ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)"

Transcript

1 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5 ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΑΦΗΣ (BJT) Το τρανζίστορ επαφής, που αναφέρεται συχνά, απλώς σαν τρανζίστορ, ανακαλύφθηκε το 1948 στα εργαστήρια της Bell από τους J. Βardeen, W. Bratain και W. Shockley και αποτέλεσε το επαναστατικό στοιχείο που επέφερε τη μεταστροφή της τεχνολογίας από τις ηλεκτρονικές λυχνίες κενού στην τεχνολογία των κρυσταλλικών στοιχείων. Η τεχνολογία της κατασκευής των τρανζίστορ οδήγησε αργότερα στην ανάπτυξη των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Με το τρανζίστορ μπορεί να γίνει ενίσχυση ρεύματος ή τάσης. Για το σχηματισμό του ηλεκτρικού ρεύματος μέσα στο τρανζίστορ συνεισφέρουν δύο είδη φορέων, οι φορείς μειονότητας και οι φορείς πλειονότητας, γι αυτό και το τρανζίστορ επαφής χαρακτηρίζεται σαν τρανζίστορ διφυούς αγωγής (BJT= Bipolar Junction Transistor). Στο κεφάλαιο αυτό εξετάζονται τα βασικά χαρακτηριστικά και οι λειτουργίες του τρανζίστορ επαφής, τα ισοδύναμα κυκλώματα και η απόκρισή του στις υψηλές συχνότητες. Σαν εφαρμογή του BJT εξετάζονται κυκλώματα που αφορούν στους καθρέπτες ρεύματος, σε ρυθμιζόμενη πηγή ρεύματος και σε κύκλωμα τάσης αναφοράς. 5.1.ΟΙ ΠΕΡΙΟΧΕΣ ΤΟΥΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ- ΣΥΜΒΟΛΙΣΜΟΙ ΚΑΙ ΣΥΝΔΕΣΜΟΛΟΓΙΕΣ Το BJT συνίσταται από κρύσταλλο κυρίως Si ή Ge που διαχωρίζεται σε τρεις διαδοχικές περιοχές p,n,p, ή n,p,n (σχήμα 5.1), οπότε αντίστοιχα χαρακτηρίζεται σαν τύπου pnp ή τύπου npn. Aπό τις τρεις περιοχές, η μία ακραία έχει μεγάλη δόση πρόσμιξης και αποτελεί τον εκπομπό (Emitter, Ε) του τρανζίστορ, η μεσαία περιοχή, που χαρακτηρίζεται σαν βάση (Base, Β), έχει πολύ μικρή δόση πρόσμιξης σε σχέση με την πρόσμιξη του εκπομπού και έχει επίσης πολύ μικρό πλάτος, μικρότερο των 5μm. Η άλλη ακραία περιοχή αποτελεί το συλλέκτη (ollector, ) με μι-

2 188 κρότερη δόση πρόσμιξης από τη βάση. Στο σχήμα 5.1 φαίνονται οι δύο τύποι των τρανζίστορ και τα αντίστοιχα σύμβολά τους. Σχ.5.1. Σχηματική παράσταση τρανζίστορ pnp και npn με τα αντίστοιχα σύμβολά τους. Οι τρεις διαδοχικές περιοχές του τρανζίστορ χωρίζονται μεταξύ τους από μία επαφή pn μεταξύ εκπομπού και βάσης, που χαρακτηρίζεται σαν επαφή του εκπομπού J E, και από μία δεύτερη επαφή pn μεταξύ συλλέκτη και βάσης, που αποτελεί την επαφή του συλλέκτη J. Οι δύο αυτές επαφές αποτελούν δύο διόδους σε σειρά, όπως δείχνει το σχήμα 5.2, αλλά το απλοποιημένο αυτό ισοδύναμο δεν ισχύει όταν το τρανζίστορ βρίσκεται σε κανονική λειτουργία. Σχ.5.2. Ισοδύναμο του τρανζίστορ pnp (α) και npn (β) με διόδους. Τα ισοδύναμα αυτά δεν ισχύουν όταν το τρανζίστορ βρίσκεται σε κανονική λειτουργία. Στο σύμβολο του τρανζίστορ ο εκπομπός φέρει ένα βέλος που δείχνει τη συμβατική φορά που έχει το ρεύμα του εκπομπού, όταν το τρανζίστορ βρίσκεται σε λειτουργία.

3 189 Για να διακρίνουμε πότε ένα ρεύμα του τρανζίστορ το θεωρούμε σαν θετικό ή αρνητικό ορίζουμε τις θετικές φορές των ρευμάτων. Έτσι, το ρεύμα για κάθε ένα από τους τρεις ακροδέκτες του τρανζίστορ θεωρείται θετικό όταν εισέρχεται στο τρανζίστορ και αρνητικό όταν εξέρχεται απ` αυτό. Εάν π.χ. είναι I 2 ma, αυτό σημαίνει ότι το πραγματικό ρεύμα εξέρχεται από το τρανζίστορ. Γι` αυτό, ανεξάρτητα από την πραγματική φορά των ρευμάτων στους ακροδέκτες του τρανζίστορ, σημειώνουμε με βέλη προς το τρανζίστορ τις φορές αναφοράς των ρευμάτων που θεωρούμε θετικές (σχ.5.3). Προφανώς, για τα τρία ρεύματα του τρανζίστορ, δηλαδή για το ρεύμα του εκπομπού Ι E, του συλλέκτη Ι και της βάσης I B, θα ισχύει η σχέση IE I IB 0 (5.1) αφού για τα τρία αυτά ρεύματα το τρανζίστορ θεωρείται σαν κόμβος. Σχ.5.3. Οι τρεις τρόποι συνδεσμολογίας του τρανζίστορ. Συνδεσμολογία κοινής βάσης (α), κοινού εκπομπού (β) και κοινού συλλέκτη (γ). Στο σχήμα έχουν σημειωθεί και οι θεωρούμενες θετικές φορές των ρευμάτων και των τάσεων. Οι τάσεις μεταξύ των ακροδεκτών δηλώνονται με δύο δείκτες από τους οποίους ο δεύτερος φανερώνει τον ακροδέκτη αναφοράς του δυναμικού. Έτσι π.χ η τάση V B σημαίνει το δυναμικό του συλλέκτη σε σχέση με το δυναμικό της βάσης Β και προφανώς θα είναι VB V B. Με κεφαλαία γράμματα και κεφαλαίους δείκτες δηλώνουμε D ή μέσες τιμές τάσεων ή ρευμάτων π.χ. V E, I. Με μικρά γράμματα και μικρούς δείκτες δηλώνουμε τις στιγμιαίες τιμές μεταβλητών με το χρόνο, τάσεων ή ρευμάτων π.χ. υ be, i b. Με μικρά γράμματα και κεφαλαίους δείκτες σημειώνουμε τις στιγμιαίες ολικές τιμές (σταθερών + μεταβλητών με το χρόνο) τάσεων ή ρευμάτων π.χ. υ BE, i B. Έτσι θα είναι π.χ. i E = I E +i e. Τέλος, τις πηγές τροφοδοσίας τις σημειώνουμε με κεφαλαίο γράμμα και διπλό δείκτη με κεφαλαία γράμματα π.χ. V, V EE. Κατά τη συνδεσμολογία του τρανζίστορ, δύο ακροδέκτες του χρησιμοποιούνται για την εφαρμογή του σήματος εισόδου και δύο ακροδέκτες χρησιμοποι-

4 190 ούνται για τη λήψη του σήματος εξόδου, ενώ κάποιος από τους τρεις ακροδέκτες είναι κοινός για τα σήματα εισόδου και εξόδου. Έτσι, ανάλογα με τον κοινό ακροδέκτη, η συνδεσμολογία χαρακτηρίζεται σαν συνδεσμολογία κοινής βάσης, κοινού εκπομπού και κοινού συλλέκτη. Στο σχ. 5.3 φαίνονται οι τρεις τρόποι συνδεσμολογίας του τρανζίστορ με τις θεωρούμενες σαν θετικές φορές των ρευμάτων και των τάσεων ΔΟΜΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΤΟΥ BJT ΣΤΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Στα ολοκληρωμένα κυκλώματα το τρανζίστορ έχει τη δομή που δείχνει το σχ.5.4. Η κατασκευή ενός τρανζίστορ π.χ. npn έχει ως εξής: Σ ένα υπόστρωμα τύπου p αναπτύσσεται με επίταξη ένα στρώμα τύπου n ελαφράς πρόσμιξης, τμήμα του οποίου θα αποτελέσει το συλλέκτη. Μέσα στο στρώμα αυτό θα γίνουν με διάχυση οι περιοχές της βάσης και του εκπομπού. Πάνω στην επιφάνεια του κρυστάλλου σχηματίζεται με οξείδωση ένα στρώμα SiΟ 2. Μετά διανοίγεται με υδροφθορικό οξύ από το SiΟ 2 μια ορθογώνια επιφάνεια και επακολουθεί διάχυση με αέριο τρισθενούς στοιχείου του οποίου τα άτομα διεισδύουν από το παράθυρο μέσα σε ορισμένο βάθος και σχηματίζουν μία περιοχή τύπου p. Σχ.5.4. Δομή του τρανζίστορ επαφής στα ολοκληρωμένα κυκλώματα.

5 191 Με την ίδια διαδικασία, με οξείδωση πάλι, αλλά με άνοιγμα μικρότερου παράθυρου και με διάχυση ατόμων τύπου n κατασκευάζεται και η περιοχή τύπου n. Η συγκέντρωση πεντασθενών ατόμων (n) πρέπει να είναι μεγαλύτερη απ αυτήν των τρισθενών ατόμων (p), ώστε η περιοχή στην οποία θα εισχωρήσουν τα άτομα αυτά να καταστεί περιοχή τύπου n. Ιδιαίτερα η περιοχή αυτή πρέπει να έχει ισχυρή πρόσμιξη (n + ) γιατί θα αποτελέσει τον εκπομπό. Στη φάση αυτή κατασκευάζεται και μία ενδιάμεση περιοχή ισχυρής πρόσμιξης n + για την καλή επαφή του ακροδέκτη του συλλέκτη με την περιοχή του συλλέκτη που έχει ελαφρά πρόσμιξη. Στη συνέχεια γίνεται πάλι οξείδωση, διανοίγονται παράθυρα και επιμεταλλώνονται οι επιφάνειες των παράθυρων, όπου σ αυτές θα προσκολληθούν οι μεταλλικοί ακροδέκτες ή οι αγωγοί σύνδεσης με άλλα στοιχεία του ολοκληρωμένου κυκλώματος ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΤΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 1. Δυναμικά και ρεύματα Ας θεωρήσουμε πρώτα το τρανζίστορ με ανοικτούς τους άκροδέκτες του (σχ.5.5α). Στις δύο πλευρές της κάθε επαφής pn θα σχηματισθούν φορτία χώρου, όπως είδαμε στη δίοδο, τα οποία θα δημιουργήσουν μεταξύ τους ένα ηλεκτρικό πεδίο και επομένως μία διαφορά δυναμικού. Έξω από τις περιοχές φορτίων χώρου δεν υπάρχει πεδίο και όλα τα σημεία έχουν το ίδιο δυναμικό. Επειδή οι περιοχές των φορτίων χώρου των επαφών pn είναι πολύ στενές, δεχόμαστε για ευκολία σχεδιασμού, ότι οι μεταβολές του δυναμικού από περιοχή σε περιοχή είναι απότομες. Τα δυναμικά των τριών περιοχών του τρανζίστορ pnp, με ανοικτούς τους α- κροδέκτες του εμφανίζονται όπως στο σχήμα 5.5(γ), όπου το δυναμικό της βάσης παρουσιάζει ένα λόφο ύψους V h0, ενώ το δυναμικό των δύο ακραίων περιοχών είναι το ίδιο για συμμετρικό τρανζίστορ, όπου η ενεργός τομή του κρυστάλλου παραμένει σταθερή. Εάν τώρα η επαφή J E του εκπομπού πολωθεί ορθά με μια πηγή τάσης V EB (σχ.5.5β), όπως μας είναι γνωστό, το ύψος του λόφου δυναμικού θα ελαττωθεί για τους φορείς πλειονότητας του εκπομπού κατά V EB και θα γίνει V he =V h0 -V EB, όπου υποθέτουμε ότι V EB <V h0. Εάν τώρα η επαφή J του συλλέκτη πολωθεί ανάστροφα με πηγή τάσης V B, ο λόφος δυναμικού θα αυξηθεί κατά V B για τους φορείς πλειονότητας του συλλέκτη, δηλαδή θα γίνει Vh Vho VB (σχ. 5.5δ).

6 192 Σχ.5.5. Το τρανζίστορ με ανοικτούς τους ακροδέκτες του (α) και με τα άκρα του πολω- μένα (β), καθώς και τα αντίστοιχα δυναμικά των περιοχών του (γ),(δ). Η ορθή πόλωση της επαφής J E του εκπομπού, που ελαττώνει το φράγμα δυναμικού της επαφής, έχει σαν συνέπεια την αύξηση της διάχυσης φορέων από τον εκπομπό στη βάση. Οι φορείς αυτοί που αποτελούν φορείς μειονότητας μέσα στη βάση, με διάχυση μπαίνουν στην περιοχή φορτίων χώρου της επαφής του συλλέκτη, εκεί βρίσκουν ευνοϊκό ηλεκτρικό πεδίο που τους επιταχύνει προς τον ακροδέκτη του συλλέκτη. To σχήμα 5.6 δείχνει τα δύο ηλεκτρικά πεδία των επαφών J E και J. Σχ.5.6. Το ηλεκτρικό πεδίο της επαφής J ωθεί τις οπές προς το συλλέκτη. Το ηλεκτρικό πεδίο της επαφής J E ασκεί ανασταλτική επίδραση στην κίνηση των οπών από τον εκπομπό προς τη βάση, που όπως είδαμε αποτελεί ένα φραγμό.

