«IEC :2008 Electromagnetic compatibility (EMC) Part 4-3: Testing and measurement techniques Radiated, radio-frequency, electromagnetic
|
|
|
- Περσεύς Δάβης
- 6 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 IEC Е i 4-3. i Е I I : ;.. 3. : «IEC :2008 Electromagnetic compatibility (EMC) Part 4-3: Testing and measurement techniques Radiated, radio-frequency, electromagnetic field immunity test ( ( ) ), 2:2010.». J: «J ( ), -». 2. : «IEC :2006» «IEC :2008»; «IEC :2007» «IEC :2010». J ( I). «J ( ), J.1,,,. - [1] 1), [2] 1)., -.,,,, -., -,., -,. J.2 J ( ), , ), 6.2.2, ),. 1), J.4. 51
2 ( 1 IEC ) J.2.2 (. J.1).,,,,., J.1 J.2. -, J.1 J J.1 J.2.3,, -,... -, -,,, (, )., - ( ),,. J.1 J.2 -. :. J.1 X i U(x i ), FP PM c - u(x i ), c i u i (y), u i (y) 2 1,7 2 0,85 1 0,85 0,72 k = 2 0,3 1,73 0,17 1 0,17 0,03 52
3 J.1 ( 1 IEC ) X i U(x i ), PA c - - SW c - - J.2 X i U(x i ), u(x i ), c i u i (y), u i (y) 2 0,2 1,73 0,12 1 0,12 0,01 0,6 1,73 0,35 1 0,35 0,12 u (y ) 2 i 0,88 u (y) 2 i 0,94-1,88, U(y) (CAL) k = 2 CAL 1,88 2,00 0,94 1 0,94 0,72 k = 2 AL - 0,38 k = 1 1 0,38 1 0,38 0,14 - a PM t 0,3 1,73 0,17 1 0,17 0,03 PA t - 0,2 1,73 0,12 1 0,12 0,01 SW t 0,6 1,73 0,35 1 0,35 0,12 - SG - 0,13 1,73 0,08 1 0,08 0,01 u (y ) 2 i 1,20 u(x i ), c i u i (y), u i (y) 2 u (y) 2 1,10 i, 2,19 U(y) k = 2 a,,, -,. -,,. J.2.4 FP,,. - / ; PM c, ; - ( ), 53
4 ( 1 IEC ) ( )., -, ; PA c, - ; SW c, windows -. windows ; CAL, ; AL,. ISO/IEC Guide 98-3, -,, -. -, - - ; PM t, ; ( ), - ( ). -,, (. J.2);, - ( - 7 ). -. PA t, - ; SW t, windows -. windows ; SG. J.3 ( ), J.4 [1] 77/349/INF General information on measurement uncertainty of test instrumentation for conducted and radiated r.f. immunity tests (,, -, - ) [2] UKAS, M3003, The Expression of Uncertainty and Confidence in Measurement Edition 2, 2007 ( ) [3] ISO/IEC Guide 98-3:2008 Uncertainty of measurement Part 3: Guide to the expression of uncertainty in measurement (GUM:1995) ( (GUM:1995)». ( ) 54
5 I i 4-3 E I I (IEC :2008, IDT)
6 (083.74)(476) IDT :,, - (),,, -,,,,,. 1 « IEC :2008 Electromagnetic compatibility (EMC) Part 4-3: Testing and measurement techniques Radiated, radio-frequency, electromagnetic field immunity test ( ( ) ) IEC/TC 77 (IEC). (en).,,,, (04100). - IEC : (IDT) /002/BY /002/BY ( :1995) ( ( :1995)), 2009, II
7 ... IV , , , ( ),...20 B ( )...25 ( )...26 D ( ) E ( )...32 F ( )...35 G ( )...36 H () 1 ( )...40 I ( ) ( )...57 III
8 IEC : 1: (, ), 2: 3: (, -, ) 4: 5: 6: 9:, -..,, (, )., -. IV
9 4-3 IEC i 4-3 I I Electromagnetic compatibility Part 4-3 Testing and measurement techniques Radiated, radio-frequency, electromagnetic field immunity test *. -.,,. 1 IEC Guide ( ) IEC, -,,, IEC,,.,,.,. 2,,..,,... *. 1
10 2. - ( ). IEC : :1997 2:1998 IEC :2006 (E ) , - IEC :2007 (E ) (TEM- ) 3, IEC , : 3.1 (amplitude modulation):,. 3.2 (anechoic chamber):, (fully anechoic chamber):, (semi-anechoic chamber):, -, ( ), (modified semi-anechoic chamber): -,. 3.3 (antenna):, -,, (balun): -. [IEV ] 3.5 (continuous waves (CW):,. 3.6 (electromagnetic (EM) wave): -, (far field):,,,., /2,. 3.8 (field strength):,.,,,.,, -. - ( ).,. 2
11 3.9 (frequency band):, :, t :, (full illumination):, ( ) , (human body-mounted equipment):,,., (, ), (independent windows method): ( - 0,5 0,5 ), -,, (induction field): /, d < /2,,,, d. 3.16, (intentional RF emitting device):, ( ) (isotropic):, (maximum RMS value): -,. -.,, 1, b), V max rms V max rms = V p-p /(2 2 ) = 1, (non-constant envelope modulation):,. TDMA Pc:, (partial illumination): ( 1,5 1,5 ), (polarization): (shielded enclosure):,, (sweep): TDMA ( ) (time division multiple access):,.,,,.,, (transceiver): -. 3
12 3.27 (uniform field area (UFA): -,. (. 6.2). 4 -.,, -, -,,. -, 0,8 6. (, TDMA) (. 5.2).,,,,,,,,,..,, -, IEC ,, , / ,,, / ,..,.,,,,. -,,. 1 ( ). 80 % 1, (. 1)
13 5.1,,, ,,, IEC , 80 (. F). 2,,. 3 - IEC ,,, ,4 6.,,,. 1,4 6.,, -,., 1,4 6,,,,.,,. 1,,,. 2 E. 3, 2,, ( G, ) ,,,.,, -, 2,4, (, 100 ),,. 6 :, ( ). ;, - ; ( ), ( ) 1 80 %. ( ) ( ) (,, -, ),,,. ; 5
14 , ( - ).,,, 6 (. D); (. B):,, ; (), -,, -,.. I (E-field);,,.,. 6.1,,, -., -,, -, -.,,.,,,., 2. -,, C. 6.2,, -,. -,. «-» (. 3),,. -., -., ( ) -. (. 3). -,.,, 6
15 . -,, (,,..). ( ).,,., (,..). (. 8)., (. 3).,,. -. 1,5 1,5, 0,8, -, -. 0,5 0,5.,, (. 5 6)., ( ), 0,4.,. -. (. 2). 0,5 (. 4, 1,5 1,5 ).,, 75 %, 0 6 ( ,5 1,5 ). 0,5 0,5. 1,. 0 6, , 10 3 %, ( 0 - ),.,,,
16 ,,, 1,5 1,5 ( ),. :, -, ;, -. 2.,, -, 2. 2, 1 1, ( - ) - 0,5 0,5. - 0,5 (, 0,5 0,5 ; 0,5 1,0 ; 1,0 1,0..). 0,5 0,5. - 0,5 0,5 75 %. 0,5 0,5 100 % - ( ) - 0,5 0,5. - 0,5 (, 0,5 0,5 ; 0,5 1,0 ; 1,0 1,0..). 0,5 0,5. 0,5 0,5 75 % ,5 0,5-100 % ( ) -, ( - ) - 1,5 1,5. -, 0,5 (, 1,5 1,5 ; 1,5 2,0 ; 2,0 2,0..). 0,5 0,5. 75 % - 0,5 0,5 (. H). 1,5 1,5, 0,5. 0,5 0,5. 0,5 0,5 75 % ,5 0,5-100 % - ( ) - 8
17 - ( 1 ),, ( «-»), H., 7.. -,., -,, 1,8,. E c (E c, - ). E t E c /1, ,5 1,5 (16 ) (. 4)., 8,.,, 7, : a) 16 (. 4), (, 80 ); b),,, E c. ; c) 1 % ; d) b) c),. b) - (, 1 ); e) a) d). : f) 16 ; g),, ; h) 6 0,,,, (, 5 ); i), 12 6,,, P c ; j), (, ). - E 1,8E t : j-1) 5,1, P c,, ( 5,1 E c 1,8 ); j-2), ; 9
