πρόδρομος της επιταξίας μοριακής δέσμης (ΜΒΕ).
|
|
|
- Αοιδή Ανδρεάδης
- 7 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 Εξάχνωση η απλούστερη PVD μέθοδος πρόδρομος της επιταξίας μοριακής δέσμης (ΜΒΕ). Το υπό εξάτμιση υλικό θερμαίνεται σε κατάλληλο δοχείο (boat) και οι ατμοί του συμπυκνώνονται στο ψυχρό υπόστρωμα. Η θέρμανση μπορεί να γίνει με χρήση αντίστασης, με δέσμη ηλεκτρονίων ή επαγωγικά. Τα συστήματα εξάτμισης λειτουργούν υπό κενό της τάξης των 10 7 Torr το υμένιο να είναι «απαλλαγμένο» από παραμένουσες προσμείξεις Η απόσταση πηγής υποστρώματος πρέπει να είναι μικρότερη της μέσης ελεύθερης διαδρομής των ατμών. Εξάτμιση με θέρμανση αντίστασης (resistance heating evaporation). Η μέθοδος είναι απλή, φτηνή και απαλλαγμένη από ιονίζουσα ακτινοβολία. Χρησιμοποιείται συνήθως για την ανάπτυξη υμενίων Al, Au, Pd. Ενδεικτικό σχήμα αντίστασης από W που χρησιμοποιείται για εξάτμιση Al. 2/2/11 1
2 Η χρήση συστημάτων με planetary γεωμετρία επιτρέπει την ταυτόχρονη ανάπτυξη σε περισσότερα του ενός υποστρώματα. Μειονεκτήματα : η πιθανότητα εισαγωγής προσμείξεων από την αντίσταση, η μικρή ποσότητα του υλικού που μπορεί να χρησιμοποιηθεί (περιορίζει το πάχος του υμενίου) ο μικρός χρόνος ζωής των αντιστάσεων δύσκολη η ανάπτυξη κραμάτων με ακριβή έλεγχο της στοιχειομετρίας λόγω της διαφορετικής τάσης ατμών των υπό εξάτμιση στοιχείων. Εξάτμιση με δέσμη ηλεκτρονίων (e beam evaporation). Το σύστημα περιέχει πηγή ηλεκτρονίων και σύστημα επιτάχυνσης τους ( 10kV). Η τροχιά των ηλεκτρονίων καμπυλώνεται τα e θερμαίνουν μόνον το υπό εξάτμιση υλικό και αποφεύγεται η εισαγωγή ανεπιθύμητων προσμείξεων. 2/2/11 2
3 Πλεονεκτήματα : υψηλή ταχύτητα εναπόθεσης ( 0.5μm/min), δυνατότητα εξάτμισης από περισσότερες της μίας πηγής ανάπτυξη κραμάτων μεγάλη χωρητικότητα της πηγής επί μακρόν λειτουργία του συστήματος χωρίς να είναι απαραίτητο το συχνό άνοιγμα του αντιδραστήρα («σπάσιμο» του κενού). Mειονεκτήματα η εκπομπή ιονίζουσας ακτινοβολίας, που οφείλεται στην αλληλεπίδραση των «θερμών» ηλεκτρονίων με την ύλη, είναι καταστροφική για την ποιότητα των διεπιφανειών υμενίων που χρησιμοποιούνται στην μικροηλεκτρονική. Εφαρμογές: ανάπτυξη υμενίων Al και κραμάτων του, Si, Pd, Au, Ti, Mo, Pt, W και διηλεκτρικών όπως Al2O3. Εξάτμιση με επαγωγική θέρμανση Η μέθοδος χαρακτηρίζεται από υψηλή ταχύτητα εναπόθεσης και είναι απαλλαγμένη από την παρουσία ιονίζουσας ακτινοβολίας. Όμως η χρήση του θερμαινόμενου crucible μπορεί να συμβάλλει στην εισαγωγή προσμείξεων. Σχεδιάγραμμα πηγής για εξάτμιση με επαγωγική θέρμανση. Το crucible αποτελείται από ΒΝ 2/2/11 3
4 Οι αναμενόμενες εξελίξεις στις μεθόδους CVD, sputtering και εξάτμιση. PVD CVD οι μέθοδοι CVD και PVD συγκλίνουν: Στη CVD γίνεται εκτενής χρήση πλάσματος. Τροποποίηση της εξάχνωσης & του sputtering με την εισαγωγή χημικών αντιδράσεων (reactive evaporation & sputtering). Αντιδραστήρες CVD & PVD συνδυάζονται σε ολοκληρωμένα (integrated) συστήματα παραγωγής διατάξεων. Εξάτμιση Υφίσταται ισχυρό ανταγωνισμό από τις μεθόδους CVD & sputtering. Βρίσκεται σε φθίνουσα πορεία. Sputtering Θα συνεχίσει να είναι η πιο σημαντική μέθοδος PVD στην τεχνολογία Si ολοκλήρωσης μεγάλης κλίμακος(vlsi). Πρέπει να ικανοποιήσει τις εξής απαιτήσεις/ βελτιώσει τις εξής επιδόσεις: Κατασκευή ομοιόμορφων υμενίων σε μεγαλύτερες επιφάνειες, με υψηλότερο ρυθμό απόδοσης. Βελτίωση της κάλυψης «βημάτων» (step coverage ) στην επιφάνεια. Μεγαλύτερης έκτασης αυτοματοποίηση και λειτουργία υπό συνθήκες πιο καθαρού κενού.. Βελτίωση της αξιοπιστίας (>90%). Πρέπει να αναπτυχθούν τεχνικές για τον in situ καθαρισμό μικρών επιφανειών που θα αντικαταστήσουν τον καθαρισμό επιφανειών με sputtering. Με την εξέλιξη της τεχνολογίας των πολυεπίπεδων αλληλοσυνδέσεων (multilevel interconnected technologies) θα γίνει αναγκαία η ανάπτυξη πολυστρωματικών υμενίων. 2/2/11 4
5 Ικανοποιητική step coverage Κακή step coverage Επιταξία μοριακής δέσμης Molecular beam epitaxy (MBE) (Cho & Arthur 1975) Χρησιμοποιείται για την επιταξιακή ανάπτυξη υμενίων ημιαγωγών, μονωτών ή μετάλλων. Χαρακτηριστικά της ΜΒΕ Τα υμένια αναπτύσσονται με αντιδράσεις μεταξύ μοριακών δεσμών και του θερμαινόμενου υποστρώματος. Οι μοριακές δέσμες δημιουργούνται όταν ένα αέριο που βρίσκεται υπό πίεση P διαστέλλεται μέσω ενός μικρού ανοίγματος σε περιβάλλον χαμηλότερης πίεσης. Τα άτομα /μόρια /ιόντα που συνιστούν τη δέσμη κινούνται με περίπου ίση ταχύτητα και δεν συγκρούονται μεταξύ τους. Περιβάλλον UHV P <10 9 Torr πολύ χαμηλή συγκέντρωση ανεπιθύμητων / παραμενουσών προσμείξεων. 2/2/11 5
6 Υψηλή θερμοκρασία υποστρώματος : ΤG 0.66Tm ικανοποιητική διάχυση στην επιφάνεια κατοπτρικές επιφάνειες. Η ανάπτυξη είναι βραδεία (1 monolayer/sec ή 1 μm/hr) και συμβαίνει υπό συνθήκες μακράν της θερμοδυναμικής ισορροπίας κυριαρχείται από την κινητική των αντιδράσεων στην επιφάνεια λείες, κατοπτρικές επιφάνειες. Η χημική σύσταση και η συγκέντρωση των προσμείξεων καθορίζονται από τις ταχύτητες εξάχνωσης των πηγών. Οι διεπιφάνειες είναι sharp και οι αλλαγές της χημικής σύστασης και της συγκέντρωσης των προσμείξεων ελέγχονται σε ατομικό επίπεδο (δσυναρτήσεις) αναπτύσσονται υπερδομές, κβαντικές τελείες, κβαντικά σύρματα. Πλεονεκτήματα της ΜΒΕ Περιβάλλον UHV πολύ καθαρά υλικά & δυνατότητα χαρακτηρισμού insitu real time. υποστηρίζεται από ανεξάρτητες αντλίες. Ένα εμπορικό σύστημα MBE αποτελείται από 3 τουλάχιστον θαλάμους: τον θάλαμο εισαγωγής των δειγμάτων (P<10 6 Torr), τον βοηθητικό θάλαμο χαρακτηρισμού (P<10 10 Torr) και τον θάλαμο ανάπτυξης (P<10 10Torr). Κάθε θάλαμος 2/2/11 6
7 Η μεταφορά των δειγμάτων μεταξύ των θαλάμων γίνεται υπό κενό με τη βοήθεια των transfer rods. Η επίτευξη του UHV προϋποθέτει ειδική κατασκευή των θαλάμων. Xρησιμοποιείται ατσάλι και άλλα μέταλλα με χαμηλή τάση ατμών χαμηλό outgassing στην Τ λειτουργίας (77K 1400 o C) Μικρό συντελεστή θερμικής διαστολής & καλές μηχανικές ιδιότητες. baking σε θερμοκρασία o C. Ψύξη με υγρό Ν2 (LΝ2) 2/2/11 7
