ ΤΟΥ ΥΛΙΚΟΥ, ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ, ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ. ΜΑΡΙΑ

Διαβάστε περισσότερα

«Ανάπτυξη και Χαρακτηρισμός Μεμβρανών Πορώδους

«Ανάπτυξη και Χαρακτηρισμός Μεμβρανών Πορώδους Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Μεταπτυχιακό Πρόγραμμα «Φυσική των Υλικών» Ειδική Ερευνητική Εργασία «Ανάπτυξη και Χαρακτηρισμός Μεμβρανών Πορώδους Αλουμίνας και Εφαρμογές στην Ανάπτυξη Νανοδομών» ΤΡΙΜΕΛΗΣ

Διαβάστε περισσότερα

ΣΥΝΘΕΣΗ ΝΑΝΟΠΟΡΩΔΩΝ ΔΟΜΩΝ ΟΞΕΙΔΙΟΥ ΤΟΥ ΑΛΟΥΜΙΝΙΟΥ ΜΕ ΤΗ ΜΕΘΟΔΟ ΤΗΣ ΑΝΟΔΙΩΣΗΣ. Ν. Λυμπέρη, Σ. Σπανού, Ε.Α. Παυλάτου

ΣΥΝΘΕΣΗ ΝΑΝΟΠΟΡΩΔΩΝ ΔΟΜΩΝ ΟΞΕΙΔΙΟΥ ΤΟΥ ΑΛΟΥΜΙΝΙΟΥ ΜΕ ΤΗ ΜΕΘΟΔΟ ΤΗΣ ΑΝΟΔΙΩΣΗΣ. Ν. Λυμπέρη, Σ. Σπανού, Ε.Α. Παυλάτου ΣΥΝΘΕΣΗ ΝΑΝΟΠΟΡΩΔΩΝ ΔΟΜΩΝ ΟΞΕΙΔΙΟΥ ΤΟΥ ΑΛΟΥΜΙΝΙΟΥ ΜΕ ΤΗ ΜΕΘΟΔΟ ΤΗΣ ΑΝΟΔΙΩΣΗΣ Ν. Λυμπέρη, Σ. Σπανού, Ε.Α. Παυλάτου Εργαστήριο Γενικής Χημείας, Σχολή Χημικών Μηχανικών, Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο, Ηρώων

Διαβάστε περισσότερα

Χαρακτηρισμός και μοντέλα τρανζίστορ λεπτών υμενίων βιομηχανικής παραγωγής: Τεχνολογία μικροκρυσταλλικού πυριτίου χαμηλής θερμοκρασίας

Χαρακτηρισμός και μοντέλα τρανζίστορ λεπτών υμενίων βιομηχανικής παραγωγής: Τεχνολογία μικροκρυσταλλικού πυριτίου χαμηλής θερμοκρασίας Χαρακτηρισμός και μοντέλα τρανζίστορ λεπτών υμενίων βιομηχανικής παραγωγής: Τεχνολογία μικροκρυσταλλικού πυριτίου χαμηλής θερμοκρασίας Υποψήφιος Διδάκτορας: Α. Χατζόπουλος Περίληψη Οι τελευταίες εξελίξεις

Διαβάστε περισσότερα

ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΙΣ ΣΤΟ ΦΑΣΜΑ ΦΩΤΟΦΩΤΑΥΓΕΙΑΣ ΑΥΤΟ-ΟΡΓΑΝΟΥΜΕΝΗΣ ΠΟΡΩ ΟΥΣ ΑΛΟΥΜΙΝΑΣ ΣΕ ΥΠΟΣΤΡΩΜΑ Si

ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΙΣ ΣΤΟ ΦΑΣΜΑ ΦΩΤΟΦΩΤΑΥΓΕΙΑΣ ΑΥΤΟ-ΟΡΓΑΝΟΥΜΕΝΗΣ ΠΟΡΩ ΟΥΣ ΑΛΟΥΜΙΝΑΣ ΣΕ ΥΠΟΣΤΡΩΜΑ Si ιατµηµατικό- ιεπιστηµονικό Πρόγραµµα Μεταπτυχιακών Σπουδών «Νανοεπιστήµες & Νανοτεχνολογίες» ιπλωµατική Εργασία ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΙΣ ΣΤΟ ΦΑΣΜΑ ΦΩΤΟΦΩΤΑΥΓΕΙΑΣ ΑΥΤΟ-ΟΡΓΑΝΟΥΜΕΝΗΣ ΠΟΡΩ ΟΥΣ ΑΛΟΥΜΙΝΑΣ ΣΕ ΥΠΟΣΤΡΩΜΑ Si

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ: Τεχνολογία Κατασκευής Ολοκληρωµένων Κυκλωµάτων

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ: Τεχνολογία Κατασκευής Ολοκληρωµένων Κυκλωµάτων ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ: Τεχνολογία Κατασκευής Ολοκληρωµένων Κυκλωµάτων Required Text: Microelectronic Devices, Keith Leaver (6 th Chapter) Τεχνολογία Κατασκευής Ολοκληρωµένων Κυκλωµάτων Si SiO 2

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή διατριβή

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή διατριβή ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ Πτυχιακή διατριβή Η ΣΥΓΚΕΝΤΡΩΣΗ ΤΩΝ ΒΑΡΕΩΝ ΜΕΤΑΛΛΩΝ ΣΤΟ ΕΔΑΦΟΣ ΚΑΙ ΜΕΘΟΔΟΙ ΠΡΟΣΔΙΟΡΙΣΜΟΥ ΤΟΥΣ Μιχαήλ

Διαβάστε περισσότερα

ΠΡΟΣΤΑΣΙΑ ΑΤΜΟΣΦΑΙΡΙΚΗΣ ΔΙΑΒΡΩΣΗΣ ΑΛΟΥΜΙΝΙΟΥ/ΑΝΟΔΙΩΣΗ Al

ΠΡΟΣΤΑΣΙΑ ΑΤΜΟΣΦΑΙΡΙΚΗΣ ΔΙΑΒΡΩΣΗΣ ΑΛΟΥΜΙΝΙΟΥ/ΑΝΟΔΙΩΣΗ Al Σχολή Μηχανικής και Τεχνολογίας Πτυχιακή εργασία ΠΡΟΣΤΑΣΙΑ ΑΤΜΟΣΦΑΙΡΙΚΗΣ ΔΙΑΒΡΩΣΗΣ ΑΛΟΥΜΙΝΙΟΥ/ΑΝΟΔΙΩΣΗ Al Ανδρέας Παπαχριστοδούλου Λεμεσός, Μάιος 2017 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗΣ ΚΑΙ

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΚΤΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΕΣ ΔΙΕΡΓΑΣΙΕΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ. Περιληπτική θεωρητική εισαγωγή

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΚΤΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΕΣ ΔΙΕΡΓΑΣΙΕΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ. Περιληπτική θεωρητική εισαγωγή ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΚΤΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΕΣ ΔΙΕΡΓΑΣΙΕΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ Περιληπτική θεωρητική εισαγωγή α) Τεχνική zchralski Η πιο συχνά χρησιμοποιούμενη τεχνική ανάπτυξης μονοκρυστάλλων πυριτίου (i), αρίστης ποιότητας,

Διαβάστε περισσότερα

ΜΑΘΗΜΑ: Τεχνολογία Μετρήσεων ΙΙ

ΜΑΘΗΜΑ: Τεχνολογία Μετρήσεων ΙΙ ΜΑΘΗΜΑ: Τεχνολογία Μετρήσεων ΙΙ ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Αν. Καθ. Δρ Μαρία Α. Γούλα ΤΜΗΜΑ: Μηχανικών Περιβάλλοντος & Μηχανικών Αντιρρύπανσης 1 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creative

Διαβάστε περισσότερα

ΕΠΙΠΕΔΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ. αρχικό υλικό. *στάδια επίπεδης τεχνολογίας. πλακίδιο Si. *ακολουθία βημάτων που προσθέτουν ή αφαιρούν υλικά στο πλακίδιο Si

ΕΠΙΠΕΔΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ. αρχικό υλικό. *στάδια επίπεδης τεχνολογίας. πλακίδιο Si. *ακολουθία βημάτων που προσθέτουν ή αφαιρούν υλικά στο πλακίδιο Si ΕΠΙΠΕΔΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ αρχικό υλικό + *στάδια επίπεδης τεχνολογίας πλακίδιο Si *ακολουθία βημάτων που προσθέτουν ή αφαιρούν υλικά στο πλακίδιο Si οξείδωση εναπόθεση διάχυση φωτολιθογραφία φωτοχάραξη Παραγωγή

Διαβάστε περισσότερα

Από πού προέρχεται η θερμότητα που μεταφέρεται από τον αντιστάτη στο περιβάλλον;

Από πού προέρχεται η θερμότητα που μεταφέρεται από τον αντιστάτη στο περιβάλλον; 3. ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΕΝΕΡΓΕΙΑ Ένα ανοικτό ηλεκτρικό κύκλωμα μετατρέπεται σε κλειστό, οπότε διέρχεται από αυτό ηλεκτρικό ρεύμα που μεταφέρει ενέργεια. Τα σπουδαιότερα χαρακτηριστικά της ηλεκτρικής ενέργειας είναι

Διαβάστε περισσότερα

2) Μελέτη Φυσικών Διεργασιών Κατασκευής Νανοδιατάξεων σε Πυρίτιο και Γερμάνιο i) Φαινόμενα διάχυσης και ενεργοποίησης προσμίξεων εκτός

