ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ"

Transcript

1 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΦΥΣΙΚΗΣ ( ΡΑΔΙΟΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ) ΒΑΡΝΑΒΙΔΟΥ Β. ΧΡΙΣΤΙΝΑ ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ Ανάλυση λειτουργίας βασικών ψηφιακών κυκλωμάτων για ανάπτυξη μοντέλων Επιβλέπων: ΝΙΚΟΛΑΪΔΗΣ ΣΠΥΡΙΔΩΝ.- Επίκουρος Καθηγητής Θεσσαλονίκη, Ιούλιος 009

2 Στους γονείς μου Βαρνάβα και Αγγελική

3 Aντί προλόγου Κεντρικό θέμα της διπλωματικής αυτής εργασίας αποτελεί η ανάπτυξη μαθηματικού μοντέλου για την περιγραφή της λειτουργίας του Νmos που οδηγεί ένα φορτίο R π-model, έτσι ώστε να είναι δυνατή η δημιουργία ενός προγράμματος προσομοίωσης των κυκλωμάτων αυτών, με μεγάλη ταχύτητα και αρκετά μεγάλη ακρίβεια. Στο σημείο αυτό, ολοκληρώνοντας αυτή την διπλωματική εργασία, θα ήθελα να ευχαριστήσω τον επιβλέποντα καθηγητή κ. Σπ. Νικολαϊδη επίκουρο καθηγητή του τμήματος Φυσικής του Αριστοτελείου Πανεπιστημίου Θεσσαλονίκης (Ραδιοηλεκτρολογίας) για την ανάθεση της, όπως επίσης και για την πολύτιμη βοήθεια που μου προσέφερε, με τις καίριες και ουσιαστικές παρατηρήσεις πάνω σε διάφορα ζητήματα που προέκυψαν στην πορεία.

4 Περίληψη ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ Κεφάλαιο : Εισαγωγή...Σελ.7 Κεφάλαιο : Ανάλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος..σελ.9. Εισαγωγή..Σελ.5. Φαινόμενο κορεσμού...σελ.9.3 Μελέτη της λειτουργίας του κυκλώματος, όταν εφαρμοστεί αύξουσα ράμπα στην πύλη του Νmos. Σελ..3. Μελέτη της εξίσωσης εισόδου και της απόκρισης του τρανζίστορ σε αυτήν..σελ.8.3. Μελέτη της εξίσωσης εξόδου του Νmos τρανζίστορ Σελ.8.33 Η τάση κατωφλίου του Νmos τρανζίστορ και η επιρροή που υφίσταται από την πόλωση του υποστρώματος Σελ Έκφραση του V TN συναρτήσει του V s Σελ.8.4 Aνάλυση της λειτουργίας του κυκλώματος.. Σελ.8.5 Μοντελοποίηση της λειτουργίας του κυκλώματος..σελ.8.5. Οι εξισώσεις που περιγράφουν τη λειτουργία του κυκλώματος..σελ.5. Οι εξισώσεις που περιγράφουν τη λειτουργία του κυκλώματος για την περίπτωση της Slow put..σελ.8

5 .5.3 Οι εξισώσεις που περιγράφουν τη λειτουργία του κυκλώματος για την περίπτωση της Fast put Σελ.8 Κεφ. 3 : Aποτελέσματα..Σελ 8 Κεφ. 4 : Συμπεράσματα.Σελ 8 Κεφ. 5: Παράρτημα A Σελ.87 Βιβλιογραφία..,.. Σελ 8 Παράρτημα Α

6 6 Κεφάλαιο ο : Εισαγωγή Η παρούσα διπλωματική εργασία ασχολείται με το πρόβλημα της εκτίμησης της απόδοσης ενός Νmos τρανζίστορ το οποίο οδηγεί φορτίο R π-model.to ευρέως αποδεκτό π-model, χρησιμοποιείται για την αναπαράσταση μιας γραμμής διασύνδεσης που οδηγείται από ένα ΜΟS τρανζίστορ. Αναπτύχθηκαν απλά και αρκετά ακριβή μαθηματικά μοντέλα, τα οποία θα περιγράφουν όσο το δυνατόν πιο αποτελεσματικά τη λειτουργία του. Εφόσον αυτό το απλό αυτό ψηφιακό κύκλωμα είναι κύριο κομμάτι των ψηφιακών κυκλωμάτων, όσο πιο απλή και γρήγορη είναι η μελέτη της συμπεριφοράς του, τόσο πιο εύκολη και γρήγορη θα είναι στη συνέχεια η προσομοίωση μεγάλων ψηφιακών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Επιπλέον, τα προγράμματα άμεσης προσομοίωσης, όπως το SPE, ενώ λαμβάνουν υπ όψιν όλες τις παραμέτρους που είναι δυνατόν να επηρεάζουν την απόκριση ενός απλού ψηφιακού κυκλώματος, οδηγούν σε πολύπλοκα μαθηματικά μοντέλα, τα οποία δεν επιλύονται εύκολα. Οι παραπάνω λόγοι, αποτέλεσαν κίνητρο για την επιδίωξη απλούστερων μοντέλων περιγραφής της συμπεριφοράς απλών ψηφιακών κυκλωμάτων. Για τη μελέτη του ΜΟS τρανζίστορ επιλέγουμε τη χρήση του α-power μοντέλου. Η κυματομορφή της εξόδου και το propagatio delay το οποίο υπολογίστηκε, υπολογίζονται αναλυτικά και συγκρίνονται με τις προσομοιώσεις μέσω SPE. Το αναλυτικό μοντέλο που προκύπτει, μέσω της λεπτομερούς μελέτης της λειτουργίας του MOS trasistor, δίνει ικανοποιητικά αποτελέσματα τα οποία είναι πολύ κοντά στις προσομοιώσεις μέσω SPE. Μελετήθηκαν δύο διαφορετικές περιπτώσεις : slow και fast iput ramps.

7 Για την κάθε περίπτωση της προσομοίωσης, το μοντέλο μελετά τις τέσσερεις (ή τρεις) περιοχές λειτουργίας του ΜΟS τρανζίστορ και λαμβάνει την κυματομορφή της τάσης εξόδου για την κάθε περιοχή. Οι προσομοιώσεις μέσω SPE και τα αναλυτικά αποτελέσματα, οι αναλυτικές εκφράσεις για την απόκριση της εξόδου σε μια iput ramp καθώς και το propagatio delay, ταιριάζουν και είναι πολύ κοντά, όσον αφορά τις τιμές τους για ένα μεγάλο φάσμα παραμέτρων, εισόδων και στοιχείων των κυκλωμάτων.

8 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 8 Κεφάλαιο ο : Αναλυτική περιγραφή της λειτουργίας του κυκλώματος. Εισαγωγή Εικόνα.. N-mos drivig the p-model of a R load Θα μελετηθεί η λειτουργία του κυκλώματος που φαίνεται στην εικόνα. Η χωρητικότητα της εξόδου μοντελοποιεί τη χωρητικότητα της πύλης του επόμενου ψηφιακού κυκλώματος. Ο κόμβος 4 ορίζεται στη λογική 0 ή και μια ράμπα τάσης εισόδου εφαρμόζεται στην πύλη του κυκλώματος αυτού, δηλαδή στον κόμβο 3. Συνεπώς το τρανζίστορ θα εκφορτίσει ή θα φορτίσει την χωρητικότητα εξόδου αντίστοιχα. Θα θεωρήσουμε τη δεύτερη περίπτωση, που η χωρητικότητα εξόδου φορτίζεται μέσω του Nmos. Αρχικά δηλαδή θεωρείται αφόρτιστη, και ο κόμβος 4 ορίζεται στο λογικό.

9 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 9 Το ρεύμα φόρτισης ρέει μέσω του τρανζίστορ από τον κόμβο 4 προς τον κόμβο, οπότε ο κόμβος είναι η πηγή του τρανζίστορ. Στο κύκλωμα αυτό, όταν άγει το τρανζίστορ, λειτουργεί πάντα στον κόρο αφού V ds V gs - V TN ( V d V g V TN V dd V i - V TN ) Για την περιγραφή του ρεύματος του τρανζίστορ, χρησιμοποιήθηκε το a-power μοντέλο, το οποίο λαμβάνει υπ όψιν του το φαινόμενο κορεσμού της ταχύτητας των φορέων. Οι εξισώσεις που περιγράφουν τη συμπεριφορά του MOS a-power τρανζίστορ στις τρεις περιοχές λειτουργίας (αποκοπή, γραμμική, κόρο) δεν είναι πρώτης τάξης, αλλά είναι υψωμένες γενικά στη δύναμη a. Το μοντέλο αυτό προτάθηκε από τους Sakurai και Newto και θεωρείται το πιο αξιόπιστο για τρανζίστορ με μικρό μήκος καναλιού, μικρότερο του ενός μικρομέτρου, όπως είναι αυτό που θα μελετήσουμε σε αυτή την εργασία (0.3μm). Ταυτόχρονα παραμένει απλό και προσφέρεται για την ανάπτυξη αναλυτικών μοντέλων.. Φαινόμενο κορεσμού Σε τρανζίστορ με μεγάλο μήκος καναλιού (>μm), η ταχύτητα των φορέων είναι ανάλογη του ηλεκτρικού πεδίου. Η κινητικότητα δηλαδή των φορέων είναι σταθερή. Όταν όμως η ένταση του ηλεκτρικού πεδίου φθάσει μια κρίσιμη τιμή Ε sat, παρατηρείται κορεσμός της ταχύτητας των φορέων. Σε τρανζίστορ με μικρό μήκος καναλιού (<μm), ακόμα και ελάχιστη τάση μεταξύ υποδοχής πηγής είναι επαρκής για να προκαλέσει κορεσμό της ταχύτητας των φορέων. Συνέπεια αυτού του φαινομένου είναι ότι στην περιοχή κόρου το ρεύμα υποδοχής, τείνει να γίνει ανάλογο της τάσης V gs - V TN, όσο το μήκος του καναλιού μικραίνει. Κατά ακρίβεια, το ρεύμα υποδοχής στην περιοχή κόρου είναι ανάλογο της τάσης V gs - V TN υψωμένης σε έναν εκθέτη a του οποίου η τιμή κινείται από την τιμή (για μεγάλο μήκος καναλιού) προς την τιμή με την αύξηση του φαινομένου κορεσμού της ταχύτητας των φορέων.

10 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 0 Για μήκος καναλιού κοντά στο μm. < α <.4, ενώ για πολύ μικρά μήκη καναλιού (<0.5μm) η τιμή του α είναι περίπου.λόγω του φαινομένου αυτού, στο κύκλωμα που θα μελετήσουμε θα χρησιμοποιήσουμε το a-power μοντέλο..3 Μελέτη της λειτουργίας του κυκλώματος όταν εφαρμοστεί αύξουσα ράμπα στην πύλη του Nmos Τα τρανζίστορ περάσματος αποτελούν όπως αναφέρθηκε κύριο στοιχείο των ψηφιακών κυκλωμάτων. Στην περίπτωση που μελετούμε το στοιχείο αυτό σε ένα κύκλωμα θεωρούμε ότι στην πύλη του η τάση που εφαρμόζεται είναι μια ράμπα που ακαριαία περνά από την τιμή 0 (λογικό 0 ) στην τιμή V dd (λογικό ). Οπότε οι δύο πιθανές διαδικασίες που θα εκτελεστούν υπό τις συνθήκες αυτές είναι η μεταφορά του λογικού, που ισοδυναμεί με φόρτιση της χωρητικότητας εξόδου στο λογικά υψηλό επίπεδο, και η μεταφορά του λογικού 0 που ισοδυναμεί με εκφόρτιση της χωρητικότητας εξόδου στο λογικά χαμηλό επίπεδο..3. Μελέτη της εξίσωσης εισόδου και της απόκρισης του τρανζίστορ σε αυτήν Το μοντέλο που θα μελετήσουμε είναι ένα τρανζίστορ Νmos στην πύλη του οποίου εφαρμόζεται τάση υπό μορφή ράμπας με χρόνο μετάβασης τ. Καθώς η τάση στην είσοδο V i = (V dd / τ) t αυξάνεται προς την τελική τιμή της V dd για t = τ, η τάση V (ή V out ) (κόμβος ), αυξάνεται και αυτή με ρυθμό ο οποίος είναι περίπου ίδιος με το ρυθμό αύξησης της τάσης εισόδου V i. Δηλαδή με άλλα λόγια, ο πυκνωτής ήταν αρχικά αφόρτιστος και φορτίζεται, εφόσον η τάση στον κόμβο είναι μηδενική ενώ στον κόμβο 4 είναι ίση με V dd. Tο δυναμικό του κόμβου 4 είναι υψηλότερο από αυτό του κόμβου με αποτέλεσμα να παρατηρείται ροή ρεύματος με φορά από τον κόμβο 4 στον. Με τον ίδιο ακριβώς ρυθμό αυξάνεται και η τάση στην πηγή του Nmos (κόμβος ). Ο πυκνωτής s φορτίζεται και αυτός με τον ίδιο ρυθμό φόρτισης του πυκνωτή όπως φαίνεται από τα διαγράμματα που λαμβάνουμε προσομοιώνοντας το κύκλωμα στο HSPE. H κυματομορφή του ρεύματος που το διαρρέει έχει ακριβώς την ίδια μορφή με αυτήν που διαρρέει τον πυκνωτή. Ανάλογα με την τιμή της αντίστασης R

11 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος μεταβάλλεται η μέγιστη τιμή του Ι m, ή Ι p (ανάλογα με την περίπτωση fast ή slow αντίστοιχα). Παρατηρούμε από τα διαγράμματα ότι οι τάσεις V (ή V οut ) και V S είναι σχεδόν ίσες κάθε χρονική στιγμή, ανάλογα με την τιμή της αντίστασης R. Δηλαδή η προσθήκη της αντίστασης R στο αρχικό Nmos περάσματος δεν επηρεάζει ιδιαίτερα την απόκριση του κυκλώματος. Ως περίπτωση slow iput, όπως φαίνεται και από το σχήμα., θεωρούμε την περίπτωση όπου το ρεύμα Ι οut που διαρρέει το φορτίο, αυξάνεται γραμμικά μέχρι να πάρει μια μέγιστη τιμή τη Ι p, η οποία μένει σταθερή για κάποιο χρονικό διάστημα δημιουργώντας πλατώ, και στη συνέχεια ελαττώνεται εκθετικά μέχρι να μηδενιστεί. Σχήμα. Περίπτωση SOW NPUT Ενώ ως περίπτωση fast iput, όπως φαίνεται και από το σχήμα.3 θεωρούμε την περίπτωση όπου το ρεύμα Ι οut που διαρρέει το φορτίο, αυξάνεται σχεδόν γραμμικά μέχρι

12 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος να πάρει μια μέγιστη τιμή τη Ι m, και στη συνέχεια ελαττώνεται εκθετικά μέχρι να μηδενιστεί. Σχήμα.3 Περίπτωση FAST NPUT Στο κύκλωμα που θα μελετήσουμε, το Νmos, έχει μήκος καναλιού = 0.3μm, και στην πύλη του εφαρμόζεται τάση υπό μορφή ράμπας με χρόνο μετάβασης τ. Η περίπτωση αυτή είναι πιθανότερο να συμβεί αφού η ακαριαία μετάβαση στο χρόνο είναι ιδανική κατάσταση που σπάνια ισχύει. Οπότε η είσοδος που εφαρμόζεται στο κύκλωμα φαίνεται στο σχήμα.4 και δίνεται από τη σχέση: 0, t 0 V V i = dd t, τ V dd 0 < t τ (.) t > τ Εφαρμόζουμε στην πύλη του τρανζίστορ την τάση που δίνεται από τη παραπάνω σχέση, ενώ στον κόμβο 4 τάση ίση με V dd.οι πυκνωτές στην έξοδο, καθώς και ο S στην πηγή του τρανζίστορ, θεωρούμε ότι είναι αφόρτιστοι.

