TRANZISTORUL BIPOLAR. La modul cel mai simplu, tranzistorul bipor poate fi privit ca semiconductoare legate în serie.

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "TRANZISTORUL BIPOLAR. La modul cel mai simplu, tranzistorul bipor poate fi privit ca semiconductoare legate în serie."

Transcript

1 TANZISTOUL IPOLA La modul cel mai simplu, tranzistorul bipor poate fi privit ca semiconductoare legate în serie. două diode În partea de jos avem o zonă de semiconductor de tip n cu un contact metalic, care reprezintă Emitorul. Deasupra acesteia există o zonă semiconductoare foarte subţire de tip p, la care se conectează un electrod metalic, numit ază. Apare astfel prima joncţiune p-n. A doua zonă de tip n cu un contact metalic reprezintă Colectorul şi, împreună cu zona n a azei, formează a doua joncţiune p-n. ezultă în final tranzistorul npn. Acest tranzistor bipolar are următoarele caracteristici constructive: regiunea azei este foarte subţire şi slab dopată; regiunea Emitorului este puternic dopată; egiunea Colectorului este mare şi de obicei este conectată la capsula metalică pentru disiparea uşoară a căldurii După cum se poate vedea joncţiunea Emitor-ază este polarizată direct iar joncţiunea Colector-ază este polarizată invers. Emitorul puternic dopat va emite spre regiunea azei purtători majoritari, electronii care vor penetra adanc în ază deoarece aceasta este foarte subţire şi slab dopată. O mică parte din aceşti electroni se vor recombina cu golurile majoritare din bază. Ceilalţi electroni care au ajuns în ază devin aici purtători minoritari pentru joncţiunea Colector-ază polarizată invers şi ei vor fi antrenaţi spre Colector datorită tensiunii Ucc de valoare mare care polarizează invers joncţiunea Colectorului. Putem spune că suprafaţa mare a Colectorului va colecta electronii care vin din ază. Se poate observa că are loc un transfer al electronilor

2 majoritari din Emitor în ază datorită polarizării directe a joncţiunii p-n. Aceşti electroni care vin din Emitor devin în ază purtători minoritari şi sunt antrenaţi spre Colector datorită tensiunii inverse aplicate pe Colector. Astfel electronii minoritari din ază sunt trasferaţi în Colector unde devin din nou purtători majoritari asigurând asfel un curent mare de Colector. Acest efect se numeşte efect de transistor (transfer resistor) de unde şi denumirea de transistor. Două diode montate in opoziţie (de fapt transistorul este format din 3 regiuni n, p, n sau altfel spus din două joncţiuno p-n)care în mod normal nu funcţionează în această conexiune. Graţie efectului de transistor descris anterior funcţionarea transistorului bipolar devin posibilă. Cel mai important aspect al funcţionării transistorului bipolar este faptul că printrun curent mic de ază putem controla un curent mare de colector. Putem folosi aici analogia cu robinetul care să ajute mai mult la inţelegerea fenomenului din transistorul bipolar. Apa potabilă de la sistemul de canalizare din oras are un debit şi o presiune de valori ridicate la fel cum valoarea curentului de Colector este mult mai mare decat curentul de ază. Debitul prin robinet este controlat de o forţă foarte mică, generată mecanic de mâna noastră prin învârtirea acestuia. La fel se petrece şi în cazul transistorului bipolar unde printr-un curent mic de ază putem controla un curent mare de colector. Din tot ceea ce am arătat până acum rezultă că tranzistorul se comportă ca un amplificator de curent cu factorul de amplificare directă in curent β care este definit în curent continuu ca raportul dintre curentul de Colector şi curentul de Emitor. I β= I C.. De aici rezultă că I C = β*i Teoretic β ia valori cuprinse între 19 şi 499 dar practic el are valori cuprinse între 50 şi 200. Celălalt tip de transistor bipolar este cel de tipul pnp ca în figura de mai jos : GENEALITĂŢI. STUCTUA TANZISTOULUI IPOLA

3 Tranzistoarele bipolare (T) sunt dispozitive semiconductoare alcătuite dintr-o succesiune de trei regiuni realizate prin impurificarea aceluiaşi cristal semiconductor, regiunea centrală fiind mult mai îngustă şi de tip diferit faţă de regiunile laterale. egiunea centrala este mult mai slab dotată cu impurităţi decât celelalte regiuni şi se numeşte baza (). Una dintre regiunile laterale, puternic dotată cu impurităţi, se numeşte emitor, iar cealaltă, mai săracă în impurităţi decât emitorul, se numeşte colector (C). egiunile T formează cele doua joncţiuni ale acestuia. În figura 1 sunt reprezentate cele două structuri ale T şi simbolurile acestora. E C p n p E C n p n E C E C a b Fig. 1. Structura şi simbolul T de tip : a) pnp ; b) npn Structurile din fig.1. ale celor două tipuri de T reprezintă modelele structurale unidimensionale ale acestora. Denumirile regiunilor extreme sunt corelate cu funcţiile lor. E este sursa de purtători, care determină în general curentul prin tranzistor, iar C colectează purtătorii ajunşi aici. are rolul de a controla (modifica) intensitatea curentului prin tranzistor în funcţie de tensiunea dintre si E. Tranzistorul transferă curentul din circuitul de intrare de rezistenţă mică în circuitul de ieşire de rezistenţă mare, de unde şi denumirea de tranzistor (TANSISTO = TANSFE ESISTO). Ce două joncţiuni ale tranzistorului sunt : joncţiunea de emitor sau : emitor-baza (E) pentru T pnp ; baza-emitor (E) pentru T npn ; joncţiunea de colector sau : colector-baza (C) pentru T pnp ; baza-colector (C) pentru T npn. T este un dispozitiv activ care are ca funcţie de bază pe cea de amplificare. Proprietatea de amplificare a T se datoreşte aşa-numitului efect de tranzistor. Pentru T se pot defini trei curenţi şi trei tensiuni, aşa cum sunt prezentate în fig. 2.

4 V CE V CE E I e w i c C E i e i c C V E I b a V C V E I b V C b Fig.2. Mărimile la borne ale T: a) pnp; b) npn Tensiunile sunt legate prin relaţia: v C = v CE + v E, (1) iar curentii prin relatia: i E = i C + i. (2) Pentru a obţine relatia (2), T este asimilat cu un nod în care suma algebrică a curenţilor este zero. Ca urmare a relatiilor (1) si (2), numai două tensiuni şi doi curenţi sunt mărimi independente. Alegerea mărimilor electrice care descriu comportarea tranzistorului se poate face în moduri diferite. Criteriul este urmatorul: se consideră tranzistorul ca un diport (un bloc cu două borne ce formează poarta de intrare şi alte două borne ce formează poarta de ieşire). Deoarece tranzistorul are doar trei borne (terminale), una dintre ele trebuie să fie comună intrării şi ieşirii. orna comună defineşte conexiunea tranzistorului. CONEXIUNI FUNDAMENTALE ALE TANZISTOULUI IPOLA Aşa cum am mai spus, T trebuie tratat ca un diport (cuadripol), dar având doar trei borne, una dintre ele va fi comună circuitelor de intrare şi ieşire. T are trei noduri de conectare fundamentale : conexiunea C (cu baza comunaă) (fig. 3, a) ; conexiunea EC (cu emitorul comun) (fig. 3, b) ; conexiunea CC (cu colectorul comun) (fig. 3,c)