2) Μελέτη Φυσικών Διεργασιών Κατασκευής Νανοδιατάξεων σε Πυρίτιο και Γερμάνιο i) Φαινόμενα διάχυσης και ενεργοποίησης προσμίξεων εκτός ΝΑΝΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΣΤΟ Ε.Μ.Π. Δ, Τσαμάκης Πρόεδρος ΣΗΜΜΥ ΓΕΝΙΚΑ Τελευταία δεκαετία: : Τάση για επενδύσεις στην ΈΡΕΥΝΑ στους τομείς της Νανοτεχνολογίας με στόχο τη δημιουργία υποδομής νέας γνώσης στην περιοχή

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 8 - Μελέτη της ηλεκτρόλυσης CuSO 4 ΑΣΚΗΣΗ 8. Μελέτη της ηλεκτρόλυσης CuSO 4

ΑΣΚΗΣΗ 8 - Μελέτη της ηλεκτρόλυσης CuSO 4 ΑΣΚΗΣΗ 8. Μελέτη της ηλεκτρόλυσης CuSO 4 ΑΣΚΗΣΗ 8 Μελέτη της ηλεκτρόλυσης CuSO 4 Συσκευές: Ένα τροφοδοτικό συνεχούς τάσης, ένα αμπερόμετρο, ένα χρονόμετρο και ένα βολτάμετρο. Το βολτάμετρο ή κουλομβόμετρο αποτελείται από ένα γυάλινο δοχείο που

Διαβάστε περισσότερα

Η επαφή p n. Η επαφή p n. Υπενθύμιση: Ημιαγωγός τύπου n. Υπενθύμιση: Ημιαγωγός τύπου p

Η επαφή p n. Η επαφή p n. Υπενθύμιση: Ημιαγωγός τύπου n. Υπενθύμιση: Ημιαγωγός τύπου p Η επαφή p n Τι είναι Που χρησιμεύει Η επαφή p n p n Η διάταξη που αποτελείται από μία επαφή p n ονομάζεται δίοδος. Άνοδος Κάθοδος Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων

Διαβάστε περισσότερα

Διατάξεις ημιαγωγών. Δίοδος, δίοδος εκπομπής φωτός (LED) Τρανζίστορ. Ολοκληρωμένο κύκλωμα

Διατάξεις ημιαγωγών. Δίοδος, δίοδος εκπομπής φωτός (LED) Τρανζίστορ. Ολοκληρωμένο κύκλωμα Δίοδος, δίοδος εκπομπής φωτός (LED) Διατάξεις ημιαγωγών p n Άνοδος Κάθοδος Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Άνοδος Κάθοδος dpapageo@cc.uoi.gr http://pc64.materials.uoi.gr/dpapageo

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικών

Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικών Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικών Εργαστηριακή Άσκηση 01 Κατηγοριοποιήση υλικών-επίδειξη δοκιμίων Διδάσκοντες: Δρ Γεώργιος Ι. Γιαννόπουλος Δρ Θεώνη Ασημακοπούλου Δρ ΘεόδωροςΛούτας Τμήμα Μηχανολογίας ΑΤΕΙ Πατρών

Διαβάστε περισσότερα

τα μεταλλικά Μια στρώμα. Για την έννοια πως αν και νανοσωματίδια (με εξάχνωση Al). πρέπει κανείς να τοποθετήσει τα μερικές δεκάδες nm πράγμα

τα μεταλλικά Μια στρώμα. Για την έννοια πως αν και νανοσωματίδια (με εξάχνωση Al). πρέπει κανείς να τοποθετήσει τα μερικές δεκάδες nm πράγμα Φραγή Coulomb σε διατάξεις που περιέχουν νανοσωματίδια. Ι. Φραγή Coulomb σε διατάξεις που περιέχουν μεταλλικά νανοσωματίδια 1. Περιγραφή των διατάξεων Μια διάταξη που περιέχει νανοσωματίδια μπορεί να αναπτυχθεί

Διαβάστε περισσότερα

Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο

Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο Μιχάλης Κομπίτσας Εθνικό Ίδρυμα Ερευνών, Ινστιτούτο Θεωρ./Φυσικής Χημείας (www.laser-applications.eu) 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΤΗΣ ΟΜΙΛΙΑΣ 1.

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΙΚΑ ΠΡΟΒΛΗΜΑΤΑ ΚΑΤΑ ΤΗΝ ΑΞΙΟΠΟΙΗΣΗ ΤΗΣ ΓΕΩΘΕΡΜΙΑΣ

ΤΕΧΝΙΚΑ ΠΡΟΒΛΗΜΑΤΑ ΚΑΤΑ ΤΗΝ ΑΞΙΟΠΟΙΗΣΗ ΤΗΣ ΓΕΩΘΕΡΜΙΑΣ ΤΕΧΝΙΚΑ ΠΡΟΒΛΗΜΑΤΑ ΚΑΤΑ ΤΗΝ ΑΞΙΟΠΟΙΗΣΗ ΤΗΣ ΓΕΩΘΕΡΜΙΑΣ Η αξιοποίηση της γεωθερμικής ενέργειας συναντά ορισμένα τεχνικά προβλήματα, Τα προβλήματα αυτά είναι: (α) ο σχηματισμός επικαθίσεων (ή καθαλατώσεις

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή εργασία

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή εργασία ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ Πτυχιακή εργασία ΜΕΤΑΤΡΟΠΗ ΑΝΘΡΑΚΑ (ΚΑΡΒΟΥΝΟ) ΣΕ ΕΝΕΡΓΟ ΑΝΘΡΑΚΑ ΜΕΣΩ ΧΗΜΙΚΗΣ ΚΑΙ ΘΕΡΜΙΚΗΣ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑΣ

Διαβάστε περισσότερα

ΣΥΝΘΕΣΗ ΝΑΝΟΣΩΛΗΝΩΝ ΑΝΘΡΑΚΑ ΜΕΣΩ ΘΕΡΜΟΛΥΣΗΣ ΟΡΓΑΜΟΜΕΤΑΛΛΙΚΗΣ ΕΝΩΣΗΣ ΣΕ ΣΤΕΡΕΑ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗ

ΣΥΝΘΕΣΗ ΝΑΝΟΣΩΛΗΝΩΝ ΑΝΘΡΑΚΑ ΜΕΣΩ ΘΕΡΜΟΛΥΣΗΣ ΟΡΓΑΜΟΜΕΤΑΛΛΙΚΗΣ ΕΝΩΣΗΣ ΣΕ ΣΤΕΡΕΑ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗ ΣΥΝΘΕΣΗ ΝΑΝΟΣΩΛΗΝΩΝ ΑΝΘΡΑΚΑ ΜΕΣΩ ΘΕΡΜΟΛΥΣΗΣ ΟΡΓΑΜΟΜΕΤΑΛΛΙΚΗΣ ΕΝΩΣΗΣ ΣΕ ΣΤΕΡΕΑ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗ Α.Μ. Νέτσου 1, Ε. Χουντουλέση 1, Μ.Περράκη 2, Α.Ντζιούνη 1, Κ. Κορδάτος 1 1 Σχολή Χημικών Μηχανικών, ΕΜΠ 2 Σχολή

Διαβάστε περισσότερα

Χημικές αντιδράσεις καταλυμένες από στερεούς καταλύτες

Χημικές αντιδράσεις καταλυμένες από στερεούς καταλύτες Χημικές αντιδράσεις καταλυμένες από στερεούς καταλύτες Σε πολλές χημικές αντιδράσεις, οι ταχύτητές τους επηρεάζονται από κάποια συστατικά τα οποία δεν είναι ούτε αντιδρώντα ούτε προϊόντα. Αυτά τα υλικά

Διαβάστε περισσότερα

ΕΠΙΜΕΤΑΛΛΩΣΕΙΣ. Τεχνικές εφαρμογής και μέτρησης. Οι βασικοί τρόποι επιμετάλλωσης είναι:

ΕΠΙΜΕΤΑΛΛΩΣΕΙΣ. Τεχνικές εφαρμογής και μέτρησης. Οι βασικοί τρόποι επιμετάλλωσης είναι: Από το Θεόδωρο Τσαγκάρη Ηλεκτρολόγο Μηχανικό ΕΜΠ Μηχανικό Πωλήσεων για το Τεχνικό Γραφείο Δ. Βρέκοσις ΕΠΙΜΕΤΑΛΛΩΣΕΙΣ Τεχνικές εφαρμογής και μέτρησης p a g e 22 Η επιμετάλλωση γίνεται με τη δημιουργία ενός

Διαβάστε περισσότερα

Μελέτη Ηλεκτρικών Ιδιοτήτων Νανοδοµηµένων ιηλεκτρικών: i) SiN ii) Νανοκρυσταλλικό ιαµάντι

Μελέτη Ηλεκτρικών Ιδιοτήτων Νανοδοµηµένων ιηλεκτρικών: i) SiN ii) Νανοκρυσταλλικό ιαµάντι Εθνικό και Καποδιστριακό Πανεπιστήµιο Αθηνών Μελέτη Ηλεκτρικών Ιδιοτήτων Νανοδοµηµένων ιηλεκτρικών: i) SiN ii) Νανοκρυσταλλικό ιαµάντι Χρήστος Λιούτας Τριµελής Επιτροπή Καθ. Παπαϊωάννου Γ., Τµ. Φυσικής,

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ ΤΜΗΜΑ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ ΤΜΗΜΑ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ ΤΜΗΜΑ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ Πτυχιακή Διατριβή Η ΣΥΝΕΙΣΦΟΡΑ ΤΟΥ CΗ 4 ΣΤΟ ΦΑΙΝΟΜΕΝΟ

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρόλυση νερού ή ηλεκτρόλυση αραιού διαλύματος θειικού οξέος με ηλεκτρόδια λευκοχρύσου και με χρήση της συσκευής Hoffman.