7 193 Αντίθετα, το πεδίο της περιοχής της επαφής του συλλέκτη ωθεί τις οπές που εισχωρούν σ αυτό προς την περιοχή του συλλέκτη, και με διάχυση φθάνουν κατόπιν στο συλλέκτη και δημιουργούν το ρεύμα του. Σχ.5.7. Τα ρεύματα μέσα στο τρανζίστορ. Ένα ποσοστό όμως των οπών που βρίσκεται στη βάση, επανασυνδέεται με τα ελεύθερα ηλεκτρόνια που υπάρχουν εκεί και δεν φθάνει στην περιοχή του συλλέκτη. Τα ηλεκτρόνια που επανασυνδέονται μέσα στη βάση αναπληρώνονται από την πηγή V EB και επομένως συμβάλλουν στο σχηματισμό του εξωτερικού ρεύματος της βάσης. Επειδή η βάση έχει σκόπιμα πολύ μικρό πλάτος, ένα πολύ μικρό ποσοστό των οπών επανασυνδέεται, ενώ το μεγάλο ποσοστό οδεύει προς το συλλέκτη. Παράλληλα με τη διάχυση οπών από τον εκπομπό προς τη βάση, υπάρχει και διάχυση ηλεκτρονίων από τη βάση προς τον εκπομπό, που σχηματίζει ένα ρεύμα ηλεκτρονίων σχετικά μικρό, λόγω της πολύ μικρότερης συγκέντρωσης των φορέων αυτών στην περιοχή της βάσης. Το ρεύμα αυτό είναι ομόρροπο προς το ρεύμα των οπών από τον εκπομπό στη βάση. Έτσι λοιπόν, το ρεύμα του εκπομπού Ι E είναι το άθροισμα των δύο ρευμάτων που προέρχονται από διάχυση οπών και ηλεκτρονίων που περνάνε την επαφή J E του εκπομπού. Τελικά ένα ποσοστό α του ρεύματος του εκπομπού, δηλαδή ένα ρεύμα αι E, περνάει την επαφή J και ρέει προς το συλλέκτη, όπως δείχνει το σχήμα 5.7. Το ρεύμα του συλλέκτη τώρα, αποτελείται από το ρεύμα αι E και από ένα άλλο πολύ μικρό ρεύμα Ι BO ή Ι O που σχηματίζεται μεταξύ της βάσης και του συλλέκτη. Η θετική φορά του ρεύματος αυτού, στο σχήμα 5.7, ελήφθει αυθαίρετα να είναι από το συλλέκτη προς τη βάση. Το παραπάνω ρεύμα προέρχεται από τη θερμική γένεση ζευγών ηλεκτρονίων-οπών μέσα στις περιοχές του συλλέκτη και της βάσης, όπου τα δημιουργούμενα ηλεκτρόνια στην περιοχή του συλλέκτη, σαν φορείς μειονότητας περνάνε προς τη βάση και οι αντίστοιχες οπές της βάσης φθάνουν στο συλλέκτη. Αυτό το ρεύμα δεν εξαρτάται από την τάση V B,, αντιστοιχεί δε προς το ανάστροφο ρεύμα κόρου Ι s που συναντήσαμε στη δίοδο. Το ρεύμα Ι BO

8 194 είναι προφανώς το μοναδικό ρεύμα του συλλέκτη όταν ο εκπομπός είναι ανοικτός, γι αυτό οι δύο πρώτοι δείκτες του, δείχνουν το ρεύμα μεταξύ των ακροδεκτών και Β, ενώ ο τελευταίος δείκτης σημαίνει ότι ο τρίτος ακροδέκτης του τρανζίστορ, δηλαδή ο εκπομπός, είναι ανοικτός. Σύμφωνα με τις φορές των ρευμάτων, όπως σημειώνονται στο σχήμα 5.7, θα έχουμε για τον κόμβο του συλλέκτη I I I 0 E BO ή I I I (5.2) E BO Επίσης για τον κόμβο της βάσης θα είναι οπότε I ( 1 ) I I 0 B E BO I 1 I 1 1 I 1 E B BO (5.3) 2. O συντελεστής α Από τη σχέση (5.2) έχουμε για το συντελεστή α I I I E BO (5.4) Εάν θεωρήσουμε αμελητέα τη μικρή τιμή του ρεύματος Ι BO, τότε ο συντελεστής α εκφράζεται με το λόγο των δύο D μεγεθών I και I E I I E (5.5) Χρησιμοποιείται επίσης και ο συντελεστής h FB I (5.6) I E

9 195 με την ονομασία συντελεστής απολαβής συνεχούς ρεύματος κοινής βάσης και προφανώς είναι h FB. Η τιμή του α που προφανώς είναι μικρότερη από τη μονάδα για τα διάφορα τρανζίστορ, συνήθως υπερβαίνει το 0,95 και είναι πάντοτε θετική γιατί τα ρεύματα Ι και Ι E είναι αντίθετα μεταξύ τους. Το α για κάθε τρανζίστορ δεν διατηρεί τελείως σταθερή τιμή, αλλά είναι συνάρτηση του ρεύματος Ι και της τάσης V B. 3. Ο συντελεστής β Από τις σχέσεις (5.2) και (5.3) παίρνουμε I 1 IB I BO (5.7) 1 1 Τον παράγοντα α/(1-α) της παραπάνω σχέσης τον ορίζουμε σαν το συντελεστή β, δηλαδή θέτουμε Από την παραπάνω σχέση θα έχουμε (5.8) 1 (5.9) 1 Σε συνάρτηση με το συντελεστή β, οι σχέσεις (5.3) και (5.7) γράφονται αντίστοιχα και I ( 1) I ( 1 ) I (5.10) E B BO I I ( 1) I (5.11) B BO Όπως συνάγεται από τις σχέσεις (5.2), (5.10) και (5.11), εάν θεωρήσουμε αμελητέο το ρεύμα Ι BO και το (β+1)ι BO, τα ρεύματα Ι και Ι E είναι μεταξύ τους σχεδόν ίσα και αντίθετα και είναι κατά μέτρο σχεδόν β φορές μεγαλύτερα από το ρεύμα βάσης Ι B. Έτσι

10 196 Επίσης χρησιμοποιείται ο συντελεστής I I B I I E B (5.12) h FE I (5.13) I B με την ονομασία συντελεστής απολαβής συνεχούς ρεύματος κοινού εκπομπού. Προφανώς θα είναι h FE. Το β είναι λόγος συνεχών μεγεθών και οι τιμές που παίρνει καθορίζονται από τις τιμές του α (σχέση 5.8). Επειδή το α είναι κοντά στη μονάδα, η τιμή του β θα είναι πολύ μεγαλύτερη από τη μονάδα, συνήθως το β παίρνει τιμές στην περιοχή , ενώ σε ειδικά τρανζίστορ υπερβαίνει την τιμή του Επειδή η τιμή του α εξαρτάται από το ρεύμα Ι και την τάση V B, προφανώς και το β δεν έχει σταθερή τιμή, αλλά είναι συνάρτηση των παραπάνω μεγεθών. Σημειώνουμε ότι, όταν Ι Β =0, δηλαδή αν ανοίξουμε τον ακροδέκτη της βάσης, τότε, όπως φαίνεται από τις σχέσεις (5.10) και (5.11), θα είναι I I ( 1 ) I (5.14) E BO Επομένως, όταν το ρεύμα διαρροής το θεωρήσουμε ότι ρέει όχι μεταξύ συλλέκτη και βάσης, αλλά μεταξύ συλλέκτη και εκπομπού, τότε αυτό είναι (β+1) φορές μεγαλύτερο του Ι BO. 4. Διαμόρφωση εύρους βάσης-μεταβολή του α Η ανάστροφη πόλωση της επαφής του συλλέκτη δημιουργεί μία διευρυμένη περιοχή φορτίων χώρου περί την επαφή. Το εύρος του τμήματος της περιοχής φορτίων χώρου μέσα στη βάση είναι σημαντικό σε σχέση με το εύρος ολόκληρης της περιοχής της βάσης, που όπως αναφέραμε είναι σκόπιμα μικρό. Επομένως η ύπαρξη των φορτίων χώρου της επαφής του συλλέκτη περιορίζει το ενεργό εύρος W B της βάσης. Επειδή δε η περιοχή των φορτίων χώρου στη βάση διευρύνεται με την αύξηση της τάσης υ B, έπεται ότι το ενεργό εύρος της βάσης W B θα μικραίνει με την αύξηση της τάσης αυτής. Το φαινόμενο αυτό λέγεται διαμόρφωση του εύρους της βάσης ή φαινόμενο Early, και ασκεί αξιοσημείωτη επίδραση στη συμπεριφορά του τρανζίστορ. Θα πρέπει να σημειωθεί ότι το πλάτος της περιοχής φορτίων χώρου της επαφής του εκπομπού είναι πολύ μικρό, λόγω της ορθής πόλωσης και

11 197 δεν επιδρά ουσιαστικά στο εύρος της βάσης. Η ελάττωση του εύρους της βάσης, συνεπάγεται την ελάττωση του ρυθμού ε- πανασύνδεσης των φορέων μειονότητας της βάσης, με αποτέλεσμα την ελαφρά αύξηση του ρεύματος του συλλέκτη. Αυτό βέβαια σημαίνει ότι το α αυξάνεται με την αύξηση της τάσης υ B. Η μεταβολή του α σε συνάρτηση με τη μεταβολή του υ B, συνεπάγεται άμεσα τη μεταβολή του συντελεστή β και μάλιστα σε μεγαλύτερο ποσοστό. Έτσι αν π.χ. το α από την τιμή 0,98 πάει στην τιμή 0,99, δηλαδή αυξηθεί κατά 1,02%, τότε το β από την τιμή 0,98/(1-0,98) = 49 θα πάει στην τιμή 0,99/(1-0,99) = 99, που σημαίνει ότι υπάρχει μία αύξηση κατά (99-49)/49 = 102%. Σχ Το ενεργό εύρος της βάσης W B ελαττώνεται με την αύξηση της τάσης υ B ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΤΟΥ BJT ΓΙΑ ΜΙΚΡΑ ΣΗΜΑΤΑ 1. Ρεύματα A και ενίσχυση Είδαμε ότι το ρεύμα του συλλέκτη και το ρεύμα της βάσης ευρίσκονται σε γραμμική σχέση και ότι λόγω του φαινομένου διαμόρφωσης του εύρους της βάσης, το β δεν είναι απόλυτα σταθερό, αλλά εξαρτάται από την τάση V B. Στη βιβλιογραφία συναντάμε διάφορους ορισμούς για το β. To συντελεστή h FE που ορίστηκε με τη σχέση (5.13) τον συναντάμε επίσης με το συμβολισμό β dc I (5.15) dc h FE I B Aς θεωρήσουμε τώρα ότι γίνεται μία μικρή διαταραχή ΔV ΕΒ στην τάση V EB (σχ.5.7). Προφανώς αυτή η διαταραχή θα προκαλέσει μία μεταβολή στο ύψος του λόφου δυναμικού της επαφής του εκπομπού που δρα σαν βαλβίδα και ρυθμίζει το ρεύμα του. Έτσι θα έχουμε μία μεταβολή ΔI E στο ρεύμα του εκπομπού. Επειδή το ρεύμα της βάσης και του συλλέκτη συνδέονται με γραμμικές σχέσεις με το ρεύμα

12 198 του εκπομπού, θα υπάρξουν και αντίστοιχες μεταβολές ΔΙ Β, ΔΙ στα ρεύματα αυτά. Κατ αναλογία με το β dc που ορίστηκε παραπάνω σαν ο λόγος δύο D μεγεθών, μπορούμε να ορίσουμε το β αc σαν το λόγο των Α μεγεθών ΔΙ και ΔΙ Β, δηλαδή ac I I B (5.16) Επειδή οι δύο παραπάνω τιμές β dc και β ac δεν διαφέρουν πολύ μεταξύ τους, θα τις αντιπροσωπεύουμε στο εξής με το β. Τις μικρές μεταβολές ΔΙ και ΔΙ B μπορούμε Σχ A ρεύματα στο τρανζίστορ να τις ταυτίσουμε με μικρά εναλλασσόμενα σήματα i c και i b αντίστοιχα. Έτσι θεωρούμε ότι ΔΙ = i c και ΔΙ B = i b, οπότε από την (5.16) παίρνουμε i c i b (5.17) Η παραπάνω σχέση δηλώνει ενίσχυση ρεύματος όταν το ρεύμα της βάσης i b θεωρηθεί σαν το σήμα εισόδου και το κατά β φορές μεγαλύτερο σήμα i c το θεωρήσουμε σαν σήμα εξόδου. Τώρα, από την (5.10), θεωρώντας ότι το β είναι σταθερό σε μία μικρή περιοχή, θα έχουμε I E ( 1 ) I (5.18) B οπότε, σύμφωνα με τα παραπάνω i e ( 1 ) (5.19) i b Το σχ.5.9 δείχνει το τρανζίστορ στο οποίο σημειώνονται μόνο τα Α ρεύματα.

