Μελέτη της διάλυσης πολυμερικών υλικών

Transcript

1 Δημήτριος Βελεσιώτης Πτυχιούχος του τμήματος Φυσικής της σχολής Θετικών Επιστημών του Πανεπιστημίου Πατρών Διατμηματικό μεταπτυχιακό πρόγραμμα στη Μικροηλεκτρονική Διπλωματική Εργασία Μελέτη της διάλυσης πολυμερικών υλικών ΑΘΗΝΑ 000

2 Περιεχόμενα Περιεχόμενα Ευχαριστίες i ii Εισαγωγή Κεφάλαιο : Γενικά περί εμφάνισης. Η διαμόρφωση σχήματος στις ρητίνες. Κινητική εωρία της εμφάνισης 5. Παρατηρούμενα φαινόμενα και γενικές συνταγές 5. Αναλυτική περιγραφή. Το DRM 7. Περιγραφή Αρχή λειτουργίας 7. Χρησιμότητα 9. Γενικοί μηχανισμοί εμφάνισης Κεφάλαιο : Θεωρητικός υπολογισμός του σήματος του DRM. Εισαγωγή. Η εμφάνιση ρητίνης που δεν παρουσιάζει swellig. Η εμφάνιση ρητίνης που παρουσιάζει swellig 6 Κεφάλαιο : Προσαρμογή της εωρητικής μελέτης στα πειραματικά δεδομένα 0. Εισαγωγή 0. Αξιολόγηση DRM Ινστιτούτου Μικροηλεκτρονικής Μελέτη της διάλυσης της ρητίνης ΑΖ5 0. Μελέτη της διάλυσης της ρητίνης MMA. Μελέτη της διάλυσης της ρητίνης HMA 5. Συμπεράσματα 50 Επίλογος 5 Παράρτημα Α Π- Παράρτημα Β Π-6 Αναφορές Π-5 Συντομογραφίες Π-7 i

3 Ευχαριστίες Είναι γεγονός ότι οποιαδήποτε εργασία είναι δύσκολο να διεκπεραιωεί από ένα μόνο άνρωπο. Έτσι, α ήελα να ευχαριστήσω όσους με άμεσο ή έμμεσο τρόπο με βοήησαν για την ολοκλήρωση αυτής της διπλωματικής: Πρώτα, α ήελα να ευχαριστήσω τον επιβλέποντα της διπλωματικής μου Δρ. Ι.Ράπτη, μεταδιδακτορικό συνεργάτη στο Ινστιτούτο Μικροηλεκτρονικής του Ε.Κ.Ε.Φ.Ε Δημόκριτος για την εμπνευσμένη του καοδήγηση, την αδιάκοπη βοήειά του και τις ουσιαστικές του διορώσεις στο κείμενο της διπλωματικής. Θα ήελα να ευχαριστήσω επίσης, τη Δρ. Μ.Σανοπούλου ερευνήτρια στο Ινστιτούτο Φυσικοχημείας του Ε.Κ.Ε.Φ.Ε Δημόκριτος και το Δρ. Δ.Σταμάτιαλη, μεταδιδακτορικό συνεργάτη στο ίδιο Ινστιτούτο, για τις διαφωτιστικές συζητήσεις και υποδείξεις στην περίπτωση των ρητινών που παρουσιάζουν διόγκωση. Ευχαριστώ τον ερευνητή του Ινστιτούτου Μικροηλεκτρονικής του Ε.Κ.Ε.Φ.Ε Δημόκριτος κ. Ν.Γλέζο για την ατελείωτη υπομονή του και την πίστωση χρόνου που μου έδωσε εις βάρος άλλων εργασιών για να τελειώσω όσο το δυνατόν πιο γρήγορα αυτή την εργασία. Ευχαριστώ τον ερευνητή του Ινστιτούτου Μικροηλεκτρονικής του Ε.Κ.Ε.Φ.Ε Δημόκριτος κ. Π.Αργείτη για τη χρήσιμη συζήτηση περί των φαινομένων της διάλυσης και επί των συμπερασμάτων της παρούσας εργασίας. Ευχαριστώ, το συνάδερφο υποψήφιο διδάκτορα, υπότροφο του Ινστιτούτου Μικροηλεκτρονικής του Ε.Κ.Ε.Φ.Ε Δημόκριτος και πολύ καλό φίλο κ. Κ.Κοτσοβό για την παραχώρηση του υπολογιστή του και τη συνακόλουη επιβράδυνση της δικής του εργασίας. Επίσης, τον ευχαριστώ για την βοήειά του στην εύρεση των οπτικών ιδιοτήτων του πυριτίου. Ευχαριστώ, επίσης τους πολύ καλούς φίλους μου κ. κ. Σ.Πολυμενάκο, υποψήφιο διδάκτορα του τμήματος Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών του Ε.Μ.Π., Ε.Βασιλάκη, υποψήφια διδάκτορα του τμήματος Γνωστικών Επιστημών (Cogitive Sciece) στο Πανεπιστήμιο του Susse, Σ.Κολιοπούλου, Ε.Κολιοπούλου και Δ.Σκαρλάτο για την ηική υποστήριξη που προσέφεραν απλόχερα όλους αυτούς τους μήνες που ασχολήηκα με αυτή την εργασία. Τέλος, α ήελα να ευχαριστήσω το Τ.Ε.Ι Αήνας για τη χρηματοδότηση αυτής της ερευνητικής εργασίας. ii