18 j-3), j-2), - P c. 3,1 5,1,,. 3,1,,. 1 E t R ( ), R = 20 lg (E c /E t ), P t = P c R ( ). t. 8. D ,., ,,, , j). - D (. 4)., 8,.,, , -, : a) 16 (. 4), (, 80 ); b),,, E c ( ). ; c) 1 % ; d) b) c),. b) - (, 1 ); e)., a) d),, - b), ; f) e). : g) 16 ; h) ; i),, ; j) 0 6,,,, (, 5 ); k), 12 6,,, ; l),. P c ; m), (, ). - E 1,8E t : 10
19 m-1) 5,1, P c,, ( 5,1 E c 1,8 ); m-2), ; m-3), m-2), - P c. 3,1 5,1,,. - 3,1,,. 1 E t R ( ), R = 20 lg (E c /E t ), P t = P c R ( ). t. 8. D ,., ,,, , m). - D. 7, -.,,.,.,,.., , ,8. - () ( ) ,05 0, , 0,8,..,,, 0,8, 11
20 .. 0,05 0,15 -. () ( ) ,. -.,. 3, , -.,,,, 1.,, , (,, ),. 7.4,, (. 3.13),. -,.,,,. 8 : ; ; ;. 8.1,, ,, -.,, -.,,,,,,. 12
21 ,.. : ; ; (, ); ; ; ;, ; ; ; ;, ; ;.,, -, 6. -,..,., - (. 6.2).,., (. 6.2 ) , -. 1 %.,, 0,5. -, (, ).. (.. ), , -. 2 ( ), -. ( ).,,.. 13
22 9,. - : a),, ; b), ; c), ; d), -,.,,.,,, -,,. 10,., :, 8;,,, ;,,, - ;, ;, ;,, - ;,, ;,, ; - (,,, );, -,,, ; ;. 14
23 ) : V p-p = 2,8 ; c V rms = 1,0 b) 80 %: V p-p = 5,1 ; V rms = 1,15 ; V max rms = 1,8 1 15
24 . 2 16
25 3 4 17
26 . 5 18
27 6 1, ; 2 ; 3 ; 4 a ; 5 a ; 6 ; 7 ; 8 a,
28 ( ),.1 800,. - : 1 80 %; %;,, GSM, DECT (. G GSM DECT);,, GSM: 8 200,, ( 2 ), ( 8 ) (. G GSM DECT) 1 -, -, -, TDMA. 3 - IEC ,. 6 - (,, ) 1 TDMA , 20
29 .1-1 TDMA «-», - ( - ) 1 TDMA. 2 «-», - ( - ).2 1 TDMA , - -, , (GSM, DECT..). 3 -, - -,. 4. : a) 1 80 %; b), GSM, ; c), DECT, ( ); d), DECT, ( )., DECT
30 .2 a c - e b - -,, - GSM, DECT %, 200, 100, d d f 0 d a.. b, (. 3 ) ( ). c 900., DECT, 2 24.,, 0,5. d,.. 0. e, 900.,. f, 900.,..3 b c %, -, GSM, 8 200, -, DECT, 24, 100, 0 d ~ d 0 RS232 e > +16 > +16 c RS232 f ( - ) 0 d
31 .3 - g %, b -, GSM, 8 200, -, DECT, 24, 100, ( RS232) > +9 > +9 > +9 -, 2 % 0 d SDH- h 0 d 0 a (. 3 ) ( ),., -,. b,. c, 900..,. d,.. 0. e, RS f, - RS g, 900. h SDH /, 2 : ; ( 2, 75- ); ( 2, 120- );, RS485; ; ; 2/34 ; Ethernet- (10 / )...3,,,,. 23
32 , GSM DCS 1800, -, 120 ( 8 ). 2 ( DTX)..4., -. -., - TDMA,. :,, ;, - ; ;,..,,,. 24
33 B ( ) B.1,,.,.,,. B.2,. -.,. B
34 ( ).1,. -., -..,., ,.,. ( 30 ),,,, 1.,..2, 1, 1,, 1. 1, , H. C.2.1, 1.,, ( 7, 3 3 ),. 1,. 1,5 1,5 - (..1). 0,2.,,,. 26
35 ),. ; ) ( 1 ). 0,5 0,5 (. H), ; ),,, -, (..2)..2 27
36 D ( ) 6.2 D.1,, -.,. D.2,. ) : 1),, -.,, 15., - 5,. 10,. 10 /, - 9,5 /.,, - ; 2),,, ; b),., 900 -, , - ( ) ; ).,, -. : 1),,, 6.2; 2) ( 1000 )., -,. D.3 D.3.1,.,, -, 6,, D.2 ( b). 28
37 10 %., - 10 /,, 9 / 4,5 /. -., -, 1/3 -. D.3.2 :,,, ( ) ;,., -,,,,, (,, ) % % 64 % - 20 %. D.4, D.1 16,, D ,5. D.4.1, = 6 / ( ) -, D.1,, -, 7.,, D.2. 29
38 D.1, D.2,,, ( ), ( ) : 40 6 = 34; 2 ; 3: 37 6 = 31; 6 ; 4: 33 6 = 27; 12. 2, 3, / 6, ( ).,. 33 ( )., 12 E c 6 / ( 4) 12 / ( 1 8). D.4.2, , E c - 6 /., - D.3, - 7.,, D.4. 30
39 D.3 D.4, -,, ( ) -, / -, - 1, ( ) -, / -, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,7 5 13: = 7; - 2 ; 3: = 4; 6 ; 4: = 0; , 3, / 6, ( ).,., = 6 /, 27 ( ) + 20 lg (6 / / 3 / ) = 33 ( )., 12 E c 6 / ( 4) 12 / ( 1 8). 31
40 E ( ) E.1 -., -, : k P E, (.1) d ( ), / ; k, 7 ;, ; d,.,,., (E.1),. k = 3. E.2,, -. -.,.,,,., ( ).,, -., 5.. 1, , ,. - 1 ( 1 ),, -.., -. 32
41 E.3, -,...,,, -,.,,.,., -. -, -., - E.1. -,. (E.1) k = 7,, 80 %. E.1, , / , / 1,8 5, , 2 GSM 5,5 1,8 0,6 ~ 0,2 d 8 GSM 11 3,7 1,1 0,4 1/4 DECT 1,9 0,6 ~ 0,2 d ~ 0,1 d 1 b a 9. b,. c,. d (.1). 2 c, E.1, : GSM 2.,, , ;,.,. -,, -, ;,. (E.1) ; 33
42 (E.1) k = 7. -,, ±6 ; (E.1). E.4,,,., -,,,.,,,. 34
43 F ( ) IEC ,,,.,, - IEC , IEC , 230.,, 26., -,. : ; ;,. 35
44 G ( ) G.1 G.1, G.2 G.3,. : CDMA (Code Division Multiple Access) ( ),,,. - ; CT-2 (Cordless Telephone, second generation) ( ), ; DCS 1800 (Digital Cellular System) ( ),, ; DECT (Digital Enhanced Cordless Telecommunication) ( - ),, ; DTX (Discontinuous Transmission) ( ) -, ; ERP (Effective Radiated Power) ( ) ; FDD (Frequency Division Duplex) ( ), ; FDMA (Frequency Division Multiple Access) ( - ), ; GSM (Global System for Mobile Communication) ( ), ; HIPERLAN (High performance radio local area network) - ; IMT-2000 (International Mobile Telecommunication 2000), - ; NADC (North American Digital Cellular) ( ), ; -,, D-AMPS; PDC (Personal Digital Cellular System) ( ) -, ; PHS (Personal Handy Phone System) ( ) -, ; RFID (Radio Frequency Identification) ( ) -,,,,, ; RTTT (Road Traffic & Transport Telematics), ; TDMA (Time Division Multiple Access) ( ). 4; TDD (Time Division Duplex) ( ). 36
45 G.1 - CDMA/ TDMA FDD ( - ) GSM DCS 1800 DECT CT-2 PDC PHS NADC ,71 1,784 1,88 1,96 TDMA TDMA TDMA/ TDD FDMA/ TDD ,429 1,453 TDMA 1,895 1,918 TDMA/ TDD TDMA IMT-2000 TDD CDMA/ TDMA TDD :8 1:8 1:24 ( 1:48 1:12) 0,8 ; 2 ; 5 ; 8 ; 20 2 (DTX) 0,16 8,3 ( - - ) 0,25 ; 1 ; 4 0,25 < 10 2 (DTX) 0,16 8,3 ( - - ) - - CT-3 DECT. 0,8 ; 2 - IMT-2000 FDD :12 1:3 1:8 1: < 6 0,25 0,
46 G.2 - ) GSM DCS ,805 1,88 DECT CT-2 PDC PHS NADC 1,88 1,96 TDMA TDMA TDMA/ TDD FDMA/ TDD ,477 1,501 TDMA 1,895 1,918 TDMA/ TDD TDMA IMT-2000 TDD CDMA/ TDMA TDD :8 8:8 2, (DTX) 0,16 8,3 ( - - ) 1:8 8:8 2, :2 1:2 1:3 3:3 0,25 < 10 1 ; 96 2 (DTX) 0,16 8,3 ( - - ) CT-3 DECT. 1:8 1:3 3: ( - - IMT-2000 FDD CDMA/ TDMA FDD
47 G ( - ) - RFID FHSS ( - 0,5 ) a) 500 b) 4 a) 100 %; b) 15 % RTTT HIPERLAN , ,5 ; FHSS ( ( ) ) ; 25 39
48 H.1 H () 1 ( ) 1 (, ) , 1 1,5 1,5. 1 0,5 0,5, (. H.1a H.1b). (. H.2). 1. 2, -. H.2 : ) ; b), / 1 % ( ), ( - ); c) ; 0 6 ; d) ( 0 6 ); e) - (, 80 9 /,, 3 /, 8,9 ); ; f) ) ).,,...,., ),., (. H.1 H.2). 40