8 Η διατομή θαλάμου για την ανάπτυξη κατά MBE. Τα συστήματα MBE μπορούν να αναπτυχθούν με υψηλό βαθμό πολυπλοκότητας. Ρυθμός εκρόφησης υλικών σε συστήματα κενού (mbar liter/sec cm 2 ) Fresh Al 9 x 10 9 Aluminum baked 20h at 100C 5 x SS / electropolished 2 x 10 8 / 6 x 10 9 Teflon 8 x 10 8 Viton A (fresh) 2 x /2/11 8
9 Ελάττωση της πίεσης vs t σε σύστημα UHV υπό άντληση (όγκος 100 l, αντλίες: μηχανική + turbo 200 l/s). Η περιοχή της βραδείας άντλησης (1/t) ελέγχεται από εκρόφηση αερίων από τις εσωτερικές επιφάνειες. Βελτίωση του κενού επιτυγχάνεται με bakeout. Μεταβολή της πίεσης σύστημα UHV κατά διάρκεια και μετά από bake out. Οι συνθήκες κενού για την ΜΒΕ καθορίζονται από 2 απαιτήσεις: Διατήρηση της μοριακής φύσης της δέσμης μεταξύ πηγής & υποστρώματος απουσία σκεδάσεων. Απαίτηση για χαμηλή συγκέντρωση ανεπιθύμητων προσμείξεων στο αναπτυσσόμενο υμένιο. Χρόνος ανάπτυξης 1 monolayer : 1 5 s Χρόνος απόκρισης των shutters : 0.1 s<<χρόνο ανάπτυξης 1ML 2/2/11 9
10 Η μέση ελεύθερη διαδρομή μορίων διαμέτρου d υπό πίεση p είναι 1 L όπου 2 2 nd p 14 T n L 3.11x10 2 k T pd B Προϋπόθεση : διατήρηση της μοριακής φύσης της δέσμης L > απόστασης πηγής υποστρώματος L >20 cm. Πόση πρέπει να είναι η πίεση? Παράδειγμα: ανάπτυξη GaAs pmax=10.3 Torr Η συνθήκη διατήρησης της μοριακής φύσης της δέσμης ικανοποιείται υπό συνθήκες υψηλού κενού. Γιατι χρειάζεται UHV? Την επιβάλει η συνθήκη για εξαιρετικά καθαρό κενό και την ελάχιστη συγκέντρωση παραμενουσών προσμείξεων. Στο υπόστρωμα προσπίπτουν Οι μοριακές δέσμες από τις πηγές : ροή άτομα/m 2 Αέρια που παραμένουν στον θάλαμο ανάπτυξης υπό συνθήκες άντλησης. Το πλήθος των μορίων αερίου που παραμένουν στον θάλαμο και φθάνουν στο υπόστρωμα ανά μονάδα χρόνου και επιφάνειας είναι : w i p i N A 8,33x kb MiTi pi M T μερική πίεση και Μi το μοριακό βάρος του αερίου i. i i όπου ΝΑ ο αριθμός Avogadro, pi η Π.χ. Αν υποθέσουμε ότι στον θάλαμο ανάπτυξης παραμένει N2 με Mi=2.02x10 3 kg/mole και T=300K wi=5.74x10 22 pi 2/2/11 10
11 Αν η επιφανειακή πυκνότητα του αναπτυσσόμενου υμενίου είναι m 2 ο χρόνος που απαιτείται για την ανάπτυξη ενός ατομικού στρώματος είναι: Από τις μοριακές δέσμες t1(b)= 1 sec Από τα παραμένοντα αέρια : t1( v) x10 p i Αν θέσουμε ως συνθήκη t1(beam)=10 5 t1(vapor) συνθήκες UHV. Η επίδραση της πίεσης στη μέση ελεύθερη διαδρομή Πίεση (Torr) Μέση ελεύθερη διαδρομή Arrival rate ratio mm cm m m km /2/11 11
12 Μηχανισμός ανάπτυξης κατά ΜΒΕ. Κλασσική ΜΒΕ : πηγές Knudsen (Κ cells) που έχουν σταθερότητα ροής καλύτερη του 1%. Στον θάλαμο ανάπτυξης υπάρχουν οι εξής 3 ζώνες : (1) δημιουργίας των μοριακών ζωνών, (2) ανάμειξης των δεσμών και (3) ανάπτυξης του κρυσταλλικού υμενίου. Η χρήση μηχανικών διαφραγμάτων (shutters) επιτρέπει το ταχύτατο άνοιγμα και κλείσιμο των πηγών δυνατή η ανάπτυξη υπερδομών, δ doping κλπ. Οι επιφανειακές διεργασίες που συμβάλλουν στην ανάπτυξη είναι: (1) προσρόφηση των ατόμων ή μορίων, (2) μετανάστευση στην επιφάνεια του υποστρώματος και διάσπαση των προσροφημένων σωματιδίων (species), (3) ενσωμάτωση στο πλέγμα και (4) εκρόφηση των σωματιδίων που δεν ενσωματώθηκαν στο υμένιο. Τα κύρια σημεία αλληλεπίδρασης της προσπίπτουσας δέσμης με το υπόστρωμα περιλαμβάνουν : σκαλοπάτια (steps) στην επιφάνεια του υποστρώματος, ελεύθερους δεσμούς συγγενείας, κενά κλπ. 2/2/11 12
13 Διεργασίες στην επιφάνεια του υποστρώματος που συμβάλλουν στην ανάπτυξη ΜΒΕ. C V profiles της κατανομής των φορέων σε δ doped GaAs:Be. H ΤG=600 ο C & ανόπτηση στην περιοχή ο C. Ηλεκτροχημικό CV profile σε υμένιο GaAs:Si. Φαίνεται η μεταβολή της συγκέντρωσης των προσμείξεων συναρτήσει της θερμοκρασίας των πηγών. 2/2/11 13
14 Η κατανομή των προσμείξεων GaAs:Si που αναπτύσσεται με ΜΒΕ είναι εξαιρετικά ομοιόμορφη (α) κατά μήκος της απόστασης από το κέντρο του wafer και (β) συναρτήσει του βάθους από την επιφάνεια. Κατανομή προσμείξεων σε MOCVD GaAs:Si. 2/2/11 14
15 Μodulation doped HEMT. Ο καλός έλεγχος της ανάπτυξης ΜΒΕ ανάπτυξη πολύπλοκων δομών Ενεργειακό χάσμα στοιχειακών και δυαδικών ημιαγωγών συναρτήσει της πλεγματικής σταθεράς. Τροποποιήσεις της ΜΒΕ Gas source MBE : Οι στερεές πηγές του στοιχείου της στήλης V του περιοδικού πίνακα αντικαθίσταται από υδρίδια (PH3, AsH3 κλπ) τα οποία υφίστανται θερμική διάσπαση (cracking) στους 920 ο C για δημιουργία των αντίστοιχων διμερών (π.χ. As2, P2). Η μέθοδος επιτρέπει καλύτερο έλεγχο της ανάπτυξης. 2/2/11 15
16 Σχηματικό διάγραμμα συστήματος gas source MBE. Chemical beam epitaxy ή metalogramic MBE : Aντικαθίστανται: Οι στερεές πηγές της στήλης V με υδρίδια, οι πηγές του στοιχείου ΙΙΙ με οργανομεταλλικές ενώσεις (TMAl, TEGa, TMln) που διατηρούνται στους C και διασπώνται με πυρόλυση. Η χρήση των οργανομεταλλικών επιτρέπει καλύτερο έλεγχο της ροής με mass flow controllers, απλοποιεί την αλλαγή των πηγών και την κλιμάκωση (scale up) σε συστήματα με πολλαπλά υποστρώματα. Σχηματικό διάγραμμα συστήματος για MOMBE 2/2/11 16
17 ECR MBE : Η πηγή ECR χρησιμοποιείται για τη διάσπαση των αντιδραστηρίων που δεν αντιδρούν εύκολα, π.χ. Ν2, ΝΗ3 κλπ. Εχει βρεί εκετενέστατη εφαρμογή στην ανάπτυξη των νιτριδίων των ενώσεων III V, π.χ. GaN, AlN, InN κλπ. Πλεονεκτήματα της ΜΒΕ επιτρέπει την μελέτη και κατανόηση μηχανισμών ανάπτυξης Ανάπτυξη εκτός συνθηκών ισορροπίας νέα υλικά επαναληψιμότητα ανάπτυξη πολλών διαφορετικών υλικών ατομικώς επίπεδες διεπιφάνειες περιβάλλον UHV in situ χαρακτηρισμός Real time growth monitoring 2/2/11 17
18 Μειονεκτήματα Η αντικατάσταση ανταλλακτικών και των στερεών πηγών επιβάλλει «σπάσιμο» του UHV χρονοβόρα διαδικασία Τα συστήματα MBE είναι πολύπλοκα τόσο όσον αφορά την εγκατάσταση τους όσο και τη χρήση τους. Τα συστήματα ΜΒΕ είναι ακριβά & έχουν υψηλό κόστος λειτουργίας. 2/2/11 18
Physical vapor deposition (PVD)-φυσική εναπόθεση ατμών
Physical vapor deposition (PVD)-φυσική εναπόθεση ατμών Μηχανισμός: Το υμένιο αναπτύσσεται στην επιφάνεια του υποστρώματος με διαδικασία συμπύκνωσης από τους ατμούς του. Στις μεθόδους PVD υπάγονται: Evaporation,
ΕΠΙΠΕΔΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ. αρχικό υλικό. *στάδια επίπεδης τεχνολογίας. πλακίδιο Si. *ακολουθία βημάτων που προσθέτουν ή αφαιρούν υλικά στο πλακίδιο Si
ΕΠΙΠΕΔΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ αρχικό υλικό + *στάδια επίπεδης τεχνολογίας πλακίδιο Si *ακολουθία βημάτων που προσθέτουν ή αφαιρούν υλικά στο πλακίδιο Si οξείδωση εναπόθεση διάχυση φωτολιθογραφία φωτοχάραξη Παραγωγή
Στοιχεία κενού. Η μελέτη των επιφανειών γίνεται υπό συνθήκες υπερ υψηλού κενού (UHV) (P<10 9 Torr=1.3x10 12 atm )
Στοιχεία κενού Η μελέτη των επιφανειών γίνεται υπό συνθήκες υπερ υψηλού κενού (UHV) (P
Φασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων
Φασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων Ιόντα με υψηλές ενέργειες (συνήθως Ar +, O ή Cs + ) βομβαρδίζουν την επιφάνεια του δείγματος sputtering ουδετέρων
Χαρακτηρισμός επιφανειών με
Χαρακτηρισμός επιφανειών με περίθλαση ηλεκτρονίων LEED RHEED 1 Περίθλαση ηλεκτρονίων χαμηλής ενέργειας (Low energy electron diffraction LEED). LEED In situ δομή υμενίων που αναπτύσσονται υπό συνθήκες UHV
Χαρακτηρισμός υλικών με ιόντα
Χαρακτηρισμός υλικών με ιόντα 1. Secondary ion mass spectroscopy (SIMS) Φασματοσκοπία μάζας δευτερογενών ιόντων. Rutherford backscattering (RBS) Φασματοσκοπία οπισθοσκέδασης κατά Rutherford Secondary ion
Τα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης
Τα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης Η κύριες διαφορές μεταξύ της ανάπτυξης από το τήγμα και της επιταξιακής ανάπτυξης προκύπτουν από την παρουσία του υποστρώματος και ειδικότερα τις εξής παραμέτρους:
Τα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης
Τα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης 1 Bulk versus epitaxial growth Η κύριες διαφορές μεταξύ της ανάπτυξης από το τήγμα και της επιταξιακής ανάπτυξης προκύπτουν από την παρουσία του υποστρώματος
Τα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης
Τα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης Η κύριες διαφορές μεταξύ της ανάπτυξης από το τήγμα και της επιταξιακής ανάπτυξης προκύπτουν από την παρουσία του υποστρώματος και ειδικότερα τις εξής παραμέτρους:
Ανάπτυξη υμενίων από την αέριο φάση.
Ανάπτυξη υμενίων από την αέριο φάση. 1. Chemical vapor deposition ή Vapor phase epitaxy (Χημική εναπόθεση ατμών ή επιταξία από την αέριο φάση) 2. Physical vapor deposition (PVD)-φυσική εναπόθεση ατμών
Mετασχηματισμοί διάχυσης στα στερεά / Πυρηνοποίηση στην στερεά κατάσταση. Ομογενής πυρηνοποίηση στα στερεά/μετασχηματισμοί διάχυσης.
Mετασχηματισμοί διάχυσης στα στερεά / Πυρηνοποίηση στην στερεά κατάσταση Ομογενής πυρηνοποίηση στα στερεά/μετασχηματισμοί διάχυσης. Το πρόβλημα: Ιζηματοποίηση φάσης β (πλούσια στο στοιχείο Β) από ένα υπέρκορο
Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com
1 2.4 Παράγοντες από τους οποίους εξαρτάται η αντίσταση ενός αγωγού Λέξεις κλειδιά: ειδική αντίσταση, μικροσκοπική ερμηνεία, μεταβλητός αντισ ροοστάτης, ποτενσιόμετρο 2.4 Παράγοντες που επηρεάζουν την
ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΚΤΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΕΣ ΔΙΕΡΓΑΣΙΕΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ. Περιληπτική θεωρητική εισαγωγή
ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΚΤΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΕΣ ΔΙΕΡΓΑΣΙΕΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ Περιληπτική θεωρητική εισαγωγή α) Τεχνική zchralski Η πιο συχνά χρησιμοποιούμενη τεχνική ανάπτυξης μονοκρυστάλλων πυριτίου (i), αρίστης ποιότητας,
ΣΥΝΔΥΑΣΜΟΣ ΤΗΣ ΑΝΤΙΣΤΑΣΗΣ ΔΙΑΧΥΣΗΣ ΣΤΟΥΣ ΠΟΡΟΥΣ ΜΕ ΚΙΝΗΤΙΚΗ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΚΗΣ ΑΝΤΙΔΡΑΣΗΣ
ΣΥΝΔΥΑΣΜΟΣ ΤΗΣ ΑΝΤΙΣΤΑΣΗΣ ΔΙΑΧΥΣΗΣ ΣΤΟΥΣ ΠΟΡΟΥΣ ΜΕ ΚΙΝΗΤΙΚΗ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΚΗΣ ΑΝΤΙΔΡΑΣΗΣ Παράγοντας Αποτελεσματικότητας Ειδικά για αντίδραση πρώτης τάξης, ο παράγοντας αποτελεσματικότητας ισούται προς ε = C
Κβαντικά σύρματα, κβαντικές τελείες, νανοτεχνολογία Nucleation of a Si nanowire
Ετερογενής πυρηνοποίηση Ομογενής πυρηνοποίηση συμβαίνει σπάνια γιατί σχεδόν πάντα υπάρχουν διαθέσιμες ετερογενείς θέσεις για πυρηνοποίηση (π.χ. τοιχώματα, σωματίδια προσμείξεων) που μειώνουν τη ΔG. Στόχος
Αλλαγή της δομής των ταινιών λόγω κραματοποίησης
Αλλαγή της δομής των ταινιών λόγω κραματοποίησης Παράμετροι που τροποποιούν την δομή των ταινιών Σχηματισμός κράματος ή περισσοτέρων ημιαγωγών Ανάπτυξη ετεροδομών ή υπερδομών κβαντικός περιορισμός (quantum
Αγωγιμότητα στα μέταλλα
Η κίνηση των ατόμων σε κρυσταλλικό στερεό Θερμοκρασία 0 Θερμοκρασία 0 Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων dpapageo@cc.uoi.gr http://pc164.materials.uoi.gr/dpapageo
Μέθοδοι χαρακτηρισμού επιφανειών και λεπτών υμενίων
Μέθοδοι χαρακτηρισμού επιφανειών και λεπτών υμενίων Εφαρμογές της φυσικής επιφανειών ανάπτυξη κρυστάλλων και λεπτών υμενίων, κατάλυση, διάβρωση διεπιφάνειες σε πολυστρωματικές δομές μετάλλων, ημιαγωγών
ΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΙΙ
ΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΙΙ Διδάσκων: Παπασιώπη Νυμφοδώρα Αναπληρώτρια Καθηγήτρια Ε.Μ.Π. Ενότητα 1 η : Μεταφορά θερμότητας Βασικές Αρχές Άδεια Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creative
Διεργασίες Παραγωγής Ηλεκτρονικών Υλικών Ενότητα 3: Χημικές Διεργασίες
Διεργασίες Παραγωγής Ηλεκτρονικών Υλικών Ενότητα 3: Χημικές Διεργασίες Δημήτριος Ματαράς Πολυτεχνική Σχολή Τμήμα Χημικών Μηχανικών 1 CVD Chemical Vapor Deposition Χημική Εναπόθεση Ατμών Διεργασία σχηματισμού
Ηλεκτρικη αγωγιµοτητα
Ηλεκτρικη αγωγιµοτητα Κίνηση φορτιων σε ενα υλικο υπο την επιδραση ενος εφαρμοζομενου ηλεκτρικου πεδιου Αγωγοι: μεγαλο αριθμο ελευθερων ηλεκτρονιων Στα μεταλλα, λογω μεταλλικου δεσμου, δημιουργειται μια
ΔΙΕΛΑΣΗ. Το εργαλείο διέλασης περιλαμβάνει : το μεταλλικό θάλαμο, τη μήτρα, το έμβολο και το συμπληρωματικό εξοπλισμό (δακτυλίους συγκράτησης κλπ.).