13 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 3 Σχήμα.4 Βηματική είσοδος (iput ramp) με χρόνο ανόδου τ. Όσο η V i είναι ίση με V i = 0 το ρεύμα είναι μηδέν, δηλαδή το τρανζίστορ είναι σε αποκοπή. Η κατάσταση αυτή θα ισχύει μέχρις ότου η εφαρμοζόμενη τάση στην πύλη, ξεπεράσει την τάση κατωφλίου δηλαδή V i > V ΤΝ, οπότε το τρανζίστορ αρχίζει να άγει, φορτίζοντας τον πυκνωτή προς την τιμή V dd. Πρέπει βέβαια να σημειωθεί, ότι κατά τη διάρκεια της φόρτισης το τρανζίστορ βρίσκεται σε κατάσταση κόρου καθώς ισχύει V gs - V TN > V DS...3. Μελέτη της εξίσωσης εξόδου του MOS τρανζίστορ Σχήμα.5 Χαρακτηριστικές καμπύλες Ι-V MOS τρανζίστορ Σύμφωνα με το μοντέλο a-power το οποίο θα χρησιμοποιήσουμε στη μελέτη μας, οι εξισώσεις του ρεύματος υποδοχής για κάθε περιοχή λειτουργίας έχουν ως εξής:

14 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 4 0 V gs V TN : Περιοχή αποκοπής D = k l (V gs - V TN ) α/ V DS V DS < V DSAT : Γραμμική περιοχή (.) k s (V gs - V TN ) α V DS V DSAT : Περιοχή κόρου όπου V DSAT : η τάση κόρου υποδοχής k l, k s α : οι παράμετροι διαγωγιμότητας που εξαρτώνται από το λόγο του πλάτους προς το μήκος του τρανζίστορ : o δείκτης κορεσμού της ταχύτητας των φορέων V TN : η τάση κατωφλίου Στο παραπάνω σχήμα.5 δίνονται οι χαρακτηριστικές καμπύλες -V για το MOS τρανζίστορ. Οι καμπύλες αντιστοιχούν στα αποτελέσματα προσομοίωσης με Hspice level 49. Οι τιμές των παραμέτρων α και k s, εφόσον το τρανζίστορ λειτουργεί μόνο στην περιοχή κόρου,εξάγονται από τις μετρήσεις επί των χαρακτηριστικών καμπυλών ή από τα γεωμετρικά χαρακτηριστικά του τρανζίστορ (η k s ) ως εξής: Επιλέγονται πέντε σημεία στις χαρακτηριστικές του σχήματος.5 στα οποία μετρώνται οι τάσεις V gs και τα ρεύματα D. Εφαρμόζοντας τη σχέση που δίνει το ρεύμα διαρρέει το τρανζίστορ Ι D = k s (V gs - V TN ) α για καθένα από τα σημεία, και υπολογίζοντας το μέσο όρο αυτών, προκύπτει μετά από πράξεις: k s = D ( V V gs TN ) a Δηλαδή οη τιμή του ks θα δίνεται από τη σχέση: ks + k a s + k B s + k G s + k D se ks = (.3) 5

15 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 5 Ένας δεύτερος τρόπος με το οποίο μπορούμε να υπολογίσουμε το k s, είναι από την εφαρμογή του μαθηματικού τύπου k s = μ ox W/. όπου μ είναι η ενεργή κινητικότητα των φορέων στο κανάλι W το πλάτος του καναλιού το μήκος του καναλιού ox η χωρητικότητα πύλης -οξειδίου Για τον δείκτη κορεσμού της ταχύτητας των φορέων α επιλέγονται δύο σημεία στις χαρακτηριστικές, έστω τα Α και Β του σχήματος.5, στα οποία μετρώνται οι τάσεις V gs και τα ρεύματα D. Εφαρμόζοντας τη σχέση που δίνει το ρεύμα D για καθένα από τα δύο σημεία Α και Β προκύπτει μετά από πράξεις: a = log log( D / ) A DB ( V V )/( V V ) gsa TN gsb TN (.4) Από τις παραπάνω εξισώσεις, εύκολα μπορεί να διαπιστωθεί, ότι το ρεύμα υποδοχής επηρεάζεται από κάποια αλλαγή στο χρόνο μετάβασης τ της ράμπας εισόδου ή στο πλάτος W του καναλιού του τρανζίστορ. Η αύξηση του χρόνου τ έχει ως συνέπεια η τάση πύλης - πηγής V GS να αυξάνεται με μικρό ρυθμό και έτσι να ανοίγει πιο αργά το κανάλι του τρανζίστορ, οπότε το ρεύμα λαμβάνει σε μεγαλύτερο χρονικό διάστημα τη μέγιστη τιμή του η οποία είναι μικρότερη σε σχέση με αυτή που αντιστοιχεί σε μικρότερο τ..3.3 Η τάση κατωφλίου του MOS τρανζίστορ και η επιρροή που υφίσταται από την πόλωση του υποστρώματος Η τάση κατωφλίου V TN του MOS τρανζίστορ θα ήταν ίση με V TO αν η πόλωση του υποστρώματος ήταν μηδενική. Λόγω όμως του φαινομένου της πόλωσης του υποστρώματος η τιμή της τάσης κατωφλίου μεταβάλλεται. Μια ανάστροφη πόλωση που εφαρμόζεται μεταξύ πηγής και υποστρώματος ελαττώνει την πυκνότητα ελεύθερων

16 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 6 φορέων στο κανάλι. Έτσι με την ανάστροφη πόλωση πηγής υποστρώματος η τάση κατωφλίου γίνεται θετικότερη. Δηλαδή V TN = γ ( φf + V SB φ F ) + VTO (.5) Οπότε ΔV TN = V TN V ΤΟ (.6) όπου: φ F : δυναμικό σώματος (bulk potetial) V SB : δυναμικό πηγής υποστρώματος V TO : τάση κατωφλίου για μηδενική πόλωση υποστρώματος γ : συντελεστής φαινομένου σώματος o οποίος δίνεται από τη σχέση Όπου γ = ε q N ε s : η ολική διηλεκτρική σταθερά του ημιαγωγού q : το φορτίο του ηλεκτρονίου Ν Α : η συγκέντρωση των δεκτών στον ημιαγωγό ox : η χωρητικότητα του διοξειδίου του πυριτίου s ox A (.7).3.4 Έκφραση του V TN συναρτήσει του V s Για να επιτύχουμε μια απλούστερη έκφραση για την τάση κατωφλίου, η οποία να χρησιμοποιηθεί εύκολα σε μαθηματική ανάλυση, την αναπτύσσουμε σε σειρά Ταylor ης Vdd V τάξης γύρω από το σημείο TO. Η τιμή αυτή της τάσης βρίσκεται στο μέσο των τιμών τάσεων που παίρνει η τάση V SB. Έτσι προκύπτει:

17 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 7 V TN (t) = d V s (t) + d (.8).4 Ανάλυση της λειτουργίας του κυκλώματος Θα μελετήσουμε τη λειτουργία του Nmos τρανζίστορ α δύναμης, το οποίο οδηγεί φορτίο R, όταν στον απαγωγό του (κόμβος 4),εφαρμοστεί τάση ίση με V dd.η χωρητικότητα θεωρείται αρχικά αφόρτιστη, και στην πύλη του εφαρμόζεται τάση υπό μορφή αύξουσας ράμπας με χρόνο μετάβασης τ..θα προσπαθήσουμε να την μοντελοποιήσουμε μαθηματικά. Η διαφορική εξίσωση η οποία περιγράφει τη φόρτιση της χωρητικότητας εξόδου είναι η εξής: ( V V ) dv a d i s dvs = ks ( Vi Vs VTN ) + gs s (.9) Στη μελέτη μας θα θεωρήσουμε για απλούστευση ότι = s. H παραπάνω εξίσωση δε μπορεί να λυθεί αναλυτικά εφόσον ο εκθέτης α έχει τιμή διαφορετική από το μηδέν. Έτσι κάνοντας κάποιες προσεγγίσεις για την κυματομορφή του ρεύματος στην έξοδο, η τάση στην έξοδο μπορεί να μοντελοποιηθεί με αρκετά μεγάλη ακρίβεια. Όπου gs είναι η παρασιτική χωρητικότητα πύλης πηγής του τρανζίστορ, η οποία για την περιοχή κόρου δίνεται από τη σχέση: gs = /3 ox W (.0) Όπου το ox εξαρτάται από την τεχνολογία, ενώ τα W και παριστάνουν το πλάτος και το μήκος του τρανζίστορ αντίστοιχα. Για να επιλύσουμε τη διαφορική εξίσωση του κυκλώματος (σχέση.9), διακρίνουμε δύο διαφορετικές περιπτώσεις για την ράμπα εισόδου, fast και slow, οι οποίες περιγράφονται στη συνέχεια.

18 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 8 Σχήμα.6 Οι κυματομορφές της τάσης και της έντασης του ρεύματος στην έξοδο του κυκλώματος για την περίπτωση της slow iput Για slow iput ramps η κυματομορφή του ρεύματος εμφανίζει πλατώ και στην περιοχή αυτή η τιμή του ρεύματος παραμένει σταθερή. Στην περίπτωση όμως που η κυματομορφή του ρεύματος δεν εμφανίζει πλατώ, η ράμπα εισόδου θεωρείται fast. H εμφάνιση πλατώ στη κυματομορφή του ρεύματος, εξαρτάται από την κλίση της ράμπας εισόδου, από το πλάτος και το μήκος του τρανζίστορ και από τις τιμές των χωρητικοτήτων. Kαθώς το τρανζίστορ αρχίζει να άγει, το ρεύμα που το διαρρέει αυξάνεται εκθετικά σύμφωνα με ην εξίσωση Ι D = k s (V gs - V TN ) α. Ακολουθώντας το ρεύμα, και η τάση εξόδου αυξάνεται εκθετικά εως τη χρονική στιγμή t p, όπου ο ρυθμός αύξησης της τάσης εξόδου ισοδυναμεί με το ρυθμό αύξησης της τάσης εισόδου.

19 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 9 Σχήμα.7 Οι κυματομορφές της τάσης και της έντασης του ρεύματος στην έξοδο του κυκλώματος για την περίπτωση της fast iput Στη συνέχεια το ρεύμα που διαρρέει το τρανζίστορ παίρνει μια σταθερή τιμή και η τάση στην έξοδο του κυκλώματος αυξάνεται γραμμικά με σταθερό ρυθμό. Αυτή η περιοχή λειτουργίας συνεχίζει ως το τέλος της μετάβασης της εισόδου, τη χρονική στιγμή τ όπου και η τάση εισόδου φθάνει στην τελική τιμή της και το ρεύμα αρχίζει να ελαττώνεται όσο η τάση εξόδου συνεχίζει να αυξάνεται (V gs ελαττώνεται). Αν και η χρονική στιγμή της έναρξης του πλατώ t p, δε διακρίνεται πάντα εύκολα, λόγω της ομαλής μετάβασης του ρεύματος στην περιοχή αυτή, η περιοχή του πλατώ φαίνεται καθαρά. Στην περίπτωση που η κλίση της ράμπας εισόδου είναι πολύ μεγάλη, το φορτίο στην έξοδο είναι μεγάλο ή το πλάτος του τρανζίστορ μικρό, ο ρυθμός αύξησης της τάσης εξόδου δεν θα γίνει ποτέ ίσος με την κλίση της εισόδου μέχρι το τέλος της ράμπας εισόδου δηλαδή την t = τ. Στην περίπτωση αυτή το ρεύμα αρχίζει να ελαττώνεται, χωρίς την εμφάνιση πλατώ (περίπτωση fast iput).

20 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 0.5 Μοντελοποίηση της λειτουργίας του κυκλώματος Ας θεωρήσουμε μια ράμπα εισόδου Vi =s t, η οποία εφαρμόζεται στην πύλη, στον κόμβο 3. Η κλίση της ράμπας s = Vdd / τ, οπου τ είναι ο χρόνος στον οποίο η είσοδος κάνει μια μετάβαση από μηδέν στη μέγιστη τιμή της Vdd. Θα γίνει ανάλυση για δύο διαφορετικές περιπτώσεις slow iput και fast iput Και στις δύο περιπτώσεις το τρανζίστορ αρχίζει να άγει όταν V i =V gs >V TN. Ακριβώς τη χρονική στιγμή που αρχίζει η αγωγιμότητα του τρανζίστορ: V V i = V TN = dd t οπότε t =( V TN / V dd ) τ (.) τ Μέχρι αυτή τη χρονική στιγμή t, δε ρέει καθόλου ρεύμα μέσα από το τρανζίστορ (το ρεύμα υποκατωφλίου sub, το θωρούμε σχεδόν μηδενικό).η χωρητικότητα στην έξοδο φορτίζεται μόνο από το ρεύμα μέσω της gs Μετά τη χρονική στιγμή t, όπως φαίνεται από το σχήμα.6, παρατηρούνται τρεις περιοχές για τη περίπτωση της slow iput, βασιζόμενες στη μορφή της κυματομορφής του ρεύματος που περνάει από το φορτίο. Στο διάστημα t < t < t p το ρεύμα αυξάνεται σχεδόν γραμμικά, ενώ στο διάστημα από t p < t < τ το ρεύμα παραμένει σχεδόν σταθερό (πλατώ). Τέλος για χρόνο t > τ το ρεύμα ελαττώνεται εκθετικά. Οι ίδιες περιοχές, εκτός αυτής του πλατώ, παρατηρούνται και για την περίπτωση της fast iput (σχήμα.7). Όπως αναλύσαμε προηγουμένως τη χρονική στιγμή t p o ρυθμός αύξησης της τάσης στην είσοδο V i γίνεται ίσος με το ρυθμό αύξησης της τάσης V s στον κόμβο, συμπεριλαμβανομένης και της τάσης κατωφλίου V TN. Αλλά V s V, οπότε ο ρυθμός αύξησης της τάσης στην είσοδο θα είναι ίσος και με το ρυθμό αύξησης της τάσης στην έξοδο του κυκλώματος V, δηλαδή στον κόμβο.αυτό γίνεται φανερό και από το διάγραμμα της V σε σχέση με την V ΙN (σχήμα.6).

