ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ. Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΤΟΥ ΑΖΩΤΟΥ

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ. Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΤΟΥ ΑΖΩΤΟΥ"

Transcript

1 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΤΟΥ ΑΖΩΤΟΥ ΣΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΤΩΝ ΔΙΑΤΑΞΕΩΝ MOS ΣΕ ΠΥΡΙΤΙΟ ΥΠΟ ΜΗΧΑΝΙΚΗ ΤΑΣΗ ΝΙΚΟΛΑΟΣ Π. ΚΕΛΑΪΔΗΣ ΦΥΣΙΚΟΣ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗ ΙΟΥΝΙΟΣ 2009

2

3 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΤΟΥ ΑΖΩΤΟΥ ΣΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΤΩΝ ΔΙΑΤΑΞΕΩΝ MOS ΣΕ ΠΥΡΙΤΙΟ ΥΠΟ ΜΗΧΑΝΙΚΗ ΤΑΣΗ Διδακτορική Διατριβή του Νικόλαου Π. Κελαϊδή Συμβουλευτική Επιτροπή: Καθ. Δημητριάδης Χαράλαμπος Αν. Καθ. Παπαδημητρίου Λεωνίδας Τσάμης Χρήστος, Κύριος Ερευνητής ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗ ΙΟΥΝΙΟΣ 2009

4 Ευχαριστίες Στα πλαίσια της διδακτορικής διατριβής θα ήθελα να ευχαριστήσω θερμά τα μέλη της τριμελούς μου επιτροπής για το χρόνο που αφιέρωσαν προκειμένου να έλθει εις πέρας η παρούσα διατριβή. Ειδικότερα θα ήθελα να ευχαριστήσω τον Δρ. Χρ. Τσάμη για την καθοδήγηση και τη συνεργασία καθ όλη τη διάρκεια της διατριβής και τον Καθ. Δημητριάδη Χαράλαμπο για την υποστήριξη και υπομονή του. Επίσης θα ήθελα να ευχαριστήσω τους Δρ. Β. Ιωάννου Σουγλερίδη και Δρ. Π. Δημητράκη για τη βοήθεια και συνεργασία σε ότι έχει σχέση κυρίως με θέματα ηλεκτρικού χαρακτηρισμού, τoυς Καθ. Δ. Σκαρλάτο και Χρ. Κροντηρά για τη γενικότερη συνεργασία και υποστήριξη, την Καθ. Φ. Κομνηνού για την μικρογραφία ΤΕΜ, τους Δρ. Κ. Παπαγγελή και Ι. Παρθένιο για τη φασματοσκοπία RAMAN καθώς και τους B. Kellerman και M. Seacrist για τη κατασκευή των υποστρωμάτων strained-si. Επιπλέον, ευχαριστώ θερμά τα τωρινά και παλαιότερα μέλη του Ινστιτούτου Μικροηλεκτρονικής του Ε.ΚΕ.Φ.Ε. «Δημόκριτος» για τη πολυετή συνεργασία. Ειδικότερα αναφέρω τους Δρ. P. Normand, Δρ. Σταυρούλα Κολλιοπούλου, Δρ. Δ. Βελλεσιώτη, Στ. Πολυμενάκο, Ι. Ράμφο, Δρ. Νικόλαο Ιωάννου, τους τεχνικούς καθαρού χώρου Χ. Γεωργίου, Μ. Λαγκουβάρδου, Μ. Σέργη, Ε. Μπολομύτη, Δ. Τσορομώκο, Λ.Λιναράκη, την υπεύθυνο καθαρού χώρου Δρ. Ε. Τσώη καθώς και τη κα. Ζαχαρούλα Μακρίδη. Τέλος, θα ήθελα να ευχαριστήσω τους γονείς μου και την Έλενα για την αμέριστη υποστήριξη τους. Στην οικογένεια μου και εις μνήμην Νικόλαου και Ναταλίας Αποστολάκη.

5 Περιεχόμενα Κεφάλαιο 1. Πυρίτιο υπό μηχανική τάση 1.1. Εισαγωγή στην Τεχνολογία Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων ημιαγωγικών διατάξεων Ιστορική Αναδρομή Προβλήματα στην σμίκρυνση υπό κλίμακα ανάγκη για νέες δομές και υλικά Πυρίτιο υπό μηχανική τάση Μηχανική τάση και κρίσιμο πάχος επιταξιακού στρώματος Μέθοδοι ανάπτυξης υποστρωμάτων πυριτίου υπό μηχανική τάση Επιταξία μοριακής δέσμης (Molecular Beam Epitaxy, MBE) Χημική Εναπόθεση Ατμών (Chemical Vapour Deposition, CVD) Υποστρώματα μεταβλητής περιεκτικότητας Γερμανίου (εικονικά υποστρώματα) Επίδραση της μηχανικής τάσης στις ηλεκτρονικές ιδιότητες του υλικού Κεφάλαιο 2. Ανάπτυξη διηλεκτρικού πύλης με θερμική οξείδωση και οξυνιτριδίωση του πυριτίου 2.1 Εισαγωγή Η Θερμική Οξείδωση του Πυριτίου Κινητική της οξείδωσης : Το μοντέλο ανάπτυξης οξειδίου Deal Grove Αποκλίσεις από το Μοντέλο Deal - Grove: Η Περίπτωση των Λεπτών Οξειδίων Εμπλουτισμός του οξειδίου με άζωτο νιτριδιωμένα οξείδια Θερμική οξυνιτριδίωση σε περιβάλλον Ν 2 Ο Οξείδωση πυριτίου εμφυτευμένου με άζωτο (Ν + 2 ) Τεχνικές Ηλεκτρικού χαρακτηρισμού διατάξεων πυκνωτή MOS Κεφάλαιο 3. Ανάπτυξη τεχνολογίας κατασκευής υπέρλεπτων θερμικών οξειδίων σε κοινό Πυρίτιο και προσομοίωσης των ηλεκτρικών χαρακτηριστικών τους 3.1 Εισαγωγή Διεργασία κατασκευής διατάξεων MOS Καθαρισμός του φούρνου οξείδωσης Χημικός καθαρισμός των δειγμάτων πριν την οξείδωση Διεργασία Οξείδωσης Διαδικασία κατασκευή πυκνωτών MOS σε υποστρώματα Silicon ii

6 3.3 Ανάπτυξη και μελέτη υπέρλεπτων (<4 nm) θερμικών οξειδίων σε κοινό Si Επίδραση χημικού καθαρισμού και ανόπτησης στα ηλεκτρικά χαρακτηριστικά των οξειδίων Επίδραση χημικού καθαρισμού και ανόπτησης στην πυκνότητα διεπιφανειακών καταστάσεων Dit Μελέτη των ηλεκτρικών ιδιοτήτων με εξομοίωση σε υπολογιστή Εισαγωγή Φυσικά μοντέλα ηλεκτρικής συμπεριφοράς των δομών Εξομοίωση ηλεκτρικής συμπεριφοράς πυκνωτή MOS : Ορισμός της δομής Μελέτη της επίδρασης του πλέγματος στην αριθμητική λύση Μελέτη της χαρακτηριστικής χωρητικότητας τάσης C-V Σύγκριση χαρακτηριστικών χωρητικότητας - τάσης με πειραματικά αποτελέσματα Διέλευση φορτίου από το οξείδιο - Σύγκριση χαρακτηριστικών ρεύματος τάσης με πειραματικά αποτελέσματα Κεφάλαιο 4. Ανάπτυξη θερμικών οξειδίων σε υποστρώματα πυριτίου υπό μηχανική τάση με ξηρή θερμική οξείδωση 4.1 Εισαγωγή Υποστρώματα πυριτίου υπό μηχανική τάση Δομικός χαρακτηρισμός των υποστρωμάτων s-si Ηλεκτρονική μικροσκοπία διέλευσης (ΤΕΜ) Χαρτογράφηση μηχανικής τάσης με φασματοσκοπία Raman Ανάπτυξη οξειδίων: μελέτη ρυθμού οξείδωσης ως συνάρτηση της μηχανικής τάσης Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός οξειδίων πυριτίου υπό μηχανική τάση Μεθοδολογία Μελέτη χαρακτηριστικών χωρητικότητας τάσης Μελέτη της επίδρασης της θερμικής ανόπτησης Μελέτη εξάρτησης της μηχανικής τάσης από τις θερμικές διεργασίες με μετρήσεις φασματοσκοπίας RAMAN Διερεύνηση της επίδρασης των δομικών χαρακτηριστικών των πυκνωτών s-si MOS στην ηλεκτρική τους συμπεριφορά Επίδραση της περιεκτικότητας σε Γερμάνιο Επίδραση πάχους στρώματος s - Si Επίδραση προφίλ ετεροεπαφής s-si / SiGe iii

7 Επίδραση θέσης των διεπιφανειακών σταθμών παγίδευσης Κεφάλαιο 5. Ανάπτυξη νιτριδιωμένων θερμικών οξειδίων σε υποστρώματα πυριτίου υπό μηχανική τάση 5.1 Εισαγωγή Μεθοδολογία Ανάπτυξη οξειδίων σε περιβάλλον Ν 2 Ο: μελέτη ρυθμού οξείδωσης ως προς την μηχανική τάση Μελέτη της μηχανικής τάσης του υποστρώματος με φασματοσκοπική ανάλυση RAMAN Ηλεκτρικές Ιδιότητες των οξυνιτριδίων ανεπτυγμένο σε περιβάλλον Ν 2 Ο Μετρήσεις χωρητικότητας τάσης Υπολογισμός τάσης επιπέδων ζωνών και σταθερού φορτίου οξειδίου Μετρήσεις παράλληλης αγωγιμότητας ως προς συχνότητα Μετρήσεις ρεύματος τάσης Σύγκριση μεθόδων καθαρισμού RCA και Piranha για την ανάπτυξη οξυνιτριδίων σε περιβάλλον Ν 2 Ο Νιτριδίωση με εμφύτευση αζώτου χαμηλής ενέργειας εμφύτευσης Μελέτη του ρυθμού ανάπτυξης του οξειδίου Χαρακτηρισμός υποστρώματος Μελέτη της μηχανικής τάσης του υποστρώματος με φασματοσκοπική ανάλυση RAMAN Ηλεκτρικές Ιδιότητες των οξειδίων Συμπεράσματα Κεφάλαιο 6. Μελέτη της επίδρασης του πάχους του στρώματος s-si στις ηλεκτρικές ιδιότητες των δομών s-si 6.1. Εισαγωγή Μελέτη λέπτυνσης υποστρώματος S Δομικός χαρακτηρισμός (a) Υπόστρωμα S1-A οξειδωμένο στους 800 o C 60min N 2 O (β) Υπόστρωμα S1-Β οξειδωμένο στους 800 o C 120min N 2 O Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός (α) Μετρήσεις χωρητικότητας τάσης C-V και διαγωγιμότητας G p (ω) ως προς τη συχνότητα σε θερμοκρασία δωματίου iv

8 (β) Μετρήσεις χωρητικότητας τάσης C-V και διαγωγιμότητας G p (ω) ως προς τη συχνότητα σε υψηλότερες θερμοκρασίες ( 295Κ 355Κ ) Μελέτη λέπτυνσης υποστρώματος S (α) Οξυνιτριδίωση στους 800 ο C και 850 o C (β) Οξυνιτριδίωση στους 900 ο C Κεφάλαιο 7. Συμπεράσματα και Προοπτικές 7.1. Συμπεράσματα Προοπτικές v

9 Κεφάλαιο 1 Κεφάλαιο 1 Πυρίτιο υπό μηχανική τάση Περιεχόμενα 1.1. Εισαγωγή στην Τεχνολογία Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων ημιαγωγικών διατάξεων Ιστορική Αναδρομή Προβλήματα στην σμίκρυνση υπό κλίμακα ανάγκη για νέες δομές και υλικά Πυρίτιο υπό μηχανική τάση Μηχανική τάση και κρίσιμο πάχος επιταξιακού στρώματος Μέθοδοι ανάπτυξης υποστρωμάτων πυριτίου υπό μηχανική τάση Επιταξία μοριακής δέσμης (Molecular Beam Epitaxy, MBE) Χημική Εναπόθεση Ατμών (Chemical Vapour Deposition, CVD) Υποστρώματα μεταβλητής περιεκτικότητας Γερμανίου (εικονικά υποστρώματα) Επίδραση της μηχανικής τάσης στις ηλεκτρονικές ιδιότητες του υλικού

10 Κεφάλαιο Εισαγωγή στην Τεχνολογία Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων ημιαγωγικών διατάξεων Ιστορική Αναδρομή Η τεχνολογία ολοκληρωμένων κυκλωμάτων (Ο.Κ.) εξελίσσεται διαρκώς για τουλάχιστον 40 έτη, διαμορφώνοντας τον κόσμο γύρω μας. Είναι εντυπωσιακό να αναλογιστεί κανείς το μέγεθος και τις επιπτώσεις της εξέλιξης αυτής, η οποία καθοδηγείται από την βιομηχανία ημιαγωγών και ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Επιχειρώντας μια σύντομη ιστορική αναδρομή 1,2, θα ξεκινούσε κανείς από τα τέλη του 2 ου παγκοσμίου πολέμου όταν με την ραγδαία εξέλιξη των οπλικών συστημάτων προέκυψε η ανάγκη δημιουργίας φορητών ηλεκτρονικών συστημάτων, όπως ραντάρ και συστημάτων καθοδήγησης πυραύλων. Για την πραγματοποίηση αυτού του στόχου, οι μελέτες κατευθύνθηκαν αρχικά στην ελάττωση των διαστάσεων των λυχνιών, του συστατικού στοιχείου των ηλεκτρονικών διατάξεων της εποχής. Την ίδια χρονική περίοδο, ερευνητές είχαν επικεντρωθεί στην μελέτη και κατανόηση των ιδιοτήτων των ημιαγωγών (αρχικά του Γερμανίου), παράλληλα με την παραγωγή καθαρότερων κρυστάλλων. Η έρευνα που πραγματοποιήθηκε κυρίως στα εργαστήρια Bell Labs, οδήγησε στην ανακάλυψη της διόδου Γερμανίου και λίγο αργότερα, το 1947, στην ανακάλυψη του τρανζίστορ σημειακής επαφής, από τους Bardeen και Brattain. Το 1951, ο William Shockley μετέτρεψε το τρανζίστορ σε μια χρηστική δομή, δημιουργώντας το τρανζίστορ επαφής από Γερμάνιο. Το γεγονός αυτό αποτέλεσε την αρχή μιας αλματώδους εξέλιξης. Η έρευνα σύντομα στράφηκε στο πυρίτιο (Si), καθώς το τρανζίστορ Γερμανίου απεδείχθη αναξιόπιστο. Ήταν το τρανζίστορ πυριτίου που κατασκευάστηκε από την Texas Instruments, το 1954, που έφερε επανάσταση στην τεχνολογία. Μέχρι το τέλος της δεκαετίας του 1950, το τρανζίστορ όντας μικρότερο και πιο αξιόπιστο, είχε αντικαταστήσει τις λυχνίες κενού στα περισσότερα ηλεκτρονικά συστήματα. Φορητά πλέον συστήματα ήταν δυνατά, με το ραδιόφωνο τσέπης («τρανζίστορ») να είναι η πιο διαδεδομένη εφαρμογή της περιόδου αυτής. Σημαντικές ανακαλύψεις που ακολούθησαν ήταν η εφεύρεση του τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET) από τους Kahng και Atalla 3,4 το 1960 και η κατασκευή του πρώτου MOSFET συμπληρωματικής συμμετρίας (Complementary MOSFET, CMOS) το 1967, το οποίο είχε προταθεί το 1963 από τους Wanlass και Sah 5. Στη δεκαετία του 1970 η τεχνολογία MOSFET αντικαθιστά σε μεγάλο βαθμό την τεχνολογία του διπολικού τρανζίστορ στη βιομηχανία, οδηγώντας έτσι στην 2