ΔΙΕΛΑΣΗ Κατά τη διέλαση (extrusion) το τεμάχιο συμπιέζεται μέσω ενός εμβόλου μέσα σε μεταλλικό θάλαμο, στο άλλο άκρο του οποίου ευρίσκεται κατάλληλα διαμορφωμένη μήτρα, και αναγκάζεται να εξέλθει από το
Αγωγιμότητα στα μέταλλα
Η κίνηση των ατόμων σε κρυσταλλικό στερεό Θερμοκρασία 0 Θερμοκρασία 0 Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων dpapageo@cc.uoi.gr http://pc164.materials.uoi.gr/dpapageo
ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ: Τεχνολογία Κατασκευής Ολοκληρωµένων Κυκλωµάτων
ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ: Τεχνολογία Κατασκευής Ολοκληρωµένων Κυκλωµάτων Required Text: Microelectronic Devices, Keith Leaver (6 th Chapter) Τεχνολογία Κατασκευής Ολοκληρωµένων Κυκλωµάτων Si SiO 2
Διαδικασίες Υψηλών Θερμοκρασιών
Διαδικασίες Υψηλών Θερμοκρασιών Θεματική Ενότητα 4: Διαδικασίες σε υψηλές θερμοκρασίες Τίτλος: Διάχυση Ονόματα Καθηγητών: Κακάλη Γλυκερία, Ρηγοπούλου Βασιλεία Σχολή Χημικών Μηχανικών Άδειες Χρήσης Το παρόν
ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΜΕΤΑΔΟΣΗ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ
ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΜΕΤΑΔΟΣΗ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ Η Επιστήμη της Θερμοδυναμικής ασχολείται με την ποσότητα της θερμότητας που μεταφέρεται σε ένα κλειστό και απομονωμένο σύστημα από μια κατάσταση ισορροπίας σε μια άλλη
Φυσική Στερεάς Κατάστασης η ομάδα ασκήσεων Διδάσκουσα Ε. Κ. Παλούρα
Φυσική Στερεάς Κατάστασης -05 η ομάδα ασκήσεων. Έστω ημιαγωγός με συγκέντρωση προσμείξεων Ν>> i. Όλες οι προσμείξεις είναι ιονισμένες και ισχύει =, p= i /. Η πρόσμειξη είναι τύπου p ή? : Όλες οι προσμείξεις
Επαφές μετάλλου ημιαγωγού
Δίοδος Schottky Επαφές μετάλλου ημιαγωγού Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τι είναι Ημιαγωγός Κατασκευάζεται με εξάχνωση μετάλλου το οποίο μεταφέρεται στην επιφάνεια
2η Εργαστηριακή Άσκηση Εξάρτηση της ηλεκτρικής αντίστασης από τη θερμοκρασία Θεωρητικό μέρος
2η Εργαστηριακή Άσκηση Εξάρτηση της ηλεκτρικής αντίστασης από τη θερμοκρασία Θεωρητικό μέρος Όπως είναι γνωστό από την καθημερινή εμπειρία τα περισσότερα σώματα που χρησιμοποιούνται στις ηλεκτρικές ηλεκτρονικές
Θερμοκρασία - Θερμότητα. (Θερμοκρασία / Θερμική διαστολή / Ποσότητα θερμότητας / Θερμοχωρητικότητα / Θερμιδομετρία / Αλλαγή φάσης)
Θερμοκρασία - Θερμότητα (Θερμοκρασία / Θερμική διαστολή / Ποσότητα θερμότητας / Θερμοχωρητικότητα / Θερμιδομετρία / Αλλαγή φάσης) Θερμοκρασία Ποσοτικοποιεί την αντίληψή μας για το πόσο ζεστό ή κρύο είναι
ΠΕΙΡΑΜΑ 4: ΑΓΩΓΗ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΣΕ ΜΟΝΤΕΛΟ ΣΠΙΤΙΟΥ [1] ΑΡΧΗ ΠΕΙΡΑΜΑΤΟΣ
![ΠΕΙΡΑΜΑ 4: ΑΓΩΓΗ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΣΕ ΜΟΝΤΕΛΟ ΣΠΙΤΙΟΥ [1] ΑΡΧΗ ΠΕΙΡΑΜΑΤΟΣ](/thumbs/62/47666793.jpg "ΠΕΙΡΑΜΑ 4: ΑΓΩΓΗ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΣΕ ΜΟΝΤΕΛΟ ΣΠΙΤΙΟΥ [1] ΑΡΧΗ ΠΕΙΡΑΜΑΤΟΣ")
ΠΕΙΡΑΜΑ 4: ΑΓΩΓΗ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΣΕ ΜΟΝΤΕΛΟ ΣΠΙΤΙΟΥ [1] ΑΡΧΗ ΠΕΙΡΑΜΑΤΟΣ Χρησιμοποιούμε ένα μοντέλο σπιτιού το οποίο διαθέτει παράθυρα/τοίχους που μπορούν να αντικατασταθούν και προσδιορίζουμε τους συντελεστές
Μη-κρυσταλλικάστερεάκαιύαλοι (non-crystalline solids and glasses)
Μη-κρυσταλλικάστερεάκαιύαλοι (non-crystalline solids and glasses) glass Ένα εύθραυστο και διαφανές υλικό Πολλά περισσότερα αλλά και δύσκολο να καθοριστεί ακριβώς Ύαλοι=μη κρυσταλλικά στερεά που παράγονται
Φυσικοί μετασχηματισμοί καθαρών ουσιών
Φυσικοί μετασχηματισμοί καθαρών ουσιών Ή εξάτμιση, η τήξη και η μετατροπή του γραφίτη σε διαμάντι αποτελούν συνηθισμένα παραδείγματα αλλαγών φάσης χωρίς μεταβολή της χημικής σύστασης. Ορισμός φάσης: Μια
Η ΕΞΙΣΩΣΗ ΤΗΣ ΤΑΧΥΤΗΤΑΣ ΓΙΑ ΚΙΝΗΤΙΚΗ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΚΗΣ ΑΝΤΙΔΡΑΣΗΣ
Η ΕΞΙΣΩΣΗ ΤΗΣ ΤΑΧΥΤΗΤΑΣ ΓΙΑ ΚΙΝΗΤΙΚΗ Λόγω του μεγάλου βιομηχανικού ενδιαφέροντος των καταλυτικών αντιδράσεων έχει καταβληθεί πολύ μεγάλη προσπάθεια για την ανάπτυξη θεωριών, από τις οποίες να είναι δυνατόν
ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑ-ΘΕΡΜΟΤΗΤΑ
ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑ-ΘΕΡΜΟΤΗΤΑ Όλη η ύλη αποτελείται από άτομα και μόρια που κινούνται συνεχώς. Με το συνδυασμό τους προκύπτουν στερεά, υγρά, αέρια ή πλάσμα, ανάλογα με κίνηση των μορίων. Το πλάσμα είναι η πλέον
ΤΡΟΠΟΙ ΔΙΑΔΟΣΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ Είναι τρείς και σχηματικά φαίνονται στο σχήμα
ΔΙΑΔΟΣΗ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΤΡΟΠΟΙ ΔΙΑΔΟΣΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ Είναι τρείς και σχηματικά φαίνονται στο σχήμα Μεταφορά Αγωγή Ακτινοβολία Ακτινοβολία ΑΓΩΓΗ (1 ΟΣ ΜΗΧΑΝΙΣΜΟΣ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ) Έστω δύο σώματα που διατηρούνται
Θέμα 1 ο (30 μονάδες)
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΧΗΜΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ-ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΛΙΚΩΝ Θέμα 1 ο (30 μονάδες) (Καθ. Β.Ζασπάλης) Θεωρείστε ένα δοκίμιο καθαρού Νικελίου
ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΚΑ Υλικα 3ο μεροσ. Θεωρητικη αναλυση
ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΚΑ Υλικα 3ο μεροσ Θεωρητικη αναλυση μεταλλα Έχουν κοινές φυσικές ιδιότητες που αποδεικνύεται πως είναι αλληλένδετες μεταξύ τους: Υψηλή φυσική αντοχή Υψηλή πυκνότητα Υψηλή ηλεκτρική και θερμική
v = 1 ρ. (2) website:
Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης Τμήμα Φυσικής Μηχανική Ρευστών Βασικές έννοιες στη μηχανική των ρευστών Μαάιτα Τζαμάλ-Οδυσσέας 17 Φεβρουαρίου 2019 1 Ιδιότητες των ρευστών 1.1 Πυκνότητα Πυκνότητα
Εισαγωγή στην Μεταφορά Θερμότητας
Εισαγωγή στην Μεταφορά Θερμότητας ΜΜΚ 312 Μεταφορά Θερμότητας Τμήμα Μηχανικών Μηχανολογίας και Κατασκευαστικής Διάλεξη 1 MMK 312 Μεταφορά Θερμότητας Κεφάλαιο 1 1 Μεταφορά Θερμότητας - Εισαγωγή Η θερμότητα
Σχεδίαση Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ενότητα Α: Τεχνολογία Σχεδίασης Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 6: Απόθεση υμενίων (στιβάδων)
Σχεδίαση Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ενότητα Α: Τεχνολογία Σχεδίασης Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 6: Απόθεση υμενίων (στιβάδων) Αραπογιάννη Αγγελική Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών. Σελίδα 2 1.
