Ανάλυση Κυκλωµάτων µε χρήση του προγράµµατος SPICE

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "Ανάλυση Κυκλωµάτων µε χρήση του προγράµµατος SPICE"

Transcript

1 Ανάλυση Κυκλωµάτων µε χρήση του προγράµµατος SPICE Εισαγωγή Η ανάλυση πολύπλοκων κυκλωµάτων απαιτεί απαραίτητα τη χρήση ηλεκτρονικού υπολογιστή. Με το κατάλληλο πρόγραµµα, το αποτέλεσµα της ανάλυσης προκύπτει σε πολύ σύντοµο χρονικό διάστηµα και είναι, µέσα στα πλαίσια των προσεγγίσεων που χρησιµοποιούνται, ακριβές. Από τη στιγµή που ο σχεδιασµός ενός κυκλώµατος έχει γίνει σε πρώτη προσπάθεια µε κλασσικές διαδικασίες, η επαλήθευση της λειτουργίας του κυκλώµατος µπορεί να γίνει, µέσω ανάλυσης, µε τον υπολογιστή. Επαναληπτικές τροποποιήσεις και αναλύσεις του κυκλώµατος µε τρόπο αλληλεπίδρασης µπορεί να οδηγήσουν γρήγορα και εύκολα στον τελικό σχεδιασµό. Έτσι, µπορούµε να µιλάµε για σχεδιασµό (Computer Aided Design), µέσω προγραµµάτων ανάλυσης. Υπάρχουν πολλά προγράµµατα ανάλυσης κυκλωµάτων. Τα προγράµµατα αυτά εξοµοιώνουν τη συµπεριφορά των κυκλωµάτων σε επίπεδο µοντέλων. Ένα ευρέως διαδεδοµένο και διεθνώς αποδεκτό πρόγραµµα είναι το πρόγραµµα SPICE, (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis). Το πρόγραµµα αυτό αναπτύχθηκε στο πανεπιστήµιο του Berkeley της Καλιφόρνιας το 1973, [1]. Έκτοτε, έχουν κυκλοφορήσει πολλές βελτιωµένες εκδόσεις του προγράµµατος. Μια έκδοση του προγράµµατος από την Cadence για προσωπικούς υπολογιστές κυκλοφορεί µε την ονοµασία Orcad PSPICE AD Lite, που είναι γραµµένο σε παραθυρικό περιβάλλον. Στο πρόγραµµα αυτό αναφέρεται η εισαγωγική παρουσίαση, που ακολουθεί. PSpice AD.lnk Η εξοικείωση µε τα προγράµµατα ανάλυσης κυκλωµάτων δηµιουργεί την αυτοπεποίθηση, ώστε, να αποτολµηθεί η µελέτη πολύπλοκων κυκλωµάτων και συστηµάτων. Ταυτόχρονα παρέχει τη βεβαιότητα ότι, τα αποτελέσµατα εξοµοίωσης των κυκλωµάτων θα βρίσκονται κοντά στα προσδοκώµενα αποτελέσµατα στην πράξη. Πέραν από αυτά, ο σχεδιασµός ολοκληρωµένων κυκλωµάτων δεν έχει νόηµα να γίνει στον πάγκο, αφού, τα στοιχεία, που χρησιµοποιούνται, δεν είναι διαθέσιµα στον χρήστη, ως διακριτά στοιχεία. Έτσι, σήµερα είναι σχεδόν αδιανόητο να προχωρήσει κανείς στο σχεδιασµό (design) ηλεκτρονικών κυκλωµάτων χωρίς τη χρήση υπολογιστών. Π5_1

2 1. Φιλοσοφία του PSPICE και δυνατότητες Με την έναρξη της διαδικασίας ανάλυσης ο χρήστης εισάγει στον υπολογιστή τα δεδοµένα της τοπολογίας του κυκλώµατος καθώς και το είδος της ανάλυσης, που επιδιώκει. Η εισαγωγή της τοπολογίας ενός κυκλώµατος στο πρόγραµµα PSPICE γίνεται από το χρήστη µε σειρά εντολών προγράµµατος, (program statements), που καθορίζουν το είδος και τον τρόπο διασύνδεσης των διαφόρων στοιχείων στο κύκλωµα καθώς και τον τύπο της ανάλυσης, που πρόκειται να πραγµατοποιηθεί. Οι εντολές αυτές αποθηκεύονται στο αρχείο δεδοµένων εισόδου, (input data file), µε τη µορφή?????.cir, όπου, στη θέση των????? τίθεται το όνοµα του αρχείου. Το αρχείο εισόδου µπορεί να γραφεί στον editor του προγράµµατος ή σε οποιονδήποτε editor, π.χ. Word editor, Notepad. Μετά τη δηµιουργία του αρχείου στον editor του προγράµµατος, αυτό σώζεται µε την µορφή?????.cir και κατόπιν, καλείται εκ νέου από το παράθυρο open. Τότε µόνον είναι δυνατή η έναρξη ανάλυσης. H είσοδος της τοπολογίας του κυκλώµατος µπορεί να γίνει και µε γραφικό τρόπο, µε το πρόγραµµα PSPICE CIS, (capture). Ο γραφικός τρόπος εισαγωγής του αρχείου εισόδου, ωστόσο, προϋποθέτει καλή γνώση του προγράµµατος. Capture CIS.lnk Μετά την εισαγωγή της τοπολογίας του κυκλώµατος, η µαθηµατική περιγραφή του γίνεται µε µήτρες περιγραφής, µέσω του προγράµµατος, χωρίς την παρέµβαση του χρήστη. Οι µήτρες περιγραφής προσδιορίζονται µε βάση τη γνωστή ανάλυση κόµβων, (nodal analysis), [3]. Για το σκοπό αυτό, όλοι οι κόµβοι του κυκλώµατος αριθµούνται από το χρήστη. Για λόγους απλά διάκρισης η αρίθµηση των κόµβων γίνεται µέσα σε µικρούς κύκλους. Η σειρά αρίθµησης των κόµβων δεν έχει καµία σηµασία. Ως µηδενικός κόµβος λαµβάνεται ο κόµβος αναφοράς του κυκλώµατος. Η θέση κάθε στοιχείου καθορίζεται από τους κόµβους, µεταξύ των οποίων συνδέεται. Εξυπακούεται ότι, στο πρόγραµµα είναι διαθέσιµα τα µοντέλα για κάθε ηλεκτρικό ή ηλεκτρονικό στοιχείο όπως και τα µοντέλα των διαφόρων πηγών σήµατος ή τροφοδοσίας, [4],[5], αφού, η εξοµοίωση γίνεται πάντοτε σε επίπεδο µοντέλων των στοιχείων. Από τη στιγµή, που η µαθηµατική περιγραφή του κυκλώµατος έχει ολοκληρωθεί, το πρόγραµµα αναλαµβάνει τον προσδιορισµό των τάσεων όλων των κόµβων και των ρευµάτων όλων των κλάδων. Αυτό επιτυγχάνεται µε επίλυση, µέσω αριθµητικής ανάλυσης, του συστήµατος των γραµµικών ή µη γραµµικών εξισώσεων, που περιγράφει το κύκλωµα, [6]. Επίσης, ανάλογα µε το είδος ανάλυσης, που ακολουθείται, προσδιορίζονται ένα πλήθος παραµέτρων, που καταχωρούνται στο αρχείο εξόδου, (output file). Αυτό δηµιουργείται από το πρόγραµµα ως?????.out και είναι άµεσα διαθέσιµο στο χρήστη ως ανεξάρτητο αρχείο. Ένα φιλικό στο χρήστη περιβάλλον γραφικών, που είναι διαθέσιµο στο πρόγραµµα, αναλαµβάνει την απεικόνιση των αποτελεσµάτων κατά ποικίλο τρόπο. Το περιβάλλον αυτό ενεργοποιείται µε την εντολή.probe. Π5_2

3 2. οµή του αρχείου εισόδου Για την κατανόηση της δοµής και του τρόπου δηµιουργίας του αρχείου εισόδου, που πραγµατοποιείται από το χρήστη, θα ακολουθήσουµε ένα παράδειγµα. Στο σχήµα Π5.2 δεικνύεται ένα κύκλωµα ενισχυτή κοινού εκποµπού, για το οποίο ενδιαφερόµαστε να γνωρίζουµε π.χ. την κατάσταση πόλωσης και την απόκριση συχνότητας µέτρου και φάσης. Στο σηµείο αυτό δεν είναι απαραίτητη η γνώση της λειτουργίας του κυκλώµατος. Απλά, θέλουµε να δείξουµε πως είναι σε γενικές γραµµές η δοµή ενός αρχείου SPICE και ποια είναι τα βήµατα, που ακολουθούνται για την ανάπτυξή του. Η δηµιουργία του αρχείου εισόδου του παραδείγµατός µας έγινε, µέσω του editor του προγράµµατος PSPICE. Για την κατανόηση της δοµής του αρχείου εισόδου έχουµε εισάγει µερικές εντολές µε σχόλια (comments), που εκκινούν µε (*). Επίσης, ως σχόλια θεωρούνται όλοι χαρακτήρες, που ακολουθούν το σύµβολο (;). Οι γραµµές σχολίων δεν είναι απαραίτητες σ ένα αρχείο εισόδου παρά µόνο, όταν απαιτείται πληρέστερη τεκµηρίωση του αρχείου. Κενές γραµµές στη δοµή ενός αρχείου εισόδου αγνοούνται κατά την εκτέλεση. Επίσης, δεν υπάρχει διάκριση στη χρήση κεφαλαίων ή µικρών γραµµάτων στο πρόγραµµα. Rs C1 R1 120k Q1 4 5 RC 4k C2 1u 12Vdc 7 0 V2 1Vac 0Vdc V1 3.3k 1u R2 18k RE Qtest CE 1u RL 1k Σχ.Π5.2 0 Αρχείο εισόδου PSPICE Common emitter amplifier ; Υποχρεωτικός τίτλος αρχείου εισόδου * Circuit Topology ; Ακολουθεί η τοπολογία του κυκλώµατος Vs 1 0 ac 1 ; ανεξάρτητη πηγή τάσης εναλλασσοµένου Vc 4 0 dc 12 ; ανεξάρτητη πηγή τάσης συνεχούς Rs k ; ιδανικός αντιστάτης C u ; ιδανικός πυκνωτής R k R k RC 4 5 4k RE k CE 6 0 1u C u Π5_3

