VSŠ Velenje Elektromehanski elementi in sistemi
|
|
- Αριάδνη Μιχαλολιάκος
- 7 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 VSŠ Velenje Elektromehanski elementi in sistemi FET tranzistorji UNIPOLARNI TRANZISTORJI FET (Field Effect Tranzistor) Splošno Za FET tranzistorje je značilno, da so za razliko od bipolarnih krmiljeni napetostno preko vpliva električnega polja. Glede na velikost električne napetosti med vrati (Gate) in izvorom (Source), zavisi upornost bolj ali manj prevodne poti (kanal) med izvorom in ponorom (Drain). Za lažje razumevanje si lahko predstavljamo, da se glede na velikost krmilne napetosti U GS spreminja»širina«prevodnega kanala in posledično tudi upornost. Pri dovolj visoki U GS in ustrezni polariteti pride celo do popolne zožitve kanala (zadrgnjenje) in posledično prehod v neprevodnost kanala. Odvisno od izvedbe kanala, ki je lahko N ali P tip polprevodnika (N-kanalni, P-kanalni), mora biti krmilna napetost U GS takšne polaritete, da je PN spoj (vrata-kanal) orientiran vedno v zaporni smeri. Zaradi tega je za enosmerne razmere vhodna upornost zelo velika, pri izmeničnih razmerah pa je potrebno upoštevati spojno kapacitivnost, ki največkrat ni zanemarljiva. Nekatere izvedbe imajo med vrati in kanalom še tanko plast SiO 2, ki predstavlja vmesno izolacijo in še višjo vhodno upornost To so MOSFET tranzistorji. V splošnem lahko primerjamo N-kanalne FET-e z NPN in P-kanalne FET z PNP tranzistorji Spojni FET (junction FET) Pri spojnem FET tranzistorju je kanal deloma obkrožen z elektrodo vrat, katere potencial vpliva na tok med priključkoma D in S. Za N-kanalni J-FET mora biti krmilna napetost U GS negativna, za P-kanalni J-FET pa pozitivna proti potencialu priključka S. Kanal je povsem odprt, kadar napetost U GS ni prisotna, z večanjem napetosti pa se kanal sorazmerno zapira in pri napetosti zadrgnjenja popolnoma zapre. Za primer iz spodnje karakteristike je razvidno, da znaša napetost zadrgnjenja 6V. Enosmerni vhodni tok I GS je med 10-8 do A, kar pomeni vhodno upornost nekaj GΩ. Pri P-kanalnem JFET-u predstavljajo tok v kanalu vrzeli. Lastnosti in karakteristike so podobne, le napetosti oz. smeri tokov so nasprotne polaritete. Shematski prikaz vpliva U GS na kanal Parametri FET tranzistorjev Napetost zadrgnjenja kanala Strmina FET-a: I D S = U Statična upornost kanala: Dinamična upornost: U R DS = I GS D S D Karakteristike N-kanalnega J-FET tranzistorja Maksimalna napetost U DSmax Maksimalni tok I Dsmax r DS U = I DS D J-FET tranzistorji so največkrat v funkciji napetostnih ojačevalnikov ali tokovnih generatorjev. Za tokovni generator je dovolj že sam tranzistor ki ima vrata G vezana na priključek S. V tem primeru je popolnoma odprt in omogoča največji tok (glej karakteristiko pri U GS =0V ). 37
2 VSŠ Velenje Elektromehanski elementi in sistemi Značilnosti J-FET tranzistorjev Nastavitev delovne točke Pri vezjih z J-FET tranzistorji se potrebna prednapetost za nastavitev delovne točke največkrat ustvarja kot padec napetosti na uporu. S tem se v bistvu spremeni potencial izvora S, medtem ko potencial vrat preko upora R G ostane na potencialu mase. S tem se vhodna upornost seveda zniža, vendar je lahko upor R G visokoohmski (npr. 1MΩ), saj prenaša le potencial mase na vrata G. Na sliki spodaj so še drugi možni načini, ki se manj uporabljajo. Nastavitev delovne točke a) b) c) d) R 1 R G C S R G C S R G R 2 -U SS -U SS Primer ojačevalnika z J-FET tranzistorjem Delovna točka je izbrana v linearnem delu (A- razred), da je zagotovljeno simetrično izkrmiljenje in minimalno popačenje ojačevalnika Primer tokovnega generatorja z J-FET tranzistorjem Tokovni generator vzdržuje tok konstanten ne glede na spremembo upornosti bremena oz. ne glede na napetost na bremenu. Napetost na bremenu lahko varira od 0V do tiste napetosti katera zagotavlja še zadovoljivo velikost U DS, da je delovna točka v področju zasičenja (tok se skoraj nič ne spreminja pri spreminjajoči se napetosti U DS ). Velikost toka je odvisna od upora kateri ustvarja ravno tolikšen padec napetosti, da vzdržuje željeni tok Načini nastavitve delovne točke tokovnega generatorja z FET tranzistorjem 38
3 VSŠ Velenje Elektromehanski elementi in sistemi MOSFET- izvedbe MOS-FET tranzistorji MOS-FET tranzistorji predstavljajo pomembno vlogo na področju močnostne elektronike zaradi poenostavljenega krmiljenja in možnosti enostavne vzporedne povezave več komponent. Zaradi nizke notranje upornosti kanala S on in relativno visoke delovne napetosti U DS jih največkrat srečujemo v močnostnih izvedbah in uporabljamo kot napetostno spremenljiv upor ali še pogosteje kot elektronsko stikalo. V praksi se pojavljata dve različici MOS-FET tranzistorjev in vsaka je lahko v N oz. P-kanalni izvedbi. Za MOS-FET z induciranim kanalom (samozaporni MOSFET, obogateni tip (enhanced mode) velja, da je kanal popolnoma zaprt, če ni prisotne napetosti U GS, z višanjem U GS pa se kanal sorazmerno napetosti odpira. Druga različica je MOS-FET z vgrajenim kanalom (samoprevodni MOS-FET, osiromašeni tipdepletion mode) za katerega pa velja, da je kanal že deloma prevoden tudi, če ni prisotne U GS. Glede na polariteto in velikost U GS, se kanal sorazmerno tej napetosti zapira ali odpira in so zato primerni za neposredno krmiljenje s čistimi izmeničnimi signali. MOS-FET z induciranim kanalom Plast aluminija predstavlja vrata MOSFET tranzistorja, katera so s plastjo Si oksida izolirana od kanala. Potencial vrat preko električnega polja vpliva na širino kanala in s tem na prevodnost poti med priključkoma D-S. Osnova (substrat) je največkrat že interno povezan z izvorom - S(Source). Za analizo delovanja se bomo omejili le na N-kanalno izvedbo, saj je pri P- kanalni razmišljanje podobno, le predznaki se spremenijo. Pri napetosti U GS = 0V je kanal normalno zaprt in odtod tudi naziv samozaporni. Tudi v primeru negativne napetosti U GS, ostane kanal zaprt. Prevajati začne šele ko je napetost U GS dovolj velika (od 0,5 do 3V), kar je razvidno iz karakteristike. Shematski prikaz vpliva U GS na kanal Karakteristike N-kanalnega samozapornega MOSFET-a ( BUZ 20) MOS-FET z vgrajenim kanalom Nasprotno od MOS-FET-a z induciranim kanalom, ta izvedba izrazito prevaja že brez prisotne napetosti U GS in odtod tudi ime samovodljiv. Kanal je normalno že vgrajen, vendar je osiromašen ( osiromašen tip-depletion mode) in ga je mogoče širiti (bogatiti) ali ožiti (siromašiti) preko potenciala vrat, ki je v tem primeru lahko negativen ali pozitiven. Zaradi tega samovodljiv MOS-FET običajno ne potrebuje nobene dodatne prednapetosti za nastavitev delovne točke. Potrebno vezje lahko v tem primeru odpade. Shematski prikaz izvedbe N-kanalnega MOSFET-a z vgrajenim kanalom 39
