Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙII. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙII. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ."

Transcript

1 Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙII Ασκήσεις Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Θεσσαλονίκη, Ιούνιος 2015

2 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creative Commons. Για εκπαιδευτικό υλικό, όπως εικόνες, που υπόκειται σε άλλου τύπου άδειας χρήσης, η άδεια χρήσης αναφέρεται ρητώς. Χρηματοδότηση Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό έχει αναπτυχθεί στα πλαίσια του εκπαιδευτικού έργου του διδάσκοντα. Το έργο «Ανοικτά Ακαδημαϊκά Μαθήματα στο Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης» έχει χρηματοδοτήσει μόνο τη αναδιαμόρφωση του εκπαιδευτικού υλικού. Το έργο υλοποιείται στο πλαίσιο του Επιχειρησιακού Προγράμματος «Εκπαίδευση και Δια Βίου Μάθηση» και συγχρηματοδοτείται από την Ευρωπαϊκή Ένωση (Ευρωπαϊκό Κοινωνικό Ταμείο) και από εθνικούς πόρους.

3 Ηλεκτρονική ΙΙΙ Ασκήσεις Περιεχόμενα Άδειες Χρήσης... 2 Χρηματοδότηση... 2 Ενότητα 1η: Σχεδίαση τελεστικών ενισχυτών... 4 Ενότητα 2η: Κυκλώματα ανόρθωσης Ενότητα 3η: Κυκλώματα αναφοράς τάσης και ρεύματος Ενότητα 4η: Ενισχυτές ισχύος Ενότητα 5η: Κυκλώματα ελέγχου ισχύος

4 Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης Ανοικτά Ακαδημαϊκά Μαθήματα Ενότητα 1η: Σχεδίαση τελεστικών ενισχυτών Εκφώνηση άσκησης 1: Να υπολογιστούν οι διαστάσεις W, L για καθένα από τα τρανζίστορ και η χωρητικότητα αντιστάθμισης CC του CMOS τελεστικού ενισχυτή του σχήματος 1.1, έτσι ώστε να επιτυγχάνεται διαφορικό κέρδος τάσης ίσο ή μεγαλύτερο από Υποθέστε ότι k N =110 ±10% μα/v 2, k Ρ= 50±10% μα/v 2, VTN= VTP= 0.7±0.15 V, λn = 0.04 V-1, λρ = 0.05 V-1, Cοx = 2.47 ff/μm2. Επίσης, υποθέστε ότι η ελάχιστη διάσταση τρανζίστορ είναι 1 μm και επιλέξτε τα μικρότερα δυνατά τρανζίστορ. Οι άλλες προδιαγραφές σχεδίασης είναι: περιθώριο φάσης 60ο, γινόμενο κέρδουςεύρους ζώνης GB= 5 MHz, εύρος διακύμανσης της τάσης εξόδου ±2 V, χωρητικότητα φορτίου εξόδου CL, =10pF, εύρος κοινού σήματος εισόδου ICMR (input common-mode range) -2V ως 1V, ρυθμός μεταβολής εξόδου SR(Slew Rate) >10V/μsec, κατανάλωση ισχύος Pdiss < 2 mw. Θεωρήστε ότι VDD= VSS= 2.5V. Σχήμα 1.1 Οδηγίες επίλυσης: Η ικανοποίηση της προδιαγραφής για το περιθώριο φάσης 60 ο απαιτεί : ±180 tan 1 ( ω p 1 ) tan 1 ( ω p 2 ) tan 1 ( ω z ) = 60 Θεωρώντας ω=gb και z 10GB προκύπτει: 120 = tan 1 ( GB p 1 ) + tan 1 ( GB p 2 ) + tan 1 ( GB z ) 120 = tan 1 (A v (0)) + tan 1 ( GB p 2 ) + tan 1 (0.1) tan 1 ( GB ) => p 2 4

5 Ηλεκτρονική ΙΙΙ Ασκήσεις => 24.3 = tan 1 ( GB GB ) => p 2 p 2 = => p GB Για g m6 C L z 10 GB <=> g m6 C C οπότε g m1 C C 10 g m1 C C <=> g m6 10 g m1 <=> C C g m1c L g m6 C C C L <=> C C pF Επιλέγεται ως τιμή για τον πυκνωτή αντιστάθμισης CC ( χωρητικότητα Miller) η C C = 3pF. Από την προδιαγραφή για το Slew Rate (ρυθμός μεταβολής εξόδου) προσδιορίζεται η ελάχιστη τιμή για το ρεύμα πόλωσης Ι5: V SR 10 όπου SR = I 5 μsec C C ή I 5 10 V C C μsec <=> Οπότε η τιμή του Ι5 επιλέγεται ίση με την ελάχιστη, δηλ. 30μΑ. Χρησιμοποιώντας την προδιαγραφή για την αρνητική περιοχή κοινού σήματος εισόδου βρίσκεται ο λόγος W/L3: Με L = 1μm επιλέγεται η πλησιέστερη ακέραια τιμή για το W: W3=W4=7μm. Στο σημείο αυτό ελέγχεται αν πράγματι p3 > 10GB, ώστε ο πόλος και το μηδενικό από τους C g3 και -ίδια σχέση για τα C g3 και C g4 -να μην επικρατούν: p 3 = g m3 2C gs3 = 2K N (W/L) 3 I W 3 L 3 C ox = rad/sec 10 GB = π 10 8 rad/sec 5

6 Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης Ανοικτά Ακαδημαϊκά Μαθήματα Όπου: C ox = 2.47fF/μm 2 που επαληθεύεται. Προσδιορίζεται στη συνεχεία η διαγωγιμότητα g m1 = g m2 των τρανζίστορ εισόδου: g m3 = GB C C = 3pF (2π rad/sec) = μS 94.25μS οπότε προκύπτει (W/L) 1 = (W/L) 2 = g 2 m1 = g 2 m1 = K 1 I 1 K 1 I = 5.922, επιλέγουμε επομένως τον πλησιέστερο ακέραιο W 1 = W 2 = 6μm. Καθορίζεται στη συνέχεια ο λόγος W/L5, αφού υπολογιστεί η τάση κόρου του τρανζίστορ Μ5 χρησιμοποιώντας την εξίσωση για το άνω όριο της περιοχής κοινού σήματος εισόδου : V in(max) = V DD I 5 β 1 V SD5(sat) V T01 (max) => V SD5(sat) = V in(max) + V DD I V β T01 (max) = = 0.203V Άρα: (W/L) 5 = 2I = K p V DS = => W 5 = 29μm (επιλέγεται ο πλησιέστερος ακέραιος) Θα πρέπει: g m6 10 g m1 => g m μS, οπότε επιλέγεται η τιμή g m6 = 942.5μS. Υπολογίζεται το g m4 = 2K N (W/L) 4 I 4 = μS Θεωρώντας ότι : V SG4 = V SG6, προκύπτει: (W/L) 6 = (W/L) 4 g m6 g m4 = = => (W L ) 6 = 43 => W 6 = 42μm οπότε το ρεύμα Ι6 ισούται με : I 6 = g2 m6 = ( ) 2 K 1 (W/L) = 93.9μA 6