4. Παρατηρείστε το ίχνος ενός ηλεκτρονίου (click here to select an electron
Τα ηλεκτρόνια στα Μέταλλα Α. Χωρίς ηλεκτρικό πεδίο: 1. Τι είδους κίνηση κάνουν τα ηλεκτρόνια; Τα ηλεκτρόνια συγκρούονται μεταξύ τους; 2. Πόσα ηλεκτρόνια περνάνε προς τα δεξιά και πόσα προς τας αριστερά
Διαχωρισμός του Η 2 σε εμπορική μεμβράνη Pd-Cu/V
Διαχωρισμός του Η 2 σε εμπορική μεμβράνη Pd-Cu/V Δ. Κουτσονικόλας 1, Σ. Τόπης 3, Σ. Καλδής 2, Γ. Σκόδρας 1,2,3 και Γ.Π. Σακελλαρόπουλος 1,2,3 * 1 Εργαστήριο Γενικής Χημικής Τεχνολογίας, Τμήμα Χημικών Μηχανικών,
ΜΟΡΦΟΠΟΙΗΣΗ ΜΕ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΚΟΝΙΟΜΕΤΑΛΛΟΥΡΓΙΑΣ
ΜΟΡΦΟΠΟΙΗΣΗ ΜΕ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΚΟΝΙΟΜΕΤΑΛΛΟΥΡΓΙΑΣ Η πρώτη ύλη με τη μορφή σωματιδίων (κόνεως) μορφοποιείται μέσα σε καλούπια, με μηχανισμό που οδηγεί σε δομική διασύνδεση των σωματιδίων με πρόσδοση θερμότητας.
ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Σχήμα 1 Σχήμα 2 Σχήμα 3
ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Μάθημα: Φυσική Ημιαγωγών και Διατάξεων Εξεταστική Περίοδος: Ιούνιος 017 Καθηγητής: Δ. Τριάντης ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ ΘΕΜΑ 1 Ο (+=4 ΜΟΝΑΔΕΣ) Α) Θεωρούμε μια διάταξη MIS (Metal: Al, Isulator:
ΕΝΩΣΗ ΚΥΠΡΙΩΝ ΦΥΣΙΚΩΝ
ΕΝΩΣΗ ΚΥΠΡΙΩΝ ΦΥΣΙΚΩΝ 1 Η ΠΑΓΚΥΠΡΙΑ ΟΛΥΜΠΙΑ Α ΦΥΣΙΚΗΣ B ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ Κυριακή, 17 Απριλίου, 2005 Ώρα: 10:00-12:30 Προτεινόµενες Λύσεις ΜΕΡΟΣ Α 1. (α) Από το δεύτερο σχήµα, επειδή ο ζυγός ισορροπεί, προκύπτει
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΔΡ. ΒΑΣΙΛΕΙΟΣ ΜΠΙΝΑΣ. Θεωρία Κενού. FORTH / IESL / Vassilios Binas
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΔΡ. ΒΑΣΙΛΕΙΟΣ ΜΠΙΝΑΣ Θεωρία Κενού Βασικές παραδοχές της κινητικής θεωρίας αερίων Το αέριο αποτελείται από ανεξάρτητα σωμάτια ή μόρια Τα μόρια δεν είναι απειροελάχιστα μικρά συγκρούονται
Φυσική ΜΕΤΑΛΛΟΥΡΓΙΑ. Ενότητα 4: Θερμοδυναμική και Κινητική της Δομής. Γρηγόρης Ν. Χαϊδεμενόπουλος Πολυτεχνική Σχολή Μηχανολόγων Μηχανικών
Φυσική ΜΕΤΑΛΛΟΥΡΓΙΑ Ενότητα 4: Θερμοδυναμική και Κινητική της Δομής Γρηγόρης Ν. Χαϊδεμενόπουλος Πολυτεχνική Σχολή Μηχανολόγων Μηχανικών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης
ΜΗΧΑΝΙΚΗ ΤΡΟΦΙΜΩΝ. Μεταφορά θερµότητας Εναλλάκτες θερµότητας
ΜΗΧΑΝΙΚΗ ΤΡΟΦΙΜΩΝ Μεταφορά θερµότητας Εναλλάκτες θερµότητας Μεταφορά θερµότητας Για την θέρµανση ενός σώµατος (γενικότερα) ή ενός τροφίµου (ειδικότερα) απαιτείται µεταφορά θερµότητας από ένα θερµαντικό
Χημικές αντιδράσεις καταλυμένες από στερεούς καταλύτες
Χημικές αντιδράσεις καταλυμένες από στερεούς καταλύτες Σε πολλές χημικές αντιδράσεις, οι ταχύτητές τους επηρεάζονται από κάποια συστατικά τα οποία δεν είναι ούτε αντιδρώντα ούτε προϊόντα. Αυτά τα υλικά
Συνοπτική Παρουσίαση Σχέσεων για τον Προσδιορισμό του Επιφανειακού Συντελεστή Μεταφοράς της Θερμότητας.
