ΥΠΟΤΡΟΦΙΕΣ: 1972 έως 1977 (ΙΚΥ) επίδοση στις προπτυχιακές σπουδές

Μέγεθος: px

Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "ΥΠΟΤΡΟΦΙΕΣ: 1972 έως 1977 (ΙΚΥ) επίδοση στις προπτυχιακές σπουδές"

Βηθζαθά Βιτάλης
8 χρόνια πριν
Προβολές:

1 ΠΡΟΣΩΠΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ: Όνοµα: Τίτλος & Θέση: Χρήστος Β. Λιούτας Επίκουρος Καθηγητής Αριστοτέλειο Πανεπιστήµιο Θεσσαλονίκης Τµήµα Φυσικής, Τοµέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗ Τηλ. (031) lioutas@physics.auth.gr & lioutas@auth.gr Τόπος γεννήσεως: Θεσσαλονίκη, έτος ΕΚΠΑΙ ΕΥΣΗ: 1977 Πτυχίο Φυσικής, τµήµα Φυσικής, Α.Π.Θ Μεταπτυχιακό ίπλωµα Ηλεκτρονικής Φυσικής-Ραδιοηλεκτρολογίας (M.S.) Τµήµα Φυσικής, Α.Π.Θ ιδακτορικό ίπλωµα (Ph. D.), Τµήµα Φυσικής, Α.Π.Θ. ΑΚΑ ΗΜΑΪΚΗ ΕΜΠΕΙΡΙΑ: Επιστηµονικός συνεργάτης -Τµήµα Φυσικής - ΑΠΘ Λέκτορας -Τµήµα Φυσικής - ΑΠΘ Επίκουρος καθηγητής, Τµήµα Φυσικής - ΑΠΘ ΥΠΟΤΡΟΦΙΕΣ: 1972 έως 1977 (ΙΚΥ) επίδοση στις προπτυχιακές σπουδές ΣΥΝΕΡΓΑΣΙΕΣ: Τµήµα Χηµείας- ΑΠΘ, Τµήµα Χηµικών Μηχανικών - ΑΠΘ, Ινστιτούτο Ηλεκτρονικής οµής και Laser του Ιδρύµατος Έρευνας και Τεχνολογίας (Κρήτη) και Εργαστήριο Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας : (EMAT) Universiteit Antwerpen (RUCA) - BELGIUM (στις περιόδους και 1990) ΙΛΠΩΜΑΤΙΚΕΣ ΕΡΓΑΣΙΕΣ: Επίβλεψη µιας προπτυχιακής και µιας µεταπτυχιακής εργασίας. 1. Επεξεργασία και αποτίµηση ψηφιοποιηµένων εικόνων περιθλάσεως ηλεκτρονίων του προπτυχιακού φοιτητή ηµοσθένη Καρατζά (1997). 2. Ανάλυση των δοµικών ατελειών στα λεπτά υµένια GaAs-on-Si: εξάρτηση από τις συνθήκες αναπτύξεως του µεταπτυχιακού φοιτητή Ανδρέα εληµήτη(1999) ΣΥΜΜΕΤΟΧΗ ΣΕ ΙΕΘΝΗ ΣΥΝΕ ΡΙΑ:

2 Συµµετοχή σε 4 διεθνή Συνέδρια. 1. "6th International Conference on Intergranular and Interphase Boundaries in Materials", Thessaloniki, June, "E-MRS 1996 Spring Meeting", Strasbourg, France, June "E-MRS 1997 Spring Meeting", Strasbourg, France, June "9th International Conference on Intergranular and Interphase Boundaries in Materials", Prague, Czech Rebublic, July, ΣΥΜΜΕΤΟΧΗ ΣΕ ΤΟΠΙΚΑ ΣΥΝΕ ΡΙΑ: Συµµετοχή σε 15 τοπικά Συνέδρια και Συµπόσια. 1. "Α Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης", Θεσσαλονίκη, Μάιος "4 th Greek-Bulgarian Symposium on Semiconductor and Solid State Physics", Thessaloniki, Sptember "VII Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης", Θεσσαλονίκη, Σεπτέµβριος "VIII Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης", Ιωάννινα, Σεπτέµβριος "14 th Greek-Bulgarian Symposium on Semiconductor and Solid State Physics", Thessaloniki, October "Χ Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης", ελφοί, Σεπτέµβριος "15 th Greek-Bulgarian Symposium on Semiconductor and Solid State Physics", Sofia, November "4 o Επιστηµονικό Συνέδριο της Ελληνικής Εταιρείας Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας", Καρδίτσα, Απρίλιος "16 th Greek-Bulgarian Symposium on Semiconductor and Solid State Physics", Thessaloniki, October "SIOEL 96, The 4 th Symposium of Optoelectronics", Bucharest Romania, September, "5 o Επιστηµονικό Συνέδριο της Ελληνικής Εταιρείας Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας", Ξάνθη, Μαϊος "ΙΓ Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης", Θεσσαλονίκη, Σεπτέµβριος "Ι Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης", Ιωάννινα, Σεπτέµβριος "6 o Επιστηµονικό Συνέδριο της Ελληνικής Εταιρείας Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας", Καβάλα, Μαϊος "ΙΕ Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης", Πάτρα, Σεπτέµβριος The Solid State Physics in the Study of Cultural Heritage Thessaloniki, 1999