Ηλεκτρόλυση νερού ή ηλεκτρόλυση αραιού διαλύματος θειικού οξέος με ηλεκτρόδια λευκοχρύσου και με χρήση της συσκευής Hoffman. Σύντομη περιγραφή του πειράματος Ηλεκτρόλυση νερού ή ηλεκτρόλυση αραιού διαλύματος θειικού οξέος με ηλεκτρόδια λευκοχρύσου και με χρήση της συσκευής Hoffman. Διδακτικοί στόχοι του πειράματος Στο τέλος

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 2 Χημικοί Δεσμοί

Κεφάλαιο 2 Χημικοί Δεσμοί Κεφάλαιο 2 Χημικοί Δεσμοί Σύνοψη Παρουσιάζονται οι χημικοί δεσμοί, ιοντικός, μοριακός, ατομικός, μεταλλικός. Οι ιδιότητες των υλικών τόσο οι φυσικές όσο και οι χημικές εξαρτώνται από το είδος ή τα είδη

Διαβάστε περισσότερα

Οι περισσότεροι μονοτοιχωματικοί νανοσωλήνες έχουν διάμετρο περί του 1 νανομέτρου (υπενθυμίζεται ότι 1nm = 10 Å).

Οι περισσότεροι μονοτοιχωματικοί νανοσωλήνες έχουν διάμετρο περί του 1 νανομέτρου (υπενθυμίζεται ότι 1nm = 10 Å). 1 2 Οι περισσότεροι μονοτοιχωματικοί νανοσωλήνες έχουν διάμετρο περί του 1 νανομέτρου (υπενθυμίζεται ότι 1nm = 10 Å). Οι πολυτοιχωματικοί νανοσωλήνες άνθρακα αποτελούνται από δύο ή περισσότερους ομοαξονικούς

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικών

Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικών Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικών Εργαστηριακή Άσκηση 04 Επιμετάλλωση Διδάσκοντες: Δρ Γεώργιος Ι. Γιαννόπουλος Δρ Θεώνη Ασημακοπούλου Δρ Θεόδωρος Λούτας Τμήμα Μηχανολογίας ΑΤΕΙ Πατρών Πάτρα 2011 Διάβρωση Διάβρωση

Διαβάστε περισσότερα

Διάβρωση και Προστασία. Εαρινό εξάμηνο Ακ. Έτους Μάθημα 6ο

Διάβρωση και Προστασία. Εαρινό εξάμηνο Ακ. Έτους Μάθημα 6ο Διάβρωση και Προστασία Εαρινό εξάμηνο Ακ. Έτους 2016-17 Μάθημα 6ο Διάγραμμα δυναμικού Ε- ph για σίδηρο εμβαπτισμένο σε διάλυμα Fe 2+ με ενεργότητα = 1 Σε ph=2 για διάλυμα περιεκτικότητας σε ιόντα Fe 2+

Διαβάστε περισσότερα

ΕΠΙΣΤΗΜΗ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ 1

ΕΠΙΣΤΗΜΗ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ 1 ΕΠΙΣΤΗΜΗ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ 1 Ενότητα: ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ Επιμέλεια: ΝΙΚΟΛΑΟΣ ΚΟΥΤΡΟΥΜΑΝΗΣ Τμήμα: ΧΗΜΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΤΡΑΣ 5 Μαρτίου 2015 2 ο Φροντιστήριο 1) Ποια είναι τα ηλεκτρόνια σθένους και ποιός ο ρόλος τους;

Διαβάστε περισσότερα

ΣΥΓΚΡIΤΙΚΗ ΜΕΛΕΤΗ ΗΛΕΚΤΡΟΔΙΩΝ Ir KAI Ir-Ru ΚΑΤΑ ΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΛΥΣΗ ΤΟΥ ΝΕΡΟΥ ΣΕ ΚΕΛΙΑ ΠΡΩΤΟΝΙΑΚΗΣ ΜΕΜΒΡΑΝΗΣ. Πατρών, 26504, Πάτρα.

ΣΥΓΚΡIΤΙΚΗ ΜΕΛΕΤΗ ΗΛΕΚΤΡΟΔΙΩΝ Ir KAI Ir-Ru ΚΑΤΑ ΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΛΥΣΗ ΤΟΥ ΝΕΡΟΥ ΣΕ ΚΕΛΙΑ ΠΡΩΤΟΝΙΑΚΗΣ ΜΕΜΒΡΑΝΗΣ. Πατρών, 26504, Πάτρα. 9 ο ΠΕΣΧΜ: Η Συμβολή της Χημικής Μηχανικής στην Αειφόρο Ανάπτυξη ΣΥΓΚΡIΤΙΚΗ ΜΕΛΕΤΗ ΗΛΕΚΤΡΟΔΙΩΝ Ir KAI Ir-Ru ΚΑΤΑ ΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΛΥΣΗ ΤΟΥ ΝΕΡΟΥ ΣΕ ΚΕΛΙΑ ΠΡΩΤΟΝΙΑΚΗΣ ΜΕΜΒΡΑΝΗΣ Α. Γκούσεβ 1, Α. Κατσαούνης 1 και

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΟΛΗ ΕΦΑΡΜΟΣΜΕΝΩΝ ΜΑΘΗΜΑΤΙΚΩΝ & ΦΥΣΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ

ΣΧΟΛΗ ΕΦΑΡΜΟΣΜΕΝΩΝ ΜΑΘΗΜΑΤΙΚΩΝ & ΦΥΣΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΕΦΑΡΜΟΣΜΕΝΩΝ ΜΑΘΗΜΑΤΙΚΩΝ & ΦΥΣΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗ ΔΙΑΤΡΙΒΗ ΜΑΚΡΟΠΟΡΩΔΕΣ ΠΥΡΙΤΙΟ ΩΣ ΔΙΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΓΙΑ ΤΟΠΙΚΗ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΜΟΝΩΣΗ ΣΤΟ ΠΥΡΙΤΙΟ ΚΑΙ ΩΣ ΜΗΤΡΑ ΓΙΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ

Διαβάστε περισσότερα

Νανο-τεχνολογία. Νανο-Επιστήμη. Προσέγγιση από κάτω προς τα πάνω

Νανο-τεχνολογία. Νανο-Επιστήμη. Προσέγγιση από κάτω προς τα πάνω Νανο-τεχνολογία Ο σχεδιασμός, ο χαρακτηρισμός, η παραγωγή και η εφαρμογή των δομών, συσκευών και συστημάτων, ελέγχοντας τη μορφή και το μέγεθος σε κλίμακα νανόμετρου Νανο-Επιστήμη Η μελέτη των φαινομένων

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΣΤ 30 ΕΡΩΤΗΣΕΩΝ ΓΝΩΣΤΙΚΟΥ ΧΗΜΕΙΑΣ

ΤΕΣΤ 30 ΕΡΩΤΗΣΕΩΝ ΓΝΩΣΤΙΚΟΥ ΧΗΜΕΙΑΣ ΤΕΣΤ 30 ΕΡΩΤΗΣΕΩΝ ΓΝΩΣΤΙΚΟΥ ΧΗΜΕΙΑΣ ο αριθμός Avogadro, N A, L = 6,022 10 23 mol -1 η σταθερά Faraday, F = 96 487 C mol -1 σταθερά αερίων R = 8,314 510 (70) J K -1 mol -1 = 0,082 L atm mol -1 K -1 μοριακός

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή διατριβή

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή διατριβή ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ Πτυχιακή διατριβή ΜΕΘΟΔΟΙ ΠΡΟΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑΣ ΤΩΝ ΛΙΠΩΝ ΚΑΙ ΕΛΕΩΝ ΠΡΟΣ ΠΑΡΑΓΩΓΗ ΒΙΟΑΕΡΙΟΥ Ανδρέας Φράγκου Λεμεσός 2015

Διαβάστε περισσότερα

ΚΥΨΕΛΕΣ ΚΑΥΣΙΜΟΥ ΚΑΚΑΡΟΥΝΤΑ ΑΡΓΥΡΩ Α.Μ. 277 ΜΗΤΣΑΚΗ ΤΑΤΙΑΝΑ Α.Μ. 309 ΠΑΠΑΖΑΦΕΙΡΑΤΟΥ ΙΦΙΓΕΝΕΙΑ Α.Μ.322

ΚΥΨΕΛΕΣ ΚΑΥΣΙΜΟΥ ΚΑΚΑΡΟΥΝΤΑ ΑΡΓΥΡΩ Α.Μ. 277 ΜΗΤΣΑΚΗ ΤΑΤΙΑΝΑ Α.Μ. 309 ΠΑΠΑΖΑΦΕΙΡΑΤΟΥ ΙΦΙΓΕΝΕΙΑ Α.Μ.322 ΚΥΨΕΛΕΣ ΚΑΥΣΙΜΟΥ ΚΑΚΑΡΟΥΝΤΑ ΑΡΓΥΡΩ Α.Μ. 277 ΜΗΤΣΑΚΗ ΤΑΤΙΑΝΑ Α.Μ. 309 ΠΑΠΑΖΑΦΕΙΡΑΤΟΥ ΙΦΙΓΕΝΕΙΑ Α.Μ.322 ΤΙ ΕΙΝΑΙ ΚΥΨΕΛΕΣ ΚΑΥΣΙΜΟΥ Οι κυψέλες καυσίμου είναι συσκευές οι οποίες μέσω ηλεκτροχημικών αντιδράσεων

