Προσομοίωση εγχάραξης δομών SiO 2 και Si σε πλάσμα φθοριωμένων υδρογονανθράκων

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "Προσομοίωση εγχάραξης δομών SiO 2 και Si σε πλάσμα φθοριωμένων υδρογονανθράκων"

Transcript

1 Εθνικό & Καποδιστριακό Πανεπιστήμιο Αθηνών Σχολή Θετικών Επιστημών Τμήμα Πληροφορικής Εθνικό Κέντρο Έρευνας Φυσικών Επιστημών Δημόκριτος Ινστιτούτο Μικροηλεκτρονικής Μεταπτυχιακό πρόγραμμα ΕΠΕΑΕΚ Μικροηλεκτρονικής Προσομοίωση εγχάραξης δομών SiO και Si σε πλάσμα φθοριωμένων υδρογονανθράκων Διπλωματική εργασία Κόκκορης Γεώργιος Επιβλέπων: Γογγολίδης Ευάγγελος Κύριος Ερευνητής Ινστιτούτο Μικροηλεκτρονικής, ΕΚΕΦΕ Δημόκριτος ΑΘΗΝΑ 000

2 Ευχαριστίες Θα ήθελα να εκφράσω τις ειλικρινείς ευχαριστίες μου σε όλους όσους βοήθησαν καθ οιονδήποτε τρόπο στην εκπόνηση αυτής της διπλωματικής εργασίας. Ιδιαίτερα θα ήθελα να ευχαριστήσω τον Κύριο Ερευνητή του Ινστιτούτου Μικροηλεκτρονικής του Δημόκριτου κ. Ευάγγελο Γογγολίδη που μου έδωσε την ευκαιρία να πραγματοποιήσω αυτή την εργασία και ήταν ο οδηγός και ο βοηθός σε όλη την πορεία της. Θα ήθελα ακόμη να ευχαριστήσω τον Αναπληρωτή Καθηγητή του ΕΜΠ κ. Ανδρέα Μπουντουβή για την υλικοτεχνική υποστήριξη που μου εξασφάλισε, χωρίς την οποία δεν θα ήταν δυνατό να υλοποιηθεί η εργασία. Θα ήθελα επίσης να ευχαριστήσω όλο το προσωπικό του Ινστιτούτου Μικροηλεκτρονικής και ειδικά τις Δρ. Αγγελική Τσερέπη και Ευαγγελία Τέγου καθώς και τους υποτρόφους του Ινστιτούτου οι οποίοι με βοήθησαν σε δύσκολες στιγμές. Θα ήθελα τέλος να ευχαριστήσω την οικογένεια μου που συμπαραστάθηκε στην προσπάθειά μου και να της αφιερώσω τ ην παρούσα εργασία.

3

4 Περιεχόμενα Περίληψη. iv Κεφάλαιο 1ο: Εισαγωγή Εισαγωγή 1. Κατηγορίες και βασικές παράμετροι εγχάραξης 1.3 Ξηρή εγχάραξη-εγχάραξη με πλάσμα Το πλάσμα 1.3. Ο αντιδραστήρας πλάσματος Μηχανισμοί εγχάραξης 1.4 Εγχάραξη δομών με πλάσμα 1.5 Σκοπός της εργασίας Κεφάλαιο ο: Μοντέλο εγχάραξης ελεύθερης επιφάνειας Si, SiO σε πλάσμα φθοριωμένων υδρογονανθράκων 15.1 Εισαγωγή. Οι βασικοί μηχανισμοί..1 Προσρόφηση ουδετέρων ειδών.. Εγχάραξη Υποβοηθούμενη από Ιόντα (ΕΥΙ): Χημική και μηχανική (Ion- Enhanced Chemical Etching + Ion-Enhanced Chemical Sputtering)..3 Καθαρά χημική ή θερμική εγχάραξη (thermal etching)..4 Ιονοβολή ή καθαρά μηχανική εγχάραξη από τα προσπίπτοντα ιόντα (sputtering) και (άμεση) απευθείας εναπόθεση ιόντων..5 Εναπόθεση υποβοηθούμενη από ιόντα (Ion-enhanced deposition or neutral stitching by ions).3 Μοντέλα για την εγχάραξη Si, SiO σε πλάσμα CF To μοντέλo για την εγχάραξη Si.3. Το μοντέλο για την εγχάραξη SiΟ.3.3 Οι συντελεστές του μοντέλου.4 Μοντέλo για τον προσδιορισμό των φαινόμενων συντελεστών προσκόλλησης σε επιφάνεια Si, SiO.5 Οι δυνατότητες και η εφαρμογή των μοντέλων.6 Αποτελέσματα των μοντέλων.7 Σύγκριση με πειραματικά αποτελέσματα.8 Συμπεράσματα Κεφάλαιο 3ο: Μαθηματικό πρότυπο για τον υπολογισμό των τοπικών τιμών ροής ουδετέρων ειδών και ιόντων μέσα στις εγχαρασσόμενες δομές Εισαγωγή 3. Τα βασικά φαινόμενα 3.3 Σκίαση της ροής Στερεά γωνία Ω για αυλάκι 3.3. Στερεά γωνία Ω για οπή Ροή ουδετέρων από τον κυρίως όγκο του πλάσματος σε αυλάκι και οπή Υπολογισμός ροής ουδετέρων σε αυλάκι Υπολογισμός ροής ουδετέρων σε οπή Ροή ιόντων από τον κυρίως όγκο του πλάσματος σε αυλάκι και οπή i

5 Υπολογισμός ροής ιόντων σε αυλάκι Υπολογισμός ροής ιόντων σε οπή 3.4 Επανεκπομπή της ροής Ροή ουδετέρων από επανεκπομπή Ροή από επανεκπομπή σε αυλάκι Ροή από επανεκπομπή σε οπή 3.4. Ροή ιόντων από επανεκπομπή 3.5 Εφαρμογές και δυνατότητες του μοντέλου υπολογισμού των τοπικών τιμών της ροής Κεφάλαιο 4ο: Αριθμητικές μέθοδοι και υπολογισμοί Εισαγωγή 4. Αριθμητική ολοκλήρωση 4.3 Επίλυση της ολοκληρωτικής εξίσωσης Η ολοκληρωτική εξίσωση 4.3. Οι μέθοδοι επίλυσης Η μέθοδος προβολής collocation (collocation method) Η μέθοδος Nystrom Αξιολόγηση των μεθόδων επίλυσης της ολοκληρωτικής εξίσωσης Αποτελέσματα επίλυσης της ολοκληρωτικής εξίσωσης Υπολογισμός της άγνωστης συνάρτησης F(s) Οι διακυμάνσεις της άγνωστης συνάρτησης F(s) στις γωνίες του προφίλ 4.4 Η επίλυση του γραμμικού συστήματος Οι επαναληπτικές μέθοδοι Η επιλογή της επαναληπτικής μεθόδου Οι άμεσες μέθοδοι Αξιολόγηση Κεφάλαιο 5ο: Σύζευξη των μοντέλων ελεύθερης επιφάνειας και υπολογισμού τοπικών τιμών ροής σε δομές Εισαγωγή 5. Σύζευξη μοντέλου ελεύθερης επιφάνειας με το μοντέλο υπολογισμού των τοπικών τιμών των ροών 5..1 Το πρόβλημα υπολογισμού της ροής των ουδετέρων ειδών 5.. Γενίκευση του προβλήματος υπολογισμού της ροής 5..3 Ο αλγόριθμος 5.3 Αποτελέσματα Καθορισμός των παραμέτρων του προβλήματος 5.3. Τοπικές τιμές ροής και ρυθμού εγχάραξης σε αυλάκι Εξάρτηση της ροής και του ρυθμού εγχάραξης από το λόγο ασυμμετρίας Η επίδραση της ροής ατόμων F Η επίδραση της ροής ουδετέρων ριζών CF x Η επίδραση της τυπικής απόκλισης της κατανομής κατευθύνσεων των ιόντων Η επίδραση της ενέργειας των ιόντων Συνθήκες για την επίτευξη εγχάραξης σε αυλάκια Η επίδραση των φαινομένων σκίασης και επανεκπομπής στην εξάρτηση του ρυθμού εγχάραξης από το λόγο ασυμμετρίας Εξάρτηση του ρυθμού εγχάραξης από το χρόνο ii

6 5.4 Ενσωμάτωση των μοντέλων σε προσομοιωτή εξέλιξης τοπογραφίας 5.5 Συμπεράσματα και προτάσεις για το μέλλον Παραρτήματα Παράρτημα Α : Συντελεστές των μοντέλων εγχάραξης ελεύθερης επιφάνειας Si, SiO Παράρτημα B: Στοιχεία κινητικής θεωρίας των αερίων Παράρτημα Γ. Η μέθοδος ολοκλήρωσης Gauss και ο προσδιορισμός σημείων και συντελεστών βάρους Παράρτημα Δ : Η μέθοδος επίλυσης διαφορικών εξισώσεων Runge-Kutta 7ης τάξης με προσαρμοζόμενο βήμα iii

7 Περίληψη Η διεργασία της εγχάραξης επιφανειών συναντάται πολύ συχνά κατά τη διαδικασία κατασκευής ολοκληρωμένων κυκλωμάτων (OK) στη Μικροηλεκτρονική. Οι επιφάνειες που εγχαράσσονται κατά τις διαδικασίες κατασκευής OK δεν είναι ελεύθερες αλλά αποτελούν τμήμα κάποιας δομής όπως ένα αυλάκι ή μία οπή. Μία από τις σημαντικές περιοχές εφαρμογής της διεργασίας τα τελευταία χρόνια είναι η εγχάραξη διηλεκτρικών υλικών όπως το SiO για τη κατασκευή οπών επαφής μεταξύ διαφορετικών επιπέδων μετάλλου σε ένα ΟΚ. Η βιομηχανία αναζητεί νέα διηλεκτρικά υλικά χαμηλής διηλεκτρικής σταθεράς (ε) που θα αντικαταστήσουν το SiO. Αντιμετωπίζει προβλήματα όπως η υστέρηση εγχάραξης (η μείωση του ρυθμού εγχάραξης σε στενότερες δομές) που είναι δυνατό να οδηγήσει ακόμη και στη διακοπή της εγχάραξης και την εναπόθεση πολυμερικού προϊόντος επί της επιφάνειας (μετάβαση από εγχάραξη σε εναπόθεση). Ολοκληρωμένος προσομοιωτής εγχάραξης δομών διηλεκτρικών υλικών που θα μπορούσε να βοηθήσει στην κατανόηση των φαινομένων και στην επίλυση των προβλημάτων δεν υπάρχει. Ο σκοπός της εργασίας είναι η προσομοίωση εγχάραξης δομών SiO, Si με πλάσμα φθοριωμένων υδρογονανθράκων, η πρόβλεψη της εξέλιξης της τοπογραφίας των εγχαρασσόμενων δομών και η κατανόηση βασικών φαινομένων όπως η υστέρηση εγχάραξης (Reactive Ion Etching lag ή RIE lag) και η μετάβαση από εγχάραξη σε εναπόθεση. Για την ανάπτυξη ενός ολοκληρωμένου μοντέλου εγχάραξης δομών απαιτούνται: 1. Μοντέλο εγχάραξης ελεύθερης επιφάνειας. Με το μοντέλο αυτό προσδιορίζεται η ποσοτική επίδραση των διαφόρων παραμέτρων (όπως η ροή ιόντων, ουδετέρων ειδών προς την επιφάνεια για την ξηρή εγχάραξη) στο ρυθμό εγχάραξης.. Μοντέλο υπολογισμού των τοπικών τιμών των παραμέτρων που καθορίζουν το ρυθμό εγχάραξης μέσα σε δομές. Η τοπική τιμή της ροής κάποιου ουδέτερου είδους στη βάση ενός αυλακιού διαφέρει από αυτή που φτάνει σε μια ελέυθερη επιφάνεια. Η διαφορά των τοπικών τιμών των παραμέτρων από τις τιμές σε ελεύθερη επιφάνεια οφείλεται στην γεωμετρία της εγχαρασσόμενης δομής και στα φαινόμενα μεταφοράς που συμβαίνουν στη μικρονική και υπό-μικρονική κλίμακα της δομής. 3. Σύζευξη των μοντέλων ελεύθερης επιφάνειας (1) και υπολογισμού των τοπικών τιμών των παραμέτρων που επηρεάζουν το ρυθμό εγχάραξης (). Στόχος είναι ο υπολογισμός του ρυθμού εγχάραξης σε κάθε στοιχειώδη επιφάνεια της εγχαρασσόμενης δομής. 4. Ενσωμάτωση των μοντέλων σε προσομοιωτή εξέλιξης τοπογραφίας. Στην παρούσα εργασία αναπτύσσεται μοντέλο για την εγχάραξη δομών Si και SiO σε πλάσμα φθοριωμένων υδρογονανθράκων. Ειδικότερα : iv

8 Αρχικά αναπτύσσεται μοντέλο εγχάραξης ελεύθερης επιφάνειας Si, SiO σε πλάσμα φθοριωμένων υδρογονανθράκων. Το μοντέλο περιγράφει τις επιφανειακές διεργασίες ρόφησης-εκρόφησης των ουδετέρων ειδών (ατόμων F, ουδετέρων ριζών CF x ) που παράγονται στον κυρίως όγκο του πλάσματος καθώς και τις διεργασίες δημιουργίας και καταστροφής του πολυμερούς που σχηματίζεται στην επιφάνεια. Βασική παράμετρός του μοντέλου είναι το κλάσμα κάλυψης της επιφάνειας, θ. Το μοντέλο μπορεί να υπολογίσει α) τα κλάσματα κάλυψης της επιφάνειας από τα ουδέτερα είδη που προσροφούνται σε αυτή και από το πολυμερές που σχηματίζεται επί αυτής, β) την απόδοση εγχάραξης (απομακρυνόμενα άτομα Si)/(προσπίπτον ιόν), γ) το ρυθμό εγχάραξης, δ) την εκλεκτικότητα εγχάραξης (SiO /Si) και ε) τους συντελεστές προσκόλλησης των ουδετέρων ειδών στην επιφάνεια. Τέλος, μπορεί να προβλέψει και τη μετάβαση από εγχάραξη σε εναπόθεση. Το μοντέλο ελεύθερης επιφάνειας που αναπτύσσεται προβλέπει απότομη μετάβαση από εγχάραξη σε εναπόθεση με την μείωση του λόγου της ροής των ατόμων F προς τη ροή των ιόντων, με τη μείωση της ενέργειας των ιόντων και με την αύξηση του λόγου της ροής των ριζών CF x προς τη ροή των ιόντων. Επίσης, τα αποτελέσματά του φανερώνουν ότι η εκλεκτικότητα SiO /Si μπορεί να πάρει εξαιρετικά υψηλή τιμή με κατάλληλη επιλογή παραμέτρων (π.χ ροή και σύσταση ουδετέρων ειδών και ιόντων, ενέργεια ιόντων). Το κλάσμα κάλυψης της επιφάνειας από πολυμερές αντιστοιχίζεται με το πάχος του πειραματικά παρατηρούμενου πολυμερικού στρώματος στην επιφάνεια Si, SiO και τα αποτελέσματα του μοντέλου συγκρίνονται με πειραματικά. Στη συνέχεια αναπτύσσεται μοντέλο υπολογισμού των τοπικών τιμών ροής ιόντων και ουδετέρων ειδών μέσα σε δομές. Το μοντέλο περιγράφει την επίδραση της γεωμετρίας της εγχαρασσόμενης δομής και των φαινομένων μεταφοράς της ροής μέσα σε αυτή στις τοπικές τιμές της ροής ιόντων, ουδετέρων ειδών. Οι δομές που εξετάζονται είναι αυλάκια και οπές με κυλινδρική συμμετρία. Εξετάζονται φαινόμενα όπως η σκίαση (shadowing) της ροής ιόντων και ουδετέρων ειδών και η επανεκπομπή (re-emission) ουδετέρων ειδών. Το μοντέλο λαμβάνει υπόψη την κατανομή κατευθύνσεων των σωματιδίων (ιόντων, ουδετέρων ειδών) που εισέρχονται στη δομή καθώς και το μηχανισμό επανεκπομπής των σωματιδίων. Είναι γενικό και μπορεί να εφαρμοστεί και σε άλλες διεργασίες που συμβαίνουν μέσα σε δομές (π.χ. εναπόθεση). Το αναγκαίο δεδομένο για τον υπολογισμό των τοπικών τιμών της ροής ενός σωματιδίου είναι οι τοπικές τιμές του συντελεστή προσκόλλησης (πιθανότητα προσκόλλησης του σωματιδίου στην επιφάνεια). Το επόμενο τμήμα αφορά αριθμητικές μεθόδους επίλυσης: Η θεώρηση φαινομένων όπως η σκίαση και κυρίως η επανεκπομπή της ροής οδηγούν σε μαθηματικά προβλήματα για την επίλυση των οποίων επιστρατεύονται μέθοδοι αριθμητικής ανάλυσης. Για παράδειγμα η ροή από επανεκπομπή που φτάνει σε κάθε σημείο της εγχαρασσόμενης δομής υπολογίζεται λύνοντας αριθμητικά μια ολοκληρωτική εξίσωση. Δοκιμάζονται και αξιολογούνται περισσότερες από μια μεθόδους επίλυσης της ολοκληρωτικής εξίσωσης: α) η μέθοδος προβολής collocation και β) η μέθοδος Nystrom. Έπειτα γίνεται σύζευξη του μοντέλου ελεύθερης επιφάνειας με το μοντέλο υπολογισμού των τοπικών τιμών ροής. Το κεντρικό σημείο της σύζευξης είναι ο ταυτόχρονος υπολογισμός των τοπικών τιμών α) της ροής ουδετέρων ειδών και β) των συντελεστών προσκόλλησής αυτών των ειδών στην επιφάνεια. Με τη σύζευξη v