21 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος Από το γεγονός ότι ο ρυθμός αύξησης της τάσης στην είσοδο V i γίνεται την t=t p ίσος με το ρυθμό αύξησης της τάσης V s, προκύπτει για την τάση V gs, ότι θα αυξάνεται ως τη χρονική στιγμή t p και στη συνέχεια θα παραμένει σχεδόν σταθερή ως τη χρονική στιγμή τ. Συνεπώς, η V gs ασκεί ένα μόνο μέρος της τάσης τροφοδοσίας (V dd =.8 V). Οι τιμές για τις παραμέτρους d και d είναι 0,09 και 0,39 αντίστοιχα όπως προκύπτουν από τη σχέση Οι εξισώσεις που περιγράφουν τη λειτουργία του κυκλώματος Αν θεωρήσουμε ότι σε κάθε κλάδο του κυκλώματος έχουμε ροή ρεύματος, από τη χρονική στιγμή που αρχίσει να άγει το Νmos τρανζίστορ, εφαρμόζοντας τον ο κανόνα του Κirchoff στο κύκλωμα μας (σχήμα.), προκύπτει η παρακάτω εξίσωση: i + i c = i s + i (.) Επίσης, για τον κλάδο του κυκλώματος που περιέχει το φορτίο και την αντίσταση R ισχύει: V s V = i R (.3) και i dv = (.4) Υπολογίζοντας την παράγωγο της σχέσης.3 προκύπτει: dv S ( t) R dv d = + = = dv ( t) dv d + R = dv d V + R

22 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος Δηλαδή : dv S dv d V + = R (.5) Για το i s που διαρρέει τον πυκνωτή s : i s dv dv d V s = = + R (.6) Για το i c που διαρρέει την παρασιτική χωρητικότητα gs : dvi dvs Vdd dvs ic = gs = gs gs τ dv d V = gs s gs gs R = i c = gs s gs dv gs d V R (.7) Με αντικατάσταση των παραπάνω στην αρχική σχέση. που εκφράζει την αρχή διατήρησης του φορτίου, προκύπτει: + s gs gs gs + R i dv dv R dv = d V dv + ( ) ή d V R gs + dv s gs + = i (.8) gs gs gs

23 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 3 Για απλοποίηση, στην παραπάνω σχέση.8, κάνω τις εξής αντικαταστάσεις: = R ( gs + ) = + gs 3 = gs s 4 = 3 5 = Οπότε προκύπτει : 4 d V dv + 5 = i (.9) Στη συνέχεια θα αναλύσουμε την κάθε περιοχή λειτουργίας για τις δύο περιπτώσεις slow iput και fast iput, βασιζόμενοι στις εξισώσεις που έχουν προκύψει..5. Οι εξισώσεις που περιγράφουν τη λειτουργία του κυκλώματος για την περίπτωση της Slow put Regio. 0 < t t Στην περιοχή αυτή το Ν-mos είναι σε αποκοπή, αφού V gs < V TN, οπότε i = 0 Δηλαδή η σχέση. θα γίνει: i c = i s + i

24 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 4 Η χωρητικότητα εξόδου, φορτίζεται από το ρεύμα i c που περνάει από την παρασιτική χωρητικότητα gs, μειωμένο κατά την ποσότητα i s, δηλαδή το ρεύμα που περνάει από τη χωρητικότητα s. d V dv Από τη σχέση.9: = 0, dv με αρχικές συνθήκες V(0) = 0 και t=0 = 0 t V t 4 ( ) = e t (.0) Για το ρεύμα i (t): t dv = = 4 i ( ) t 5 e i t) = e ( 5 t 4 (.) Υπολογισμός του χρόνου t : Τη χρονική στιγμή t = t αρχίζει η αγωγιμότητα του τρανζίστορ. Τότε ακριβώς ισχύει: V gs = V TN V g -V s = V TN V i - V s = V TN

25 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 5 Vdd τ ( V ( t ) + i ( t R) = VTN t ) (.) Στις μικρές αυτές τάσεις αυτές αγνοώ το body effect δηλαδή ισχύει V TN =V Τ0. Αντικαθιστώντας στην τελευταία σχέση τα V (t) και i (t), προκύπτει t s TO = (.) 4 ( ) t ( R ) e V 0 Προσεγγίζοντας με σειρά Τaylor ( ης 4 τάξης) το, προκύπτει: t 4 e =,67 0 t +,3940 t e t Oπότε η δευτεροβάθμια εν τέλει εξίσωση, από ην οποία προκύπτει η χρονική στιγμή t = t είναι η εξής: ( ) t ( R ) ( -,67 0 t +,390 t ) 0,38 0 s = (.3) Για την περιοχή αυτή (cut off-regio ) θα είναι: gso = W D ox (.4)

26 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 6 Regio. t < t t p Η περιοχή αυτή, ξεκινά τη χρονική στιγμή t όταν η τάση V gs ισοδυναμεί με την τάση κατωφλίου του τρανζίστορ, και φτάνει ως τη χρονική στιγμή t p όπου το ρεύμα παίρνει την μέγιστη τιμή του, αυτή του πλατώ Ι p. Σύμφωνα με τα δεδομένα της προσομοίωσης, μπορεί με καλή προσέγγιση να θεωρηθεί ότι το ρεύμα Ι (t) το οποίο φορτίζει τη χωρητικότητα εξόδου, μεταβάλλεται γραμμικά σε σχέση με το χρόνο, όπως φαίνεται στο παρακάτω σχήμα.8. Σχήμα.8 Το ρεύμα Ι στην έξοδο του κυκλώματος, κατά το χρονικό διάστημα t εως t p μεταβάλλεται γραμμικά Συνεπώς, το ρεύμα αυτό, μπορεί να προσεγγιστεί ως εξής: p ( t) ( t) = ( t t ) ( t) (.5) t t + p

27 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 7 Για το V (t), η διαφορική εξίσωση στον κόμβο γίνεται: i dv = p ( t t ) + ( t) t ( t) p t = dv dv = p ( ) t t + ( t ) ( t) (.6) t t p Aπό την τελευταία σχέση, ολοκληρώνοντας ως προς το χρόνο t, προκύπτει η τελική έκφραση της τάσης V (t) στην έξοδο: p ( t) V ( t) = + t t p ' ( t t ) + ( t) ( t t ) (.7) Υπολογισμός της σταθεράς ολοκλήρωσης Για τη χρονική στιγμή t ισχύει: V (t ) = Οπότε: p ( t) V ( t) = ( t t ) + ( t) ( t t ) + V (t) t t p (.8) H σταθερά V (t ), εξασφαλίζει συνέχεια με την προηγούμενη περιοχή.

28 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 8 Για την περιοχή αυτή (regio ), όπως και για τις υπόλοιπες regio 3-4, θα είναι: gs = /3 W ox (.9) Regio 3. t p t < τ Στην περιοχή αυτή το ρεύμα χαρακτηρίζεται από τη σταθερή τιμή του Ι p, δηλαδή κάθε χρονική στιγμή ισχύει: Ι = p Για το ρεύμα ισχύει: Ι (t) = Eνώ η τάση στην έξοδο του κυκλώματος είναι: dv = p (.30) p dv = V (t) = p + '' t (.3) Υπολογισμός της σταθεράς ολοκλήρωσης Τη χρονική στιγμή t = t p, V (t p ) = p '' p t p + = V (t p ) - t p και τελικά V (t) = p t + V (t ) - p t, p p p + V (t p ) (.3) p V (t) = ( t t )

29 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 9 Η σταθερά V (t p ) εξασφαλίζει συνέχεια με την προηγούμενη περιοχή, regio. REGON 4. t τ Στην περιοχή αυτή όπως φαίνεται και από το παρακάτω σχήμα, η τάση εισόδου είναι ίση με V dd. Σχήμα.9 Μετά την t = τ η τάση στην είσοδο του κυκλώματος είναι ίση με V dd To ρεύμα Ι, το οποίο φορτίζει τη χωρητικότητα εξόδου, ελαττώνεται εκθετικά σε συνάρτηση με το χρόνο. Υποθέτουμε ότι το ρεύμα αυτό περιγράφεται από την παρακάτω σχέση : (t) = ( t τ ) bs p e (.33) Επίσης ισχύει: i dv = (.34) Από τις δύο τελευταίες σχέσεις, εξισώνοντας προκύπτει: ( t τ ) bs p e = dv

30 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 30 dv p = bs ( t τ ) e (.35) Θέτοντας (.35) => t τ = u, t = u + τ, = du, dv p = bs u e du p bs u V ( u +τ ) = - e + b s ''' ή V () t = - p b s e bs ( t τ ) + ''' (.36) Υπολογισμός της σταθεράς ολοκλήρωσης ''' τη χρονική στιγμή t = τ, p V (τ) = - + b s ''' ''' = V (τ) + p b s ( ) p b t τ και τελικά V (t) = - e s + V (τ) + b s p b s Δηλαδή V () t = p b s bs ( t τ ) ( e ) + V ( τ ) (.37) Η σταθερά V (τ), εξασφαλίζει συνέχεια με την προηγούμενη περιοχή, regio 3.

31 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 3 Από τις παραπάνω εξισώσεις μπορούν να υπολογιστούν οι τιμές του ρεύματος και της τάσης στην έξοδο του κυκλώματος για κάθε χρονική στιγμή t, αφού πρώτα όμως υπολογιστούν οι παράμετροι Ι p, b s, t p. ΥΠΟΛΟΓΙΣΜΟΣ ΤΩΝ ΠΑΡΑΜΕΤΡΩΝ α. Yπολογισμός του Ι p Σχήμα.0 Στο κύκλωμα φαίνονται τα ρεύματα που διαρρέουν κάθε κλάδο του την χρονική στιγμή t = t p Όταν εφαρμοστεί μια ράμπα εισόδου στην πύλη του τρανζίστορ, μετά από χρόνο t η τάση στην έξοδο αυξάνεται εκθετικά σε συνάρτηση με το χρόνο (regio ), με μεγαλύτερο ρυθμό από την τάση στην είσοδο. Για τις slow iput ramps υπάρχει μια χρονική στιγμή t p, όπου η τάση V s στον κόμβο (συμπεριλαμβανομένης και της τάσης κατωφλίου V TN ), (καθώς και η V ) αυξάνεται με ρυθμό ίσο με το ρυθμό αύξησης της τάσης στην είσοδο διατηρώντας έτσι το ρεύμα σε μια σταθερή τιμή. Από τη χρονική αυτή στιγμή και μέχρι η είσοδος να φθάσει στη τελική τιμή της V dd, η σταθερή αυτή τιμή του ρεύματος δίνει το πλατώ στην κυματομορφή του ρεύματος σχήμα..

32 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 3 Συνεπώς η χρονική στιγμή που ξεκινάει το πλατώ t p, είναι το σημείο όπου η κλίση της κυματομορφής της τάσης στην είσοδο, ισοδυναμεί με την κλίση της κυματομορφής της τάσης στον κόμβο (V S ), και τελικά ισοδυναμεί και με την κλίση της κυματομορφής στην έξοδο του κυκλώματος V. Σχήμα. H κλίση τη κυματομορφής στην είσοδο του κυκλώματος ισοδυναμεί με την κλίση της κυματομορφής στον κόμβο (V S ), καθώς και με την κλίση της κυματομορφής στην έξοδο του κυκλώματος V Τη χρονική στιγμή t = t p το ρεύμα φόρτισης του πυκνωτή στην έξοδο i, παίρνει τη μέγιστη σταθερή τιμή του Ι p, την οποία και διατηρεί μέχρι τη χρονική στιγμή τ. Δηλαδή ισχύει : i (t p ) = Ι p Εφαρμόζοντας τον ο νόμο του Kirchoff στον κόμβο του κυκλώματος έχουμε: Ι + gs = p = s + p (.38)

33 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 33 Σύμφωνα με προηγούμενη μελέτη για το pass trasistor [], την χρονική στιγμή t = t p, το ρεύμα Ι p παίρνει μια σταθερή τιμή, Ι p = ct Δηλαδή Oπότε θα ισχύει : Ι + gs = Ι p = ct d p = 0 d p d d cgs = + και άρα d d cgs = = 0 Αλλά i (t) = k s (V gs V TN ) α = = k s (V g V s V TN ) α = =k s (V i (t) V s (t) V TN ) α (.39) Παραγωγίζοντας την παραπάνω σχέση προκύπτει: di = 0 α i s TN a ks ( V () t V () t V ) 0 dv d ( V + V ) = i s TN Την t = t p : dv i d( V = + V s TN t= t p t= t p ) = s (.40) O πρώτος όρος, dv i, εκφράζει την κλίση s της βηματικής εισόδου Vi. Oπότε θα είναι d s = ( V + d V d ) s s + = ( V ( + d ) + d ) d s

34 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 34 dv (.4) s ή s = ( + d ) t= t p δηλαδή dv s s = + d (.4) Από τη σχέση.38: s + p = p (.43) Οπότε s = dv s s = + d = ct (.44) Δηλαδή τη χρονική στιγμή t = t p : s = ct και p = ct Και από τη σχέση.43 προκύπτει ότι και p = ct Με εφαρμογή του ου κανόνα Κirchoff: V s = V + p R V s - V = p R (.45) Παραγωγίζοντας την τελευταία σχέση.45 ως προς το χρόνο προκύπτει: dv s dv = dvs dv = s = p = s + d (.46)

35 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 35 Από τη σχέση.43 έχουμε: p = s + p = s + d p = s + d (.47) και συνεπώς p s = p = (.48) β. Yπολογισμός του t p Ως χρονική στιγμή t p, ορίσαμε τη χρονική στιγμή που ξεκινάει το πλατώ της κυματομορφής του ρεύματος. Από την εξίσωση που προέκυψε για την τάση εξόδου στην regio (.8), με αντικατάσταση για t = t p προκύπτει: p ( t) V ( t p ) = ( t p t ) + ( t) ( t p t ) + V (t) = t t p = ( t t ) ( + ( t )) + V ( t ) p p (.49) Από την εξίσωση που βρήκαμε για την τάση εξόδου στην regio 3 (.3), με αντικατάσταση για t = τ προκύπτει :