4 RL 7 0 1k Q qtest ; BJT transistor * models of active elements ; Ακολουθεί ο ορισµός µοντέλων στοιχείων.model qtest npn(bf=200 VJE=0.75 VJC=0.75 VAF=1e20 CJC=10p) * Types of analysis ; Ακολουθούν οι επιθυµητοί τύποι ανάλυσης.op ; Προσδιορισµός πολώσεων.ac oct meg ; ηµιτονική ανάλυση *output statements.print ac V(7).Probe ; Aκολουθούν οι εντολές εξόδου ; Ενεργοποίηση περιβάλλοντος γραφικών * Termination control statement ; υποχρεωτική εντολή τερµατισµού.end Το αρχείο εισόδου γράφεται σε συγκεκριµένη µορφή (format), που µπορεί να διαβαστεί από το SPICE. Παρακάτω παρουσιάζεται µια γενική οµαδοποίηση των εντολών του αρχείου εισόδου. α) Η πρώτη γραµµή ενός αρχείου εισόδου δεσµεύεται υποχρεωτικά για τον τίτλο του αρχείου. Στη συγκεκριµένη περίπτωση, ο τίτλος του αρχείου είναι: Common emitter amplifier. β) Ακολουθεί η εισαγωγή των στοιχείων του κυκλώµατος και των πηγών. Αυτά χαρακτηρίζονται και διακρίνονται µεταξύ τους από το πρώτο γράµµα (χαρακτήρα), που τα ορίζει. π.χ.: R αντιστάτης (resistor), C πυκνωτής (capacitor), L επαγωγός (inductor), D δίοδος (diode), Q BJT τρανσίστορ, Μ MOS τρανσίστορ, J JFET τρανσίστορ. V ανεξάρτητη πηγή τάσης (independent Voltage source), I ανεξάρτητη πηγή ρεύµατος (independent current source). Οι χαρακτήρες, που ακολουθούν αµέσως µετά το πρώτο γράµµα ορισµού στοιχείου, δεν λαµβάνονται υπόψη στο πρόγραµµα. Χρησιµοποιούνται για την διάκριση των στοιχείων αυτών, µεταξύ όµοιων στοιχείων, π.χ. RIN, ROUT, R25... Μετά τον ορισµό του τύπου του στοιχείου, αφήνοντας κενά διαστήµατα µεταξύ τους, ακολουθούν, οι κόµβοι, στους οποίους συνδέεται το στοιχείο και η τιµή του στοιχείου, αν πρόκειται για ηλεκτρικό στοιχείο, π.χ. R k, ή το όνοµα του µοντέλου του στοιχείου, αν πρόκειται για ηλεκτρονικό στοιχείο, π.χ. Q Qtest. Παρατήρηση: εν επιτρέπονται κόµβοι `` στον αέρα`` (floating nodes) σ ένα αρχείο εισόδου SPICE. Γι αυτό, κάθε κόµβος πρέπει να βρίσκεται σε κλειστό βρόχο. Επίσης, κάθε κόµβος πρέπει να έχει δρόµο προς τον κόµβο αναφοράς, που να επιτρέπει τη ροή συνεχούς ρεύµατος (dc path). Αυτό σηµαίνει ότι, δεν επιτρέπεται π.χ. η σε σειρά σύνδεση δυο πυκνωτών αν ο κοινός τους κόµβος δεν έχει συνεχή δρόµο προς τον κόµβο αναφοράς. Π5_4

5 Προβλήµατα αυτού του είδους προκαλούν αδυναµία σύγκλισης στον αλγόριθµο ανάλυσης. Οι αδυναµίες αυτές του SPICE, όταν εµφανίζονται, µπορούν εύκολα να ξεπεραστούν αν ο κόµβος, που δηµιουργεί το πρόβληµα συνδεθεί µε τον κόµβο αναφοράς µε µία αντίσταση πολύ µεγάλης τιµής, τέτοιας, που να µην αλλοιώνει ουσιαστικά τη λειτουργία του κυκλώµατος. γ) Για τα ηλεκτρονικά στοιχεία πρέπει να οριστεί υποχρεωτικά το µοντέλο, που τα περιγράφει. Π.χ. Για το BJT τρανσίστορ Q1 µε όνοµα µοντέλου Qtest, που είναι τύπου npn, ορίζουµε το µοντέλο του µε µια εντολή ελέγχου, ως,.model qtest npn(...) Μέσα στην παρένθεση τίθενται ηλεκτρικές παράµετροι του τρανσίστορ, που είτε είναι γνωστές από τον κατασκευαστή του στοιχείου είτε τίθενται αυθαίρετα από τον χρήστη για πειραµατισµό. Αν δεν οριστούν παράµετροι του τρανσίστορ, τότε, για όσες εξ αυτών δεν υπάρχουν, το πρόγραµµα καλεί τις εξ ορισµού (default) τιµές, που έχει καταχωρηµένες. Μια τελεία (.) (period) πρέπει να υπάρχει µπροστά από το model. Η τελεία (.) υπάρχει στο SPICE µπροστά από κάθε εντολή ελέγχου, (control statement). Ένας άλλος τρόπος, για να ορίσουµε ένα ηλεκτρονικό στοιχείο, είναι να το καλέσουµε µε το όνοµά του, από τη βιβλιοθήκη στοιχείων, που διαθέτει το SPICE, εφ όσον υπάρχει σ αυτήν. Π.χ. Ορίζουµε το BJT τρανσίστορ Qab, που συνδέεται στους κόµβους 5,3,6 και είναι τύπου Q2Ν2222, ως, Qab Q2N2222.lib eval.lib δ) Το πρόγραµµα SPICE έχει τη δυνατότητα να εκτελέσει πολλούς τύπους ανάλυσης, τους οποίους θα γνωρίσουµε σε επόµενη παράγραφο. Οι εντολές ανάλυσης δηλώνονται µε (.) και τους χαρακτήρες γραµµάτων της κάθε ανάλυσης. Η εντολή ανάλυσης.op αποτελεί τη βασικότερη εντολή ανάλυσης στο πρόγραµµα SPICE. Η εντολή αυτή, ανεξάρτητα µε ποια σειρά δηλώνεται στο πρόγραµµα, εκτελείται πριν από κάθε εντολή ανάλυσης και έχει ως αντικείµενο τον προσδιορισµό όλων των συνεχών ρευµάτων και τάσεων στο κύκλωµα. Όταν τα µεγέθη αυτά προσδιοριστούν, προσδιορίζονται αυτόµατα οι πολώσεις (Operational Points) όλων των ηλεκτρονικών στοιχείων. Για τον προσδιορισµό αυτό ακολουθείται διαδικασία µη γραµµικής ανάλυσης. Ακολούθως, µε βάση τις πολώσεις αυτές προσδιορίζονται όλες οι παράµετροι των ηλεκτρονικών στοιχείων για τη συγκεκριµένη κατάσταση πόλωσης. Οι βασικότερες από τις παραµέτρους των στοιχείων καταχωρούνται στο αρχείο εξόδου. Η εντολή.op εκτελείται σε κάθε τρέξιµο του προγράµµατος ακόµα και αν δεν δηλωθεί στο αρχείο εισόδου. Στην περίπτωση αυτή τα αποτελέσµατα της ανάλυσης δεν καταχωρούνται στο αρχείο εξόδου. Η εντολή ανάλυσης.ac εκτελεί ηµιτονική ανάλυση µικρών σηµάτων. Εποµένως, πρόκειται για γραµµική ανάλυση µε χρήση γραµµικών µοντέλων στο πρόγραµµα. Γι αυτό, παρόλο που 1V σήµα στην είσοδο του πραγµατικού ενισχυτή, του σχ.π5.1, οδηγεί το σήµα Π5_5

6 εξόδου σε ψαλιδισµό, αυτό δεν ενδιαφέρει σε µια γραµµική ανάλυση. Έτσι, αν π.χ. το σήµα εισόδου είναι 1V και η ενίσχυση τάσης 100, τότε, το σήµα στην έξοδο προκύπτει 100V. Αυτό το αποτέλεσµα, που είναι από φυσικής πλευράς παράδοξο για τον συγκεκριµένο ενισχυτή, είναι από µαθηµατικής πλευράς σωστό, διότι, δεν έχει νόηµα ο ψαλιδισµός σε γραµµικό µοντέλο κυκλώµατος. Εδώ θα πρέπει να παρατηρήσει κανείς ότι, δεν ενδιαφέρει να δηλωθεί η µορφή του σήµατος εισόδου, που είναι ηµιτονικό, αφού στη ουσία ακολουθείται ηµιτονική ανάλυση φασόρων (phasor analysis). Με την.ac ανάλυση το πρόγραµµα προσδιορίζει τους φάσορες (µέτρο και φάση) όλων των τάσεων και των ρευµάτων στο κύκλωµα για κάποια περιοχή συχνοτήτων, που ορίζεται από το χρήστη. Γίνεται εποµένως κατανοητό ότι µε την εντολή.ac επιτελείται ανάλυση στο πεδίο των συχνοτήτων. Στο συγκεκριµένο παράδειγµα η εντολή ηµιτονικής ανάλυσης έχει δηλωθεί ως,.ac oct meg που σηµαίνει ηµιτονική ανάλυση µε σάρωση συχνοτήτων κατά οκτάβες και µε 11 σηµεία σε κάθε οκτάβα. Συχνότητα έναρξης είναι τα 100Hz και συχνότητα τερµατισµού τα 10MHz. Επίσης, είναι δυνατή στο SPICE σάρωση συχνότητας κατά δεκάδες (Dec) καθώς και γραµµική σάρωση (Lin). Η δήλωση της εντολής.ac γίνεται, υποχρεωτικά, στο αρχείο εισόδου. ε) Οι βασικές εντολές ελέγχου εξόδου στο PSPICE είναι η.print και η.plot. Οι δυο αυτές εντολές δηλώνονται ουσιαστικά µε την ίδια µορφή, έχουν όµως, διαφορετικό ρόλο. Η µορφή δήλωσης των δυο εντολών είναι η ακόλουθη..print (τύπος ανάλυσης) (µεταβλητή1) (µεταβλητή2)....plot (τύπος ανάλυσης) (µεταβλητή1) (µεταβλητή2)... Η εντολή.print καταχωρεί στο αρχείο εξόδου, σε µορφή στηλών, τις µεταβλητές, (variables), του κυκλώµατος, τάσεις και ρεύµατα, για τον επιλεγµένο αριθµό συχνοτήτων. Η εντολή.plot καταχωρεί στο αρχείο εξόδου, σε γραφική µορφή χρησιµοποιώντας χαρακτήρες ASCII, τις µεταβλητές του κυκλώµατος, τάσεις και ρεύµατα, για επιλεγµένο αριθµό συχνοτήτων. Στο συγκεκριµένο παράδειγµα ζητήθηκε να καταχωρηθεί στο αρχείο εξόδου η τάση του κόµβου 7, V(7), για τύπο ανάλυσης.ac..print ac V(7) Το πως καταχωρήθηκε η µεταβλητή αυτή θα το δούµε παρακάτω εξετάζοντας το αρχείο εξόδου. στ) Η εντολή τερµατισµού.end είναι πάντοτε η τελευταία εντολή του αρχείου εισόδου και είναι υποχρεωτική. 3. Απεικόνιση αποτελεσµάτων στην οθόνη Π5_6