5 η ΔΙΑΛΕΞΗ Στόχος της διάλεξης αυτής είναι η κατανόηση των διαδικασιών αλλά και των σχέσεων που χρησιμοποιούνται για τον προσδιορισμό του ρυθμού μεταφοράς θερμότητας, Q &, αλλά και του επιφανειακού συντελεστή
ΦΑΣΕΙΣ ΒΡΑΣΜΟΥ ΚΑΙ ΜΕΤΑΦΟΡΑ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ
Ο εναλλάκτης ψύξης ονομάζεται και εξατμιστής. Τούτο διότι στο εσωτερικό του λαμβάνει χώρα μετατροπή του ψυκτικού ρευστού, από υγρό σε αέριο (εξάτμιση) σε μια κατάλληλη πίεση, ώστε η αντίστοιχη θερμοκρασία
ΤΕΧΝΙΚΑ ΠΡΟΒΛΗΜΑΤΑ ΚΑΤΑ ΤΗΝ ΑΞΙΟΠΟΙΗΣΗ ΤΗΣ ΓΕΩΘΕΡΜΙΑΣ
ΤΕΧΝΙΚΑ ΠΡΟΒΛΗΜΑΤΑ ΚΑΤΑ ΤΗΝ ΑΞΙΟΠΟΙΗΣΗ ΤΗΣ ΓΕΩΘΕΡΜΙΑΣ Η αξιοποίηση της γεωθερμικής ενέργειας συναντά ορισμένα τεχνικά προβλήματα, Τα προβλήματα αυτά είναι: (α) ο σχηματισμός επικαθίσεων (ή καθαλατώσεις
Εκχύλιση Υποβοηθούμενη από Μικροκύματα. Χρήστος Παππάς - Επίκουρος καθηγητής
Micro-Wave Assisted Extraction, MWAE Πέτρος Ταραντίλης- Αναπληρωτής καθηγητής Χρήστος Παππάς - Επίκουρος καθηγητής Συμβατικές τεχνικές εκχύλισης μειονεκτήματα: 1. Απαιτούν μεγάλο όγκο οργανικού διαλύτη
Μάθημα 23 ο. Μεταλλικός Δεσμός Θεωρία Ζωνών- Ημιαγωγοί Διαμοριακές Δυνάμεις
Μάθημα 23 ο Μεταλλικός Δεσμός Θεωρία Ζωνών- Ημιαγωγοί Διαμοριακές Δυνάμεις Μεταλλικός Δεσμός Μοντέλο θάλασσας ηλεκτρονίων Πυρήνες σε θάλασσα e -. Μεταλλική λάμψη. Ολκιμότητα. Εφαρμογή δύναμης Γενική και
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΟΣ ΛΕΠΤΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ ΥΔΡΟΓΟΝΩΜΕΝΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ (Si:H) ΜΕ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ ΥΠΕΡΙΩΔΟΥΣ ΟΡΑΤΟΥ (UV/VIS)
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΟΣ ΛΕΠΤΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ ΥΔΡΟΓΟΝΩΜΕΝΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ (Si:H) ΜΕ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ ΥΠΕΡΙΩΔΟΥΣ ΟΡΑΤΟΥ (UV/VIS) Γ. Αλεξίου, Β. Περδικάρη, Π. Δημητρακέλλης, Ε. Φάρσαρη, Α. Καλαμπούνιας, Ε.Αμανατίδης και Δ.Ματαράς
Ε. Κ. ΠΑΛΟΎΡΑ Ημιαγωγοί 1. Ημιαγωγοί. Το 1931 ο Pauli δήλωσε: "One shouldn't work on. semiconductors, that is a filthy mess; who knows if they really
Ημιαγωγοί Ανακαλύφθηκαν το 190 Το 191 ο Pauli δήλωσε: "Oe should't work o semicoductors, that is a filthy mess; who kows if they really exist!" Πιο ήταν το πρόβλημα? Οι ανεπιθύμητες προσμείξεις Το 1947
ΑΡΧΕΣ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ
1 ΑΡΧΕΣ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ Προβλήματα μεταφοράς θερμότητας παρουσιάζονται σε κάθε βήμα του μηχανικού της χημικής βιομηχανίας. Ο υπολογισμός των θερμικών απωλειών, η εξοικονόμηση ενέργειας και ο σχεδιασμός
B' ΤΑΞΗ ΓΕΝ.ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΦΥΣΙΚΗ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ÅÐÉËÏÃÇ
1 B' ΤΑΞΗ ΓΕΝ.ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΜΑ 1 ο ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ Να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό κάθε µιας από τις παρακάτω ερωτήσεις 1-4 και δίπλα το γράµµα που αντιστοιχεί στη
Κεφάλαιο 20. Θερμότητα
Κεφάλαιο 20 Θερμότητα Εισαγωγή Για να περιγράψουμε τα θερμικά φαινόμενα, πρέπει να ορίσουμε με προσοχή τις εξής έννοιες: Θερμοκρασία Θερμότητα Θερμοκρασία Συχνά συνδέουμε την έννοια της θερμοκρασίας με
Εισαγωγή στην Επιστήμη των Υλικών Θερμικές Ιδιότητες Callister Κεφάλαιο 20, Ashby Κεφάλαιο 12
Εισαγωγή στην Επιστήμη των Υλικών Θερμικές Ιδιότητες Callister Κεφάλαιο 20, Ashby Κεφάλαιο 12 Πως αντιδρά ένα υλικό στην θερμότητα. Πως ορίζουμε και μετράμε τα ακόλουθα μεγέθη: Θερμοχωρητικότητα Συντελεστή
ΔΙΑΣΠΟΡΑ ΑΕΡΙΩΝ ΡΥΠΩΝ
ΔΙΑΣΠΟΡΑ ΑΕΡΙΩΝ ΡΥΠΩΝ Παράμετροι που επηρεάζουν την τυρβώδη ροή, την ταχύτητα και την διεύθυνση του ανέμου Η τριβή με το έδαφος Η κατακόρυφη κατανομή της θερμοκρασίας στην ατμόσφαιρα Η τοπογραφία και η
Χημικός & δομικός χαρακτηρισμός επιφανειών και λεπτών υμενίων
Χημικός & δομικός χαρακτηρισμός επιφανειών και λεπτών υμενίων Χημική σύσταση προσρόφηση δεσμοί Επιφάνειες Αρχικά στάδια ανάπτυξης Χωρική κατανομή Depth profiling επιφάνειες Ετερογενής πυρηνοποίηση & ανάπτυξη
Σύνοψη - Αντίσταση στη διάχυση στους πόρους
Σύνοψη - Αντίσταση στη διάχυση στους πόρους Για να βρούμε πώς η αντίσταση στους πόρους επιδρά στο ρυθμό διεργασίας, υπολογίζουμε το Μ Τ ή το Μ W, κατόπιν ευρίσκουμε το ε από τις κατάλληλες εξισώσεις, ή
ΕΝΩΣΗ ΚΥΠΡΙΩΝ ΦΥΣΙΚΩΝ
ΕΝΩΣΗ ΚΥΠΡΙΩΝ ΦΥΣΙΚΩΝ 2 Η ΠΑΓΚΥΠΡΙΑ ΟΛΥΜΠΙΑ Α ΦΥΣΙΚΗΣ Β ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ Κυριακή, 16 Απριλίου 2006 Ώρα: 10:30 13.00 Προτεινόµενες Λύσεις ΜΕΡΟΣ Α 1. α) Η πυκνότητα του υλικού υπολογίζεται από τη m m m σχέση d
ΘΕΡΜΙΚΗ ΔΙΑΣΤΟΛΗ Τα περισσότερα στερεά, υγρά και αέρια όταν θερμαίνονται διαστέλλονται. Σε αυτή την ιδιότητα βασίζεται η λειτουργία πολλών
ΘΕΡΜΙΚΗ ΔΙΑΣΤΟΛΗ ΘΕΡΜΙΚΗ ΔΙΑΣΤΟΛΗ ΘΕΡΜΙΚΗ ΔΙΑΣΤΟΛΗ ΘΕΡΜΙΚΗ ΔΙΑΣΤΟΛΗ Τα περισσότερα στερεά, υγρά και αέρια όταν θερμαίνονται διαστέλλονται. Σε αυτή την ιδιότητα βασίζεται η λειτουργία πολλών θερμομέτρων.
ΑΛΛΗΛΕΠΙΔΡΑΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΜΑΓΝΗΤΙΚΗΣ ΑΚΤΙΝΟΒΟΛΙΑΣ ΜΕ ΤΗΝ ΥΛΗ
ΑΛΛΗΛΕΠΙΔΡΑΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΜΑΓΝΗΤΙΚΗΣ ΑΚΤΙΝΟΒΟΛΙΑΣ ΜΕ ΤΗΝ ΥΛΗ Η σχέση της σ κάθε τρόπου απορρόφησης φωτονίων-γ από το νερό συναρτήσει της ενέργειας των φωτονίων φαίνεται στο σχήμα: ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΤΗΣ ΑΛΛΗΛΕΠΙΔΡΑΣΗΣ
ΝΑΝΟΥΛΙΚΑ ΚΑΙ ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΣΤΕΛΛΑ ΚΕΝΝΟΥ ΚΑΘΗΓΗΤΡΙΑ
ΣΤΕΛΛΑ ΚΕΝΝΟΥ ΚΑΘΗΓΗΤΡΙΑ 1 Ιδιότητες εξαρτώμενες από το μέγεθος Στην νανοκλίμακα, οι ιδιότητες εξαρτώνται δραματικά από το μέγεθος Για παράδειγμα, ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΝΑΝΟΥΛΙΚΩΝ (1) Θερμικές ιδιότητες θερμοκρασία
Βασικές Διεργασίες Μηχανικής Τροφίμων
Βασικές Διεργασίες Μηχανικής Τροφίμων Ενότητα 3: Ξήρανση (2/2), 1ΔΩ Τμήμα: Επιστήμης Τροφίμων και Διατροφής Του Ανθρώπου Σταύρος Π. Γιαννιώτης, Καθηγητής Μηχανικής Τροφίμων Μαθησιακοί Στόχοι Κύριοι τύποι
Τ, Κ Η 2 Ο(g) CΟ(g) CO 2 (g) Λύση Για τη συγκεκριμένη αντίδραση στους 1300 Κ έχουμε:
ΘΕΜΑΤΑ ΤΕΛΙΚΩΝ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΣΤΗ ΦΥΣΙΚΟΧΗΜΕΙΑ - ΑΣΚΗΣΕΙΣ 5-6 (Α. Χημική Θερμοδυναμική) η Άσκηση Η αντίδραση CO(g) + H O(g) CO (g) + H (g) γίνεται σε θερμοκρασία 3 Κ. Να υπολογιστεί το κλάσμα των ατμών του
Θεωρία του Sommerfeld ή jellium model (συνέχεια από το 1 ο μάθημα).