11 Κεφάλαιο 1 τεράστια ανάπτυξη των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ή «τσιπς». Βασικός πυρήνας της εξέλιξης αυτής ήταν η σμίκρυνση υπό κλίμακα 6 (scaling), η συνεχής δηλαδή προσπάθεια ελάττωσης των διαστάσεων της δομικής μονάδας και η ολοκλήρωση ολοένα και μεγαλύτερου αριθμού MOSFET στο ίδιο κύκλωμα, το οποίο και παρέμενε βασικό δομικό στοιχείο λογικού κυκλώματος ή διάταξης μνήμης. Η εξέλιξη αυτή ακολούθησε έναν ρυθμό που περιγράφεται πλέον ως νόμος του Moore. Ο Gordon Moore παρατήρησε το 1965, σε άρθρο του στο εορταστικό τεύχος του περιοδικού Electronics 7, ότι ο αριθμός των τρανζίστορ σε ένα ολοκληρωμένο κύκλωμα διπλασιαζόταν κάθε 12 μήνες. Αυτή η δημοσίευση είχε μεταξύ άλλων, και ως σκοπό να ηρεμήσει τους ανήσυχους επενδυτές της τότε εταιρείας του που είχε χάσει μερικούς ικανούς μηχανικούς. Αργότερα, ο Moore διόρθωσε το χρονικό διάστημα αυτό σε 24 μήνες. Σήμερα, το αντίστοιχο χρονικό διάστημα ανέρχεται σε 18 μήνες περίπου. Μέσα σε αυτό διπλασιάζεται ο αριθμός των τρανζίστορ που περιλαμβάνονται σε μια ψηφίδα (chip) ελαττώνοντας τις διαστάσεις των δομών, αυξάνοντας το μέγεθος των ψηφίδων και των δισκίων και βελτιώνοντας τη σχεδίαση των δομών και των κυκλωμάτων. Ξεκινώντας από την ολοκλήρωση μικρής κλίμακας SSI (Small Scale Integration) λίγων τρανζίστορ φτάσαμε στην εξαιρετικά ευρείας κλίμακας ολοκλήρωση (Ultra LSI, ULSI). Από τις αρχές του 1990 η βιομηχανία ημιαγωγών πέρασε στη ULSI εποχή με περισσότερες από 107 ξεχωριστές διατάξεις, κατασκευασμένες στο ίδιο τσιπ. Το βασικό δομικό στοιχείο των ULSI ολοκληρωμένων κυκλωμάτων (π. χ. των μικροεπεξεργαστών και των διατάξεων μνήμης MOS) παραμένει το MOSFET, εξαιτίας των πλεονεκτημάτων που παρουσιάζει όσον αφορά τη δυνατότητα σμίκρυνσης των φυσικών διαστάσεών του και της χαμηλής κατανάλωσης ισχύος. Το μήκος καναλιού, από μερικά μm στις αρχές της δεκαετίας του 1970 έχει ελαττωθεί σήμερα στα 45 nm, με την τεχνολογία των 32 nm να αναμένεται στην παραγωγή από την INTEL το Η αλματώδης αυτή εξέλιξη καθοδηγείται πλέον από τη Διεθνή Επιτροπή Εξέλιξης της Τεχνολογίας Ημιαγωγών 8 στην οποία συμμετέχουν οι σημαντικότερες βιομηχανίες των Η.Π.Α., της Ιαπωνίας, της Ευρώπης, της Ταϊβάν και της Κορέας. Η επιτροπή αυτή καθοδηγεί και διασφαλίζει την εξέλιξη της τεχνολογίας ολοκληρωμένων κυκλωμάτων με τη συνεργασία βιομηχανιών, ερευνητικών κοινοτήτων και συνεταιρισμών (consortia). Οι τεχνικές αναφορές τις επιτροπής αυτής ορίζουν τις νέες τεχνολογικές προκλήσεις και στόχους και αποτελούν χάρτη τεχνολογικής εξέλιξης (International Technology Roadmap for Semiconductors). 3

12 Κεφάλαιο Προβλήματα στην σμίκρυνση υπό κλίμακα ανάγκη για νέες δομές και υλικά. Το πυρίτιο κυριαρχεί ως υλικό στην βιομηχανία των ημιαγωγών τα τελευταία 30 χρόνια λόγω των ικανοποιητικών του ιδιοτήτων όπως της υψηλής ποιότητας του θερμικού οξειδίου SiO 2 που σχηματίζει, του σχετικά μεγάλου συντελεστή θερμικής διάχυσης και βέβαια του χαμηλότερου κόστους σε σύγκριση με άλλα υλικά. Παρόλο που υποστρώματα άλλων ημιαγωγών παρουσιάζουν υψηλότερη ευκινησία φορέων, μεγαλύτερο ενεργειακό χάσμα ή μεγαλύτερες ταχύτητες κορεσμού, οι δομές πυριτίου εξακολουθούν να αποτελούν σήμερα το μεγαλύτερο μέρος των εφαρμογών μικροηλεκτρονικής. Η διαρκής σμίκρυνση όμως των διατάξεων ωθεί την υπάρχουσα τεχνολογία πυριτίου στα φυσικά όρια των δομικών διαστάσεων, δημιουργώντας παράλληλα πληθώρα θεμάτων που χρήζουν αντιμετώπισης. Tα σημαντικότερα εμπόδια στην περαιτέρω σμίκρυνση του Si - MOSFET είναι: - το πάχος του οξειδίου πύλης, το οποίο κάτω των 2nm περίπου εμφανίζει έντονο κβαντομηχανικό φαινόμενο σήραγγας - η απογύμνωση των φορέων πολυκρυσταλλικού πυριτίου πύλης - φαινόμενο σήραγγας των φορέων μεταξύ πηγής απαγωγού (και απαγωγού σώματος) του MOSFET και υψηλό ρεύμα διαρροής - ο ακριβής έλεγχος της πυκνότητας και της θέσης των προσμίξεων είναι δυσκολότερος σε τόσο μικρές διαστάσεις - άλλα φαινόμενα (finite subthreshold slope, short channel effects) Γι αυτό, η τεχνολογία επιζητά λύσεις σε νέα υλικά και δομές με σκοπό την κατασκευή ταχύτερων διατάξεων χωρίς απαραίτητα περαιτέρω σμίκρυνση τους. Διερευνώνται έτσι υποστρώματα υψηλής ευκινησίας όπως το Πυρίτιο υπό μηχανική τάση και το Γερμάνιο, ενώ συγχρόνως αναζητούνται μακροπρόθεσμες λύσεις με σκοπό την αντικατάσταση στο απώτερο μέλλον του τρανζίστορ πυριτίου από άλλου είδους διατάξεις ή υλικά (π.χ. μοριακά ηλεκτρονικά, νανοτεχνολογία). Η έρευνα όμως σε αυτή την κατεύθυνση βρίσκεται ακόμη σε πρώιμο στάδιο. Προς το παρόν, η τεχνολογία αναζητά και εφαρμόζει λύσεις σε κατευθύνσεις όπως: - Ανάπτυξη υπέρλεπτων οξειδίων με εισαγωγή αζώτου στη διεπιφάνεια - Υλικά υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς k - Δομές SOI - Μεταλλικές Πύλες - Υποστρώματα υψηλότερης ευκινησίας φορέων όπως Γερμανίου ή Πυριτίου υπό μηχανική τάση. Σε κάποιες από αυτές τις τεχνολογίες θα αναφερθούμε επιγραμματικά στη συνέχεια. 4

13 Κεφάλαιο 1 (α) Νιτριδιωμένα οξείδια Ένα από τα κυριότερα προβλήματα σμίκρυνσης είναι αυτό της αξιοπιστίας του οξειδίου πύλης των διατάξεων μετάλλου οξειδίου ημιαγωγού (MOS), το πάχος του οποίου αναμένεται να φθάσει το 1 nm, με αμφίβολη συμπεριφορά ως προς τις μονωτικές του ιδιότητες. Η συνεχιζόμενη σμίκρυνση απαιτεί την ελάττωση του οξειδίου πύλης ώστε να δύναται να ελέγχονται φαινόμενα μικρού καναλιού (short channel effects) και να επιτυγχάνεται υψηλό ρεύμα οδήγησης (high current drive) κρατώντας το φορτίο υψηλό στο κανάλι. Και στις δύο περιπτώσεις, αυτό που είναι σημαντικό σε πρώτη προσέγγιση είναι το ηλεκτρικό πάχος. Στην περιοχή αναστροφής, το ηλεκτρικό πάχος είναι ο συνδυασμός τριών χωρητικοτήτων σε σειρά: της χωρητικότητας απογύμνωσης του ηλεκτροδίου πύλης, της χωρητικότητας του διηλεκτρικού και της χωρητικότητας του στρώματος αναστροφής του πυριτίου. Όσο όμως μειώνεται το πάχος του οξειδίου, το ρεύμα σήραγγος που διαπερνά το διηλεκτρικό μεγαλώνει και μάλιστα εκθετικά. Αυτό το ρεύμα διαρροής έχει ως αποτέλεσμα την υψηλή κατανάλωση ισχύος σε κατάσταση αναμονής της δομής και αποτελεί σημαντικό πρόβλημα στην σμίκρυνση του διηλεκτρικού. Διηλεκτρικά λεπτότερα των 0.8 nm δεν μπορούν να γίνουν ανεκτά για καμία εφαρμογή. Για την αντιμετώπιση του υψηλού ρεύματος σήραγγος που συναντάται σε ένα λεπτό οξείδιο καθώς και της ελάττωση της χωρητικότητας πύλης πολυκρυσταλλικού πυριτίου από την απογύμνωση των φορέων του, μελετώνται νέα υλικά και συγκεκριμένα διηλεκτρικά υψηλής σταθεράς k (high-k) ως αντικαταστάτες του SiO 2 καθώς και πύλες μετάλλου αντί πολυκρυσταλλικού πυριτίου. Καθώς η έρευνα για τα υλικά αυτά εξελίσσεται, σημαντικό ρόλο παίζουν τα νιτριδιωμένα οξείδια, είτε ως ενδιάμεσο στάδιο εξέλιξης μεταξύ του κοινού θερμικού οξειδίου και των υλικών υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς είτε ως αξιόπιστα διηλεκτρικά για διάφορες εφαρμογές. Η ανάγκη για νέα διηλεκτρικά υλικά οδηγεί στη χρήση οξειδίου εμπλουτισμένου με άζωτο (SiO x N y ) αντί του SiO 2, καθώς το άζωτο αποτελεί ισχυρό φραγμό για τη διάχυση προσμίξεων. Εμποδίζει έτσι τη διείσδυση του εμφυτευμένου Βορίου προς το διηλεκτρικό και ελαττώνει την παρουσία των θερμών ηλεκτρονίων (hot-electrons) που εγχέονται από το υπόστρωμα. Παράλληλα, το άζωτο χρησιμοποιείται για την κατασκευή λεπτών οξειδίων σε υψηλές θερμοκρασίες γιατί ελαττώνει τον ρυθμό οξείδωσης, καθώς αποτελεί φραγμό στη διάχυση του οξυγόνου κατά τη διάρκεια της οξείδωσης. Θα αναφερθούμε στη συνέχεια με λεπτομέρεια για τα νιτριδιωμένα οξείδια καθώς αποτελούν βασικό στοιχείο της παρούσας μελέτης. 5

14 Κεφάλαιο 1 (β) Υλικά υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς k (high-k) Το διηλεκτρικό πύλης σε ένα τρανζίστορ MOSFET μπορεί να θεωρηθεί σαν ένας πυκνωτής παράλληλων οπλισμών. Η χωρητικότητα του, αγνοώντας σε πρώτη προσέγγιση κβαντομηχανικά φαινόμενα και φαινόμενα απογύμνωσης φορέων στο σώμα του Si και στην πύλη πολυκρυσταλλικού Si, θα δίνεται από την απλή σχέση χωρητικότητας πυκνωτή, C = kε A t (όπου Α η επιφάνεια της πύλης και t το πάχος του διηλεκτρικού). 0 / Χρησιμοποιώντας διηλεκτρικά υψηλότερης σταθεράς από το SiO 2 (k = 3.9) επιτυγχάνουμε την ίδια χωρητικότητα με μεγαλύτερο πάχος διηλεκτρικού. Αποφεύγεται έτσι το έντονο ρεύμα σήραγγας. Πολλά υλικά είναι αυτή τη στιγμή υπό εξέταση ως πιθανοί αντικαταστάτες του SiO 2 ως διηλεκτρικά πύλης για τις τεχνολογίες CMOS κάτω των 0.1 μm. Οι ιδιότητες που θα πρέπει να έχει το νέο διηλεκτρικό, πέρα από την υψηλότερη διηλεκτρική σταθερά, είναι η δυνατότητα να ολοκληρωθεί στη διεργασία κατασκευής, μεγάλο ενεργειακό διάκενο ώστε να πληροί φραγμό δυναμικού, θερμοδυναμική σταθερότητα με το Si, μη κρυσταλλική μορφολογία, δυνατότητα σχηματισμού υψηλής ποιότητας διεπιφάνειας με το Si και συμβατότητα με τα ηλεκτρόδια πύλης και τις υπάρχουσες διεργασίες CMOS. Τα περισσότερα διηλεκτρικά που εξετάζονται έχουν σαν βάση το στοιχείο Άφνιο (Hf). Ο ενδιαφερόμενος αναγνώστης καλείται να ανατρέξει στην βιβλιογραφία για το θέμα 9, 10, 11. (γ) Πύλες Μετάλλου Μεταλλικό Ηλεκτρόδιο πύλης Για τη σύγχρονη τεχνολογία CMOS χρησιμοποιούνται πύλες πολυκρυσταλλικού πυριτίου (poly-si), τύπου n+ για το NMOS και τύπου p+ για το PMOS, οι οποίες δημιουργούνται με εμφύτευση της κατάλληλης πρόσμιξης και επακόλουθη ανόπτηση. Κατά τη διάρκεια της διεργασίας, προσμίξεις όπως το Βόριο (Β) μπορούν να εισέλθουν στο λεπτό διηλεκτρικό της διάταξης μεταβάλλοντας τα ηλεκτρικά χαρακτηριστικά της, όπως την τάση κατωφλίου. Για κατασκευή υπομικρομετρικών δομών, απαιτούνται πολύ ρηχές επαφές. Για την επίτευξη τους, η ενέργεια εμφύτευσης και η θερμοκρασία ενεργοποίησης των προσμίξεων ελαττώνονται, με αποτέλεσμα την χαμηλή συγκέντρωση ενεργών προσμίξεων στο poly-si. Επίσης, η συγκέντρωση προσμίξεων του poly-si μειώνεται λόγω διαχωρισμού των προσμίξεων και διάχυση προς την επιφάνειας και εκτός του υλικού 12. Η χαμηλή συγκέντρωση προσμίξεων οδηγεί στην δημιουργία στρώματος απογύμνωσης φορέων στην διεπιφάνεια poly-si / οξειδίου πύλης που υποβαθμίζει την απόδοση του τρανζίστορ ελαττώνοντας το ρεύμα και την διαγωγιμότητα. Η απογύμνωση του poly-si γίνεται εντονότερη καθώς μειώνεται το (ενεργό) πάχος του διηλεκτρικού και αυξάνεται η αντίσταση φύλλου του. Για να αντιμετωπιστούν τα παραπάνω προβλήματα που δημιουργούνται λόγω 6

15 Κεφάλαιο 1 της απογύμνωσης του poly-si διερευνάται η αντικατάσταση των ηλεκτροδίων πύλης με ηλεκτρόδια μετάλλου. Τα υποψήφια υλικά για τα νέα μεταλλικά ηλεκτρόδια απαιτείται να έχουν καλή θερμική και χημική σταθερότητα και να είναι συμβατά με τις υπάρχουσες διεργασίες τεχνολογίας CMOS και τα υλικά υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς k. Επίσης, πρέπει να έχουν κατάλληλο έργο εξόδου για δομές NMOS ή PMOS, εντός δηλαδή 0.2 ev από τα άκρα των ζωνών σθένους και αγωγιμότητας. Έχει βρεθεί ότι τα έργα εξόδου για τα Al, Ta, Mo, Ti, Hf, και Zr είναι κοντά στη ζώνη αγωγιμότητας του Si και αποτελούν υποψήφια για μέταλλο πύλης για τις δομές NMOS, ενώ τα Pt, Ru, Rh, Co, Pb, and RuO 2 έχουν έργο εξόδου κοντά στη ζώνη σθένους και παρουσιάζονται κατάλληλα για ηλεκτρόδια πύλης για τις δομές PMOS. Υπάρχουν επίσης αγώγιμα νιτρίδια όπως τα WNx, TiNx, TaNx και TaSixNy που μπορούν να λειτουργήσουν ως αξιόπιστα μεταλλικά ηλεκτρόδια. Μεταλλικά στοιχεία με χαμηλότερα έργα εξόδου βρέθηκαν να έχουν προβλήματα ευστάθειας λόγω της υψηλής ελεύθερης ενέργειας σχηματισμού, ενώ μέταλλα υψηλού έργου εξόδου προσφέρουν καλύτερη σταθερότητα αλλά μπορεί να παρουσιάζουν προβλήματα προσκόλλησης (adhesion) του υλικού Πυρίτιο υπό μηχανική τάση Όταν αναπτύσσεται επιταξιακά ένα λεπτό υμένιο πυριτίου πάνω σε χαλαρό (χωρίς μηχανικές τάσεις) στρώμα Si x Ge 1-x, τότε τα άτομα του κρυσταλλικού πλέγματος του Si τείνουν να ευθυγραμμιστούν με το υποκείμενο τους στρώμα, το οποίο έχει ελαφρώς μεγαλύτερη πλεγματική σταθερά. Έτσι, στο υμένιο Si εμφανίζεται μηχανική τάση (μ.τ.), εκτατική στην συγκεκριμένη περίπτωση, η οποία επηρεάζει της ενεργειακές στάθμες του κρυστάλλου Si και προσδίδει στους φορείς αυξημένη ευκινησία 13,14. Υπάρχουν διάφορες υλοποιήσεις υποστρωμάτων πυριτίου υπό μηχανική τάση (s-si, strained-silicon) με σημαντικότερη τη δομή s-si / Si x Ge 1-x η οποία αναπτύσσεται πάνω σε δισκίο πυριτίου, με το λεπτό στρώμα s-si να αποτελεί το κανάλι της δομής που θα δημιουργηθεί (Σχήμα 1.1). Αν και όλες οι δομές στις οποίες το κανάλι Si βρίσκεται υπό μ.τ. ονομάζονται γενικά δομές s-si, στη παρούσα εργασία θα αναφερόμαστε στη δομή καναλιού s-si ανεπτυγμένο πάνω σε στρώμα Si x Ge 1-x (το οποίο συχνά αναφέρεται απλούστερα ως SiGe). Το πυρίτιο υπό μηχανική τάση είναι το σημαντικότερο υπόστρωμα αυξημένης ευκινησίας καθώς προσφέρει υψηλότερη ευκινησία φορέων όντας συμβατό με την ήδη υπάρχουσα τεχνολογία πυριτίου. Προσφέρει έτσι σημαντικά οφέλη με μικρή αύξηση του κόστους υλοποίησης και αποτελεί σημαντική καινοτομία. Αντίθετα, υποστρώματα διαφορετικών ημιαγωγών όπως το Γερμάνιο είναι ακόμη σε ερευνητικό στάδιο. 7