"9th International Conference on Intergranular and Interphase Boundaries in Materials", Prague, Czech Rebublic, July, 1998. ΣΥΜΜΕΤΟΧΗ ΣΕ ΤΟΠΙΚΑ ΣΥΝΕ ΡΙΑ: Συµµετοχή σε 15 τοπικά Συνέδρια και Συµπόσια.

3 ΣΥΜΜΕΤΟΧΗ ΣΕ ΘΕΡΙΝΑ ΣΧΟΛΕΙΑ: 1. 1 st Balkan Summer School & Workshop on Physics of Materials, Thessaloniki - Greece, Summer School on Advanced Materials For Industrial Applications, Kavala - Greece, 1999 ΕΡΕΥΝΗΤΙΚΑ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑΤΑ. Συµµετοχή σε 5 ερευνητικά προγράµµατα χρηµατοδοτούµενα από την Γ.Γ.Ε.Τ και την Ε.Ε. 1. "Design, production and utilisation of nano-scale electron emitters." Επιστηµονικός υπεύθυνος: Ι. Στοϊµένος. Χρηµατοδότητση: ΕΟΚ, Human Capital and Mobility. 2. "Mελέτη της αδρανοποίησης βαθέων παγίδων στον ηµιαγωγό GaAs µe την µέθοδο της ανόπτησης σε ατµόσφαιρα πλάσµατος." Επιστηµονικός υπεύθυνος: Ελ. Κ. Παλούρα. Χρηµατοδότητση: ΓΓΕΤ (ΠΕΝΕ ), "Ανάλυση των δοµικών ατελειών στην ετεροεπαφή και τα λεπτά υµένια GaAs/Si µε µεθόδους ηλεκτρονικής µικροσκοπίας". Επιστηµονικός υπεύθυνος: Ι.Στοϊµένος. Χρηµατοδότητση: ΓΓΕΤ (ΠΕΝΕ ), (Στο πρόγραµµα αυτό είχα την πλήρη επιστηµονική και οικονοµική ευθύνη και επίβλεψη). 4. "Επικαλύψεις για την οπτική, ηλεκτρονική και χηµική βιοµηχανία Επιστηµονικός υπεύθυνος: Σ. Λογοθετίδης. Χρηµατοδότηση: ΓΓΕΤ (ΕΠΕΤ ΙΙ), "Επίδραση του ατοµικού υδρογόνου στις ιδιότητες των ηµιαγωγών ΙΙΙ-V: Εφαρµογή σε διατάξεις ετεροεπαφών." Επιστηµονικός υπεύθυνος: Ζ. Χατζόπουλος και Ελ. Κ. Παλούρα. Χρηµατοδότητση: ΓΓΕΤ (ΠΕΝΕ ), Μελέτη µεταλλικών επαφών σε ηµιαγωγούς µεγάλου ενεργειακού χάσµατος. (Εφαρµογές σε ηλεκτρονικά ισχύος και µετατροπή ηλεκτρικής ενέργειας) Ελληνο-Γαλλική ιακρατική συνεργασία Επιστηµονικός υπεύθυνος: Ν. Φράγκης (Ελληνική πλευρά). Χρηµατοδότητση: ΓΓΕΤ, Σύνθετα βιοσυµβατά υλικά βασισµένα στον υδροξυαπατίτη Composite biocompatible materials based on hydroxyapatite Ελληνο-ρουµανική ιακρατική συνεργασία Επιστηµονικός υπεύθυνος: Ν. Φράγκης (Ελληνική πλευρά). Χρηµατοδότητση: ΓΓΕΤ, Ι ΑΚΤΙΚΗ ΡΑΣΤΗΡΙΟΤΗΤΑ: Τµήµα Φυσικής: Εργαστήριο Οπτικής (περισσότερα από 12 έτη)

" Επιστηµονικός υπεύθυνος: Ι. Στοϊµένος. Χρηµατοδότητση: ΕΟΚ, Human Capital and Mobility. 2.