36 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 36 p V (τ) = ( t ) τ + V (t p ) (.50) p Από τις δύο τελευταίες σχέσεις εξισώνοντας τα V (t p ) προκύπτει ο χρόνος t p : t p t = ( ( t ) + ) τ + [ V ( τ ) V ( t )] p p ( t ) p (.5) Η διάκριση μεταξύ slow και fast iput γίνεται μεσω της τιμής του t p. Aν t p < τ τότε θεωρείται ως περίπτωση slow iput, ενώ σε αντίθετη περίπτωση ως fast iput. Παρατηρώντας την τελευταία εξίσωση, προκύπτει ότι για τον υπολογισμό του χρόνου t p, θα πρέπει να υπολογιστούν πρώτα κάποιοι άλλοι όροι, όπως το V (τ). Yπολογισμός του V (τ): Από το κύκλωμα εφαρμόζοντας τον ο κανόνα του Kirchoff προκύπτει: V s (t) = V (t) + R (.5) Την t = τ είναι = p Οπότε η τελευταία σχέση.5 γίνεται: V s (τ) = V (τ) + p R (.53)

37 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 37 Δηλαδή: V (τ) = V s (τ) - p R (.54) Από την τελευταία σχέση, συμπεραίνουμε ότι για να υπολογιστεί το V (t), θα πρέπει να γνωρίζουμε την τιμή του V s (t) την οποία θα υπολογίσουμε παρακάτω. Yπολογισμός του V s (τ): Aπό το κύκλωμα εφαρμόζοντας τον o κανόνα του Kirchoff προκύπτει: p = Ι (sat) + gs (.55) Κάνοντας αντικαταστάσεις στην παραπάνω σχέση.55, για την χρονική στιγμή t = τ θα ισχύει: p = k s (V gs V TN ) α + gs (τ) = = k s (V ΙΝ V s (τ) V TN (τ)) α + gs (τ) = = k s (V dd V s (τ) d V s (τ) d ) α + gs (τ) = = k s (V dd V s (τ) (+ d ) d ) α + gs (τ) δηλαδή, p = k s (V dd V s (τ) (+ d ) d ) α + gs (τ) (.56)

38 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 38 Τελικά μετά από πράξεις προκύπτει: V s () t = V dd d a p k s gs ( τ ) + d Από την τελευταία σχέση.57, συμπεραίνουμε ότι για να υπολογιστεί το V s (t), θα πρέπει να γνωρίζουμε την τιμή του gs (τ), την οποία θα υπολογίσουμε παρακάτω. (.57) Υπολογισμός του gs (τ): Για το gs (t), ισχύει: gs = () t gs = gs dv dd dv gs gs = gs dv dvn dvs gs d V + R = (.58) Aπό τη regio 3 (tp t< τ), η εξίσωση για την τάση εξόδου είναι: p V (t) = ( t t ) + V (t p ) p Και από αυτή παραγωγίζοντας ως προς τον χρόνο t προκύπτουν οι: dv p = (.59) d V = 0 (.60)

39 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 39 Με αντικαταστάσεις, η σχέση.58 θα γίνει: gs (t) = gs Vdd τ gs p = gs (τ) Δηλαδή gs (τ) = gs Vdd τ gs p (.6) γ. Υπολογισμός του b s : Στην regio 4, βρήκαμε την παρακάτω εξίσωση που περιγράφει το ρεύμα που διαρρέει τη χωρητικότητα εξόδου : (t) = p e bs ( t τ ) Στη συνέχεια, θα υπολογίσουμε το συνολικό φορτίο που αποθηκεύεται στη χωρητικότητα εξόδου, κατά τη διάρκεια της regio 4, το οποίο αντιστοιχεί στο ολοκλήρωμα του ρεύματος στην έξοδο του κυκλώματος στην περιοχή αυτή. dq = i τ dq = τ i Q = τ Ι p e b = b ( t τ ) b ( t τ ) s s e s Ι p τ Ι = b p s δήλαδή, Q = b p s s = bs d ( + ) (.6)

40 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 40 Eπίσης ισχύει: Q ( ( ) ( τ )) = V V (.63) Από τη σχέση: V s (t) = V (t) + R, όταν t προκύπτει με καλή προσέγγιση: V ( ) V s ( ), αφού ( ) 0 Σχήμα. Το pass trasistor δεν έχει τη δυνατότητα να μεταφέρει ανεπηρέαστο το λογικό V s ( ) = V dd V TN ( ) = = V dd - d V s ( ) d (.64) Τελικά από τη.64 μετά από πράξεις προκύπτει: V s ( )= V dd d + d (.65) Από τη σχέση.63, με αντικατάσταση προκύπτει: Vdd d Q = V ( τ ) + d V Q = dd d ( + d ) V ( τ ) + d (.66)

41 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 4 Εξισώνοντας τις σχέσεις.6 και.66 προκύπτει η έκφραση για το b s : b s = V dd d s ( + d ) V ( ) τ (.67).5.3 Οι εξισώσεις που περιγράφουν τη λειτουργία του κυκλώματος για την περίπτωση της Fast put Στην περίπτωση της fast iput δεν υπάρχει πλατώ στην κυματομορφή του ρεύματος. Η regio 4 ακολουθεί τη regio, η οποία εκτείνεται μέχρι το τέλος της μετάβασης της εισόδου, δηλαδή τη χρονική στιγμή τ. Εδώ η κυματομορφή του ρεύματος δεν παρουσιάζει πλατώ, αλλά μετά από τη μέγιστη τιμή που παίρνει, αρχίζει να ελαττώνεται εκθετικά σε σχέση με το χρόνο. Στην regio, το ρεύμα του τρανζίστορ προσεγγίζεται από μια γραμμική συνάρτηση. Όσο η τάση στην είσοδο αυξάνεται, αυξάνεται και η τιμή του ρεύματος εως τη χρονική στιγμή t = τ, όπου το ρεύμα παίρνει τη μέγιστη τιμή του Ι m. Regio. 0 < t t Στη περιοχή αυτή το -MOS είναι σε αποκοπή, αφού V gs < V TN, οπότε i = 0. H ανάλυση είναι παρόμοια με αυτή που έγινε για slow iput οπότε: t V t 4 ( ) = e t (.68)

42 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 4 Για το ρεύμα i (t): t = 4 i ( t) 5 e (.69) Η χρονική στιγμή t, όπου το -mos αρχίζει να άγει, είναι και στην περίπτωση αυτή, η λύση της δευτεροβάθμιας εξίσωσης : ( ) t ( R ) ( -,67 0 t +,390 t ) 0,38 0 s (.70) = Regio. t < t τ Και σε αυτή την περιοχή ισχύει η ανάλυση που έγινε για slow iput. Βέβαια, στην περίπτωση αυτή αλλάζουν τα όρια της περιοχής. H regio, εκτείνεται από τη χρονική στιγμή t όταν η τάση V gs ισοδυναμεί με την τάση κατωφλίου του τρανζίστορ, εως τη χρονική στιγμή τ όπου η τάση τροφοδοσίας φθάνει στη μέγιστη τιμή της V dd. Τη χρονική στιγμή t το τρανζίστορ αρχίζει να άγει, οπότε η τιμή του ρεύματος i (t) που φορτίζει τον πυκνωτή αυξάνεται. Θα συνεχίζει να αυξάνεται ως τη χρονική στιγμή τ όπου το ρεύμα θα πάρει τη μέγιστη τιμή του Ι m. Σύμφωνα με τα δεδομένα της προσομοίωσης, μπορεί να θεωρηθεί ότι το ρεύμα που φορτίζει τη χωρητικότητα εξόδου, i (t) μεταβάλλεται γραμμικά σε σχέση με το χρόνο, όπως φαίνεται στο παρακάτω σχήμα.3. Συνεπώς το ρεύμα φόρτισης του πυκνωτή μπορεί να προσεγγιστεί ως εξής : m ( t) ( t) = t τ t ( t t ) ( ) + (.7)

43 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 43 Σχήμα.3 Στην regio το ρεύμα i (t) μεταβάλλεται γραμμικά σε σχέση με το χρόνο Για το V (t), η διαφορική εξίσωση στον κόμβο γίνεται: i dv = ( t) m ( t t ) + ( t) τ t = dv dv = m ( ) t t + ( t ) τ t ( t) (.7) Aπό την τελευταία σχέση.7 ολοκληρώνοντας ως προς το χρόνο t, προκύπτει η τελική έκφραση της τάσης στην έξοδο: m ( t) V ( t) = + τ t ' ( t t ) + ( t) ( t t ) (.73)

44 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 44 Υπολογισμός της σταθεράς ολοκλήρωσης Για τη χρονική στιγμή t ισχύει : V (t ) = Οπότε : m ( t) V ( t) = ( t t ) + ( t) ( t t ) + V (t) τ t (.74) Όπως προαναφέραμε, η σταθερά V (t ), εξασφαλίζει συνέχεια με την προηγούμενη περιοχή regio. Regio 4. t > τ Στην περιοχή αυτή, η τάση εισόδου είναι ίση με V dd.to ρεύμα Ι το οποίο φορτίζει τη χωρητικότητα εξόδου, ελαττώνεται εκθετικά σε συνάρτηση με το χρόνο. Υποθέτουμε ότι το ρεύμα αυτό περιγράφεται από την παρακάτω σχέση: (t) = m e b f ( t τ ) (.75) Επίσης ισχύει: (t) = dv (.76) Από τις δύο τελευταίες σχέσεις.75 και.76, εξισώνοντας προκύπτει, b ( t τ ) f e = m dv dv ( τ ) = m b f t e (.77)

45 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 45 Τελικά ολοκληρώνοντας ως προς το χρόνο: m V () t = - b f e b f ( t τ ) + ''' (.78) Υπολογισμός της σταθεράς ολοκλήρωσης ''' m τη χρονική στιγμή t = τ: V (τ) = - + b f ''' Δηλαδή ''' = V (τ) + m b f και τελικά από τη.78: V (t) = - ( ) m b f b t τ e f + V (τ) + m b f Δηλαδή V () t = f b ( t τ ) ( e ) V ( τ ) m f + b (.79) Η σταθερά V (τ), εξασφαλίζει συνέχεια με την προηγούμενη περιοχή, regio.

46 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 46 Από τις παραπάνω εξισώσεις, οι κυματομορφές του ρεύματος και της τάσης εξόδου, μπορούν να υπολογιστούν για οποιαδήποτε χρονική στιγμή, αν υπολογιστούν οι παράμετροι, Ι m, b f. α. Y π ο λ ο γ ι σ μ ό ς τ ο υ Ι m Σχήμα.4 Στο κύκλωμα φαίνονται τα ρεύματα που διαρρέουν κάθε κλάδο του, την χρονική στιγμή t = τ Όπως προαναφέρθηκε, τη χρονική στιγμή t = τ, η τιμή του ρεύματος Ι που διαρρέει τη χωρητικότητα εξόδου έχει πάρει τη μέγιστη τιμή του Ι m. Δηλαδή ισχύει : i (τ) = Ι m Εφαρμόζοντας τον ο νόμο του Kirchoff στον κόμβο του κυκλώματος έχουμε: Οπότε θα είναι: Ι + gs (τ) = s (τ) + m (.80) (τ) = m = k s (V gs V TN ) α + gs (τ) - s (τ) = = k s [V g V s (τ) (d V s (τ)+ d )] α + gs (τ) - s (τ) = = k s [V dd (+d ) V s (τ) d ] α + gs (τ) - s (τ) Δηλαδή : m = k s [V dd (+d ) V s (τ) d ] α + gs (τ) - s (τ) (.8)

47 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 47 Σύμφωνα με τον ο κανόνα του Kirchoff έχουμε για το V s (τ): V s (t) = V (t) + (t) R Για t = τ: V s (τ) = V (τ) + (τ) R ή V s (τ) = V (τ) + m R (.8) Οπότε η σχέση.8 γίνεται: m = k s [V dd (+d ) (V (τ) + m R ) d ] α + gs (τ) - s (τ) (.83) Μελετώντας την παραπάνω σχέση, συμπεραίνουμε ότι για τον υπολογισμό του m θα πρέπει να γνωρίζουμε τις τιμές των V (τ), gs (τ) και s (τ). Υ π ο λ ο γ ι σ μ ό ς τ ο υ V (τ): Από τη σχέση που υπολογίσαμε για την τάση στη έξοδο στη regio, υπολογίζουμε την V (τ): V m ( t) τ ) = ( τ t ) + ( t) ( τ t ) + V (t) = τ t ( = ( ( t )) ( τ t ) + ( τ t ) + V ( t ) m ( t )

48 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 48 Μετά από πράξεις καταλήγουμε στην τελική έκφραση για το V (τ) : V m + ( τ ) = ( + ( t )) ( τ t ) V ( t ) (.84) Y π ο λ ο γ ι σ μ ό ς τ ο υ s (τ): Ισχύει για το s (t): s (t) = dv s dv και S dv d V = + R (.85) s (t) = dv d V + R (.86) Από τη regio : ( t) dv = m ( ) t t + ( t ) τ t dv t=τ ( t) τ t m = ( τ t ) + ( t) Ι m = d V = m ( t) ( τ t ) Oπότε η σχέση.86 γίνεται:

49 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 49 s (t) = m ( t) R + ( τ t ) m Και τελικά: s (t) = s (τ) = + ( t ) m R R t τ τ t (.87) Υ π ο λ ο γ ι σ μ ό ς τ ο υ Ι g s (τ): Ισχύει Ι gs (t) = gs dv gs = gs dv τ dd gs dv s dvs t=τ = m R + τ t R τ t Ι ( t ) Άρα θα είναι V dd Ι gs (τ) = gs + + Ι ( t ) τ gs m R τ t R τ t gs Δηλαδή: V dd Ι gs (τ) = gs + + Ι ( t ) τ gs m R τ t R τ t gs (.88) Ισχύει (σχέση.83): m = k { V ( + d ) [ V R] d } α + ( τ ) Ι ( τ ) s dd s gs = s

50 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 50 = ( ) ( ) [ ] { } α τ d R V d V k m dd s [- + m t R τ + ( ) t t R Ι τ ] gs + + ( ) + m gs dd t t R t R V τ τ τ Μετά από πράξεις και προσεγγίζοντας το α προκύπτει η έκφραση για το Ι m : ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) gs gs s s gs gs m t R t R R d k V d k t t R s t t R Ι + + Ι = τ τ τ τ τ (.89) β. Y π ο λ ο γ ι σ μ ό ς τ ο υ b f Στην regio 4, βρήκαμε την παρακάτω εξίσωση που περιγράφει το ρεύμα που διαρρέει τη χωρητικότητα εξόδου: (t) = ( ) τ t b m f e Στη συνέχεια, θα υπολογίσουμε το συνολικό φορτίο που αποθηκεύεται στη χωρητικότητα εξόδου, κατά τη διάρκεια της regio 4, το οποίο αντιστοιχεί στο ολοκλήρωμα του ρεύματος στην έξοδο του κυκλώματος στην περιοχή αυτή. dq = i = τ τ i dq ( ) ( ) s m m t b f t b m b e b e Q f f Ι = Ι = Ι = τ τ τ τ