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΛΗΨΗ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗΣ ΔΙΑΤΡΙΒΗΣ ΑΓΓΕΛΙΚΗΣ ΠΑΠΑΒΑΣΙΛΕΙΟΥ

ΠΕΡΙΛΗΨΗ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗΣ ΔΙΑΤΡΙΒΗΣ ΑΓΓΕΛΙΚΗΣ ΠΑΠΑΒΑΣΙΛΕΙΟΥ ~ ΠΕΡΙΛΗΨΗ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗΣ ΔΙΑΤΡΙΒΗΣ ΑΓΓΕΛΙΚΗΣ ΠΑΠΑΒΑΣΙΛΕΙΟΥ ~ ΠΕΡΙΛΗΨΗ H παρούσα Διδακτορική Διατριβή περιλαμβάνει συστηματική μελέτη για την ανάπτυξη τριοδικού καταλυτικού μετατροπέα (TWC) που να επιδεικνύει

Διαβάστε περισσότερα

ΜΕΤΑΛΛΟΥΡΓΙΑ Τεχνολογίες Προστασίας Υλικών ΜΕΡΟΣ Β Επιβλέπων: Γ. Αγγελόπουλος, καθηγητής Επιμέλεια: Πήττας Κωνσταντίνος, διπλ. Μηχ. Μηχ.

ΜΕΤΑΛΛΟΥΡΓΙΑ Τεχνολογίες Προστασίας Υλικών ΜΕΡΟΣ Β Επιβλέπων: Γ. Αγγελόπουλος, καθηγητής Επιμέλεια: Πήττας Κωνσταντίνος, διπλ. Μηχ. Μηχ. ΜΕΤΑΛΛΟΥΡΓΙΑ Τεχνολογίες Προστασίας Υλικών ΜΕΡΟΣ Β Επιβλέπων: Γ. Αγγελόπουλος, καθηγητής Επιμέλεια: Πήττας Κωνσταντίνος, διπλ. Μηχ. Μηχ. Τμήμα Χημικών Μηχανικών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό

Διαβάστε περισσότερα

ΜΕΛΕΤΗ ΜΟΡΦΟΛΟΓΙΑΣ ΣΤΕΡΕΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ ΓΙΑ ΦΩΤΟΝΙΟΕΝΕΡΓΕΙΑΚΗ ΑΝΑΒΑΘΜΙΣΗ

ΜΕΛΕΤΗ ΜΟΡΦΟΛΟΓΙΑΣ ΣΤΕΡΕΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ ΓΙΑ ΦΩΤΟΝΙΟΕΝΕΡΓΕΙΑΚΗ ΑΝΑΒΑΘΜΙΣΗ Σχολή Μηχανικής και Τεχνολογίας Πτυχιακή εργασία ΜΕΛΕΤΗ ΜΟΡΦΟΛΟΓΙΑΣ ΣΤΕΡΕΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ ΓΙΑ ΦΩΤΟΝΙΟΕΝΕΡΓΕΙΑΚΗ ΑΝΑΒΑΘΜΙΣΗ Βασιλική Ζήνωνος Λεμεσός, Μάϊος 2017 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗΣ

Διαβάστε περισσότερα

Πτυχιακή διατριβή. Η επίδραση της τασιενεργής ουσίας Ακεταλδεΰδης στη δημιουργία πυρήνων συμπύκνωσης νεφών (CCN) στην ατμόσφαιρα

Πτυχιακή διατριβή. Η επίδραση της τασιενεργής ουσίας Ακεταλδεΰδης στη δημιουργία πυρήνων συμπύκνωσης νεφών (CCN) στην ατμόσφαιρα ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ Πτυχιακή διατριβή Η επίδραση της τασιενεργής ουσίας Ακεταλδεΰδης στη δημιουργία πυρήνων συμπύκνωσης νεφών (CCN)

Διαβάστε περισσότερα

Μικροηλεκτρονική - VLSI

Μικροηλεκτρονική - VLSI ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 3: Εισαγωγή στη Διαδικασία Κατασκευής (CMOS Processing) Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών

Διαβάστε περισσότερα

(1) i mig,k = z 2 kf 2 u k c k (2) i mig = i mig,k = z 2 kf 2 u k c k. k=1. k=1

(1) i mig,k = z 2 kf 2 u k c k (2) i mig = i mig,k = z 2 kf 2 u k c k. k=1. k=1 Αριθμοί μεταφοράς Α. Καραντώνης 1 Σκοπός Σκοπός της άσκησης είναι ο πειραματικός προσδιορισμός των αριθμών μεταφοράς με τη μέθοδο Hittorf. Ειδικότερα, προσδιορίζονται ο αριθμοί μεταφοράς κατιόντων υδρογόνου

Διαβάστε περισσότερα

5. ΤΟ ΠΥΡΙΤΙΟ. Επιμέλεια παρουσίασης Παναγιώτης Αθανασόπουλος Δρ - Χημικός

5. ΤΟ ΠΥΡΙΤΙΟ. Επιμέλεια παρουσίασης Παναγιώτης Αθανασόπουλος Δρ - Χημικός 5. ΤΟ ΠΥΡΙΤΙΟ Επιμέλεια παρουσίασης Παναγιώτης Αθανασόπουλος Δρ - Χημικός Σκοπός του μαθήματος: Να εντοπίζουμε τη θέση του πυριτίου στον περιοδικό πίνακα Να αναφέρουμε τη χρήση του πυριτίου σε υλικά όπως

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή Σε Ολοκληρωµένα Κυκλώµατα (Microchips) Αναλογικά ή Ψηφιακά Κυκλώµατα;

Εισαγωγή Σε Ολοκληρωµένα Κυκλώµατα (Microchips) Αναλογικά ή Ψηφιακά Κυκλώµατα; Εισαγωγή Σε Ολοκληρωµένα Κυκλώµατα (Microchips) ρ. Ιούλιος Γεωργίου Further Reading Texts: Design of Analog CMOS Integrated Circuits Behzad Razavi Microelectronic Circuits, Sedra & Smith Αναλογικά ή Ψηφιακά

Διαβάστε περισσότερα

Σύγχρονο Ηλεκτρονικό Μικροσκόπιο Διέλευσης. Transition Electron Microscopy TEM

Σύγχρονο Ηλεκτρονικό Μικροσκόπιο Διέλευσης. Transition Electron Microscopy TEM Σύγχρονο Ηλεκτρονικό Μικροσκόπιο Διέλευσης Ανατομία ΤΕΜ Silicon wafer The transmission electron microscope (TEM) provides the user with advantages over the light microscope (LM) in three key areas: Resolution

Διαβάστε περισσότερα

5.1 ΥΠΟΛΟΓΙΣΜΟΣ ΤΟΥ ΓΡΑΜΜΟΙΣΟΔΥΝΑΜΟΥ ΙΟΝΤΟΣ ΟΞΥΓΟΝΟΥ, ΥΔΡΟΓΟΝΟΥ ΚΑΙ ΧΑΛΚΟΥ ΜΕ ΗΛΕΚΤΡΟΛΥΣΗ

5.1 ΥΠΟΛΟΓΙΣΜΟΣ ΤΟΥ ΓΡΑΜΜΟΙΣΟΔΥΝΑΜΟΥ ΙΟΝΤΟΣ ΟΞΥΓΟΝΟΥ, ΥΔΡΟΓΟΝΟΥ ΚΑΙ ΧΑΛΚΟΥ ΜΕ ΗΛΕΚΤΡΟΛΥΣΗ 5.1 ΑΣΚΗΣΗ 5 ΥΠΟΛΟΓΙΣΜΟΣ ΤΟΥ ΓΡΑΜΜΟΙΣΟΔΥΝΑΜΟΥ ΙΟΝΤΟΣ ΟΞΥΓΟΝΟΥ, ΥΔΡΟΓΟΝΟΥ ΚΑΙ ΧΑΛΚΟΥ ΜΕ ΗΛΕΚΤΡΟΛΥΣΗ Α' ΜΕΡΟΣ: Ηλεκτρόλυση του νερού. ΘΕΜΑ: Εύρεση της μάζας οξυγόνου και υδρογόνου που εκλύονται σε ηλεκτρολυτική

Διαβάστε περισσότερα

Νανοηλεκτρονικές Διατάξεις Π. Φωτόπουλος ΠΑΔΑ

Νανοηλεκτρονικές Διατάξεις Π. Φωτόπουλος ΠΑΔΑ 1. Απεικονίστε την διαδρομή του ηλεκτρονίου στην αγωγή με σκέδαση και στην βαλλιστική αγωγή. Υπολογίστε τι μήκος πρέπει να έχει ένας αγωγός GaAs ώστε η αγωγή να γίνεται βαλλιστικά Δίνεται: η ευκινησία

Διαβάστε περισσότερα

Φυσική Χημεία ΙΙ. Ηλεκτροχημικά στοιχεία. Κεφ.1 Ηλεκτροδιαλυτική τάση. Σημειώσεις για το μάθημα. Ευκλείδου Τ. Παναγιώτου Σ. Γιαννακουδάκης Π.