9 υπολογίζεται ο ρυθμός εγχάραξης τοπικά σε κάθε στοιχειώδη επιφάνεια της δομής που εξετάζεται. Μελετάται η επίδραση του λόγου ασυμμετρίας της δομής (βάθος/πλάτος για αυλάκι) στο ρυθμό εγχάραξης και προβλέπεται το φαινόμενο υστέρησης εγχάραξης (Reactive Ion Etching lag ή RIE lag): οι στενότερες δομές εγχαράσσονται με μικρότερο ρυθμό. Διερευνάται ο ρόλος της σκίασης και της επανεκπομπής της ροής στην εξάρτηση του ρυθμού εγχάραξης από το λόγο ασυμμετρίας και προσδιορίζεται η εξάρτηση του βάθους και του ρυθμού εγχάραξης από το χρόνο για αυλάκια SiO. Τέλος, γίνονται οι πρώτες προσπάθειες για την ενσωμάτωση των μοντέλων που αναπτύχθηκαν σε προσομοιωτή εξέλιξης τοπογραφίας και καταγράφονται τα συμπεράσματα και οι προτάσεις για το μέλλον. vi

10 1 Εισαγωγή Περίληψη Η διεργασία της εγχάραξης συναντάται πολύ συχνά κατά τη διαδικασία κατασκευής ολοκληρωμένων κυκλωμάτων στη Μικροηλεκτρονική. Η εγχάραξη διακρίνεται σε υγρή (wet etching) και ξηρή ή εγχάραξη με πλάσμα (plasma etching). Κρίσιμες παράμετροι κατά την εγχάραξη είναι η ανισοτροπία (anisotropy), η εκλεκτικότητα (selectivity) και η ομοιομορφία (uniformity). Η ξηρή εγχάραξη διεξάγεται εντός αντιδραστήρα πλάσματος. Οι βασικοί μηχανισμοί εγχάραξης είναι η ιονοβολή (physical sputtering), η χημική εγχάραξη (chemical etching) και η εγχάραξη υποβοηθούμενη από ιόντα (ion-enhanced etching). Η μελέτη της εγχάραξης δομών (π.χ. αυλάκια ή οπές) απαιτεί να διερευνηθεί η ποσοτική επίδραση των διαφόρων παραμέτρων (π.χ. ροή ιόντων, ουδετέρων ειδών προς την επιφάνεια) στο ρυθμό εγχάραξης και να προσδιοριστούν οι τιμές αυτών των παραμέτρων τοπικά σε κάθε σημείο της δομής. Στην παρούσα εργασία αναπτύσσεται ένα μοντέλο για την εγχάραξη δομών (π.χ. αυλακιών και κυλινδρικών οπών) Si και SiO με πλάσμα CF 4. Περιεχόμενα 1.1 Εισαγωγή 1. Κατηγορίες και βασικές παράμετροι εγχάραξης 1.3 Ξηρή εγχάραξη-εγχάραξη με πλάσμα Το πλάσμα 1.3. Ο αντιδραστήρας πλάσματος Μηχανισμοί εγχάραξης 1.4 Εγχάραξη δομών με πλάσμα 1.5 Σκοπός της εργασίας

11 1.1 Εισαγωγή Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα σήμερα κατασκευάζονται με επίπεδη τεχνολογία δηλαδή με εναπόθεση διαδοχικών στρωμάτων (υμένια ή φιλμ) και σχηματοποίηση τους ώστε να γίνουν οι πύλες των τρανζίστορ, οι γραμμές των αγωγών ρεύματος και άλλα απαραίτητα στοιχεία αυτών. Για τη σχηματοποίηση των λεπτών αυτών υμενίων απαιτείται η χρήση προηγμένων τεχνολογιών αποτύπωσης σχήματος (patterning technologies). Η τεχνολογία αποτύπωσης σχήματος 1 εμπεριέχει δύο σημαντικές τεχνολογικές διεργασίες: τη λιθογραφία και την εγχάραξη με υγρά χημικά ή με ηλεκτρικές εκκενώσεις πλάσματος. Πολυμερές SiO δισκίο Si hv SiO δισκίο Si 1. επίστρωση πολυμερούς σε φιλμ οξειδίου. έκθεση σε ακτινοβολία μέσω μάσκας SiO δισκίο Si 3. υγρή εμφάνιση (διάλυση των φωτισμένων περιοχών) SiO δισκίο Si 4. εγχάραξη του οξειδίου με πλάσμα SiO δισκίο Si 5. αφαίρεση του πολυμερούς Σχήμα 1.1. Αποτύπωση σχήματος σε λεπτό στρώμα οξειδίου με λιθογραφία και εγχάραξη. Το σχήμα 1.1 δείχνει την αποτύπωση ενός σχήματος πάνω σε ένα λεπτό στρώμα οξειδίου του πυριτίου που έχει εναποτεθεί πάνω σε ένα δισκίο πυριτίου. Ένα λεπτό στρώμα φωτοευαίσθητου πολυμερούς (photoresist) που παίζει το ρόλο φωτογραφικού υλικού εναποτίθεται πάνω στο οξείδιο με περιστροφή (spining) διαλύματός του. Το πολυμερές φωτίζεται μέσα από μια μάσκα με διαφανείς και αδιαφανείς περιοχές, η οποία φέρει το σχήμα που ζητούμε να αποτυπώσουμε στο οξείδιο. Το φως που περνά από τις διαφανείς περιοχές προκαλεί χημικές αλλαγές στο φωτοευαίσθητο πολυμερές. Ακολουθεί η εμφάνιση (development) του πολυμερούς με κατάλληλο εμφανιστή που απομακρύνει τις φωτισμένες περιοχές αφήνοντας άθικτες τις αφώτιστες (διεργασία θετικού τόνου-positive tone process), είτε το αντίθετο (αρνητικού τόνου διεργασίαnegative tone process). Με το τέλος της εμφάνισης το σχήμα της μάσκας (ή το αρνητικό της) έχει αποτυπωθεί στο πολυμερές. Όλα τα παραπάνω βήματα συνιστούν τη διεργασία της λιθογραφίας (lithography). Ακολουθεί η διεργασία της εγχάραξης του οξειδίου με υγρά χημικά αντιδραστήρια ή αέρια που δημιουργούνται σε ηλεκτρικές εκκενώσεις πλάσματος. Τέλος, ακολουθεί η αφαίρεση του πολυμερούς

12 (photoresist stripping) με υγρούς διαλύτες ή με πλάσμα πλούσιο σε οξυγόνο που «καίει» το πολυμερές (photoresist ashing). Οι διεργασίες εγχάραξης όπως και λιθογραφίας είναι εφαρμόσιμες όχι μόνο στη Μικροηλεκτρονική, αλλά σε οποιαδήποτε επίπεδη τεχνολογία. Μικροσυστήματα και μικρομηχανικές εφαρμογές (μικρογρανάζια, μικροαντλίες) μικροαισθητήρες και ανιχνευτές χημικών ή φυσικών μεγεθών, επίπεδοι καταλύτες, μικροαντιδραστήρες, μικροδομές για την ανάπτυξη κυττάρων είναι μερικές σύγχρονες τεχνολογικές εφαρμογές των διεργασιών αποτύπωσης σχήματος. 1. Κατηγορίες και βασικές παράμετροι εγχάραξης Η εγχάραξη υποστρωμάτων Si, SiO μπορεί να γίνει είτε με υγρά χημικά αντιδραστήρια (π.χ. HF, H 3 PO 4 ) οπότε αναφερόμαστε στην υγρή εγχάραξη (wet chemical etching) είτε με αέρια αντιδραστήρια που δημιουργούνται με ηλεκτρικές εκκένωσεις αερίων (π.χ. CF 4, CHF 3, SF 6, Cl ) οπότε αναφερόμαστε στην ξηρή εγχάραξη (dry etching, plasma etching). Η διαφορά της ξηρής από την υγρή εγχάραξη όσον αφορά στο σχήμα της δομής που εγχαράσσεται φαίνεται στο σχήμα 1.. Στην περίπτωση της ξηρής εγχάραξης τα πλάγια τοιχώματα είναι κάθετα, η κυρίαρχη κατεύθυνση της εγχάραξης είναι κάθετη. Με τα υγρά αντιδραστήρια η εγχάραξη δεν εμφανίζει κατεύθυνση προτίμησης. Λέμε ότι η υγρή εγχάραξη χαρακτηρίζεται από ισοτροπία (isotropy) ενώ η ξηρή από ανισοτροπία (anisotropy). Η ανισοτροπία αποτελεί κρίσιμη παράμετρο για την εγχάραξη και τις διαδικασίες κατασκευής ολοκληρωμένων κυκλωμάτων και το βασικό πλεονέκτημα της ξηρής σε σχέση με την υγρή εγχάραξη. Με την ξηρή εγχάραξη είναι δυνατή η πιστή μεταφορά του υπερκείμενου προστατευτικού στρώματος καθώς η εγχάραξη δεν προχωρά κάτω από αυτό το προστατευτικό στρώμα όπως συμβαίνει με την υγρή. Μάσκα, π.χ. φωτοπολυμερές Φιλμ που πρόκειται να εγχαραχτεί, π.χ. SiO α) Ισοτροπική εγχάραξη β) Ανισοτροπική εγχάραξη Σχήμα 1.. Η ισοτροπία (α) είναι χαρακτηριστικό της υγρής εγχάραξης και η ανισοτροπία (β) της ξηρής. Μια ακόμη κρίσιμη παράμετρος της διεργασίας εγχάραξης είναι η εκλεκτικότητα (selectivity). Το μέσο εγχάραξης που χρησιμοποιείται θα πρέπει εκλεκτικά να διαβρώνει το προς εγχάραξη στρώμα σε σχέση με το υποκείμενό του. Αν η εκλεκτικότητα δεν είναι υψηλή και η διάβρωση όλου του πάχους του προς εγχάραξη στρώματος δεν ανιχνευθεί άμεσα ώστε να σταματήσει η εγχάραξη, υπάρχει ο υπό συγκεκριμένες συνθήκες η υγρή εγχάραξη μπορεί να είναι κρυσταλλογραφικά κατευθυνόμενη σε κρυσταλλικά υποστρώματα 3

13 κίνδυνος καταστροφής του υποκείμενου στρώματος. Με την υγρή εγχάραξη είναι δυνατό να επιτευχθεί πολύ μεγάλη εκλεκτικότητα, κάτι το οποίο δεν είναι εύκολο με την ξηρή. Σημαντική παράμετρος στην διαδικασία εγχάραξης είναι η ομοιομορφία (uniformity). Η ομοιομορφία καθορίζεται από την μεταβολή του εναπομείναντος πάχους του προς εγχάραξη στρώματος στο εύρος της εγχαρασσόμενης επιφάνειας. Αν οι μεταβολές είναι μικρές η ομοιομορφία είναι υψηλή. Η απαίτηση για πιστή μεταφορά του υπερκείμενου στρώματος και πλήρη απομάκρυνση του προς εγχάραξη στρώματος απαιτεί υψηλό βαθμό ομοιομορφίας στην εγχάραξη. Αν τελικά η εγχάραξη δεν είναι ομοιόμορφη, για την πιστή μεταφορά του υπερκείμενου στρώματος χρειάζεται επιπλέον εγχάραξη (overetch) για να απομακρυνθεί ολοκληρωτικά το προς εγχάραξη στρώμα. Στο χρόνο που διαρκεί η επιπλέον εγχάραξη υπάρχει κίνδυνος διάβρωσης του υποκείμενου στρώματος. Η ανάγκη για επιπλέον εγχάραξη λόγω ανομοιομορφίας αναδεικνύει τη σημασία της εκλεκτικότητας. Η σύγκριση της υγρής με την ξηρή εγχάραξη δείχνει ότι ο απλός αυτοματισμός, η αποφυγή μεγάλου όγκου υγρών χημικών αντιδραστηρίων, η συμβατότητά της με τις υπόλοιπες τεχνολογίες κενού που χρησιμοποιούνται στην κατασκευή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων και κυρίως η ανισοτροπία δίνουν στην ξηρή εγχάραξη σημαντικό προβάδισμα Ξηρή εγχάραξη-εγχάραξη με πλάσμα Το πλάσμα Με τον όρο «πλάσμα» (plasma) εννοούμε ένα σχεδόν ουδέτερο (quasineutral) ηλεκτρικά αέριο που αποτελείται από φορτισμένα σωματίδια (θετικά και αρνητικά ιόντα, ηλεκτρόνια) και ουδέτερα μόρια, και εμφανίζει συλλογική συμπεριφορά. 3 Με τον όρο «σχεδόν ουδέτερο» ηλεκτρικά περιγράφεται ένα μέσο στο οποίο η πυκνότητα των θετικών φορτίων είναι σχεδόν ίση με την πυκνότητα των αρνητικών φορτίων. Με τον όρο «συλλογική συμπεριφορά» εννοούμε ότι οι κινήσεις φορτισμένων σωματιδίων του πλάσματος εξαρτώνται όχι μόνο από τις συνθήκες στη γειτονιά των σωματιδίων αλλά και από τις συνθήκες που επικρατούν σε απομακρυσμένες σε σχέση με τα σωματίδια περιοχές. 3 Ο όρος «πλάσμα» οφείλεται στον Langmuir, o οποίος παρατηρώντας τις ηλεκτρικές εκκενώσεις σε αέρια όπως He, Ne, Ar, διαπίστωσε ότι αυτές λαμβάνουν οποιοδήποτε σχήμα, «πλάθονται». Έτσι το 199 χρησιμοποίησε την ελληνική λέξη «πλάσμα» για να περιγράψει το φαινόμενο αυτό. Ο Chen 3 αναφέρει ότι πρόκειται για μια εσφαλμένη ονομασία: εξαιτίας της συλλογικής συμπεριφοράς που εμφανίζει το πλάσμα δεν προσαρμόζεται εύκολα στις εξωτερικές επιδράσεις. Το πλάσμα είναι ιδιαίτερα διαδεδομένο στην φύση, όπως στην ιονόσφαιρα της γης και στην ηλιακή κορώνα, σε σημείο να θεωρείται από ορισμένους ως η τέταρτη κατάσταση της ύλης. Απτά, καθημερινά παραδείγματα πλάσματος αποτελούν οι λαμπτήρες φθορισμού και οι φωτεινές επιγραφές των καταστημάτων Ο αντιδραστήρας πλάσματος Μια απλουστευμένη μορφή ενός αντιδραστήρα πλάσματος φαίνεται στο σχήμα 1.3. Πρόκειται για δύο παράλληλες μεταλλικές πλάκες (ηλεκτρόδια) που απέχουν 0.1-4

14 10 cm, ίσου (συχνότερα και άνισου) εμβαδού, στις οποίες εφαρμόζεται μια εναλλασσόμενη τάση. Το προς επεξεργασία δισκίο βρίσκεται πάνω στο ένα ηλεκτρόδιο. Το όλο σύστημα βρίσκεται μέσα σε ένα θάλαμο κενού. Το αέριο είσοδος αερίων ηλεκτρόδιο οριακή στοιβάδα CF 4 + e - CF 3 + F + e - CF 3 + FF FFF SiO SiF CF 3 + e - CF * 3 CF 3 + hv κυρίως όγκος πλάσματος CF 4 + e - CF F + e - SiO Si CF 3 + CF 3 C F 6 οριακή στοιβάδα ηλεκτρόδιο δισκίο Ε CF 3 + F, CF αντλητικό σύστημα δισκίο Σχήμα 1.3. Σχηματικό διάγραμμα ενός αντιδραστήρα παραλλήλων πλακών καθώς και των τυπικών διεργασιών που συμβαίνουν με τη δημιουργία του πλάσματος. εισέρχεται από το ένα ηλεκτρόδιο (συνήθως από οπές στην επιφάνειά του) και αντλείται από κάποια οπή του θαλάμου μέσω αντλιών κενού. Με την εφαρμογή της τάσεως ξεσπά ηλεκτρική εκκένωση στο αέριο και δημιουργείται πλάσμα. Το αέριο Πίνακας 1.1. Χαρακτηριστικές τιμές των παραμέτρων του πλάσματος. Πίεση Torr Κλάσμα ιονισμένων μορίων Πυκνότητα ηλεκτρονίων ηλεκτρόνια / cm 3 Μέση ενέργεια (θερμοκρασία) α) ουδέτερων μορίων 0.05 ev (300 K) ev (500 K) β) ιόντων στο κυρίως πλάσμα 0.05 ev (300 K) ev (400 K) γ) ηλεκτρονίων 1 ev (11600 K) 10 ev ( K) Συχνότητα εναλλασσόμενης τάσης 100 KHz μέχρι μερικά GHz Συνήθης συχνότητα MHz Συνήθης μέση ενέργεια ιόντων πάνω 00 ev (κάθετα στο δισκίο) στην επιφάνεια του δισκίου εκπέμπει φως. Στο πλάσμα που δημιουργήθηκε διακρίνονται δύο περιοχές: α) ο κυρίως όγκος (bulk) του πλάσματος που είναι σχεδόν ουδέτερος και ανταποκρίνεται στον ορισμό του πλάσματος που δόθηκε και β) τις οριακές στοιβάδες ή φράκτες 5