16 Κεφάλαιο 1 (α) (β) (γ) Σχήμα 1.1. (α) Στοιχειώδες πλέγμα κρυστάλλου πυριτίου και (β) απλό σχηματικό δομής πυριτίου υπό μηχανική τάση πριν την επαφή των υλικών και (γ) μετά την επαφή και την παραμόρφωση του πλέγματος Si Το φαινόμενο της ανάπτυξης μηχανικών τάσεων δεν είναι καινούριο στην τεχνολογία ημιαγωγών και παρουσιάζεται σε διάφορες διεργασίες, όπως π.χ. στην οξείδωση όπου το αναπτυσσόμενο οξείδιο δημιουργεί μ.τ.. 15,16,17 Ενώ στις περισσότερες περιπτώσεις είναι αναγκαίο επακόλουθο, στην περίπτωση του πυριτίου υπό μ.τ. είναι το ζητούμενο λόγω της ευεργετικής επίδρασης της τάσης στις ηλεκτρονικές ιδιότητες του υλικού. Ενώ είναι πολύ δύσκολο να εισάγουμε μεγάλη τάση στο πυρίτιο με μηχανικούς τρόπους, είναι εφικτό να εισάγουμε μηχανική τάση και παραμόρφωση μέσω των διεργασιών κατασκευής. Η μηχανική παραμόρφωση και τάση μπορεί να εισαχθεί είτε τοπικά είτε ολικά, σε όλο δηλαδή το υμένιο μέσω του υποστρώματος. Διακρίνουμε δηλαδή δύο περιπτώσεις ανάπτυξης μ.τ.: (α) Σε μία διάσταση (γραμμική - uniaxial) τάση και (β) Σε δύο διαστάσεις (σε όλη την επιφάνεια του υμενίου - biaxial). Στην τελευταία περίπτωση ανήκουν ετεροδομές υπό μηχανική τάση οι οποίες κατασκευάζονται με επιταξία ενός υλικού πάνω σε υπόστρωμα το οποίο έχει διαφορετική κρυσταλλική σταθερά. Αυτή η επιταξία ονομάζεται ετεροεπιταξία (heteroepitaxy) ή επιταξία υπό μηχανική τάση και είναι μια από τις σημαντικότερες περιοχές της έρευνας ανάπτυξης κρυσταλλικών δομών διότι επιτυγχάνεται: (α) Ενσωμάτωση μηχανικής τάσης Όταν αναπτύσσεται ένα πολύ λεπτό στρώμα ημιαγωγού πάνω σε υπόστρωμα διαφορετικής πλεγματικής σταθεράς, εφόσον η διαφορά αυτή είναι μικρή, τότε το επίστρωμα παρουσιάζει / ενσωματώνει μ.τ.. Η ενδογενής αυτή μ.τ. όπως αναφέρθηκε, επηρεάζει τις ηλεκτρονικές ιδιότητες του υλικού. 8

17 Κεφάλαιο 1 (β) Δυνατότητα ανάπτυξης και χρήσης νέων ενεργών υποστρωμάτων. Καθώς ψηλής ποιότητος υποστρώματα είναι διαθέσιμα μόνο για Si, GaAs και InP, με την επιταξία δίνεται η δυνατότητα χρήσης και άλλων υλικών ως ενεργά υποστρώματα όπως π.χ. GaAs σε Si, CdTe σε GaAs, κλπ. Σε αυτή την περίπτωση, το ημιαγώγιμο υλικό που αναπτύσσεται δεν έχει παραπλήσια πλεγματική σταθερά. Αναπτύσσονται φυσικά ατέλειες (dislocation - εξαρμώσεις) αλλά αυτές εξομαλύνονται καθώς αυξάνεται το πάχος του επιστρώματος. Πάνω στο νέο επίστρωμα αναπτύσσονται οι επιθυμητές διατάξεις, αποφεύγοντας το πρόβλημα και το κόστος της ανάπτυξης νέων υποστρωμάτων, αποκτώντας συγχρόνως τη δυνατότητα ανάπτυξης στο ίδιο δισκίο τεχνολογίες διαφορετικές ημιαγωγών Μηχανική τάση και κρίσιμο πάχος επιταξιακού στρώματος Ανεξάρτητα από την αναλογία του Γερμανίου (Ge) στο κράμα Si x Ge 1-x, αυτό διατηρεί την κρυσταλλική του δομή, η οποία είναι όμοια με αυτή του διαμαντιού. Η πλεγματική σταθερά του Ge (a Ge = nm) είναι κατά 4.2% μεγαλύτερη από αυτήν του πυριτίου (a Si = nm), σε θερμοκρασία δωματίου (Σχήμα 1.1Α). Η σχέση που δίνει την πλεγματική σταθερά του κράματος Si 1-X Ge X όταν αυτό δεν βρίσκεται υπό μ.τ. είναι σχεδόν γραμμική, όπως προβλέπεται από την εμπειρική σχέση του Vergard 18, και δίνεται με μεγάλη ακρίβεια από τη σχέση 19 ( 0 x 1 ) : a Si ( 1 x) Ge( x) = x x (nm) εξ Η διαφορά της παραπάνω σχέσης στην υπολογιζόμενη κρυσταλλική διαφορά με τη γραμμική προσέγγιση 18,20 είναι ελάχιστη, και στη πράξη μπορεί επίσης να χρησιμοποιηθεί η τελευταία: α SiGe = α Si + x (α Ge α Si ) εξ Οι παραπάνω σχέσεις δίνουν ουσιαστικά μια μέση κρυσταλλική σταθερά, καθώς στον κρύσταλλο υπάρχει τυχαιότητα στις θέσεις που το Ge αντικαθιστά το Si στο πλέγμα.. Η ελαστική παραμόρφωση του στρώματος υπό μ.τ. είναι : ε // = ε = ( α υποστρώματος α επιστρώματος ) / α επιστρώματος εξ Για s-si θα είναι: το οποίο ισούται με x. α Si Ge α 1 x x Si = α Si εξ Οι κυριότερες εφαρμογές ετεροδομών SiGe βασίζονται σε 1 ή 2 στρώματα Si ή SiGe υπό μηχανική τάση. Όπως αναφέρθηκε προηγουμένως, αν η σχετική διαφορά των πλεγματικών 9

18 Κεφάλαιο 1 σταθερών (misfit) δύο διαδοχικών στρωμάτων είναι μικρή, τότε τα πρώτα ατομικά στρώματα που αναπτύσσονται θα είναι υπό τάση (2 διαστάσεων) και ευθυγραμμισμένα με το κρύσταλλο του υποστρώματος. Έτσι, αν αναπτύξουμε ένα λεπτό στρώμα πυριτίου (π.χ. της τάξεως των nm) πάνω σε Si 1-y Ge y, το στρώμα αυτό θα είναι υπό εκτατική επιφανειακή (2 διαστάσεων) μηχανική τάση. Το στρώμα Si 1-y Ge y θα πρέπει είναι σημαντικά παχύτερο από το υπερκείμενο στρώμα που βρίσκεται υπό τάση και να μην εμφανίζει το ίδιο, μηχανικές τάσεις. Το χαλαρό αυτό στρώμα SiGe ονομάζεται εικονικό υπόστρωμα (virtual substrate) και αναπτύσσεται και αυτό πάνω στο δισκίο πυριτίου. Βασικός παράγοντας για την διαμόρφωση αυτής της δομής, είναι η ποιότητα του κρυσταλλικού πλέγματος του υποβάθρου SiGe. Εάν το στρώμα SiGe βρίσκεται και αυτό υπό μηχανική τάση τότε εμφανίζει εξαρμόσεις (dislocations) οι οποίες διαβιβάζονται και στο λεπτό υμένιο s-si. Κατά συνέπεια, βασικό στοιχείο της τεχνολογίας s - Si είναι η ανάπτυξη ενός απαλλαγμένου από τάσεις και εξαρμόσεις υποστρώματος SiGe. Αυτό κατέστη εφικτό με την ανάπτυξη ενός στρώματος SiGe διαβαθμισμένης συγκέντρωσης Ge (E. Fitzgerald, MIT) το οποίο χρησιμοποιείται σαν υπόστρωμα για την ανάπτυξη του υμενίου s-si. Έτσι, η βασικότερη δομή s-si αποτελείται από s-si / Si 1-x Ge x / Si y Ge 1-y (y από 0 μέχρι την τελική τιμή x) / Si (bulk substrate). Το στρώμα δηλαδή του SiGe αποτελείται από ένα στρώμα μεταβλητής περιεκτικότητας Ge, έτσι ώστε η γραμμομοριακή αναλογία του Ge να φτάσει ομαλά από τη τιμή 0 στην τελική της τιμή, και ένα στρώμα σταθερής πια αναλογίας, σημαντικού πάχους. Καθώς το πάχος του επιστρώματος s-si αυξάνεται, η ελαστική ενέργεια του συστήματος αυξάνεται δραματικά. Έτσι μόνο ένα συγκεκριμένος αριθμός πλεγματικών επιπέδων μπορεί να αναπτυχθεί συνεκτικά προτού εμφανιστούν ατέλειες για να εκτονώσουν το σύστημα από την υψηλή του ενέργεια. Υπάρχει λοιπόν ένα μέγιστο πάχος του στρώματος s-si, το οποίο ονομάζεται κρίσιμο πάχος h c πάνω από το οποίο εμφανίζονται ατέλειες, σε αυτήν την περίπτωση μετατοπίσεις / εξαρμώσεις (misfit dislocation), για να μετριάσουν την τάση. Τότε, το επιταξιακό στρώμα χαλαρώνει, οι ατέλειες αλληλεπιδρούν με το σύστημα επηρεάζοντας τις ηλεκτρικές, οπτικές και θερμικές ιδιότητες του και υποβαθμίζεται η απόδοση των δομών (oι ατέλειες στο σύστημα Si Ge είναι εξαρμόσεις τύπου α / 2 (110) 60 ο ). Διάφορα μοντέλα έχουν αναπτυχθεί για να υπολογίσουν θεωρητικά το κρίσιμο πάχος του επιταξιακού στρώματος πυριτίου υπό τάση, με βασική διαφοροποίηση στην υπόθεση του ποσού της ενέργειας που αποθηκεύεται σε μία εξάρμοση. Ο Van der Merwe 21 υπολόγισε πρώτος το κρίσιμο πάχος του υμενίου ως προς την διαφορά των πλεγματικών σταθερών των Si και SiGe, εισάγοντας ένα περιοδικό πλέγμα από εξαρμόσεις και αναζητώντας τη 10

19 Κεφάλαιο 1 θερμοδυναμική συνθήκη ελαχίστης διεπιφανειακής και ελαστικής ενέργειας ισορροπίας. Σαν κρίσιμο πάχος όρισε το όριο μετάβασης από στρώμα υπό μ.τ. σε χαλαρό στρώμα. Ελαχιστοποιώντας την ολική ενέργεια του συστήματος κατέληξε στο εξής αποτέλεσμα για το κρίσιμο πάχος : h c ν b 2 εξ π 1 ν f όπου b η απόσταση που μετατοπίζεται το κρυσταλλικό επίπεδο (στην απλούστερη περίπτωση ισούται με το διάνυσμα Burgers), ν ο συντελεστής Poisson (~0.3). Για bulk-si υπόστρωμα η σταθερά b = 0.4 nm, ενώ γενικότερα ισούται με a / 2, όπου α Α η πλεγματική σταθερά του χαλαρού υποστρώματος. Πάραυτα, οι περισσότερες εργασίες αναφέρουν την προσέγγιση των Matthews και Blake, κατά την οποία ορίζεται το κρίσιμο πάχος σαν η περιοχή μετάβασης από την θερμοδυναμικά σταθερή περιοχή στην μετασταθή περιοχή. Οι Matthews και Blake ανέπτυξαν μια παρόμοια προσέγγιση 22, εξισορροπώντας τη τάση που ασκεί μια νηματοειδείς μετατόπιση στο επιταξιακό στρώμα με την αντίθετη δύναμη αποκατάστασης που ασκεί μια επιπλέον διεπιφανειακή μετατόπιση που δημιουργήθηκε κατά τη χαλάρωση. Κατέληξαν στην παρακάτω σχέση: A h c 2 b (1 ν cos θ ) hc ln + 1 2πf (1 + ν ) cos λ b εξ όπου θ η γωνία μεταξύ την γραμμή μετατόπισης και το διάνυσμα Burgers της, ν ο συντελεστής Poisson και λ η γωνία μεταξύ του διανύσματος Burgers και της διεύθυνσης κάθετης στη γραμμή μετατόπισης. Για καθαρό Si και Ge, f = , cosλ = cosθ = 0.5 για 60 ο mixed α / 2 <110> μετατοπίσεις και έτσι η παραπάνω σχέση απλοποιείται ως εξής: 0.55 hc ln(10h c ) και x h C x nm εξ Η προσέγγιση των Matthews Blake είναι αυτή που χρησιμοποιείται σήμερα σχεδόν αποκλειστικά ως αναφορά για τον υπολογισμό του κρίσιμου πάχους. Το κρίσιμο πάχος σύμφωνα με τη μελέτη αυτή, απεικονίζεται στο Σχήμα 1.2 και αντιστοιχεί στο σύνορο μεταξύ των ευσταθών και μεταστατικών καταστάσεων. 11

20 Κεφάλαιο critical thickness critical thickness (nm) Ge mole fraction in Si x Ge 1-x (%) Σχήμα 1.2. Κρίσιμο πάχος του υμενίου s-si σε συνάρτηση της περιεκτικότητας του υποκείμενου στρώματος SiGe σε Γερμάνιο Σε πειραματικό επίπεδο έχει παρατηρηθεί ότι στρώματα s-si μπορούν να αναπτυχθούν αρκετά περισσότερο από το κρίσιμο πάχος που προβλέπεται από τα παραπάνω μοντέλα 14. Το θέμα είναι υπό διερεύνηση, επικρατέστερος όμως λόγος θεωρείται η ύπαρξη ενός κινητικού φραγμού στην διεργασία χαλάρωσης, καθιστώντας δυνατή την ανάπτυξη επιπλέον στρωμάτων, τα οποία βρίσκονται στην μεταστατική περιοχή 23. Για την μελέτη της επίδρασης του πάχους του στρώματος πυριτίου υπό τάση σε σχέση με τα ηλεκτρικά χαρακτηριστικά των δομών MOSFET 24, μελετήθηκαν MOSFETS σε s-si πάνω σε SiGe, για διαφορετικά πάχη s-si, πάνω και κάτω του κρίσιμου πάχους. Σε κάθε περίπτωση υπήρχε αύξηση της ευκινησίας (low field mobility) περίπου κατά 1.8 φορές ακόμη και για πάχη σημαντικά μεγαλύτερα από το κρίσιμο πάχος. Όμως, σε κάποιες από αυτές τις περιπτώσεις παρατηρήθηκε ότι, για τάσεις μικρότερες της τάσης κατωφλίου, τα ρεύματα διαρροής σε κατάσταση μη λειτουργίας (off-state leakage current) ήταν σημαντικά μεγαλύτερα. Το γεγονός αυτό αποδίδεται σε αυξημένη διάχυση των προσμίξεων κοντά σε εξαρμόσεις (misfit dislocations) που βραχυκυκλώνουν τη πηγή και τον απαγωγό. 12