4 Γενική Φυσική ΙΙ (6 έτη), Θερµοδυναµική (1 έτος), Εργαστήριο Εφηρµοσµένης Πληροφορικής (1 έτος) Πρόγραµµα Μεταπτυχιακών Σπουδών Φυσικής Υλικών, Τµήµα Φυσικής ΑΠΘ: Εργαστήριο Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας (5 έτη). Πρόγραµµα Μεταπτυχιακών Σπουδών Προστασία, Συντήρηση και Αποκατάσταση Μνηµείων Πολιτισµού, ιατµηµατικό Πολυτεχνικής Σχολής ΑΠΘ: Φυσικοχηµικές Μέθοδοι διάγνωσης (Ηλεκτρονική µικροσκοπία αρχές και εφαρµογές) (2 έτη). ΕΡΕΥΝΗΤΙΚΗ ΡΑΣΤΗΡΙΟΤΗΤΑ: 1. Μελέτη δοµών από διαµόρφωση, µετατροπές φάσεως, µελέτη επιταξιακά ανεπτυγµένων ηµιαγωγών, καταλυτικά υλικά και πολυµερή µε τις µεθόδους της Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας υψηλής διακριτικής ικανότητας και της Συµβατικής Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας ιερχόµενης έσµης. 2. Μελέτη επιφανειών ηµαγωγικών και πολυµερικών υλικών µε Σαρωτική Ηλεκτρονική Μικροσκοπία και Μικροσκοπία Ατοµικών υνάµεων. 3. Ανάπτυξη λογισµικού για την αυτόµατη αποτίµηση των γεωµετρικών χαρακτηριστικών ψηφιοποιηµένων εικόνων περιθλάσεως ηλεκτρονίων και την προσοµοίωση των εικόνων περιθλάσεως ΗΜΟΣΙΕΥΣΕΙΣ: Είκοσι (21) εργασίες σε διεθνή περιοδικά µε κριτές (17 από το ). 1. "Voltage-Dependent Conductivity along the c-axis of ZnIn 2 S 4 (III).", A.N. Anagnostopoulos & Ch. Lioutas, Phys. Stat. Sol. (a) 79, 513 (1983). 2. "A 2a2a3c Superstructure in Hexagonal Ni 1-x S : A study by means of Electron diffraction and HRTEM", Ch. B. Lioutas, C. Manolikas, G. Van Tendeloo and J. Van Landuyt, J. of Cryst. Growth 126, 457 (1993). 3. "Study of interfaces in the modulated α-ni 7 S 6 by Conventional and High Resolution Electron Microscopy", Ch. B. Lioutas and G. Van Tendeloo, Mat. Sci. Forum , 129 (1993). 4. "Surface modification of α-sic thin films with ex-situ hydrogenation", J. A. Kalomiros, E.C. Paloura, A. Ginoudi, S. Kennou, S. Ladas, Ch. B. Lioutas, N. Vouroutzis, G. Voutsas, D. Girginoudi, N. Georgoulas, A.Thanailakis, Solid State Commun. 96, 735 (1995). 5. "Microstructural characterization of stoichiometric buried Si 3 N 4 films.", E. C. Paloura, A. Ginoudi, A. Markwitz, Ch. Lioutas, M. Katsikini, K. Bethge, A. Aminpirooz, H. Rossner, E. Holub-Krappe, T. Zorba, D. Siapkas, Nucl. Instr. & Methods B 113,227 (1996).

Πρόγραµµα Μεταπτυχιακών Σπουδών Προστασία, Συντήρηση και Αποκατάσταση Μνηµείων Πολιτισµού, ιατµηµατικό Πολυτεχνικής Σχολής ΑΠΘ: Φυσικοχηµικές Μέθοδοι διάγνωσης (Ηλεκτρονική µικροσκοπία αρχές και