49 . 1 0,5 0,5. 2, -. ( ) H.1a 0,5 0,5. 1 0,5 0,5. 2, -. ( ) H.1b 0,5 0,5 41
50 H.2 42
51 I.1 I ( ) , /. -,,.,. -.,. - -, -.., -,,. 80 -,. -,. I.2 I.2.1, -,. I.2.2, 80 6, -,. I.2.3,, ( 50 ): 80, 100, 150, 200,, 950, ( 200 ): 1000, 1200, 1400,, 5800, , 1. 43
52 I.2.4,,, -., 1,8 -,. (. I.1)., (. I.3.2) I.1, / Y X, Y, I.3, I ,.,. 1 -., - /. - 3 (,. I.2). 2,..., -. ( ) (. D). I , I.4.2.5, ±0,5 - (. I.1). - 44
53 ,..,,..,, 6 6,,, 1., 20 /, I.2. I.2,, / 6,0 13,2 5,0 14,4 4,0 14,8 3,0 15,2 2,0 16,3 1,0 18,0 0 20,0 1,0 22,2 2,0 24,7 3,0 27,4 4,0 30,5 5,0 34,0 6,0 38,0 I.1-45
54 I.3.3 ( 0,1, [1] 1) ). 8D 2 / ( D ).,.., [2]. -.,, - ( ). ( [2]), TE 10, -. -., -,. ±0,5,.., 5 % [3]..,,, [4],., - 0,5D 2 /.., -. I.4 I.4.1, I , , 80,.,. - -.,,. 2 (. I.5.4). 1) I.6. 46
55 I.4.2, -..., /., -. -, -. (, ).. I.4.2.1,, -, ( )., -, I.2. I.2 C fwd, C rev C trans, : 1, P 2, P 3, P 4. 47
56 ,, M 1 PM 2,.,,., 1,5, -, 0,2....,., 1,5, 20, 0,22 0,18 = 0,04 U-, 0,22, 1,5.,, I.4.2.2, I.3.3., /, 0Pnet g 1 E, 4 d 0 = 377 ; net,, I.4.2.1, ; g, I.3.3; d,. I.4.2.3,, I.2.3..,,. -,. I.4.2.4,,, -, -., I , (, ) I.3 I.4.,.., -. I.3. L,.. 48
57 I.3 I.4 L I.3 I.4, L 10 c L + 20 c,. L 0 c. L = 2 : L 10 c, L 8 c, L 6 c,, L 0, L + 2 c, L + 4 c,, L + 20 c. ( 2D 2 /, D ),., (, 20 / ) - 1,.. -., I I I a) ,. 49
58 b). :,,, : 1 1. k , V mv (, 21 / ) V cv (, 20 / ) 1. k V cv V mv = = 1 / ; k, ; -. k = 1 /. k = 1. I.5 c). ±0,5,. 0,5, (, )..,. -.,,,. I ,,. : a), - 1,2 0,005. -,..,, ( ) ; b), ; 50
59 c). ( ), a) b). ; d),. b) c); e) ) d). ±0,5. I.4.2.7,, I.4.2.4,.,. -., -. I.6 I.7 I.6 I.7,,, 1. 51
60 .,, (. I.4.2.6). L = 5 : L 30 c, L 25 c, L 20 c,, L 0, L + 5 c, L + 10 c,, L + 30 c. (, 20 / ) ( 13 ). ±0,5. I.8 I ±0,5.,.. I.3.2.,. I.4. I.4.3.1, I.4.2.6, -. I ,. -. -,,,, - 52
61 ,.,. I.9 I.10. I.9 I.10 ( ) I.4.3.2, I.4.3.1,. : a) ; b) ; c) ; d) ; e) ; f) ; g) : ;, / ;, / ; ; h). [2] -. 53
62 I.5,.,,. -,,. I , IEC ( 5.1) E, / ; Z 0 - (, 50 ); P net, I.4.2.1, ; h,. -, 1,3. P net. -. I.5.2 I.11, - 10.,,., (a b) > b ( f ), c 10 2 a μ. μ = μ 0 = 400 / = 0 = 8,854 /.,, 54
63 E ab 2 P net 1 (( f ) E, / ; f, ; 0 = 377 ; net,,,, I , - ( - )., ( ), -.,, [5]. I.5.3 [6]. -,,, [4]., I c 10 / f ) I.5.4,, ( ),. - ( ),, I.5.1 I , -.,... -,.,. : ; ; ; ( );,, ;. [7] [8]. I.6 [1] STUBENRAUCH, C., NEWELL, C. A. C., REPJAR, A. C. A., MacREYNOLDS, K., TAMURA D. T., LAR- SON, F. H. LEMANCZYK, J., BEHE, R., PORTIER, G., ZEHREN, J. C., HOLLMANN, H., HUNTER, J.D., GENTLE, D. G., and De VREEDE, J. P. M. International Intercomparison of Horn Gain at X-band. IEEE Trans. On Antennas and Propagation, October 1996, Vol. 44, No. 10 ( - ) 2, 55
64 [2] IEEE 1309, Calibration of Electromagnetic Field Sensors and Probes, Excluding Antennas, from 9 khz to 40 GHz (,, 9 40 ) [3] KANDA, M. and KAWALKO, S. Near-zone gain of 500 MHz to 2.6 GHz rectangular standard pyramidal horns. IEEE Trans. On EMC, 1999, Vol. 41, No. 2 ( 500 2,6 ) [4] NEWELL, Allen., BAIRD, Ramon C. and Wacker, Paul F. Accurate measurement of antenna gain and polarization at reduced distances by extrapolation technique. IEEE Trans. On Antennas and Propagation, July 1973, Vol. AP-21, No. 4 ( - ) [5] BALANIS, C. A. Advanced Engineering Electromagnetic. John Wiley & Sons, Inc., 1989, pp ( ) [6] WU, Doris I. and KANDA, Motohisa. Comparison of theoretical and experimental data for the near field of an open-ended rectangular waveguide. IEEE Trans. On Electromagnetic Compatibility, November 1989, Vol. 31, No. 4 ( ) [7] GLIMM, J., M NTER, K., PAPE, R., SCHRADER, T. and SPITZER, M. The New National Standard of EM Field Strength; Realisation and Dissemination. 12th Int. Symposium on EMC, Zurich, Switzerland, February 18-20, 1997, ISBN , pp (. - ) [8] GARN, H., BUCHMAYR, M., and MULLNER, W. Precise calibration of electric field sensors for radiatedsusceptibility testing. Frequenz 53 (1999) 9-10, page ( - ) 56
65 . ( )..1 IEC : , IDT IEC , - 57
66 /8.. Arial , ,59. : - ( ) 02330/ , 3, ,. 58
ITU-R F (2011/04)
ITU-R F.757- (0/0) F ITU-R F.757- ii (IPR) (ITU-T/ITU-R/ISO/IEC) ITU-R http://www.itu.int/itu-r/go/patents/en http://www.itu.int/publ/r-rec/en BO BR BS BT F M P RA RS S SA SF SM SNG TF V ITU-R 0 ITU 0
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ - ΡΑ ΙΟΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ
ιατµηµατικό ΜΠΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ - ΡΑ ΙΟΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΚΙΝΗΤΩΝ και ΠΡΟΣΩΠΙΚΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ Απρ-07 Γ.Ι.ΣΤΕΦΑΝΟΥ 1 ΠΡΟΤΕΙΝΟΜΕΝΑ ΒΙΒΛΙΑ ΚΙΝΗΤΕΣ ΚΑΙ ΑΣΥΡΜΑΤΕΣ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ 1. Wireless Communications -
IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers)
Περιεχόμενα Εισαγωγή...2 IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers)...3 ETSI (European Telecommunications Standards Institute)...4 ITU (International Telecommunication Union)...5 FCC (Federal
ΣΧΟΛΗ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ ΚΑΙ ΟΙΚΟΝΟΜΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΤΗΛΕΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ
ΣΧΟΛΗ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ ΚΑΙ ΟΙΚΟΝΟΜΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΤΗΛΕΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ cdma2000: Initial Settings Forward Fundamental Radio Conf iguration 3 9.6 Kbps NonTD Multipath Fading Channel Select the parameters for
ΕΠΛ 476: ΚΙΝΗΤΑ ΔΙΚΤΥΑ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ
ΕΠΛ 476: ΚΙΝΗΤΑ ΔΙΚΤΥΑ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ Δρ. Χριστόφορος Χριστοφόρου Πανεπιστήμιο Κύπρου - Τμήμα Πληροφορικής Περιγραφή Μαθήματος, Συμβόλαιο Γενικά 1 Στόχοι Μαθήματος: Nα γίνει μια εισαγωγή σε ασύρματα και κινητά
ΕΠΛ 476: ΚΙΝΗΤΑ ΔΙΚΤΥΑ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ
ΕΠΛ 476: ΚΙΝΗΤΑ ΔΙΚΤΥΑ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ Δρ. Χριστόφορος Χριστοφόρου Πανεπιστήμιο Κύπρου - Τμήμα Πληροφορικής Περιγραφή Μαθήματος, Συμβόλαιο Γενικά 1 Στόχοι Μαθήματος: Nα γίνει μια εισαγωγή σε ασύρματα και κινητά
Ασύρµατη ευρυζωνικότητα µέσω τεχνολογίας Wimax
Ασύρµατη ευρυζωνικότητα µέσω τεχνολογίας Wimax Γεώργιος Αγαπίου, PhD. Μέλος Ειδικής Επιστηµονικής Επιτροπής Θεµάτων Τηλεπικοινωνιακών Συστηµάτων ΤΕΕ Εισαγωγή Πολλοί ήταν αυτοί που περίµεναν την έλευση
SCOPE OF ACCREDITATION TO ISO 17025:2005
SCOPE OF ACCREDITATION TO ISO 17025:2005 TFF CORPORATION TEKTRONIX COMPANY 1-14-1 Midorigaoka, Naka-gun, Ninomiya-machi, Kanagawa Pref. 259-0132 JAPAN Hideki Yuyama Phone: 81 463 70 5634 CALIBRATION Valid
WiFi & Satcom FORUM 2009
ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΚΙΝΗΤΩΝ ΡΑΔΙΟΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΕΝΤΑΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΜΑΓΝΗΤΙΚΗΣ ΑΚΤΙΝΟΒΟΛΙΑΣ ΑΠΟ ΕΚΠΟΜΠΕΣ ΑΣΥΡΜΑΤΩΝ ΔΙΚΤΥΩΝ ΠΡΟΣΒΑΣΗΣ Φίλιππος
ITU-R SM (2012/09)
(2012/09) SM ii.. (IPR) (ITU-T/ITU-R/ISO/IEC).ITU-R 1 1 http://www.itu.int/itu-r/go/patents/en. (http://www.itu.int/publ/r-rec/en ) ( ) () BO BR BS BT F M P RA RS S SA SF SM SNG TF V 2013 :.ITU-R 1 ITU
Standard Calibrations, Inc. Address 681 Anita Street, Suite 103 Chula Vista, CA Contact Name
IAS Accreditation Number CL-121 Accredited Entity Address 681 Anita Street, Suite 103 Chula Vista, CA 91911 Contact Name Louis Ruggeri Metrology Director Telephone (619) 477-1668 Effective Date of Scope
High Frequency Chip Inductor / CF TYPE
High Frequency Chip Inductor / CF TYPE.Features: 1.Closed magnetic circuit avoids crosstalk. 2.S.M.T. type. 3.Excellent solderability and heat resistance. 4.High realiability. 5.The products contain no
ITU-R SM (2011/01)
(2011/01) SM ii.. (IPR) (ITU-T/ITU-R/ISO/IEC).ITU-R 1 1 http://www.itu.int/itu-r/go/patents/en. (http://www.itu.int/publ/r-rec/en ) ( ) ( ) BO BR BS BT F M P RA RS S SA SF SM SNG TF V 2011 :.ITU-R 1 ITU
ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΣΗ ΦΥΣΙΚΟΥ ΚΑΝΑΛΙΟΥ ΚΑΤΕΡΧΟΜΕΝΗΣ ΖΕΥΞΗΣ (PDSCH) ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ LTE
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ Δ.Π.Μ.Σ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΑΙ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑ ΤΗΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΑΣ Μεταπτυχιακή Διπλωματική Εργασία ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΣΗ ΦΥΣΙΚΟΥ ΚΑΝΑΛΙΟΥ ΚΑΤΕΡΧΟΜΕΝΗΣ ΖΕΥΞΗΣ (PDSCH) ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ LTE Φοιτήτρια: Μπουργάνη Ευαγγελία
Βασικές έννοιες και ιστορική αναδρομή
Βασικές έννοιες και ιστορική αναδρομή MYE006: ΑΣΥΡΜΑΤΑ ΔΙΚΤΥΑ Ευάγγελος Παπαπέτρου ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΙΩΑΝΝΙΝΩΝ ΤΜΗΜΑ MHX. H/Y & ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Διάρθρωση μαθήματος Εισαγωγή Ορισμός ασύρματου δικτύου Παραδείγματα
Βασικές έννοιες και ιστορική αναδρομή
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΙΩΑΝΝΙΝΩΝ ΤΜΗΜΑ MHX. H/Y & ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Βασικές έννοιες και ιστορική αναδρομή MYE006: ΑΣΥΡΜΑΤΑ ΔΙΚΤΥΑ Ευάγγελος Παπαπέτρου Διάρθρωση μαθήματος Εισαγωγή Ορισμός ασύρματου δικτύου Παραδείγματα
Ασύρµατες Επικοινωνίες: Παρελθόν, Παρόν, Μέλλον
ΗΜΥ 100 Εισαγωγή στην Τεχνολογία ιάλεξη 15 3 Νοεµβρίου, 2006 Γεώργιος Έλληνας Επίκουρος Καθηγητής ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΤΑ ΘΕΜΑΤΑ
ΤΕΙ ΗΠΕΙΡΟΥ ΤΜΗΜΑ ΤΗΛΕΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ
ΤΕΙ ΗΠΕΙΡΟΥ ΤΜΗΜΑ ΤΗΛΕΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ:ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΠΟΙΗΣΗ ΑΣΥΡΜΑΤΟΥ ΤΟΠΙΚΟΥ ΔΙΚΤΥΟΥ ΕΙΣΗΓΗΤΕΣ:ΧΡΗΣΤΟΥ ΛΑΜΠΡΟΣ-ΛΕΟΝΤΙΟΥ ΔΗΜΟΣΘΕΝΗΣ ΕΠΙΒΛΕΠΩΝ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ:ΤΣΙΑΝΤΗΣ ΛΕΩΝΙΔΑΣ
2016 IEEE/ACM International Conference on Mobile Software Engineering and Systems
2016 IEEE/ACM International Conference on Mobile Software Engineering and Systems Multiple User Interfaces MobileSoft'16, Multi-User Experience (MUX) S1: Insourcing S2: Outsourcing S3: Responsive design
Προσωπικών Επικοινωνιών. ασύρματων πόρων - Πολλαπλή πρόσβαση
Δίκτυα Κινητών και Προσωπικών Επικοινωνιών Κατανομή και εκχώρηση ασύρματων πόρων - Πολλαπλή πρόσβαση Περίληψη Σχήματα κατανομής διαύλων Σταθερή κατανομή Δυναμική κατανομή Υβριδική κατανομή Δανεισμός διαύλων
5749 Κ.Δ.Π. 595/2004. Αριθμός 595 Ο ΠΕΡΙ ΡΥΘΜΙΣΕΩΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΚΑΙ ΤΑΧΥΔΡΟΜΙΚΏΝ ΝΟΜΟΣ, Ν. 112 /2004.