4 Μελέτη της διάλυσης πολυμερικών υλικών ΕΙΣΑΓΩΓΗ Εισαγωγή Όταν στις αρχές της δεκαετίας του 60, ο Moore διετύπωνε τον ομώνυμο νόμο οι περισσότεροι σύγχρονοί του μετά βίας α συγκρατούσαν τα γέλια τους. Ίσως γιατί στη δεκαετία του 60 φάνταζε υπερβολική μια ανάπτυξη της κατασκευής ολοκληρωμένων με τέτοιο τρόπο, ώστε 'το πλήος των τρανσίστορ που α περιέχονται σε ένα ολοκληρωμένο κύκλωμα α διπλασιάζεται κάε χρόνο'. Οι εξελίξεις όμως δικαίωσαν τον Moore και έτσι εκείνο που τότε φαινόταν μια υπεραισιόδοξη πρόβλεψη, σήμερα αποτελεί για τη Μικροηλεκτρονική μια πραγματικότητα, αλλά και παράλληλα μια αναγκαιότητα. Ο διπλασιασμός της πυκνότητας ολοκλήρωσης κάε με 8 μήνες οδηγεί λοιπόν τη Μικροηλεκτρονική σε όλο και μικρότερες δομές και σε όλο και πιο πυκνούς γεωμετρικούς σχεδιασμούς (layout). Για να κατασκευαστούν όμως τέτοια κυκλώματα απαιτείται μια συνεχής εξέλιξη και τελειοποίηση των τεχνικών κατασκευής, έτσι ώστε αυτές να αντεπεξέρουν στις αυξημένες απαιτήσεις των ολοένα και μικρότερων διαστάσεων. Σε αυτά τα πλαίσια, σημαντική έρευνα διεξάγεται διενώς στον τομέα της λιογραφίας που αποτελεί μια από τις σημαντικότερες διεργασίες της Μικροηλεκτρονικής, επειδή σε αυτό το βήμα καορίζονται οι διαστάσεις των δομικών στοιχείων των κυκλωμάτων π. χ. το μήκος του καναλιού των τρανζίστορ. Η λιογραφία είναι μια σύνετη διαδικασία. Στην απλούστερη μορφή της αποτελείται από στάδια: την επίστρωση της ρητίνης (resist), το ψήσιμο μετά την επίστρωση (ost Applied Bake AB), την έκεση της ρητίνης (eposure) και την εμφάνιση (developmet). Είναι προφανές ότι η βελτίωση της γενικότερης διεργασίας (λιογραφίας) προέρχεται από τη βελτιστοποίηση των παραμέτρων που αφορούν όλα τα επιμέρους στάδια της. Τα στάδια της λιογραφικής διεργασίας δεν είναι ανεξάρτητα μεταξύ τους, αλλά η μεταβολή μιας παραμέτρου ενός σταδίου μπορεί να αλλάζει εντελώς τα δεδομένα για το επόμενο. Αν και σημαντική έρευνα πάνω στη διεργασία της εμφάνισης χρονολογείται ήδη από τη δεκαετία του 70, η σμίκρινση (miiaturisatio) των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων (Itegrated Circuits - ICs) και η συνακόλουη χρησιμοποίηση ολοένα και μικρότερων μηκών κύματος καιστά αναγκαία την εισαγωγή νέων επαναστατικών πολυμερικών υλικών, τα οποία α παίξουν το ρόλο των ρητινών. Για το λόγο αυτό, α πρέπει να γίνει εκτεταμένη μελέτη τόσο ως προς τις ιδιότητες αυτών

5 Μελέτη της διάλυσης πολυμερικών υλικών ΕΙΣΑΓΩΓΗ των νέων υλικών, όσο και ως προς την ίδια τη διεργασία. Στην παρούσα διπλωματική εργασία εξετάζεται ακριβώς αυτή η διεργασία, δηλαδή η εμφάνιση των ρητινών.

6 Μελέτη της διάλυσης πολυμερικών υλικών ΚΕΦΑΛΑΙΟ : Γενικά περί εμφανισης ΚΕΦΑΛΑΙΟ : Γενικά περί εμφάνισης. Η διαμόρφωση σχήματος στις ρητίνες Ας ξεκινήσουμε με μια γενική περιγραφή της διαδικασίας που ακολουείται για την αποτύπωση του επιυμητού γεωμετρικού σχεδιασμού (patterig) (Σχήμα ). Σχήμα : Βήματα αποτύπωσης σχήματος με οπτική λιογραφία Πρώτο στάδιο στην αποτύπωση σχήματος είναι το στάδιο της λιογραφίας. Αρχικά, το δισκίδιο (wafer) του πυριτίου που χρησιμοποιείται για την κατασκευή του ολοκληρωμένου κυκλώματος (IC) επιστρώνεται με ένα υλικό ευαίσητο στην ακτινοβολία, το οποίο ονομάζεται ρητίνη (resist). Στη συνέχεια ακολουεί ένα βήμα έρμανσης (AB) που έχει ως σκοπό την πλήρη απομάκρυνση του διαλύτη που χρησιμοποιήηκε για την ομοιόμορφη επίστρωση της ρητίνης και την καλύτερη ομογενοποίηση του υμενίου της ρητίνης. Το επόμενο βήμα είναι η έκεση της ρητίνης. Αυτή μπορεί να γίνει είτε με υπεριώδες φως (φωτολιογραφία UV or DUV

7 Μελέτη της διάλυσης πολυμερικών υλικών ΚΕΦΑΛΑΙΟ : Γενικά περί εμφανισης lithography), ή με ηλεκτρόνια (λιογραφία ηλεκτρονικής δέσμης - e-beam lithography), ή με άλλους τρόπους (λιογραφία ακτίνων Χ X-ray lithography και λιογραφία δέσμης ιόντων io beam lithography). Η προσπίπτουσα ακτινοβολία προκαλεί χημικές αλλαγές στο υμένιο της ρητίνης (π.χ. διάσπαση των πολυμερικών αλυσίδων) στις περιοχές που προσπίπτει, έτσι ώστε να καταστεί δυνατή η αφαίρεση των αντίστοιχων περιοχών ρητίνης κατά τη διαδικασία του τελευταίου βήματος (εμφάνιση). Μετά την έκεση είναι δυνατόν να ακολουεί ένα ακόμη βήμα έρμανσης (B), κατά τη διάρκεια του οποίου ολοκληρώνονται οι χημικές αλλαγές στη ρητίνη. Το βήμα αυτό χρειάζεται στις ρητίνες χημικής ενίσχυσης (Chemically Amplified Resist - CAR), όπου κατά την έκεση παράγεται οξύ στις εκτεειμένες περιοχές, το οποίο καταλύει κατάλληλες χημικές αντιδράσεις κατά τη διάρκεια της έρμανσης (B). Το τελευταίο στάδιο της λιογραφίας είναι η εμφάνιση (developmet) της ρητίνης. Η εμφάνιση, στη συνηέστερη μορφή της, συνίσταται στη βύιση του δισκίου και συνεπώς της ρητίνης σε κατάλληλο διαλύτη που ονομάζεται εμφανιστής (developer). Αποτέλεσμα της εμφάνισης είναι η δημιουργία του επιυμητού γεωμετρικού σχεδιασμού στη ρητίνη. Η συγκεκριμένη διαδικασία αποτελεί και το κεντρικό έμα αυτής της εργασίας και α αναπτυχεί αναλυτικότερα στην επόμενη παράγραφο. Είναι φανερό ότι κατά τη λιογραφία καορίζονται οι διαστάσεις των στοιχείων του κυκλώματος, όπως για παράδειγμα, το μήκος καναλιού των τρανζίστορ που αποτελούν το κύκλωμα. Για το λόγο αυτό και εωρείται μια από τις πιο σημαντικές διαδικασίες για την επιτυχία του κυκλώματος. Είναι χαρακτηριστικό ότι περίπου το 0% του κόστους ενός ολοκληρωμένου κυκλώματος (Itegrated Circuit - IC) τελευταίας γενιάς οφείλεται στη λιογραφία, λόγω των πολύ μικρών διαστάσεων και της μεγάλης ακρίβειας που απαιτείται. Τελευταία διεργασία στην αποτύπωση σχήματος είναι η εγχάραξη (etchig), όπου το ζητούμενο προφίλ περνά πλέον στο δισκίδιο χρησιμοποιώντας τα μέρη της ρητίνης που δεν απομακρύνηκαν κατά τη διάρκεια της εμφάνισης σαν προστατευτικό στρώμα. Όπως είναι φανερό, η ικανοποιητική αποτύπωση του τελικού σχήματος είναι άμεσα εξαρτώμενη από το προφίλ που αποτυπώηκε στη ρητίνη μετά τη διεργασία της λιογραφίας.