5 a b c - Fig. 3. Conexiunile fundamentale ale T: a) conexiunea C; b) conexiunea EC; c) conexiunea CC 1.c. egimurile de funcţionare ale tranzistoarelor După felul polarizării aplicate celor două joncţiuni ale unui tranzistor, se pot deosebi patru regimuri de funcţionare: regim activ normal: - joncţiunea emitorului polarizată direct; - joncţiunea colectorului polarizată invers; regim de saturaţie - joncţiunea emitorului polarizată direct; - joncţiunea colectorului polarizată direct; regim de tăiere - joncţiunea emitorului polarizată invers; - joncţiunea colectorului polarizată invers; regim activ invers - joncţiunea emitorului polarizată invers; - joncţiunea colectorului polarizată direct; egim activ normal a fost prezentat până acum. egim de saturaţie. Ambele joncţiuni sunt polarizate direct. Pe tranzistor sursele sunt montate în opoziţie, având valori apropiate. Tensiunea rezultantă colector-emitor va fi: U CE U C U E

6 Valoarea U CE de saturaţie este de valoare mică, aproximativ de 0,2 0,3 V. Curentul ce trece prin tranzistor are valori relativ mari, dar mai mici decât în cazul regimului activ normal; aceasta deoarece, prin joncţiunea colectorului, trec în sens contrar atât curentul de goluri al emitorului, cât şi curentul de difuziune dat de golurile majoritare ale colectorului dirijate spre bază. Curentul rezultat, de saturaţie este egal cu diferenţa celor doi curenţi. egimul de tăiere (de blocare) se caracterizează prin faptul că, ambele joncţiuni fiind polarizate invers, curenţii care circulă prin tranzistor sunt curenţi reziduali de valoare mică. Când tranzistorul se află în acest regim, tensiunea la bornele sale este foarte mare, deci şi rezistenţa sa echivalentă este foarte mare. În acest regim el se comportă ca un comutator ce întrerupe circuitul, un comutator deschis. egim activ invers. În acest caz emitorul joacă rolul colectorului, iar colectorul pe cel al emitorului. Joncţiunea colectorului fiind polarizată direct, colectorul injectează goluri în bază iar emitorul, a cărui joncţiune este polarizată invers, le colectează. În acest regim tranzistoarele sunt folosite forte rar, deoarece coeficientul de amplificare în curent este mai mic ca în regim activ normal. În adevăr, tehnologic suprafaţa colectorului se face mai mare decât a emitorului, tocmai pentru a îmbunătăţi procesul de captare. În situaţia inversă, electrodul care captează (emitorul) are o suprafaţă mai mică decât cel ce injectează (colectorul), deci amplificarea în curent este mai scăzută. Se utilizează câteodată în regim de comutaţie.

7 CAACTEISTICILE STATICE ALE TANZISTOULUI IPOLA Pentru calcule practice ale circuitelor cu tranzistoare se utilizează caracteristicile statice ridicate experimental. Există trei tipuri de caracteristici în T: a. caracteristicile de intrare care corelează două mărimi de intrare, parametru fiind o mărime de ieşire; b. caracteristicile de transfer care corelează o mărime de ieşire cu una de intrare, ca parametru putând fi, în principiu, oricare altă mărime; c. caracteristicile de ieşire care corelează două mărimi de ieşire, parametru fiind o mărime de intrare. Întrucât caracteristicile statice depind de tipul schemei de conectare, în cele ce urmează le prezentăm pe cele corespunzătoare conexiunii EC. Caracteristicile statice ale tranzistoarelor bipolare în conexiunea EC Vom considera cazul unui T npn de mică putere. În schema EC, tensiunile au ca nivel de referinţă potenţialul emitorului. Ca mărimi de intrare avem: V E = V E si I, iar ca mărimi de ieşire pe V CE şi I C. a) Caracteristici de intrare Considerăm caracteristica I = I (V E ) cu V CE = ct. În figură sunt reprezentate caracteristicile de intrare tipice pentru un T cu Si. Fig. 4 Caracteristica statică de intrare I = I (V E ) cu V CE = ct. (conexiune EC) 0 Examinând caracteristicile, observăm că dacă plecăm de la V E = 0 şi, mărind valoarea acestei tensiuni, curentul I este practic nul până la o anumită valoare V ED = (V E,on = Vα ) numită tensiune de deschidere sau de prag. În jurul acestei valori curentul creşte exponenţial cu V E, după care variaţia acestuia poate fi considerată practic liniară. Se defineşte rezistenţa diferenţială de intrare a tranzistorului în montaj EC cu relaţia: dv E (32) in, EC di V ct CE Trebuie remarcat că T în montaj EC, datorită variaţiilor mici al lui I, posedă o rezistenţă diferenţială de intrare de valoare mare (mii de Ω ), spre deosebire de cazul montajului C, pentru care in,c are o valoare foarte mică (zeci de Ω).

8 b) Caracteristici de transfer Considerăm caracteristica I C = I C (I ) pentru V CE = ct. (fig.5 ). Fig. 5 Caracteristica de transfer (conexiune EC) I C = I C (I ) pentru V CE = ct. În regiunea valorilor medii ale curentilor dependenta experimentala I C = I C (I ) este cvasiliniara, astfel încât în zona acestor curenţi constant. I I Caracteristici de ieşire C1 (33) poate fi considerat F 1 În figura 6 este reprezentată familia caracteristicilor experimentale de ieşire I C = I C (V CE ) cu I = ct., caracteristice pentru un tranzistor npn. egiune de saturaţie egiune active normala 10 egiune de tăiere 20 Caracteristica I = 0 nu este, de fapt, limita regiunii de tăiere. Pentru a bloca tranzistorul este necesară blocarea joncţiunii emitorului. În acest caz, pentru T I C este egal cu I CE0. Funcţionarea T în regim de saturaţie este întâlnită frecvent în circuitele digitale, deoarece în această regiune se asigură o tensiune de ieşire bine specificată, care reprezintă o stare logică. În circuitele analogice se evită în mod uzual regiunea de saturaţie, deoarece factorul de amplificare al T este foarte mic. I C (V CE ) cu I = ct. Fig. 6. Caracteristicile de ieşire I C = 2) Tensiuni tipice pe jonctiunile tranzistorului

9 Considerăm caracteristica de transfer I C = I C (V E ) pentru tranzistorul npn cu Ge, respectiv cu Si (fig. 7). Tabelul 1. Valori tipice ale tensiunilor pe joncţunile tranzistorului npn Tensiune [V] Tip tranzistor V CE,sat V E,sat = V E,reg.activ V ED ) V E,taiere Si 0,2 0,8 0,7 0,5 0,0 Ge 0,1 0,3 0,2 0,1 0,1 aza in gol IC IC (baza in gol) locar e V E [V] eg Saturati activ e Deschidere (prag) locare eg. activa V E [V] Saturat Fig. 7. Valori tipice ale tensiunilor pe joncţunile tranzistorului npn MULTIPLICAEA ÎN AVALANŢĂ LA JONCŢIUNEA COLECTOULUI Caracteristicile electrice ale tranzistoarelor sunt afectate de fenomenul de multiplicare în avalanţă a purtătorilor de sarcină. Acest fenomen este provocat de câmpul electric intens din regiunea de sarcină spaţială. Tensiunile mai apar, de regulă, pe joncţiunea colectorului şi aici apare multiplicarea curentului iniţial cu un factor: M 1 1 V C V n (34) :unde V a este tensiunea de străpungere a joncţiunii colectorului.