Ε.Ε. Παρ. III(I) Αρ. 3867, 4.6.2004 5749 Κ.Δ.Π. 595/2004 Αριθμός 595 Ο ΠΕΡΙ ΡΥΘΜΙΣΕΩΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΚΑΙ ΤΑΧΥΔΡΟΜΙΚΏΝ ΝΟΜΟΣ, Ν. 112 /2004 Απόφαση Επιτρόπου 1. Ο Επίτροπος, σύμφωνα με το άρθρο
Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής
Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Εργαστήριο Επεξεργασίας Σημάτων και Τηλεπικοινωνιών Κινητά Δίκτυα Επικοινωνιών Μέρος Α : Τηλεπικοινωνιακά Θέματα: Εισαγωγή Ασύρματες Επικοινωνίες: Ιστορική αναδρομή
SMD Power Inductor-VLH
SMD Power Inductor-VH Dimensions Unit: mm Type A B C E F H I J 252010 2.5±0.2 2.0±0.2 1.0max. 0.4±0.2 1.0min. 2.1 0.90 0.8 252012 2.5±0.2 2.0±0.2 1.2max. 0.4±0.2 1.0min. 2.1 0.90 0.8 321618C 3.2±0.3 1.6±0.2
Βασικές έννοιες και ιστορική αναδρομή
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΙΩΑΝΝΙΝΩΝ ΤΜΗΜΑ MHX. H/Y & ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Βασικές έννοιες και ιστορική αναδρομή ΑΣΥΡΜΑΤΑ ΔΙΚΤΥΑ Ευάγγελος Παπαπέτρου Διάρθρωση μαθήματος Εισαγωγή Ορισμός ασύρματου δικτύου Παραδείγματα ασύρματων
1.BLUETOOTH 2.HOMERF 3.HIPERLAN 2 4.IEEE
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΑΘΗΝΩΝ ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ «ΠΡΟΗΓΜΕΝΕΣ ΔΙΚΤΥΑΚΕΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ» AD HOC ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ Ιούνιος 2002 Bάιος Νάσος Γραβάνης Γιάννης AD-HOC ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ 1.BLUETOOTH 2.HOMERF 3.HIPERLAN 2 4.IEEE 802.11
The User Defined Functions of the Sonnet Lite free Electromagnetic Simulator. N.Ishitobi. Sonnet Giken Co. Ltd. Sonnet Lite S Sonnet Lite.
: Sonnet Lite The User Defined Functions of the Sonnet Lite free Electromagnetic Simulator N.Ishitobi Sonnet Giken Co. Ltd. Sonnet Lite S Sonnet Lite CRLH, KID : keywords : factor,, electromagnetic simulator,
SMD Power Inductor-VLH
SMD Power Inductor-VH PAD AYOUT Dimensions Unit: mm Type A B C E F H I J 252010 2.5±0.2 2.0±0.2 1.0max. 0.4±0.2 1.0min. 2.1 0.90 0.8 252012 2.5±0.2 2.0±0.2 1.2max. 0.4±0.2 1.0min. 2.1 0.90 0.8 252510 2.5±0.2
Δίκτυα Κινητών και Προσωπικών Επικοινωνιών. Κατανομή και εκχώρηση ασύρματων πόρων - Πολλαπλή πρόσβαση
Δίκτυα Κινητών και Προσωπικών Επικοινωνιών Κατανομή και εκχώρηση ασύρματων πόρων - Πολλαπλή πρόσβαση Περίληψη Σχήματα κατανομής διαύλων Σταθερή κατανομή Δυναμική κατανομή Υβριδική κατανομή Δανεισμός διαύλων
Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής
Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Εργαστήριο Επεξεργασίας Σημάτων και Τηλεπικοινωνιών Κινητά Δίκτυα Επικοινωνιών Μέρος Α : Τηλεπικοινωνιακά Θέματα: Εισαγωγή Ασύρματες Επικοινωνίες: Ιστορική αναδρομή
Buried Markov Model Pairwise
Buried Markov Model 1 2 2 HMM Buried Markov Model J. Bilmes Buried Markov Model Pairwise 0.6 0.6 1.3 Structuring Model for Speech Recognition using Buried Markov Model Takayuki Yamamoto, 1 Tetsuya Takiguchi
ΤΕΙ ΚΕΝΤΡΙΚΗΣ ΜΑΚΕΔΟΝΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ TE ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΚΑΙ ΔΙΚΤΥΩΝ
ΤΕΙ ΚΕΝΤΡΙΚΗΣ ΜΑΚΕΔΟΝΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ TE ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΚΑΙ ΔΙΚΤΥΩΝ «Μελέτη και εργαστηριακές μετρήσεις ενός πομποδέκτη LTE μονού φέροντος» Επιμέλεια:
ΕΚΘΕΣΗ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΩΝ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ
ΣΥΝΔΕΣΜΟΣ ΓΙΑ ΤΗ ΒΙΩΣΙΜΗ ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΤΩΝ ΠΟΛΕΩΝ (ΣΒΑΠ) Ταϋγέτου 11, 15452 Ψυχικό Τηλ.: 2106719138, 2106711228 Fax: 2106719043 e-mail : 21ota@forthnet.gr ΕΚΘΕΣΗ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΩΝ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ Τίτλος Εγγράφου: ΕΚΘΕΣΗ
Το δίκτυο GSM. ρ Απόστολος Γεωργιάδης Εργαστήριο Κινητών Επικοινωνιών Τµήµα Πληροφορικής & Επικοινωνιών ΑΤΕΙ Σερρών
Το δίκτυο GSM ρ Απόστολος Γεωργιάδης Εργαστήριο Κινητών Επικοινωνιών Τµήµα Πληροφορικής & Επικοινωνιών ΑΤΕΙ Σερρών Ιστορικό Η 1 η γενιά κινητής τηλεφωνίας ήταν αναλογική και η επιτυχία της έδειξε ότι υπήρχε
Τράπεζα πληροφοριών Τ.Ε.Ι Καβάλας με ασύρματο δίκτυο
Τ.Ε.Ι Καβάλας Τμήμα Ηλεκτρολογίας Πτυγιακη εργασία Τράπεζα πληροφοριών Τ.Ε.Ι Καβάλας με ασύρματο δίκτυο Ενότητα 1: Γενικά σ ανοοά εζοπλισηού. εζαοτήυατα Ενότητα 2: Κατασκευή tuq τοάπεζαζ πληροφοριών. Χρήση,
Design and Fabrication of Water Heater with Electromagnetic Induction Heating
U Kamphaengsean Acad. J. Vol. 7, No. 2, 2009, Pages 48-60 ก 7 2 2552 ก ก กก ก Design and Fabrication of Water Heater with Electromagnetic Induction Heating 1* Geerapong Srivichai 1* ABSTRACT The purpose
DETERMINATION OF THERMAL PERFORMANCE OF GLAZED LIQUID HEATING SOLAR COLLECTORS
ΕΘΝΙΚΟ ΚΕΝΤΡΟ ΕΡΕΥΝΑΣ ΦΥΣΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΗΜΟΚΡΙΤΟΣ / DEMOKRITOS NATIONAL CENTER FOR SCIENTIFIC RESEARCH ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΟΚΙΜΩΝ ΗΛΙΑΚΩΝ & ΑΛΛΩΝ ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ LABORATORY OF TESTIN SOLAR & OTHER ENERY
Προσωπικών Επικοινωνιών. Κατανομή και εκχώρηση ασύρματων πόρων - Πολλαπλή πρόσβαση
ίκτυα Κινητών και Προσωπικών Επικοινωνιών Κατανομή και εκχώρηση ασύρματων πόρων - Πολλαπλή πρόσβαση Περίληψη Σχήματα κατανομής διαύλων Σταθερή κατανομή υναμική κατανομή Υβριδική κατανομή ανεισμός διαύλων
ΙΚΤΥΑ ΚΙΝΗΤΩΝ ΚΑΙ. Εισαγωγή
ΙΚΤΥΑ ΚΙΝΗΤΩΝ ΚΑΙ ΠΡΟΣΩΠΙΚΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ Εισαγωγή Σκοπός του μαθήματος Να μελετήσουμε την αρχιτεκτονική και τη λειτουργία των δικτύων κινητών και προσωπικών επικοινωνιών Το αντικείμενο είναι τεράστιο
Oρισµοί µονάδων decibel
Oρισµοί µονάδων decibel Οι µονάδες decibel εκφράζουν σχετικά µεγέθη. Αν V i και V o είναι το πλάτος εισόδου και εξόδου ενός ενισχυτή, για παράδειγµα, τότε το κέρδος τάσης σε db είναι: G = 20 log 10 (V
Fundamentals of Multiplexing and Multiple Access Technologies
464-8603 Tel: +81-52-789-2743 Fax:+81-52-789-3173 E-mail: yamazato@nuee.nagoya-u.ac.jp CDMA SNIR OFDM, MIMO Fundamentals of Multiplexing and Multiple Access Technologies Takaya YAMAZATO EcoTopia Science
