DIODA SEMICONDUCTOARE
|
|
- Ἁνανίας Γιάγκος
- 6 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 Lucrarea nr. 1 IO SEMICONUCTORE I. Scopul lucrării II. Noţiuni teoretice III. esfăşurarea lucrării IV. Temă de casă V. Simulări VI. nexă 1
2 I. Scopul lucrării Scopul lucrării constă în ridicarea caracteristicilor şi determinarea principalilor parametri ai diodelor semiconductoare; studiul comportării diodei semiconductoare în circuitele elementare. II. Noţiuni teoretice 1. Joncţiunea pn reprezintă o structură fizică realizată într-un monocristal care are două regiuni vecine, una de tip p şi alta de tip n. Linia de demarcaţie dintre cele două regiuni se numeşte joncţiune metalurgică. Marea majoritate a dispozitivelor semiconductoare conţin una sau mai multe joncţiuni. Cel mai simplu dispozitiv electronic, realizat cu o singură joncţiune, este dioda semiconductoare. Observaţie: Nu trebuie făcută confuzia de echivalenţă între termenii joncţiune pn şi diodă semiconductoare, pentru că dioda semiconductoare poate fi realizată şi pe baza altor structuri fizice, cum ar fi contactul metal-semiconductor. În plus dioda semiconductoare reprezintă un ansamblu tehnic care cuprinde, pe lângă structura fizică care o defineşte, şi alte structuri cum ar fi contactele ohmice, sistemele de prindere şi de evacuare a căldurii (capsula), etc. 2. Caracteristica statică teoretică a unei diode semiconductoare reprezintă caracteristica curent-tensiune, dedusă prin analiza fenomenelor fizice dintr-o jonctiune pn ideală ce au loc atunci când din exterior la bornele ei, între anod şi catod, este aplicată o tensiune, numită şi tensiune de polarizare. ceastă caracteristică este aproximată de o lege de variaţie (numită şi ecuaţia Shockley pentru dioda semiconductoare), dată de: I qu γ kt = I ( e 1) 2, (1.1) unde: - I reprezintă curentul de saturaţie al diodei şi este dat de expresia: I qn 2 p n = i ( ) S, (1.2) L N L N p şi este dependent de parametrii fizici şi tehnologici ai joncţiunii pn ( suprafaţa joncţiunii S, concentraţia intrinsecă de purtători n i, coeficienţii de difuzie p, n, lungimile de difuzie L p, L n ale purtătorilor de sarcină, precum şi concentraţiile de impurităţi N, N ); - γ este un coeficient empiric (numit şi coeficient de emisie), cu valori cuprinse între 1 şi 2, cu valori mai apropiate de 1 pentru Ge, şi mai apropiate de 2 pentru Si, şi care rezultă din considerarea efectului de recombinare din zona de sarcină spatială la tensiuni de polarizare directe mici (efect cu importanţă la diodele cu Si la temperatura camerei). În funcţie de suprafaţa joncţiunii pn, la rândul ei, dependentă de curentul maxim pe care trebuie să-l accepte dioda în conducţie directă, curentul de saturaţie, I, are, la temperatura camerei, valori de ordinul de mărime, 1 1µ, pentru diodele cu Ge respectiv 1 1m pentru diodele din Si. La curenţi direcţi de ordinul 1 1µ (valori des întâlnite în practică) tensiunea directă pe diodă este de.2.3v pentru diodele din Ge respectiv.6-.8v pentru diodele din Si. n
3 3. Cele două mărimi, I şi γ, se determină prin reprezentarea ecuaţiei diodei semiconductoare la scară semilogaritmică (ca în fig 1.2 unde pe abscisă se reprezintă tensiunea aplicată pentru conducţie directă la scară liniară şi pe verticală curentul pe dioda la scara logaritmică). Panta dreptei astfel obţinute permite deducerea coeficientului γ, cu relaţia: q 1 u γ =. (1.3) kt 2.3 lgi Prin prelungirea aceleaşi drepte, la intersecţia cu axa ordonatei se obţine curentul de saturaţie I. i (m) 15 1 i (m) 1 1 lg i 5 1 u I u (V) I u (V) fig.1.1 fig ependenţa de temperatura a caracteristicii statice a unei diode semiconductoare este foarte puternică, înregistrîndu-se o dublare a curentului de saturaţie la fiecare 1 C pentru diode din Ge respectiv la fiecare 6 C pentru diodele din Si. ceasta dependenţă poate fi pusă în evidenţa şi prin coeficientul de variaţie a tensiunii directe de pe diodă cu temperatura, la curent constant. Teoretic acest curent este de circa 2V/ C, pentru ambele tipuri de material utilizate curent pentru realizarea diodelor semiconductoare. 5. La polarizare inversă, conform ecuaţiei teoretice 1.1, curentul este constant şi egal cu I. ar pentru tensiuni inverse aplicate diodei, regiunea de sarcină spaţială se măreşte şi apare un curent de generare, dependent de tensiunea aplicată, cu valori relative importante pentru diodele din Si (în fig. 1.1 contribuţia acestui curent la caracteristica diodei a fost reprezentată punctat). La tensiuni de polarizare inversă mai mari, datorită fenomenului Zener, şi fenomenului de multiplicare în avalanşă (predominant de obicei), curentul invers creşte, valoarea lui fiind limitată numai de circuitul exterior. Tensiunile de străpugere, la care apare aceasta creştere a curentului, sunt dependente de natura materialului semiconductor din care este realizat dispozitivul, precum şi de concentraţiile de impurităţi, fiind cu atât mai mici cu cât concentraţiile de impurităţi sunt mai mari. Fenomenul Zener apare la joncţiunile din semiconductoare puternic dopate cu impurităţi, în cazul alimentării cu tensiuni inverse. Chiar dacă aceste tensiuni inverse sunt mici, în regiunea de trecere ia naştere un câmp electric foarte puternic. atorită acestui câmp, 3