10 4.5. POLAIZAEA TANZISTOULUI ÎNT-UN PUNCT DAT DE FUNCŢIONAE, ÎN EGIUNEA ACTIVĂ NOMALĂ Ca şi în cazul tuburilor electronice, circuitele de polarizare au rolul de a plasa funcţionarea tranzistorului în PSF ales în cadrul regiunii permise de pe caracteristicile statice ale T. Considerăm cazul T în conexiune EC. Punctul static de funcţionare (PSF) se gaseste la intersectia unei caracteristici I C = I C (V CE ) pentru o anumita valoare I cu dreapta de sarcină statică. PSF al T trebuie să fie situat în regiunea permisă (fig. 8), delimitată de următoarele curbe: IC ICmax Hiperbola de disipaţie maximă egiune Saturaţie egiune permisă ICmin VCEmin egiune Tăiere Figura 8 VCEmax VCE a. dreapta I C = I Cmax pentru a feri T de distrugerea joncţiunilor; b. hiperbola de disipaţie maximă corespunzătoare puterii maxime admisibile; c. dreapta V CE = V Cemax pentru a nu apărea fenomenul de străpungere a T; d. dreapta I C = I Cmin pentru menţinerea joncţiunii emitorului polarizată direct şi în prezenţa semnalului; I Cmin este situată în regiunea activă a caracteristicilor; e. dreapta V CE = V Cemin = V C,sat ; pentru ca tranzistorul să nu intre în regim de saturaţie este necesar ca V CE să fie mai mare decât tensiunea corespunzătoare acestui regim. Menţinerea unei funcţionări liniare a T este legată de fixarea PSF în regiunea liniară a caracteristicilor statice. PSF se fixează pe dreapta de sarcină astfel încât, în regim dinamic, în funcţie de amplitudinea semnalului care se aplică la intrare, tranzistorul să nu intre nici în blocare nici în saturaţie (fig. 9). Ecuatia dreptei de sarcină statică (pentru schemele din fig.10) este: V CC = I C ( C + E ) + V CE, (35) obtinuţă dacă se consideră I C = I E.

11 I C i b t I C max 0 i c i b =I I c M 2 M 0 0 t M 1 I C0 0 V CE min V CE 0 V CE max VCC V CE 0 Vce t Fig. 9. Stabilirea PSF pentru T În practică există trei tipuri fundamentale de reţele care asigură polarizarea T (fig.10). +V CC +V CC +V CC 1 A 2 a C T E V i V b T C I E E c C T E Fig. 10. Circuite de polarizare pentru T

12 Aplicând teorema lui Thévenin la stânga punctelor A (fig. 10, a) obtinem un circuit de forma celui din fig. 10, b, unde ,(36),(37), CC 2 V 1 2 V ezistenţele 1 si 2 pot fi alese de valoare suficient de mică pentru ca să satisfacă condiţia (β F + 1) E >>. (38) Satisfacerea condiţiei (38) determină ca reacţia negativă introdusă de E, să ducă la micşorarea dependenţei lui I C de β F, care depinde puternic de temperatură. Considerăm schema din figura14, b. Conform teoremei a II-a a lui Kirchhoff vom avea: V = I + V E + E I E (.38, a) Ştim că I C = β F I + I CE0. În regim uzual β F I E >> I CE0, deci frecvent se foloseşte relaţia I C = β F I. (38, b) Din (38, a) şi (38, b) rezultă I E = β F I + I = (β F + 1)I, V = I + V E + E (β F + 1)I = V E + [ + (β F + 1) E ]I, V V E I (38, c) ( 1) F E ( V ( V ) Din (38, b) şi (38, c) rezultă F E, (38. d) I C I F Conform lui (38, d) se observa ca cresterea lui β F determina atât o crestere a numaratorului cât si a numitorului. I C devine independent de β F doar când acesta tinde la infinit. Daca V este egal cu V CC se obtine schema din figura 10, c În figura 14.a avem schema de polarizare uzuală a tranzistorului bipolar. Pentru a calcula valorile punctului static de funcţionare I C, U CE, apoximând I E =I C, şi U E =0.6 V, se procedează în felul următor: Aplic teorema lui Kirchhoff II pe ochiul de reţea care cuprinde joncţiunea ază Emitor. Calculăm în prealabil tensiunea între punctele A, aplicând teorema lui Thevenin: U 2 U 1 2 CC U E U + I E * E =0 F 1) E I E = U U E E ; dar I E = I C Aplic teorema lui Kirchhoff II pe ochiul de reţea care cuprinde joncţiunea Colector Emitor pentru a calcula U CE: U CE + I C* ( C + E ) = U CC U CE = U CC I C* ( C + E )

13 ezultă în felul acesta valorile pentru punctul static de funcţionare I C, U CE.

14

(N) joncţiunea BC. polarizată invers I E = I C + I B. Figura 5.13 Prezentarea funcţionării tranzistorului NPN

(N) joncţiunea BC. polarizată invers I E = I C + I B. Figura 5.13 Prezentarea funcţionării tranzistorului NPN 5.1.3 FUNŢONAREA TRANZSTORULU POLAR Un tranzistor bipolar funcţionează corect, dacă joncţiunea bază-emitor este polarizată direct cu o tensiune mai mare decât tensiunea de prag, iar joncţiunea bază-colector

Διαβάστε περισσότερα

5.5. REZOLVAREA CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE

5.5. REZOLVAREA CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE 5.5. A CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE PROBLEMA 1. În circuitul din figura 5.54 se cunosc valorile: μa a. Valoarea intensității curentului de colector I C. b. Valoarea tensiunii bază-emitor U BE.