15 ηλεκτρονίων (sheaths) που αναπτύσσονται όταν το πλάσμα έρχεται σε επαφή με κάποια επιφάνεια. Χαρακτηριστικές τιμές των παραμέτρων του πλάσματος φαίνονται στον πίνακα 1.1. Η θερμοκρασία του αερίου είναι περίπου αυτή του περιβάλλοντος και περίπου ίση με αυτή των αυτή των ιόντων στον κυρίως όγκο του πλάσματος. Αντίθετα, τα ηλεκτρόνια είναι πολύ θερμά (~ Κ). Η αυξημένη θερμοκρασία (ενέργεια) των ηλεκτρονίων οφείλεται στο ότι ενώ επιταχύνονται (κερδίζουν ενέργεια) από τα πεδία που αναπτύσσονται στο πλάσμα, μεταφέρουν πολύ λίγη ενέργεια στο αέριο κατά τις ελαστικές συγκρούσεις με τα ουδέτερα μόρια. Από την άλλη πλευρά, τα ιόντα μεταφέρουν σχεδόν όλη τους την ενέργεια σε μια ελαστική σύγκρουση με ουδέτερα μόρια. Όταν η ενέργεια των ηλεκτρονίων αυξηθεί πολύ, τότε υφίστανται και μη ελαστικές (ανελαστικές) συγκρούσεις κατά τις οποίες χάνουν ενέργεια με αποτέλεσμα η ενέργειά τους να μην αυξάνεται επ άπειρο. Μερικές από τις ανελαστικές συγκρούσεις των ηλεκτρονίων φαίνονται στο σχήμα 1.3 όταν το αέριο στον αντιδραστήρα είναι το CF 4. Έτσι, ένα ηλεκτρόνιο συγκρουόμενο ανελαστικά με ένα ουδέτερο μόριο μπορεί να το διασπάσει σε χημικά δραστικές ρίζες : CF 4 + e - CF 3 + F + e - Ένα ηλεκτρόνιο συγκρουόμενο ανελαστικά με ένα ουδέτερο είδος μπορεί να το διεγείρει ηλεκτρονικά οπότε αυτό αποδιεγειρόμενο εκπέμπει φως: CF 3 + e - CF 3 * CF 3 + hν Τέλος, τα ηλεκτρόνια ιονίζουν θετικά ουδέτερα μόρια: CF 4 + e - CF F + e - Στην παραπάνω αντίδραση παράγεται νέο ηλεκτρόνιο και σε αυτή οφείλεται η συντήρηση του πλάσματος. Η υψηλή ενέργεια των ηλεκτρονίων επιτρέπει χημικές δράσεις σε ένα ψυχρό αέριο που μόνο σε συνθήκες φλόγας θα μπορούσαν να γίνουν. Στον κυρίως όγκο του πλάσματος, εκτός από τις δράσεις όπου συμμετέχουν ηλεκτρόνια γίνονται και αντιδράσεις μεταξύ ουδετέρων ειδών: CF 3 + CF 3 C F 6 Τα φαινόμενα που συμβαίνουν στον κυρίως όγκο είναι διαφορετικά από αυτά που συμβαίνουν στην οριακή στοιβάδα που σχηματίζεται όταν το πλάσμα έρθει σε επαφή με μια επιφάνεια. Τα ηλεκτρόνια κινούνται με μεγαλύτερη ταχύτητα από τα ιόντα. Έτσι, φτάνουν συντομότερα από τα ιόντα στην επιφάνεια με την οποία το πλάσμα έρχεται σε επαφή. Το αποτέλεσμα είναι η επιφάνεια να φορτιστεί αρνητικά, το δυναμικό της να γίνει χαμηλότερο από αυτό του πλάσματος και τα ηλεκτρόνια να απωθούνται από αυτή. Συνεπώς, η οριακή στοιβάδα αδειάζει από ηλεκτρόνια και το δυναμικό που αναπτύσσεται δρα σαν ένας φράκτης ηλεκτρονίων. Όταν στην επιφάνεια εφαρμόζεται και εξωτερικό δυναμικό, όπως συμβαίνει στα ηλεκτρόδια του πλάσματος, η πτώση δυναμικού από το πλάσμα στο ηλεκτρόδιο είναι σημαντική και φτάνει από δεκάδες σε εκατοντάδες Volts. Το δυναμικό αυτό δημιουργεί ένα ηλεκτρικό πεδίο που κατευθύνεται κάθετα προς το ηλεκτρόδιο και συνεπώς προς το δισκίο που εγχαράσσεται (σχήμα 1.3). Οι τροχιές των ουδετέρων ειδών που 6

16 εισέρχονται στο φράκτη ηλεκτρονίων δεν επηρεάζονται από το πεδίο. Αντίθετα τα ιόντα που εισέρχονται στην οριακή στοιβάδα επιταχύνονται από το πεδίο, πέφτουν με ορμή σχεδόν κατακόρυφα πάνω στο δισκίο και υποβοηθούν τις χημικές δράσεις που συμβαίνουν εκεί (σχήμα 1.3). Επειδή η κατεύθυνση των ιόντων είναι σχεδόν κατακόρυφη ο ρυθμός εγχάραξης αυξάνεται μόνο σε αυτή την κατεύθυνση. Έτσι, εξηγείται απλά το φαινόμενο της ανισοτροπίας στην εγχάραξη με πλάσμα Μηχανισμοί εγχάραξης Οι βασικοί μηχανισμοί εγχάραξης μιας επιφάνειας 4 είναι οι παρακάτω: α) Ιονοβολή (physical sputtering) Πρόκειται για το φυσικό μηχανισμό εκτίναξης υλικού από την επιφάνεια λόγω του βομβαρδισμού του με υψηλής ενέργειας ιόντα. Η ιονοβολή είναι κατευθυνόμενη σχεδόν κάθετα στο δισκίο και προκαλεί ανισοτροπική εγχάραξη. Είναι ο μηχανισμός με την μικρότερη εκλεκτικότητα. β) Θερμική ή Χημική εγχάραξη (thermal or chemical etching) Πρόκειται για τη χημική αντίδραση μεταξύ των ουδετέρων ειδών που φτάνουν στην επιφάνεια και του προς εγχάραξη στρώματος κατά την οποία παράγονται πτητικά προϊόντα. Η χημική εγχάραξη προκαλεί ισοτροπική εγχάραξη. Η εκλεκτικότητα αυτού του μηχανισμού μπορεί να είναι πολύ υψηλή γ) Εγχάραξη υποβοηθούμενη από ιόντα (ion-enhanced etching) Πρόκειται για το αποτέλεσμα της συνεργιστικής δράσης των δύο προηγούμενων μηχανισμών εγχάραξης που οδηγεί σε σημαντικά υψηλότερους ρυθμούς εγχάραξης σχετικά με το καθαρά αθροιστικό αποτέλεσμα της ιονοβολής και της χημικής εγχάραξης. Στο σχήμα φαίνεται ακριβώς η διαφορά στους ρυθμούς εγχάραξης στρώματος πυριτίου. Αρχικά χρησιμοποιείται μόνο δέσμη XeF, οπότε συμβαίνει μόνο χημική εγχάραξη, στη συνέχεια προστίθεται δέσμη ιόντων Ar + και τέλος αφαιρείται η δέσμη XeF. Είναι φανερή η διαφορά στο ρυθμό εγχάραξης στα διάφορα στάδια εγχάραξης. Σχήμα 1.4. Ο ρυθμός εγχάραξης 5 επιφάνειας Si λόγω καθαρά χημικής εγχάραξης 7

17 (t<00sec), λόγω εγχάραξης υποβοηθούμενης από ιόντα (00sec< t<650sec) και λόγω ιονοβολής (t>650sec). Έχουν δοθεί διάφορες ερμηνείες για την εξήγηση της συνεργιστικής δράσης ιονοβολής και χημικής εγχάραξης. Σύμφωνα με μία από αυτές, τα ιόντα υψηλής ενέργειας που προσπίπτουν στην επιφάνεια προκαλούν αλλαγές (damages) σε αυτή και με αυτόν τον τρόπο την καθιστούν περισσότερο ενεργή. 4 Σύμφωνα με κάποια άλλη τα ιόντα παρέχουν την απαιτούμενη ενέργεια ώστε είτε να επιταχυνθεί ένα στάδιο της αντίδρασης, είτε να επιταχυνθεί η εκρόφηση των προϊόντων. Τέλος, υπάρχει και η περίπτωση τα ιόντα να απομακρύνουν κάποιο προστατευτικό στρώμα που σχηματίζεται επί της επιφάνειας και να καθιστούν δυνατή την έκθεση του προς εγχάραξη στρώματος στο χημικά δραστικό ουδέτερο είδος. 6 Επειδή ο μηχανισμός ελέγχεται από τη ροή ιόντων προς την επιφάνεια, η οποία είναι σχεδόν κάθετη και δεν φτάνει στα πλάγια τοιχώματα της εγχαρασσόμενης δομής, προκαλεί ανισοτροπική εγχάραξη. α) ιονοβολή υπόστρωμα ουδέτερο είδος ιόν β) χημική εγχάραξη γ) εγχάραξη υποβοηθούμενη από ιόντα Σχήμα 1.5. Σχηματική παράσταση α) ιονοβολής, β) χημικής εγχάραξης και γ) εγχάραξης υποβοηθούμενης από ιόντα. 8

18 1.4. Εγχάραξη δομών με πλάσμα Μία από τις βασικές απαιτήσεις κατά την εγχάραξη δομών (π.χ αυλακιών ή οπών) είναι η μικροσκοπική ομοιομορφία (microscopic uniformity) εγχάραξης, δηλαδή η ομοιομορφία εγχάραξης σε κάθε μία από τις δομές που περιέχει ένα δισκίο (διατήρηση σταθερού ρυθμού εγχάραξης σε κάθε μια από τις δομές που περιέχει ένα δισκίο). Προβλήματα στην ικανοποίηση της παραπάνω απαίτησης δημιουργεί η εξάρτηση του ρυθμού εγχάραξης από τις διαστάσεις των δομών ή καλύτερα από το λόγο ασυμμετρίας των δομών (aspect ratio dependent etching) και από την τοπική πυκνότητά των δομών επί του δισκίου (pattern dependent etching ή microloading). Συχνά στη βιβλιογραφία αντί του όρου aspect ratio dependent etching χρησιμοποιείται ο όρος microloading. Πρόκειται ωστόσο για δύο διαφορετικά φαινόμενα 7 που εξηγούνται παρακάτω. Στην παρούσα εργασία δεν θα ασχοληθούμε με την επίδραση της πυκνότητας δομών επί του δισκίου στην εγχάραξη Εγχάραξη εξαρτώμενη από το λόγο ασυμμετρίας μιας δομής Ο λόγος ασυμμετρίας (Aspect Ratio) μιας δομής ορίζεται από το λόγο του βάθους της δομής προς το πλάτος (αυλάκι) ή τη διάμετρο (κυλινδρική οπή). x x y h z w Σχήμα 1.6. Ο λόγος ασυμμετρίας (Aspect Ratio) για αυλάκι ορίζεται από το λόγο του βάθους h προς το πλάτος w του αυλακιού. Έχει παρατηρηθεί πειραματικά τόσο για το Si, 8,9,10,11 1,13,14 όσο και για το SiO ότι ο ρυθμός εγχάραξης σε στενότερες δομές (π.χ. στενότερα αυλάκια ή κυλινδρικές οπές μικρότερης διαμέτρου) είναι χαμηλότερος (σχήμα 1.7). Αυτή μάλιστα η επίδραση στο ρυθμό εγχάραξης δεν οφείλεται στις απόλυτες διαστάσεις αλλά στο λόγο ασυμμετρίας, Α, της δομής (σχήμα 1.8). Αυτό το φαινόμενο επίδρασης στο ρυθμό εγχάραξης είναι γνωστό ως υστέρηση εγχάραξης (Reactive Ion Etching lag ή RIE lag και μπορεί να προκαλέσει σημαντικά προβλήματα στη διαδικασία εγχάραξης. 7 η ονομασία οφείλεται σε ερευνητές της IBM 9

19 Σχήμα 1.7. Φωτογραφία8 από ηλεκτρονικό μικροσκόπιο σάρωσης έπειτα από εγχάραξη αυλακιών Si με πλάσμα SF6/O. Η προστατευτική μάσκα είναι από Al. Το πάχος της προστατευτικής μάσκας και ο χρόνος εγχάραξης για κάθε ομάδα αυλακιών είναι a) 67nm και 4min, b) 134nm και 8min, c) 68nm και 16min, d) 40nm και 4min και e) 536nm και 3min. 10

20 Σχήμα 1.8. Ρυθμός εγχάραξης Si σαν συνάρτηση του λόγου ασυμμετρίας για αυλάκια διαφορετικού πλάτους.7 Σε ορισμένες περιπτώσεις η μείωση του ρυθμού εγχάραξης λόγω του φαινομένου υστέρηση εγχάραξης είναι τόσο έντονη ώστε να οδηγεί στη διακοπή της εγχάραξης και στην εναπόθεση ενός πολυμερικού προϊόντος στη βάση της δομής. Στο σχήμα 1.9 φαίνεται η μετάβαση από εγχάραξη σε εναπόθεση από τις ευρύτερες προς τις στενότερες κυλινδρικές οπές SiO. Είναι εμφανές το πρόβλημα που είναι δυνατό να δημιουργήσει η γεωμετρία της δομής: αντί για εγχάραξη έχουμε εναπόθεση. Σχήμα 1.9. Φωτογραφία15 από ηλεκτρονικό μικροσκόπιο σάρωσης (ΤΕΜ) οπών SiO που εγχαράσσονται σε πλάσμα CHF3/H/O Εγχάραξη εξαρτώμενη από την πυκνότητα των δομών (microloading) Ο όρος microloading χρησιμοποιείται για να περιγράψει την εξάρτηση της εγχάραξης δομών με ακριβώς ίδιες διαστάσεις που βρίσκονται σε θέσεις επί του εγχαρασσόμενου δισκίου με διαφορετική πυκνότητα δομών. Αυτή η επίδραση της πυκνότητας των δομών στην εγχάραξη φαίνεται στο σχήμα 1.10 όπου μελετάται η εγχάραξη οπών Si σαν συνάρτηση του λόγου ασυμμετρίας και της πυκνότητας οπών της περιοχής όπου βρίσκονται.7 Ανεξάρτητα από το λόγο ασυμμετρίας παρατηρείται ότι ο ρυθμός εγχάραξης των απομονωμένων οπών είναι μεγαλύτερος από αυτόν που αντιστοιχεί στις οπές που βρίσκονται συγκεντρωμένες. 11

21 Σχήμα Φαινόμενο microloading κατά την εγχάραξη οπών Si. 7 Για τον ίδιο λόγο ασυμμετρίας ο ρυθμός εγχάραξης είναι διαφορετικός για οπή που βρίσκεται απομονωμένη στο δισκίο και οπή που βρίσκεται σε περιοχή όπου υπάρχουν και άλλες. Τόσο για την απομονωμένη οπή όσο και για αυτή που βρίσκεται σε θέση υψηλής πυκνότητας είναι φανερή η υστέρηση εγχάραξης. Το φαινόμενο microloading οφείλεται στην έλλειψη αντιδρώντων στην εγχαρασσόμενη επιφάνεια υπό συνθήκες όπου το στάδιο μεταφοράς των στην επιφάνεια είναι το ελέγχον. Αύξηση της πυκνότητας των δομών έχει σαν αποτέλεσμα αύξηση της προς εγχάραξη επιφάνειας και μείωση της συγκέντρωσης των αντιδρώντων πάνω σε αυτή. Μείωση της συγκέντρωσης των αντιδρώντων έχει σαν αποτέλεσμα και τη μείωση του ρυθμού αντίδρασης (εγχάραξης). 1.5 Σκοπός της εργασίας Ο σκοπός της εργασίας είναι η προσομοίωση εγχάραξης δομών SiO, Si με πλάσμα φθοριωμένων υδρογονανθράκων, η πρόβλεψη της εξέλιξης της τοπογραφίας των εγχαρασσόμενων δομών και η κατανόηση βασικών φαινομένων όπως η υστέρηση εγχάραξης (Reactive Ion Etching lag ή RIE lag) και η μετάβαση από εγχάραξη σε εναπόθεση. Οι επιμέρους στόχοι για την επίτευξη του παραπάνω στόχου είναι: 1. Η ανάπτυξη μοντέλου για τις διεργασίες που συμβαίνουν σε ελεύθερες επιφάνειες Si, SiO κατά την εγχάραξη με πλάσμα φθοριωμένων υδρογονανθράκων. Αυτό το μοντέλο ελεύθερης επιφάνειας υπολογίζει ρυθμούς εγχάραξης και προβλέπει τη μετάβαση από εγχάραξη σε εναπόθεση. Τα αποτελέσματα του μοντέλου συγκρίνονται με πειραματικά. 1

22 . Η ανάπτυξη μοντέλου που περιγράφει την επίδραση της γεωμετρίας της εγχαρασσόμενης δομής και των φαινομένων μεταφοράς της ροής στις τοπικές τιμές των παραμέτρων που καθορίζουν το ρυθμό εγχάραξης (ροή ιόντων, ουδετέρων ειδών). Πρόκειται για ένα μοντέλο υπολογισμού των τοπικών τιμών ροής ιόντων και ουδετέρων ειδών μέσα σε δομές. Οι δομές που εξετάζονται είναι αυλάκια και οπές με κυλινδρική συμμετρία. Εξετάζονται φαινόμενα όπως η σκίαση (shadowing) και η επανεκπομπή (re-emission) της ροής. 3. Η αριθμητική επίλυση των μαθηματικών προβλημάτων στα οποία οδηγεί η θεώρηση φαινομένων όπως η σκίαση και κυρίως η επανεκπομπή της ροής. Για παράδειγμα η ροή από επανεκπομπή που φτάνει σε κάθε σημείο της εγχαρασσόμενης δομής υπολογίζεται λύνοντας αριθμητικά μια ολοκληρωτική εξίσωση. Δοκιμάζονται και αξιολογούνται περισσότερες από μια μεθόδους επίλυσης. 4. Η σύζευξη των δύο μοντέλων (1 και ) προκειμένου να υπολογιστεί τοπικά ο ρυθμός εγχάραξης δομών Si, SiO. Με τη σύζευξη μελετάται ο ρόλος φαινομένων όπως η σκίαση και η επανεκπομπή της ροής στην υστέρηση εγχάραξης. Επιχειρείται επίσης η ενσωμάτωση των μοντέλων που αναπτύχθηκαν σε ένα προσομοιωτή εξέλιξης τοπογραφίας. Μετά την υλοποίηση των παραπάνω απαιτήσεων η εργασία ολοκληρώνεται με την καταγραφή των συμπερασμάτων καθώς και των προτάσεων για μελλοντικές εργασίες. 13

23 Αναφορές 1 Γογγολίδης Ευάγγελος, Σημειώσεις μεταπτυχιακού μαθήματος Μικροηλεκτρονικής: Διαδικασίες Κατασκευής Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων, Τεχνολογίες Αποτύπωσης Σχήματος. Μέρος πρώτο: Λιθογραφία, (Αθήνα, Νοέμβριος 1998), σελ Γογγολίδης Ευάγγελος, Επιθεώρηση Φυσικής, Β περίοδος, Ζ(1), 43 (199). 3 F. F. Chen, Introduction to Plasma Physics and Controlled Fusion, Volume 1: Plasma Physics, nd edition, (Plenum Press, New York, 1984), p D. L. Flamm, Plasma Etching. An Introduction, (Academic Press, San Diego, 1989), p J. W. Coburn and H. F. Winters, J. Vac. Sci. Technol. 16, 391 (1979). 6 M.A. Lieberman, A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and Materials Processing, (Wiley&Sons, New York, 1994), p R. A. Gottscho, C. W. Jurgensen, and D. J. Vitkavage, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 133 (199). 8 V. F. Lukichev and V. A. Yunkin, Russian Microelectronics 7, 194 (1998). 9 V. F. Lukichev and V. A. Yunkin, Microelectronic Engineering 46, 315 (1999). 10 D. Chin, S. H. Dhang, and G. L. Long, J. Electrochem. Soc.: Solid State Science and Technology 13, 1705 (1985). 11 A. D. Bailey III, M. C. M. van de Sanden, J. A. Gregus, and R. A. Gottscho, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 9 (1995). 1 O. Joubert, G. S. Oehrlein, and Y. Zhang, J. Vac. Sci. Technol. A 1, 658 (1994). 13 O. Joubert, G. S. Oehrlein, and M. Surendra, J. Vac. Sci. Technol. A 1, 665 (1994). 14 S. Kato, M. Sato, and Y. Arita, J. Vac. Sci. Technol. A 1, 104 (1994). 15 Ομάδα Ινστιτούτου Fraunhofer (προσωπική επικοινωνία). 14