4 asupra electronilor se exercită forţe foarte mari care tind să-i scoatădin atracţia nucleului, are loc ruperea legăturilor covalente, rezultînd electroni şi goluri disponibile pentru conducţie. Multiplicarea prin avalanşă apare la joncţiunile din semiconductoare cu concentraţie mică de impurităţi, deci regiune de trecere largă. Odată cu creşterea tensiunii inverse, deci a câmpului electric electronul câştigă energie astfel încât la o ciocnire cu un electron de valenţă acesta poate fi scos din legătură, generându-se o pereche electron-gol. Prin ciocnire electronul incident îşi reduce viteza, însă datorită tensiunii aplicate electronul şi particulele generate vor fi din nou accelerate. 6. La tensiuni directe mari caracteristica statică tinde să se liniarizeze, datorită căderilor de tensiune pe zonele neutre ale joncţiunii pn, care nu mai pot fi neglijabile. 7. În circuitele electronice, diodele semiconductoare pot îndeplini mai multe funcţiuni (redresare, detecţie, limitare, etc) în mai multe situaţii fiind necesară stabilirea unui regim static de funcţionare. Pentru circuitul elementar din fig. 1.3 punctul static de funcţionare se determină prin rezolvarea grafoanalitică a sistemului de ecuaţii format din ecuaţia caracteristicii statice a diodei (1.1) şi ecuaţia dreptei statice de funcţionare: u = E (1.4) Ri R i i fig. 1.4 E u E/R I M( U, I ) fig.1.3 U E u Punctul static de funcţionare M are coordonatele M( U, I ), iar în acest punct de funcţionare dioda este caracterizată din punct de vedere al semnalelor lent variabile (ce pot fi aplicate în serie cu tensiunea continuă E) printr-o rezistentă dinamică, pentru care se deduce relaţia: r kt = γ. (1.5) qi Rezistenţa dinamică r se determină experimental prin calculul pantei caracteristicii statice, în punctul static de funcţionare M conform relaţiei: r u i =. (1.6) M 4
5 8. iodele stabilizatoare de tensiune(impropriu dar frecvent denumite diode Zener) sunt caracterizate printr-o tensiune de străpungere bine definită (datorită efectului de multiplicare în avalanşă care determină o creştere foarte puternică a curentului invers în zona de străpungere), controlată prin concentraţiile de impurităţi, funcţionare normală a diodei fiind în această zonă. Fig 1.5, în care este reprezentată caracteristica statică, atât cea directă cât şi cea inversă, permite înţelegerea noţiunii de tensiune stabilizată, U Z, precum şi determinarea rezistenţei dinamice a diodei r z, conform relaţiei: I Z U Z M i I Z fig.1.5 u r z U I Z = (1.7). Z I Z = ct III. esfăşurarea lucrării 1. Identificarea montajului Se identifică montajul din fig 1.6. Grupul de componente format din tranzistoarele T 1, T 2, rezistenţele R 1, R 2, R 3, şi potenţiometrul P constituie o sursa de curent reglabilă. limentată în curent continuu între bornele 3 (5V) şi 2 (masă), sursa furnizează la borna 7 un curent reglabil între 5m, iar la borna 8 un curent de maximum 5m, ambele închizîndu-se spre borna comună de masă (borna 2). P R 2 R 3 R 3 T R 1 T R fig.1.6 5
6 plicaţie simulată de laborator: --în fişierul deschis prin link-ul de mai jos să se realizeze schema din fig.1.6 şi se alimentează montajul la bornele corespunzătoare; tenţie: La sfârşitul laboratorului se va şterge conţinutul fişierului deschis prin link; Fisiere S\S-PRCTIC.EWB 2. Caracteristicile statice Se ridică caracteristicile statice la polarizarea directă pentru diodele 1 - EFR 136 (diodă redresoare din Ge) cu curenţi cuprinşi între.5 5 m (borna 4 reprezintă anodul), 2 - B 243 (diodă din Si, de uz general, de putere mică) cu curenţi în domeniul.1 5 m (borna 5 este anodul) şi 3 - BZX 85 C7V5 (diodă stabilizatoare de tensiune) cu curenţi în domeniul.1 2 m (anodul este borna 6). Ridicarea caracteristicilor directe se face cu montajul din fig. 1.7; curentul prin diodă se măsoară cu un miliampermetru, pe o scară corespunzatoare de curenţi, iar tensiunea la bornele diodei cu un voltmetru electronic (de preferinţa voltmetru numeric). Curentul se va regla la valori pentru care se poate face o reprezentare comodă la scară logaritmică adică multiplii şi submultiplii zecimali ai numerelor 1,2 şi 5 (ai căror logaritmi zecimali sunt, aproximativ,,.3 respectiv.7). m Pentru dioda EFR 136 se va folosi borna 8 a generatorului pentru curenţi mai mari de 5 m iar pentru celelalte cazuri se va folosi numai borna 7 a generatorului de curent. Rezultatele măsurătorilor se vor trece într-un tabel. I fig.1.7 VN plicaţie simulată de laborator: --în fişierul deschis de link-ul de mai jos, având salvată aplicaţia de la punctul 1, se realizează montajul din fig.1.7 pentru dioda 1. Se porneşte noua aplicaţie şi se extrag valorile corespunzătoare ale caracteristicii statice simulate. ; --se repetă simularea şi pentru celelalte două diode; --rezultatele obţinute prin simulare se trec în acelaşi tabel cu cele experimentale şi se compară cu acestea; Fisiere S\S-PRCTIC.EWB Cu ajutorul unei aplicaţii grafice din WOR, COREL sau EXCEL, sau manual pe hârtie milimetrică, şi folosind rezultatele experimentale şi simulate din tabelul de mai sus se vor reprezenta cele trei caracteristici la scară liniară, pe un acelaşi grafic, în domeniul de curenţi comun diodelor. În mod asemănător se trasează caracteristicile statice ale celor trei diode la scară semilogaritmică (ca în fig.1.2). 6