5 6. "Characterization of stoichiometric surface and buried SiN films fabricated by ion implantation using extended X-ray absorption fine structure." E. C. Paloura, Ch. Lioutas, A. Markwitz, J. Appl. Phys. 80, 2720 (1996). 7. "Microstructure modifications induced by bonded hydrogen in N-rich SiN x :H films", E. C. Paloura, Ch. Lioutas, N. Vouroutzis, W. M. Arnoldbik, F. H. P. M. Habraken, Y. Kuo, J. Appl. Phys. 80, 5742 (1996). 8. "The effect of Arsenic overpressure on the structural-properties of GaAs grown at lowtemperature", M. Lagadas, Z. Hatzopoulos, K. Tsagaraki, M. Calamiotou, Ch. B. Lioutas, A. Christou, J. Appl. Phys. 80, 4377 (1996). 9. "The influence of planar compositional modulation on the anisotropic behaviour of TiBiSe 2 ", E. K. Polychroniadis, A. N. Anagnostopoulos and Ch. B. Lioutas, Mat. Sci. Forum , 641 (1996). 10. "Electron beam induced damage in N-rich SiNx films deposited by plasma enhanced chemical vapour deposition.", Ch. Β. Lioutas, N. Vouroutzis, E. C. Paloura, Y. Kuo, Thin Solid Films 296, 28 (1997). 11. "An X-Ray and Electron Diffraction Study of the Tetragonal Lead Tungsten Bronze Pb 0.26 WO 3 ", S.T. Triantafyllou, P. C. Christidis, Ch. B. Lioutas, J. of Sol. Stat. Chem., 130, 176 (1997). 12. "An X-Ray and Electron Diffraction Study of the Tetragonal Sodium Tungsten Bronze Na 0.10 WO 3 with Distored Perovskite Structure.", S.T. Triantafyllou, P. C. Christidis, Ch. B. Lioutas, J. of Sol. State Chem., 133, 479 (1997). 13. "An X-Ray and Electron Diffraction Study of the Intergrowth Tungsten Bronze Sb 0.16 WO 3." S.T. Triantafyllou, P. C. Christidis, Ch. B. Lioutas, J. of Sol. State Chem. 134, 344 (1997). 14. "Post-growth modification of amorphous carbon films under ion beam bombardment: grain size dependence on the films thickness." S. Logothetidis, Ch. B. Lioutas and M. Gioti, Diamond & Rel. Mat. 7, 449 (1998). 15. "Transmission electron microscopy investigation of the structural characteristics of amorphous tetrahedral carbon films." Ch. B. Lioutas, N. Vouroutzis, S. Logothetidis and H. Lefakis, Thin Solid Films 319, 144 (1998). 16. "Phase transformation of hydrogen free amorphous carbon films under ion beam bombardment." Ch. B. Lioutas, N. Vouroutzis, S. Logothetidis, S. Boultadakis, Carbon 36,545 (1998). 17. "New forms of hydrogen free amorphous carbon films." S. Logothetidis, M. Gioti and Ch. B. Lioutas, Carbon 36, 539 (1998). 18. " TEM Investigation of the Dependence of Structural Defects on Prelayer Formation in GaAs-on-Si Thin Films.", Ch. B. Lioutas, A. Delimitis and A. Georgakilas, Thin Solid Films 336, (1998). 19. "Causes of deactivation and an effort to regenerate a commercial spent three-way catalyst", T. N. Angelidis, M. M. Koutlemani, S. A. Sklavounos, Ch. B. Lioutas, A. Voulgaropoulos, V. G. Papadakis and H. Emons, Studies In Surface Science and Catalysis 116, (1998). 20. "Interplay between planar defects and threading dislocations in GaAs-on-Si.", A. Delimitis, Ch. B. Lioutas, K. Michelakis and A. Georgakilas, Mat. Sci. Forum , (1999).

Kuo, J. Appl. Phys. 80, 5742 (1996). 8. "The effect of Arsenic overpressure on the structural-properties of GaAs grown at lowtemperature", M. Lagadas, Z. Hatzopoulos, K. Tsagaraki, M. Calamiotou, Ch.

6 21. Ion implantation effects on the microhardness and microstructure of GaN, Kavouras P., Katsikini M., Vouroutzis N., Lioutas C.B., Paloura E.C., Antonopoulos J., Karakostas T., Journal of Crystal Growth 230, (2001). ύο (2) εργασίες σε διεθνή συνέδρια µε κριτές. 1. "Hydrogen-induced passivation of deep-traps in n-gaas:si grown on LT-GaAs.", E.C. Paloura, A. Ginoudi, B. Theys, J. Chevallier, Ch. B. Lioutas & J. Kalomiros, M. Lagadas and Z. Hatzopoulos, Proc. Mat. Res. Soc. Vol. 378, 459, (1995). 2. "Magnetic measurments of magnitude and time stability of induced currents in Y-Ba- Cu-O doped with Cd and Mg.", L. Pust, M. Jirsa, L. Papadimitriou, O. Valasiades and Ch. B. Lioutas, Acta Phys. Slov. 46, 183 (1996).

Ginoudi, B. Theys, J. Chevallier, Ch. B. Lioutas & J. Kalomiros, M. Lagadas and Z. Hatzopoulos, Proc. Mat. Res. Soc. Vol. 378, 459, (1995). 2.

Σχετικά έγγραφα

Dr. N. Φράγκης Αναπληρωτής Καθηγητής Τοµέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης Τµήµα Φυσικής Αριστοτέλειο Πανεπιστήµιο Θεσσαλονίκης (ΑΠΘ) Θεσσαλονίκη

Dr. N. Φράγκης Αναπληρωτής Καθηγητής Τοµέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης Τµήµα Φυσικής Αριστοτέλειο Πανεπιστήµιο Θεσσαλονίκης (ΑΠΘ) 54006 Θεσσαλονίκη Προσωπικά στοιχεία: Έτος γεννήσεως 1956. Έγγαµος και