8 Μελέτη της διάλυσης πολυμερικών υλικών ΚΕΦΑΛΑΙΟ : Γενικά περί εμφανισης. Κινητική εωρία της εμφάνισης. Παρατηρούμενα φαινόμενα και γενικές συνταγές Όπως προαναφέρηκε, η διαδικασία της έκεσης (eposure) προκαλεί χημικές αλλαγές στα πολυμερή, όπως τυχαία διάσπαση (radom scissio) ή δημιουργία σταυροδεσμών (cross-likig), καώς και αναδιατάξεις των μικρών μορίων που βρίσκονται ανάμεσα στα πολυμερή. Πολλές φορές, οι αλλαγές αυτές δεν είναι απλές και μπορεί να περιλαμβάνουν, εκτός των άλλων, τη γένεση ενός καταλύτη που α ενισχύσει την περαιτέρω μετεξέλιξη του συστήματος (περίπτωση ρητινών χημικής ενίσχυσης Chemically Amplified Resists CARS). Τα προϊόντα των χημικών αντιδράσεων διαχωρίζονται από τα μη εκτεειμένα αντιδρώντα από έναν εμφανιστή (developer) ή μια διαδικασία εμφάνισης, κατά την οποία γίνεται εμφανής η διαφοροποίηση στη χημική σύσταση που προήλε κατά την έκεση και συνακόλουα η διαφορά των ιδιοτήτων της εκτεειμένης ρητίνης (eposed resist), δηλαδή της ρητίνης που ακτινοβολήηκε κατά την έκεση, προς τις ιδιότητες της ρητίνης στην οποία δεν έχει προσπέσει ακτινοβολία (ueposed resist). Με τον τρόπο αυτό, στο υμένιο της ρητίνης αποτυπώνεται το επιυμητό σχήμα. Τα παραπάνω μπορεί να επιτευχούν αλλάζοντας την τιμή διαφόρων ιδιοτήτων των πολυμερών (Πίνακας ). Με τον τρόπο αυτό μπορούμε να παράγουμε οποιαδήποτε επιυμητή δομή. Για τα πολυμερή που χρησιμοποιούνται στη μικροηλεκτρονική και μιλώντας για υγρή εμφάνιση, η διαφοροποίηση στο ρυμό διαλυτοποίησης (ετικές ρητίνες) και αδιαλυτοποίησης (αρνητικές ρητίνες) είναι ο κύριος μηχανισμός για το σχηματισμό τρισδιάστατων δομών. Στις ρητίνες ετικού τόνου (positive resists), η κινητική της διάλυσης του πολυμερούς καορίζει την ταχύτητα και την αντίεση (cotrast) της ρητίνης, ενώ οι συμβατικές ρητίνες αρνητικού τόνου (egative resists) βασίζονται στη μηχανική αντοχή μιας περιοχής, όπου το πολυμερές έχει μεγάλο πλήος σταυροδεσμών ή μιας αδιάλυτης (ή μη πτητικής) περιοχής, η οποία δημιουργήηκε κατά την έκεση της ρητίνης. 5

9 Μελέτη της διάλυσης πολυμερικών υλικών ΚΕΦΑΛΑΙΟ : Γενικά περί εμφανισης Πίνακας : Ιδιότητες που χρησιμοποιούνται για τη διαφοροποίηση εικόνας στα πολυμερικά υλικά Ο σκοπός του βήματος της εμφάνισης είναι να αφαιρεεί η περιοχή εκείνη της ρητίνης που έχει εκτεεί (για ετικού τόνου ρητίνες) ή δεν έχει εκτεεί (για αρνητικές ρητίνες) με ένα γρηγορότερο ρυμό R από το ρυμό διάλυσης R 0 των περιοχών που δεν έχουν εκτεεί (ετικές ρητίνες) ή των περιοχών που έχουν εκτεεί (αρνητικές). Αυτό α πρέπει να γίνει όμως όχι τυχαία, αλλά με έναν αναπαραγώγιμο τρόπο. Η κατατομή της ρητίνης (resist profile) που χρειάζεται, εξαρτάται από τη διαδικασία που ακολουεί (εγχάραξη, εναπόεση, εμφύτευση κλπ), π.χ. όταν ακολουεί εγχάραξη με τη χρήση πλάσματος (Reactive Io tchig RI), α πρέπει η κατάτομή της ρητίνης να είναι κάετη (Πίνακας, περίπτωση ), ενώ όταν ακολουεί εναπόεση με τη μέοδο lift-off α πρέπει η κατατομή να έχει τοιχώματα με γωνία (Πίνακας, περίπτωση ). Για τη δημιουργία της επιυμητής κατατομής α πρέπει να επιλεχούν κατάλληλοι συνδυασμοί δόσεων έκεσης (eposure dose) και συνηκών εμφάνισης. Στο overcut profile, το σχήμα καορίζεται κυρίως από τη δόση και τις ανακλάσεις ή οπισοσκεδάσεις που α υποστεί η δέσμη έκεσης (υπεριώδες φως ή ηλεκτρόνια), ενώ στο udercut profile, ο εμφανιστής είναι αυτός που καορίζει την εικόνα της 6