24 Μοντέλο εγχάραξης ελεύθερης επιφάνειας Si, SiO σε πλάσμα φθοριωμένων υδρογονανθράκων Περίληψη Αναπτύσσεται μοντέλο εγχάραξης ελεύθερων επιφανειών Si, SiO σε πλάσμα φθοριωμένων υδρογονανθράκων. Το μοντέλο περιγράφει τις επιφανειακές διεργασίες ρόφησης-εκρόφησης των ουδετέρων ειδών που παράγονται στον κυρίως όγκο του πλάσματος καθώς και τις διεργασίες δημιουργίας και καταστροφής πολυμερούς που σχηματίζεται στην επιφάνεια. Υπολογίζει ρυθμούς εγχάραξης και προβλέπει και τη μετάβαση από εγχάραξη σε εναπόθεση. Βασική παράμετρος του μοντέλου είναι το κλάσμα κάλυψης της επιφάνειας, θ. Το κλάσμα κάλυψης της επιφάνειας από πολυμερές αντιστοιχίζεται με το πάχος του πειραματικά παρατηρούμενου πολυμερικού στρώματος στην επιφάνεια Si, SiO και τα αποτελέσματα του μοντέλου συγκρίνονται με πειραματικά. Περιεχόμενα.1 Εισαγωγή. Οι βασικοί μηχανισμοί..1 Προσρόφηση ουδετέρων ειδών.. Εγχάραξη Υποβοηθούμενη από Ιόντα (ΕΥΙ): Χημική και μηχανική (Ion- Enhanced Chemical Etching + Ion-Enhanced Chemical Sputtering)..3 Καθαρά χημική ή θερμική εγχάραξη (thermal etching)..4 Ιονοβολή ή καθαρά μηχανική εγχάραξη από τα προσπίπτοντα ιόντα (sputtering) και (άμεση) απευθείας εναπόθεση ιόντων..5 Εναπόθεση υποβοηθούμενη από ιόντα (Ion-enhanced deposition or neutral stitching by ions).3 Μοντέλα για την εγχάραξη Si, SiO σε πλάσμα CF To μοντέλo για την εγχάραξη Si.3. Το μοντέλο για την εγχάραξη SiΟ.3.3 Οι συντελεστές του μοντέλου.4 Μοντέλo για τον προσδιορισμό των φαινόμενων συντελεστών προσκόλλησης σε επιφάνεια Si, SiO.5 Οι δυνατότητες και η εφαρμογή των μοντέλων.6 Αποτελέσματα των μοντέλων.7 Σύγκριση με πειραματικά αποτελέσματα.8 Συμπεράσματα

25 .1 Εισαγωγή Η εγχάραξη διηλεκτρικών όπως το SiO σε πλάσμα φθοριωμένων υδρογονανθράκων (π.χ. πλάσμα CF 4 ) είναι μια συχνά χρησιμοποιούμενη διεργασία κατά την κατασκευή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Τέτοιες διεργασίες πρέπει να σταματούν πριν προκαλέσουν ζημιά στο υποκείμενο στρώμα που συχνά είναι Si. Οι ρυθμοί εγχάραξης και η εκλεκτικότητα εγχάραξης του SiO ως προς το Si είναι εξαιρετικής σημασίας σε τέτοιου είδους διεργασίες, όπως είναι η εγχάραξη οπών επαφής (contact hole ή via etching) μεταξύ διαφορετικών στρωμάτων ολοκλήρωσης. Πειραματικά δεδομένα από διάφορες ομάδες 1,,3,4,5,6,7 αναδεικνύουν ότι σε πλάσμα φθοριωμένων υδρογονανθράκων υψηλής πυκνότητας σε ιόντα (High Density Plasma ή HDP) η εγχάραξη SiO, Si εξελίσσεται διαμέσου ενός λεπτού φιλμ πολυμερούς. Η εγχάραξη και η εναπόθεση πολυμερούς διεξάγονται ταυτόχρονα. Αυτό καθιστά την προσπάθεια για προσομοίωση της διεργασίας ακόμη δυσκολότερη. Στο παρόν κεφάλαιο περιγράφεται ένα (φαινομενολογικό) μοντέλο για την εγχάραξη SiO και Si σε πλάσμα φθοριωμένων υδρογονανθράκων που λαμβάνει υπόψη τα ανταγωνιστικά φαινόμενα εγχάραξης και εναπόθεσης. Σε πρώτη φάση αναγνωρίζονται οι βασικοί μηχανισμοί εγχάραξης-εναπόθεσης. Στη συνέχεια καταστρώνονται οι εξισώσεις του μοντέλου και υπολογίζονται οι συντελεστές (αποδόσεις) χωριστά για κάθε έναν από τους μηχανισμούς που λαμβάνονται υπόψη με προσαρμογές σε διαθέσιμα πειραματικά δεδομένα. Τέλος παρουσιάζονται τα αποτελέσματα του μοντέλου και συγκρίνονται με πειραματικά.. Οι βασικοί μηχανισμοί Στον κυρίως όγκο πλάσματος φθοριωμένων υδρογονανθράκων, όπως το πλάσμα CF 4, παράγονται ιόντα όπως CF + 3, CF +, CF +, C +, ουδέτερες ρίζες CF 3, CF, CF και άτομα F. Τα ιόντα και τα ουδέτερα μόρια καταλήγουν στην προς εγχάραξη επιφάνεια προκαλώντας σε αυτή αυτόνομα ή συνεργιστικά φυσικές και χημικές δράσεις. Η μαθηματική περιγραφή αυτών των δράσεων με βάση το κλάσμα κάλυψης της επιφάνειας είναι συνήθης στη βιβλιογραφία: 8,9,10,11,1,13 κάθε ουδέτερο είδος Ν προσροφάται στην επιφάνεια και απομακρύνεται από αυτή με φυσικούς και χημικούς μηχανισμούς με αποτέλεσμα να καλύπτει ένα κλάσμα της, θ Ν. Αυτή η προσέγγιση χρησιμοποιείται και στο παρόν μοντέλο. Ακολουθεί η μαθηματική περιγραφή των βασικών μηχανισμών που συμβαίνουν στην επιφάνεια και λαμβάνονται υπόψη στο μοντέλο...1 Προσρόφηση ουδετέρων ειδών Τα ουδέτερα είδη (ουδέτερες ρίζες CF x, x=1,,3 και άτομα F) προσροφόνται στην «καθαρή επιφάνεια» (1-θ), όπου θ είναι το κλάσμα κάλυψης (surface coverage) της επιφάνειας από όλα τα ουδέτερα είδη, με συντελεστή προσκόλλησης (sticking coefficient) στην καθαρή επιφάνεια ίσο με s. Τα προσροφούμενα είδη θεωρείται ότι περνούν πολύ γρήγορα από την κατάσταση φυσικής ρόφησης σε αυτή της χημειορόφησης εξαιτίας της υψηλής δραστικότητάς τους. Αν η ροή ουδετέρων που φτάνει στην επιφάνεια είναι j N, τότε η ροή που προσροφάται είναι: j ADS = s (1 θ) j Ν (1) 16

26 .. Εγχάραξη Υποβοηθούμενη από Ιόντα (ΕΥΙ): Χημική και μηχανική (Ion- Enhanced Chemical Etching + Ion-Enhanced Chemical Sputtering) Τα ιόντα που προσπίπτουν στην επιφάνεια προκαλούν ανάμιξη των ουδετέρων ειδών στην επιφάνεια και στη συνέχεια αυθόρμητη-θερμική ή υποβοηθούμενη από ιόντα εκρόφηση προϊόντων. Θεωρώντας ότι το κύριο είδος τύπου SiF x στο στρώμα επί της επιφάνειας είναι το SiF, ο ρυθμός εγχάραξης υποβοηθούμενης από ιόντα είναι ER IE = β (1+b) θ SiF j ION () και ο αντίστοιχη απόδοση εγχάραξης δηλαδή άτομα Si που απομακρύνονται ανά προσπίπτον ιόν είναι : y IE = β (1+b) θ SiF = β θ SiF (3) όπου β είναι ο συντελεστής χημικής εγχάραξης υποβοηθούμενης από ιόντα, b το κλάσμα ακόρεστων προϊόντων SiF x /SiF, θ SiF το κλάσμα κάλυψης της επιφάνειας από SiF και j ION η ροή ιόντων που προσπίπτει στην επιφάνεια. Ο συντελεστής β αντιστοιχεί στην παραγωγή κορεσμένων προϊόντων όπως το SiF 4. Ο μηχανισμός εγχάραξης υποβοηθούμενης από ιόντα περιλαμβάνει και τη μηχανική απομάκρυνση ακόρεστων προϊόντων τύπου SiF x, x<4, που εκφράζεται από το γινόμενο (bβ ). Οι συντελεστές β και b έχουν τη μορφή: β = β 0 ( E E th ), E th = 4 ev και b=b 0 E, (4) όπου E είναι η ενέργεια των ιόντων (ev) και E th είναι το κατώφλι ενέργειας (ev) για την υποβοηθούμενη από ιόντα χημική εγχάραξη. CF x + CF y + F - O - Si - O - CF x - O - Si - O - SiF x + O x + SiOF x SiF x + COF x + SiOF x - O - Si - O - - O - Si - O - (α) (β) Σχήμα.1. Σχηματική παράσταση εγχάραξης SiO υποβοηθούμενης από ιόντα σε τμήμα επιφάνειας που καλύπτεται από α) άτομα F και β) ουδέτερες ρίζες CF x. 17

27 ..3 Καθαρά χημική ή θερμική εγχάραξη (thermal etching) Τα άτομα F εγχαράσσουν υποστρώματα Si, SiO με ρυθμό ανάλογο με την ροή ατόμων F στην επιφάνεια. Η εξάρτηση του ρυθμού θερμικής εγχάραξης από το κλάσμα κάλυψης της επιφάνειας διαφέρει στη βιβλιογραφία. Ο Zawaideh 11,1 πολλαπλασιάζει το ρυθμό με το κλάσμα της καθαρής επιφάνειας (1 θ), ενώ ο Gray 8 θεωρεί ότι δεν υπάρχει εξάρτηση από το κλάσμα κάλυψης της επιφάνειας. Στην παρούσα εργασία θεωρείται κάτι ενδιάμεσο στις δύο παραπάνω προσεγγίσεις και ο ρυθμός πολλαπλασιάζεται με το κλάσμα της επιφάνειας που δεν καλύπτεται από άνθρακα: ER TH = K 0 e -Ea/kT (1 θ C ) j F (5) όπου E a είναι η ενέργεια ενεργοποίησης για τη δράση θερμικής εγχάραξης, k η σταθερά Boltzmann, T η θερμοκρασία της επιφάνειας και θ C το κλάσμα κάλυψης της επιφάνειας από άνθρακα. Αν η ροή ατόμων F (j F ) είναι σε molecules/cm /s και η σταθερά K 0 σε cm 3 /molecule ή A s cm /min/molecule, τότε ο ρυθμός εγχάραξης είναι σε cm/s ή A/min αντίστοιχα. Μολονότι ο ρυθμός θερμικής εγχάραξης δεν σχετίζεται με τη ροή ιόντων ορίζουμε ως απόδοση θερμικής εγχάραξης: όπου y TH j F 0 Av Ea/kT = K(T) (1 θ c ) R F, with R F = and K(T) = e (6) jion M w K(T) είναι ένας αδιάστατος συντελεστής, ρ η πυκνότητα του υλικού που εγχαράσσεται, N Av ο αριθμός Avogadro και M w το ατομικό ή μοριακό βάρος του υλικού που εγχαράσσεται. K ρn..4 Ιονοβολή ή καθαρά μηχανική εγχάραξη από τα προσπίπτοντα ιόντα (sputtering) και (άμεση) απευθείας εναπόθεση ιόντων Η απόδοση ιονοβολής, y SP, προτάθηκε από τον Steinbruchel 14 ως συνάρτηση της ενέργειας των ιόντων: y SP = A ( E E th ) (7) όπου Α σταθερός συντελεστής, E είναι η ενέργεια των ιόντων (ev) και E th είναι το κατώφλι ενέργειας (ev) για την ιονοβολή. Οι Oehrlein 1 και Maruyama 15 αναφέρουν ότι τα ιόντα είναι δυνατό σε αντιδραστήρες πλάσματος υψηλής πυκνότητας ιόντων (High Density Plasma reactors) να εναποτεθούν απευθείας επί της επιφάνειας αντί να προκαλέσουν μηχανική εγχάραξή της. Η εξίσωση (7), όταν η ενέργεια ιόντων είναι μικρότερη από την ενέργεια E th, προβλέπει αρνητικό ρυθμό εγχάραξης δηλαδή εναπόθεση. Αυτό το είδος εναπόθεσης καλείται «απευθείας εναπόθεση ιόντων» (direct ion deposition). 18

28 Τυπικές τιμές ενέργειας κατωφλίου E th είναι μερικές δεκάδες έως μερικές εκατοντάδες ev, εξαρτώμενες από τον τύπο των ιόντων. Αφού ρυθμός εγχάραξης είναι μηδέν σε μηδενική ενέργεια ιόντων και σε ενέργεια ίση με E th, θα πρέπει να υπάρχει ένα ελάχιστο της απόδοσης εγχάραξης (μέγιστο του ρυθμού εναπόθεσης) σε μια τιμή ενέργειας ενδιάμεση, γεγονός που επιβεβαιώνεται και από πειραματικά δεδομένα για κάποια ιόντα. 16,17 Υποθέτουμε την παρακάτω απλή μαθηματική συνάρτηση για προσαρμόσουμε τα πειραματικά δεδομένα: όπου y d = A d E, if 0 < E < E maximum deposition yield (8) y d = A ( E E th ), if E > E maximum deposition yield (9) Α d είναι σταθερός συντελεστής και E maximum deposition yield η ενέργεια για την οποία ο ρυθμός εναπόθεσης είναι ο μέγιστος, συνήθως θεωρείται ίση με E th /. Ενώ η μηχανική εγχάραξη έχει μελετηθεί επαρκώς και υπάρχουν τα αντίστοιχα πειραματικά δεδομένα η απευθείας εναπόθεση ιόντων δεν έχει λεπτομερώς μελετηθεί. Έτσι, οι συντελεστές Α, A d των εξισώσεων (8) και (9) όπως προκύπτουν από προσαρμογές πειραματικών δεδομένων απόδοσης ιονοβολής σαν συνάρτηση της ενέργειας θα πρέπει να θεωρηθούν σαν πρώτες προσεγγίσεις. CF x + (E < E th ) πολυμερές Σχήμα.. Σχηματική παράσταση απευθείας εναπόθεσης ιόντων με χαμηλή ενέργεια σε επιφάνεια SiO...5 Εναπόθεση υποβοηθούμενη από ιόντα (Ion-enhanced deposition or neutral stitching by ions) Χημειορροφημένες ουδέτερες ρίζες CF + y (σε χαμηλή CF x είναι δυνατό υπό τον βομβαρδισμό ενέργεια) ιόντων χαμηλής ενέργειας να οδηγήσουν στο σχηματισμό πολυμερούς προϊόντος στην επιφάνεια. Αυτός ο μηχανισμός CF x CF x καλείται εναπόθεση υποβοηθούμενη από ιόντα (ion-enhanced deposition 18 ή ionassisted deposition 15 ). - O - Si - O - πολυμερές Θεωρούμε ότι εναπόθεση υποβοηθούμενη από ιόντα συμβαίνει κάτω από μια τιμή ενέργειας ιόντων και ότι η αντίστοιχη απόδοση δίδεται από Σχήμα.3. Σχηματική παράσταση εναπόθεσης ουδετέρων ριζών CFx εκφράσεις ανάλογες με αυτές των σε SiO υποβοηθούμενης από ιόντα εξισώσεων (8) και (9). Σημειώνεται ότι χαμηλής ενέργειας. και σε αυτή την περίπτωση πρόκειται για μια πρώτη εκτίμηση και νέα σχετικά πειράματα θα φωτίσουν το φαινόμενο. 19