7 Μετά την ολοκλήρωση εκτέλεσης του προγράµµατος οδηγούµαστε, είτε αυτόµατα, είτε µέσω της διαδικασίας PROBE σε ένα περιβάλλον γραφικών στην οθόνη του υπολογιστή. 30V 20V (47.34K,20.11) 10V 0V 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz V(7) Frequency Σχ. Π5.4 Στο πλαίσιο, που εµφανίζεται, ο οριζόντιος άξονας είναι αυτόµατα βαθµολογηµένος στις µονάδες της µεταβλητής, που σαρώνεται, σύµφωνα µε την εντολή ανάλυσης, που επιλέξαµε. Στο παράδειγµά µας επιλέξαµε,.ac oct meg. Ο οριζόντιος άξόνας είναι βαθµολογηµένος σε µονάδες συχνότητας, µε µικρότερη τιµή 100Hz και µεγαλύτερη τιµή 10MHz. Η µεταβλητή, που απεικονίζεται, είναι η τάση V(7) και δηλώνεται στο κάτω αριστερό µέρος του διαγράµµατος. Όταν επιλέγεται σάρωση κατά οκτάβες η βαθµολόγηση του οριζόντιου άξονα δεν είναι γραµµική. Στο παράθυρο Trace, µε τη διαδικασία Add Τrace, το πρόγραµµα ζητάει να του ορίσουµε ποιά ή ποιές µεταβλητές επιθυµούµε να απεικονίσουµε. ιαθέσιµες είναι όλες οι τάσεις και τα ρεύµατα στο κύκλωµα. Οι µεταβλητές µπορούν να εµφανιστούν όπως έχουν καταχωρηθεί ή αφού τροποποιηθούν κατάλληλα, µέσω µαθηµατικών πράξεων, (Analog Operators or Functions), π.χ. V(7), db[v(7)], 10*V(5), 20*log10[V(5)], V(7)/V(1), I(R1), I(RL)/I(Rs) κ.λ.π Είναι δυνατή, επίσης, η απεικόνιση του µέτρου ή της φάσης µιας µεταβλητής, αντίστοιχα ως, M[V(7)], P[V(7)]. Στο πρόγραµµα είναι διαθέσιµες, στο παράθυρο Trace, διάφορες συναρτήσεις για την άµεση απεικόνιση των µεταβλητών. Οι λοιπές δυνατότητες του γραφικού περιβάλλοντος είναι εύκολα κατανοητές, αφού, το περιβάλλον των γραφικών είναι αρκετά φιλικό στο χρήστη. 4, Το αρχείου εξόδου SPICE Π5_7

8 Το αρχείο εξόδου του PSPICE είναι άµεσα προσπελάσιµο από το χρήστη. Εκεί καταχωρούνται χρήσιµες πληροφορίες, που αφορούν τη λειτουργία του κυκλώµατος και είναι χρήσιµες κατά τη φάση της ανάλυσης ή του σχεδιασµού. Επίσης, περιγράφονται τα πιθανά λάθη, σε περίπτωση, που το αρχείο εισόδου δεν είναι σωστό. Ο χρήστης µπορεί να έχει στη διάθεσή του αργότερα το πλήρες αρχείο εξόδου του παραδείγµατος, που παραθέσαµε, µετά την εκτέλεση του προγράµµατος. 5. ιαθέσιµα ηλεκτρικά και ηλεκτρονικά στοιχεία Είδος στοιχείου Σύνταξη εντολής εισόδου Αντιστάτης: Rxxx N1 N2 τιµή Πυκνωτής : Cxxx N1 N2 τιµή Επαγωγός : Lxxx N1 N2 τιµή ίοδος : Dxxx N1(ανόδου) N2(καθόδου) όνοµα.model όνοµα D( παράµετροι µοντέλου ) BJT : Qxxx N1(συλλέκτη) N2(βάσης) N3(εκποµπού) όνοµα.model όνοµα NPN( παράµετροι µοντέλου ) JFET : Jxxx N1(δραίνου) N2(πύλης) N3(πηγής) όνοµα.model όνοµα NJF( παράµετροι µοντέλου ) MOSFET : Mxxx N1(δραίνου) N2(πύλης) N3(πηγής) N3(πηγής) όνοµα.model όνοµα NMOS( παράµετροι µοντέλου ) Π5_8

9 6. Ανεξάρτητες πηγές Πηγές τάσης α) Ανεξάρτητη πηγή τάσης συνεχούς Vxxx N N- (DC) τιµή Ο χαρακτηρισµός της πηγής ως DC είναι προαιρετικός π.χ. Vc γ) Ανεξάρτητη πηγή τάσης εναλλασσοµένου Vxxx N N- AC τιµή π.χ. Vs 0 1 ac 1 Πηγές ρεύµατος β) Ανεξάρτητη πηγή ρεύµατος συνεχούς Ixxx N- N (DC) τιµή π.χ. Ia 0 4 dc 2m δ) Ανεξάρτητη πηγή ρεύµατος εναλλασσοµένου Ιxxx N- N AC τιµή π.χ. Is 0 1 ac 1 Η τιµή των πηγών ή των στοιχείων δίνεται αριθµητικά κατά ποικίλους τρόπους. Το SPICE δέχεται αριθµούς ακέραιους, δεκαδικούς και αριθµούς µε επιστηµονική γραφή (scientific notation). Επίσης, αναγνωρίζει χαρακτήρες, που εκφράζουν δυνάµεις του 10, όπως π.χ. 2Κ =2000=2Ε3. Παρακάτω δίνονται οι χαρακτήρες, που χρησιµοποιούνται στο SPICE. (Femto) F= (Pico ) P= (Nano) N= 10-9 (Micro) U= 10-6 (Milli) M= 10-3 (Kilo) K= 10 3 (Mega) MEG=10 6 (Giga) G= 10 9 (Tera) T= Ανεξάρτητές πηγές σήµατος δεδοµένης κυµατοµορφής Πέντε είδη ανεξάρτητων πηγών σήµατος ενυπάρχουν στο PSPICE. Οι κυµατοµορφές των πηγών αυτών είναι συνεχείς ή κατά τµήµατα συνεχείς συναρτήσεις του χρόνου. Θα αναφερθούµε σε δύο µόνον από αυτές, που συναντάµε συχνότερα σε εφαρµογές. 1) Εκθετικά µειούµενη ηµιτονική κυµατοµορφή SIN Vxxx N N- SIN( V DC V o f T D θ ) όπου, V DC είναι η στάθµη συνεχούς του σήµατος V o είναι το πλάτος του σήµατος f είναι η συχνότητα (Hz) του σήµατος T D είναι η χρονική καθυστέρηση εκκίνησης του σήµατος 1 θ είναι ο συντελεστής εκθετικής µείωσης t Π5_9

10 π.χ. Vs 1 0 sin( m 100) Το σήµα αυτό απεικονίζεται στο σχ.π V 2.0V 1.0V 0s 2ms 4ms 6ms 8ms 10ms V(1) Time Σχ.Π5.5 Είναι ευνόητο πως αν θέλουµε ένα καθαρά ηµιτονικό σήµα πλάτους 5V, συχνότητας 1ΚHZ µε έναρξη τη χρονική στιγµή t=0, αυτό θα δηλωθεί ως, Vxx 3 0 sin(0 5 1k 0 0). 2) Επαναλαµβανόµενος παλµός PULSE Vxxx N N- PULSE( V L V H T D T F PW T ) όπου, V L V H T D T R T F PW Τ είναι η κατώτερη (Low) στάθµη του παλµού είναι η ανώτερη στάθµη (High) του παλµού είναι η χρονική καθυστέρηση εκκίνησης του παλµού είναι ο χρόνος ανόδου (Rise time) του παλµού είναι ο χρόνος πτώσης (Fall time) του παλµού είναι η διάρκεια του παλµού, (pulse width) είναι η περίοδος του παλµού π.χ. Vs 1 0 pulse(1 3 4m 1m 4m 3m 10m) Το σήµα αυτό απεικονίζεται στο σχ.π.5.6. Π5_10

11 3.0V 2.0V 1.0V T D T R PW T F T 0V 0s 5ms 10ms 15ms V(1) Time Σχ.Π5.6 Είναι ευνόητο πως αν θέλουµε έναν τετραγωνικό παλµό ±2V, περιόδου 10ms µε έναρξη τη χρονική στιγµή t=0, αυτός θα δηλωθεί ως, Vxx 1 0 pulse( m 10m). 3.0V 2.0V 0V -2.0V -3.0V 0s 4ms 8ms 12ms 16ms 20ms V(1) Time Σχ.Π5.7 Συµµετρικός τετραγωνικός παλµός 8. Ελεγχόµενες πηγές Π5_11

12 Οι τέσσερις ιδανικές ελεγχόµενες πηγές (controlled sources) συµβολίζονται στο SPICE µε ανεξάρτητους τους ακροδέκτες όλους, όπως δεικνύεται στο σχ.π5.7. Ωστόσο στην πράξη οι ακροδέκτες N1- και N2- είναι, συνήθως, κοινοί. Η κάθε πηγή ορίζεται µε µία µόνο εντολή εισόδου. N 1 N 1 i 1 v 1 v i α) F CCCS N 2 N 2 i 2 i 1 i 2 A i v 2 v 1 v 2 i 1 G v m 1 N 1 N 1 β) G VCCS N 2 N 2 N 1 v 1 N 1 i 1 γ) E VCVS N 2 N 2 i 2 i 1 i 2 v 2 v A v 1 v i r i v 1 m 1 N 1 N 1 H δ) CCVS N 2 N 2 v 2 Σχ.Π5.8 α) Πηγή ρεύµατος ελεγχόµενη από ρεύµα., (σχ.π5.8.a). (Ενισχυτής ρεύµατος) (Current Controlled Current Source) Fxxx N2- N2 Vi Ai Το ρεύµα ελέγχου εισόδου i i είναι το ρεύµα πηγής τάσης I(Vi). Όταν τέτοια πηγή δεν υπάρχει, που είναι το σύνηθες, τότε, στον κλάδο του ρεύµατος ελέγχου i x τίθεται σε σειρά µια ``νεκρή`` πηγή τάσης εναλλασσοµένου V x, µε µηδενική τιµή. Π5_12

13 Παράδειγµα 1 o : Χρήση ελεγχόµενων πηγών Ενισχυτής ρεύµατος 1 2 is i x v x F 100i x i L R L Current amplfier Is 0 1 ac 0.5 Vx F1 0 2 Vx 100 RL 2 0 1k.ac....Probe.End ; νεκρή πηγή ; cccs 0 Σχ.Π5.9 β) Πηγή ρεύµατος ελεγχόµενη από τάση, (σχ.π5.8.b). (Ενισχυτής διαγωγιµότητας). (Voltage Controlled Current Source) Gxxx N2 N2- N1 N1- g m γ) Πηγή τάσης ελεγχόµενη από τάση, (σχ.π5.8.c). (Ενισχυτής τάσης) (Voltage Controlled Voltage Source) Exxx N2 N2- N1 N1- A v δ) Πηγή τάσης ελεγχόµενη από ρεύµα, (σχ.π5.8.a). (Ενισχυτής διεµπέδησης) (Current Controlled Voltage Source) Hxxx N2- N2 Vi r m 9. Εντολές ανάλυσης κυκλωµάτων Στα προηγούµενα γνωρίσαµε πως χρησιµοποιούνται δυο εντολές ανάλυσης. Στο SPICE υπάρχουν πολλοί τύποι ανάλυσης, τις βασικότερες από τις οποίες θα παρουσιάσουµε Π5_13