10 Μελέτη της διάλυσης πολυμερικών υλικών ΚΕΦΑΛΑΙΟ : Γενικά περί εμφανισης ρητίνης, καώς απομακρύνει και ένα μέρος του ανέκετου υμενίου. Είναι φανερό ότι απομονωμένες δομές είναι ευκολότερο να αναπαραχούν από γειτονικές δομές. Στο σχήμα φαίνεται η απώλεια κααρότητας σε μια δομή με διάκενο μm, σε σχέση με την απομονωμένη γραμμή της ίδιας διάστασης. Πράγματι σε γειτονικές δομές, ανάλογα με το γεωμετρικό σχεδιασμό της δομής και την ακτινοβολία που δέχεται η ρητίνη, μπορεί να λάβει ενέργεια από το τμήμα της δέσμης έκεσης που προοριζόταν για το γειτονικό σχήμα και έτσι να παρατηρηεί μια αλλοίωση της τελικής μορφής. Το συγκεκριμένο φαινόμενο ονομάζεται φαινόμενο γειτνίασης (iterproimity effect) και σε οποιαδήποτε εφαρμογή α πρέπει να γίνεται κάε δυνατή προσπάεια, ώστε να περιορίζεται η έκτασή του. Πίνακας : Επιυμητές κατατομές ρητινών στην κατασκευή ημιαγωγικών διατάξεων Για ετικές ρητίνες, ο λόγος του ρυμού διάλυσης των περιοχών που έχουν ακτινοβοληεί R προς αυτόν των περιοχών που δεν έχουν ακτινοβοληεί R 0 είναι μια σημαντική μονοδιάστατη παράμετρος για την εκτίμηση της απαιτούμενης δόσης για την έκεση μιας ρητίνης. Πράγματι, ανάλογα με την τιμή του παραπάνω λόγου μπορούμε να έχουμε άμβλυνση των ελαττωμάτων που υπεισέρχονται κατά την έκεση, στη διάρκεια της εμφάνισης. Το βασικό πρόβλημα της έκεσης είναι ότι η ενεργειακή εναπόεση είναι μια συνεχής συνάρτηση της έσης. Έτσι, στα όρια των δομών δεν έχουμε ασυνέχεια στην ενεργειακή εναπόεση, αλλά μόνο μια εκετική μείωση αυτής. Αν λοιπόν, η 7

11 Μελέτη της διάλυσης πολυμερικών υλικών ΚΕΦΑΛΑΙΟ : Γενικά περί εμφανισης χρησιμοποιούμενη ρητίνη παρουσιάζει μικρή τιμή του λόγου R/R 0, η παραπάνω εκετική μείωση α γίνεται εμφανής στην τελική κατατομή της ρητίνης, αφού η διαφοροποίηση μεταξύ των δυο ρυμών εμφάνισης δεν είναι αρκετή για να καλύψει τα ελαττώματα της έκεσης. Αντίετα, για ρητίνες που ο λόγος R/R 0 είναι μεγάλος, η ασυνέχεια στη δομή δημιουργείται τεχνητά από το γεγονός ότι η μύτη της ενεργειακής κατανομή που αντιστοιχεί στην ενέργεια που τελικά εναποτίεται στα όρια των ανέκετων περιοχών δεν επαρκεί, ώστε να αλλάξει αισητά ο ρυμός διάλυσης, ο οποίος όμως είναι αισητά κατώτερος του ρυμού διάλυσης της εκτεειμένης περιοχής. Σχήμα : Σύγκριση της διακριτικής ικανότητας μεταξύ απομονωμένων και σύνετων γεωμετρικών σχεδιασμών Ο έλεγχος της διεργασίας για απομονωμένα σχήματα είναι ευκολότερος απ ότι για πυκνό γεωμετρικό σχεδιασμό, αφού μπορεί να γίνει αντιστάμιση του φαινομένου της μεγέυνσης της γραμμής κανονίζοντας η ενεργειακή εναπόεση να έχει μικρότερο πλάτος (egative widage). Αν ένα απομονωμένο διάστημα μεγευνεί ηελημένα στη μάσκα (positive widage) η τελική δομή μπορεί να γίνει λιγότερο ευαίσητη σε διαταραχές της εμφάνισης []. Γενικά, οι ετικές ρητίνες παρουσιάζουν στενά όρια διεργασίας (process latitude), οπότε οι παράμετροι της εμφάνισης α πρέπει να ελέγχονται με μεγάλη ακρίβεια (Σχήμα ). Αντίετα, οι αρνητικές ρητίνες εμφανίζονται πιο ανεκτικές στο χρόνο εμφάνισης και έτσι έχουν μεγαλύτερα περιώρια διεργασίας []. 8

12 Μελέτη της διάλυσης πολυμερικών υλικών ΚΕΦΑΛΑΙΟ : Γενικά περί εμφανισης Σχήμα : Το εύρος διεργασίας (process lattitude) για ετικές (Α) και αρνητικές (Β) ρητίνες. Οι ετικές ρητίνες χρειάζονται αυστηρό έλεγχο και προσεκτικό σχεδιασμό αντίετα με τις αρνητικές ρητίνες που μπορούν να υπερ-εμφανιστούν. Από το σχήμα είναι προφανές ότι ο έλεγχος των διαστάσεων του γεωμετρικού σχεδιασμού στις ετικές ρητίνες εξαρτάται από το συνδυασμό των παραμέτρων έκεσης και του χρόνου εμφάνισης. Αν εξετάσουμε την εμφάνιση μιας εκτεειμένης περιοχής στα διάφορα στάδια της εμφάνισής της (Σχήμα ), η ετική ρητίνη αποκαλύπτει την «ανεπαρκή» έκεση (udereposure), η οποία βρίσκεται να είναι εξαρτημένη από το βάος (στάδιο α). Με άλλα λόγια, αν η ρητίνη δεν εκτεεί ικανοποιητικά, δηλαδή δεν εναποτεεί αρκετή ενέργεια σε αυτή, τότε δεν α εμφανιστεί πλήρως και τα τοιχώματα δε α είναι κάετα. Αντίετα, στις αρνητικές ρητίνες της οπτικής λιογραφίας δεν παρουσιάζεται ανάλογο φαινόμενο, αφού αν δεν εκτεούν επαρκώς, η ακτινοβολία δεν καταφέρνει να αδιαλυτοποιήσει τη ρητίνη (Σχήμα 5). Έτσι, για να έχουμε καλύτερη ποιότητα στις διεπιφάνειες (iterface), οι αρνητικές ρητίνες πρέπει να υπερεκτεούν (overeposure). Η συγκεκριμένη τακτική δεν ακολουείται στην έκεση με ηλεκτρονική δέσμη. Σε αυτή, οι αρνητικές ρητίνες δέχονται και την επίδραση των οπισοσκεδαζόμενων ηλεκτρονίων (backscattered electros), οπότε δεν είναι ανάγκη να υπερεκτεούν. 9