Φυσική Χημεία ΙΙ. Ηλεκτροχημικά στοιχεία. Κεφ.1 Ηλεκτροδιαλυτική τάση. Σημειώσεις για το μάθημα. Ευκλείδου Τ. Παναγιώτου Σ. Γιαννακουδάκης Π. Σημειώσεις για το μάθημα Φυσική Χημεία ΙΙ Ηλεκτροχημικά στοιχεία Κεφ.1 Ηλεκτροδιαλυτική τάση Ευκλείδου Τ. Παναγιώτου Σ. Γιαννακουδάκης Π. Τμήμα Χημείας ΑΠΘ 1. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 ΗΛΕΚΤΡΟΔΙΑΛΥΤΙΚΗ ΤΑΣΗ 1.1 των µετάλλων

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ασκήσεις Μικροηλεκτρονικής

Σχεδίαση Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ασκήσεις Μικροηλεκτρονικής Σχεδίαση Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ασκήσεις Μικροηλεκτρονικής Αραπογιάννη Αγγελική Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών. Σελίδα 2 1. Εισαγωγή... 4 2. Ανάπτυξη Κρυστάλλων... 4 3. Οξείδωση του πυριτίου...

Διαβάστε περισσότερα

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα. Χημική Τεχνολογία. Εργαστηριακό Μέρος

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα. Χημική Τεχνολογία. Εργαστηριακό Μέρος ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Χημική Τεχνολογία Εργαστηριακό Μέρος Ενότητα 8.2: Χημικώς Απαιτούμενο Οξυγόνο (Chemical Oxygen Demand, COD) Ευάγγελος Φουντουκίδης

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΚΑ ΥΛΙΚΑ. Ενότητα 6: ΔΙΑΒΡΩΣΗ ΛΙΤΣΑΡΔΑΚΗΣ ΓΕΩΡΓΙΟΣ ΤΗΜΜΥ

ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΚΑ ΥΛΙΚΑ. Ενότητα 6: ΔΙΑΒΡΩΣΗ ΛΙΤΣΑΡΔΑΚΗΣ ΓΕΩΡΓΙΟΣ ΤΗΜΜΥ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΚΑ ΥΛΙΚΑ Ενότητα 6: ΔΙΑΒΡΩΣΗ ΛΙΤΣΑΡΔΑΚΗΣ ΓΕΩΡΓΙΟΣ ΤΗΜΜΥ Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης

Διαβάστε περισσότερα

Δείτε εδώ τις Διαφάνειες για την Άσκηση 8. Περιγραφή υπολογισμών της Άσκησης 8 του Εργαστηρίου ΜΧΔ

Δείτε εδώ τις Διαφάνειες για την Άσκηση 8. Περιγραφή υπολογισμών της Άσκησης 8 του Εργαστηρίου ΜΧΔ Δείτε εδώ τις Διαφάνειες για την Άσκηση 8 Περιγραφή υπολογισμών της Άσκησης 8 του Εργαστηρίου ΜΧΔ Διάγραμμα Ροής Βήμα 1. Υπολογισμός της πραγματικής αρχικής συγκέντρωσης του διαλύματος κιτρικού οξέος στη

Διαβάστε περισσότερα

ΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΙΙ

ΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΙΙ ΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΙΙ Διδάσκων: Παπασιώπη Νυμφοδώρα Αναπληρώτρια Καθηγήτρια Ε.Μ.Π. Ενότητα 3 η : Αγωγή Σύνθετα τοιχώματα Άθροιση αντιστάσεων Άδεια Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες

Διαβάστε περισσότερα

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ Α ΛΥΚΕΙΟΥ 32 ου ΠΜΔΧ 2018

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ Α ΛΥΚΕΙΟΥ 32 ου ΠΜΔΧ 2018 ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ Α ΛΥΚΕΙΟΥ 32 ου ΠΜΔΧ 2018 ΠΟΛΛΑΠΛΕΣ ΕΠΙΛΟΓΕΣ 1 η ΑΣΚΗΣΗ 2 η ΑΣΚΗΣΗ 1. Β 1.1. Β 2.1. Β 2. Δ 1.2. Γ 2.2. Β 3. Γ 1.3. Α 2.3. Β 4. Α 1.4. Α 2.4. Α 5. Α 1.5. Α 6. Δ 1.6. Β 7. Α 1.7. Β 8. Δ 9. Α 10.

Διαβάστε περισσότερα

3.2 ΧΗΜΙΚΑ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΤΟΥ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΥ ΡΕΥΜΑΤΟΣ

3.2 ΧΗΜΙΚΑ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΤΟΥ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΥ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com 3.2 ΧΗΜΙΚΑ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΤΟΥ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΥ ΡΕΥΜΑΤΟΣ 1 Λέξεις κλειδιά: Ηλεκτρολυτικά διαλύματα, ηλεκτρόλυση,

Διαβάστε περισσότερα

M M n+ + ne (1) Ox + ne Red (2) i = i Cdl + i F (3) de dt + i F (4) i = C dl. e E Ecorr

M M n+ + ne (1) Ox + ne Red (2) i = i Cdl + i F (3) de dt + i F (4) i = C dl. e E Ecorr Επιταχυνόμενες μέθοδοι μελέτης της φθοράς: Μέθοδος Tafel και μέθοδος ηλεκτροχημικής εμπέδησης Αντώνης Καραντώνης, και Δημήτρης Δραγατογιάννης 1 Σκοπός της άσκησης Στην άσκηση αυτή θα μελετηθεί η διάβρωση

Διαβάστε περισσότερα

Ανθεκτικότητα Υλικών και Περιβάλλον

Ανθεκτικότητα Υλικών και Περιβάλλον Ανθεκτικότητα Υλικών και Περιβάλλον Ν. Μ. Μπάρκουλα, Επίκουρη Καθηγήτρια, Δρ. Μηχ/γος Μηχανικός 1 Τι είναι: Περίγραμμα Μαθήματος Επιλογής Μάθημα Επιλογής στο 9ο Εξάμηνο του ΤΜΕΥ Με τι ασχολείται: Με την

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΕΥΝΗΤΙΚΕΣ ΚΑΙΝΟΤΟΜΙΕΣ ΣΕ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΑ ΥΛΙΚΑ

ΕΡΕΥΝΗΤΙΚΕΣ ΚΑΙΝΟΤΟΜΙΕΣ ΣΕ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΑ ΥΛΙΚΑ ΕΡΕΥΝΗΤΙΚΕΣ ΚΑΙΝΟΤΟΜΙΕΣ ΣΕ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΑ ΥΛΙΚΑ Δρ. Χρ. Ν. Παναγόπουλος, Καθηγητής Ε.Μ.Π. Εργαστήριο Μεταλλογνωσίας, Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο, Ζωγράφος, Αθήνα, 15780 ΑΘΗΝΑ 2007 1 Ερευνητική Ομάδα: Δρ.

Διαβάστε περισσότερα

Τεχνικές παρασκευής ζεόλιθου ZSM-5 από τέφρα φλοιού ρυζιού με χρήση φούρνου μικροκυμάτων και τεχνικής sol-gel

Τεχνικές παρασκευής ζεόλιθου ZSM-5 από τέφρα φλοιού ρυζιού με χρήση φούρνου μικροκυμάτων και τεχνικής sol-gel Τεχνικές παρασκευής ζεόλιθου ZSM-5 από τέφρα φλοιού ρυζιού με χρήση φούρνου μικροκυμάτων και τεχνικής sol-gel Δέσποινα Στεφοπούλου Επιβλέπων: Κωνσταντίνος Κορδάτος Στην παρούσα διπλωματική εργασία παρασκευάστηκαν

Διαβάστε περισσότερα

ΠΑΡΑΣΚΕΥΗ ΚΑΙ ΜΕΛΕΤΗ ΤΡΟΠΟΠΟΙΗΜΕΝΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΚΑΤΑΛΛΗΛΩΝ ΓΙΑ ΑΚΙΝΗΤΕΣ ΠΡΟΣΘΕΤΙΚΕΣ ΑΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΕΙΣ, ΜΕ ΔΥΝΑΤΟΤΗΤΕΣ ΑΝΑΠΤΥΞΗΣ

ΠΑΡΑΣΚΕΥΗ ΚΑΙ ΜΕΛΕΤΗ ΤΡΟΠΟΠΟΙΗΜΕΝΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΚΑΤΑΛΛΗΛΩΝ ΓΙΑ ΑΚΙΝΗΤΕΣ ΠΡΟΣΘΕΤΙΚΕΣ ΑΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΕΙΣ, ΜΕ ΔΥΝΑΤΟΤΗΤΕΣ ΑΝΑΠΤΥΞΗΣ ΞΑΝΘΙΠΠΗ ΧΑΤΖΗΣΤΑΥΡΟΥ ΦΥΣΙΚΟΣ ΠΑΡΑΣΚΕΥΗ ΚΑΙ ΜΕΛΕΤΗ ΤΡΟΠΟΠΟΙΗΜΕΝΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΚΑΤΑΛΛΗΛΩΝ ΓΙΑ ΑΚΙΝΗΤΕΣ ΠΡΟΣΘΕΤΙΚΕΣ ΑΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΕΙΣ, ΜΕ ΔΥΝΑΤΟΤΗΤΕΣ ΑΝΑΠΤΥΞΗΣ ΣΥΝΘΕΤΩΝ ΒΙΟΛΟΓΙΚΩΝ ΔΟΜΩΝ. Σκοπός της παρούσας έρευνας