51 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 5 δηλαδή, Q = b m f (.90) Eπίσης ισχύει Q ( ( ) ( τ )) = V V (.9) Από τη σχέση : V s (t) = V (t) + R, όταν t προκύπτει : V ( ) V s ( ), αφού ( ) 0 Σχήμα.3. Το pass trasistor δεν έχει τη δυνατότητα να μεταφέρει ανεπηρέαστο το λογικό V s ( ) = V dd V TN ( ) = = V dd - d V s ( ) d και τελικά V s ( )= V dd d + d Από τη σχέση.9, προκύπτει με αντικατάσταση : Vdd d Q = V ( τ ) + d V Q = dd d ( + d ) V ( τ ) + d (.9)

52 Κεφάλαιο- Αναλυση περιοχών λειτουργίας κυκλώματος 5 Εξισώνοντας τις σχέσεις.90 και.9 προκύπτει: b f + d m = (.93) V d dd ( + d ) V ( τ )

53 Κεφάλαιο-3 Αποτελέσματα 53 Κεφάλαιο 3 ο : Αποτελέσματα Η προτεινόμενη ανάλυση εφαρμόστηκε και επαληθεύτηκε από συγκρίσεις με τα αποτελέσματα που έδωσαν οι προσομοιώσεις του SPE για ένα Νmos τεχνολογίας 0.3μm. Το μοντέλο που προέκυψε, εκτιμήθηκε για διαφορετικούς χρόνους μετάβασης της τάσης εισόδου τ, για διαφορετικές τιμές των στοιχείων του κυκλώματος, όπως για διάφορες τιμές πλάτους του τρανζίστορ W, χωρητικότητας της εξόδου του κυκλώματος και της αντίσταση R. Στα διαγράμματα που παρατίθενται παρακάτω είναι φανερή η ακρίβεια στην εκτίμηση των κυματομορφών της τάσης V στην έξοδο του κυκλώματος Στα παρακάτω σχήματα φαίνονται οι κυματομορφές της τάσης στην έξοδο του κυκλώματος για διάφορες τιμές του χρόνου μετάβασης της τάσης εισόδου τ, του πλάτους του τρανζίστορ W και της χωρητικότητας στην έξοδο του κυκλώματος αντίστοιχα και της αντίστασης R. Παρουσιάζονται τα αποτελέσματα για slow και fast iput ταυτόχρονα. Παρατηρούμε ότι υπάρχει πολύ καλή προσέγγιση όσον αφορά τις κυματομορφές της τάσης στην έξοδο που προέκυψαν από τη μοντελοποίηση του κυκλώματος. Μεγαλύτερες διαφορές στις κυματομορφές εμφανίστηκαν κοντά στα όρια μεταξύ των περιοχών slow και fast iput. Ως propagatio delay ορίζεται ο χρόνος που μεσολαβεί από τη χρονική στιγμή που η τάση στην είσοδο έχει πάρει την τιμή V dd / εως τη χρονική στιγμή που η τάση στην έξοδο του κυκλώματος έχει πάρει την ίδια τιμή δηλαδή V dd /. Στους πίνακες 3., 3., 3.3, 3.4 φαίνονται τα συγκριτικά αποτελέσματα για το propagatio delay μεταξύ των δύο μεθόδων, μοντελοποίησης και προσομοίωσης

54 Κεφάλαιο-3 Αποτελέσματα 54 μέσω SPE. Παρατηρούμε ότι οι υψηλότερες τιμές για το σφάλμα εμφανίζονται στα όρια μεταξύ των περιοχών slow και fast iput, όπως ήταν αναμενόμενο.. Μεγαλη ακρίβεια παρατηρούμε στις κυματομορφές της τάσης V στην έξοδο καθώς και σε αυτές που αποδίδουν την ένταση του ρεύματος στην έξοδο. τ=.4s,w=.3μm, R=400Ω Prop.delay (HSPE) Prop.delay (MODE) ERROR(%) (ff) (psec) (psec) , , ,8 Πίνακας 3.. Συγκριτικά αποτελέσματα για το propagatio delay μεταξύ SPE και MODE για μεταβλητό =50fF, R=00Ω,W=.3μm Prop.delay (HSPE) Prop.delay (MODE) ERROR(%) τ (sec) (psec) (psec) 0, , , , Πίνακας 3.. Συγκριτικά αποτελέσματα για το propagatio delay μεταξύ SPE και MODE για μεταβλητό τ

55 Κεφάλαιο-3 Αποτελέσματα 55 =30fF, R=00Ω, τ=,4s Prop.delay (HSPE) Prop.delay (MODE) ERROR(%) W (μm) (psec) (psec) 0, , , , << Πίνακας 3.3 Συγκριτικά αποτελέσματα για το propagatio delay μεταξύ SPE και MODE για μεταβλητό W τ=.4s,w=.3μm, =30Ω Prop.delay (HSPE) Prop.delay (MODE) ERROR(%) R(Ω) (psec) (psec) , , , , , , Πίνακας 3.4. Συγκριτικά αποτελέσματα για το propagatio delay μεταξύ SPE και MODE για μεταβλητό R

56 Κεφάλαιο-3 Αποτελέσματα 56 Π α ρ ά μ ε τ ρ ο ι Tιμές ρεύματος του πλατώ Εrror (%) τ (sec) W (μm) R (Ω) (ff) τιμή HSPE (μα) τιμή Μodel (μα), ,4 3,9 4,7, ,33 3,9 4,4,4, ,4 3,9 4, , ,3 0,8, ,8 3,9 0,8 0, ,5 56 0, ,7 80 4,8 Πίνακας 3.5. Σύγκριση μεταξύ των τιμών του πλατώ του ρεύματος από SPE και model Μελετώντας τα αποτελέσματα που δίνονται στους παραπάνω πίνακες, συμπεραίνουμε ότι η προσθήκη αντίστασης R (πίνακας 3.4) στο απλό κύκλωμα ενός Nmos pass trasistor με χωρητικό φορτίο, δεν επηρεάζει ιδιαίτερα την απόκριση του κυκλώματος αφού η V max παραμένει σχεδόν ίδια. Το ίδιο και το ρεύμα φόρτισης Ι. Επίσης το propagatio delay δε φαίνεται να μεταβάλλεται αισθητά.η συνεχής αύξηση της τιμής της αντίστασης δεν επηρεάζει καθόλου τη μέγιστη τιμή του ρεύματος. Αυξάνοντας την τιμή της χωρητικότητας (πίνακας 3.), αυξάνεται και η μέγιστη τιμή του ρεύματος στην έξοδο του κυκλώματος όπως επίσης και το propagatio delay. Επίσης αυξάνοντας την τιμή του εύρους W του τρανζίστορ (πίνακας 3.3) το propagatio delay ελαττώνεται ενώ η μέγιστη τιμή του ρεύματος Ι. Τέλος με την αύξηση χρόνου ανόδου τ (πίνακας 3.) το propagatio delay αυξάνεται, ενώ η μέγιστη τιμή του ρεύματος στην έξοδο.

57 Κεφάλαιο-3 Αποτελέσματα 57 Στον πίνακα 3.5 συγκρίνονται οι τιμές για το ρεύμα στο πλατώ μεταξύ του SPE και του model για διάφορες τιμές των παραμέτρων. Το σφάλμα μεταξύ SPE και model είναι αρκετά μικρό - 4,8 %. Στη συνέχεια παρατίθενται διάφορα διαγράμματα τα οποία συγκρίνουν την τάση στην έξοδο του κυκλώματος από την προσομοίωση μέσω του SPE και του model.από τη μορφή των καμπυλών, παρατηρούμε ότι η προσέγγιση μας είναι πολύ ικανοποιητική (model) καθώς οι καμπύλες του SPE και model είναι πολύ κοντά η μια στην άλλη. Κάναμε δοκιμές για διάφορες τιμές των παραμέτρων καθώς και για διαφορετική τάση τροφοδοσίας και αυτό που παρατηρήσαμε είναι ότι η μέθοδός μας δίνει ικανοποιητικά αποτελέσματα σε όλες αυτές τις περιπτώσεις. SPE model,4, Output voltage(v) 0,8 0,6 0,4 0, 0 0 0,5,5,5 3 Time (sec) Διάγραμμα 3. Σύγκριση των κυματομορφών στην έξοδο μεταξύ SPE και του μοντέλου για W = 3μm, = 30fF, R=00Ω, τ =,4 s

58 Κεφάλαιο-3 Αποτελέσματα 58 SPE model,4, Output Voltage (V) 0,8 0,6 0,4 0, 0 0 0,5,5,5 Time (sec) Διάγραμμα 3. Σύγκριση των κυματομορφών στην έξοδο μεταξύ SPE και του μοντέλου για W = 9μm, = 30fF, R=00Ω, τ =,4 s SPE model,4, Output Voltage( 0,8 0,6 0,4 0, 0 0 0,5,5,5 Time(sec) Διάγραμμα 3.3 Σύγκριση των κυματομορφών στην έξοδο μεταξύ SPE και του μοντέλου για W = 0,6μm, = 30fF, R=00Ω, τ =,4 s

59 Κεφάλαιο-3 Αποτελέσματα 59 SPE model,4, Output Voltage (V) 0,8 0,6 0,4 0, 0 0 0,5,5,5 3 Time (sec) Διάγραμμα 3.4.Σύγκριση των κυματομορφών στην έξοδο μεταξύ SPE και του μοντέλου για W =.3μm, = 30fF, R=300Ω, τ =,4 s SPE model,4, Voltage(V 0,8 0,6 0,4 0, 0 0 0,5,5,5 3 Time (sec) Διάγραμμα 3.6.Σύγκριση των κυματομορφών στην έξοδο μεταξύ SPE και του μοντέλου για W = 3μm, = 00fF, R=000Ω, τ =,4s

60 Κεφάλαιο-3 Αποτελέσματα 60 SPE model,4, Output Voltage ( 0,8 0,6 0,4 0, Time(sec) Διάγραμμα 3.7.Σύγκριση των κυματομορφών στην έξοδο μεταξύ SPE και του μοντέλου για W =,3μm, = 50fF, R=00Ω, τ = 5s,4 SPE model, Output Voltage( 0,8 0,6 0,4 0, 0 0 0,5,5 Time(sec) Διάγραμμα 3.8.Σύγκριση των κυματομορφών στην έξοδο μεταξύ SPE και του μοντέλου για W = 9μm, = 00fF, R=00Ω, τ = s

61 Κεφάλαιο-3 Αποτελέσματα 6 SPE model Output Voltage(,4, 0,8 0,6 0,4 0, 0 0 0,5,5,5 3 3,5 Time(sec) Διάγραμμα 3.9.Σύγκριση των κυματομορφών στην έξοδο μεταξύ SPE και του μοντέλου για W =.3μm, = 500fF, R=400Ω, τ =.4s Όλες οι παραπάνω δοκιμές πραγματοποιήθηκαν για τάση τροφοδοσίας V dd =.8V. Για μικρότερες τιμές αυτής τα αποτελέσματα ήταν αρκετά ικανοποιητικά και πάλι, με μεγαλύτερο σφάλμα βέβαια όσο μικρότερη η τιμή της.. spice model 0,8 0,7 0,6 Output Voltage( 0,5 0,4 0,3 0, 0, 0 0 0,5,5,5 Time(sec) Διάγραμμα 3.0.Σύγκριση των κυματομορφών στην έξοδο μεταξύ SPE και του μοντέλου για W =.3μm, = 30fF, R=400Ω, τ =.4s, V dd =.V

62 Κεφάλαιο-3 Αποτελέσματα 6 spice model 0,9 0,8 0,7 Output Voltage( 0,6 0,5 0,4 0,3 0, 0, 0 0 0,5,5,5 Time(sec) Διάγραμμα 3..Σύγκριση των κυματομορφών στην έξοδο μεταξύ SPE και του μοντέλου για W =.5μm, = 70fF, R=400Ω, τ =.4s, V dd =.4V SPE model 0,9 0,8 0,7 Output Voltage( 0,6 0,5 0,4 0,3 0, 0, 0 0 0,5,5,5 Time(sec) Διάγραμμα 3..Σύγκριση των κυματομορφών στην έξοδο μεταξύ SPE και του μοντέλου για W = 9μm, = 70fF, R=400Ω, τ =.4s, V dd =.4V

63 Κεφάλαιο-3 Αποτελέσματα 63 SPE mod 0, , , ,00006 (μm 0, , , ,0000 0, ,5,5,5 3 Time(sec) Διάγραμμα 3.3.Σύγκριση των κυματομορφών της έντασης του ρεύματος στην έξοδο μεταξύ SPE και του μοντέλου για W =,3μm, = 50fF, R=00Ω, τ = s

64 Κεφάλαιο-4 Συμπεράσματα 64 Κεφάλαιο 4 ο : Συμπεράσματα Η ανάπτυξη απλών μαθηματικών μοντέλων τα οποία περιγράφουν όσο το δυνατόν πιο αποτελεσματικά τη λειτουργία του κυκλώματός μας αποτέλεσε το βασικό στόχο της ερευνητικής προσπάθειας που παρουσιάστηκε στην παρούσα διπλωματική εργασία. Η αναγκαιότητα της ερευνητικής αυτής προσπάθειας οφείλεται στο γεγονός ότι το απλό αυτό ψηφιακό κύκλωμα είναι κύριο κομμάτι των ψηφιακών κυκλωμάτων, οπότε όσο πιο απλή και γρήγορη είναι η μελέτη της συμπεριφοράς του, τόσο πιο εύκολη και γρήγορη θα είναι στη συνέχεια η προσομοίωση μεγάλων ψηφιακών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Για την περιγραφή του ρεύματος του Nmos τρανζίστορ χρησιμοποιήθηκε το μοντέλο δύναμης α. Προς την κατεύθυνση αυτή πραγματοποιήθηκε αρχικά μια γενική περιγραφή της λειτουργίας του κυκλώματος. Συγκεκριμένα παρουσιάστηκε η περίπτωση στην οποία εφαρμόζεται στην πύλη του Νmos τάση με μορφή αύξουσας ράμπας. Περιγράφηκε η λειτουργία του μέσω των εξισώσεων εισόδου και εξόδου, και παρουσιάστηκε ο τρόπος με τον οποίο το φαινόμενο σώματος επηρεάζει τη λειτουργία του. Έγινε αναφορά στον τρόπο που συμπεριφέρεται το τρανζίστορ όταν ο ένας ακροδέκτης του είναι συνδεδεμένος με πυκνωτή σταθερής χωρητικότητας μέσω αντίστασης R και στον άλλο ακροδέκτη εφαρμόζεται τάση που αντιστοιχεί στο λογικό. Διαπιστώθηκε έτσι η αδυναμία μεταφοράς ανεπηρέαστου λογικού.