29 .3 Μοντέλα για την εγχάραξη Si, SiO σε πλάσμα CF 4 Στις παραγράφους.3.1 και.3. που ακολουθούν περιγράφονται τα δίκτυα αντιδράσεων και καταστρώνονται οι μαθηματικές εξισώσεις των μοντέλων. Οι συμβολισμοί των παραμέτρων και συντελεστών που χρησιμοποιούνται εξηγούνται στην επόμενη παράγραφο.3.3. Στην ίδια παράγραφο περιγράφεται συνοπτικά ο τρόπος με τον οποίο προσδιορίστηκαν οι συντελεστές των μοντέλων..3.1 To μοντέλo για την εγχάραξη Si Οι δράσεις που περιλαμβάνονται στο μοντέλο για την εγχάραξη Si με πλάσμα CF 4 φαίνονται στον πίνακα.1. Βασική έννοια στην ανάπτυξη του μοντέλου είναι το κλάσμα κάλυψης της επιφάνειας. Θεωρείται ότι τα άτομα F, οι ουδέτερες ρίζες CF x και το πολυμερές καλύπτουν συγκεκριμένο κλάσμα της επιφάνειας Si ή καλύτερα του αναμεμιγμένου στρώματος που δημιουργείται με την προσρόφηση των ουδετέρων ειδών και τον βομβαρδισμό των ιόντων. Το κλάσμα αυτό οποίο εξαρτάται από τα ισοζύγια στις θέσεις επιφάνειας για κάθε ένα από αυτά τα είδη, τα οποία περιγράφονται από τις παρακάτω εξισώσεις: d[si*] = sf (1 θ TOT ) j F β F θ F j ION = 0 (10) dt d[cf x ] = s CFi j CFi (1 θ TOT ) y C θ CFx j ION k REC θ CFx j F = 0 (11) dt d[p] dt = x i i i y d,i j ION + β s θ CFx j ION + β s θ P θ CFx/P j ION β F/P θ P θ F/P j ION = 0 (1) θ TOT = θ F + θ CFx + θ P (13) Στο ισοζύγιο για τα άτομα F (εξίσωση 10) ο πρώτος όρος είναι όρος προσρόφησης (χημειορρόφησης) ατόμων F με αποτέλεσμα τη δημιουργία ειδών SiF x (κυρίως SiF, θ F =θ SiF ). Ο δεύτερος όρος εκφράζει τη διεργασία εγχάραξης υποβοηθούμενης από ιόντα η οποία απομακρύνει άτομα F για να παράγει SiF 4 δικαιολογώντας τον παράγοντα. Στο ισοζύγιο για τις ουδέτερες ρίζες CF x (εξίσωση 11) ο πρώτος όρος αφορά την προσρόφηση (χημειορόφηση) των ουδετέρων ριζών στην επιφάνεια. Ο δεύτερος όρος αναφέρεται στην ιονοβολή C και ο τρίτος στην αντίδραση επανασύνδεσης των προσροφημένων ουδετέρων ριζών CF x με φυσικά ροφημένα άτομα F ή με άτομα F από την αέρια φάση. Στο ισοζύγιο για το πολυμερές (εξίσωση 1) ο πρώτος όρος εκφράζει την απευθείας εναπόθεση ιόντων ενώ ο δεύτερος και ο τρίτος όρος αναφέρονται στην υποβοηθούμενη από ιόντα εναπόθεση των ουδετέρων ριζών CF x. Ο τελευταίος όρος αφορά στην υποβοηθούμενη από ιόντα εγχάραξη του πολυμερούς. Το κλάσμα κάλυψης της επιφάνειας από πολυμερές θα μπορούσε να θεωρηθεί σε ένα γενικότερο πλαίσιο σαν το πάχος πολυμερούς στρώματος επί της επιφάνειας, το οποίο όταν γίνει ίσο με τη μονάδα παρεμποδίζει την εγχάραξη. Αυτή η θεώρηση είναι συμβατή με τις πειραματικές παρατηρήσεις 3,6,7,11,19 πολυμερούς στρώματος επί των επιφανειών Si, SiO κατά την εγχάραξη τους σε πλάσμα φθοριωμένων υδρογονανθράκων. 0

30 Πίνακας.1. Σύνολο αντιδράσεων κατά την εγχάραξη Si σε πλάσμα CF4 *. Αντιδράση Διεργασία Εξάρτηση από ροή Εξάρτηση από κλάσμα κάλυψης επιφάνειας Συντελεστής δράσης Ιονοβολή ή μηχανική εγχάραξη 1 Si* (E > Eth) Si(g)+Si* Ιονοβολή jion 1-θTOT ysp Αντιδράσεις με άτομα F F(p) + Si* Si-F(s) Χημειορρόφηση ατόμων F jf 1-θTOT sf 3 Si-F(s) + F(p) SiF4(g) + Si* Υποβοηθούμενη από ιόντα χημική εγχάραξη με άτομα F 4 Si-F(s) SiF(g) + Si* Υποβοηθούμενη από ιόντα μηχανική εγχάραξη με άτομα F jion θf βf jion θf βf b 5 Si-F (s) + F(p ή g) SiF4(g) Θερμική εγχάραξη από άτομα F jf 1-θCFx-θP K(T) Αντιδράσεις με ουδέτερες ρίζες CFx (x=1,,3) ή άλλες ουδέτερες ρίζες φθοράνθρακα 6 Si* + CFx(g) Si-CFy(s) Χημειορόφηση ριζών CFx JCFx 1-θTOT SCFx 7 Si-CF y(s) CFy(g) + Si* Ιονοβολή άνθρακα jion θcfx yc 8 Si-CF y (s) +F(p ή g) Si* + CFy+1(g) Επανασύνδεση ριζών CFx με άτομα jf θcfx KREC F Αντιδράσεις δημιουργίας ή κατανάλωσης πολυμερούς (P) 9 CF x + σε E< Eth1 Πολυμερές (P) Απευθείας εναπόθεση ιόντων jion 1 yd 10 Si-CF x(s) (E< Eth) Πολυμερές (P) Υποβοηθούμενη από ιόντα 11 P-F(s/P) Προϊόντα εγχάραξης πολυμερούς (P) 1 P-CFx(s/P) (E< Eth) Περισσότερο πολυμερές (P) εναπόθεση ριζών CFx Υποβοηθούμενη από ιόντα εγχάραξη του P με άτομα F Υποβοηθούμενη από ιόντα εναπόθεση ριζών CFx στο P jion θcfx βs jion θf/p βf/p jion θc/p βs * το p εκφράζει άτομα ή μόρια φυσικά ροφημένα, το s εκφράζει άτομα ή μόρια χημειοροφημένα, το s/p εκφράζει άτομα ή μόρια χημειοροφημένα στην επιφάνεια του πολυμερούς και το (*) δηλώνει σπασμένο δεσμό (dangling bond) ή μια θέση (site) για χημειορόφηση. 1

ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΗ ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΣΗ ΕΞΕΛΙΞΗΣ ΤΟΠΟΓΡΑΦΙΑΣ ΚΑΤΑ ΤΗΝ ΕΓΧΑΡΑΞΗ ΜΙΚΡΟ ΚΑΙ ΝΑΝΟ ΔΟΜΩΝ ΜΕ ΠΛΑΣΜΑ

ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΗ ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΣΗ ΕΞΕΛΙΞΗΣ ΤΟΠΟΓΡΑΦΙΑΣ ΚΑΤΑ ΤΗΝ ΕΓΧΑΡΑΞΗ ΜΙΚΡΟ ΚΑΙ ΝΑΝΟ ΔΟΜΩΝ ΜΕ ΠΛΑΣΜΑ ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΧΗΜΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τομέας ΙΙ: Ανάλυσης, Σχεδιασμού και Ανάπτυξης Διεργασιών και Συστημάτων Διδακτορική διατριβή ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΗ ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΣΗ ΕΞΕΛΙΞΗΣ ΤΟΠΟΓΡΑΦΙΑΣ ΚΑΤΑ ΤΗΝ ΕΓΧΑΡΑΞΗ

Διαβάστε περισσότερα

τα μεταλλικά Μια στρώμα. Για την έννοια πως αν και νανοσωματίδια (με εξάχνωση Al). πρέπει κανείς να τοποθετήσει τα μερικές δεκάδες nm πράγμα

τα μεταλλικά Μια στρώμα. Για την έννοια πως αν και νανοσωματίδια (με εξάχνωση Al). πρέπει κανείς να τοποθετήσει τα μερικές δεκάδες nm πράγμα Φραγή Coulomb σε διατάξεις που περιέχουν νανοσωματίδια. Ι. Φραγή Coulomb σε διατάξεις που περιέχουν μεταλλικά νανοσωματίδια 1. Περιγραφή των διατάξεων Μια διάταξη που περιέχει νανοσωματίδια μπορεί να αναπτυχθεί

Διαβάστε περισσότερα

Οι ιδιότητες των αερίων και καταστατικές εξισώσεις. Θεόδωρος Λαζαρίδης Σημειώσεις για τις παραδόσεις του μαθήματος Φυσικοχημεία Ι

Οι ιδιότητες των αερίων και καταστατικές εξισώσεις. Θεόδωρος Λαζαρίδης Σημειώσεις για τις παραδόσεις του μαθήματος Φυσικοχημεία Ι Οι ιδιότητες των αερίων και καταστατικές εξισώσεις Θεόδωρος Λαζαρίδης Σημειώσεις για τις παραδόσεις του μαθήματος Φυσικοχημεία Ι Τι είναι αέριο; Λέμε ότι μία ουσία βρίσκεται στην αέρια κατάσταση όταν αυθόρμητα

Διαβάστε περισσότερα

Ατομικές θεωρίες (πρότυπα)

Ατομικές θεωρίες (πρότυπα) Ατομικές θεωρίες (πρότυπα) 1. Αρχαίοι Έλληνες ατομικοί : η πρώτη θεωρία που διατυπώθηκε παγκοσμίως (καθαρά φιλοσοφική, αφού δεν στηριζόταν σε καμιά πειραματική παρατήρηση). Δημόκριτος (Λεύκιπος, Επίκουρος)

Διαβάστε περισσότερα

Πως διαδίδονται τα Η/Μ κύματα σε διαφανή διηλεκτρικά?

Πως διαδίδονται τα Η/Μ κύματα σε διαφανή διηλεκτρικά? Πως διαδίδονται τα Η/Μ κύματα σε διαφανή διηλεκτρικά? (Μη-μαγνητικά, μη-αγώγιμα, διαφανή στερεά ή υγρά με πυκνή, σχετικά κανονική διάταξη δομικών λίθων). Γραμμικά πολωμένο κύμα προσπίπτει σε ηλεκτρόνιο

Διαβάστε περισσότερα

Φασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων

Φασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων Φασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων Ιόντα με υψηλές ενέργειες (συνήθως Ar +, O ή Cs + ) βομβαρδίζουν την επιφάνεια του δείγματος sputtering ουδετέρων

Διαβάστε περισσότερα

ΦΩΤΟΚΑΤΑΛΥΤΙΚΗ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑ ΚΑΥΣΑΕΡΙΩΝ ΑΥΤΟΚΙΝΗΤΩΝ ΣΕ ΘΕΡΜΙΚΑ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΜΕΝΟ TiO2 ΜΕ ΠΡΟΣΘΗΚΗ ΠΛΑΤΙΝΑΣ

ΦΩΤΟΚΑΤΑΛΥΤΙΚΗ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑ ΚΑΥΣΑΕΡΙΩΝ ΑΥΤΟΚΙΝΗΤΩΝ ΣΕ ΘΕΡΜΙΚΑ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΜΕΝΟ TiO2 ΜΕ ΠΡΟΣΘΗΚΗ ΠΛΑΤΙΝΑΣ ΦΩΤΟΚΑΤΑΛΥΤΙΚΗ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑ ΚΑΥΣΑΕΡΙΩΝ ΑΥΤΟΚΙΝΗΤΩΝ ΣΕ ΘΕΡΜΙΚΑ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΜΕΝΟ Ti ΜΕ ΠΡΟΣΘΗΚΗ ΠΛΑΤΙΝΑΣ Ε. Πουλάκης, Κ. Φιλιππόπουλος Σχολή Χημικών Μηχανικών, Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο, Ηρώων Πολυτεχνείου

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2: Ηλεκτρικό Ρεύμα Μέρος 1 ο

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2: Ηλεκτρικό Ρεύμα Μέρος 1 ο ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2: Ηλεκτρικό Ρεύμα Μέρος 1 ο Βασίλης Γαργανουράκης Φυσική ήγ Γυμνασίου Εισαγωγή Στο προηγούμενο κεφάλαιο μελετήσαμε τις αλληλεπιδράσεις των στατικών (ακίνητων) ηλεκτρικών φορτίων. Σε αυτό το κεφάλαιο

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 8 (ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ) ΦΑΣΜΑΤΟΦΩΤΟΜΕΤΡΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 8 (ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ) ΦΑΣΜΑΤΟΦΩΤΟΜΕΤΡΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 8 (ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ) ΦΑΣΜΑΤΟΦΩΤΟΜΕΤΡΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ Με τον όρο αυτό ονοµάζουµε την τεχνική ποιοτικής και ποσοτικής ανάλυσης ουσιών µε βάση το µήκος κύµατος και το ποσοστό απορρόφησης της ακτινοβολίας

Διαβάστε περισσότερα

ΟΜΟΣΠΟΝ ΙΑ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΩΝ ΦΡΟΝΤΙΣΤΩΝ ΕΛΛΑ ΟΣ (Ο.Ε.Φ.Ε.) ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ 2014

ΟΜΟΣΠΟΝ ΙΑ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΩΝ ΦΡΟΝΤΙΣΤΩΝ ΕΛΛΑ ΟΣ (Ο.Ε.Φ.Ε.) ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ 2014 ΤΑΞΗ: ΜΑΘΗΜΑ: Γ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΦΥΣΙΚΗ / ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΘΕΜΑ Α Ηµεροµηνία: Κυριακή 13 Απριλίου 2014 ιάρκεια Εξέτασης: 3 ώρες ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ 1. ύο µονοχρωµατικές ακτινοβολίες Α και Β µε µήκη κύµατος στο κενό

Διαβάστε περισσότερα

ΣΥΓΚΡIΤΙΚΗ ΜΕΛΕΤΗ ΗΛΕΚΤΡΟΔΙΩΝ Ir KAI Ir-Ru ΚΑΤΑ ΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΛΥΣΗ ΤΟΥ ΝΕΡΟΥ ΣΕ ΚΕΛΙΑ ΠΡΩΤΟΝΙΑΚΗΣ ΜΕΜΒΡΑΝΗΣ. Πατρών, 26504, Πάτρα.

ΣΥΓΚΡIΤΙΚΗ ΜΕΛΕΤΗ ΗΛΕΚΤΡΟΔΙΩΝ Ir KAI Ir-Ru ΚΑΤΑ ΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΛΥΣΗ ΤΟΥ ΝΕΡΟΥ ΣΕ ΚΕΛΙΑ ΠΡΩΤΟΝΙΑΚΗΣ ΜΕΜΒΡΑΝΗΣ. Πατρών, 26504, Πάτρα. 9 ο ΠΕΣΧΜ: Η Συμβολή της Χημικής Μηχανικής στην Αειφόρο Ανάπτυξη ΣΥΓΚΡIΤΙΚΗ ΜΕΛΕΤΗ ΗΛΕΚΤΡΟΔΙΩΝ Ir KAI Ir-Ru ΚΑΤΑ ΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΛΥΣΗ ΤΟΥ ΝΕΡΟΥ ΣΕ ΚΕΛΙΑ ΠΡΩΤΟΝΙΑΚΗΣ ΜΕΜΒΡΑΝΗΣ Α. Γκούσεβ 1, Α. Κατσαούνης 1 και

Διαβάστε περισσότερα

Ακτίνες Χ (Roentgen) Κ.-Α. Θ. Θωμά

Ακτίνες Χ (Roentgen) Κ.-Α. Θ. Θωμά Ακτίνες Χ (Roentgen) Είναι ηλεκτρομαγνητικά κύματα με μήκος κύματος μεταξύ 10 nm και 0.01 nm, δηλαδή περίπου 10 4 φορές μικρότερο από το μήκος κύματος της ορατής ακτινοβολίας. ( Φάσμα ηλεκτρομαγνητικής

Διαβάστε περισσότερα

Περίθλαση από µία σχισµή.

Περίθλαση από µία σχισµή. ρ. Χ. Βοζίκης Εργαστήριο Φυσικής ΙΙ 71 7. Άσκηση 7 Περίθλαση από µία σχισµή. 7.1 Σκοπός της εργαστηριακής άσκησης Σκοπός της άσκησης είναι η γνωριµία των σπουδαστών µε την συµπεριφορά των µικροκυµάτων

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΚΕΙΟ ΑΓΙΟΥ ΣΠΥΡΙΔΩΝΑ ΣΧΟΛΙΚΗ ΧΡΟΝΙΑ 2011-2012 ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΦΥΣΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Β ΛΥΚΕΙΟΥ

ΛΥΚΕΙΟ ΑΓΙΟΥ ΣΠΥΡΙΔΩΝΑ ΣΧΟΛΙΚΗ ΧΡΟΝΙΑ 2011-2012 ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΦΥΣΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Β ΛΥΚΕΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟ ΑΓΙΟΥ ΠΥΡΙΔΩΝΑ ΧΟΛΙΚΗ ΧΡΟΝΙΑ 2011-2012 ΓΡΑΠΤΕ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕ ΕΞΕΤΑΕΙ ΦΥΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΗ Β ΛΥΚΕΙΟΥ ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 31-05-2012 ΔΙΑΡΚΕΙΑ: 07.45 10.15 Οδηγίες 1. Το εξεταστικό δοκίμιο αποτελείται από 9 σελίδες.