Διαβάστε περισσότερα

3 η Εργαστηριακή Άσκηση

3 η Εργαστηριακή Άσκηση 3 η Εργαστηριακή Άσκηση Βρόχος υστέρησης σιδηρομαγνητικών υλικών Τα περισσότερα δείγματα του σιδήρου ή οποιουδήποτε σιδηρομαγνητικού υλικού που δεν έχουν βρεθεί ποτέ μέσα σε μαγνητικά πεδία δεν παρουσιάζουν

Διαβάστε περισσότερα

Νέα Οπτικά Μικροσκόπια

Νέα Οπτικά Μικροσκόπια Νέα Οπτικά Μικροσκόπια Αντίθεση εικόνας (contrast) Αντίθεση πλάτους Αντίθεση φάσης Αντίθεση εικόνας =100 x (Ι υποβ -Ι δειγμα )/ Ι υποβ Μικροσκοπία φθορισμού (Χρησιμοποιεί φθορίζουσες χρωστικές για το

Διαβάστε περισσότερα

ΠΙΛΟΤΙΚΗ ΕΦΑΡΜΟΓΗ ΑΥΤΟΝΟΜΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΠΛΟΗΓΗΣΗΣ ΓΙΑ ΤΗΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗ ΥΨΗΛΗΣ ΑΝΑΛΥΣΗΣ ΟΡΘΟΦΩΤΟΓΡΑΦΙΩΝ ΓΕΩΡΓΙΚΩΝ ΕΚΤΑΣΕΩΝ

ΠΙΛΟΤΙΚΗ ΕΦΑΡΜΟΓΗ ΑΥΤΟΝΟΜΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΠΛΟΗΓΗΣΗΣ ΓΙΑ ΤΗΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗ ΥΨΗΛΗΣ ΑΝΑΛΥΣΗΣ ΟΡΘΟΦΩΤΟΓΡΑΦΙΩΝ ΓΕΩΡΓΙΚΩΝ ΕΚΤΑΣΕΩΝ Σχολή Μηχανικής & Τεχνολογίας Τμήμα Πολιτικών & Μηχανικών Γεωπληροφορικής Μεταπτυχιακή διατριβή ΠΙΛΟΤΙΚΗ ΕΦΑΡΜΟΓΗ ΑΥΤΟΝΟΜΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΠΛΟΗΓΗΣΗΣ ΓΙΑ ΤΗΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗ ΥΨΗΛΗΣ ΑΝΑΛΥΣΗΣ ΟΡΘΟΦΩΤΟΓΡΑΦΙΩΝ ΓΕΩΡΓΙΚΩΝ

Διαβάστε περισσότερα

Κρυσταλλικές ατέλειες στερεών

Κρυσταλλικές ατέλειες στερεών Κρυσταλλικές ατέλειες στερεών Χαράλαμπος Στεργίου Dr.Eng. chstergiou@uowm.gr Ατέλειες Τεχνολογία Υλικών Ι Ατέλειες Ατέλειες στερεών Ο τέλειος κρύσταλλος δεν υπάρχει στην φύση. Η διάταξη των ατόμων σε δομές

Διαβάστε περισσότερα

ΔΟΜΗ ΚΑΙ ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΚΕΡΑΜΙΚΩΝ. Χ. Κορδούλης

ΔΟΜΗ ΚΑΙ ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΚΕΡΑΜΙΚΩΝ. Χ. Κορδούλης ΔΟΜΗ ΚΑΙ ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΚΕΡΑΜΙΚΩΝ Χ. Κορδούλης ΚΕΡΑΜΙΚΑ ΥΛΙΚΑ Τα κεραμικά υλικά είναι ανόργανα µη μεταλλικά υλικά (ενώσεις μεταλλικών και μη μεταλλικών στοιχείων), τα οποία έχουν υποστεί θερμική κατεργασία

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών) Τα μοντέρνα ψηφιακά κυκλώματα (λογικές πύλες, μνήμες, επεξεργαστές και άλλα σύνθετα κυκλώματα) υλοποιούνται σήμερα

Διαβάστε περισσότερα

Από τι αποτελείται ένας πυκνωτής

Από τι αποτελείται ένας πυκνωτής Πυκνωτές Οι πυκνωτές είναι διατάξεις οι οποίες αποθηκεύουν ηλεκτρικό φορτίο. Xρησιµοποιούνται ως «αποθήκες ενέργειας» που µπορούν να φορτίζονται µε αργό ρυθµό και µετά να εκφορτίζονται ακαριαία, παρέχοντας

Διαβάστε περισσότερα

ΝΙΚΟΛΕΤΤΑ ΣΟΦΙΚΙΤΗ «ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΧΗΜΙΚΩΝ ΑΙΣΘΗΤΗΡΩΝ ΚΑΙ ΒΙΟΑΙΣΘΗΤΗΡΩΝ ΙΙΙ-ΝΙΤΡΙΔΙΩΝ» ΣΕ ΕΤΕΡΟΔΟΜΕΣ ΚΑΙ ΝΑΝΟΔΟΜΕΣ ΠΕΡΙΛΗΨΗ

ΝΙΚΟΛΕΤΤΑ ΣΟΦΙΚΙΤΗ «ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΧΗΜΙΚΩΝ ΑΙΣΘΗΤΗΡΩΝ ΚΑΙ ΒΙΟΑΙΣΘΗΤΗΡΩΝ ΙΙΙ-ΝΙΤΡΙΔΙΩΝ» ΣΕ ΕΤΕΡΟΔΟΜΕΣ ΚΑΙ ΝΑΝΟΔΟΜΕΣ ΠΕΡΙΛΗΨΗ ΝΙΚΟΛΕΤΤΑ ΣΟΦΙΚΙΤΗ «ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΧΗΜΙΚΩΝ ΑΙΣΘΗΤΗΡΩΝ ΚΑΙ ΒΙΟΑΙΣΘΗΤΗΡΩΝ ΣΕ ΕΤΕΡΟΔΟΜΕΣ ΚΑΙ ΝΑΝΟΔΟΜΕΣ ΙΙΙ-ΝΙΤΡΙΔΙΩΝ» ΠΕΡΙΛΗΨΗ Οι χημικοί αισθητήρες είναι σημαντικά όργανα ανάλυσης που χρησιμοποιούνται για τον

Διαβάστε περισσότερα

Κροκίδωση Συσσωμάτωση Χημική κατακρήμνιση Πηγή: Μαρία Λοϊζίδου, ΕΜΠ, Αθήνα 2006

Κροκίδωση Συσσωμάτωση Χημική κατακρήμνιση Πηγή: Μαρία Λοϊζίδου, ΕΜΠ, Αθήνα 2006 Κροκίδωση Συσσωμάτωση Χημική κατακρήμνιση Πηγή: Μαρία Λοϊζίδου, ΕΜΠ, Αθήνα 2006 Η χημική κατακρήμνιση βασίζεται στη λειτουργία της συσσωμάτωσης και κροκίδωσης των κολλοειδών σωματιδίων που υπάρχουν αρχικά

Διαβάστε περισσότερα

«ΜΕΛΕΤΗ ΙΑΤΑΞΕΩΝ ΦΩΤΟΝΙΚΩΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΩΝ ΓΙΑ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ»

«ΜΕΛΕΤΗ ΙΑΤΑΞΕΩΝ ΦΩΤΟΝΙΚΩΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΩΝ ΓΙΑ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ» ΠΡΟΣΚΛΗΣΗ ΕΝ ΙΑΦΕΡΟΝΤΟΣ ΓΙΑ ΕΚΠΟΝΗΣΗ Ι ΑΚΤΟΡΙΚΗΣ ΙΑΤΡΙΒΗΣ «ΜΕΛΕΤΗ ΙΑΤΑΞΕΩΝ ΦΩΤΟΝΙΚΩΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΩΝ ΓΙΑ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ» Υπεύθυνος Καθηγητής: κ. Θωµάς Σφηκόπουλος Υπεύθυνος Επιστηµονικός Συνεργάτες:

Διαβάστε περισσότερα

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΟΣ ΛΕΠΤΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ ΥΔΡΟΓΟΝΩΜΕΝΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ (Si:H) ΜΕ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ ΥΠΕΡΙΩΔΟΥΣ ΟΡΑΤΟΥ (UV/VIS)

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΟΣ ΛΕΠΤΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ ΥΔΡΟΓΟΝΩΜΕΝΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ (Si:H) ΜΕ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ ΥΠΕΡΙΩΔΟΥΣ ΟΡΑΤΟΥ (UV/VIS) ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΟΣ ΛΕΠΤΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ ΥΔΡΟΓΟΝΩΜΕΝΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ (Si:H) ΜΕ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ ΥΠΕΡΙΩΔΟΥΣ ΟΡΑΤΟΥ (UV/VIS) Γ. Αλεξίου, Β. Περδικάρη, Π. Δημητρακέλλης, Ε. Φάρσαρη, Α. Καλαμπούνιας, Ε.Αμανατίδης και Δ.Ματαράς