13 Μελέτη της διάλυσης πολυμερικών υλικών ΚΕΦΑΛΑΙΟ : Γενικά περί εμφανισης Σχήμα : Στάδια εμφάνισης μιας ετικής ρητίνης: (Α) Υποεμφαμνισμένη ή υποεκτεειμένη ρητίνη (Β) Κανονικά εμφανισμένη ρητίνη (C) Ελαφρώς υπερεμφανισμένη ρητίνη (D) Υπερεμφανισμένη ρητίνη Η ενεργειακή εναπόεση που οφείλεται στα οπισοσκεδαζόμενα ηλεκτρόνια επιδρά καταλυτικά στις τελικές διαστάσεις του γεωμετρικού σχεδιασμού που αποτυπώνεται στο υμένιο της ρητίνης, προκαλώντας διάκενα (ετικές ρητίνες) ή γραμμές με μεγαλύτερες διαστάσεις (αρνητικές ρητίνες). Στην περίπτωση των αρνητικών ρητινών το φαινόμενο γειτνίασης (itrerproimity effect) μπορεί να προκαλέσει ένωση γειτονικών γραμμών ή να απομείνουν υπολλείματα ρητίνης σε μη εκτεειμένες περιοχές ( scummig - Σχήμα 6). 0

14 Μελέτη της διάλυσης πολυμερικών υλικών ΚΕΦΑΛΑΙΟ : Γενικά περί εμφανισης Σχήμα 5: Καμπύλη αντίεσης για τη ρητίνη KTFR (αρνητική ρητίνη) Σχήμα 6: Υπολείμματα ρητίνης σε πρωτογενώς ανέκετες περιοχές (scummig) Μια άλλη ενδιαφέρουσα περίπτωση στην οπτική λιογραφία είναι αυτή της εμφάνισης αρνητικών ρητινών με μηχανισμό σταυροδεμών (cross-liked egative resists). Παρ όλο που είναι αναμενόμενο η διαδικασία εμφάνισης να είναι ανεξάρτητη του χρόνου εμφάνισης και άρα η σκεδαζόμενη ακτινοβολία να μην παίζει κανένα ρόλο, κάτι τέτοιο τελικά δε συμβαίνει (Σχήμα 7), αφού ο εμφανιστής συναντά ένα ελαφρώς εκτεειμένο, αλλά φουσκωμένο εξωτερικό περίβλημα, το οποίο

15 Μελέτη της διάλυσης πολυμερικών υλικών ΚΕΦΑΛΑΙΟ : Γενικά περί εμφανισης ανίσταται στην αφαίρεση της ευδιάλυτης φάσης (sol phase). Μόνο με τύπους ρητίνης που δε βασίζονται στους σταυροδεσμούς ως μηχανισμό αδιαλυτοποίησης ή με πηγές μη οπισοσκεδαζόμενης έκεσης (π.χ. έκεση ακτίνων Χ ή έκεση δέσμης ιόντων X-ray or io beam lithography) μπορούν να επιτευχούν κάετα προφίλ σε αρνητικές ρητίνες. Σχήμα 7: Επίδραση της δόσης έκεσης στο ρυμό εμφάνισης και στην αντίεση γ (cotrast) μιας ετικής ρητίνης. Αναλυτική περιγραφή Θα εξετάσουμε τώρα με πιο μαηματικό τρόπο την εμφάνιση των ρητινών. Γενικά ο χρόνος εμφάνισης είναι συνάρτηση της δόσης. Έτσι, ο ρυμός εμφάνισης δίνεται από τη σχέση: R akit R 0 e (..) όπου Ι είναι η ένταση της δέσμης (itesity of eposure), α είναι ο συντελεστής απορρόφησης (eergy absorptio coefficiet) της ρητίνης που εξαρτάται από το μήκος κύματος της ακτινοβολίας και t είναι ο χρόνος έκεσης (eposure time). Είναι σαφές ότι αφού η ένταση της δέσμης έχει σταερή τιμή, ο χρόνος έκεσης α καορίζει τη δόση. Στην περίπτωση που η έκεση έχει γίνει με ηλεκτρονική δέσμη η δόση δίνεται από την απλή σχέση: D I t (..) Οι ρυμοί εμφάνισης των ρητινών εξαρτώνται επίσης από τις συνήκες AB, τη συγκέντρωση και τον τύπο του εμφανιστή και τη ερμοκρασία του εμφανιστή