4 VSŠ Velenje - Elektronska vezja in naprave MOSFET - značilnosti Notranja zaščita pred preveliko statično napetostjo U GS Karakteristike N kanalnega samoprevodnega MOSFET-a MOS-FET z dvojnimi vrati Ostale značilnosti MOSFET-ov Tanka izolacijska plast SiO na vratih MOS-FETov je izjemno občutljiva na prenapetost in zato je potrebna pri delu posebna pazljivost. Večina MOS-FETov ima med G in S v ta namen vgrajeno Z-diodo, ki omejuje prenapetosti, vendar le če energija ni prevelika. Zaradi zelo velike vhodne upornosti (10TΩ do 10 3 TΩ), je občutljivost na statično elektriko izjemna. V ta namen pogostokrat ob vgradnji priključke kratko vežemo s kratkostičnim obročkom (vodljiva guma, staniol folija,..), katerega šele po končani montaži odstranimo. Za MOS-FET tranzistorje je značilno tudi, da imajo večinoma že vgrajeno antiparalelno diodo me D in S kar je potrebno upoštevati pri preverjanju ali pri načrtovanju vezja. Kapacitivnost C GS pri statičnem krmiljenju in pri malih močeh večinoma ne dela težav, pri dinamičnem krmiljenju, močnostnih izvedbah (nekaj 1000pF) in na VF področju pa postane problematična. Za VF področje obstaja v ta namen izvedba MOS-FETa z dvojnimi vrati. V bistvu so vrata razdeljena na dva dela G 1 in G 2. Ena vrata imajo večjo C GS in so namenjena za nastavitev delovne točke in druga za krmiljenje z VF signalom. Pogostokrat so v uporabi tudi v mešalnih stopnjah in modulatorjih, kjer je oboje vrat uporabljenih za krmiljenje z izmeničnim signalom. Močnostne izvedbe MOS-FETov odlikujejo sledeče značilnosti: Velike dopustne moči Mehanska stabilnost Visoka preklopna hitrost Odpornost Velika termična obremenljivost na staranje Mali volumen Zahvaljujoč možnosti notranjega neposrednega vzporednega povezovanja omogoča MOS-FET krmiljenje moči več 100kW pri napetostih U DS > 1kV. Za močnostne MOS-FETe je značilna VMOS izvedba, ki omogoča preko istih vrat krmiljenje dveh tokovnih poti in posledično višjo tokovno zmogljivost. Shematski prikaz VMOS izvedbe 40
5 VSŠ Velenje - Elektronska vezja in naprave MOSFET - značilnosti Načini krmiljenja močnostnih MOS-FETov Ne glede na visoko vhodno upornost je potrebno pri uporabi močnostnih MOS-FET tranzistorjev v stikalnem režimu ali pri VF signalih, upoštevati sorazmerno veliko kapacitivnost vrat C GS. Pogostokrat je potrebna tudi predhodna galvanska ločitev (npr. vertikalna povezava pri mostičnem vezju), ki mora zagotoviti potrebno napetost impulza vseh razmerjih impulz-pavza. V teh primerih je potrebno zagotoviti galvansko ločeno napajanje krmilnega tokokroga, ki omogoča ustrezno moč, ki zagotavlja primerno hiter čas vklopa oz. izklopa MOSFET-a. Krmilno vezje mora zagotoviti dovolj hitro»napolnjenje«in tudi dovolj hitro praznjenje naboja kapacitivnosti C GS, glede na krmilni impulz. V nekaterih primerih lahko te naloge dovolj uspešno opravlja kar transformator, preko katerega se prenaša tudi potrebna moč za krmiljenje. Slabost je, da je velikost potrebnega impulza U GS odvisna od razmerja impulz-pavza, kar v skrajnih slučajih lahko pomeni tudi premalo napetost U GS, da bi se MOS-FET popolnoma odprl in posledično višjo upornost kanala, ter povečanje izgub. Nekaj načinov krmiljenja predstavljajo sledeče slike: Neposredno krmiljenje s CMOS vezjem Tokovno ojačano krmiljenje s pomočjo vzporedno vezanih inverterjev Transformator kot galvanski ločilnik Krmiljenje s push-pull vezjem Transformator omogoča galvansko ločitev Galvanska ločitev s pomočjo optospojnika Krmilno vezje z impulznim transformatorjem za širok razpon razmerja impulz-pavza Krmilno vezje s povečano odpornostjo proti šumu v signalu Vezji, ki omogočata zvišanje du/dt zaradi hitrejšega odvoda naboja vrat Krmilno vezje, ki zaradi VF impulzov omogoča zmanjšanje dimenzij impulznega transformatorja (Chopperski način) 41
6 VSŠ Velenje - Elektronska vezja in naprave MOSFET - značilnosti Primerjava FET-ov z bipolarnim tranzistorjem in pregled značilnejših karakteristik V primerjavi z bipolarnim tranzistorjem imajo FET-i več prednosti. Slabost pa predstavlja relativno velika kapacitivnost C GS in relativno visoka upornost kanala S on predvsem pri močnostnih izvedbah. Rezultati splošne primerjave so razvidni iz sledeče tabele: Lastnost BIPOLARNI TRANZISTOR FET Vhodna upornost nizka visoka Način krmiljenja tokovno, močnostno napetostno, brez moči * Vklopni čas ns ns Izklopni čas ns ns Frekvenčna omejitev 100MHz 1GHz Upornost tokovne poti 0.3Ω Ω Občutljivost na preobremenitev slaba dobra Toplotna stabilizacija potrebna Ni potrebna Možnost vzporednih povezav Pod posebnimi pogoji -da Ni pogojev, neomejeno število Primerjava simbolov in značilnejših karakteristik FET tranzistorjev IGBT (Insulated Gate Turn off Tranzistor) Dobre lastnosti MOS-FETa in bipolarnega tranzistorja so združene v IGBT tranzistorju. V bistvu je IGBT sestavljen podobno kot darlington tranzistor. Kot prvi tranzistor je MOS-FET, kateri krmili bazni tok bipolarnega tranzistorja na izhodu. Iz notranje sheme IGBT tranzistorja je razvidno, da je sestavljen iz enega MOS-FETa, enega NPN in enega PNP tranzistorja. PNP tranzistor je končni element, ki prevaja glavni tok. Priključki so označeni kot kolektor -C, emiter-e in vrata-g. Priključek za kolektor je v bistvu emiter PNP tranzistorja. Delovanje je podobno kot pri tiristorju in si ga lahko pojasnimo v dveh delih. Pri dovolj visoki napetosti vrat postane vodljiv MOS-FET in povzroči delno prevajanje PNP tranzistorja. Ob povečanju krmilne napetosti se tok še poveča in padec napetosti na uporu odpre NPN tranzistor, kateri povzroči preko povečanega baznega toka (poz. pov. vezava) hitro zasičenje PNP tranzistorja. IGBT je zaradi tega posebno primeren za delovanje v stikalnem režimu in omogoča krmiljenje velikih moči ob napetosti zasičenja od 1 4V, odvisno od delovnega toka. V primerjavi z MOS-FETom, je potrebna krmilna napetost za IGBT nekoliko višja (± 20V), vendar je Izhodna karakteristika za IGBT tokovna zmogljivost precej večja (glej karakteristiko). 42
Delovna točka in napajalna vezja bipolarnih tranzistorjev
KOM L: - Komnikacijska elektronika Delovna točka in napajalna vezja bipolarnih tranzistorjev. Določite izraz za kolektorski tok in napetost napajalnega vezja z enim virom in napetostnim delilnikom na vhod.
