Ι. Εισαγωγή - Κριτήρια επιλογής της µεθόδου ανάπτυξης
|
|
- Θεοφάνια Ὑπατια Μαυρογένης
- 7 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 Ε. Κ. Παλούρα Ι. Εισαγωγή - Κριτήρια επιλογής της µεθόδου ανάπτυξης Η επιλογή της µεθόδου ανάπτυξης για την εκάστοτε εφαρµογή γίνεται µε βάση τις επιθυµητές ιδιότητες και τη βιωσιµότητα του τελικού προϊόντος. Οι καινούργιες µέθοδοι ανάπτυξης για την παραγωγή νέων υλικών µε καλά ελεγχόµενες φυσικές, µηχανικές & ηλεκτρονικές ιδιότητες (π.χ. ελάχιστη συγκέντρωση ατελειών δοµής και προσµείξεων) σχεδιάστηκαν και χρηµατοδοτήθηκαν κατ αρχήν από τη βιοµηχανία της µικροηλεκτρονικής που παρουσίασε ραγδαία εξέλιξη τις τελευταίες 10-ετίες. Εκ των υστέρων διαπιστώθηκε ότι πολλές από τις µεθόδους που αναπτύχθηκαν για τη µικροηλεκτρονική (π.χ. PECVD, sputtering, RIE) είναι κατάλληλες για εφαρµογές στη βιοµηχανία άλλων υλικών, όπως µετάλλου, κεραµικών και πολυµερών, όπου και χρησιµοποιούνται. Υλικά Υλικά Σχεδιασµός Κατεργασία Κυβέρνηση Ενέργεια Περιβάλλον Οι σχέσεις µεταξύ των υλικών, της κατεργασίας και του σχεδιασµού της παραγωγής. Ο ρόλος της πολιτείας στην παραγωγή των υλικών είναι καθοριστικός επειδή τα υλικά συνδέονται άµεσα µε πηγές εθνικού πλούτου, την κατανάλωση ενέργειας και το περιβάλλον. Page 1 of 4 13/1/2011 1
2 Ε. Κ. Παλούρα Πίνακας Ι: Οι συνιστώσες που επηρεάζουν το τελικό κόστος στον καταναλωτή και τη βιωσιµότητα του προϊόντος. Συνολικό κόστος στον καταναλωτή. Τιµή αγοράς Κόστος ιδιοκτησίας Κόστος παραγωγής (µεταβλητό) Κόστος πρώτων υλών. Κόστος παραγωγής (προστιθέµενη αξία) Ανελαστικές δαπάνες overheads διοικητικά έξοδα έξοδα προώθησης και πωλήσεων έξοδα για έρευνα και ανάπτυξη Κέρδος. συντήρηση επιδιορθώσεις ασφάλεια χρεωλύσια «φιλικότητα» προς το περιβάλλον: χαρακτηριστικά παραδείγµατα προσαρµογής στις απαιτήσεις εθνικών και διεθνών προδιαγραφών (π.χ. της Ευρωπαϊκής Ένωσης και της συνθήκης του Kyoto) της SGS-Thomson Microelectronics για την περίοδο της DuPont για την περίοδο Page 2 of 4 13/1/2011 2
3 Ε. Κ. Παλούρα Οι στόχοι της SGS-Thomson περιλαµβάνουν : 1. Την αποκατάσταση ενιαίων κανονισµών ασφάλειας σε όλες τις εγκαταστάσεις παραγωγής ανά τον κόσµο. 2. Προστασία των εθνικών πηγών πλούτου (resources) και του περιβάλλοντος µείωση της κατανάλωσης της ενέργειας κατά 5% ανά έτος, του νερού κατά 10% ανά έτος και του χαρτιού κατά 40% (εισαγωγή CD ROM). 3. Στόχοι ανακύκλωσης µέχρι το 1999 : ανακύκλωση του νερού κατά 90%, των χηµικών αντιδραστηρίων κατά 80% και όλων των υποπροϊόντων στην γραµµή παραγωγής κατά 75%. 4. Στόχοι για το 1996 για την µείωση της µόλυνσης του περιβάλλοντος: (1) κατάργηση όλων των αερίων εκποµπών που ανήκουν στην τάξη 1 για την καταστροφή του όζοντος και (2) µείωση κατά 50% όλων των υποπροϊόντων που δεν µπορούν να ανακυκλωθούν και θάβονται. 5. Επιβάλλονται ποιο αυστηροί κανονισµοί για την µεταφορά, αποθήκευση, ασφάλεια των εργαζοµένων και αποθήκευση όλων των ουσιών που µολύνουν και είναι επικίνδυνες (disposal of contaminating and hazardous substances) ενώ προγραµµατίζεται η µείωση της κατανάλωσης της ενέργειας των προϊόντων που φτάνουν στον καταναλωτή κατά 10% µέχρι το έτος Page 3 of 4 13/1/2011 3
4 Ε. Κ. Παλούρα Οι αντίστοιχοι στόχοι της Du Pond (που παράγει χηµικά, βιοσυµβατά και βιολογικώς τροποποιηµένα προϊόντα και είναι η 3 η µεγαλύτερη εταιρεία παραγωγής υλικών για τη βιοµηχανία της µικροηλεκτρονικής) µέχρι το 2010 περιλαµβάνουν: 1. Μείωση των αερίων εκποµπών που συµβάλλουν στο φαινόµενο θερµοκηπίου κατά 65%. 2. Μείωση της κατανάλωσης ενέργειας κατά 10% µε αντίστοιχη αύξηση της κατανάλωσης ενέργειας από ανανεώσιµες πηγές ενέργειας. Page 4 of 4 13/1/2011 4
5 Μέθοδοι ανάπτυξης υλικών όγκου από το τήγµα. Γιατί χρησιµοποιούµε ως παράδειγµα το Si? πλήρως τεκµηριωµένη βιβλιογραφία & τεχνολογία, µεγάλες βιοµηχανικές επενδύσεις, η µεθοδολογία & τα µοντέλα µπορούν να προσαρµοστούν και σε άλλα υλικά Γιατί το Si κυριάρχησε στη βιοµηχανία της µ-ηλεκτρονικής? 1. φτηνή πρώτη ύλη 2. αξιόπιστο & εύκολα αναπτυσσόµενο οξείδιο Κύριες µέθοδοι ανάπτυξης κρυστάλλων Si µεγάλων διαστάσεων Bridgman (BZ) και η Czochralski (CZ) Στη βιοµηχανία του Si, έχει επικρατήσει η Czochralski (1916) Σε αµφότερες τις µεθόδους: Η ανάπτυξη γίνεται από πολυκρυσταλλικό υλικό µε την επιθυµητή στοιχειοµετρία. Η ανάπτυξη αρχίζει επάνω σε έναν seed κρύσταλλο που λειτουργεί σαν υπερκρίσιµος πυρήνας. Ο seed κρύσταλλος είναι µονοκρύσταλλος, προσανατολισµένος κατά την επιθυµητή διεύθυνση ανάπτυξης και µε µικρή συγκέντρωση εξαρµώσεων (τυπικές διαστάσεις : 5 mm dia., mm long). Η διατοµή του seed κρυστάλλου είναι τέτοια ώστε να αποφεύγεται η διάδοση εξαρµώσεων από το seed στον υπό ανάπτυξη κρύσταλλο. 13/1/2011 Σελίδα 1 από 11
6 Τοπογράφηµα ακτίνων Χ σε seed κρύσταλλο Si. Ανάπτυξη Si µε τη µέθοδο BΖ ή CZ : πρώτη ύλη poly-si µε χαµηλή συγκέντρωση προσµείξεων (electronic grade Si-EGS). Τυπική αποδεκτή συγκέντρωση παραµενουσών προσµείξεων B, C, και δοτών είναι < ppb. ιαδικασία για την παραγωγή του πολυκρυσταλλικού EGS: 1. Μείγµα SiO 2 & C θερµαίνεται σε φούρνο τόξου: 1α. SiC (solid) + SiO 2 (solid) Si (solid) + SiO (gas) + CO (gas) Η καθαρότητα του παραγόµενου Si : 98% 1β. Si + HCl (gas) SiHCl 3 (gas) + H 2 (gas) + heat 2. Kαθαρισµός του τριχλωροσιλάνιου µε κλασµατική απόσταξη 2 SiHCl 3 +3 H 2 2 Si + 6 HCl Η καθαρότητα του παραγόµενου Si : 99, % Το παραγόµενο EG-Si είναι πολυκρυσταλλικό, µε καθαρότητα 99, % και έχει µορφή ράβδου (ingot) µε 2R >20 cm (8 ) 13/1/2011 Σελίδα 2 από 11
7 Στην ΒΖ η πρώτη ύλη βρίσκεται σε επίµηκες σκαφίδιο (boat) από χαλαζία υψηλής καθαρότητας ή από ΒΝ. Το τήγµα ψήχεται από το ένα άκρο, όπου υπάρχει ο seed κρύσταλλος. Τυπική τιµή της θερµοβαθµίδας και της ταχύτητας ανάπτυξης είναι 10 o C/cm και mm/hr, αντίστοιχα. Θερµοβαθµίδα για την ανάπτυξη BZ GaAs. Πρόβληµα 1: Όταν η υπό ανάπτυξη χηµική ένωση περιέχει στοιχεία µε διαφορετική πτητικότητα (π.χ. GaAs, ενώσεις ΙΙΙ-V) επιβάλλεται καλός έλεγχος της µερικής πίεσης του πτητικού στοιχείου που είναι καθοριστική για τη στοιχειοµετρία αλλά και τη συγκέντρωση των ατελειών δοµής στον κρύσταλλο. ιάγραµµα P-T για GaAs. As P GaAs (1238 ο C) 1atm ενώ As P As (1238 ο C) 60atm. 13/1/2011 Σελίδα 3 από 11
8 Θερµοβαθµίδα για την ανάπτυξη BZ GaAs. Λύση προβλήµατος 1: Προκειµένου να αποφευχθεί η απώλεια As και η αποσύνθεση του τήγµατος πρέπει να υπάρχει κατάλληλη θερµοβαθµίδα ώστε η περίσσεια του As να είναι σε θερµοκρασία ο C, ενώ το τήγµα βρίσκεται στη θερµοκρασία τήξης. Πρόβληµα 2: διαφορές στον συντελεστή θερµικής διαστολής Το Si και το GaAs διαστέλλονται όταν στερεοποιούνται ο αναπτυσσόµενος κρύσταλλος που περιορίζεται από σκαφίδιο υφίσταται θερµικές τάσεις και περιέχει µεγάλη συγκέντρωση ατελειών δοµής. Λύση προβλήµατος 2: απαλλαγή από το σκαφίδιο χρήση της CZ. Στη µέθοδο CZ o κρύσταλλος αναπτύσσεται µε πάγωµα της διεπιφάνειας τήγµατος/στερεού (S/L) µε τυπική ταχύτητα ανάπτυξης (pull rate) 1 mm/min. Οι αναπτυσσόµενοι κρύσταλλοι Si είναι µεγάλων διαστάσεων π.χ. διάµετρος mm, µήκος >1m και βάρος kg. Κατόπιν κόβονται σε δισκίδια (wafers) τα οποία υφίστανται διαδικασία γυαλίσµατος και καθαρισµού και χρησιµοποιούνται για την κατασκευή ολοκληρωµένων κυκλωµάτων ή σαν υποστρώµατα (substrates) για επιταξιακές µεθόδους ανάπτυξης. 13/1/2011 Σελίδα 4 από 11