Διαβάστε περισσότερα

Analiza în curent continuu a schemelor electronice Eugenie Posdărăscu - DCE SEM 1 electronica.geniu.ro

Analiza în curent continuu a schemelor electronice Eugenie Posdărăscu - DCE SEM 1 electronica.geniu.ro Analiza în curent continuu a schemelor electronice Eugenie Posdărăscu - DCE SEM Seminar S ANALA ÎN CUENT CONTNUU A SCHEMELO ELECTONCE S. ntroducere Pentru a analiza în curent continuu o schemă electronică,

Διαβάστε περισσότερα

10. STABILIZATOAE DE TENSIUNE 10.1 STABILIZATOAE DE TENSIUNE CU TANZISTOAE BIPOLAE Stabilizatorul de tensiune cu tranzistor compară în permanenţă valoare tensiunii de ieşire (stabilizate) cu tensiunea

Διαβάστε περισσότερα

4. CIRCUITE LOGICE ELEMENTRE 4.. CIRCUITE LOGICE CU COMPONENTE DISCRETE 4.. PORŢI LOGICE ELEMENTRE CU COMPONENTE PSIVE Componente electronice pasive sunt componente care nu au capacitatea de a amplifica

Διαβάστε περισσότερα

4.2. CONEXIUNILE TRANZISTORULUI BIPOLAR CONEXIUNEA EMITOR COMUN CONEXIUNEA BAZĂ COMUNĂ CONEXIUNEA COLECTOR COMUN

4.2. CONEXIUNILE TRANZISTORULUI BIPOLAR CONEXIUNEA EMITOR COMUN CONEXIUNEA BAZĂ COMUNĂ CONEXIUNEA COLECTOR COMUN 4. TRANZISTORUL BIPOLAR 4.1. GENERALITĂŢI PRIVIND TRANZISTORUL BIPOLAR STRUCTURA ŞI SIMBOLUL TRANZISTORULUI BIPOLAR ÎNCAPSULAREA ŞI IDENTIFICAREA TERMINALELOR FAMILII UZUALE DE TRANZISTOARE BIPOLARE FUNCŢIONAREA

Διαβάστε περισσότερα

1.7. AMPLIFICATOARE DE PUTERE ÎN CLASA A ŞI AB

1.7. AMPLIFICATOARE DE PUTERE ÎN CLASA A ŞI AB 1.7. AMLFCATOARE DE UTERE ÎN CLASA A Ş AB 1.7.1 Amplificatoare în clasa A La amplificatoarele din clasa A, forma de undă a tensiunii de ieşire este aceeaşi ca a tensiunii de intrare, deci întreg semnalul

Διαβάστε περισσότερα

Tranzistoare bipolare şi cu efect de câmp

Tranzistoare bipolare şi cu efect de câmp apitolul 3 apitolul 3 26. Pentru circuitul de polarizare din fig. 26 se cunosc: = 5, = 5, = 2KΩ, = 5KΩ, iar pentru tranzistor se cunosc următorii parametrii: β = 200, 0 = 0, μa, = 0,6. a) ă se determine

Διαβάστε περισσότερα

V O. = v I v stabilizator

V O. = v I v stabilizator Stabilizatoare de tensiune continuă Un stabilizator de tensiune este un circuit electronic care păstrează (aproape) constantă tensiunea de ieșire la variaţia între anumite limite a tensiunii de intrare,

Διαβάστε περισσότερα

Curs 2 DIODE. CIRCUITE DR

Curs 2 DIODE. CIRCUITE DR Curs 2 OE. CRCUTE R E CUPRN tructură. imbol Relația curent-tensiune Regimuri de funcționare Punct static de funcționare Parametrii diodei Modelul cu cădere de tensiune constantă Analiza circuitelor cu

Διαβάστε περισσότερα

Capitolul 4 Amplificatoare elementare

Capitolul 4 Amplificatoare elementare Capitolul 4 mplificatoare elementare 4.. Etaje de amplificare cu un tranzistor 4... Etajul emitor comun V CC C B B C C L L o ( // ) V gm C i rπ // B // o L // C // L B ro i B E C E 4... Etajul colector

Διαβάστε περισσότερα

Tranzistoare bipolare cu joncţiuni

Tranzistoare bipolare cu joncţiuni Tranzistoare bipolare cu joncţiuni 1. Noţiuni introductive Tranzistorul bipolar cu joncţiuni, pe scurt, tranzistorul bipolar, este un dispozitiv semiconductor cu trei terminale, furnizat de către producători

Διαβάστε περισσότερα

Exemple de probleme rezolvate pentru cursurile DEEA Tranzistoare bipolare cu joncţiuni

Exemple de probleme rezolvate pentru cursurile DEEA Tranzistoare bipolare cu joncţiuni Problema 1. Se dă circuitul de mai jos pentru care se cunosc: VCC10[V], 470[kΩ], RC2,7[kΩ]. Tranzistorul bipolar cu joncţiuni (TBJ) este de tipul BC170 şi are parametrii β100 şi VBE0,6[V]. 1. să se determine

Διαβάστε περισσότερα

Lucrarea Nr. 5 Tranzistorul bipolar Caracteristici statice

Lucrarea Nr. 5 Tranzistorul bipolar Caracteristici statice Lucrarea Nr. 5 Tranzistorul bipolar Caracteristici statice A.Scopul lucrării - Determinarea experimentală a plajei mărimilor eletrice de la terminale în care T real este activ (amplifică)precum şi a unor

Διαβάστε περισσότερα

Polarizarea tranzistoarelor bipolare

Polarizarea tranzistoarelor bipolare Polarizarea tranzistoarelor bipolare 1. ntroducere Tranzistorul bipolar poate funcţiona în 4 regiuni diferite şi anume regiunea activă normala RAN, regiunea activă inversă, regiunea de blocare şi regiunea

Διαβάστε περισσότερα

Capitolul 4 4. TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP

Capitolul 4 4. TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP Capitolul 4 4. TRANZITORUL CU EFECT E CÂMP 4.1. Prezentare generală Tranzistorul cu efect de câmp a apărut pe piaţă în anii 60, după tranzistorul bipolar cu joncţiuni, deoarece tehnologia lui de fabricaţie

Διαβάστε περισσότερα

CIRCUITE LOGICE CU TB

CIRCUITE LOGICE CU TB CIRCUITE LOGICE CU T I. OIECTIVE a) Determinarea experimentală a unor funcţii logice pentru circuite din familiile RTL, DTL. b) Determinarea dependenţei caracteristicilor statice de transfer în tensiune

Διαβάστε περισσότερα

2.3. Tranzistorul bipolar

2.3. Tranzistorul bipolar 2.3. Tranzistorul bipolar 2.3.1. Structură şi simboluri Tranzistorul bipolar este un dispozitiv format din 3 straturi de material semiconductor şi are trei electrozi conectati la acestea. Construcţia şi

Διαβάστε περισσότερα

a. Caracteristicile mecanice a motorului de c.c. cu excitaţie independentă (sau derivaţie)

a. Caracteristicile mecanice a motorului de c.c. cu excitaţie independentă (sau derivaţie) Caracteristica mecanică defineşte dependenţa n=f(m) în condiţiile I e =ct., U=ct. Pentru determinarea ei vom defini, mai întâi caracteristicile: 1. de sarcină, numită şi caracteristica externă a motorului

Διαβάστε περισσότερα

Ovidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu,

Ovidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu, vidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu, Capitolul 6 Amplificatoare operaţionale 58. Să se calculeze coeficientul de amplificare în tensiune pentru amplficatorul inversor din fig.58, pentru care se

Διαβάστε περισσότερα

Curs 10 Funcţii reale de mai multe variabile reale. Limite şi continuitate.