MA8HMA _08.doc Θεωρία του Sommerfeld ή jellium model (συνέχεια από το ο μάθημα). Τα e καταλαμβάνουν ενεργειακές στάθμες σύμφωνα με την αρχή του Pauli και η κατανομή τους για Τ0 δίδεται από τη συνάρτηση
ΤΕΙ ΚΑΒΑΛΑΣ ΜΕΤΑΔΟΣΗ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ
ΤΕΙ ΚΑΒΑΛΑΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧ/ΚΩΝ ΤΕΧΝ. ΠΕΤΡΕΛΑΙΟΥ ΚΑΙ Φ.Α. Τ.Ε. & ΜΗΧ/ΓΩΝ ΜΗΧ/ΚΩΝ Τ.Ε. ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΜΕΤΑΔΟΣΗ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ - ΠΡΑΞΗΣ Καθηγήτρια, Ε. ΑΠΟΣΤΟΛΙΔΟΥ 2017-2018 Άσκηση 1
Κεφάλαιο 7. Θερμοκρασία
Κεφάλαιο 7 Θερμοκρασία Θερμοδυναμική Η θερμοδυναμική περιλαμβάνει περιπτώσεις όπου η θερμοκρασία ή η κατάσταση ενός συστήματος μεταβάλλονται λόγω μεταφοράς ενέργειας. Η θερμοδυναμική ερμηνεύει με επιτυχία
Διάχυση και εφαρμογές. Αυτο-διάχυση (self-diffusion), π.χ. διάχυση ραδιενεργών ισοτόπων.
Διάχυση και εφαρμογές. Βαθμίδα συγκέντρωσης φαινόμενα μεταφοράς μάζης ή διάχυσης Αυτο-διάχυση (self-diffusion), π.χ. διάχυση ραδιενεργών ισοτόπων. Στην τεχνολογία υλικών οι βαθμίδες συγκέντρωσης χρησιμοποιούνται
Από πού προέρχεται η θερμότητα που μεταφέρεται από τον αντιστάτη στο περιβάλλον;
3. ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΕΝΕΡΓΕΙΑ Ένα ανοικτό ηλεκτρικό κύκλωμα μετατρέπεται σε κλειστό, οπότε διέρχεται από αυτό ηλεκτρικό ρεύμα που μεταφέρει ενέργεια. Τα σπουδαιότερα χαρακτηριστικά της ηλεκτρικής ενέργειας είναι
Μαρία Κωνσταντίνου. Τρίτη Διάλεξη ΟΙ ΤΡΕΙΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΕΙΣ ΤΗΣ ΥΛΗΣ ΚΑΙ ΟΙ ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΤΟΥΣ. Στη φύση τα σώματα κατατάσσονται σε τρεις κατηγορίες:
Τρίτη Διάλεξη ΟΙ ΤΡΕΙΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΕΙΣ ΤΗΣ ΥΛΗΣ ΚΑΙ ΟΙ ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΤΟΥΣ Στη φύση τα σώματα κατατάσσονται σε τρεις κατηγορίες: ΥΛΙΚΑ ΣΩΜΑΤΑ Στερεά Υγρά Αέρια ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΣΤΕΡΕΩΝ 1. Έχουν συγκεκριμένο όγκο 2. Έχουν
Νανοϋλικά και νανοτεχνολογία/ Κεφάλαιο 1: Μέθοδοι παραγωγής νανοϋλικών
Νανοϋλικά και νανοτεχνολογία Κεφάλαιο 1: Μέθοδοι παραγωγής νανοϋλικών Κώστας Γαλιώτης, καθηγητής Τμήμα Χημικών Μηχανικών galiotis@chemeng.upatras.gr 1 Ενότητα 4: Μέθοδοι παραγωγής νανουλικών: Top-down
ΑΣΚΗΣΗ 8 ΚΕΡΑΜΙΚΑ ΥΜΕΝΙΑ (Τεχνολογίες επίστρωσης από διαλύματα και αιωρήματα για την εφαρμογή κεραμικών επιστρωμάτων)
ΑΣΚΗΣΗ 8 ΚΕΡΑΜΙΚΑ ΥΜΕΝΙΑ (Τεχνολογίες επίστρωσης από διαλύματα και αιωρήματα για την εφαρμογή κεραμικών επιστρωμάτων) Στάδια της μεθόδου επικάλυψης dip-coating. Α εμβάπτιση στο διάλυμα. Β, σχηματισμός
Εισαγωγή στην πυρηνοποίηση. http://users.auth.gr/~paloura/ Ομο- & ετερογενής πυρηνοποίηση: αρχικά στάδια ανάπτυξης υλικών ή σχηματισμού νέας φάσης.
Εισαγωγή στην πυρηνοποίηση. http://users.auth.gr/~paloura/ Αντικείμενο Ομο- & ετερογενής πυρηνοποίηση: αρχικά στάδια ανάπτυξης υλικών ή σχηματισμού νέας φάσης. Ομογενής πυρηνοποίηση: αυθόρμητος σχηματισμός
Επίπλευση με αέρα (Dissolved Air Flotation)
Επίπλευση με αέρα (Dissolved Air Flotation) Προσκόλληση των στερεών σε αιώρηση πάνω σε ανερχόμενες φυσαλλίδες αέρα Πολλές και μικρές Αποσυμπίεση αέρα από υψηλότερη πίεση στην ατμοσφαιρική Σύγκρουση φυσαλλίδων/στερεών
ΚΑΤΑΛΥΤΙΚΆ ΥΛΙΚΆ. 1. Παρασκευή Στηριγμένων Καταλυτών. 2. Χαρακτηρισμός Καταλυτών
ΚΑΤΑΛΥΤΙΚΆ ΥΛΙΚΆ 1. Παρασκευή Στηριγμένων Καταλυτών 2. Χαρακτηρισμός Καταλυτών Παρασκευή Στηριγμένων Καταλυτών Τεχνικές Εμποτισμού Ξηρός Εμποτισμός Υγρός Εμποτισμός Απλός Εμποτισμός Εναπόθεση - Καθίζηση
ΣΧΟΛΗ ΕΜΦΕ ΤΟΜΕΑΣ ΦΥΣΙΚΗΣ ΕΑΡΙΝΟ ΕΞΑΜΗΝΟ Φυσική Συμπυκνωμένης Ύλης (Ενότητα: Ημιαγωγοί) Ασκήσεις Ι. Ράπτης
Q ολικό () ΣΧΟΛΗ ΕΜΦΕ ΤΟΜΕΑΣ ΦΥΣΙΚΗΣ ΕΑΡΙΝΟ ΕΞΑΜΗΝΟ 016-17 Φυσική Συμπυκνωμένης Ύλης (Ενότητα: Ημιαγωγοί) Ασκήσεις Ι. Ράπτης 1. Κρύσταλλος πυριτίου ( g 1.17 1170 ) νοθεύεται με προσμίξεις αρσενικού ( 40
1.1 Ηλεκτρονικές ιδιότητες των στερεών. Μονωτές και αγωγοί
1. Εισαγωγή 1.1 Ηλεκτρονικές ιδιότητες των στερεών. Μονωτές και αγωγοί Από την Ατομική Φυσική είναι γνωστό ότι οι επιτρεπόμενες ενεργειακές τιμές των ηλεκτρονίων είναι κβαντισμένες, όπως στο σχήμα 1. Σε
Διαδικασίες Υψηλών Θερμοκρασιών
Διαδικασίες Υψηλών Θερμοκρασιών Θεματική Ενότητα 4: Διαδικασίες σε υψηλές θερμοκρασίες Τίτλος: Διαδικασίες μετασχηματισμού των φάσεων Ονόματα Καθηγητών: Κακάλη Γλυκερία, Ρηγοπούλου Βασιλεία Σχολή Χημικών
Νανοηλεκτρονικές Διατάξεις Π. Φωτόπουλος ΠΑΔΑ
1. Απεικονίστε την διαδρομή του ηλεκτρονίου στην αγωγή με σκέδαση και στην βαλλιστική αγωγή. Υπολογίστε τι μήκος πρέπει να έχει ένας αγωγός GaAs ώστε η αγωγή να γίνεται βαλλιστικά Δίνεται: η ευκινησία
Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο
Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο Μιχάλης Κομπίτσας Εθνικό Ίδρυμα Ερευνών, Ινστιτούτο Θεωρ./Φυσικής Χημείας (www.laser-applications.eu) 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΤΗΣ ΟΜΙΛΙΑΣ 1.