7 3. ependenţa de temperatură La curentul I = 5m se încălzeşte (cu mâna sau prin apropierea unui ciocan de lipit încălzit) dioda B 243 şi se constată, calitativ, modificarea tensiunii directe pe diodă. 4. eterminarea parametrilor I şi γ Pe caracterisicile statice obţinute la scară semilogaritmică, pentru fiecare din cele trei diode, se determină parametrii I şi γ procedând ca în fig. 1.2 şi folosind formula (1.3). 5. Punctul static de funcţionare Se va determina punctul static de funcţionare M (prin precizarea coordonatelor sale, U şi I ) pentru dioda de Si prin trei metode: grafoanalitic, experimental şi prin simulare. Metoda grafoanalitică presupune ca pe graficul corespunzător caracteristicii statice experimentale, obţinută la punctul 2, să trasăm şi dreapta statică de funcţionare dată de ecuaţia 1.4 (pentru E = 5V şi R = 82Ω). Punctul M se va găsi la intersecţia dintre dreapta statică de funcţionare cu caracteristica statică directă. Metoda experimentală presupune realizarea circuitului din fig. 1.3, cu E = 5V şi R=82Ω. Pentru realizarea acestui circuit este suficient ca în montajul precedent să comutam legătura de la borna 7 a generatorului de curent la borna 9 a rezistenţei R. Se măsoară mărimile caracteristice punctului static de funcţionare, U (cu voltmetru numeric montat în paralel cu dioda) şi I (cu un miliampermetru montat în serie cu dioda) şi se compară cu rezultatele obţinute prin metoda grafoanalitică. plicaţie simulată de laborator: --se deschide link-ul de mai jos; --se realizează circuitul virtual asemănător cu cel de la metoda experimentală ; --se porneşte aplicaţia şi se citesc valorile corespunzătoare Fisiere S\S-PRCTIC.EWB U şi I kt q 6. Rezistenţa dinamică Valoarea teoretică a rezistenţei dinamice se obţine cu ajutorul formulei 1.5 în care = 26mV, γ are valoarea dedusă la punctul 4 iar I are valoarea dată de punctul static de funcţionare. Valoarea experimentală a rezistenţei dinamice se obţine în punctul static de funcţionare stabilit la punctul anterior pe graficul de la metoda grafoanalitică. Se va determina, grafic, rezistenţa dinamică cu ajutorul relaţiei 1.6. Se vor compara cele două rezultate. 7. Caracteristica inversă 7. Cu montajul din fig. 1.8 se măsoară curentul invers prin diodele EFR 136 şi B 243 la tensiunile E = V, -5V, -1V, -2V. 7
8 plicaţie simulată de laborator: --se deschide link-ul de mai jos; --se realizează montajul din fig. 1.8 şi pentru valorile specificate ale tensiunii E se măsoară curentul invers prin dioda de Si aleasă; m E R Fisiere S\S-PRCTIC.EWB fig B. Se determină caracteristica inversă a diodei stabilizatoare de tensiune cu montajul din fig. 1.9, pentru curenţi între.1 m şi 2 m. Pentru aceasta, generatorul de curent se alimenteaza cu 15V (la borna 3), bornele 7 şi 1 se conecteaza împreună printr-un miliampermetru iar tensiunea se măsoară cu un voltmetru numeric (bornele 2 şi 6 sunt şi ele cuplate). Se trasează caracteristica inversă a diodei stabilizatoare la scară liniară pe un grafic pe care se trasează, spre comparaţie şi caracteristica directă. În punctul static de funcţionare caracterizat prin I Z = 1m, se determină rezistenţa dinamică, măsurînd tensiunea pe diodă la curenţii: I Z = 15m. I Z = 5m şi m I Z VN fig. 1.9 plicaţie simulată de laborator: În fişierul deschis de link-ul de mai jos se realizează virtual montajul din fig. 1.9 şi se determină caracteristica inversă a diodei stabilizatoare aleasă ; se compară reyultatele cu cele experimentale. Fisiere S\S-PRCTIC.EWB IV. Temă de casă Referatul va conţine: schemele de principiu pentru ridicarea caracteristicilor directe şi inverse ale diodelor, tabelele cu rezultatele măsurătorilor experimentale şi simulate, graficele şi determinările făcute pe baza acestora, precum şi compararea cu rezultatele teoretice. 8
9 V. Simulări plicaţia simulată pentru punctul 1. Fisiere S\S-PCT1.EWB plicaţia simulată pentru punctul 2. Fisiere S\S-PCT2.EWB plicaţia simulată pentru punctul 5. Fisiere S\S-PCT5.EWB plicaţia simulată pentru punctul 7. Fisiere S\S-PCT7.EWB plicaţia simulată pentru punctul 7B. Fisiere S\S-PCT7B.EWB VI. nexă Valorile rezistenţelor de pe plăcuţa din laborator sunt: R 1 = 2KΩ; R 2 = 2Ω; R 3 = 2,2KΩ; R =,82KΩ; R =1KΩ; P = 5 KΩ. 9
DIODA SEMICONDUCTOARE
LUCRRE NR.1 IO SEMICONUCTORE Scopul lucrării - Ridicarea caracteristicilor şi determinarea principalilor parametri ai diodelor semiconductoare; studiul comportării diodei semiconductoare în circuite elementare.
Διαβάστε περισσότεραCurs 2 DIODE. CIRCUITE DR
Curs 2 OE. CRCUTE R E CUPRN tructură. imbol Relația curent-tensiune Regimuri de funcționare Punct static de funcționare Parametrii diodei Modelul cu cădere de tensiune constantă Analiza circuitelor cu
Διαβάστε περισσότεραAnaliza în curent continuu a schemelor electronice Eugenie Posdărăscu - DCE SEM 1 electronica.geniu.ro
Analiza în curent continuu a schemelor electronice Eugenie Posdărăscu - DCE SEM Seminar S ANALA ÎN CUENT CONTNUU A SCHEMELO ELECTONCE S. ntroducere Pentru a analiza în curent continuu o schemă electronică,
Διαβάστε περισσότεραComponente şi Circuite Electronice Pasive. Laborator 3. Divizorul de tensiune. Divizorul de curent
Laborator 3 Divizorul de tensiune. Divizorul de curent Obiective: o Conexiuni serie şi paralel, o Legea lui Ohm, o Divizorul de tensiune, o Divizorul de curent, o Implementarea experimentală a divizorului
Διαβάστε περισσότεραL1. DIODE SEMICONDUCTOARE
L1. DIODE SEMICONDUCTOARE L1. DIODE SEMICONDUCTOARE În lucrare sunt măsurate caracteristicile statice ale unor diode semiconductoare. Rezultatele fiind comparate cu relaţiile analitice teoretice. Este
Διαβάστε περισσότερα5.5. REZOLVAREA CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE
5.5. A CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE PROBLEMA 1. În circuitul din figura 5.54 se cunosc valorile: μa a. Valoarea intensității curentului de colector I C. b. Valoarea tensiunii bază-emitor U BE.