16 Μελέτη της διάλυσης πολυμερικών υλικών ΚΕΦΑΛΑΙΟ : Γενικά περί εμφανισης [],[],[],[5]. Είναι φανερό ότι η σχέση (..) ισχύει για αρνητικού τόνου ρητίνη (egative resist), αφού αύξηση της δόσης οδηγεί σε μείωση του ρυμού εμφάνισης, δηλαδή η ρητίνη γίνεται αδιάλυτη. Αν η ρητίνη είναι γραμμική ως προς την εμφάνιση, δηλαδή το πάχος της ρητίνης μειώνεται γραμμικά όσο αυξάνεται ο χρόνος εμφάνισης (Σχήμα 8), ο ρυμός εμφάνισης της ρητίνης μπορεί να γραφεί ως μια k δύναμη της δόσης, δηλαδή: R a D (..) με α τα moles των διαλυομένων ουσιών [6],[7] και το k αδιάστατη σταερά που εξαρτάται από τη ερμοκρασία. Σχήμα 8: Εναπομένον πάχος συναρτήσει του χρόνου για μια γραμμική ρητίνη ετικού τόνου Γενικά, το k φαίνεται να είναι αντιστρόφως ανάλογο της ερμοκρασίας AB [8]. Έτσι, για χαμηλές ερμοκρασίες AB η ρητίνη είναι πιο ευαίσητη στην υπερέκεση, συνεπώς πρέπει να γίνει πολύ προσεκτική επιλογή της δόσης. Αντίετα, σε υψηλότερες ερμοκρασίες AB η ρητίνη γίνεται λιγότερο ευαίσητη στην υπερέκεση, άρα μπορούμε να την εκέσουμε με μεγαλύτερη δόση, κάτι που είναι επιυμητό για να επιτευχεί μεγαλύτερη διαφοροποίηση μεταξύ των εκτεειμένων και των ανέκετων περιοχών (Σχήμα 9). Η απλούστερη, αλλά και ταυτόχρονα η βασικότερη καμπύλη για την αξιολόγηση μιας ρητίνης είναι η καμπύλη αντίεσης (cotrast curve). Η καμπύλη αντίεση (σχήμα 0) κατασκευάζεται από το εναπομένον πάχος της ρητίνης μετά την εμφάνιση για διάφορες δόσεις. Από την καμπύλη αντίεσης υπολογίζεται η ευαισησία (sesitivity) και η αντίεση (cotrast) της ρητίνης. Η ευαισησία ετικών ρητινών ορίζεται η δόση για πλήρη αφαίρεση του στρώματος της ρητίνης. Για τις αρνητικές

17 Μελέτη της διάλυσης πολυμερικών υλικών ΚΕΦΑΛΑΙΟ : Γενικά περί εμφανισης ρητίνες, η ευαισησία ορίζεται σαν η δόση για να απομείνει μετά την εμφάνιση το 50-80% του αρχικού πάχους. Σχήμα 9: Γραφική παράσταση του ρυμού διάλυσης συναρτήσει της δόσης για μια ετική ρητίνη Σχήμα 0: Καμπύλη αντίεσης για μια ετική ρητίνη Η κανονικοποιημένη αντίεση (ormal cotrast) γ, ορίζεται ως η κλίση (slope) ή εφαπτομένη (taget) της καμπύλης του κανονικοποιημένου εναπομείναντος πάχους Ν (ormalised thickess remaiig) ως συνάρτηση του λογάριμου της δόσης (Σχήμα 0). Στις μη εκτεειμένες περιοχές ετικού τόνου ρητινών, μια παρόμοια γραφική μπορεί να σχεδιαστεί (Σχήμα ), ώστε να καοριστεί η μέγιστη δόση s, κατά την οποία δε α υπάρχει αφαίρεση (διάλυση) της ρητίνης. Η ελάττωση του πάχους μιας περιοχής που έχει εκτεεί με μικρή δόση και έχει εμφανιστεί για μεγάλο χρόνο αποτελεί σημαντικό πρόβλημα στην κατασκευή αξιόπιστων διατάξεων. Οι ρητίνες χρησιμοποιούνται και για την επιπεδοποίηση (plaarisig) ενός βήματος (step)

18 Μελέτη της διάλυσης πολυμερικών υλικών ΚΕΦΑΛΑΙΟ : Γενικά περί εμφανισης (Σχήμα ), έτσι η υπερβολική λέπτυνση κατά την εμφάνιση μπορεί να έχει ως αποτέλεσμα τη μη επαρκή προστασία του υποστρώματος από τη ρητίνη κατά την ακόλουη εγχάραξη με πλάσμα (io etchig). Επιπρόσετα, πολλές μικρές τρύπες (περισσότερες από 0 ανά τετραγωνικό εκατοστό) σχηματίζονται για υμένια ρητίνης που έχουν λεπτυνεί περισσότερο από το 50% του αρχικού τους πάχους μετά από την εμφάνιση και εγχάραξη με πλάσμα (RI reactive io etchig). Σχήμα : Εύρεση της μέγιστης δόσης για την οποία δεν αφαιρείται ανέκετη ετική ρητίνη Σχήμα : (Α) Επιπεδοποίηση της ρητίνης (Β) Η ίδια δομή μετά από εγχάραξη με πλάσμα (RI), όταν η ρητίνη έχει υποστεί υπερβολική λέπτυνση κατά την εμφάνιση. Αποτέλεσμα αυτού του γεγονότος είναι η διάβροση του υποκείμενου βήματος Ρητίνες με χαμηλή αντίεση συνήως παρουσιάζουν παραποιημένη γεωμετρία στις επιφανειακές δομές τους (distorted top surface image), ειδικά αν παρουσιάζουν χαμηλή τιμή του λόγου R/R 0. Ευτυχώς, κάποιες ρητίνες διαζοναφοκινόνης (diazoovolak) παρουσιάζουν ένα ανεκτικότερο στη διάλυση επίπεδο επιφανείας που εμποδίζει τη διάλυση της μη εκτεειμένης περιοχής. Αυτές οι ρητίνες παρουσιάζουν απότομα προφίλ (Σχήμα Β), τα οποία είναι πλεονεκτικά για την 5

19 Μελέτη της διάλυσης πολυμερικών υλικών ΚΕΦΑΛΑΙΟ : Γενικά περί εμφανισης εγχάραξη με πλάσμα. Σε αντιδιαστολή με τα παραπάνω, μια γραμμική ρητίνη τύπου διαζοναφοκινόνης που δεν παρουσιάζει αυτό τον τύπο επιφάνειας α εμφανίσει ομαλά προφίλ (Σχήμα Α). Σε χαμηλές δόσεις και με ρητίνες που εμφανίζουν το προστατευτικό στρώμα, η εκτεειμένη περιοχή μπορεί επίσης να εμφανίσει μη γραμμική διάλυση (Σχήμα ) και ο ρυμός εμφάνισης R (Εξίσωση..) δε μπορεί να υπολογιστεί από το τελικό εναπομένον πάχος. Σε υψηλές δόσεις, το μεγαλύτερο μέρος της διάλυσης είναι γραμμικό και ο ρυμός είναι σταερός, ενώ για χαμηλές δόσεις, ο ρυμός εγχάραξης αυξάνει βαύτερα στο φιλμ. Μη γραμμική διάλυση μπορεί επίσης να οφείλεται σε μη ομοιόμορφη απορρόφηση της ενέργειας, οφειλόμενη σε υψηλό συντελεστή απορρόφησης (α >0.) ή σε οπισοσκεδαζόμενη ακτινοβολία που απορροφάται στην περιοχή της διεπιφάνειας. Σχήμα : (Α) Χαμηλής αντίεσης DQ ρητίνη με γραμμική (Β) Ρητίνη ιδίου τύπου και εκτεειμένη στις ίδιες συνήκες. Η διαφορά με την προηγούμενη εικόνα είναι ότι η ρητίνη αυτή αναπτύσσει ένα λεπτό, σκληρό εξωτερικό στρώμα στις ανέκετες περιοχές Από τα παραπάνω συμπεραίνουμε ότι υπάρχει μεγάλο πλήος συνδυασμών συνηκών κατά την εκεση και την εμφάνιση. Συνεπώς, συσκευές μέτρησης πραγματικού χρόνου (i-situ), όπως τα DRM (dissolutio rate moitors) είναι απαραίτητες για την αποδοτικότερη μελέτη της συμπεριφοράς των ρητινών κατά τη διάλυσή τους και για να βρεούν οι βέλτιστες συνήκες εμφάνισης για διαφορετικά πάχη ρητίνης και συνήκες διεργασίας. 6