Curs 10 Funcţii reale de mai multe variabile reale. Limite şi continuitate. Curs 10 Funcţii reale de mai multe variabile reale. Limite şi continuitate. Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi" Iaşi 2014 Fie p, q N. Fie funcţia f : D R p R q. Avem următoarele

Διαβάστε περισσότερα

Capitolul 3 3. TRANZITORUL BIPOLAR CU JONCŢIUNI Principiul de funcţionare al tranzistorului bipolar cu joncţiuni

Capitolul 3 3. TRANZITORUL BIPOLAR CU JONCŢIUNI Principiul de funcţionare al tranzistorului bipolar cu joncţiuni apitolul 3 3. TRANZTORUL POLAR U JONŢUN Tranzistoarele reprezintă cea mai importantă clasă de dispozitive electronice, deoarece au proprietatea de a amplifica semnalele electrice. În funcţionarea tranzistorului

Διαβάστε περισσότερα

L2. REGIMUL DINAMIC AL TRANZISTORULUI BIPOLAR

L2. REGIMUL DINAMIC AL TRANZISTORULUI BIPOLAR L2. REGMUL DNAMC AL TRANZSTRULU BPLAR Se studiază regimul dinamic, la semnale mici, al tranzistorului bipolar la o frecvenţă joasă, fixă. Se determină principalii parametrii ai circuitului echivalent natural

Διαβάστε περισσότερα

Planul determinat de normală şi un punct Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru Planul determinat de 3 puncte necoliniare

Planul determinat de normală şi un punct Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru Planul determinat de 3 puncte necoliniare 1 Planul în spaţiu Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru 2 Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru Fie reperul R(O, i, j, k ) în spaţiu. Numim normala a unui plan, un vector perpendicular pe

Διαβάστε περισσότερα

Componente şi Circuite Electronice Pasive. Laborator 3. Divizorul de tensiune. Divizorul de curent

Componente şi Circuite Electronice Pasive. Laborator 3. Divizorul de tensiune. Divizorul de curent Laborator 3 Divizorul de tensiune. Divizorul de curent Obiective: o Conexiuni serie şi paralel, o Legea lui Ohm, o Divizorul de tensiune, o Divizorul de curent, o Implementarea experimentală a divizorului

Διαβάστε περισσότερα

Lucrarea Nr. 7 Tranzistorul bipolar Caracteristici statice Determinarea unor parametri de interes

Lucrarea Nr. 7 Tranzistorul bipolar Caracteristici statice Determinarea unor parametri de interes Lucrarea Nr. 7 Tranzistorul bipolar aracteristici statice Determinarea unor parametri de interes A.Scopul lucrării - Determinarea experimentală a plajei mărimilor eletrice de la terminale în care T real

Διαβάστε περισσότερα

Fig Impedanţa condensatoarelor electrolitice SMD cu Al cu electrolit semiuscat în funcţie de frecvenţă [36].

Fig Impedanţa condensatoarelor electrolitice SMD cu Al cu electrolit semiuscat în funcţie de frecvenţă [36]. Componente şi circuite pasive Fig.3.85. Impedanţa condensatoarelor electrolitice SMD cu Al cu electrolit semiuscat în funcţie de frecvenţă [36]. Fig.3.86. Rezistenţa serie echivalentă pierderilor în funcţie

Διαβάστε περισσότερα

Curs 4 Serii de numere reale

Curs 4 Serii de numere reale Curs 4 Serii de numere reale Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi" Iaşi 2014 Criteriul rădăcinii sau Criteriul lui Cauchy Teoremă (Criteriul rădăcinii) Fie x n o serie cu termeni

Διαβάστε περισσότερα

(a) se numeşte derivata parţială a funcţiei f în raport cu variabila x i în punctul a.

(a) se numeşte derivata parţială a funcţiei f în raport cu variabila x i în punctul a. Definiţie Spunem că: i) funcţia f are derivată parţială în punctul a în raport cu variabila i dacă funcţia de o variabilă ( ) are derivată în punctul a în sens obişnuit (ca funcţie reală de o variabilă

Διαβάστε περισσότερα

LUCRAREA NR. 1 STUDIUL SURSELOR DE CURENT

LUCRAREA NR. 1 STUDIUL SURSELOR DE CURENT LUCAEA N STUDUL SUSELO DE CUENT Scopul lucrării În această lucrare se studiază prin simulare o serie de surse de curent utilizate în cadrul circuitelor integrate analogice: sursa de curent standard, sursa

Διαβάστε περισσότερα

Problema a II - a (10 puncte) Diferite circuite electrice

Problema a II - a (10 puncte) Diferite circuite electrice Olimpiada de Fizică - Etapa pe judeţ 15 ianuarie 211 XI Problema a II - a (1 puncte) Diferite circuite electrice A. Un elev utilizează o sursă de tensiune (1), o cutie cu rezistenţe (2), un întrerupător

Διαβάστε περισσότερα

5.4. MULTIPLEXOARE A 0 A 1 A 2

5.4. MULTIPLEXOARE A 0 A 1 A 2 5.4. MULTIPLEXOARE Multiplexoarele (MUX) sunt circuite logice combinaţionale cu m intrări şi o singură ieşire, care permit transferul datelor de la una din intrări spre ieşirea unică. Selecţia intrării

Διαβάστε περισσότερα

Curs 14 Funcţii implicite. Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi"

Curs 14 Funcţii implicite. Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică Gh. Asachi Curs 14 Funcţii implicite Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi" Iaşi 2014 Fie F : D R 2 R o funcţie de două variabile şi fie ecuaţia F (x, y) = 0. (1) Problemă În ce condiţii ecuaţia

Διαβάστε περισσότερα

I C I E E B C V CB V EB NAB N DE. b x LUCRAREA NR. 6 TRANZISTORUL BIPOLAR. 1. Structură şi procese fizice în TB convenţional

I C I E E B C V CB V EB NAB N DE. b x LUCRAREA NR. 6 TRANZISTORUL BIPOLAR. 1. Structură şi procese fizice în TB convenţional LUCRAREA NR. 6 TRANZISTORUL BIPOLAR 1. Structură şi procese fizice în TB convenţional Tranzistorul bipolar (TB) convenţional reprezintă un dispozitiv semiconductor cu trei terminale, a cărui funcţie principală

Διαβάστε περισσότερα

Dispozitive electronice de putere

Dispozitive electronice de putere Lucrarea 1 Electronica de Putere Dispozitive electronice de putere Se compară calităţile de comutator ale principalelor ventile utilizate în EP şi anume tranzistorul bipolar, tranzistorul Darlington si

Διαβάστε περισσότερα

5. FUNCŢII IMPLICITE. EXTREME CONDIŢIONATE.

5. FUNCŢII IMPLICITE. EXTREME CONDIŢIONATE. 5 Eerciţii reolvate 5 UNCŢII IMPLICITE EXTREME CONDIŢIONATE Eerciţiul 5 Să se determine şi dacă () este o funcţie definită implicit de ecuaţia ( + ) ( + ) + Soluţie ie ( ) ( + ) ( + ) + ( )R Evident este