7 Ηλεκτρονική ΙΙΙ Ασκήσεις Αν θεωρήσουμε εναλλακτικά ότι : (W / L) 6= g m6 K 6 ' V DS6 (sat) όπου: V DS6 = V DS6 (min)= V DS6 (max)= V DD V out (max)= 2.5V 2V= 0.5V, υπολογίζεται ότι: (W/L) 6 = g m6 K 6 V DS6 (sat) = = 37.7 => W 6 = 38μm Επιλέγεται τελικά : (W / L) 6= 43 W 6 = 43μm> 38μm, διότι εφόσον ο λόγος (W / L) 6 = 43 που υπολογίστηκε ώστε να ικανοποιείται η απαίτηση του περιθωρίου φάσης είναι μεγαλύτερος από το 38 που υπολογίστηκε με βάση την προδιαγραφή της διακύμανσης της τάσης εξόδου, η τιμή 43 ικανοποιεί και την προδιαγραφή της διακύμανσης της τάσης εξόδου. Τελικά βρίσκεται ότι: (W/L) 7 = (W/L) 5 I 6 I 5 => (W/L) 7 = = => (W/L) 7 = 91 => W 7 = 91μm Ελέγχεται τέλος η τιμή του κέρδους τάσης και των προδιαγραφών κατανάλωσης. Η κατανάλωση ισχύος υπολογίζεται ως: P diss = (I 5 + I 6 )(V DD + V SS ) = 5V (93.9μA + 30μA) = 619.5μW = 0.619mW < 2W Το κέρδος ανοικτού βρόχου υπολογίζεται από τη σχέση : 2g m2 g m6 A V = I 5 (λ 2 + λ 3 )I 6 (λ 6 + λ 7 ) = ( ) 2 = V/V > 5000V/V Εκφώνηση άσκησης 2: Υπολογίστε τις διαστάσεις W, L για καθένα από τα τρανζίστορ του CMOS τελεστικού ενισχυτή του σχήματος 1.2, έτσι ώστε να επιτύχετε διαφορικό κέρδος τάσης ίσο με Υποθέστε ότι K ' N= 110 μα/v 2, K ' P = 50 μα/v 2, V TN= V TP = 0.7 V και λ Ν= λ P = 0.01 V 1. Επίσης, υποθέστε ότι η ελάχιστη διάσταση εξαρτήματος είναι 2 μm και επιλέξτε τα μικρότερα δυνατά εξαρτήματα. Υπολογίστε τη χωρητικότητα αντιστάθμισης Cc, την αντίσταση R ώστε το γινόμενο κέρδους- εύρους ζώνης να είναι GB=1 MHz και να έχουμε εξάλειψη του μηδενικού του δεξιού ημιεπιπέδου. Πόσο μεγάλη μπορεί να είναι η χωρητικότητα φορτίου που μπορεί να οδηγήσει αυτός ο τελεστικός ενισχυτής χωρίς να έχουμε υποβιβασμό του περιθωρίου φάσης; Ποιος είναι ο ρυθμός ανόδου του τελεστικού; Υποθέστε ότι V DD= V SS = 2.5V και RB=100kΩ. 7

8 Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης Ανοικτά Ακαδημαϊκά Μαθήματα Οδηγίες επίλυσης: Από το σχήμα φαίνεται ότι η έξοδος του καθρέπτη ρεύματος Μ5, Μ8 έχει ως έξοδο ένα ρεύμα I5= 50 μα. Θα υποθέσουμε μια τιμή για το ρεύμα στην είσοδο του καθρέπτη, ώστε αυτός να ενισχύει το ρεύμα της εισόδου του. Έστω, λοιπόν, ότι I8=40 μα. Τότε: V DD R B I B V GS + V SS = 0 => V GS = 2V DD R B I B => V GS = K 40μ = 1V I 8 = K N 2 (W) (V L GS8 + V T8 ) 2 (1) => ( W ) = 2I 8 => 8 L 8 K N (V GS8 +V T8 ) 2 (W) 16 μm = 8.08, γιατί L 8 2 μm επιλέγεται το μήκος καναλιού να είναι το ελάχιστο δυνατό. Επίσης, για το M5 ισχύει: I 5 = K N 2 (W L ) 5 μέλη τις (1) και (2): (W L ) 5 = I 5 => ( W ) = 5 ( W L ) I 8 L 5 4 (W) L 8 8 Για το Μ7 προκύπτει: I 7 = K N 2 (W L ) 7 οπότε διαιρώντας κατά μέλη τις (2) και (3): ( W L ) 5 ( W L ) 7 = I 5 I 7 => ( W L ) 7 = 2 ( W L ) 5 = 20 = 40 2 (V GS5 + V T5 ) 2 (2) και VGS8=VGS5 και διαιρώντας κατά 20 μm = 10 =. 2 μm (V GS7 + V T7 ) 2 (3), VGS5= VGS7 και Ι7=100μΑ (από το σχήμα) μm μm Τώρα, για το ενεργό φορτίο του διαφορικού ζεύγους Μ3 και Μ4, υποθέτουμε ότι οι τάσεις εισόδου των δύο τρανζίστορ είναι ίσες και ότι ισχύει: VSG3=VSG4=1.5V. Τα δύο τρανζίστορ πρέπει να είναι ταιριασμένα ώστε να έχουμε καθρέφτισμα του ρεύματος, δηλαδή (W L ) 3 = ( W L ) 4 8

9 Ηλεκτρονική ΙΙΙ Ασκήσεις I 3 => ( W ) = I 2 L 3 (W). Επίσης, πρέπει να είναι ταιριασμένα τα τρανζίστορ του διαφορικού L 4 ζεύγους. Τότε ισχύει: Ι1=Ι2=Ι3=Ι4= Ι5 /2=25 μα. Προκύπτει λοιπόν: ( W L ) 3 = (W L ) 4 = 2I 3 K p (V GS3 +V T3 ) 2 = = Για να επιτύχουμε σωστό καθρέπτισμα στο φορτίο του διαφορικού ζεύγους πρέπει: VSG4=VSG6. Tότε: (W L ) = ( W 6 L ) Ι 6 = I = 12 μm 2 μm και υπολογίζεται η διαγωγιμότητα του Μ6: g m6 = 2K P ( W L ) 6 I 6 = 2 50μ 6 100μ = 245μS. μm. μm Για να εξαλειφθεί το μηδενικό πρέπει να τοποθετηθεί αντίσταση R σε σειρά με τον πυκνωτή αντιστάθμισης ίση με : R = 1 g m6 = 4 KΩ. Το κέρδος τάσης συνολικά είναι: Α v= A v1 A v2 = προκύπτει: g m1 = A VI 5 I 6 (λ P +λ N ) 2 2g m6 => g m1 = μ 100μ g m1 g m6 I 5 I 6 (λ Ρ + λ Ν ) 2. Λύνοντας ως προς gm1 = 16μ S. Αυτή η τιμή όμως διαγωγιμότητας θα μας δώσει ένα λόγο διαστάσεων πολύ μικρότερο της μονάδας για το Μ1: (W L ) = g 2 m1 = (16μ)2 ' 1 K N I 5 110μ 50μ = = 2 μm 40 μm. Στην πράξη συνήθως οι δύο διαστάσεις του τρανζίστορ W και L πρέπει να είναι συγκρίσιμες. Θα πρέπει εδώ να γίνει αναπροσαρμογή των τιμών και να επιλεγεί μια πιο ρεαλιστική αναλογία για τις διαστάσεις των Μ1 και Μ2. Εστω λοιπόν ότι (W/L)1 = (W/L)2= 2μm/2μm. Τότε: g m6 = 2K N ( W L ) 1 I 5/2 = 2 100μ 1 25μ = 74.2μS και A V = A V1 A V2 = 2g m1g m6 I 5 I 6 (λ P +λ N ) 2 = μ 245μ 50μ 100μ = 9094V/V. Οπότε, υπολογίζουμε τη χωρητικότητα αντιστάθμισης: C C= g m1 GB = 74.2μ 1M = 74.2 pf. Να σημειωθεί πάντως ότι αν κρατούσαμε τον λόγο (W/L)1 ως έχει, τότε θα ήταν: g m1 = 2K N ( W L ) I 5 /2 = 2 100μ μ = 16.6μS 1 A V = A V1 A V2 = 2g m1g m6 I 5 I 6 (λ P + λ N ) 2 = μ 245μ = 4067V/V 50μ 100μ

10 Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης Ανοικτά Ακαδημαϊκά Μαθήματα C C = g m1 GB = 16.6μ 1M = 16.6 pf. οπότε παρατηρείται ότι η προδιαγραφή για το κέρδος τάσης τηρείται και προκύπτει μία χωρητικότητα αντιστάθμισης πολύ μικρότερη. Άρα, αν γενικά υπάρχει η δυνατότητα να χρησιμοποιήσουμε τρανζίστορ με μεγαλύτερο κανάλι L από ό,τι πλάτος W, τότε αυτή η σχεδίαση προτιμάται. Το περιθώριο φάσης δεν πρέπει να γίνει μικρότερο από 60. Αυτό υπολογίζεται προσεγγιστικά με : 60 = 180 tan 1 ( GB p 1 ) tan 1 ( GB tan 1 ( GB p 2min )= 30 p 2min = 1.73 MHz p 2min ) tan 1 ( GB Οπότε είναι τελικά: p 2min= g m6 C Lmax C Lmax = 245μ 1.73M = pf. z 1 )= tan 1 ( GB p 2 ) tan 1 ( 1 ). Ενότητα 2η: Κυκλώματα ανόρθωσης Εκφώνηση άσκησης 1: Να σχεδιαστεί σταθεροποιητής τάσης με δίοδο zener που να παρέχει σταθεροποιημένη τάση περίπου 10V. Η διαθέσιμη δίοδος zener είναι των 10V και 1W και έχει πτώση τάσης 10 V σε δοκιμαστικό ρεύμα 25mA. Για αυτήν την τιμή του ρεύματος η αντίσταση r είναι 7Ω. Η διαθέσιμη τροφοδοσία έχει ονομαστική τιμή 20V αλλά μπορεί να κυμαίνεται κατά ±25% της τιμής αυτής. Ο σταθεροποιητής απαιτείται για την τροφοδότηση ενός φορτίου με ρεύμα από 0mA ως 20mA (σχεδίαση για ελάχιστο ρεύμα zener 5mA). 1) Να βρεθεί η VO, 2) Να υπολογιστεί η απαιτούμενη τιμή της R, 3) Να βρεθεί η σταθεροποίηση γραμμής. Ποια είναι η μεταβολή της VO (εκφρασμένη σε ποσοστό) που αντιστοιχεί στην ±25% μεταβολή της VS; 4) Να βρεθεί η σταθεροποίηση φορτίου. Πόσο μεταβάλλεται η VO (ποσοστό) από μηδενικό ως πλήρες φορτίο (no-load to full-load condition); 5) Ποιο είναι το μέγιστο ρεύμα που θα άγει η δίοδος; Ποια είναι η απώλεια ισχύος σε αυτήν την περίπτωση; 10

11 Ηλεκτρονική ΙΙΙ Ασκήσεις Οδηγίες επίλυσης: 1) Από τον ορισμό της διόδου zener ισχύει: V V r I V V O O O V 2) Το ελάχιστο ρεύμα της διόδου zener προκύπτει όταν το φορτίο έχει μέγιστο ρεύμα, δηλαδή IL = 20mA και η τροφοδοσία έχει την ελάχιστη τιμή της (-25%) που ισούται με 15V. Άρα η τιμή της αντίστασης R προκύπτει: VS V 15 ( VO r I ) 15 ( ) R I I I I 5 20 RL Επιλέγεται η τιμή 205 Ω. RL 3) Για τη σταθεροποίηση γραμμής πρέπει να υπολογιστεί ο λόγος: r // RL r VO V V όπου ΔV + είναι το ποσοστό μεταβολής R r // R r R της τάσης τροφοδοσίας, δηλαδή 25% 20V 5V. Συνεπώς: 7 V O V 165mV που σε ποσοστό είναι ±0.165/10 = ±1.65%. L 4) Για τη σταθεροποίηση φορτίου βλέποντας το κύκλωμα υπολογίζεται ότι: r R VO r R VO V I r R I V O L ( // ) L r R I L r R I L A 11

12 Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης Ανοικτά Ακαδημαϊκά Μαθήματα V V O mA mV το οποίο σε ποσοστό είναι %. A 5) Το μέγιστο ρεύμα που μπορεί να άγει η δίοδος zener συμβαίνει όταν δεν υπάρχει φορτίο, ενώ παράλληλα η τάση τροφοδοσίας έχει τη μέγιστη τιμή της, που είναι 25V. Στη συγκεκριμένη περίπτωση ισχύει: I 71. 6mA και η κατανάλωση ισχύος είναι ίση με: P I V 71.6mA10V 716mW. Αν απαιτείται μεγαλύτερη ακρίβεια, μπορεί να υπολογιστεί ακριβέστερα η τάση στα άκρα της διόδου zener από τη σχέση ορισμού της: V V r I V V. O Τότε η απώλεια ισχύος υπολογίζεται ίση με: P I V 739. mw. 4 Εκφώνηση άσκησης 2: Ο τελεστικός ενισχυτής στο κύκλωμα του σχήματος λειτουργεί ως ιδανικό στοιχείο ενισχυτή με στάθμες κορεσμού στην έξοδο ±12V. Οι δίοδοι παρουσιάζουν σταθερή πτώση τάσης 0.7 V όταν άγουν. Να βρεθούν οι υ_, υα και υο για: (α) υι = +1V (β) υι = +2V (γ) υι = -1V (δ) υι = -2V Οδηγίες επίλυσης Για υι >0 άγει η δίοδος D 1. Αν άγει η δίοδος D 1 τότε όλο το ρεύμα περνάει από την D 1 και συνεπώς ο κλάδος της R χωρίς ροή ρεύματος δεν έχει πτώση τάσης, οπότε υο =0. Η D 2 έχει στα άκρα της υα= -0.7 V και υο =0, όποτε δεν άγει. 12

13 Ηλεκτρονική ΙΙΙ Ασκήσεις Για υι <0 δεν άγει η δίοδος D 1. Αφού δεν άγει η δίοδος D 1, περνάει όλο το ρεύμα από την R και ισχύει: (υι - υ_)/r = (υ_ - υο)/r => υο =- υι (R/R) =- υι Επομένως: α) υι =+1V άρα υο =0 V υα =-0.7 V λόγω D 1 υ_=0 V β) υι =+2V άρα υο =0 V υα=-0,7 V υ_=0 V γ) υι = -1V άρα υο =1 V λόγω υο =- υι υα =1.7 εφόσον άγει η D 2 υ_ =0 V δ) υι = -2V άρα υο = 2 V υα =2.7V εφόσον άγει η D 2 υ_=0 V Ενότητα 3η: Κυκλώματα αναφοράς τάσης και ρεύματος Εκφώνηση άσκησης 1: Στο σχεδιασμό της πηγής ρεύματος Widlar του σχήματος πρέπει να επιλέγουν δύο αντιστάσεις για την παραγωγή ενός συγκεκριμένου ρεύματος εξόδου. Ο αντιστάτης R 1 καθορίζει το I IN και ο αντιστάτης R 2 το I OUT. Για τάση τροφοδοσίας V cc και επιθυμητό ρεύμα I OUT προσδιορίστε τις τιμές των δύο αντιστάσεων έτσι ώστε να είναι ελάχιστη η συνολική αντίσταση. Η απάντηση σας θα πρέπει να δοθεί ως συνάρτηση των R 1 και R 2 με τα V cc και I OUT. Τι τιμές δίνουν οι παραστάσεις αυτές για V cc = 30 V και I O =5 μa; Είναι οι τιμές αυτές πρακτικά κατάλληλες; 13

14 Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης Ανοικτά Ακαδημαϊκά Μαθήματα Οδηγίες επίλυσης: Ισχύει I IN = V cc V BE R 1 όπου V = V cc V BE. = V R 1 (1) I O R 2 = V T ln I IN I O V I O R 2 = V T ln (από 1) I O R 1 Οπότε R 2 = V T I O ln V I O R 1 Έστω f=r 1 + R 2 = R 1 + V T I O ln V I O R 1. Λαμβάνοντας την παράγωγο ως προς R1 προκύπτει: f = 1 + V T I O R 1 (- V ) = 1- V T 1 R 1 I O V R 1 I O R 1 Μηδενισμός της παραγώγου (ελάχιστο) ισχύει για 1- V T 1 =0 R I O R 1 = V T, οπότε και 1 I O R 2 = V T ln V I O I O I O V T Για V cc = 30 V και I O =5 ma: R 1 = 26mV/5 μα =5.2 KΩ R 2 = (26mV/5 μα ) ln (29.3/0.026) = 36.5 ΚΩ Η R 1 είναι πολύ μικρή πρακτικά, αφού το ρεύμα I IN = 30 0,7 5,2Κ =5.6 ma που επιτρέπει είναι αρκετά μεγάλο. 14

15 Ηλεκτρονική ΙΙΙ Ασκήσεις Εκφώνηση άσκησης 2: Στο σχήμα δίνεται ένα κύκλωμα αναφοράς χάσματος ζώνης. Υποτίθεται ότι βf, VA, IS1=1x10-15 A, ΙS2=8x10-15 A και ότι ο τελεστικός ενισχυτής είναι ιδανικός, με μόνη εξαίρεση μια πιθανή μη μηδενική τάση μετατόπισης Vos, η οποία στο σχήμα μοντελοποιείται με μια πηγή τάσης. (α) Θεωρώντας ότι τη R2 ρυθμίζεται έτσι ώστε να θέσει τη Vout ίση με τη ζητούμενη τιμή για την οποία dvout/dt=0 στους 25 o C όταν είναι Vos=0, να βρεθεί ο λόγος dvout/dt στους 25 o C για Vos=30mV. (β) για τις συνθήκες του ερωτήματος (α), το dvout/dt είναι θετικό ή αρνητικό; Εξηγήστε την απάντησή σας. Κύκλωμα αναφοράς χάσματος ζώνης Οδηγίες επίλυσης (α) Ακολουθώντας τη διαδρομή της αρνητικής ανάδρασης προκύπτει η σχέση: Vout = - VOS + I R2R 2 + V BE1(1) Όμως η αντίσταση R2 διαρρέεται από το ρεύμα IC2, το οποίο είναι κατά προσέγγιση ίσο με το ρεύμα ΙΕ2 που διαρρέει την αντίσταση R3. I C 2 V = R R3 3 15

16 Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης Ανοικτά Ακαδημαϊκά Μαθήματα I1IS2 R2 IS2 VR3 = VBE1 - VBE2 = VT ln = VTln (σχέση σελίδα 465) I 2IS1 R1 IS1 Εφόσον βf και ο τελεστικός ενισχυτής είναι ιδανικός (οπότε η διαφορική τάση εισόδου του είναι μηδενική), οι πτώσεις τάσης στις αντιστάσεις R1 και R2 είναι ίσες. Αυτό σημαίνει ότι ο λόγος R2/R1 των αντιστάσεων καθορίζει το λόγο I2/I1 των ρευμάτων. Έτσι προκύπτει η σχέση: Αντικαθιστώντας την παραπάνω σχέση στην εξίσωση (1) προκύπτει ότι: RI 2 S 2 VT ln 1 S1 out = - OS + RI 2 + BE1 3 V V R V R (2) Από τη σχέση αυτή φαίνεται ότι για την τάση μετατόπισης εξόδου ισχύει: οπότε η σχέση V =-V OSout OS(3) dvout VOSout T = To =- (σχέση σελίδα 468) dt To λαμβάνει τη μορφή: και έτσι για τους 25 ο C=298 K ισχύει: dvout dt T = To = V T dvout V 30mV dt T 298K OS OS T = 298 K= = = 101 mv / o o K (β) Σύμφωνα με την εκφώνηση η αντίσταση R2 ρυθμίζεται σε μεγάλη τιμή, έτσι ώστε να θέσει τη Vout ίση με τη ζητούμενη τιμή για την οποία dvout/dt=0 στους 25 o C όταν είναι Vos=0. 16

17 Ηλεκτρονική ΙΙΙ Ασκήσεις Ετσι, παρόλο που η θετική τιμή της Vos (=30 mv) μειώνει την Vout (εξισ. 1, 3), η μεγάλη τιμή της R2 μεγαλώνει τον δεύτερο όρο, με τελικό αποτέλεσμα η μεταβολή της εξόδου Vout σε συνάρτηση με τη θερμοκρασία να είναι θετική. Ενότητα 4η: Ενισχυτές ισχύος Εκφώνηση άσκησης 1: Βαθμίδα εξόδου τάξης Β απαιτείται να παρέχει μέση ισχύ 100W σε φορτίο 16Ω. Τα τροφοδοτικά πρέπει να είναι κατά 4V μεγαλύτερα από την αντίστοιχη μέγιστη ημιτονοειδή τάση εξόδου. Να βρεθεί η απαιτούμενη τάση τροφοδοσίας, το μέγιστο ρεύμα που θα παρέχει το κάθε τροφοδοτικό, η μέγιστη ισχύς τροφοδοσίας και ο δείκτης απόδοσης μετατροπής ενέργειας. Επίσης να βρεθεί η μέγιστη δυνατή κατανάλωση ισχύος σε κάθε τρανζίστορ για ημιτονοειδή είσοδο. Οδηγίες επίλυσης: VCC QN 0 + V_input - QP RL 0 VCC 0 0 Στο σχήμα παρατίθεται ένα στάδιο εξόδου τάξης Β. Αποτελείται από ένα ζεύγος συμπληρωματικών τρανζίστορ (npn και pnp) συνδεδεμένο με τέτοιο τρόπο ώστε να μην μπορούν να άγουν και τα δύο ταυτόχρονα. Τα τρανζίστορ πολώνονται με μηδενικό ρεύμα και άγουν μόνο με την παρουσία σήματος εισόδου. Το κύκλωμα λειτουργεί σε «push-pull» συνδεσμολογία: το Q N 17

18 Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης Ανοικτά Ακαδημαϊκά Μαθήματα ωθεί ρεύμα προς το φορτίο όταν η V-input είναι θετική και το Q P τραβά ρεύμα από το φορτίο όταν η V-input είναι αρνητική. Αν θεωρηθεί ημιτονοειδές σήμα εξόδου πλάτους Vo, η μέση ισχύς φορτίου θα δίνεται από τη σχέση PL=(1/2) (Vo 2 / RL) από όπου προσδιορίζεται το πλάτος της τάσης εξόδου Vo : 100 = (1/2) (Vo 2 /16) Vo= 56.6 V Σύμφωνα με την εκφώνηση τα τροφοδοτικά πρέπει να έχουν τάση κατά 4V μεγαλύτερη από την αντίστοιχη μέγιστη τάση εξόδου Vo, δηλαδή : VCC= = 60.6 V οπότε επιλέγεται τιμή VCC = 61 V. Το ρεύμα που αντλείται από το κάθε τροφοδοτικό θα έχει τη μορφή ημιανορθωμένου ημιτόνου με μέγιστο πλάτος Ιο = Vo /RL = 56.6 /16 =3.54 A. H μέση ισχύς που παρέχει καθένα από τα δύο τροφοδοτικά είναι : PS+= PS- = (1/π) Ιο VCC = 68.7 W και η συνολική ισχύς των δύο τροφοδοτικών ισούται με PS = W. H απόδοση λοιπόν δίνεται από τη σχέση: n = PL/PS = 100/137.4 ή 73% Η μέση ισχύς που καταναλώνεται στα δύο τρανζίστορ εξόδου της τάξης Β είναι : PD = PS - PL = 37.4 W H μέγιστη κατανάλωση ισχύος (η χειρότερη περίπτωση) στα δύο τρανζίστορ εξόδου της τάξης Β είναι: PDmax = 2 VCC 2 /(π 2 RL) = 2x61 2 / (π 2 x16) = 47.2 W. Άρα η μέγιστη δυνατή καταναλισκόμενη ισχύς σε κάθε τρανζίστορ είναι 23.6 W. 18

19 Ηλεκτρονική ΙΙΙ Ασκήσεις Εκφώνηση άσκησης 2: Δίνεται το κύκλωμα θερμικής προστασίας του σχήματος. Στους 25 ο C η δίοδος zener 1 (με Vz = 6.8V) παρουσιάζει TC ίσο με 2mV/ o C και τα Q1, Q2 είναι διπολικά τρανζίστορ με VBE = 0.7V για ρεύμα 100 μα και έχουν TC ίσο με -2 mv/ o C. Να σχεδιαστεί το κύκλωμα έτσι ώστε στους 125 ο C να ρέει ρεύμα 100 μα στο καθένα από τα Q1, Q2. Ποιο είναι το ρεύμα του Q2 στους 25 ο C; IOU Οδηγίες επίλυσης Για ευκολία θεωρείται ότι στο κύκλωμα -VCC=0V. Γνωρίζοντας την τάση της διόδου zener στη θερμοκρασία των 25 ο C υπολογίζεται η αντίστοιχη στους 125 ο C από τη σχέση: V T TC V V V E1@125 E1@125 E1@ T TC 6.8 (125 25) V V V V BE BE T TC T TC (125 25) V Η τάση VB2 = VBE2 υπολογίζεται ως VBE2 = VBE 100x0.002 = 0.5V Άρα, αφού το ρεύμα που διαρρέει τις αντιστάσεις R1, R2 είναι περίπου 100μΑ (ρεύμα τρανζίστορ Q1) προκύπτει: 0.5V 6.5V 0.5V R2 5k και R1 60k. 100A 100A 19

20 Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης Ανοικτά Ακαδημαϊκά Μαθήματα Στους 25 ο C είναι V = 6.8V ενώ VE1 = = 6.1V. Από το διαιρέτη τάσης R1-R2 5 υπολογίζεται η τάση VB V VBE 2. Συνεπώς το ρεύμα εξόδου IC2 στους ο C ισούται με: IC2=100 e ( )/25 = 0.01 μα. Ενότητα 5η: Κυκλώματα ελέγχου ισχύος Εκφώνηση άσκησης 1: Στο κύκλωμα του Σχ. 5.1, η γωνία έναυσης του SCR είναι ίση με πηγή συνεχούς τάσης με τιμή και μια επαγωγή 230V/50Hz, να σχεδιαστούν οι κυματομορφές: V 150V α) του ρεύματος στο φορτίο i d, β) του ρεύματος στο δίκτυο i s, γ) του ρεύματος στη δίοδο ελεύθερης ροής i Df, δ) της τάσης φορτίου u d στ) της τάσης στα άκρα του SCR u SCR. B a 90 L 50mH. Το φορτίο αποτελείται από μια. Αν η τάση του δικτύου είναι o Οδηγίες επίλυσης: o O SCR άγει από τη γωνία έναυσης a 90, έως τις 180 ο, όπου ξεκινά η αγωγή της διόδου ελεύθερης ροής. Το ρεύμα του φορτίου λαμβάνει τη μέγιστη τιμή στη γωνία θ 1, όπου η τάση της πηγής u s γίνεται ίση με την V B. Επομένως 2 230sin o και ο ο i s + a = 90 o u SCR _ i d u s 230V 50Hz u d L = 50mH i Df V B = 150V Σχ. 5.1 Ανορθωτής με δίοδο ελεύθερης ροής και ενεργό φορτίο 20

21 Ηλεκτρονική ΙΙΙ Ασκήσεις Η κυματομορφή του ρεύματος στο διάστημα από a έως π, ορίζεται από τη σχέση, / did 1 Vsm sin( t) VB L id [ 2 230sin( t) 150] dt dt L a/ στην οποία θέτοντας 1, προκύπτει η μέγιστη τιμή του ρεύματος φορτίου id ( 1) 7.9Α, ενώ με υπολογίζεται η τιμή του ρεύματος φορτίου στις 180 ο, η οποία είναι ίση με id ( ) 5.7Α. Στο διάστημα αγωγής της διόδου ελεύθερης ροής, η τάση της πηγής V B προκαλεί τη γραμμική μείωση του ρεύματος φορτίου. Η γωνία θ 2, όπου το ρεύμα i d μηδενίζεται, ορίζεται από τη σχέση V sm i s i d i s i d u s u d i Df u d V B 0 π/2 θ 1 π θ 2 2π 3π δ ωt OFF SCR D f OFF SCR V sm u s u SCR 0 ωt -V B u s u s - V B Σχ. 5.2 Κυματομορφές του κυκλώματος στο Σχ. 5.1 / 2 / VB 150 o d( ) id dt i dt L 0.05 / / 21

22 Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης Ανοικτά Ακαδημαϊκά Μαθήματα Με βάση τα παραπάνω, σχεδιάζονται οι κυματομορφές του κυκλώματος στο Σχ Το ρεύμα στη δίοδο D f ρέει στο διάστημα π έως θ 2 και έχει γραμμική μεταβολή. Στο διάστημα αυτό, η τάση του φορτίου είναι μηδενική και η τάση στα άκρα του SCR είναι ίση με. Μετά τη γωνία θ 2, το ρεύμα είναι μηδενικό και έτσι η δίοδος και το SCR είναι σε κατάσταση αποκοπής. Η τάση του SCR είναι ίση με uscr us VB, ενώ. u d u V B SCR u s Εκφώνηση άσκησης 2: O μονοφασικός ανορθωτής γέφυρας με SCR του Σχ. 5.3, χρησιμοποιείται για τη φόρτιση μιας μπαταρίας με εσωτερική αντίσταση και τάση. Η τάση του δικτύου είναι 220V στα 50Hz. Η γωνία r 0.5 έναυσης των SCR είναι. Ι. Να σχεδιασθούν οι κυματομορφές: o a 90 V 200V α) της τάσης u d και του ρεύματος i d εξόδου, β) του ρεύματος εισόδου i s και των ρευμάτων μέσω των SCR 1,2 και SCR 3,4, γ) των τάσεων στα άκρα του SCR 1 και του SCR 4. ΙΙ. Να ορισθούν: α) η περιοχή ελέγχου της γωνίας έναυσης, β) η μέση I d και η ενεργός τιμή I drms του ρεύματος στο φορτίο, γ) η ισχύς φόρτισης της μπαταρίας P b και η ισχύ απωλειών P loss. b Οδηγίες επίλυσης: Ι. Οι κυματομορφές του ανορθωτή γέφυρας φόρτισης της μπαταρίας εικονίζονται στο Σχ Η τάση στα άκρα του SCR 1, στα χρονικά διαστήματα που δεν άγει κανένας διακόπτης, είναι ίση με ( u / 2) ( V / 2). Όταν άγουν οι SCR 3,4 η τάση του SCR 1 είναι ίση με την τάση του δικτύου. Αντίστοιχα, η τάση στα άκρα του SCR 4, στα χρονικά διαστήματα που δεν άγει κανένας διακόπτης, είναι ίση με ( u / 2) ( V / 2). Οι SCR θεωρούνται ιδανικοί, ενώ η πολικότητα των τάσεων ορίζεται στο Σχ ΙΙ-α) Η γωνία έναυσης πρέπει να είναι στην περιοχή s b s b sin ( V / V ) sin (200/ 2 220) 40 και a, 1 1 o b sm o o 40 a 140 ΙΙ-β) Η μέση και η ενεργός τιμή του ρεύματος, ορίζονται από τις σχέσεις o Vsm sin( t) Vb sin( t) 200 Id d( t) d( t) 40.62A r 0.5 a o 90 και 22

23 Ηλεκτρονική ΙΙΙ Ασκήσεις 1 Vsm sin( t) Vb Idrms d( t) 84.77A r a 2 ΙΙ-γ) Η ισχύς φόρτισης υπολογίζεται από τη μέση τιμή του ρεύματος, ενώ η ισχύς απωλειών στην εσωτερική αντίσταση της μπαταρίας από την ενεργό τιμή του ρεύματος. Επομένως us Vb 2 2 _ SCR 1 SCR 3 + i d u s i s 220V 50Hz us Vb _ + SCR 4 SCR 2 u d _ r = 0.5Ω V b = 200V Σχ. 5.3 Ελεγχόμενος ανορθωτής γέφυρας για τη φόρτιση μπαταρίας V sm V b u d i G(1,2) i G(3,4) 0 δ a (V sm -V b )/r π-δ π u s 2π ωt i d i SCR1,2 i s i d i SCR3,4 0 V sm SCR 1 SCR 2 i s ωt u s u SCR1 u s /2 -u s /2 SCR 3 SCR 4 0 -V b /2 ωt -u s /2 -u s u s /2 u s -V sm u SCR4 Σχ. 5.4 Κυματομορφές του κυκλώματος στο Σχ

24 Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης Ανοικτά Ακαδημαϊκά Μαθήματα Pb Vb Id W και P I r W. loss 2 2 drms 24

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ασκήσεις Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Θεσσαλονίκη, Σεπτέμβριος 2015 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική ΙΙΙ 6 ο εξάμηνο

Ηλεκτρονική ΙΙΙ 6 ο εξάμηνο ο εξάμηνο Αλκης Χατζόπουλος Καθηγητής Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχ. και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Εργαστήριο Ηλεκτρονικής /4 Ηλεκτρονική ΙIΙ Ηλεκτρονική ΙIΙ ο εξάμηνο. Σχεδίαση τελεστικών ενισχυτών. Κυκλώματα

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 3

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 3 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 3: Κυκλώματα αναφοράς Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης Το

Διαβάστε περισσότερα

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k, Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ) με τα εξής χαρακτηριστικά: 3 k, 50, k, S k και V 5 α) Nα υπολογιστούν οι τιμές των αντιστάσεων β) Να επιλεγούν οι χωρητικότητες C, CC έτσι ώστε ο ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5: Πολυβάθμιοι ενισχυτές Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα 5: D λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης reative

Διαβάστε περισσότερα

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙI. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙI. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙI Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Θεσσαλονίκη, Σεπτέμβριος 2015 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές

Τελεστικοί Ενισχυτές Τελεστικοί Ενισχυτές Ενισχυτές-Γενικά: Οι ενισχυτές είναι δίθυρα δίκτυα στα οποία η τάση ή το ρεύμα εξόδου είναι ευθέως ανάλογη της τάσεως ή του ρεύματος εισόδου. Υπάρχουν τέσσερα διαφορετικά είδη ενισχυτών:

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 2

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 2 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα : Κυκλώματα ανόρθωσης - δίοδοι zener Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 1

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 1 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 1: Σχεδίαση τελεστικών ενισχυτών Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες

Διαβάστε περισσότερα

Διαφορικοί Ενισχυτές

Διαφορικοί Ενισχυτές Διαφορικοί Ενισχυτές Γενικά: Ο Διαφορικός ενισχυτής (ΔΕ) είναι το βασικό δομικό στοιχείο ενός τελεστικού ενισχυτή. Η λειτουργία ενός ΔΕ είναι η ενίσχυση της διαφοράς μεταξύ δύο σημάτων εισόδου. Τα αρχικά

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 7

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 7 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 7: Τελεστικός ενισχυτής Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική ΙIΙ. 6 ο εξάμηνο

Ηλεκτρονική ΙIΙ. 6 ο εξάμηνο Ηλεκτρονική ΙIΙ 6 ο εξάμηνο 1. Σχεδίαση τελεστικών ενισχυτών 2. Κυκλώματα ανόρθωσης - δίοδοι zener 3. Κυκλώματα αναφοράς 4. Ενισχυτές ισχύος 5. Ηλεκτρονικά ελέγχου ισχύος 1/38 1 Πηγή ρεύματος Widlar με

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας ΔΙΟΔΟΣ Οι περισσότερες ηλεκτρονικές συσκευές όπως οι τηλεοράσεις, τα στερεοφωνικά συγκροτήματα και οι υπολογιστές χρειάζονται τάση dc για να λειτουργήσουν σωστά.

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 3 Δίοδος. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 3 Δίοδος. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα: 3 Δίοδος Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creative Commons. Για εκπαιδευτικό υλικό,

Διαβάστε περισσότερα

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Περιληπτικές σημειώσεις ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

Διαβάστε περισσότερα

1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ 1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ Ο τελεστικός ενισχυτής αποτελεί την βασική δομική μονάδα των περισσοτέρων αναλογικών κυκλωμάτων. Στην ενότητα αυτή θα μελετήσουμε τις ιδιότητες του τελεστικού ενισχυτή, μερικά βασικά

Διαβάστε περισσότερα

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤHMMY Σκοπός διάλεξης Γιατί χρησιμοποιούμε στάδια εξόδου Ακόλουθος εκπομπού Παρουσίαση των βασικών προδιαγραφών του Ψαλιδισμός

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 4

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 4 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 4: Ενισχυτές στις υψηλές συχνότητες Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες

Διαβάστε περισσότερα

του διπολικού τρανζίστορ

του διπολικού τρανζίστορ D λειτουργία - Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ ρ Παραδείγματα D ανάλυσης Παράδειγμα : Να ευρεθεί το σημείο λειτουργίας Q. Δίνονται: β00 και 0.7. Υποθέτουμε λειτουργία στην ενεργό περιοχή. 4 a 4 0 7, 3,3

Διαβάστε περισσότερα

και συνδέει τον αριθμό των σπειρών του πρωτεύοντος και του

και συνδέει τον αριθμό των σπειρών του πρωτεύοντος και του Μετασχηματιστής με μεσαία λήψη Ένας μετασχηματιστής αποτελείται από δύο πηνία που έχουν τυλιχτεί επάνω στον ίδιο πυρήνα. Στο ένα πηνίο εφαρμόζεται μία εναλλασσόμενη τάση. Η τάση αυτή, δημιουργεί ένα μεταβαλλόμενο

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα ᄃ Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων F Ασκήσεις Ενότητας: Ταλαντωτές και Πολυδονητές Στυλιανός Μυτιληναίος Τμήμα Ηλεκτρονικής, Σχολή

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7: Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 2

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 2 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 2: Διαφορικός ενισχυτής (BJT) Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης

Διαβάστε περισσότερα

Περιεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή

Περιεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή Περιεχόμενα ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος 1.1 Εισαγωγή 1.2 Περιοχή Απογύμνωσης μιας Επαφής pn 1.2.1 Χωρητικότητα της Περιοχής Απογύμνωσης 1.2.2 Κατάρρευση Επαφής 1.3

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4: Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 4

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 4 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 4: Ενισχυτές ισχύος Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης Το

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Ενισχυτής κοινού εκπομπού, ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τελεστικοί Ενισχυτές Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ο ιδανικός τελεστικός ενισχυτής Είσοδος αντιστροφής Ισοδύναμα Είσοδος μη αντιστροφής A( ) A d 2 1 2 1

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ Άσκηση 1 To κύκλωµα του Fig.1 χρησιµοποιεί τρανζίστορ Ge (αγνοείστε τη Vbe) και οι χαρακτηριστικές του δίδονται στο Fig.2. Να υπολογίσετε τις αντιστάσεις εκποµπού και συλλέκτη, έτσι ώστε

Διαβάστε περισσότερα

ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΙΙ

ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΙΙ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΙΙ Μάθημα ασκήσεων 4: Κοντή γραμμή μεταφοράς Λαμπρίδης Δημήτρης Ανδρέου Γεώργιος Δούκας Δημήτριος Τμήμα

Διαβάστε περισσότερα

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing).

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Κεφάλαιο 4 Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Οι ενδείξεις (τάσεις εξόδου) των θερμοζευγών τύπου Κ είναι δύσκολο να

Διαβάστε περισσότερα

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ T..I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Περιεχόμενα 4 ης ενότητας Στην τέταρτη ενότητα θα μελετήσουμε τους ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 1

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 1 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 1: Ημιαγωγική δίοδος Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης Το παρόν

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier) Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Βασικά κυκλώµατα ενισχυτών µε transstr MOS Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Transstr ως ενισχυτής Ενισχυτής κοινής πηγής (cmmn surce amplfer (κύκλωµα αντιστροφέα

Διαβάστε περισσότερα

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΑ ΔΙΚΤΥΑ ΥΨΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ (Θ) Ενότητα 1: Μικροκυματικές Διατάξεις ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΤΕ 1 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα 5: D λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Μεθοδολογία D ανάλυσης των κυκλωμάτων με διπολικά τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Πόλωση BJT Η πόλωση τρανζίστορ όπως την έχετε γνωρίσει, υποφέρει από δύο βασικά μειονεκτήματα: Υπερβολική χρήση πηγών dc. Το γεγονός αυτό είναι ιδιαίτερα έντονο σε κυκλώματα πολυβάθμιων

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 9

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 9 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 9: Ενισχυτές με ενεργό φορτίο Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτές Ισχύος σε τάξη Β

Ενισχυτές Ισχύος σε τάξη Β Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Ενισχυτές Ισχύος σε τάξη Β Οι ενισχυτές τάξης Α παρουσιάζουν χαµηλή απόδοση λόγω της µόνιµης κατανάλωσης V CE I C στο τρανζίστορ. Για να µειωθεί η κατανάλωση ισχύος σε ηρεµία (~

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Διδάσκοντες:

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ 2 Δίοδοι-Επαφή pn 1. Ποιες είναι οι 3 κατηγορίες υλικών στην ηλεκτρονική; a) Στερεά, υγρά αέρια. b) Αγωγοί, μονωτές, ημιαγωγοί. c) Γη, αέρας, φωτιά. d) Ημιαγωγοί, μονωτές,

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: /6/6 ΘΕΜΑ ο (5 μονάδες Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: =, = 6 kω, = kω και = = Ε = = kω, ενώ για το τρανζίστορ δίνονται: = 78, β

Διαβάστε περισσότερα

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 6: Παθητικά στοιχεία αποθήκευσης ενέργειας Οι διαφάνειες ακολουθούν το βιβλίο του Κων/νου Παπαδόπουλου «Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων» ISBN: 978-960-93-7110-0 κωδ.

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση των Τρανζίστορ

Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση λέμε την κατάλληλη συνεχή τάση που πρέπει να εφαρμόσουμε στο κύκλωμα που περιλαμβάνει κάποιο ηλεκτρονικό στοιχείο (π.χ τρανζίστορ), έτσι ώστε να εξασφαλίσουμε την ομαλή λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος:

Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος: Παράδειγµα 8 Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος: 0,7 + 2200I 5V = 0 V D 4,3 I D = = 1, 95mA 2200 + 5 2200I D + Vout = 0 Vout=-0,7V Παράδειγµα 9 Το παρακάτω σχήµα παριστάνει κύκλωµα φόρτισης µιας

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 7/0/0 ΣΕΙΡΑ Β: :00 8:0 ΘΕΜΑ ο (4 μονάδες) Ο ενισχυτής του διπλανού σχήματος περιλαμβάνει ένα τρανζίστορ τύπου npn (Q ) και ένα τρανζίστορ τύπου pnp (Q ), για τα οποία δίνονται:

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής Ο διαφορικός ενισχυτής (differential amplifier) είναι από τα πλέον διαδεδομένα και χρήσιμα κυκλώματα στις ενισχυτικές διατάξεις. Είναι βασικό δομικό στοιχείο του τελεστικού

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ενότητα 8: Ενισχυτές με διπολικά τρανζίστορ. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ενότητα 8: Ενισχυτές με διπολικά τρανζίστορ. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 8: Ενισχυτές με διπολικά τρανζίστορ Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες

Διαβάστε περισσότερα

ΜΑΘΗΜΑ: Ηλεκτρονικά Ισχύος

ΜΑΘΗΜΑ: Ηλεκτρονικά Ισχύος ΜΑΘΗΜΑ: Ηλεκτρονικά Ισχύος ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Γιώργος Χριστοφορίδης ΤΜΗΜΑ: Ηλεκτρολόγων Μηχανικών Τ.Ε. 1 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creative Commons. Για εκπαιδευτικό υλικό,

Διαβάστε περισσότερα

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4. Volts. Από τον κανόνα Kirchhoff: Ευθεία φόρτου: Όταν I 0 η (Ε) γίνεται V VD V D

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4. Volts. Από τον κανόνα Kirchhoff: Ευθεία φόρτου: Όταν I 0 η (Ε) γίνεται V VD V D Πρόβλημα 1 Μία μπαταρία 1,5 volt πολώνει ορθά μία δίοδο που έχει συνδεθεί στη σειρά με μία αντίσταση 20Ω. α) χρησιμοποιήστε την χαρακτηριστική της διόδου για να προσδιορίσετε το σημείο λειτουργίας. β)

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες): ΘΕΜΑ 1 ο ( μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: V 10V, V BE 0.7 V, Β 200 kω, 1 kω, 1 kω, β 100. (α) Να προσδιορίσετε το σημείο λειτουργίας Q (V E, I ) του τρανζίστορ. (1 μονάδα) (β)

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής Ο τελεστικός ενισχυτής, TE (operational ampliier, op-amp) είναι ένα από τα πιο χρήσιμα αναλογικά κυκλώματα. Κατασκευάζεται ως ολοκληρωμένο κύκλωμα (integrated circuit) και

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα ᄃ Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF Ασκήσεις Ενότητας: Ανάδραση και Κριτήρια Ταλάντωσης Στυλιανός Μυτιληναίος Τμήμα Ηλεκτρονικής,

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 6.1 ΚΑΘΡΕΠΤΕΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Σε ένα καθρέπτη ρεύµατος, το ρεύµα του κλάδου της εξόδου είναι πάντα ίσο µε το ρεύµα του κλάδου της εισόδου, αποτελεί δηλαδή το είδωλο του. Μία τέτοια διάταξη δείχνει

Διαβάστε περισσότερα

ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΙΙ

ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΙΙ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΙΙ Μάθημα ασκήσεων 2: Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά γραμμών μεταφοράς Λαμπρίδης Δημήτρης Ανδρέου Γεώργιος Δούκας

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονικά Ισχύος II

Ηλεκτρονικά Ισχύος II Ηλεκτρονικά Ισχύος II Ενότητα 1: (DC-DC Cnverers) Δρ.-Μηχ. Εμμανουήλ Τατάκης, Καθηγητής Πολυτεχνική Σχολή Τμ. Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Τεχνολογίας Υπολογιστών Σκοποί ενότητας Παρουσίαση και επεξήγηση

Διαβάστε περισσότερα

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟΥΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟΥΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟΥΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ Εισαγωγή Ιστορικά στοιχεία Οι πρώτοι τελεστικοί ενισχυτές χρησιμοποιήθηκαν κυρίως για την εκτέλεση μαθηματικών πράξεων, δηλαδή πρόσθεση, αφαίρεση, ολοκλήρωση και διαφόριση.

Διαβάστε περισσότερα

Συνδυασμοί αντιστάσεων και πηγών

Συνδυασμοί αντιστάσεων και πηγών ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΑ Ι Κεφάλαιο 3 Συνδυασμοί αντιστάσεων και πηγών ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟΥ Σύνδεση σε σειρά. Παράλληλη σύνδεση Ισοδυναμία τριγώνου και αστέρα Διαιρέτης τάσης Διαιρέτης ρεύματος Πραγματικές πηγές.

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 1

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 1 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 1: Διαφορικός ενισχυτής (MOS) Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική ΙΙ 5 ο εξάμηνο

Ηλεκτρονική ΙΙ 5 ο εξάμηνο 5 ο εξάμηνο Αλκης Χατζόπουλος Καθηγητής Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχ. και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Εργαστήριο Ηλεκτρονικής 1/33 Αλκης Χατζόπουλος - Eργαστήριο Ηλεκτρονικής Τμ.Η.Μ.Μ.Υ. Α.Π.Θ. 5 ο εξάμηνο 1. Διαφορικός

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 6 ΔΙΟΔΟΣ ZENER ΚΑΙ ΠΟΛΛΑΠΛΑΣΙΑΣΤΕΣ ΤΑΣΗΣ

Άσκηση 6 ΔΙΟΔΟΣ ZENER ΚΑΙ ΠΟΛΛΑΠΛΑΣΙΑΣΤΕΣ ΤΑΣΗΣ Άσκηση 6 ΔΙΟΔΟΣ ZENER ΚΑΙ ΠΟΛΛΑΠΛΑΣΙΑΣΤΕΣ ΤΑΣΗΣ Αυτό έργο χορηγείται με άδεια Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike Greece 3.0. Ονοματεπώνυμο: Μητρόπουλος Σπύρος Α.Ε.Μ.: 3215 Εξάμηνο: Β'

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 5: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (MOS-FET, J-FET) Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 21/01/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 21/01/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ /0/0 ΘΕΜΑ ο (5 μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: 0 Ω, Ε kω, Β 00 kω, 4 kω, L kω, e 5 kω και 00 (α) Να προσδιορίσετε την ενίσχυση τάσης (A

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 5 Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη των

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών & Πληροφορικής Μάθημα: Βασικά Ηλεκτρονικά Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης Εργασία των Άννα Μαγιάκη και Καλλιόπης-Κλέλιας Λυκοθανάση Χειμερινό

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013 ΘΕΜΑ ο (.5 μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: Β 90 kω, C kω, Ε E kω, kω, V CC V, V B 0.70 V και Ι Β 0 μα. Επίσης, για τα δύο τρανζίστορ του ενισχυτή δίνονται: β h e h e 00 και h

Διαβάστε περισσότερα

ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΙΙ

ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΙΙ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΙΙ Μάθημα ασκήσεων 6: Μακριά γραμμή μεταφοράς -Τετράπολα Λαμπρίδης Δημήτρης Ανδρέου Γεώργιος Δούκας Δημήτριος

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3ο ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΔΙΟΔΟΙ Επαφή ΡΝ Σε ένα κομμάτι κρύσταλλο πυριτίου προσθέτουμε θετικά ιόντα 5σθενούς στοιχείου για τη δημιουργία τμήματος τύπου Ν από τη μια μεριά, ενώ από την

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης

Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης Το σημείο ηρεμίας επιλέγεται σε μία τιμή πάνω από την αποκοπή (διαφέρει ανάλογα με το τρανζίστορ). Άρα χρειάζεται και επιπλέον ρυθμιστική

Διαβάστε περισσότερα

ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΙΙ

ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΙΙ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΙΙ Μάθημα ασκήσεων 5: Μακριά γραμμή μεταφοράς Λαμπρίδης Δημήτρης Ανδρέου Γεώργιος Δούκας Δημήτριος Τμήμα

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Τάξη Α. Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I. οπου. όταν

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Τάξη Α. Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I. οπου. όταν Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Τάξη Α Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I οπου όταν Ενισχυτικές Διατάξεις 2 Ακόλουθος εκποµπού (CC) πολωµένος µε σταθερό ρεύµα Λόγω της χαµηλής αντίστασης εξόδου, ο ακόλουθος

Διαβάστε περισσότερα

Απαντήσεις των Θεμάτων Ενδιάμεσης Αξιολόγησης στο Μάθημα «Ηλεκτροτεχνία Ηλεκτρικές Μηχανές» Ημερομηνία: 29/04/2014. i S (ωt)

Απαντήσεις των Θεμάτων Ενδιάμεσης Αξιολόγησης στο Μάθημα «Ηλεκτροτεχνία Ηλεκτρικές Μηχανές» Ημερομηνία: 29/04/2014. i S (ωt) Θέμα 1 ο Απαντήσεις των Θεμάτων Ενδιάμεσης Αξιολόγησης στο Μάθημα «Ηλεκτροτεχνία Ηλεκτρικές Μηχανές» Ημερομηνία: 29/04/2014 Για το κύκλωμα ΕΡ του διπλανού σχήματος δίνονται τα εξής: v ( ωt 2 230 sin (

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1 Δομή Παρουσίασης MOSFET

Διαβάστε περισσότερα

Βασικά Στοιχεία Αναλογικών Ηλεκτρονικών

Βασικά Στοιχεία Αναλογικών Ηλεκτρονικών Βασικά Στοιχεία Αναλογικών Ηλεκτρονικών Ηλεκτρονική ΗΥ231 Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Σήµατα Ένα αυθαίρετο σήµα τάσης v s (t) 2 Φάσµα συχνοτήτων των σηµάτων

Διαβάστε περισσότερα

ΜΕΤΑΤΡΟΠΕΙΣ ΣΥΝΕΧΟΥΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ

ΜΕΤΑΤΡΟΠΕΙΣ ΣΥΝΕΧΟΥΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΜΑΘ.. 12 ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟΥΣ ΜΕΤΑΤΡΟΠΕΙΣ ΣΥΝΕΧΟΥΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ 1. ΓΕΝΙΚΑ Οι μετατροπείς συνεχούς ρεύματος επιτελούν τη μετατροπή μιας τάσης συνεχούς μορφής, σε συνεχή τάση με ρυθμιζόμενο σταθερό πλάτος ή και πολικότητα.

Διαβάστε περισσότερα

5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ T.E.I. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 1 Περιεχόμενα 5 ης ενότητας Στην πέμπτη ενότητα θα μελετήσουμε την ανατροφοδότηση

Διαβάστε περισσότερα

6. Τελεστικοί ενισχυτές

6. Τελεστικοί ενισχυτές 6. Τελεστικοί ενισχυτές 6. Εισαγωγή Ο τελεστικός ενισχυτής (OP AMP) είναι ένας ενισχυτής με μεγάλη απολαβή στον οποίο προσαρτάται ανάδραση, ώστε να ελέγχεται η λειτουργία του. Χρησιμοποιείται για την πραγματοποίηση

Διαβάστε περισσότερα

ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2

ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2 ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2 Το διαφορικό ζεύγος Το κάτω τρανζίστορ (I bias ) καθορίζει το ρεύμα του κυκλώματος Τα δυο πάνω τρανζίστορ συναγωνίζονται γιατοποιοθαπάρειαυτότορεύμα 2 Ανάλυση

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 4: Ενισχυτής κοινού εκπομπού. Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 4: Ενισχυτής κοινού εκπομπού. Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι Ενότητα 4: Ενισχυτής κοινού εκπομπού Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creative Commons.

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017 ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Λ ΜΠΙΣΔΟΥΝΗΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 6/0/07 ΘΕΜΑ ο ( μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται:

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 3: Δίοδος. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 3: Δίοδος. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας (1/2) Η ιδανική δίοδος και η χρήση της. Η πραγματική χαρακτηριστική - της διόδου πυριτίου. Τα γραμμικά μοντέλα

Διαβάστε περισσότερα

Θα τρέξουµε την εξοµοίωση τύπου Transient για συνολικό χρόνο 200 ms. Αν σχεδιάσουµε αρχικά τις τάσεις πάνω στα πηνία L1 και L2, µπορούµε να διαπιστώσο

Θα τρέξουµε την εξοµοίωση τύπου Transient για συνολικό χρόνο 200 ms. Αν σχεδιάσουµε αρχικά τις τάσεις πάνω στα πηνία L1 και L2, µπορούµε να διαπιστώσο ΤΡΟΦΟ ΟΤΙΚΑ Εξοµάλυνση µε φίλτρο πυκνωτή Η τάση εξόδου ενός κυκλώµατος απλής ή πλήρους ανόρθωσης είναι µονής πολικότητας απέχει όµως πολύ από το να θεωρηθεί συνεχής. Για το λόγο αυτό, χρησιµοποιούµε έναν

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 5

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 5 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 5: Ενισχυτές με FET Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης Το παρόν

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου

Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός

Διαβάστε περισσότερα

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 7: Μεταβατική απόκριση κυκλωμάτων RL και RC Οι διαφάνειες ακολουθούν το βιβλίο του Κων/νου Παπαδόπουλου «Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων» ISBN: 9789609371100 κωδ. ΕΥΔΟΞΟΣ:

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΑ Ενότητα 7:

ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΑ Ενότητα 7: ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΑ Ενότητα 7: Ανάλυση σύνθετων ηλεκτρικών κυκλωμάτων Καθηγητής Πουλάκης Νικόλαος ΤΕΙ Δ. ΜΑΚΕΔΟΝΙΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor

Κεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor Κεφάλαιο Ένα: 1.1 Εισαγωγή Το 1951 ο William Schockley εφεύρε το πρώτο transistor επαφής, µια ηµιαγωγική διάταξη η οποία µπορεί να ενισχύσει ηλεκτρονικά σήµατα, όπως ραδιοφωνικά και τηλεοπτικά σήµατα.

Διαβάστε περισσότερα

3.1 Η δίοδος στο κύκλωμα. Στατική και δυναμική χαρακτηριστική

3.1 Η δίοδος στο κύκλωμα. Στατική και δυναμική χαρακτηριστική 1 3. Κυκλώματα διόδων 3.1 Η δίοδος στο κύκλωμα. Στατική και δυναμική χαρακτηριστική Στην πράξη η δίοδος προσεγγίζεται με τμηματική γραμμικοποίηση, όπως στο σχήμα 3-1, όπου η δυναμική αντίσταση της διόδου

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Ο Τελεστικός ενισχυτής 741

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Ο Τελεστικός ενισχυτής 741 Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Ο Τελεστικός ενισχυτής 741 Ενισχυτικές Διατάξεις 2 Iστορική Αναδρομή 1964 Ο Bob Widlar σχεδιαζει το πρώτο ΤΕ: τον 702. Μόνο 9 transistors, απολαβή OL: 1000 Πολύ ακριβός : $300 per

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΔΙΟΔΟΣ (Μάθημα 4 ο 5 ο 6 ο 7 ο ) 1/12 4 o εργαστήριο Ιδανική δίοδος n Συμβολισμός της διόδου n 2/12 4 o εργαστήριο Στατική χαρακτηριστική διόδου Άνοδος (+) Κάθοδος () Αν στην ιδανική

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Α. Αναστροφέας MOSFET. Α.1 Αναστροφέας MOSFET µε φορτίο προσαύξησης. Ο αναστροφέας MOSFET (πύλη NOT) αποτελείται από

Διαβάστε περισσότερα

ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΙΙ

ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΙΙ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΙΙ Μάθημα ασκήσεων 3: Κοντή γραμμή μεταφοράς Λαμπρίδης Δημήτρης Ανδρέου Γεώργιος Δούκας Δημήτριος Τμήμα

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονικά Ισχύος II

Ηλεκτρονικά Ισχύος II Ηλεκτρονικά Ισχύος II Ενότητα 1: (DCDC Converters) Δρ.Μηχ. Εμμανουήλ Τατάκης, Καθηγητής Πολυτεχνική Σχολή Τμ. Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Τεχνολογίας Υπολογιστών Σκοποί ενότητας Παρουσίαση και επεξήγηση

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού

Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού Σύνοψη Στο κεφάλαιο αυτό αναλύεται η λειτουργία των κυκλωμάτων χρονισμού. Τα κυκλώματα αυτά παρουσιάζουν πολύ μεγάλο πρακτικό ενδιαφέρον και απαιτείται να λειτουργούν με

Διαβάστε περισσότερα

Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ

Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Η/Υ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών Δρ. Χ. Μιχαήλ Πάτρα, 2010 ΑΣΚΗΣΗ 1 Ένας μικροεπεξεργαστής πρέπει να οδηγήσει ένα δίαυλο

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες): ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 9/0/00 ΘΕΜΑ ο ( μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: 0, 0.7, kω, 0 kω, Ε kω, L kω, β fe 00, e kω. (α) Να προσδιορίσετε τις τιμές των αντιστάσεων,

Διαβάστε περισσότερα

1. Ιδανικό κύκλωμα LC εκτελεί ηλεκτρικές ταλαντώσεις και η χρονική εξίσωση του φορτίου του πυκνωτή

1. Ιδανικό κύκλωμα LC εκτελεί ηλεκτρικές ταλαντώσεις και η χρονική εξίσωση του φορτίου του πυκνωτή Εισαγωγικές ασκήσεις στις ηλεκτρικές ταλαντώσεις 1. Ιδανικό κύκλωμα L εκτελεί ηλεκτρικές ταλαντώσεις και η χρονική εξίσωση του φορτίου του πυκνωτή δίνεται από τη σχέση q = 10 6 συν(10 ) (S.I.). Ο συντελεστής

Διαβάστε περισσότερα

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; Ηλεκτρονικοί Υπολογιστές Κινητά τηλέφωνα Τηλεπικοινωνίες Δίκτυα Ο κόσμος της Ηλεκτρονικής Ιατρική Ενέργεια Βιομηχανία Διασκέδαση ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τι περιέχουν οι ηλεκτρονικές

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 12/09/2013

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 12/09/2013 ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: /09/0 ΘΕΜΑ ο (4 μονάδες Στον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος, το τρανζίστορ πολώνεται με συμμετρικές πηγές τάσης V και V των V Για το τρανζίστορ δίνονται:

Διαβάστε περισσότερα