65 Κεφάλαιο-4 Συμπεράσματα 65 Μελετήσαμε την περίπτωση που στον ελεύθερο ακροδέκτη του τρανζίστορ εφαρμόζεται σταθερή τάση V dd και διακρίναμε τις περιοχές λειτουργίας του με σκοπό να μοντελοποιήσουμε την συμπεριφορά του σε κάθε περιοχή. Διακρίναμε δύο περιπτώσεις για τη βηματική είσοδο, ανάλογα με τη μορφή της κυματομορφής του ρεύματος φόρτισης της χωρητικότητας στη έξοδο: slow και fast iput. Τις εξισώσεις που προέκυψαν για κάθε περιοχή λειτουργίας, τις μελετήσαμε για διάφορες τιμές των παραμέτρων και διαπιστώσαμε ότι όντως το μοντέλο προσεγγίζει ικανοποιητικά την πραγματικότητα που δίνεται μέσα από το HSPΕ. Επίσης διαπιστώσαμε ότι τέσσερεις είναι οι βασικές παράμετροι που επηρεάζουν τον τρόπο λειτουργίας του κυκλώματός μας: ο χρόνος μετάβασης τ της τάσης που εφαρμόζεται στην πύλη του τρανζίστορ (χρόνος ανόδου), το πλάτος W του καναλιού του τρανζίστορ, η χωρητικότητα του φορτίου στην έξοδο και η αντίσταση R μέσω της οποίας φορτίζεται η χωρητικότητα εξόδου. Πιο συγκεκριμένα όσο αυξάνει ο χρόνος μετάβασης της εισόδου τ (με W, R, σταθερά) ή όσο μειώνεται η χωρητικότητα (με W, R, τ σταθερά) ή όσο μειώνεται το πλάτος W του καναλιού (με τ, R, σταθερά) τόσο πιο πολύ μειώνεται η μέγιστη τιμή του ρεύματος Ι που φορτίζει τη χωρητικότητα εξόδου. Επιπλέον η αύξηση του χρόνου μετάβασης της εισόδου τ, η αύξηση του πλάτους W του καναλιού η μείωση της χωρητικότητας του πυκνωτή εξόδου οδηγεί σε μείωση του χρόνου φόρτισης του πυκνωτή εξόδου. Πρόκειται για καταστάσεις ισοδύναμες μεταξύ τους. Οι αντίστροφες διαδικασίες οδηγούν όπως άλλωστε είναι φανερό σε αντίστροφα αποτελέσματα. Επίσης αυξάνοντας το χρόνο μετάβασης της εισόδου τ, το πλάτος W του καναλιού ή μειώνοντας τη χωρητικότητα τα κυκλώματα που προκύπτουν ισοδυναμούν με εκείνα που στην πύλη τους εφαρμόζεται αργή ράμπα. Οι αντίστροφες διαδικασίες οδηγούν σε εκείνα στην πύλη των οποίων εφαρμόζεται γρήγορη ράμπα.

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών) Διεργασίες Μικροηλεκτρονικής Τεχνολογίας, Οξείδωση, Διάχυση, Φωτολιθογραφία, Επιμετάλλωση, Εμφύτευση, Περιγραφή CMOS

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET

Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET 1. Nα σχεδιάσετε τη δομή (διατομή) και το κυκλωματικό σύμβολο ενός τρανζίστορ MOSFET πύκνωσης (ή εμπλουτισμού) καναλιού τύπου n. 2. Να αναπτύξετε τις

Διαβάστε περισσότερα

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Τα πιο βασικά στοιχεία δομής των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I 2 η Εργαστηριακή Άσκηση Μελέτη των Παρασιτικών Χωρητικοτήτων και της Καθυστέρησης στα Κυκλώματα CMOS Άδειες Χρήσης Το παρόν υλικό διατίθεται με τους όρους της

Διαβάστε περισσότερα

Επιπλέον, για ευκολία στις πράξεις ορίζουμε τις παρακάτω μεταβλητές

Επιπλέον, για ευκολία στις πράξεις ορίζουμε τις παρακάτω μεταβλητές Αναστροφέας με φορτίο Enhancement OSFE Η απλούστερη υλοποίηση OSFE αναστροφέα με ενεργό φορτίο χρησιμοποιεί δύο N-OSFES. Στην ανάλυση που ακολουθεί θα διαπιστώσουμε ότι η χαρακτηριστική μεταφοράς απέχει

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών) Τα μοντέρνα ψηφιακά κυκλώματα (λογικές πύλες, μνήμες, επεξεργαστές και άλλα σύνθετα κυκλώματα) υλοποιούνται σήμερα

Διαβάστε περισσότερα

Λογικά Κυκλώματα NMOS. Διάλεξη 4

Λογικά Κυκλώματα NMOS. Διάλεξη 4 Λογικά Κυκλώματα NMOS Διάλεξη 4 Δομή της διάλεξης Η Σχεδίαση του Αντιστροφέα NMOS με Ωμικό Φόρτο Η Στατική Σχεδίαση του Αντιστροφέα NMOS με Κορεσμένο Φόρτο ΟΑντιστροφέαςΝMOS με Γραμμικό Φόρτο ΟΑντιστροφέαςΝMOS

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (11 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (11 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (11 η σειρά διαφανειών) Μελέτη των Παρασιτικών Χωρητικοτήτων και της Καθυστέρησης στα Κυκλώματα CMOS Με βάση το εργαλείο σχεδιασμού Microwind

Διαβάστε περισσότερα

Καθυστέρηση στατικών πυλών CMOS

Καθυστέρηση στατικών πυλών CMOS Καθυστέρηση στατικών πυλών CMOS Πρόχειρες σημειώσεις Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Άνοιξη 2008 Παρόλο που οι εξισώσεις των ρευμάτων των MOS τρανζίστορ μας δίνουν

Διαβάστε περισσότερα

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ.Ε.

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Α. Αναστροφέας MOSFET. Α.1 Αναστροφέας MOSFET µε φορτίο προσαύξησης. Ο αναστροφέας MOSFET (πύλη NOT) αποτελείται από

Διαβάστε περισσότερα

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Ηµιαγώγιµα υλικά και πυρίτιο Η κατασκευή ενός ολοκληρωµένου κυκλώµατος γίνεται µε βάση ένα υλικό ηµιαγωγού (semiconductor), το οποίο

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε αναστροφείς CMOS VLSI

Εργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε αναστροφείς CMOS VLSI Ε.Μ.Π. - ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΫΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ VLSI

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) 1 FET Δομή και λειτουργία Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός

Διαβάστε περισσότερα

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k, Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ) με τα εξής χαρακτηριστικά: 3 k, 50, k, S k και V 5 α) Nα υπολογιστούν οι τιμές των αντιστάσεων β) Να επιλεγούν οι χωρητικότητες C, CC έτσι ώστε ο ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τελεστικοί Ενισχυτές Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ο ιδανικός τελεστικός ενισχυτής Είσοδος αντιστροφής Ισοδύναμα Είσοδος μη αντιστροφής A( ) A d 2 1 2 1

Διαβάστε περισσότερα

Φόρτιση πυκνωτή μέσω αντίστασης Εάν αρχικά, η τάση στο άκρο του πυκνωτή είναι 0, τότε V DD V(t) για την τάση σε χρόνο t, V(t) θα έχουμε V t ( t ) (1 e ) V DD Αποφόρτιση πυκνωτή Εάν αρχικά, η τάση στο άκρο

Διαβάστε περισσότερα

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ T.E.I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 1 Περιεχόμενα 2 ης ενότητας Στην δεύτερη ενότητα θα ασχοληθούμε

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρική και Μηχανική ταλάντωση στο ίδιο φαινόμενο

Ηλεκτρική και Μηχανική ταλάντωση στο ίδιο φαινόμενο Ηλεκτρική και Μηχανική ταλάντωση στο ίδιο φαινόμενο Στο σχήμα φαίνεται μια γνώριμη διάταξη δύο παράλληλων αγωγών σε απόσταση, που ορίζουν οριζόντιο επίπεδο, κάθετο σε ομογενές μαγνητικό πεδίο έντασης.

Διαβάστε περισσότερα

Λογικά Κυκλώματα CMOS. Διάλεξη 5

Λογικά Κυκλώματα CMOS. Διάλεξη 5 Λογικά Κυκλώματα CMOS Διάλεξη 5 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή Η τεχνολογία αντιστροφέων CMOS Λειτουργία του κυκλώματος Χαρακτηριστική μεταφοράς τάσης Περιθώρια θορύβου Κατανάλωση ισχύος Οι πύλες CMOS NOR

Διαβάστε περισσότερα

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 8: Βηματική απόκριση κυκλωμάτων RL και RC Οι διαφάνειες ακολουθούν το βιβλίο του Κων/νου Παπαδόπουλου «Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων» ISBN: 9789609371100 κωδ. ΕΥΔΟΞΟΣ:

Διαβάστε περισσότερα

HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα

HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Συνοπτική παρουσίαση της δομής και λειτουργίας του MOS τρανζίστορ Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Η δομή του τρανζίστορ Όπως ξέρετε υπάρχουν

Διαβάστε περισσότερα

Στατική ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Στατική ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Στατική ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMO Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Στατική (C) ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMO Θα εξάγουµε τη χαρακτηριστική τάσης = f( ) (καθώς και τη χαρακτηριστική ρεύµατος

Διαβάστε περισσότερα

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 7: Μεταβατική απόκριση κυκλωμάτων RL και RC Οι διαφάνειες ακολουθούν το βιβλίο του Κων/νου Παπαδόπουλου «Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων» ISBN: 9789609371100 κωδ. ΕΥΔΟΞΟΣ:

Διαβάστε περισσότερα

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Ανοχή στον Θόρυβο

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Ανοχή στον Θόρυβο Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Ανοχή στον Θόρυβο Γιάννης Λιαπέρδος TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Εισαγωγή

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού

Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού Σύνοψη Στο κεφάλαιο αυτό αναλύεται η λειτουργία των κυκλωμάτων χρονισμού. Τα κυκλώματα αυτά παρουσιάζουν πολύ μεγάλο πρακτικό ενδιαφέρον και απαιτείται να λειτουργούν με

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G). ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

ΗΥ-121: Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Γιώργος Δημητρακόπουλος. Βασικές Αρχές Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

ΗΥ-121: Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Γιώργος Δημητρακόπουλος. Βασικές Αρχές Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Πανεπιστήμιο Κρήτης Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών ΗΥ-121: Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Γιώργος Δημητρακόπουλος Άνοιξη 2008 Βασικές Αρχές Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Ηλεκτρικό ρεύμα Το ρεύμα είναι αποτέλεσμα της κίνησης

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Βασική Φυσική Στοιχείων MOS

Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Βασική Φυσική Στοιχείων MOS Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές

Τελεστικοί Ενισχυτές Τελεστικοί Ενισχυτές Ενισχυτές-Γενικά: Οι ενισχυτές είναι δίθυρα δίκτυα στα οποία η τάση ή το ρεύμα εξόδου είναι ευθέως ανάλογη της τάσεως ή του ρεύματος εισόδου. Υπάρχουν τέσσερα διαφορετικά είδη ενισχυτών:

Διαβάστε περισσότερα

Ανάλυση Κυκλωμάτων. Φώτης Πλέσσας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών

Ανάλυση Κυκλωμάτων. Φώτης Πλέσσας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών Ανάλυση Κυκλωμάτων Στοιχεία Δύο Ακροδεκτών Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών Δομή Παρουσίασης Εισαγωγή Αντιστάτης Πηγές τάσης και ρεύματος Πυκνωτής

Διαβάστε περισσότερα

Φυσική για Μηχανικούς

Φυσική για Μηχανικούς Εικόνα: Επισκευή μιας πλακέτας κυκλωμάτων ενός υπολογιστή. Χρησιμοποιούμε καθημερινά αντικείμενα που περιέχουν ηλεκτρικά κυκλώματα, συμπεριλαμβανομένων και κάποιων με πολύ μικρότερες πλακέτες από την εικονιζόμενη.

Διαβάστε περισσότερα

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 3: Συνδυασμός αντιστάσεων και πηγών Οι διαφάνειες ακολουθούν το βιβλίο του Κων/νου Παπαδόπουλου «Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων» ISBN: 978-960-93-7110-0 κωδ. ΕΥΔΟΞΟΣ:

Διαβάστε περισσότερα

ΕΧΕΙ ΤΑΞΙΝΟΜΗΘΕΙ ΑΝΑ ΕΝΟΤΗΤΑ ΚΑΙ ΑΝΑ ΤΥΠΟ ΓΙΑ ΔΙΕΥΚΟΛΥΝΣΗ ΤΗΣ ΜΕΛΕΤΗΣ ΣΑΣ ΚΑΛΗ ΕΠΙΤΥΧΙΑ ΣΤΗ ΠΡΟΣΠΑΘΕΙΑ ΣΑΣ ΚΙ 2014

ΕΧΕΙ ΤΑΞΙΝΟΜΗΘΕΙ ΑΝΑ ΕΝΟΤΗΤΑ ΚΑΙ ΑΝΑ ΤΥΠΟ ΓΙΑ ΔΙΕΥΚΟΛΥΝΣΗ ΤΗΣ ΜΕΛΕΤΗΣ ΣΑΣ ΚΑΛΗ ΕΠΙΤΥΧΙΑ ΣΤΗ ΠΡΟΣΠΑΘΕΙΑ ΣΑΣ ΚΙ 2014 ΤΟ ΥΛΙΚΟ ΕΧΕΙ ΑΝΤΛΗΘΕΙ ΑΠΟ ΤΑ ΨΗΦΙΑΚΑ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΑ ΒΟΗΘΗΜΑΤΑ ΤΟΥ ΥΠΟΥΡΓΕΙΟΥ ΠΑΙΔΕΙΑΣ http://wwwstudy4examsgr/ ΕΧΕΙ ΤΑΞΙΝΟΜΗΘΕΙ ΑΝΑ ΕΝΟΤΗΤΑ ΚΑΙ ΑΝΑ ΤΥΠΟ ΓΙΑ ΔΙΕΥΚΟΛΥΝΣΗ ΤΗΣ ΜΕΛΕΤΗΣ ΣΑΣ ΚΑΛΗ ΕΠΙΤΥΧΙΑ ΣΤΗ

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 5 Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη των

Διαβάστε περισσότερα

ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ. Το ιδανικό κύκλωμα LC του σχήματος εκτελεί αμείωτες ηλεκτρικές ταλαντώσεις, με περίοδο

ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ. Το ιδανικό κύκλωμα LC του σχήματος εκτελεί αμείωτες ηλεκτρικές ταλαντώσεις, με περίοδο ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΑΣΚΗΣΕΩΝ Άσκηση 1. Ιδανικό κύκλωμα LC εκτελεί αμείωτες ηλεκτρικές ταλαντώσεις. Να αποδείξετε ότι η στιγμιαία τιμή i της έντασης του ρεύματος στο κύκλωμα δίνεται σε συνάρτηση με το στιγμιαίο

Διαβάστε περισσότερα

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 6: Παθητικά στοιχεία αποθήκευσης ενέργειας Οι διαφάνειες ακολουθούν το βιβλίο του Κων/νου Παπαδόπουλου «Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων» ISBN: 9789609371100 κωδ. ΕΥΔΟΞΟΣ:

Διαβάστε περισσότερα

στη θέση 1. Κάποια χρονική στιγμή μεταφέρουμε το διακόπτη από τη θέση 1 στη

στη θέση 1. Κάποια χρονική στιγμή μεταφέρουμε το διακόπτη από τη θέση 1 στη ΠΥΚΝΩΤΗΣ ΣΥΝΔΕΔΕΜΕΝΟΣ ΠΑΡΑΛΛΗΛΑ ΜΕ ΠΗΓΗ. Στο διπλανό κύκλωμα η πηγή έχει ΗΕΔ = V και ο διακόπτης είναι αρχικά στη θέση. Κάποια χρονική στιγμή μεταφέρουμε το διακόπτη από τη θέση στη θέση και αρχίζουν οι

Διαβάστε περισσότερα

Φυσική για Μηχανικούς

Φυσική για Μηχανικούς Εικόνα: Επισκευή μιας πλακέτας κυκλωμάτων ενός υπολογιστή. Χρησιμοποιούμε καθημερινά αντικείμενα που περιέχουν ηλεκτρικά κυκλώματα, συμπεριλαμβανομένων και κάποιων με πολύ μικρότερες πλακέτες από την εικονιζόμενη.