21 Κεφάλαιο Μέθοδοι ανάπτυξης υποστρωμάτων πυριτίου υπό μηχανική τάση Οι επιταξιακές μέθοδοι ανάπτυξης ημιαγώγιμων στρωμάτων, απαραίτητες για την ανάπτυξη των στρωμάτων του SiGe και του s-si, αποτελούν σημαντικό σκέλος της τεχνολογίας ημιαγωγών γενικότερα. Κάθε επιταξιακή μέθοδος για ανάπτυξη ημιαγωγών σχετίζεται με κάποιο υλικό, άτομο ή μόριο, που προσκρούει σε μια επιφάνεια. Το υλικό αυτό, εφόσον υπάρχει η κατάλληλη επιφανειακή θερμοκρασία, διαχέεται στην επιφάνεια. Η ανάπτυξη του επιταξιακού στρώματος προϋποθέτει την απορρόφηση του υλικού και στην περίπτωση που πρόκειται για πολυατομικό μόριο μπορεί και να περιλαμβάνει και την αποβολή κάποιου στοιχείου του (π.χ. απορρόφηση του Si με αποβολή του υδρογόνου από το αέριο σιλάνη SiH 4 ). Ατέλειες ή σκαλοπάτια στην επιφάνεια, μπορούν να δράσουν ως κέντρα συγκέντρωσης του υλικού από τα οποία θα ξεκινάει η ανάπτυξη του επιταξιακού στρώματος. Στην απλούστερη περίπτωση, αυτή της ομοεπιταξίας Si σε υπόστρωμα Si, δεν αναπτύσσεται μηχανική τάση. Η αρχή της ελάχιστης επιφανειακής ενέργειας απαιτεί για την έναρξη της διεργασίας επίπεδη επιφάνεια υποστρώματος σε θερμοκρασία άνω των 100 ο C και φυσικά κάτω της θερμοκρασίας τήξης του Si (1250 ο C). Στην ομοεπιταξία Si δημιουργούνται νησίδες οι οποίες συνενώνονται με την εναπόθεση ενός στρώματος. Αυτό το είδος ανάπτυξης ονομάζεται τύπου Frank van der Merwe και χαρακτηρίζεται δηλ. από ανάπτυξη σε δύο διαστάσεις μέσω νησίδων που συνενώνονται. Αυτός ο μηχανισμός ακολουθείται και στην ετεροεπιταξία, αν η αναπτυσσόμενη μηχανική τάση δεν είναι μεγάλη. Η ανάπτυξη του επιταξιακού στρώματος εξαρτάται από διάφορους παράγοντες όπως η κρυσταλλική δομή της επιφάνειας, οι ατέλειες και εξαρμόσεις της, η θερμοκρασία ανάπτυξης, η ροή του υλικού, η επιφανειακή τάση και η μηχανική ενέργεια στα διάφορα στρώματα 25. Η επιταξία είναι πολύ σημαντική διεργασία για την τεχνολογία ημιαγωγών δεδομένου ότι όλες οι ενεργές δομές κατασκευάζονται στην άνω επιφάνεια των υποστρωμάτων πυριτίου. Διάφοροι μέθοδοι επιταξιακής ανάπτυξης έχουν αναπτυχθεί με τις μεθόδους επιταξίας μοριακής δέσμης (Molecular Beam Epitaxy) και χημική εναπόθεση ατμών (CVD, Chemical Vapour Deposition) να είναι οι πιο σημαντικές. Συμπληρωματικά αναφέρουμε και τις μεθόδους επιταξίας υγρής φάσης (LPD, Liquid Phase Epitaxy) και αέριας φάσης (VPE, Vapour Phase Epitaxy). Οι διάφορες τεχνικές επιταξίας, μαζί με τα σχετικά πλεονεκτήματα και μειονεκτήματα, αναφέρονται στο παρακάτω σχεδιάγραμμα (Σχήμα 1.3), ενώ στη συνέχεια θα αναφερθούμε στις τεχνικές MBE και CVD. 13

22 Κεφάλαιο 1 Σχήμα 1.3. Τεχνικές επιταξίας Si / SiGe Επιταξία μοριακής δέσμης (Molecular Beam Epitaxy, MBE) Πρόκειται για την πρώτη τεχνική που χρησιμοποιήθηκε για την ανάπτυξη στρωμάτων SiGe και για την τεχνική που κυριαρχεί στην ανάπτυξη των III-V ημιαγωγών. Δεν χρησιμοποιείται στην παραγωγή, όπου επικρατεί η CVD μέθοδος, αλλά εφαρμόζεται στον ερευνητικό τομέα από πολλά πανεπιστήμια και ερευνητικά κέντρα. Για την εφαρμογή της τεχνικής αυτής χρησιμοποιούνται κάμινοι τήξεως που περιέχουν ως φορτίο τα συστατικά του κρυστάλλου που θα αναπτυχθεί, όπως επίσης και τις νοθεύσεις που θα χρησιμοποιηθούν. Όταν μια κάμινος θερμανθεί, άτομα ή μόρια από το φορτίο της εξαχνώνονται και ταξιδεύουν σε ευθεία γραμμή προς το υπόστρωμα το οποίο επίσης θερμαίνεται. Για την επιλογή του υλικού που προσπίπτει στο υπόστρωμα χρησιμοποιούνται κατάλληλα κλείστρα ενώ η διαδικασία αυτή απαιτεί υψηλό κενό (μέχρι Torr). Πρόκειται για μέθοδο που εναποθέτει με αργό ρυθμό, περίπου ενός κρυσταλλικού επιπέδου (monolayer) ανά δευτερόλεπτο. Με τη βοήθεια των κλείστρων που επιτρέπουν το κατάλληλο υλικό να οδηγηθεί στο υπόστρωμα, δύναται να ελεγχθεί η σύσταση του κρυστάλλου με ακρίβεια κρυσταλλικού επιπέδου. Η μέθοδος είναι αρκετά ελέγξιμη καθώς δεν πραγματοποιούνται 14

23 Κεφάλαιο 1 χημικές αντιδράσεις. Για τη διατήρηση του υψηλού κενού όμως πρέπει να αποφεύγονται διαρροές, γι αυτό και τα τοιχώματα του θαλάμου ανάπτυξης συνήθως ψήχονται με υγρό άζωτο. Έτσι αποτρέπονται επίσης άτομα ή μόρια που έχουν επικαθίσει στα τοιχώματα του θαλάμου να μεταφερθούν προς το υπόστρωμα. Για τον έλεγχο της ποιότητας και του ρυθμού ανάπτυξης του επιταξιακού στρώματος χρησιμοποιείται επιτόπου και σε πραγματικό χρόνο η τεχνική χαρακτηρισμού επιφανειών RHEED (περίθλασης ανακλώμενων ηλεκτρονίων υψηλής ενέργειας). Στο Σχήμα 1.4 απεικονίζεται η δομή ενός οργάνου επιταξίας μοριακής δέσμης ΜΒΕ. Σχήμα Σχηματικό ενός συστήματος ΜΒΕ. Από αναφορά [26]. Στην ειδικότερη περίπτωση της επιταξίας στρώματος SiGe για την κατασκευή υποστρωμάτων s-si, το υψηλό σημείο τήξης των Si και Ge κάνει δύσκολη την χρήση των τυπικών κάμινων (Knudsen cells) που συνήθως χρησιμοποιούνται κατά την επιταξία Si με τη μέθοδο αυτή. Για το σκοπό αυτό, καθώς επίσης και για την επίτευξη σημαντικής ροής υλικού και ρυθμού ανάπτυξης SiGe, η χρήση εξαχνωτή ηλεκτρονικής δέσμης κρίνεται απαραίτητη. Όμως, στην περίπτωση αυτή παρουσιάζεται το μειονέκτημα της εμφάνισης ανεπιθύμητων ατελειών στο επιταξιακό στρώμα λόγω της ακτινοβολίας. Επίσης, η νόθευση σε υμένια που έχουν κατασκευαστεί με τη μέθοδο ΜΒΕ είναι δύσκολη. Μόνο Αντιμόνιο και Γάλλιο μπορούν να εισαχθούν στο συγκεκριμένο σύστημα, αλλά όχι χωρίς τεχνικές δυσκολίες. 15

24 Κεφάλαιο 1 Το σαφές όμως πλεονέκτημα της μεθόδου ΜΒΕ είναι ότι το περιεχόμενο σε Ge ενός υμενίου εξαρτάται από τη ροή των πηγών και όχι από άλλες παραμέτρους όπως τη θερμοκρασία του υποστρώματος ή την πίεση του θαλάμου, αρκεί αυτή να είναι βέβαια μικρότερη από ένα αποδεκτό επίπεδο. Αυτό έρχεται σε αντίθεση με τη μέθοδο CVD όπου η πίεση του θαλάμου, η θερμοκρασία του υποστρώματος και οι ροές των αέριων πηγών καθορίζουν την περιεκτικότητα σε Ge. Συνεπώς, είναι πολύ πιο εύκολη η βαθμονόμηση του συστήματος ΜΒΕ και αυτό τη καθιστά σαφώς πιο ευέλικτη μέθοδο και πιο εύχρηστη για ερευνητικούς σκοπούς Χημική Εναπόθεση Ατμών (Chemical Vapour Deposition, CVD) Η μέθοδος CVD για την επιταξία στρώματος SiGe προέρχεται από τη συνήθη CVD μέθοδο για την ομοεπιταξία Si. Στην ομοεπιταξία υμενίου Si σε υπόστρωμα Si, πραγματοποιείται πυρόλυση αερίου όπως το SiH 4 ή το SiH 4-Z Cl Z σε ατμοσφαιρική πίεση και υψηλή θερμοκρασία απουσία οξυγόνου. Κατά την διεργασία της πυρόλυσης, τα μόρια του αερίου αποσυντίθενται στα ατομικά του συστατικά. Το όλο σύστημα θερμαίνεται με τη βοήθεια πηνίων σε υψηλές θερμοκρασίες που κυμαίνονται από 900 o C έως και περισσότερο από 1100 o C, ώστε στοιχεία που διαφορετικά θα μόλυναν, όπως νερό, οξυγόνο ή άνθρακας, να γίνονται πτητικά Όμως, η εισαγωγή Γερμανίου ή πρόσμιξης στο σύστημα CVD απαιτεί σημαντικά χαμηλότερες θερμοκρασίες. Σε θερμοκρασία μεγαλύτερη των 1000 ο C, η διάχυση των προσμίξεων από το υπόστρωμα στο επιταξιακό φιλμ θα προκαλέσει αυτο-νόθευση του συστήματος και πιθανή ανισοτροπική παραμόρφωση του επιταξιακού στρώματος. Η νόθευση διαχέεται και εξαχνώνεται εκτός του υλικού δημιουργώντας ένα λεπτό αιωρούμενο στρώμα αερίου πάνω από την επιφάνεια. Ελαττώνοντας την ατμοσφαιρική πίεση του συστήματος επιτρέπεται πιο γρήγορη απομάκρυνση του αερίου της νόθευσης μακριά από το υπόστρωμα, ελαττώνοντας το φαινόμενο της αυτονόθευσης. Μειώνοντας επίσης τη θερμοκρασία της διαδικασίας μειώνεται ο ρυθμός διάχυσης της νόθευσης μέσα στο υπόστρωμα και εκτός του υλικού. Συμπερασματικά, για την κατασκευή υποστρωμάτων s-si δύο είναι τα βασικά προβλήματα που προκαλούνται με την υψηλή θερμοκρασία. Το πρώτο είναι η τράχυνση της επιφάνειας ή διαφορετικά η δημιουργία κυματισμών σε αυτήν (surface roughening / undulations) 27 ενώ το δεύτερο είναι η διάχυση του Γερμανίου. Για δημιουργία στρώματος Si πάνω σε Si 0.7 Ge 0.3, το μήκος διάχυσης του Ge είναι της τάξεως μερικών nm για τη θερμοκρασία των 1000 C και χρόνο 1 min (με ενέργεια ενεργοποίησης 4.7 ev και συντελεστής διάχυσης/diffusivity 0.04 m 2 s 1 ). Οι θερμοκρασίες αυτές δηλαδή είναι απαγορευτικές για την δημιουργία s-si γιατί μεταβάλλουν το συγκεκριμένο υλικό. 16

25 Κεφάλαιο 1 Ελαττώνοντας τη θερμοκρασία ανάπτυξης του επιταξιακού στρώματος στη μέθοδο CVD, είναι απαραίτητη χαμηλότερη πίεση υποβάθρου για τη διατήρηση καθαρής επιφάνειας Si χωρίς τη δημιουργία οξειδίου, πάνω στην οποία θα γίνει η επιταξία. Η ύπαρξη οξυγόνου στο στρώμα Si 1 x Ge x ελαττώνει σημαντικά την ευκινησία των φορέων μειονότητας επιδεινώνοντας τη λειτουργία ενός διπολικού τρανζίστορ 28. Για την διατήρηση μιας επιφάνειας πυριτίου ελεύθερης από οξείδιο, απαιτείται υπερ-υψηλό κενό στο θάλαμο για την απομάκρυνση του νερού, η υψηλή μερική πίεση του οποίου είναι αυτή που καθορίζει την οξείδωση του πυριτίου. Για την ανάπτυξη υμενίων s-si 1-x Ge x σε χαμηλότερη θερμοκρασία, αναπτύχθηκαν διάφορα συστήματα CVD. Κατατάσσοντας τα σε κατηγορίες, μπορούμε να ξεχωρίσουμε αυτά στα οποία η πίεση κατά την ανάπτυξη είναι μικρότερη από 10 Pa (ultra-high vacuum CVD UHVCVD 29 ) και σε αυτά στα οποία η πίεση είναι μεταξύ 10 και 1000 Pa (low pressure CVD, LPCVD). Αυτές είναι οι κυριότερες κατηγορίες που χρησιμοποιούνται στην βιομηχανία. Υπάρχουν κι άλλα συστήματα που χρησιμοποιούνται στον ερευνητικό τομέα. Πρόσφατα επίσης αναπτύχθηκε η μέθοδος με πλάσμα χαμηλής ενέργειας low energy plasma enhanced CVD 31. Οι πηγές αερίων για την CVD μέθοδο για την κατασκευή υποστρωμάτων s-si περιλαμβάνουν τα αέρια SiH 4, Si 2 H 6, SiH 2 Cl 2 και GeH 4, ενώ νόθευση επιτυγχάνεται με τη χρήση των αερίων AsH 3, PH 3 και B 2 H 6. Η μέθοδος CVD πλεονεκτεί έναντι της MBE λόγω μικρότερης νόθευσης από ατέλειες που μολύνουν το υλικό καθώς υπάρχει λιγότερη ακτινοβολία στο θάλαμο. Επίσης, τα υμένια που εναποθέτονται με αυτή τη μέθοδο είναι σημαντικά πιο ελεγχόμενα καθώς λόγω της βιομηχανικής χρήσης και της ανάγκης για υψηλή αξιοπιστία, έχει αναπτυχθεί περισσότερο αυτή η μέθοδος. Επίσης, η ετεροεπαφή s-si / SiGe είναι σημαντικά πιο απότομη, όπως είναι επιθυμητό. Μειονεκτεί βέβαια έναντι της μεθόδου ΜΒΕ στο ότι χρειάζεται προσεκτική βαθμονόμηση και έλεγχο, όπως αναφέρθηκε προηγουμένως. Αν κάποια παράμετρος από τις πίεση, θερμοκρασία και ροή μεταβληθεί, τότε μεταβάλλεται η περιεκτικότητα του Ge και ο ρυθμός ανάπτυξης -άρα και το πάχος- των επιταξιακών στρωμάτων. 17

26 Κεφάλαιο Υποστρώματα μεταβλητής περιεκτικότητας Γερμανίου (εικονικά υποστρώματα) Κατά την κατασκευή του s-si, όπως αναφέρθηκε, πραγματοποιείται ανάπτυξη Si πάνω σε υπόστρωμα SiGe. Το υμένιο του πυριτίου θα εμφανίζει σε αυτή την περίπτωση εκτατική μηχανική τάση και οι φορείς του αυξημένη ευκινησία. Το στρώμα αυτό (s-si) περιορίζεται από το κρίσιμο πάχος ανάπτυξης που εξαρτάται από την περιεκτικότητα του Ge στο υποκείμενο SiGe στρώμα. Αντιθέτως, το στρώμα SiGe αναπτύσσεται σε πάχος πολύ μεγαλύτερο από το κρίσιμο πάχος του (και από το πάχος της μεταστατική κατάστασης) με αποτέλεσμα να είναι ελεύθερο από μηχανικές τάσεις, διαφορετικά η ελαστική του ενέργεια θα ήταν απαγορευτικά μεγάλη. Η ενέργεια αυτή εκτονώνεται διοχετεύεται με την πλαστική παραμόρφωση, δηλαδή τη δημιουργία και κίνηση ατελειών. Αυτές αλληλεπιδρούν και εισχωρούν μέσα στο επίστρωμα Si με μεγάλη πυκνότητα, με αποτέλεσμα την αύξηση της επιφανειακής πυκνότητας των νηματοειδών εξαρμόσεων πάνω από 10 9 cm -2. Η πυκνότητα αυτή είναι απαγορευτική για κάθε εφαρμογή. Το θέμα αυτό αντιμετωπίζεται με την ομαλή μετάβαση από το αρχικό υπόστρωμα Si στο Si x Ge 1-x μεταβάλλοντας ομαλά την περιεκτικότητα του Ge από το μηδέν στην τελική της τιμή και διατηρώντας έπειτα τη τιμή αυτή για ένα σημαντικό πάχος. Η τεχνική αυτή είναι αποτελεσματική για ανάπτυξη με τις τεχνικές CVD και ΜΒΕ, με τελική γραμμομοριακή περιεκτικότητα Ge μέχρι 30% και ρυθμό μεταβολής της περιεκτικότητας μέχρι 10% ανά μm. Πραγματοποιείται λοιπόν ένα εικονικό υπόστρωμα (virtual substrate, Σχήμα 1.5α) πάνω στο οποίο αναπτύσσεται το λεπτό υμένιο πυριτίου που αποτελεί και το ενεργό μέρος της δομής, δηλαδή το κανάλι ενός τρανζίστορ στην περίπτωση δομών CMOS 30 (Σχήμα 1.5β). Σημαντικό ρόλο επίσης για την εξάλειψη των ατελειών παίζει και η θερμοκρασία ανάπτυξης, πέρα από τα γεωμετρικά χαρακτηριστικά της δομής. Στον Πίνακα 1.1 απεικονίζονται διάφορες μέθοδοι κατασκευής s-si με τα αντίστοιχα γεωμετρικά και δομικά χαρακτηριστικά όπου φαίνονται, από την ευκινησία σε χαμηλή θερμοκρασία, οι διαφορές στην ποιότητα του υποστρώματος. 18