Διαβάστε περισσότερα10. STABILIZATOAE DE TENSIUNE 10.1 STABILIZATOAE DE TENSIUNE CU TANZISTOAE BIPOLAE Stabilizatorul de tensiune cu tranzistor compară în permanenţă valoare tensiunii de ieşire (stabilizate) cu tensiunea
Διαβάστε περισσότεραTRANZISTORUL BIPOLAR ÎN REGIM CONTINUU
Lucrarea nr 2 TRANZISTORUL IPOLAR ÎN REGIM ONTINUU uprins I Scopul lucrării II Noţiuni teoretice III Desfăşurarea lucrării IV Temă de casă V Simulări VI Anexă 1 I Scopul lucrării Ridicarea caracteristicilor
Διαβάστε περισσότεραStabilizator cu diodă Zener
LABAT 3 Stabilizator cu diodă Zener Se studiază stabilizatorul parametric cu diodă Zener si apoi cel cu diodă Zener şi tranzistor. Se determină întâi tensiunea Zener a diodei şi se calculează apoi un stabilizator
Διαβάστε περισσότεραExemple de probleme rezolvate pentru cursurile DEEA Tranzistoare bipolare cu joncţiuni
Problema 1. Se dă circuitul de mai jos pentru care se cunosc: VCC10[V], 470[kΩ], RC2,7[kΩ]. Tranzistorul bipolar cu joncţiuni (TBJ) este de tipul BC170 şi are parametrii β100 şi VBE0,6[V]. 1. să se determine
Διαβάστε περισσότεραProblema a II - a (10 puncte) Diferite circuite electrice
Olimpiada de Fizică - Etapa pe judeţ 15 ianuarie 211 XI Problema a II - a (1 puncte) Diferite circuite electrice A. Un elev utilizează o sursă de tensiune (1), o cutie cu rezistenţe (2), un întrerupător
Διαβάστε περισσότεραFig. 1 A L. (1) U unde: - I S este curentul invers de saturaţie al joncţiunii 'p-n';
ELECTRONIC Lucrarea nr.3 DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE 1. Scopurile lucrării: - ridicarea caracteristicilor statice ale unor dispozitive optoelectronice uzuale (dioda electroluminiscentă, fotodiodă, fototranzistorul);
Διαβάστε περισσότερα4. CIRCUITE LOGICE ELEMENTRE 4.. CIRCUITE LOGICE CU COMPONENTE DISCRETE 4.. PORŢI LOGICE ELEMENTRE CU COMPONENTE PSIVE Componente electronice pasive sunt componente care nu au capacitatea de a amplifica
Διαβάστε περισσότεραPlanul determinat de normală şi un punct Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru Planul determinat de 3 puncte necoliniare
1 Planul în spaţiu Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru 2 Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru Fie reperul R(O, i, j, k ) în spaţiu. Numim normala a unui plan, un vector perpendicular pe
Διαβάστε περισσότερα1.7. AMPLIFICATOARE DE PUTERE ÎN CLASA A ŞI AB
1.7. AMLFCATOARE DE UTERE ÎN CLASA A Ş AB 1.7.1 Amplificatoare în clasa A La amplificatoarele din clasa A, forma de undă a tensiunii de ieşire este aceeaşi ca a tensiunii de intrare, deci întreg semnalul
Διαβάστε περισσότεραa. Caracteristicile mecanice a motorului de c.c. cu excitaţie independentă (sau derivaţie)
Caracteristica mecanică defineşte dependenţa n=f(m) în condiţiile I e =ct., U=ct. Pentru determinarea ei vom defini, mai întâi caracteristicile: 1. de sarcină, numită şi caracteristica externă a motorului
Διαβάστε περισσότεραDIODA STABILIZATOARE CU STRĂPUNGERE
LUCRAREA NR. 2 DIODA STABILIZATOARE CU STRĂPUNGERE OBIECTIE:. Să se studieze efectul Zener sau străpungerea inversă; 2. Să se observe diferenţa între ramurile de străpungere ale caracteristicilor diodelor
Διαβάστε περισσότεραi R i Z D 1 Fig. 1 T 1 Fig. 2
TABILIZATOAE DE TENINE ELECTONICĂ Lucrarea nr. 5 TABILIZATOAE DE TENINE 1. copurile lucrării: - studiul dependenţei dintre tensiunea stabilizată şi cea de intrare sau curentul de sarcină pentru stabilizatoare
Διαβάστε περισσότεραFig Impedanţa condensatoarelor electrolitice SMD cu Al cu electrolit semiuscat în funcţie de frecvenţă [36].
Componente şi circuite pasive Fig.3.85. Impedanţa condensatoarelor electrolitice SMD cu Al cu electrolit semiuscat în funcţie de frecvenţă [36]. Fig.3.86. Rezistenţa serie echivalentă pierderilor în funcţie
Διαβάστε περισσότεραDioda Zener şi stabilizatoare de tensiune continuă
Laborator 2 Dioda Zener şi stabilizatoare de tensiune continuă Se vor studia dioda Zener şi stabilizatoarele de tensiune continua cu diodă Zener şi cu diodă Zener si tranzistor serie. Pentru diodă se va
Διαβάστε περισσότεραL2. REGIMUL DINAMIC AL TRANZISTORULUI BIPOLAR
L2. REGMUL DNAMC AL TRANZSTRULU BPLAR Se studiază regimul dinamic, la semnale mici, al tranzistorului bipolar la o frecvenţă joasă, fixă. Se determină principalii parametrii ai circuitului echivalent natural
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 5 Circuite simple cu diode (Aplicaţii)
ucrarea Nr. 5 Circuite simple cu diode (Aplicaţii) A.Scopul lucrării - Verificarea experimentală a rezultatelor obţinute prin analiza circuitelor cu diode modelate liniar pe porţiuni ;.Scurt breviar teoretic
Διαβάστε περισσότεραLucrarea nr. 5 STABILIZATOARE DE TENSIUNE. 1. Scopurile lucrării: 2. Consideraţii teoretice. 2.1 Stabilizatorul derivaţie
Lucrarea nr. 5 STABILIZATOARE DE TENSIUNE 1. Scopurile lucrării: - studiul dependenţei dintre tensiunea stabilizată şi cea de intrare sau curentul de sarcină pentru stabilizatoare serie şi derivaţie; -
Διαβάστε περισσότεραCurs 10 Funcţii reale de mai multe variabile reale. Limite şi continuitate.
Curs 10 Funcţii reale de mai multe variabile reale. Limite şi continuitate. Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi" Iaşi 2014 Fie p, q N. Fie funcţia f : D R p R q. Avem următoarele
Διαβάστε περισσότεραV O. = v I v stabilizator
Stabilizatoare de tensiune continuă Un stabilizator de tensiune este un circuit electronic care păstrează (aproape) constantă tensiunea de ieșire la variaţia între anumite limite a tensiunii de intrare,
Διαβάστε περισσότεραMetode iterative pentru probleme neliniare - contractii
Metode iterative pentru probleme neliniare - contractii Problemele neliniare sunt in general rezolvate prin metode iterative si analiza convergentei acestor metode este o problema importanta. 1 Contractii
Διαβάστε περισσότεραOvidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu,
vidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu, Capitolul 6 Amplificatoare operaţionale 58. Să se calculeze coeficientul de amplificare în tensiune pentru amplficatorul inversor din fig.58, pentru care se
Διαβάστε περισσότερα(a) se numeşte derivata parţială a funcţiei f în raport cu variabila x i în punctul a.