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ. Πτυχιακή εργασία ΟΛΙΣΘΗΡΟΤΗΤΑ ΚΑΙ ΜΑΚΡΟΥΦΗ ΤΩΝ ΟΔΟΔΤΡΩΜΑΤΩΝ ΚΥΚΛΟΦΟΡΙΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ. Πτυχιακή εργασία ΟΛΙΣΘΗΡΟΤΗΤΑ ΚΑΙ ΜΑΚΡΟΥΦΗ ΤΩΝ ΟΔΟΔΤΡΩΜΑΤΩΝ ΚΥΚΛΟΦΟΡΙΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ Πτυχιακή εργασία ΟΛΙΣΘΗΡΟΤΗΤΑ ΚΑΙ ΜΑΚΡΟΥΦΗ ΤΩΝ ΟΔΟΔΤΡΩΜΑΤΩΝ ΚΥΚΛΟΦΟΡΙΑΣ Χριστοδούλου Αντρέας Λεμεσός 2014 2 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ

Διαβάστε περισσότερα

1.1 Ηλεκτρονικές ιδιότητες των στερεών. Μονωτές και αγωγοί

1.1 Ηλεκτρονικές ιδιότητες των στερεών. Μονωτές και αγωγοί 1. Εισαγωγή 1.1 Ηλεκτρονικές ιδιότητες των στερεών. Μονωτές και αγωγοί Από την Ατομική Φυσική είναι γνωστό ότι οι επιτρεπόμενες ενεργειακές τιμές των ηλεκτρονίων είναι κβαντισμένες, όπως στο σχήμα 1. Σε

Διαβάστε περισσότερα

ρ ε υ ν α Οι ανάγκες για ενέργεια παγκοσμίως αυξάνονται συνεχώς και εκτιμάται ότι θα διπλασιασθούν

ρ ε υ ν α Οι ανάγκες για ενέργεια παγκοσμίως αυξάνονται συνεχώς και εκτιμάται ότι θα διπλασιασθούν Οργανικά Φωτοβολταϊκά Τμήμα Ηλεκτρολογίας & Κέντρο Τεχνολογίας Υλικών και Λέιζερ, ΤΕΙ Κρήτης των Δρ. Εμμανουήλ Κουδουμά, Δρ. Εμμανουηλ Κυμάκη Οι ανάγκες για ενέργεια παγκοσμίως αυξάνονται συνεχώς και εκτιμάται

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή διατριβή

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή διατριβή ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ Πτυχιακή διατριβή ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΑΝΤΙΔΡΑΣΗΣ ΚΑΤΑΛΥΤΙΚΗΣ ΑΝΑΓΩΓΗΣ ΝΙΤΡΙΚΩΝ ΚΑΙ ΝΙΤΡΩΔΩΝ ΙΟΝΤΩΝ ΣΕ ΝΕΡΟ ΜΕ ΧΡΗΣΗ ΥΔΡΟΓΟΝΟΥ

Διαβάστε περισσότερα

ΕΠΙΣΤΗΜΗ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ Ενότητα:

ΕΠΙΣΤΗΜΗ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ Ενότητα: ΕΠΙΣΤΗΜΗ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ Ενότητα: ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ Επιμέλεια: ΧΑΡΑΛΑΜΠΟΣ ΔΡΙΒΑΣ Τμήμα: ΧΗΜΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΤΡΑΣ 1 η ΣΕΙΡΑ ΑΣΚΗΣΕΩΝ 1. Τι τάξη μεγέθους είναι οι ενδοατομικές αποστάσεις και ποιες υποδιαιρέσεις του

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΚΑΙ ΕΦΑΡΜΟΓΗ ΚΙΝΗΤΙΚΩΝ ΜΕΘΟΔΩΝ ΕΚΤΙΜΗΣΗΣ ΤΗΣ ΠΟΙΟΤΗΤΑΣ ΤΩΝ ΤΡΟΦΙΜΩΝ

ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΚΑΙ ΕΦΑΡΜΟΓΗ ΚΙΝΗΤΙΚΩΝ ΜΕΘΟΔΩΝ ΕΚΤΙΜΗΣΗΣ ΤΗΣ ΠΟΙΟΤΗΤΑΣ ΤΩΝ ΤΡΟΦΙΜΩΝ ΠΕΡΙΛΗΨΕΙΣ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗΣ ΔΙΑΤΡΙΒΗΣ της Χαρίκλειας Βαϊκούση, Γεωπόνου με τίτλο: ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΚΑΙ ΕΦΑΡΜΟΓΗ ΚΙΝΗΤΙΚΩΝ ΜΕΘΟΔΩΝ ΕΚΤΙΜΗΣΗΣ ΤΗΣ ΠΟΙΟΤΗΤΑΣ ΤΩΝ ΤΡΟΦΙΜΩΝ ΣΥΝΤΟΜΗ ΠΕΡΙΛΗΨΗ Αντικείμενο της μελέτης αποτέλεσε

Διαβάστε περισσότερα

Επιχάλκωση μεταλλικού αντικειμένου και συγκεκριμένα ενός μικρού ελάσματος αλουμινίου με τη μέθοδο της γαλβανοπλαστικής επιμετάλλωσης.

Επιχάλκωση μεταλλικού αντικειμένου και συγκεκριμένα ενός μικρού ελάσματος αλουμινίου με τη μέθοδο της γαλβανοπλαστικής επιμετάλλωσης. Σύντομη περιγραφή του πειράματος Επιχάλκωση μεταλλικού αντικειμένου και συγκεκριμένα ενός μικρού ελάσματος αλουμινίου με τη μέθοδο της γαλβανοπλαστικής επιμετάλλωσης. Διδακτικοί στόχοι του πειράματος Στο

Διαβάστε περισσότερα

Πηγή: ΑΠΟΛΥΜΑΝΣΗ ΤΟΥ ΠΟΣΙΜΟΥ ΝΕΡΟΥ : ΠΡΟΧΩΡΗΜΕΝΕΣ ΜΕΘΟΔΟΙ ΕΝΑΛΛΑΚΤΙΚΕΣ ΤΟΥ ΧΛΩΡΙΟΥ, ΘΕΟΔΩΡΑΤΟΥ ΑΓΓΕΛΙΚΗ, ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΑΙΓΑΙΟΥ, ΜΥΤΙΛΗΝΗ 2005

Πηγή: ΑΠΟΛΥΜΑΝΣΗ ΤΟΥ ΠΟΣΙΜΟΥ ΝΕΡΟΥ : ΠΡΟΧΩΡΗΜΕΝΕΣ ΜΕΘΟΔΟΙ ΕΝΑΛΛΑΚΤΙΚΕΣ ΤΟΥ ΧΛΩΡΙΟΥ, ΘΕΟΔΩΡΑΤΟΥ ΑΓΓΕΛΙΚΗ, ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΑΙΓΑΙΟΥ, ΜΥΤΙΛΗΝΗ 2005 Πηγή: ΑΠΟΛΥΜΑΝΣΗ ΤΟΥ ΠΟΣΙΜΟΥ ΝΕΡΟΥ : ΠΡΟΧΩΡΗΜΕΝΕΣ ΜΕΘΟΔΟΙ ΕΝΑΛΛΑΚΤΙΚΕΣ ΤΟΥ ΧΛΩΡΙΟΥ, ΘΕΟΔΩΡΑΤΟΥ ΑΓΓΕΛΙΚΗ, ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΑΙΓΑΙΟΥ, ΜΥΤΙΛΗΝΗ 2005 ΠΡΟΧΩΡΗΜΕΝΕΣ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΟΞΕΙΔΩΣΗΣ 1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ Οι προχωρημένες τεχνικές

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ ΦΑΣΜΑΤΟΜΕΤΡΙΑΣ ΜΑΖΑΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΥΤΙΚΗΣ ΧΗΜΕΙΑΣ ΙΙ

ΑΣΚΗΣΗ ΦΑΣΜΑΤΟΜΕΤΡΙΑΣ ΜΑΖΑΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΥΤΙΚΗΣ ΧΗΜΕΙΑΣ ΙΙ ΑΣΚΗΣΗ ΦΑΣΜΑΤΟΜΕΤΡΙΑΣ ΜΑΖΑΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΥΤΙΚΗΣ ΧΗΜΕΙΑΣ ΙΙ Τίτλος Εργαστηριακής Άσκησης: Προσδιορισμός Σχετικής Μοριακής Μάζας (Μ r ) Πρωτεΐνης με την Xρησιμοποίηση Φασματομετρίας Μάζας Ηλεκτροψεκασμού

Διαβάστε περισσότερα

ΔΙΔΑΚΤΕΑ ΥΛΗ ΣΤΟΧΟΙ ΔΡΑΣΤΗΡΙΟΤΗΤΕΣ

ΔΙΔΑΚΤΕΑ ΥΛΗ ΣΤΟΧΟΙ ΔΡΑΣΤΗΡΙΟΤΗΤΕΣ ΑΝΑΛΥΤΙΚΟ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΧΗΜΕΙΑΣ B ΤΑΞΗ ΛΥΚΕΙΟΥ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΓΡΑΦΕΙΑ ΕΠΙΘΕΩΡΗΤΩΝ ΜΕΣΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΛΕΥΚΩΣΙΑ ΣΧΟΛΙΚΗ ΧΡΟΝΙΑ 2007-2008 ΔΙΔΑΚΤΕΑ ΥΛΗ ΣΤΟΧΟΙ ΔΡΑΣΤΗΡΙΟΤΗΤΕΣ 1. Ταξινόμηση

Διαβάστε περισσότερα

Λιθογραφία ιαλύµατα ύγρανσης

Λιθογραφία ιαλύµατα ύγρανσης Λιθογραφία ιαλύµατα ύγρανσης Τα διαλύµατα ύγρανσης χρησιµοποιούνται σε µία εκτυπωτική µηχανή offset για να εµποδίζουν την προσκόλληση της µελάνης στα µη εµφανισµένα σηµεία της µεταφοράς. Ένα διάλυµα ύγρανσης