Διαβάστε περισσότερα

Analiza funcționării și proiectarea unui stabilizator de tensiune continuă realizat cu o diodă Zener

Analiza funcționării și proiectarea unui stabilizator de tensiune continuă realizat cu o diodă Zener Analiza funcționării și proiectarea unui stabilizator de tensiune continuă realizat cu o diodă Zener 1 Caracteristica statică a unei diode Zener În cadranul, dioda Zener (DZ) se comportă ca o diodă redresoare

Διαβάστε περισσότερα

3 TRANZISTORUL BIPOLAR

3 TRANZISTORUL BIPOLAR S.D.Anghel - azele electronicii analogice şi digitale 3 TRANZSTORUL POLAR William Shockley fizician american, laureat al premiului Nobel în 1956 împreună cu J. ardeen şi W.H rattain. Au pus la punct tehnologia

Διαβάστε περισσότερα

Stabilizator cu diodă Zener

Stabilizator cu diodă Zener LABAT 3 Stabilizator cu diodă Zener Se studiază stabilizatorul parametric cu diodă Zener si apoi cel cu diodă Zener şi tranzistor. Se determină întâi tensiunea Zener a diodei şi se calculează apoi un stabilizator

Διαβάστε περισσότερα

Lucrarea 7. Polarizarea tranzistorului bipolar

Lucrarea 7. Polarizarea tranzistorului bipolar Scopul lucrării a. Introducerea unor noţiuni elementare despre funcţionarea tranzistoarelor bipolare b. Identificarea prin măsurători a regiunilor de funcţioare ale tranzistorului bipolar. c. Prezentarea

Διαβάστε περισσότερα

TRANZISTORUL BIPOLAR ÎN REGIM CONTINUU

TRANZISTORUL BIPOLAR ÎN REGIM CONTINUU Lucrarea nr 2 TRANZISTORUL IPOLAR ÎN REGIM ONTINUU uprins I Scopul lucrării II Noţiuni teoretice III Desfăşurarea lucrării IV Temă de casă V Simulări VI Anexă 1 I Scopul lucrării Ridicarea caracteristicilor

Διαβάστε περισσότερα

Metode iterative pentru probleme neliniare - contractii

Metode iterative pentru probleme neliniare - contractii Metode iterative pentru probleme neliniare - contractii Problemele neliniare sunt in general rezolvate prin metode iterative si analiza convergentei acestor metode este o problema importanta. 1 Contractii

Διαβάστε περισσότερα

Circuite cu tranzistoare. 1. Inversorul CMOS

Circuite cu tranzistoare. 1. Inversorul CMOS Circuite cu tranzistoare 1. Inversorul CMOS MOSFET-urile cu canal indus N si P sunt folosite la familia CMOS de circuite integrate numerice datorită următoarelor avantaje: asigură o creştere a densităţii

Διαβάστε περισσότερα

7. AMPLIFICATOARE DE SEMNAL CU TRANZISTOARE

7. AMPLIFICATOARE DE SEMNAL CU TRANZISTOARE 7. AMPLIFICATOARE DE SEMNAL CU TRANZISTOARE 7.1. GENERALITĂŢI PRIVIND AMPLIFICATOARELE DE SEMNAL MIC 7.1.1 MĂRIMI DE CURENT ALTERNATIV 7.1.2 CLASIFICARE 7.1.3 CONSTRUCŢIE 7.2 AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC

Διαβάστε περισσότερα

Lucrarea Nr. 11 Amplificatoare de nivel mare

Lucrarea Nr. 11 Amplificatoare de nivel mare Lucrarea Nr. 11 Amplificatoare de nivel mare Scopul lucrării - asimilarea conceptului de nivel mare; - studiul etajului de putere clasa B; 1. Generalităţi Caracteristic etajelor de nivel mare este faptul

Διαβάστε περισσότερα

Lucrarea nr. 5 STABILIZATOARE DE TENSIUNE. 1. Scopurile lucrării: 2. Consideraţii teoretice. 2.1 Stabilizatorul derivaţie

Lucrarea nr. 5 STABILIZATOARE DE TENSIUNE. 1. Scopurile lucrării: 2. Consideraţii teoretice. 2.1 Stabilizatorul derivaţie Lucrarea nr. 5 STABILIZATOARE DE TENSIUNE 1. Scopurile lucrării: - studiul dependenţei dintre tensiunea stabilizată şi cea de intrare sau curentul de sarcină pentru stabilizatoare serie şi derivaţie; -

Διαβάστε περισσότερα

IV. CUADRIPOLI SI FILTRE ELECTRICE CAP. 13. CUADRIPOLI ELECTRICI

IV. CUADRIPOLI SI FILTRE ELECTRICE CAP. 13. CUADRIPOLI ELECTRICI V. POL S FLTE ELETE P. 3. POL ELET reviar a) Forma fundamentala a ecuatiilor cuadripolilor si parametrii fundamentali: Prima forma fundamentala: doua forma fundamentala: b) Parametrii fundamentali au urmatoarele

Διαβάστε περισσότερα

V.7. Condiţii necesare de optimalitate cazul funcţiilor diferenţiabile

V.7. Condiţii necesare de optimalitate cazul funcţiilor diferenţiabile Metode de Optimizare Curs V.7. Condiţii necesare de optimalitate cazul funcţiilor diferenţiabile Propoziţie 7. (Fritz-John). Fie X o submulţime deschisă a lui R n, f:x R o funcţie de clasă C şi ϕ = (ϕ,ϕ

Διαβάστε περισσότερα

Electronică anul II PROBLEME

Electronică anul II PROBLEME Electronică anul II PROBLEME 1. Găsiți expresiile analitice ale funcției de transfer şi defazajului dintre tensiunea de ieşire şi tensiunea de intrare pentru cuadrupolii din figurile de mai jos și reprezentați-le

Διαβάστε περισσότερα

MARCAREA REZISTOARELOR

MARCAREA REZISTOARELOR 1.2. MARCAREA REZISTOARELOR 1.2.1 MARCARE DIRECTĂ PRIN COD ALFANUMERIC. Acest cod este format din una sau mai multe cifre şi o literă. Litera poate fi plasată după grupul de cifre (situaţie în care valoarea

Διαβάστε περισσότερα

7. RETELE ELECTRICE TRIFAZATE 7.1. RETELE ELECTRICE TRIFAZATE IN REGIM PERMANENT SINUSOIDAL

7. RETELE ELECTRICE TRIFAZATE 7.1. RETELE ELECTRICE TRIFAZATE IN REGIM PERMANENT SINUSOIDAL 7. RETEE EECTRICE TRIFAZATE 7.. RETEE EECTRICE TRIFAZATE IN REGIM PERMANENT SINSOIDA 7... Retea trifazata. Sistem trifazat de tensiuni si curenti Ansamblul format din m circuite electrice monofazate in

Διαβάστε περισσότερα

Aplicaţii ale principiului I al termodinamicii la gazul ideal

Aplicaţii ale principiului I al termodinamicii la gazul ideal Aplicaţii ale principiului I al termodinamicii la gazul ideal Principiul I al termodinamicii exprimă legea conservării şi energiei dintr-o formă în alta şi se exprimă prin relaţia: ΔUQ-L, unde: ΔU-variaţia

Διαβάστε περισσότερα

Electronică Analogică. 5. Amplificatoare

Electronică Analogică. 5. Amplificatoare Electronică Analogică 5. Amplificatoare 5.1. Introducere Prin amplificare înţelegem procesul de mărire a valorilor instantanee ale unei puteri sau ale altei mărimi, fără a modifica modul de variaţie a

Διαβάστε περισσότερα

DISTANŢA DINTRE DOUĂ DREPTE NECOPLANARE

DISTANŢA DINTRE DOUĂ DREPTE NECOPLANARE DISTANŢA DINTRE DOUĂ DREPTE NECOPLANARE ABSTRACT. Materialul prezintă o modalitate de a afla distanţa dintre două drepte necoplanare folosind volumul tetraedrului. Lecţia se adresează clasei a VIII-a Data:

Διαβάστε περισσότερα

III. Serii absolut convergente. Serii semiconvergente. ii) semiconvergentă dacă este convergentă iar seria modulelor divergentă.

III. Serii absolut convergente. Serii semiconvergente. ii) semiconvergentă dacă este convergentă iar seria modulelor divergentă. III. Serii absolut convergente. Serii semiconvergente. Definiţie. O serie a n se numeşte: i) absolut convergentă dacă seria modulelor a n este convergentă; ii) semiconvergentă dacă este convergentă iar

Διαβάστε περισσότερα

Circuite electrice in regim permanent

Circuite electrice in regim permanent Ovidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu, Electronică - Probleme apitolul. ircuite electrice in regim permanent. În fig. este prezentată diagrama fazorială a unui circuit serie. a) e fenomen este

Διαβάστε περισσότερα

Seminariile Capitolul X. Integrale Curbilinii: Serii Laurent şi Teorema Reziduurilor

Seminariile Capitolul X. Integrale Curbilinii: Serii Laurent şi Teorema Reziduurilor Facultatea de Matematică Calcul Integral şi Elemente de Analiă Complexă, Semestrul I Lector dr. Lucian MATICIUC Seminariile 9 20 Capitolul X. Integrale Curbilinii: Serii Laurent şi Teorema Reiduurilor.

Διαβάστε περισσότερα

RĂSPUNS Modulul de rezistenţă este o caracteristică geometrică a secţiunii transversale, scrisă faţă de una dintre axele de inerţie principale:,

RĂSPUNS Modulul de rezistenţă este o caracteristică geometrică a secţiunii transversale, scrisă faţă de una dintre axele de inerţie principale:, REZISTENTA MATERIALELOR 1. Ce este modulul de rezistenţă? Exemplificaţi pentru o secţiune dreptunghiulară, respectiv dublu T. RĂSPUNS Modulul de rezistenţă este o caracteristică geometrică a secţiunii

Διαβάστε περισσότερα

CAPITOLUL 6. TRANZISTOARE UNIPOLARE 6.1. TRANZISTOARE UNIPOLARE - GENERALITĂŢI

CAPITOLUL 6. TRANZISTOARE UNIPOLARE 6.1. TRANZISTOARE UNIPOLARE - GENERALITĂŢI CATOLUL 6. TAZTOAE UOLAE 6.1. TAZTOAE UOLAE EEALTĂŢ pre deosebire de tranzistoarele bipolare, tranzistoarele unipolare utilizează un singur tip de purtători de sarcină (electroni sau goluri) care circulă

Διαβάστε περισσότερα

1.3. Fenomene secundare în funcţionarea tranzistorului bipolar cu joncţiuni

1.3. Fenomene secundare în funcţionarea tranzistorului bipolar cu joncţiuni 1 2 1.3. Fenomene secundare în funcţionarea tranzistorului bipolar cu joncţiuni 1.3.1. Efectul Early (modularea grosimii bazei) În analiza funcţionării tranzistorului bipolar prezentată anterior, a fost

Διαβάστε περισσότερα

Lucrarea Nr. 5 Circuite simple cu diode (Aplicaţii)

Lucrarea Nr. 5 Circuite simple cu diode (Aplicaţii) ucrarea Nr. 5 Circuite simple cu diode (Aplicaţii) A.Scopul lucrării - Verificarea experimentală a rezultatelor obţinute prin analiza circuitelor cu diode modelate liniar pe porţiuni ;.Scurt breviar teoretic

Διαβάστε περισσότερα

4. Tranzistoare bipolare 4.1 Structură şi procese fizice in tranzistorul bipolar (TB)

4. Tranzistoare bipolare 4.1 Structură şi procese fizice in tranzistorul bipolar (TB) apitolul 4 Tranzistoare bipolare 4. Tranzistoare bipolare 4.1 Structură şi procese fizice in tranzistorul bipolar (T) Tranzistorul este un dispozitiv electronic activ, cu trei terminale, care realizează

Διαβάστε περισσότερα

VII.2. PROBLEME REZOLVATE

VII.2. PROBLEME REZOLVATE Teoria Circuitelor Electrice Aplicaţii V PROBEME REOVATE R7 În circuitul din fiura 7R se cunosc: R e t 0 sint [V] C C t 0 sint [A] Se cer: a rezolvarea circuitului cu metoda teoremelor Kirchhoff; rezolvarea

Διαβάστε περισσότερα

a n (ζ z 0 ) n. n=1 se numeste partea principala iar seria a n (z z 0 ) n se numeste partea

a n (ζ z 0 ) n. n=1 se numeste partea principala iar seria a n (z z 0 ) n se numeste partea Serii Laurent Definitie. Se numeste serie Laurent o serie de forma Seria n= (z z 0 ) n regulata (tayloriana) = (z z n= 0 ) + n se numeste partea principala iar seria se numeste partea Sa presupunem ca,

Διαβάστε περισσότερα

AMPLIFICATOR CU TRANZISTOR BIPOLAR ÎN CONEXIUNE CU EMITORUL COMUN

AMPLIFICATOR CU TRANZISTOR BIPOLAR ÎN CONEXIUNE CU EMITORUL COMUN AMPLIFICATOR CU TRANZISTOR BIPOLAR ÎN CONEXIUNE CU EMITORUL COMUN Montajul Experimental În laborator este realizat un amplificator cu tranzistor bipolar în conexiune cu emitorul comun (E.C.) cu o singură

Διαβάστε περισσότερα

Functii definitie, proprietati, grafic, functii elementare A. Definitii, proprietatile functiilor X) functia f 1

Functii definitie, proprietati, grafic, functii elementare A. Definitii, proprietatile functiilor X) functia f 1 Functii definitie proprietati grafic functii elementare A. Definitii proprietatile functiilor. Fiind date doua multimi X si Y spunem ca am definit o functie (aplicatie) pe X cu valori in Y daca fiecarui

Διαβάστε περισσότερα

Functii definitie, proprietati, grafic, functii elementare A. Definitii, proprietatile functiilor

Functii definitie, proprietati, grafic, functii elementare A. Definitii, proprietatile functiilor Functii definitie, proprietati, grafic, functii elementare A. Definitii, proprietatile functiilor. Fiind date doua multimi si spunem ca am definit o functie (aplicatie) pe cu valori in daca fiecarui element

Διαβάστε περισσότερα

Elemente de circuit rezistive. Uniporţi şi diporţi rezistivi. Caracteristici de intrare şi de transfer.