Definiţie Spunem că: i) funcţia f are derivată parţială în punctul a în raport cu variabila i dacă funcţia de o variabilă ( ) are derivată în punctul a în sens obişnuit (ca funcţie reală de o variabilă
Διαβάστε περισσότεραMARCAREA REZISTOARELOR
1.2. MARCAREA REZISTOARELOR 1.2.1 MARCARE DIRECTĂ PRIN COD ALFANUMERIC. Acest cod este format din una sau mai multe cifre şi o literă. Litera poate fi plasată după grupul de cifre (situaţie în care valoarea
Διαβάστε περισσότεραMONTAJE CU IMPEDANŢĂ DE INTRARE MĂRITĂ
DCE I Îndrumar de laorator Lucrarea nr. 5 MONTAJU IMPEDANŢĂ DE INTRARE MĂRITĂ I. Scopul lucrării II. Noţiuni teoretice III. Desfăşurarea lucrării IV. Temă de casă V. Simulări VI. Anexă DCE I Îndrumar de
Διαβάστε περισσότεραCIRCUITE LOGICE CU TB
CIRCUITE LOGICE CU T I. OIECTIVE a) Determinarea experimentală a unor funcţii logice pentru circuite din familiile RTL, DTL. b) Determinarea dependenţei caracteristicilor statice de transfer în tensiune
Διαβάστε περισσότερα5. FUNCŢII IMPLICITE. EXTREME CONDIŢIONATE.
5 Eerciţii reolvate 5 UNCŢII IMPLICITE EXTREME CONDIŢIONATE Eerciţiul 5 Să se determine şi dacă () este o funcţie definită implicit de ecuaţia ( + ) ( + ) + Soluţie ie ( ) ( + ) ( + ) + ( )R Evident este
Διαβάστε περισσότεραREDRESOARE MONOFAZATE CU FILTRU CAPACITIV
REDRESOARE MONOFAZATE CU FILTRU CAPACITIV I. OBIECTIVE a) Stabilirea dependenţei dintre tipul redresorului (monoalternanţă, bialternanţă) şi forma tensiunii redresate. b) Determinarea efectelor modificării
Διαβάστε περισσότερα(N) joncţiunea BC. polarizată invers I E = I C + I B. Figura 5.13 Prezentarea funcţionării tranzistorului NPN
5.1.3 FUNŢONAREA TRANZSTORULU POLAR Un tranzistor bipolar funcţionează corect, dacă joncţiunea bază-emitor este polarizată direct cu o tensiune mai mare decât tensiunea de prag, iar joncţiunea bază-colector
Διαβάστε περισσότεραTranzistoare bipolare şi cu efect de câmp
apitolul 3 apitolul 3 26. Pentru circuitul de polarizare din fig. 26 se cunosc: = 5, = 5, = 2KΩ, = 5KΩ, iar pentru tranzistor se cunosc următorii parametrii: β = 200, 0 = 0, μa, = 0,6. a) ă se determine
Διαβάστε περισσότεραAnaliza funcționării și proiectarea unui stabilizator de tensiune continuă realizat cu o diodă Zener
Analiza funcționării și proiectarea unui stabilizator de tensiune continuă realizat cu o diodă Zener 1 Caracteristica statică a unei diode Zener În cadranul, dioda Zener (DZ) se comportă ca o diodă redresoare
Διαβάστε περισσότεραAMPLIFICATOR CU TRANZISTOR BIPOLAR ÎN CONEXIUNE CU EMITORUL COMUN
AMPLIFICATOR CU TRANZISTOR BIPOLAR ÎN CONEXIUNE CU EMITORUL COMUN Montajul Experimental În laborator este realizat un amplificator cu tranzistor bipolar în conexiune cu emitorul comun (E.C.) cu o singură
Διαβάστε περισσότερα11.2 CIRCUITE PENTRU FORMAREA IMPULSURILOR Metoda formării impulsurilor se bazează pe obţinerea unei succesiuni periodice de impulsuri, plecând de la semnale periodice de altă formă, de obicei sinusoidale.
Διαβάστε περισσότεραFunctii definitie, proprietati, grafic, functii elementare A. Definitii, proprietatile functiilor X) functia f 1
Functii definitie proprietati grafic functii elementare A. Definitii proprietatile functiilor. Fiind date doua multimi X si Y spunem ca am definit o functie (aplicatie) pe X cu valori in Y daca fiecarui
Διαβάστε περισσότεραElectronică anul II PROBLEME
Electronică anul II PROBLEME 1. Găsiți expresiile analitice ale funcției de transfer şi defazajului dintre tensiunea de ieşire şi tensiunea de intrare pentru cuadrupolii din figurile de mai jos și reprezentați-le
Διαβάστε περισσότεραCurs 14 Funcţii implicite. Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi"
Curs 14 Funcţii implicite Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi" Iaşi 2014 Fie F : D R 2 R o funcţie de două variabile şi fie ecuaţia F (x, y) = 0. (1) Problemă În ce condiţii ecuaţia
Διαβάστε περισσότεραCircuite cu diode în conducţie permanentă
Circuite cu diode în conducţie permanentă Curentul prin diodă şi tensiunea pe diodă sunt legate prin ecuaţia de funcţionare a diodei o cădere de tensiune pe diodă determină valoarea curentului prin ea
Διαβάστε περισσότεραPolarizarea tranzistoarelor bipolare
Polarizarea tranzistoarelor bipolare 1. ntroducere Tranzistorul bipolar poate funcţiona în 4 regiuni diferite şi anume regiunea activă normala RAN, regiunea activă inversă, regiunea de blocare şi regiunea
Διαβάστε περισσότεραFunctii definitie, proprietati, grafic, functii elementare A. Definitii, proprietatile functiilor
Functii definitie, proprietati, grafic, functii elementare A. Definitii, proprietatile functiilor. Fiind date doua multimi si spunem ca am definit o functie (aplicatie) pe cu valori in daca fiecarui element
Διαβάστε περισσότεραLUCRAREA NR. 1 STUDIUL SURSELOR DE CURENT
LUCAEA N STUDUL SUSELO DE CUENT Scopul lucrării În această lucrare se studiază prin simulare o serie de surse de curent utilizate în cadrul circuitelor integrate analogice: sursa de curent standard, sursa
Διαβάστε περισσότεραAplicaţii ale principiului I al termodinamicii la gazul ideal
Aplicaţii ale principiului I al termodinamicii la gazul ideal Principiul I al termodinamicii exprimă legea conservării şi energiei dintr-o formă în alta şi se exprimă prin relaţia: ΔUQ-L, unde: ΔU-variaţia
Διαβάστε περισσότεραCapitolul 4 4. TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP
Capitolul 4 4. TRANZITORUL CU EFECT E CÂMP 4.1. Prezentare generală Tranzistorul cu efect de câmp a apărut pe piaţă în anii 60, după tranzistorul bipolar cu joncţiuni, deoarece tehnologia lui de fabricaţie
Διαβάστε περισσότεραVII.2. PROBLEME REZOLVATE
Teoria Circuitelor Electrice Aplicaţii V PROBEME REOVATE R7 În circuitul din fiura 7R se cunosc: R e t 0 sint [V] C C t 0 sint [A] Se cer: a rezolvarea circuitului cu metoda teoremelor Kirchhoff; rezolvarea
Διαβάστε περισσότεραANALIZA FUNCŢIONĂRII DIODELOR SEMICON- DUCTOARE. PARAMETRI. TASAREA CARACTERISTICI- LOR ŞI IDENTIFICAREA PERFORMANŢELOR
LUCRAREA NR.3 ANALIZA FUNCŢIONĂRII DIODELOR SEMICON- DUCTOARE. PARAMETRI. TASAREA CARACTERISTICI- LOR ŞI IDENTIFICAREA PERFORMANŢELOR 1. Introducere privind caracterizarea dispozitivelor semiconductoare
Διαβάστε περισσότεραFENOMENE TRANZITORII Circuite RC şi RLC în regim nestaţionar
Pagina 1 FNOMN TANZITOII ircuite şi L în regim nestaţionar 1. Baze teoretice A) ircuit : Descărcarea condensatorului ând comutatorul este pe poziţia 1 (FIG. 1b), energia potenţială a câmpului electric
Διαβάστε περισσότεραCIRCUITE CU DZ ȘI LED-URI
CICUITE CU DZ ȘI LED-UI I. OBIECTIVE a) Determinarea caracteristicii curent-tensiune pentru diode Zener. b) Determinarea funcționării diodelor Zener în circuite de limitare. c) Determinarea modului de
Διαβάστε περισσότεραLucrarea 3 : Studiul efectului Hall la semiconductori
Lucrarea 3 : Studiul efectului Hall la semiconductori 1 Consideraţii teoretice În această lucrare vom studia efectul Hall intr-o plăcuţă semiconductoare de formă paralelipipedică, precum cea din Figura
Διαβάστε περισσότεραL3. TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP TEC-J
L3. RANZISORUL CU EFEC DE CÂMP EC-J În lucrare sunt măsurate caracteristicile statice ale unui tranzistor cu efect de câmp cu rilă-jocţiune (EC-J) şi este verificată concordanţa cu relaţiile analitice
Διαβάστε περισσότεραMăsurări în Electronică şi Telecomunicaţii 4. Măsurarea impedanţelor
4. Măsurarea impedanţelor 4.2. Măsurarea rezistenţelor în curent continuu Metoda comparaţiei ceastă metodă: se utilizează pentru măsurarea rezistenţelor ~ 0 montaj serie sau paralel. Montajul serie (metoda
Διαβάστε περισσότεραAparate de măsurat. Măsurări electronice Rezumatul cursului 2. MEE - prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 1
Aparate de măsurat Măsurări electronice Rezumatul cursului 2 MEE - prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 1 1. Aparate cu instrument magnetoelectric 2. Ampermetre şi voltmetre 3. Ohmetre cu instrument magnetoelectric
Διαβάστε περισσότεραa n (ζ z 0 ) n. n=1 se numeste partea principala iar seria a n (z z 0 ) n se numeste partea
Serii Laurent Definitie. Se numeste serie Laurent o serie de forma Seria n= (z z 0 ) n regulata (tayloriana) = (z z n= 0 ) + n se numeste partea principala iar seria se numeste partea Sa presupunem ca,
Διαβάστε περισσότεραFigura 1. Caracteristica de funcţionare a modelului liniar pe porţiuni al diodei semiconductoare..
I. Modelarea funcţionării diodei semiconductoare prin modele liniare pe porţiuni În modelul liniar al diodei semiconductoare, se ţine cont de comportamentul acesteia atât în regiunea de conducţie inversă,
Διαβάστε περισσότερα4. Măsurarea tensiunilor şi a curenţilor electrici. Voltmetre electronice analogice
4. Măsurarea tensiunilor şi a curenţilor electrici oltmetre electronice analogice oltmetre de curent continuu Ampl.c.c. x FTJ Protectie Atenuator calibrat Atenuatorul calibrat divizor rezistiv R in const.
Διαβάστε περισσότεραCapitolul 4 Amplificatoare elementare
Capitolul 4 mplificatoare elementare 4.. Etaje de amplificare cu un tranzistor 4... Etajul emitor comun V CC C B B C C L L o ( // ) V gm C i rπ // B // o L // C // L B ro i B E C E 4... Etajul colector
Διαβάστε περισσότεραDISTANŢA DINTRE DOUĂ DREPTE NECOPLANARE
DISTANŢA DINTRE DOUĂ DREPTE NECOPLANARE ABSTRACT. Materialul prezintă o modalitate de a afla distanţa dintre două drepte necoplanare folosind volumul tetraedrului. Lecţia se adresează clasei a VIII-a Data:
Διαβάστε περισσότεραComponente şi Circuite Electronice Pasive. Laborator 4. Măsurarea parametrilor mărimilor electrice
Laborator 4 Măsurarea parametrilor mărimilor electrice Obiective: o Semnalul sinusoidal, o Semnalul dreptunghiular, o Semnalul triunghiular, o Generarea diferitelor semnale folosind placa multifuncţională
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 5 Tranzistorul bipolar Caracteristici statice
Lucrarea Nr. 5 Tranzistorul bipolar Caracteristici statice A.Scopul lucrării - Determinarea experimentală a plajei mărimilor eletrice de la terminale în care T real este activ (amplifică)precum şi a unor
Διαβάστε περισσότεραIII. Serii absolut convergente. Serii semiconvergente. ii) semiconvergentă dacă este convergentă iar seria modulelor divergentă.
III. Serii absolut convergente. Serii semiconvergente. Definiţie. O serie a n se numeşte: i) absolut convergentă dacă seria modulelor a n este convergentă; ii) semiconvergentă dacă este convergentă iar
Διαβάστε περισσότεραRĂSPUNS Modulul de rezistenţă este o caracteristică geometrică a secţiunii transversale, scrisă faţă de una dintre axele de inerţie principale:,
REZISTENTA MATERIALELOR 1. Ce este modulul de rezistenţă? Exemplificaţi pentru o secţiune dreptunghiulară, respectiv dublu T. RĂSPUNS Modulul de rezistenţă este o caracteristică geometrică a secţiunii
Διαβάστε περισσότερα5.4. MULTIPLEXOARE A 0 A 1 A 2
5.4. MULTIPLEXOARE Multiplexoarele (MUX) sunt circuite logice combinaţionale cu m intrări şi o singură ieşire, care permit transferul datelor de la una din intrări spre ieşirea unică. Selecţia intrării
Διαβάστε περισσότεραElectronică STUDIUL FENOMENULUI DE REDRESARE FILTRE ELECTRICE DE NETEZIRE
STDIL FENOMENLI DE REDRESARE FILTRE ELECTRICE DE NETEZIRE Energia electrică este transportată şi distribuită la consumatori sub formă de tensiune alternativă. În multe aplicaţii este însă necesară utilizarea
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 4. Caracteristica statică i D =f(v D ) a diodei Polarizare directă - Polarizare inversă
Lucrarea Nr. 4 Caracteristica statică i =f(v ) a diodei Polarizare directă - Polarizare inversă A.copul lucrării - familiarizarea studentilor în privinţa comportării diodei în circuit atunci când la bornele
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 10 Stabilizatoare de tensiune
ucrarea Nr. 10 Stabilizatoare de tensiune Scopul lucrării - studiul funcţionării diferitelor tipuri de stabilizatoare de tensiune; - determinarea parametrilor de calitate ai stabilizatoarelor analizate;
Διαβάστε περισσότεραL7. REDRESOARE MONOFAZATE
L7. REDRESOARE MONOFAZATE În lucrare se studiază redresorul monofazat in punte, cu doua variante: fără filtru si cu filtru cu condensator. Se fac comparaţii intre rezultatele experimentale si cele teoretice.
Διαβάστε περισσότεραCurs 4 Serii de numere reale
Curs 4 Serii de numere reale Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi" Iaşi 2014 Criteriul rădăcinii sau Criteriul lui Cauchy Teoremă (Criteriul rădăcinii) Fie x n o serie cu termeni
Διαβάστε περισσότεραDIODE SEMICONDUCTOARE
OE EMCONUCTOARE. OBECTVE a) eterminarea caracteristicilor curent-tensiune pentru diode redresoare. b) eterminarea unor modele statice şi diferenţiale.. COMPONENTE Ş APARATURĂ Pentru experimentare vom folosi
Διαβάστε περισσότεραCapitolul 3 3. TRANZITORUL BIPOLAR CU JONCŢIUNI Principiul de funcţionare al tranzistorului bipolar cu joncţiuni
apitolul 3 3. TRANZTORUL POLAR U JONŢUN Tranzistoarele reprezintă cea mai importantă clasă de dispozitive electronice, deoarece au proprietatea de a amplifica semnalele electrice. În funcţionarea tranzistorului
Διαβάστε περισσότεραCurs 1 Şiruri de numere reale
Bibliografie G. Chiorescu, Analiză matematică. Teorie şi probleme. Calcul diferenţial, Editura PIM, Iaşi, 2006. R. Luca-Tudorache, Analiză matematică, Editura Tehnopress, Iaşi, 2005. M. Nicolescu, N. Roşculeţ,
Διαβάστε περισσότεραLaborator 11. Mulţimi Julia. Temă
Laborator 11 Mulţimi Julia. Temă 1. Clasa JuliaGreen. Să considerăm clasa JuliaGreen dată de exemplu la curs pentru metoda locului final şi să schimbăm numărul de iteraţii nriter = 100 în nriter = 101.
Διαβάστε περισσότεραV.7. Condiţii necesare de optimalitate cazul funcţiilor diferenţiabile
Metode de Optimizare Curs V.7. Condiţii necesare de optimalitate cazul funcţiilor diferenţiabile Propoziţie 7. (Fritz-John). Fie X o submulţime deschisă a lui R n, f:x R o funcţie de clasă C şi ϕ = (ϕ,ϕ
Διαβάστε περισσότεραDefiniţia generală Cazul 1. Elipsa şi hiperbola Cercul Cazul 2. Parabola Reprezentari parametrice ale conicelor Tangente la conice
1 Conice pe ecuaţii reduse 2 Conice pe ecuaţii reduse Definiţie Numim conica locul geometric al punctelor din plan pentru care raportul distantelor la un punct fix F şi la o dreaptă fixă (D) este o constantă
Διαβάστε περισσότεραTranzistoare bipolare cu joncţiuni
Tranzistoare bipolare cu joncţiuni 1. Noţiuni introductive Tranzistorul bipolar cu joncţiuni, pe scurt, tranzistorul bipolar, este un dispozitiv semiconductor cu trei terminale, furnizat de către producători
Διαβάστε περισσότεραDispozitive electronice de putere
Lucrarea 1 Electronica de Putere Dispozitive electronice de putere Se compară calităţile de comutator ale principalelor ventile utilizate în EP şi anume tranzistorul bipolar, tranzistorul Darlington si
Διαβάστε περισσότεραCOMUTAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
Lucrarea nr. 2 COMUAREA RANZISORULUI BIPOLAR Cuprins I. Scopul lucrării II. III. IV. Noţiuni teoretice Desfăşurarea lucrării emă de casă 1 I. Scopul lucrării : Se studiază regimul de comutare al tranzistorului
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 11 Amplificatoare de nivel mare
Lucrarea Nr. 11 Amplificatoare de nivel mare Scopul lucrării - asimilarea conceptului de nivel mare; - studiul etajului de putere clasa B; 1. Generalităţi Caracteristic etajelor de nivel mare este faptul
Διαβάστε περισσότεραSTUDIUL EFECTULUI HALL ÎN SEMICONDUCTORI
UIVERSITATEA "POLITEICA" DI BUCURESTI DEPARTAMETUL DE FIZICĂ LABORATORUL DE FIZICA ATOMICA ŞI FIZICA CORPULUI SOLID B-03 B STUDIUL EFECTULUI ALL Î SEMICODUCTORI STUDIUL EFECTULUI ALL Î SEMICODUCTORI Efectul
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 7 Tranzistorul bipolar Caracteristici statice Determinarea unor parametri de interes
Lucrarea Nr. 7 Tranzistorul bipolar aracteristici statice Determinarea unor parametri de interes A.Scopul lucrării - Determinarea experimentală a plajei mărimilor eletrice de la terminale în care T real
Διαβάστε περισσότεραIntegrala nedefinită (primitive)
nedefinita nedefinită (primitive) nedefinita 2 nedefinita februarie 20 nedefinita.tabelul primitivelor Definiţia Fie f : J R, J R un interval. Funcţia F : J R se numeşte primitivă sau antiderivată a funcţiei
Διαβάστε περισσότεραCOMPARATOARE DE TENSIUNE CU AO FĂRĂ REACŢIE
COMPARATOARE DE TENSIUNE CU AO FĂRĂ REACŢIE I. OBIECTIVE a) Determinarea caracteristicilor statice de transfer în tensiune pentru comparatoare cu AO fără reacţie. b) Determinarea tensiunilor de ieşire
Διαβάστε περισσότεραDiode semiconductoare şi redresoare monofazate
Laborator 1 Diode semiconductoare şi redresoare monofazate Se vor studia dioda redresoare şi redresorul monofazat cu şi fără filtru C. Pentru diodă se va determina experimental dependenţa curent-tensiune
Διαβάστε περισσότεραFig Dependenţa curentului de fugă de temperatură. I 0 este curentul de fugă la θ = 25 C [30].