Διαβάστε περισσότερα

Αγωγιμότητα στα μέταλλα

Αγωγιμότητα στα μέταλλα Η κίνηση των ατόμων σε κρυσταλλικό στερεό Θερμοκρασία 0 Θερμοκρασία 0 Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων dpapageo@cc.uoi.gr http://pc164.materials.uoi.gr/dpapageo

Διαβάστε περισσότερα

ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑ ΤΡΟΦΙΜΩΝ

ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑ ΤΡΟΦΙΜΩΝ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑ ΤΡΟΦΙΜΩΝ Συμπύκνωση Τι είναι η συμπύκνωση Είναι η διαδικασία με την οποία απομακρύνουμε μέρος της υγρασίας του τροφίμου, αφήνοντας όμως αρκετή ώστε αυτό να παραμένει ρευστό (> 20-30%). Εφαρμόζεται

Διαβάστε περισσότερα

Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n

Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων dpapageo@cc.uoi.gr http://pc164.materials.uoi.gr/dpapageo Επαφή p n Ανάστροφη πόλωση Πολώνουμε

Διαβάστε περισσότερα

Πίνακας 1. Πίνακας προτεινόμενων πτυχιακών εργασιών για το χειμερινό εξάμηνο 2012-13. Αριθμός σπουδαστών

Πίνακας 1. Πίνακας προτεινόμενων πτυχιακών εργασιών για το χειμερινό εξάμηνο 2012-13. Αριθμός σπουδαστών Πίνακας. Πίνακας προτεινόμενων πτυχιακών εργασιών για το χειμερινό εξάμηνο 0-3 ΤΜΗΜΑ: ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ Α/Α Τίτλος θέματος Μέλος Ε.Π Σύντομη περιγραφή Διακόπτες δικτύων ισχύος 3 4 5 Μηχανικά χαρακτηριστικά

Διαβάστε περισσότερα

7.14 Προβλήματα για εξάσκηση

7.14 Προβλήματα για εξάσκηση 7.14 Προβλήματα για εξάσκηση 7.1 Το ορυκτό οξείδιο του αλουμινίου (Corundum, Al 2 O 3 ) έχει κρυσταλλική δομή η οποία μπορεί να περιγραφεί ως HCP πλέγμα ιόντων οξυγόνου με τα ιόντα αλουμινίου να καταλαμβάνουν

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή διατριβή

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή διατριβή ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ Πτυχιακή διατριβή ΚΙΝΗΤΙΚΗ ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΑΝΤΙΔΡΑΣΗΣ ΚΑΤΑΛΥΤΙΚΗΣ ΑΝΑΓΩΓΗΣ ΤΩΝ ΟΞΕΙΔΙΩΝ ΤΟΥ ΑΖΩΤΟΥ (NO X

Διαβάστε περισσότερα

ΜΟΡΦΟΠΟΙΗΣΗ ΜΕ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΚΟΝΙΟΜΕΤΑΛΛΟΥΡΓΙΑΣ

ΜΟΡΦΟΠΟΙΗΣΗ ΜΕ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΚΟΝΙΟΜΕΤΑΛΛΟΥΡΓΙΑΣ ΜΟΡΦΟΠΟΙΗΣΗ ΜΕ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΚΟΝΙΟΜΕΤΑΛΛΟΥΡΓΙΑΣ Η πρώτη ύλη με τη μορφή σωματιδίων (κόνεως) μορφοποιείται μέσα σε καλούπια, με μηχανισμό που οδηγεί σε δομική διασύνδεση των σωματιδίων με πρόσδοση θερμότητας.

Διαβάστε περισσότερα

τα Λεπτά Υμένια στις Νανοδομές και στις Νανο- & Mεγάλης κλίμακας κατασκευές.

τα Λεπτά Υμένια στις Νανοδομές και στις Νανο- & Mεγάλης κλίμακας κατασκευές. Από τα Λεπτά Υμένια στις Νανοδομές και στις Νανο- & Mεγάλης κλίμακας κατασκευές. Η εξέλιξη της επιστημονικής έρευνας, πέρα της ικανοποίησης της έμφυτης ανάγκης του ανθρώπου για γνώση, είχε και ως παράλληλο

Διαβάστε περισσότερα

Ανόργανη Χημεία. Τμήμα Τεχνολογίας Τροφίμων. Ενότητα 4 η : Ιοντικοί Δεσμοί Χημεία Κύριων Ομάδων. Δρ. Δημήτρης Π. Μακρής Αναπληρωτής Καθηγητής

Ανόργανη Χημεία. Τμήμα Τεχνολογίας Τροφίμων. Ενότητα 4 η : Ιοντικοί Δεσμοί Χημεία Κύριων Ομάδων. Δρ. Δημήτρης Π. Μακρής Αναπληρωτής Καθηγητής Τμήμα Τεχνολογίας Τροφίμων Ανόργανη Χημεία Ενότητα 4 η : Ιοντικοί Δεσμοί Χημεία Κύριων Ομάδων Οκτώβριος 2018 Δρ. Δημήτρης Π. Μακρής Αναπληρωτής Καθηγητής Δόμηση Ηλεκτρονίων στα Ιόντα 2 Για τα στοιχεία

Διαβάστε περισσότερα

ΣΥΝΤΗΡΗΣΗ ΕΘΝΟΓΡΑΦΙΚΩΝ ΚΑΙ ΛΑΟΓΡΑΦΙΚΩΝ ΣΥΛΛΟΓΩΝ ΜΕΤΑΛΛΟ. Μέταλλα

ΣΥΝΤΗΡΗΣΗ ΕΘΝΟΓΡΑΦΙΚΩΝ ΚΑΙ ΛΑΟΓΡΑΦΙΚΩΝ ΣΥΛΛΟΓΩΝ ΜΕΤΑΛΛΟ. Μέταλλα ΣΥΝΤΗΡΗΣΗ ΕΘΝΟΓΡΑΦΙΚΩΝ ΚΑΙ ΛΑΟΓΡΑΦΙΚΩΝ ΣΥΛΛΟΓΩΝ ΜΕΤΑΛΛΟ Μέταλλα Τα μέταλλα αποτελούν μία από τις τρεις βασικές κατηγορίες διαχωρισμού των στοιχείων του περιοδικού συστήματος. Οι δύο άλλες κατηγορίες είναι

Διαβάστε περισσότερα

Αγωγιμότητα στα μέταλλα

Αγωγιμότητα στα μέταλλα Η κίνηση των ατόμων σε κρυσταλλικό στερεό Θερμοκρασία 0 Θερμοκρασία 0 Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων dpapageo@cc.uoi.gr http://pc164.materials.uoi.gr/dpapageo

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 8: ΜΕΤΡΗΣΗ ΑΤΜΟΣΦΑΙΡΙΚΩΝ ΣΥΣΤΑΤΙΚΩΝ ΚΑΘ ΥΨΟΣ (ΟΖΟΝΤΟΒΟΛΙΣΗ)

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 8: ΜΕΤΡΗΣΗ ΑΤΜΟΣΦΑΙΡΙΚΩΝ ΣΥΣΤΑΤΙΚΩΝ ΚΑΘ ΥΨΟΣ (ΟΖΟΝΤΟΒΟΛΙΣΗ) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 8: ΜΕΤΡΗΣΗ ΑΤΜΟΣΦΑΙΡΙΚΩΝ ΣΥΣΤΑΤΙΚΩΝ ΚΑΘ ΥΨΟΣ (ΟΖΟΝΤΟΒΟΛΙΣΗ) 8.1 Γενικά Η γνώση της κατακόρυφης κατανομής της συγκέντρωσης του ατμοσφαιρικού όζοντος είναι ιδιαίτερα σημαντική για την κατανόηση

Διαβάστε περισσότερα

ΣΚΟΠΟΣ ΤΟΥ ΠΕΙΡΑΜΑΤΟΣ: Μελέτη του φωτοηλεκτρικού φαινομένου, προσδιορισμός της σταθεράς του Planck, λειτουργία και χαρακτηριστικά φωτολυχνίας

ΣΚΟΠΟΣ ΤΟΥ ΠΕΙΡΑΜΑΤΟΣ: Μελέτη του φωτοηλεκτρικού φαινομένου, προσδιορισμός της σταθεράς του Planck, λειτουργία και χαρακτηριστικά φωτολυχνίας ΠΕΙΡΑΜΑ 6: ΦΩΤΟΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΦΑΙΝΟΜΕΝΟ ΣΚΟΠΟΣ ΤΟΥ ΠΕΙΡΑΜΑΤΟΣ: Μελέτη του φωτοηλεκτρικού φαινομένου, προσδιορισμός της σταθεράς του Planck, λειτουργία και χαρακτηριστικά φωτολυχνίας ΕΞΟΠΛΙΣΜΟΣ: Φωτολυχνία,

Διαβάστε περισσότερα

Πλασμονικές Οργανικές Δίοδοι Εκπομπής Φωτός Υψηλής Απόδοσης

Πλασμονικές Οργανικές Δίοδοι Εκπομπής Φωτός Υψηλής Απόδοσης Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. Πλασμονικές Οργανικές Δίοδοι Εκπομπής Φωτός Υψηλής Απόδοσης Πτυχιακή Εργασία Φοιτήτρια: Μακρή Δέσποινα ΑΜ: 43059

Διαβάστε περισσότερα