14 παρακάτω. Οι διάφοροι τύποι ανάλυσης εισάγονται στο αρχείο εισόδου, είτε γράφοντάς τις στον editor, είτε επιλέγοντάς τις από το παράθυρο Analysis. Έτσι, δεν χρειάζεται να θυµάται κανείς τον τρόπο σύνταξής τους..op (Operating point analysis) Προσδιορίζονται όλες οι συνεχείς τιµές τάσεων και ρευµάτων στο κύκλωµα, τα σηµεία λειτουργίας των στοιχείων του κυκλώµατος και οι παράµετροι των µοντέλων τους. Πρόκειται για µη γραµµική ανάλυση, που εκτελείται ανεξάρτητα του αν έχει δηλωθεί στο αρχείο εισόδου. Τα αποτελέσµατα της ανάλυσης καταχωρούνται στο αρχείο εξόδου µόνον αν η εντολή έχει δηλωθεί στο αρχείο εισόδου..ac (Sinusoidal steady-state analysis) Πρόκειται για ηµιτονική γραµµική ανάλυση µικρών σηµάτων. Της ανάλυσης προηγείται η εκτέλεση της εντολής.op, µε την οποία προσδιορίζονται τα σηµεία λειτουργίας των στοιχείων στο κύκλωµα και βάσει αυτών οι παράµετροι των γραµµικών µοντέλων, που χρησιµοποιεί το SPICE. Με την.ac ανάλυση προσδιορίζονται οι φάσορες (µέτρο και φάση) όλων των τάσεων και των ρευµάτων στο κύκλωµα. Με τον τύπο αυτόν ανάλυσης επιδιώκεται ο προσδιορισµός της απόκρισης συχνότητας µέτρου και φάσης των κυκλωµάτων. Πρόκειται για ανάλυση στο πεδίο των συχνοτήτων. Οι µεταβλητές, που προσδιορίστηκαν, είναι διαθέσιµές στον χρήστη για απεικόνιση σε περιβάλλον γραφικών. Σε ορισµένες εκδόσεις του SPICE το περιβάλλον των γραφικών ανοίγει αυτόµατα, αµέσως µετά την εκτέλεση της εντολής.ac. Σε άλλες εκδόσεις χρειάζεται να δηλωθεί στο αρχείο εισόδου η εντολή.probe. Επιλεγµένες µεταβλητές µπορεί να καταχωρηθούν σε στήλες στο αρχείο εξόδου, εφόσον έχουν δηλωθεί µε την εντολή εξόδου.print ac.... Είναι δυνατή επίσης η γραφική απεικόνιση µε χαρακτήρες ASCII επιλεγµένων µεταβλητών, εφόσον έχουν δηλωθεί µε την εντολή εξόδου.plot ac.... Το PSPICE δεν έχει τη δυνατότητα προσδιορισµού της συνάρτησης µεταφοράς γραµµικών κυκλωµάτων µέσω της.ac ανάλυσης, κάτι που θα βοηθούσε πολύ στη σύνθεση κυκλωµάτων. Υπάρχουν όµως άλλα προγράµµατα [11], που µπορούν παράλληλα να χρησιµοποιηθούν προς την κατεύθυνση αυτή..ac τρόπος σάρωσης f αριθµός σηµείων ανάλυσης f έναρξης f τερµατισµού Π5_14

15 Παράδειγµα 2 ο : Σάρωση συχνότητας R s 1 2 v o v i C 1 L 1 Σχ.Π5.10 Κύκλωµα συντονισµού 0 Tuned Circuit Vi 1 0 ac 1 Rs k C n L m.ac lin k k.probe.End logf 0 1.0KHz 3.0KHz 10KHz 30KHz 100KHz V(2)/ V(1) Frequency Απόκριση συχνότητας µέτρου κυκλώµατος συντονισµού Π5_15

16 .DC (Large signal analysis) Πρόκειται για µη γραµµική ανάλυση µεγάλων σηµάτων. Επιδιώκεται ο προσδιορισµός των µέγιστων διαδροµών των τάσεων και των ρευµάτων στο κύκλωµα. Παρέχεται η δυνατότητα σάρωσης τιµών επιλεγµένων ανεξάρτητων πηγών τάσης ή ρεύµατος. Μέσω της ανάλυσης αυτής είναι εφικτός ο προσδιορισµός των I-V χαρακτηριστικών καµπυλών στοιχείων καθώς και των χαρακτηριστικών µεταφοράς κυκλωµάτων..dc τρόπος σάρωσης πηγή τιµή εκκίνησης τιµή τερµατισµού βήµα σάρωσης Παράδειγµα 3 ο : Σάρωση τάσης 1 R 1 = 10K 2 v i 3 V 2 = 2 V 0 Σχ.Π5.11 Κύκλωµα ψαλιδιστή Diode clipper R k D1 2 3 dt V model dt D(Vj=0.6).dc lin Vi Probe.End 5.0V Vi 1 0 0V -5.0V -6.0V -4.0V -2.0V 0V 2.0V 4.0V 6.0V V(2) Vi Χαρακτηριστική µεταφοράς ψαλιδιστή Π5_16

17 .TRAN (Transient analysis) Μέσω µη γραµµικής ανάλυσης προσδιορίζονται οι µεταβλητές τάσεων και ρευµάτων κυκλώµατος συναρτήσει του χρόνου. Για τον προσδιορισµό αυτόν, δηλώνονται οι αρχικές συνθήκες τιµών των τάσεων µεταξύ κόµβων, είτε µε την εντολή.ic (initial conditions), είτε µε τις εντολές εισόδου πυκνωτών και επαγωγών. Πρόκειται για ανάλυση στο πεδίο του χρόνου..tran Βήµα t Τελική τιµή t Καθυστέρηση καταγραφής Ανώτατο όριο βήµατος Παράδειγµα 4 ο : Σάρωση χρόνου 1 v i 3 V o 0 Σχ.Π5.12 Τροφοδοτική διάταξη Power Supply Vi 1 2 sin( ) D1 1 3 dt D2 2 3 dt D3 0 1 dt D4 0 2 dt R k C u.model dt d(vj=0.6).tran u 50m 4m u.Probe.End 20V 2 R L - 15V 10V 5V 0V 0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms V(3) Time Τάση εξόδου τροφοδοτικής διάταξης Π5_17

18 .FOUR (Fourier analysis) Ακολουθεί της εντολής.tran εκτελώντας ανάλυση Fourier σε επιλεγµένες µεταβλητές τάσεων και ρευµάτων κυκλώµατος, που ήδη έχουν προσδιοριστεί ως συναρτήσεις του χρόνου. Προσδιορίζονται το µέτρο και η φάση για τις εννέα πρώτες αρµονικές θεµελιώδους συχνότητας fo καθώς και η συνεχής συνιστώσα.four fo µεταβλητή1 µεταβλητή2... Παράδειγµα 5 ο : Προσδιορισµός φάσµατος και παραµόρφωσης σήµατος Το κύκλωµα είναι το ίδιο µε αυτό του σχ.π5.12, χωρίς τον πυκνωτή. Full wave rectifier Vi 1 2 sin( ) D1 1 3 dt D2 2 3 dt D3 0 1 dt D4 0 2 dt R k.model dt d(vj=0.6).tran u 50m u.four 100 v(3).probe.end Αρχείο εξόδου DC COMPONENT = E01 HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG) E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E E02 TOTAL HARMONIC DISTORTION = E01 PERCENT Π5_18

19 12V 20 8V V 5 0 0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms V(3) Time Έξοδος διπλού ανορθωτή 0V 0Hz 0.2KHz 0.4KHz 0.6KHz 0.8KHz 1.0KHz V(3) Frequency Φάσµα του σήµατος εξόδου Άλλες εντολές του SPICE Υπάρχουν και άλλες εντολές στο PSPICE για πιο ειδικούς τύπους ανάλυσης, πέραν των βασικών. Επίσης, σε ορισµένες πιο εξελιγµένες µορφές του SPICE, υπάρχει η δυνατότητα για ακόµα µεγαλύτερο αριθµό τύπων ανάλυσης. Ορισµένες χρήσιµες εντολές του PSPICE θα αναφερθούν εδώ για όσους ενδιαφέρονται να γνωρίζουν και άλλες δυνατότητες του προγράµµατος..temp (Temperature analysis) Χρηµοποιείται για την πραγµατοποίηση αναλύσεων σε διάφορες θερµοκρασίες. Η εξ ορισµού θερµοκρασία στο SPICE είναι 27 ο C..TEMP θ 1 θ 2 θ 3....NOISE Για ανάλυση θορύβου σε συνδυασµό µε την εντολή.ac..disto Για ανάλυση παραµόρφωσης σε συνδυασµό µε την εντολή.tran..sens Για ανάλυση ευαισθησίας κυκλωµάτων Π5_19

20 .MC Για στατιστική ανάλυση MONTE CARLO Π5_20

21 10. Βασικές παράµετροι ηλεκτρονικών στοιχείων Παράµετροι SPICE για δίοδο Name Parameter Unit Default Typical values 1 IS saturation current A 1.0E E-14 2 RS ohmic resistance Ohm Ν emmision coefficient CJO Zero-bias junction capacitance pf VJ junction potential V BV Breakdown voltage V - 6 EG activation energy ev Si 0.70 Ge Παράµετροι SPICE για BJT Name Parameter Unit Default Typical values 1 IS transport saturation current A 1.0E E-15 2 BF ideal maximum forward beta VAF forward Early voltage V infinite RB zero bias base resistance Ohms CJE B-E zero-bias depletion capacitance pf VJE B-E built-in potential V MJE B-E junction exponential factor TF ideal forward transit time nsec CJC B-C zero-bias depletion capacitance pf EG energy gap for temperature effect on IS ev Π5_21

22 Παράµετροι SPICE για το MOSFET Name Parameter Unit Default Typical values 2µm n-mos, p-mos 1 Level model index VTO zero-bias threshold voltage V KP transconductance parameter µa/v 2 2.0E-5 50E-6 20E-6 4 GAMMA bulk threshold parameter V PHI surface potential V LAMBDA Channel-legth modulation V IS bulk junction saturation current A 1.0E- 1.0E CGSO gate-source overlap capacitance F/m 0.0 per meter channel width 9 CGDO gate-drain overlap capacitance F/m 0.0 per meter channel width 10 TOX oxide thickness m 1.0E-7 0.4E-7 Παράµετροι SPICE για το JFET Name Parameter Unit Default Typical values 2µm n-mos, p-mos 2 VTO zero-bias threshold voltage V BETA transconductance parameter A/V 2 1.0E E-4 6 LAMBDA Channel-legth modulation V E-3 8 CGS zero bias G-S capacitance pf CGD zero bias G-D capacitance F IS gate junction saturation current A 1.0E E-15 Π5_22