Διαβάστε περισσότερα

Ο πυκνωτής είναι μια διάταξη αποθήκευσης ηλεκτρικού φορτίου, επομένως και ηλεκτρικής ενέργειας.

Ο πυκνωτής είναι μια διάταξη αποθήκευσης ηλεκτρικού φορτίου, επομένως και ηλεκτρικής ενέργειας. ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΙΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΙΣ Ο πυκνωτής Ο πυκνωτής είναι μια διάταξη αποθήκευσης ηλεκτρικού φορτίου, επομένως και ηλεκτρικής ενέργειας. Η απλούστερη μορφή πυκνωτή είναι ο επίπεδος πυκνωτής, ο οποίος

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός είδους

Διαβάστε περισσότερα

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 8: Βηματική απόκριση κυκλωμάτων RL και R Οι διαφάνειες ακολουθούν το βιβλίο του Κων/νου Παπαδόπουλου «Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων» ISBN: 9789609371100 κωδ. ΕΥΔΟΞΟΣ:

Διαβάστε περισσότερα

ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ 1 ο ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ 1 ο ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ο ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΘΕΜΑ Α. Στις ημιτελείς προτάσεις - 4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της πρότασης και δίπλα το γράμμα που αντιστοιχεί στη φράση, η οποία τη συμπληρώνει σωστά.. Το μέτρο της

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5 Ο : ΣΥΝΤΟΝΙΣΜΟΣ ΑΠΛΩΝ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5 Ο : ΣΥΝΤΟΝΙΣΜΟΣ ΑΠΛΩΝ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5 Ο : ΣΥΝΤΟΝΙΣΜΟΣ ΑΠΛΩΝ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ 1 Ο συντονισμός είναι μια κατάσταση κατά την οποία το φανταστικό μέρος της σύνθετης αντίστασης ενός κυκλώματος RCL μηδενίζεται. Αυτό συμβαίνει γιατί

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1 Δομή Παρουσίασης MOSFET

Διαβάστε περισσότερα

Το χρονικό διάστημα μέσα σε μια περίοδο που η ενέργεια του μαγνητικού πεδίου αυξάνεται ισούται με:

Το χρονικό διάστημα μέσα σε μια περίοδο που η ενέργεια του μαγνητικού πεδίου αυξάνεται ισούται με: Κυκλώματα, Επαναληπτικό ΤΕΣΤ. ΘΕΜΑ Α. Στο κύκλωμα του σχήματος, ο πυκνωτής το χρονική στιγμή =0 που κλείνουμε το διακόπτη φέρει φορτίο q=q. Α. H ενέργεια του ηλεκτρικού πεδίου του πυκνωτή είναι ίσος με

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ

ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Ηλεκτρικό κύκλωμα ονομάζεται μια διάταξη που αποτελείται από ένα σύνολο ηλεκτρικών στοιχείων στα οποία κυκλοφορεί ηλεκτρικό ρεύμα. Τα βασικά ηλεκτρικά στοιχεία είναι οι γεννήτριες,

Διαβάστε περισσότερα

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 6: Παθητικά στοιχεία αποθήκευσης ενέργειας Οι διαφάνειες ακολουθούν το βιβλίο του Κων/νου Παπαδόπουλου «Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων» ISBN: 978-960-93-7110-0 κωδ.

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 5: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (MOS-FET, J-FET) Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ Σκοπός : 1. Γνωριμία με το τρανζίστορ. Μελέτη πόλωσης του τρανζίστορ και ευθεία φορτίου. 2. Μελέτη τρανζίστορ σε λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

1. Ιδανικό κύκλωμα LC εκτελεί ηλεκτρικές ταλαντώσεις και η χρονική εξίσωση του φορτίου του πυκνωτή

1. Ιδανικό κύκλωμα LC εκτελεί ηλεκτρικές ταλαντώσεις και η χρονική εξίσωση του φορτίου του πυκνωτή Εισαγωγικές ασκήσεις στις ηλεκτρικές ταλαντώσεις 1. Ιδανικό κύκλωμα L εκτελεί ηλεκτρικές ταλαντώσεις και η χρονική εξίσωση του φορτίου του πυκνωτή δίνεται από τη σχέση q = 10 6 συν(10 ) (S.I.). Ο συντελεστής

Διαβάστε περισσότερα

Φυσική Γ' Θετικής και Τεχνολογικής Κατ/σης

Φυσική Γ' Θετικής και Τεχνολογικής Κατ/σης Ηλεκτρικές Ταλαντώσεις ο ΘΕΜΑ Α Ερωτήσεις Πολλαπλής Επιλογής Να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό καθεμιάς από τις παρακάτω ερωτήσεις και δίπλα το γράμμα που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση Ηλεκτρικό

Διαβάστε περισσότερα

Επιπλέον, για ευκολία στις πράξεις ορίζουμε τις παρακάτω μεταβλητές

Επιπλέον, για ευκολία στις πράξεις ορίζουμε τις παρακάτω μεταβλητές Αναστροφέας με φορτίο Depletion MOSFET Ένας ακόμη αναστροφέας NMOS τεχνολογίας είναι ο αναστροφέας με φορτίο (ML) Depletion NMOS. Ο αναστροφέας αυτός έχει καλύτερη χαρακτηριστική μεταφοράς σε σύγκριση

Διαβάστε περισσότερα

4. ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΤΟΥ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΥ FOURIER

4. ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΤΟΥ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΥ FOURIER 4. ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΤΟΥ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΥ FOURIER Σκοπός του κεφαλαίου είναι να παρουσιάσει μερικές εφαρμογές του Μετασχηματισμού Fourier (ΜF). Ειδικότερα στο κεφάλαιο αυτό θα περιγραφούν έμμεσοι τρόποι

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση των Τρανζίστορ

Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση λέμε την κατάλληλη συνεχή τάση που πρέπει να εφαρμόσουμε στο κύκλωμα που περιλαμβάνει κάποιο ηλεκτρονικό στοιχείο (π.χ τρανζίστορ), έτσι ώστε να εξασφαλίσουμε την ομαλή λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΜΕΝΑ ΘΕΜΑΤΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΙΣ

ΛΥΜΕΝΑ ΘΕΜΑΤΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΙΣ ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΑΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΦΥΣΙΚΗΣ Π.Φ. ΜΟΙΡΑ 69 946778 ΛΥΜΕΝΑ ΘΕΜΑΤΑ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΙΣ Συγγραφή Επιμέλεια: Παναγιώτης Φ. Μοίρας ΣΟΛΩΜΟΥ 9 - ΑΘΗΝΑ 69 946778 ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΑΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΦΥΣΙΚΗΣ

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΜΑΓΝΗΤΙΚΗ ΘΕΩΡΙΑ ΠΗΓΕΣ ΜΑΓΝΗΤΙΚΟΥ ΠΕΔΙΟΥ

ΗΛΕΚΤΡΟΜΑΓΝΗΤΙΚΗ ΘΕΩΡΙΑ ΠΗΓΕΣ ΜΑΓΝΗΤΙΚΟΥ ΠΕΔΙΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΜΑΓΝΗΤΙΚΗ ΘΕΩΡΙΑ ΠΗΓΕΣ ΜΑΓΝΗΤΙΚΟΥ ΠΕΔΙΟΥ 1 .1 ΤΟ ΜΑΓΝΗΤΙΚΟ ΠΕΔΙΟ ΚΙΝΟΥΜΕΝΟΥ ΦΟΡΤΙΟΥ Ας θεωρούμε το μαγνητικό πεδίο ενός κινούμενου σημειακού φορτίου q. Ονομάζουμε τη θέση του φορτίου σημείο πηγής

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET)

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET) ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 7 Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET) Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η κατανόηση της λειτουργία των

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ. 3 η ενότητα ΡΥΘΜΙΣΗ ΣΗΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΠΡΟΣΑΡΜΟΓΗ ΜΕ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΠΑΘΗΤΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. ρ. Λάμπρος Μπισδούνης.

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ. 3 η ενότητα ΡΥΘΜΙΣΗ ΣΗΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΠΡΟΣΑΡΜΟΓΗ ΜΕ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΠΑΘΗΤΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. ρ. Λάμπρος Μπισδούνης. ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής η ενότητα ΡΥΘΜΙΣΗ ΣΗΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΠΡΟΣΑΡΜΟΓΗ ΜΕ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΠΑΘΗΤΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ T... ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Περιεχόμενα ης ενότητας

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΔΙΟΔΟΣ (Μάθημα 4 ο 5 ο 6 ο 7 ο ) 1/12 4 o εργαστήριο Ιδανική δίοδος n Συμβολισμός της διόδου n 2/12 4 o εργαστήριο Στατική χαρακτηριστική διόδου Άνοδος (+) Κάθοδος () Αν στην ιδανική

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΣΤΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 1 ης ΤΑΞΗΣ (Κεφ. 18)

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΣΤΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 1 ης ΤΑΞΗΣ (Κεφ. 18) ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΣΤΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 1 ης ΤΑΞΗΣ (Κεφ. 18) Άσκηση 1. Α) Στο κύκλωμα του παρακάτω σχήματος την χρονική στιγμή t=0 sec ο διακόπτης κλείνει. Βρείτε τα v c και i c. Οι πυκνωτές είναι αρχικά αφόρτιστοι. Β)

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ. 3 η ενότητα ΡΥΘΜΙΣΗ ΣΗΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΠΡΟΣΑΡΜΟΓΗ ΜΕ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΠΑΘΗΤΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. ρ. Λάμπρος Μπισδούνης.

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ. 3 η ενότητα ΡΥΘΜΙΣΗ ΣΗΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΠΡΟΣΑΡΜΟΓΗ ΜΕ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΠΑΘΗΤΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. ρ. Λάμπρος Μπισδούνης. ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 3 η ενότητα ΡΥΘΜΙΣΗ ΣΗΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΠΡΟΣΑΡΜΟΓΗ ΜΕ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΠΑΘΗΤΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ T.E.I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Περιεχόμενα 3 ης

Διαβάστε περισσότερα

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Σχήμα 1 Σχήμα 2 Σχήμα 3

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Σχήμα 1 Σχήμα 2 Σχήμα 3 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Μάθημα: Φυσική Ημιαγωγών και Διατάξεων Εξεταστική Περίοδος: Ιούνιος 017 Καθηγητής: Δ. Τριάντης ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ ΘΕΜΑ 1 Ο (+=4 ΜΟΝΑΔΕΣ) Α) Θεωρούμε μια διάταξη MIS (Metal: Al, Isulator:

Διαβάστε περισσότερα

Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n

Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων dpapageo@cc.uoi.gr http://pc164.materials.uoi.gr/dpapageo Επαφή p n Ανάστροφη πόλωση Πολώνουμε

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Διδάσκοντες:

Διαβάστε περισσότερα

Περιεχόμενο της άσκησης

Περιεχόμενο της άσκησης Προαπαιτούμενες γνώσεις Επαφή p- Στάθμη Fermi Χαρακτηριστική ρεύματος-τάσης Ορθή και ανάστροφη πόλωση Περιεχόμενο της άσκησης Οι επαφές p- παρουσιάζουν σημαντικό ενδιαφέρον επειδή βρίσκουν εφαρμογή στη

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ A. Πίνακες αληθείας λογικών πυλών. Στη θετική λογική το λογικό 0 παριστάνεται µε ένα χαµηλό δυναµικό, V L, ενώ το λογικό 1

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών & Πληροφορικής Μάθημα: Βασικά Ηλεκτρονικά Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης Εργασία των Άννα Μαγιάκη και Καλλιόπης-Κλέλιας Λυκοθανάση Χειμερινό

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1ο: ΜΗΧΑΝΙΚΕΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΙΣ ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1ο: ΜΗΧΑΝΙΚΕΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΙΣ ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ. ΤΟ ΥΛΙΚΟ ΕΧΕΙ ΑΝΤΛΗΘΕΙ ΑΠΟ ΤΑ ΨΗΦΙΑΚΑ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΑ ΒΟΗΘΗΜΑΤΑ ΤΟΥ ΥΠΟΥΡΓΕΙΟΥ ΠΑΙΔΕΙΑΣ http://www.study4exams.gr/ ΕΧΕΙ ΤΑΞΙΝΟΜΗΘΕΙ ΑΝΑ ΕΝΟΤΗΤΑ ΚΑΙ ΑΝΑ ΤΥΠΟ ΓΙΑ ΔΙΕΥΚΟΛΥΝΣΗ ΤΗΣ ΜΕΛΕΤΗΣ ΣΑΣ ΚΑΛΗ ΕΠΙΤΥΧΙΑ ΣΤΗ

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Διάλεξη 2: Δίοδος pn Δρ Δημήτριος Λαμπάκης 1 Δίοδος pn Είναι μια μη γραμμική συσκευή Η γραφική παράσταση του ρεύματος σε σχέση με την τάση δεν είναι ευθεία γραμμή Η εξωτερική τάση

Διαβάστε περισσότερα

2π 10 4 s,,,q=10 6 συν10 4 t,,,i= 10 2 ημ 10 4 t,,,i=± A,,, s,,,

2π 10 4 s,,,q=10 6 συν10 4 t,,,i= 10 2 ημ 10 4 t,,,i=± A,,, s,,, 1. Ο πυκνωτής του σχήματος έχει χωρητικότητα C=5μF και φορτίο Q=1μC, ενώ το πηνίο έχει συντελεστή αυτεπαγωγής L=2 mh. Τη χρονική στιγμή t=0 κλείνουμε το διακόπτη και το κύκλωμα εκτελεί ηλεκτρική ταλάντωση.