9 Σύστηµα ανάπτυξης CZ. Περιστροφή του κρυστάλλου και του τήγµατος µε αντίθετη φορά οµογενοποίηση του τήγµατος. Η ταχύτητα περιστροφής βελτιστοποιείται προς αποφυγήν διάβρωσης (corrosion) των τοιχωµάτων από το τήγµα. Ατµόσφαιρα: Si αδρανής, GaAs υπερπίεση As Οι διαστάσεις των αναπτυσσοµένων κρυστάλλων Si είναι πλέον πολύ µεγάλες. 13/1/2011 Σελίδα 5 από 11
10 Η εξέλιξη των διαστάσεων των αντιδραστήρων CZ τα τελευταία 30 χρόνια. Το βιοµηχανικά παραγόµενο CZ Si έχει πολύ καλές ιδιότητες : συγκέντρωση βαρέων µετάλλων στον όγκο (bulk) <1ppb, συγκέντρωση οξυγόνου ± 2ppm, ακτινική οµοιοµορφία καλύτερη του 5% και πρακτικά µηδενική συγκέντρωση εξαρµώσεων. 13/1/2011 Σελίδα 6 από 11
11 Υπολογισµός της ταχύτητας ανάπτυξης συναρτήσει της θερµοκρασίας. Ρεύµατα θερµότητας κατά την ανάπτυξη CZ. Q S = αγωγή µέσω του seed, Q R = ακτινοβολία από την επιφάνεια Q S Q C Q R Crystal Q B Q L Q M Melt Isotherm Υπόθεση: η διεπιφάνεια S/L είναι µία ισόθερµη επιφάνεια (για το Si στους C). του κρυστάλλου, Q C = απαγωγή θερµότητας µε µεταφορά ύλης από την επιφάνεια του κρυστάλλου, Q L =λανθάνουσα θερµότητα στερεοποίησης (στη διεπιφάνεια S/L), Q B = αγωγή από τη διεπιφάνεια µέσω του κρυστάλλου, Q M = αγωγή από το τήγµα προς τη διεπιφάνεια. Η εξίσωση ισορροπίας των ρευµάτων θερµότητας στη διεπιφάνεια S/L είναι Q L +Q M =Q B ή dm L dt + km dt dxm Am = dt ks As dxs (ΙΙ.1) όπου L η λανθάνουσα θερµότητα τήξης, (dm/dt) ο ρυθµός στερεοποίησης, k m & k s η θερµική αγωγιµότητα τήγµατος & στερεού, αντίστοιχα dt/dx m & dt/dx s η βαθµίδα θερµοκρασίας στο τήγµα & στο στερεό, A m & A S η επιφάνεια της ισόθερµης στο τήγµα & στο στερεό. 13/1/2011 Σελίδα 7 από 11
12 Ο ρυθµός στερεοποίησης u tot (µάζα που στερεοποιείται ανά µονάδα χρόνου) δίνεται από τη σχέση: dm dt = u tot Acρ (ΙΙ.2) όπου u tot u p =pulling rate= ταχύτητα αποµάκρυνσης/ανύψωσης του seed από τη διεπιφάνεια τήγµατος/στερεού, A C =εµβαδόν της διεπιφάνειας S/L και ρ η πυκνότητα του στερεού. Αντικαθιστώντας στην εξίσωση (ΙΙ.1) προκύπτει ότι: dt dt Lupρ AC + km AC = ks AC dxm dxs Η µέγιστη ταχύτητα ανάπτυξης dt/dx m =0 όταν δεν υπάρχει βαθµίδα θερµοκρασίας στο τήγµα Q L =Q B, δηλ. ο ήδη ανεπτυγµένος κρύσταλλος είναι αρκετά µεγάλος ώστε η λανθάνουσα θερµότητα στερεοποίησης να ισούται µε τη θερµότητα που απάγεται µε αγωγή u p = umax k = s dt Lρ dxs ηλαδή, η µέγιστη pulling rate u p είναι ευθέως ανάλογη της βαθµίδος θερµοκρασίας στη διεπιφάνεια S/L. Σχόλιο 1: πολύ µεγάλη pulling rate u p το στερεό δεν απάγει τη θερµότητα ικανοποιητικώς Σχόλιο 2 : µεγάλη (dt/dx s ) πολύ µεγάλο θερµικό stress Υπολογισµός της ταχύτητας ανάπτυξης συναρτήσει της επιθυµητής διαµέτρου του κρυστάλλου Υποθέσεις: 13/1/2011 Σελίδα 8 από 11
13 η απώλεια θερµότητας γίνεται µόνον µε ακτινοβολία Q B = Q R. dk η βαθµίδα θερµοκρασίας στο στερεό είναι µικρή ( S 0) dx 1 T k k m S = sm T ή k T Η ακτινοβολούµενη ενέργεια ανά µονάδα µήκους- νόµος Stefan Boltzmann: ( 2πrdx)( σετ4 ) dqr = (II.5) ιάδοση θερµότητας µε αγωγή νόµος Fourier : dt ( πr ) dx Q k 2 B = s (II.6) Οριακές συνθήκες Τ(x=0)=Τ m & Τ(x )=0 u max = A r, όπου Α σταθερά. Η ταχύτητα ανάπτυξης u max βελτιστοποιείται µε κριτήριo την ανάπτυξη του κρυστάλλου µε την επιθυµητή διάµετρο και µε µικρή συγκέντρωση εξαρµόσεων. Στην πράξη η θεωρητική ταχύτητα ανάπτυξης > πραγµατικής. Παράδειγµα, για την ανάπτυξη µονοκρυστάλλου Si µε r=7.5 cm, η θεωρητικά προβλεπόµενη ταχύτητα είναι 50cm/hr ενώ η πρακτικά εφαρµοζόµενη για καλό έλεγχο της θερµοβαθµίδας και µείωση των εξαρµώσεων είναι 20cm/hr. 13/1/2011 Σελίδα 9 από 11
14 (α) Κατανοµή των ατελειών δοµής σε κρύσταλλο Si συναρτήσει του pulling rate. (β) µικρογράφηµα ΤΕΜ δύο συσσωµατωµάτων κενών σε Si (γ) oxidationinduced stacking faults (OSF) Liquid encapsulated Czochralski. Πρόβληµα: ένα από τα στοιχεία της υπό ανάπτυξη χηµικής ένωσης έχει µεγάλη τάση ατµών Παράδειγµα:GaAs. ιατήρηση της στοιχειοµετρίας του GaAs στο περιβάλλον της ανάπτυξης πρέπει να υπάρχει υπερπίεση As ίση προς 1atm τα τοιχώµατα του αντιδραστήρα CZ πρέπει να διατηρούνται σε θερµοκρασία ο C, στην οποία όµως το Αs αντιδρά ισχυρά. ιάγραµµα P-T για GaAs. As P GaAs (1238 ο C) 1atm ενώ As P As (1238 ο C) 60atm. 13/1/2011 Σελίδα 10 από 11
15 Εναλλακτική λύση : η επικάλυψη (encapsulation) του αναπτυσσόµενου κρυστάλλου µε αδρανές υγρό που προλαµβάνει την αποσύνθεση του GaAs. Ιδιότητες του encapsulant Μικρότερη πυκνότητα από τον αναπτυσσόµενο κρύσταλλο επιπλέει επάνω στο τήγµα. Οπτικώς διαφανές παρατήρηση κατά τη διάρκεια της ανάπτυξης. Χηµικώς σταθερή ένωση Καλή µάσκα ενάντια στη διάχυση του πτητικού στοιχείου. Παράδειγµα: Β 2 Ο 3 encapsulant Πυκνότητα (g cm -3 ) T m πάχος Προσµείξεις B Β 2 Ο 3 =1.5 (GaAs=5.71) 450 ο C 5-10mm cm -3 13/1/2011 Σελίδα 11 από 11
16 Εισαγωγή προσµίξεων στο τήγµα Εισάγονται στο τήγµα µε την µορφή εµπλουτισµένης σκόνης (π.χ. οξειδίων µε ειδική αντίσταση 0.01Ω cm). ύσκολος χειρισµός ορισµένων στοιχείων, π.χ. Ρ. Συνήθεις προσµίξεις Στο Si είναι Β και Ρ Στο GaAs: Te, Se, Si, (n-type) και Cd, Zn (p-type). Το GaAs:Cr είναι ηµιµονωτικό (semi-insulating). Πρoβλήµατα: 1. η διαλυτότητα της πρόσµειξης στην υγρή και στερεά φάση είναι διαφορετικές 2. η στερεά διαλυτότητα εξαρτάται σηµαντικά από την θερµοκρασία. Εποµένως περίσσεια πρόσµιξης αποβάλλεται από την S στην L φάση (στη διεπιφάνεια S/L) το τήγµα εµπλουτίζεται συνεχώς σε πρόσµιξη αναπτυσσόµενος κρύσταλλος έχει µεταβαλλόµενη σύνθεση. 13/1/2011 Σελίδα 1 από 7
17 Ορίζουµε τον συντελεστή κατανoµής k στην διεπιφάνεια L/S ως C k = S CL όπου C L και C S οι κατά βάρος συγκεντρώσεις της πρόσµιξης στις L και S φάσεις. Το k είναι <1 (π.χ. k=2.25x10-5 για Si:Au & k=0.72 για Si:B). Υπολογισµός της κατανοµής της πρόσµειξης κατά µήκος του αναπτυσσόµενου κρυστάλλου: Συνθήκη ταχείας ανάδευσης (rapid stirring conditions). Yποθέσεις : 1. ταχεία ανάδευση του τήγµατος, 2. βραδύτατη ανάπτυξη του κρυστάλλου, 3. µηδενική διάχυση κατά τη διάρκεια της ανάπτυξης (γενικά ισχύει ότι D L >6D S ) 4. δεν υπάρχει συσσώρευση (pile-up) της πρόσµιξης στη διεπιφάνεια S/L και η κατανοµή της πρόσµιξης στην L φάση είναι οµοιογενής. Αποδεικνύεται ότι : CS k 1 W = kcm 1 W όπου M C S & C M η κατά βάρος συγκέντρωση της πρόσµιξης στην S- και L-φάση, αντίστοιχα W=βάρος κρυστάλλου & W M =αρχικό βάρος τήγµατος k συντελεστής κατανoµής στην διεπιφάνεια L/S C k = S CL όπου C L και C S οι κατά βάρος συγκεντρώσεις της πρόσµιξης στις L και S φάσεις. 13/1/2011 Σελίδα 2 από 7