Διαβάστε περισσότερα

ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΑΘΑΝΑΣΙΟΣ Ι. ΣΜΥΡΝΑΚΗΣ

ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΑΘΑΝΑΣΙΟΣ Ι. ΣΜΥΡΝΑΚΗΣ ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΕΦΑΡΜΟΣΜΕΝΩΝ ΜΑΘΗΜΑΤΙΚΩΝ & ΦΥΣΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΔΙΑΤΜΗΜΑΤΙΚΟ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΩΝ ΣΠΟΥΔΩΝ ΜΙΚΡΟΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΚΑΙ ΝΑΝΟΔΙΑΤΑΞΕΙΣ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ANAΠΤΥΞΗ ΚΡΥΟΓΕΝΙΚΗΣ ΔΙΕΡΓΑΣΙΑΣ

Διαβάστε περισσότερα

Εγχάραξη πολυμερών σε πλάσμα οξυγόνου για την κατασκευή και συγκόλληση μικρορευστομηχανικών διατάξεων

Εγχάραξη πολυμερών σε πλάσμα οξυγόνου για την κατασκευή και συγκόλληση μικρορευστομηχανικών διατάξεων ΕΘΝΙΚΟ ΚΑΙ ΚΑΠΟΔΙΣΤΡΙΑΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΑΘΗΝΩΝ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΩΝ ΣΠΟΥΔΩΝ ΣΤΗ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ Εγχάραξη πολυμερών σε

Διαβάστε περισσότερα

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com 1 2.4 Παράγοντες από τους οποίους εξαρτάται η αντίσταση ενός αγωγού Λέξεις κλειδιά: ειδική αντίσταση, μικροσκοπική ερμηνεία, μεταβλητός αντισ ροοστάτης, ποτενσιόμετρο 2.4 Παράγοντες που επηρεάζουν την

Διαβάστε περισσότερα

ΔΥΝΑΜΙΚΟ ΔΙΑΦΟΡΑ ΔΥΝΑΜΙΚΟΥ

ΔΥΝΑΜΙΚΟ ΔΙΑΦΟΡΑ ΔΥΝΑΜΙΚΟΥ ΔΥΝΑΜΙΚΟ ΔΙΑΦΟΡΑ ΔΥΝΑΜΙΚΟΥ Υποθέστε ότι έχουμε μερικά ακίνητα φορτισμένα σώματα (σχ.). Τα σώματα αυτά δημιουργούν γύρω τους ηλεκτρικό πεδίο. Αν σε κάποιο σημείο Α του ηλεκτρικού πεδίου τοποθετήσουμε ένα

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στην Μεταφορά Θερμότητας

Εισαγωγή στην Μεταφορά Θερμότητας Εισαγωγή στην Μεταφορά Θερμότητας ΜΜΚ 312 Μεταφορά Θερμότητας Τμήμα Μηχανικών Μηχανολογίας και Κατασκευαστικής Διάλεξη 1 MMK 312 Μεταφορά Θερμότητας Κεφάλαιο 1 1 Μεταφορά Θερμότητας - Εισαγωγή Η θερμότητα

Διαβάστε περισσότερα

Υψηλές Τάσεις. Ενότητα 4: Υγρά Μονωτικά Υλικά. Κωνσταντίνος Ψωμόπουλος Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών ΤΕ

Υψηλές Τάσεις. Ενότητα 4: Υγρά Μονωτικά Υλικά. Κωνσταντίνος Ψωμόπουλος Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών ΤΕ ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Υψηλές Τάσεις Ενότητα 4: Υγρά Μονωτικά Υλικά Κωνσταντίνος Ψωμόπουλος Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών ΤΕ Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο Η2. Ο νόµος του Gauss

Κεφάλαιο Η2. Ο νόµος του Gauss Κεφάλαιο Η2 Ο νόµος του Gauss Ο νόµος του Gauss Ο νόµος του Gauss µπορεί να χρησιµοποιηθεί ως ένας εναλλακτικός τρόπος υπολογισµού του ηλεκτρικού πεδίου. Ο νόµος του Gauss βασίζεται στο γεγονός ότι η ηλεκτρική

Διαβάστε περισσότερα

Οργανική Χημεία. Κεφάλαια 12 &13: Φασματοσκοπία μαζών και υπερύθρου

Οργανική Χημεία. Κεφάλαια 12 &13: Φασματοσκοπία μαζών και υπερύθρου Οργανική Χημεία Κεφάλαια 12 &13: Φασματοσκοπία μαζών και υπερύθρου 1. Γενικά Δυνατότητα προσδιορισμού δομών με σαφήνεια χρησιμοποιώντας τεχνικές φασματοσκοπίας Φασματοσκοπία μαζών Μέγεθος, μοριακός τύπος

Διαβάστε περισσότερα

1.3 Δομικά σωματίδια της ύλης - Δομή ατόμου - Ατομικός αριθμός - Μαζικός αριθμός - Ισότοπα

1.3 Δομικά σωματίδια της ύλης - Δομή ατόμου - Ατομικός αριθμός - Μαζικός αριθμός - Ισότοπα 1.3 Δομικά σωματίδια της ύλης - Δομή ατόμου - Ατομικός αριθμός - Μαζικός αριθμός - Ισότοπα Θεωρία 3.1. Ποια είναι τα δομικά σωματίδια της ύλης; Τα άτομα, τα μόρια και τα ιόντα. 3.2. SOS Τι ονομάζεται άτομο

Διαβάστε περισσότερα

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com 1 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2ο ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ Σκοπός Στο δεύτερο κεφάλαιο θα εισαχθεί η έννοια του ηλεκτρικού ρεύματος και της ηλεκτρικής τάσης,θα μελετηθεί ένα ηλεκτρικό κύκλωμα και θα εισαχθεί η έννοια της αντίστασης.

Διαβάστε περισσότερα

ΦΥΣΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Β ΛΥΚΕΙΟΥ

ΦΥΣΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Β ΛΥΚΕΙΟΥ Φυσική Κατεύθυνσης Β Λυκείου ΦΥΣΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Β ΛΥΚΕΙΟΥ κ ΙΑΓΩΝΙΣΜΑ Β Θέµα ο Να επιλέξετε τη σωστή απάντηση σε κάθε µία από τις παρακάτω ερωτήσεις: Σε ισόχωρη αντιστρεπτή θέρµανση ιδανικού αερίου, η

Διαβάστε περισσότερα

EΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΟ ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ B ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗΣ-ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

EΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΟ ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ B ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗΣ-ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ EΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΟ ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗΣ-ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΘΕΜΑ Ο Να επιλέξετε τη σωστή απάντηση σε κάθε μία από τις ερωτήσεις - που ακολουθούν: Η ενεργός ταχύτητα των μορίων ορισμένης ποσότητας

Διαβάστε περισσότερα

ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ

ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΘΕΜΑΤΑ ΘΕΜΑ Α Στις ερωτήσεις Α1-Α4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της ερώτησης και, δίπλα, το γράμμα που αντιστοιχεί στη σωστή φράση η οποία συμπληρώνει σωστά την ημιτελή

Διαβάστε περισσότερα

Nανοσωλήνες άνθρακα. Ηλεκτρονική δομή ηλεκτρικές ιδιότητες. Εφαρμογές στα ηλεκτρονικά

Nανοσωλήνες άνθρακα. Ηλεκτρονική δομή ηλεκτρικές ιδιότητες. Εφαρμογές στα ηλεκτρονικά Nανοσωλήνες άνθρακα Ηλεκτρονική δομή ηλεκτρικές ιδιότητες Εφαρμογές στα ηλεκτρονικά Νανοσωλήνες άνθρακα ιστορική αναδρομή Από το γραφίτη στους Νανοσωλήνες άνθρακα Στο γραφίτη τα άτομα C συνδέονται ισχυρά

Διαβάστε περισσότερα

Χαρακτηρισμός υλικών με ιόντα

Χαρακτηρισμός υλικών με ιόντα Χαρακτηρισμός υλικών με ιόντα 1. Secondary ion mass spectroscopy (SIMS) Φασματοσκοπία μάζας δευτερογενών ιόντων. Rutherford backscattering (RBS) Φασματοσκοπία οπισθοσκέδασης κατά Rutherford Secondary ion

Διαβάστε περισσότερα

Ατομική μονάδα μάζας (amu) ορίζεται ως το 1/12 της μάζας του ατόμου του άνθρακα 12 6 C.

Ατομική μονάδα μάζας (amu) ορίζεται ως το 1/12 της μάζας του ατόμου του άνθρακα 12 6 C. 4.1 Βασικές έννοιες Ατομική μονάδα μάζας (amu) ορίζεται ως το 1/12 της μάζας του ατόμου του άνθρακα 12 6 C. Σχετική ατομική μάζα ή ατομικό βάρος λέγεται ο αριθμός που δείχνει πόσες φορές είναι μεγαλύτερη

Διαβάστε περισσότερα

ΕΞΗΓΗΣΗ ΤΗΣ ΣΥΜΒΟΛΗΣ ΚΑΙ ΤΗΣ ΠΕΡΙΘΛΑΣΗΣ ΜΕ ΤΗΝ ΣΩΜΑΤΙΔΙΑΚΗ ΘΕΩΡΙΑ ΤΟΥ ΦΩΤΟΣ

ΕΞΗΓΗΣΗ ΤΗΣ ΣΥΜΒΟΛΗΣ ΚΑΙ ΤΗΣ ΠΕΡΙΘΛΑΣΗΣ ΜΕ ΤΗΝ ΣΩΜΑΤΙΔΙΑΚΗ ΘΕΩΡΙΑ ΤΟΥ ΦΩΤΟΣ ΕΞΗΓΗΣΗ ΤΗΣ ΣΥΜΒΟΛΗΣ ΚΑΙ ΤΗΣ ΠΕΡΙΘΛΑΣΗΣ ΜΕ ΤΗΝ ΣΩΜΑΤΙΔΙΑΚΗ ΘΕΩΡΙΑ ΤΟΥ ΦΩΤΟΣ ΑΝΑΤΡΟΠΗ ΤΗΣ ΚΥΜΑΤΙΚΗΣ ΘΕΩΡΙΑΣ Του Αλέκου Χαραλαμπόπουλου Η συμβολή και η περίθλαση του φωτός, όταν περνά λεπτή σχισμή ή μικρή

Διαβάστε περισσότερα

ΧΗΜΙΚΟΙ ΔΕΣΜΟΙ. Να δίδουν τον ορισμό του χημικού δεσμού. Να γνωρίζουν τα είδη των δεσμών. Να εξηγούν το σχηματισμό του ιοντικού ομοιοπολικού δεσμού.

ΧΗΜΙΚΟΙ ΔΕΣΜΟΙ. Να δίδουν τον ορισμό του χημικού δεσμού. Να γνωρίζουν τα είδη των δεσμών. Να εξηγούν το σχηματισμό του ιοντικού ομοιοπολικού δεσμού. ΧΗΜΙΚΟΙ ΔΕΣΜΟΙ ΣΤΟΧΟΙ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ Στο τέλος αυτής της διδακτικής ενότητας οι μαθητές θα πρέπει να μπορούν: Να δίδουν τον ορισμό του χημικού δεσμού. Να γνωρίζουν τα είδη των δεσμών Να εξηγούν το σχηματισμό

Διαβάστε περισσότερα

Στοιχεία κενού. Η μελέτη των επιφανειών γίνεται υπό συνθήκες υπερ υψηλού κενού (UHV) (P<10 9 Torr=1.3x10 12 atm )

Στοιχεία κενού. Η μελέτη των επιφανειών γίνεται υπό συνθήκες υπερ υψηλού κενού (UHV) (P<10 9 Torr=1.3x10 12 atm ) Στοιχεία κενού Η μελέτη των επιφανειών γίνεται υπό συνθήκες υπερ υψηλού κενού (UHV) (P

Διαβάστε περισσότερα

2) Μελέτη Φυσικών Διεργασιών Κατασκευής Νανοδιατάξεων σε Πυρίτιο και Γερμάνιο i) Φαινόμενα διάχυσης και ενεργοποίησης προσμίξεων εκτός

2) Μελέτη Φυσικών Διεργασιών Κατασκευής Νανοδιατάξεων σε Πυρίτιο και Γερμάνιο i) Φαινόμενα διάχυσης και ενεργοποίησης προσμίξεων εκτός ΝΑΝΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΣΤΟ Ε.Μ.Π. Δ, Τσαμάκης Πρόεδρος ΣΗΜΜΥ ΓΕΝΙΚΑ Τελευταία δεκαετία: : Τάση για επενδύσεις στην ΈΡΕΥΝΑ στους τομείς της Νανοτεχνολογίας με στόχο τη δημιουργία υποδομής νέας γνώσης στην περιοχή

Διαβάστε περισσότερα

3.2 ΧΗΜΙΚΑ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΤΟΥ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΥ ΡΕΥΜΑΤΟΣ

3.2 ΧΗΜΙΚΑ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΤΟΥ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΥ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com 3.2 ΧΗΜΙΚΑ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΤΟΥ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΥ ΡΕΥΜΑΤΟΣ 1 Λέξεις κλειδιά: Ηλεκτρολυτικά διαλύματα, ηλεκτρόλυση,

Διαβάστε περισσότερα

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Επιμέλεια: Ομάδα Φυσικών της Ώθησης

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Επιμέλεια: Ομάδα Φυσικών της Ώθησης ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ Επιμέλεια: Ομάδα Φυσικών της Ώθησης 1 Τετάρτη, 20 Μα ου 2015 Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΜΑ Στις ημιτελείς προτάσεις Α1-Α4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της πρότασης και δίπλα

Διαβάστε περισσότερα

Μηχανικές ιδιότητες υάλων. Διάγραμμα τάσης-παραμόρφωσης (stress-stain)

Μηχανικές ιδιότητες υάλων. Διάγραμμα τάσης-παραμόρφωσης (stress-stain) Μηχανικές ιδιότητες υάλων Η ψαθυρότητα των υάλων είναι μια ιδιότητα καλά γνωστή που εύκολα διαπιστώνεται σε σύγκριση με ένα μεταλλικό υλικό. Διάγραμμα τάσης-παραμόρφωσης (stress-stain) E (Young s modulus)=

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΣΤ 30 ΕΡΩΤΗΣΕΩΝ ΓΝΩΣΤΙΚΟΥ ΧΗΜΕΙΑΣ

ΤΕΣΤ 30 ΕΡΩΤΗΣΕΩΝ ΓΝΩΣΤΙΚΟΥ ΧΗΜΕΙΑΣ ΤΕΣΤ 30 ΕΡΩΤΗΣΕΩΝ ΓΝΩΣΤΙΚΟΥ ΧΗΜΕΙΑΣ ο αριθμός Avogadro, N A, L = 6,022 10 23 mol -1 η σταθερά Faraday, F = 96 487 C mol -1 σταθερά αερίων R = 8,314 510 (70) J K -1 mol -1 = 0,082 L atm mol -1 K -1 μοριακός

Διαβάστε περισσότερα

ΦΥΣΙΚΗ Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ 2006 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

ΦΥΣΙΚΗ Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ 2006 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΦΥΣΙΚΗ Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ 006 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΘΕΜΑ ο Να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό καθεµιάς από τις παρακάτω ερωτήσεις - 4 και δίπλα το γράµµα που αντιστοιχεί στη σωστή

Διαβάστε περισσότερα

6. ΘΕΡΜΙΚΕΣ Ι ΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΠΟΛΥΜΕΡΩΝ

6. ΘΕΡΜΙΚΕΣ Ι ΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΠΟΛΥΜΕΡΩΝ 6-1 6. ΘΕΡΜΙΚΕΣ Ι ΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΠΟΛΥΜΕΡΩΝ 6.1. ΙΑ ΟΣΗ ΤΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ Πολλές βιοµηχανικές εφαρµογές των πολυµερών αφορούν τη διάδοση της θερµότητας µέσα από αυτά ή γύρω από αυτά. Πολλά πολυµερή χρησιµοποιούνται

Διαβάστε περισσότερα

Γ ΛΥΚΕΙΟΥ (Επαναληπτικός ιαγωνισμός)

Γ ΛΥΚΕΙΟΥ (Επαναληπτικός ιαγωνισμός) 4 Η ΠΑΓΚΥΠΡΙΑ ΟΛΥΜΠΙΑ Α ΦΥΣΙΚΗΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ (Επαναληπτικός ιαγωνισμός) Κυριακή, 5 Απριλίου, 00, Ώρα:.00 4.00 Προτεινόμενες Λύσεις Άσκηση ( 5 μονάδες) Δύο σύγχρονες πηγές, Π και Π, που απέχουν μεταξύ τους

Διαβάστε περισσότερα

Ισορροπία στη σύσταση αέριων συστατικών

Ισορροπία στη σύσταση αέριων συστατικών Ισορροπία στη σύσταση αέριων συστατικών Για κάθε αέριο υπάρχουν μηχανισμοί παραγωγής και καταστροφής Ρυθμός μεταβολής ενός αερίου = ρυθμός παραγωγής ρυθμός καταστροφής Όταν: ρυθμός παραγωγής = ρυθμός καταστροφής

Διαβάστε περισσότερα

5. ΤΟ ΠΥΡΙΤΙΟ. Επιμέλεια παρουσίασης Παναγιώτης Αθανασόπουλος Δρ - Χημικός

5. ΤΟ ΠΥΡΙΤΙΟ. Επιμέλεια παρουσίασης Παναγιώτης Αθανασόπουλος Δρ - Χημικός 5. ΤΟ ΠΥΡΙΤΙΟ Επιμέλεια παρουσίασης Παναγιώτης Αθανασόπουλος Δρ - Χημικός Σκοπός του μαθήματος: Να εντοπίζουμε τη θέση του πυριτίου στον περιοδικό πίνακα Να αναφέρουμε τη χρήση του πυριτίου σε υλικά όπως

Διαβάστε περισσότερα

Α1. Πράσινο και κίτρινο φως προσπίπτουν ταυτόχρονα και µε την ίδια γωνία πρόσπτωσης σε γυάλινο πρίσµα. Ποιά από τις ακόλουθες προτάσεις είναι σωστή:

Α1. Πράσινο και κίτρινο φως προσπίπτουν ταυτόχρονα και µε την ίδια γωνία πρόσπτωσης σε γυάλινο πρίσµα. Ποιά από τις ακόλουθες προτάσεις είναι σωστή: 54 Χρόνια ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΑ ΜΕΣΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΣΑΒΒΑΪΔΗ-ΜΑΝΩΛΑΡΑΚΗ ΠΑΓΚΡΑΤΙ : Φιλολάου & Εκφαντίδου 26 : Τηλ.: 2107601470 ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ : ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ 2014 ΘΕΜΑ Α Α1. Πράσινο και κίτρινο φως

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΔΙΑ ΦΥΣΙΚΗΣ

ΒΑΣΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΔΙΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΒΑΣΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΔΙΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΥΛΗ Οτιδήποτε έχει μάζα και καταλαμβάνει χώρο Μάζα είναι η ποσότητα αδράνειας ενός σώματος, μονάδα kilogram (kg) (σύνδεση( δύναμης & επιτάχυνσης) F=m*γ Καταστάσεις της ύλης Στερεά,

Διαβάστε περισσότερα

Εξάτμιση και Διαπνοή

Εξάτμιση και Διαπνοή Εξάτμιση και Διαπνοή Εξάτμιση, Διαπνοή Πραγματική και δυνητική εξατμισοδιαπνοή Μέθοδοι εκτίμησης της εξάτμισης από υδάτινες επιφάνειες Μέθοδοι εκτίμησης της δυνητικής και πραγματικής εξατμισοδιαπνοής (ΕΤ)

Διαβάστε περισσότερα

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΙΣ ΦΑΣΜΑΤΟΜΕΤΡΙΚΕΣ ΤΕΧΝΙΚΕΣ (SPECTROMETRIC TECHNIQUES)

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΙΣ ΦΑΣΜΑΤΟΜΕΤΡΙΚΕΣ ΤΕΧΝΙΚΕΣ (SPECTROMETRIC TECHNIQUES) ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΙΣ ΦΑΣΜΑΤΟΜΕΤΡΙΚΕΣ ΤΕΧΝΙΚΕΣ (SPECTROMETRIC TECHNIQUES) ΑΘΗΝΑ, ΟΚΤΩΒΡΙΟΣ 2014 ΦΑΣΜΑΤΟΜΕΤΡΙΚΕΣ ΤΕΧΝΙΚΕΣ Στηρίζονται στις αλληλεπιδράσεις της ηλεκτρομαγνητικής ακτινοβολίας με την ύλη. Φασματομετρία=

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρική Ενέργεια. Ηλεκτρικό Ρεύμα

Ηλεκτρική Ενέργεια. Ηλεκτρικό Ρεύμα Ηλεκτρική Ενέργεια Σημαντικές ιδιότητες: Μετατροπή από/προς προς άλλες μορφές ενέργειας Μεταφορά σε μεγάλες αποστάσεις με μικρές απώλειες Σημαντικότερες εφαρμογές: Θέρμανση μέσου διάδοσης Μαγνητικό πεδίο

Διαβάστε περισσότερα

Συσχέτιση μεταξύ δύο συνόλων δεδομένων

Συσχέτιση μεταξύ δύο συνόλων δεδομένων Διαγράμματα διασποράς (scattergrams) Συσχέτιση μεταξύ δύο συνόλων δεδομένων Η οπτική απεικόνιση δύο συνόλων δεδομένων μπορεί να αποκαλύψει με παραστατικό τρόπο πιθανές τάσεις και μεταξύ τους συσχετίσεις,

Διαβάστε περισσότερα

5. Να βρείτε τον ατομικό αριθμό του 2ου μέλους της ομάδας των αλογόνων και να γράψετε την ηλεκτρονιακή δομή του.