23 Παράδειγµα 5 o : Σάρωση τάσης και ρεύµατος IB VCE Σχ.Π5.13 BJT I-V output characteristics IB 0 1 VCE 2 0 Q exam.model exam npn(bf=150 VJE=0.6 VJC=0.6 VAF=100).DC lin VCE lin IB u u 5.000u.Probe.End 5.0mA 30uA 25uA 20uA 2.5mA 15uA 10uA 0A 0V 1.0V 2.0V 3.0V 4.0V IC(Q1) VCE I-V Χαρακτηριστικές καµπύλες εξόδου BJT Π5_23

24 Παράδειγµα 6 o : Παραµετρική ανάλυση Μεταβλητή ή στοιχείο Ν1 Ν2 {y}.param y=αρχική τιµή.step param y= αρχική τιµή τελική τιµή βήµα V CC =10V R 1 R C I s R s C 1 =10µF C 2 =10µF I L υ s υ i R L υ L R 2 R E C E Σχ.Π5.14 Αντικείµενο του παραδείγµατος είναι να µελετήσουµε το πως µεταβάλλεται η ενίσχυση τάσης του ενισχυτή, όταν µεταβάλλεται η τιµή του αντιστάτη R 2. Common emitter amplifier *Circuit Topology vs 1 0 ac 1 Rs 1 2 3k C u VCC 4 0 DC 10 R K R2 3 0 {y}.param y=12k.step param y=-12k 18K 2K RC k RE K CE u Q QBC547B.MODEL QBC547B NPN( IS=2.39E-14 NF=1.008 ISE=3.545E-15 NE=1.541 BF=294.3 IKF= VAF=63.2 NR=1.004 ISC=6.272E-14 NC=1.243 BR=7.946 IKR= VAR=25.9 RB=1 IRB=1E-06 RBM=1 RE= Π5_24

25 RC=0.85 XTB=0 EG=1.11 XTI=3 CJE=1.358E-11 VJE=0.65 MJE= TF=4.391E-10 XTF=120 VTF=2.643 ITF= PTF=0 CJC=3.728E-12 VJC= MJC= XCJC= TR=1E-32 CJS=0 VJS=0.75 MJS=0.333 FC= ) C2 6 out 10u RL out 0 1k ** Analysis setup **.ac oct meg.OP.probe.END 30 18K 16K 14K 20 12K Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz V(out)/ V(1) Frequency Π5_25

26 Π5_26

27 Βιβλιογραφία 1. Nagel L. W.: ``SPICE``, Univ. of California, Berkeley, ERL Memo No. M382, Herniter E. M.: ``Schematic Capture with MicroSim PSPICE``, Prentice Hall, Director W. S.: `` Circuiy Theory- A Computational approach``, J.Wiley, Antognetti P., Massobrio G.: ``Semiconductor Device modeling with SPICE``, McGraw-Hill, Tsividis Y.: ``Operation and modeling of the MOS transistor``, McGraw-Hill, Π5_27

28 6. W. H. Hayt, JR. and Kemmerly E. J.: ``Engineering Circuit Analysis``, McGraw-Hill, Price E.T.:`` Analog Electronics-an Integrated PSpice approach``, Prentice Hall, Banzhaf W. : ``Computer-Aided Circuit Analysis using SPICE``, Prentice Hall, Vladimirescu A.: ``The SPICE Book``, J. Wiley, ELCA (ELectronc Circuit Analysis), Univ. Patras, Electronics Lab., Π5_28

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ανάλυση κυκλωμάτων με το πρόγραμμα ORCAD PSPICE- LITE EDITION

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ανάλυση κυκλωμάτων με το πρόγραμμα ORCAD PSPICE- LITE EDITION Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής Ανάλυση κυκλωμάτων με το πρόγραμμα ORCAD PSPICE- LITE EDITION Αικατερίνη Ραμμογιαννοπούλου, M.Sc. Πάτρα 2005 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 ΜΕΛΕΤΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΜΕ ΤΟ

Διαβάστε περισσότερα

SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR FEATURES PART NUMBER NE6858 NE6859 NE6850 NE685 NE6859/9R EIAJ REGISTERED NUMBER SC505 SC500 SC959 SC955 SC957 PACKAGE OUTLINE 8 9 0 9 SYMBOLS PARAMETERS AND CONDITIONS UNITS MIN TYP MAX MIN TYP MAX MIN

Διαβάστε περισσότερα

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 00 (CHIP) 35 (MICRO-X)

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 00 (CHIP) 35 (MICRO-X) FEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: ft = 8 GHz LOW NOISE FIGURE:. db at GHz.6 db at GHz HIGH ASSOCIATED GAIN: 5 db at GHz db at GHz LOW COST DESCRIPTION The NE68 series of NPN epitaxial silicon transistors

Διαβάστε περισσότερα

DISCONTINUED NE680 SERIES NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR SILICON TRANSISTOR FEATURES DESCRIPTION

DISCONTINUED NE680 SERIES NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR SILICON TRANSISTOR FEATURES DESCRIPTION FEATURES DESCRIPTION NF (db) Noise Figure,..0..0. NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: ft = 0 GHz LOW NOISE FIGURE:.7 db at GHz.6 db at GHz HIGH ASSOCIATED GAIN:. db at GHz

Διαβάστε περισσότερα

NE680 SERIES. from this datasheet are not NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR SILICON TRANSISTOR FEATURES DESCRIPTION

NE680 SERIES. from this datasheet are not NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR SILICON TRANSISTOR FEATURES DESCRIPTION SILICON TRANSISTOR NE680 SERIES NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR FEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: ft = 0 GHz LOW NOISE FIGURE:.7 db at GHz.6 db at GHz HIGH ASSOCIATED GAIN:. db at GHz 8.0 db

Διαβάστε περισσότερα

The following part numbers from this datasheet are not recommended for new design. Please call sales office for PLEASE NOTE: details: NE68135

The following part numbers from this datasheet are not recommended for new design. Please call sales office for PLEASE NOTE: details: NE68135 NEC's NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR NE68 SERIES FEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: ft = 8 GHz LOW NOISE FIGURE:. db at GHz.6 db at GHz HIGH ASSOCIATED GAIN: 5 db at GHz db at GHz LOW COST DESCRIPTION

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων ΗΜΥ203

Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων ΗΜΥ203 Περίληψη Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων ΗΜΥ203 Παρατηρήσεις / Απορίες στα Εργ. 0 και 1 Εισαγωγή στο Εργαστήριο 2 Εισαγωγή στο PSpice ιάλεξη και Φροντιστήριο 2 11/09/13 1 2 Εργαστήριο 0 Βρείτε τις

Διαβάστε περισσότερα

ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis).

ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis). ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis). ΕΙΣΑΓΩΓΗ Προγράµµατα προσοµοίωσης κυκλωµάτων είναι τα λεγόµενα «Προγράµµατα τύπου SPICE», από το όνοµα του πρωτοποριακού λογισµικού

Διαβάστε περισσότερα

ΗΜΥ Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων. Πανεπιστήμιο Κύπρου. Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών

ΗΜΥ Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων. Πανεπιστήμιο Κύπρου. Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων ΗΜΥ203 ιάλεξη και Φροντιστήριο 2 12/09/12 1 Περίληψη Παρατηρήσεις / Απορίες στα Εργ. 0 και 1 Εισαγωγή στο Εργαστήριο 2 Εισαγωγή στο PSpice 2 Εργαστήριο 0 Βρείτε τις

Διαβάστε περισσότερα

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR NE86 SERIES FEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: ft = 7 GHz LOW NOISE FIGURE:. db at GHz HIGH COLLECTOR CURRENT: 00 ma HIGH RELIABILITY METALLIZATION LOW COST B E

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ 1.1 Τελεστικοί ενισχυτές 1.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

ΕΓΚΑΤΑΣΤΑΣΗ ΤΟΥ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑΤΟΣ ΔΗΜΙΟΥΡΓΙΑ ΑΡΧΕΙΟΥ ΠΡΟΣΘΗΚΗ ΒΙΒΛΙΟΘΗΚΩΝ

ΕΓΚΑΤΑΣΤΑΣΗ ΤΟΥ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑΤΟΣ ΔΗΜΙΟΥΡΓΙΑ ΑΡΧΕΙΟΥ ΠΡΟΣΘΗΚΗ ΒΙΒΛΙΟΘΗΚΩΝ ΕΓΚΑΤΑΣΤΑΣΗ ΤΟΥ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑΤΟΣ ΜΑΖΙ ΜΕ ΤΟ ΒΙΒΛΙΟ ΤΟΥ SEDRA-SMITH ΔΙΝΕΤΑΙ ΕΝΑ CD ΠΟΥ ΠΕΡΙΕΧΕΙ ΤΟ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ PSPICE, ΑΝΟΙΓΟΥΜΕ ΤΟ CD (ΑΝΟΙΓΜΑ, ΟΧΙ ΑΥΤΟΜΑΤΗ ΕΚΤΕΛΕΣΗ) ΠΗΓΑΙΝΟΥΜΕ ΣΤΟ ΦΑΚΕΛΟ ORCAD ΚΑΙ ΕΚΤΕΛΟΥΜΕ

Διαβάστε περισσότερα

«Ενισχυτές με διπολικό transistor»

«Ενισχυτές με διπολικό transistor» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Ενισχυτές με διπολικό transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή Πόλωση Αρχές ενίσχυσης Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για BJT ΤΗΜΜΥ 2 Σκοπός αυτής

Διαβάστε περισσότερα

SPICE Directive:.model NBJT npn(is = 2f Bf = 100)

SPICE Directive:.model NBJT npn(is = 2f Bf = 100) ΙΠΟΛΙΚΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Χαρακτηριστικές εισόδου και εξόδου Κέρδος ρεύµατος Το διπολικό τρανζίστορ χαρακτηρίζεται από το κέρδος ρεύµατος που ορίζεται ως ο λόγος του ρεύµατος στο συλλέκτη προς το ρεύµα στη βάση

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης. Επανάληψη μέρος 1 ο. Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών

Ηλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης. Επανάληψη μέρος 1 ο. Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών AO Ηλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης Επανάληψη μέρος 1 ο Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών Άδεια Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε

Διαβάστε περισσότερα

Lecture 210 1 Stage Frequency Response (1/10/02) Page 210-1

Lecture 210 1 Stage Frequency Response (1/10/02) Page 210-1 Lecture 210 1 Stage Frequency Response (1/10/02) Page 2101 LECTURE 210 DC ANALYSIS OF THE 741 OP AMP (READING: GHLM 454462) Objective The objective of this presentation is to: 1.) Identify the devices,

Διαβάστε περισσότερα

4.8 V NPN Common Emitter Medium Power Output Transistor. Technical Data AT-31625

4.8 V NPN Common Emitter Medium Power Output Transistor. Technical Data AT-31625 4.8 V NPN Common Emitter Medium Power Output Transistor Technical Data AT-31625 Features 4.8 Volt Operation +28. dbm P out @ 9 MHz, Typ. 7% Collector Efficiency @ 9 MHz, Typ. 9 db Power Gain @ 9 MHz, Typ.