18 Μεταβολή της χηµικής σύστασης κατά µήκος του αναπτυσσόµενου κρυστάλλου. Μεγάλες τιµές του k πιο οµοιόµορφη κατανοµή της πρόσµιξης στον κρύσταλλο. Όταν x 1 η ανάπτυξη γίνεται πολυκρυσταλλική. Η πιο ρεαλιστική συνθήκη της µερικής ανάδευσης Στην πραγµατικότητα, ο ρυθµός αποβολής πρόσµειξης στη διεπιφάνεια S/L > από την ταχύτητα µεταφοράς της επί πλέον πρόσµειξης στο τήγµα στη διεπιφάνεια S/L δηµιουργείται µία περιοχή πάχους δ όπου λιµνάζει η επί πλέον πρόσµειξη (stagnant layer). Μεταβολή της κατανοµής της πρόσµιξης στο τήγµα, συναρτήσει της απόστασης από τη διεπιφάνεια S/L (x=0) Το δ είναι : δ = 1,6D 1 3υ1 6ω 1 2 : D ο συντ. διάχυσης στο τήγµα, υ το ιξώδες του τήγµατος και ω η γωνιακή ταχύτητα περιστροφής του κρυστάλλου 13/1/2011 Σελίδα 3 από 7
19 d C dc ιάχυση των ατόµων πρόσµιξης στο τήγµα: D + R = 0 όση πρόσµειξη dx 2 Dx αποβάλλεται στο τήγµα αποµακρύνεται από τη διεπιφάνεια µε µηχανισµό διάχυσης όπου D 5x10-5 cm 2 /s και R η ταχύτητα ανάπτυξης του κρυστάλλου που ισούται µε την ταχύτητα κίνησης της διεπιφάνειας S/L. 2 Ορίζεται ο ενεργός συντελεστής κατανοµής k e (effective distribution coefficient) k k e = k και k = C ' S / C L. ( k) exp( Rδ / D) k 1 Και εποµένως CS kecm ( 1 W / WM ) e = ηλαδή η εξίσωση που περιγράφει τη C S για συνθήκες µερικής ανάδευσης είναι της ιδίας µορφής µε αυτή για συνθήκες ταχείας ανάδευσης. Στο όριο της ταχείας ανάδευσης δ 0 και k e k Η τιµή του k e 1 για µεγάλες τιµές της παραµέτρου (Rδ/D). ηλαδή επιτυγχάνεται οµοιόµορφη κατανοµή προσµίξεων για µεγάλη ταχύτητα ανάπτυξης R και µικρή ανάδευση D (το δ µεταβάλλεται αντιστρόφως ανάλογα µε την ταχύτητα ανάδευσης). Όταν η µάζα του τήγµατος είναι πολύ µεγάλη: τα ρεύµατα θερµότητας λόγω βαθµίδων θερµοκρασίας στο τήγµα >>> της ανάµειξης λόγω περιστροφής αυξοµειώσεις του δ συναρτήσει του χρόνου και ανοµοιογενή κατανοµή της πρόσµειξης στον κρύσταλλο. 13/1/2011 Σελίδα 4 από 7
20 Το δ είναι δ = 1,6D 1 3υ1 6ω 1 2 : D ο συντ. διάχυσης στο τήγµα, υ το ιξώδες του τήγµατος και ω η γωνιακή ταχύτητα περιστροφής του κρυστάλλου Οι διακυµάνσεις στην κατανοµή της πρόσµειξης εµφανίζονται σαν ραβδώσεις (striations) που αποκαλύπτονται µετά από χηµική χάραξη. ιαγραµµίσεις/ραβδώσεις (striations) σε κρύσταλλο Si µε προσµείξεις Sb, που αποκαλύπτονται µετά από προτιµητέα χηµική χάραξη (τοµή του κρυστάλλου // µε τον άξονα της ανάπτυξης). Constitutional supercooling. Το πρόβληµα: Υπό συνθήκες µερικής ανάδευσης, το τήγµα στη διεπιφάνεια S/L γίνεται υπέρκορο στην πρόσµειξη. Στο υπέρκορο τήγµα συµβαίνει γραµµική µείωση της Τ melting.συναρτήσει της απόστασης από την διεπιφάνεια S/L. 13/1/2011 Σελίδα 5 από 7
21 Μεταβολή της θερµοκρασίας τήξης συναρτήσει της χηµικής σύστασης του τήγµατος και της απόστασης από τη διεπιφάνεια S/L. Αύξηση του doping γραµµική µείωση της T m.το φαινόµενο είναι ιδιαίτερα έντονο για ταχεία ψύξη του τήγµατος (γραµµή ΧΑ). το υπέρκορο τήγµα βρίσκεται σε θερµοκρασία Τ<T m (constitutional supercooling) συµβαίνει πολυκρυσταλλική ανάπτυξη. Αν ο ρυθµός ανάπτυξης είναι βραδύτερος (γραµµή ΧΒ) η ανάπτυξη είναι µονοκρυσταλλική. ο ρυθµός αποβολής της πρόσµειξης στη διεπιφάνεια S/L εξαρτάται από την ταχύτητα ανάπτυξης & είναι µεγαλύτερος για µεγαλύτερες ταχύτητες ανάπτυξης. η επιτρεπόµενη ταχύτητα ανάπτυξης µονοκρυστάλλων είναι µικρότερη για υλικά µε προσµίξεις και η ανάπτυξη είναι τόσο βραδύτερη όσο µικρότερη είναι η τιµή του ενεργού συντελεστή κατανοµής k e. Μέθοδοι ζώνης William G. Pfann (1951) Χρησιµοποιείται για την βελτίωση των ιδιοτήτων κρυστάλλων (µείωση παραµενουσών προσµείξεων). Ακριβώτερη µέθοδος από BZ και CZ 13/1/2011 Σελίδα 6 από 7
22 Μείωση της συγκέντρωσης των προσµείξεων κατά µήκος του κρυστάλλου µετά από εφαρµογές της µεθόδου ζώνης. Η συγκέντρωση της πρόσµειξης συναρτήσει της απόστασης x από την αρχή του κρυστάλλου είναι : CS k x = CM 1 e L ( 1 k ) exp e Πλεονεκτήµατα Απουσία crucible µείωση θερµικού strain Απουσία crucible µείωση του παγιδευµένου οξυγόνου κατά παράγοντα Απουσία crucible µείωση των παραµενουσών προσµείξεων 13/1/2011 Σελίδα 7 από 7
23 Ε. Κ. Παλούρα Παράµετροι που επηρεάζουν την ποιότητα του αναπτυσσοµένου κρυστάλλου από το τήγµα. Ατέλειες δοµής. Θερµικό stress-βαθµίδες θερµοκρασίας κατά την ανάπτυξη. ίνες (turbulences) στο τήγµα. Spin & pull rates. Μεγάλη συγκέντρωση προσµείξεων. Προσανατολισµός του κρυστάλλου. Ατέλειες δοµής. Η µέγιστη συγκέντρωση σηµειακών ατελειών δοµής εµφανίζεται όταν Τ=T m. H επιφανειακή ενέργεια & η ενέργεια λόγω strain µειώνονται µε συσσωµάτωση των σηµειακών ατελειών Τα κενά σχηµατίζουν εξαρµώσεις Τα ενδόθετα σχηµατίζουν ιζήµατα (precipitates) Παράδειγµα Στους 300Κ : n vac (Si)=3.4x10-23 cm -3 τα κενά απέχουν µεταξύ τους 300 km. Στους 1273 Κ : n vac (Si)=2.6x10 12 cm -3 τα κενά απέχουν µεταξύ τους 700nm. 13/1/2011 Σελίδα 1 από 9
24 Ε. Κ. Παλούρα Si Si:O Ατέλειες : Ανάπτυξη του κρυστάλλου ψύξη το στερεό γίνεται υπέρκορο (supersaturated) σε ατέλειες δηµιουργία εξαρµώσεων. Οξυγόνο: Είναι ενδόθετο άτοµο και εισάγεται λόγω διάβρωσης των τοιχωµάτων του quartz crucible (καθαρότητα 99,6% ) από το τήγµα. Ανάπτυξη του κρυστάλλου ψύξη το στερεό γίνεται υπέρκορο σε Ο i συσσωµατώµατα O 2 και SiO 2 συσσωµατώµατα SiO 2 διαστολή όγκου αφού V SiO2 >2V Si strain gettering µεταλλικών προσµείξεων (gettering: διαδικασία αποµάκρυνσης προσµίξεων που υποβαθµίζουν την απόδοση των διατάξεων στο ηλεκτρικώς ενεργό τµήµα των wafers) Si:C Τα συσσωµατώµατα O 2 σε µικρές συγκεντρώσεις ακινητοποιούν (pin) τις εξαρµώσεις. Ανθρακας (ηλεκτρικώς αδρανής) τυπική συγκέντρωση cm -3 (µείωση µε χρήση PBN). Σηµείο συγκέντρωσης µικροατελειών (σηµείο gettering για κατακρήµνιση/ precipitation µικροατελειών). Η ταχύτητα διάλυσης του χαλαζία σε τήγµα Si. Η εισαγωγή ανεπιθύµητων προσµείξεων αυξάνει µε την ταχύτητα περιστροφής περιορισµός 1-10rpm 13/1/2011 Σελίδα 2 από 9
25 Ε. Κ. Παλούρα Εξαρµώσεις σε Si GaAs Η συγκέντρωση των σηµειακών ατελειών είναι συνάρτηση της στοιχειοµετρίας. µ(v Ga ) > µ(v As ) V Ga αρχίζουν τη διαδικασία σχηµατισµού εξαρµώσεων. Supersaturation at 1100 o C. Η συσσωµάτωση των ατελειών εξαρτάται από το φορτίο τους εξαρτάται από τη θέση της E F εξαρτάται από τον τύπο της αγωγιµότητας και τη συγκέντρωση των προσµείξεων. Όταν οι ατέλειες είναι φορτισµένες η συσσωµάτωση καταστέλλεται (π.χ. n-gaas). Προσµείξεις C (δότης) < cm -3 ( για crucible PBN). 13/1/2011 Σελίδα 3 από 9