20 Μελέτη της διάλυσης πολυμερικών υλικών ΚΕΦΑΛΑΙΟ : Γενικά περί εμφανισης. Το DRM. Περιγραφή Αρχή λειτουργίας Το DRM βασίζεται για τις μετρήσεις του στο πολύ γνωστό φαινόμενο της συμβολής. Αναλυτικότερα, ένα DRM αποτελείται από μια ή περισσότερες πηγές μονοχρωματικού φωτός, ένα μπάνιο διαλύτη και έναν ανιχνευτή (Σχήμα ). Το φως φεύγει από την πηγή ακτινοβολίας και προσπίπτει στο δισκίδιο (δέσμη α- Σχήμα 5). Στην εξωτερική επιφάνεια του δισκιδίου, η οποία είναι επιστρωμένη με τη ρητίνη που ενδιαφερόμαστε να μελετήσουμε, το φως α υποστεί διάλαση (δέσμη β- Σχήμα 5) και ανάκλαση(δέσμη γ- Σχήμα 5). Η διαλώμενη δέσμη (δέσμη β- Σχήμα 5) α ανακλαστεί με τη σειρά της στη διεπιφάνεια ρητίνης υποστρώματος και τελικά α ακολουήσει παράλληλη πορεία (δέσμη δ- Σχήμα 5) με την πρώτη ανακλώμενη δέσμη (δέσμη γ- Σχήμα 5), έχοντας όμως διανύσει μεγαλύτερο οπτικό δρόμο. Πρέπει να σημειωεί εδώ, ότι η δέσμη που διαλάται στο πυρίτιο απορροφάται αμέσως (συντελεστής απορρόφησης Si στα 650m α 80cm - [9]) Οι δυο δέσμες συμβάλλουν και το τελικό κύμα συλλέγεται από τον ανιχνευτή, όπου η ισχύς του φωτός μετατρέπεται σε ηλεκτρικό σήμα. Το σήμα αυτό ψηφιοποιείται και αποηκεύεται για περαιτέρω επεξεργασία στο σκληρό δίσκο ενός προσωπικού υπολογιστή (C). Είναι προφανές ότι με τη μεταβολή του πάχους της ρητίνης κατά την εμφάνιση, η διαφορά οπτικού δρόμου μέχρι τον ανιχνευτή, μεταξύ των δυο δεσμών αλλάζει και συνεπώς α υπάρξει μια μεταβολή του τελικού σήματος που λαμβάνεται στον ανιχνευτή. Λόγω αυτού του φαινομένου, το σήμα στην έξοδο του ανιχνευτή α είναι της μορφής που απεικονίζεται στο σχήμα 6. Πρέπει να σημειωεί ότι όλες οι ρητίνες που μελετάμε παρουσιάζουν αμελητέα απορρόφηση στο συγκεκριμένο μήκος κύματος ακτινοβολίας. Γι' αυτό το λόγο, η δέσμη που εκπέμπεται από το λέηζερ του DRM δεν απορροφάται, αλλά απλά ανακλάται και διαλάται. 7

21 Μελέτη της διάλυσης πολυμερικών υλικών ΚΕΦΑΛΑΙΟ : Γενικά περί εμφανισης Σχήμα : Τυπική διάταξη DRM developer α γ δ resist β substrate Σχήμα 5: Ανακλάσεις και διαλάσεις δέσμης για μια συνήη λιογραφική διαδικασία 80 Σήμα (a.u) Χρόνος (sec) Σχήμα 6: Τυπική μορφή σήματος DRM 8

22 Μελέτη της διάλυσης πολυμερικών υλικών ΚΕΦΑΛΑΙΟ : Γενικά περί εμφανισης Στα περισσότερα DRM χρησιμοποιούνται περισσότερες από μια, διαφορετικού μήκους κύματος, πηγές μονοχρωματικής ακτινοβολίας (πολυκάναλα συστήματα). Αυτό γίνεται για να είναι δυνατή η ταυτόχρονη μέτρηση περισσοτέρων παραμέτρων, μέσω της παραγωγής περισσοτέρων από μιας γραφικών της μορφής του σχήματος 6. Η μαηματική ανάλυση του παραγόμενου σήματος α παρουσιαστεί διεξοδικά στο κεφάλαιο.. Χρησιμότητα Η χρησιμότητα των σημάτων του DRM έχει διαφανεί ήδη από την παράγραφο.. Όπως ήδη αναφέραμε εκεί το DRM χρησιμοποιείται για να βρεεί η κινητική της διάλυσης, δηλαδή να καοριστεί ο ρυμός διάλυσης της ρητίνης. Επίσης, χρησιμοποιείται για να βρεούν οι βέλτιστες συνήκες εμφάνισης για διαφορετικά πάχη ρητίνης και συνήκες διεργασίας. Αναλυτικότερα, το DRM μπορεί να χρησιμοποιηεί: Για τη μέτρηση της επίδρασης του χρόνου έρμανσης μετά την έκεση (ost Applied Bake ΑB), καώς και της ερμοκρασίας αυτού και την επίδραση των παραπάνω στην εμφάνιση. Για τη μέτρηση της επίδρασης του χρόνου έρμανσης μετά την έκεση (ost posure Bake B), καώς και της ερμοκρασίας αυτού και την επίδραση των παραπάνω στην εμφάνιση. Για τη μέτρηση της επίδρασης της καυστέρησης της εμφάνισης μετά από το B (B delay time). Για τη μέτρηση της επίδρασης της κανονικότητας (ormality), της ερμοκρασίας του εμφανιστή και του χρόνου εμφάνισης. Για τη βελτιστοποίηση των παραμέτρων έκεσης (δόση) Για τον υπολογισμό του ρυμού εμφάνισης και την εφαρμογή του σε κατάλληλο αλγόριμο προσομοίωσης. Με αυτόν τον τρόπο, μπορούμε να προβλέψουμε την κατατομή της ρητίνης για διάφορες συνήκες έκεσης/εμφάνισης απλά εκτελώντας το κατάλληλο πρόγραμμα στον Η/Υ, χωρίς να χρειάζεται να εκτελέσουμε μεγάλη σειρά πειραμάτων. Ένα παράδειγμα μελέτης της επίδρασης του B με ένα εργοστασιακό DRM (RDA-790, FIL Tech, Ic.) και ταυτόχρονη προσομοίωση του φαινομένου 9