Εργαστήριο Ασύρματων Επικοινωνιών
Εργαστήριο Ασύρματων Επικοινωνιών Επικοινωνίες με επίκεντρο το ανθρώπινο σώμα Συστήματα ΜΙΜΟ Wearable antennas Μετρήσεις χαρακτηρισμού κεραιών On-body channel modeling H Εφαρμογή μαγνητικών υλικών σε κεραίες
RF series Ultra High Q & Low ESR capacitor series
RF series Ultra High Q & Low ESR capacitor series FAITHFUL LINK Features Application» High Q and low ESR performance at high frequency» Telecommunication products & equipments:» Ultra low capacitance to
38 Te(OH) 6 2NH 4 H 2 PO 4 (NH 4 ) 2 HPO 4
Fig. A-1-1. Te(OH) NH H PO (NH ) HPO (TAAP). Projection of the crystal structure along the b direction [Ave]. 9 1. 7.5 ( a a )/ a [1 ] ( b b )/ b [1 ] 5..5 1.5 1 1.5 ( c c )/ c [1 ].5 1. 1.5. Angle β 1.
NTC thermistors for temperature measurement
NTC thermistors for temperature measurement SMD NTC thermistors with nickel barrier termination, case size 0603 Series/Type: Date: June 2008 EPCOS AG 2008. Reproduction, publication and dissemination of
SMD Transient Voltage Suppressors
SMD Transient Suppressors Feature Full range from 0 to 22 series. form 4 to 60V RMS ; 5.5 to 85Vdc High surge current ability Bidirectional clamping, high energy Fast response time
B37631 K K 0 60
Multilayer Ceramic acitors High; X5R and X7R Chip Ordering code system B37631 K 7 5 K 6 Packaging 6 ^ cardboard tape, 18-mm reel 62 ^ blister tape, 18-mm reel Internal coding acitance tolerance K ^ ± %
WIRE WOUND CHIP INDUCTORS
FEATURES High Self-Resonance Frequency Stable inductance at high frequency Tight inductance tolerance High Q factory High current Low DCR APPLICATIONS Antenna amplifiers Mobile phone Key entry GPS (Global
YAGEO CORPORATION SMD INDUCTOR / BEADS. CLH Series. Lead-free / For High Frequency Applications. CLH1005-H series CLH1608-H series ~1.4 0.
YAGEO CORPORATION SMD INDUCTOR / BEADS CLH Series Multilayer Chip Inductors High Frequency Lead-free / For High Frequency Applications APPLICATIONS RF Resonance and Impedance Matching Circuit RF and Wireless
SCOPE OF ACCREDITATION TO ISO/IEC 17025:2005 & ANSI/NCSL Z540-1-1994 CALIBRATION
SCOPE OF ACCREDITATION TO ISO/IEC 17025:2005 & ANSI/NCSL Z540-1-1994 FLUKE CORPORATION Everett Service Center 1420 75 th Street SW Everett, WA 98203 Randy Lemon Phone: 425 446 5243 CALIBRATION Valid To:
ΠΡΟΣΩΠΙΚΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ. Εισαγωγή
ΔΙΚΤΥΑ ΚΙΝΗΤΩΝ ΚΑΙ ΠΡΟΣΩΠΙΚΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ Εισαγωγή Σκοπός του μαθήματος Να μελετήσουμε την αρχιτεκτονική και τη λειτουργία των δικτύων κινητών και προσωπικών επικοινωνιών Το αντικείμενο είναι τεράστιο
Κινητές επικοινωνίες. Κεφάλαιο 1 Κυψελωτά Συστήματα
Κινητές επικοινωνίες Κεφάλαιο 1 Κυψελωτά Συστήματα Ιστορικά στοιχεία 1940 1946 1975 1985 1 ο ασύρματο τηλέφωνο από την Bell System 1 η υπηρεσία παροχής κινητής τηλεφωνίας (Missouri, USA) 1 o κυψελωτό σύστημα
ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ. Τμῆμα τῆς εἰσήγησης: Οἱ τεχνολογίες γιά τόν Ορθόδοξο Χριστιανό ἀναπόσπαστο τμῆμα τῆς Σοφίας τοῦ Θεοῦ Ιούνιος 2006
ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ Τμῆμα τῆς εἰσήγησης: Οἱ τεχνολογίες γιά τόν Ορθόδοξο Χριστιανό ἀναπόσπαστο τμῆμα τῆς Σοφίας τοῦ Θεοῦ Ιούνιος 2006 Technology Review an MIT Enterprise (December 2005, January 2006) Technology
Η Τηλεπικοινωνιακή Επανάσταση τουwimax & Ευρυζωνικές Triple Play Υπηρεσίες. Σκρίμπας Δημήτριος, M.Sc skribas@marac.gr
Η Τηλεπικοινωνιακή Επανάσταση τουwimax & Ευρυζωνικές Triple Play Υπηρεσίες Σκρίμπας Δημήτριος, M.Sc skribas@marac.gr Γενική Περιγραφή WiMAX Τι είναι τοwimax Νέα Τεχνολογία Ασύρματων Δικτύων Πρόσβασης Βασισμένο
Ερευνητική+Ομάδα+Τεχνολογιών+ Διαδικτύου+
Ερευνητική+Ομάδα+Τεχνολογιών+ Διαδικτύου+ Ερευνητικές,Δραστηριότητες,και, Ενδιαφέροντα,, Τμήμα,Μηχανικών,Η/Υ,&,Πληροφορικής, Τομέας,Λογικού,των,Υπολογιστών, Εργαστήριο,Γραφικών,,Πολυμέσων,και,Γεωγραφικών,
ΙΚΤΥΑ ΚΙΝΗΤΩΝ ΚΑΙ. Εισαγωγή
ΙΚΤΥΑ ΚΙΝΗΤΩΝ ΚΑΙ ΠΡΟΣΩΠΙΚΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ Εισαγωγή Σκοπός του μαθήματος Μελέτη της αρχιτεκτονικής και της λειτουργίας των δικτύων κινητών και προσωπικών επικοινωνιών Το αντικείμενο είναι τεράστιο και δεν
! : ;, - "9 <5 =*<
ITU-R M.473- (00/0)! (TDMA/FDMA) ""# $ %!& ' " ( ) 34 --./ 0, (MSS) * * )! +, 56 78 89 : ;, - "9
Bulletin 1489 UL489 Circuit Breakers
Bulletin 489 UL489 Circuit Breakers Tech Data 489-A Standard AC Circuit Breaker 489-D DC Circuit Breaker 489-A, AC Circuit Breakers 489-D, DC Circuit Breakers Bulletin 489-A Industrial Circuit Breaker
Data sheet Thick Film Chip Resistor 5% - RS Series 0201/0402/0603/0805/1206
Data sheet Thick Film Chip Resistor 5% - RS Series 0201/0402/0603/0805/1206 Scope -This specification applies to all sizes of rectangular-type fixed chip resistors with Ruthenium-base as material. Features
Data sheet Thin Film Chip Inductor AL Series
Data sheet Thin Film Chip Inductor AL Series Scope - 0201 and 0402 and 0603 series inductor is a photo lithographically etched single layer ceramic chip. This design provides high SRF, excellent Q, and
Κινητά Δίκτυα Επικοινωνιών
Κινητά Δίκτυα Επικοινωνιών Καθ. Κώστας Μπερμπερίδης Πολυτεχνική Σχολή Τμήμα Μηχανικών Η/Υ & Πληροφορικής Σκοποί ενότητας Εξοικείωση με τις βασικές έννοιες των ασύρματων και κινητών επικοινωνιών Ανασκόπηση
Τηλεματική, Διαδίκτυα και Κοινωνία Το Ευρωπαϊκό Πρότυπο GSM
Τηλεματική, Διαδίκτυα και Κοινωνία Το Ευρωπαϊκό Πρότυπο GSM 1 Το Ευρωπαϊκό Πρότυπο GSM Το GSM είναι ένα ψηφιακό κυψελωτό σύστημα κινητών επικοινωνιών και αναπτύχθηκε ώστε να δημιουργηθεί ένα Ευρωπαϊκό
ΠΡΟΣΩΠΙΚΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ. Εισαγωγή
ΔΙΚΤΥΑ ΚΙΝΗΤΩΝ ΚΑΙ ΠΡΟΣΩΠΙΚΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ Εισαγωγή Σκοπός του μαθήματος Μελέτη της αρχιτεκτονικής και της λειτουργίας των δικτύων κινητών και προσωπικών επικοινωνιών Το αντικείμενο είναι τεράστιο και
THICK FILM CHIP RESISTOR" CAL-CHIP ELECTRONICS INC."
THICK FILM CHIP RESISTOR CAL-CHIP ELECTRONICS INC. CAL-CHIP SERIES: RM SERIES 1 2 3 INTRODUCTION SCOPE Applies to all sizes of rectangular-type fixed chip resistors with Ruthenium base as material. FEATURES
Monolithic Crystal Filters (M.C.F.)
Monolithic Crystal Filters (M.C.F.) MCF (MONOLITHIC CRYSTAL FILTER) features high quality quartz resonators such as sharp cutoff characteristics, low loss, good inter-modulation and high stability over
Μαρούσι Ιανουάριος 2019 [1]
![Μαρούσι Ιανουάριος 2019 [1]](/thumbs/95/124423063.jpg "Μαρούσι Ιανουάριος 2019 [1]")
ΚΕΙΜΕΝΟ ΔΗΜΟΣΙΑΣ ΔΙΑΒΟΥΛΕΥΣΗΣ ΑΝΑΦΟΡΙΚΑ ΜΕ ΤΙΣ ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ ΡΑΔΙΟΔΙΕΠΑΦΩΝ ΡΑΔΙΟΕΞΟΠΛΙΣΜΟΥ ΚΙΝΗΤΗΣ ΥΠΗΡΕΣΙΑΣ ΞΗΡΑΣ ΠΟΥ ΠΡΟΟΡΙΖΕΤΑΙ ΓΙΑ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΙΔΙΩΤΙΚΩΝ ΚΙΝΗΤΩΝ ΡΑΔΙΟΔΙΚΤΥΩΝ ΚΑΙ ΚΙΝΗΤΩΝ ΡΑΔΙΟΔΙΚΤΥΩΝ ΔΗΜΟΣΙΑΣ
ΔΙΚΤΥΑ ΚΙΝΗΤΩΝ ΚΑΙ ΠΡΟΣΩΠΙΚΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ. Εισαγωγή
ΔΙΚΤΥΑ ΚΙΝΗΤΩΝ ΚΑΙ ΠΡΟΣΩΠΙΚΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ Εισαγωγή Σκοπός του μαθήματος Μελέτη της αρχιτεκτονικής και της λειτουργίας των δικτύων κινητών και προσωπικών επικοινωνιών. Το αντικείμενο είναι τεράστιο και
ΠΑΡΑΔΟΤΕΟ 3.1 : Έκθεση καταγραφής χρήσεων γης
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ, ΔΙΑ ΒΙΟΥ ΜΑΘΗΣΗΣ ΚΑΙ ΘΡΗΣΚΕΥΜΑΤΩΝ ΕΙΔΙΚΗ ΥΠΗΡΕΣΙΑ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΚΑΙ ΕΦΑΡΜΟΓΗΣ ΤΩΝ ΔΡΑΣΕΩΝ ΘΡΗΣΚΕΥΜΑΤΩΝ ΤΟΥ ΥΠΟΥΡΓΕΙΟΥ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΔΙΑ ΒΙΟΥ ΜΑΘΗΣΗΣ ΚΑΙ ΣΤΟΥΣ ΤΟΜΕΙΣ ΤΗΣ
1.BLUETOOTH 2.HOMERF 3.HIPERLAN 2 4.IEEE
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΑΘΗΝΩΝ ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ «ΠΡΟΗΓΜΕΝΕΣ ΔΙΚΤΥΑΚΕΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ» AD HOC ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ Ιούνιος 2002 Bάιος Νάσος Γραβάνης Γιάννης AD-HOC ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ 1.BLUETOOTH 2.HOMERF 3.HIPERLAN 2 4.IEEE 802.11
Experimental Study of Dielectric Properties on Human Lung Tissue
32 2 2013 4 Chinese Journal of Biomedical Engineering Vol. 32 No. 2 April 2013 1 1* 2 1 300072 2 300052 Agilent 4294A 100 Hz ~ 100 MHz Cole-Cole 3 ~ 5 1. 6 ~ 3. 3 R α τ f c P < 0. 05 EIT R318 A 0258-8021
Long 3000 hour life at 105 C with high ripple current capability 2 and 3 pin versions available Can vent construction
TS-HA/HB Series 105 C, 3000 hours Long 3000 hour life at 105 C with high ripple current capability 2 and 3 pin versions available Can vent construction RoHS Compliant Rated Working Voltage: Operating Temperature:
Thin Film Chip Inductor
Scope -Viking s 0201 and 0402 series inductor is a photo lithographically etched single layer ceramic chip. Viking s design provides high, excellent Q, and superior temperature stability. This highly stable
Οδηγών πιστοποίησης προϊόντων για Παρέμβαση Συστήματα Ενεργειακής Διαχείρισης Πρόγραμμα Χτίζοντας το Μέλλον
Οδηγών πιστοποίησης προϊόντων για Παρέμβαση Συστήματα Ενεργειακής Διαχείρισης Πρόγραμμα Χτίζοντας το Μέλλον 1. Εισαγωγή Το Έργο Χτίζοντας το Μέλλον Παρεμβάσεις Μεγάλης Κλίμακας αφορά στην αναβάθμιση του
Σχεδίαση Δικτύου MFN Ασύρματης Ψηφιακής. Τηλεόρασης DVB-T για Πανελλαδική Κάλυψη
ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ TΟΜΕΑΣ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΜΕΤΑΔΟΣΗΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΑΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΛΙΚΩΝ Σχεδίαση Δικτύου MFN Ασύρματης Ψηφιακής Τηλεόρασης DVB-T
RoHS 555 Pb Chip Ferrite Inductor (MFI Series) Engineering Spec.