27 Κεφάλαιο 1 Λεπτό υμένιο s-si χαλαρό στρώμα SiGe σταθερής περιεκτικότητας Ge SiGe διαβαθμισμένης περιεκτικότητας Ge (α) (β) Σχήμα 1.5 (α) Μικροσκοπία ΤΕΜ δομής s-si. Διακρίνονται οι εξαρμόσεις στο διαβαθμισμένο υπόστρωμα SiGe. (β) Ανάπτυξη δομής CMOS σε s-si πάνω σε εικονικό υπόστρωμα 30 Η χρήση εικονικού υποστρώματος μεταβλητής περιεκτικότητας Ge αποτέλεσε σημαντικό βήμα για την ανάπτυξη της τεχνολογίας s-si λόγω των πολύ χαμηλότερων ατελειών που φτάνουν στο άνω μέρος της δομής, το επίστρωμα s-si, δίνοντας έτσι τη δυνατότητα στην τεχνολογία αυτή να αποκτήσει εμπορικές εφαρμογές. Σημαντικό ρόλο προς αυτή την κατεύθυνση, έπαιξε η εισαγωγή ενός ή περισσοτέρων ενδιαμέσων βημάτων λείανσης CMP (chemical echanical polishing) τα οποία λειαίνουν το εικονικό υπόστρωμα και μειώνουν την τράχυνση της επιφάνειας 13,

28 Κεφάλαιο 1 Πίνακας 1.1. Σύγκριση διαφόρων μεθόδων ανάπτυξης s-si που έχουν αναπτυχθεί με LPCVD, MBE και LEPECVD. Οι μέσες τετραγωνικές τιμές (rms) της τράχυνσης της επιφάνειας έχουν μετρηθεί με AFM. Οι μετρήσεις ευκινησίας αναφέρονται σε n-modfet εκτός της τελευταίας που αναφέρεται σε κανάλι Ge στους 4 ο Κ (από αναφορά 14). Σύστημα ανάπτυξης Θερμ/σία ανάπτυξης ( ο C) Τελική περιεκτικότητα Ge Ρυθμός μεταβολής περιεκτικότητας (%Ge/μm) Πάχος στρώματος σταθερής περιεκτικότητας (μm) rms Τράχυνση Επιφανειας (nm) Ευκινησία 1.5 Κ (cm 2 V -1 sec -1 ) LPCVD % LPCVD % LPCVD % LPCVD % LPCVD % LPCVD % MBE % MBE % MBE % LEPECVD % < LEPECVD % (p)* * MODFET, μέτρηση ευκινησίας στους 4.2 K 1.6 Επίδραση της μηχανικής τάσης στις ηλεκτρονικές ιδιότητες του υλικού H αύξηση της αγωγιμότητας των φορέων μιας δομής s-si οφείλεται στην επίδραση της μηχανικής τάσης στις ενεργειακές ζώνες του υλικού και την κατανομή των φορέων σε αυτές 14, 32. Είναι γενικά αποδεκτό ότι υπό την επίδραση της εκτατικής μ.τ. στο επίπεδο του καναλιού οι αρχικά εξαπλά εκφυλισμένες ενεργειακές κοιλάδες στη ζώνη αγωγιμότητας του Si διαχωρίζονται σε δύο ομάδες διαφορετικής ενέργειας, τεσσάρων και δύο κοιλάδων. Οι 4 ενεργειακές στάθμες ανυψώνονται ως προς τις 2 χαμηλότερες. Η διαφορά μεταξύ των σταθμών αυτών είναι συνάρτηση της μηχανικής τάσης και κατ επέκταση της γραμμομοριακής περιεκτικότητας Ge του υποστρώματος. δίνεται δε από τη σχέση 33 : ΔΕ strain 0.6. x (ev) Σχηματική αναπαράσταση απεικονίζεται στο Σχήμα Η διπλά εκφυλισμένη ενεργειακή ομάδα (Δ 2 στο Σχήμα 1.6) έχει πλέον χαμηλότερη ενέργεια με αποτέλεσμα να είναι πιο ευνοϊκή η κατάληψη των σταθμών της. Ως αποτέλεσμα, τα ηλεκτρόνια καταλαμβάνουν τις χαμηλότερες Δ2 στάθμες, που εμφανίζουν χαμηλότερη ενεργό μάζα, με αποτέλεσμα την ελάττωση της μέσης ενεργού μάζας, αύξηση δηλαδή της ευκινησίας των ηλεκτρονίων. Η ενεργός μάζα των ηλεκτρονίων που καταλαμβάνουν αυτές τις ζώνες είναι περίπου 0.19m 0 ως προς άξονα παράλληλο στο κανάλι, ενώ κάθετα σε αυτό είναι ίσο με 0.92 m 0. 20

29 Κεφάλαιο 1 Σχήμα 1.6. Σχηματική αναπαράσταση του διαχωρισμού των ενεργειακών ζωνών της ζώνης αγωγιμότητας Προσθέτουμε επίσης ότι ακόμη και σε υπόστρωμα κανονικού Si, υπάρχει διαχωρισμός των ενεργειακών σταθμών των τροχιακών όταν το Si είναι στην περιοχή αναστροφής (φαινόμενο κβάντωσης του στρώματος αναστροφής, δηλαδή διαχωρισμός των ζωνών σε υπο-ζώνες / subbands όπου ιδιοσυναρτήσεις ίδιας ενέργειας διαχωρίζονται). Στο παρακάτω σχήμα (Σχήμα 1.7) απεικονίζεται οι ενεργειακές στάθμες της ζώνης αγωγιμότητας σε αναστροφή ή μη, και η επίδραση της μ.τ. σε αυτές. Σχήμα 1.7. Επίδραση της μ.τ. στις ενεργειακές στάθμες της ζώνης αγωγιμότητας (a) bulk και (b) στρώμα αναστροφής 21

30 Κεφάλαιο 1 Ένας άλλος μηχανισμός αύξησης της ευκινησίας που έχει προταθεί 35 είναι η ελάττωση (έως καταστολή) του φαινομένου σκέδασης φωνονίων μεταξύ των κοιλάδων λόγω του διαχωρισμού των ενεργειακών επιπέδων (intervalley phonon scattering suppression). Αυτός ο μηχανισμός σκέδασης σχετίζεται με την απορρόφηση ή εκπομπή φωνονίων κάποιας ενέργειας. Αν η ενεργειακή διαφορά των επιπέδων γίνει μεγαλύτερη από την ενέργεια των σκεδαζόμενων φωνονίων, τότε η πιθανότητα σκέδασης θα μειωθεί αισθητά. Αποτέλεσμα είναι η μεγαλύτερη βελτίωση της ευκινησίας χαμηλού ηλεκτρικού πεδίου αυξάνοντας την περιεκτικότητα του Ge στο υποκείμενο στρώμα. Για την επίδραση της μηχανικής τάσης στις οπές, εξετάζουμε πρώτα τη ζώνη σθένους του κανονικού Si. Το μέγιστο της ζώνης σθένους αποτελείται από 3 ζώνες: τις ζώνες ελαφρών και βαρέων οπών (heavy-hole HH και light hole LH ) ζώνες στον κυματικό αριθμό k = 0, και την split-off (S.O.) ζώνη, ελαφρά χαμηλότερη σε ενέργεια από τις άλλες δύο, όπως φαίνεται στο Σχήμα Η μηχανική τάση μετατοπίζει εξίσου και τις 3 ζώνες σθένους, ενώ συνιστώσα της τάσης κατά μήκος του καναλιού (η 1δ uniaxial τάση) άρει τον εκφυλισμό μεταξύ των LH και ΗΗ ζωνών, ανυψώνοντας την LH ζώνη υψηλότερα της ΗΗ. Η εφαρμογή της τάσης επίσης μεταβάλλει και το σχήμα των ζωνών, όπως φαίνεται στο Σχήμα 1.8 Η S.O. ζώνη επίσης χαμηλώνει σε σχέση με τις άλλες 2. Αποτέλεσμα είναι οι οπές να καταλαμβάνουν πρώτα την LH ζώνη. Η συνιστώσα της ενεργού μάζας στο επίπεδο του καναλιού ελαττώνεται ενώ επίσης η σκέδαση μεταξύ των οπών που βρίσκονται σε διαφορετικές ζώνες ελαττώνεται (suppression of interband scattering). Έχουμε έτσι αύξηση της ευκινησίας οπών. (α) (β) Σχήμα 1.8. (α) Ζώνη σθένους Si χωρίς μηχανική τάση (β) Ζώνη σθένους Si υπό εκτατική μηχανική τάση (biaxial) 22

Νανοτεχνολογία και Ηλεκτρονική Μικροσκοπία

Νανοτεχνολογία και Ηλεκτρονική Μικροσκοπία ΕΚΕΦΕ ΗΜΟΚΡΙΤΟΣ Ινστιτούτο Επιστήµης Υλικών Νανοτεχνολογία και Ηλεκτρονική Μικροσκοπία Ν. Μπούκος Αυτός ο κόσµος ο µικρός, ο µέγας. Περίγραµµα Εισαγωγή - Κίνητρα Νανοτεχνολογία Σχέση παρασκευής-µικροδοµήςιδιοτήτων

Διαβάστε περισσότερα

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com 1 2.4 Παράγοντες από τους οποίους εξαρτάται η αντίσταση ενός αγωγού Λέξεις κλειδιά: ειδική αντίσταση, μικροσκοπική ερμηνεία, μεταβλητός αντισ ροοστάτης, ποτενσιόμετρο 2.4 Παράγοντες που επηρεάζουν την

Διαβάστε περισσότερα

Nανοσωλήνες άνθρακα. Ηλεκτρονική δομή ηλεκτρικές ιδιότητες. Εφαρμογές στα ηλεκτρονικά

Nανοσωλήνες άνθρακα. Ηλεκτρονική δομή ηλεκτρικές ιδιότητες. Εφαρμογές στα ηλεκτρονικά Nανοσωλήνες άνθρακα Ηλεκτρονική δομή ηλεκτρικές ιδιότητες Εφαρμογές στα ηλεκτρονικά Νανοσωλήνες άνθρακα ιστορική αναδρομή Από το γραφίτη στους Νανοσωλήνες άνθρακα Στο γραφίτη τα άτομα C συνδέονται ισχυρά

Διαβάστε περισσότερα

Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο

Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο Μιχάλης Κομπίτσας Εθνικό Ίδρυμα Ερευνών, Ινστιτούτο Θεωρ./Φυσικής Χημείας (www.laser-applications.eu) 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΤΗΣ ΟΜΙΛΙΑΣ 1.

Διαβάστε περισσότερα

2) Μελέτη Φυσικών Διεργασιών Κατασκευής Νανοδιατάξεων σε Πυρίτιο και Γερμάνιο i) Φαινόμενα διάχυσης και ενεργοποίησης προσμίξεων εκτός

2) Μελέτη Φυσικών Διεργασιών Κατασκευής Νανοδιατάξεων σε Πυρίτιο και Γερμάνιο i) Φαινόμενα διάχυσης και ενεργοποίησης προσμίξεων εκτός ΝΑΝΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΣΤΟ Ε.Μ.Π. Δ, Τσαμάκης Πρόεδρος ΣΗΜΜΥ ΓΕΝΙΚΑ Τελευταία δεκαετία: : Τάση για επενδύσεις στην ΈΡΕΥΝΑ στους τομείς της Νανοτεχνολογίας με στόχο τη δημιουργία υποδομής νέας γνώσης στην περιοχή

Διαβάστε περισσότερα

Αλλαγή της δομής των ταινιών λόγω κραματοποίησης

Αλλαγή της δομής των ταινιών λόγω κραματοποίησης Αλλαγή της δομής των ταινιών λόγω κραματοποίησης Παράμετροι που τροποποιούν την δομή των ταινιών Σχηματισμός κράματος ή περισσοτέρων ημιαγωγών Ανάπτυξη ετεροδομών ή υπερδομών κβαντικός περιορισμός (quantum

Διαβάστε περισσότερα

Σχετικά με το μάθημα. Ο Υπολογιστής Η γενική εικόνα. Η μνήμη. Ενότητες μαθήματος. Εισαγωγή στους Υπολογιστές. Βιβλία για το μάθημα

Σχετικά με το μάθημα. Ο Υπολογιστής Η γενική εικόνα. Η μνήμη. Ενότητες μαθήματος. Εισαγωγή στους Υπολογιστές. Βιβλία για το μάθημα Ιόνιο Πανεπιστήμιο Τμήμα Πληροφορικής Εισαγωγή στην Επιστήμη των Υπολογιστών 2014-15 Εισαγωγή στους Υπολογιστές (αρχές λειτουργίας και τεχνολογία) Σχετικά με το μάθημα Ενότητες μαθήματος Αρχές λειτουργίας

Διαβάστε περισσότερα

Οι ιδιότητες των αερίων και καταστατικές εξισώσεις. Θεόδωρος Λαζαρίδης Σημειώσεις για τις παραδόσεις του μαθήματος Φυσικοχημεία Ι

Οι ιδιότητες των αερίων και καταστατικές εξισώσεις. Θεόδωρος Λαζαρίδης Σημειώσεις για τις παραδόσεις του μαθήματος Φυσικοχημεία Ι Οι ιδιότητες των αερίων και καταστατικές εξισώσεις Θεόδωρος Λαζαρίδης Σημειώσεις για τις παραδόσεις του μαθήματος Φυσικοχημεία Ι Τι είναι αέριο; Λέμε ότι μία ουσία βρίσκεται στην αέρια κατάσταση όταν αυθόρμητα

Διαβάστε περισσότερα

τα μεταλλικά Μια στρώμα. Για την έννοια πως αν και νανοσωματίδια (με εξάχνωση Al). πρέπει κανείς να τοποθετήσει τα μερικές δεκάδες nm πράγμα

τα μεταλλικά Μια στρώμα. Για την έννοια πως αν και νανοσωματίδια (με εξάχνωση Al). πρέπει κανείς να τοποθετήσει τα μερικές δεκάδες nm πράγμα Φραγή Coulomb σε διατάξεις που περιέχουν νανοσωματίδια. Ι. Φραγή Coulomb σε διατάξεις που περιέχουν μεταλλικά νανοσωματίδια 1. Περιγραφή των διατάξεων Μια διάταξη που περιέχει νανοσωματίδια μπορεί να αναπτυχθεί

Διαβάστε περισσότερα

6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC

6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC 6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC Θεωρητικό µέρος Αν µεταξύ δύο αρχικά αφόρτιστων αγωγών εφαρµοστεί µία συνεχής διαφορά δυναµικού ή τάση V, τότε στις επιφάνειές τους θα

Διαβάστε περισσότερα

4.2 Αναπαράσταση δυαδικών τιμών στα ψηφιακά κυκλώματα

4.2 Αναπαράσταση δυαδικών τιμών στα ψηφιακά κυκλώματα ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗΣ 4.1 Εισαγωγή Για την υλοποίηση των λογικών πυλών χρησιμοποιήθηκαν αρχικά ηλεκτρονικές λυχνίες κενού και στη συνέχεια κρυσταλλοδίοδοι και διπολικά τρανζίστορ. Τα ολοκληρωμένα

Διαβάστε περισσότερα

ΥΛΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ

ΥΛΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ ΥΛΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ ΓΙΩΡΓΟΣ ΤΣΙΓΑΡΙΔΑΣ E-mail: gtsigaridas@teilam.gr ΔΟΜΗ ΤΟΥ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΕΠΙΣΤΗΜΗ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΔΟΜΗ ΤΟΥ ΑΤΟΜΟΥ ΔΕΣΜΟΙ ΚΑΙ ΤΥΠΟΙ ΣΤΕΡΕΩΝ ΜΟΡΙΑΚΗ ΚΙΝΗΤΙΚΗ ΘΕΩΡΙΑ ΜΟΡΙΑΚΗ

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρική Αγωγιμότητα των μεταλλικών Υλικών

Ηλεκτρική Αγωγιμότητα των μεταλλικών Υλικών Τα αγώγιμα υλικά Ηλεκτρική Αγωγιμότητα των μεταλλικών Υλικών Mακροσκοπικά η ηλεκτρική συμπεριφορά των υλικών είναι: Τα ηλεκτρόνια μπορούν να κινηθούν ελεύθερα στο κρυσταλλικό πλέγμα I=V/R {R=ρL/S, σ=1/ρ

Διαβάστε περισσότερα

Φασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων

Φασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων Φασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων Ιόντα με υψηλές ενέργειες (συνήθως Ar +, O ή Cs + ) βομβαρδίζουν την επιφάνεια του δείγματος sputtering ουδετέρων

Διαβάστε περισσότερα

Χαρακτηρισμός υλικών με ιόντα

Χαρακτηρισμός υλικών με ιόντα Χαρακτηρισμός υλικών με ιόντα 1. Secondary ion mass spectroscopy (SIMS) Φασματοσκοπία μάζας δευτερογενών ιόντων. Rutherford backscattering (RBS) Φασματοσκοπία οπισθοσκέδασης κατά Rutherford Secondary ion

Διαβάστε περισσότερα

Κατασκευή διατάξεων µικροηλεκτρονικής.

Κατασκευή διατάξεων µικροηλεκτρονικής. Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 Κατασκευή διατάξεων µικροηλεκτρονικής. Α. ιεργασίες κατασκευής ολοκληρωµένων κυκλωµάτων. Η επίπεδη τεχνολογία κατασκευής ολοκληρωµένων κυκλωµάτων περιλαµβάνει

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2ο ΑΝΤΙΣΤΑΣΕΙΣ Θερμική ενέργεια Q και Ισχύς Ρ Όταν μια αντίσταση R διαρρέεται από ρεύμα Ι για χρόνο t, τότε παράγεται θερμική ενέργεια Q. Για το συνεχές ρεύμα η ισχύς

Διαβάστε περισσότερα

5. ΤΟ ΠΥΡΙΤΙΟ. Επιμέλεια παρουσίασης Παναγιώτης Αθανασόπουλος Δρ - Χημικός

5. ΤΟ ΠΥΡΙΤΙΟ. Επιμέλεια παρουσίασης Παναγιώτης Αθανασόπουλος Δρ - Χημικός 5. ΤΟ ΠΥΡΙΤΙΟ Επιμέλεια παρουσίασης Παναγιώτης Αθανασόπουλος Δρ - Χημικός Σκοπός του μαθήματος: Να εντοπίζουμε τη θέση του πυριτίου στον περιοδικό πίνακα Να αναφέρουμε τη χρήση του πυριτίου σε υλικά όπως

Διαβάστε περισσότερα

dq dt μεταβολή θερμοκρασίας C = C m ΠΑΡΟΝ ΚΑΙ ΜΕΛΛΟΝ J mole Θερμικές ιδιότητες Θερμοχωρητικότητα

dq dt μεταβολή θερμοκρασίας C = C m ΠΑΡΟΝ ΚΑΙ ΜΕΛΛΟΝ J mole Θερμικές ιδιότητες Θερμοχωρητικότητα ΥΛΙΚΑ Ι ΠΑΡΟΝ ΚΑΙ ΜΕΛΛΟΝ 7 κές Ιδιότητες ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΡΗΤΗΣ ΤΜΗΜΑ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΛΙΚΩΝ κές ιδιότητες Θερμοχωρητικότητα κή διαστολή κή αγωγιμότητα γμ κή τάση Θερμοχωρητικότητα Η θερμοχωρητικότητα

Διαβάστε περισσότερα

αγωγοί ηµιαγωγοί µονωτές Σχήµα 1

αγωγοί ηµιαγωγοί µονωτές Σχήµα 1 Η2 Μελέτη ηµιαγωγών 1. Σκοπός Στην περιοχή της επαφής δυο ηµιαγωγών τύπου p και n δηµιουργούνται ορισµένα φαινόµενα τα οποία είναι υπεύθυνα για τη συµπεριφορά της επαφής pn ή κρυσταλλοδιόδου, όπως ονοµάζεται,

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΙΑΚΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗ ΚΑΙ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ. 1. Ηλιακή ακτινοβολία

ΗΛΙΑΚΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗ ΚΑΙ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ. 1. Ηλιακή ακτινοβολία ΗΛΙΑΚΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗ ΚΑΙ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ 1. Ηλιακή ακτινοβολία Ο ήλιος ενεργεί σχεδόν, ως μια τέλεια πηγή ακτινοβολίας σε μια θερμοκρασία κοντά στους 5.800 Κ Το ΑΜ=1,5 είναι το τυπικό ηλιακό φάσμα πάνω

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήμιο Πατρών Πολυτεχνική σχολή Τμήμα Χημικών Μηχανικών Ακαδημαϊκό Έτος 2007-20082008 Μάθημα: Οικονομία Περιβάλλοντος για Οικονομολόγους Διδάσκων:Σκούρας Δημήτριος ΚΑΤΑΛΥΤΙΚΗ ΑΝΤΙΔΡΑΣΗ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ

Διαβάστε περισσότερα

Μνήμες RAM. Διάλεξη 12

Μνήμες RAM. Διάλεξη 12 Μνήμες RAM Διάλεξη 12 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή Κύτταρα Στατικής Μνήμης Κύτταρα Δυναμικής Μνήμης Αισθητήριοι Ενισχυτές Αποκωδικοποιητές Διευθύνσεων Ασκήσεις 2 Μνήμες RAM Εισαγωγή 3 Μνήμες RAM RAM: μνήμη

Διαβάστε περισσότερα

Μηχανικές ιδιότητες υάλων. Διάγραμμα τάσης-παραμόρφωσης (stress-stain)

Μηχανικές ιδιότητες υάλων. Διάγραμμα τάσης-παραμόρφωσης (stress-stain) Μηχανικές ιδιότητες υάλων Η ψαθυρότητα των υάλων είναι μια ιδιότητα καλά γνωστή που εύκολα διαπιστώνεται σε σύγκριση με ένα μεταλλικό υλικό. Διάγραμμα τάσης-παραμόρφωσης (stress-stain) E (Young s modulus)=

Διαβάστε περισσότερα

6. ΘΕΡΜΙΚΕΣ Ι ΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΠΟΛΥΜΕΡΩΝ

6. ΘΕΡΜΙΚΕΣ Ι ΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΠΟΛΥΜΕΡΩΝ 6-1 6. ΘΕΡΜΙΚΕΣ Ι ΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΠΟΛΥΜΕΡΩΝ 6.1. ΙΑ ΟΣΗ ΤΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ Πολλές βιοµηχανικές εφαρµογές των πολυµερών αφορούν τη διάδοση της θερµότητας µέσα από αυτά ή γύρω από αυτά. Πολλά πολυµερή χρησιµοποιούνται

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΣΗΣΗ 5

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΣΗΣΗ 5 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΩΝ ΣΠΟΥ ΩΝ ΦΥΣΙΚΗ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΣΗΣΗ 5 Προσδιορισµός του ύψους του οραικού στρώµατος µε τη διάταξη lidar. Μπαλής

Διαβάστε περισσότερα

Π. Κοράλλη 1, S. Fiat 4, Μ. Κομπίτσας 2, İ. Polat 3, E. Bacaksiz 3 και Δ. Ε. Μανωλάκος 1

Π. Κοράλλη 1, S. Fiat 4, Μ. Κομπίτσας 2, İ. Polat 3, E. Bacaksiz 3 και Δ. Ε. Μανωλάκος 1 ΝΕΑ ΥΛΙΚΑ ΚΑΙ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΓΙΑ ΧΑΜΗΛΟΥ ΚΟΣΤΟΥΣ & ΥΨΗΛΗΣ ΑΠΟΔΟΣΗΣ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ Π. Κοράλλη 1, S. Fiat 4, Μ. Κομπίτσας 2, İ. Polat 3, E. Bacaksiz 3 και Δ. Ε. Μανωλάκος 1 1 Σχολή Μηχανολόγων Μηχανικών,

Διαβάστε περισσότερα

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com 1 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2ο ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ Σκοπός Στο δεύτερο κεφάλαιο θα εισαχθεί η έννοια του ηλεκτρικού ρεύματος και της ηλεκτρικής τάσης,θα μελετηθεί ένα ηλεκτρικό κύκλωμα και θα εισαχθεί η έννοια της αντίστασης.

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΔΡ. ΒΑΣΙΛΕΙΟΣ ΜΠΙΝΑΣ Post Doc Researcher, Chemist Τμήμα Φυσικής, Πανεπιστήμιο Κρήτης Email: binasbill@iesl.forth.gr Thl. 1269 Crete Center for Quantum Complexity and Nanotechnology

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2: Ηλεκτρικό Ρεύμα Μέρος 1 ο

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2: Ηλεκτρικό Ρεύμα Μέρος 1 ο ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2: Ηλεκτρικό Ρεύμα Μέρος 1 ο Βασίλης Γαργανουράκης Φυσική ήγ Γυμνασίου Εισαγωγή Στο προηγούμενο κεφάλαιο μελετήσαμε τις αλληλεπιδράσεις των στατικών (ακίνητων) ηλεκτρικών φορτίων. Σε αυτό το κεφάλαιο

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ LASER ΤΜΗΜΑ ΟΠΤΙΚΗΣ & ΟΠΤΟΜΕΤΡΙΑΣ ΑΤΕΙ ΠΑΤΡΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ LASER ΤΜΗΜΑ ΟΠΤΙΚΗΣ & ΟΠΤΟΜΕΤΡΙΑΣ ΑΤΕΙ ΠΑΤΡΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ LASER ΤΜΗΜΑ ΟΠΤΙΚΗΣ & ΟΠΤΟΜΕΤΡΙΑΣ ΑΤΕΙ ΠΑΤΡΑΣ «Ίσως το φως θα ναι μια νέα τυραννία. Ποιος ξέρει τι καινούρια πράγματα θα δείξει.» Κ.Π.Καβάφης ΑΡΧΕΣ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ LASER Εισαγωγικές Έννοιες

Διαβάστε περισσότερα

ΚΑΤΕΡΓΑΣΙΕΣ ΜΕ ΑΦΑΙΡΕΣΗ ΥΛΙΚΟΥ

ΚΑΤΕΡΓΑΣΙΕΣ ΜΕ ΑΦΑΙΡΕΣΗ ΥΛΙΚΟΥ 19 Γ ΚΑΤΕΡΓΑΣΙΕΣ ΜΕ ΑΦΑΙΡΕΣΗ ΥΛΙΚΟΥ 1. ΕΙΣΑΓΩΓΗ Οι βασικότερες κατεργασίες με αφαίρεση υλικού και οι εργαλειομηχανές στις οποίες γίνονται οι αντίστοιχες κατεργασίες, είναι : Κατεργασία Τόρνευση Φραιζάρισμα

Διαβάστε περισσότερα

ΥΛΙΚΑ ΠΑΡΟΝ ΚΑΙ ΜΕΛΛΟΝ

ΥΛΙΚΑ ΠΑΡΟΝ ΚΑΙ ΜΕΛΛΟΝ ΥΛΙΚΑ ΠΑΡΟΝ ΚΑΙ ΜΕΛΛΟΝ Ι 2 Κατηγορίες Υλικών ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΡΗΤΗΣ ΤΜΗΜΑ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΛΙΚΩΝ Παραδείγματα Το πεντάγωνο των υλικών Κατηγορίες υλικών 1 Ορυκτά Μέταλλα Φυσικές πηγές Υλικάπουβγαίνουναπότηγημεεξόρυξηήσκάψιμοή

Διαβάστε περισσότερα

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com 1 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3ο ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΕΝΕΡΓΕΙΑ Σκοπός Στο τρίτο κεφάλαιο θα εισαχθεί η έννοια της ηλεκτρικής ενέργειας. 3ο κεφάλαιο ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΕΝΕΡΓΕΙΑ 1 2 3.1 Θερμικά αποτελέσματα του ηλεκτρικού ρεύματος Λέξεις κλειδιά:

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΩΣΗ ΚΥΠΡΙΩΝ ΦΥΣΙΚΩΝ - 6 Η ΠΑΓΚΥΠΡΙΑ ΟΛΥΜΠΙΑΔΑ ΦΥΣΙΚΗΣ Β ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ

ΕΝΩΣΗ ΚΥΠΡΙΩΝ ΦΥΣΙΚΩΝ - 6 Η ΠΑΓΚΥΠΡΙΑ ΟΛΥΜΠΙΑΔΑ ΦΥΣΙΚΗΣ Β ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ ΕΝΩΣΗ ΚΥΠΡΙΩΝ ΦΥΣΙΚΩΝ 6 Η ΠΑΓΚΥΠΡΙΑ ΟΛΥΜΠΙΑΔΑ ΦΥΣΙΚΗΣ Β ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ Κυριακή, 16 Μαΐου 2010 Ώρα : 10:00-12:30 Προτεινόμενες λύσεις ΘΕΜΑ 1 0 (12 μονάδες) Για τη μέτρηση της πυκνότητας ομοιογενούς πέτρας (στερεού

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στην πυρηνοποίηση. http://users.auth.gr/~paloura/ Ομο- & ετερογενής πυρηνοποίηση: αρχικά στάδια ανάπτυξης υλικών ή σχηματισμού νέας φάσης.

Εισαγωγή στην πυρηνοποίηση. http://users.auth.gr/~paloura/ Ομο- & ετερογενής πυρηνοποίηση: αρχικά στάδια ανάπτυξης υλικών ή σχηματισμού νέας φάσης. Εισαγωγή στην πυρηνοποίηση. http://users.auth.gr/~paloura/ Αντικείμενο Ομο- & ετερογενής πυρηνοποίηση: αρχικά στάδια ανάπτυξης υλικών ή σχηματισμού νέας φάσης. Ομογενής πυρηνοποίηση: αυθόρμητος σχηματισμός

Διαβάστε περισσότερα

. ΠΡΩΤΟΣ ΘΕΡΜΟ ΥΝΑΜΙΚΟΣ ΝΟΜΟΣ

. ΠΡΩΤΟΣ ΘΕΡΜΟ ΥΝΑΜΙΚΟΣ ΝΟΜΟΣ . ΠΡΩΤΟΣ ΘΕΡΜΟ ΥΝΑΜΙΚΟΣ ΝΟΜΟΣ 1. Σε µια ισόθερµη µεταβολή : α) Το αέριο µεταβάλλεται µε σταθερή θερµότητα β) Η µεταβολή της εσωτερικής ενέργειας είναι µηδέν V W = PV ln V γ) Το έργο που παράγεται δίνεται

Διαβάστε περισσότερα

Καταστατική εξίσωση ιδανικών αερίων

Καταστατική εξίσωση ιδανικών αερίων Καταστατική εξίσωση ιδανικών αερίων 21-1. Από τι εξαρτάται η συμπεριφορά των αερίων; Η συμπεριφορά των αερίων είναι περισσότερο απλή και ομοιόμορφη από τη συμπεριφορά των υγρών και των στερεών. Σε αντίθεση

Διαβάστε περισσότερα

Οργανική Χημεία. Κεφάλαια 12 &13: Φασματοσκοπία μαζών και υπερύθρου

Οργανική Χημεία. Κεφάλαια 12 &13: Φασματοσκοπία μαζών και υπερύθρου Οργανική Χημεία Κεφάλαια 12 &13: Φασματοσκοπία μαζών και υπερύθρου 1. Γενικά Δυνατότητα προσδιορισμού δομών με σαφήνεια χρησιμοποιώντας τεχνικές φασματοσκοπίας Φασματοσκοπία μαζών Μέγεθος, μοριακός τύπος

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονικά υλικά. Ηλεκτρική αγωγιµότητα στερεού είναι η ευκολία, µε την οποία άγει το ηλεκτρικό ρεύµα.

Ηλεκτρονικά υλικά. Ηλεκτρική αγωγιµότητα στερεού είναι η ευκολία, µε την οποία άγει το ηλεκτρικό ρεύµα. Ηλεκτρονικά υλικά ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΑΓΩΓΙΜΟΤΗΤΑ ΣΤΑ ΥΛΙΚΑ Ηλεκτρική αγωγιµότητα στερεού είναι η ευκολία, µε την οποία άγει το ηλεκτρικό ρεύµα. ιάκριση υλικών µε βάση τον τρόπο µεταβολής της ηλεκτρικής αγωγιµότητας

Διαβάστε περισσότερα

α. Όταν από έναν αντιστάτη διέρχεται ηλεκτρικό ρεύμα, η θερμοκρασία του αυξάνεται Η αύξηση αυτή συνδέεται με αύξηση της θερμικής ενέργειας

α. Όταν από έναν αντιστάτη διέρχεται ηλεκτρικό ρεύμα, η θερμοκρασία του αυξάνεται Η αύξηση αυτή συνδέεται με αύξηση της θερμικής ενέργειας 1 3 ο κεφάλαιο : Απαντήσεις των ασκήσεων Χρησιμοποίησε και εφάρμοσε τις έννοιες που έμαθες: 1. Συμπλήρωσε τις λέξεις που λείπουν από το παρακάτω κείμενο, έτσι ώστε οι προτάσεις που προκύπτουν να είναι

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. 12. ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)-Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ ιαφάνεια 1 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. Αρχή

Διαβάστε περισσότερα

Οι ταλαντώσεις των οποίων το πλάτος ελαττώνεται με το χρόνο και τελικά μηδενίζονται λέγονται φθίνουσες

Οι ταλαντώσεις των οποίων το πλάτος ελαττώνεται με το χρόνο και τελικά μηδενίζονται λέγονται φθίνουσες ΦΘΙΝΟΥΣΕΣ ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΙΣ Φθίνουσες μηχανικές ταλαντώσεις Οι ταλαντώσεις των οποίων το πλάτος ελαττώνεται με το χρόνο και τελικά μηδενίζονται λέγονται φθίνουσες ταλαντώσεις. Η ελάττωση του πλάτους (απόσβεση)

Διαβάστε περισσότερα

( ) = ( ) Ηλεκτρική Ισχύς. p t V I t t. cos cos 1 cos cos 2. p t V I t. το στιγμιαίο ρεύμα: όμως: Άρα θα είναι: Επειδή όμως: θα είναι τελικά:

( ) = ( ) Ηλεκτρική Ισχύς. p t V I t t. cos cos 1 cos cos 2. p t V I t. το στιγμιαίο ρεύμα: όμως: Άρα θα είναι: Επειδή όμως: θα είναι τελικά: Η στιγμιαία ηλεκτρική ισχύς σε οποιοδήποτε σημείο ενός κυκλώματος υπολογίζεται ως το γινόμενο της στιγμιαίας τάσης επί το στιγμιαίο ρεύμα: Σε ένα εναλλασσόμενο σύστημα τάσεων και ρευμάτων θα έχουμε όμως:

Διαβάστε περισσότερα

Σταθµοί ηλεκτροπαραγωγής συνδυασµένου κύκλου µε ενσωµατωµένη αεριοποίηση άνθρακα (IGCC) ρ. Αντώνιος Τουρλιδάκης Καθηγητής Τµ. Μηχανολόγων Μηχανικών, Πανεπιστήµιο υτικής Μακεδονίας 1 ιαδικασίες, σχήµατα

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΣΤ 30 ΕΡΩΤΗΣΕΩΝ ΓΝΩΣΤΙΚΟΥ ΧΗΜΕΙΑΣ

ΤΕΣΤ 30 ΕΡΩΤΗΣΕΩΝ ΓΝΩΣΤΙΚΟΥ ΧΗΜΕΙΑΣ ΤΕΣΤ 30 ΕΡΩΤΗΣΕΩΝ ΓΝΩΣΤΙΚΟΥ ΧΗΜΕΙΑΣ ο αριθμός Avogadro, N A, L = 6,022 10 23 mol -1 η σταθερά Faraday, F = 96 487 C mol -1 σταθερά αερίων R = 8,314 510 (70) J K -1 mol -1 = 0,082 L atm mol -1 K -1 μοριακός

Διαβάστε περισσότερα

ΜΕΘΟ ΟΙ ΣΚΛΗΡΥΝΣΗΣ ΜΕΤΑΛΛΙΚΩΝ ΥΛΙΚΩΝ

ΜΕΘΟ ΟΙ ΣΚΛΗΡΥΝΣΗΣ ΜΕΤΑΛΛΙΚΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΜΕΘΟ ΟΙ ΣΚΛΗΡΥΝΣΗΣ ΜΕΤΑΛΛΙΚΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΓΕΝΙΚΑ ΟΡΙΣΜΟΣ Σκλήρυνση µεταλλικού υλικού είναι η ισχυροποίησή του έναντι πλαστικής παραµόρφωσης και χαρακτηρίζεται από αύξηση της σκληρότητας, του ορίου διαρροής

Διαβάστε περισσότερα

Το Καφενείο της Επιστήμης (5 ος κύκλος) Ίδρυμα Ευγενίδου, Γαλλικό Ινστιτούτο, Βρετανικό Συμβούλιο

Το Καφενείο της Επιστήμης (5 ος κύκλος) Ίδρυμα Ευγενίδου, Γαλλικό Ινστιτούτο, Βρετανικό Συμβούλιο Το Καφενείο της Επιστήμης (5 ος κύκλος) «Η Φωτοχημεία στην υπηρεσία της προστασίας του περιβάλλοντος: Νέα Φωτοβολταϊκά Συστήματα με χρήση καινοτόμων νανο-υλικών» Οικονομόπουλος Σόλων Ινστιτούτο Θεωρητικής

Διαβάστε περισσότερα

Μελέτη Λεπτών Υµενίων MgCl2 Πάνω Στην Αναδοµηµένη Επιφάνεια Si(111)7x7 Με Επιφανειακά Ευαίσθητες Τεχνικές

Μελέτη Λεπτών Υµενίων MgCl2 Πάνω Στην Αναδοµηµένη Επιφάνεια Si(111)7x7 Με Επιφανειακά Ευαίσθητες Τεχνικές UNIVERSITY of PATRAS Μελέτη Λεπτών Υµενίων MgCl2 Πάνω Στην Αναδοµηµένη Επιφάνεια Si(111)7x7 Με Επιφανειακά Ευαίσθητες Τεχνικές ιπλωµατική εργασία ΣΥΚΑΡΗ ΒΙΟΛΕΤΑ Επιβλέπων καθηγητής ΛΑ ΑΣ ΣΠΥΡΙ ΩΝ ΠΑΤΡΑ

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 8 (ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ) ΦΑΣΜΑΤΟΦΩΤΟΜΕΤΡΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 8 (ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ) ΦΑΣΜΑΤΟΦΩΤΟΜΕΤΡΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 8 (ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ) ΦΑΣΜΑΤΟΦΩΤΟΜΕΤΡΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ Με τον όρο αυτό ονοµάζουµε την τεχνική ποιοτικής και ποσοτικής ανάλυσης ουσιών µε βάση το µήκος κύµατος και το ποσοστό απορρόφησης της ακτινοβολίας

Διαβάστε περισσότερα

ΕΣΩΤΕΡΙΚΗ ΕΝΕΡΓΕΙΑ Μηχανική ενέργεια Εσωτερική ενέργεια:

ΕΣΩΤΕΡΙΚΗ ΕΝΕΡΓΕΙΑ Μηχανική ενέργεια Εσωτερική ενέργεια: ΕΣΩΤΕΡΙΚΗ ΕΝΕΡΓΕΙΑ Μηχανική ενέργεια (όπως ορίζεται στη μελέτη της μηχανικής τέτοιων σωμάτων): Η ενέργεια που οφείλεται σε αλληλεπιδράσεις και κινήσεις ολόκληρου του μακροσκοπικού σώματος, όπως η μετατόπιση

Διαβάστε περισσότερα

1 ο ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΘΕΤΙΚΗΣ-ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ

1 ο ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΘΕΤΙΚΗΣ-ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ο ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΦΥΣΙΗΣ ΘΕΤΙΗΣ-ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΗΣ ΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Γ ΛΥΕΙΟΥ Θέμα ο. ύλινδρος περιστρέφεται γύρω από άξονα που διέρχεται από το κέντρο μάζας του με γωνιακή ταχύτητα ω. Αν ο συγκεκριμένος κύλινδρος περιστρεφόταν

Διαβάστε περισσότερα

Course: Renewable Energy Sources

Course: Renewable Energy Sources Course: Renewable Energy Sources Interdisciplinary programme of postgraduate studies Environment & Development, National Technical University of Athens C.J. Koroneos (koroneos@aix.meng.auth.gr) G. Xydis

Διαβάστε περισσότερα

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΧΑΤΖΟΠΟΥΛΟΣ ΑΡΓΥΡΗΣ ΚΟΖΑΝΗ 2005 ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΥΜΒΟΛΙΣΜΟΙ Για τον καλύτερο προσδιορισµό των µεγεθών που χρησιµοποιούµε στις εξισώσεις, χρησιµοποιούµε τους παρακάτω συµβολισµούς

Διαβάστε περισσότερα

Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only. ΑΣΚΗΣΗ ΜΕΤΡΗΣΗ ΤΗΣ ΕΙΔΙΚΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΥΓΡΟΥ

Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only. ΑΣΚΗΣΗ ΜΕΤΡΗΣΗ ΤΗΣ ΕΙΔΙΚΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΥΓΡΟΥ ΑΣΚΗΣΗ 13 ΜΕΤΡΗΣΗ ΤΗΣ ΕΙΔΙΚΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΥΓΡΟΥ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ ΒΑΣΙΚΕΣ ΘΕΩΡΗΤΙΚΕΣ ΓΝΩΣΕΙΣ 1.1. Εσωτερική ενέργεια Γνωρίζουμε ότι τα μόρια των αερίων κινούνται άτακτα και προς όλες τις διευθύνσεις με ταχύτητες,

Διαβάστε περισσότερα

Πίνακας 1. Πίνακας προτεινόμενων πτυχιακών εργασιών για το χειμερινό εξάμηνο 2012-13. Αριθμός σπουδαστών

Πίνακας 1. Πίνακας προτεινόμενων πτυχιακών εργασιών για το χειμερινό εξάμηνο 2012-13. Αριθμός σπουδαστών Πίνακας. Πίνακας προτεινόμενων πτυχιακών εργασιών για το χειμερινό εξάμηνο 0-3 ΤΜΗΜΑ: ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ Α/Α Τίτλος θέματος Μέλος Ε.Π Σύντομη περιγραφή Διακόπτες δικτύων ισχύος 3 4 5 Μηχανικά χαρακτηριστικά

Διαβάστε περισσότερα

HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα

HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Συνοπτική παρουσίαση της δομής και λειτουργίας του MOS τρανζίστορ Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Η δομή του τρανζίστορ Όπως ξέρετε υπάρχουν

Διαβάστε περισσότερα

Q=Ne. Συνοπτική Θεωρία Φυσικής Γ Γυμνασίου. Q ολ(πριν) = Q ολ(μετά) Η αποτελεσματική μάθηση δεν θέλει κόπο αλλά τρόπο, δηλαδή ma8eno.

Q=Ne. Συνοπτική Θεωρία Φυσικής Γ Γυμνασίου. Q ολ(πριν) = Q ολ(μετά) Η αποτελεσματική μάθηση δεν θέλει κόπο αλλά τρόπο, δηλαδή ma8eno. Web page: www.ma8eno.gr e-mail: vrentzou@ma8eno.gr Η αποτελεσματική μάθηση δεν θέλει κόπο αλλά τρόπο, δηλαδή ma8eno.gr Συνοπτική Θεωρία Φυσικής Γ Γυμνασίου Κβάντωση ηλεκτρικού φορτίου ( q ) Q=Ne Ολικό

Διαβάστε περισσότερα

Νέα Οπτικά Μικροσκόπια

Νέα Οπτικά Μικροσκόπια Νέα Οπτικά Μικροσκόπια Αντίθεση εικόνας (contrast) Αντίθεση πλάτους Αντίθεση φάσης Αντίθεση εικόνας =100 x (Ι υποβ -Ι δειγμα )/ Ι υποβ Μικροσκοπία φθορισμού (Χρησιμοποιεί φθορίζουσες χρωστικές για το

Διαβάστε περισσότερα

Σχέσεις εδάφους νερού Σχέσεις μάζας όγκου των συστατικών του εδάφους Εδαφική ή υγρασία, τρόποι έκφρασης

Σχέσεις εδάφους νερού Σχέσεις μάζας όγκου των συστατικών του εδάφους Εδαφική ή υγρασία, τρόποι έκφρασης Γεωργική Υδραυλική Αρδεύσεις Σ. Αλεξανδρής Περιγραφή Μαθήματος Σχέσεις εδάφους νερού Σχέσεις μάζας όγκου των συστατικών του εδάφους Εδαφική ή υγρασία, τρόποι έκφρασης Χαρακτηριστική Χ ή καμπύλη υγρασίας

Διαβάστε περισσότερα

1.3 Δομικά σωματίδια της ύλης - Δομή ατόμου - Ατομικός αριθμός - Μαζικός αριθμός - Ισότοπα

1.3 Δομικά σωματίδια της ύλης - Δομή ατόμου - Ατομικός αριθμός - Μαζικός αριθμός - Ισότοπα 1.3 Δομικά σωματίδια της ύλης - Δομή ατόμου - Ατομικός αριθμός - Μαζικός αριθμός - Ισότοπα Θεωρία 3.1. Ποια είναι τα δομικά σωματίδια της ύλης; Τα άτομα, τα μόρια και τα ιόντα. 3.2. SOS Τι ονομάζεται άτομο

Διαβάστε περισσότερα

ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ. Για τις παρακάτω ερωτήσεις 1-4 να γράψετε στο τετράδιο σας τον αριθµό της ερώτησης και το γράµµα που αντιστοιχεί στην σωστή απάντηση

ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ. Για τις παρακάτω ερωτήσεις 1-4 να γράψετε στο τετράδιο σας τον αριθµό της ερώτησης και το γράµµα που αντιστοιχεί στην σωστή απάντηση B' ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΦΥΣΙΚΗ ΖΗΤΗΜΑ 1 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ Για τις παρακάτω ερωτήσεις 1-4 να γράψετε στο τετράδιο σας τον αριθµό της ερώτησης και το γράµµα που αντιστοιχεί στην σωστή απάντηση

Διαβάστε περισσότερα

Προηγμένες Τεχνολογίες Εξοικονόμησης Ενέργειας και Μείωσης Απωλειών Σε Συστήματα Μεταβλητής Ροής Ψυκτικού Μέσου

Προηγμένες Τεχνολογίες Εξοικονόμησης Ενέργειας και Μείωσης Απωλειών Σε Συστήματα Μεταβλητής Ροής Ψυκτικού Μέσου Προηγμένες Τεχνολογίες Εξοικονόμησης Ενέργειας και Μείωσης Απωλειών Σε Συστήματα Μεταβλητής Ροής Ψυκτικού Μέσου Eισαγωγή Λόγω των κλιματικών αλλαγών, η εξοικονόμηση ενέργειας έιναι πλέον ένα απο τα βασικά

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΙ. Να δίνετε τον ορισμό των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων αυτοματισμού.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΙ. Να δίνετε τον ορισμό των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων αυτοματισμού. Ενότητα 2.5 Κεφάλαιο 2 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΙ ΣΤΟΧΟΙ Μετά την ολοκλήρωση της ενότητας αυτής θα μπορείτε: Να δίνετε τον ορισμό των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων αυτοματισμού. Να αναγνωρίζετε βασικά ηλεκτρονικά

Διαβάστε περισσότερα

3 ο κεφάλαιο. καύσιμα και καύση

3 ο κεφάλαιο. καύσιμα και καύση 3 ο κεφάλαιο καύσιμα και καύση 1. Τι ονομάζουμε καύσιμο ; 122 Είναι διάφοροι τύποι υδρογονανθράκων ΗC ( υγρών ή αέριων ) που χρησιμοποιούνται από τις ΜΕΚ για την παραγωγή έργου κίνησης. Το καλύτερο καύσιμο

Διαβάστε περισσότερα

Κατηγορίες και Βασικές Ιδιότητες Θερμοστοιχείων.

Κατηγορίες και Βασικές Ιδιότητες Θερμοστοιχείων. Κεφάλαιο 3 Κατηγορίες και Βασικές Ιδιότητες Θερμοστοιχείων. Υπάρχουν διάφοροι τύποι μετατροπέων για τη μέτρηση θερμοκρασίας. Οι βασικότεροι από αυτούς είναι τα θερμόμετρα διαστολής, τα θερμοζεύγη, οι μετατροπείς

Διαβάστε περισσότερα

Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΤΙΚΗΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΤΙΚΗΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ε π α ν α λ η π τ ι κ ά θ έ µ α τ α 0 0 5 Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΤΙΚΗΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ 1 ΘΕΜΑ 1 o Για τις ερωτήσεις 1 4, να γράψετε στο τετράδιο σας τον αριθµό της ερώτησης και δίπλα το γράµµα που

Διαβάστε περισσότερα

SUPER THERM ΘΕΩΡΙΑ ΜΕΤΑΔΟΣΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ

SUPER THERM ΘΕΩΡΙΑ ΜΕΤΑΔΟΣΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ Αυτό το σεμινάριο έχει απλώς ως στόχο να δώσει μερικά από τα βασικά της Θερμοδυναμικής, και πως σχετίζεται με τη μόνωση και με τη μόνωση με κεραμικά επιχρίσματα. Η θερμότητα μεταφέρεται με τους παρακάτω

Διαβάστε περισσότερα

Λαμπτήρες Μαγνητικής Επαγωγής

Λαμπτήρες Μαγνητικής Επαγωγής Φωτισμός οδοποιίας, πάρκων, πλατειών ΚΡΙΤΗΡΙΑ ΕΠΙΛΟΓΗΣ ΠΛΕΟΝΕΚΤΗΜΑΤΑ-ΜΕΙΟΝΕΚΤΗΜΑΤΑ ΦΩΤΙΣΤΙΚΩΝ ΔΙΑΤΑΞΕΩΝ ΜΑΓΝΗΤΙΚΗΣ ΕΠΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ LED Λαμπτήρες Μαγνητικής Επαγωγής Light Emitting Diodes LED Αρχή λειτουργίας

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2 ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΚΑΘΑΡΩΝ ΟΥΣΙΩΝ.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2 ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΚΑΘΑΡΩΝ ΟΥΣΙΩΝ. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2 ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΚΑΘΑΡΩΝ ΟΥΣΙΩΝ. 2.1 Η ΕΝΝΟΙΑ ΤΗΣ ΚΑΘΑΡΗΣ ΟΥΣΙΑΣ. Μια ουσία της οποίας η χημική σύσταση παραμένει σταθερή σε όλη της την έκταση ονομάζεται καθαρή ουσία. Δεν είναι υποχρεωτικό να

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 23 Ηλεκτρικό Δυναµικό. Copyright 2009 Pearson Education, Inc.