Διαβάστε περισσότεραPredstavitev informacije
Predstavitev informacije 1 polprevodniki_tranzistorji_3_0.doc Informacijo lahko prenašamo, če se nahaja v primerni obliki. V elektrotehniki se informacija lahko nahaja v analogni ali digitalni obliki (analogni
Διαβάστε περισσότεραOdvod. Matematika 1. Gregor Dolinar. Fakulteta za elektrotehniko Univerza v Ljubljani. 5. december Gregor Dolinar Matematika 1
Matematika 1 Gregor Dolinar Fakulteta za elektrotehniko Univerza v Ljubljani 5. december 2013 Primer Odvajajmo funkcijo f(x) = x x. Diferencial funkcije Spomnimo se, da je funkcija f odvedljiva v točki
Διαβάστε περισσότεραVSŠ Velenje - Elektronska vezja in naprave
Bipolarni tranzistor 1.5.3 BIPOLARNI TRANZISTOR Bipolarni tranzistor predstavlja najbolj značilno aktivno komponento med polprevodniki. Glede na strukturo ločimo PNP in NPN tip bipolarnega tranzistorja,
Διαβάστε περισσότεραUSMERNIKI POLVALNI USMERNIK:
USMERNIKI POLVALNI USMERNIK: polvalni usmernik prevaja samo v pozitivni polperiodi enosmerni tok iz usmernika ni enakomeren, temveč močno utripa, zato tak način usmerjanja ni posebno uporaben V pozitivni
Διαβάστε περισσότεραBipolarni tranzistor je trielektrodni polprevodniški elektronski sestavni del, ki je namenjen za ojačevanje
TRANZISTOR Bipolarni tranzistor je trielektrodni polprevodniški elektronski sestavni del, ki je namenjen za ojačevanje električnih signalov. Zgrajen je iz treh plasti polprevodnika (silicija z različnimi
Διαβάστε περισσότεραZaporedna in vzporedna feroresonanca
Visokonapetostna tehnika Zaporedna in vzporedna feroresonanca delovanje regulacijskega stikala T3 174 kv Vaja 9 1 Osnovni pogoji za nastanek feroresonance L C U U L () U C () U L = U L () U C = ωc V vezju
Διαβάστε περισσότερα1.5 POLPREVODNIŠKE KOMPONENTE
Polprevodniške komponente 1.5 POLPREVODNIŠKE KOMPONENTE Polprevodniške komponente lahko delimo glede na način delovanja oz. tehnologijo izdelave na bipolarno in unipolarno (MOS- Metal Okside Silicon )
Διαβάστε περισσότεραOsnove elektrotehnike uvod
Osnove elektrotehnike uvod Uvod V nadaljevanju navedena vprašanja so prevod testnih vprašanj, ki sem jih našel na omenjeni spletni strani. Vprašanja zajemajo temeljna znanja opredeljenega strokovnega področja.
Διαβάστε περισσότεραDiferencialna enačba, v kateri nastopata neznana funkcija in njen odvod v prvi potenci
Linearna diferencialna enačba reda Diferencialna enačba v kateri nastopata neznana funkcija in njen odvod v prvi potenci d f + p= se imenuje linearna diferencialna enačba V primeru ko je f 0 se zgornja
Διαβάστε περισσότεραFunkcije. Matematika 1. Gregor Dolinar. Fakulteta za elektrotehniko Univerza v Ljubljani. 21. november Gregor Dolinar Matematika 1
Matematika 1 Gregor Dolinar Fakulteta za elektrotehniko Univerza v Ljubljani 21. november 2013 Hiperbolične funkcije Hiperbolični sinus sinhx = ex e x 2 20 10 3 2 1 1 2 3 10 20 hiperbolični kosinus coshx
Διαβάστε περισσότεραGradniki elektronskih sistemov laboratorijske vaje. Vaja 1 Lastnosti diode. Ime in priimek: Smer:.. Datum:... Pregledal:...
Gradniki elektronskih sistemov laboratorijske vaje Vaja 1 Lastnosti diode Ime in priimek:. Smer:.. Datum:... Pregledal:... Naloga: Izmerite karakteristiko silicijeve diode v prevodni smeri in jo vrišite
Διαβάστε περισσότεραFunkcijske vrste. Matematika 2. Gregor Dolinar. Fakulteta za elektrotehniko Univerza v Ljubljani. 2. april Gregor Dolinar Matematika 2
Matematika 2 Gregor Dolinar Fakulteta za elektrotehniko Univerza v Ljubljani 2. april 2014 Funkcijske vrste Spomnimo se, kaj je to številska vrsta. Dano imamo neko zaporedje realnih števil a 1, a 2, a
Διαβάστε περισσότεραStikalni pretvorniki. Seminar: Načrtovanje elektronike za EMC Boštjan Glažar
Stikalni pretvorniki Seminar: Načrtovanje elektronike za EMC 9. 3. 2016 Boštjan Glažar niverza v Ljubljani Fakulteta za elektrotehniko Tržaška cesta 25, SI-1000 Ljubljana Vsebina Prednosti stikalnih pretvornikov
Διαβάστε περισσότεραPONOVITEV SNOVI ZA 4. TEST
PONOVITEV SNOVI ZA 4. TEST 1. * 2. *Galvanski člen z napetostjo 1,5 V požene naboj 40 As. Koliko električnega dela opravi? 3. ** Na uporniku je padec napetosti 25 V. Upornik prejme 750 J dela v 5 minutah.
Διαβάστε περισσότεραZaporedja. Matematika 1. Gregor Dolinar. Fakulteta za elektrotehniko Univerza v Ljubljani. 22. oktober Gregor Dolinar Matematika 1
Matematika 1 Gregor Dolinar Fakulteta za elektrotehniko Univerza v Ljubljani 22. oktober 2013 Kdaj je zaporedje {a n } konvergentno, smo definirali s pomočjo limite zaporedja. Večkrat pa je dobro vedeti,
Διαβάστε περισσότεραqwertyuiopasdfghjklzxcvbnmq ertyuiopasdfghjklzxcvbnmqwer tyuiopasdfghjklzxcvbnmqwerty uiopasdfghjklzxcvbnmqwertyui opasdfghjklzxcvbnmqwertyuiop
qwertyuiopasdfghjklzxcvbnmq wertyuiopasdfghjklzxcvbnmqw ertyuiopasdfghjklzxcvbnmqwer IZPISKI IZ UČBENIKA POLPREVODNIŠKA ELEKTRONIKA PROFESORJA FRANCETA SMOLETA tyuiopasdfghjklzxcvbnmqwerty uiopasdfghjklzxcvbnmqwertyui
Διαβάστε περισσότεραTransformator. Delovanje transformatorja I. Delovanje transformatorja II
Transformator Transformator je naprava, ki v osnovi pretvarja napetost iz enega nivoja v drugega. Poznamo vrsto različnih izvedb transformatorjev, glede na njihovo specifičnost uporabe:. Energetski transformator.
Διαβάστε περισσότεραProžilna vezja MOSFET in IGBT tranzistorjev
Prožilna vezja MOSFET in IGBT tranzistorjev Močnostni polprevodniški element, kot sta IGBT in MOSFET tranzistor, tvori s pripadajočim prožilnim vezjem zaključeno enoto t.j. močnostno stikalo, ki predstavlja
Διαβάστε περισσότεραMejna frekvenca bipolarnega tranzistorja
Mejna frekvenca bipolarnega tranzistorja Bipolarni tranzistor je običajno pokončna struktura. Zelo tanke plasti se dajo natančno izdelati z razmeroma preprostimi tehnološkimi postopki brez zahtevne fotolitografije
Διαβάστε περισσότεραOSNOVNA ŠOLA MIHE PINTARJA TOLEDA KIDRIČEVA CESTA 21, 3320 VELENJE MLADI RAZISKOVALCI ZA RAZVOJ ŠALEŠKE DOLINE
OSNOVNA ŠOLA MIHE PINTARJA TOLEDA KIDRIČEVA CESTA 21, 3320 VELENJE MLADI RAZISKOVALCI ZA RAZVOJ ŠALEŠKE DOLINE RAZISKOVALNA NALOGA PRIMERJAVA NELINEARNIH ELEKTROTEHNIŠKIH STIKALNIH ELEMENTOV Tematsko področje:
Διαβάστε περισσότεραStabilizirani usmernik 0-30 V, A
Univerza v Ljubljani Fakulteta za elektrotehniko Igor Knapič Stabilizirani usmernik 0-30 V, 0.02-4 A Seminarska naloga pri predmetu Elektronska vezja Vrhnika 2006 1. Uvod Pri delu v domači delavnici se
Διαβάστε περισσότεραVF ojačevalnik z MOS tranzistorjem
VF ojačevalnik z MOS tranzistorjem Polprevodniki, predvsem različne vrste tranzistorjev, so sredi dvajsetega stoletja uspešno nadomestili vakuumske elektronske cevi v številnih visokofrekvenčnih vezjih.
Διαβάστε περισσότεραTretja vaja iz matematike 1
Tretja vaja iz matematike Andrej Perne Ljubljana, 00/07 kompleksna števila Polarni zapis kompleksnega števila z = x + iy): z = rcos ϕ + i sin ϕ) = re iϕ Opomba: Velja Eulerjeva formula: e iϕ = cos ϕ +
Διαβάστε περισσότεραTŠC Kranj _ Višja strokovna šola za mehatroniko
KRMILNI POLPREVODNIŠKI ELEMENTI Krmilni polprevodniški elementi niso namenjeni ojačanju, anju, temveč krmiljenju tokov v vezju. Narejeni so tako, da imajo dve stanji: vključeno in izključeno. Enospojni
Διαβάστε περισσότερα1.6 POLPREVODNIKI ZA KRMILJENJE MOČI
Diak, tiristor, triak 1.6 POLPREVODNIKI ZA KRMILJENJE MOČI Med polprevodnike za krmiljenje moči spadajo vse močnostne polprevodniške komponente, vendar pa se v ta namen, posebno pri izmeničnih napajalnih
Διαβάστε περισσότεραKODE ZA ODKRIVANJE IN ODPRAVLJANJE NAPAK
1 / 24 KODE ZA ODKRIVANJE IN ODPRAVLJANJE NAPAK Štefko Miklavič Univerza na Primorskem MARS, Avgust 2008 Phoenix 2 / 24 Phoenix 3 / 24 Phoenix 4 / 24 Črtna koda 5 / 24 Črtna koda - kontrolni bit 6 / 24
Διαβάστε περισσότερα1. Enosmerna vezja. = 0, kar zaključena
1. Enosmerna vezja Vsebina polavja: Kirchoffova zakona, Ohmov zakon, električni viri (idealni realni, karakteristika vira, karakteristika bremena matematično in rafično, delovna točka). V enosmernih vezjih
Διαβάστε περισσότεραFunkcije. Matematika 1. Gregor Dolinar. Fakulteta za elektrotehniko Univerza v Ljubljani. 14. november Gregor Dolinar Matematika 1
Matematika 1 Gregor Dolinar Fakulteta za elektrotehniko Univerza v Ljubljani 14. november 2013 Kvadratni koren polinoma Funkcijo oblike f(x) = p(x), kjer je p polinom, imenujemo kvadratni koren polinoma
Διαβάστε περισσότεραStikalni pretvorniki. Seminar: Načrtovanje elektronike za EMC Boštjan Glažar
Stikalni pretvorniki Seminar: Načrtovanje elektronike za EMC 29. 3. 2017 Boštjan Glažar niverza v Ljubljani Fakulteta za elektrotehniko Tržaška cesta 25, SI-1000 Ljubljana Vsebina Prednosti stikalnih pretvornikov
Διαβάστε περισσότεραBooleova algebra. Izjave in Booleove spremenljivke
Izjave in Booleove spremenljivke vsako izjavo obravnavamo kot spremenljivko če je izjava resnična (pravilna), ima ta spremenljivka vrednost 1, če je neresnična (nepravilna), pa vrednost 0 pravimo, da gre
Διαβάστε περισσότεραMetering is our Business
Metering is our Business REŠTVE ZA PRHODNOST UČNKOVTO UPRAVLJANJE ENERGJE STROKOVNE STORTVE POTROŠNKOM PRJAZNE REŠTVE Metering is our Business 1 Načrtovanje zapornega pretvornika Od tehničnih zahtev Do
Διαβάστε περισσότεραOdvod. Matematika 1. Gregor Dolinar. Fakulteta za elektrotehniko Univerza v Ljubljani. 10. december Gregor Dolinar Matematika 1
Matematika 1 Gregor Dolinar Fakulteta za elektrotehniko Univerza v Ljubljani 10. december 2013 Izrek (Rolleov izrek) Naj bo f : [a,b] R odvedljiva funkcija in naj bo f(a) = f(b). Potem obstaja vsaj ena
Διαβάστε περισσότερα1.6 POLPREVODNIKI ZA KRMILJENJE MOČI
VSŠ Velenje - Elektronska vezja in naprave Polprevodniki za krmiljenje moči 1.6 POLPREVODNIKI ZA KRMILJENJE MOČI Med polprevodnike za krmiljenje moči spadajo vse močnostne polprevodniške komponente, vendar
Διαβάστε περισσότεραVzporedne, zaporedne, kombinirane in kompleksne vezave led diod in njihova zanesljivost
Vzporedne, zaporedne, kombinirane in kompleksne vezave led diod in njihova zanesljivost Led dioda LED dioda je sestavljena iz LED čipa, ki ga povezujejo priključne nogice ter ohišja led diode. Glavno,
Διαβάστε περισσότεραNumerično reševanje. diferencialnih enačb II
Numerčno reševanje dferencaln enačb I Dferencalne enačbe al ssteme dferencaln enačb rešujemo numerčno z več razlogov:. Ne znamo j rešt analtčno.. Posamezn del dferencalne enačbe podan tabelarčno. 3. Podatke
Διαβάστε περισσότεραPoglavje 7. Poglavje 7. Poglavje 7. Regulacijski sistemi. Regulacijski sistemi. Slika 7. 1: Normirana blokovna shema regulacije EM
Slika 7. 1: Normirana blokovna shema regulacije EM Fakulteta za elektrotehniko 1 Slika 7. 2: Principielna shema regulacije AM v KSP Fakulteta za elektrotehniko 2 Slika 7. 3: Merjenje komponent fluksa s
Διαβάστε περισσότεραzakasnitev širjenja ali zakasnitev pulza 3. Prerez MOS Tranzistorja z vgrajenim p-kanalom.(izhodna karakteristika)
VPRAŠANJA IN ODGOVORI NA SMOLETOVA VPRAŠANJA: 1.skop: 1. pn spoj v termičnem ravnovesju (enerijski nivoji, difuzijska napetost) Potencialna razlika ali difuzijska napetost, je napetost, ki se izpostavi
Διαβάστε περισσότεραFAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO LJUBLJANA SEMINARSKA NALOGA PRI PREDMETU ELEKTRONSKA VEZJA STABILIZIRANI LABORATORIJSKI USMERNIK
FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO LJUBLJANA SEMINARSKA NALOGA PRI PREDMETU ELEKTRONSKA VEZJA STABILIZIRANI LABORATORIJSKI USMERNIK Nalogo izdelal: Marko Nerat V Ljubljani, dne 22.3.2005 Uvod Izdelave laboratorijskega
Διαβάστε περισσότερα8. Diskretni LTI sistemi
8. Diskreti LI sistemi. Naloga Določite odziv diskretega LI sistema s podaim odzivom a eoti impulz, a podai vhodi sigal. h[] x[] - - 5 6 7 - - 5 6 7 LI sistem se a vsak eoti impulz δ[] a vhodu odzove z
Διαβάστε περισσότεραVF ojačevalnik z bipolarnim tranzistorjem
VF ojačevalnik z bipolarnim tranzistorjem Osnovni gradnik telekomunikacij je ojačevalnik, ki nadomešča slabljenje prenosne poti kot tudi izgube pri obdelavi signalov v oddajniku in v sprejemniku. Prvi
Διαβάστε περισσότεραNEPARAMETRIČNI TESTI. pregledovanje tabel hi-kvadrat test. as. dr. Nino RODE
NEPARAMETRIČNI TESTI pregledovanje tabel hi-kvadrat test as. dr. Nino RODE Parametrični in neparametrični testi S pomočjo z-testa in t-testa preizkušamo domneve o parametrih na vzorcih izračunamo statistike,
Διαβάστε περισσότεραVaje: Električni tokovi
Barbara Rovšek, Bojan Golli, Ana Gostinčar Blagotinšek Vaje: Električni tokovi 1 Merjenje toka in napetosti Naloga: Izmerite tok, ki teče skozi žarnico, ter napetost na žarnici Za izvedbo vaje potrebujete
Διαβάστε περισσότεραIZPIT IZ ANALIZE II Maribor,
Maribor, 05. 02. 200. (a) Naj bo f : [0, 2] R odvedljiva funkcija z lastnostjo f() = f(2). Dokaži, da obstaja tak c (0, ), da je f (c) = 2f (2c). (b) Naj bo f(x) = 3x 3 4x 2 + 2x +. Poišči tak c (0, ),
Διαβάστε περισσότερα4. VF ojačevalnik z bipolarnim tranzistorjem
4. VF ojačevalnik z bipolarnim tranzistorjem Osnovni gradnik telekomunikacij je ojačevalnik, ki nadomešča slabljenje prenosne poti kot tudi izgube pri obdelavi signalov v oddajniku in v sprejemniku. Prvi
Διαβάστε περισσότεραKotne in krožne funkcije
Kotne in krožne funkcije Kotne funkcije v pravokotnem trikotniku Avtor: Rok Kralj, 4.a Gimnazija Vič, 009/10 β a c γ b α sin = a c cos= b c tan = a b cot = b a Sinus kota je razmerje kotu nasprotne katete
Διαβάστε περισσότεραp 1 ENTROPIJSKI ZAKON
ENROPIJSKI ZAKON REERZIBILNA srememba: moža je obrjea srememba reko eakih vmesih staj kot rvota srememba. Po obeh sremembah e sme biti obeih trajih srememb v bližji i dalji okolici. IREERZIBILNA srememba:
Διαβάστε περισσότεραELEKTRONSKI ELEMENTI (ELE)
VIŠJEŠOLSKI STROKOVNI PROGRAM ELEKTRONIKA ELEKTRONSKI ELEMENTI (ELE) (DELOVNI OSNUTEK GRADIVA) FRANC ŠTRAVS Višješolski strokovni program: Elektronika Učbenik: Elektronski elementi - ELE (delovni osnutek
Διαβάστε περισσότεραLogatherm WPL 14 AR T A ++ A + A B C D E F G A B C D E F G. kw kw /2013
WP 14 R T d 9 10 11 53 d 2015 811/2013 WP 14 R T 2015 811/2013 WP 14 R T Naslednji podatki o izdelku izpolnjujejo zahteve uredb U 811/2013, 812/2013, 813/2013 in 814/2013 o dopolnitvi smernice 2010/30/U.
Διαβάστε περισσότεραBRUTUS 170W/S stereo močnostni NF ojačevalnik
BRUTUS 170W/S stereo močnostni NF ojačevalnik BRUTUS 170W/S je močnejši brat popularnega ojačevalnika BRUTUS 100W/S. BRUTUS 170W/S deluje v mostični vezavi, kar mu zagotavlja visoko izhodno moč. Zahvaljujoč
Διαβάστε περισσότεραSKUPNE PORAZDELITVE VEČ SLUČAJNIH SPREMENLJIVK
SKUPNE PORAZDELITVE SKUPNE PORAZDELITVE VEČ SLUČAJNIH SPREMENLJIVK Kovaec vržemo trikrat. Z ozačimo število grbov ri rvem metu ( ali ), z Y a skuo število grbov (,, ali 3). Kako sta sremelivki i Y odvisi
Διαβάστε περισσότερα1. Merjenje toka in napetosti z AVO metrom
1. Merjenje toka in napetosti z AVO metrom Cilj: Nariši karakteristiko Zenerjeve diode in določi njene parametre, pri delu uporabi AVO metre za merjenje napetosti in toka ter vir spremenljive napetosti
Διαβάστε περισσότεραElektronski elementi so osnovni gradniki vsakega vezja. Imajo bodisi dva, tri ali več priključkov.
Elementi in vezja Elektronski elementi so osnovni gradniki vsakega vezja. Imajo bodisi dva, tri ali več priključkov. kov. Zaprti so v kovinska, plastična ali keramična ohišja, na katerih so osnovne označbe
Διαβάστε περισσότεραARHITEKTURA DETAJL 1, 1:10
0.15 0.25 3.56 0.02 0.10 0.12 0.10 SESTV S2 polimer-bitumenska,dvoslojna(po),... 1.0 cm po zahtevah SIST DIN 52133 in nadstandardno, (glej opis v tehn.poročilu), npr.: PHOENIX STR/Super 5 M * GEMINI P
Διαβάστε περισσότερα+105 C (plošče in trakovi +85 C) -50 C ( C)* * Za temperature pod C se posvetujte z našo tehnično službo. ϑ m *20 *40 +70
KAIFLEX ST Tehnični podatki Material Izjemno fleksibilna zaprtocelična izolacija, fleksibilna elastomerna pena (FEF) Opis Uporaba Temperaturno območje Toplotna prevodnost W/(m K ) pri različnih srednjih
Διαβάστε περισσότεραSlika 1.120: Frekvenčne omejitve za različne fotopretvornike. Slika 1.121: Diagram relativnih občutljivosti v primerjavi s spektralno emisijo žarnice
Optoelektronske komponente 1.7 OPTOELEKTRONSKE KOMPONENTE Splošno Foto-električni efekt je pojav, pri katerem svetloba vpliva ali spremeni fizikalne oz. kemične lastnosti neke snovi. V kolikor je komponenta
Διαβάστε περισσότεραFAKULTET PROMETNIH ZNANOSTI
SVUČILIŠT U ZAGU FAKULTT POMTNIH ZNANOSTI predmet: Nastavnik: Prof. dr. sc. Zvonko Kavran zvonko.kavran@fpz.hr * Autorizirana predavanja 2016. 1 Pojačala - Pojačavaju ulazni signal - Zahtjev linearnost
Διαβάστε περισσότεραTOPLOTNA ČRPALKA ZRAK-VODA - BUDERUS LOGATHERM WPL 7/10/12/14/18/25/31
TOPLOTN ČRPLK ZRK-VOD - BUDERUS LOGTHERM WPL 7/0//4/8/5/ Tip Moč (kw) nar. št. EUR (brez DDV) WPL 7 7 8 7 700 95 5.6,00 WPL 0 0 7 78 600 89 8.9,00 WPL 7 78 600 90 9.78,00 WPL 4 4 7 78 600 9 0.88,00 WPL
Διαβάστε περισσότεραVisokofrekvenčno stikalo s PIN diodo
Visokofrekvenčno stikalo s PIN diodo Eden od izumiteljev tranzistorja, teoretik Shockley, je predvidel gradnjo visokonapetostnih usmernikov za nizke frekvence v obliki strukture PIN, kjer dodatna malo
Διαβάστε περισσότεραPolnilnik Ni-MH/Ni-Cd baterij
Univerza v Ljubljani Fakulteta za elektrotehniko Matej Antonijevič Polnilnik Ni-MH/Ni-Cd baterij Seminarska naloga pri predmetu Elektronska vezja Ljubljana, julij 2011 Matej Antonijevič Polnilnik Ni-MH/Ni-Cd
Διαβάστε περισσότεραRobert Lorencon ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA
obert Lorencon ELEKTONSK ELEMENT N VEZJA Mnenja, predloge, namige sporočite na naslov: MAYA STDO, d.o.o., Ziherlova 38, Ljubljana Tel.: (01) 42 95 255, Tel. & Fax: (01) 28 39 617 http://www.maya-studio.com
Διαβάστε περισσότερα1. Trikotniki hitrosti
. Trikotniki hitrosti. Z radialno črpalko želimo črpati vodo pri pogojih okolice z nazivnim pretokom 0 m 3 /h. Notranji premer rotorja je 4 cm, zunanji premer 8 cm, širina rotorja pa je,5 cm. Frekvenca
Διαβάστε περισσότεραCM707. GR Οδηγός χρήσης... 2-7. SLO Uporabniški priročnik... 8-13. CR Korisnički priručnik... 14-19. TR Kullanım Kılavuzu... 20-25
1 2 3 4 5 6 7 OFFMANAUTO CM707 GR Οδηγός χρήσης... 2-7 SLO Uporabniški priročnik... 8-13 CR Korisnički priručnik... 14-19 TR Kullanım Kılavuzu... 20-25 ENG User Guide... 26-31 GR CM707 ΟΔΗΓΟΣ ΧΡΗΣΗΣ Περιγραφή
Διαβάστε περισσότεραTematska vprašanja za 1. delni izpit
Tematska vprašanja za 1. delni izpit 1. Definicija kvocienta izpada in stopnje odpovedi komponente KVOCIENT IZPADA=STOPJA ODPOVEDI/ČAS TRAJANJA OBRATOVANJA STOPNJA ODPOVEDI=ŠT.ODPOVEDANIH ELEMENTOV/ŠT.PREIZKUŠANIH
Διαβάστε περισσότεραTabele termodinamskih lastnosti vode in vodne pare
Univerza v Ljubljani Fakulteta za strojništvo Laboratorij za termoenergetiko Tabele termodinamskih lastnosti vode in vodne pare po modelu IAPWS IF-97 izračunano z XSteam Excel v2.6 Magnus Holmgren, xsteam.sourceforge.net
Διαβάστε περισσότεραMERITVE LABORATORIJSKE VAJE. Študij. leto: 2011/2012 UNIVERZA V MARIBORU. Skupina: 9
.cwww.grgor nik ol i c NVERZA V MARBOR FAKTETA ZA EEKTROTEHNKO, RAČNANŠTVO N NFORMATKO 2000 Maribor, Smtanova ul. 17 Študij. lto: 2011/2012 Skupina: 9 MERTVE ABORATORJSKE VAJE Vaja št.: 4.1 Določanj induktivnosti
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές
Διαβάστε περισσότεραTransformator. Izmenični signali, transformator 22.
zmenični signali, transformator. Transformator Vsebina: Zapis enačb transformatorja kot dveh sklopljenih tuljav, napetostna prestava, povezava medd maksimalnim fluksom in napetostjo, neobremenjen transformator
Διαβάστε περισσότεραIzmenični signali metode reševanja vezij (21)
Izmenični sinali_metode_resevanja (21b).doc 1/8 03/06/2006 Izmenični sinali metode reševanja vezij (21) Načine reševanja enosmernih vezij smo že spoznali. Pri vezjih z izmeničnimi sinali lahko uotovimo,
Διαβάστε περισσότερα7 TUJE VODENI PRETVORNIKI
7 TUJE VODENI PRETVORNII Pod tem naslovom bomo obravnavali pretvornike, ki kot stikalne elemente uporabljajo tiristorje, za takt delovanja in komutacijo pa skrbi bodisi omrežje omrežno vodeni pretvorniki
Διαβάστε περισσότεραElektrične lastnosti varikap diode
Električne lastnosti varikap diode Vsaka polprevodniška dioda ima zaporno plast, debelina katere narašča z zaporno napetostjo. Dioda se v zaporni smeri obnaša kot nelinearen kondenzator, ki mu z višanjem
Διαβάστε περισσότεραLASTNOSTI FERITNEGA LONČKA. 330 kω. 3400pF
Ime in priimek: Šolsko leto: Datum: ASTNOSTI FEITNEGA ONČKA Za tuljavo s feritnim lončkom določite: a) faktor induktivnosti A in kvaliteto izdelane tuljave z meritvijo resonance nihajnega kroga. b) vrednosti
Διαβάστε περισσότεραElektrotehnika in elektronika
Elektrotehnika in elektronika 1. Zapišite pogoj zaporedne resonance, ter pogoj vzporedne resonance. a) Katera ima minimalno impedanco, katera ima minimalno admitanco? b) Pri kateri je pri napetostnem vzbujanju
Διαβάστε περισσότεραSlika 1: Simbol diode
Dioda Najenostavnejši bipolarni polprevodniški element je dioda (Slika 1), ki izkorišča osnovne fizikalne lastnosti PN spoja nameščenega v primerno ohišje in opremljenega s priključnimi vezicami. Ker je
Διαβάστε περισσότεραPOLPREVODNIŠKA ELEKTRONIKA
POLPREVODNIŠKA ELEKTRONIKA (3-1-2) Predavatelj: Franc Smole (kabinet BN308) (govorilne ure: torek, 12 h 14 h ) Asistent: Benjamin Lipovšek (kabinet BN311 3. nad.) http://lpvo.fe.uni-lj.si/izobrazevanje/1-stopnja-un/polprevodniska-elektronika-pe/
Διαβάστε περισσότεραFunkcije. Matematika 1. Gregor Dolinar. Fakulteta za elektrotehniko Univerza v Ljubljani. 12. november Gregor Dolinar Matematika 1
Matematika 1 Gregor Dolinar Fakulteta za elektrotehniko Univerza v Ljubljani 12. november 2013 Graf funkcije f : D R, D R, je množica Γ(f) = {(x,f(x)) : x D} R R, torej podmnožica ravnine R 2. Grafi funkcij,
Διαβάστε περισσότεραElektrotehnika. Študijsko gradivo za študente Pedagoške fakultete UL. Študijsko leto 2009/2010. Slavko Kocijančič
Elektrotehnika Študijsko gradivo za študente Pedagoške fakultete UL Slavko Kocijančič Študijsko leto 2009/2010 Ljubljana, marec 2010 Vsebina 1. OSNOVE ELEKTROTEHNIKE...1 OHMOV ZAKON...1 PRVI KIRCHHOFFOV
Διαβάστε περισσότεραElektrični naboj, ki mu pravimo tudi elektrina, označimo s črko Q, enota zanj pa je C (Coulomb-izgovorimo "kulon") ali As (1 C = 1 As).
1 UI.DOC Elektrina - električni naboj (Q) Elementarni delci snovi imajo lastnost, da so nabiti - nosijo električni naboj-elektrino. Protoni imajo pozitiven naboj, zato je jedro pozitivno nabito, elektroni
Διαβάστε περισσότεραmatrike A = [a ij ] m,n αa 11 αa 12 αa 1n αa 21 αa 22 αa 2n αa m1 αa m2 αa mn se števanje po komponentah (matriki morata biti enakih dimenzij):
4 vaja iz Matematike 2 (VSŠ) avtorica: Melita Hajdinjak datum: Ljubljana, 2009 matrike Matrika dimenzije m n je pravokotna tabela m n števil, ki ima m vrstic in n stolpcev: a 11 a 12 a 1n a 21 a 22 a 2n
Διαβάστε περισσότεραLjubljanska cesta Kamnik SLOVENIJA Tel (0) Fax ( Mob
Ljubljanska cesta 45 1241 Kamnik SLOVENIJA Tel. +386 (0)1 5190 853 Fax. +386 (9059 636 Mob. +386 41 622 066 E-mail: info@goto.si www.goto.si Navodilo za hitri začetek uporabe Frekvenčni pretvornik ig5a
Διαβάστε περισσότεραKvantni delec na potencialnem skoku
Kvantni delec na potencialnem skoku Delec, ki se giblje premo enakomerno, pride na mejo, kjer potencial naraste s potenciala 0 na potencial. Takšno potencialno funkcijo zapišemo kot 0, 0 0,0. Slika 1:
Διαβάστε περισσότεραOsnovni primer. (Z, +,,, 0, 1) je komutativan prsten sa jedinicom: množenje je distributivno prema sabiranju
RAČUN OSTATAKA 1 1 Prsten celih brojeva Z := N + {} N + = {, 3, 2, 1,, 1, 2, 3,...} Osnovni primer. (Z, +,,,, 1) je komutativan prsten sa jedinicom: sabiranje (S1) asocijativnost x + (y + z) = (x + y)
Διαβάστε περισσότεραTEORIJA LINIJSKIH KOD
Fakulteta za elektrotehniko Tržaška 25 1000 Ljubljana Teoretični del iz seminaske naloge ANALIZATOR LASTNOSTI LINIJSKIH KOD TEORIJA LINIJSKIH KOD (2. poglavje seminarja) Asistent: Mag. Matevž Pustišek
Διαβάστε περισσότερα*M * Osnovna in višja raven MATEMATIKA NAVODILA ZA OCENJEVANJE. Sobota, 4. junij 2011 SPOMLADANSKI IZPITNI ROK. Državni izpitni center
Državni izpitni center *M40* Osnovna in višja raven MATEMATIKA SPOMLADANSKI IZPITNI ROK NAVODILA ZA OCENJEVANJE Sobota, 4. junij 0 SPLOŠNA MATURA RIC 0 M-40-- IZPITNA POLA OSNOVNA IN VIŠJA RAVEN 0. Skupaj:
Διαβάστε περισσότεραFTN Novi Sad Katedra za motore i vozila. Teorija kretanja drumskih vozila Vučno-dinamičke performanse vozila: MAKSIMALNA BRZINA
: MAKSIMALNA BRZINA Maksimalna brzina kretanja F O (N) F OI i m =i I i m =i II F Oid Princip određivanja v MAX : Drugi Njutnov zakon Dokle god je: F O > ΣF otp vozilo ubrzava Kada postane: F O = ΣF otp
Διαβάστε περισσότεραBRUTUS - 100W/S, stereo močnostni NF ojačevalnik
BRUTUS - 100W/S, stereo močnostni NF ojačevalnik Ste bili kdaj v stiski in ste pred domačo zabavo iskali primeren NF ojačevalnik? Ali bi želeli majhen, pa vendarle dovolj zmogljiv ojačevalnik, ki bo dobro
Διαβάστε περισσότεραPROCESIRANJE SIGNALOV
Rešive pisega izpia PROCESIRANJE SIGNALOV Daum: 7... aloga Kolikša je ampliuda reje harmoske kompoee arisaega periodičega sigala? f() - -3 - - 3 Rešiev: Časova fukcija a iervalu ( /,/) je lieara fukcija:
Διαβάστε περισσότεραAnaliza nadomestnega vezja transformatorja s programskim paketom SPICE OPUS
s programskim paketom SPICE OPS Danilo Makuc 1 VOD SPICE OPS je brezplačen programski paket za analizo električnih vezij. Gre za izpeljanko simulatorja SPICE3, ki sicer ne ponuja programa za shematski
Διαβάστε περισσότεραSLO - NAVODILO ZA MONTAŽO IN UPORABO : št. art. :
SLO - NAVODILO ZA MONTAŽO IN UPORABO : št. art. : 19 22 96 www.conrad.si Učni paket za elektroniko Št. izdelka: 19 22 96 Navodila za uporabo so sestavni del izdelka. Vsebujejo pomembne napotke za pripravo
Διαβάστε περισσότεραMerilniki gostote magnetnega polja na osnovi Lorentzove sile
Merilniki gostote magnetnega polja na osnovi Lorentzove sile Lorentzova sila je temelj tako allovega kot tudi magnetoupornostnega efekta v polprevodniških strukturah. Zgradba in osnovni princip delovanja
Διαβάστε περισσότερα13. Jacobijeva metoda za računanje singularnega razcepa
13. Jacobijeva metoda za računanje singularnega razcepa Bor Plestenjak NLA 25. maj 2010 Bor Plestenjak (NLA) 13. Jacobijeva metoda za računanje singularnega razcepa 25. maj 2010 1 / 12 Enostranska Jacobijeva
Διαβάστε περισσότεραVAJA 1 : MERILNI INSTRUMENTI
DIGITALNA TEHNIKA Ime : Priimek : VAJA 1 : MERILNI INSTRUMENTI a) Nastavite na funkcijskem generatorju signal s frekvenco f = 10 khz, kot ga kaže slika 1.6 a. b) Kompenzirajte delilno sondo osciloskopa
Διαβάστε περισσότεραELEKTRONIKA I zbirka vaj
ELEKTRONIKA I zbirka vaj Študijsko gradivo za študente Pedagoške fakultete v Ljubljani Janez Jamšek Študijsko leto 2005/2006 Kazalo 1. LDR, PTC, NTC...2 2. Frekvenčna karakteristika RLC nizkega sita...3
Διαβάστε περισσότεραKotni funkciji sinus in kosinus
Kotni funkciji sinus in kosinus Oznake: sinus kota x označujemo z oznako sin x, kosinus kota x označujemo z oznako cos x, DEFINICIJA V PRAVOKOTNEM TRIKOTNIKU: Kotna funkcija sinus je definirana kot razmerje
Διαβάστε περισσότεραDržavni izpitni center SPOMLADANSKI IZPITNI ROK *M * NAVODILA ZA OCENJEVANJE. Petek, 12. junij 2015 SPLOŠNA MATURA
Državni izpitni center *M543* SPOMLADANSKI IZPITNI ROK NAVODILA ZA OCENJEVANJE Petek,. junij 05 SPLOŠNA MATURA RIC 05 M543 M543 3 IZPITNA POLA Naloga Odgovor Naloga Odgovor Naloga Odgovor Naloga Odgovor
Διαβάστε περισσότεραUNIVERZA V LJUBLJANI FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO. Árpád Bűrmen. Linearna elektronika
UNIVERZA V LJUBLJANI FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO Árpád Bűrmen Linearna elektronika Ljubljana, 202 Recenzenta: prof. dr. Tadej Tuma, doc. dr. Tomaž Dogša. Kazalo Osnovni pojmi. Linearna vezja in superpozicija.....................................2
Διαβάστε περισσότεραELEKTRONIKA Laboratorijske vaje za program računalništva in informatike
FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO, RAČUNALNIŠTVO IN INFORMATIKO Inštitut za elektroniko ELEKTRONIKA Laboratorijske vaje za program računalništva in informatike Bojan Jarc, Rudolf Babič. izdaja (drugi ponatis)
Διαβάστε περισσότεραZajemanje merilnih vrednosti z vf digitalnim spominskim osciloskopom
VSŠ Velenje ELEKTRIČNE MERITVE Laboratorijske vaje Zajemanje merilnih vrednosti z vf digitalnim spominskim osciloskopom Vaja št.2 M. D. Skupina A PREGLEDAL:. OCENA:.. Velenje, 22.12.2006 1. Besedilo naloge
Διαβάστε περισσότεραIterativno reševanje sistemov linearnih enačb. Numerične metode, sistemi linearnih enačb. Numerične metode FE, 2. december 2013
Numerične metode, sistemi linearnih enačb B. Jurčič Zlobec Numerične metode FE, 2. december 2013 1 Vsebina 1 z n neznankami. a i1 x 1 + a i2 x 2 + + a in = b i i = 1,..., n V matrični obliki zapišemo:
Διαβάστε περισσότερα16,5 20. Preklopna točka [mm]
NIVOJSKI SENZORJI za cono 0 Serija KEA EEx ia II T6...T Kategorija 1 Mediji do 1 Dolža tipala do 1 m WHGcertifikat G1 8 L 90±2 25 G1 53 Nastavitev občutljivosti 16,5 36 Preklopna točka [mm] 8 8 8 8 8 Koda
Διαβάστε περισσότερα