26 Ε. Κ. Παλούρα Θερµικό stress-βαθµίδες θερµοκρασίας κατά την ανάπτυξη. Ανάπτυξη CZ αξονική και ακτινική βαθµίδα θερµοκρασίας. Αξονική βαθµίδα θερµοκρασίας κατά την ανάπτυξη Czochralski. Υπόθεση : ψύξη µε ακτινοβολία η επιφάνεια του κρυστάλλου είναι πιο ψυχρή από το κέντρο συστέλλεται αναπτύσσεται εφαπτοµενικό stress σ θ όπου max σ θ min κέντρο και σ θ περιφέρεια Ακτινική βαθµίδα θερµοκρασίας αναπτύσσεται ακτινικό συµπιεστικό stress max min σ r όπου σ r κέντρο και σ r περιφέρεια Συνολικό critical resolved stress τ s : max κέντρο τs = 0. 5σr σ θ min in between Ολίσθηση συµβαίνει όταν τ S >τ critical max περιφέρεια Ολίσθηση στο GaAs Το πρόβληµα είναι σηµαντικότερο από ότι στο Si επειδή το GaAs έχει : k GaAs 0.3 k Si τ S (GaAs) τ S (Si) 13/1/2011 Σελίδα 4 από 9
27 Ε. Κ. Παλούρα η παρουσία του B 2 O 3 εντείνει τις βαθµίδες θερµοκρασίας. Θεωρητικός υπολογισµός των επιφανειών ίσης συγκέντρωσης εξαρµώσεων σε (001) GaAs που αναπτύσσεται κατά την [100]. Έχουν χαρακτηριστική κατανοµή µε σχήµα W όπου γίνεται προτιµητέα συσσώρευση προσµείξεων. Ανάλογα ισχύουν και για CZ-Si. Τοπογράφηµα ακτίνων Χ από δείγµα CZ-Si που δείχνει την κατανοµή του strain λόγω µικροσυσσώρευσης C. ίνες (turbulances) στο τήγµα. Το τήγµα σε επαφή µε τα τοιχώµατα του crucible έχει µεγαλύτερη Τ από ότι στο κέντρο προκαλούνται δίνες διακυµάνσεις στο τήγµα & τον κρύσταλλο ανοµοιογενής ανάπτυξη. Μεταβολές της θερµοκρασίας της διεπιφάνειας τήγµατος/ στερεού. 13/1/2011 Σελίδα 5 από 9
28 Ε. Κ. Παλούρα Αποκατάσταση του προβλήµατος : εφαρµογή µαγνητικού πεδίου 4000 G έλεγχος της θερµοκρασίας µε ακρίβεια ±0.1 o C µείωση των αξονικών µεταβολών της ειδικής αντίστασης & αύξηση του πάχους του boundary layer δ στη διεπιφάνεια S/L αύξηση του ενεργού συντελεστή κατανοµής k e καλύτερος έλεγχος της αξονικής κατανοµής των προσµείξεων. Προσανατολισµός του κρυστάλλου. Ταχύτερη ανάπτυξη κατά τη διεύθυνση υψηλής συσσωµάτωσης, π.χ. <111> στο Si & GaAs. Μεγάλη συγκέντρωση προσµείξεων σκλήρυνση. Επιτυγχάνεται µε την εισαγωγή ισοηλεκτρoνικών προµείξεων που ακινητοποιούν (pin) τις εξαρµώσεις παγώνει η διάδοση τους (π.χ. GaAs:In 5x10 20 cm -3 ). Προβλήµατα: ο κρύσταλλος γίνεται εύθραυστος, µεταβάλλονται οι πλεγµατικές σταθερές µεταγενέστερη ανάπτυξη (π.χ. επιταξιακή) γίνεται υπό συνθήκες πλεγµατικής ασυµφωνίας outdiffusion κατά τη διάρκεια ανόπτησης 13/1/2011 Σελίδα 6 από 9
29 Ε. Κ. Παλούρα Spin & pull rates. Επηρεάζουν την µέγιστη ταχύτητα ανάπτυξης µονοκρυστάλλων την εισαγωγή προσµείξεων (λόγω dissolution) από τα τοιχώµατα του crucible. Επίδραση του pull rate στη διάµετρο του αναπτυσσοµένου κατά CZ µονο- ή πολυκρυσταλλικού Si. Αστάθειες σε διεπιφάνεια τήγµατος-στερεού. Η δηµιουργία εδρών στη διεπιφάνεια οδηγεί σε παγίδευση προσµείξεων, όπως φαίνεται σε κρύσταλλο InSb:Te. 13/1/2011 Σελίδα 7 από 9
30 Ε. Κ. Παλούρα Υπάρχει συνεχής αύξηση των απαιτήσεων για Si wafers Ετος Παραγγελίες (million inch 2.) Έσοδα (billion $) /1/2011 Σελίδα 8 από 9
31 Ε. Κ. Παλούρα 13/1/2011 Σελίδα 9 από 9
32 Μέθοδοι ανάπτυξης υλικών όγκου από το τήγµα. Πρόβληµα Παρουσία στοιχείων µε διαφορετική πτητικότητα Λύση περίσσεια του πτητικού στοιχείου ή encapsulation ή επιταξία (χαµηλή Τ ανάπτυξης ) Πρόβληµα ο συντελεστής θερµικής διαστολής k του κρυστάλλου είναι διαφορετικός από το k του σκαφιδίου. ο κρύσταλλος υφίσταται θερµικές τάσεις και περιέχει µεγάλη συγκέντρωση ατελειών δοµής Λύση αλλαγή γεωµετρίας, επιταξία (χαµηλή Τ ανάπτυξης, µικρή m). Πρόβληµα Λύση Μη-ικανοποιητική απαγωγή θερµότητας θερµικό stress Μείωση ταχύτητας ανάπτυξης Επιταξία Το βιοµηχανικά παραγόµενο bulk CZ Si έχει πολύ καλές ιδιότητες : συγκέντρωση βαρέων µετάλλων στον όγκο (bulk) <1ppb, συγκέντρωση οξυγόνου ± 2ppm, ακτινική οµοιοµορφία καλύτερη του 5% και πρακτικά µηδενική συγκέντρωση εξαρµώσεων. 13/1/2011 Σελίδα 1 από 4
33 Εισαγωγή προσµίξεων στο τήγµα Πρόβληµα: η διαλυτότητα της πρόσµειξης στην υγρή και στερεά φάση εξαρτάται σηµαντικά από την θερµοκρασία. H διεπιφάνεια συνεχώς εµπλουτίζεται σε πρόσµειξη. Το δ είναι : δ = 1,6D 1 3υ1 6ω 1 2 όπου D ο συντ. διάχυσης στο τήγµα, υ το ιξώδες του τήγµατος και ω η γωνιακή ταχύτητα περιστροφής του κρυστάλλου 13/1/2011 Σελίδα 2 από 4
34 Παράµετροι που επηρεάζουν την ποιότητα του αναπτυσσοµένου κρυστάλλου. Ατέλειες δοµής. H επιφανειακή ενέργεια & η ενέργεια λόγω strain µειώνονται µε συσσωµάτωση των σηµειακών ατελειών Τα κενά σχηµατίζουν εξαρµώσεις Τα ενδόθετα σχηµατίζουν ιζήµατα (precipitates) Si:O Οξυγόνο: κατά την ψύξη το στερεό γίνεται υπέρκορο σε Ο i συσσωµατώµατα O 2 και SiO 2 συσσωµατώµατα SiO 2 διαστολή όγκου αφού V SiO2 >2V Si strain gettering of metal impurities. GaAs Η συγκέντρωση των σηµειακών ατελειών εξαρτάται από τη στοιχειοµετρία. Η συσσωµάτωση των ατελειών εξαρτάται από το φορτίο τους εξαρτάται από τη θέση της E F εξαρτάται από τον τύπο της αγωγιµότητας και τη συγκέντρωση των προσµείξεων. Όταν οι ατέλειες είναι φορτισµένες η συσσωµάτωση καταστέλλεται (π.χ. n-gaas). Οι ατέλειες δοµής ελέγχονται ευκολότερα στην επιταξία. 13/1/2011 Σελίδα 3 από 4
35 Θερµικό stress-βαθµίδες θερµοκρασίας κατά την ανάπτυξη. Ανάπτυξη CZ αξονική και ακτινική βαθµίδα θερµοκρασίας. Επιταξία: µικρότερες βαθµίδες θερµοκρασίας. ίνες (turbulances) στο τήγµα.: δεν υπάρχουν στην επιταξία Spin & pull rates. : Επηρεάζουν την µέγιστη ταχύτητα ανάπτυξης µονοκρυστάλλων & την εισαγωγή προσµείξεων (λόγω dissolution) από τα τοιχώµατα του crucible. δεν υπάρχουν στην επιταξία 13/1/2011 Σελίδα 4 από 4
Ανάπτυξη μονοκρυσταλλικού πυριτίου για εφαρμογές στη μικροηλεκτρονική.
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 Ανάπτυξη μονοκρυσταλλικού πυριτίου για εφαρμογές στη μικροηλεκτρονική. 1. Εισαγωγή Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευάζονται πάνω σε υπόβαθρα μονοκρυσταλλικού
Διαβάστε περισσότεραMετασχηματισμοί διάχυσης στα στερεά / Πυρηνοποίηση στην στερεά κατάσταση. Ομογενής πυρηνοποίηση στα στερεά/μετασχηματισμοί διάχυσης.
Mετασχηματισμοί διάχυσης στα στερεά / Πυρηνοποίηση στην στερεά κατάσταση Ομογενής πυρηνοποίηση στα στερεά/μετασχηματισμοί διάχυσης. Το πρόβλημα: Ιζηματοποίηση φάσης β (πλούσια στο στοιχείο Β) από ένα υπέρκορο
Διαβάστε περισσότεραΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΚΤΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΕΣ ΔΙΕΡΓΑΣΙΕΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ. Περιληπτική θεωρητική εισαγωγή
ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΚΤΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΕΣ ΔΙΕΡΓΑΣΙΕΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ Περιληπτική θεωρητική εισαγωγή α) Τεχνική zchralski Η πιο συχνά χρησιμοποιούμενη τεχνική ανάπτυξης μονοκρυστάλλων πυριτίου (i), αρίστης ποιότητας,
Διαβάστε περισσότεραΕπιστήμη των Υλικών. Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Τμήμα Φυσικής
Επιστήμη των Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τμήμα Φυσικής 2017 Α. Δούβαλης Ατέλειες, διαταραχές και σχέση τους με τις μηχανικές ιδιότητες των στερεών (μεταλλικά στερεά) μικτή διαταραχή διαταραχή κοχλία
Διαβάστε περισσότεραΔιάχυση και εφαρμογές. Αυτο-διάχυση (self-diffusion), π.χ. διάχυση ραδιενεργών ισοτόπων.