Κεφάλαιο 23 Ηλεκτρικό Δυναµικό. Copyright 2009 Pearson Education, Inc. Κεφάλαιο 23 Ηλεκτρικό Δυναµικό Διαφορά Δυναµικού-Δυναµική Ενέργεια Σχέση Ηλεκτρικού Πεδίου και Ηλεκτρικού Δυναµικού Ηλεκτρικό Δυναµικό Σηµειακών Φορτίων Δυναµικό Κατανοµής Φορτίων Ισοδυναµικές Επιφάνειες

Διαβάστε περισσότερα

Α.Τ.Ε.Ι. ΠΕΙΡΑΙΑ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Α.Τ.Ε.Ι. ΠΕΙΡΑΙΑ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ Α.Τ.Ε.Ι. ΠΕΙΡΑΙΑ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ Μελέτη φωτισμού συγκροτήματος γραφείων με τεχνολογία LED Επιβλέπων Καθηγητής: Ιωαννίδης Γεώργιος Σπουδαστής: Ζάρδας Δημήτριος Μάιος2014

Διαβάστε περισσότερα

Δρ. Ιωάννης Καλαμαράς, Διδάκτωρ Χημικός. Όλα τα Σωστό-Λάθος της τράπεζας θεμάτων για τη Χημεία Α Λυκείου

Δρ. Ιωάννης Καλαμαράς, Διδάκτωρ Χημικός. Όλα τα Σωστό-Λάθος της τράπεζας θεμάτων για τη Χημεία Α Λυκείου Όλα τα Σωστό-Λάθος της τράπεζας θεμάτων για τη Χημεία Α Λυκείου 1. Το ιόν του νατρίου, 11Νa +, προκύπτει όταν το άτομο του Na προσλαμβάνει ένα ηλεκτρόνιο. Λ, όταν αποβάλλει ένα ηλεκτρόνιο 2. Σε 2 mol NH3

Διαβάστε περισσότερα

ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΤΕΧΝΙΚΟΣ ΔΙΚΤΥΩΝ ΚΑΙ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ

ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΤΕΧΝΙΚΟΣ ΔΙΚΤΥΩΝ ΚΑΙ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΤΕΧΝΙΚΟΣ ΔΙΚΤΥΩΝ ΚΑΙ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΕΡΓΑΣΙΑ ΜΕ ΤΙΤΛΟ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΤΕΣ - CPU Μπακρατσάς Γιώργος geback007@yahoo.gr Δεκέμβριος, 2014 Περιεχόμενα ΕΙΣΑΓΩΓΗ... 3 ΙΣΤΟΡΙΚΗ ΑΝΑΔΡΟΜΗ... 4 ΧΡΟΝΟΛΟΓΙΕΣ

Διαβάστε περισσότερα

Στοιχεία κενού. Η μελέτη των επιφανειών γίνεται υπό συνθήκες υπερ υψηλού κενού (UHV) (P<10 9 Torr=1.3x10 12 atm )

Στοιχεία κενού. Η μελέτη των επιφανειών γίνεται υπό συνθήκες υπερ υψηλού κενού (UHV) (P<10 9 Torr=1.3x10 12 atm ) Στοιχεία κενού Η μελέτη των επιφανειών γίνεται υπό συνθήκες υπερ υψηλού κενού (UHV) (P

Διαβάστε περισσότερα

ΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΙΙ

ΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΙΙ ΣΧΟΛΗ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΜΕΤΑΛΛΕΙΩΝ ΜΕΤΑΛΛΟΥΡΓΩΝ ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΙΙ ΜΕΤΑΦΟΡΑ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΚΑΙ ΜΑΖΑΣ ΑΓΩΓΗ () Νυμφοδώρα Παπασιώπη Φαινόμενα Μεταφοράς ΙΙ. Μεταφορά Θερμότητας και Μάζας

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ - Λύσεις ασκήσεων στην ενότητα

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ - Λύσεις ασκήσεων στην ενότητα ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ - Λύσεις ασκήσεων στην ενότητα 1. Να αναφέρετε τρεις τεχνολογικούς τομείς στους οποίους χρησιμοποιούνται οι τελεστικοί ενισχυτές. Τρεις τεχνολογικοί τομείς που οι τελεστικοί ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

Βασικά πλεονεκτήματα του συστήματος

Βασικά πλεονεκτήματα του συστήματος Βασικά πλεονεκτήματα του συστήματος 1. Θέρμανση και δροσισμός: το σύστημα επαναπροσδιορίζεται διαρκώς, επιτυγχάνοντας έτσι τις καλύτερες συνθήκες σε όλες τις εποχές του χρόνου. 2. Καλύτερη θερμική άνεση:

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρική Ενέργεια. Ηλεκτρικό Ρεύμα

Ηλεκτρική Ενέργεια. Ηλεκτρικό Ρεύμα Ηλεκτρική Ενέργεια Σημαντικές ιδιότητες: Μετατροπή από/προς προς άλλες μορφές ενέργειας Μεταφορά σε μεγάλες αποστάσεις με μικρές απώλειες Σημαντικότερες εφαρμογές: Θέρμανση μέσου διάδοσης Μαγνητικό πεδίο

Διαβάστε περισσότερα

ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΤΗΣ ΜΕΤΑΔΟΣΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ

ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΤΗΣ ΜΕΤΑΔΟΣΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΤΗΣ ΜΕΤΑΔΟΣΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ Η επιστήμη της Θερμοδυναμικής (Thermodynamics) συσχετίζεται με το ποσό της μεταφερόμενης ενέργειας (έργου ή θερμότητας) από ένα σύστημα προς ένα

Διαβάστε περισσότερα

Micro & Nano ΣΗΜΕΙΑ ΕΝΔΙΑΦΕΡΟΝΤΟΣ ΤΟΥ ΤΕΥΧΟΥΣ. Γνωριμία με τη Micro & Nano. Παρουσίαση μελών της Micro & Nano

Micro & Nano ΣΗΜΕΙΑ ΕΝΔΙΑΦΕΡΟΝΤΟΣ ΤΟΥ ΤΕΥΧΟΥΣ. Γνωριμία με τη Micro & Nano. Παρουσίαση μελών της Micro & Nano ΤΕΥΧΟΣ 1, ΑΠΡΙΛΙΟΣ 2010 13/04/2010 Σε αυτό το τεύχος: Μέλη της Micro & Nano 2 Σκοποί της Micro & Nano 3 IMΗΛ ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ 4 ΙΗΔΛ ΙΤΕ 5 ΔΙΚΤΥΟ ΠΡΑΞΗ 6 Micro & Nano ΣΗΜΕΙΑ ΕΝΔΙΑΦΕΡΟΝΤΟΣ ΤΟΥ ΤΕΥΧΟΥΣ Γνωριμία

Διαβάστε περισσότερα

ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ Α. και d B οι πυκνότητα του αερίου στις καταστάσεις Α και Β αντίστοιχα, τότε

ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ Α. και d B οι πυκνότητα του αερίου στις καταστάσεις Α και Β αντίστοιχα, τότε ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ Α Θέµα ο Στις ερωτήσεις -4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της ερώτησης και δίπλα το γράµµα που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση Σύµφωνα µε την κινητική θεωρία των ιδανικών αερίων, η πίεση

Διαβάστε περισσότερα

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2009

ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 2009 ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΑΝΩΤΕΡΗΣ ΚΑΙ ΑΝΩΤΑΤΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΠΑΓΚΥΠΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 9 Μάθημα: ΦΥΣΙΚΗ 4ωρο Τ.Σ. Ημερομηνία και ώρα εξέτασης: Τρίτη Ιουνίου 9 11. 14. ΤΟ

Διαβάστε περισσότερα

ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΚΑΤΕΡΓΑΣΙΩΝ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ

ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΚΑΤΕΡΓΑΣΙΩΝ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ 1 ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΚΑΤΕΡΓΑΣΙΩΝ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ «Μικρο-επεξεργασία λεπτού υμενίου μολυβδενίου (Μο) με laser για εφαρμογή στη φωτοβολταϊκή τεχνολογία»

Διαβάστε περισσότερα

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing).

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Κεφάλαιο 4 Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Οι ενδείξεις (τάσεις εξόδου) των θερμοζευγών τύπου Κ είναι δύσκολο να

Διαβάστε περισσότερα

Ατομική μονάδα μάζας (amu) ορίζεται ως το 1/12 της μάζας του ατόμου του άνθρακα 12 6 C.

Ατομική μονάδα μάζας (amu) ορίζεται ως το 1/12 της μάζας του ατόμου του άνθρακα 12 6 C. 4.1 Βασικές έννοιες Ατομική μονάδα μάζας (amu) ορίζεται ως το 1/12 της μάζας του ατόμου του άνθρακα 12 6 C. Σχετική ατομική μάζα ή ατομικό βάρος λέγεται ο αριθμός που δείχνει πόσες φορές είναι μεγαλύτερη

Διαβάστε περισσότερα

Κατασκευή ολοκληρωµένων κυκλωµάτων και Κανόνες Σχεδίασης

Κατασκευή ολοκληρωµένων κυκλωµάτων και Κανόνες Σχεδίασης 3 η Θεµατική Ενότητα : Κατασκευή ολοκληρωµένων κυκλωµάτων και Κανόνες Σχεδίασης Επιµέλεια διαφανειών:. Μπακάλης Κατασκευή δίσκου πυριτίου Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 2 Κατασκευή ολοκληρωµένων κυκλωµάτων

Διαβάστε περισσότερα

Φυσική Γ Γυμνασίου - Κεφάλαιο 3: Ηλεκτρική Ενέργεια. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: Ηλεκτρική Ενέργεια

Φυσική Γ Γυμνασίου - Κεφάλαιο 3: Ηλεκτρική Ενέργεια. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: Ηλεκτρική Ενέργεια ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: Ηλεκτρική Ενέργεια (παράγραφοι ά φ 3.1 31& 3.6) 36) Φυσική Γ Γυμνασίου Εισαγωγή Τα σπουδαιότερα χαρακτηριστικά της ηλεκτρικής ενέργειας είναι η εύκολη μεταφορά της σε μεγάλες αποστάσεις και

Διαβάστε περισσότερα

Φυσική σχεδίαση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

Φυσική σχεδίαση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων Φυσική σχεδίαση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων Βασικές έννοιες και τεχνικές Γιώργος Δημητρακόπουλος Δημοκριτειο Πανεπιστήμιο Θράκης Φθινόπωρο 2013 Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα 1 Τι χρειαζόμαστε για να φτιάξουμε

Διαβάστε περισσότερα

Η βιολογική κατάλυση παρουσιάζει παρουσιάζει ορισμένες ορισμένες ιδιαιτερότητες ιδιαιτερότητες σε

Η βιολογική κατάλυση παρουσιάζει παρουσιάζει ορισμένες ορισμένες ιδιαιτερότητες ιδιαιτερότητες σε Η βιολογική κατάλυση παρουσιάζει ορισμένες ιδιαιτερότητες σε σχέση με τη μη βιολογική που οφείλονται στη φύση των βιοκαταλυτών Οι ιδιαιτερότητες αυτές πρέπει να παίρνονται σοβαρά υπ όψη κατά το σχεδιασμό

Διαβάστε περισσότερα

ΦΥΣΙΚΗ Β ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧ/ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

ΦΥΣΙΚΗ Β ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧ/ΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΦΥΣΙΗ ΛΥΕΙΟΥ ΘΕΤΙΗΣ Ι ΤΕΧ/ΗΣ ΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΘΕΜ : Στις ερωτήσεις - να γράψετε στο φύλλο απαντήσεων τον αριθµό της ερώτησης και δίπλα το γράµµα που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση. Στις ερωτήσεις -5 να γράψετε

Διαβάστε περισσότερα

ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΜΙΚΡΟ ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΣΤΟ ΕΜΠ ΕΙΣΑΓΩΓΗ - ΓΕΝΙΚΑ ΠΑΡΑ ΕΙΓΜΑ ΜΙΚΡΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΣΤΟ ΕΜΠ ΠΑΡΑ ΕΙΓΜΑ ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΣΤΟ ΕΜΠ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΕΣ ΣΠΟΥ ΕΣ

ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΜΙΚΡΟ ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΣΤΟ ΕΜΠ ΕΙΣΑΓΩΓΗ - ΓΕΝΙΚΑ ΠΑΡΑ ΕΙΓΜΑ ΜΙΚΡΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΣΤΟ ΕΜΠ ΠΑΡΑ ΕΙΓΜΑ ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΣΤΟ ΕΜΠ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΕΣ ΣΠΟΥ ΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΜΙΚΡΟ ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΣΤΟ ΕΜΠ. ΤΣΟΥΚΑΛΑΣ, Αναπλ. Καθηγ., ΣΕΜΦΕ (dtsouk@central.ntua.gr). ΤΣΑΜΑΚΗΣ, Καθηγητής, ΣΗΜΜΜΥ (dtsamak@central.ntua.gr) Κ. ΧΑΡΙΤΙ ΗΣ, Αναπλ. Καθηγ., ΣΧΜ (charitidis@chemeng.ntua.gr)

Διαβάστε περισσότερα

Σχήμα Χαμηλοδιαβατά φίλτρα:

Σχήμα Χαμηλοδιαβατά φίλτρα: ΦΙΛΤΡΑ 6.. ΦΙΛΤΡΑ Το φίλτρο είναι ένα σύστημα του οποίου η απόκριση συχνότητας παίρνει σημαντικές τιμές μόνο για συγκεκριμένες ζώνες του άξονα συχνοτήτων. Στο Σχήμα 6.6 δείχνουμε την απόκριση συχνότητας

Διαβάστε περισσότερα

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου. ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής Επα φής Ι VLS Technology and omputer Archtecture Lab ιπολικό ΤρανζίστορΓ. Επαφής Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση

Διαβάστε περισσότερα

Ο ΡΟΛΟΣ ΤΩΝ ΒΙΟΓΕΝΩΝ ΠΤΗΤΙΚΩΝ ΟΡΓΑΝΙΚΩΝ ΕΝΩΣΕΩΝ ΣΤΗΝ ΑΤΜΟΣΦΑΙΡΙΚΗ ΡΥΠΑΝΣΗ ΣΤΗΝ ΕΥΡΩΠΗ. Ε. Χάσα, Σ. Ν. Πανδής

Ο ΡΟΛΟΣ ΤΩΝ ΒΙΟΓΕΝΩΝ ΠΤΗΤΙΚΩΝ ΟΡΓΑΝΙΚΩΝ ΕΝΩΣΕΩΝ ΣΤΗΝ ΑΤΜΟΣΦΑΙΡΙΚΗ ΡΥΠΑΝΣΗ ΣΤΗΝ ΕΥΡΩΠΗ. Ε. Χάσα, Σ. Ν. Πανδής Ο ΡΟΛΟΣ ΤΩΝ ΒΙΟΓΕΝΩΝ ΠΤΗΤΙΚΩΝ ΟΡΓΑΝΙΚΩΝ ΕΝΩΣΕΩΝ ΣΤΗΝ ΑΤΜΟΣΦΑΙΡΙΚΗ ΡΥΠΑΝΣΗ ΣΤΗΝ ΕΥΡΩΠΗ. Ε. Χάσα, Σ. Ν. Πανδής Τμήμα Χημικών Μηχανικών, Πανεπιστήμιο Πατρών, 26500 Πάτρα Ινστιτούτο Επιστημών Χημικής Μηχανικής,

Διαβάστε περισσότερα

Φωτοβολταϊκά συστήματα και σύστημα συμψηφισμού μετρήσεων (Net metering) στην Κύπρο

Φωτοβολταϊκά συστήματα και σύστημα συμψηφισμού μετρήσεων (Net metering) στην Κύπρο Ενεργειακό Γραφείο Κυπρίων Πολιτών Φωτοβολταϊκά συστήματα και σύστημα συμψηφισμού μετρήσεων (Net metering) στην Κύπρο Βασικότερα τμήματα ενός Φ/Β συστήματος Τα φωτοβολταϊκά (Φ/Β) συστήματα μετατρέπουν

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στην αεριοποίηση βιομάζας

Εισαγωγή στην αεριοποίηση βιομάζας ΕΘΝΙΚΟ ΚΕΝΤΡΟ ΕΡΕΥΝΑΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΑΝΑΠΤΥΞΗΣ ΙΝΣΤΙΤΟΥΤΟ ΧΗΜΙΚΩΝ ΔΙΕΡΓΑΣΙΩΝ & ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΩΝ ΠΟΡΩΝ Κεντρικό: 6 ο χλμ. oδού Χαριλάου-Θέρμης Τ.Θ. 60361 570 01 Θέρμη, Θεσσαλονίκη Τηλ.: 2310-498100 Fax: 2310-498180

Διαβάστε περισσότερα

ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ

ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΘΕΤΙΚΗ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΜΑ ο Α) Στις ερωτήσεις 4 να σημειώσετε την σωστή. ) Σώμα εκτελεί απλή αρμονική ταλάντωση. Η συνολική δύναμη που δέχεται: (α) είναι σταθερή.

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΡΜΙΚΗ ΑΠΟΔΟΣΗ ΤΟΙΧΟΥ TROMBE & ΤΟΙΧΟΥ ΜΑΖΑΣ ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΜΕΝΩΝ ΩΣ ΔΕΞΑΜΕΝΗ ΝΕΡΟΥ ΜΕ ΤΟΙΧΩΜΑΤΑ ΑΠΟ ΜΑΡΜΑΡΟ

ΘΕΡΜΙΚΗ ΑΠΟΔΟΣΗ ΤΟΙΧΟΥ TROMBE & ΤΟΙΧΟΥ ΜΑΖΑΣ ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΜΕΝΩΝ ΩΣ ΔΕΞΑΜΕΝΗ ΝΕΡΟΥ ΜΕ ΤΟΙΧΩΜΑΤΑ ΑΠΟ ΜΑΡΜΑΡΟ ΘΕΡΜΙΚΗ ΑΠΟΔΟΣΗ ΤΟΙΧΟΥ TROMBE & ΤΟΙΧΟΥ ΜΑΖΑΣ ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΜΕΝΩΝ ΩΣ ΔΕΞΑΜΕΝΗ ΝΕΡΟΥ ΜΕ ΤΟΙΧΩΜΑΤΑ ΑΠΟ ΜΑΡΜΑΡΟ Α1) ΓΕΝΙΚΗ ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ ΗΛΙΑΚΟΥ ΤΟΙΧΟΥ Ο ηλιακός τοίχος Trombe και ο ηλιακός τοίχος μάζας αποτελούν

Διαβάστε περισσότερα

Β' ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΦΥΣΙΚΗ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

Β' ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΦΥΣΙΚΗ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ 1 Β' ΛΥΚΕΙΟΥ ΘΕΤΙΚΗ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΦΥΣΙΚΗ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΘΕΜΑ Α Στις ερωτήσεις 1 έως 4 να γράψετε στο τετράδιο σας τον αριθµό της ερώτησης και δίπλα σε κάθε αριθµό το γράµµα που αντιστοιχεί στη σωστή

Διαβάστε περισσότερα