Διαβάστε περισσότερα

1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed.

1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed. Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας ΗΥ430: Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων Άνοιξη 2005 Εργαστηριακές Ασκήσεις Περιεχόμενα 1 Διπολικό και MOS τρανσίστορ................................... 2 2 Ενισχυτές με διπολικά

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης. Επανάληψη μέρος 2 ο. Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών

Ηλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης. Επανάληψη μέρος 2 ο. Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών AO Ηλεκτρονική ΙΙΙ Παύλος - Πέτρος Σωτηριάδης Επανάληψη μέρος 2 ο Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών - Μηχανικών Υπολογιστών Άδεια Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Τάξη Α. Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I. οπου. όταν

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Τάξη Α. Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I. οπου. όταν Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Τάξη Α Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I οπου όταν Ενισχυτικές Διατάξεις 2 Ακόλουθος εκποµπού (CC) πολωµένος µε σταθερό ρεύµα Λόγω της χαµηλής αντίστασης εξόδου, ο ακόλουθος

Διαβάστε περισσότερα

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα. Τεχνική Σχεδίαση

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα. Τεχνική Σχεδίαση ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Τεχνική Σχεδίαση Ενότητα: ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 5 ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΣΗ ΒΑΣΙΚΟΥ ΚΥΚΛΩΜΑΤΟΣ ΜΕ ΧΡΗΣΗ ΤΟΥ ORCAD PSPICE ΘΕΟΔΩΡΟΣ ΓΚΑΝΕΤΣΟΣ Τμήμα Μηχ.

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ 4.1 MOS Τρανζίστορ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙV ΤΟ MOS ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 4.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΠΕΛΟΠΟΝΝΗΣΟΥ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Τ.Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ (μέσω προσομοίωσης) Γιάννης

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Βαθµίδες εξόδου. Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade.

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Βαθµίδες εξόδου. Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade. Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Βαθµίδες εξόδου Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade. Η τελική βαθµίδα εξόδου είναι αυτή που αποδίδει την ισχύ στο φορτίο

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙΙ Η ΙΟ ΟΣ 2.1 ίοδοι 2.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής άσκησης είναι η επαφή

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 1. Όργανα εργαστηρίου, πηγές συνεχούς τάσης και μετρήσεις

Άσκηση 1. Όργανα εργαστηρίου, πηγές συνεχούς τάσης και μετρήσεις ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 1 Όργανα εργαστηρίου, πηγές συνεχούς τάσης και μετρήσεις Στόχος Η άσκηση είναι εισαγωγική και προσφέρει γνωριμία και εξοικείωση

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ Άσκηση 1 To κύκλωµα του Fig.1 χρησιµοποιεί τρανζίστορ Ge (αγνοείστε τη Vbe) και οι χαρακτηριστικές του δίδονται στο Fig.2. Να υπολογίσετε τις αντιστάσεις εκποµπού και συλλέκτη, έτσι ώστε

Διαβάστε περισσότερα

IXBH42N170 IXBT42N170

IXBH42N170 IXBT42N170 High Voltage, High Gain BIMOSFET TM Monolithic Bipolar MOS Transistor IXBH42N17 IXBT42N17 S 9 = 1 = 42A (sat) 2.8V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXBH) S = 25 C to 15 C 17 V V CGR = 25

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής Ο διαφορικός ενισχυτής (differential amplifier) είναι από τα πλέον διαδεδομένα και χρήσιμα κυκλώματα στις ενισχυτικές διατάξεις. Είναι βασικό δομικό στοιχείο του τελεστικού

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. 12. ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)-Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ ιαφάνεια 1 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. Αρχή

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙΙI ΤΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 3.1 ιπολικό Τρανζίστορ 3.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

ΗΜΥ203 Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων

ΗΜΥ203 Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων ΗΜΥ203 Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Εισαγωγή στις Μετρήσεις Σημάτων και Επίδραση Οργάνου στις Μετρήσεις ιδάσκων: ρ. Γιώργος Ζάγγουλος Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών

Διαβάστε περισσότερα

Tools, Help.

Tools, Help. Εισαγωγή Το LTspice είναι ένα πρόγραµµα εξοµοίωσης της συµπεριφοράς των ηλεκτρονικών εξαρτηµάτων και κυκλωµάτων. Το πρόγραµµα διατίθεται δωρεάν και µπορείτε να το κατεβάσετε από την παρακάτω ηλεκτρονική

Διαβάστε περισσότερα

1η Εργαστηριακή Άσκηση: Απόκριση κυκλώµατος RC σε βηµατική και αρµονική διέγερση

1η Εργαστηριακή Άσκηση: Απόκριση κυκλώµατος RC σε βηµατική και αρµονική διέγερση Ονοµατεπώνυµο: Αριθµός Μητρώου: Εξάµηνο: Υπογραφή Εργαστήριο Ηλεκτρικών Κυκλωµάτων και Συστηµάτων 1η Εργαστηριακή Άσκηση: Απόκριση κυκλώµατος σε βηµατική και αρµονική διέγερση Μέρος Α : Απόκριση στο πεδίο

Διαβάστε περισσότερα

PWL REPEAT FOREVER ( m m m 0) ENDREPEAT

PWL REPEAT FOREVER ( m m m 0) ENDREPEAT ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ Μοντέλο ενός τελεστικού ενισχυτή Ο τελεστικός ενισχυτής είναι ένα κύκλωµα µε δύο εισόδους και µία έξοδο Στην έξοδο εµφανίζεται η διαφορά των εξόδων πολλαπλασιασµένη επί το κέρδος ανοιχτού

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής 1. Ένα τρανζίστορ διπλής επαφής είναι πολωµένο σωστά όταν: α. Η βάση είναι σε υψηλότερο δυναµικό από τον εκποµπό και σε χαµηλότερο από το συλλέκτη β. Η βάση είναι σε χαµηλότερο

Διαβάστε περισσότερα

ΠΙΝΑΚΑΣ ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΩΝ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ

ΠΙΝΑΚΑΣ ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΩΝ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ ΠΙΝΑΚΑΣ ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΩΝ ΠΡΟΛΟΓΟΣ...17 ΕΙΣΑΓΩΓΗ...19 ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΠΡΩΤΟ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΜΕΘΟ ΟΛΟΓΙΑ ΣΧΕ ΙΑΣΗΣ 1.1 Μεθοδολογία σχεδίασης...25 1.2 Η διαδικασία της σχεδίασης...26 1.3 ηµιουργικότητα στη

Διαβάστε περισσότερα

1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ 1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ Ο τελεστικός ενισχυτής αποτελεί την βασική δομική μονάδα των περισσοτέρων αναλογικών κυκλωμάτων. Στην ενότητα αυτή θα μελετήσουμε τις ιδιότητες του τελεστικού ενισχυτή, μερικά βασικά

Διαβάστε περισσότερα

4. ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ

4. ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ 4. ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Κατόπιν της δηµιουργίας του σχηµατικού διαγράµµατος του προς εξέταση ηλεκτρικού - ηλεκτρονικού κυκλώµατος, είναι δυνατό να προχωρήσουµε στην προσοµοίωση της ηλεκτρικής συµπεριφοράς

Διαβάστε περισσότερα

ΗΜΥ203 Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων

ΗΜΥ203 Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων ΗΜΥ203 Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Σφάλμα, Ορθότητα, Ακρίβεια και Αβεβαιότητα στις Μετρήσεις. Υπολογισμός Δεκαδικών Ψηφίωνκαι μετρήσεις SNR ιδάσκων: ρ. Γιώργος Ζάγγουλος Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα

Διαβάστε περισσότερα

5.10 Εναλλακτικοί τρόποι σύζευξης ενισχυτών συντονισμού

5.10 Εναλλακτικοί τρόποι σύζευξης ενισχυτών συντονισμού 5. Εναλλακτικοί τρόποι σύζευξης ενισχυτών συντονισμού Αναφέρθηκε σε προηγούμενη παράγραφο ότι, για τη σύζευξη συγκεκριμένου φορτίου σε ενισχυτή συντονισμού μπορεί να χρησιμοποιηθεί μετασχηματιστής, μέσω

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 2 η N-MOS ΚΑΙ P-MOS TRANSISTOR ΩΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ

ΑΣΚΗΣΗ 2 η N-MOS ΚΑΙ P-MOS TRANSISTOR ΩΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ ΑΣΚΗΣΗ 2 η N-MOS ΚΑΙ P-MOS TRANSISTOR ΩΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ ΘΕΩΡΙΑ 1. Εργαλεία εξομοίωσης, SPICE, αρχεία περιγραφής κυκλωμάτων (netlist) (Παρ. 3.4, σελ 152-155) 2. To transistor ως διακόπτης, πύλη διέλευσης. (Παρ

Διαβάστε περισσότερα

MOSFET. Shockley W L W L

MOSFET. Shockley W L W L MOSFET Χαρακτηριστικές εισόδου, εξόδου ιαγωγιµότητα Η λειτουργία του MOSFET στην ενεργό περιοχή περιγράφεται από την εξίσωση του Shockley I D = K V ( V ) 2 GS T όπου V Τ η τάση κατωφλίου και Κ σταθερά.