Fig.3.43. Dependenţa curentului de fugă de temperatură. I 0 este curentul de fugă la θ = 25 C [30]. Fig.3.44. Dependenţa curentului de fugă de raportul U/U R. I 0 este curentul de fugă la tensiunea nominală
Διαβάστε περισσότερα11.3 CIRCUITE PENTRU GENERAREA IMPULSURILOR CIRCUITE BASCULANTE Circuitele basculante sunt circuite electronice prevăzute cu o buclă de reacţie pozitivă, folosite la generarea impulsurilor. Aceste circuite
Διαβάστε περισσότεραIV. CUADRIPOLI SI FILTRE ELECTRICE CAP. 13. CUADRIPOLI ELECTRICI
V. POL S FLTE ELETE P. 3. POL ELET reviar a) Forma fundamentala a ecuatiilor cuadripolilor si parametrii fundamentali: Prima forma fundamentala: doua forma fundamentala: b) Parametrii fundamentali au urmatoarele
Διαβάστε περισσότεραM. Stef Probleme 3 11 decembrie Curentul alternativ. Figura pentru problema 1.
Curentul alternativ 1. Voltmetrele din montajul din figura 1 indică tensiunile efective U = 193 V, U 1 = 60 V și U 2 = 180 V, frecvența tensiunii aplicate fiind ν = 50 Hz. Cunoscând că R 1 = 20 Ω, să se
Διαβάστε περισσότεραProfesor Blaga Mirela-Gabriela DREAPTA
DREAPTA Fie punctele A ( xa, ya ), B ( xb, yb ), C ( xc, yc ) şi D ( xd, yd ) în planul xoy. 1)Distanţa AB = (x x ) + (y y ) Ex. Fie punctele A( 1, -3) şi B( -2, 5). Calculaţi distanţa AB. AB = ( 2 1)
Διαβάστε περισσότερα( ) Recapitulare formule de calcul puteri ale numărului 10 = Problema 1. Să se calculeze: Rezolvare: (
Exemple e probleme rezolvate pentru curs 0 DEEA Recapitulare formule e calcul puteri ale numărului 0 n m n+ m 0 = 0 n n m =0 m 0 0 n m n m ( ) n = 0 =0 0 0 n Problema. Să se calculeze: a. 0 9 0 b. ( 0
Διαβάστε περισσότεραMetode de interpolare bazate pe diferenţe divizate
Metode de interpolare bazate pe diferenţe divizate Radu Trîmbiţaş 4 octombrie 2005 1 Forma Newton a polinomului de interpolare Lagrange Algoritmul nostru se bazează pe forma Newton a polinomului de interpolare
Διαβάστε περισσότεραR R, f ( x) = x 7x+ 6. Determinați distanța dintre punctele de. B=, unde x și y sunt numere reale.
5p Determinați primul termen al progresiei geometrice ( b n ) n, știind că b 5 = 48 și b 8 = 84 5p Se consideră funcția f : intersecție a graficului funcției f cu aa O R R, f ( ) = 7+ 6 Determinați distanța
Διαβάστε περισσότεραCAPITOLUL 3. STABILIZATOARE DE TENSIUNE
CAPTOLL 3. STABLZATOAE DE TENSNE 3.1. GENEALTĂȚ PVND STABLZATOAE DE TENSNE. Stabilizatoarele de tensiune sunt circuite electronice care furnizează la ieșire (pe rezistența de sarcină) o tensiune continuă
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 3 Tranzistorul bipolar în regim de comutaţie. Aplicaţii.
Lucrarea Nr. 3 Tranzistorul bipolar în regi de coutaţie. Aplicaţii. Scopul lucrării - Studiul condiţiilor de saturaţie pentru T; - Studiul aplicaţiilor cu T în regi de coutaţie; 1. ondiţia de saturaţie
Διαβάστε περισσότερα2.1 Amplificatorul de semnal mic cu cuplaj RC
Lucrarea nr.6 AMPLIFICATOAE DE SEMNAL MIC 1. Scopurile lucrării - ridicarea experimentală a caracteristicilor amplitudine-frecvenţă pentru amplificatorul cu cuplaj C şi amplificatorul selectiv; - determinarea
Διαβάστε περισσότερα4.2. CONEXIUNILE TRANZISTORULUI BIPOLAR CONEXIUNEA EMITOR COMUN CONEXIUNEA BAZĂ COMUNĂ CONEXIUNEA COLECTOR COMUN
4. TRANZISTORUL BIPOLAR 4.1. GENERALITĂŢI PRIVIND TRANZISTORUL BIPOLAR STRUCTURA ŞI SIMBOLUL TRANZISTORULUI BIPOLAR ÎNCAPSULAREA ŞI IDENTIFICAREA TERMINALELOR FAMILII UZUALE DE TRANZISTOARE BIPOLARE FUNCŢIONAREA
Διαβάστε περισσότεραErori si incertitudini de măsurare. Modele matematice Instrument: proiectare, fabricaţie, Interacţiune măsurand instrument:
Erori i incertitudini de măurare Sure: Modele matematice Intrument: proiectare, fabricaţie, Interacţiune măurandintrument: (tranfer informaţie tranfer energie) Influente externe: temperatura, preiune,
Διαβάστε περισσότεραL6. PUNŢI DE CURENT ALTERNATIV
niversitatea POLITEHNI din Timişoara epartamentul Măsurări şi Electronică Optică 6.1. Introducere teoretică L6. PNŢI E ENT LTENTIV Punţile de curent alternativ permit măsurarea impedanţelor. Măsurarea
Διαβάστε περισσότερα2.1 Sfera. (EGS) ecuaţie care poartă denumirea de ecuaţia generală asferei. (EGS) reprezintă osferă cu centrul în punctul. 2 + p 2
.1 Sfera Definitia 1.1 Se numeşte sferă mulţimea tuturor punctelor din spaţiu pentru care distanţa la u punct fi numit centrul sferei este egalăcuunnumăr numit raza sferei. Fie centrul sferei C (a, b,
Διαβάστε περισσότερα