13 Σχέσεις μεταξύ ρευμάτων και τάσεων Μεταξύ του ρεύματος εκπομπού Ι Ε και της τάσης V EB, προσεγγιστικά ισχύει η διοδική σχέση I I ( e T 1) (5.20) E που γνωρίσαμε στη δίοδο. Το I ES είναι αντίστοιχο με το ρεύμα κόρου I s της διόδου. Εάν V EB >>V T, οπότε υπάρχει καλή αγωγιμότητα του τρανζίστορ, μπορούμε να παραλείψουμε τη μονάδα, έτσι ES V EB V I I e T (5.21) E Παρόμοιες σχέσεις υπάρχουν και για τα άλλα ρεύματα του τρανζίστορ. Έτσι αν θεωρήσουμε το ρεύμα της βάσης Ι Β και την τάση V BE, θα έχουμε ES V EB V I I e T (5.22) B Ακόμα, το ρεύμα του συλλέκτη I μπορεί να συνδεθεί με την τάση V BE με τη σχέση BS V BE V I I e T (5.23) δεδομένου ότι το I είναι ανάλογο του Ι Β. Οι παραπάνω σχέσεις είναι προσεγγιστικές επειδή την επαφή του εκπομπού τη θεωρήσαμε σαν μία απλή δίοδο που δεν επηρεάζεται από την επαφή του συλλέκτη. 3. Παραμόρφωση Το τρανζίστορ αποτελεί ένα στοιχείο με καλή γραμμικότητα σε ό,τι αφορά τις σχέσεις μεταξύ των ρευμάτων του, που όπως είδαμε είναι γραμμικές. Εκεί που εμφανίζονται έντονες μη-γραμμικότητες είναι στις σχέσεις των ρευμάτων με τις τάσεις στους ακροδέκτες, όπως φαίνεται από τις εκθετικές σχέσεις (5.21)-(5.23). Ας πάρουμε τη σχέση (5.23) για σύνθετα μεγέθη S V BE V

14 200 i I e S BE VT (5.24) i και υ ΒΕ και ας υποθέσουμε ότι τοποθετούμε μία πηγή διέγερσης εναλλασσόμενης τάσης υ be =V im sinωt σε σειρά με την πηγή πόλωσης V BE στο σχήμα 5.7. Για το σύνθετο ρεύμα i, επειδή υ BE =V BE +υ be, θα έχουμε όπου για το συνεχές ρεύμα θα είναι i I i I e T e c S V BE V be VT Επομένως I I e S V BE VT be i i I I e T I c V οπότε i I ( e c V im sin t VT 1 ) (5.25) Αναπτύσσουμε σε σειρά τον εκθετικό όρο και έχουμε i c 2 V im Vim I sin t (1 cos 2t) 2 (5.26) VT 4V T Θεωρούμε εδώ ότι V im <<V T. Συνεπώς τα πλάτη πέραν της δεύτερης αρμονικής τα θεωρούμε ότι είναι αμελητέα. Ο συντελεστής παραμόρφωσης της δεύτερης αρμονικής θα είναι 2 2 D V im 4 V T V im 2 (5.27) V V 4V im T T

15 201 Βλέπουμε ότι ο συντελεστής D 2 είναι ανάλογος του πλάτους του σήματος. Αν θέλουμε μία παραμόρφωση μικρότερη π.χ. από 1%, τότε θα πρέπει 1 Vim 4VT D2 426mV 1,04mV 100 Διαπιστώνουμε ότι για να επιτύχουμε τη ζητούμενη παραμόρφωση πρέπει να χρησιμοποιήσουμε πολύ μικρά σήματα εισόδου. 4. Η δυναμική αντίσταση του εκπομπού και της βάσης Όπως είδαμε προηγουμένως, μία μικρή μεταβολή ΔV EB στην τάση μεταξύ του εκπομπού και της βάσης προκαλεί μία αντίστοιχη μεταβολή ΔΙ Ε στο ρεύμα του εκπομπού. Σαν δυναμική αντίσταση μεταξύ του εκπομπού και της βάσης θα ορίσουμε το λόγο των παραπάνω μεταβολών, δηλαδή r V EB eb re (5.28) I E Σημειώνουμε ότι το ρεύμα του εκπομπού, περνώντας τον όγκο της περιοχής του βρίσκει μία ωμική αντίσταση, η οποία όμως είναι πολύ μικρή και αγνοείται. Έτσι την αντίσταση r eb την ταυτίζουμε με την αντίσταση της επαφής που γνωρίσαμε για τη δίοδο και την ονομάζουμε εδώ δυναμική αντίσταση του εκπομπού r e. Αν θέσουμε ΔV EB =υ eb και ΔΙ Ε =i e, τότε προφανώς για τα εναλλασσόμενα αυτά μεγέθη, από την (5.28) eb Από τη σχέση (5.21) με παραγώγιση βρίσκουμε ri e e (5.29) di dv E EB I ES V e V I T V T V EB E T οπότε, θέτοντας το Ι αντί του Ι Ε, που είναι κατ απόλυτο τιμή μεγέθη περίπου ίσα, από την παραπάνω σχέση βρίσκουμε για την τιμή της r e

16 202 r dv V EB T e di E I (5.30) Για την εύρεση της δυναμικής αντίστασης της βάσης, θα συσχετίσουμε το ρεύμα της βάσης i b με την τάση υ be που είναι η ίδια κατά μέτρο με την υ eb. Κάνοντας χρήση και της σχέσης (5.19) r i ( ) i r be eb e e b e 1 (5.31) Επομένως η δυναμική αντίσταση της επαφής βάσης-εκπομπού που συμβολίζεται με το r π, από τη χρήση της στο π-υβριδικό μοντέλο, θα είναι be r ( 1) re r e (5.32) ib Όπως και στην περίπτωση του εκπομπού, το ρεύμα της βάσης περνώντας τον όγκο της, βρίσκει μία ωμική αντίσταση r b, η οποία εδώ δεν πρέπει πάντοτε να θεωρείται αμελητέα. Έτσι μεταξύ του ακροδέκτη της βάσης και του εκπομπού θα βλέπουμε την αντίσταση r be, όπου r r r (5.33) be Τις παραπάνω αντιστάσεις που βλέπουμε στους ακροδέκτες του τρανζίστορ στις συνδεσμολογίες κοινής βάσης και κοινού εκπομπού δείχνει το σχ Εδώ, δεν πρέπει να θεωρούμε το κύκλωμα της εισόδου σαν μεμονωμένο, γιατί το κύκλωμα του συλλέκτη είναι κλειστό και συνεισφέρει ρεύμα στο κύκλωμα εισόδου. Έτσι βλέπουμε ότι το ρεύμα εκπομπού i e στο κύκλωμα εισόδου κοινής βάσης, διακλαδίζεται προς τη βάση με το ρεύμα i b και προς το συλλέκτη με το i c, ενώ και τα δύο αυτά ρεύματα αθροίζονται για να σχηματίσουν το ρεύμα i e που πρέπει να διαρρέει τον κάτω ακροδέκτη του κυκλώματος εισόδου. b Σχ Η αντίσταση του εκπομπού (α) και της βάσης (β).

17 Η διαγωγιμότητα g m Το ρεύμα του συλλέκτη I εξαρτάται από την τάση V όπως φαίνεται από τη σχέση (5.23). Έτσι υπάρχει μία σχέση διαγωγιμότητας μεταξύ αυτών των μεγεθών. Την ορίζουμε σαν το λόγο ΔΙ /ΔV BE, όπου οι εν λόγω μεταβολές θεωρούνται μικρές περί το σημείο λειτουργίας. Έτσι BE g m I V BE ic be (5.34) Παραγωγίζοντας τη σχέση (5.23) έχουμε ή g g m m di dv V I S e V 1 T (5.35) BE T V BE I 40 I (ma/v) (5.36) V T όπου VT0,025V. Βλέπουμε ότι η διαγωγιμότητα είναι ανάλογη του ρεύματος πόλωσης Ι. Συγκρίνοντας τις σχέσεις (5.36) και (5.30) συμπεραίνουμε ότι g m 1 r (5.37) e 5.5. ΣΥΝΔΕΣΜΟΛΟΓΙΑ ΚΟΙΝΗΣ ΒΑΣΗΣ 1. Xαρακτηριστικές εισόδου και εξόδου Στη συνδεσμολογία κοινής βάσης (σχ.5.11) τα μεγέθη της εισόδου είναι η τάση υeb και το ρεύμα i E, ενώ τα μεγέθη της εξόδου είναι η τάση υ B και το ρεύμα i. Τα μεγέθη αυτά δεν είναι ανεξάρτητα μεταξύ τους και γι αυτό οι σχέσεις τους θα απεικονίζονται γραφικά με οικογένειες καμπύλων.

18 204 Σχ Συνδεσμολογία κοινής βάσης. To σχήμα 5.12(α) δείχνει τις χαρακτηριστικές της εισόδου για ένα τρανζίστορ pnp για διάφορες τιμές της τάσης υ B. Όταν οι ακροδέκτες, B είναι ανοικτοί, η αντίστοιχη καμπύλη του ρεύματος i E σε συνάρτηση με την τάση υ ΕΒ, αποτελεί τη γνωστή χαρακτηριστική της ορθά πολωμένης διόδου, που για την περίπτωση αυτή αφορά την επαφή του εκπομπού. Για διάφορες τώρα τιμές της τάσης ανάστροφης πόλωσης του συλλέκτη, παίρνουμε αντίστοιχες καμπύλες ρεύματος-τάσης του εκπομπού. Οι καμπύλες αυτές μετατοπίζονται προς τον άξονα των εντάσεων όσο αυξάνεται απόλυτα η παράμετρος υ B. Σχ Χαρακτηριστικές καμπύλες εισόδου (α) και εξόδου (β) για ένα pnp τρανζίστορ. Οι χαρακτηριστικές εισόδου σε τρανζίστορ μικρής ισχύος, όπως είναι τα τρανζίστορ των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων, θεωρούμε ότι συμπίπτουν. Το σχήμα 5.12(β) δείχνει τις χαρακτηριστικές καμπύλες εξόδου. Η κάθε καμπύλη ρεύματος i - τάσης υ B, αντιστοιχεί σε ένα σταθερό ρεύμα εκπομπού i E. Όλη η περιοχή μεταξύ του άξονα αρνητικών τιμών του i και αρνητικών τιμών του υ B χαρακτηρίζεται σαν γραμμική περιοχή λειτουργίας του τρανζίστορ. Οι χαρακτηριστικές για τα

19 205 διάφορα i E αποτελούν ευθύγραμμα τμήματα τα οποία δεν είναι οριζόντια αλλά έ- χουν μικρή κλίση, επειδή το α αυξάνεται με την αύξηση του υ B. Οι τιμές του μέτρου του ρεύματος i διαφέρουν ελάχιστα από τις τιμές του i E, σύμφωνα με τη σχέση i ie, όπου το α είναι κοντά στη μονάδα. Οι χαρακτηριστικές αριστερά του άξονα i, όπου το υ B παίρνει μικρές θετικές τιμές, κατεβαίνουν απότομα, δεδομένου ότι η επαφή του συλλέκτη πολώνεται ορθά και δημιουργείται ένα μεγάλο θετικό ρεύμα από το συλλέκτη προς τη βάση, που μεταβάλλεται πολύ γρήγορα με την αύξηση της τάσης υ B. Το νέο αυτό ρεύμα του συλλέκτη είναι αντίθετο με το ρεύμα αi E και συνεπώς αφαιρείται απ αυτό. Η περιοχή αυτή χαρακτηρίζεται σαν περιοχή κόρου. Τέλος η περιοχή κάτω από την καμπύλη i E = 0 χαρακτηρίζεται σαν περιοχή αποκοπής. Για την τιμή του i E = 0, στο ρεύμα i απομένει η μικρή τιμή του Ι BO, γι αυτό η αντίστοιχη καμπύλη είναι σχεδόν επάνω στον άξονα των τάσεων. Επειδή οι χαρακτηριστικές καμπύλες εισόδου αναπτύσσονται γύρω από την τάση υ ΕΒ = 0,7 V, γι αυτό στην πράξη, όταν το τρανζίστορ βρίσκεται σε αγωγιμότητα, θεωρούμε ότι η τάση μεταξύ εκπομπού και βάσης είναι κατά προσέγγιση 0,7 Volt. 2. To τρανζίστορ σαν ενισχυτής Αν και τη χρήση του τρανζίστορ σαν ενισχυτή θα τη δούμε εκτενώς σε επόμενα κεφάλαια, θεωρείται απαραίτητη εδώ μια πρώτη γνωριμία με τους ενισχυτές, που αποτελούν μια από τις πολύ βασικές εφαρμογές του τρανζίστορ. Ένα κύκλωμα ενισχυτή δείχνει το σχήμα Σχ Ενισχυτής κοινής βάσης. Πόλωση του ενισχυτή Στο κύκλωμα εισόδου υπάρχει η πηγή V EE που χρησιμεύει για πόλωση, ενώ σε σειρά με την V EE υπάρχει μια Α πηγή με μηδενική εσωτερική αντίσταση που παρέχει ένα σήμα τάσης υ s, που υποθέτουμε ότι έχει μικρό πλάτος, το πολύ ίσο με 50mV. H D πηγή πόλωσης κρατάει το δυναμικό μεταξύ εκπομπού και βάσης στην