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων

Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων ΗΜΥ203 Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Εισαγωγή στις Μετρήσεις Σημάτων και Επίδραση Οργάνου στις Μετρήσεις ιδάσκων: ρ. Γιώργος Ζάγγουλος Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών

Διαβάστε περισσότερα

High Performance Voltage Controlled Amplifiers Typical and Guaranteed Specifications 50 Ω System

High Performance Voltage Controlled Amplifiers Typical and Guaranteed Specifications 50 Ω System High Performance Voltage Controlled Amplifiers Typical and Guaranteed Specifications 50 Ω System Typical and guaranteed specifications vary versus frequency; see detailed data sheets for specification

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ 11 Μαρτίου 2004

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ 11 Μαρτίου 2004 Επώνυµο Όνοµα Α.Μ Α ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Μαρτίου 004 Θέµατα βαθµολογικά ισοδύναµα ιάρκεια εξέτασης 0 Θέµα ο Α) Κρύσταλλος S περιέχει προσµίξεις δότη µε συγκέντρωση Ν D 0 5 cm - ενώ, στη θερµοκρασία δωµατίου

Διαβάστε περισσότερα

4.8 V NPN Silicon Bipolar Common Emitter Transistor. Technical Data AT-38086

4.8 V NPN Silicon Bipolar Common Emitter Transistor. Technical Data AT-38086 4.8 V NPN Silicon ipolar Common Emitter Transistor Technical Data AT-3886 Features 4.8 Volt Pulsed (pulse width = 577 µsec, duty cycle = 12.5%)/CW Operation +28 dm Pulsed P out @ 9 MHz, Typ. +23.5 dm CW

Διαβάστε περισσότερα

Βασικά Στοιχεία Αναλογικών Ηλεκτρονικών

Βασικά Στοιχεία Αναλογικών Ηλεκτρονικών Βασικά Στοιχεία Αναλογικών Ηλεκτρονικών Ηλεκτρονική ΗΥ231 Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Σήµατα Ένα αυθαίρετο σήµα τάσης v s (t) 2 Φάσµα συχνοτήτων των σηµάτων

Διαβάστε περισσότερα

.step D Diode(Is) 1n 5n 1n.step D Diode(Rs)

.step D Diode(Is) 1n 5n 1n.step D Diode(Rs) ΙΟ ΟΙ Χαρακτηριστική Η χαρακτηριστική της διόδου υπακούει στην παρακάτω εκθετική σχέση I D VD nvt = I 1 S e όπου I s το ρεύµα κόρου, n ο συντελεστής ιδανικότητας και V T = 26 mv (στους 25 o C). Για να

Διαβάστε περισσότερα

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Ηµιαγώγιµα υλικά και πυρίτιο Η κατασκευή ενός ολοκληρωµένου κυκλώµατος γίνεται µε βάση ένα υλικό ηµιαγωγού (semiconductor), το οποίο

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Βασική Φυσική Στοιχείων MOS

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Βασική Φυσική Στοιχείων MOS Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός

Διαβάστε περισσότερα

Ιατρικά Ηλεκτρονικά. Χρήσιμοι Σύνδεσμοι. ΙΑΤΡΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΔΙΑΛΕΞΗ 1η. Σημειώσεις μαθήματος: E mail:

Ιατρικά Ηλεκτρονικά. Χρήσιμοι Σύνδεσμοι. ΙΑΤΡΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΔΙΑΛΕΞΗ 1η. Σημειώσεις μαθήματος: E mail: Ιατρικά Ηλεκτρονικά Δρ. Π. Ασβεστάς Τμήμα Μηχανικών Βιοϊατρικής Τεχνολογίας Τ.Ε Χρήσιμοι Σύνδεσμοι Σημειώσεις μαθήματος: http://medisp.bme.teiath.gr/eclass/courses/tio127/ E mail: pasv@teiath.gr 2 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΗΜΟΚΡΙΤΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΡΑΚΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΞΑΝΘΗΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΥΣΗΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΙΙΙ

Διαβάστε περισσότερα

Εξομοίωση κυκλωμάτων Ηλεκτροτεχνίας με LTspice. Σημειώσεις Χρήσης. Α. Δροσόπουλος

Εξομοίωση κυκλωμάτων Ηλεκτροτεχνίας με LTspice. Σημειώσεις Χρήσης. Α. Δροσόπουλος Εξομοίωση κυκλωμάτων Ηλεκτροτεχνίας με LTspice Σημειώσεις Χρήσης Α. Δροσόπουλος 18 Μαρτίου 2012 ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ ΧΡΗΣΗΣ ii Περιεχόμενα 1 Ανάλυση κυκλωμάτων συνεχούς ρεύματος με το LTspice 1 1.1 Εισαγωγή.....................................................

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου

ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου Απαραίτητα όργανα και υλικά ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου 7. Απαραίτητα όργανα και υλικά. Τροφοδοτικό DC.. Πολύμετρα (αμπερόμετρο, βολτόμετρο).. Πλακέτα για την

Διαβάστε περισσότερα

MAX4147ESD PART 14 SO TOP VIEW. Maxim Integrated Products 1 MAX4147 EVALUATION KIT AVAILABLE ; Rev 1; 11/96 V CC V EE OUT+ IN+ R t SENSE IN-

MAX4147ESD PART 14 SO TOP VIEW. Maxim Integrated Products 1 MAX4147 EVALUATION KIT AVAILABLE ; Rev 1; 11/96 V CC V EE OUT+ IN+ R t SENSE IN- -; Rev ; / EVALUATION KIT AVAILABLE µ µ PART ESD TEMP. RANGE - C to +5 C PPACKAGE SO TOP VIEW V EE V CC SENSE+ SENSE- R t R t R t R t MAX SENSE OUT SENSE+ SENSE- N.C. SHDN N.C. 3 5 R f R G R f 3 VDSL TRANSFORMER

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στους Ταλαντωτές Οι ταλαντωτές είναι από τα βασικότερα κυκλώματα στα ηλεκτρονικά. Χρησιμοποιούνται κατά κόρον στα τηλεπικοινωνιακά συστήματα

Εισαγωγή στους Ταλαντωτές Οι ταλαντωτές είναι από τα βασικότερα κυκλώματα στα ηλεκτρονικά. Χρησιμοποιούνται κατά κόρον στα τηλεπικοινωνιακά συστήματα Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Υλοποίηση και Εργαστηριακή Αναφορά Ring και Hartley Ταλαντωτών Φοιτητής: Ζωγραφόπουλος Γιάννης Επιβλέπων Καθηγητής: Πλέσσας Φώτιος

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ

ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΤΕΙ ΚΑΛΑΜΑΤΑΣ - ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ ΣΠΑΡΤΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ: ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΗΤΡΩΟΥ:.. ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ: ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΗΤΡΩΟΥ:.. Α. ΜΕΤΡΗΣΗ ΣΥΝΕΧΟΥΣ

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο Τρία: Ψηφιακά Ηλεκτρονικά

Κεφάλαιο Τρία: Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Κεφάλαιο Τρία: 3.1 Τι είναι αναλογικό και τι ψηφιακό µέγεθος Αναλογικό ονοµάζεται το µέγεθος που µπορεί να πάρει οποιαδήποτε τιµή σε µια συγκεκριµένη περιοχή τιµών π.χ. η ταχύτητα ενός αυτοκινήτου. Ψηφιακό

Διαβάστε περισσότερα

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT)

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT) Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών & Πληροφορικής Μάθημα: Βασικά Ηλεκτρονικά Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT) Εργασία του Βασίλη Σ. Βασιλόπουλου Χειμερινό Εξάμηνο 2017-18 Πηγή:

Διαβάστε περισσότερα

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 3. ΙΟ ΟΣ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΙΟ ΩΝ Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια

Διαβάστε περισσότερα

Κυκλώµατα εναλλασσόµενης τάσης

Κυκλώµατα εναλλασσόµενης τάσης Κυκλώµατα εναλλασσόµενης τάσης Στόχος αυτής της ενότητας του µαθήµατος είναι η µελέτη των ηλεκτρικών κυκλωµάτων στα οποία η ηλεκτροκινητήρια δύναµη παρέχεται από πηγή εναλλασσόµενης τάσης Σε αυτή την ενότητα

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν 1. Εισαγωγικά στοιχεία ηλεκτρονικών - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 1. ΘΕΜΕΛΙΩ ΕΙΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΑΙ ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Ηλεκτρικό στοιχείο: Κάθε στοιχείο που προσφέρει, αποθηκεύει και καταναλώνει

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής Ηλεκτρονική Ι Εαρινό εξάµηνο 2005 Πρακτική ανάλυση ενισχυτή κοινού εκποµπού Τransstors βασικές αρχές Τι κάνουν τα transstors Πώς αναλύoνται τα κυκλώµατα των transstors Μικρά

Διαβάστε περισσότερα

Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT)

Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT) Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT) Θέματα που θα καλυφθούν Δομή και συμβολισμός των διπολικών τρανζίστορ Φυσική λειτουργία διπολικού τρανζίστορ Τα ρεύματα στο τρανζίστορ Μοντέλο μεγάλο

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας ΔΙΟΔΟΣ Οι περισσότερες ηλεκτρονικές συσκευές όπως οι τηλεοράσεις, τα στερεοφωνικά συγκροτήματα και οι υπολογιστές χρειάζονται τάση dc για να λειτουργήσουν σωστά.

Διαβάστε περισσότερα

NPN Silicon Bipolar Common Emitter Transistor. Technical Data AT-38043

NPN Silicon Bipolar Common Emitter Transistor. Technical Data AT-38043 NPN Silicon Bipolar Common Emitter Transistor Technical Data AT-3843 Features Operates Over a Wide Range of Voltages and Frequencies +25. dbm P 1dB and 6% Collector Efficiency @ 9 MHz, 4.8 Volts, Typ.

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά -1- Η τιμή της dc παραμέτρου β ενός npn transistor έχει τιμή ίση με 100. Το transistor λειτουργεί στην ενεργή περιοχή με ρεύμα συλλέκτη 1mA. Το ρεύμα βάσης έχει

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ). 7. Εισαγωγή στο διπολικό τρανζίστορ-ι.σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 7. TΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Ανάλογα µε το υλικό διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και 2. τρανζίστορ πυριτίου

Διαβάστε περισσότερα

Διαφορικοί Ενισχυτές

Διαφορικοί Ενισχυτές Διαφορικοί Ενισχυτές Γενικά: Ο Διαφορικός ενισχυτής (ΔΕ) είναι το βασικό δομικό στοιχείο ενός τελεστικού ενισχυτή. Η λειτουργία ενός ΔΕ είναι η ενίσχυση της διαφοράς μεταξύ δύο σημάτων εισόδου. Τα αρχικά

Διαβάστε περισσότερα

IXBK64N250 IXBX64N250

IXBK64N250 IXBX64N250 High Voltage, High Gain BiMOSFET TM Monolithic Bipolar MOS Transistor IXBK64N25 IXBX64N25 V CES = 25V 11 = 64A V CE(sat) 3.V TO-264 (IXBK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings V CES = 25 C to 15 C 25

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση των Τρανζίστορ

Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση λέμε την κατάλληλη συνεχή τάση που πρέπει να εφαρμόσουμε στο κύκλωμα που περιλαμβάνει κάποιο ηλεκτρονικό στοιχείο (π.χ τρανζίστορ), έτσι ώστε να εξασφαλίσουμε την ομαλή λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ. Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να

9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ. Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να 9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να ενισχύσει ένα σήµα (δηλ. να αυξήσει ονοµαστικά το µέγεθος της τάσης ή του ρεύµατος).