Διαβάστε περισσότερα

HMY 102 Ανασκόπηση της μεταβατικής ανάλυσης Πρωτοτάξια κυκλώματα (RL και RC)

HMY 102 Ανασκόπηση της μεταβατικής ανάλυσης Πρωτοτάξια κυκλώματα (RL και RC) Ths mag canno currnly b dsplayd. Τρία είναι τα βασικά παθητικά στοιχεία στη θεωρία γραμμικών κυκλωμάτων:, και HMY 12 Ανασκόπηση της μεταβατικής ανάλυσης Πρωτοτάξια κυκλώματα ( και ) απορροφά ενέργεια και

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4ο ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Διπολικά τρανζίστορ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar ή BJT) είναι ένας κρύσταλλος τριών στρωμάτων με διαφορετικό επίπεδο εμπλουτισμού: τον εκπομπό Ε, τη βάση

Διαβάστε περισσότερα

Οδηγία: Να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό καθεμιάς από τις παρακάτω ερωτήσεις Α1-Α4 και δίπλα το γράμμα που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση.

Οδηγία: Να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό καθεμιάς από τις παρακάτω ερωτήσεις Α1-Α4 και δίπλα το γράμμα που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση. ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΕΚΠ. ΕΤΟΥΣ 03-04 ΜΑΘΗΜΑ / ΤΑΞΗ : ΦΥΣΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΣΕΙΡΑ: Α ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 0/0/03 ΘΕΜΑ Α Οδηγία: Να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό καθεμιάς από τις παρακάτω ερωτήσεις Α-Α4 και δίπλα

Διαβάστε περισσότερα

Παρατηρούμε ότι πολύ μικρή τάση εισόδου μπορεί να αλλάξει την κατάσταση στην έξοδο.

Παρατηρούμε ότι πολύ μικρή τάση εισόδου μπορεί να αλλάξει την κατάσταση στην έξοδο. ΣΥΓΚΡΙΤΕΣ Πολλές φορές είναι απαραίτητο να συγκρίνουμε δύο τάσεις για να βρούμε ποια είναι μεγαλύτερη ή για να καθορίσουμε ένα κατώφλι λειτουργίας. Παράδειγμα είναι ο θερμοστάτης που μετατρέπει τη θερμοκρασία

Διαβάστε περισσότερα

Ξεκινώντας από την εξίσωση Poisson για το δυναμικό V στο στατικό ηλεκτρικό πεδίο:

Ξεκινώντας από την εξίσωση Poisson για το δυναμικό V στο στατικό ηλεκτρικό πεδίο: 1 2. Διοδος p-n 2.1 Επαφή p-n Στο σχήμα 2.1 εικονίζονται δύο μέρη ενός ημιαγωγού με διαφορετικού τύπου αγωγιμότητες. Αριστερά ο ημιαγωγός είναι p-τύπου και δεξια n-τύπου. Και τα δύο μέρη είναι ηλεκτρικά

Διαβάστε περισσότερα

ΜΑΘΗΜΑ / ΤΑΞΗ : ΦΥΣΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ / Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΣΕΙΡΑ: ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ Α ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: ΑΡΧΩΝ ΜΑΡΚΟΣ-ΤΖΑΓΚΑΡΑΚΗΣ ΓΙΑΝΝΗΣ-KΥΡΙΑΚΑΚΗΣ ΓΙΩΡΓΟΣ

ΜΑΘΗΜΑ / ΤΑΞΗ : ΦΥΣΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ / Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΣΕΙΡΑ: ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ Α ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: ΑΡΧΩΝ ΜΑΡΚΟΣ-ΤΖΑΓΚΑΡΑΚΗΣ ΓΙΑΝΝΗΣ-KΥΡΙΑΚΑΚΗΣ ΓΙΩΡΓΟΣ ΜΑΘΗΜΑ / ΤΑΞΗ : ΦΥΣΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ / Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΣΕΙΡΑ: ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ Α ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 19-10-2014 ΕΠΙΜΕΛΕΙΑ ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑΤΟΣ: ΑΡΧΩΝ ΜΑΡΚΟΣ-ΤΖΑΓΚΑΡΑΚΗΣ ΓΙΑΝΝΗΣ-KΥΡΙΑΚΑΚΗΣ ΓΙΩΡΓΟΣ ΘΕΜΑ Α Οδηγία: Στις ερωτήσεις Α1 Α4

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ & ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΑ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ & ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ & ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΑ 1 ΝΟΜΟΣ ΤΟΥ OHM (ΩΜ) Για πολλά υλικά ο λόγος της πυκνότητας του ρεύματος προς το ηλεκτρικό πεδίο είναι σταθερός και ανεξάρτητος από το ηλεκτρικό

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες): ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 9/0/00 ΘΕΜΑ ο ( μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: 0, 0.7, kω, 0 kω, Ε kω, L kω, β fe 00, e kω. (α) Να προσδιορίσετε τις τιμές των αντιστάσεων,

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ένα ηλεκτρικό κύκλωμα αποτελείται από ένα σύνολο

Διαβάστε περισσότερα

Theory Greek (Cyprus) Μη γραμμική δυναμική σε Ηλεκτρικά Κυκλώματα (10 μονάδες)

Theory Greek (Cyprus) Μη γραμμική δυναμική σε Ηλεκτρικά Κυκλώματα (10 μονάδες) Q2-1 Μη γραμμική δυναμική σε Ηλεκτρικά Κυκλώματα (10 μονάδες) Παρακαλείστε, να διαβάσετε τις Γενικές Οδηγίες που βρίσκονται σε ξεχωριστό φάκελο πριν ξεκινήσετε την επίλυση αυτού του προβλήματος. Εισαγωγή

Διαβάστε περισσότερα

v(t) = Ri(t). (1) website:

v(t) = Ri(t). (1) website: Αλεξάνδρειο Τεχνολογικό Εκπαιδευτικό Ιδρυμα Θεσσαλονίκης Τμήμα Μηχανικών Αυτοματισμού Μαθηματική Μοντελοποίηση και Αναγνώριση Συστημάτων Μαάιτα Τζαμάλ-Οδυσσέας 10 Μαρτίου 2017 1 Βασικά μεγέθη ηλεκτρικών

Διαβάστε περισσότερα

ΥΠΟΛΟΓΙΣΜΟΣ ΚΑΙ ΜΕΤΡΗΣΗ ΣΥΝΑΡΤΗΣΗΣ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΣΕ ΠΡΑΚΤΙΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ

ΥΠΟΛΟΓΙΣΜΟΣ ΚΑΙ ΜΕΤΡΗΣΗ ΣΥΝΑΡΤΗΣΗΣ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΣΕ ΠΡΑΚΤΙΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Κεφάλαιο ΥΠΟΛΟΓΙΣΜΟΣ ΚΑΙ ΜΕΤΡΗΣΗ ΣΥΝΑΡΤΗΣΗΣ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΣΕ ΠΡΑΚΤΙΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Στη διαδικασία σχεδιασμού των Συστημάτων Αυτομάτου Ελέγχου, η απαραίτητη και η πρώτη εργασία που έχουμε να κάνουμε, είναι να

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΑΣΚΗΣΗ 1η: ΜΕΛΕΤΗ ΤΟΥ MOSFET Σκοπός της άσκησης Στην άσκηση αυτή θα μελετήσουμε το τρανζίστορ τύπου MOSFET και τη λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΥΣΗ ΤΟ ΓΕΝΙΚΟ ΠΛΑΝΟ 2019Κ4-1

ΑΝΑΛΥΣΗ ΤΟ ΓΕΝΙΚΟ ΠΛΑΝΟ 2019Κ4-1 ΑΝΑΛΥΣΗ ΤΟ ΓΕΝΙΚΟ ΠΛΑΝΟ 2019Κ4-1 ΤΟ ΜΑΥΡΟ ΚΟΥΤΙ Είσοδος ΜΑΥΡΟ ΚΟΥΤΙ Έξοδος 1. Το περιεχόμενο του μαύρου κουτιού (απλά ηλεκτρικά στοιχεία) 2. Είσοδος: σήματα (κυματομορφές) διέγερσης 3. Έξοδος: απόκριση

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab

Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων CMOS Αναστροφέας Κεφάλαιο ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας VLSI Systems ad Computer Architecture Lab ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Διάρθρωση 1. I V χαρακτηριστική

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 2 η N-MOS ΚΑΙ P-MOS TRANSISTOR ΩΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ

ΑΣΚΗΣΗ 2 η N-MOS ΚΑΙ P-MOS TRANSISTOR ΩΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ ΑΣΚΗΣΗ 2 η N-MOS ΚΑΙ P-MOS TRANSISTOR ΩΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ ΘΕΩΡΙΑ 1. Εργαλεία εξομοίωσης, SPICE, αρχεία περιγραφής κυκλωμάτων (netlist) (Παρ. 3.4, σελ 152-155) 2. To transistor ως διακόπτης, πύλη διέλευσης. (Παρ

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής Ο τελεστικός ενισχυτής, TE (operational ampliier, op-amp) είναι ένα από τα πιο χρήσιμα αναλογικά κυκλώματα. Κατασκευάζεται ως ολοκληρωμένο κύκλωμα (integrated circuit) και

Διαβάστε περισσότερα

Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ

Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Η/Υ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών Δρ. Χ. Μιχαήλ Πάτρα, 2010 ΑΣΚΗΣΗ 1 Ένας μικροεπεξεργαστής πρέπει να οδηγήσει ένα δίαυλο

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή. Στατική Λειτουργία V DD Q P Q N Q N =SAT QP=LIN QN=LIN Q P =SAT. Vi (Volts)

Εισαγωγή. Στατική Λειτουργία V DD Q P Q N Q N =SAT QP=LIN QN=LIN Q P =SAT. Vi (Volts) Εισαγωγή Η τεχνολογία COS εφευρέθηκε από τον Δρ. Frank Wanlass (17/5/33) το 1963 και κατοχυρώθηκε με πατέντα το 1967 (Αρ. πατέντας 3,356,5). Η COS τεχνολογία είναι αυτή που έχει κάνει πραγματικότητα την

Διαβάστε περισσότερα

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 7: Μεταβατική απόκριση κυκλωμάτων RL και RC Οι διαφάνειες ακολουθούν το βιβλίο του Κων/νου Παπαδόπουλου «Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων» ISBN: 9789609371100 κωδ. ΕΥΔΟΞΟΣ:

Διαβάστε περισσότερα

ΠΑΡΑΔΕΙΓΜΑΤΑ ΣΤΙΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΙΣ ΜΕΤΑΓΩΓΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ

ΠΑΡΑΔΕΙΓΜΑΤΑ ΣΤΙΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΙΣ ΜΕΤΑΓΩΓΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΜΕΤΑΓΩΓΗ ΑΠΟ ΤΟ ΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑ LC ΣΤΟ ΑΛΛΟ. ΔΥΟ ΠΥΚΝΩΤΕΣ ΚΑΙ ΕΝΑ ΠΗΝΙΟ. Στο κύκλωμα του σχήματος το πηνίο έχει συντελεστή αυτεπαγωγής L = (A) (B) mh, ο πυκνωτής () έχει χωρητικότητα C = μf, ενώ ο πυκνωτής

Διαβάστε περισσότερα

Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n

Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων dpapageo@cc.uoi.gr http://pc164.materials.uoi.gr/dpapageo Επαφή p n Ανάστροφη πόλωση Πολώνουμε

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας ΔΙΟΔΟΣ Οι περισσότερες ηλεκτρονικές συσκευές όπως οι τηλεοράσεις, τα στερεοφωνικά συγκροτήματα και οι υπολογιστές χρειάζονται τάση dc για να λειτουργήσουν σωστά.

Διαβάστε περισσότερα

ΚΥΡΙΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ

ΚΥΡΙΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΠΕΙΡΑΙΑ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΥ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΑΥΤΟΜΑΤΟΥ ΕΛΕΓΧΟΥ Ι Καθηγητής: Δ. ΔΗΜΟΓΙΑΝΝΟΠΟΥΛΟΣ Εργαστηριακοί Συνεργάτες: Σ. ΒΑΣΙΛΕΙΑΔΟΥ, Α. ΟΙΚΟΝΟΜΙΔΗΣ,

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων

Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Αγγελική Αραπογιάννη Σχολή Θετικών Επιστημών Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών The MOS Transistor Polysilicon Aluminum 2 N-MOS Τρανζίστορ Διάταξη τριών

Διαβάστε περισσότερα

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Λ. ΜΠΙΣΔΟΥΝΗΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 28/01/2015

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Λ. ΜΠΙΣΔΟΥΝΗΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 28/01/2015 ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 8//5 ΘΕΜΑ ο (.5 μονάδες) Η έξοδος του αισθητήρα του παρακάτω σχήματος είναι γραμμικό σήμα τάσης, το οποίο εφαρμόζεται για χρονικό διάστημα

Διαβάστε περισσότερα

ηλεκτρικό ρεύμα ampere

ηλεκτρικό ρεύμα ampere Ηλεκτρικό ρεύμα Το ηλεκτρικό ρεύμα είναι ο ρυθμός με τον οποίο διέρχεται ηλεκτρικό φορτίο από μια περιοχή του χώρου. Η μονάδα μέτρησης του ηλεκτρικού ρεύματος στο σύστημα SI είναι το ampere (A). 1 A =

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3: Τρανζίστορ FET Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης Το παρόν

Διαβάστε περισσότερα

Φυσική για Μηχανικούς

Φυσική για Μηχανικούς Εικόνα: Επισκευή μιας πλακέτας κυκλωμάτων ενός υπολογιστή. Χρησιμοποιούμε καθημερινά αντικείμενα που περιέχουν ηλεκτρικά κυκλώματα, συμπεριλαμβανομένων και κάποιων με πολύ μικρότερες πλακέτες από την εικονιζόμενη.

Διαβάστε περισσότερα