櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 DOI /j. cnki. bdtjs MOSFET %
|
|
- Πτολεμαῖος Αξιώτης
- 7 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 DOI /j. cnki. bdtjs Ge /SiGe HfO 2 k Si Ge /SiGe SB- n Si Ge n SiGe UHV CVD Ge Si Ge 32 nm Si Ge nm Ge 1 nm Si X Ni NiGe /Ge p Ge /SiGe % Ge /SiGe TN386 A X Schottky Barrier S / D Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors with Ge / SiGe Heterostructure Zhang Maotian Liu Guanzhou Li Cheng Wang Chen Huang Wei Lai Hongkai Chen Songyan Department of Physics Semiconductor Photonics Research Center Xiamen University Xiamen China Abstract Si-based Ge /SiGe heterostructure Schottky barrier source and drain metal oxide semiconductor field effect transistors SB-s with hafnium dioxide high-k gate were fabricated. The effect of the n-type doped Si Ge layer on the device performance was investigated and the mechanism of the device off-state current reduction caused by the n type doping SiGe layer was analyzed. Firstly Ge buffer was fabricated with low-temperature Ge buffer technique. Then a 32 nm Si Ge layer and a 12 nm Ge layer were grown on the Ge buffer in the same UHVCVD system. For comparative study the 32 nm Si Ge layer was controlled undoped or n-type doped by P. For all samples 1 nm Si layer was grown to passivate the Ge surface. Atomic force microscopy and X-ray diffraction were used to characterize the surface morphology and crystal quality of the materials. NiGe / Ge Schottky junctions in source and drain were formed by nickel layer deposition and anneal. The fabricated Ge / SiGe heterosturctual device without n-type doping shows 150% enhancement of the hole effective mobility over that of the control Si device and about 80% enhancement over the universal Si device. And the device with n-type doping shows a comparable hole effective mobility with the universal Si device. Key words Ge /SiGe heterosturcture Schottky barrier off-state current mobility doping EEACC 2560R CB CB lich@ xmu. edu. cn
2 Ge /SiGe 0 80% n SiGe 1 III-V Ge Ge UHVCVD Si Ge Si Si 2 4 Si 440 nm Ge 32 nmsige 12 nm Ge 1 nm Si 4 1 = Si Ge cm n Si ~ 1. 2 Ω cm RCA n Ge h 10-8 Pa min k 750 Ge 300 nm Si nm Ge k nm Ge Ge 2002 H. Shang 1 11 Ge /SiGe GeON Ge 20 nm SiGe 10 nm P Si SiGe Ge Si A P B 2 nm SiGe GeO 2 4 NH 4 2 S 5 H 2 S nm Ge Ge k Ge nm Si P SiGe Ge Ge cm - 3 Ge Ge SB R. Pillarisetty 7 Ge 20 nm HfO 2 20 nm TaN 770 cm 2 V - 1 s HfO 2 /TaN k / P. Hashemi 8 Ge 10 nm Ni s 940 cm 2 V - 1 s - 1 NiGe /Ge Ni k Ge μm T. Yamamoto 9 SiO 2 NiGe /Ge Ge 250 cm 2 / V s 2012 B. Liu 10 Ge 10 2 FET 740 μs /μm k / Si 1 Ge /SiGe SB- Ge /SiGe NiGe /Ge Fig. 1 Structure schematic of the SB- with Ge / SiGe p Ge MOS- heterostructure February 2014 Semiconductor Technology Vol. 39 No
3 Ge /SiGe 2 Ge B SiGe Ge Ge A B Ge 0. 19% 0. 12% 2. 1 B P Si secondary ion mass spectroscopy SIMS d x A SiGe Si Ge N D SiGe 0. 4 nm B 0. 7 nm 2 Fig. 2 3 X XRD SiGe Si SiGe Ge Ge SiGe P Ge P A Ge 630! 30 nmsige Ge P SiGe 820! B Ge SiGe SIMS SiGe XRD 750! 1 000! XRD 2. 2 XRD A B SiGe Ge Ge A SiGe 3 Fig. 3 A B Ge /SiGe XRD XRD curves of Ge / SiGe heterostructure materials of sample A and sample B 4 B P SIMS Fig. 4 Secondary ion mass spectroscopy SIMS profiles of phosphorus in sample B 4 Ge Si P SiGe AFM images of samples' morphology N D cm - 3 P A B 0 V - 3 V V 5 A B I DS -V DS I DS V DS V GS A 0 V B - 1 V A Ge p NiGe p-ge B n A A
4 Ge /SiGe B NiGe /Ge - 1 V Ge 7 A B I DS -V GS 1 V - 3 V V A B A B B P 5 A B I DS -V DS B Fig. 5 I DS -V DS characteristic curves of sample A and A sample B A Ge I-V p NiGe /Ge NiGe /Ge J-V B 6 NiGe /Ge B n SiGe B J TE [ ( ) ] ( ) exp qv kt J TE = A * T 2 exp - q Bn kt A * k T Bn J s m J m s I-V B NiGe /Ge ev 6 A B J-V Fig. 6 J-V characteristic curves of the Schottky source / drain junctions of sample A and B A I-V NiGe p-ge B 7 A B Fig. 7 I DS -V GS characteristic curves of samples A and sample B SiGe Ge P n-ge NiGe /Ge 12 NiGe /Ge J n = J s m + J m s = A * T 2 exp - q Bn [ ( ) ] kt [ ( ) ] exp qv kt - 1 = V DS 50 ~ 100 mv I DS February 2014 Semiconductor Technology Vol. 39 No
5 Ge /SiGe I DS = k( V GS - V T V ) ( DS V DS - I DS R ) 2 SD R SD I DS = 0 V GS - V T V DS = 0 I DS = 0 V GS = V GSi Si 80% E eff = 0. 1 MV cm - 1 V T = V GSi V DS 313 cm 2 V - 1 s - 1 Si V T I DS -V GS 150% B P V T B I DS -V GS A I DS -V GS Si g m = I DS / V GS I DS -V GS I DS = 0 8 B V T = V A V B SB- Si 90% A 9 Fig. 9 A B Dependence of the effective hole mobility on the effective field of sample A and sample B cm 2 / V s Si Fig. 8 Schematic diagram of the method for measuring the linear threshold voltage 80% Si 150% n SiGe NiGe /Ge 401 V DS 50 ~ 100 mv Ge p μ eff p E eff P μ eff = g dl 3 Q n W E eff = Q b + Q n /3 ε s ε Ge /SiGe Ge /SiGe g d = I DS V DS V GS = const 1 SHANG H OKOM-SCHMIDT H CHAN K K et al. Q n = C ox ( V GS - V ) High mobility p-channel germanium s with a thin T Q b = 4κ s ε 0 ktn A ln N Ge oxynitride gate dielectric C Proceedings of IEEE A 槡 ( n ) ε s International Electron Devices Meeting. San Francisco i USA ε 0 L /W 2 MITARD J VICENT B JAEGER B D et al. Electrical characterization of Ge-pFETs with HfO 2 /TiN metal Si gate review of possible defects impacting the hole
6 Ge /SiGe mobility J. ECS Trans DELABIE A BELLENGER F HOUSSA M et al. Effective electrical passivation of Ge 100 for high-k gate dielectric layers using germanium oxide J. Applied Physics Letters TORIUMI A TABATA T LEE C H et al. Opportunities and challenges for Ge CMOS Control of interfacing field on Ge is a key J. Microelectronic Engineering /8 / SIONCKE S LIN H C BRAMMERTZ G et al. Atomic layer deposition of high-k dielectrics on sulphur passivated germanium J. Electrochemic Soc MERCKLING C CHANG Y C LU C Y et al. J. Micro- molecular beam passivation of Ge 001 electron Eng H 2 S 7 PILLARISETTY R CHU-KUNG B CORCORAN S et al. High mobility strained germanium quantum well field effect transistor as the p-channel device option for low power V cc = 0. 5 V III-V CMOS architecture C Proceedings of 2010 IEEE International Electron Devices Meeting. San Francisco USA HASHEMI P HOYT J L. High hole-mobility strained- Ge /Si 0. 6 Ge 0. 4 p-s with high-k /metal gate role of strained-si cap thickness J. IEEE Electron Device Lett YAMAMOTO T YAMASHITA Y HARADA M et al. High performance 60 nm gate length germanium p-s with Ni germanide metal source /drain C Proceedings of IEEE International Electron Devices Meeting. Washington DC USA LIU B GONG X HAN G Q et al. High-performance germanium Ω-gate MuGFET with Schottky-barrier nickel germanide source / drain and low-temperature disilane-passivated gate stack J. IEEE Electron Device Lett UHV /CVD J M M Si 650 V FSL306 FSL V AC 250 μa FSL ~ 3 W FSL306 FSL ms PWM FSL306 FSL336 February 2014 Semiconductor Technology Vol. 39 No
Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET)
Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET) Χρησιµοποιούνται σε κλίµακα υψηλής ολοκλήρωσης VLSI Χρησιµοποιούνται και σε αναλογικούς ενισχυτές καθώς και στο στάδιο εξόδου ενισχυτών Ισχύος-
Διαβάστε περισσότεραΑξιολόγηση Ημιαγώγιμων Υμενίων Σεληνιούχου Καδμίου Σε Υπόστρωμα Νικελίου Για Φωτοβολταϊκές Εφαρμογές
ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΜΕΤΑΔΟΣΗΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΑΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΛΙΚΩΝ Αξιολόγηση Ημιαγώγιμων Υμενίων Σεληνιούχου Καδμίου Σε Υπόστρωμα
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 2: Το Τρανζίστορ Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. Άδειες Χρήσης
Διαβάστε περισσότεραPreparation of Hydroxyapatite Coatings on Enamel by Electrochemical Technique
25 7 2009 7 CHINESE JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY Vol.25 No.7 1187~1193 1,2 *,1 1 ( 1, 361005) ( 2, 363105) : Ca(NO 3 ) 2 NH 4 H 2 PO 4 NaNO 3, (HA) X (XRD) (SEM) (EDS), ph (HA), HA c ph 6 0.5 ma cm -2
Διαβάστε περισσότεραPhase Segregation of ZnO / ZnMgO Superlattice Affected by Ⅱ-Ⅵ Ratio
35 5 214 5 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE Vol. 35 No. 5 May 214 1-732 214 5-526-5 Ⅱ-Ⅵ ZnO /ZnMgO * 3615 Zn 1 - x Mg x O x =. 4 ~. 6 c ZnO /ZnMgO Ⅱ-Ⅵ X X MgZnO ZnO Ⅱ-Ⅵ O484. 4 A DOI 1. 3788 /fgxb214355.
Διαβάστε περισσότεραSupporting Information
Supporting Information Mitochondria-Targeting Polydopamine Nanocomposites as Chemophotothermal Therapeutics for Cancer Zhuo Wang *,, Yuzhi Chen, Hui Zhang, Yawen Li, Yufan Ma, Jia Huang, Xiaolei Liu, Fang
Διαβάστε περισσότερα27 7 Vol. 27 No CHINESE JOURNAL OF APPLIED CHEMISTRY July CV SEM EIS DTD. MCMB / 0. 01% DTD MCMB /Li. 300 ma h /g 350 ma h /g
27 7 Vol. 27 No. 7 2010 7 CHINESE JOURNAL OF APPLIED CHEMISTRY July 2010 361005 * 1 mol /L LiPF 6 / + + 1 1 1 CV SEM EDS EIS DTD MCMB / 0. 01% DTD MCMB /Li 300 ma h /g 350 ma h /g CV DTD 1. 4 V vs Li /Li
Διαβάστε περισσότεραGaN . MOCVD. HEMTs nm μm GaN. AlGaN cm - 2. RIE Ti / Al / Ni / Au 22 nm /140 nm /55 nm / 40 s. Ni / Au / Ni 45 nm /200 nm /20
Acta Phys Sin Vol 60 No 1 201 017205 * GaN 2 2 71007 2 71007 2010 7 3 2010 8 10 GaN HEMTs GaN HEMTs GaN HEMTs PACS 72 80 Ey 73 40 Qv 1 field-plate GaN HEMTs HEMTs MOCVD 000 1 4 100 nm AlN 1 4 μm GaN 1
Διαβάστε περισσότεραΑνάπτυξη οξειδίου του πυριτίου σε αντιδραστήρα πλάσματος και ηλεκτρικός χαρακτηρισμός του
ΕΘΝΙΚΟ ΚΑΙ ΚΑΠΟΔΙΣΤΡΙΑΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΑΘΗΝΩΝ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΔΙΑΤΜΗΜΑΤΙΚΟ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΩΝ ΣΠΟΥΔΩΝ ΣΤΗ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ Ανάπτυξη
Διαβάστε περισσότεραDesign and Fabrication of Water Heater with Electromagnetic Induction Heating
U Kamphaengsean Acad. J. Vol. 7, No. 2, 2009, Pages 48-60 ก 7 2 2552 ก ก กก ก Design and Fabrication of Water Heater with Electromagnetic Induction Heating 1* Geerapong Srivichai 1* ABSTRACT The purpose
Διαβάστε περισσότεραStudy on the Strengthen Method of Masonry Structure by Steel Truss for Collapse Prevention
33 2 2011 4 Vol. 33 No. 2 Apr. 2011 1002-8412 2011 02-0096-08 1 1 1 2 3 1. 361005 3. 361004 361005 2. 30 TU746. 3 A Study on the Strengthen Method of Masonry Structure by Steel Truss for Collapse Prevention
Διαβάστε περισσότερα(Ο Ηλεκτρονικός Διακόπτης)
(Ο Ηλεκτρονικός Διακόπτης) The MOS Transistor Polysilicon Aluminum N MOS Τρανζίστορ ρ Διάταξη τριών ακροδεκτών Πηγή (Source) Καταβόθρα (Drain) Πύλη (Gate) Κατασκευαστικά η Πηγή και η Καταβόθρα είναι όμοιες
Διαβάστε περισσότεραNo. 7 Modular Machine Tool & Automatic Manufacturing Technique. Jul TH166 TG659 A
7 2016 7 No. 7 Modular Machine Tool & Automatic Manufacturing Technique Jul. 2016 1001-2265 2016 07-0122 - 05 DOI 10. 13462 /j. cnki. mmtamt. 2016. 07. 035 * 100124 TH166 TG659 A Precision Modeling and
Διαβάστε περισσότεραMnZn. MnZn Ferrites with Low Loss and High Flux Density for Power Supply Transformer. Abstract:
MnZn JFE No. 8 5 6 p. 32 37 MnZn Ferrites with Low Loss and High Flux Density for Power Supply Transformer FUJITA Akira JFE Ph. D. FUKUDA Yutaka JFE NISHIZAWA Keitarou JFE TOGAWA Jirou MnZn Fe2O3 1 C NiO
Διαβάστε περισσότεραΑΠΟ ΤΗΝ ΚΒΑΝΤΙΚΗ ΟΜΗ ΤΗΣ ΥΛΗΣ ΣΤΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ
ΑΠΟ ΤΗΝ ΚΒΑΝΤΙΚΗ ΟΜΗ ΤΗΣ ΥΛΗΣ ΣΤΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ Α. ηµουλάς Εργαστήριο ΜΒΕ Ινστιτούτο Επιστήµης Υλικών ΕΚΕΦΕ ΗΜΟΚΡΙΤΟΣ Συµβολή των ηλεκτρονικών υλικών στην ανάπτυξη των συστηµάτων πληροφορικής Τρανσίστορ :
Διαβάστε περισσότεραThe Relation between Mobility and Microstructure in OTFT
1. SID 25 2.OLED 3. 4. 5.LED 6. 7.LCD-TV 8. http://www.materialsnet.com.tw The Relation between Mobility and Microstructure in OTFT T.C. Tien J.F. Wen Y.J. Chio L.C. Lin M.W. Lin MRL / ITRI T.S. Hu J.C.
Διαβάστε περισσότεραNov Journal of Zhengzhou University Engineering Science Vol. 36 No FCM. A doi /j. issn
2015 11 Nov 2015 36 6 Journal of Zhengzhou University Engineering Science Vol 36 No 6 1671-6833 2015 06-0056 - 05 C 1 1 2 2 1 450001 2 461000 C FCM FCM MIA MDC MDC MIA I FCM c FCM m FCM C TP18 A doi 10
Διαβάστε περισσότεραFused Bis-Benzothiadiazoles as Electron Acceptors
Fused Bis-Benzothiadiazoles as Electron Acceptors Debin Xia, a,b Xiao-Ye Wang, b Xin Guo, c Martin Baumgarten,*,b Mengmeng Li, b and Klaus Müllen*,b a MIIT Key Laboratory of ritical Materials Technology
Διαβάστε περισσότερα2 PbO 2. Pb 3 O 4 Sn. Ti/SnO 2 -Sb 2 O 4 -CF/PbO x SnO 2 -Sb PbO 2. Sn-Sb 1:1. 1 h. Sn:Sb=10:1. PbO 2 - CeO 2 PbO 2. [8] SnO 2 +Sb 2 O 4 _
41 Vol.41, No. 01 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING March 01 Pb O 4 PbO ( 710049) SnO -Sb Pb O 4 Pb O 4 100.5 h 970 h XRF XRD SEM Pb O 4 PbO PbO TG146.1 + A 100-185X(01)0-046-05 [1,] 1 PbO PbO Sn-Sb
Διαβάστε περισσότεραMicroelectronic Circuit Design Third Edition - Part I Solutions to Exercises
Microelectronic Circuit Design Third Edition - Part I Solutions to Exercises Page 11 CHAPTER 1 V LSB 5.1V 10 bits 5.1V 104bits 5.00 mv V 5.1V MSB.560V 1100010001 9 + 8 + 4 + 0 785 10 V O 786 5.00mV or
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών) Τα μοντέρνα ψηφιακά κυκλώματα (λογικές πύλες, μνήμες, επεξεργαστές και άλλα σύνθετα κυκλώματα) υλοποιούνται σήμερα
Διαβάστε περισσότεραVSC STEADY2STATE MOD EL AND ITS NONL INEAR CONTROL OF VSC2HVDC SYSTEM VSC (1. , ; 2. , )
22 1 2002 1 Vol. 22 No. 1 Jan. 2002 Proceedings of the CSEE ν 2002 Chin. Soc. for Elec. Eng. :025828013 (2002) 0120017206 VSC 1, 1 2, (1., 310027 ; 2., 250061) STEADY2STATE MOD EL AND ITS NONL INEAR CONTROL
Διαβάστε περισσότεραReaction of a Platinum Electrode for the Measurement of Redox Potential of Paddy Soil
J. Jpn. Soc. Soil Phys. No. +*0, p.- +*,**1 Eh * ** Reaction of a Platinum Electrode for the Measurement of Redox Potential of Paddy Soil Daisuke MURAKAMI* and Tatsuaki KASUBUCHI** * The United Graduate
Διαβάστε περισσότεραRapid determination of soluble reactive silicate in seawater by flow injection analysis with spectrophotometric detection and its application
31 5 2011 5 Acta Scientiae Circumstantiae Vol 31 No 5 May 2011 2011 - J 31 5 935-940 Huang Y M Yuan D X Peng Y Z et al 2011 Rapid determination of soluble reactive silicate in seawater by flow injection
Διαβάστε περισσότερα16 1 Vol. 16 No ELECTROCHEMISTRY Feb MnO 6 Bir-Co5% Bir-Co10% Bir-Co15% Bir-Co20%. 3 3 Li mol L - 1 MgCl 2.
16 1 Vol 16 No 1 2010 2 ELECTROCHEMISTRY Feb 2010 1006-3471 2010 01-0090-06 * 430070 X- XRD TG Mg x Co y MnO z nh 2 O 0 18 x 0 22 0 y 0 24 2 10 z 2 53 0 35 n 0 73 Tod-Co10% 10% Co Mg 0 18 Co 0 12 MnO 2
Διαβάστε περισσότεραZnO-Bi 2 O 3 Bi 2 O 3
20 7 2010 7 Vol.20 No.7 The Chinese Journal of Nonferrous Metals July 2010 1004-0609(2010)07-1396-06 ZnO-Bi 2 O 3 Bi 2 O 3 1, 2 1 1 1 2 (1., 212013; 2., 200444) ZnO-Bi 2 O 3 XRD SEM 1 100 1 000 1 100 1
Διαβάστε περισσότεραResurvey of Possible Seismic Fissures in the Old-Edo River in Tokyo
Bull. Earthq. Res. Inst. Univ. Tokyo Vol. 2.,**3 pp.,,3,.* * +, -. +, -. Resurvey of Possible Seismic Fissures in the Old-Edo River in Tokyo Kunihiko Shimazaki *, Tsuyoshi Haraguchi, Takeo Ishibe +, -.
Διαβάστε περισσότεραHY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI Διδάσκων: Χ. Σωτηρίου, Βοηθοί: θα ανακοινωθούν http://www.csd.uoc.gr/~hy330 1 Περιεχόμενα Συσκευές στο Πυρίτιο Πυρίτιο n και p Δίοδος Θετική, αρνητική
Διαβάστε περισσότεραMicro arc Oxidation Technique for Aluminum and its Alloys
18 6 Vol.18 No.6 52005 12 CHINA SURFACE ENGINEERING Dec. 20055 * 1 1 1 1,2 1. 250061 2. 150001 TG 146.2 A 1007 9289 (2005)06 0005 05 Micro arc Oxidation Technique for Aluminum and its Alloys DONG Qing
Διαβάστε περισσότεραΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΙΑΤΜΗΜΑΤΙΚΟ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΟ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΣΠΟΥ ΩΝ ΝΑΝΟΕΠΙΣΤΗΜΕΣ & ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ Ν&Ν ΓΡΑΦΕΝΙΟ : ΦΥΣΙΚΗ & ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΛΑΜΠΡΙΝΟΣ Ι. ΜΙΧΑΗΛ ΕΠΙΒΛΕΠΩΝ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ:
Διαβάστε περισσότεραGro wth Properties of Typical Water Bloom Algae in Reclaimed Water
31 1 2010 1 ENVIRONMENTAL SCIENCE Vol. 31,No. 1 Jan.,2010, 3, (,, 100084) :,.,, ( Microcystis aeruginosa),3 (A 2 O ) 10 6 ml - 1,> 0139 d - 1. A 2 O222,. TP ( K max ) ( R max ), Monod. :; ; ; ; :X173 :A
Διαβάστε περισσότεραExperimental Study of Dielectric Properties on Human Lung Tissue
32 2 2013 4 Chinese Journal of Biomedical Engineering Vol. 32 No. 2 April 2013 1 1* 2 1 300072 2 300052 Agilent 4294A 100 Hz ~ 100 MHz Cole-Cole 3 ~ 5 1. 6 ~ 3. 3 R α τ f c P < 0. 05 EIT R318 A 0258-8021
Διαβάστε περισσότεραThe effect of temperature and heating period on optical properties of ZnO nano layers deposited on LiNbO 3
- ( ) LiNbO ( 89/1/1 : - 89/1/14 : ) ( Zn) ( ZnO).. 00-1100 (k) (R) (T) ( 800 o C).. ZnO 800 o C.. : The effect of temperature and heating period on optical properties of ZnO nano layers deposited on LiNbO
Διαβάστε περισσότεραOptimizing Microwave-assisted Extraction Process for Paprika Red Pigments Using Response Surface Methodology
2012 34 2 382-387 http / /xuebao. jxau. edu. cn Acta Agriculturae Universitatis Jiangxiensis E - mail ndxb7775@ sina. com 212018 105 W 42 2 min 0. 631 TS202. 3 A 1000-2286 2012 02-0382 - 06 Optimizing
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές
Διαβάστε περισσότεραEvolution of Novel Studies on Thermofluid Dynamics with Combustion
MEMOIRS OF SHONAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY Vol. 42, No. 1, 2008 * Evolution of Novel Studies on Thermofluid Dynamics with Combustion Hiroyuki SATO* This paper mentions the recent development of combustion
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρικές δοκιµές σε καλώδια µέσης τάσης - ιαδικασίες επαλήθευσης και υπολογισµού αβεβαιότητας ΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ
ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΙΣΧΥΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΥΨΗΛΩΝ ΤΑΣΕΩΝ Ηλεκτρικές δοκιµές σε καλώδια µέσης τάσης - ιαδικασίες επαλήθευσης και
Διαβάστε περισσότεραΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ
ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΜΑΓΝΗΤΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΟΠΤΙΚΗΣ & ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΥΛΙΚΩΝ Μελέτη Επίδρασης Υπεριώδους Ακτινοβολίας σε Λεπτά
Διαβάστε περισσότεραACTA CHIMICA SINICA . :AAO. H 3 PO 4 AAO AAO. Unstable Growth of Anodic Aluminum Oxide Investigated by AFM
2004 62 7, 680 685 ACTA CHIMICA SINICA Vol 62, 2004 No 7, 680 685 AFM a b Ξ, a Ξ ( a 730000) ( b 730000) (AFM) (AAO) :AAO H 3 PO 4 AAO ; H 2 C 2 O 4 AAO,,, AAO, Y T (AFM), (AAO),, Unstable Growth of Anodic
Διαβάστε περισσότεραJOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY. TiO 2 X
40 8 2012 8 Ni-YSZ Sm 0.5 Sr 0.5 Fe 0.8 Cu 0.2 O 3 δ 1215 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY Vol. 40 No. 8 August 2012 TiO 2 ( 710048) TiO 2 20 30 nm TiO 2 (PVP) TiO 2 X TiO 2 TiO 2 TiO 2 150 250 nm
Διαβάστε περισσότεραCharacterization of Nitrogen-Doped 6H-SiC Single Crystals Grown by Sublimation Method
Characterization of NitrogenDoped 6HSiC Single Crystals Grown by Sublimation Method Atsuto Okamoto, Naohiro Sugiyama, Toshihiko Tani, Nobuo Kamiya Lely SiC 6HSiC 6HSiC van der Pauw 0.050.8Torr EPD MPD
Διαβάστε περισσότεραGS3. A liner offset equation of the volumetric water content that capacitance type GS3 soil moisture sensor measured
J. Jpn. Soc. Soil Phys. No. 130, p.19 25 (2015) GS3 1 2 A liner offset equation of the volumetric water content that capacitance type GS3 soil moisture sensor measured Shoichi MITSUISHI 1 and Masaru MIZOGUCHI
Διαβάστε περισσότεραΔιπλωματική Εργασία του φοιτητή του Τμήματος Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Τεχνολογίας Υπολογιστών της Πολυτεχνικής Σχολής του Πανεπιστημίου Πατρών
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ:ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ Διπλωματική Εργασία του φοιτητή του Τμήματος Ηλεκτρολόγων
Διαβάστε περισσότεραTable of Contents. Preface... xi
Preface... xi Chapter 1. Introduction to Semiconductor Photodetectors.... 1 Franck OMNES 1.1. Brief overview of semiconductor materials... 1 1.2. Photodetection with semiconductors: basic phenomena...
Διαβάστε περισσότεραA Determination Method of Diffusion-Parameter Values in the Ion-Exchange Optical Waveguides in Soda-Lime glass Made by Diluted AgNO 3 with NaNO 3
大阪電気通信大学研究論集 ( 自然科学編 ) 第 51 号 A Determination Method of Diffusion-Parameter Values in the Ion-Exchange Optical Waveguides in Soda-Lime glass Made by Diluted AgNO 3 with NaNO 3 Takuya IWATA and Kiyoshi
Διαβάστε περισσότεραLaboratory Studies on the Irradiation of Solid Ethane Analog Ices and Implications to Titan s Chemistry
Laboratory Studies on the Irradiation of Solid Ethane Analog Ices and Implications to Titan s Chemistry 5th Titan Workshop at Kauai, Hawaii April 11-14, 2011 Seol Kim Outer Solar System Model Ices with
Διαβάστε περισσότεραMotion analysis and simulation of a stratospheric airship
32 11 Vol 32 11 2011 11 Journal of Harbin Engineering University Nov 2011 doi 10 3969 /j issn 1006-7043 2011 11 019 410073 3 2 V274 A 1006-7043 2011 11-1501-08 Motion analysis and simulation of a stratospheric
Διαβάστε περισσότεραΜΕΛΕΤΗ ΔΙΕΠΙΦΑΝΕΙΩΝ ΜΕΤΑΛΛΟΥ / ΑΝΘΡΑΚΟΠΥΡΙΤΙΟΥ ΜΕ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΚΑ ΕΥΑΙΣΘΗΤΕΣ ΤΕΧΝΙΚΕΣ
ΜΕΛΕΤΗ ΔΙΕΠΙΦΑΝΕΙΩΝ ΜΕΤΑΛΛΟΥ / ΑΝΘΡΑΚΟΠΥΡΙΤΙΟΥ ΜΕ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΚΑ ΕΥΑΙΣΘΗΤΕΣ ΤΕΧΝΙΚΕΣ Διδακτορική Διατριβή Υποβληθείσα στο Τμήμα Χημικών Μηχανικών του Πανεπιστημίου Πατρών Υπό ΙΩΑΝΝΗ ΔΟΝΤΑ του Θεοφάνη Για
Διαβάστε περισσότερα. O 2 + 2H 2 O + 4e 4OH -
16 1 Vol 16 No 1 2010 2 ELECTROCHEMISTRY Feb 2010 1006-3471 2010 01-0060-05 * 361005 O646 A 1 2 ph > 12 5 2-3 5-7 ph Fe Fe 2 + + 2e Cl - 4 O 2 + 2H 2 O + 4e 4OH - Cl - CO 2 / 8 Cl - CO 2 H 2 O O 2 9-10
Διαβάστε περισσότεραAlGaN/GaN. , p-i-n. PACS: Fd, Bt, Gz. GaN,. , n AlGaN/GaN. . AlGaN/GaN. (high electron mobility transistor, HEMT)
AlGaN/GaN p-i-n * (, 710071 ) ( 2011 3 16 ; 2011 5 12 ), Poisson-Schrödinger, p-algan AlGaN/GaN p-i-n., p-algan.,, p-algan, p-algan, i-gan,.,, p-algan,.. : AlGaN/GaN,, p-i-n, PACS: 78.66.Fd, 85.60.Bt,
Διαβάστε περισσότεραΤεχνικές παρασκευής ζεόλιθου ZSM-5 από τέφρα φλοιού ρυζιού με χρήση φούρνου μικροκυμάτων και τεχνικής sol-gel
Τεχνικές παρασκευής ζεόλιθου ZSM-5 από τέφρα φλοιού ρυζιού με χρήση φούρνου μικροκυμάτων και τεχνικής sol-gel Δέσποινα Στεφοπούλου Επιβλέπων: Κωνσταντίνος Κορδάτος Στην παρούσα διπλωματική εργασία παρασκευάστηκαν
Διαβάστε περισσότερα1 h, , CaCl 2. pelamis) 58.1%, (Headspace solid -phase microextraction and gas chromatography -mass spectrometry,hs -SPME - Vol. 15 No.
2 0 1 5 7 Journal of Chinese Institute of Food Science and Technology Vol. 15 No. 7 Jul. 2 0 1 5 1,2 1 1 1 1* ( 1 315211 2 315502) : ( ) : (E-Nose), - : GC-MS, 20.98% 2.5%, 53.15% 11.2%, 0. 51% 71.86%
Διαβάστε περισσότερα(organic light emitting
(8-) * (,, 130012 ) ( 2011 11 19 ; 2011 12 19 ).., (8- ) (Alq 3) -,, Alq 3, Alq 3., (1 nm) Alq 3 (100 nm), Alq 3. Alq 3, Li +1 Alq 1,,. :,,, (8-) PACS: 78.60.Fi 1,,., (organic light emitting device, OLED),,
Διαβάστε περισσότεραΒΙΟΓΡΑΦΙΚΟ ΣΗΜΕΙΩΜΑ 1. ΑΤΟΜΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ
ΒΙΟΓΡΑΦΙΚΟ ΣΗΜΕΙΩΜΑ 1. ΑΤΟΜΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ Επώνυμο : Παπαδοπούλου Όνομα : Παναγιώτα Όνομα πατρός : Δημήτριος Όνομα συζύγου : Λεωνίδας Ημερομηνία Γέννησης : 1-6 - 1970 Οικογενειακή Κατάσταση : Έγγαμη με ένα
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 3: Εισαγωγή στη Διαδικασία Κατασκευής (CMOS Processing) Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών
Διαβάστε περισσότεραΜΕΛΕΤΗ ΜΟΡΦΟΛΟΓΙΑΣ ΣΤΕΡΕΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ ΓΙΑ ΦΩΤΟΝΙΟΕΝΕΡΓΕΙΑΚΗ ΑΝΑΒΑΘΜΙΣΗ
Σχολή Μηχανικής και Τεχνολογίας Πτυχιακή εργασία ΜΕΛΕΤΗ ΜΟΡΦΟΛΟΓΙΑΣ ΣΤΕΡΕΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ ΓΙΑ ΦΩΤΟΝΙΟΕΝΕΡΓΕΙΑΚΗ ΑΝΑΒΑΘΜΙΣΗ Βασιλική Ζήνωνος Λεμεσός, Μάϊος 2017 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗΣ
Διαβάστε περισσότεραMultilayer Ceramic Chip Capacitors
FEATURES X7R, X6S, X5R AND Y5V DIELECTRICS HIGH CAPACITANCE DENSITY ULTRA LOW ESR & ESL EXCELLENT MECHANICAL STRENGTH NICKEL BARRIER TERMINATIONS RoHS COMPLIANT SAC SOLDER COMPATIBLE* PART NUMBER SYSTEM
Διαβάστε περισσότεραΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Τρανζίστορ Μετάλλου Οξειδίου MOSFET
ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Τρανζίστορ Μετάλλου Οξειδίου MOSFET Recommended Text: Microelectronic Devices, Keith Leaver (4 th Chapter) Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Behzad Razavi ( nd Chapter)
Διαβάστε περισσότεραΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΟΣ ΦΑΣΕΩΝ ΣΙΔΗΡΟΥ ΣΕ ΔΕΙΓΜΑΤΑ ΟΡΥΚΤΩΝ ΑΠΟ ΤΟ ΥΠΟΘΑΛΑΣΣΙΟ ΗΦΑΙΣΤΕΙΟ ΚΟΛΟΥΜΠΟ (ΣΑΝΤΟΡΙΝΗ) ΜΕ ΧΡΗΣΗ ΑΚΤΙΝΟΒΟΛΙΑΣ ΣΥΓΧΡΟΤΡΟΥ
ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΟΣ ΦΑΣΕΩΝ ΣΙΔΗΡΟΥ ΣΕ ΔΕΙΓΜΑΤΑ ΟΡΥΚΤΩΝ ΑΠΟ ΤΟ ΥΠΟΘΑΛΑΣΣΙΟ ΗΦΑΙΣΤΕΙΟ ΚΟΛΟΥΜΠΟ (ΣΑΝΤΟΡΙΝΗ) ΜΕ ΧΡΗΣΗ ΑΚΤΙΝΟΒΟΛΙΑΣ ΣΥΓΧΡΟΤΡΟΥ ΒΑΣΣΑΛΟΣ ΚΩΝΣΤΑΝΤΙΝΟΣ 200500022 ΕΠΙΒΛΕΠΩΝ ΜΕΡΤΖΙΜΕΚΗΣ
Διαβάστε περισσότεραΝανοσύνθετα πολυαιθυλενίου υψηλής πυκνότητας (HDPE) / νανοϊνών χαλκού (Cu-nanofibers) με βελτιωμένη σταθερότητα στην υπεριώδη ακτινοβολία
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ Πρόγραμμα Μεταπτυχιακών Σπουδών ΦΥΣΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΛΙΚΩΝ Νανοσύνθετα πολυαιθυλενίου υψηλής πυκνότητας (HDPE) / νανοϊνών
Διαβάστε περισσότεραECE 407 Computer Aided Design for Electronic Systems. CMOS Logic. Instructor: Maria K. Michael. Overview
407 Computer Aided Design for Electronic Systems CMOS Logic Instructor: Maria K. Michael 1 Overview MOS transistors (nmos, pmos) CMOS processing technology CMOS design/layout rules MOS transistors as ideal
Διαβάστε περισσότεραER-Tree (Extended R*-Tree)
1-9825/22/13(4)768-6 22 Journal of Software Vol13, No4 1, 1, 2, 1 1, 1 (, 2327) 2 (, 3127) E-mail xhzhou@ustceducn,,,,,,, 1, TP311 A,,,, Elias s Rivest,Cleary Arya Mount [1] O(2 d ) Arya Mount [1] Friedman,Bentley
Διαβάστε περισσότερα; +302 ; +313; +320,.
1.,,*+, - +./ +/2 +, -. ; +, - +* cm : Key words: snow-water content, surface soil, snow type, water permeability, water retention +,**. +,,**/.. +30- +302 ; +302 ; +313; +320,. + *+, *2// + -.*, **. **+.,
Διαβάστε περισσότεραMultilayer Ceramic Chip Capacitors
FEATURES X7R, X6S, X5R AND Y5V DIELECTRICS HIGH CAPACITANCE DENSITY ULTRA LOW ESR & ESL EXCELLENT MECHANICAL STRENGTH NICKEL BARRIER TERMINATIONS RoHS COMPLIANT SAC SOLDER COMPATIBLE* Temperature Coefficient
Διαβάστε περισσότεραFP series Anti-Bend (Soft termination) capacitor series
FP series Anti-Bend (Soft termination) capacitor series Features Applications» High performance to withstanding 5mm of substrate» For general digital circuit bending test guarantee» For power supply bypass
Διαβάστε περισσότεραQuantum dot sensitized solar cells with efficiency over 12% based on tetraethyl orthosilicate additive in polysulfide electrolyte
Electronic Supplementary Material (ESI) for Journal of Materials Chemistry A. This journal is The Royal Society of Chemistry 2017 Supplementary Information (SI) Quantum dot sensitized solar cells with
Διαβάστε περισσότεραDevelopment of Accurate Quantitative Analytical Methods to Determine Trace Amounts of Carbon, Sulfur, and Oxygen in Steel
JFE No. 13 26 8 p. 29 34 Development of Accurate Quantitative Analytical Methods to Determine Trace Amounts of Carbon, Sulfur, and Oxygen in Steel YASUHARA Hisao MIYAGI Chiyoko JFE Ph.D. JFE Abstract:
Διαβάστε περισσότεραΒΕΛΤΙΣΤΟΠΟΙΗΣΗ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Ι ΙΟΤΗΤΩΝ ΕΠΙΦΑΝΕΙΩΝ ΜΕ ΣΥΓΧΡΟΝΕΣ ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟ- ΓΙΚΕΣ ΠΡΟΣΕΓΓΙΣΕΙΣ
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΚΡΗ- ΤΗΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΙΑΣ Βικεντίου Μάριος ΒΕΛΤΙΣΤΟΠΟΙΗΣΗ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Ι ΙΟΤΗΤΩΝ ΕΠΙΦΑΝΕΙΩΝ ΜΕ ΣΥΓΧΡΟΝΕΣ ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟ- ΓΙΚΕΣ ΠΡΟΣΕΓΓΙΣΕΙΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ
Διαβάστε περισσότεραLUO, Hong2Qun LIU, Shao2Pu Ξ LI, Nian2Bing
2003 61 3, 435 439 ACTA CHIMICA SINICA Vol 61, 2003 No 3, 435 439 2 ΞΞ ( 400715), 2, 2, 2, 3/ 2 2,, 2,, Ne w Methods for the Determination of the Inclusion Constant between Procaine Hydrochloride and 2Cyclodextrin
Διαβάστε περισσότεραΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
ΗΜΥ 210 ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Χειµερινό Εξάµηνο 2016 ΔΙΑΛΕΞΗ 5: Το CMOS transistor και κυκλώµατα CMOS ΧΑΡΗΣ ΘΕΟΧΑΡΙΔΗΣ Επίκουρος Καθηγητής, ΗΜΜΥ (ttheocharides@ucy.ac.cy) Περίληψη q Κυκλώµατα
Διαβάστε περισσότεραExtract Isolation Purification and Identification of Polysaccharides from Exocarp of Unripe Fruits of Juglans mandshurica
35 1 2 0 1 7 1 DOI 10. 13193 /j. issn. 1673-7717. 2017. 01. 035 1 1 1 1 2 1. 150036 2. 150040 D101 DEAE Cellulose 52 Sephacryl S - 300 - - PJP - 1a PJP - 3a 1. 34 10 3 Da 1. 70 10 7 Da - PJP - 3a 4. 56
Διαβάστε περισσότεραΝανοτεχνολογία και Ηλεκτρονική Μικροσκοπία
ΕΚΕΦΕ ΗΜΟΚΡΙΤΟΣ Ινστιτούτο Επιστήµης Υλικών Νανοτεχνολογία και Ηλεκτρονική Μικροσκοπία Ν. Μπούκος Αυτός ο κόσµος ο µικρός, ο µέγας. Περίγραµµα Εισαγωγή - Κίνητρα Νανοτεχνολογία Σχέση παρασκευής-µικροδοµήςιδιοτήτων
Διαβάστε περισσότερα«Αναθεώρηση των FET Transistor»
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Αναθεώρηση των FET Transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή FET Χαρακτηριστικά Λειτουργία Πόλωση Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για FET ΤΗΜΜΥ - 2
Διαβάστε περισσότεραElectrolyzed-Reduced Water as Artificial Hot Spring Water
/-,**- + +/ 0 +, - + + +, - + +. ++,3 +/. +. Electrolyzed-Reduced Water as Artificial Hot Spring Water Shoichi OKOUCHI +, Daisuke TAKEZAKI +, Hideyuki OHNAMI +, Yuhkoh AGISHI,, Yasuo KANROJI -, and Shigeo
Διαβάστε περισσότεραElectronic Supplementary Information
Electronic Supplementary Information NbCl 3 -catalyzed [2+2+2] intermolecular cycloaddition of alkynes and alkenes to 1,3-cyclohexadiene derivatives Yasushi Obora,* Keisuke Takeshita and Yasutaka Ishii*
Διαβάστε περισσότεραΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΜΕΛΕΤΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΙΑΤΑΞΗΣ ΜΕΤΡΗΣΗΣ ΘΕΡΜΟΧΩΡΗΤΙΚΟΤΗΤΑΣ ΣΕ ΜΑΓΝΗΤΙΚΟ ΠΕ ΙΟ ΓΙΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΟ
Διαβάστε περισσότεραSupporting Information
Supporting Information Synthesis and Electroactive Properties of Poly(amidoamine) Dendrimers with an Aniline Pentamer Shell Wei-I Hung a, Chih-Bing Hung a, Ya-Han Chang a, Jiun-Kuang Dai a, Yan Li b, Hai
Διαβάστε περισσότεραCorrection of chromatic aberration for human eyes with diffractive-refractive hybrid elements
5 5 2012 10 Chinese Optics Vol. 5 No. 5 Oct. 2012 1674-2915 2012 05-0525-06 - * 100190-14 - - 14. 51 μm 81. 4 μm - 1. 64 μm / O436. 1 TH703 A doi 10. 3788 /CO. 20120505. 0525 Correction of chromatic aberration
Διαβάστε περισσότεραΔ) από το διάγραμμα Coulomb diamonds προσδιορίστε i) την τάση coulomb blockade, ii) την χωρητικότητα C g iii) το πηλίκο C g /C.
Πρόβλημα 1. Το διάγραμμα παρουσιάζει τις χαρακτηριστικές I V για δυο διατάξεις στους 300Κ (διακεκομμένες γραμμές) και 350mK. Οι διατάξεις είναι transistors ενός ηλεκτρονίου (SET) με κανάλι ένα νανοκαλώδιο
Διαβάστε περισσότεραΘεωρία Τρανζίστορ MOS
2 η Θεµατική Ενότητα : Θεωρία Τρανζίστορ MOS Επιµέλεια διαφανειών:. Μπακάλης Θεωρία Τρανζίστορ MOS Ένα τρανζίστορ MOS ορίζεται ως στοιχείο φορέων πλειονότητας (majority - carrier device) του οποίου το
Διαβάστε περισσότεραDevelopment of Sub-nano Scale of EELS Analysis Technique
Development of Sub-nano Scale of EELS Analysis Technique S. C. Lo 1,4 M. W. Lin 2 S. J. Chen 2 S. R. Lee 2 L. J. Lin 3 (MCL/ITRI) 1 2 3 (NTRC/ITRI) 4 147 TEM MIM TEM This report summarizes the achievements
Διαβάστε περισσότεραΔΙΕΡΕΥΝΗΣΗ ΤΗΣ ΣΕΞΟΥΑΛΙΚΗΣ ΔΡΑΣΤΗΡΙΟΤΗΤΑΣ ΤΩΝ ΓΥΝΑΙΚΩΝ ΚΑΤΑ ΤΗ ΔΙΑΡΚΕΙΑ ΤΗΣ ΕΓΚΥΜΟΣΥΝΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ Πτυχιακή Εργασία ΔΙΕΡΕΥΝΗΣΗ ΤΗΣ ΣΕΞΟΥΑΛΙΚΗΣ ΔΡΑΣΤΗΡΙΟΤΗΤΑΣ ΤΩΝ ΓΥΝΑΙΚΩΝ ΚΑΤΑ ΤΗ ΔΙΑΡΚΕΙΑ ΤΗΣ ΕΓΚΥΜΟΣΥΝΗΣ ΑΝΔΡΕΟΥ ΣΤΕΦΑΝΙΑ Λεμεσός 2012 i ii ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ
Διαβάστε περισσότεραQuick algorithm f or computing core attribute
24 5 Vol. 24 No. 5 Cont rol an d Decision 2009 5 May 2009 : 100120920 (2009) 0520738205 1a, 2, 1b (1. a., b., 239012 ; 2., 230039) :,,.,.,. : ; ; ; : TP181 : A Quick algorithm f or computing core attribute
Διαβάστε περισσότεραΜελέτη ηλεκτρικών ιδιοτήτων νιτριδίου του πυριτίου (SiNx) εμπλουτισμένου με νανοσωλήνες άνθρακα (CNTs) για εφαρμογές σε διατάξεις RF-MEMS
Εθνικό και Καποδιστριακό Πανεπιστήμιο Αθηνών Τμήμα Φυσικής Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης Μελέτη ηλεκτρικών ιδιοτήτων νιτριδίου του πυριτίου (SiNx) εμπλουτισμένου με νανοσωλήνες άνθρακα (CNTs) για εφαρμογές
Διαβάστε περισσότεραCorV CVAC. CorV TU317. 1
30 8 JOURNAL OF VIBRATION AND SHOCK Vol. 30 No. 8 2011 1 2 1 2 2 1. 100044 2. 361005 TU317. 1 A Structural damage detection method based on correlation function analysis of vibration measurement data LEI
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στις κρυσταλλολυχνίες (Transistors)
Εισαγωγή στις κρυσταλλολυχνίες (Transistors) Dr. Petros Panayi Διακόπτες Ένας διακόπτης είναι μια συσκευή που αλλάζει τη ροή ενός κυκλώματος. Το πρότυπο είναι μια μηχανική συσκευή (παραδείγματος χάριν
Διαβάστε περισσότεραTable of contents. 1. Introduction... 4
Table of contents 0. Motivation.... 1 1. Introduction... 4 2. Inclusion compounds of [Al(OH)(bdc)] n and [V(O)(bdc)] n... 11 2.1 [(η 5 -C 5 H 5 ) 2 Fe] 0.5 @MIL-53(Al) and [(η 5 -C 5 H 5 ) 2 Co] 0.25 @MIL-53(Al)
Διαβάστε περισσότεραEnergy Level Analysis of Nano and Organic Semiconductor by Photoelectron Spectroscopy
Energy Level Analysis of Nano and Organic Semiconductor by Photoelectron Spectroscopy T. C. Tien 1 J. L. Chen 1 M. T. Shien 2 C. J. Hwang 2 L. N. Tsai 2 Y. J. Shuin 2 L. J. Lin 1,3 (MCL/ITRI) 1 2 3 / /
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης. Επανάληψη μέρος 1 ο. Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών
AO Ηλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης Επανάληψη μέρος 1 ο Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών Άδεια Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε
Διαβάστε περισσότερα:,,, Raman PACS: Jp, Jd, j
* 1)2) 1) 1) 1) 1) (, 710049 ) 2) (, 41296 ) ( 2011 6 14 ; 2012 2 9 ) Raman, (XLPE).,, 9 kv -, 11 kv,. -, G D, 8 nm, 10 Ω µm 1,,.,,,. XLPE, XLPE. :,,, Raman PACS: 77.22.Jp, 77.84.Jd, 78.30. j 1 (XLPE).,.,
Διαβάστε περισσότεραElectronic, Crystal Chemistry, and Nonlinear Optical Property Relationships. or W, and D = P or V)
Electronic, Crystal Chemistry, and Nonlinear Optical Property Relationships in the Dugganite A 3 B 3 CD 2 O 14 Family (A = Sr, Ba or Pb; B = Mg or Zn; C = Te or W, and D = P or V) Hongwei Yu, Joshua Young,
Διαβάστε περισσότεραΤο πυρίτιο είναι ο πιο σημαντικός ημιαγωγός για τα ηλεκτρονικά στοιχεία σήμερα
Τα Hμιαγώγιμα υλικά Το πυρίτιο είναι ο πιο σημαντικός ημιαγωγός για τα ηλεκτρονικά στοιχεία σήμερα 200 mm and 300 mm Si wafers. GaAs χρησιμοποιείται σε ηλεκτρονικές και οπτοηλεκτρονικές εφαρμογές υψηλής
Διαβάστε περισσότερα*,* + -+ on Bedrock Bath. Hideyuki O, Shoichi O, Takao O, Kumiko Y, Yoshinao K and Tsuneaki G
J. Hot Spring Sci. /2 +.,.,**2 + + + +, - +3 ++ -*,* + -+ Evaluation of the E# ect of Hyperthermia on Bedrock Bath Hideyuki O, Shoichi O, Takao O, Kumiko Y, Yoshinao K and Tsuneaki G + + + HNAMI KOUCHI
Διαβάστε περισσότεραData sheet Thin Film Chip Inductor AL Series
Data sheet Thin Film Chip Inductor AL Series Scope - 0201 and 0402 and 0603 series inductor is a photo lithographically etched single layer ceramic chip. This design provides high SRF, excellent Q, and
Διαβάστε περισσότεραKeywords: SiC, high blocking voltage, JFET, SEJFET, specific on-resistance, threshold voltage, current gain, turn on time, turn off time FET
5kV 4H-SiC SEJFET Sei-Hyung Ryu John W. Palmour Temperature dependence of On-state characteristics, and Switching characteristics of 5 kv class 4H-SiC SEJFET Katsunori Asano, Member, Toshihiko Hayashi,
Διαβάστε περισσότεραJ. of Math. (PRC) 6 n (nt ) + n V = 0, (1.1) n t + div. div(n T ) = n τ (T L(x) T ), (1.2) n)xx (nt ) x + nv x = J 0, (1.4) n. 6 n
Vol. 35 ( 215 ) No. 5 J. of Math. (PRC) a, b, a ( a. ; b., 4515) :., [3]. : ; ; MR(21) : 35Q4 : O175. : A : 255-7797(215)5-15-7 1 [1] : [ ( ) ] ε 2 n n t + div 6 n (nt ) + n V =, (1.1) n div(n T ) = n
Διαβάστε περισσότεραΔιπλωματική Εργασία Σου φοιτητή του τμήματος Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Σεχνολογίας Τπολογιστών της Πολυτεχνικής χολής του Πανεπιστημίου Πατρών
ΠΑΝΕΠΙΣΗΜΙΟ ΠΑΣΡΩΝ ΣΜΗΜΑ ΗΛΕΚΣΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΣΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΤΠΟΛΟΓΙΣΩΝ ΣΟΜΕΑ: ΣΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ & ΣΕΧΝΟΛΟΓΙΑ Διπλωματική Εργασία Σου φοιτητή του τμήματος Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Σεχνολογίας Τπολογιστών
Διαβάστε περισσότεραVol. 5 No. 1 Feb EL ECTROCHEMISTR Y ( ) ( ) ( EHD), ( FDN) ( TEA- PTS), Tri2 tonx-100 ,FDN. EHD. EHD. RH. RH 2. Guidelli, 1.
5 1 1999 2 EL ECTROCHEMISTR Y Vol 5 No 1 Feb 1999 3 ( 610054) ( 400000) ( FDN) ( EHD) ( TEA- PTS) Tri2 tonx-100,fdn 2, TEA- PTS TritonX- 100, 2,, ( EHD), [1,2 Nylon66 ] EHD, R- R,R-, RH, RH 2, EHD EHD
Διαβάστε περισσότερα,,, (, 100875) 1989 12 25 1990 2 23, - 2-4 ;,,, ; -
25 3 2003 5 RESOURCES SCIENCE Vol. 25 No. 3 May 2003 ( 100875) : 500L - 2-4 - 6-8 - 10 114h - 120h 6h 1989 12 25 1990 2 23-2 - 4 : ; ; - 4 1186cm d - 1 10cm 514d ; : 714 13 317 714 119 317 : ; ; ; :P731
Διαβάστε περισσότεραQ L -BFGS. Method of Q through full waveform inversion based on L -BFGS algorithm. SUN Hui-qiu HAN Li-guo XU Yang-yang GAO Han ZHOU Yan ZHANG Pan
3 2015 12 GLOBAL GEOLOGY Vol. 3 No. Dec. 2015 100 5589 2015 0 1106 07 L BFGS Q 130026 Q 2D L BFGS Marmousi Q L BFGS P631. 3 A doi 10. 3969 /j. issn. 1005589. 2015. 0. 02 Method of Q through full waveform
Διαβάστε περισσότερα