23 Μελέτη της διάλυσης πολυμερικών υλικών ΚΕΦΑΛΑΙΟ : Γενικά περί εμφανισης φαίνεται στο σχήμα 7. Στο συγκεκριμένο παράδειγμα, το DRM χρησιμοποιήηκε για τη μέτρηση του ρυμού εμφάνισης σε κάε ερμοκρασία B. Από τους ρυμούς εμφάνισης εξάγονται οι σωστές παράμετροι για το λογισμικό εξομοίωσης και έτσι υπολογίζονται τα προφίλ της ρητίνης για κάε περίπτωση. Πρέπει να σημειωεί ότι το συγκεκριμένο DRM είναι 8 καναλιών και έχει τη δυνατότητα λήψης 00 μετρήσεων το δευτερόλεπτο ανά κανάλι [0]. Όμως, η χρησιμότητα του DRM δεν εξαντλείται στη διεργασία της εμφάνισης. Το DRM είναι δυνατόν να χρησιμοποιηεί σε πληώρα εφαρμογών που δεν έχουν αναγκαστικά σχέση με τη διάλυση, αλλά σχετίζονται με την αλλαγή του πάχους ενός στρώματος. Τέτοιες διεργασίες είναι η πυριτίωση (silylatio) και η εναπόεση (depositio). Επίσης, η ίδια αρχή χρησιμοποιείται και για τον καορισμό του τέλους της εγχάραξης σε έναν αντιδραστήρα πλάσματος. Παρατηρούμε λοιπόν μια πληώρα εφαρμογών, η οποία σε συνδυασμό με την αμεσότητα της εξαγωγής των αποτελεσμάτων καιστούν τη μέοδο της συμβολομετρίας ένα σημαντικά ισχυρό εργαλείο στα χέρια των ερευνητών. Σχήμα 7: Προσομοίωση της επίδρασης της ερμοκρασίας B στην εμφάνιση 0

24 Μελέτη της διάλυσης πολυμερικών υλικών ΚΕΦΑΛΑΙΟ : Γενικά περί εμφανισης. Γενικοί μηχανισμοί εμφάνισης Η πιο γενική περίπτωση της εμφάνισης είναι η διάχυση Fick ή αλλιώς νόμος του Bruer στη διάλυση στερεών. Το πολυμερές συνεχίζει να διαλύεται, μέχρι το υπερκείμενο στρώμα διαλύτη να κορεσεί. Τότε τα διαλυέντα μόρια του πολυμερούς διαχέονται από το κορεσμένο στρώμα προς γειτονικές περιοχές μικρότερης συγκέντρωσης. Συνεπώς, ο ρυμός της διάλυσης είναι τελικά ο ρυμός της διάχυσης. Αν ο υγρός εμφανιστής αναδεύεται, η διάχυση των μορίων μακριά από την επιφάνεια α επιταχυνεί και τελικά α έχουμε αύξηση του ρυμού της διάλυσης. Τελικά, αυτό που προκύπτει είναι ότι ο ρυμός διάλυσης είναι εκετική συνάρτηση της μάζας (Παράρτημα ): dt d m e (..) Στη διάχυση Fick υποέτουμε ότι ο συντελεστής διάχυσης D είναι ανεξάρτητος από το μοριακό βάρος του πολυμερούς. Δυστυχώς, αυτό δεν ισχύει για μια μεγάλη κατηγορία υαλοειδών πολυμερών (glassy polymers), στα οποία η διάλυση παρεμποδίζεται από τη διόγκωση του πολυμερούς [-7]. Γενικά, η διάλυση αυτών των πολυμερών μπορεί να αντιμετωπιστεί σαν τη διάλυση ενός στερεού που αποτελείται από μικρά μόρια. Ένα μικρό μόριο α διαλυεί όταν οι διαμοριακές έλξεις (itermolecular attractios) αντικατασταούν από αλληλεπιδράσεις μορίου διαλύτη [8]. Η διαφορά από τη διάλυση πολυμερούς είναι ότι τα μικρά μόρια είναι αμέσως ελεύερα να διαχυούν μακριά από το στερεό και μέσα στον όγκο του διαλύτη. Αντίετα, στην περίπτωση του πολυμερούς, ένα διαλυέν μονομερές μπορεί, αρχικά, να κινηεί μακριά από το στερεό μόνο τόσο όσο προβλέπεται από το μήκος της πολυμερικής αλυσίδας στην οποία ανήκει. Τελικά, τα μονομερή μιας αλυσίδας είναι ελεύερα να διαχυούν στον όγκο του διαλύτη, μόνο όταν ελευερωεί ολόκληρη η αλυσίδα. Προφανώς, οι μακρύτερες αλυσίδες, οι οποίες α έχουν και μεγαλύτερο μοριακό βάρος, α διαλύονται και αργότερα. Συνοψίζοντας, στη διάλυση πολυμερικών υλικών παρατηρούνται δυο γενικές περιπτώσεις: Περίπτωση (Case ): Η διάλυση τόσο του εκτεειμένου, όσο και του ανέκετου πολυμερούς, είναι σχεδόν γραμμική, υποέτοντας ομοιόμορφη απορρόφηση φωτός ή ενέργειας μέσα στο πολυμερές (Σχήμα 8). Τέτοια συμπεριφορά, παρουσιάζεται στις