Διαβάστε περισσότερα

Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1

Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3...2 ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ...2 3.1 Απόκριση συχνότητας ενισχυτών...2 3.1.1 Παραμόρφωση στους ενισχυτές...5 3.1.2 Πιστότητα των ενισχυτών...6 3.1.3

Διαβάστε περισσότερα

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k, Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ) με τα εξής χαρακτηριστικά: 3 k, 50, k, S k και V 5 α) Nα υπολογιστούν οι τιμές των αντιστάσεων β) Να επιλεγούν οι χωρητικότητες C, CC έτσι ώστε ο ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ 45 ίοδοι - Επαφή p-n Τα ηλεκτρονικά εξαρτήµατα κατασκευάζονται µε βάση έναν κρύσταλλο πυριτίου. Το πυρίτιο σε πολύ χαµηλή θερµοκρασία έχει τα τέσσερα ηλεκτρόνια σθένους

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1

ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1 ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1 Ενισχυτές ενός τρανζίστορ Ο στόχος αυτής της παρουσίασης είναι 1. Μελέτη των χαρακτηριστικών ενός ενισχυτή 2. Ανάλυση του ενισχυτή χρησιμοποιώντας ωμικά φορτία 2 Χαρακτηριστικά

Διαβάστε περισσότερα

ΕΥΕΛΙΚΤΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΗΜΥ 499

ΕΥΕΛΙΚΤΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΗΜΥ 499 ΕΥΕΛΙΚΤΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΗΜΥ 499 ΟΜΗ ΙΑΚΟΠΤΙΚΩΝ ΜΕΤΑΤΡΟΠΕΩΝ ρ Ανδρέας Σταύρου ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ Τα Θέµατα Επιλογή διακοπτών

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G). ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

ΜΕΛΕΤΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΜΕ ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟ

ΜΕΛΕΤΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΜΕ ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟ 4.1 ΑΣΚΗΣΗ 4 ΜΕΛΕΤΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΜΕ ΠΑΛΜΟΓΡΑΦΟ A. ΣΥΝΘΕΣΗ ΚΑΘΕΤΩΝ ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΩΝ ΚΑΙ ΕΥΡΕΣΗ ΤΗΣ ΔΙΑΦΟΡΑΣ ΦΑΣΕΩΣ ΤΟΥΣ Η σύνθεση δύο καθέτων ταλαντώσεων, x x0 t, y y0 ( t ) του ίδιου πλάτους της ίδιας συχνότητας

Διαβάστε περισσότερα

Το διπολικό τρανζίστορ

Το διπολικό τρανζίστορ 2 4 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το διπολικό τρανζίστορ 11 ο 12 ο 13 ο 14 ο Εργαστήριο ΦΥΛΛΑ ΕΡΓΑΣΙΑΣ 3 Άσκηση 11 η. 11.1 Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ. Στόχος: Μελέτη και χάραξη των χαρακτηριστικών

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τελεστικοί Ενισχυτές Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ο ιδανικός τελεστικός ενισχυτής Είσοδος αντιστροφής Ισοδύναμα Είσοδος μη αντιστροφής A( ) A d 2 1 2 1

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής Ο τελεστικός ενισχυτής, TE (operational ampliier, op-amp) είναι ένα από τα πιο χρήσιμα αναλογικά κυκλώματα. Κατασκευάζεται ως ολοκληρωμένο κύκλωμα (integrated circuit) και

Διαβάστε περισσότερα

Τµήµα Βιοµηχανικής Πληροφορικής Σηµειώσεις Ηλεκτρονικών Ισχύος Παράρτηµα

Τµήµα Βιοµηχανικής Πληροφορικής Σηµειώσεις Ηλεκτρονικών Ισχύος Παράρτηµα ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ Ηµιτονοειδές Ρεύµα και Τάση Τριφασικά Εναλλασσόµενα ρεύµατα Ισχύς και Ενέργεια Ενεργός τιµή περιοδικών µη ηµιτονικών κυµατοµορφών 1. Ηµιτονοειδές Ρεύµα και Τάση Οταν οι νόµοι του Kirchoff εφαρµόζονται

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 3ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 3ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 3ο. Λιούπης Χαρακτηριστική καµπύλη µεταφοράς τάσης TTL V out (volts) εγγυηµένη περιοχή V OH V OH(min) V OL(max) 2.4 Ηκαµπύλη µεταφοράς εξαρτάται από τη θερµοκρασία περιβάλλοντος

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 6.1 ΚΑΘΡΕΠΤΕΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Σε ένα καθρέπτη ρεύµατος, το ρεύµα του κλάδου της εξόδου είναι πάντα ίσο µε το ρεύµα του κλάδου της εισόδου, αποτελεί δηλαδή το είδωλο του. Μία τέτοια διάταξη δείχνει

Διαβάστε περισσότερα

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟ PSPICE ΣΕ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝ DOS

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟ PSPICE ΣΕ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝ DOS ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟ PSPICE ΣΕ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝ DOS ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΕΙΣΑΓΩΓΗ Η ΙΣΤΟΡΙΑ ΤΟΥ SPICE Η ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΤΟΥ SPICE ΜΟΡΦΕΣ ΑΝΑΛΥΣΗΣ ΟΝΟΜΑΤΟΛΟΓΙΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΩΝ ΑΝΟΙΓΟΝΤΑΣ ΤΟ SPICE ΒΙΒΛΙΟΓΡΑΦΙΑ Εισαγωγή Τα τελευταία χρόνια

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής 3 Ενισχυτές Μετρήσεων 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής Πολλές φορές ένας ενισχυτής σχεδιάζεται ώστε να αποκρίνεται στη διαφορά µεταξύ δύο σηµάτων εισόδου. Ένας τέτοιος ενισχυτής ονοµάζεται ενισχυτής διαφοράς

Διαβάστε περισσότερα

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤHMMY Σκοπός διάλεξης Γιατί χρησιμοποιούμε στάδια εξόδου Ακόλουθος εκπομπού Παρουσίαση των βασικών προδιαγραφών του Ψαλιδισμός

Διαβάστε περισσότερα

2. ΞΕΚΙΝΩΝΤΑΣ ΤΟ PSPICE

2. ΞΕΚΙΝΩΝΤΑΣ ΤΟ PSPICE 2. ΞΕΚΙΝΩΝΤΑΣ ΤΟ PSPICE Για την εκκίνηση του πακέτου εξοµοίωσης PSpice 9.1. (Student Version) είναι απαραίτητη η εκτέλεση του αρχείου Capture.exe. Αυτό κατά κανόνα βρίσκεται στο φάκελο όπου είναι εγκατεστηµένο

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονικά Ισχύος. ίοδος

Ηλεκτρονικά Ισχύος. ίοδος Ηλεκτρονικά Ισχύος Πρόκειται για στοιχεία κατασκευασμένα από υλικά με συγκεκριμένες μη γραμμικές ηλεκτρικές ιδιότητες (ημιαγωγά στοιχεία) Τα κυριότερα από τα στοιχεία αυτά είναι: Η δίοδος Το thyristor

Διαβάστε περισσότερα

και συνδέει τον αριθμό των σπειρών του πρωτεύοντος και του

και συνδέει τον αριθμό των σπειρών του πρωτεύοντος και του Μετασχηματιστής με μεσαία λήψη Ένας μετασχηματιστής αποτελείται από δύο πηνία που έχουν τυλιχτεί επάνω στον ίδιο πυρήνα. Στο ένα πηνίο εφαρμόζεται μία εναλλασσόμενη τάση. Η τάση αυτή, δημιουργεί ένα μεταβαλλόμενο

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΟΤΗΤΑ 10: ΟΔΗΓΗΣΗ ΚΙΝΗΤΗΡΩΝ

ΕΝΟΤΗΤΑ 10: ΟΔΗΓΗΣΗ ΚΙΝΗΤΗΡΩΝ ΕΝΟΤΗΤΑ 10: ΟΔΗΓΗΣΗ ΚΙΝΗΤΗΡΩΝ Στόχος και Περίγραμμα της Ενότητας 10 Στόχος της παρουσίασης Παρουσίαση της βασικής ιδέα και απλών παραδειγμάτων για την οδήγηση DC και βηματικών κινητήρων με το Arduino.

Διαβάστε περισσότερα

2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος Thevenin

2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος Thevenin Ονοµατεπώνυµο: Αριθµός Μητρώου: Εξάµηνο: Υπογραφή Εργαστήριο Ηλεκτρικών Κυκλωµάτων και Συστηµάτων 2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος hevenin Απόκριση στο πεδίο της συχνότητας

Διαβάστε περισσότερα

ΜΟΝΤΕΛΑ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ ΚΑΙ ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 4

ΜΟΝΤΕΛΑ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ ΚΑΙ ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 4 ΜΟΝΤΕΛΑ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ ΚΑΙ ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 4 Το βασικό μοντέλο ενισχυτή Χαρακτηριστικά Ενίσχυση σημάτων μηδενικής (σχεδόν) τάσης Τροφοδοσία από μια ή περισσότερες DC πηγές Απαιτεί κατάλληλο DC biasing

Διαβάστε περισσότερα

ΗΜΜΥ 203 Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων. Τελική Εξέταση Παρασκευή 8/12/2006, Α και

ΗΜΜΥ 203 Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων. Τελική Εξέταση Παρασκευή 8/12/2006, Α και ΗΜΜΥ 203 Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων Τελική Εξέταση Παρασκευή 8/12/2006, Α020 08.30-11.30 και 11.30-14.30 Παρατηρήσεις 1. Η εξέταση θα είναι πρακτική. Θα σας δοθούν άγνωστα προβλήματα τα οποία

Διαβάστε περισσότερα

2. ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ. Γενικά τι είναι σύστηµα - Ορισµός. Τρόποι σύνδεσης συστηµάτων.

2. ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ. Γενικά τι είναι σύστηµα - Ορισµός. Τρόποι σύνδεσης συστηµάτων. 2. ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Γενικά τι είναι - Ορισµός. Τρόποι σύνδεσης συστηµάτων. Κατηγορίες των συστηµάτων ανάλογα µε τον αριθµό και το είδος των επιτρεποµένων εισόδων και εξόδων. Ιδιότητες των

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ & ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ

ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ & ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ & ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Α. Α. Χατζόπουλος ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ R 1 1

Διαβάστε περισσότερα

5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση. Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού

5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση. Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού 5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 5. ΤΡΟΦΟ ΟΤΙΚΑ 220 V, 50 Hz. 0 V Μετασχηµατιστής Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση 0 V 0 V Ανορθωτής Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού Φίλτρο

Διαβάστε περισσότερα

ÏÅÖÅ. Α. 3. Στις οπτικοηλεκτρονικές διατάξεις δεν ανήκει: α. η δίοδος laser β. το τρανζίστορ γ. η φωτοδίοδος δ. η δίοδος φωτοεκποµπής LED Μονάδες 5

ÏÅÖÅ. Α. 3. Στις οπτικοηλεκτρονικές διατάξεις δεν ανήκει: α. η δίοδος laser β. το τρανζίστορ γ. η φωτοδίοδος δ. η δίοδος φωτοεκποµπής LED Μονάδες 5 Επαναληπτικά Θέµατα ΟΕΦΕ 007 Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΟΜΑ Α Α Για τις παρακάτω προτάσεις Α. έως και Α.4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της πρότασης και δίπλα σε κάθε αριθµό

Διαβάστε περισσότερα