Ολοκληρωτής υπερβολικού ηµιτόνου και υλοποίησή του σε τεχνολογία CMOS

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "Ολοκληρωτής υπερβολικού ηµιτόνου και υλοποίησή του σε τεχνολογία CMOS"

Transcript

1 1 Ολοκληρωτής υπερβολικού ηµιτόνου και υλοποίησή του σε τεχνολογία CMOS K. N. Γλάρος, Ε. Καρδουλάκη, ιδ. φοιτητές, Α. Γ. Κατσιάµης, ρ. και Ε. Μ. ρακάκης, Senior Lecturer 1 Περίληψη Η αναζήτηση πλήρως ολοκληρώσιµων αναλογικών φίλτρων µε µεγάλη δυναµική περιοχή (Dynamic Range DR) και ταυτόχρονα χαµηλή κατανάλωση ισχύος έστρεψε το ενδιαφέρον της ερευνητικής κοινότητας σε κυκλώµατα που εµφανίζουν γραµµική συµπεριφορά εισόδουεξόδου εξωτερικά, ενώ εσωτερικά λειτουργούν µη-γραµµικά (ELIN Externally Linear Internally Non-Linear). Η εργασία αυτή επικεντρώνεται σε µια οικογένεια τέτοιων κυκλωµάτων, τα φίλτρα υπερβολικού ηµιτόνου (Sinh filters), τα οποία, σε αντίθεση µε τα πολύ δηµοφιλέστερα φίλτρα λογαριθµικού πεδίου (Log-domain filters), δεν έχουν ερευνηθεί επαρκώς. Πιο συγκεκριµένα, παρουσιάζεται η διαδικασία σύνθεσης και η κυκλωµατική υλοποίηση ενός πρακτικού ολοκληρωτή Sinh σε τεχνολογία AMS CMOS 0.35µm. Αποτελέσµατα προσοµοιώσεων µε χρήση του Cadence IC Design Framework, δείχνουν ότι ο προτεινόµενος ολοκληρωτής επιτυγχάνει µια δυναµική περιοχή εισόδου µεγαλύτερη από 120dB µε συχνότητα αποκοπής 2.2 khz και κατανάλωση ισχύος µόλις 200 nw. Επιπλέον, ο ολοκληρωτής Sinh συγκρίνεται µε έναν αντίστοιχο ολοκληρωτή Log που λειτουργεί ψευδο-διαφορικά σε τάξη-αβ στην ίδια τεχνολογία και δείχνεται ότι ο ολοκληρωτής Sinh µπορεί σε ορισµένες περιπτώσεις να προσφέρει σηµαντική µείωση στην επιφάνεια του τελικού κυκλώµατος µε κόστος την αύξηση της κατανάλωσης ισχύος. Έτσι, ο προτεινόµενος ολοκληρωτής αποτελεί µια ελκυστική λύση για συστήµατα που απαιτούν µεγάλο αριθµό πλήρως ολοκληρωµένων φίλτρων µε µεγάλη δυναµική περιοχή, και όχι ιδιαίτερα µεγάλο σηµατοθορυβικό λόγο (SNR) όπως για παράδειγµα τα αναλογικά κοχλιακά εµφυτεύµατα (analog cochlear implants). Περιοχή έρευνας: Ολοκληρωµένα αναλογικά φίλτρα συνεχούς χρόνου (integrated continuous-time filters) Λέξεις κλειδιά Sinh filters, Log-domain, companding systems, continuous-time filters Η I. ΕΙΣΑΓΩΓΗ επικρατέστερη οικογένεια πλήρως ολοκληρώσιµων αναλογικών φίλτρων είναι τα φίλτρα διαγωγιµότηταςπυκνωτή (Gm-C). Σε αυτά οι πόλοι και τα µηδενικά των φίλτρων υλοποιούνται από κατάλληλα ζεύγη ενεργών στοιχείων - τρανζίστορ και πυκνωτών. Ο ρόλος των ενεργών στοιχείων είναι να προσοµοιώσουν αντιστάσεις ή πηνία (συνήθως µε χρήση gyrator) για να δηµιουργήσουν τους 1 Department of Bioengineering, Imperial College London, South Kensington Campus, SW7 2AZ, London, UK; [kglaros ek03 e.drakakis]@imperial.ac.uk), tel: +44(0) Η εργασία αυτή υποστηρίχθηκε από το Engineering and Physical Sciences Research Council (EPSRC), UK και το Ίδρυµα Μποδοσάκη. πόλους ή τα µηδενικά του φίλτρου. Η δυνατότητα για συστηµατική σχεδίαση και για λειτουργία σε υψηλές συχνότητες κατέστησε την οικογένεια αυτή φίλτρων ιδιαίτερα δηµοφιλή, τόσο σε ερευνητικό όσο και σε βιοµηχανικό επίπεδο. Ένα βασικό µειονέκτηµα αυτών των φίλτρων είναι ότι βασίζονται στην γραµµική λειτουργία των ενεργών στοιχείων τους. Για περιορισµένο εύρος σηµάτων εισόδου οι εκ φύσεως µη γραµµικές διαγωγιµότητες των ενεργών στοιχείων µπορούν να προσεγγιστούν ικανοποιητικά από µια γραµµική χαρακτηριστική εισόδου-εξόδου, όµοια µε αυτή µιας αντίστασης. Εάν το σήµα εισόδου υπερβεί τα όρια στα οποία αυτή η προσέγγιση είναι ικανοποιητική το αποτέλεσµα είναι η εµφάνιση (αρµονικής) παραµόρφωσης στην έξοδο του φίλτρου. Σε εφαρµογές όπου απαιτείται µεγάλη δυναµική περιοχή, οι σχεδιαστές καταφεύγουν σε διάφορες τεχνικές για να αυξήσουν το εύρος τιµών του σηµάτος για το οποίο τα ενεργά στοιχεία εµφανίζουν γραµµική διαγωγιµότητα. Κοινό χαρακτηριστικό αυτών των τεχνικών είναι ότι απαιτούν την κατανάλωση ενός σηµαντικού ποσού επιπλέον ισχύος[1, 2]. H αναζήτηση αναλογικών φίλτρων µε µεγάλη δυναµική περιοχή και ταυτόχρονα χαµηλή κατανάλωση ισχύος έστρεψε το ενδιαφέρον της επιστηµονικής κοινότητας σε οικογένειες κυκλωµάτων που µπορούν να κατηγοριοποιηθούν υπό το γενικό τίτλο «εξωτερικά-γραµµικά-εσωτερικά-µη-γραµµικά» (Externally Linear Internally Non-Linear ELIN). Αυτά τα κυκλώµατα, παρ όλο που εµφανίζουν γραµµική χαρακτηριστική εισόδου-εξόδου, λειτουργούν εσωτερικά µηγραµµικά. Κατά συνέπεια δεν είναι απαραίτητη η χρήση ενεργοβόρων τεχνικών για την γραµµικοποίηση των διαγωγιµοτήτων των τρανζίστορ και η λειτουργία για µεγάλο εύρος σηµάτων είναι δυνατή µε µικρότερη κατανάλωση ισχύος. Μια σηµαντική υποκατηγορία ELIN κυκλωµάτων είναι αυτά που χρησιµοποιούν την αρχή της «συστολοδιαστολής» (companding compress and expand). Η αρχή αυτή, γνωστή από χρόνια στους σχεδιαστές τηλεπικοινωνιακών και ηχητικών συστηµάτων, συνίσταται σε µια µη γραµµική συµπίεση του σήµατος εισόδου πριν αυτό εισέλθει στο σύστηµα. Έτσι στο εσωτερικό του συστήµατος οι µεταβολές του υπό επεξεργασία σήµατος είναι πολύ µικρότερες από αυτές στην είσοδο. Στην έξοδο του συστήµατος, το σήµα αποσυµπιέζεται για να ανακτηθεί το αρχικό εύρος τιµών του. Σηµαντική απαίτηση είναι οι λειτουργίες της συµπίεσης, της αποσυµπίεσης, καθώς και η εσωτερική λειτουργία του συστήµατος να είναι τέτοιες ώστε η συνολική συµπεριφορά

2 2 του συστήµατος από την είσοδο στην έξοδο να είναι γραµµική. Μια εξαιρετική µελέτη αυτών των συστηµάτων στα πλαίσια των ηλεκτρονικών δυναµικών συστηµάτων υπάρχει στο [3]. Η περισσότερο γνωστή και διερευνηµένη κατηγορία φίλτρων που βασίζονται στην αρχή της συστολοδιαστολής είναι τα φίλτρα λογαριθµικού πεδίου (Log-domain), µια ιδέα που αναφέρθηκε για πρώτη φορά το 1976 [4](!) και έγινε επίκεντρο σηµαντικής ερευνητικής δραστηριότητας µετά την ξανα-ανακάλυψή τους και τη συστηµατική ανάλυσή τους από τον Frey [5, 6]. Στα τελευταία 15 χρόνια δεκάδες εργασίες δηµοσιεύτηκαν πάνω σε αυτά τα φίλτρα, και έχουν ερευνηθεί σε βάθος. Ως ενδεικτικά και σηµαντικά παραδείγµατα εργασιών αναφέρουµε τα [6-16]. Μια άλλη κατηγορία φίλτρων που βασίζεται στην αρχή της συστολοδιαστολής είναι τα φίλτρα υπερβολικού ηµιτόνου (Sinh filters). Σε αυτά, σε αντίθεση µε τα φίλτρα λογαριθµικού πεδίου όπου χρησιµοποιείται η εκθετική χαρακτηριστική του τρανζίστορ, η συµπίεση και αποσυµπίεση του υπό επεξεργασία σήµατος γίνεται µε βάση τη συνάρτηση του υπερβολικού ηµιτόνου. Παρόλο που αυτά τα φίλτρα εµφανίστηκαν σχεδόν ταυτόχρονα µε τα φίλτρα λογαριθµικού πεδίου στην πρωτοποριακή εργασία του Frey[6], στα επόµενα χρόνια διερευνήθηκαν ελάχιστα. Ελάχιστες εργασίες ασχολήθηκαν µε τη σύνθεσή τους [7, 15, 17], περιορισµένα αποτελέσµατα προσοµοιώσεων είναι διαθέσιµα[17, 18], ενώ αποτελέσµατα µετρήσεων έχουν αναφερθεί µόνο από ένα ολοκληρωτή σε τεχνολογία διπολικού τρανζίστορ[19]. Σκοπός της δουλειάς που γίνεται στην οµάδα µας είναι η συµπλήρωση αυτού του κενού, µε τη συστηµατική διερεύνηση των δυνατοτήτων αυτών των φίλτρων. Στην εργασία µας, συνειδητά επιλέξαµε τη χρησιµοποίηση τεχνολογίας CMOS, ως πιο πρακτικής από πλευράς παραγωγής, παρά τα εγγενή µειονεκτήµατα των MOS τρανζίστορ για την υλοποίηση τέτοιων φίλτρων. Το δεύτερο µέρος αυτής της εργασίας αναφέρεται στη συστηµατική σύνθεση ενός ολοκληρωτή υπερβολικού ηµιτόνου. Στο τρίτο µέρος παρουσιάζονται και σχολιάζονται αποτελέσµατα προσοµοιώσεων από τον προτεινόµενο ολοκληρωτή. Στο τέταρτο µέρος, ο ολοκληρωτής υπερβολικού ηµιτόνου συγκρίνεται µε έναν τυπικό αντίστοιχο λογαριθµικού πεδίου. Τέλος, στο πέµπτο µέρος συνοψίζουµε το περιεχόµενο της εργασίας και εξάγονται µερικά συµπεράσµατα. II. ΣΥΝΘΕΣΗ ΟΛΟΚΛΗΡΩΤΗ ΥΠΕΡΒΟΛΙΚΟΥ ΗΜΙΤΟΝΟΥ[20] A. ΕΞΙΣΩΣΗ ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΠΥΚΝΩΤΗ Σχ. 1 Σύνθεση ολοκληρωτή µε τη µέθοδο του Tsividis[10] Για τη σύνθεση του ολοκληρωτή ακολουθήσαµε τη µέθοδο που προτάθηκε από τον Tsividis[10]. Σε αυτή επιλέγεται πρώτα η συνάρτηση f(v c ) έτσι ώστε το ρεύµα εξόδου να προκύπτει από µια µη-γραµµική απεικόνιση της µεταβλητής κατάστασης του ολοκληρωτή, δηλαδή της τάσης του πυκνωτή. Στη συνέχεια αναζητείται κατάλληλη συνάρτηση g(i in,i out ) που να δίνει το ρεύµα του πυκνωτή κατά τέτοιο τρόπο ώστε η ολική λειτουργία του συστήµατος από την είσοδο στην έξοδο να παραµένει γραµµική (Σχ. 1). Πιο αναλυτικά, ζητούµενο είναι η σύνθεση ενός φίλτρου πρώτης τάξης, ή µε άλλα λόγια ενός µη-ιδεατού ολοκληρωτή (lossy integrator). Ένα τέτοιο σύστηµα περιγράφεται, όπως είναι γνωστό, από µια διαφορική εξίσωση πρώτης τάξης: diout + κiout = λiin (1) dt όπου κ, λ σταθερές και το σύστηµα θεωρείται να έχει ρεύµατα ως είσοδο και έξοδο. Εάν εφαρµόσουµε το µετασχηµατισµό Laplace η συνάρτηση µεταφοράς του συστήµατος προκύπτει: Iout ( s) λ H ( s) = = (2) I ( s) s + κ in και είναι πλέον προφανές ότι η εξίσωση (1) περιγράφει έναν ολοκληρωτή µε πόλο κ r/s και dc κέρδος λ/κ. Για να προκύψει ένα φίλτρο υπερβολικού ηµιτόνου αναγκάζουµε το ρεύµα εξόδου να προκύψει από την (συµπιεσµένη) τάση στον πυκνωτή του συστήµατος, σύµφωνα µε την απεικόνιση: I = I sinh( av ) (3) out dc c, όπου α σταθερά που θα προσδιοριστεί αργότερα και I dc ένα ρεύµα που µπορεί να επιλεγεί αυθαίρετα από το σχεδιαστή. Με δεδοµένη αυτή τη µη-γραµµική απεικόνιση για το σήµα εξόδου, αναζητούµε κατάλληλες συνθήκες που πρέπει να ικανοποιήσουµε έτσι ώστε η ολική συµπεριφορά του συστήµατος από την είσοδο στην έξοδο να είναι γραµµική, ή µε άλλα λόγια να ικανοποιείται η εξ. (1). Αντικαθιστώντας τη εξ. (3) στη εξ. (1) προκύπτει: dvc aidccosh( avc ) + κidcsinh( avc ) = λiin (4) dt Όµως το ρεύµα πυκνωτή είναι I cap =C*dv c /dt και άρα: dvc λc Iin κc Iout Icap = C = (5) dt a I cosh( av ) a I cosh( av ) dc c dc c Εάν λοιπόν µε κάποιο τρόπο αναγκάσουµε το ρεύµα του πυκνωτή του συστήµατος να ικανοποιεί τη εξ. (5) τότε το σύστηµά µας θα έχει γραµµική συµπεριφορά εισόδου-εξόδου. Πριν µετατρέψουµε την παραπάνω εξίσωση σε κυκλωµατική υλοποίηση, επιβάλλουµε έναν ακόµα περιορισµό. Αυτός συνίσταται στην διάσπαση του εναλασσόµενων σηµάτων εισόδου και εξόδου σε δύο ξεχωριστά σήµατα (φάσεις) έτσι ώστε το καθένα απ αυτά να παραµένει πάντα θετικό σύµφωνα µε τις σχέσεις: I = I I (6) in in_ U in_ L Idc Idc Iout = exp( avc ) exp( avc ) 2 2 Iout _ U Iout _ L Συνδυάζοντας τις σχέσεις (5)-(7) προκύπτει: (7)

3 3 Io2 I I out _ L I in_ L + o 2 I out _U I o1 I o1 = I o1 I o1 I out _U + I out _ L I out _U + I out _ L I in_u + I cap I cap _U (8) του Kirchoff στο βρόχο των τρανζίστορ Q1-Q4 (και στο συµµετρικό του), ότι ικανοποιείται η εξ. (10)2. Η εξ. (6) ικανοποιείται αυτόµατα από την άθροιση των ρευµάτων στον κόµβο εισόδου. I cap _ L όπου Ιο1=λC/α και Io2=κC/α είναι όροι που συγκεντρώνουν τις σταθερές της εξίσωσης, και µπορούν να παρασταθούν ως dc ρεύµατα. Για λόγους απλότητας εφεξής θα θεωρήσουµε κ=λ (το οποίο θέτει το dc κέρδος του ολοκληρωτή κ/λ ίσο µε 1), οπότε Io1=Io2=Ιο και η εξ. (8) γίνεται: I +I I +I I cap = I o in_u out _ L I o in_ L out _U I out _U + I out _ L I out _U + I out _ L I cap _U (9) I cap _ L Για την υλοποίηση λοιπόν του ολοκληρωτή πρέπει να υλοποιηθούν σε επίπεδο τρανζίστορ οι σχέσεις (6), (7) και (9). Αυτό είναι δυνατό µε τρία κυκλωµατικά µπλοκ: α) ένα διαχωριστή ρευµάτων (current splitter), β) µια εκθετική διαγωγιµότητα (exponential transconductor) και γ) ένα πολλαπλασιαστή/διαιρέτη ρεύµατος (current multiplier /divider). Με την κατάλληλη διασύνδεση των εξόδων αυτών των κυκλωµάτων µπορεί να υλοιποιηθεί η ζητούµενη εξ. (9) (Σχ. 2). Η υλοποίηση του καθενός από αυτά τα µπλοκ παρουσιάζεται στη συνέχεια. Σχ. 3 ιαχωριστής ρεύµατος γεωµετρικού µέσου[20] Ο βρόχος των Q1-Q4 αναπαράγεται έτσι ώστε το κύκλωµα να είναι συµµετρικό. Η συµµετρία εξασφαλίζει ότι το κύκλωµα επιδρά µε όµοιο τρόπο και στις δύο φάσεις του ρεύµατος εισόδου, έτσι ώστε να επιτευχθεί αυξηµένη οµοιότητα µεταξύ των δύο φάσεων του ρεύµατος στην έξοδο του κυκλώµατος. Καθώς η εξ. (10) ουσιαστικά επιβάλλει στις δύο φάσεις του ρεύµατος να έχουν σταθερό γεωµετρικό µέσο, ο διαχωριστής αυτός ονοµάζεται διαχωριστής γεωµετρικού µέσου (geometric mean current splitter). Υιοθετώντας έναν διαφορετικό περιορισµό που θα εξασφαλίζει την θετικότητα των ρευµάτων εξόδου, µπορούν να προκύψουν διαφορετικές υλοποιήσεις του διαχωριστή (π.χ. [23]). C. ΕΚΘΕΤΙΚΗ ΙΑΓΩΓΙΜΟΤΗΤΑ Σχ. 2 Μπλοκ διάγραµµα του ολοκληρωτή υπερβολικού ηµιτόνου[21] B. ΙΑΧΩΡΙΣΤΗΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Ο διαχωριστής ρεύµατος διαχωρίζει το (εναλλασόµενο) σήµα εισόδου σε δύο φάσεις σύµφωνα µε την εξ. (6). Επιπλέον, καθεµία από τις δύο φάσεις πρέπει να είναι αυστηρά µεγαλύτερη του µηδενός. Ουσιαστικά, η λειτουργία του διαχωριστή για µεγάλα σήµατα εισόδου είναι όµοια µε αυτή ενός ανορθωτή, αλλά µε είσοδο και έξοδο ρεύµα. Η θετικότητα των δύο φάσεων του ρεύµατος που αποτελούν την έξοδο του διαχωριστή επιτυγχάνεται επιβάλλοντας τον επιπλέον περιορισµό: I IN _ U I IN _ L = I IN DC 2 (10) Η κυκλωµατική υλοποίηση του διαχωριστή φαίνεται στο Σχ. 3. Όλα τα τρανζίστορ λειτουργούν στην περιοχή υποκατωφλίου (subthreshold ή weak inversion - WI - region). Θεωρώντας τα τρανζίστορ Q1-Q4 όµοια και λαµβάνοντας υπ όψη την εκθετική χαρακτηριστική ID-VGS στην WI περιοχή µπορεί εύκολα να δειχθεί, εφαρµόζοντας τον δεύτερο νόµο Σχ. 4 Κύκλωµα εκθετικής διαγωγιµότητας[21] Η υλοποίηση που χρησιµοποιήσαµε για την εκθετική διαγωγιµότητα φαίνεται στο Σχ. 4. Λαµβάνοντας υπ όψη ότι τα τρανζίστορ λειτουργούν στην περιοχή WI, είναι εύκολο να δειχθεί ότι: I out = I dc exp[a (v2 v1 )] 2 (11) 2 Ένας εναλλακτικός, και συνήθως πολύ χρήσιµος, τρόπος αντιµετώπισης του κυκλώµατος είναι µε την εφαρµογή της αρχής της διαγραµµικότητας (translinear principle). Για περισσότερες λεπτοµέρειες παραπέµπουµε τον αναγνώστη στο [22] B. Gilbert, "Translinear circuits: An historical overview," Analog Integrated Circuits and Signal Processing, vol. 9, pp ,

4 4 όπου α=1/n/v T, µε n τον παράγοντα κλίσης (slope factor) για ένα MOS τρανζίστορ που λειτουργεί στην περιοχή WI και V T = kt/q την θερµική τάση. Η σύνδεση της πύλης του Q 5 στην εκροή του Q 2 αποσκοπεί στην ελάττωση της αντίστασης εισόδου στην εκροή του Q 2, ώστε να µπορεί να εφαρµοστεί το dc ρεύµα I dc /2. Το τρανζίστορ Q 6, απλά µετατοπίζει το dc επίπεδο της τάσης, έτσι ώστε να µπορούν να γίνουν ανεκτές µεγαλύτερες διακυµάνσεις στην τάση της εκροής του Q 2, χωρίς αυτό να φύγει από την περιοχή κορεσµού. Με κατάλληλη σύνδεση της τάσης του πυκνωτή στον έναν από τους δύο ακροδέκτες και γειώνοντας τον άλλο µπορούν να προκύψουν οι δύο φάσεις του ρεύµατος εξόδου (εξ. (7)). D. ΠΟΛΛΑΠΛΑΣΙΑΣΤΗΣ/ ΙΑΙΡΕΤΗΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Σχ. 5 Πολλαπλασιαστής/διαιρέτης ρεύµατος Η υλοποίηση πολλαπλασιασµού και διαίρεσης ρευµάτων είναι εύκολη µε τη χρήση MOS τρανζίστορ στην περιοχή WI. Εφαρµόζοντας το νόµο των τάσεων του Kirchoff για το βρόχο που περιλαµβάνει τις τάσεις V gs των τρανζίστορ Q1-Q4 στο Σχ. 5, προκύπτει εύκολα 2 ότι: I I = I I (12) Με κατάλληλη επιλογή των ρευµάτων µπορούν έτσι να προκύψουν εύκολα οι δύο όροι της εξ. (8) (Ι cap_u, I cap_l ). E. ΚΥΚΛΩΜΑΤΙΚΗ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΤΟΥ ΟΛΟΚΛΗΡΩΤΗ Συνδυάζοντας τα παραπάνω µπλοκ προκύπτει το κύκλωµα του Σχ. 6. Συνοψίζοντας τη λειτουργία του, το ρεύµα εισόδου διαχωρίζεται σε δύο θετικές φάσεις από το διαχωριστή ρεύµατος. Οι δύο φάσεις του ρεύµατος εισόδου, καθώς και φάσεις του ρεύµατος εξόδου εισάγονται στους διαιρέτες ρεύµατος που δηµιουργούν τις δύο φάσεις του ρεύµατος του πυκνωτή (εξ. (9)). Η τάση του πυκνωτή τροφοδοτείται σε δύο εκθετικές διαγωγιµότητες (στη θετική και την αρνητική είσοδο αντίστοιχα). Οι έξοδοι των διαγωγιµοτήτων είναι οι δύο φάσεις του ρεύµατος εξόδου. Το άθροισµά τους οδηγείται πίσω στους διαιρέτες ρεύµατος, ενώ από τη διαφορά τους προκύπτει το (εναλλασόµενο) ρεύµα εξόδου. Ολοκληρώνοντας την ανάλυση του ολοκληρωτή θα θέλαµε να παρατηρήσουµε τα εξής: α) Ο πόλος του ολοκληρωτή -κ είναι ίσος µε -I o α/c. Ο πόλος του ολοκληρωτή µπορεί λοιπόν να µεταβληθεί πολύ εύκολα ηλεκτρονικά αλλάζοντας απλά το dc ρεύµα I o, που εισέρχεται στους διαιρέτες ρεύµατος (Σχ. 6). β) Το ρεύµα I dc στις εκθετικές διαγωγιµότητες στην έξοδο του ολοκληρωτή είναι µια ελεύθερη παράµετρος που µπορεί να καθοριστεί κατά βούληση από το σχεδιατή. Παρατηρώντας την εξ. (9), βλέπουµε ότι η παράµετρος I dc διαιρεί το ρεύµα εισόδου. Έτσι, όσο µεγαλύτερο είναι αυτό το ρεύµα, τόσο µικρότερο θα είναι το ρεύµα του πυκνωτή και κατά συνέπεια τόσο µικρότερη η διακύµανση της τιµής της τάσης στον πυκνωτή. Με άλλα λόγια, το µέγεθος του I dc καθορίζει το πόσο ισχυρή θα είναι η συµπίεση του σήµατος εισόδου. Προφανώς, το κόστος της αύξησης της συµπίεσης είναι η αύξηση της κατανάλωσης ισχύος και του θορύβου. Προσωµοιώσεις δείχνουν ότι στην πράξη υπάρχει µια βέλτιστη τιµή για το ρεύµα I dc που µεγιστοποιεί τη δυναµική περιοχή του σήµατος εισόδου[21]. γ) Με τη χρήση του διαχωριστή στην είσοδο εξασφαλίζεται ότι όλα τα ρεύµατα στο κύκλωµα είναι πάντα θετικά. Έτσι το σήµα εισόδου και τα ρεύµατα στο κύκλωµα µπορούν να γίνουν πολύ µεγαλύτερα από τα dc ρεύµατα πόλωσης του κυκλώµατος, πετυχαίνοντας µεγάλη δυναµική περιοχή για τα Σχ. 6 Κυκλωµατικό διάγραµµα ολοκληρωτή υπερβολικού ηµιτόνου[21]. Οι καθρέπτες ρεύµατος σχεδιάζονται αµυδρά για να διευκολυνθεί η διάκριση των βασικών κυκλωµατικών µπλοκ.

5 5 σήµατα εισόδου και εξόδου µε µικρή στατική κατανάλωση ισχύος. Λόγω αυτής της ιδιότητας, λέµε ότι το κύκλωµα λειτουργεί σε τάξη-αβ, όµοια µε τα τάξης-αβ κυκλώµατα εξόδου σε ενισχυτές ισχύος. Για µια συστηµατική ανάλυση της σύνθεσης φίλτρων τάξης-αβ παραπέµπουµε τον αναγνώστη στην εργασία του Frey[7]. Η µέγιστη τιµή του ρεύµατος στην είσοδο περιορίζεται θεωρητικά µόνο από τη µέγιστη δυνατή διακύµανση τάσης στο κύκλωµα, δηλαδή από την τάση τροφοδοσίας. Λόγω της εκθετικής χαρακτηριστικής του τρανζίστορ στην περιοχή υποκατωφλίου, ρεύµατα που διαφέρουν 10 8 φορές προκαλούν µεταβολές στην τάση V gs των τρανζίστορ µικρότερες από 500mV. Έτσι θεωρητικά είναι δυνατή η επίτευξη µιας δυναµικής περιοχής που υπερβαίνει τα 160dB µε τάσεις τροφοδοσίας της τάξης του 1.5V! Στην πράξη παρ όλα αυτά η µετάβαση του τρανζίστορ στην περιοχή µέτριας αναστροφής (moderate inversion) για µεγάλα ρεύµατα, αλλοιώνει την εκθετική χαρακτηριστική του, και περιορίζει το µέγιστο ρεύµα για το οποίο το κύκλωµα λειτουργεί χωρίς προβλήµατα (πχ. παραµόρφωση). δ) Τα περισσότερα κυκλωµατικά µπλοκ βασίζονται σε βρόχους που περιλαµβάνουν τάσεις πύλης-πηγής MOS τρανζίστορ µε εκθετική χαρακτηριστική ρεύµατος τάσης. Η λειτουργία αυτών των βρόχων αποκλίνει από την επιθυµητή εάν η τάση πηγής-σώµατος του τρανζίστορ (V BS ) δεν είναι 0, λόγω του φαινόµενου σώµατος. Ο προτεινόµενος ολοκληρωτής, σε αντίθεση µε προηγούµενες υλοποιήσεις[18], χρησιµοποιεί µόνο ένα τύπο τρανζίστορ σε αυτούς τους βρόχους (στη συγκεκριµένη περίπτωση PMOS). Καθώς στη χρησιµοποιούµενη τεχνολογία τα PMOS υλοποιούνται µέσα σε ένα n-πηγάδι, είναι πάντα δυνατή η σύνδεση της πηγής µε το σώµα, κι έτσι το παραπάνω πρόβληµα αποφεύγεται. ε) Ο προτεινόµενος ολοκληρωτής απαιτεί τη χρήση µόνο ενός πυκνωτή για την υλοποίηση ενός πόλου, σε αντίθεση µε τα συγγενή ψευδο-διαφορικά φίλτρα Log-domain τάξης-ab (pseudodifferential class-ab Log-domain filters)[24]. Όπως θα αναλυθεί παρακάτω αυτό µπορεί να είναι ένα σηµαντικό πλεονέκτηµα σε συγκεκριµένες εφαρµογές. Σχ. 7 Απόκριση συχνότητας του ολοκληρωτή για διαφορετικές τιµές του ρεύµατος I o που καθορίζει τον πόλο. Η τιµή του µοναδικού πυκνωτή είναι 20pF[21]. ΠΙΝΑΚΑΣ I ΤΙΜΕΣ ΠΑΡΑΜΕΤΡΩΝ ΟΛΟΚΛΗΡΩΤΗ[21] (W/L) PMOS (W/L) NMOS I o I INDC (διαχωρ.) I DC (εκθ. διαγ.) I bias (εκθ. διαγ.) 60µm/1µm 25µm/1µm 10nA 1nA 10nA 10nA V DD ±1V C 20pF Όπως αναλύθηκε στο δεύτερο µέρος της εργασίας, ο συγκεκριµένος ολοκληρωτής λειτουργεί µη-γραµµικά, παρ όλο που συµπεριφέρεται γραµµικά ως προς την είσοδο και την έξοδό του. Σε τέτοια κυκλώµατα, ιδιαίτερα σηµαντική είναι η αξιολόγηση της ποιότητας της γραµµικής σχέσης εισόδουεξόδου. Όπως είναι γνωστό, η µη-γραµµικότητα ενός κυκλώµατος εκδηλώνεται µε την εµφάνιση αρµονικής παραµόρφωσης στην έξοδό του, δηλαδή µε την εµφάνιση αρµονικών στα πολλαπλάσια της θεµελιώδους συχνότητας του σήµατος διέγερσης. III. ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΣΕΩΝ ΤΟΥ ΟΛΟΚΛΗΡΩΤΗ Προσοµοιώσαµε τον προτεινόµενο ολοκληρωτή χρησιµοποιώντας το λογισµικό Cadence IC Design Framework και τις παραµέτρους της εµπορικά διαθέσιµης τεχνολογίας AMS CMOS 0.35µm. Οι διαστάσεις των διαφόρων τρανζίστορ, καθώς και τυπικές τιµές για τα ρεύµατα πόλωσης (I DC, I IN_DC ) βρίσκονται στον πίνακα Ι. Τα σηµαντικότερα από τα αποτελέσµατα παρουσιάζονται παρακάτω. Στο Σχ. 7 απεικονίζεται η απόκριση συχνότητας του ολοκληρωτή µε τη θέση του πόλου να µεταβάλλεται, αλλάζοντας το dc ρεύµα I o από 0.01 ως 10 na. Το κύκλωµα παρουσιάζει ευσταθή απόκριση συχνότητας για τιµές της συχνότητας αποκοπής του φίλτρου που διαφέρουν πάνω από τέσσερεις τάξεις µεγέθους. Σχ. 8 Συνολική αρµονική παραµόρφωση µε αυξανόµενο πλάτος του σήµατος εισόδου για διάφορες τιµές συχνότητας του σήµατος εισόδου. Η θεωρητική συχνότητα (µικρού σήµατος) του ολοκληρωτή είναι 2.23kHz. Ο δείκτης διαµόρφωσης (modulation index - m) εκφράζει πόσες φορές µεγαλύτερο είναι το σήµα εισόδου από το dc ρεύµα που θέτει τον πόλο του ολοκληρωτή (σε αυτή την περίπτωση I o=10na).

6 6 Το σύνηθες µέτρο της αρµονικής παραµόρφωσης είναι η συνολική αρµονική παραµόρφωση (total harmonic distortion THD) που εκφράζει το ποσοστό της συνολικής ενέργειας του σήµατος εξόδου που ανακατανέµεται στις αρµονικές. Μετρήσεις της THD για διάφορες συχνότητες του σήµατος εισόδου, τόσο στην ζώνη διέλευσης όσο και στην ζώνη αποκοπής του φίλτρου φαίνονται στο Σχ. 8. Παρατηρούµε ότι η παραµόρφωση στην έξοδο παραµένει κάτω από 4% για σήµατα εισόδου µεγαλύτερα από 30µA (m>3000) στη ζώνη διέλευσης του φίλτρου. Επίσης, όσο µετακινούµαστε σε χαµηλότερες συχνότητες η παρατηρούµενη παραµόρφωση µικραίνει, όπως έχει παρατηρηθεί και σε προηγούµενα αποτελέσµατα από φίλτρα λογαριθµικού πεδίου ή υπερβολικού ηµιτόνου[9, 18]. Για να καθορίσουµε το επιτρεπτό εύρος σηµάτων στην είσοδο του ολοκληρωτή απαιτείται να λάβουµε υπ όψη µας και το θόρυβο. Το ανηγµένο στην είσοδο επίπεδο θορύβου (input-referred noise floor), που προκύπτει ολοκληρώνοντας την έξοδο στο εύρος ζώνης του ολοκληρωτή για µηδενικό σήµα εισόδου, είναι 12.3pA. Όµως είναι γνωστό ότι στα ELIN συστήµατα ο θόρυβος εξαρτάται από το πλάτος του σήµατος εισόδου [3]. Το Σχ. 9 απεικονίζει αποτελέσµατα προσοµοιώσεων µε τις µεθόδους Periodic State Space (PSS) και Pnoise, που µπορούν να λάβουν υπ όψιν τους εν µέρει τη µη-γραµµική συµπεριφορά του κυκλώµατος. Όπως αναµενόταν για µεγάλα σήµατα εισόδου, ο σηµατοθορυβικός λόγος τείνει σε µια σταθερή τιµή, γύρω στα 62dB. Αντίθετα για µεγάλα σήµατα η παραµόρφωση αυξάνεται απότοµα, υποβαθµίζοντας την ποιότητα του σήµατος εξόδου. Αυτή η υποβάθµιση µπορεί να εκφραστεί ως µείωση του λόγου SNDR (Signal-to-Noise-and-Distortion-Ratio) (Σχ. 10). µπορεί να είναι µικρότερη από 0.01%. Σε ένα κοχλιακό εµφύτευµα όµως, παραµόρφωση της τάξης του 4-5% είναι πολλές φορές ανεκτή[25]. Καθώς αυτή είναι η εφαρµογή για την οποία προορίζουµε αυτά τα φίλτρα, µπορούµε να ορίσουµε τη µέγιστη επιτρεπτή παραµόρφωση στο 4%. Τότε, το µέγιστο επιτρεπτό σήµα στην είσοδο για f o /3 προκύπτει 49.5µΑ (m=4950) και η δυναµική περιοχή εισόδου είναι 132dB. Tα αποτελέσµατα προσοµοιώσεων για χαρακτηριστικά µεγέθη του ολοκληρωτή συνοψίζονται στον πίνακα II. Σχ. 10 SNR και SNDR (Signal-to-Noise-and-Distortion-Ratio) του ολοκληρωτή. Το σήµα εισόδου έχει συχνότητα f o/5hz[21]. IV. ΣΥΓΚΡΙΣΗ ΜΕ ΟΛΟΚΛΗΡΩΤΗ ΛΟΓΑΡΙΘΜΙΚΟΥ ΠΕ ΙΟΥ Σχ. 11 Ψευδο-διαφορικός ολοκληρωτής λογαριθµικού πεδίου Τάξης-ΑΒ[21] Σχ. 9 Θεµελιώδης συνιστώσα (1/5 της συχνότητας αποκοπής), θόρυβος και αρµονική παραµόρφωση (µέχρι την 5 η αρµονική) ως συνάρτηση του πλάτους του σήµατος εισόδου. Επίπεδο αναφοράς για την ισχύ είναι το 1W[21]. Για να προσδιοριστεί η δυναµική περιοχή του ολοκληρωτή πρέπει να οριστούν οι τιµές του ελάχιστου και του µέγιστου επιτρεπτού σήµατος εισόδου. Η πρώτη συνήθως λαµβάνεται ίση µε την τιµή του επιπέδου θορύβου ανηγµένη στην είσοδο του φίλτρου, δηλαδή στην συγκεκριµένη περίπτωση 12.3pA. Η δεύτερη καθορίζεται από την ανεκτή παραµόρφωση στην έξοδο και εξαρτάται σηµαντικά από την εφαρµογή. Σε έναν ενισχυτή ακουστικών συχνοτήτων η ανεκτή παραµόρφωση Όπως αναφέρθηκε παραπάνω, τα δηµοφιλέστερα ELIN κυκλώµατα που έχουν διερευνηθεί ενδελεχώς, είναι τα φίλτρα λογαριθµικού πεδίου. Σε αυτό το σηµείο θα συγκρίνουµε την απόδοση του προτεινόµενου ολοκληρωτή µε ένα κλασσικό ολοκληρωτή log-domain σε ψευδο-διαφορική συνδεσµολογία έτσι ώστε να είναι δυνατή η επίτευξη λειτουργίας τάξης-αβ και µεγάλης δυναµικής περιοχής (pseudo-differential class-ab log-domain integrator). To κύκλωµα του ολοκληρωτή φαίνεται στο Σχ. 11. Οι διαστάσεις των τρανζίστορ και τα dc ρεύµατα επιλέχθηκαν όµοια µε αυτά του Πίνακα Ι, µε µόνη εξαίρεση την τάση τροφοδοσίας που για τον Log ολοκληρωτή τέθηκε ίση µε ±0.5V. Η λειτουργία και των δύο ολοκληρωτών προσοµοιώθηκε µε χρήση του Cadence IC Design Framework χρησιµοποιώντας τις παραµέτρους της τεχνολογίας AMS 0.35

7 7 µm. Τα αποτελέσµατα των προσοµοιώσεων συνοψίζονται στον Πίνακα II. ΠΙΝΑΚΑΣ II ΣΥΓΚΡΙΣΗ ΟΛΟΚΛΗΡΩΤΩΝ LOG KAI SINH[21] Ολοκληρωτής Sinh Log Κατανάλωση ισχύος [µw] Ολική χωρητικότητα [pf] Τάση τροφοδοσίας (V DD) [V] ±1 ±0.5 Συχνότητα πόλου (ω o) [Hz] Επίπεδο θορύβου ανηγµένο στην είσοδο [pa] Μέγιστος δείκτης διαµόρφωσης α (m) στο (1/3)ω o DR εισόδου στο (1/3)ω o (THD = 4%) [db] IMD 2,3 σε m = 1000 [dbc] 50; 50 50; 52 SNR στο (1/5)ω o για m>10 [db] SNDR στο (1/5)ω o για m=1000[db] α Ο δείκτης διαµόρφωσης (modulation index - m) εκφράζει πόσες φορές µεγαλύτερο είναι το σήµα εισόδου από το dc ρεύµα που θέτει τον πόλο του ολοκληρωτή (σε αυτή την περίπτωση I o=10na). Από τον πίνακα φαίνεται ότι οι δύο ολοκληρωτές έχουν όµοια δυναµική περιοχή και SNR. Οι βασικές διαφορές τους βρίσκονται στην επιφάνεια που καταλαµβάνουν στο τσιπ και στην κατανάλωση ισχύος. Σε επίπεδο κυκλώµατος, ο ολοκληρωτής Sinh είναι ουσιαστικά όµοιος µε τον Log, εάν ο δεύτερος πυκνωτής του Log, αντικατασταθεί µε τις δύο εκθετικές διαγωγιµότητες του Sinh ολοκληρωτή (συγκρίνετε τα Σχ. 6 και Σχ. 11). Η στατική κατανάλωση ισχύος όµως του Sinh ολοκληρωτή είναι διπλάσια απ αυτή του Log, λόγω της αυξηµένης τάσης τροφοδοσίας. Eάν λοιπόν η εφαρµογή επιτρέπει την δαπάνη αυτής της επιπλέον ισχύος, τότε το ερώτηµα εάν ο Sinh ολοκληρωτής υπερέχει του Log, µετατρέπεται στο πόσα τρανζίστορ µπορούν να υλοποιηθούν σε εµβαδό ίσο µε αυτό του δεύτερου πυκνωτή του Log ολοκληρωτή. Προφανώς η απάντηση σε αυτό το ερώτηµα εξαρτάται από τη συχνότητα αποκοπής του φίλτρου και το βαθµό οµοιότητας (matching) που θέλουµε να επιτύχουµε ανάµεσα στα τρανζίστορ. Σε συστήµατα όπου απαιτείται η υλοποίηση πολλών φίλτρων πάνω στο τσιπ µε συχνότητες αποκοπής µικρότερες από µερικά khz(= µεγάλοι πυκνωτές), όπως π.χ. σε επεξαργαστές ακουστικών σηµάτων για κοχλιακά εµφυτεύµατα, η χρήση του Sinh ολοκληρωτή µπορεί να µειώσει σηµαντικά το εµβαδό του τελικού συστήµατος (και συνεπώς και το κόστος του) διατηρώντας την ίδια δυναµική περιοχή και SNR την είσοδο, µε ένα έξτρα κόστος σε κατανάλωση ισχύος περίπου 100nW/πόλο. Αντίθετα, σε συστήµατα που λειτουργούν σε υψηλές συχνότητες (= µικροί πυκνωτές) η απλότητα και η χαµηλότερη κατανάλωση ισχύος, καθιστούν τον ολοκληρωτή Log µια πιο ελκυστική επιλογή. V. ΕΠΙΛΟΓΟΣ Η χρήση κυκλωµάτων µε µη-γραµµική εσωτερική λειτουργία και γραµµική εξωτερική συµπεριφορά, µπορεί να µειώσει σηµαντικά την κατανάλωση ισχύος σε εφαρµογές που απαιτείται µεγάλη δυναµική περιοχή σήµατος απαλείφοντας τις ενεργοβόρες τεχνικές για τη γραµµικοποίηση των µηγραµµικών στοιχείων. Στην παρούσα εργασία περιγράφηκε πώς είναι η δυνατή η σύνθεση ενός τέτοιου κυκλώµατος, ενός ολοκληρωτή υπερβολικού ηµιτόνου, σε τεχνολογία CMOS. Ο ολοκληρωτής λειτουργεί σε τάξη-αβ, απαιτεί µόνο ένα πυκνωτή για κάθε πόλο και έχει µόνο ένα τύπο τρανζίστορ σε βρόχους όπου απαιτείται ακριβής εκθετική συµπεριφορά του τρανζίστορ. Αποτελέσµατα προσοµοιώσεων δείχνουν ότι ο προτεινόµενος ολοκληρωτής µπορεί να επιτύχει δυναµική περιοχή µεγαλύτερη από 120dB µε µόλις 200nW κατανάλωση ισχύος. Σε σύγκριση µε τον αντίστοιχο ολοκληρωτή λογαριθµικού πεδίου, ο προτεινόµενος ολοκληρωτής µπορεί να πετύχει ανάλογη δυναµική περιοχή µε τη µισή επιφάνεια πυκνωτών. Ως εκ τούτου µπορεί να µειώσει σηµαντικά το κόστος κυκλωµάτων στα οποία απαιτείται µεγάλος αριθµός ολοκληρωµένων φίλτρων µε χαµηλές συχνότητες λειτουργίας. Το επόµενο στάδιο στην διερεύνηση των κυκλωµάτων υπερβολικού ηµιτόνου είναι η σχεδίαση διτετράγωνων φίλτρων µε µιγαδικούς πόλους. Η σχεδίαση τέτοιων φίλτρων, τόσο δεύτερης, όσο και ανώτερης τάξης είναι δυνατή µε συστηµατικό τρόπο[26, 27]. Τα αποτελέσµατα αυτής της δουλειάς θα δηµοσιευθούν στο προσεχές µέλλον. ΒΙΒΛΙΟΓΡΑΦΙΑ [1] Y. Tsividis and J. O. Voorman, "Integrated continuous-time filters : principles, design, and applications," New York: IEEE Press, [2] M. Punzenberger and C. C. Enz, "A 1.2-V low-power BiCMOS class AB log-domain filter," IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 32, pp , [3] Y. Tsividis, "Externally linear, time-invariant systems and their application to companding signal processors," IEEE Trans. Circuits Syst. II, Analog Digit. Signal Process. ( ), vol. 44, pp , [4] R. W. Adams, "Filtering in the Log domain," in Proceedings of the 63rd annual AES Conference,Preprint 1470, [5] D. R. Frey, "Log-domain filtering: an approach to current-mode filtering," Circuits, Devices and Systems, IEE Proceedings G, vol. 140, pp , [6] D. R. Frey, "Exponential state space filters: a generic current mode-design strategy," Circuits and Systems I: Fundamental Theory and Applications, IEEE Transactions on, vol. 43, pp , [7] D. R. Frey and A. T. Tola, "A state-space formulation for externally linear class AB dynamical circuits," IEEE Trans. Circuits Syst. II, Analog Digit. Signal Process. ( ), vol. 46, pp , [8] D. Frey, Y. P. Tsividis, G. Efthivoulidis, and N. Krishnapura, "Syllabic-companding log domain filters," Circuits and Systems II: Analog and Digital Signal Processing, IEEE Transactions on [see also Circuits and Systems II: Express Briefs, IEEE Transactions on], vol. 48, pp , [9] D. Python and C. C. Enz, "A micropower class-ab CMOS logdomain filter for DECT applications," IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 36, pp , [10] Y. Tsividis, "On linear integrators and differentiators using instantaneous companding," IEEE Trans. Circuits Syst. II, Analog Digit. Signal Process. ( ), vol. 42, pp , [11] D. R. Frey and Y. P. Tsividis, "Syllabically companding log domain filter using dynamic biasing," Electronics Letters, vol. 33, pp , [12] N. Krishnapura and Y. Tsividis, "Dynamically biased 1 MHz lowpass filter with 61 db peak SNR and 112 db input range," in Solid-State Circuits Conference, Digest of Technical Papers. ISSCC IEEE International, 2001, pp , 465. [13] E. M. Drakakis, A. J. Payne, and C. Toumazou, "'Log-domain state-space': a systematic transistor-level approach for log-domain filtering," IEEE Trans. Circuits Syst. II, Analog Digit. Signal Process. ( ), vol. 46, pp , [14] D. Perry and G. W. Roberts, "The design of log-domain filters based on the operational simulation of LC ladders," IEEE Trans. Circuits Syst. II, Analog Digit. Signal Process. ( ), vol. 43, pp , 1996.

8 [15] J. Mulder, W. A. Serdijn, A. C. van der Woerd, and A. H. M. van Roermund, "A generalized class of dynamic translinear circuits," IEEE Trans. Circuits Syst. II, Analog Digit. Signal Process. ( ), vol. 48, pp , [16] L. Toth, G. Efthivoulidis, and Y. P. Tsividis, "Noise analysis of externally linear systems," IEEE Trans. Circuits Syst. II, Analog Digit. Signal Process. ( ), vol. 47, pp , [17] A. J. Lopez-Martin and A. Carlosena, "Synthesis of sinh systems from Gm-C systems by component-to-component substitution," in Circuits and Systems, nd Midwest Symposium on, 1999, pp vol. 1. [18] A. P. S. Haddad and A. W. Serdijn, "An ultra low-power class-ab sinh integrator," in Proceedings of the 19th annual symposium on Integrated circuits and systems design Ouro Preto, MG, Brazil: ACM Press, [19] P. J. Poort, W. A. Serdijn, J. Mulder, A. C. van der Woerd, and A. H. M. van Roermund, "A 1-V class-ab translinear integrator for filter applications," Analog Integrated Circuits and Signal Processing, vol. 21, pp , [20] A. G. Katsiamis, H. M. D. Ip, and E. M. Drakakis, "A Practical CMOS Companding Sinh Lossy Integrator," in Circuits and Systems, 2007, IEEE International Symposium on, 2007, pp [21] A. G. Katsiamis, K. N. Glaros, and E. M. Drakakis, "Insights and Advances on the Design of CMOS <emphasis emphasistype="italic">sinh</emphasis> Companding Filters," IEEE Trans. Circuits Syst. I, Reg. Papers, vol. 55, pp , [22] B. Gilbert, "Translinear circuits: An historical overview," Analog Integrated Circuits and Signal Processing, vol. 9, pp , [23] K. N. Glaros, A. G. Katsiamis, and E. M. Drakakis, "Harmonic vs. geometric mean Sinh integrators in weak inversion CMOS," in Circuits and Systems, 2008, IEEE International Symposium on, 2008, pp [24] R. M. Fox, "Enhancing dynamic range in differential log-domain filters based on the two-filters approach," in Circuits and Systems, Proceedings. ISCAS 2000 Geneva. The 2000 IEEE International Symposium on, 2000, pp vol.2. [25] S. Rahul, F. L. Richard, and M. Carver, "A low-power widedynamic-range analog VLSI cochlea," in Neuromorphic systems engineering: neural networks in silicon: Kluwer Academic Publishers, 1998, pp [26] K. N. Glaros, A. G. Katsiamis, E. Kardoulaki, and E. M. Drakakis, "High-DR Sinh filtering in Weak Inversion CMOS: Integrators and Biquads," to be submitted for publication, [27] K. Glaros, "CMOS Weak Inversion Hyperbolic Sine Frequency Shaping Networks," Master Thesis, Imperial College London,

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ 4.1 MOS Τρανζίστορ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙV ΤΟ MOS ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 4.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τελεστικοί Ενισχυτές Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ο ιδανικός τελεστικός ενισχυτής Είσοδος αντιστροφής Ισοδύναμα Είσοδος μη αντιστροφής A( ) A d 2 1 2 1

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές

Τελεστικοί Ενισχυτές Τελεστικοί Ενισχυτές Ενισχυτές-Γενικά: Οι ενισχυτές είναι δίθυρα δίκτυα στα οποία η τάση ή το ρεύμα εξόδου είναι ευθέως ανάλογη της τάσεως ή του ρεύματος εισόδου. Υπάρχουν τέσσερα διαφορετικά είδη ενισχυτών:

Διαβάστε περισσότερα

ΠΜΣ Ηλεκτρονική και Επικοινωνίες (Ραδιοηλεκτρολογία) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΦΙΛΤΡΩΝ ΜΕ ΜΕΓΑΛΕΣ ΣΤΑΘΕΡΕΣ ΧΡΟΝΟΥ ΚΑΙ ΧΑΜΗΛΗ ΤΑΣΗ ΤΡΟΦΟΔΟΣΙΑΣ ΣΤΟ ΠΕΔΙΟ ΤΟΥ ΛΟΓΑΡΙΘΜΟΥ

ΠΜΣ Ηλεκτρονική και Επικοινωνίες (Ραδιοηλεκτρολογία) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΦΙΛΤΡΩΝ ΜΕ ΜΕΓΑΛΕΣ ΣΤΑΘΕΡΕΣ ΧΡΟΝΟΥ ΚΑΙ ΧΑΜΗΛΗ ΤΑΣΗ ΤΡΟΦΟΔΟΣΙΑΣ ΣΤΟ ΠΕΔΙΟ ΤΟΥ ΛΟΓΑΡΙΘΜΟΥ Πανεπιστήμιο Πατρών Σχολή Θετικών Επιστημών Τμήμα Φυσικής Τομέας Ηλεκτρονικής και Υπολογιστών Εργαστήριο Ηλεκτρονικής ΠΜΣ Ηλεκτρονική και Επικοινωνίες (Ραδιοηλεκτρολογία) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΦΙΛΤΡΩΝ ΜΕ ΜΕΓΑΛΕΣ ΣΤΑΘΕΡΕΣ

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 6.1 ΚΑΘΡΕΠΤΕΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Σε ένα καθρέπτη ρεύµατος, το ρεύµα του κλάδου της εξόδου είναι πάντα ίσο µε το ρεύµα του κλάδου της εισόδου, αποτελεί δηλαδή το είδωλο του. Μία τέτοια διάταξη δείχνει

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής Ο τελεστικός ενισχυτής, TE (operational ampliier, op-amp) είναι ένα από τα πιο χρήσιμα αναλογικά κυκλώματα. Κατασκευάζεται ως ολοκληρωμένο κύκλωμα (integrated circuit) και

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΥΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΟΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΜΕΛΕΤΗ DC ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑΣ Στο σχήμα φαίνεται ένα κύκλωμα κοινού εκπομπού από το βρόχο εισόδου Β-Ε ο νόμος του Kirchhoff δίνει: Τελικά έχουμε: I I BB B B E E BE B BB E IE

Διαβάστε περισσότερα

Ιατρικά Ηλεκτρονικά. Χρήσιμοι Σύνδεσμοι. ΙΑΤΡΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΔΙΑΛΕΞΗ 1η. Σημειώσεις μαθήματος: E mail:

Ιατρικά Ηλεκτρονικά. Χρήσιμοι Σύνδεσμοι. ΙΑΤΡΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΔΙΑΛΕΞΗ 1η. Σημειώσεις μαθήματος: E mail: Ιατρικά Ηλεκτρονικά Δρ. Π. Ασβεστάς Τμήμα Μηχανικών Βιοϊατρικής Τεχνολογίας Τ.Ε Χρήσιμοι Σύνδεσμοι Σημειώσεις μαθήματος: http://medisp.bme.teiath.gr/eclass/courses/tio127/ E mail: pasv@teiath.gr 2 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση των Τρανζίστορ

Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση λέμε την κατάλληλη συνεχή τάση που πρέπει να εφαρμόσουμε στο κύκλωμα που περιλαμβάνει κάποιο ηλεκτρονικό στοιχείο (π.χ τρανζίστορ), έτσι ώστε να εξασφαλίσουμε την ομαλή λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ T.E.I. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 1 Περιεχόμενα 5 ης ενότητας Στην πέμπτη ενότητα θα μελετήσουμε την ανατροφοδότηση

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Α. Αναστροφέας MOSFET. Α.1 Αναστροφέας MOSFET µε φορτίο προσαύξησης. Ο αναστροφέας MOSFET (πύλη NOT) αποτελείται από

Διαβάστε περισσότερα

Διαφορικοί Ενισχυτές

Διαφορικοί Ενισχυτές Διαφορικοί Ενισχυτές Γενικά: Ο Διαφορικός ενισχυτής (ΔΕ) είναι το βασικό δομικό στοιχείο ενός τελεστικού ενισχυτή. Η λειτουργία ενός ΔΕ είναι η ενίσχυση της διαφοράς μεταξύ δύο σημάτων εισόδου. Τα αρχικά

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής 3 Ενισχυτές Μετρήσεων 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής Πολλές φορές ένας ενισχυτής σχεδιάζεται ώστε να αποκρίνεται στη διαφορά µεταξύ δύο σηµάτων εισόδου. Ένας τέτοιος ενισχυτής ονοµάζεται ενισχυτής διαφοράς

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ

ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΤΕΙ ΚΑΛΑΜΑΤΑΣ - ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ ΣΠΑΡΤΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ: ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΗΤΡΩΟΥ:.. ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ: ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΗΤΡΩΟΥ:.. Α. ΜΕΤΡΗΣΗ ΣΥΝΕΧΟΥΣ

Διαβάστε περισσότερα

1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed.

1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed. Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας ΗΥ430: Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων Άνοιξη 2005 Εργαστηριακές Ασκήσεις Περιεχόμενα 1 Διπολικό και MOS τρανσίστορ................................... 2 2 Ενισχυτές με διπολικά

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών) Διεργασίες Μικροηλεκτρονικής Τεχνολογίας, Οξείδωση, Διάχυση, Φωτολιθογραφία, Επιμετάλλωση, Εμφύτευση, Περιγραφή CMOS

Διαβάστε περισσότερα

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ T..I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Περιεχόμενα 4 ης ενότητας Στην τέταρτη ενότητα θα μελετήσουμε τους ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

Προτεινόμενες Ασκήσεις στις Εξαρτημένες Πηγές και στους Τελεστικούς Ενισχυτές

Προτεινόμενες Ασκήσεις στις Εξαρτημένες Πηγές και στους Τελεστικούς Ενισχυτές Προτεινόμενες Ασκήσεις στις Εξαρτημένες Πηγές στους Τελεστικούς Ενισχυτές από το βιβλίο «Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων», Ν. Μάργαρη Πρόβλημα Να βρεθεί το κέρδος ρεύματος οι αντιστάσεις εισόδου εξόδου της

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ 1.1 Τελεστικοί ενισχυτές 1.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k, Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ) με τα εξής χαρακτηριστικά: 3 k, 50, k, S k και V 5 α) Nα υπολογιστούν οι τιμές των αντιστάσεων β) Να επιλεγούν οι χωρητικότητες C, CC έτσι ώστε ο ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier) Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Βασικά κυκλώµατα ενισχυτών µε transstr MOS Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Transstr ως ενισχυτής Ενισχυτής κοινής πηγής (cmmn surce amplfer (κύκλωµα αντιστροφέα

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7. Σχ.7.1. Σύµβολο κοινού τελεστικού ενισχυτή και ισοδύναµο κύκλωµα.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7. Σχ.7.1. Σύµβολο κοινού τελεστικού ενισχυτή και ισοδύναµο κύκλωµα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 7. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ Ο τελεστικός ενισχυτής εφευρέθηκε κατά τη διάρκεια του δεύτερου παγκοσµίου πολέµου και. χρησιµοποιήθηκε αρχικά στα συστήµατα σκόπευσης των αντιαεροπορικών πυροβόλων για

Διαβάστε περισσότερα

3.1 Η δίοδος στο κύκλωμα. Στατική και δυναμική χαρακτηριστική

3.1 Η δίοδος στο κύκλωμα. Στατική και δυναμική χαρακτηριστική 1 3. Κυκλώματα διόδων 3.1 Η δίοδος στο κύκλωμα. Στατική και δυναμική χαρακτηριστική Στην πράξη η δίοδος προσεγγίζεται με τμηματική γραμμικοποίηση, όπως στο σχήμα 3-1, όπου η δυναμική αντίσταση της διόδου

Διαβάστε περισσότερα

4. ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΤΟΥ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΥ FOURIER

4. ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΤΟΥ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΥ FOURIER 4. ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΤΟΥ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΥ FOURIER Σκοπός του κεφαλαίου είναι να παρουσιάσει μερικές εφαρμογές του Μετασχηματισμού Fourier (ΜF). Ειδικότερα στο κεφάλαιο αυτό θα περιγραφούν έμμεσοι τρόποι

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2. Ανάλυση Ηλεκτρικού Σήµατος

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2. Ανάλυση Ηλεκτρικού Σήµατος ΚΕΦΑΛΑΙΟ Ανάλυση Ηλεκτρικού Σήµατος. Εισαγωγή Τα σήµατα εξόδου από µετρητικές διατάξεις έχουν συνήθως τη µορφή ηλεκτρικών σηµάτων. Πριν από την καταγραφή ή περαιτέρω επεξεργασία, ένα σήµα υφίσταται µια

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στους Ταλαντωτές Οι ταλαντωτές είναι από τα βασικότερα κυκλώματα στα ηλεκτρονικά. Χρησιμοποιούνται κατά κόρον στα τηλεπικοινωνιακά συστήματα

Εισαγωγή στους Ταλαντωτές Οι ταλαντωτές είναι από τα βασικότερα κυκλώματα στα ηλεκτρονικά. Χρησιμοποιούνται κατά κόρον στα τηλεπικοινωνιακά συστήματα Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Υλοποίηση και Εργαστηριακή Αναφορά Ring και Hartley Ταλαντωτών Φοιτητής: Ζωγραφόπουλος Γιάννης Επιβλέπων Καθηγητής: Πλέσσας Φώτιος

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ Άσκηση 1 To κύκλωµα του Fig.1 χρησιµοποιεί τρανζίστορ Ge (αγνοείστε τη Vbe) και οι χαρακτηριστικές του δίδονται στο Fig.2. Να υπολογίσετε τις αντιστάσεις εκποµπού και συλλέκτη, έτσι ώστε

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων F Ενότητα: Φίλτρα και Επαναληπτικές Ασκήσεις Στυλιανός Μυτιληναίος Τμήμα Ηλεκτρονικής, Σχολή

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου «Τελεστικοί Ενισχυτές»

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου «Τελεστικοί Ενισχυτές» Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΔΙΑΔΙΚΑΣΙΑ

ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΔΙΑΔΙΚΑΣΙΑ ΕΙΣΑΓΩΓΗ: Ο τελεστικός ενισχυτής είναι ένα προκατασκευασμένο κύκλωμα μικρών διαστάσεων που συμπεριφέρεται ως ενισχυτής τάσης, και έχει πολύ μεγάλο κέρδος, πολλές φορές της τάξης του 10 4 και 10 6. Ο τελεστικός

Διαβάστε περισσότερα

ΜΟΝΤΕΛΑ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ ΚΑΙ ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 4

ΜΟΝΤΕΛΑ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ ΚΑΙ ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 4 ΜΟΝΤΕΛΑ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ ΚΑΙ ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 4 Το βασικό μοντέλο ενισχυτή Χαρακτηριστικά Ενίσχυση σημάτων μηδενικής (σχεδόν) τάσης Τροφοδοσία από μια ή περισσότερες DC πηγές Απαιτεί κατάλληλο DC biasing

Διαβάστε περισσότερα

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ ΕΠΑΦΗΣ (JFET) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε αναστροφείς CMOS VLSI

Εργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε αναστροφείς CMOS VLSI Ε.Μ.Π. - ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΫΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ VLSI

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων S «Διαφορικά Ζεύγη» Φώτης Πλέσσας fplessas@f.uth.r Δομή Παρουσίασης Αναθεώρηση απλής διαφορικής λειτουργίας Περιγραφή και ανάλυση του διαφορικού ζεύγους Λόγος απόρριψης κοινού

Διαβάστε περισσότερα

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤHMMY Σκοπός διάλεξης Γιατί χρησιμοποιούμε στάδια εξόδου Ακόλουθος εκπομπού Παρουσίαση των βασικών προδιαγραφών του Ψαλιδισμός

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1 Δομή Παρουσίασης MOSFET

Διαβάστε περισσότερα

6. Τελεστικοί ενισχυτές

6. Τελεστικοί ενισχυτές 6. Τελεστικοί ενισχυτές 6. Εισαγωγή Ο τελεστικός ενισχυτής (OP AMP) είναι ένας ενισχυτής με μεγάλη απολαβή στον οποίο προσαρτάται ανάδραση, ώστε να ελέγχεται η λειτουργία του. Χρησιμοποιείται για την πραγματοποίηση

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών) Τα μοντέρνα ψηφιακά κυκλώματα (λογικές πύλες, μνήμες, επεξεργαστές και άλλα σύνθετα κυκλώματα) υλοποιούνται σήμερα

Διαβάστε περισσότερα

2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος Thevenin

2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος Thevenin Ονοµατεπώνυµο: Αριθµός Μητρώου: Εξάµηνο: Υπογραφή Εργαστήριο Ηλεκτρικών Κυκλωµάτων και Συστηµάτων 2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος hevenin Απόκριση στο πεδίο της συχνότητας

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΑΝΙΧΝΕΥΤΗ ΔΥΝΑΜΙΚΩΝ ΔΡΑΣΤΗΡΙΟΤΗΤΑΣ ΓΙΑ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΣΕ ΧΑΜΗΛΗ ΤΑΣΗ ΤΡΟΦΟΔΟΣΙΑΣ

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΑΝΙΧΝΕΥΤΗ ΔΥΝΑΜΙΚΩΝ ΔΡΑΣΤΗΡΙΟΤΗΤΑΣ ΓΙΑ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΣΕ ΧΑΜΗΛΗ ΤΑΣΗ ΤΡΟΦΟΔΟΣΙΑΣ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΠΜΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ & ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΑΝΙΧΝΕΥΤΗ ΔΥΝΑΜΙΚΩΝ ΔΡΑΣΤΗΡΙΟΤΗΤΑΣ ΓΙΑ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΣΕ ΧΑΜΗΛΗ ΤΑΣΗ ΤΡΟΦΟΔΟΣΙΑΣ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΗ

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής Ο διαφορικός ενισχυτής (differential amplifier) είναι από τα πλέον διαδεδομένα και χρήσιμα κυκλώματα στις ενισχυτικές διατάξεις. Είναι βασικό δομικό στοιχείο του τελεστικού

Διαβάστε περισσότερα

Το διπολικό τρανζίστορ

Το διπολικό τρανζίστορ 2 4 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το διπολικό τρανζίστορ 11 ο 12 ο 13 ο 14 ο Εργαστήριο ΦΥΛΛΑ ΕΡΓΑΣΙΑΣ 3 Άσκηση 11 η. 11.1 Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ. Στόχος: Μελέτη και χάραξη των χαρακτηριστικών

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΦΙΛΤΡΩΝ ΧΑΜΗΛΗΣ ΤΑΣΗΣ ΤΡΟΦΟΔΟΣΙΑΣ ΣΤΟ ΠΕΔΙΟ ΤΟΥ ΥΠΕΡΒΟΛΙΚΟΥ ΗΜΙΤΟΝΟΥ ΓΙΑ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑ ΒΙΟΪΑΤΡΙΚΩΝ ΣΗΜΑΤΩΝ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΦΙΛΤΡΩΝ ΧΑΜΗΛΗΣ ΤΑΣΗΣ ΤΡΟΦΟΔΟΣΙΑΣ ΣΤΟ ΠΕΔΙΟ ΤΟΥ ΥΠΕΡΒΟΛΙΚΟΥ ΗΜΙΤΟΝΟΥ ΓΙΑ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑ ΒΙΟΪΑΤΡΙΚΩΝ ΣΗΜΑΤΩΝ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΦΙΛΤΡΩΝ ΧΑΜΗΛΗΣ ΤΑΣΗΣ ΤΡΟΦΟΔΟΣΙΑΣ ΣΤΟ ΠΕΔΙΟ ΤΟΥ ΥΠΕΡΒΟΛΙΚΟΥ ΗΜΙΤΟΝΟΥ ΓΙΑ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑ ΒΙΟΪΑΤΡΙΚΩΝ ΣΗΜΑΤΩΝ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ A. Πίνακες αληθείας λογικών πυλών. Στη θετική λογική το λογικό 0 παριστάνεται µε ένα χαµηλό δυναµικό, V L, ενώ το λογικό 1

Διαβάστε περισσότερα

Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1

Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3...2 ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ...2 3.1 Απόκριση συχνότητας ενισχυτών...2 3.1.1 Παραμόρφωση στους ενισχυτές...5 3.1.2 Πιστότητα των ενισχυτών...6 3.1.3

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Τάξη Α. Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I. οπου. όταν

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Τάξη Α. Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I. οπου. όταν Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Τάξη Α Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I οπου όταν Ενισχυτικές Διατάξεις 2 Ακόλουθος εκποµπού (CC) πολωµένος µε σταθερό ρεύµα Λόγω της χαµηλής αντίστασης εξόδου, ο ακόλουθος

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Βαθµίδες εξόδου. Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade.

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Βαθµίδες εξόδου. Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade. Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Βαθµίδες εξόδου Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade. Η τελική βαθµίδα εξόδου είναι αυτή που αποδίδει την ισχύ στο φορτίο

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF

Εισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF Εισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF Κεφάλαιο 6. NA Σωτήριος Ματακιάς, -3, Σχεδίαση Τηλεπικοινωνιακών I Κυκλωμάτων, Κεφάλαιο 5 /3 Βασικές παράμετροι των NA: Receiver Front End Z =5Ω RF Filter - -8dB Z =5Ω

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) 1 FET Δομή και λειτουργία Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός

Διαβάστε περισσότερα

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; Ηλεκτρονικοί Υπολογιστές Κινητά τηλέφωνα Τηλεπικοινωνίες Δίκτυα Ο κόσμος της Ηλεκτρονικής Ιατρική Ενέργεια Βιομηχανία Διασκέδαση ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τι περιέχουν οι ηλεκτρονικές

Διαβάστε περισσότερα

Βασικά Στοιχεία Αναλογικών Ηλεκτρονικών

Βασικά Στοιχεία Αναλογικών Ηλεκτρονικών Βασικά Στοιχεία Αναλογικών Ηλεκτρονικών Ηλεκτρονική ΗΥ231 Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Σήµατα Ένα αυθαίρετο σήµα τάσης v s (t) 2 Φάσµα συχνοτήτων των σηµάτων

Διαβάστε περισσότερα

Εξάλειψη παραµόρφωσης περάσµατος τάξης Β

Εξάλειψη παραµόρφωσης περάσµατος τάξης Β Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Εξάλειψη παραµόρφωσης περάσµατος τάξης Β Η παραµόρφωση περάσµατος µπορεί να ελαττωθεί αν χρησιµοποιηθεί ΤΕ στην είσοδο, µε απολαβή dc A 0. Η νεκρή ζώνη των ±0.7V µειώνεται στα ±0.7V/

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ 45 ίοδοι - Επαφή p-n Τα ηλεκτρονικά εξαρτήµατα κατασκευάζονται µε βάση έναν κρύσταλλο πυριτίου. Το πυρίτιο σε πολύ χαµηλή θερµοκρασία έχει τα τέσσερα ηλεκτρόνια σθένους

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν 1. Εισαγωγικά στοιχεία ηλεκτρονικών - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 1. ΘΕΜΕΛΙΩ ΕΙΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΑΙ ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Ηλεκτρικό στοιχείο: Κάθε στοιχείο που προσφέρει, αποθηκεύει και καταναλώνει

Διαβάστε περισσότερα

ÏÅÖÅ. Α. 3. Στις οπτικοηλεκτρονικές διατάξεις δεν ανήκει: α. η δίοδος laser β. το τρανζίστορ γ. η φωτοδίοδος δ. η δίοδος φωτοεκποµπής LED Μονάδες 5

ÏÅÖÅ. Α. 3. Στις οπτικοηλεκτρονικές διατάξεις δεν ανήκει: α. η δίοδος laser β. το τρανζίστορ γ. η φωτοδίοδος δ. η δίοδος φωτοεκποµπής LED Μονάδες 5 Επαναληπτικά Θέµατα ΟΕΦΕ 007 Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΟΜΑ Α Α Για τις παρακάτω προτάσεις Α. έως και Α.4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της πρότασης και δίπλα σε κάθε αριθµό

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙΙI ΤΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 3.1 ιπολικό Τρανζίστορ 3.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής Ηλεκτρονική Ι Εαρινό εξάµηνο 2005 Πρακτική ανάλυση ενισχυτή κοινού εκποµπού Τransstors βασικές αρχές Τι κάνουν τα transstors Πώς αναλύoνται τα κυκλώµατα των transstors Μικρά

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή. Ακουστικό. Μικρόφωνο

Εισαγωγή. Ακουστικό. Μικρόφωνο Εισαγωγή Ο σκοπός του συστήµατος επικοινωνίας είναι να µεταδώσει πληροφορία (ransmission of informaion) από ένα σηµείο του χώρου, που λέγεται πηγή, σε ένα άλλο σηµείο, που είναι ο προορισµός χρήσης. Κατά

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ 5 ο ΕΞΑΜΗΝΟ ΗΜΜΥ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ 1 Ι. ΠΑΠΑΝΑΝΟΣ ΑΠΡΙΛΙΟΣ

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5: Πολυβάθμιοι ενισχυτές Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Βασική Φυσική Στοιχείων MOS

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Βασική Φυσική Στοιχείων MOS Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός

Διαβάστε περισσότερα

ΕΥΑΙΣΘΗΣΙΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ

ΕΥΑΙΣΘΗΣΙΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ -ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΦΙΛΤΡΩΝ ΧΕΙΜΕΡΙΝΟ 2017-18 ΕΥΑΙΣΘΗΣΙΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ 1. ΕΥΑΙΣΘΗΣΙΑ Ενα κύκλωµα, το οποίο κάνει µια συγκεκριµένη λειτουργία εκφραζόµενη

Διαβάστε περισσότερα

Ταλαντωτές. Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος 2011 Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη

Ταλαντωτές. Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος 2011 Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη Ταλαντωτές Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη Ταλαντωτές ΑΝΑΔΡΑΣΗ Στοιχεία Ταλάντωσης Ενισχυτής OUT Ταλαντωτής είναι ένα κύκλωμα που παράγει ηλεκτρικό σήμα σταθερής συχνότητας

Διαβάστε περισσότερα

1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ 1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ Ο τελεστικός ενισχυτής αποτελεί την βασική δομική μονάδα των περισσοτέρων αναλογικών κυκλωμάτων. Στην ενότητα αυτή θα μελετήσουμε τις ιδιότητες του τελεστικού ενισχυτή, μερικά βασικά

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor

Κεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor Κεφάλαιο Ένα: 1.1 Εισαγωγή Το 1951 ο William Schockley εφεύρε το πρώτο transistor επαφής, µια ηµιαγωγική διάταξη η οποία µπορεί να ενισχύσει ηλεκτρονικά σήµατα, όπως ραδιοφωνικά και τηλεοπτικά σήµατα.

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Ο Τελεστικός ενισχυτής 741

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Ο Τελεστικός ενισχυτής 741 Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Ο Τελεστικός ενισχυτής 741 Ενισχυτικές Διατάξεις 2 Iστορική Αναδρομή 1964 Ο Bob Widlar σχεδιαζει το πρώτο ΤΕ: τον 702. Μόνο 9 transistors, απολαβή OL: 1000 Πολύ ακριβός : $300 per

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 06/02/2009 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 06/02/2009 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΘΕΜΑ ο (.5 μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: V 0V, V E 0.7 V, kω, 00 kω, kω, 0 kω, β h e 00, h e.5 kω. (α) Να προσδιορίσετε το σημείο λειτουργίας Q (I, V E ) του τρανζίστορ. (β)

Διαβάστε περισσότερα

ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΕΠΟΠΤΙΚΟ ΥΛΙΚΟ

ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΕΠΟΠΤΙΚΟ ΥΛΙΚΟ ΤΕΙ ΣΤΕΡΕΑΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΕΠΟΠΤΙΚΟ ΥΛΙΚΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΕΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ Χ. ΤΣΩΝΟΣ ΛΑΜΙΑ 2013 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16

Διαβάστε περισσότερα

του διπολικού τρανζίστορ

του διπολικού τρανζίστορ D λειτουργία - Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ ρ Παραδείγματα D ανάλυσης Παράδειγμα : Να ευρεθεί το σημείο λειτουργίας Q. Δίνονται: β00 και 0.7. Υποθέτουμε λειτουργία στην ενεργό περιοχή. 4 a 4 0 7, 3,3

Διαβάστε περισσότερα

Μεταβατική Ανάλυση - Φάσορες. Κατάστρωση διαφορικών εξισώσεων. Μεταβατική απόκριση. Γενικό μοντέλο. ,, ( ) είναι γνωστές ποσότητες (σταθερές)

Μεταβατική Ανάλυση - Φάσορες. Κατάστρωση διαφορικών εξισώσεων. Μεταβατική απόκριση. Γενικό μοντέλο. ,, ( ) είναι γνωστές ποσότητες (σταθερές) Μεταβατική Ανάλυση - Φάσορες Πρόσθετες διαφάνειες διαλέξεων Αλέξανδρος Πίνο Δεκέμβριος 2017 Γενικό μοντέλο Απόκριση κυκλώματος πρώτης τάξης, δηλαδή με ένα μόνο στοιχείο C ή L 3 Μεταβατική απόκριση Ξαφνική

Διαβάστε περισσότερα

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ 3 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το διπολικό τρανζίστορ Άσκηση 8η. Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ. 1. Πραγματοποιήστε την συνδεσμολογία του κυκλώματος του Σχ. 1α (τρανζίστορ 2Ν2219). Σχήμα

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων ΗΜΥ203

Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων ΗΜΥ203 Περίληψη Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων ΗΜΥ203 Παρατηρήσεις / Απορίες στα Εργ. 0 και 1 Εισαγωγή στο Εργαστήριο 2 Εισαγωγή στο PSpice ιάλεξη και Φροντιστήριο 2 11/09/13 1 2 Εργαστήριο 0 Βρείτε τις

Διαβάστε περισσότερα

Περιεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή

Περιεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή Περιεχόμενα ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος 1.1 Εισαγωγή 1.2 Περιοχή Απογύμνωσης μιας Επαφής pn 1.2.1 Χωρητικότητα της Περιοχής Απογύμνωσης 1.2.2 Κατάρρευση Επαφής 1.3

Διαβάστε περισσότερα

1η Εργαστηριακή Άσκηση: Απόκριση κυκλώµατος RC σε βηµατική και αρµονική διέγερση

1η Εργαστηριακή Άσκηση: Απόκριση κυκλώµατος RC σε βηµατική και αρµονική διέγερση Ονοµατεπώνυµο: Αριθµός Μητρώου: Εξάµηνο: Υπογραφή Εργαστήριο Ηλεκτρικών Κυκλωµάτων και Συστηµάτων 1η Εργαστηριακή Άσκηση: Απόκριση κυκλώµατος σε βηµατική και αρµονική διέγερση Μέρος Α : Απόκριση στο πεδίο

Διαβάστε περισσότερα

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ.Ε.

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες): ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 9/0/00 ΘΕΜΑ ο ( μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: 0, 0.7, kω, 0 kω, Ε kω, L kω, β fe 00, e kω. (α) Να προσδιορίσετε τις τιμές των αντιστάσεων,

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στην Ανάλυση και Προσοµοίωση Δυναµικών Συστηµάτων

Εισαγωγή στην Ανάλυση και Προσοµοίωση Δυναµικών Συστηµάτων Εισαγωγή στην Ανάλυση και Προσοµοίωση Δυναµικών Συστηµάτων Control Systems Laboratory Περιγραφή Δυναµικών Συστηµάτων Εξίσωση µεταβολής όγκου Η µεταβολή όγκου ισούται µε τη παροχή υγρού Q που σχετίζεται

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής 1. Ένα τρανζίστορ διπλής επαφής είναι πολωµένο σωστά όταν: α. Η βάση είναι σε υψηλότερο δυναµικό από τον εκποµπό και σε χαµηλότερο από το συλλέκτη β. Η βάση είναι σε χαµηλότερο

Διαβάστε περισσότερα

HY:433 Σχεδίαση Αναλογικών/Μεικτών και Υψισυχνών Κυκλωμάτων

HY:433 Σχεδίαση Αναλογικών/Μεικτών και Υψισυχνών Κυκλωμάτων HY:433 Σχεδίαση Αναλογικών/Μεικτών και Υψισυχνών Κυκλωμάτων «Ηλεκτρικός Θόρυβος» Φώτης Πλέσσας fplessas@e-ce.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Δομή Παρουσίασης Εισαγωγή Στατιστικά Χαρακτηριστικά

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 1-1 Ενεργειακές Ζώνες 3 1-2 Αµιγείς και µη Αµιγείς Ηµιαγωγοί 5 ότες 6 Αποδέκτες 8 ιπλοί ότες και Αποδέκτες 10 1-3 Γένεση, Παγίδευση και Ανασύνδεση Φορέων 10 1-4 Ένωση pn

Διαβάστε περισσότερα

Ιατρικά Ηλεκτρονικά. Χρήσιμοι Σύνδεσμοι. ΙΑΤΡΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΔΙΑΛΕΞΗ 5α. Σημειώσεις μαθήματος: E mail:

Ιατρικά Ηλεκτρονικά. Χρήσιμοι Σύνδεσμοι. ΙΑΤΡΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΔΙΑΛΕΞΗ 5α. Σημειώσεις μαθήματος: E mail: Ιατρικά Ηλεκτρονικά Δρ. Π. Ασβεστάς Τμήμα Μηχανικών Βιοϊατρικής Τεχνολογίας Τ.Ε Χρήσιμοι Σύνδεσμοι Σημειώσεις μαθήματος: http://medisp.bme.teiath.gr/eclass/courses/tio127/ E mail: pasv@teiath.gr 2 1 Περιοδικά

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτές Ισχύος σε τάξη Β

Ενισχυτές Ισχύος σε τάξη Β Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Ενισχυτές Ισχύος σε τάξη Β Οι ενισχυτές τάξης Α παρουσιάζουν χαµηλή απόδοση λόγω της µόνιµης κατανάλωσης V CE I C στο τρανζίστορ. Για να µειωθεί η κατανάλωση ισχύος σε ηρεµία (~

Διαβάστε περισσότερα

Λογαριθµικοί Ενισχυτές

Λογαριθµικοί Ενισχυτές Λογαριθµικοί Ενισχυτές I D ontrol Sytem Laboratory Σε πολλές εφαρμογές το δυναμικό εύρος (dynamic range), δηλαδή το μέγεθος του σήματος, είναι πολύ μεγάλο για τις ικανότητες ορισμένων chip (π.χ. ΤΕ, κλπ)

Διαβάστε περισσότερα

5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση. Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού

5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση. Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού 5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 5. ΤΡΟΦΟ ΟΤΙΚΑ 220 V, 50 Hz. 0 V Μετασχηµατιστής Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση 0 V 0 V Ανορθωτής Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού Φίλτρο

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Σχήµα 1. Κύκλωµα DC πόλωσης ηλεκτρονικού στοιχείου Στο ηλεκτρονικό στοιχείο του σχήµατος

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013 ΘΕΜΑ ο (.5 μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: Β 90 kω, C kω, Ε E kω, kω, V CC V, V B 0.70 V και Ι Β 0 μα. Επίσης, για τα δύο τρανζίστορ του ενισχυτή δίνονται: β h e h e 00 και h

Διαβάστε περισσότερα

Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ

Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Η/Υ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών Δρ. Χ. Μιχαήλ Πάτρα, 2010 ΑΣΚΗΣΗ 1 Ένας μικροεπεξεργαστής πρέπει να οδηγήσει ένα δίαυλο

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος Αναφορά αποτελεσμάτων εργαστηριακών μετρήσεων και μετρήσεων προσομοίωσης κυκλωμάτων εργαστηρίου Ονόματα φοιτητών ομάδας Μουστάκα

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Ενισχυτές

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Ενισχυτές Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MO Ενισχυτέςενόςσταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες): ΘΕΜΑ 1 ο ( μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: V 10V, V BE 0.7 V, Β 200 kω, 1 kω, 1 kω, β 100. (α) Να προσδιορίσετε το σημείο λειτουργίας Q (V E, I ) του τρανζίστορ. (1 μονάδα) (β)

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός

Διαβάστε περισσότερα

ΜΕΡΟΣ Α: Απαραίτητες γνώσεις

ΜΕΡΟΣ Α: Απαραίτητες γνώσεις ΜΕΡΟΣ Α: Απαραίτητες γνώσεις Φίλτρα RC Τα φίλτρα RC είναι από τις σπουδαίες εφαρμογές των πυκνωτών. Τα πιο απλά φίλτρα αποτελούνται από έναν πυκνωτή και μία αντίσταση σε σειρά. Με μια διαφορετική ματιά

Διαβάστε περισσότερα

ΗΜΥ Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων. Πανεπιστήμιο Κύπρου. Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών

ΗΜΥ Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων. Πανεπιστήμιο Κύπρου. Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων ΗΜΥ203 ιάλεξη και Φροντιστήριο 2 12/09/12 1 Περίληψη Παρατηρήσεις / Απορίες στα Εργ. 0 και 1 Εισαγωγή στο Εργαστήριο 2 Εισαγωγή στο PSpice 2 Εργαστήριο 0 Βρείτε τις

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 5ο. Λιούπης Τεχνολογία CMOS Υλοποιεί την πλειοψηφία των µοντέρνων ψηφιακών κυκλωµάτων λογικές πύλες µνήµες επεξεργαστές άλλα σύνθετα κυκλώµατα Συνδυάζει συµπληρωµατικά pmos και

Διαβάστε περισσότερα

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ «Ανάπτυξη νέων δοµών φίλτρων στο λογαριθµικό πεδίο µε χρήση της κυµατικής µεθόδου» ιδακτορική ιατριβή Φραγκούλης Νικόλαος Φυσικός, MSc Πάτρα 4

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας ΔΙΟΔΟΣ Οι περισσότερες ηλεκτρονικές συσκευές όπως οι τηλεοράσεις, τα στερεοφωνικά συγκροτήματα και οι υπολογιστές χρειάζονται τάση dc για να λειτουργήσουν σωστά.

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός

Διαβάστε περισσότερα

Ιατρικά Ηλεκτρονικά. Χρήσιμοι Σύνδεσμοι. ΙΑΤΡΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΔΙΑΛΕΞΗ 5γ. Σημειώσεις μαθήματος: E mail:

Ιατρικά Ηλεκτρονικά. Χρήσιμοι Σύνδεσμοι. ΙΑΤΡΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΔΙΑΛΕΞΗ 5γ. Σημειώσεις μαθήματος: E mail: Ιατρικά Ηλεκτρονικά Δρ. Π. Ασβεστάς Τμήμα Μηχανικών Βιοϊατρικής Τεχνολογίας Τ.Ε Χρήσιμοι Σύνδεσμοι Σημειώσεις μαθήματος: http://medisp.bme.teiath.gr/eclass/courses/tio127/ E mail: pasv@teiath.gr 2 1 Πολλές

Διαβάστε περισσότερα

PWL REPEAT FOREVER ( m m m 0) ENDREPEAT

PWL REPEAT FOREVER ( m m m 0) ENDREPEAT ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ Μοντέλο ενός τελεστικού ενισχυτή Ο τελεστικός ενισχυτής είναι ένα κύκλωµα µε δύο εισόδους και µία έξοδο Στην έξοδο εµφανίζεται η διαφορά των εξόδων πολλαπλασιασµένη επί το κέρδος ανοιχτού

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017 ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Λ ΜΠΙΣΔΟΥΝΗΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 6/0/07 ΘΕΜΑ ο ( μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται:

Διαβάστε περισσότερα