ΘΕΡΜΟΔΥΝΑΜΙΚΗ. Χαροκόπειο Πανεπιστήμιο. 11 Μαΐου 2006
ΘΕΡΜΟΔΥΝΑΜΙΚΗ Χαροκόπειο Πανεπιστήμιο 11 Μαΐου 2006 Κλάδοι της Θερμοδυναμικής Χημική Θερμοδυναμική: Μελετά τις μετατροπές ενέργειας που συνοδεύουν φυσικά ή χημικά φαινόμενα Θερμοχημεία: Κλάδος της Χημικής
Προχωρηµένη Ανόργανη Χηµεία - Εργαστηριακές Ασκήσεις
Γ. Κακάλη, Αν. Καθ. Ε.Μ.Π. Α. Γάκη, Χηµ. Μηχ. ΕΜΠ Προχωρηµένη Ανόργανη Χηµεία - Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΣΚΗΣΗ 6 Παρασκευή ασβεσταργιλικών ενώσεων µε τη µέθοδο πολυµερισµού αρχικών διαλυµάτων και τη χρήση
ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΑΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΦΥΣΙΚΗΣ Π.Φ. ΜΟΙΡΑ ΕΝΤΡΟΠΙΑ ΛΥΜΕΝΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ
ΕΝΤΡΟΠΙΑ ΛΥΜΕΝΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ 1 ΑΣΚΗΣΗ 1 Το δοχείο του σχήματος είναι απομονωμένο (αδιαβατικά τοιχώματα). Το διάφραγμα χωρίζει το δοχείο σε δύο μέρη. Το αριστερό μέρος έχει όγκο 1 και περιέχει ιδανικό αέριο
Ανάλυση: όπου, με αντικατάσταση των δεδομένων, οι ζητούμενες απώλειες είναι: o C. 4400W ή 4.4kW 0.30m Συζήτηση: ka ka ka dx x L
Κεφάλαιο 1 Εισαγωγικές Έννοιες της Μετάδοσης Θερμότητας ΛΥΜΕΝΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΆΣΚΗΣΗ 1.1 Ένα διαχωριστικό τοίχωμα σκυροδέματος, επιφάνειας 30m, διαθέτει επιφανειακές θερμοκρασίες 5 ο C και 15 ο C, ενώ έχει
ΚΛΑΣΜΑΤΙΚΗ ΑΠΟΣΤΑΞΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗ ΦΥΣΙΚΩΝ ΔΙΕΡΓΑΣΙΩΝ ΙΙ. Μ. Κροκίδα
ΜΗΧΑΝΙΚΗ ΦΥΣΙΚΩΝ ΔΙΕΡΓΑΣΙΩΝ ΙΙ Μ. Κροκίδα ΚΛΑΣΜΑΤΙΚΗ ΑΠΟΣΤΑΞΗ ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΧΗΜΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΕΡΓ. ΣΕΔΙΑΣΜΟΥ & ΑΝΑΛΥΣΗΣ ΔΙΕΡΓΑΣΙΩΝ Διαφορική (batch) Rectifying column Stripping column
ΓΕΝΙΚΟΤΕΡΕΣ ΜΟΡΦΕΣ ΤΗΣ ΥΔΡΟΣΤΑΤΙΚΗΣ ΕΞΙΣΩΣΗΣ (πραγματική ατμόσφαιρα)
ΓΕΝΙΚΟΤΕΡΕΣ ΜΟΡΦΕΣ ΤΗΣ ΥΔΡΟΣΤΑΤΙΚΗΣ ΕΞΙΣΩΣΗΣ (πραγματική ατμόσφαιρα) Υδροστατική εξίσωση: ( ρ = Nm) dp( ) = ρ( ) g( ) d N( ) m( ) g( ) d () Εξίσωση τελείων αερίων: p( ) = kn( ) T( ) (2) dp () + (2) ( )
ΧΗΜΕΙΑ Α ΛΥΚΕΙΟΥ. ΚΕΦ.3.1: ΧΗΜΙΚΕΣ ΑΝΤΙΔΡΑΣΕΙΣ (α)
ΚΕΦ.3.1: ΧΗΜΙΚΕΣ ΑΝΤΙΔΡΑΣΕΙΣ (α ΧΗΜΙΚΕΣ ΑΝΤΙΔΡΑΣΕΙΣ είναι οι μεταβολές κατά τις οποίες από κάποια αρχικά σώματα (αντιδρώντα παράγονται νέα σώματα (προϊόντα. CO 2 O γλυκόζη (Φωτοσύνθεση Σάκχαρα αλκοόλη
5. Θερμικές τάσεις και παραμορφώσεις
5. Θερμικές τάσεις και παραμορφώσεις Κώστας Γαλιώτης, καθηγητής Τμήμα Χημικών Μηχανικών 5. Θερμικές Τάσεις και Παραμορφώσεις/ Μηχανική Υλικών 2015 1 Περιεχόμενα ενότητας Επίδραση ορθών τάσεων στη μεταβολή
Εισαγωγή Σε Ολοκληρωµένα Κυκλώµατα (Microchips) Αναλογικά ή Ψηφιακά Κυκλώµατα;
Εισαγωγή Σε Ολοκληρωµένα Κυκλώµατα (Microchips) ρ. Ιούλιος Γεωργίου Further Reading Texts: Design of Analog CMOS Integrated Circuits Behzad Razavi Microelectronic Circuits, Sedra & Smith Αναλογικά ή Ψηφιακά
Χαρακτηρισμός και μοντέλα τρανζίστορ λεπτών υμενίων βιομηχανικής παραγωγής: Τεχνολογία μικροκρυσταλλικού πυριτίου χαμηλής θερμοκρασίας
Χαρακτηρισμός και μοντέλα τρανζίστορ λεπτών υμενίων βιομηχανικής παραγωγής: Τεχνολογία μικροκρυσταλλικού πυριτίου χαμηλής θερμοκρασίας Υποψήφιος Διδάκτορας: Α. Χατζόπουλος Περίληψη Οι τελευταίες εξελίξεις
ΦΥΣΙΚΕΣ ΜΕΘΟΔΟΙ ΣΤΗΝ ΑΝΟΡΓΑΝΗ ΧΗΜΕΙΑ
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΦΥΣΙΚΕΣ ΜΕΘΟΔΟΙ ΣΤΗΝ ΑΝΟΡΓΑΝΗ ΧΗΜΕΙΑ Φωτοηλεκτρονιακή φασματοσκοπία ΠΕΡΙΚΛΗΣ ΑΚΡΙΒΟΣ Τμήμα Χημείας Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό
ΕΝΩΣΗ ΚΥΠΡΙΩΝ ΦΥΣΙΚΩΝ - 6 Η ΠΑΓΚΥΠΡΙΑ ΟΛΥΜΠΙΑΔΑ ΦΥΣΙΚΗΣ Β ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ
ΕΝΩΣΗ ΚΥΠΡΙΩΝ ΦΥΣΙΚΩΝ 6 Η ΠΑΓΚΥΠΡΙΑ ΟΛΥΜΠΙΑΔΑ ΦΥΣΙΚΗΣ Β ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ Κυριακή, 16 Μαΐου 2010 Ώρα : 10:00-12:30 Προτεινόμενες λύσεις ΘΕΜΑ 1 0 (12 μονάδες) Για τη μέτρηση της πυκνότητας ομοιογενούς πέτρας (στερεού
Ζήτημα 1 0. Επώνυμο... Όνομα... Αγρίνιο 1/3/2015. Επιλέξτε τη σωστή απάντηση
1 Επώνυμο... Όνομα... Αγρίνιο 1/3/2015 Ζήτημα 1 0 Επιλέξτε τη σωστή απάντηση 1) Η θερμότητα που ανταλλάσει ένα αέριο με το περιβάλλον θεωρείται θετική : α) όταν προσφέρεται από το αέριο στο περιβάλλον,
ΓΥΜΝΑΣΙΟ ΑΡΑΔΙΠΠΟΥ ΣΧΟΛΙΚΗ ΧΡΟΝΙΑ ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΙΟΥΝΙΟΥ Ονοματεπώνυμο:.
ΓΥΜΝΑΣΙΟ ΑΡΑΔΙΠΠΟΥ ΣΧΟΛΙΚΗ ΧΡΟΝΙΑ 2013-2014 ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΙΟΥΝΙΟΥ 2014 Τάξη: B Βαθμός: Μάθημα: Φυσικά (Φυσική και Χημεία) Ημερομηνία: 10/06/2014 Διάρκεια: 2 Ώρες Ολογράφως:.. Υπογραφή: