ΑΣΚΗΣΗ 1 η ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "ΑΣΚΗΣΗ 1 η ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ"

Transcript

1 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 1 ΟΡΓΑΝΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΑΣΚΗΣΗ 1 η ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ Παλµογράφος διπλού ίχνους 0-40MHz Cursor Readout HAMEG HM407 Ψηφιακό πολύµετρο πάγκου 4½ ψηφίων TOPWARD DM1330 Ψηφιακό πολύµετρο φορητό 3¾ ψηφίων ESCORD EDM169S Ψηφιακή γέφυρα L-C-R φορητή ESCORD - ECL130 Τροφοδοτικό σταθεροποιηµένο2x0-32v/1a, +5V/1,5A THURLBY THANDAR PL310QMT Γεννήτρια συναρτήσεων 1Hz 2MHz TOPWARD - FG8120 Γεννήτρια παλµών 10Hz 2MHz THURBLY THANDAR TPG110 ΑΝΑΛΩΣΙΜΑ ΥΛΙΚΑ ΑΣΚΗΣΗΣ Τρανζίστορ BJT 1 2Ν3904 µε h FE >170 Πηνίο Neosid Μ5 : L=100µH±5% R DC =1,5Ω Q 70 στο 1MHz Αντιστάσεις 1/4 Watt/ 1% Πυκνωτές 1Χ10Ω 1Χ10K 1Χ270pF πολυστ 1X33nF πολυστ 1Χ120Ω 1Χ4,7K 1X2,2nF 1Χ47nF >> 1Χ220Ω 1Χ18K 1Χ10nF 1Χ68nF >> 1Χ330Ω 1Χ100Κ 2Χ22nF 2Χ0,1µF κεραµ. 1Χ1,2K 1Χ22Κ ποτ. 1Χ1,8K +15V C6 0.1µF κερ. R1 10K R3 1.32K (1.2Κ+120Ω) C5 Vo Vf C3 22nF 22nF Q1 2N3904 RV1 22K set Uo(max) L1 100µΗ Neosid C2 33nF πολ. R2 1.8K R4 330Ω C4 0.1µF κερ. 2Ν3904 C1 270pF πολ. CB E Κάτω όψη Σχήµα 1-1 : Πειραµατικό κύκλωµα ταλαντωτή Colpitts

2 2 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Όνοµα Επώνυµο Κ.Α.Σ. Εργ. Τµήµα Οµάδα Ηµεροµηνία ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΗ 1 η : ΤΑΛΑΝΤΩΤΕΣ COLPITTS ΚΑΙ CLAPP ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΙΑ ΙΚΑΣΙΑ Σφραγίδα - Υπογραφή Καθηγητή Εργαστηρίου 1. Να συνδεσµολογηθεί το πειραµατικό κύκλωµα του ταλαντωτή Colpitts, να ρυθµιστεί το R V1 για µέγιστο πλάτος εξόδου, να συµπληρωθούν οι πειραµατικές τιµές του παρακάτω πίνακα και να σχεδιαστούν οι κυµατοµορφές σε χρονικό συσχετισµό. Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή V B = V B = r E = r E = V E = V E = R V1(SET) = R V1(SET) = I E = I E = r L = r L = I C = I C = A V = A V = V C = V C = Β = Β = V BE = 0,7V V BE = A V B =1,3091 A V B = V CE = V CE = U Οmax = U Οmax = V R3 = V R3 = U f = U f = f o = f o = Φ = Φ = Κυµατοµορφές

3 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 3

4 4 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 2. Να αντικατασταθεί ο C 2 =10nF και να εξηγήσετε σύντοµα και µε σαφήνεια αυτά που παρατηρείτε στο κύκλωµα (οι παρατηρήσεις αφορούν τάσεις DC, AC και κυµατοµορφές). Κυµατοµορφές

5 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 5 3. Να αντικατασταθεί ο C 2 =47nF και να εξηγήσετε σύντοµα και µε σαφήνεια αυτά που παρατηρείτε στο κύκλωµα.

6 6 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 4. Να αντικατασταθεί ο C 4 =10nF και να εξηγήσετε σύντοµα και µε σαφήνεια αυτά που παρατηρείτε στο κύκλωµα.

7 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 7 5. Να συνδεθεί αντίσταση R=10Ω σε σειρά µε το πηνίο ταλάντωσης και να εξηγήσετε σύντοµα και µε σαφήνεια αυτά που παρατηρείτε στο κύκλωµα.

8 8 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 6. Να συνδεσµολογηθεί το πειραµατικό κύκλωµα του ταλαντωτή Clapp, να ρυθµιστεί το R V1 στη θεωρητική τιµή, να συµπληρωθούν οι πειραµατικές τιµές του παρακάτω πίνακα και να σχεδιαστούν οι κυµατοµορφές σε χρονικό συσχετισµό. +15V C6 0.1µF κερ. R1 10K R3 1.32K (1.2Κ+120Ω) C5 Vo Vf 22nF Q1 2N3904 RV1 22K SET=5K L1 100µΗ Neosid C1 270pF πολ. C2 33nF πολ. C3 2.2nF R2 1.8K R4 330Ω C4 0.1µF κερ. 2Ν3904 CB E Κάτω όψη Σχήµα 1-2 : Πειραµατικό κύκλωµα Ταλαντωτή Clapp Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή f O = f O = B= B= U Ο(max) = U Ο(max) = A V B = A V B = U f = U f = R V1(SET) =5KΩ R V1(SET) =

9 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 9 Κυµατοµορφές

10 10 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 7. Να αποσυνδεθεί η αντίσταση R 2, να συµπληρωθεί ο παρακάτω πίνακας και να σχολιαστούν τα αποτελέσµατα. Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή V C = V C = V CE = 0,05V V CE = V E = V E = I C = I C = V B = V B = I E = I E = V BE = 0,76V V BE = I B = I B =

11 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Να συνδεθεί αντίσταση R=10Ω σε σειρά µε το πηνίο ταλάντωσης και να εξηγήσετε σύντοµα και µε σαφήνεια αυτά που παρατηρείτε στο κύκλωµα.

12 12 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 9. Ποια θα είναι τα αποτελέσµατα στο κύκλωµα αν οι αντιστάσεις R 1 και R 2 δεκαπλασιαστούν. Αιτιολογείστε τα πειραµατικά σας αποτελέσµατα.

13 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Να εξηγήσετε τις διαφορές που παρατηρείτε από τις µετρήσεις σας µεταξύ του ταλαντωτή Colpitts και Clapp. Παρατήρηση: Μετά την αλλαγή κάθε στοιχείου επανερχόµαστε στο αρχικό κύκλωµα και στη συνέχεια κάνουµε τη νέα αλλαγή.

14 14 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ ΛΕΥΚΗ ΣΕΛΙ Α

15 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 15 ΑΣΚΗΣΗ 2 η ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ ΟΡΓΑΝΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ Παλµογράφος διπλού ίχνους 0-40MHz Cursor Readout HAMEG HM407 Ψηφιακό πολύµετρο πάγκου 4½ ψηφίων TOPWARD DM1330 Ψηφιακό πολύµετρο φορητό 3¾ ψηφίων ESCORD EDM169S Ψηφιακή γέφυρα L-C-R φορητή ESCORD - ECL130 Τροφοδοτικό σταθεροποιηµένο 2X0-32V/1A,+5V/1,5A THURLBY THANDAR PL310QMT Γεννήτρια συναρτήσεων 1Hz 2MHz TOPWARD - FG8120 Γεννήτρια παλµών 10Hz 2MHz THURBLY THANDAR TPG110 ΑΝΑΛΩΣΙΜΑ ΥΛΙΚΑ ΑΣΚΗΣΗΣ Τρανζίστορ BJT 1 2Ν3904 Ολοκληρωµένα κυκλώµατα 1 74LS04 και 1 CD4049B Κρύσταλλοι 1 2,00MHz και 1 4,00MHz - 1 L=100µΗ R DC =1,5Ω Q=46 (2MHz) Αντιστάσεις 1/4 Watt /1% Πυκνωτές 1Χ120Ω 1X6,8K 1X6,8pF 1X3,3nF 1X330Ω 1X10K 1X47pF 1X4,7nF 1Χ470Ω 1X15M 1Χ56pF 3X10nF 1Χ1Κ 1X22K ποτεν. 1Χ100pF 1Χ47nF 1X1,2K 1X330pF 1X0,1µF κεραµ. 1Χ1,8K 1X22K ποτεν. γραµ. 1X2,2nF 4-22pF trimmer +15V C6 0.1µF L 100µH C 62.8pF ( 56pF+6.8pF) 10K R1 C5 Uo Uf C3 10nF Q1 2N nF RL 22K set Uomax(απαρ) X1 2.00MHz C1 10nF R2 1.8K R3 330 C4 47nF C2 47pF Σχήµα 2-1 : Πειραµατικό κυκλώµατα ταλαντωτή κρυστάλλου µε BJT

16 16 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Όνοµα Επώνυµο Κ.Α.Σ. Εργ. Τµήµα Οµάδα Ηµεροµηνία ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΤΑΛΑΝΤΩΤΕΣ ΜΕ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟ Σφραγίδα - Υπογραφή Καθηγητή Εργαστηρίου ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΙΑ ΙΚΑΣΙΑ 1. Να συνδεσµολογηθεί το πειραµατικό κύκλωµα και να ρυθµιστεί το φορτίο R L για µέγιστο απαραµόρφωτο πλάτος εξόδου. Με τις µετρήσεις σας να συµπληρωθεί ο παρακάτω πίνακας και να σχεδιαστούν οι κυµατοµορφές U O και U f σε χρονικό συσχετισµό. Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή V BQ = V BQ = Z tank = Z tank = V EQ = V EQ = B= B= I EQ = I EQ = A V B = A V B = I CQ = I CQ = A V = A V = V CQ = V CQ = r L = r L = V BEQ =0,7V V BEQ = R V1(SET) = R V1(SET) = V CEQ = V CEQ = f o = f o = r E = r E = U O(απαρ) = U O(απαρ) = r e = r e = U f = U f = Κυµατοµορφές

17 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 17

18 18 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ

19 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Να αποσυνδεθεί το φορτίο και να σχεδιαστεί η κυµατοµορφή συλλέκτη του τρανζίστορ µε σύζευξη d.c. στον παλµογράφο. Να µετρηθούν επίσης οι τάσεις d.c. της βάσης του εκπο- µπού και του συλλέκτη. Σχολιάστε το αποτελέσµατα των µετρήσεων. Κυµατοµορφές

20 20 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 3. Να αντικατασταθεί η R 3 =1K και να αιτιολογηθούν τα αποτελέσµατα στα a.c. και d.c. δυναµικά στο κύκλωµα.

21 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Να αποσυνδεθεί ο πυκνωτής C=(56pF//6,8pF) από το κύκλωµα παραλλήλου συντονισµού και να εξηγηθεί µε σαφήνεια το αποτέλεσµα που θα προκύψει στο κύκλωµα.

22 22 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 5. Να τροποποιηθεί το κύκλωµα του ενισχυτή συντονισµένου συλλέκτη σε ενισχυτή µε ωµικό φορτίο από και να υπολογιστούν οι νέες τιµές των στοιχείων που είναι απαραίτητα να τροποποιηθούν όταν το ωµικό φορτίο είναι R C = 1,32K. Το ο ροοστάτης R V1 τοποθετηθεί στα 10K. Στη συνέχεια να ρυθµιστεί ο ταλαντωτής για µέγιστο απαραµόρφωτο πλάτος εξόδου. Να σηµειωθούν τα πειραµατικά αποτελέσµατα και να εξηγηθούν οι διαφορές των a.c. και d.c. δυναµικών σε σχέση µε το αρχικό κύκλωµα. Κυµατοµορφές

23 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Στο κύκλωµα της προηγούµενης παραγράφου χωρίς να αλλάξετε τίποτα να αντικατασταθεί ο κρύσταλλος X1=4.00MHz και να σχολιαστεί το αποτέλεσµα σε σύγκριση µε την προηγούµενη παράγραφο και τον θεωρητικό υπολογισµό σας.

24 24 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 7. Να συνδεσµολογηθεί ο ταλαντωτής µε τον αναστροφέα 74LS04 και να ρυθµιστεί ο πυκνωτής C T για ταλάντωση στην επιθυµητή συχνότητα (4.00MHz). Να σχεδιαστεί µε ακρίβεια η κυµατοµορφή εξόδου µε όλα τα χαρακτηριστικά της. Από τα φύλλα δεδοµένων και τις µετρήσεις που θα κάνετε να βρεθεί η θεωρητική και πειραµατική µέγιστη συχνότητα ταλάντωσης και να σχολιαστούν τα αποτελέσµατα. U1A U1B VCC=+5V O/P Pin 14 Pin 7 0.1µF κεραµ. SN74LS04 RFC 100µH R1 470 SN74LS04 Cv X1 Ca 270pF 4-22pF 4.00MHz Cb 100pF Σχήµα 2-3 : Ταλαντωτής κρυστάλλου µε αναστροφείς 74LS04 Κυµατοµορφές

25 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 25

26 26 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 8. Να συνδεσµολογηθεί ο ταλαντωτής µε τον αναστροφέα CMOS 4049 και να σχεδιαστεί µε ακρίβεια η κυµατοµορφή εξόδου µε όλα τα χαρακτηριστικά της. Από τα φύλλα δεδοµένων και τις µετρήσεις που θα κάνετε να βρεθεί η θεωρητική και πειραµατική µέγιστη συχνότητα ταλάντωσης και να σχολιαστούν τα αποτελέσµατα. U1A O/P U1B Vo Pin 1 Pin 8 VCC=+9V 0.1µF κεραµ. R1 15M X1 Ca 270pF 2.00MHz Cb 100pF Κυµατοµορφές

27 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 27

28 28 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ ΛΕΥΚΗ ΣΕΛΙ Α

29 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 29 ΑΣΚΗΣΗ 3 η ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ ΟΡΓΑΝΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ Παλµογράφος διπλού ίχνους 0-40MHz Cursor Readout HAMEG HM407 Ψηφιακό πολύµετρο πάγκου 4½ ψηφίων TOPWARD DM1330 Ψηφιακό πολύµετρο φορητό 3¾ ψηφίων ESCORD EDS169S Ψηφιακή γέφυρα L-C-R φορητή ESCORD - ECL130 Τροφοδοτικό σταθεροποιηµένο 2X0-32V/1A, +5V/1,5A THURLBY THANDAR PL310QMT Γεννήτρια συναρτήσεων 1Hz 2MHz TOPWARD - FG8120 Γεννήτρια παλµών 10Hz 2MHz THURBLY THANDAR TPG110 ΑΝΑΛΩΣΙΜΑ ΥΛΙΚΑ ΑΣΚΗΣΗΣ Τελεστικοί ενισχυτές: 1 LM741-1 CA NE TLC271 Τρανζίστορ JFET 1 2Ν ίοδος σήµατος 1 1Ν4148 Λαµπάκι 1 12V/30mA Αντιστάσεις 1/4 Watt/ 1% Πυκνωτές 2X270Ω 1Χ2,2Κ 1Χ18K 1Χ100Ω trim. 1X100pF 1X47nF πολ 1X330Ω 2Χ8,2Κ 1Χ33Κ 1Χ10Κ pot. 1X470pF 3X0,1 µf κεραµ 2Χ820Ω 2X10Κ 2Χ47K 1Χ1Μ trim. 2X1nF πολ 1X10µF/16V 2X1ΚΩ 2X15K 2X100K 2X10nF 1X100µF/16V R k C1 10n +15V U1 LM741/NS C5 C2 10n R k R4 18k u(+) u(-) V+ V- 4-15V R3 47k OS1 0 6 OUT 5 OS2 C R5 100k Uo RL 2k 0 CL 100p -15V Ρύθµιση παραµόρφωσης J1 J2N3819 RV1 10k SET = 0.5 Vgs C4 470p Ρύθµιση πλάτους P1 SET = D1 D1N4148 1M Vdc C3 0.1u 2 3 PIN2,PIN V U2 CA Probe CH2 0 Σχήµα 3-1 : Πειραµατικό κύκλωµα ταλαντωτή WIEN

30 30 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Όνοµα Επώνυµο Κ.Α.Σ. Εργ. Τµήµα Οµάδα Ηµεροµηνία ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΗ 3 η : ΤΑΛΑΝΤΩΤΗΣ WIEN Σφραγίδα - Υπογραφή Καθηγητή Εργαστηρίου ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΙΑ ΙΚΑΣΙΑ 1. Να συνδεσµολογηθεί το πειραµατικό κύκλωµα, να ρυθµιστεί ο ταλαντωτής στο µέγιστο απαραµόρφωτο πλάτος εξόδου, να συµπληρωθεί ο παρακάτω πίνακας µετρήσεων και να σχεδιαστούν οι κυµατοµορφές U O και u (-) σε χρονικό συσχετισµό. ίνονται για το JFET 2N3819 : Ι DSS =12mA και V P =-2,9V. Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή U O(P-P) = U O(p-p) = f o = f o = A CL(+) = A CL(+) = V dc = V dc = u (-) = u (-) = V GS = V GS = R V1(SET) =5K R V1(SET) = r DS = r DS = Κυµατοµορφές

31 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 31

32 32 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 2. Να τοποθετηθεί φορτίο R L =600Ω και να επαναρυθµιστεί το ποτενσιόµετρο P1 για µέγιστο απαραµόρφωτο πλάτος εξόδου. Να σηµειωθεί η νέα τιµή εξόδου σε V P-P και dbm και να συγκριθεί µ αυτήν που δίνουν τα φύλλα δεδοµένων.

33 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Να αποσυνδεθεί η δίοδος D 1 από το κύκλωµα και να εξηγήσετε αυτό που παρατηρείτε στο σήµα εξόδου του ταλαντωτή.

34 34 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 4. Να βραχυκυκλωθεί η αντίσταση R 5 και να εξηγηθούν τα αποτελέσµατα που παρατηρείτε στον ταλαντωτή.

35 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Να αντικατασταθούν R 1 =R 2 =8,2K, R 5 =47Κ, C 1 =C 2 =1nF, C 3 =47nF και κάνοντας τις ρυθ- µίσεις της παραγράφου 1 να συµπληρωθεί ο παρακάτω πίνακας. Να σχολιασθούν τα αποτελέσµατα. Τελεστικός ενισχυτής MC741 Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή SR= SR= U O(απαρ) = U O(απαρ) = f p = f p = u (-) = u (-) = f o = f o = A CL(+) = A CL(+) =

36 36 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 6. Να συνδεσµολογηθεί το κύκλωµα του ταλαντωτή WIEN µε στοιχείο αυτόµατης ρύθµισης απολαβής (A.G.C.) λυχνία πυρακτώσεως 12V/32mA χρησιµοποιώντας τον τελεστικό ενισχυτή NE5534. Να ρυθµιστεί ο ταλαντωτής µε το R V1 στο µέγιστο απαραµόφωτο πλάτος εξόδου, να συµπληρωθεί ο παρακάτω πίνακας µετρήσεων και να σχεδιαστεί η κυµατοµορφή εξόδου. Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή U O(P-P) = U O(P-P) = f O = f O = u (-) = u (-) = R V1(SET) = R V1(SET) = A CL(+) = A CL(+) = R Lamp = R Lamp = R k C1 10n +15V C u(+) u(-) U1 NE Uo Probe CH1 C2 10n R k 0 C V RV1 R C3 22p RL 2k 0 CL 100p 12V/36mA L1 L H 0 100Ω Ρύθµιση πλάτους 330Ω PIN2,PIN U2 CA V Probe CH2 +15V Σχήµα 3-2 :Ταλαντωτής WIEN µε AGC λυχνία πυρακτώεσεως

37 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 37 Αντίσταση λυχνίας 12V/36mA Αντίσταση λυχνίας Rl [Ohm] Τάση λυχνίας Vl [Volt]

38 38 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ

39 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Στο κύκλωµα της προηγούµενης παραγράφου να αντικατασταθεί ο τελεστικός ενισχυτής NE5534 µε τον MC741. Ο πυκνωτής αντιστάθµισης C 3 να αφαιρεθεί. Στη συνέχεια να ρυθµιστεί ο ταλαντωτής µε το R V1 για µέγιστο απαραµόρφωτο πλάτος εξόδου. Να συµπληρωθεί ο παρακάτω πίνακας και να σχολιαστούν τα αποτελέσµατα. Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή U O(P-P) = U O(P-P) = f O = f O = u (-) = u (-) = R V1(SET) = R V1(SET) = A cl(+) = A cl(+) = R Lamp = R Lamp =

40 40 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 8. Να σχεδιαστεί και να κατασκευασθεί ταλαντωτής WIEN µε τον τελεστικό ενισχυτή TLC271 χρησιµοποιώντας µονοπολική τροφοδοσία και τα στοιχεία του δικτυώµατος WIEN του αρχικού κυκλώµατος ικανός να δίνει µέγιστο απαραµόρφωτο πλάτος εξόδου U O = 5V P-P τουλάχιστον σε φορτίο 10Κ.

41 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 41 ΑΣΚΗΣΗ 4η ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ ΟΡΓΑΝΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ Παλµογράφος διπλού ίχνους 0-100MHz Cursor Readout HAMEG - HM1004 Ψηφιακό πολύµετρο πάγκου 4½ ψηφίων TOPWARD DM1330 Ψηφιακό πολύµετρο φορητό 3¾ ψηφίων ESCORD EDM169S Ψηφιακή γέφυρα L-C-R φορητή ESCORD - ECL130 Τροφοδοτικό σταθεροποιηµένο 2X0-32V/1A, +5V/1,5A THURLBY THANDAR PL310QMT Γεννήτρια συναρτήσεων 1Hz 2MHz TOPWARD - FG8120 Γεννήτρια παλµών 10Hz 2MHz THURBLY THANDAR TPG110 ΑΝΑΛΩΣΙΜΑ ΥΛΙΚΑ ΑΣΚΗΣΗΣ ΑΝΑΛΩΣΙΜΑ ΥΛΙΚΑ ΑΣΚΗΣΗΣ Τελεστικοί ενισχυτές 1 LM301, 1 TLC271, Αναλογικός συγκριτής 1 LM339 ίοδοι ζένερ 2 4,3V/300mW, ίοδοι σήµατος 2 1N4148 Αντιστάσεις 1/4 Watt/ 1% Πυκνωτές 1Χ1Κ 1Χ10Κ 1X1Κ ποτ. µε άξονα 2Χ0,1µF κερ. 1Χ2,2Κ 2Χ22Κ 1Χ100Κ ποτ. µε άξονα 1X100Κ

42 42 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Όνοµα Επώνυµο Κ.Α.Σ. Εργ. Τµήµα Οµάδα Ηµεροµηνία ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΗ 4 η : ΑΝΑΛΟΓΙΚΟΙ ΣΥΓΚΡΙΤΕΣ ΤΑΣΗΣ Σφραγίδα - Υπογραφή Καθηγητή Εργαστηρίου ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΙΑ ΙΚΑΣΙΑ 1α. Να συνδεσµολογηθεί το πειραµατικό κύκλωµα του µη αναστρέφοντα ανιχνευτή µηδενός του σχήµατος 4-1 και να εφαρµοσθεί στην είσοδο µε τη γεννήτρια συναρτήσεων (FG) ηµιτονική κυµατοµορφή πλάτους U in = 0,5V p-p, συχνότητας f in =100Hz. Από τις µετρήσεις σας να συ- µπληρωθεί ο παρακάτω πίνακας και να σχεδιαστούν οι κυµατοµορφές εισόδου και εξόδου σε χρονικό συσχετισµό (o παλµογράφος σε σύζευξη DC). Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή +V SAT = +V SAT = +V O = +V O = -V SAT = -V SAT = -V O = -V O = +15V C1 0.1uF U1 6 R1 2.2K Vout Vin LM301A DZ1 4V3 C2 0.1uF DZ2 4V3-15V Σχήµα 4-1 : Μη αναστρέφων ανιχνευτής µηδενός

43 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 43 Κυµατοµορφές

44 44 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 1β. Να εφαρµοσθεί στην είσοδο µε τη γεννήτρια συναρτήσεων (FG) τριγωνική κυµατοµορφή πλάτους U in =0,5V p-p, συχνότητας f in =10KHz και να τοποθετηθεί η οριζόντια είσοδος (HOR) του παλµογράφου στην είσοδο του συγκριτή και η κατακόρυφη (VER) στην έξοδο. Στη συνέχεια να τοποθετηθεί ο παλµογράφος σε λειτουργία X-Y και είσοδοί του στο GND. Στην οθόνη τώρα εµφανίζεται µια κηλίδα (Spot) την οποία πρέπει να τοποθετήσετε στο κέντρο της οθόνης. Τοποθετείστε τις εισόδους σε DC σύζευξη και σχεδιάστε το βρόχο υστέρησης του συγκριτή που εµφανίζεται στην οθόνη µε όλα τα στοιχεία του. Στη συνέχεια αυξοµειώστε το πλάτος και τη συχνότητα του τριγωνικού σήµατος και εξηγείστε αυτό που παρατηρείτε. Κυµατοµορφές

45 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 45 2α. Να συνδεσµολογηθεί το πειραµατικό κύκλωµα του αναστρέφοντα ανιχνευτή µηδενός του σχήµατος 4-2 και να εφαρµοσθεί στην είσοδο µε τη γεννήτρια συναρτήσεων (FG) ηµιτονική κυµατοµορφή πλάτους V in =0,5V p-p, συχνότητας f in =100Hz. Από τις µετρήσεις σας να συµπληρωθεί ο παρακάτω πίνακας και να σχεδιαστούν οι κυµατοµορφές εισόδου και εξόδου σε χρονικό συσχετισµό (o παλµογράφος σε σύζευξη DC). Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή +V SAT = +V SAT = +V O = +V O = -V SAT = -V SAT = -V O = -V O = +15V C1 U1 LM301A 7 0.1uF R1 2.2K Vout Vin DZ1 4V3 C2 0.1uF DZ2 4V3-15V Σχήµα 4-2 : Αναστρέφων ανιχνευτής µηδενός Κυµατοµορφές

46 46 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ

47 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 47 2β. Να εφαρµοσθεί στην είσοδο τριγωνική κυµατοµορφή πλάτους U in =0,5V p-p, συχνότητας f in =10KHz και να τοποθετηθεί η οριζόντια είσοδος (HOR) του παλµογράφου στην είσοδο του συγκριτή και η κατακόρυφη (VER) στην έξοδο. Στη συνέχεια να τοποθετηθεί ο παλµογράφος σε λειτουργία X-Y και είσοδοί του στο GND. Στην οθόνη τώρα εµφανίζεται µια κηλίδα (Spot) την οποία πρέπει να τοποθετήσετε στο κέντρο της οθόνης. Τοποθετείστε τις εισόδους σε DC σύζευξη και σχεδιάστε το βρόχο υστέρησης του συγκριτή που εµφανίζεται στην οθόνη µε όλα τα στοιχεία του. Στη συνέχεια αυξοµειώστε το πλάτος και τη συχνότητα του τριγωνικού σήµατος και εξηγείστε αυτό που παρατηρείτε. Κυµατοµορφές

48 48 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 3α. Να συνδεσµολογηθεί το πειραµατικό κύκλωµα του αναστρέφοντα συγκριτή µε υστέρηση του σχήµατος 4-3 και να εφαρµοσθεί στην είσοδο µε τη γεννήτρια συναρτήσεων (FG) ηµιτονική κυµατοµορφή συχνότητας f=100hz, πλάτους V in =10V P-P και µε συνεχή συνιστώσα V DC =5V. Από τις µετρήσεις σας να συµπληρωθεί ο παρακάτω πίνακας και να σχεδιαστούν οι κυµατοµορφές εισόδου και εξόδου σε χρονικό συσχετισµό.(o παλµογράφος σε σύζευξη DC). R P1 =1Κ SET=0,5 R P1 =100Κ SET=0,5 Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή V UTP = V UTP = V UTP = V UTP = V LTP = V LTP = V LTP = V LTP = V HYS = V HYS = V HYS = V HYS = +12V P1 1K SET = Vth R1 22k R2 100k 0 +12V 7 U1 TLC271H V+ V BIAS OUT N2 N1 Vout Vin Σχήµα 4-3 : Αναστρέφων συγκριτής µε υστέρηση 0

49 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 49 Κυµατοµορφές

50 50 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 3β. Nα εφαρµοσθεί στην είσοδο µε τη γεννήτρια συναρτήσεων (FG) τριγωνική κυµατοµορφή συχνότητας f=100hz, πλάτους U in =10V P-P και µε συνεχή συνιστώσα V DC =5V. Να τοποθετηθεί ο παλµογράφος σε λειτουργία X-Y και είσοδοί του στο GND. Στην οθόνη τώρα εµφανίζεται µια κηλίδα (Spot) την οποία πρέπει να τοποθετήσετε στο κέντρο της οθόνης. Τοποθετείστε τις εισόδους στο DC και παρατηρείστε τη µεταβολή των κατωφλίων και της υστέρησης σε σχέση µε τη θέση κ και για τις δύο τιµές του ποτενσιόµετρου (100Κ και 1Κ). Εξηγείστε αυτό που παρατηρείτε. Στη συνέχεια σχεδιάστε το βρόχο υστέρησης του συγκριτή µε όλα τα στοιχεία του για τη θέση κ=0,5 και R P1 =1Κ. Βρόχος Υστέρησης

51 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 51 4α. Να συνδεσµολογηθεί το πειραµατικό κύκλωµα του µη αναστρέφοντα συγκριτή µε υστέρηση του σχήµατος 4-4 και να να εφαρµοσθεί στην είσοδο µε τη γεννήτρια συναρτήσεων (FG) ηµιτονική κυµατοµορφή συχνότητας f=100hz, πλάτους U in =10V P-P και µε συνεχή συνιστώσα V DC =5V. Από τις µετρήσεις σας να συµπληρωθεί ο παρακάτω πίνακας και να σχεδιαστούν οι κυµατοµορφές εισόδου και εξόδου σε χρονικό συσχετισµό για τη θέση κ=0,5 (o παλµογράφος σε σύζευξη DC). Θέση P1 SET=0,5 Θέση P1 SET=0,8 Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή V UTP = V UTP = V UTP = V UTP = V LTP = V LTP = V LTP = V LTP = V HYS = V HYS = V HYS = V HYS = R1 R2 22k 100k Vin +12V R3 1k P1 1K SET = V 7 V+ V- 4 BIAS U1 TLC OUT 5 N2 1 N1 Vout 0 Σχήµα 4-4 : Μη αναστρέφων συγκριτής µε υστέρηση

52 52 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Κυµατοµορφές

53 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 53 4β. Nα εφαρµοσθεί στην είσοδο µε τη γεννήτρια συναρτήσεων (FG) τριγωνική κυµατοµορφή συχνότητας f=100hz, πλάτους U in =10V P-P και µε συνεχή συνιστώσα V DC =5V. Να τοποθετηθεί ο παλµογράφος σε λειτουργία X-Y και είσοδοί του στο GND. Στην οθόνη τώρα εµφανίζεται µια κηλίδα (Spot) την οποία πρέπει να τοποθετήσετε στο κέντρο της οθόνης. Τοποθετείστε τις εισόδους στο DC και παρατηρείστε τη µεταβολή των κατωφλίων και της υστέρησης σε σχέση µε τη θέση κ του ποτενσιόµετρου. Εξηγείστε αυτό που παρατηρείτε. Στη συνέχεια σχεδιάστε το βρόχο υστέρησης του συγκριτή που εµφανίζεται στην οθόνη για τη θέση κ=0,5 µε όλα τα στοιχεία του. Βρόχος υστέρησης

54 54 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 5α. Να συνδεσµολογηθεί το πειραµατικό κύκλωµα του συγκριτή παραθύρου µε Τ.Ε. του σχήµατος 4-5 και να να εφαρµοσθεί στην είσοδο µε τη γεννήτρια συναρτήσεων (FG) ηµιτονική κυµατοµορφή συχνότητας f=100 Hz,πλάτους U in =4V P-P και µε συνεχή συνιστώσα V DC =2,75V. Από τις µετρήσεις σας να συµπληρωθεί ο παρακάτω πίνακας και να σχεδιαστούν οι κυµατο- µορφές εισόδου και εξόδου (2V/div και στα δύο κανάλια) σε χρονικό συσχετισµό µε τον παλµογράφο σε σύζευξη DC. ίνονται : V D1 =V D2 =0,65V Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή V out(high) = V out(high) = V UTP = V UTP = V out(low) = V out(low) = V LTP = V LTP = V WIN = V WIN = +12V +12V C1 0.1 κερ. R1 100K V U2 TLC271 D1 1N4148 R4 10K Vout R2 22K V Vin 7 8 R3 22K U1 TLC271 D2 1N4148 Σχήµα 4-5 : Συγκριτής παραθύρου µε τελεστικό ενισχυτή

55 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 55 Κυµατοµορφές

56 56 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 5β. Nα εφαρµοσθεί στην είσοδο µε τη γεννήτρια συναρτήσεων (FG) τριγωνική κυµατοµορφή συχνότητας f=100hz, πλάτους V in =4V P-P και µε συνεχή συνιστώσα V DC =2,7V. Να τοποθετηθεί ο παλµογράφος σε λειτουργία X-Y και είσοδοί του στο GND. Στην οθόνη τώρα εµφανίζεται µια κηλίδα (Spot) την οποία πρέπει να τοποθετήσετε στο κέντρο της οθόνης. Τοποθετείστε τις εισόδους σε σύζευξη DC και σχεδιάστε το παράθυρο του συγκριτή που εµφανίζεται στην οθόνη µε όλα τα στοιχεία του. Παράθυρο συγκριτή

57 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 57 6α. Να συνδεσµολογηθεί το πειραµατικό κύκλωµα του συγκριτή παραθύρου του σχήµατος 4-6 και να εφαρµοσθεί στην είσοδο ηµιτονική κυµατοµορφή συχνότητας f=100hz, πλάτους U in =4V P-P και µε συνεχή συνιστώσα V DC =2,75V. Από τις µετρήσεις σας να συµπληρωθεί ο παρακάτω πίνακας και να σχεδιαστούν οι κυµατοµορφές εισόδου και εξόδου (2V/div και στα δύο κανάλια) σε χρονικό συσχετισµό µε τον παλµογράφοςσε σύζευξη DC. Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή V out(high) = V out(high) = V UTP = V UTP = V out(low) = V out(low) = V LTP = V LTP = V WIN = V WIN = +12V +12V C1 0.1 κερ. R1 100K 7 6 U1B LM339 1 R4 10K Vout R2 22K +12V Vin U1A LM339 2 R3 22K 12 Σχήµα 4-6: Συγκριτής παραθύρου µε αναλογικό συγκριτή

58 58 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Κυµατοµορφές

59 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 59 6β. Nα εφαρµοσθεί στην είσοδο µε τη γεννήτρια συναρτήσεων (FG) τριγωνική κυµατοµορφή συχνότητας f=100hz, πλάτους U in =4V P-P και µε συνεχή συνιστώσα V DC =2,75. Να τοποθετηθεί ο παλµογράφος σε λειτουργία X-Y και είσοδοί του στο GND. Στην οθόνη τώρα εµφανίζεται µια κηλίδα (Spot) την οποία πρέπει να τοποθετήσετε στο κέντρο της οθόνης. Τοποθετείστε τις εισόδους στο DC και σχεδιάστε το παράθυρο του συγκριτή που εµφανίζεται στην οθόνη µε όλα τα στοιχεία του. Παράθυρο συγκριτή

60 60 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ ΛΕΥΚΗ ΣΕΛΙ Α

61 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 61 ΟΡΓΑΝΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΑΣΚΗΣΗ 5 η ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ Παλµογράφος διπλού ίχνους 0-40MHz Cursor Readout HAMEG HM407 Ψηφιακό πολύµετρο πάγκου 4½ ψηφίων TOPWARD DM1330 Ψηφιακό πολύµετρο φορητό 3 ψηφίων ESCORD EDM169S Ψηφιακή γέφυρα L-C-R φορητή ESCORD - ECL130 Τροφοδοτικό σταθεροποιηµένο 2X0-32V/1A, +5V/1,5A THURLBY THANDAR PL310QMT Γεννήτρια συναρτήσεων 1Hz 2MHz TOPWARD - FG8120 Γεννήτρια παλµών 10Hz 2MHz THURBLY THANDAR TPG110 ΑΝΑΛΩΣΙΜΑ ΥΛΙΚΑ ΑΣΚΗΣΗΣ Τελεστικοί ενισχυτές 2 TLC271 Τρανζίστορ BJT 2N3904 Αντιστάσεις 1/4 Watt/ 1% Πυκνωτές 1Χ180Ω 15Χ100Κ 1X1K ποτ. mt 1Χ100pF 2X0,1µF κερ. 2Χ10Κ 1Χ150Κ 1X390pF C1 390pF Vt +12V Ω R Τάση ελέγχου Vc R1 100K U1 TLC U2 TLC271 6 Vs Rp 1Κ mt R2 100Κ R2 100Κ 0.5R1 50Κ +12V C2 R3 200K R3 200K 0.5R3 100K TR 2N pF R4 10K Σχήµα 5-1 : Πειραµατικό κύκλωµα ταλαντωτή ελεγχόµενου µε τάση (V.C.O)

62 62 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Όνοµα Επώνυµο Κ.Α.Σ. Εργ. Τµήµα Οµάδα Ηµεροµηνία ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΗ 5 η : ΤΑΛΑΝΤΩΤΗΣ ΕΛΕΓΧΟΜΕΝΟΣ ΜΕ ΤΑΣΗ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΙΑ ΙΚΑΣΙΑ Σφραγίδα - Υπογραφή Καθηγητή Εργαστηρίου 1. Να συνδεσµολογηθεί το πειραµατικό κύκλωµα του ταλαντωτή που ελέγχεται µε τάση του σχ.5-1 και ρυθµιστεί η τάση ελέγχου V C =1V ακριβώς. Να σχεδιαστούν οι κυµατοµορφές V s και V t σε χρονικό συσχετισµό, να συµπληρωθεί ο πίνακας και να σηµειωθούν οι παρατηρήσεις σας. Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή V s(p-p) = V s(p-p) = V UTP = V UTP = V t(p-p) = V t(p-p) = V LTP = V LTP = V OH =10,5V V OH = V HYS = V HYS = V OL = 0V V OL = t c = t c = V CEsat =25mV V CEsat = t d = t d = I c = I c = T= T= I d = I d = f = f = Κυµατοµορφές

63 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 63

64 64 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 2. Να δοθούν τιµές V C από 0V έως 10V µε βήµα 1V και να συµπληρωθεί ο παρακάτω πίνακας τιµών. Με τα πειραµατικά αποτελέσµατα να παρασταθεί γραφικά η f(v C ) στους ίδιους ά- ξονες µε την θεωρητική γραφική παράσταση. Από τα αποτελέσµατα αυτά να υπολογιστεί το ελάχιστο και µέγιστο σφάλµα του ταλαντωτή. Αιτιολογείστε τα αποτελέσµατά σας. Η θεωρητική γραφική παράσταση να γίνει µε την κανονική σχέση και όχι µε την προσεγγιστική. V C 0V 1V 2V 3V 4V 5V 6V 7V 8V 9V 10V f (θεωρ) f (πειρ)

65 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Με την κατάλληλη συνδεσµολογία και ρυθµίσεις του παλµογράφου να σχεδιαστεί µε όλα τα στοιχεία του ο βρόχος υστέρησης του συγκριτή U 2 για V C =1V. Στη συνέχεια αυξήστε σιγάσιγά την τάση ελέγχου µέχρι τα 10V. Εξηγείστε αυτά που παρατηρείτε στο βρόχο υστέρησης.

66 66 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 4. Να διπλασιαστεί η αντίσταση R 2 που συνδέεται στην ακίδα 3 και GND του ολοκληρωτή. Για τάση ελέγχου V C =1V σχεδιάστε και σχολιάστε τις νέες κυµατοµορφές.

67 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Τοποθετείστε στο αρχικό κύκλωµα την ακίδα 8 του συγκριτή U 2 στην τάση τροφοδοσίας και σχεδιάστε τις κυµατοµορφές V s και V t σε χρονικό συσχετισµό. Εξηγείστε αυτά που παρατηρείτε στις κυµατοµορφές.

68 68 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 6. Να αντικατασταθεί η αντίσταση συλλέκτη του τρανζίστορ TR µε 10Κ και 150Κ αντίστοιχα και εξηγήσετε αυτά που παρατηρείτε.

69 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Να τροποποιηθεί το κύκλωµα του ολοκληρωτή όπως φαίνεται στο σχ. 5-2 και να υπολογιστεί η συχνότητα του ταλαντωτή για τάση ελέγχου V C =1V. Να σχολιαστούν οι διαφορές που παρατηρείτε σε σχέση µε το αρχικό κύκλωµα. C1 390pF +Vc R2 100Κ R1 66,66K R1 66,66K U1 TLC R2 50Κ TR 2N3904 R4 10K Σχήµα 5-2: τροποποιηµένο κύκλωµα ταλαντωτή ελεγχόµενου µε τάση (V.C.O.)

70 70 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ

71 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Να δοθούν τιµές V C από 0V έως 10V µε βήµα 1V και να συµπληρωθεί ο παρακάτω πίνακας τιµών. Με τα πειραµατικά αποτελέσµατα να παρασταθεί γραφικά η f(v c ) στους ίδιους ά- ξονες µε την θεωρητική γραφική παράσταση. Από τα αποτελέσµατα αυτά να υπολογιστεί το ελάχιστο και µέγιστο σφάλµα του ταλαντωτή. Αιτιολογείστε τα αποτελέσµατά σας. V C 0V 1V 2V 3V 4V 5V 6V 7V 8V 9V 10V f (θεωρ) f (πειρ)

72 72 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 9. Να τοποθετηθεί η αντίσταση 0,5R 2 =100K στον τροποποιηµένο ταλαντωτή και να σχολιαστούν τα αποτελέσµατα.

73 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Από τα αποτελέσµατα των µετρήσεών σας εξηγείστε ποια από τις δύο συνδεσµολογίες του ταλαντωτή V.C.O πλεονεκτεί.

74 74 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ ΛΕΥΚΗ ΣΕΛΙ Α

75 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 75 ΟΡΓΑΝΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΑΣΚΗΣΗ 6 η ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ Παλµογράφος διπλού ίχνους 0-40MHz Cursor Readout HAMEG HM407 Ψηφιακό πολύµετρο πάγκου 4½ ψηφίων TOPWARD DM1330 Ψηφιακό πολύµετρο φορητό 3 ψηφίων ESCORD EDM169S Ψηφιακή γέφυρα L-C-R φορητή ESCORD - ECL130 Τροφοδοτικό σταθεροποιηµένο 2X0-32V/1A, +5V/1,5A THURLBY THANDAR L310QMT Γεννήτρια συναρτήσεων 1Hz 2MHz TOPWARD - FG8120 Γεννήτρια παλµών 10Hz 2MHz THURBLY THANDAR TPG110 ΑΝΑΛΩΣΙΜΑ ΥΛΙΚΑ ΑΣΚΗΣΗΣ Χρονιστές 1 LM555 και 1 LMC555 ίοδος σήµατος 1 1N4148 Τρανζίστορ PNP 1 2Ν3906 και NPN 1 2N3904 ίοδος ζένερ 1 2,7V/250mW Αντιστάσεις 1/4 Watt/ 1% Πυκνωτές 2X220Ω 1Χ1Μ 1Χ1nF 1X27nF 1X1K 1X15M 1X10nF 1X0,1 µf κεραµ. 3Χ10Κ 1X10K ποτ. 2Χ22Κ 1X220K ποτ. 1Χ56Κ Vcc=+12V +12V C2 0.1µF/κερ. Πηγή ρεύµατος +12V 0V TR Ct 1nF Rt 10K D1 1N R TRIG CVolt 8 VCC GND U1 555 Q DIS THR R 22K Vout RL1 220Ω RL2 220Ω 1K 2,7V 250mW TR 2N3906 RV 10Κ 1 C1 10nF/κερ. C 27nF PIN 6,7,Cap.C (α) (β) Σχήµα 6-1 : Πειραµατικό κύκλωµα µονοσταθή πολυδονητή µε το 555

76 76 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΗ 6 η : ΜΟΝΟΣΤΑΘΗΣ ΠΟΛΥ ΟΝΗΤΗΣ ΜΕ ΤΟ 555 Όνοµα Επώνυµο Κ.Α.Σ. Εργ. Τµήµα Οµάδα Ηµεροµηνία ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΙΑ ΙΚΑΣΙΑ Σφραγίδα - Υπογραφή Καθηγητή Εργαστηρίου 1. Να συνδεσµολογηθεί το πειραµατικό κύκλωµα του µονοσταθή πολυδονητή µε το 555 του σχήµατος 6-1 και να επαληθευτεί πειραµατικά η µόνιµη κατάσταση του κυκλώµατος. Στη συνέχεια να εφαρµοστεί στο κύκλωµα παλµός διέγερσης πλάτους V tr =12V, συχνότητας f=1khz µε DC=10%. Χωρίς να συνδέσετε φορτίο στην έξοδο να σχεδιαστούν οι κυµατοµορφές σκανδαλισµού, ακίδας 2, ακίδας 6 και 3 σε χρονικό συσχετισµό, και να συµπληρωθεί ο πίνακας. Όπου χρειάζεται να σχολιασθούν τα αποτελέσµατα. Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή t p = t p = V out = V out = V thr = V thr = V cvolt = V cvolt = Κυµατοµορφές

77 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 77

78 78 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 2. Να αντικατασταθεί το διπολικό 555 (LM555) µε CMOS 555 (LMC555) και να επαναληφθεί η διαδικασία της προηγουµένης παραγράφου. Να σχολιασθούν τα αποτελέσµατα των µετρήσεων. Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή t p = t p = V out = V out = V thr = V thr = V cvolt = V cvolt =

79 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Να µειωθεί σιγά-σιγά το πλάτος του παλµού σκανδαλισµού V tr µέχρις ότου η έξοδος του πολυδονητή έρθει στη µόνιµη κατάσταση και να σηµειωθεί αυτό το πλάτος. Η διαδικασία να γίνει και για τους δύο τύπους του 555. Ποια είναι τα συµπεράσµατά σας;

80 80 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 4. Να συνδεθεί το φορτίο R L1 και R L2 και να σηµειωθούν οι τιµές V OH και V OL και στις δύο περιπτώσεις. Σχολιάστε τα αποτελέσµατα των µετρήσεών σας. Για το φορτίο R L1 (Sink) Για το φορτίο R L2 (Source) Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή V OH = V OH = V OH = V OH = V OL = V OL = V OL = V OL =

81 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Να αποσυνδεθεί ο πυκνωτής C 1 και να συνδεθεί η ακίδα 5 δια µέσου αντίστασης 10K σε τάση +V C. Να υπολογιστούν, η τάση στην ακίδα 5 και η διάρκεια παλµού εξόδου, για τις τιµές που φαίνονται στον παρακάτω πίνακα. Να σχολιασθούν τα αποτελέσµατά σας. Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή V C =2V V pin5 = t P = V C =2V V pin5 = t P = V C =4V V pin5 = t P = V C =4V V pin5 = t P = V C =6V V pin5 = t P = V C =6V V pin5 = t P = V C =8V V pin5 = t P = V C =8V V pin5 = t P = V C =10V V pin5 = t P = V C =10V V pin5 = t P = V C =12V V pin5 = t P = V C =12V V pin5 = t P =

82 82 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 6. Να αντικατασταθεί το διπολικό 555 µε CMOS 555. Να συνδεθεί στην τώρα στην ακίδα 5 και κοινό ροοστάτης 220Κ. Να υπολογιστούν οι τιµές της διάρκειας του παλµού εξόδου για τιµές κ από µηδέν έως ένα µε βήµα 0,2 και να συµπληρωθεί ο παρακάτω πίνακας. Να σχολιασθούν τα αποτελέσµατά σας. Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή κ=0,0 V pin5 = t P = κ=0,0 V pin5 = t P = κ=0,2 V pin5 = t P = κ=0,2 V pin5 = t P = κ=0,4 V pin5 = t P = κ=0,4 V pin5 = t P = κ=0,6 V pin5 = t P = κ=0,6 V pin5 = t P = κ=0,8 V pin5 = t P = κ=0,8 V pin5 = t P = κ=1,0 V pin5 = t P = κ=1,0 V pin5 = t P =

83 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Να τοποθετηθεί αντίσταση 22Κ παράλληλα προς τον πυκνωτή C και να αιτιολογηθούν τα αποτελέσµατα στο κύκλωµα. Να επαναληφθεί η διαδικασία για αντίσταση 56Κ. Κυµατοµορφές

84 84 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 8. Να αποσυνδεθεί η αντίσταση R και να στη θέση της να συνδεθεί η πηγή ρεύµατος του σχήµατος 6-9β αφού πρώτα υπολογισθεί και τοποθετηθεί η τιµή της αντίστασης RV set για διάρκεια παλµού εξόδου t p ίση µε τον χρόνο της παραγράφου 1. Στη συνέχεια να επαναληφθεί η διαδικασία της παραγράφου 1. Εξηγείστε τις διαφορές καθώς τα πλεονεκτήµατα και µειονεκτήµατα των δύο κυκλωµάτων. ίνεται για το τρανζίστορ της πηγής ρεύµατος ότι h FE =180. Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή t p = t p = V out = V out = RV set = RV set = V cvolt = V cvolt = Κυµατοµορφές

85 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 85

86 86 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ ΛΕΥΚΗ ΣΕΛΙ Α

87 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 87 ΟΡΓΑΝΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΑΣΚΗΣΗ 7 η ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ Παλµογράφος διπλού ίχνους 0-40MHz Cursor Readout HAMEG HM407 Ψηφιακό πολύµετρο πάγκου 4½ ψηφίων TOPWARD DM1330 Ψηφιακό πολύµετρο φορητό 3 ψηφίων ESCORD EDM169S Ψηφιακή γέφυρα L-C-R φορητή ESCORD - ECL130 Τροφοδοτικό σταθεροποιηµένο 2X0-32V/1A, +5V/1,5A THURLBY THANDAR PL310QMT Γεννήτρια συναρτήσεων 1Hz 2MHz TOPWARD - FG8120 Γεννήτρια παλµών 10Hz 2MHz THURBLY THANDAR TPG110 ΑΝΑΛΩΣΙΜΑ ΥΛΙΚΑ ΑΣΚΗΣΗΣ Χρονιστές BJT 1 LM555 και C-MOS 1 LMC555 ίοδοι σήµατος 2 1N4148 Τρανζίστορ JFET 2 2N3819 Αντιστάσεις 1/4 Watt/ 1% Πυκνωτές 3X1Κ 2Χ47Κ 1Χ1nF πολυστερίνης 2Χ10Κ 2X100K 2X10nF πολυστερίνης 1Χ47Κ ποτ. τρίµερ 2X100K ποτ. τρίµερ 1Χ0,1µF κερ. Vcc=+12V 8 U1 555 R1 47K+1K C3 0.1µF κερ. 4 R VCC Q 3 Vout 2 TRIG DIS 7 5 CVolt GND THR 6 R2 47K+1K 1 C2 10nF C1 10nF Σχήµα 7-1 : Πειραµατικό κύκλωµα ασταθή πολυδονητή µε το 555

88 88 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Όνοµα Επώνυµο Κ.Α.Σ. Εργ. Τµήµα Οµάδα Ηµεροµηνία ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΗ 7 η : ΑΣΤΑΘΗΣ ΠΟΛΥ ΟΝΗΤΗΣ ΜΕ ΤΟ 555 ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΙΑ ΙΚΑΣΙΑ Σφραγίδα - Υπογραφή Καθηγητή Εργαστηρίου 1. Να συνδεσµολογηθεί το πειραµατικό κύκλωµα του ασταθή πολυδονητή µε το διπολικό 555 του σχήµατος 7-1 και να σχεδιαστούν σε χρονικό συσχετισµό οι κυµατοµορφές στις ακίδες 3, 2 και 7 µε όλα τα στοιχεία που τις καθορίζουν. Να επαναληφθεί ή ίδια διαδικασία µε το C-MOS 555, και να συµπληρωθεί ο παρακάτω πίνακας. Να γίνει σύγκριση και αιτιολόγηση των σφαλµάτων συχνότητας για τις δύο τιµές των πυκνωτών και τις δύο οικογένειες των ολοκληρωµένων κυκλωµάτων µε την µετρηθείσα µε τη γέφυρα L-C-R τιµή του πυκνωτή χρονισµού. Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή BJT 555 BJT 555 C-MOS 555 C-MOS 555 C 1 =10nF C 1 =1nF C 1 =10nF C 1 =1nF C 1 =10nF C 1 =1nF C 1 =10nF C 1 =1nF t 1 = t 1 = t 1 = t 1 = t 1 = t 1 = t 1 = t 1 = t 2 = t 2 = t 2 = t 2 = t 2 = t 2 = t 2 = t 2 = Τ= Τ= Τ= Τ= Τ= Τ= Τ= Τ= f= f= f= f= f= f= f= f= Κυµατοµορφές

89 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 89

90 90 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 2. Με κατάλληλη συνδεσµολογία δύο διόδων σήµατος 1N4148 στο κύκλωµα του πειράµατος να πετύχετε κύκλο εργασίας 50%. Να σχεδιαστούν οι νέες κυµατοµορφές και να σχολιασθεί το αποτέλεσµα. ίνεται V D =0,6V. Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή t 1 = t 1 = f= f= t 2 = t 2 = DC%= DC%= T= T= V Cvolt = V Cvolt =

91 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Να τροποποιηθεί το κύκλωµα όπως φαίνεται στο σχήµα 7-2. Να υπολογιστεί η τιµή του ροοστάτη R V1 για να έχουµε κύκλο εργασίας 50%. Να γίνει το πειραµατικό κύκλωµα και να συµπληρωθεί ο παρακάτω πίνακας. Να σχολιαστούν τα αποτελέσµατα. Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή t 1 = t 1 = f= f= t 2 = t 2 = DC%= DC%= T= T= R V1(set) = R V1(set) = +12V R1 47k+1k 8 U1 555B R5 1k C4 0.1uF 0 RV1 47k VCC TRIGGER RESET OUTPUT CONTROL THRESHOLD DISCHARGE GND 3 Vout 1 C1 10n R2 10k 0 Σχήµα 7-2

92 92 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ

93 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Να συνδεθεί αντίσταση 10Κ από την ακίδα 5 στην τροφοδοσία. Από τα αποτελέσµατα των µετρήσεων να συµπληρωθεί ο παρακάτω πίνακας και να σχολιαστούν τα αποτελέσµατα. Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή t 1 = t 1 = f= f= t 2 = t 2 = DC%= DC%= T= T= V cvolt = V cvolt =

94 94 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 5. Να επαναληφθεί η διαδικασία της προηγούµενης παραγράφου µε το C-MOS 555 και αντίσταση από την ακίδα 5 στην τροφοδοσία 100Κ. Να συγκριθούν τα αποτελέσµατα των µετρήσεων για τους δύο τύπους του 555 και να σχολιασθούν οι διαφορές τους. Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή t 1 = t 1 = f= f= t 2 = t 2 = DC%= DC%= T= T= V cvolt = V cvolt =

95 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Να τροποποιηθεί το κύκλωµα όπως φαίνεται στο σχήµα 7-3. Να συµπληρωθεί ο παρακάτω πίνακας και να αιτιολογηθούν οι διαφορές τους. Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή BJT 555 BJT 555 C-MOS 555 C-MOS 555 C 1 =10nF C 1 =1nF C 1 =10nF C 1 =1nF C 1 =10nF C 1 =1nF C 1 =10nF C 1 =1nF t 1 = t 1 = t 1 = t 1 = t 1 = t 1 = t 1 = t 1 = t 2 = t 2 = t 2 = t 2 = t 2 = t 2 = t 2 = t 2 = Τ= Τ= Τ= Τ= Τ= Τ= Τ= Τ= f= f= f= f= f= f= f= f= +12V C4 0.1uF R1 47k+1k R2 47k+1k VCC TRIGGER RESET OUTPUT CONTROL THRESHOLD DISCHARGE GND U1 555B or 555C 3 0 Vout 1 C1 10n C2 10n 0 Σχήµα 7-3

96 96 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ

97 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Να υπολογιστεί η τιµή της τάσης V C που πρέπει να εφαρµοστεί στην ακίδα 5 δια µέσου αντίστασης 10Κ προκειµένου να πετύχουµε κύκλο εργασίας 50%. Θεωρητική τιµή V c = V c = t 1= t 1= t 2 = t 2 = T= T= DC= DC= Πειραµατική τιµή

98 98 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 8. Να συνδεσµολογηθεί το κύκλωµα του σχήµατος 7-4. Να υπολογιστούν οι τιµές RV1 SET και RV2 SET, όταν στην έξοδο θέλουµε να έχουµε συχνότητα f=1κηz µε DC=50%. Να σχεδιαστούν οι κυµατοµορφές εξόδου (ακίδα 3) και πυκνωτή χρονισµού (ακίδα 2,6) σε χρονικό συσχετισµό και να σχολιαστούν τα αποτελέσµατα. Για το JFET 2N3819 δίνεται : I DSS =12mA,, V P =-2,9V. Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή t 1 = t 1 = DC% = DC% = t 2 = t 2 = RV1 SET = RV1 SET = T= T= RV2 SET = RV2 SET = f = f = V out = V out = +12V J1 J2N3819 RV1 100k R1 1k J2 J2N3819 RV2 R U1 555B VCC TRIGGER RESET OUTPUT CONTROL THRESHOLD DISCHARGE GND 3 R4 1k C4 0.1uF 0 Vout 100k 1k C2 10n C1 10n 0 Σχήµα 7-4

99 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 99 ΑΣΚΗΣΗ 8 η ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ ΟΡΓΑΝΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ Παλµογράφος διπλού ίχνους 0-40MHz Cursor Readout HAMEG HM407 Ψηφιακό πολύµετρο πάγκου 4½ ψηφίων TOPWARD DM1330 Ψηφιακό πολύµετρο φορητό 3 ψηφίων ESCORD EDM169S Ψηφιακή γέφυρα L-C-R φορητή ESCORD - ECL130 Τροφοδοτικό σταθεροποιηµένο 2X0-32V/1A, +5V/1,5A THURLBY THANDAR PL310QMT Γεννήτρια συναρτήσεων 1Hz 2MHz TOPWARD - FG8120 Γεννήτρια παλµών 10Hz 2MHz THURBLY THANDAR TPG110 ΑΝΑΛΩΣΙΜΑ ΥΛΙΚΑ ΑΣΚΗΣΗΣ Τελεστικοi ενισχυτές 1 LF411 και 1 LM301A Ζένερ 2 4,3V/250mW ίοδοι 8 1Ν4148 Αντιστάσεις 1/4 Watt / 1% 1X560Ω 4Χ100K 1X1nF πολυστ. 1X1K 1X1K ποτ. mt 2Χ100nF κεραµ. 3Χ4,7Κ 1X22K τρίµερ 3Χ10Κ 1X100K τρίµερ Πυκνωτές R2 +15V 100nF 100nF -15V 10K R3 Vsqr 10K+10K C1 Vtrg V 7-15V 4 1 U1 LM301A 5 6 R4 560Ω DZ1 4.3V/250mW DZ2 4.3V/250mW P1 1K mt R1 100K V V 1nF U2 LF D1 D1-D6 1N4148 P2 22K TR D2 RV1 R5 1K Vsin D3 D5 D4 D6 100K TR Σχήµα 8-1: Πειραµατικό κύκλωµα γεννήτριας συναρτήσεων (F.G.)

100 100 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Όνοµα Επώνυµο Κ.Α.Σ. Εργ. Τµήµα Οµάδα Ηµεροµηνία ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΗ 8 η : ΓΕΝΝΗΤΡΙΕΣ ΣΥΝΑΡΤΗΣΕΩΝ (FG) ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΙΑ ΙΚΑΣΙΑ Σφραγίδα - Υπογραφή Καθηγητή Εργαστηρίου 1. Να συνδεσµολογηθεί το πειραµατικό κύκλωµα της γεννήτριας συναρτήσεων (FG) του σχ. 8-1και να τοποθετηθεί ο δροµέας του ποτενσιόµετρου στη θέση κ=0,5. Αποσυνδέστε το R V1 και µε το ποτενσιόµετρο P 2 να ρυθµιστεί η γεννήτρια στο µέγιστο απαραµόρφωτο ηµιτονικό πλάτος. Στη συνέχεια συνδέστε το R V1 και µ αυτό ρυθµίστε την κορυφή του ηµίτονου για την µικρότερη και πάλι αρµονική παραµόρφωση Mε τις µετρήσεις σας να συµπληρωθεί ο πίνακας και να σχεδιαστούν οι κυµατοµορφές V sqr, V trq και V sin σε χρονικό συσχετισµό µε όλα τα στοιχεία που τις καθορίζουν. Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Ι C = Ι C = t D = t D = Ι D = Ι D = T= T= V UTP = V UTP = f= f= V LTP = V LTP = V sqr = V sqr = V HYS = V HYS = V trq = V trq = t C = t C = V sin = V sin = Κυµατοµορφές

101 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 101

102 102 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 2. Να παρασταθεί γραφικά η f(κ) από τις τιµές του παρακάτω πίνακα και να σηµειωθούν οι παρατηρήσεις σας. κ θεωρ. 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 f θεωρ. f πειρ.

103 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Να τοποθετηθεί παράλληλα προς την αντίσταση R 1 δίοδος σήµατος 1Ν4148 µε την άνοδο στη µεσαία λήψη του P 1 και να σχεδιαστούν οι κυµατοµορφές εξόδου του συγκριτή και ολοκληρωτή σε χρονικό συσχετισµό, για τη θέση κ=0,5 του P 1. Να υπολογιστεί η συχνότητα και το πλάτος αυτών των κυµατοµορφών και να συγκριθούν µε τις πειραµατικές τιµές. Να σχολιάσετε το αποτέλεσµα αυτής της συνδεσµολογίας. ίνονται: V D =0,58V και I D =0,61mA. Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή Θεωρητική τιµή Πειραµατική τιµή V trq = V trq = T= T= V sqr = V sqr = f= f= Κυµατοµορφές

104 104 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 4. Να τροποποιηθεί το κύκλωµα έτσι ώστε η τετραγωνική κυµατοµορφή να έχει DC=33,33% µε το ίδιο πλάτος και την ίδια συχνότητα εξόδου. Να σηµειωθούν οι υπολογισµοί σας και να σηµειωθούν τα πειραµατικά σας αποτελέσµατα. ίνεται η πτώση τάσης των διόδων σήµατος πυριτίου V D = 0,45V. Κυµατοµορφές

105 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Να αποσυνδεθεί το άκρο του P 2 που συνδέεται στη γείωση και να εξηγηθεί το αποτέλεσµα στην ηµιτονική κυµατοµορφή.

106 106 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 6. Να αποσυνδεθεί η αντίσταση R 3 από το κοινό σηµείο R 4, P 1, DZ 1 και να συνδεθεί στην έ- ξοδο του συγκριτή U1 και για τη θέση του ποτενσιόµετρου κ=0,5 να σχεδιαστούν οι κυµατο- µορφές εξόδου. Να συγκριθούν και να σχολιασθούν τα αποτελέσµατα σε σχέση µ αυτά της παραγράφου 1. Κυµατοµορφές

107 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Να αποσυνδεθούν οι δίοδοι ζένερ από το κύκλωµα, να ρυθµισθεί ο σχηµατοποιητής για το καλύτερο ηµίτονο και να σηµειωθούν οι παρατηρήσεις σας. Πρέπει να αναφερθείτε σε όλες τις κυµατοµορφές.

108 108 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 8. Ποια θα είναι τα αποτελέσµατα στη γεννήτρια συναρτήσεων αν σε σειρά µε την αντίσταση R 3 συνδεθεί δίοδος 1Ν4148 µα την κάθοδο στην αντίσταση R 4. Κυµατοµορφές

109 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Ποια θα είναι τα αποτελέσµατα στη γεννήτρια συναρτήσεων όταν η αντίσταση R 3 αποσυνδεθεί από το κοινό σηµείο R 4, P 1, DZ 1 και συνδεθεί στη µεσαία λήψη του ποτενσιόµετρου P1. Να µεταβληθεί η τιµή κ του ποτενσιόµετρου και να παρατηρηθούν οι κυµατοµορφές. Να σχολιασθούν τα αποτελέσµατα.

110 110 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 10. Ποια είναι η βλάβη στη γεννήτρια συναρτήσεων όταν έχουµε τις παρακάτω τις παρακάτω κυµατοµορφές εξόδου. Αιτιολογείστε την απάντησή σας.

111 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 111 ΑΣΚΗΣΗ 9 η ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ ΟΡΓΑΝΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ Παλµογράφος διπλού ίχνους 0-40MHz Cursor Readout HAMEG HM407 Ψηφιακό πολύµετρο πάγκου 4½ ψηφίων TOPWARD DM1330 Ψηφιακό πολύµετρο φορητό 3 ψηφίων ESCORD EDM169S Ψηφιακή γέφυρα L-C-R φορητή ESCORD - ECL130 Τροφοδοτικό σταθεροποιηµένο 2X0-32V/1A, +5V/1,5A THURLBY THANDAR L310QMT Γεννήτρια συναρτήσεων 1Hz 2MHz TOPWARD - FG8120 Γεννήτρια παλµών 10Hz 2MHz THURBLY THANDAR TPG110 ΑΝΑΛΩΣΙΜΑ ΥΛΙΚΑ ΑΣΚΗΣΗΣ IC Sample & Hold 1 LF398 Τελεστικός ενισχυτής 1 LM741 Αντιστάσεις 1/4 Watt / 1% Πυκνωτές 4X10K 1Χ10pF 1X39K 1X1nF πολυστερίνης 1X3.3M 2Χ0,1µF κεραµικοί 1X10K ποτ. +15V 10K R1 P1 10K V 7 U1 LM V -15V 0.1µF µF U2 LF398 R2 10K -15V -15V 39K V Sample Uin Ch 1nF Uout RL 10K 10K 0V Hold Γεννήτρια παλµών (PG) S/H Σχήµα 9-1 : Πειραµατικό κύκλωµα δειγµατισµού και συγκράτησης (S/H)

112 112 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Όνοµα Επώνυµο Κ.Α.Σ. Εργ. Τµήµα Οµάδα Ηµεροµηνία ΑΣΚΗΣΗ 9 η : ΚΥΚΛΩΜΑ ΕΙΓΜΑΤΙΣΜΟΥ ΚΑΙ ΣΥΓΚΡΑΤΗΣΗΣ (S/H) Σφραγίδα - Υπογραφή Καθηγητή Εργαστηρίου ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΙΑ ΙΚΑΣΙΑ 1. Να συνδεσµολογηθεί το πειραµατικό κύκλωµα του κυκλώµατος δειγµατισµού και συγκράτησης του σχ Ρυθµίστε τον δροµέα του ποτενσιόµετρου P 1 για τάση εισόδου U in =+10V και τη γεννήτρια παλµών για διάρκεια παλµού t p =10µs και περίοδο T=0,5ms. Με το ψηφιακό βολτόµετρο 4&1/2 ψηφ µετρείστε και σηµειώστε την τάση εξόδου. Να επαναληφθεί η ίδια διαδικασία για τάση εισόδου U in =-10V.

113 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Να ρυθµιστεί η τάση εισόδου U n =+10V και να τοποθετηθεί παράλληλα προς τον πυκνωτή συγκράτησης αντίσταση 3,3MΩ. Να σχεδιαστούν οι κυµατοµορφές του παλµού ελέγχου και εξόδου σε χρονικό συσχετισµό. Να σχολιαστεί το αποτέλεσµα. Κυµατοµορφές

114 114 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 3. Να τοποθετηθεί η γεννήτρια παλµών σε λειτουργία µοναδιαίου παλµού (one shoot ή man) και πατώντας µία φορά το πλήκτρο man ή one shoot ή push παρατηρείστε µε τον παλ- µογράφο την έξοδο U out για τάση εισόδου U in =+10V. Στη συνέχεια πατήστε πάλι το πλήκτρο man και µετρείστε το χρόνο που κάνει η τάση εξόδου να πέσει από την αρχική της τιµή στη µισή. Αυτή η διαδικασία να επαναληφθεί 5 φορές, να σηµειωθεί ο µέσος όρος του αποτελέσµατος. Ποια είναι τα συµπεράσµατά σας από τη σύγκριση των χρόνων (Ο υπολογισµός της απώλειας δυναµικού ανά λεπτό να γίνει µε την τυπική τιµή του I l ). Θεωρητικός λόγος κλίσης για C h =1µF Πειραµατικός λόγος κλίσης για C h =1µF V/min = V/min =

115 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Να τοποθετηθεί η γεννήτρια παλµών σε περίοδο T=20ms µε την ίδια διάρκεια παλµού και ο πυκνωτής C h =10pF. Να σχεδιαστούν οι κυµατοµορφές του παλµού ελέγχου και εξόδου σε χρονικό συσχετισµό. Κυµατοµορφές

116 116 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 5. Να αποσυνδεθούν το ποτενσιόµετρο 10Κ και οι αντιστάσεις 10Κ από την είσοδο του µη αναστερέφοντα ενισχυτή µε τον Τ.Ε. 741 και στην είσοδό του (ακίδα 3) να συνδεθεί η γεννήτρια συναρτήσεων (FG). Να ρυθµιστεί το πλάτος της έτσι ώστε στην είσοδο του LF398 (ακίδα 3) να έχουµε ηµιτονικό σήµα U in =10V P-P µε συχνότητα100hz. Η γεννήτρια παλµών (PG) να ρυθµιστεί για συχνότητα 2KHz µε την ίδια διάρκεια παλµού Τ W =10 µs). Να σχεδιαστούν οι κυ- µατοµορφές εισόδου U in και εξόδου που παρατηρείτε στον παλµογράφο σε χρονικό συσχετισµό µε όλα τα χαρακτηριστικά τους. Κυµατοµορφές

117 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Να µετρηθεί πειραµατικά µε τη συνδεσµολογία της προηγούµενης παραγράφου το µέγιστο πλάτος του σήµατος εισόδου που µπορεί να δειγµατοληφθεί από το κύκλωµα. Επίσης ποια είναι η µέγιστη και ελάχιστη συχνότητα εισόδου που µπορούν να δειγµατοληφθούν µε τον ίδιο παλµό ελέγχου;

118 118 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 7. Να εφαρµοστεί στην είσοδο του κυκλώµατος δειγµατισµού και συγκράτησης σήµα U in =2+1sin628t από το οποίο θέλουµε να έχουµε 10 δείγµατα ανά περίοδο µε χρόνο συγκράτησης t H = 900µs. Να σχεδιαστούν τα σήµατα εισόδου και εξόδου σε χρονικό συσχετισµό. Κυµατοµορφές

119 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ Το κύκλωµα δειγµατοληψίας του πειράµατος πρόκειται να οδηγήσει µετατροπέα αναλογικού σήµατος σε ψηφιακό (A/D) ο οποίος έχει τάση πλήρους κλίµακας FS=1V µε διακριτικότητα 12 bits. Να υπολογιστεί ο µέγιστος χρόνος συγκράτησης t H του κυκλώµατος για να µην εισάγεται σφάλµα στην µετατροπή του αναλογικού σήµατος σε ψηφιακό. Να γίνει το πειραµατικό κύκλωµα και να σχολιαστούν τα αποτελέσµατα.

120 120 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ ΛΕΥΚΗ ΣΕΛΙ Α

121 ΤΕΤΡΑ ΙΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙΙ 121 ΟΡΓΑΝΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΑΣΚΗΣΗ 10 η ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ Παλµογράφος διπλού ίχνους 0-40MHz Cursor Readout HAMEG HM407 Ψηφιακό πολύµετρο πάγκου 4½ ψηφίων TOPWARD DM1330 Ψηφιακό πολύµετρο φορητό 3 ψηφίων ESCORD EDM169S Ψηφιακή γέφυρα L-C-R φορητή ESCORD - ECL130 Τροφοδοτικό σταθεροποιηµένο 2X0-32V/1A, +5V/1,5A THURLBY THANDAR PL310QMT Γεννήτρια συναρτήσεων 1Hz 2MHz TOPWARD - FG8120 Γεννήτρια παλµών 10Hz 2MHz THURBLY THANDAR TPG110 ΑΝΑΛΩΣΙΜΑ ΥΛΙΚΑ ΑΣΚΗΣΗΣ IC Μετατροπέας 1 DAC0808 Τελεστικός ενισχυτής 1 LF411 Ρυθµιστής τάσης 1 MC78L05 Αντιστάσεις 1/4 Watt / 1% Πυκνωτές 3X1K 4X10.0K 4X0,1µF κεραµ. 2X1,5K 8X10K πολλαπλή 1X1µF/16V τανταλίου +15V MC78L05 (ΚΑΤΩ ΟΨΗ) Ro 5.0K RESPACK 8X10K msba1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 lsba8 13 Vcc GND U1 DAC0808 Iout Vrf(-) Vrf(+) COMP Vee INPUT COMMON R15 1K+1.5K 0.1µF OUT Iref Io R14 1K+1.5K U2 LF V V 0.1µF 0.1µF Vo OFF ON SW-DIP8 2-15V +Vref 0.1µF 1 +5V GND 2 Vin 3 U3 MC78L05CP +15V 1µF/16V τανταλί ου Σχήµα 10-1 : Πειραµατικό κύκλωµα µετατροπέα DAC0808

ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ

ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΤΕΙ ΚΑΛΑΜΑΤΑΣ - ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ ΣΠΑΡΤΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ: ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΗΤΡΩΟΥ:.. ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ: ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΗΤΡΩΟΥ:.. Α. ΜΕΤΡΗΣΗ ΣΥΝΕΧΟΥΣ

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΙΙ Ι.Μ. ΚΟΝΤΟΛΕΩΝ out S Τ Τ Τ 3 ~ F4 F3 F F F 007 ΙΑΦΟΡΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ. ΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ Η βασική διάταξη ενός διαφορικού ενισχυτή, σε λειτουργία συγκριτή, φαίνεται στο

Διαβάστε περισσότερα

Σελίδα 1 από 8. Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52

Σελίδα 1 από 8. Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52 Σελίδα 1 από 8 Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52 Ερώτηση 1 η : Πολυδονητές ονοµάζονται τα ηλεκτρονικά κυκλώµατα που παράγουν τετραγωνικούς παλµούς. 2 η : Ανάλογα µε τον τρόπο λειτουργίας τους διακρίνονται σε:

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Ι

ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Ι ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Ι Ι.Μ. ΚΟΝΤΟΛΕΩΝ S k k k S k k k 00 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Ι ΑΣΚΗΣΗ ΣΧΕ ΙΑΣΗ ΜΕ ΛΟΓΙΚΕΣ ΠΥΛΕΣ ΘΕΩΡΗΤΙΚΗ ΠΡΟΕΤΟΙΜΑΣΙΑ Ψηφιακά Κυκλώµατα, κεφ.,

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM ΜΑΘΗΜΑ : ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM Σκοπός: Η Εξέταση λειτουργίας του ενισχυτή κοινού εκπομπού και εντοπισμός βλαβών στο κύκλωμα με τη χρήση του προγράμματος προσομοίωσης

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Εργαστήριο 1 Εισαγωγή στις Μετρήσεις Σηµάτων Λευκωσία, 2013 Εργαστήριο 1 Εισαγωγή στις Μετρήσεις

Διαβάστε περισσότερα

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ 3 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το διπολικό τρανζίστορ Άσκηση 8η. Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ. 1. Πραγματοποιήστε την συνδεσμολογία του κυκλώματος του Σχ. 1α (τρανζίστορ 2Ν2219). Σχήμα

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήµιο Κύπρου. Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών. ΗΜΥ 100 Εισαγωγή στην Τεχνολογία

Πανεπιστήµιο Κύπρου. Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών. ΗΜΥ 100 Εισαγωγή στην Τεχνολογία Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών ΗΜΥ 100 Εισαγωγή στην Τεχνολογία Εργαστήριο: Εισαγωγή στο Βασικό Εξοπλισµό Μετρήσεως Σηµάτων Σκοποί: 1. Η εξοικείωση µε τη βασική

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ 2 ΑΣΚΗΣΗ 1 η Μετρήσεις τάσεων και ρευμάτων με χρήση ψηφιακού πολύμετρου. Προετοιμασία: Για να πραγματοποιήσετε την άσκηση, θα πρέπει να έχετε μελετήσει τα κεφάλαια 1 και 2 του θεωρητικού

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού

Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού Σύνοψη Στο κεφάλαιο αυτό αναλύεται η λειτουργία των κυκλωμάτων χρονισμού. Τα κυκλώματα αυτά παρουσιάζουν πολύ μεγάλο πρακτικό ενδιαφέρον και απαιτείται να λειτουργούν με

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΠΕΙΡΑΜΑ 4

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΠΕΙΡΑΜΑ 4 Εφόσον το τρανζίστορ ενός ενισχυτή κοινού εκπομπού πολωθεί με το σημείο Q να βρίσκεται κοντά στο μέσο της DC γραμμής φορτίου, μπορεί να συνδεθεί ένα μικρό ac σήμα στη βάση. Με αυτόν τον τρόπο, παράγεται

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 8

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 8 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 8: Ταλαντωτές Γεννήτριες σήματος Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΑΣΚΗΣΗ 1η: ΜΕΛΕΤΗ ΤΟΥ MOSFET Σκοπός της άσκησης Στην άσκηση αυτή θα μελετήσουμε το τρανζίστορ τύπου MOSFET και τη λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΠΕΛΟΠΟΝΝΗΣΟΥ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Τ.Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ (μέσω προσομοίωσης) Γιάννης

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΔΙΑΔΙΚΑΣΙΑ

ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΔΙΑΔΙΚΑΣΙΑ ΕΙΣΑΓΩΓΗ: Ο τελεστικός ενισχυτής είναι ένα προκατασκευασμένο κύκλωμα μικρών διαστάσεων που συμπεριφέρεται ως ενισχυτής τάσης, και έχει πολύ μεγάλο κέρδος, πολλές φορές της τάξης του 10 4 και 10 6. Ο τελεστικός

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ 5 ο ΕΞΑΜΗΝΟ ΗΜΜΥ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ 1 Ι. ΠΑΠΑΝΑΝΟΣ ΑΠΡΙΛΙΟΣ

Διαβάστε περισσότερα

5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση. Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού

5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση. Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού 5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 5. ΤΡΟΦΟ ΟΤΙΚΑ 220 V, 50 Hz. 0 V Μετασχηµατιστής Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση 0 V 0 V Ανορθωτής Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού Φίλτρο

Διαβάστε περισσότερα

Ερώτηση 3 (2 µον.) Ε 1. ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2003-2004

Ερώτηση 3 (2 µον.) Ε 1. ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2003-2004 ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2003-2004 Ερώτηση 1 (2 µον.) Το σχ. (α) δείχνει το κύκλωµα ενός περιοριστή. Από τη χαρακτηριστική καµπύλη τάσης εισόδου-εξόδου V out =

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ 1.1 Τελεστικοί ενισχυτές 1.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΕΠΩΝΥΜΟ ΟΝΟΜΑ Α.Μ. ΤΜΗΜΑ ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΔΙΕΞΑΓΩΓΗΣ:.... /..../ 20.. ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΠΑΡΑΔΟΣΗΣ:.... /..../ 20.. ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Αντικείμενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ 4.1 MOS Τρανζίστορ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙV ΤΟ MOS ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 4.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής 1. Ένα τρανζίστορ διπλής επαφής είναι πολωµένο σωστά όταν: α. Η βάση είναι σε υψηλότερο δυναµικό από τον εκποµπό και σε χαµηλότερο από το συλλέκτη β. Η βάση είναι σε χαµηλότερο

Διαβάστε περισσότερα

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2) Ηλ/κά ΙΙ, Σεπτ. 05 ΘΕΜΑ 1 ο (2,5 µον.) R 1 (Ω) R B Ρελέ R2 R3 Σχ. (1) Σχ. (2) Φωτεινότητα (Lux) Ένας επαγγελµατίας φωτογράφος χρειάζεται ένα ηλεκτρονικό κύκλωµα για να ενεργοποιεί µια λάµπα στο εργαστήριό

Διαβάστε περισσότερα

8. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL

8. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ. Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙ ΣΤΟΧΟΙ Ημερομηνία:.... /.... /...... Τμήμα:.... Ομάδα: 8. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ USH-ULL η κατανόηση της αρχής λειτουργίας ενός

Διαβάστε περισσότερα

4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET

4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET 4 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το MOSFET Άσκηση 12η. Ενισχυτής κοινής πηγής με MOSFET, DC λειτουργία. 1. Υλοποιείστε το κύκλωμα του ενισχυτή κοινής πηγής με MOSFET (2Ν7000) του Σχ. 1. V DD = 12 V C by R g = 50 C i R A 1

Διαβάστε περισσότερα

4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ

4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΣΤΟΧΟΙ 4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ Ημερομηνία:.... /.... /...... Τμήμα:.... Ομάδα: η κατανόηση της αρχής λειτουργίας ενός ενισχυτή δύο βαθμίδων με άμεση σύζευξη η εύρεση της περιοχής

Διαβάστε περισσότερα

Πείραμα. Ο Διαφορικός Ενισχυτής. Εξοπλισμός. Διαδικασία

Πείραμα. Ο Διαφορικός Ενισχυτής. Εξοπλισμός. Διαδικασία Ο Διαφορικός Ενισχυτής Ο διαφορικός ενισχυτής είναι η βαθμίδα εισόδου άμεσης σύζευξης ενός τυπικού τελεστικού ενισχυτή. Η πιο κοινή μορφή ενός διαφορικού ενισχυτή είναι ένα κύκλωμα με είσοδο δύο άκρων

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙΙI ΤΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 3.1 ιπολικό Τρανζίστορ 3.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

Οδηγίες χειρισμού παλμογράφου

Οδηγίες χειρισμού παλμογράφου Οδηγίες χειρισμού παλμογράφου Οι σημειώσεις αυτές στόχο έχουν την εξοικείωση του φοιτητή με το χειρισμό του παλμογράφου. Για εκπαιδευτικούς λόγους θα δοθούν οδηγίες σχετικά με τον παλμογράφο Hameg HM 203-6

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΙΑΦΟΡΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ 1 1-1 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε BJT s 1 και ιπλή Έξοδο Ανάλυση µε το Υβριδικό Ισοδύναµο του Τρανζίστορ 2 Ανάλυση µε βάση τις Ενισχύσεις των Βαθµίδων CE- 4

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ Σκοπός : 1. Γνωριμία με το τρανζίστορ. Μελέτη πόλωσης του τρανζίστορ και ευθεία φορτίου. 2. Μελέτη τρανζίστορ σε λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 2 ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΑΠΟ ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΠΛΑΤΟΥΣ (ΑΜ)

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 2 ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΑΠΟ ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΠΛΑΤΟΥΣ (ΑΜ) ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 2 ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΑΠΟ ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΠΛΑΤΟΥΣ (ΑΜ) 1. ιαµόρφωση Πλάτους. Στην άσκηση αυτή θα ασχοληθούµε µε τη ιαµόρφωση Πλάτους (Amplitude Modulation) χρησιµοποιώντας τον ολοκληρωµένο διαµορφωτή

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας

Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Ανάλυση Κυκλωμάτων Εργαστηριακές Ασκήσεις Εργαστήριο 8 Τελεστικός Ενισχυτής Φ. Πλέσσας Βόλος 2015 Σκοπός Σκοπός του εργαστηρίου

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής Ο τελεστικός ενισχυτής, TE (operational ampliier, op-amp) είναι ένα από τα πιο χρήσιμα αναλογικά κυκλώματα. Κατασκευάζεται ως ολοκληρωμένο κύκλωμα (integrated circuit) και

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 2. Όργανα εργαστηρίου, πηγές εναλλασσόμενης τάσης και μετρήσεις

Άσκηση 2. Όργανα εργαστηρίου, πηγές εναλλασσόμενης τάσης και μετρήσεις ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 2 Όργανα εργαστηρίου, πηγές εναλλασσόμενης τάσης και μετρήσεις Στόχος Η άσκηση είναι συνέχεια της Άσκησης 1 κάνοντας εισαγωγική

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΡΛΙ ΑΣ ΗΜΗΤΡΙΟΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΕΣ ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΚΑΙ ΜΕΘΟ ΟΙ 9 Πορλιδάς ηµήτριος www.porlidas.gr dporli@physics.auth.gr Τελεστικοί Ενισχυτές Κυκλώµατα Πειραµατικές Μετρήσεις και

Διαβάστε περισσότερα

7. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ

7. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΣΤΟΧΟΙ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ. Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙ 7. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ η κατανόηση της λειτουργίας του τελεστικού ενισχυτή, Ημερομηνία:.... /.... /...... Τμήμα:....

Διαβάστε περισσότερα

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing).

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Κεφάλαιο 4 Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Οι ενδείξεις (τάσεις εξόδου) των θερμοζευγών τύπου Κ είναι δύσκολο να

Διαβάστε περισσότερα

1η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ:

1η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Ι η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: ΣΤΟΙΧΕΙΩΔΕΣ ΤΗΛΕΦΩΝΙΚΟ ΣΥΣΤΗΜΑ Εισαγωγή. Η διεξαγωγή της παρούσας εργαστηριακής άσκησης προϋποθέτει την μελέτη τουλάχιστον των πρώτων παραγράφων του

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET)

Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET) Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET) Εισαγωγή Σκοπός Πειράµατος Στην εργαστηριακή αυτή άσκηση θα µελετηθεί το transistor επίδρασης πεδίου (Field Effect Transistors). Πιο συγκεκριµένα µε την βοήθεια

Διαβάστε περισσότερα

Παρουσιάσεις στο ΗΜΥ203, 2015

Παρουσιάσεις στο ΗΜΥ203, 2015 Παρουσιάσεις στο ΗΜΥ203, 2015 Πρόγραμμα Παρουσιάσεων Τετάρτης 18/11/2015 Παρουσίαση Ομάδας 1 Περιγράψτε αναλυτικά την πειραματική διαδικασία ελέγχου της γραμμικότητας στο πιο κάτω κύκλωμα. Έπειτα, υπολογίστε

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήµιο Κύπρου. Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών. Εισαγωγή στην Τεχνολογία

Πανεπιστήµιο Κύπρου. Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών. Εισαγωγή στην Τεχνολογία Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών ΗΜΥ100 Εισαγωγή στην Τεχνολογία Εργαστήριο: Εισαγωγή στην Μέτρηση Βασικών Σηµάτων Συνοπτική Περιγραφή Εξοπλισµού και Στοιχείων

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 3 ΣΧΕ ΙΑΣΜΟΣ ΚΑΙ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΕΝΕΡΓΩΝ ΦΙΛΤΡΩΝ. ΣΚΟΠΟΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 3 ΣΧΕ ΙΑΣΜΟΣ ΚΑΙ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΕΝΕΡΓΩΝ ΦΙΛΤΡΩΝ. ΣΚΟΠΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 3 ΣΧΕ ΙΑΣΜΟΣ ΚΑΙ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΕΝΕΡΓΩΝ ΦΙΛΤΡΩΝ. ΣΚΟΠΟΣ Ένα ενεργό σύστηµα είναι ένα ηλεκτρικό κύκλωµα που αποτελείται από παθητικά στοιχεία και ελεγχόµενες πηγές. Ενεργή σύνθεση είναι η

Διαβάστε περισσότερα

2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος Thevenin

2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος Thevenin Ονοµατεπώνυµο: Αριθµός Μητρώου: Εξάµηνο: Υπογραφή Εργαστήριο Ηλεκτρικών Κυκλωµάτων και Συστηµάτων 2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος hevenin Απόκριση στο πεδίο της συχνότητας

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές-Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1

Τελεστικοί Ενισχυτές-Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1 Τελεστικοί Ενισχυτές-Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ (Τ.Ε. ή OpAmps) ιαφορικοί Ενισχυτές: ενισχυτές που έχουν δυο εισόδους και µια έξοδο. Τελεστικοί Ενισχυτές (Τ.Ε.): διαφορικοί ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

Μετρήσεις µε παλµογράφο

Μετρήσεις µε παλµογράφο Η6 Μετρήσεις µε παλµογράφο ΜΕΡΟΣ 1 ο ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟΣ Α. Γενικά Κατά την απεικόνιση ενός εναλλασσόµενου µεγέθους (Σχήµα 1), είναι γνωστό ότι στον κατακόρυφο άξονα «Υ» παριστάνεται το πλάτος του µεγέθους, ενώ

Διαβάστε περισσότερα

vergina.eng.auth.gr/kontoleon 1 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙΙ ευτέρα, , 9 π..µ (Αιθ. 1-7, ιάρκεια Εξετ. 3 hr)

vergina.eng.auth.gr/kontoleon 1 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙΙ ευτέρα, , 9 π..µ (Αιθ. 1-7, ιάρκεια Εξετ. 3 hr) vergina.eng.auth.gr/kontoleon 1 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙΙ ευτέρα, 24-1-5, 9 π..µ (Αιθ. 1-7, ιάρκεια Εξετ. 3 hr) Θέµα 1A: 3/1 Στο κύκλωµα του παραπλεύρως σχήµατος το σήµα εισόδου έχει πλάτος 1 V και συχνότητα 1 khz.

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στις Τηλεπικοινωνίες / Εργαστήριο

Εισαγωγή στις Τηλεπικοινωνίες / Εργαστήριο ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Εισαγωγή στις Τηλεπικοινωνίες / Εργαστήριο Εργαστηριακή Άσκηση 6: Δειγματοληψία - Πειραματική Μελέτη Δρ. Ηρακλής Σίμος Τμήμα:

Διαβάστε περισσότερα

1η Εργαστηριακή Άσκηση: Απόκριση κυκλώµατος RC σε βηµατική και αρµονική διέγερση

1η Εργαστηριακή Άσκηση: Απόκριση κυκλώµατος RC σε βηµατική και αρµονική διέγερση Ονοµατεπώνυµο: Αριθµός Μητρώου: Εξάµηνο: Υπογραφή Εργαστήριο Ηλεκτρικών Κυκλωµάτων και Συστηµάτων 1η Εργαστηριακή Άσκηση: Απόκριση κυκλώµατος σε βηµατική και αρµονική διέγερση Μέρος Α : Απόκριση στο πεδίο

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΙΡΑΜΑ 4: ΕΞΟΙΚΕΙΩΣΗ ΜΕ ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟ ΚΑΙ ΜΕΤΡΗΣΗ ΕΝΑΛΛΑΣΣΟΜΕΝΩΝ ΣΗΜΑΤΩΝ

ΠΕΙΡΑΜΑ 4: ΕΞΟΙΚΕΙΩΣΗ ΜΕ ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟ ΚΑΙ ΜΕΤΡΗΣΗ ΕΝΑΛΛΑΣΣΟΜΕΝΩΝ ΣΗΜΑΤΩΝ ΠΕΙΡΑΜΑ 4: ΕΞΟΙΚΕΙΩΣΗ ΜΕ ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟ ΚΑΙ ΜΕΤΡΗΣΗ ΕΝΑΛΛΑΣΣΟΜΕΝΩΝ ΣΗΜΑΤΩΝ [1] ΘΕΩΡΙΑ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟΥ Ο παλμογράφος είναι το βασικό εργαστηριακό όργανο για την μέτρηση χαρακτηριστικών ηλεκτρικών

Διαβάστε περισσότερα

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k, Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ) με τα εξής χαρακτηριστικά: 3 k, 50, k, S k και V 5 α) Nα υπολογιστούν οι τιμές των αντιστάσεων β) Να επιλεγούν οι χωρητικότητες C, CC έτσι ώστε ο ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ 1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ Ο τελεστικός ενισχυτής αποτελεί την βασική δομική μονάδα των περισσοτέρων αναλογικών κυκλωμάτων. Στην ενότητα αυτή θα μελετήσουμε τις ιδιότητες του τελεστικού ενισχυτή, μερικά βασικά

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ USH-ULL ΕΠΩΝΥΜΟ ΟΝΟΜΑ Α.Μ. ΤΜΗΜΑ ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΔΙΕΞΑΓΩΓΗΣ:.... /..../ 0.. ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΠΑΡΑΔΟΣΗΣ:.... /..../ 0.. ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΣΤΟΧΟΙ η κατανόηση της

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 5 O καθοδικός παλµογράφος

ΑΣΚΗΣΗ 5 O καθοδικός παλµογράφος ΑΣΚΗΣΗ O καθοδικός παλµογράφος ΣΥΣΚΕΥΕΣ: Παλµογράφος, τροφοδοτικό, γεννήτρια, βολτόµετρο, δικτύωµα καθυστέρησης φάσης. ΘΕΩΡΗΤΙΚΗ ΕΙΣΑΓΩΓΗ O παλµογράφος είναι ένα από τα πιο χρήσιµα όργανα στην έρευνα και

Διαβάστε περισσότερα

9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ. Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να

9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ. Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να 9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να ενισχύσει ένα σήµα (δηλ. να αυξήσει ονοµαστικά το µέγεθος της τάσης ή του ρεύµατος).

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων ΗΜΥ203

Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων ΗΜΥ203 Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων ΗΜΥ203 ιάλεξη 5 (Επανάληψη) 02/10/13 1 Λύσεις 1ης Ενδιάµεσης Εξέτασης Αναφέρετε τις ρυθµίσεις που θα κάνετε στον παλµογράφο (σε σχέση µε τα κουµπιά VOLTS/DIV και TIME/DIV),

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Προαιρετική εργασία

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Προαιρετική εργασία Τ.Ε.Ι. ΑΘΗΝΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΒΙΟΙΑΤΡΙΚΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Προαιρετική εργασία «Κατασκευή δυαδικού απαριθμητή με δεκαδική απεικόνιση δεκάδων και μονάδων» Συνυπεύθυνος

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ-3: ΣΧΗΜΑΤΑ LISSAJOUS

ΑΣΚΗΣΗ-3: ΣΧΗΜΑΤΑ LISSAJOUS ΑΣΚΗΣΗ-3: ΣΧΗΜΑΤΑ LISSAJOUS ΣΤΟΧΟΙ ΕΚΜΑΘΗΣΗΣ Δημιουργία σχημάτων Lissajous με ψηφιακό παλμογράφο για την μέτρηση της διαφοράς φάσης μεταξύ των κυματομορφών της ημιτονοειδούς τάσης εισόδου και τάσης εξόδου

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 2: Τελεστικός Ενισχυτής. Αντικείμενο. Απαιτούμενες Θεωρητικές Γνώσεις. 2.1 Συγκριτές

Άσκηση 2: Τελεστικός Ενισχυτής. Αντικείμενο. Απαιτούμενες Θεωρητικές Γνώσεις. 2.1 Συγκριτές Εργαστήριο Συστημάτων Αυτομάτου Ελέγχου Άσκηση Τελεστικός Ενισχυτής Άσκηση : Τελεστικός Ενισχυτής Αντικείμενο ) Άθροιση με τελεστικό ενισχυτή ) Έλεγχος κέρδους τελεστικού ενισχυτή Απαιτούμενες Θεωρητικές

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 3: ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΥ ΒΟΛΤΟΜΕΤΡΟΥ

ΑΣΚΗΣΗ 3: ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΥ ΒΟΛΤΟΜΕΤΡΟΥ ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ. Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ Ημερομηνία:... /.... /20... Τμήμα:..... Ομάδα: ΑΣΚΗΣΗ 3: ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΥ ΒΟΛΤΟΜΕΤΡΟΥ Βήμα 1. Υλοποιήστε μη

Διαβάστε περισσότερα

[2017] Εργαστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών

[2017] Εργαστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών [2017] Εργαστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών Τμ Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Ασκήσεις 1-3 Περιεχόμενα ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΑ ΨΗΦΙΑΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ... 2 Μεγέθη-Μονάδες μέτρησης... 2 Πολλαπλάσια- Υποπολλαπλάσια... 2 Εργαστηριακός

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν 1. Εισαγωγικά στοιχεία ηλεκτρονικών - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 1. ΘΕΜΕΛΙΩ ΕΙΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΑΙ ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Ηλεκτρικό στοιχείο: Κάθε στοιχείο που προσφέρει, αποθηκεύει και καταναλώνει

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής 3 Ενισχυτές Μετρήσεων 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής Πολλές φορές ένας ενισχυτής σχεδιάζεται ώστε να αποκρίνεται στη διαφορά µεταξύ δύο σηµάτων εισόδου. Ένας τέτοιος ενισχυτής ονοµάζεται ενισχυτής διαφοράς

Διαβάστε περισσότερα

ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟΣ ΤΡΟΦΟ ΟΤΙΚΟ ΓΕΝΝΗΤΡΙΑ

ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟΣ ΤΡΟΦΟ ΟΤΙΚΟ ΓΕΝΝΗΤΡΙΑ ΟΡΓΑΝΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ 1 Εργαστήριο Κινητών Ραδιοεπικοινωνιών, ΣΗΜΜΥ ΕΜΠ Εισαγωγή στις Τηλεπικοινωνίες ΟΡΓΑΝΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟΣ ΤΡΟΦΟ ΟΤΙΚΟ ΓΕΝΝΗΤΡΙΑ 2 Εργαστήριο Κινητών Ραδιοεπικοινωνιών, ΣΗΜΜΥ ΕΜΠ

Διαβάστε περισσότερα

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131 Περιεχόμενα v ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1: ΔΙΟΔΟΙ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ...1 1.1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ...1 1.2 ΥΛΙΚΑ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ: Ge, Si ΚΑΙ GaAs...2 1.3 ΟΜΟΙΟΠΟΛΙΚΟΙ ΔΕΣΜΟΙ ΚΑΙ ΕΝΔΟΓΕΝΗ ΥΛΙΚΑ...3 1.4 ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΕΣ ΣΤΑΘΜΕΣ...6 1.5 ΕΞΩΓΕΝΗ

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστηριακές Ασκήσεις

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστηριακές Ασκήσεις Γ. Τσιατούχας ΙΩΑΝΝΙΝΑ 2008 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1. Ο Τελεστικός Ενισχυτής 1 2. Η Δίοδος 13

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΗΜΟΚΡΙΤΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΡΑΚΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΞΑΝΘΗΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΥΣΗΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΙΙΙ

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής Ο διαφορικός ενισχυτής (differential amplifier) είναι από τα πλέον διαδεδομένα και χρήσιμα κυκλώματα στις ενισχυτικές διατάξεις. Είναι βασικό δομικό στοιχείο του τελεστικού

Διαβάστε περισσότερα

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF 8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1 8. ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ο ΗΓΗΣΗΣ ΦΟΡΤΙΟΥ Το τρανζίστορ σαν διακόπτης ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON περιοχή αποκοπής: OFF 8. ιακοπτική Λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

«Συγκριτής τάσης (με τελεστικό ενισχυτή)»

«Συγκριτής τάσης (με τελεστικό ενισχυτή)» Τίτλος Διδακτικού Σεναρίου: «Συγκριτής τάσης (με τελεστικό ενισχυτή)» Φάση «2» Τίτλος Φάσης: «ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΣΗ ΣΤΟΝ Η/Υ» Χρόνος Υλοποίησης: 25 λεπτά Φύλλο εργασίας Φάση 2: Προσομοίωση του συγκριτή τάσης στον

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Εργαστήριο 8 Εκθετικά κύµατα και Σύνθετη Αντίσταση Λευκωσία, 2014 Εργαστήριο 8 Εκθετικά κύµατα

Διαβάστε περισσότερα

PWL REPEAT FOREVER ( m m m 0) ENDREPEAT

PWL REPEAT FOREVER ( m m m 0) ENDREPEAT ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ Μοντέλο ενός τελεστικού ενισχυτή Ο τελεστικός ενισχυτής είναι ένα κύκλωµα µε δύο εισόδους και µία έξοδο Στην έξοδο εµφανίζεται η διαφορά των εξόδων πολλαπλασιασµένη επί το κέρδος ανοιχτού

Διαβάστε περισσότερα

5. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ

5. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ. Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙ Ημερομηνία:.... /.... /...... Τμήμα:.... Ομάδα: 5. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΧΟΙ η κατανόηση της επίδρασης

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7. Σχ.7.1. Σύµβολο κοινού τελεστικού ενισχυτή και ισοδύναµο κύκλωµα.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7. Σχ.7.1. Σύµβολο κοινού τελεστικού ενισχυτή και ισοδύναµο κύκλωµα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 7. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ Ο τελεστικός ενισχυτής εφευρέθηκε κατά τη διάρκεια του δεύτερου παγκοσµίου πολέµου και. χρησιµοποιήθηκε αρχικά στα συστήµατα σκόπευσης των αντιαεροπορικών πυροβόλων για

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά -1- Η τιμή της dc παραμέτρου β ενός npn transistor έχει τιμή ίση με 100. Το transistor λειτουργεί στην ενεργή περιοχή με ρεύμα συλλέκτη 1mA. Το ρεύμα βάσης έχει

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων Στον χώρο της ηλεκτρονικής οι ενισχυτές είναι ευρέως χρησιμοποιούμενες διατάξεις με τις οποίες μπορούμε να ενισχύσουμε ένα σήμα με σχετικά μικρό πλάτος (πχ. το σήμα

Διαβάστε περισσότερα

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟΥΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟΥΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟΥΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ Εισαγωγή Ιστορικά στοιχεία Οι πρώτοι τελεστικοί ενισχυτές χρησιμοποιήθηκαν κυρίως για την εκτέλεση μαθηματικών πράξεων, δηλαδή πρόσθεση, αφαίρεση, ολοκλήρωση και διαφόριση.

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστηριακή ενότητα 3

Εργαστηριακή ενότητα 3 Εργαστηριακή ενότητα 3 Αναλογική προσομοίωση Αναλογικός Υπολογιστής Σκοπός των εργαστηριακών ασκήσεων Ο σκοπός των εργαστηριακών ασκήσεων της τρίτης νότητας είναι: Να κατανοήσουν οι φοιτητές τι είναι η

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 8. Ενισχυτής ισχύος

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 8. Ενισχυτής ισχύος ΚΕΦΑΛΑΙΟ 8 Ενισχυτές ισχύος Γενικά Σε αρκετές περιπτώσεις ο τελικός σκοπός της ενίσχυσης μιας ενισχυτικής διάταξης είναι το να διεγείρει σωστά μια τελική διάταξη που αποτελεί το φορτίο εξόδου. Γενικά όμως

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Εργαστήριο 8 Κυκλώµατα RLC και Σταθερή Ηµιτονοειδής Κατάσταση Λευκωσία, 2015 Εργαστήριο 8

Διαβάστε περισσότερα

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ασκήσεις Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Θεσσαλονίκη, Σεπτέμβριος 2015 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Εργαστήριο Συστημάτων VLSI και Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών. Γεώργιος Τσιατούχας

Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Εργαστήριο Συστημάτων VLSI και Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών. Γεώργιος Τσιατούχας Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Η Λ Ε Κ Τ Ρ Ο Ν Ι Κ Η Εργαστηριακές Ασκήσεις Γεώργιος Τσιατούχας Ιωάννινα 2017 VLSI Systems and Computer Architecture Lab ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ Ο Τελεστικός

Διαβάστε περισσότερα

ΗΜΥ203 Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων

ΗΜΥ203 Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων ΗΜΥ203 Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Παρατηρήσεις 1 ης Ενδιάμεσης Εξέτασης και Θεώρημα Thevenin ιδάσκων: ρ. Γιώργος Ζάγγουλος Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών

Διαβάστε περισσότερα

Χρήση του Παλμογράφου

Χρήση του Παλμογράφου Κορδάς Γεώργιος Φυσικός MSc. ΕΚΦΕ Ρόδου Ιανουάριος 2011 Ο παλμογράφος είναι ένας απεικονιστής τάσης με την πάροδο του χρόνου. Είναι βολτόμετρο που δεν καταγράφει τις τιμές, αλλά απεικονίζει στην οθόνη

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΣΤΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΣΤΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΔΗΜΟΚΡΙΤΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΡΑΚΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ 67 00 ΞΑΝΘΗ

Διαβάστε περισσότερα

«Ενισχυτές με διπολικό transistor»

«Ενισχυτές με διπολικό transistor» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Ενισχυτές με διπολικό transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή Πόλωση Αρχές ενίσχυσης Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για BJT ΤΗΜΜΥ 2 Σκοπός αυτής

Διαβάστε περισσότερα

2 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Δίοδοι - Επαφή pn. 4 ο 5 ο 6 ο Εργαστήριο ΦΥΛΛΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ

2 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Δίοδοι - Επαφή pn. 4 ο 5 ο 6 ο Εργαστήριο ΦΥΛΛΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ 2 2 η ΕΝΟΤΗΤΑ Δίοδοι - Επαφή pn 4 ο 5 ο 6 ο Εργαστήριο ΦΥΛΛΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ 3 Άσκηση 4 η. 4.1 Στατική χαρακτηριστική της διόδου. Στόχος: Μελέτη και χάραξη της στατικής χαρακτηριστικής της διόδου. Υπολογισμός

Διαβάστε περισσότερα

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; Ηλεκτρονικοί Υπολογιστές Κινητά τηλέφωνα Τηλεπικοινωνίες Δίκτυα Ο κόσμος της Ηλεκτρονικής Ιατρική Ενέργεια Βιομηχανία Διασκέδαση ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τι περιέχουν οι ηλεκτρονικές

Διαβάστε περισσότερα

VLSI Systems and Computer Architecture Lab. Εργαστήριο Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών

VLSI Systems and Computer Architecture Lab. Εργαστήριο Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών Εργαστήριο Ηλεκτρονικής Οργανολογία VLSI Systems and Computer Architecture Lab Εργαστήριο Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών Κανονισμός Εργαστηρίου Μόνο μία δικαιολογημένη απουσία επιτρέπεται και εφόσον,

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας ΔΙΟΔΟΣ Οι περισσότερες ηλεκτρονικές συσκευές όπως οι τηλεοράσεις, τα στερεοφωνικά συγκροτήματα και οι υπολογιστές χρειάζονται τάση dc για να λειτουργήσουν σωστά.

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Εργαστήριο 7 Εκθετικά κύµατα και Σύνθετη Αντίσταση Λευκωσία, 2013 Εργαστήριο 7 Εκθετικά κύµατα

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων F Ενότητα: Φίλτρα και Επαναληπτικές Ασκήσεις Στυλιανός Μυτιληναίος Τμήμα Ηλεκτρονικής, Σχολή

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 12 Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ua741 ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ

Άσκηση 12 Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ua741 ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ Άσκηση 12 Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ua741 ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ Αυτό έργο χορηγείται με άδεια Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike Greece 3.0. Ονοματεπώνυμο: Μητρόπουλος Σπύρος Α.Ε.Μ.: 3215 Εξάμηνο:

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ). 7. Εισαγωγή στο διπολικό τρανζίστορ-ι.σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 7. TΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Ανάλογα µε το υλικό διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και 2. τρανζίστορ πυριτίου

Διαβάστε περισσότερα

ΗΜΥ 203 Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων. Εργαστηριακή Αναφορά ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 5 ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΑΠΛΗΣ ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΗΣ ΒΑΘΜΙΔΑΣ

ΗΜΥ 203 Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων. Εργαστηριακή Αναφορά ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 5 ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΑΠΛΗΣ ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΗΣ ΒΑΘΜΙΔΑΣ ΗΜΥ 203 Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων Εργαστηριακή Αναφορά ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 5 ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΑΠΛΗΣ ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΗΣ ΒΑΘΜΙΔΑΣ Ονοματεπώνυμο: Ο Πιο Καλός Ο Μαθητής Αριθμός Ομάδας: 13 Αριθμός Ταυτότητάς: 131313

Διαβάστε περισσότερα

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../. A(dB) ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ Μάθημα: Αναλογικά Ηλεκτρονικά Εισηγητής: Ηλίας Σταύρακας Θέμα 1 ο (μονάδες 3): Ακαδημαϊκό Έτος 201112 Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις :

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές

Τελεστικοί Ενισχυτές Θεωρητική Ανάλυση: Τελεστικοί Ενισχυτές 1. Διαβάστε το datasheet του LM741 και συμπληρώστε τις παρακάτω παραμέτρους. Supply Voltage, Input Offset Current, Input Offset Voltage, Input Resistance, Output

Διαβάστε περισσότερα

Στην περίπτωση που έχουμε δυο εισόδους (V 1 και V 2 ) στην είσοδο του τελεστικού ενισχυτή, όπως το παρακάτω σχήμα :

Στην περίπτωση που έχουμε δυο εισόδους (V 1 και V 2 ) στην είσοδο του τελεστικού ενισχυτή, όπως το παρακάτω σχήμα : ΑΣΚΗΣΗ η ΕΛΕΓΧΟΣ ΤΑΧΥΤΗΤΑΣ ΣΕΡΒΟΚΙΝΗΤΗΡΑ DC ΜΕ ΜΟΝΙΜΟ ΜΑΓΝΗΤΗ ΕΠΙΔΡΑΣΗ ΤΟΥ ΚΕΡΔΟΥΣ ΣΤΟΝ ΕΛΕΓΧΟ ΤΑΧΥΤΗΤΑΣ Α. ΕΝΑΛΛΑΚΤΙΚΗ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥ ΕΝΙΣΧΥΤΗ Σε προηγούμενη άσκηση εξετάσαμε την λειτουργία του

Διαβάστε περισσότερα

Στρεφόμενες Ηλεκτρικές Μηχανές ΕΡ

Στρεφόμενες Ηλεκτρικές Μηχανές ΕΡ ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΝΑΥΠΗΓΩΝ ΜΗΧ/ΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Μάθημα : Ηλεκτροτεχνικές Εφαρμογές + Εργαστήριο 2 η εργαστηριακή άσκηση Στρεφόμενες Ηλεκτρικές Μηχανές ΕΡ Ημερομηνία: Εργ. Ομάδα: Φοιτητής 1:

Διαβάστε περισσότερα

VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Εργαστήριο Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών

VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Εργαστήριο Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών Εργαστήριο Ηλεκτρονικής Οργανολογία VLSI Technology and Computer Architecture Lab Εργαστήριο Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών Το Βαλιτσάκι Εργασίας 2 Το Breadboard ((I)) 3 Το Breadboard (II) Άνω περιοχή

Διαβάστε περισσότερα