Διάχυση και εφαρμογές. Βαθμίδα συγκέντρωσης φαινόμενα μεταφοράς μάζης ή διάχυσης Αυτο-διάχυση (self-diffusion), π.χ. διάχυση ραδιενεργών ισοτόπων. Στην τεχνολογία υλικών οι βαθμίδες συγκέντρωσης χρησιμοποιούνται
Διαβάστε περισσότεραΤΡΟΠΟΙ ΔΙΑΔΟΣΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ Είναι τρείς και σχηματικά φαίνονται στο σχήμα
ΔΙΑΔΟΣΗ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΤΡΟΠΟΙ ΔΙΑΔΟΣΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ Είναι τρείς και σχηματικά φαίνονται στο σχήμα Μεταφορά Αγωγή Ακτινοβολία Ακτινοβολία ΑΓΩΓΗ (1 ΟΣ ΜΗΧΑΝΙΣΜΟΣ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ) Έστω δύο σώματα που διατηρούνται
Διαβάστε περισσότεραΔιεργασίες Παραγωγής Ηλεκτρονικών Υλικών Ενότητα 2: Παραγωγή Πυριτίου. Δημήτριος Ματαράς Πολυτεχνική Σχολή Τμήμα Χημικών Μηχανικών
Διεργασίες Παραγωγής Ηλεκτρονικών Υλικών Ενότητα 2: Παραγωγή Πυριτίου Δημήτριος Ματαράς Πολυτεχνική Σχολή Τμήμα Χημικών Μηχανικών ΓΕΝΙΚΗ ΑΠΟΨΗ ΤΗΣ ΔΙΕΡΓΑΣΙΑΣ από το MGS στο EGS MGS: Metallurgical Grade
Διαβάστε περισσότεραΒρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com
1 2.4 Παράγοντες από τους οποίους εξαρτάται η αντίσταση ενός αγωγού Λέξεις κλειδιά: ειδική αντίσταση, μικροσκοπική ερμηνεία, μεταβλητός αντισ ροοστάτης, ποτενσιόμετρο 2.4 Παράγοντες που επηρεάζουν την
Διαβάστε περισσότεραv = 1 ρ. (2) website:
Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης Τμήμα Φυσικής Μηχανική Ρευστών Βασικές έννοιες στη μηχανική των ρευστών Μαάιτα Τζαμάλ-Οδυσσέας 17 Φεβρουαρίου 2019 1 Ιδιότητες των ρευστών 1.1 Πυκνότητα Πυκνότητα
Διαβάστε περισσότεραηλεκτρικό ρεύµα ampere
Ηλεκτρικό ρεύµα Το ηλεκτρικό ρεύµα είναι ο ρυθµός µε τον οποίο διέρχεται ηλεκτρικό φορτίο από µια περιοχή του χώρου. Η µονάδα µέτρησης του ηλεκτρικού ρεύµατος στο σύστηµα SI είναι το ampere (A). 1 A =
Διαβάστε περισσότεραΙΑΧΥΣΗ. Σχήµα 1: Είδη διάχυσης
ΙΑΧΥΣΗ ΟΡΙΣΜΟΣ - ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ιάχυση (diffusin) είναι ο µηχανισµός µεταφοράς ατόµων (όµοιων ή διαφορετικών µεταξύ τους) µέσα στη µάζα ενός υλικού, λόγω θερµικής διέγερσής τους. Αποτέλεσµα της διάχυσης
Διαβάστε περισσότεραΕπαφές μετάλλου ημιαγωγού
Δίοδος Schottky Επαφές μετάλλου ημιαγωγού Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τι είναι Ημιαγωγός Κατασκευάζεται με εξάχνωση μετάλλου το οποίο μεταφέρεται στην επιφάνεια
Διαβάστε περισσότεραΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ ΧΡΗΣΗ ΟΖΟΝΤΟΣ ΣΤΗΝ ΚΑΤΕΡΓΑΣΙΑ ΤΟΥ ΝΕΡΟΥ ΣΕ ΠΥΡΓΟΥΣ ΨΥΞΗΣ
ΧΡΗΣΗ ΟΖΟΝΤΟΣ ΣΤΗΝ ΚΑΤΕΡΓΑΣΙΑ ΤΟΥ ΝΕΡΟΥ ΣΕ ΠΥΡΓΟΥΣ ΨΥΞΗΣ Η χρήση του όζοντος για την κατεργασία νερού σε πύργους ψύξης αυξάνει σηµαντικά τα τελευταία χρόνια και αρκετές έρευνες και εφαρµογές που έχουν
Διαβάστε περισσότεραηλεκτρικό ρεύμα ampere
Ηλεκτρικό ρεύμα Το ηλεκτρικό ρεύμα είναι ο ρυθμός με τον οποίο διέρχεται ηλεκτρικό φορτίο από μια περιοχή του χώρου. Η μονάδα μέτρησης του ηλεκτρικού ρεύματος στο σύστημα SI είναι το ampere (A). 1 A =
Διαβάστε περισσότεραΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΜΕΤΑΦΟΡΑ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ Ι ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ
ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΜΕΤΑΦΟΡΑ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ Ι ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΘEMA ο Επίπεδο κατακόρυφο σώµα από αλουµίνιο, µήκους 430 mm, ύψους 60 mm και πάχους
Διαβάστε περισσότεραΕργαστηριακή Άσκηση 30 Μέτρηση του συντελεστή θερμικής αγωγιμότητας υλικών.
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Εφαρμοσμένων Μαθηματικών και Φυσικών Επιστημών Όνομα : Κάραλης Νικόλας Α/Μ: 944 Εργαστηριακή Άσκηση 3 Μέτρηση του συντελεστή θερμικής αγωγιμότητας υλικών. Συνεργάτες:
Διαβάστε περισσότεραΤα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης
Τα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης 1 Bulk versus epitaxial growth Η κύριες διαφορές μεταξύ της ανάπτυξης από το τήγμα και της επιταξιακής ανάπτυξης προκύπτουν από την παρουσία του υποστρώματος
Διαβάστε περισσότεραΘΕΡΜΙΚΕΣ ΚΑΤΕΡΓΑΣΙΕΣ ΧΑΛΥΒΩΝ
ΘΕΡΜΙΚΕΣ ΚΑΤΕΡΓΑΣΙΕΣ ΧΑΛΥΒΩΝ ΑΝΟΠΤΗΣΗ - ΒΑΦΗ - ΕΠΑΝΑΦΟΡΑ ΓΕΝΙΚΑ Στο Σχ. 1 παρουσιάζεται µια συνολική εικόνα των θερµικών κατεργασιών που επιδέχονται οι χάλυβες και οι περιοχές θερµοκρασιών στο διάγραµµα
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στην Επιστήμη των Υλικών Θερμικές Ιδιότητες Callister Κεφάλαιο 20, Ashby Κεφάλαιο 12
Εισαγωγή στην Επιστήμη των Υλικών Θερμικές Ιδιότητες Callister Κεφάλαιο 20, Ashby Κεφάλαιο 12 Πως αντιδρά ένα υλικό στην θερμότητα. Πως ορίζουμε και μετράμε τα ακόλουθα μεγέθη: Θερμοχωρητικότητα Συντελεστή
Διαβάστε περισσότεραΠυρηνοποίηση και διεπιφάνειες Διεπιφάνειες στερεού/ατμού & στερεού/τήγματος
Πυρηνοποίηση και διεπιφάνειες Διεπιφάνειες στερεού/ατμού & στερεού/τήγματος Η ανάπτυξη πυρήνων προάγεται σε διεπιφάνειες στερεού/ατμού, στερεού/υγρού ή μεταξύ διαφορετικών φάσεων σε στερεά. Οι διεπιφάνειες
Διαβάστε περισσότεραΤα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης
Τα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης Η κύριες διαφορές μεταξύ της ανάπτυξης από το τήγμα και της επιταξιακής ανάπτυξης προκύπτουν από την παρουσία του υποστρώματος και ειδικότερα τις εξής παραμέτρους:
Διαβάστε περισσότεραPhysical vapor deposition (PVD)-φυσική εναπόθεση ατμών
Physical vapor deposition (PVD)-φυσική εναπόθεση ατμών Μηχανισμός: Το υμένιο αναπτύσσεται στην επιφάνεια του υποστρώματος με διαδικασία συμπύκνωσης από τους ατμούς του. Στις μεθόδους PVD υπάγονται: Evaporation,
Διαβάστε περισσότεραΤα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης
Τα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης Η κύριες διαφορές μεταξύ της ανάπτυξης από το τήγμα και της επιταξιακής ανάπτυξης προκύπτουν από την παρουσία του υποστρώματος και ειδικότερα τις εξής παραμέτρους:
Διαβάστε περισσότεραΕΠΙΠΕΔΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ. αρχικό υλικό. *στάδια επίπεδης τεχνολογίας. πλακίδιο Si. *ακολουθία βημάτων που προσθέτουν ή αφαιρούν υλικά στο πλακίδιο Si
ΕΠΙΠΕΔΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ αρχικό υλικό + *στάδια επίπεδης τεχνολογίας πλακίδιο Si *ακολουθία βημάτων που προσθέτουν ή αφαιρούν υλικά στο πλακίδιο Si οξείδωση εναπόθεση διάχυση φωτολιθογραφία φωτοχάραξη Παραγωγή
Διαβάστε περισσότεραΜηχανικές ιδιότητες υάλων. Διάγραμμα τάσης-παραμόρφωσης (stress-stain)
Μηχανικές ιδιότητες υάλων Η ψαθυρότητα των υάλων είναι μια ιδιότητα καλά γνωστή που εύκολα διαπιστώνεται σε σύγκριση με ένα μεταλλικό υλικό. Διάγραμμα τάσης-παραμόρφωσης (stress-stain) E (Young s modulus)=
Διαβάστε περισσότεραηµήτρης Τσίνογλου ρ. Μηχανολόγος Μηχανικός
Μετάδοση Θερµότητας ηµήτρης Τσίνογλου ρ. Μηχανολόγος Μηχανικός ΤΕΙ Σερρών Μετάδοση Θερµότητας 1 Εισαγωγή στη Μετάδοση Θερµότητας Κεφάλαιο 1 ΤΕΙ Σερρών Μετάδοση Θερµότητας Ορισµός Μετάδοση θερµότητας: «Μεταφορά
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή Ιστορική Αναδροµή
Εισαγωγή Ιστορική Αναδροµή Τα θερµοηλεκτρικά είναι διατάξεις (συσκευές) οι οποίες µπορούν και µετατρέπουν τη θερµική ενέργεια σε ηλεκτρική ενέργεια και το αντίθετο (ηλεκτρική σε θερµική). Θερµοηλεκτρικές
Διαβάστε περισσότεραΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΧΗΜΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ. Καθηγητής Δ. Ματαράς
ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΧΗΜΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Καθηγητής Δ. Ματαράς 9.Μεταφορά Θερμότητας, Αγωγή Αγωγή Αν σε συνεχές μέσο υπάρχει βάθμωση θερμοκρασίας τότε υπάρχει ροή θερμότητας χωρίς ορατή κίνηση της ύλης.
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στην πυρηνοποίηση. http://users.auth.gr/~paloura/ Ομο- & ετερογενής πυρηνοποίηση: αρχικά στάδια ανάπτυξης υλικών ή σχηματισμού νέας φάσης.
Εισαγωγή στην πυρηνοποίηση. http://users.auth.gr/~paloura/ Αντικείμενο Ομο- & ετερογενής πυρηνοποίηση: αρχικά στάδια ανάπτυξης υλικών ή σχηματισμού νέας φάσης. Ομογενής πυρηνοποίηση: αυθόρμητος σχηματισμός
Διαβάστε περισσότεραΑγωγιμότητα στα μέταλλα
Η κίνηση των ατόμων σε κρυσταλλικό στερεό Θερμοκρασία 0 Θερμοκρασία 0 Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων dpapageo@cc.uoi.gr http://pc164.materials.uoi.gr/dpapageo
Διαβάστε περισσότεραΣΤΕΡΕΟΠΟΙΗΣΗ 1. Πυρηνοποίηση ελεύθερη ενέργεια όγκου Gv ελέυθερη επιφανειακή ενέργεια σ
ΣΤΕΡΕΟΠΟΙΗΣΗ 1. Πυρηνοποίηση Κατά τη διάρκεια της στερεοποίησης συµβαίνει µια διευθέτηση ατόµων στην αρχή σε µικρό χώρο λίγων ατόµων και µετά σε ακόµη µεγαλύτερο καταλήγοντας στη κρυσταλική δοµή. Η πυρηνοποίηση
Διαβάστε περισσότεραΓραπτή εξέταση «Επιστήμη και Τεχνολογία Υλικών ΙI»-Σεπτέμβριος 2016
Γραπτή εξέταση «Επιστήμη και Τεχνολογία Υλικών ΙI»-Σεπτέμβριος 016 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΧΗΜΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ-ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΛΙΚΩΝ ΘΕΜΑ
Διαβάστε περισσότερα1. Τί ονομάζουμε καύσιμο ή καύσιμη ύλη των ΜΕΚ; 122
Απαντήσεις στο: Διαγώνισμα στο 4.7 στις ερωτήσεις από την 1 η έως και την 13 η 1. Τί ονομάζουμε καύσιμο ή καύσιμη ύλη των ΜΕΚ; 122 Είναι διάφοροι τύποι υδρογονανθράκων ΗC ( υγρών ή αέριων ) που χρησιμοποιούνται
Διαβάστε περισσότεραΕ. Κ. ΠΑΛΟΎΡΑ Ημιαγωγοί 1. Ημιαγωγοί. Το 1931 ο Pauli δήλωσε: "One shouldn't work on. semiconductors, that is a filthy mess; who knows if they really
Ημιαγωγοί Ανακαλύφθηκαν το 190 Το 191 ο Pauli δήλωσε: "Oe should't work o semicoductors, that is a filthy mess; who kows if they really exist!" Πιο ήταν το πρόβλημα? Οι ανεπιθύμητες προσμείξεις Το 1947
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ι ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ ΚΑΙ ΑΝΤΙΣΤΑΣΗ
ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ι ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ ΚΑΙ ΑΝΤΙΣΤΑΣΗ 1 1. ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ Το ηλεκτρικό ρεύμα είναι ροή ηλεκτρικών φορτίων. Θεωρούμε ότι έχουμε για συγκέντρωση φορτίου που κινείται και διέρχεται κάθετα από
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ασκήσεις Μικροηλεκτρονικής
Σχεδίαση Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ασκήσεις Μικροηλεκτρονικής Αραπογιάννη Αγγελική Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών. Σελίδα 2 1. Εισαγωγή... 4 2. Ανάπτυξη Κρυστάλλων... 4 3. Οξείδωση του πυριτίου...
Διαβάστε περισσότεραΘΕΡΜΟΔΥΝΑΜΙΚΗ. Χαροκόπειο Πανεπιστήμιο. 11 Μαΐου 2006
ΘΕΡΜΟΔΥΝΑΜΙΚΗ Χαροκόπειο Πανεπιστήμιο 11 Μαΐου 2006 Κλάδοι της Θερμοδυναμικής Χημική Θερμοδυναμική: Μελετά τις μετατροπές ενέργειας που συνοδεύουν φυσικά ή χημικά φαινόμενα Θερμοχημεία: Κλάδος της Χημικής
Διαβάστε περισσότεραΑνάλυση: όπου, με αντικατάσταση των δεδομένων, οι ζητούμενες απώλειες είναι: o C. 4400W ή 4.4kW 0.30m Συζήτηση: ka ka ka dx x L
Κεφάλαιο 1 Εισαγωγικές Έννοιες της Μετάδοσης Θερμότητας ΛΥΜΕΝΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΆΣΚΗΣΗ 1.1 Ένα διαχωριστικό τοίχωμα σκυροδέματος, επιφάνειας 30m, διαθέτει επιφανειακές θερμοκρασίες 5 ο C και 15 ο C, ενώ έχει
Διαβάστε περισσότεραΜάθημα 23 ο. Μεταλλικός Δεσμός Θεωρία Ζωνών- Ημιαγωγοί Διαμοριακές Δυνάμεις
Μάθημα 23 ο Μεταλλικός Δεσμός Θεωρία Ζωνών- Ημιαγωγοί Διαμοριακές Δυνάμεις Μεταλλικός Δεσμός Μοντέλο θάλασσας ηλεκτρονίων Πυρήνες σε θάλασσα e -. Μεταλλική λάμψη. Ολκιμότητα. Εφαρμογή δύναμης Γενική και
Διαβάστε περισσότεραΧειμερινό εξάμηνο
Μεταβατική Αγωγή Θερμότητας: Ανάλυση Ολοκληρωτικού Συστήματος Τμήμα Μηχανολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Παραγωγής 1 Μεταβατική Αγωγή (ranen conducon Πολλά προβλήματα μεταφοράς θερμότητας εξαρτώνται από
Διαβάστε περισσότεραΦυσική Στερεάς Κατάστασης η ομάδα ασκήσεων Διδάσκουσα Ε. Κ. Παλούρα
Φυσική Στερεάς Κατάστασης -05 η ομάδα ασκήσεων. Έστω ημιαγωγός με συγκέντρωση προσμείξεων Ν>> i. Όλες οι προσμείξεις είναι ιονισμένες και ισχύει =, p= i /. Η πρόσμειξη είναι τύπου p ή? : Όλες οι προσμείξεις
Διαβάστε περισσότεραΦασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων
Φασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων Ιόντα με υψηλές ενέργειες (συνήθως Ar +, O ή Cs + ) βομβαρδίζουν την επιφάνεια του δείγματος sputtering ουδετέρων
Διαβάστε περισσότεραΥποθέστε ότι ο ρυθμός ροής από ένα ακροφύσιο είναι γραμμική συνάρτηση της διαφοράς στάθμης στα δύο άκρα του ακροφυσίου.
ΕΡΩΤΗΜΑ Δίνεται το σύστημα δεξαμενών του διπλανού σχήματος, όπου: q,q : h,h : Α : R : οι παροχές υγρού στις δύο δεξαμενές, τα ύψη του υγρού στις δύο δεξαμενές, η διατομή των δεξαμενών και η αντίσταση ροής
Διαβάστε περισσότεραΑγωγιμότητα στα μέταλλα
Η κίνηση των ατόμων σε κρυσταλλικό στερεό Θερμοκρασία 0 Θερμοκρασία 0 Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων dpapageo@cc.uoi.gr http://pc164.materials.uoi.gr/dpapageo
Διαβάστε περισσότεραΘΕΡΜΙΚΕΣ ΚΑΤΕΡΓΑΣΙΕΣ
ΘΕΡΜΙΚΕΣ ΚΑΤΕΡΓΑΣΙΕΣ ΓENIKA Θερµική κατεργασία είναι σύνολο διεργασιών που περιλαµβάνει τη θέρµανση και ψύξη µεταλλικού προϊόντος σε στερεά κατάσταση και σε καθορισµένες θερµοκρασιακές και χρονικές συνθήκες.
Διαβάστε περισσότεραΦΥΣΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ. ΘΕΜΑ 1 ο
ΦΥΣΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΘΕΜΑ 1 ο 1.1. Φορτισμένο σωματίδιο αφήνεται ελεύθερο μέσα σε ομογενές ηλεκτρικό πεδίο χωρίς την επίδραση της βαρύτητας. Το σωματίδιο: α. παραμένει ακίνητο. β. εκτελεί ομαλή κυκλική κίνηση.
Διαβάστε περισσότεραΔιαδικασίες Υψηλών Θερμοκρασιών
Διαδικασίες Υψηλών Θερμοκρασιών Θεματική Ενότητα 4: Διαδικασίες σε υψηλές θερμοκρασίες Τίτλος: Διαδικασίες μετασχηματισμού των φάσεων Ονόματα Καθηγητών: Κακάλη Γλυκερία, Ρηγοπούλου Βασιλεία Σχολή Χημικών
Διαβάστε περισσότεραΧαρακτηρισμός και μοντέλα τρανζίστορ λεπτών υμενίων βιομηχανικής παραγωγής: Τεχνολογία μικροκρυσταλλικού πυριτίου χαμηλής θερμοκρασίας
Χαρακτηρισμός και μοντέλα τρανζίστορ λεπτών υμενίων βιομηχανικής παραγωγής: Τεχνολογία μικροκρυσταλλικού πυριτίου χαμηλής θερμοκρασίας Υποψήφιος Διδάκτορας: Α. Χατζόπουλος Περίληψη Οι τελευταίες εξελίξεις
Διαβάστε περισσότερα3. Τριβή στα ρευστά. Ερωτήσεις Θεωρίας
3. Τριβή στα ρευστά Ερωτήσεις Θεωρίας Θ3.1 Να συμπληρωθούν τα κενά στις προτάσεις που ακολουθούν: α. Η εσωτερική τριβή σε ένα ρευστό ονομάζεται. β. Η λίπανση των τμημάτων μιας μηχανής οφείλεται στις δυνάμεις
Διαβάστε περισσότεραΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΧΗΜΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ-ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΛΙΚΩΝ
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΧΗΜΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ-ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΛΙΚΩΝ Γραπτό τεστ (συν-)αξιολόγησης στο μάθημα: «ΔΙΑΓΝΩΣΤΙΚΕΣ ΜΕΘΟΔΟΙ ΣΤΗ ΜΕΛΕΤΗ
Διαβάστε περισσότεραΘΕΡΜΙΚΕΣ ΚΑΤΕΡΓΑΣΙΕΣ ΧΑΛΥΒΩΝ ΣΤΗΝ ΠΡΑΞΗ
ΣΤΗΝ ΠΡΑΞΗ Θ Ε Ρ Μ Ι Κ Ε Σ Κ ΑΤ Ε Ρ Γ Α Σ Ι Ε Σ είναι σύνολο διεργασιών όπως: θέρμανση και ψύξη χάλυβα σε στερεά κατάσταση και σε καθορισμένες θερμοκρασιακές και χρονικές συνθήκες. Σ ΚΟ Π Ο Σ Θ Ε Ρ Μ Ι
Διαβάστε περισσότεραΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΙΙ. Διδάσκων: Παπασιώπη Νυμφοδώρα Αναπληρώτρια Καθηγήτρια Ε.Μ.Π. Ενότητα 9 η : Μεταφορά Μάζας
ΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΙΙ Διδάσκων: Παπασιώπη Νυμφοδώρα Αναπληρώτρια Καθηγήτρια Ε.Μ.Π. Ενότητα 9 η : Μεταφορά Μάζας Άδεια Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creatve Coons. Για εκπαιδευτικό
Διαβάστε περισσότεραΓραπτή «επί πτυχίω» εξέταση «Επιστήμη και Τεχνολογία Υλικών ΙΙ»-Ιανουάριος 2017
Ερώτηση 1 (10 μονάδες) - ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΧΗΜΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ-ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΛΙΚΩΝ (Καθ. Β.Ζασπάλης) Σε μια διεργασία ενανθράκωσης
Διαβάστε περισσότεραΕΡΩΤΗΣΕΙΣ ΕΜΒΑΘΥΝΣΗΣ
ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ ΕΜΒΑΘΥΝΣΗΣ Α. ΔΙΑΜΟΡΦΩΣΕΙΣ ΠΛΑΣΤΙΚΗ ΠΑΡΑΜΟΡΦΩΣΗ ΣΤΗΝ ΕΥΣΤΑΘΗ ΠΕΡΙΟΧΗ Α.1. Ποια οικογένεια υλικών αφορά η μορφοποίησή τους με διαμόρφωση; Χρησιμοποιώντας ένα τυπικό διάγραμμα εφελκυσμού, αναφέρετε
Διαβάστε περισσότεραΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΙΙ
ΣΧΟΛΗ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΜΕΤΑΛΛΕΙΩΝ ΜΕΤΑΛΛΟΥΡΓΩΝ ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΙΙ ΜΕΤΑΦΟΡΑ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΚΑΙ ΜΑΖΑΣ ΑΓΩΓΗ () Νυμφοδώρα Παπασιώπη Φαινόμενα Μεταφοράς ΙΙ. Μεταφορά Θερμότητας και Μάζας
Διαβάστε περισσότεραΠεριοχές Ακτινοβολίας Κεραιών
Κεραίες ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΑΙΓΑΙΟΥ Δημοσθένης Βουγιούκας Αναπληρωτής Καθηγητής Τμήμα Μηχανικών Πληροφοριακών & Επικοινωνιακών Συστημάτων Περιοχές Ακτινοβολίας Κεραιών 2 1 Σημειακή Πηγή 3 Κατακόρυφα Πολωμένο
Διαβάστε περισσότεραΑΝΑΛΥΣΗ ΚΑΙ ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΙΔΑΝΙΚΩΝ ΑΝΤΙΔΡΑΣΤΗΡΩΝ ΑΝΑΛΥΣΗ ΚΑΙ ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΙΔΑΝΙΚΩΝ ΑΝΤΙΔΡΑΣΤΗΡΩΝ
Εισαγωγή Διαδικασία σχεδιασμού αντιδραστήρα: Καθορισμός του τύπου του αντιδραστήρα και των συνθηκών λειτουργίας. Εκτίμηση των χαρακτηριστικών για την ομαλή λειτουργία του αντιδραστήρα. μέγεθος σύσταση
Διαβάστε περισσότερα«Επί πτυχίω» εξέταση στο μάθημα «Επιστήμη και Τεχνολογία Υλικών ΙΙ»-Ιανουάριος 2018
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΧΗΜΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ-ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΛΙΚΩΝ ΘΕΜΑ 1 (25 μονάδες) (Καθ. Β.Ζασπάλης) Σε μια φυσική διεργασία αέριο υδρογόνο
Διαβάστε περισσότερα1.1 Ηλεκτρονικές ιδιότητες των στερεών. Μονωτές και αγωγοί
1. Εισαγωγή 1.1 Ηλεκτρονικές ιδιότητες των στερεών. Μονωτές και αγωγοί Από την Ατομική Φυσική είναι γνωστό ότι οι επιτρεπόμενες ενεργειακές τιμές των ηλεκτρονίων είναι κβαντισμένες, όπως στο σχήμα 1. Σε
Διαβάστε περισσότερα6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC
6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC Θεωρητικό µέρος Αν µεταξύ δύο αρχικά αφόρτιστων αγωγών εφαρµοστεί µία συνεχής διαφορά δυναµικού ή τάση V, τότε στις επιφάνειές τους θα
Διαβάστε περισσότερα6 η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΕΤΑΔΟΣΗ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΜΕ ΣΥΝΑΓΩΓΙΜΟΤΗΤΑ Α. ΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ
ΑEI ΠΕΙΡΑΙΑ(ΤΤ) ΣΤΕΦ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΩΝ-ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΕΡΓ. ΜΕΤΑΔΟΣΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ 6 η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΕΤΑΔΟΣΗ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΜΕ ΣΥΝΑΓΩΓΙΜΟΤΗΤΑ ΕΣΩΤΕΡΙΚΗ ΡΟΗ ΣΕ ΑΓΩΓΟ Σκοπός της άσκησης Σκοπός της πειραματικής
Διαβάστε περισσότεραΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα. Μετάδοση Θερμότητας
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μετάδοση Θερμότητας Ενότητα 2: Θερμική Αγωγιμότητα Κωνσταντίνος - Στέφανος Νίκας Τμήμα Μηχανολόγων Μηχανικών Τ.Ε. Άδειες Χρήσης
Διαβάστε περισσότεραΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΙΙ
ΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΙΙ Διδάσκων: Παπασιώπη Νυμφοδώρα Αναπληρώτρια Καθηγήτρια Ε.Μ.Π. Ενότητα 3 η : Αγωγή Σύνθετα τοιχώματα Άθροιση αντιστάσεων Άδεια Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες
Διαβάστε περισσότεραΕργαστήριο Υλικών ΙΙ (Κεραμικά & Σύνθετα Υλικά)
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΙΩΑΝΝΙΝΩΝ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ Εργαστήριο Υλικών ΙΙ (Κεραμικά & Σύνθετα Υλικά) Ύαλοι Οξειδίων Διδάσκοντες: Αναπλ. Καθ. Σ. Αγαθόπουλος, Καθ. Δ. Γουρνής, Καθ. Μ. Καρακασίδης Άδειες Χρήσης
Διαβάστε περισσότεραΚβαντικά σύρματα, κβαντικές τελείες, νανοτεχνολογία Nucleation of a Si nanowire
Ετερογενής πυρηνοποίηση Ομογενής πυρηνοποίηση συμβαίνει σπάνια γιατί σχεδόν πάντα υπάρχουν διαθέσιμες ετερογενείς θέσεις για πυρηνοποίηση (π.χ. τοιχώματα, σωματίδια προσμείξεων) που μειώνουν τη ΔG. Στόχος
Διαβάστε περισσότεραηµήτρης Τσίνογλου ρ. Μηχανολόγος Μηχανικός
ηµήτρης Τσίνογλου ρ. Μηχανολόγος Μηχανικός 1 Αγωγή Χρονικά µεταβαλλόµενη κατάσταση Κεφάλαιο 4 Ορισµός του προβλήµατος Σε πολλές τεχνικές εφαρµογές απαιτείται ο υπολογισµός της θερµικής αγωγής σε χρονικά
Διαβάστε περισσότεραΠερι-Φυσικής. Θέµα Α. Θετικής & Τεχν. Κατεύθυνσης - Επαναληπτικό ΙΙ. Ονοµατεπώνυµο: Βαθµολογία % (α) η ϑερµοκρασία του παραµένει σταθερή.
Θετικής & Τεχν. Κατεύθυνσης - Επαναληπτικό ΙΙ Ηµεροµηνία : Μάης 2013 ιάρκεια : 3 ώρες Ονοµατεπώνυµο: Βαθµολογία % Θέµα Α Στις ερωτήσεις Α.1 Α.4 επιλέξτε την σωστή απάντηση [4 5 = 20 µονάδες] Α.1. Στην
Διαβάστε περισσότεραΘερμοκρασία - Θερμότητα. (Θερμοκρασία / Θερμική διαστολή / Ποσότητα θερμότητας / Θερμοχωρητικότητα / Θερμιδομετρία / Αλλαγή φάσης)
Θερμοκρασία - Θερμότητα (Θερμοκρασία / Θερμική διαστολή / Ποσότητα θερμότητας / Θερμοχωρητικότητα / Θερμιδομετρία / Αλλαγή φάσης) Θερμοκρασία Ποσοτικοποιεί την αντίληψή μας για το πόσο ζεστό ή κρύο είναι
Διαβάστε περισσότεραΗ Φυσική των ζωντανών Οργανισμών (10 μονάδες)
Η Φυσική των ζωντανών Οργανισμών (10 μονάδες) Δεδομένα: Κανονική Ατμοσφαιρική Πίεση, P 0 = 1.013 10 5 Pa = 760 mmhg Μέρος A. Η φυσική του κυκλοφορικού συστήματος. (4.5 μονάδες) Q3-1 Στο Μέρος αυτό θα μελετήσετε
Διαβάστε περισσότερα6. ΘΕΡΜΙΚΕΣ Ι ΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΠΟΛΥΜΕΡΩΝ
6-1 6. ΘΕΡΜΙΚΕΣ Ι ΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΠΟΛΥΜΕΡΩΝ 6.1. ΙΑ ΟΣΗ ΤΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ Πολλές βιοµηχανικές εφαρµογές των πολυµερών αφορούν τη διάδοση της θερµότητας µέσα από αυτά ή γύρω από αυτά. Πολλά πολυµερή χρησιµοποιούνται
Διαβάστε περισσότεραΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Σχήμα 1 Σχήμα 2 Σχήμα 3
ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Μάθημα: Φυσική Ημιαγωγών και Διατάξεων Εξεταστική Περίοδος: Ιούνιος 017 Καθηγητής: Δ. Τριάντης ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ ΘΕΜΑ 1 Ο (+=4 ΜΟΝΑΔΕΣ) Α) Θεωρούμε μια διάταξη MIS (Metal: Al, Isulator:
Διαβάστε περισσότεραΟι ηµιαγωγοι αποτελουν την πλεον χρησιµη κατηγορια υλικων απο ολα τα στερεα για εφαρµογες στα ηλεκτρονικα.
Οι ηµιαγωγοι αποτελουν την πλεον χρησιµη κατηγορια υλικων απο ολα τα στερεα για εφαρµογες στα ηλεκτρονικα. Οι ηµιαγωγοι εχουν ηλεκτρικη ειδικη αντισταση (ή ηλεκτρικη αγωγιµοτητα) που κυµαινεται µεταξυ
Διαβάστε περισσότερα2g z z f k k z z f k k z z V D 2g 2g 2g D 2g f L ka D
ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΤΟΜΕΑΣ ΥΔΑΤΙΚΩΝ ΠΟΡΩΝ & ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ ΜΑΘΗΜΑ: ΥΔΡΑΥΛΙΚΗ ΚΑΙ ΥΔΡΑΥΛΙΚΑ ΕΡΓΑ ΕΞΕΤΑΣΗ ΠΡΟΟΔΟΥ ΝΟΕΜΒΡΙΟΥ 017 Άσκηση 1 1. Οι δεξαμενές Α και Β, του Σχήματος 1, συνδέονται με σωλήνα
Διαβάστε περισσότεραΕργαστήριο Τεχνολογίας Υλικών
Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικών Εργαστηριακή Άσκηση 03 Θερμική Ανάλυση Διδάσκοντες: Δρ Γεώργιος Ι. Γιαννόπουλος Δρ Θεώνη Ασημακοπούλου Δρ Θεόδωρος Λούτας Τμήμα Μηχανολογίας ΑΤΕΙ Πατρών Πάτρα 2011 Στερεοποίηση
Διαβάστε περισσότεραΔΙΕΛΑΣΗ. Το εργαλείο διέλασης περιλαμβάνει : το μεταλλικό θάλαμο, τη μήτρα, το έμβολο και το συμπληρωματικό εξοπλισμό (δακτυλίους συγκράτησης κλπ.).
ΔΙΕΛΑΣΗ Κατά τη διέλαση (extrusion) το τεμάχιο συμπιέζεται μέσω ενός εμβόλου μέσα σε μεταλλικό θάλαμο, στο άλλο άκρο του οποίου ευρίσκεται κατάλληλα διαμορφωμένη μήτρα, και αναγκάζεται να εξέλθει από το
Διαβάστε περισσότεραΠροσομοίωση μετωπικού φραιζαρίσματος με πεπερασμένα στοιχεία
1 Προσομοίωση μετωπικού φραιζαρίσματος με πεπερασμένα στοιχεία 2 Μετωπικό φραιζάρισμα: Χρησιμοποιείται κυρίως στις αρχικές φάσεις της κατεργασίας (φάση εκχόνδρισης) Μεγάλη διάμετρο Μεγάλες προώσεις μείωση
Διαβάστε περισσότεραΤελική γραπτή εξέταση «Επιστήμη και Τεχνολογία Υλικών ΙΙ»-Ιούνιος 2016
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΧΗΜΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ-ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΛΙΚΩΝ ΘΕΜΑ 1 ο (25 Μονάδες) (Καθ. Β.Ζασπάλης) Δοκίμιο από PMMA (Poly Methyl MethAcrylate)
Διαβάστε περισσότεραΚρυσταλλικές ατέλειες στερεών
Κρυσταλλικές ατέλειες στερεών Χαράλαμπος Στεργίου Dr.Eng. chstergiou@uowm.gr Ατέλειες Τεχνολογία Υλικών Ι Ατέλειες Ατέλειες στερεών Ο τέλειος κρύσταλλος δεν υπάρχει στην φύση. Η διάταξη των ατόμων σε δομές
Διαβάστε περισσότεραΓ ΛΥΚΕΙΟΥ ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΤΙΚΗΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ
ε π α ν α λ η π τ ι κ ά θ έ µ α τ α 0 0 5 Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΤΙΚΗΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ 1 ΘΕΜΑ 1 o Για τις ερωτήσεις 1 4, να γράψετε στο τετράδιο σας τον αριθµό της ερώτησης και δίπλα το γράµµα που
Διαβάστε περισσότεραΜη-κρυσταλλικάστερεάκαιύαλοι (non-crystalline solids and glasses)
Μη-κρυσταλλικάστερεάκαιύαλοι (non-crystalline solids and glasses) glass Ένα εύθραυστο και διαφανές υλικό Πολλά περισσότερα αλλά και δύσκολο να καθοριστεί ακριβώς Ύαλοι=μη κρυσταλλικά στερεά που παράγονται
Διαβάστε περισσότεραγ. το πηλίκο παραµένει σταθερό.
ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Γ ΤΑΞΗΣ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΠΑΡΑΣΚΕΥΗ 30 ΜΑΪΟΥ 2003 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ ΘΕΤΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ: ΦΥΣΙΚΗ ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙ ΩΝ: ΕΞΙ (6) ΘΕΜΑ 1ο Στις προτάσεις
Διαβάστε περισσότεραΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΙΙ. Διδάσκων: Παπασιώπη Νυμφοδώρα Αναπληρώτρια Καθηγήτρια Ε.Μ.Π. Ενότητα 10 η : Μεταβατική Διάχυση και Συναγωγή Μάζας
ΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΙΙ Διδάσκων: Παπασιώπη Νυμφοδώρα Αναπληρώτρια Καθηγήτρια Ε.Μ.Π. Ενότητα 10 η : Μεταβατική Διάχυση και Συναγωγή Μάζας Άδεια Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης
Διαβάστε περισσότεραΕΝΩΣΗ ΚΥΠΡΙΩΝ ΦΥΣΙΚΩΝ
ΕΝΩΣΗ ΚΥΠΡΙΩΝ ΦΥΣΙΚΩΝ 1 Η ΠΑΓΚΥΠΡΙΑ ΟΛΥΜΠΙΑ Α ΦΥΣΙΚΗΣ B ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ Κυριακή, 17 Απριλίου, 2005 Ώρα: 10:00-12:30 Προτεινόµενες Λύσεις ΜΕΡΟΣ Α 1. (α) Από το δεύτερο σχήµα, επειδή ο ζυγός ισορροπεί, προκύπτει
Διαβάστε περισσότεραΘΕΤΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΤΡΙΤΗ 25 ΜΑΪΟΥ 2004
ΦΥΣΙΚΗ Β ΤΑΞΗΣ ΘΕΤΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΤΡΙΤΗ 5 ΜΑΪΟΥ 004 ΘΕΜΑ 1ο Στις ερωτήσεις 1-4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της ερώτησης και δίπλα σε κάθε αριθµό το γράµµα που αντιστοιχεί στη
Διαβάστε περισσότεραΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΚΑ ΥΛΙΚΑ. Ενότητα 3: ΑΤΕΛΕΙΕΣ ΔΟΜΗΣ ΛΙΤΣΑΡΔΑΚΗΣ ΓΕΩΡΓΙΟΣ ΤΗΜΜΥ
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΚΑ ΥΛΙΚΑ Ενότητα 3: ΑΤΕΛΕΙΕΣ ΔΟΜΗΣ ΛΙΤΣΑΡΔΑΚΗΣ ΓΕΩΡΓΙΟΣ ΤΗΜΜΥ Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες
Διαβάστε περισσότεραΈνωση Ελλήνων Φυσικών ΠΑΝΕΛΛΗΝΙΟΣ ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΟΣ ΦΥΣΙΚΗΣ 2011 Πανεπιστήμιο Αθηνών Εργαστήριο Φυσικών Επιστημών, Τεχνολογίας, Περιβάλλοντος.
Θεωρητικό Μέρος Θέμα 1 ο B Λυκείου 12 Μαρτίου 2011 A. Στα δύο όμοια δοχεία του σχήματος υπάρχουν ίσες ποσότητες νερού με την ίδια αρχική θερμοκρασία θ 0 =40 ο C. Αν στο αριστερό δοχείο η θερμοκρασία του
Διαβάστε περισσότεραB' ΤΑΞΗ ΓΕΝ.ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΦΥΣΙΚΗ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ÅÐÉËÏÃÇ
1 B' ΤΑΞΗ ΓΕΝ.ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΜΑ 1 ο ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ Να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό κάθε µιας από τις παρακάτω ερωτήσεις 1-4 και δίπλα το γράµµα που αντιστοιχεί στη
Διαβάστε περισσότεραΦύλλο Εργασίας 1: Μετρήσεις μήκους Η μέση τιμή
Φύλλο Εργασίας 1: Μετρήσεις μήκους Η μέση τιμή Φυσικά μεγέθη: Ονομάζονται τα μετρήσιμα μεγέθη που χρησιμοποιούμε για την περιγραφή ενός φυσικού φαινομένου. Τέτοια μεγέθη είναι το μήκος, το εμβαδόν, ο όγκος,
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 20. Θερμότητα
Κεφάλαιο 20 Θερμότητα Εισαγωγή Για να περιγράψουμε τα θερμικά φαινόμενα, πρέπει να ορίσουμε με προσοχή τις εξής έννοιες: Θερμοκρασία Θερμότητα Θερμοκρασία Συχνά συνδέουμε την έννοια της θερμοκρασίας με
Διαβάστε περισσότεραΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙΔΑΣ. ΘΕΜΑ 1 ο Στις ερωτήσεις 1-4 να γράψετε τον αριθμό της ερώτησης και δίπλα το γράμμα που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση.
ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙΔΑΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΣΗΣ Γ ΤΑΞΗΣ ΗΜΕΡΗΣΙΟΥ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ 07 ΑΠΡΙΛΙΟΥ 2017 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΤΙΚΟΥ ΠΡΟΣΑΝΑΤΟΛΙΣΜΟΥ ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙΔΩΝ: ΕΠΤΑ (7) ΘΕΜΑ 1 ο Στις ερωτήσεις 1-4 να γράψετε
Διαβάστε περισσότεραΘΕΡΜΙΚΗ ΑΓΩΓΙΜΟΤΗΤΑ ΘΕΩΡΙΑ & ΑΣΚΗΣΕΙΣ
ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΑΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΦΥΣΙΚΗΣ Π.Φ. ΜΟΙΡΑ 693 946778 www.pmoiras.weebly.om ΘΕΡΜΙΚΗ ΑΓΩΓΙΜΟΤΗΤΑ ΘΕΩΡΙΑ & ΑΣΚΗΣΕΙΣ Περιεχόμενα. Φαινόμενα μεταφοράς στα αέρια. Μηχανισμοί διάδοσης θερμότητας 3. Διάδοση θερμότητας
Διαβάστε περισσότεραΑρχές Επεξεργασίας Τροφίμων
Αρχές Επεξεργασίας Τροφίμων Κατάψυξη τροφίμων Κατάψυξη Απομάκρυνση θερμότητας από ένα προϊόν με αποτέλεσμα την μείωση της θερμοκρασίας του κάτω από το σημείο πήξης. Ως μέθοδος συντήρησης βασίζεται: Στην
Διαβάστε περισσότεραΕπιστήμη των Υλικών. Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Τμήμα Φυσικής
Επιστήμη των Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τμήμα Φυσικής 2017 Α. Δούβαλης Σημειακές ατέλειες Στοιχειακά στερεά Ατέλειες των στερεών Αυτοπαρεμβολή σε ενδοπλεγματική θέση Κενή θέση Αριθμός κενών θέσεων Q
Διαβάστε περισσότεραΒΑΣΙΚΕΣ ΑΡΧΕΣ ΕΠΙΛΟΓΗΣ ΥΛΙΚΟΥ
ΒΑΣΙΚΕΣ ΑΡΧΕΣ ΕΠΙΛΟΓΗΣ ΥΛΙΚΟΥ Τελική Χρήση/ Περιβάλλον λειτουργίας* Σχεδιασµός Μηχανολογική σχεδίαση Μεµονωµένα εξαρτήµατα Συνολική κατασκευή Επιλογή υλικού Κατασκευή Μορφοποίηση µερών Μηχανουργική κατεργασία
Διαβάστε περισσότεραΕπαναληπτικό ιαγώνισµα Β Τάξης Λυκείου Κυριακή 7 Μάη 2017 Κυκλική Κίνηση-Ορµή-Θερµοδυναµική
Επαναληπτικό ιαγώνισµα Β Τάξης Λυκείου Κυριακή 7 Μάη 2017 Κυκλική Κίνηση-Ορµή-Θερµοδυναµική Σύνολο Σελίδων: έξι (6) - ιάρκεια Εξέτασης: 3 ώρες Βαθµολογία % Ονοµατεπώνυµο: Θέµα Α Στις ηµιτελείς προτάσεις
Διαβάστε περισσότεραΜΕΤΑΔΟΣΗ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ. Ενότητα 1: Εισαγωγή. Χατζηαθανασίου Βασίλειος Καδή Στυλιανή Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑ ΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ Ενότητα 1: Εισαγωγή Χατζηαθανασίου Βασίλειος Καδή Στυλιανή Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό
Διαβάστε περισσότεραΕΡΩΤΗΣΕΙΣ ΚΑΤΑΝΟΗΣΗΣ ΦΥΣΙΚΗ ΙΙ
ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ ΚΑΤΑΝΟΗΣΗΣ ΦΥΣΙΚΗ ΙΙ 1. Οι δυναμικές γραμμές ηλεκτροστατικού πεδίου α Είναι κλειστές β Είναι δυνατόν να τέμνονται γ Είναι πυκνότερες σε περιοχές όπου η ένταση του πεδίου είναι μεγαλύτερη δ Ξεκινούν
Διαβάστε περισσότεραΗ πυκνότητα του νερού σε θερμοκρασία 4 C και ατμοσφαιρική πίεση (1 atm) είναι ίση με 1g/mL.
Πυκνότητα Πυκνότητα ορίζεται το φυσικό μέγεθος που δίνεται από το πηλίκο της μάζας του σώματος προς τον αντίστοιχο όγκο που καταλαμβάνει σε σταθερές συνθήκες πίεσης (όταν πρόκειται για αέριο). Ο Συμβολισμός,
Διαβάστε περισσότερα4Q m 2c Δθ 2m = 4= Q m c Δθ m. m =2m ΘΕΡΜΙΔΟΜΕΤΡΙΑ
ΘΕΡΜΙΔΟΜΕΤΡΙΑ 1. Σε ένα οριζόντιο φύλλο αλουμινίου το οποίο είναι στερεωμένο σε μία βάση υπάρχει μια στρογγυλή οπή με διάμετρο m. Πάνω στην οπή ηρεμεί μία σφαίρα από σίδηρο με διάμετρο,4m. Αρχικά η θερμοκρασία
Διαβάστε περισσότεραΜΕΘΟ ΟΙ ΣΚΛΗΡΥΝΣΗΣ ΜΕΤΑΛΛΙΚΩΝ ΥΛΙΚΩΝ
ΜΕΘΟ ΟΙ ΣΚΛΗΡΥΝΣΗΣ ΜΕΤΑΛΛΙΚΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΓΕΝΙΚΑ ΟΡΙΣΜΟΣ Σκλήρυνση µεταλλικού υλικού είναι η ισχυροποίησή του έναντι πλαστικής παραµόρφωσης και χαρακτηρίζεται από αύξηση της σκληρότητας, του ορίου διαρροής
Διαβάστε περισσότερα