20 206 τιμή V EE, ενώ συγχρόνως δημιουργεί ένα D ρεύμα Ι Ε. Η τιμή του ρεύματος Ι Ε εξαρτάται από την τιμή της V EE, η οποία πρέπει να είναι στην περιοχή των 0,6-0,8V για να είναι αγώγιμο το τρανζίστορ, όπως φαίνεται από τις χαρακτηριστικές εισόδου του σχήματος 5.12(α). Συνήθως εκλέγουμε V EE =0,7V. Το σχήμα 5.14(α) δείχνει τη χαρακτηριστική εισόδου, στην οποία υποθέτουμε ότι για ένα τρανζίστορ μικρής ισχύος συγκεντρώνεται ολόκληρη η οικογένεια των χαρακτηριστικών, δεδομένου ότι αυτές είναι πολύ κοντά μεταξύ τους. Ο συλλέκτης συνδέεται με μια D πηγή τροφοδοσίας τάσης V, μέσω μιας αντίστασης R c, ο- πότε η επαφή του πολώνεται έτσι ανάστροφα. Σαν τάση εξόδου του ενισχυτή θεωρούμε την εναλλασσόμενη τάση υ cb μεταξύ του συλλέκτη και της βάσης. Επειδή όμως η τάση μεταξύ των δύο αυτών ακροδεκτών είναι σύνθετη, δηλαδή περιέχει μια D συνιστώσα και την Α συνιστώσα που προέρχεται από το σήμα, γι αυτό χρησιμοποιούμε ένα πυκνωτή για την απόρριψη της συνεχούς συνιστώσας. Ο πυκνωτής πρέπει να παρουσιάζει αμελητέα αντίσταση στη συχνότητα της πηγής υ s, οπότε μετά τον πυκνωτή παίρνουμε την τάση εξόδου υ ο = υ cb. Σύμφωνα με τη χαρακτηριστική εισόδου, η πηγή τάσης V EE = 0,7V καθορίζει το σημείο πόλωσης Q πού αντιστοιχεί σε ρεύμα Ι Ε = 2,5mΑ. Εάν τώρα υποθέσουμε ότι το σήμα υ s είναι 100mV(p-p), όπως δείχνει το σχήμα 6.16(α), αυτό δημιουργεί το Α ρεύμα i e λίγο παραμορφωμένο λόγω της καμπυλότητας της χαρακτηριστικής εισόδου. Από τα παραπάνω είναι προφανές ότι η ύπαρξη της τάσης πόλωσης V EE είναι απαραίτητη. Αυτή καθορίζει το σημείο πόλωσης Q γύρω από το οποίο δημιουργείται η Α συνιστώσα i e του ρεύματος εισόδου. Σχ Το μικρό σήμα εισόδου υ s προκαλεί ένα μεγάλο σήμα υο στην έξοδο του ενισχυτή. Τα διάφορα σημεία της χαρακτηριστικής εισόδου αντιστοιχούν σε σημεία απόλυτα ίσου ρεύματος πάνω στην ευθεία φόρτου.

21 207 Λειτουργία του ενισχυτή, Από το κύκλωμα εξόδου βρίσκουμε την ευθεία φόρτου. Σύμφωνα με την φορά του ρεύματος i και της τάσης τροφοδοσίας V, της οποίας τη θετική φορά ορίσαμε στο κύκλωμα του σχήματος 5.13, θα έχουμε Ri V 0 c B οπότε η εξίσωση της ευθείας φόρτου θα είναι i 1 R B c V R c (5.38) Για τάση V = -10V και R c = 2 KΩ παίρνουμε την ευθεία φόρτου που εικονίζεται στο σχήμα 5.14(β). Το σημείο τομής της με τον άξονα υ B (i =0) είναι υ B = V = -10V, ενώ το σημείο τομής με τον άξονα i (υ B =0) είναι i = V /R c = - 10V/2 KΩ = -5mA. Το σημείο πόλωσης Q πάνω στη χαρακτηριστική εισόδου, καθώς και τα ακραία σημεία q 1, q 2 που καθορίζονται από το πλάτος του σήματος υ s μεταφέρονται εύκολα πάνω στην ευθεία φόρτου, όπως δείχνει το σχήμα 5.14(β) λαμβάνοντας υπόψη ότι i E i. Παρακολουθώντας τώρα την εναλλαγή του υ s και την εναλλαγή του i e που προκύπτει, φτιάχνουμε την εναλλαγή της τάσης υ B που είναι η τάση εξόδου υ ο, όπως φαίνεται στο εν λόγω σχήμα. Ενίσχυση τάσης. Είναι φανερό ότι έχουμε μια ενίσχυση τάσης, δεδομένου ότι η υ s είναι 0,1 V(p-p) και η υ ο είναι περίπου 5,5V(p-p). Έτσι, γραφικά προσδιορίζουμε ότι 0 5,5 V( p p) A 55 s 0,1 V( p p) 5.6. ΣΥΝΔΕΣΜΟΛΟΓΙΑ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ 1. Χαρακτηριστικές εισόδου και εξόδου Η συνδεσμολογία κοινoύ εκπομπού (σχ.5.15) χρησιμοποιείται περισσό-τερο στις πρακτικές εφαρμογές επειδή μ αυτή τη διάταξη απαιτούνται μικρότερα ρεύματα εισόδου και συνεπώς έχουμε μεγαλύτερη αντίσταση εισόδου. Για npn τρανζί- η επαφή του εκπομπού πολώνεται ορθά όταν V BE >0, ενώ ανάστροφη πόλω- στορ ση της επαφής του συλλέκτη απαιτεί V B >0.

22 208 Σχ Συνδεσμολογία κοινού εκπομπού. Οι χαρακτηριστικές εισόδου που αφορούν το i B και υ BE, καθώς και οι χαρακτηριστικές εξόδου που αφορούν τα i και υ για ένα τρανζίστορ npn δίνονται στο σχήμα Όταν η τ άση μεταξύ του συλλέκτη και του εκπομπού είναι μηδενική ( υ E =0), η καμπύλη ρεύματος-τάσης εισόδου προσεγγίζει αυτήν της διόδου. Για κάθε τιμή της τάσης υ E, έχουμε μια αντίστοιχη καμπύλη εισόδου ρεύματος-τάσης που μετατοπίζεται προς μεγαλύτερες τιμές της υ BE, όταν αυξάνει η παράμετρος υ E, όπως φαίνεται στο σχήμα 5.16(α). Η περιοχή της τάσης λειτουργίας υ ΒΕ για ένα τρανζίστορ Ge είναι 0,1-0,3 Volt και για ένα τρανζίστορ Si είναι 0,5-0,8Volt. Το κάτω όριο αυτών των περιοχών είναι η τάση υ ΒΕ αποκοπής (i B =0) και το άνω όριο είναι η τάση υ ΒΕ κόρου. Και εδώ, για τρανζίστορ μικρής ισχύος, όπως είναι τα τρανζίστορ των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων, θεωρούμε ότι οι χαρακτηριστικές εισόδου είναι πολύ κοντά μεταξύ τους ώστε να θεωρούμε ότι συμπίπτουν σε μία. Η σχέση ρεύματος βάσης και τάσης βάσης-εκπομπού, όταν το τρανζίστορ ευρίσκεται σε κανονική λειτουργία, όπου υποτίθεται ότι V BΕ >5V T είναι η διοδική προσεγγιστική σχέση που ήδη έχουμε γνωρίσει B BS E BE V T i I e (5.39) Σχ Χαρακτηριστικές εισόδου (α) και εξόδου (β) ενός npn τρανζίστορ για τη συνδεσμολογία κοινού εκπομπού.

23 209 Για μικρές τιμές της υ E (προσεγγιστικά για υ E <0,2V για το Si) οι καμπύλες εισόδου παίρνουν απότομη κλίση και περνάνε από την αρχή των αξόνων. Αυτή η περιοχή των τιμών της τάσης υ E όπου συμπυκνώνονται οι καμπύλες, χαρακτηρίζεται σαν περιοχή κόρου του τρανζίστορ. Προσεγγιστικά μπορούμε να θεωρήσουμε ότι για ένα τρανζίστορ Ge το δυναμικό κόρου υ E(sat) είναι 0,1Volt και για ένα τρανζίστορ Si είναι 0,2Volt. Μία μεγέθυνση της περιοχής κόρου δείχνει το σχήμα 5.17, όπου φαίνεται καθαρά ότι οι χαρακτηριστικές δεν συμπίπτουν. Για i B =0, η αντίστοιχη χαρακτηριστική καμπύλη πλησιάζει πολύ τον άξονα υ E και σύμφωνα με τη σχέση (5.11) θα είναι I ( 1) I I Bο Eο Σχ Μεγέθυνση της περιοχής κόρου. Οι χαρακτηριστικές δεν συμπίπτουν. όπου Ι EΟ είναι το ρεύμα μεταξύ του συλλέκτη και του εκπομπού με ανοικτό τον ακροδέκτη της βάσης (i B =0). Αυτό το ρεύμα, όπως βλέπουμε, είναι (β+1) φορές μεγαλύτερο από το ρεύμα Ι BΟ. H περιοχή μεταξύ της χαρακτηριστικής i B =0 και του άξονα υ E χαρακτηρίζεται σαν περιοχή αποκοπής. Μεταξύ των δύο περιοχών κόρου και αποκοπής υπάρχει η γραμμική περιοχή λειτουργίας του τρανζίστορ. Σημειώνουμε ότι όταν το δυναμικό του συλλέκτη γίνει μικρότερο από το δυναμικό της βάσης, τότε V B <0. Στην περίπτωση αυτή η επαφή του συλλέκτη πολώνεται ορθά. Αυτό δεν σημαίνει ότι το τρανζίστορ φεύγει από τη γραμμική περιοχή λειτουργίας. Αυτό θα συμβεί όταν το V B πάρει τέτοια αρνητική τιμή ώστε V E <V E(sat). Έστω π.χ. ότι V BE =0,65V. Για να έλθει το τρανζίστορ στον κόρο θα πρέ πει

24 210 οπότε VB VBE VE ( sat ) V V ( ) V 0,2 0,65 0,45V B E sat BE Για τιμές του VB 0,45V το τρανζίστορ εισέρχεται βαθύτερα στον κόρο. Η σχέση μεταξύ του ρεύματος i και της τάσης υ BE, όταν το τρανζίστορ ευρίσκεται σε κανονική λειτουργία, είναι Σχ Λόγω του φαινομένου Early οι χαρακτηριστικές έχουν κλίση και αν προεκταθούν περνάνε όλες από το ίδιο σημείο V A. i I e S V BE T (5.40) Οι στατικές χαρακτηριστικές καμπύλες i -υ E (σχ.5.16β), που η κάθε μία από αυτές αντιστοιχεί σε ένα ρεύμα βάσης i Β, είναι κεκλιμένες ως προς τον άξονα υ E λόγω του φαινομένου Early. Η κλίση αυξάνεται με την αύξηση του i B όπως φαίνεται στο σχήμα αυτό. Αν προεκτείνουμε τις κεκλιμένες αυτές χαρακτηριστικές προς την πλευρά του αρνητικού άξονα υ E, αυτές θα συναντηθούν όλες επί του άξονα στο αυτό σημείο που ορίζει το δυναμικό Early V A (σχ.5.18). Το V A είναι θετικό για pnp τρανζίστορ και αρνητικό για npn. Η απόλυτη τιμή του είναι συνήθως στην περιοχή V.

25 ΜΟΝΤΕΛΑ ΤΟΥ ΒJT ΓΙΑ ΜΙΚΡΑ ΣΗΜΑΤΑ Η χρήση μικρών εναλλασσόμενων σημάτων επιτρέπει τη γραμμική λειτουργία του τρανζίστορ σε μικρές περιοχές γύρω από τα σημεία πόλωσής του. Τότε οι διάφορες παράμετροι θεωρούνται, ότι είναι σταθερές ποσότητες. Τα μοντέλα μικρών σημάτων πραγματοποιούνται με λίγα στοιχεία και βοηθούν πολύ στη μελέτη και τη σχεδίαση των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων. Πιο σύνθετα μοντέλα με τα οποία επιτυγχάνεται πιστότερη προσομοίωση των τρανζίστορ χρησιμοποιούνται σε υπολογιστικά προγράμματα για ακριβείς υπολογισμούς και δυνατότητα μελέτης πολύπλοκων και μεγάλης κλίμακας ηλεκτρονικών κυκλωμάτων. Παρακάτω θα περιγράψουμε το υβριδικό-h καθώς και το υβριδικό-π ισοδύναμο, που αποτελούν τα πλέον εν χρήσει μοντέλα του τρανζίστορ. Το υβριδικό-h μοντέλο αποτελείται από στοιχεία που μπορούν να προσδιορισθούν από εξωτερικές μετρήσεις ή από τις χαρακτηριστικές εισόδου και εξόδου, δεν περιέχει χωρητικόμέσες συχνότητες. Το υ- τητες και επομένως χρησιμοποιείται για τις χαμηλές και βριδικό-π μοντέλο είναι πιο κατάλληλο για τις υψηλές συχνότητες καθότι μπορεί εύκολα να περιλάβει τις εσωτερικές χωρητικότητες του τρανζίστορ. 1. Το υβριδικό-h μοντέλο Το υβριδικό-h ισοδύναμο κύκλωμα του τρανζίστορ κοινού εκπομπού παριστάνεται στο σχήμα Ο δεύτερος δείκτης e των υβριδικών παραμέτρων υποδηλώνει ότι πρόκειται για κύκλωμα κοινού εκπομπού. Σύμφωνα με όσα έχουμε αναφέρει για τα υβριδικά δίθυρα στην Σχ Υβριδικό h ισοδύναμο του τρανζίστορ για συνδεσμολογία κοινού εκπομπού. παρ/φο 1.11, οι τάσεις και τα ρεύματα συνδέονται με τις h e παραμέτρους του δικτυώματος με το παρακάτω αλγεβρικό σύστημα h i h be ie b re ce ic hfe ib hoe ce (5.41)

26 212 Μπορούμε να προσδιορίζουμε όλες τις παραμέτρους h από τις χαρακτηριστικές καμπύλες εισόδου και εξόδου του τρανζίστορ. Η τιμή των παραμέτρων θα εξαρτάται φυσικά από το σημείο, ή καλύτερα, από την περιοχή επί των χαρακτηριστικών όπου θα γίνει η μέτρηση. Έτσι, για την τιμή του h ie από την πρώτη εξίσωση των (5.41), θα έχουμε h ie be i b 0 ce Δηλαδή αν έχουμε τις μικρές μεταβολές υ be και i b, μπορούμε να βρούμε το h ie. Το υ ce = 0 στην παραπάνω σχέση σημαίνει ότι δεν πρέπει να υπάρχει μεταβολή τ άσης μεταξύ συλλέκτη και εκπομπού, δηλαδή θα πρέπει υ E = V E +υ ce = V E = σταθερό, πράγμα που σημαίνει ότι η μέτρηση γίνεται επί μιας δεδομένης χαρακτη- σημείο μιας χαρακτηριστικής εισόδου (υ ριστικής εισόδου (σχ.5.16α). Είναι ευνόητο ότι για τη μέτρηση του h ie σε κάποιο E = σταθ.), αντί των μικρών σημάτων υ be και i b μπορούμε να πάρουμε τις μικρές μεταβολές Δυ ΒΕ και Δi B που προσδιορίζουν την κλίση της χαρακτηριστικής στο δεδομένο σημείο, όπως φαίνεται στο σχήμα 5.16(α). Έτσι λοιπόν για το h ie γράφουμε h ie be i b BE 0 i. ce B E (5.42) Τ ie be ο h είναι η αντίσταση r που βλέπουμε στα άκρα ΒΕ (με βραχυκυκλωμένα τα άκρα E), επομένως, με βάση την (5.33) και αν παραλείψουμε την r b, τότε h r r (5.43) ie b h r r (5.44) ie e Παρόμοια, για το h re θα έχουμε h re be ce BE i 0 b E i B. (5.45)

27 Εδώ μετράμε τις μεταβολές Δυ ΒΕ και Δυ E με σταθερό το ρεύμα i B. Για τις δύο παραπάνω παραμέτρους, από τις χαρακτηριστικές εισόδου του σχ.5.16(α) θα έχουμε 213 hie BE 0,15V 3,75K ib E. 40 A h re BE B i B 0, 08V. 20V Αντίστοιχα προς τις παραμέτρους εισόδου, οι παράμετροι εξόδου h fe και h oe προσδιορίζονται από τις παρακάτω σχέσεις h fe i i c b i 0 i. ce B E (5.46) h oe ic ce i i 0 i. b E ε (5.47) Θεωρώντας ότι i ib, όπως έχει αναφερθεί προηγουμένως, έχουμε h fe (5.48) Για τις παραμέτρους h και h, από τις χαρακτηριστικές εξόδου του σχ.5.16(β) θα έχουμε fe h fe oe i 2,2mA 110 i. 20 A B E h oe i 1mA 0,154 K i. 6,5V E B 1 Προσεγγιστικό υβριδικό h μοντέλο Επειδή οι παράμετροι h και h έχουν πολύ μικρές τιμές, σε πολλές εφαρμογές re oe τις παραλείπουμε από το υβριδικό ισοδύναμο κύκλωμα, οπότε καταλήγουμε στο

28 214 απλοποιημένο ισοδύναμο του σχήματος Το ισοδύναμο αυτό μπορεί να χρησιμοποιηθεί για όλες τις συνδεσμολογίες του τρανζίστορ. Σχ Προσεγγιστικό ισοδύναμο του τρανζίστορ. Μεταβολή των παραμέτρων h e Οι υβριδικές παράμετροι του τρανζίστορ, όπως είδαμε, προσδιορίζονται από τις χαρακτηριστικές εισόδου και εξόδου. Η τιμή τους εξαρτάται από το σημείο εκλογής γύρω από το οποίο γίνεται η μέτρηση των παραμέτρων, γιατί οι χαρακτηριστικές καμπύλες δεν διατηρούν τα ίδια χαρακτηριστικά σε όλη την έκταση του πεδίου τιμών των μεταβλητών. Συνήθως, οι παράμετροι δίνονται σε καμπύλες για μια δεδομένη τιμή της τάσης V E με μεταβλητή το ρεύμα Ι, ή για δεδομένη τιμή του Ι με μεταβλητή την V E. Οι παράμετροι μεταβάλλονται επίσης με τη θερμοκρασία και τη συχνότητα. Το σχήμα 5.21 παρουσιάζει τη σχετική μεταβολή των h e παραμέτρων σε συνάρτηση με το ρεύμα συλλέκτη I για V =5V, T 25 o και f=1khz. O κατακό- άξονας δείχνε ι τη σχετική μεταβολή των παραμέτρων με σημείο αναφοράς E ρυφος το Ι =1mA. Έτσι βλέπουμε π.χ. ότι για Ι =20mA, το h oe γίνεται περίπου 15 φορές μεγαλύτερο από την τιμή που είχε για Ι =1mA. Παρατηρούμε ότι για μεγάλα ρεύ- τα h oe και h re παρουσιάζουν μεγάλη αύξηση. Tο σχήμα 5.22 δείχνει τη ματα σχετική μεταβολή των παραμέτρων σε συνάρτηση με τη μεταβολή της τάσης V E για Ι =1mA, T 25 o και f=1khz. Σαν σημείο αναφοράς για τις τιμές των παραμέτρων εδώ, έχει εκλεγεί η τιμή V E =5V. Διαπιστώνουμε ότι οι παράμετροι h re και h oe είναι οι πιο ευαίσθητες σε μεταβολή.

29 215 Σχ Σχετική μεταβολή των παραμέτρων h e σε συνάρτηση με τη μεταβολή του ρεύματος Ι για V E =5V, T 25 και f=1khz. Σχ Σχετική μεταβολή των παραμέτρων he σε συνάρτηση με τη μεταβολή της τάσης V για Ι =1mA, E T 25 o και f=1khz. Τα υβριδικά μοντέλα κοινής βάσης και κοινού συλλέκτη φυσικά έχουν την ίδια δομή με το μοντέλο κοινού εκπομπού του σχ.5.19 αλλά οι παράμετροι h, γενικά, διαφέρουν μεταξύ τους. Στον πίνακα 5.1 παρουσιάζονται οι σχέσεις των παραμέτρων κοινής βάσης και κοινού συλλέκτη με τις παραμέτρους κοινού εκπομπού.

30 216 ΠΙΝΑΚΑΣ 5.1 Σχέσεις μεταξύ των παραμέτρων h των διαφόρων συνδέσεων του τρανζίστορ 2. Το υβριδικό π-μοντέλο Το μοντέλο αυτό προσομοιώνει αρκετά καλά τη φυσική λειτουργία του τρανζί- στορ. Για τις χαμηλές συχνότητες έχει όπως το σχ.5.23(α). Για τις αντιστάσεις r b και r π έ χουμε αναφερθεί προηγουμένως. Στο μοντέλο έχει θεωρηθεί ένα ισοδύναμο σημείο Β μέσα στην περιοχή της βάσης κοντά στον εκπομπό, από το οποίο εκκινούν οι φορείς που προέρχονται από τον εκπομπό και πορεύονται προς τον α- κροδέκτη της βάσης. Αυτοί οι φορείς στην πορεία τους αντιμετωπίζουν την ωμική αντίσταση r b στο σώμα της βάσης που κυμαίνεται συνήθως στα όρια Ω. Η διοδική αντίσταση βάσης-εκπομπού r π είναι συνήθως στα όρια 0,5-5ΚΩ. (α) (β) Σχ Υβριδικό-π μοντέλο για τις χαμηλές συχνότητες. Σημειώνουμε και τους συμβο- λισμούς που επίσης χρησιμοποιούνται :r r, r r r r,. bb b b e, ce o b e

31 217 Η εξαρτημένη πηγή ρεύματος g m υ π είναι συνέπεια της ρευματικής σύζευξης μεταξύ των δύο επαφών του τρανζίστορ. Προφανώς, αν λάβουμε υπ όψιν μας ότι προσεγγιστικά r π =βr e, r e =1/g m και β=h fe, τότε για την πηγή ρεύματος θα έχουμε m m b fe b g g r i h i (5.49) Επομένως, πρόκειται για την ίδια πηγή ρεύματος που θεωρήσαμε στο υβριδικό-h κοινού εκπομπού. Η αντίσταση r o τοποθετείται για να απορροφήσει ένα μικρό ρεύμα, ανεξάρτητο της πηγής g m υ π, που είναι ανάλογο της τάσης υ E. Η τιμή της αντίστασης αυτής είναι το αντίστροφο της κλίσης των χαρακτηριστικών και είναι αποτέλεσμα του φαινομένου Early. Προφανώς είναι 1 ro (5.50) h Αν θεωρήσουμε μία χαρακτηριστική i -υ E που να αντιστοιχεί σε ένα ρεύμα i B, τότε προφανώς θα είναι προσεγγιστικά oe i i (5.51) B Η παραπάνω εξίσωση παριστά μία ευθεία παράλληλη προς τον άξονα των τάσεων και επομένως ανεξάρτητη από την τάση υ E. Για να συμπεριλάβουμε την κλίση που υπάρχει στη χαρακτηριστική προσθέτουμε στην (5.51) τον παράγοντα (1+λυ E ), οπότε i i (1 ) (5.52) B E Για i 0 είναι E VA, οπότε 1 V A 0 και επομένως Η κλίση της χαρακτηριστικής θα είναι 1 1 V V (5.53) A A di d E i B

32 218 και κάνοντας χρήση πάλι της (5.52) di d E i 1 E H σταθερά λ κυμαίνεται συνήθως στα όρια 0,010,03V -1. Aν θεωρήσουμε ότι 1, τότε η αντίσταση του συλλέκτη για το ρεύμα πόλωσης Ι θα δίνεται E από τη σχέση d V E 1 A o di I I r (5.54) Η r ο είναι αντιστρόφως ανάλογη του Ι. Τέλος η r μ είναι αντίσταση μεγάλης τιμής ( ΜΩ) που συνήθως παραλείπεται και είναι υπεύθυνη για την τάση ανάδρασης από το κύκλωμα εξόδου προς το κύκλωμα εισόδου. Παίζει το ρόλο του συντελεστή hre στο υβριδικό ισοδύναμο και οφείλεται και αυτή στο φαινόμενο Early. Το υβριδικό-π μοντέλο στις χαμηλές συχνότητες, όταν λείπει η αντίσταση r μ, και το υβριδικό-h, όταν αγνοείται η παράμετρος h re, δεν διαφέρoυν σε τίποτα μεταξύ τους. Οι (5.43), (5.44) και (5.49) μαζί με την (5.50) δείχνουν τις σχέσεις των παραμέτρων μεταξύ των δύο ισοδυνάμων. Πολλές φορές οι παράμετροι r b και r o παραλείπονται, οπότε έχουμε το απλοποιημένο π-μοντέλο του σχ.5.23(β). Σχ Υβριδικό-π μοντέλο του τρανζίστορ για τις υψηλές συχνότητες. Το ισοδύναμο κύκλωμα του τρανζίστορ για τις υψηλές συχνότητες γίνεται από το αντίστοιχο ισοδύναμο-π κύκλωμα για τις χαμηλές συχνότητες (σχ.5.23α), αν προσθέσουμε τις δύο χωρητικότητες π και μ όπως φαίνεται στο σχήμα Η χωρητικότητα μ είναι αυτή που εμφανίζεται σ την ανάστροφα πολωμένη επαφή του συλλέκτη και αντιστοιχεί ακριβώς στη χωρητικότητα των φορτίων χώρου της ανάστροφα πολωμένης επαφής p-n που γνωρίσαμε. Η άλλη χωρητικότητα π είναι

33 219 το άθροισμα της χωρητικότητας φορτίων χώρου της ορθά πολωμένης επαφής του εκπομπού και της χωρητικότητας διάχυσης, η οποία είναι πολύ μεγαλύτερη από τη χωρητικότητα των φορτίων χώρου. Η π κυμαίνεται συνήθως στα όρια pF και είναι πολύ μεγαλύτερη της μ, που συνήθως παίρνει τιμές στην περιοχή 1-10pF. Στο παραπάνω π-ισοδύναμο κύκλωμα, όπως συμβαίνει και στα άλλα ισοδύξαρτώνται, άλλες περισσότερο και άλλες λιγότερο, από τα ρεύματα και τις τάσεις ναμα του τρανζίστορ, οι διάφορες παράμετροι δεν παραμένουν σταθερές, αλλά ε- του τρανζίστορ ΜΕΡΙΚΕΣ ΧΡΗΣΙΜΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΤΟΥ BJT Πριν γνωρίσουμε τη χρήση των τρανζίστορ επαφής στους ενισχυτές, με τους οποίους θα ασχοληθούμε εκτενώς σε επόμενα κεφάλαια, θα μελετήσουμε μερικές άλλες πολύ χρήσιμες εφαρμογές του BJT. 1. Kαθρέπτες ρεύματος Θεμελιώδεις συνδεσμολογίες που χρησιμοποιούνται στα ολοκληρωμένα κυκλώματα για την κατασκευή πολλών βασικών μονάδων, όπως των τελεστικών ενισχυτών (Operational Amlifiers, OA), των τελεστικών ενισχυτών διαγωγιμότητας (Operational Transconductance Amlifiers, ΟΤΑ) και των μεταφορέων ρεύματος (urrent onveyors, ) φέρονται με το όνομα "καθρέπτες ρεύματος" (urrent Mirrors, M). Σ έναν καθρέπτη ρεύματος, το ρεύμα του κλάδου της εξόδου είναι πάντα ίσο με το ρεύμα του κλάδου της εισόδου, αποτελεί δηλαδή το "είδωλό" του. Μία τέτοια διάταξη δείχνει το σχ Εδώ το τρανζίστορ Τ 1 είναι συνδεδεμένο σαν δίοδος (διοδική σύνδεση). Βασική προϋπόθεση για την επιτυχία του καθρέπτη είναι η α- πόλυτη ομοιότητα των δύο τρανζίστορ Τ 1 και Τ 2, πράγμα που μπορεί να εκπληρωθεί με μεγάλη προσέγγιση στα ολοκληρωμένα κυκλώματα. Η τεχνική κατασκευής των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων επιτρέπει την κατασκευή των δομικών στοιχείων, δηλαδή των τρανζίστορ, των αντιστάσεων και των πυκνωτών, με πολύ παραπλήσια χαρακτηριστικά. Έτσι, κατασκευάζονται όμοια τρανζίστορ, και όμοιες χω- και αντιστάσεις, που η μεταξύ τους απόκλιση μπορεί να γίνει μικρότε- ρητικότητες ρη του 1%. Για τη συνδεσμολογία του σχ.5.25, επειδή η τάση V BE είναι ίδια για τα δύο τρανζίστορ, θα έχουμε ισότητα των δύο ρευμάτων των συλλεκτών, I1 I2. Έτσι, διαπιστώνουμε ότι το ρεύμα I 1 του κλάδου εισόδου θα είναι 2 I1 I2 2 IB I2(1 ) (5.55)

34 220 Σχ Απλή συνδεσμολογία ενός καθρέπτη ρεύματος. Είναι προφανές ότι όσο πιο μεγάλο είναι το β των τρανζίστορ, τόσο καλύτερη είναι η προσέγγιση μεταξύ του ρεύματος I 1 και του ειδώλου του Ι 2. Για β=200 υ- πάρχει μία απόκλιση 1% μεταξύ του I 1 και Ι 2. Μία διάταξη που παρέχει καλύτερα αποτελέσματα ως προς την προσέγγιση των δύο ρευμάτων είναι ο καθρέπτης Wilson (σχ.5.26), ο οποίος χρησιμοποιεί ένα τρίτο τρανζίστορ Τ 3 σε σειρά με το T 2. Από το σχ.5.26, εύκολα διαπιστώνουμε ότι και οπότε I I I (5.56) 1 1 B3 I I 2I I (5.57) 2 1 B B3 I I 2( I I ) (5.58) 2 1 B B3 Επειδή τα τρανζίστορ διαρρέονται από ίσα περίπου ρεύματα, τα δύο ρεύματα βάσης Ι Β και Ι Β 3 θα διαφέρουν ελάχιστα και επομένως τα δύο ρεύματα I 1 και I 2 θα είναι πολύ κοντά το ένα στο άλλο. Ας δούμε όμως καλύτερα τη μεταξύ τους προσέγγιση. Υποθέτοντας ότι τα β των τρανζίστορ είναι ίσα, από την (5.58) έχουμε

35 221 Σχ Ο καθρέπτης Wilson παρέχει καλύτερη προσέγγιση των ρευμάτων Ι 1 και Ι 2 από την απλή συνδεσμολογία. I I I I ή I I I (5.59) Από την (5.56) παίρνουμε I I I (5.60) Συνδυάζοντας τις δύο τελευταίες σχέσεις I I I I I 2 (5.61)

36 222 Από την παραπάνω σχέση βλέπουμε ότι ο συντελεστής του I 2 είναι πολύ κοντά στη 2 μονάδα αφού 2 2. Η συνδεσμολογία Wilson πλεονεκτεί έναντι της α- πλής και για έναν ακόμα λόγο. Στην απλή συνδεσμολογία, η τάση V E του T 1 είναι ίση με V BE, ενώ η V E για το T 2 μπορεί να έχει πολύ μεγαλύτερη τιμή. Σ αυτήν την περίπτωση, παρ όλο που έχουμε το ίδιο ρεύμα βάσης, λόγω της κλίσης της χα- ρακτηριστικής I E VE που οφείλεται στο φαινόμενο Early, τα ρεύματα των συλλεκτών θα παρουσιάζουν κάποια απόκλιση. Στη συνδεσμολογία Wilson διαπιστώνουμε ότι δεν υπάρχει μεγάλο πρόβλημα, δεδομένου ότι το τρανζίστορ T 2 λειτουργεί υπό τάση VE2 VBE, ενώ για το Τ 1 η τάση V E1 είναι ίση με 2V BE. Πρέπει ακόμα να προσθέσουμε ότι η εν λόγω διάταξη παρουσιάζει πιο μεγάλη αντίσταση εξόδου από την απλή διάταξη, πράγμα που είναι επιθυμητό για μια πηγή ρεύματος. Σχ O συμμετρικός καθρέπτης ρεύματος δίνει καλύτερα από τους προηγούμενους. αποτελέσματα VE Μία άλλη συνδεδμολογία που εξασφαλίζει μεγαλύτερη προσέγγιση των τάσεων των δύο τρανζίστορ δείχνει το σχ Το κύκλωμα αποτελεί ένα συμμετρικό καθρέπτη ρεύματος. 2. Ρυθμιζόμενη αμφιπολική πηγή ρεύματος Πηγές ρεύματος είναι ηλεκτρονικές διατάξεις που παρέχουν ρεύμα ανεξάρτητο από το μέγεθος του φορτίου. Χρησιμοποιούνται πολύ συχνά σε διάκριτα ή ολοκληρωμένα κυκλώματα. Το ρεύμα της πηγής μπορεί να ρυθμίζεται με κάποιο τρόπο εξωτερικά, όπως π.χ. από δυναμικό ή από αντίσταση και μπορεί ακόμα να είναι χρονικά μεταβλητό. Συνηθισμένη είναι η περίπτωση της πηγής σταθερού ρεύματος,

37 223 όπου επιδιώκεται το ρεύμα να είναι ανεξάρτητο της θερμοκρασίας και των τάσεων τροφοδοσίας. Πάντως, σε κάθε περίπτωση, το ρεύμα που παρέχει η πηγή πρέπει να είναι όσο το δυνατόν ανεξάρτητο από το φορτίο που τροφοδοτεί. Το σχ.5.28 δείχνει ένα κύκλωμα πηγής ρεύματος που μπορεί να δώσει σε φορτίο θετικό ή αρνητικό ρεύμα (αμφιπολική πηγή). Αν παραλείψουμε τα ρεύματα βάσης των τρανζίστορ και εφαρμόσουμε το θεώρημα της επαλληλίας θα έχουμε και θα είναι Έτσι, προκύπτει R 3R Vi 3V V 1 Vi VEE 4R 4R e Vi 3V V2 4 4 EE VEE VE1 VEE ( V1 VEB ) I1 R R I EE V ( V ) ( V V ) V R R E 2 EE 2 BE EE e V e V e V 1 2 i i 1 2 (5.62) Re 2Re I I I Σχ Αμφιπολική πηγή ρεύματος που ρυθμίζεται από το δυναμικό V i. Δηλαδή το ρεύμα εξόδου της πηγής ρυθμίζεται από την τάση ειδόδου V i. Το κύκλωμα αποτελεί ένα διαγωγό δεδομένου ότι το ρεύμα εξόδου είναι ανάλογο της τάσης εισόδου (Ι ο=gv i) και του συντελεστή διαγωγιμότητας G= - 1/2R e.

38 Κύκλωμα τάσης αναφοράς με μηδενικό θερμικό συντελεστή Μία πηγή τάσης μπορεί να παρέχει ρυθμιζόμενη ή σταθερή τάση στο φορτίο. Μία σταθερή τάση θεωρείται ότι αποτελεί τάση αναφοράς. Κύρια χαρακτηριστικά της πηγής τάσης είναι η μικρή της εσωτερική αντίσταση, καθώς και η ανεξαρτητοποίησή της από την τάση τροφοδοσίας και τη θερμοκρασία. Το κύκλωμα του σχ.5.29 συνδυάζει zener και διόδους που σ ένα ολοκληρωμέ- νο κύκλωμα αποτελούν διοδικά τρανζίστορ. Η zener πρέπει να λειτουργεί στην περιοχή καταιγισμού ώστε να έχει θετικό θερμικό συντελεστή. Συνήθως το δυναμι- καθορίζεται στην περιοχή 67 V. Από το σχ.5.29(α) θα κό της έχουμε V V ( R R ) I 2V (5.63) z BE 1 2 E D V V R I (5.64) o D Θέτοντας την τιμή του Ι E από την (5.57) στην (5.58) καθώς και V D =V BE, βρίσκουμε 2 E R 2 R V R o V R R R R Z V BE (5.65) Σχ Κυκλώματα για τάση αναφοράς με μηδενικό θερμικό συντελεστή.

39 225 Σημ ειώνουμε ότι η επίδραση της θερμοκρασίας στην τιμή μιας αντίστασης δεν πρέπει πάντα να αγνοείται. Στα ολοκληρωμένα κυκλώματα υπάρχουν διάφορες τεχνικές κατασκευής αντιστάσεων που παρέχουν διαφορετικούς θερμικούς συντελεστές. Οι αντιστάσεις που κατασκευάζονται με διάχυση βάσης έχουν μεταβολή της τάξης των 2.000ppm/ (2.000 μέρη στο εκατομμύριο ανά βαθμό Κελσίου, δηλαδή 0,2%/), αντιστάσεις με διάχυση εκπομπού παρουσιάζουν μεταβολή 600ppm/, με εμφύτευση ιόντων 100ppm/, ενώ οι αντιστάσεις λεπτού φιλμ παρουσιάζουν τη μικρή μεταβολή των 10ppm/. Αξιοσημείωτο είναι ότι η επίδραση της θερμοκρασίας στο λόγο δύο αντιστάσεων είναι πολύ χαμηλή, επειδή ακριβώς υπάρχει η ίδια ποσοστιαία μεταβολή στις αντιστάσεις. Στη σχέση (5.65) θεωρούμε ότι οι συντελεστές των V z και V BE είναι σταθεροί, επειδή πρόκειται για λόγο αντιστάσεων, οπότε τάσης αναφοράς θα είναι ο συντελεστής θερμοκρασίας της dv R dv 2R R dv dt R R dt R R dτ o 2 Z 2 1 BE (5.66) Θέτοντας dvo / dt 0, βρίσκουμε dvz dv R2 (2 R2 R1) dt dt BE ή R1 dvz / dt 2 (5.67) R dv / dt 2 BE Διαπιστώνουμε ότι ο λόγος των δύο αντιστάσεων είναι καθορισμένος. Έτσι αν θέσουμε dv / dt 3,0 mv /, dv / dt 2,0 mv /, V BE =0,7V και VZ Z 7V, βρίσκουμε BE R 3,0 2 3,5 1 R 2 2,0 και η τάση αναφοράς, από την (5.65), θα είναι

40 226 R1 2 1 R ,5 Vo VZ VBE 7 0,71,79V R1 R ,5 1 3,5 1 R R 2 2 Η επίδραση των μεταβολών της τάσης τροφοδοσίας είναι μικρή επειδή χρησιμοποιείται η πηγή ρεύματος που τροφοδοτεί τη zener, ενώ η αντίσταση εξόδου του κυκλώματος δεν είναι μικρή λόγω των R 1, R 2. Το σχ.5.29(β) δείχνει το ίδιο το κύκλωμα στο οποίο έχει τοποθετηθεί καθρέπτης ρεύματος που υποκαθιστά την Ι Q, ενώ το κύκλωμα αυτοπολώνεται.

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΧΑΤΖΟΠΟΥΛΟΣ ΑΡΓΥΡΗΣ ΚΟΖΑΝΗ 2005 ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΥΜΒΟΛΙΣΜΟΙ Για τον καλύτερο προσδιορισµό των µεγεθών που χρησιµοποιούµε στις εξισώσεις, χρησιµοποιούµε τους παρακάτω συµβολισµούς

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 5 Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη των

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 6.1 ΚΑΘΡΕΠΤΕΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Σε ένα καθρέπτη ρεύµατος, το ρεύµα του κλάδου της εξόδου είναι πάντα ίσο µε το ρεύµα του κλάδου της εισόδου, αποτελεί δηλαδή το είδωλο του. Μία τέτοια διάταξη δείχνει

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης reatve ommons. Για εκπαιδευτικό

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4ο ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Διπολικά τρανζίστορ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar ή BJT) είναι ένας κρύσταλλος τριών στρωμάτων με διαφορετικό επίπεδο εμπλουτισμού: τον εκπομπό Ε, τη βάση

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση των Τρανζίστορ

Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση λέμε την κατάλληλη συνεχή τάση που πρέπει να εφαρμόσουμε στο κύκλωμα που περιλαμβάνει κάποιο ηλεκτρονικό στοιχείο (π.χ τρανζίστορ), έτσι ώστε να εξασφαλίσουμε την ομαλή λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) 1 FET Δομή και λειτουργία Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ Σκοπός : 1. Γνωριμία με το τρανζίστορ. Μελέτη πόλωσης του τρανζίστορ και ευθεία φορτίου. 2. Μελέτη τρανζίστορ σε λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες): ΘΕΜΑ 1 ο ( μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: V 10V, V BE 0.7 V, Β 200 kω, 1 kω, 1 kω, β 100. (α) Να προσδιορίσετε το σημείο λειτουργίας Q (V E, I ) του τρανζίστορ. (1 μονάδα) (β)

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Δομή και λειτουργία του τρανζίστορ npn (και pnp). Ρεύμα Βάσης, Εκπομπού, Συλλέκτη. Περιοχές λειτουργίας του

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ένα ηλεκτρικό κύκλωμα αποτελείται από ένα σύνολο

Διαβάστε περισσότερα

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

Διπολικά τρανζίστορ (BJT) Διπολικά τρανζίστορ (BJT) Το τρανζίστορ npn Εκπομπός Σλλέκτης Βάση Σχηματική παράσταση το τρανζίστορ npn Περιοχές λειτοργίας διπολικού τρανζίστορ Περιοχή EBJ BJ Αποκοπή Ανάστροφα Ανάστροφα Εγκάρσια τομή

Διαβάστε περισσότερα

Διαφορικοί Ενισχυτές

Διαφορικοί Ενισχυτές Διαφορικοί Ενισχυτές Γενικά: Ο Διαφορικός ενισχυτής (ΔΕ) είναι το βασικό δομικό στοιχείο ενός τελεστικού ενισχυτή. Η λειτουργία ενός ΔΕ είναι η ενίσχυση της διαφοράς μεταξύ δύο σημάτων εισόδου. Τα αρχικά

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Σχήµα 1. Κύκλωµα DC πόλωσης ηλεκτρονικού στοιχείου Στο ηλεκτρονικό στοιχείο του σχήµατος

Διαβάστε περισσότερα

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

Διπολικά τρανζίστορ (BJT) Διπολικά τρανζίστορ (BJT) Το τρανζίστορ npn Εκπομπός Σλλέκτης Βάση Σχηματική παράσταση το τρανζίστορ npn Περιοχές λειτοργίας διπολικού τρανζίστορ Περιοχή EBJ BJ Αποκοπή Ανάστροφα Ανάστροφα Εγκάρσια τομή

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών

Διαβάστε περισσότερα

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; Ηλεκτρονικοί Υπολογιστές Κινητά τηλέφωνα Τηλεπικοινωνίες Δίκτυα Ο κόσμος της Ηλεκτρονικής Ιατρική Ενέργεια Βιομηχανία Διασκέδαση ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τι περιέχουν οι ηλεκτρονικές

Διαβάστε περισσότερα

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT)

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT) Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών & Πληροφορικής Μάθημα: Βασικά Ηλεκτρονικά Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT) Εργασία του Βασίλη Σ. Βασιλόπουλου Χειμερινό Εξάμηνο 2017-18 Πηγή:

Διαβάστε περισσότερα

του διπολικού τρανζίστορ

του διπολικού τρανζίστορ D λειτουργία - Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ ρ Παραδείγματα D ανάλυσης Παράδειγμα : Να ευρεθεί το σημείο λειτουργίας Q. Δίνονται: β00 και 0.7. Υποθέτουμε λειτουργία στην ενεργό περιοχή. 4 a 4 0 7, 3,3

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας ΔΙΟΔΟΣ Οι περισσότερες ηλεκτρονικές συσκευές όπως οι τηλεοράσεις, τα στερεοφωνικά συγκροτήματα και οι υπολογιστές χρειάζονται τάση dc για να λειτουργήσουν σωστά.

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor

Κεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor Κεφάλαιο Ένα: 1.1 Εισαγωγή Το 1951 ο William Schockley εφεύρε το πρώτο transistor επαφής, µια ηµιαγωγική διάταξη η οποία µπορεί να ενισχύσει ηλεκτρονικά σήµατα, όπως ραδιοφωνικά και τηλεοπτικά σήµατα.

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΥΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΟΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΜΕΛΕΤΗ DC ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑΣ Στο σχήμα φαίνεται ένα κύκλωμα κοινού εκπομπού από το βρόχο εισόδου Β-Ε ο νόμος του Kirchhoff δίνει: Τελικά έχουμε: I I BB B B E E BE B BB E IE

Διαβάστε περισσότερα

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k, Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ) με τα εξής χαρακτηριστικά: 3 k, 50, k, S k και V 5 α) Nα υπολογιστούν οι τιμές των αντιστάσεων β) Να επιλεγούν οι χωρητικότητες C, CC έτσι ώστε ο ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT)

Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT) Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT) Θέματα που θα καλυφθούν Δομή και συμβολισμός των διπολικών τρανζίστορ Φυσική λειτουργία διπολικού τρανζίστορ Τα ρεύματα στο τρανζίστορ Μοντέλο μεγάλο

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3ο ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΔΙΟΔΟΙ Επαφή ΡΝ Σε ένα κομμάτι κρύσταλλο πυριτίου προσθέτουμε θετικά ιόντα 5σθενούς στοιχείου για τη δημιουργία τμήματος τύπου Ν από τη μια μεριά, ενώ από την

Διαβάστε περισσότερα

Βασικές Λειτουργίες των TR

Βασικές Λειτουργίες των TR Βασικές Λειτουργίες των TR Το TR για να λειτουργήσει απαιτεί να εφαρµοστούν σε αυτό τάσεις δυναµικά για να κινηθούν µέσα σε αυτά τα αντίστοιχα ρεύµατα. Τα δυναµικά που µπορούν να εφαρµοστούν σε αυτό είναι:

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n

Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων dpapageo@cc.uoi.gr http://pc164.materials.uoi.gr/dpapageo Επαφή p n Ανάστροφη πόλωση Πολώνουμε

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Διπολικά Τρανζίστορ

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Διπολικά Τρανζίστορ ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Διπολικά Τρανζίστορ Rquird Txt: Microlctronic Dvics, Kith Lavr (5 th Chaptr) Τρανζίστορ Ανακαλύφθηκε το 1948 από τους William Shockly, John Bardn και Waltr Brattain στα εργαστήρια

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου

ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου Απαραίτητα όργανα και υλικά ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου 7. Απαραίτητα όργανα και υλικά. Τροφοδοτικό DC.. Πολύμετρα (αμπερόμετρο, βολτόμετρο).. Πλακέτα για την

Διαβάστε περισσότερα

Το διπολικό τρανζίστορ

Το διπολικό τρανζίστορ 2 4 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το διπολικό τρανζίστορ 11 ο 12 ο 13 ο 14 ο Εργαστήριο ΦΥΛΛΑ ΕΡΓΑΣΙΑΣ 3 Άσκηση 11 η. 11.1 Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ. Στόχος: Μελέτη και χάραξη των χαρακτηριστικών

Διαβάστε περισσότερα

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ Γιάννης Λιαπέρδος TI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Ιστορικά Στοιχεία Περιεχόμενα 1 Ιστορικά

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 21/01/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 21/01/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ /0/0 ΘΕΜΑ ο (5 μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: 0 Ω, Ε kω, Β 00 kω, 4 kω, L kω, e 5 kω και 00 (α) Να προσδιορίσετε την ενίσχυση τάσης (A

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1 Δομή Παρουσίασης MOSFET

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός είδους

Διαβάστε περισσότερα

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ T..I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Περιεχόμενα 4 ης ενότητας Στην τέταρτη ενότητα θα μελετήσουμε τους ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες): ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 9/0/00 ΘΕΜΑ ο ( μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: 0, 0.7, kω, 0 kω, Ε kω, L kω, β fe 00, e kω. (α) Να προσδιορίσετε τις τιμές των αντιστάσεων,

Διαβάστε περισσότερα

Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n

Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων dpapageo@cc.uoi.gr http://pc164.materials.uoi.gr/dpapageo Επαφή p n Ανάστροφη πόλωση Πολώνουμε

Διαβάστε περισσότερα

Περιεχόμενο της άσκησης

Περιεχόμενο της άσκησης Προαπαιτούμενες γνώσεις Επαφή p- Στάθμη Fermi Χαρακτηριστική ρεύματος-τάσης Ορθή και ανάστροφη πόλωση Περιεχόμενο της άσκησης Οι επαφές p- παρουσιάζουν σημαντικό ενδιαφέρον επειδή βρίσκουν εφαρμογή στη

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα 5: D λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης reative

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017 ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Λ ΜΠΙΣΔΟΥΝΗΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 6/0/07 ΘΕΜΑ ο ( μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται:

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές

Τελεστικοί Ενισχυτές Τελεστικοί Ενισχυτές Ενισχυτές-Γενικά: Οι ενισχυτές είναι δίθυρα δίκτυα στα οποία η τάση ή το ρεύμα εξόδου είναι ευθέως ανάλογη της τάσεως ή του ρεύματος εισόδου. Υπάρχουν τέσσερα διαφορετικά είδη ενισχυτών:

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτές με FET. Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Ενισχυτές με FET. Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ενισχυτές με FET Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ενισχυτές με FET Τα FET οδηγούνται με την τάση u GS ενώ τα BJT με το ρεύμα i B Μηχανισμός ενίσχυσης Για το FET η σχέση

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙΙI ΤΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 3.1 ιπολικό Τρανζίστορ 3.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1

Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3...2 ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ...2 3.1 Απόκριση συχνότητας ενισχυτών...2 3.1.1 Παραμόρφωση στους ενισχυτές...5 3.1.2 Πιστότητα των ενισχυτών...6 3.1.3

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά -1- Η τιμή της dc παραμέτρου β ενός npn transistor έχει τιμή ίση με 100. Το transistor λειτουργεί στην ενεργή περιοχή με ρεύμα συλλέκτη 1mA. Το ρεύμα βάσης έχει

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3. Σχ.3.1. Συνδεσµολογία κοινού εκποµπού (npn).

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3. Σχ.3.1. Συνδεσµολογία κοινού εκποµπού (npn). ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3 31 ΣΥΝ ΕΣΜΟΛΟΓΙΑ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ Η συνδεσµολογία κοινού εκποµπού φαίνεται στο σχήµα 31 Είναι η πιο συχνά χρησιµοποιούµενη συνδεσµολογία διότι απαιτεί µικρά ρεύµατα στην είσοδο Η είσοδος σε αυτή

Διαβάστε περισσότερα

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ 3 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το διπολικό τρανζίστορ Άσκηση 8η. Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ. 1. Πραγματοποιήστε την συνδεσμολογία του κυκλώματος του Σχ. 1α (τρανζίστορ 2Ν2219). Σχήμα

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ 5 ΧΡΟΝΙΑ ΕΜΠΕΙΡΙΑ ΣΤΗΝ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΘΕΜΑΤΑ ΟΜΑΔΑ Α Α. ια τις ημιτελείς προτάσεις Α. έως Α.4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της πρότασης και, δίπλα σε κάθε αριθμό,

Διαβάστε περισσότερα

5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ T.E.I. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 1 Περιεχόμενα 5 ης ενότητας Στην πέμπτη ενότητα θα μελετήσουμε την ανατροφοδότηση

Διαβάστε περισσότερα

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Τα πιο βασικά στοιχεία δομής των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα 6: Η A λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Το μοντέλο μικρού σήματος του τρανζίστορ. Οι παράμετροι μικρού

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 10/02/2015

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 10/02/2015 ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: /0/0 ΘΕΜΑ ο (4 μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος, στον οποίο το τρανζίστορ πολώνεται στην ενεργό περιοχή λειτουργίας του με συμμετρικές

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7: Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών

Διαβάστε περισσότερα

«Ενισχυτές με διπολικό transistor»

«Ενισχυτές με διπολικό transistor» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Ενισχυτές με διπολικό transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή Πόλωση Αρχές ενίσχυσης Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για BJT ΤΗΜΜΥ 2 Σκοπός αυτής

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΔΙΟΔΟΣ (Μάθημα 4 ο 5 ο 6 ο 7 ο ) 1/12 4 o εργαστήριο Ιδανική δίοδος n Συμβολισμός της διόδου n 2/12 4 o εργαστήριο Στατική χαρακτηριστική διόδου Άνοδος (+) Κάθοδος () Αν στην ιδανική

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ A. Πίνακες αληθείας λογικών πυλών. Στη θετική λογική το λογικό 0 παριστάνεται µε ένα χαµηλό δυναµικό, V L, ενώ το λογικό 1

Διαβάστε περισσότερα

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου. ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής Επα φής Ι VLS Technology and omputer Archtecture Lab ιπολικό ΤρανζίστορΓ. Επαφής Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής Ο τελεστικός ενισχυτής, TE (operational ampliier, op-amp) είναι ένα από τα πιο χρήσιμα αναλογικά κυκλώματα. Κατασκευάζεται ως ολοκληρωμένο κύκλωμα (integrated circuit) και

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τελεστικοί Ενισχυτές Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ο ιδανικός τελεστικός ενισχυτής Είσοδος αντιστροφής Ισοδύναμα Είσοδος μη αντιστροφής A( ) A d 2 1 2 1

Διαβάστε περισσότερα

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ ΕΠΑΦΗΣ (JFET) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού

Διαβάστε περισσότερα

Δίοδοι Ορισμός της διόδου - αρχή λειτουργίας Η δίοδος είναι μια διάταξη από ημιαγώγιμο υλικό το οποίο επιτρέπει την διέλευση ροής ρεύματος μόνο από

Δίοδοι Ορισμός της διόδου - αρχή λειτουργίας Η δίοδος είναι μια διάταξη από ημιαγώγιμο υλικό το οποίο επιτρέπει την διέλευση ροής ρεύματος μόνο από Δίοδοι Ορισμός της διόδου - αρχή λειτουργίας Η δίοδος είναι μια διάταξη από ημιαγώγιμο υλικό το οποίο επιτρέπει την διέλευση ροής ρεύματος μόνο από την μία κατεύθυνση, ανάλογα με την πόλωσή της. Κατασκευάζεται

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ). 7. Εισαγωγή στο διπολικό τρανζίστορ-ι.σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 7. TΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Ανάλογα µε το υλικό διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και 2. τρανζίστορ πυριτίου

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 12/09/2013

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 12/09/2013 ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: /09/0 ΘΕΜΑ ο (4 μονάδες Στον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος, το τρανζίστορ πολώνεται με συμμετρικές πηγές τάσης V και V των V Για το τρανζίστορ δίνονται:

Διαβάστε περισσότερα

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../. A(dB) ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ Μάθημα: Αναλογικά Ηλεκτρονικά Εισηγητής: Ηλίας Σταύρακας Θέμα 1 ο (μονάδες 3): Ακαδημαϊκό Έτος 201112 Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις :

Διαβάστε περισσότερα

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ T.E.I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 1 Περιεχόμενα 2 ης ενότητας Στην δεύτερη ενότητα θα ασχοληθούμε

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής 1. Ένα τρανζίστορ διπλής επαφής είναι πολωµένο σωστά όταν: α. Η βάση είναι σε υψηλότερο δυναµικό από τον εκποµπό και σε χαµηλότερο από το συλλέκτη β. Η βάση είναι σε χαµηλότερο

Διαβάστε περισσότερα

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ασκήσεις Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Θεσσαλονίκη, Σεπτέμβριος 2015 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό

Διαβάστε περισσότερα

ΗΥ-121: Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Γιώργος Δημητρακόπουλος. Βασικές Αρχές Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

ΗΥ-121: Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Γιώργος Δημητρακόπουλος. Βασικές Αρχές Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Πανεπιστήμιο Κρήτης Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών ΗΥ-121: Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Γιώργος Δημητρακόπουλος Άνοιξη 2008 Βασικές Αρχές Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Ηλεκτρικό ρεύμα Το ρεύμα είναι αποτέλεσμα της κίνησης

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΘΕΩΡΙΑ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΘΕΩΡΙΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΘΕΩΡΙΑ 2 Το τρανζιστορ Ορισμός Το τρανζίστορ είναι μία διάταξη στερεάς κατάστασης φτιαγμένη από ημιαγώγιμο υλικό με ακροδέκτες σε τρία ή περισσότερα σημεία τα ηλεκτρικά χαρακτηριστικά

Διαβάστε περισσότερα

Θέματα Ηλεκτρολογίας στις Πανελλαδικές. Ηλεκτρονικά

Θέματα Ηλεκτρολογίας στις Πανελλαδικές. Ηλεκτρονικά Θέματα Ηλεκτρολογίας στις Πανελλαδικές Ηλεκτρονικά ΠΑΝΕΛΛΗΝΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Γ ΤΑΞΗΣ ΗΜΕΡΗΣΙΟΥ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΠΑΡΑΣΚΕΥΗ 1 ΙΟΥΝΙΟΥ 2012 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ

ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Ηλεκτρικό κύκλωμα ονομάζεται μια διάταξη που αποτελείται από ένα σύνολο ηλεκτρικών στοιχείων στα οποία κυκλοφορεί ηλεκτρικό ρεύμα. Τα βασικά ηλεκτρικά στοιχεία είναι οι γεννήτριες,

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ 45 ίοδοι - Επαφή p-n Τα ηλεκτρονικά εξαρτήµατα κατασκευάζονται µε βάση έναν κρύσταλλο πυριτίου. Το πυρίτιο σε πολύ χαµηλή θερµοκρασία έχει τα τέσσερα ηλεκτρόνια σθένους

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Ενισχυτής κοινού εκπομπού, ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 4. Δίοδος Zener

Άσκηση 4. Δίοδος Zener ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 4 Δίοδος Zener Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη της διόδου Zener. Γίνεται μελέτη της χαρακτηριστικής

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων Στον χώρο της ηλεκτρονικής οι ενισχυτές είναι ευρέως χρησιμοποιούμενες διατάξεις με τις οποίες μπορούμε να ενισχύσουμε ένα σήμα με σχετικά μικρό πλάτος (πχ. το σήμα

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙ- ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙ- ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙ- ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΘΕΜΑΤΑ ΟΜΑΔΑ Α Α1. Για τις ημιτελείς προτάσεις Α1.1 και Α1. να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της πρότασης και δίπλα σε κάθε αριθμό το γράμμα που αντιστοιχεί

Διαβάστε περισσότερα

Ανάλυση Κυκλωμάτων. Φώτης Πλέσσας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών

Ανάλυση Κυκλωμάτων. Φώτης Πλέσσας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών Ανάλυση Κυκλωμάτων Στοιχεία Δύο Ακροδεκτών Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών Δομή Παρουσίασης Εισαγωγή Αντιστάτης Πηγές τάσης και ρεύματος Πυκνωτής

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 1: Εισαγωγή. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 1: Εισαγωγή. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα : Εισαγωγή Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Ανασκόπηση των βασικών εννοιών, κανόνων και θεωρημάτων των γραμμικών δικτυωμάτων: κανόνες

Διαβάστε περισσότερα

ρ. Λάμπρος Μπισδούνης

ρ. Λάμπρος Μπισδούνης ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής T.E.. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ιδάσκων και ώρες / αίθουσα διδασκαλίας ιδάσκων: Λάμπρος Μπισδούνης Γραφείο: Εργαστήριο Ηλεκτρονικών, ος όροφος Σ.Τ.Ε.

Διαβάστε περισσότερα

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131 Περιεχόμενα v ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1: ΔΙΟΔΟΙ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ...1 1.1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ...1 1.2 ΥΛΙΚΑ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ: Ge, Si ΚΑΙ GaAs...2 1.3 ΟΜΟΙΟΠΟΛΙΚΟΙ ΔΕΣΜΟΙ ΚΑΙ ΕΝΔΟΓΕΝΗ ΥΛΙΚΑ...3 1.4 ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΕΣ ΣΤΑΘΜΕΣ...6 1.5 ΕΞΩΓΕΝΗ

Διαβάστε περισσότερα

Διατάξεις ημιαγωγών. Δίοδος, δίοδος εκπομπής φωτός (LED) Τρανζίστορ. Ολοκληρωμένο κύκλωμα

Διατάξεις ημιαγωγών. Δίοδος, δίοδος εκπομπής φωτός (LED) Τρανζίστορ. Ολοκληρωμένο κύκλωμα Δίοδος, δίοδος εκπομπής φωτός (LED) Διατάξεις ημιαγωγών p n Άνοδος Κάθοδος Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Άνοδος Κάθοδος dpapageo@cc.uoi.gr http://pc64.materials.uoi.gr/dpapageo

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 7/0/0 ΣΕΙΡΑ Β: :00 8:0 ΘΕΜΑ ο (4 μονάδες) Ο ενισχυτής του διπλανού σχήματος περιλαμβάνει ένα τρανζίστορ τύπου npn (Q ) και ένα τρανζίστορ τύπου pnp (Q ), για τα οποία δίνονται:

Διαβάστε περισσότερα

Relay Module. Relay. Στο πλαίσιο αυτής της προσπάθειας λοιπόν, ένα relay module είναι σχεδόν σίγουρο πως θα μας χρειαστεί.

Relay Module. Relay. Στο πλαίσιο αυτής της προσπάθειας λοιπόν, ένα relay module είναι σχεδόν σίγουρο πως θα μας χρειαστεί. Relay Module PanosRCng Στην πορεία προς ένα μέλλον αυτοματισμών, όπου θα μπορούμε να ελέγχουμε τα πάντα μέσω του φιλόξενου περιβάλλοντος του προσωπικού μας υπολογιστή, ή θα μπορούμε να αναθέτουμε σε ένα

Διαβάστε περισσότερα

Ταλαντωτές. Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος 2011 Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη

Ταλαντωτές. Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος 2011 Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη Ταλαντωτές Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη Ταλαντωτές ΑΝΑΔΡΑΣΗ Στοιχεία Ταλάντωσης Ενισχυτής OUT Ταλαντωτής είναι ένα κύκλωμα που παράγει ηλεκτρικό σήμα σταθερής συχνότητας

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 6

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 6 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 6: Διπολικό τρανζίστορ (BJT) Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης

Διαβάστε περισσότερα

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing).

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Κεφάλαιο 4 Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Οι ενδείξεις (τάσεις εξόδου) των θερμοζευγών τύπου Κ είναι δύσκολο να

Διαβάστε περισσότερα

Κυκλώματα με ημιτονοειδή διέγερση

Κυκλώματα με ημιτονοειδή διέγερση Κυκλώματα με ημιτονοειδή διέγερση Κυκλώματα με ημιτονοειδή διέγερση ονομάζονται εκείνα στα οποία επιβάλλεται τάση της μορφής: = ( ω ϕ ) vt V sin t όπου: V το πλάτος (στιγμιαία μέγιστη τιμή) της τάσης ω

Διαβάστε περισσότερα

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 11: Η ημιτονοειδής διέγερση Οι διαφάνειες ακολουθούν το βιβλίο του Κων/νου Παπαδόπουλου «Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων» ISBN: 9789609371100 κωδ. ΕΥΔΟΞΟΣ: 50657177

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET)

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET) ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 7 Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET) Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η κατανόηση της λειτουργία των

Διαβάστε περισσότερα

Δίοδοι Zener. Οι Zener χρησιμοποιούνται σε ρυθμιστές τάσεως (voltage. I s regulators) δηλαδή συσκευές όπου η τάση του φορτίου

Δίοδοι Zener. Οι Zener χρησιμοποιούνται σε ρυθμιστές τάσεως (voltage. I s regulators) δηλαδή συσκευές όπου η τάση του φορτίου ontrol Systems Laboratory Δίοδοι Zener συνεχ. Οι Zener χρησιμοποιούνται σε ρυθμιστές τάσεως (voltage I s regulators) δηλαδή συσκευές όπου η τάση του φορτίου I V Z υ διατηρείται σταθερή για μία ευρεία περιοχή

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρική Ενέργεια. Ηλεκτρικό Ρεύμα

Ηλεκτρική Ενέργεια. Ηλεκτρικό Ρεύμα Ηλεκτρική Ενέργεια Σημαντικές ιδιότητες: Μετατροπή από/προς προς άλλες μορφές ενέργειας Μεταφορά σε μεγάλες αποστάσεις με μικρές απώλειες Σημαντικότερες εφαρμογές: Θέρμανση μέσου διάδοσης Μαγνητικό πεδίο

Διαβάστε περισσότερα

Περιοχή φορτίων χώρου

Περιοχή φορτίων χώρου 1. ΔΙΟΔΟΙ (ΚΑΙ ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ) 1.1. Γενικά Η δίοδος αποτελείται από έναν ημιαγωγό τύπου «p» (φορείς πλειονότητας: οπές) και έναν ημιαγωγό τύπου «n» (φορείς πλειονότητας: ηλεκτρόνια). Γύρω από την επαφή

Διαβάστε περισσότερα

4. ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΤΟΥ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΥ FOURIER

4. ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΤΟΥ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΥ FOURIER 4. ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΤΟΥ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΥ FOURIER Σκοπός του κεφαλαίου είναι να παρουσιάσει μερικές εφαρμογές του Μετασχηματισμού Fourier (ΜF). Ειδικότερα στο κεφάλαιο αυτό θα περιγραφούν έμμεσοι τρόποι

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Πάτρα 0 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Τ.Ε.Ι. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ Ενότητες του μαθήματος Η πιο συνηθισμένη επεξεργασία αναλογικών σημάτων είναι η ενίσχυση τους, που επιτυγχάνεται με

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής Ο διαφορικός ενισχυτής (differential amplifier) είναι από τα πλέον διαδεδομένα και χρήσιμα κυκλώματα στις ενισχυτικές διατάξεις. Είναι βασικό δομικό στοιχείο του τελεστικού

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ ΘΕΩΡΙΑ

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ ΘΕΩΡΙΑ ΠΡΟΛΟΓΟΣ Το παρόν βιβλίο «Ηλεκτρονικά Κυκλώματα-Θεωρία και Ασκήσεις» αποτελεί μία διευθέτηση ύλης που προέρχεται από τον Α και Β τόμο του συγγράμματος «Γενική Ηλεκτρονική» Α και Β τόμων έκδοσης 2001 και

Διαβάστε περισσότερα

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Επιµέλεια: Οµάδα Φυσικών της Ώθησης

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Επιµέλεια: Οµάδα Φυσικών της Ώθησης ΕΘΝΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 04 ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ Επιµέλεια: Οµάδα Φυσικών της Ώθησης ΟΜΑ Α ΠΡΩΤΗ ΕΘΝΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 04 Παρασκευή, 6 Ιουνίου 04 Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ Α. Για τις ημιτελείς προτάσεις Α. και Α.

Διαβάστε περισσότερα

Χαρακτηρισμός (VCVS) (VCIS) Μετατροπέας ρεύματος σε τάση (ICVS)

Χαρακτηρισμός (VCVS) (VCIS) Μετατροπέας ρεύματος σε τάση (ICVS) 6. ΓΕΝΙΚΗ ΘΕΩΡΗΣΗ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ 6.. Ενισχυτές ανοικτού βροχου (χωρίς ανάδραση) Ανεξάρτητα από την τάξη (Α, Β, C), το είδος της σύζευξης (R-C, με μετασχηματιστή, άμεση κλπ.), υπάρχουν (με κριτήριο τη χρήση

Διαβάστε περισσότερα