5. Να βρείτε τον ατομικό αριθμό του 2ου μέλους της ομάδας των αλογόνων και να γράψετε την ηλεκτρονιακή δομή του. Ερωτήσεις στο 2o κεφάλαιο από τράπεζα θεμάτων 1. α) Ποιος είναι ο μέγιστος αριθμός ηλεκτρονίων που μπορεί να πάρει κάθε μία από τις στιβάδες: K, L, M, N. β) Ποιος είναι ο μέγιστος αριθμός ηλεκτρονίων που

Διαβάστε περισσότερα

Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΤΙΚΗΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΤΙΚΗΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ε π α ν α λ η π τ ι κ ά θ έ µ α τ α 0 0 5 Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΤΙΚΗΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ 1 ΘΕΜΑ 1 o Για τις ερωτήσεις 1 4, να γράψετε στο τετράδιο σας τον αριθµό της ερώτησης και δίπλα το γράµµα που

Διαβάστε περισσότερα

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2009

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2009 ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 9 Μάθημα: ΦΥΣΙΚΗ 4ωρο Τ.Σ. Ημερομηνία και ώρα εξέτασης: Τρίτη Ιουνίου 9 11. 14. ΤΟ

Διαβάστε περισσότερα

1 ο ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΘΕΤΙΚΗΣ-ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ

1 ο ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΘΕΤΙΚΗΣ-ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ο ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΦΥΣΙΗΣ ΘΕΤΙΗΣ-ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΗΣ ΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Γ ΛΥΕΙΟΥ Θέμα ο. ύλινδρος περιστρέφεται γύρω από άξονα που διέρχεται από το κέντρο μάζας του με γωνιακή ταχύτητα ω. Αν ο συγκεκριμένος κύλινδρος περιστρεφόταν

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ Α Ι. Στις ερωτήσεις 1-4 να γράψετε στο τετράδιο σας τον αριθμό της ερώτησης και το γράμμα που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση.

ΘΕΜΑ Α Ι. Στις ερωτήσεις 1-4 να γράψετε στο τετράδιο σας τον αριθμό της ερώτησης και το γράμμα που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση. ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΣΗΣ ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΤΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΘΕΜΑ Α Ι. Στις ερωτήσεις 1-4 να γράψετε στο τετράδιο σας τον αριθμό της ερώτησης και το γράμμα που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση. 1.

Διαβάστε περισσότερα

ENOTHTA 1: ΚΡΟΥΣΕΙΣ ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ

ENOTHTA 1: ΚΡΟΥΣΕΙΣ ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5 Ο : ΚΡΟΥΣΕΙΣ ΦΑΙΝΟΜΕΝΟ DOPPLER ENOTHT 1: ΚΡΟΥΣΕΙΣ ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ Κρούση: Κρούση ονομάζουμε το φαινόμενο κατά το οποίο δύο ή περισσότερα σώματα έρχονται σε επαφή για πολύ μικρό χρονικό διάστημα κατά

Διαβάστε περισσότερα

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΦΥΣΙΚΗ ΠΛΑΣΜΑΤΟΣ

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΦΥΣΙΚΗ ΠΛΑΣΜΑΤΟΣ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΦΥΣΙΚΗ ΠΛΑΣΜΑΤΟΣ Αναστάσιος Αναστασιάδης Ινστιτούτο Διαστημικών Εφαρμογών και Τηλεπισκόπησης Εθνικό Αστεροσκοπείο Αθηνών NTUA-EURATOM GROUP anastasi@space.noa.gr http://www.space.noa.gr/~anastasi

Διαβάστε περισσότερα

Διάδοση Θερμότητας. (Αγωγή / Μεταφορά με τη βοήθεια ρευμάτων / Ακτινοβολία)

Διάδοση Θερμότητας. (Αγωγή / Μεταφορά με τη βοήθεια ρευμάτων / Ακτινοβολία) Διάδοση Θερμότητας (Αγωγή / Μεταφορά με τη βοήθεια ρευμάτων / Ακτινοβολία) Τρόποι διάδοσης θερμότητας Με αγωγή Με μεταφορά (με τη βοήθεια ρευμάτων) Με ακτινοβολία άλλα ΠΑΝΤΑ από το θερμότερο προς το ψυχρότερο

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ - Λύσεις ασκήσεων στην ενότητα

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ - Λύσεις ασκήσεων στην ενότητα ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ - Λύσεις ασκήσεων στην ενότητα 1. Να αναφέρετε τρεις τεχνολογικούς τομείς στους οποίους χρησιμοποιούνται οι τελεστικοί ενισχυτές. Τρεις τεχνολογικοί τομείς που οι τελεστικοί ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2 Ο H XHΜΕΙΑ ΤΗΣ ΖΩΗΣ. Χημεία της ζωής 1

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2 Ο H XHΜΕΙΑ ΤΗΣ ΖΩΗΣ. Χημεία της ζωής 1 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2 Ο H XHΜΕΙΑ ΤΗΣ ΖΩΗΣ Χημεία της ζωής 1 2.1 ΒΑΣΙΚΕΣ ΧΗΜΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ Η Βιολογία μπορεί να μελετηθεί μέσα από πολλά και διαφορετικά επίπεδα. Οι βιοχημικοί, για παράδειγμα, ενδιαφέρονται περισσότερο

Διαβάστε περισσότερα

Μεγιστοποίηση μέσα από το τριώνυμο

Μεγιστοποίηση μέσα από το τριώνυμο Μεγιστοποίηση μέσα από το τριώνυμο Μια από τις πιο όμορφες εφαρμογές του τριωνύμου στη φυσική είναι η μεγιστοποίηση κάποιου μεγέθους μέσα από αυτό. Η ιδέα απλή και βασίζεται στη λογική επίλυσης του παρακάτω

Διαβάστε περισσότερα

ΤΥΠΟΛΟΓΙΟ ΦΥΣΙΚΗΣ Β ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤ-ΤΕΧΝ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

ΤΥΠΟΛΟΓΙΟ ΦΥΣΙΚΗΣ Β ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤ-ΤΕΧΝ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΥΠΟΛΟΓΙΟ ΦΥΣΙΚΗΣ Β ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕ-ΕΧΝ ΚΑΕΥΘΥΝΣΗΣ Κινητική θεωρία των ιδανικών αερίων. Νόμος του Boyle (ισόθερμη μεταβή).σταθ. για σταθ.. Νόμος του hales (ισόχωρη μεταβή) p σταθ. για σταθ. 3. Νόμος του Gay-Lussac

Διαβάστε περισσότερα

ΦΥΣΙΚΗ Β ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧ/ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

ΦΥΣΙΚΗ Β ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧ/ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΦΥΣΙΗ ΛΥΕΙΟΥ ΘΕΤΙΗΣ Ι ΤΕΧ/ΗΣ ΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΘΕΜ : Στις ερωτήσεις - να γράψετε στο φύλλο απαντήσεων τον αριθµό της ερώτησης και δίπλα το γράµµα που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση. Στις ερωτήσεις -5 να γράψετε

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ. Η πειραματική διάταξη που χρησιμοποιείται στην άσκηση φαίνεται στην φωτογραφία του σχήματος 1:

ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ. Η πειραματική διάταξη που χρησιμοποιείται στην άσκηση φαίνεται στην φωτογραφία του σχήματος 1: ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ 1. Πειραματική Διάταξη Η πειραματική διάταξη που χρησιμοποιείται στην άσκηση φαίνεται στην φωτογραφία του σχήματος 1: Σχήμα 1 : Η πειραματική συσκευή για τη μελέτη της απόδοσης φωτοβολταϊκού

Διαβάστε περισσότερα

Σε γαλάζιο φόντο ΔΙΔΑΚΤΕΑ ΥΛΗ (2013 2014) Σε μαύρο φόντο ΘΕΜΑΤΑ ΕΚΤΟΣ ΔΙΔΑΚΤΕΑΣ ΥΛΗΣ (2013-2014)

Σε γαλάζιο φόντο ΔΙΔΑΚΤΕΑ ΥΛΗ (2013 2014) Σε μαύρο φόντο ΘΕΜΑΤΑ ΕΚΤΟΣ ΔΙΔΑΚΤΕΑΣ ΥΛΗΣ (2013-2014) > Φυσική Γ Γυμνασίου >> Αρχική σελίδα ΗΛΕΚΤΡΙΙΚΗ ΔΥΝΑΜΗ ΚΑΙΙ ΦΟΡΤΙΙΟ ΕΕρρωττήήσσεει ιςς ΑΑσσκκήήσσεει ιςς χχωρρί ίςς ααππααννττήήσσεει ιςς (σελ. 1) ΕΕρρωττήήσσεει ιςς ΑΑσσκκήήσσεει ιςς μμεε ααππααννττήήσσεει

Διαβάστε περισσότερα

Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο

Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο Μιχάλης Κομπίτσας Εθνικό Ίδρυμα Ερευνών, Ινστιτούτο Θεωρ./Φυσικής Χημείας (www.laser-applications.eu) 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΤΗΣ ΟΜΙΛΙΑΣ 1.

Διαβάστε περισσότερα

Κατασκευή ολοκληρωµένων κυκλωµάτων και Κανόνες Σχεδίασης

Κατασκευή ολοκληρωµένων κυκλωµάτων και Κανόνες Σχεδίασης 3 η Θεµατική Ενότητα : Κατασκευή ολοκληρωµένων κυκλωµάτων και Κανόνες Σχεδίασης Επιµέλεια διαφανειών:. Μπακάλης Κατασκευή δίσκου πυριτίου Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 2 Κατασκευή ολοκληρωµένων κυκλωµάτων

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 23 Ηλεκτρικό Δυναµικό. Copyright 2009 Pearson Education, Inc.

Κεφάλαιο 23 Ηλεκτρικό Δυναµικό. Copyright 2009 Pearson Education, Inc. Κεφάλαιο 23 Ηλεκτρικό Δυναµικό Διαφορά Δυναµικού-Δυναµική Ενέργεια Σχέση Ηλεκτρικού Πεδίου και Ηλεκτρικού Δυναµικού Ηλεκτρικό Δυναµικό Σηµειακών Φορτίων Δυναµικό Κατανοµής Φορτίων Ισοδυναµικές Επιφάνειες

Διαβάστε περισσότερα

ΥΛΙΚΑ ΠΑΡΟΝ ΚΑΙ ΜΕΛΛΟΝ

ΥΛΙΚΑ ΠΑΡΟΝ ΚΑΙ ΜΕΛΛΟΝ ΥΛΙΚΑ ΠΑΡΟΝ ΚΑΙ ΜΕΛΛΟΝ Ι 2 Κατηγορίες Υλικών ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΡΗΤΗΣ ΤΜΗΜΑ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΛΙΚΩΝ Παραδείγματα Το πεντάγωνο των υλικών Κατηγορίες υλικών 1 Ορυκτά Μέταλλα Φυσικές πηγές Υλικάπουβγαίνουναπότηγημεεξόρυξηήσκάψιμοή

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙΔΑΣ Γ ΗΜΕΡΗΣΙΩΝ

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙΔΑΣ Γ ΗΜΕΡΗΣΙΩΝ ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙΔΑΣ Γ ΗΜΕΡΗΣΙΩΝ ΠΑΝΕΛΛΑΔΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Γ ΤΑΞΗΣ ΗΜΕΡΗΣΙΟΥ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΤΑΡΤΗ 0 ΜΑΪΟΥ 015 - ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙΔΩΝ: ΠΕΝΤΕ (5) Θέμα Α Στις ερωτήσεις Α1-Α4

Διαβάστε περισσότερα

Μελέτη των χαρακτηριστικών της β - ραδιενεργού εκποµπής

Μελέτη των χαρακτηριστικών της β - ραδιενεργού εκποµπής ΑΠ2 Μελέτη των χαρακτηριστικών της β - ραδιενεργού εκποµπής 1. Σκοπός Η εργαστηριακή αυτή άσκηση µελετά τα χαρακτηριστικά της β - ακτινοβολίας. Πιο συγκεκριµένα υπολογίζεται πειραµατικά η εµβέλεια των

Διαβάστε περισσότερα

Νέα Οπτικά Μικροσκόπια

Νέα Οπτικά Μικροσκόπια Νέα Οπτικά Μικροσκόπια Αντίθεση εικόνας (contrast) Αντίθεση πλάτους Αντίθεση φάσης Αντίθεση εικόνας =100 x (Ι υποβ -Ι δειγμα )/ Ι υποβ Μικροσκοπία φθορισμού (Χρησιμοποιεί φθορίζουσες χρωστικές για το

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΔΡ. ΒΑΣΙΛΕΙΟΣ ΜΠΙΝΑΣ Post Doc Researcher, Chemist Τμήμα Φυσικής, Πανεπιστήμιο Κρήτης Email: binasbill@iesl.forth.gr Thl. 1269 Crete Center for Quantum Complexity and Nanotechnology

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΡΜΙΚΗ ΑΠΟΔΟΣΗ ΤΟΙΧΟΥ TROMBE & ΤΟΙΧΟΥ ΜΑΖΑΣ ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΜΕΝΩΝ ΩΣ ΔΕΞΑΜΕΝΗ ΝΕΡΟΥ ΜΕ ΤΟΙΧΩΜΑΤΑ ΑΠΟ ΜΑΡΜΑΡΟ

ΘΕΡΜΙΚΗ ΑΠΟΔΟΣΗ ΤΟΙΧΟΥ TROMBE & ΤΟΙΧΟΥ ΜΑΖΑΣ ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΜΕΝΩΝ ΩΣ ΔΕΞΑΜΕΝΗ ΝΕΡΟΥ ΜΕ ΤΟΙΧΩΜΑΤΑ ΑΠΟ ΜΑΡΜΑΡΟ ΘΕΡΜΙΚΗ ΑΠΟΔΟΣΗ ΤΟΙΧΟΥ TROMBE & ΤΟΙΧΟΥ ΜΑΖΑΣ ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΜΕΝΩΝ ΩΣ ΔΕΞΑΜΕΝΗ ΝΕΡΟΥ ΜΕ ΤΟΙΧΩΜΑΤΑ ΑΠΟ ΜΑΡΜΑΡΟ Α1) ΓΕΝΙΚΗ ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ ΗΛΙΑΚΟΥ ΤΟΙΧΟΥ Ο ηλιακός τοίχος Trombe και ο ηλιακός τοίχος μάζας αποτελούν

Διαβάστε περισσότερα

Χειμερινό εξάμηνο 2007 1

Χειμερινό εξάμηνο 2007 1 Εξαναγκασμένη Συναγωγή Εσωτερική Ροή Τμήμα Μηχανολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Παραγωγής ΜΜK 31 Μεταφορά Θερμότητας 1 Ροή σε Σωλήνες (ie and tube flw) Σε αυτή την διάλεξη θα ασχοληθούμε με τους συντελεστές

Διαβάστε περισσότερα

ΑΛΛΗΛΕΠΙΔΡΑΣΕΙΣ ΑΚΤΙΝΩΝ Χ ΚΑΙ ΥΛΗΣ

ΑΛΛΗΛΕΠΙΔΡΑΣΕΙΣ ΑΚΤΙΝΩΝ Χ ΚΑΙ ΥΛΗΣ ΑΛΛΗΛΕΠΙΔΡΑΣΕΙΣ ΑΚΤΙΝΩΝ Χ ΚΑΙ ΥΛΗΣ Όταν οι ακτίνες Χ περνούν μέσα από την ύλη (πχ το σώμα του ασθενή) μπορεί να συμβεί οποιοδήποτε από τα 4 φαινόμενα που αναλύονται στις επόμενες σελίδες. Πρέπει να γίνει

Διαβάστε περισσότερα

ΣΥΣΚΕΥΗ ΜΕΤΡΗΣΗΣ ΙΞΩΔΟΥΣ ΥΓΡΩΝ

ΣΥΣΚΕΥΗ ΜΕΤΡΗΣΗΣ ΙΞΩΔΟΥΣ ΥΓΡΩΝ Environmental Fluid Mechanics Laboratory University of Cyprus Department Of Civil & Environmental Engineering ΣΥΣΚΕΥΗ ΜΕΤΡΗΣΗΣ ΙΞΩΔΟΥΣ ΥΓΡΩΝ ΕΓΧΕΙΡΙΔΙΟ ΟΔΗΓΙΩΝ HM 134 ΣΥΣΚΕΥΗ ΜΕΤΡΗΣΗΣ ΙΞΩΔΟΥΣ ΥΓΡΩΝ Εγχειρίδιο

Διαβάστε περισσότερα

Β' ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΦΥΣΙΚΗ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

Β' ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΦΥΣΙΚΗ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ 1 Β' ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΦΥΣΙΚΗ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΘΕΜΑ Α Στις ερωτήσεις 1 έως 4 να γράψετε στο τετράδιο σας τον αριθµό της ερώτησης και δίπλα σε κάθε αριθµό το γράµµα που αντιστοιχεί στη σωστή

Διαβάστε περισσότερα

ΥΛΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ

ΥΛΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ ΥΛΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ ΓΙΩΡΓΟΣ ΤΣΙΓΑΡΙΔΑΣ E-mail: gtsigaridas@teilam.gr ΔΟΜΗ ΤΟΥ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΕΠΙΣΤΗΜΗ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΔΟΜΗ ΤΟΥ ΑΤΟΜΟΥ ΔΕΣΜΟΙ ΚΑΙ ΤΥΠΟΙ ΣΤΕΡΕΩΝ ΜΟΡΙΑΚΗ ΚΙΝΗΤΙΚΗ ΘΕΩΡΙΑ ΜΟΡΙΑΚΗ

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ LASER ΤΜΗΜΑ ΟΠΤΙΚΗΣ & ΟΠΤΟΜΕΤΡΙΑΣ ΑΤΕΙ ΠΑΤΡΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ LASER ΤΜΗΜΑ ΟΠΤΙΚΗΣ & ΟΠΤΟΜΕΤΡΙΑΣ ΑΤΕΙ ΠΑΤΡΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ LASER ΤΜΗΜΑ ΟΠΤΙΚΗΣ & ΟΠΤΟΜΕΤΡΙΑΣ ΑΤΕΙ ΠΑΤΡΑΣ «Ίσως το φως θα ναι μια νέα τυραννία. Ποιος ξέρει τι καινούρια πράγματα θα δείξει.» Κ.Π.Καβάφης ΑΡΧΕΣ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ LASER Εισαγωγικές Έννοιες

Διαβάστε περισσότερα

Κατασκευή σταθερών διπλής κλίμακας τραχειών υπερυδρόφοβων και υπερυδρόφιλων επιφανειών με λιθογραφία κολλοειδών σωματιδίων και εγχάραξη με πλάσμα

Κατασκευή σταθερών διπλής κλίμακας τραχειών υπερυδρόφοβων και υπερυδρόφιλων επιφανειών με λιθογραφία κολλοειδών σωματιδίων και εγχάραξη με πλάσμα ΕΘΝΙΚΟ ΚΑΠΟΔΙΣΤΡΙΑΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΑΘΗΝΩΝ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΔΙΑΤΜΗΜΑΤΙΚΟ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΩΝ ΣΠΟΥΔΩΝ ΣΤΗ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ Κατασκευή σταθερών

Διαβάστε περισσότερα

ΓΥΜΝΑΣΙΟ ΑΓΙΑΣ ΦΥΛΑΞΕΩΣ ΣΧΟΛΙΚΗ ΧΡΟΝΙΑ: 2012-2013 ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΙΟΥΝΙΟΥ ΣΤΗ ΧΗΜΕΙΑ ΤΑΞΗ :Β ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ : 07/06/13 ΒΑΘΜΟΣ:...

ΓΥΜΝΑΣΙΟ ΑΓΙΑΣ ΦΥΛΑΞΕΩΣ ΣΧΟΛΙΚΗ ΧΡΟΝΙΑ: 2012-2013 ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΙΟΥΝΙΟΥ ΣΤΗ ΧΗΜΕΙΑ ΤΑΞΗ :Β ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ : 07/06/13 ΒΑΘΜΟΣ:... ΓΥΜΝΑΣΙΟ ΑΓΙΑΣ ΦΥΛΑΞΕΩΣ ΣΧΟΛΙΚΗ ΧΡΟΝΙΑ: 2012-2013 ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΙΟΥΝΙΟΥ ΣΤΗ ΧΗΜΕΙΑ ΤΑΞΗ :Β ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ : 07/06/13 ΒΑΘΜΟΣ:... ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ :...ΤΜΗΜΑ :...Αρ:... Βαθμολογία εξεταστικού δοκιμίου

Διαβάστε περισσότερα

ΕΤΟΣ ΓΕΝΝΗΣΗΣ: 11/6/1966, ΑΤΑΛΑΝΤΗ ΦΘΙΩΤΙΔΟΣ. ΠΑΡΟΥΣΑ ΘΕΣΗ: Τακτικός Καθηγητής στο ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΛΑΜΙΑΣ

ΕΤΟΣ ΓΕΝΝΗΣΗΣ: 11/6/1966, ΑΤΑΛΑΝΤΗ ΦΘΙΩΤΙΔΟΣ. ΠΑΡΟΥΣΑ ΘΕΣΗ: Τακτικός Καθηγητής στο ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΛΑΜΙΑΣ Δρ. ΘΕΟΔΩΡΟΣ ΓΚΑΝΕΤΣΟΣ ΠΥΛΟΥ 22, Ν.ΚΗΦΙΣΙΑ ΤΗΛΕΦΩΝΟ: 22310 60140 Kινητό τηλέφωνο: 6945-273390 email : g anetsos@teilam.gr 1. ΠΡΟΣΩΠΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΕΤΟΣ ΓΕΝΝΗΣΗΣ: 11/6/1966, ΑΤΑΛΑΝΤΗ ΦΘΙΩΤΙΔΟΣ ΠΑΡΟΥΣΑ ΘΕΣΗ:

Διαβάστε περισσότερα

Γενικά Στοιχεία Ηλεκτρονικού Υπολογιστή

Γενικά Στοιχεία Ηλεκτρονικού Υπολογιστή Γενικά Στοιχεία Ηλεκτρονικού Υπολογιστή 1. Ηλεκτρονικός Υπολογιστής Ο Ηλεκτρονικός Υπολογιστής είναι μια συσκευή, μεγάλη ή μικρή, που επεξεργάζεται δεδομένα και εκτελεί την εργασία του σύμφωνα με τα παρακάτω

Διαβάστε περισσότερα

ΕΣΩΤΕΡΙΚΗ ΕΝΕΡΓΕΙΑ Μηχανική ενέργεια Εσωτερική ενέργεια:

ΕΣΩΤΕΡΙΚΗ ΕΝΕΡΓΕΙΑ Μηχανική ενέργεια Εσωτερική ενέργεια: ΕΣΩΤΕΡΙΚΗ ΕΝΕΡΓΕΙΑ Μηχανική ενέργεια (όπως ορίζεται στη μελέτη της μηχανικής τέτοιων σωμάτων): Η ενέργεια που οφείλεται σε αλληλεπιδράσεις και κινήσεις ολόκληρου του μακροσκοπικού σώματος, όπως η μετατόπιση

Διαβάστε περισσότερα

2.2 Κατάταξη των στοιχείων (Περιοδικός Πίνακας) - Χρησιμότητα του Περιοδικού Πίνακα

2.2 Κατάταξη των στοιχείων (Περιοδικός Πίνακας) - Χρησιμότητα του Περιοδικού Πίνακα 2.2 Κατάταξη των στοιχείων (Περιοδικός Πίνακας) - Χρησιμότητα του Περιοδικού Πίνακα Θεωρία 9.1. Τι είναι ο περιοδικός πίνακας; Αποτελεί μία από τις σημαντικότερες ανακαλύψεις στης Χημείας. Πρόκειται για

Διαβάστε περισσότερα

Περίθλαση από ακµή και από εµπόδιο.

Περίθλαση από ακµή και από εµπόδιο. ρ. Χ. Βοζίκης Εργαστήριο Φυσικής ΙΙ 63 6. Άσκηση 6 Περίθλαση από ακµή και από εµπόδιο. 6.1 Σκοπός της εργαστηριακής άσκησης Σκοπός της άσκησης αυτής, καθώς και των δύο εποµένων, είναι η γνωριµία των σπουδαστών

Διαβάστε περισσότερα

ΑΘΑΝΑΣΙΟΣ Ι. ΦΡΕΝΤΖΟΣ. 6 ο ΕΤΟΣ ΙΑΤΡΙΚΗΣ (2004-05) του Ε.Κ.Π.Α. ΕΡΓΑΣΙΑ

ΑΘΑΝΑΣΙΟΣ Ι. ΦΡΕΝΤΖΟΣ. 6 ο ΕΤΟΣ ΙΑΤΡΙΚΗΣ (2004-05) του Ε.Κ.Π.Α. ΕΡΓΑΣΙΑ ΑΘΑΝΑΣΙΟΣ Ι. ΦΡΕΝΤΖΟΣ 6 ο ΕΤΟΣ ΙΑΤΡΙΚΗΣ (2004-05) του Ε.Κ.Π.Α. ΕΡΓΑΣΙΑ 148 ΑΡΧΕΣ ΦΥΣΙΚΗΣ ΤΩΝ ΥΠΕΡΗΧΩΝ ΑΣΦΑΛΕΙΑ ΤΩΝ ΥΠΕΡΗΧΩΝ ΣΤΗ ΜΑΙΕΥΤΙΚΗ Γ ΜΑΙΕΥΤΙΚΗ ΚΑΙ ΓΥΝΑΙΚΟΛΟΓΙΚΗ ΚΛΙΝΙΚΗ ΑΝ. ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ Δ. ΚΑΣΣΑΝΟΣ

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στην πυρηνοποίηση. http://users.auth.gr/~paloura/ Ομο- & ετερογενής πυρηνοποίηση: αρχικά στάδια ανάπτυξης υλικών ή σχηματισμού νέας φάσης.

Εισαγωγή στην πυρηνοποίηση. http://users.auth.gr/~paloura/ Ομο- & ετερογενής πυρηνοποίηση: αρχικά στάδια ανάπτυξης υλικών ή σχηματισμού νέας φάσης. Εισαγωγή στην πυρηνοποίηση. http://users.auth.gr/~paloura/ Αντικείμενο Ομο- & ετερογενής πυρηνοποίηση: αρχικά στάδια ανάπτυξης υλικών ή σχηματισμού νέας φάσης. Ομογενής πυρηνοποίηση: αυθόρμητος σχηματισμός

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ

ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Ηλεκτρικό κύκλωμα ονομάζεται μια διάταξη που αποτελείται από ένα σύνολο ηλεκτρικών στοιχείων στα οποία κυκλοφορεί ηλεκτρικό ρεύμα. Τα βασικά ηλεκτρικά στοιχεία είναι οι γεννήτριες,

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2ο ΑΝΤΙΣΤΑΣΕΙΣ Θερμική ενέργεια Q και Ισχύς Ρ Όταν μια αντίσταση R διαρρέεται από ρεύμα Ι για χρόνο t, τότε παράγεται θερμική ενέργεια Q. Για το συνεχές ρεύμα η ισχύς

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ ΘΕΜΑΤΑ ΘΕΩΡΙΑΣ ΣΤΑ ΜΑΘΗΜΑΤΙΚΑ ΤΗΣ Α ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ ΑΛΓΕΒΡΑ

ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ ΘΕΜΑΤΑ ΘΕΩΡΙΑΣ ΣΤΑ ΜΑΘΗΜΑΤΙΚΑ ΤΗΣ Α ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ ΑΛΓΕΒΡΑ 1 ο ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ ΘΕΜΑΤΑ ΘΕΩΡΙΑΣ ΣΤΑ ΜΑΘΗΜΑΤΙΚΑ ΤΗΣ Α ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ ΑΛΓΕΒΡΑ 1. α. Τι γνωρίζετε για την Ευκλείδεια διαίρεση; Πότε λέγεται τέλεια; β. Αν σε μια διαίρεση είναι Δ=δ, πόσο είναι το πηλίκο και

Διαβάστε περισσότερα

ιάθλαση. Ολική ανάκλαση. ιάδοση µέσα σε κυµατοδηγό.

ιάθλαση. Ολική ανάκλαση. ιάδοση µέσα σε κυµατοδηγό. ρ. Χ. Βοζίκης Εργαστήριο Φυσικής ΙΙ 91 9. Άσκηση 9 ιάθλαση. Ολική ανάκλαση. ιάδοση µέσα σε κυµατοδηγό. 9.1 Σκοπός της εργαστηριακής άσκησης Σκοπός της άσκησης είναι η γνωριµία των σπουδαστών µε τα φαινόµενα

Διαβάστε περισσότερα

7 σειρά ασκήσεων. Για την επίλυση των προβλημάτων να θεωρηθούν γνωστά: σταθερά του Planck 6,63 10-34 J s, ταχύτητα του φωτός στον αέρα 3 10 8 m/s

7 σειρά ασκήσεων. Για την επίλυση των προβλημάτων να θεωρηθούν γνωστά: σταθερά του Planck 6,63 10-34 J s, ταχύτητα του φωτός στον αέρα 3 10 8 m/s η 7 σειρά ασκήσεων Για την επίλυση των προβλημάτων να θεωρηθούν γνωστά: σταθερά του Planck 6,63 10-34 J s, ταχύτητα του φωτός στον αέρα 3 10 8 m/s 1. Εξηγήστε γιατί, όταν φως διαπερνά μία διαχωριστική

Διαβάστε περισσότερα

α. Μόνο η ορμή του συστήματος των σωμάτων. β. Η ορμή και η κινητική ενέργεια του κάθε σώματος.

α. Μόνο η ορμή του συστήματος των σωμάτων. β. Η ορμή και η κινητική ενέργεια του κάθε σώματος. ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ. ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ ΓΝΩΣΗ ΘΕΜΑ 1 1. Σε μια ελαστική κρούση δύο σωμάτων διατηρείται: α. Μόνο η ορμή του συστήματος των σωμάτων. β. Η ορμή και η κινητική ενέργεια του κάθε σώματος.

Διαβάστε περισσότερα

Π. Κοράλλη 1, S. Fiat 4, Μ. Κομπίτσας 2, İ. Polat 3, E. Bacaksiz 3 και Δ. Ε. Μανωλάκος 1

Π. Κοράλλη 1, S. Fiat 4, Μ. Κομπίτσας 2, İ. Polat 3, E. Bacaksiz 3 και Δ. Ε. Μανωλάκος 1 ΝΕΑ ΥΛΙΚΑ ΚΑΙ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΓΙΑ ΧΑΜΗΛΟΥ ΚΟΣΤΟΥΣ & ΥΨΗΛΗΣ ΑΠΟΔΟΣΗΣ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ Π. Κοράλλη 1, S. Fiat 4, Μ. Κομπίτσας 2, İ. Polat 3, E. Bacaksiz 3 και Δ. Ε. Μανωλάκος 1 1 Σχολή Μηχανολόγων Μηχανικών,

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 13 LASER. Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation Ενίσχυση Φωτός με Επαγόμενη Εκπομπή Ακτινοβολίας

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 13 LASER. Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation Ενίσχυση Φωτός με Επαγόμενη Εκπομπή Ακτινοβολίας ΚΕΦΑΛΑΙΟ 13 Μαρία Κατσικίνη katsiki@auth.gr users.auth.gr/~katsiki Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation Ενίσχυση Φωτός με Επαγόμενη Εκπομπή Ακτινοβολίας wikipedia Το πρώτο κατασκευάστηκε

Διαβάστε περισσότερα

Πεδίο, ονομάζεται μια περιοχή του χώρου, όπου σε κάθε σημείο της ένα ορισμένο φυσικό μέγεθος

Πεδίο, ονομάζεται μια περιοχή του χώρου, όπου σε κάθε σημείο της ένα ορισμένο φυσικό μέγεθος ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΠΕΔΙΟ Πεδίο, ονομάζεται μια περιοχή του χώρου, όπου σε κάθε σημείο της ένα ορισμένο φυσικό μέγεθος παίρνει καθορισμένη τιμή. Ηλεκτρικό πεδίο Ηλεκτρικό πεδίο ονομάζεται ο χώρος, που σε κάθε σημείο

Διαβάστε περισσότερα

Σχετικά με το μάθημα. Ο Υπολογιστής Η γενική εικόνα. Η μνήμη. Ενότητες μαθήματος. Εισαγωγή στους Υπολογιστές. Βιβλία για το μάθημα

Σχετικά με το μάθημα. Ο Υπολογιστής Η γενική εικόνα. Η μνήμη. Ενότητες μαθήματος. Εισαγωγή στους Υπολογιστές. Βιβλία για το μάθημα Ιόνιο Πανεπιστήμιο Τμήμα Πληροφορικής Εισαγωγή στην Επιστήμη των Υπολογιστών 2014-15 Εισαγωγή στους Υπολογιστές (αρχές λειτουργίας και τεχνολογία) Σχετικά με το μάθημα Ενότητες μαθήματος Αρχές λειτουργίας

Διαβάστε περισσότερα

Σε γαλάζιο φόντο ΔΙΔΑΚΤΕΑ ΥΛΗ (2013 2014) Σε μαύρο φόντο ΘΕΜΑΤΑ ΕΚΤΟΣ ΔΙΔΑΚΤΕΑΣ ΥΛΗΣ (2013-2014)

Σε γαλάζιο φόντο ΔΙΔΑΚΤΕΑ ΥΛΗ (2013 2014) Σε μαύρο φόντο ΘΕΜΑΤΑ ΕΚΤΟΣ ΔΙΔΑΚΤΕΑΣ ΥΛΗΣ (2013-2014) > Φυσική Γ Γυμνασίου >> Αρχική σελίδα ΗΛΕΚΤΡΙΙΚΟ ΡΕΥΜΑ ΕΕρρωττήήσσεει ιςςαασσκκήήσσεει ιςς χχωρρί ίςς ααππααννττήήσσεει ιςς (σελ. ) ΕΕρρωττήήσσεει ιςςαασσκκήήσσεει ιςς μμεε ααππααννττήήσσεει ιςς (σελ.

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ Α Στις παρακάτω προτάσεις Α1-Α4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της πρότασης και δίπλα το γράμμα που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση.

ΘΕΜΑ Α Στις παρακάτω προτάσεις Α1-Α4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της πρότασης και δίπλα το γράμμα που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση. 53 Χρόνια ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΑ ΜΕΣΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΣΑΒΒΑΪΔΗ-ΜΑΝΩΛΑΡΑΚΗ ΠΑΓΚΡΑΤΙ : Φιλολάου & Εκφαντίδου 26 : Τηλ.: 2107601470 ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ : ΦΥΣΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ 2013 ΘΕΜΑ Α Στις παρακάτω προτάσεις Α1-Α4 να

Διαβάστε περισσότερα