RoHS 555 Pb Chip Ferrite Inductor (MFI Series) Engineering Spec. PRODUCT DETAIL Electrical Characteristics μh L (Min) Q MHz (Min) SRF Ω DCR IDC ma TEST FREQ: MHz TEST LEVEL: 100 mv Test Instruments HP4291
Aluminum Electrolytic Capacitors
Aluminum Electrolytic Capacitors Snap-In, Mini., 105 C, High Ripple APS TS-NH ECE-S (G) Series: TS-NH Features Long life: 105 C 2,000 hours; high ripple current handling ability Wide CV value range (47
High Performance Voltage Controlled Amplifiers Typical and Guaranteed Specifications 50 Ω System
High Performance Voltage Controlled Amplifiers Typical and Guaranteed Specifications 50 Ω System Typical and guaranteed specifications vary versus frequency; see detailed data sheets for specification
Thin Film Chip Resistors
FEATURES PRECISE TOLERANCE AND TEMPERATURE COEFFICIENT EIA STANDARD CASE SIZES (0201 ~ 2512) LOW NOISE, THIN FILM (NiCr) CONSTRUCTION REFLOW SOLDERABLE (Pb FREE TERMINATION FINISH) Type Size EIA PowerRating
Metal thin film chip resistor networks
Metal thin film chip resistor networks AEC-Q200 Compliant Features Relative resistance and relative TCR definable among multiple resistors within package. Relative resistance : ±%, relative TCR: ±1ppm/
ITU-R SM ITU-R SM (2013/07) !" # $ %& ' (
1 ITU-R SM.2158-2 (2013/07)!" # $ %& ' ( SM .. ii (IPR) (ITU-T/ITU-R/ISO/IEC).ITU-R 1 1 http://www.itu.int/itu-r/go/patents/en. (http://www.itu.int/publ/r-rep/en ) ( ) () BO BR BS BT F M P R RS S S SF
Aluminum Electrolytic Capacitors (Large Can Type)
Aluminum Electrolytic Capacitors (Large Can Type) Snap-In, 85 C TS-U ECE-S (U) Series: TS-U Features General purpose Wide CV value range (33 ~ 47,000 µf/16 4V) Various case sizes Top vent construction
AT Surface Mount Package SOT-363 (SC-70) I I Y. Pin Connections B 1 C 1 E 1 E 2 C 2 B , 7:56 PM
AT-3263 Surface Mount Package SOT-363 (SC-7) I I Y Pin Connections B 1 C 1 E 1 E 2 C 2 B 2 Page 1 21.4., 7:6 PM Absolute Maximum Ratings [1] Absolute Thermal Resistance [2] : Symbol Parameter Units Maximum
TECNICAL BOOKLET ANTENNES amateur radio antennas
TECNICAL BOOKLET ANTENNES amateur radio antennas /51 MHz antenna 144/146 MHz antennas Pro XL 144/146 MHz antennas 4/4 MHz antennas Pro XL 4/4 MHz antennas Patch 4/4 MHz antenna 144/146 & 4/4 MHz antennas
Multilayer Chip Inductor / CL TYPE
Multilayer Chip Inductor / CL TYPE.Features: 1.Closed magnetic circuit avoids crosstalk. 2.S.M.T. type. 3.Excellent solderability and heat resistance. 4.High realiability. 5.The products contain no lead
Research on mode-locked optical fiber laser
2003 6 20 Research on mode-locked optical fiber laser 1 36303 Abstract- For future ultrahigh-speed optical communications, an ultrashort optical pulse train at a high repetitionrate will be indispensable.
High-Power RF Semiconductor Solutions
High-Power RF Semiconductor Solutions sales@integratech.com +1 (310) 606-0855 www.integratech.com Powering your RF Applications High Performance Portfolio Optimized for Integra s Core Markets - Multi-stage
Metal Oxide Leaded Film Resistor
Features -Excellent Long-Time stability -High surge / overload capability -Wide resistance range : 0.1Ω~22MΩ -Controlled temperature coefficient -Resistance standard tolerance: ±5% (consult factory for
Τηλεπικοινωνιακά Συστήματα ΙΙ
Τηλεπικοινωνιακά Συστήματα ΙΙ Διάλεξη 9: Εισαγωγή στην τεχνική πολυπλεξίας Code Division Multiple Access - CDMA Δρ. Μιχάλης Παρασκευάς Επίκουρος Καθηγητής 1 Ατζέντα Ορισμός Σχέση CDMA με την TDMA και την
Accessories 2-WIRE PROGRAMMABLE TRANSMITTERS. 5331D Features: 5333D Features: 5334B Features: Typical Applications: Mounting and Installation:
2WIRE PROGRAMMABLE TRANSMITTERS 5331D Features: RTD, Thermocouple, Ohm, or mv input Extremely high measurement accuracy 1.5 kvac galvanic isolation 5333D Features: RTD or Ohm input High measurement accuracy
Study on Re-adhesion control by monitoring excessive angular momentum in electric railway traction
() () Study on e-adhesion control by monitoring excessive angular momentum in electric railway traction Takafumi Hara, Student Member, Takafumi Koseki, Member, Yutaka Tsukinokizawa, Non-member Abstract
Μετρολογία Ενεργειακών Μεγεθών
Τι γυρεύει η Μετρολογία στα Ηλιακά; Οι επιδόσεις των συστημάτων ΑΠΕ δεν αρκεί να φαίνονται ικανοποιητικές, πρέπει συνεχώς και να το αποδεικνύουν! ΑΠΕ (και όχι μόνο): Αξιολόγηση ενεργειακών επιδόσεων Συνθήκες
Multilayer Chip Inductor
Features -Monolithic structure for high reliability -High self-resonant frequency -Excellent solderability and high heat resistance Construction Applications -RF circuit in telecommunication and other
ΚΕΙΜΕΝΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΚΑΝΟΝΙΣΜΟΥ CB προς Δημόσια Διαβούλευση
ΚΕΙΜΕΝΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ ΚΑΝΟΝΙΣΜΟΥ CB προς Δημόσια Διαβούλευση CB εκδ.22 (ΔΔ) ΘΕΜΑ: Κανονισμός λειτουργίας σταθμών ασυρμάτου ζώνης συχνοτήτων πολιτών (CB) Άρθρο 1 Σκοπός-Γενικές Διατάξεις 1. Σκοπός του παρόντος
Μεταπτυχιακό Μάθημα: Ποιότητα Ισχύος. Μεταπτυχιακό Μάθημα Ποιότητα Ισχύος
Μεταπτυχιακό Μάθημα Ποιότητα Ισχύος Μετρήσεις και Εποπτεία Ποιότητας Ισχύος Ποιότητα Ισχύος Μετρητικές συσκευές Φορητές συσκευές Μονίμως εγκατεστημένα συστήματα Προδιαγραφές Μετρήσεις - Παραδείγματα Ποιότητα
Terminal Contact UL Insulation Designation (provided with) style form system approval Flux tight
eatures A miniature PCB Power Relay. form A contact configuration with quick terminal type. 5KV dielectric strength, K surge voltage between coils to contact. Ideal for high rating Home Appliances of heating
Pb Chip Ferrite Inductor (MFI Series) Engineering Spec.
RoHS Pb Chip Ferrite Inductor (MFI Series) Engineering Spec. FEATURES The monolithic construction performs high reliability and ensures a closed magnetic flux in a component avoids magnetic and interference
Υπόστρωμα Ελέγχου Πρόσβασης Μέσου
Υπόστρωμα Ελέγχου Πρόσβασης Μέσου Medium Access Control Sub-layer. Πρόβλημα Υπάρχει ένα κανάλι το οποίο «μοιράζονται» πολλοί κόμβοι. Πρόβλημα: Ποίος μεταδίδει και πότε; 1 Περίληψη Κανάλια πολλαπλής πρόσβασης
Written Examination. Antennas and Propagation (AA ) April 26, 2017.
Written Examination Antennas and Propagation (AA. 6-7) April 6, 7. Problem ( points) Let us consider a wire antenna as in Fig. characterized by a z-oriented linear filamentary current I(z) = I cos(kz)ẑ
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΕΙΡΑΙΩΣ ΤΜΗΜΑ ΒΙΟΜΗΧΑΝΙΚΗΣ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΜΠΣ: ΟΡΓΑΝΩΣΗ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗ ΒΙΟΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ.
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΕΙΡΑΙΩΣ ΤΜΗΜΑ ΒΙΟΜΗΧΑΝΙΚΗΣ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΜΠΣ: ΟΡΓΑΝΩΣΗ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗ ΒΙΟΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Πτυχιακή Εργασία Χατζηνικήτα Αθηνά ΜΠL/0614 ΘΕΜΑ: Η εφαρμογή της τεχνολογίας RFID στην
Optimized Design of Fully Integrated VCO on Si Based Process
LSI VCO Optimized Desin of Fully Interated VCO on Si Based Proess Nobuyuki Itoh Semiondutor Company, Toshiba Corporation 47-8585 -5-1 -5-1, Kasama, Sakae-ku, Yokohama, 47-8585, Japan Tel: +81-45-890-41,
FEATURES APPLICATION PRODUCT T IDENTIFICATION PRODUCT T DIMENSION MAG.LAYERS
FEATURES RoHS compliant. Super low resistance, ultra high current rating. High performance (I sat) realized by metal dust core. Frequency Range: up to 1MHz. APPLICATION PDA, notebook, desktop, and server