Elemente de circuit rezistive. Uniporţi şi diporţi rezistivi. Caracteristici de intrare şi de transfer. Elemente de circuit rezistive. Uniporţi şi diporţi rezistivi. Caracteristici de intrare şi de transfer. Scopul lucrării: Învăţarea folosirii osciloscopului în mod de lucru X-Y. Vizualizarea caracteristicilor

Διαβάστε περισσότερα

i R i Z D 1 Fig. 1 T 1 Fig. 2

i R i Z D 1 Fig. 1 T 1 Fig. 2 TABILIZATOAE DE TENINE ELECTONICĂ Lucrarea nr. 5 TABILIZATOAE DE TENINE 1. copurile lucrării: - studiul dependenţei dintre tensiunea stabilizată şi cea de intrare sau curentul de sarcină pentru stabilizatoare

Διαβάστε περισσότερα

11.3 CIRCUITE PENTRU GENERAREA IMPULSURILOR CIRCUITE BASCULANTE Circuitele basculante sunt circuite electronice prevăzute cu o buclă de reacţie pozitivă, folosite la generarea impulsurilor. Aceste circuite

Διαβάστε περισσότερα

a. 11 % b. 12 % c. 13 % d. 14 %

a. 11 % b. 12 % c. 13 % d. 14 % 1. Un motor termic funcţionează după ciclul termodinamic reprezentat în sistemul de coordonate V-T în figura alăturată. Motorul termic utilizează ca substanţă de lucru un mol de gaz ideal având exponentul

Διαβάστε περισσότερα

1.1. Procese fizice în tranzistorul bipolar cu joncţiuni polarizat în regiunea activă normală

1.1. Procese fizice în tranzistorul bipolar cu joncţiuni polarizat în regiunea activă normală 1 1.1. Procese fizice în tranzistorul bipolar cu joncţiuni polarizat în regiunea actiă normală Se a considera cazul unui tranzistor npn. Funcţionarea tranzistorului pnp este principial aceeaşi dacă se

Διαβάστε περισσότερα

11.2 CIRCUITE PENTRU FORMAREA IMPULSURILOR Metoda formării impulsurilor se bazează pe obţinerea unei succesiuni periodice de impulsuri, plecând de la semnale periodice de altă formă, de obicei sinusoidale.

Διαβάστε περισσότερα

REDRESOARE MONOFAZATE CU FILTRU CAPACITIV

REDRESOARE MONOFAZATE CU FILTRU CAPACITIV REDRESOARE MONOFAZATE CU FILTRU CAPACITIV I. OBIECTIVE a) Stabilirea dependenţei dintre tipul redresorului (monoalternanţă, bialternanţă) şi forma tensiunii redresate. b) Determinarea efectelor modificării

Διαβάστε περισσότερα

Asupra unei inegalităţi date la barajul OBMJ 2006

Asupra unei inegalităţi date la barajul OBMJ 2006 Asupra unei inegalităţi date la barajul OBMJ 006 Mircea Lascu şi Cezar Lupu La cel de-al cincilea baraj de Juniori din data de 0 mai 006 a fost dată următoarea inegalitate: Fie x, y, z trei numere reale

Διαβάστε περισσότερα

Figura 1. Caracteristica de funcţionare a modelului liniar pe porţiuni al diodei semiconductoare..

Figura 1. Caracteristica de funcţionare a modelului liniar pe porţiuni al diodei semiconductoare.. I. Modelarea funcţionării diodei semiconductoare prin modele liniare pe porţiuni În modelul liniar al diodei semiconductoare, se ţine cont de comportamentul acesteia atât în regiunea de conducţie inversă,

Διαβάστε περισσότερα

SIGURANŢE CILINDRICE

SIGURANŢE CILINDRICE SIGURANŢE CILINDRICE SIGURANŢE CILINDRICE CH Curent nominal Caracteristici de declanşare 1-100A gg, am Aplicaţie: Siguranţele cilindrice reprezintă cea mai sigură protecţie a circuitelor electrice de control

Διαβάστε περισσότερα

CAPITOLUL 3. STABILIZATOARE DE TENSIUNE

CAPITOLUL 3. STABILIZATOARE DE TENSIUNE CAPTOLL 3. STABLZATOAE DE TENSNE 3.1. GENEALTĂȚ PVND STABLZATOAE DE TENSNE. Stabilizatoarele de tensiune sunt circuite electronice care furnizează la ieșire (pe rezistența de sarcină) o tensiune continuă

Διαβάστε περισσότερα

Fig. 1 A L. (1) U unde: - I S este curentul invers de saturaţie al joncţiunii 'p-n';

Fig. 1 A L. (1) U unde: - I S este curentul invers de saturaţie al joncţiunii 'p-n'; ELECTRONIC Lucrarea nr.3 DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE 1. Scopurile lucrării: - ridicarea caracteristicilor statice ale unor dispozitive optoelectronice uzuale (dioda electroluminiscentă, fotodiodă, fototranzistorul);

Διαβάστε περισσότερα

Circuite cu diode în conducţie permanentă

Circuite cu diode în conducţie permanentă Circuite cu diode în conducţie permanentă Curentul prin diodă şi tensiunea pe diodă sunt legate prin ecuaţia de funcţionare a diodei o cădere de tensiune pe diodă determină valoarea curentului prin ea

Διαβάστε περισσότερα

4. Măsurarea tensiunilor şi a curenţilor electrici. Voltmetre electronice analogice

4. Măsurarea tensiunilor şi a curenţilor electrici. Voltmetre electronice analogice 4. Măsurarea tensiunilor şi a curenţilor electrici oltmetre electronice analogice oltmetre de curent continuu Ampl.c.c. x FTJ Protectie Atenuator calibrat Atenuatorul calibrat divizor rezistiv R in const.

Διαβάστε περισσότερα

Lucrarea Nr. 10 Stabilizatoare de tensiune

Lucrarea Nr. 10 Stabilizatoare de tensiune ucrarea Nr. 10 Stabilizatoare de tensiune Scopul lucrării - studiul funcţionării diferitelor tipuri de stabilizatoare de tensiune; - determinarea parametrilor de calitate ai stabilizatoarelor analizate;

Διαβάστε περισσότερα

L1. DIODE SEMICONDUCTOARE

L1. DIODE SEMICONDUCTOARE L1. DIODE SEMICONDUCTOARE L1. DIODE SEMICONDUCTOARE În lucrare sunt măsurate caracteristicile statice ale unor diode semiconductoare. Rezultatele fiind comparate cu relaţiile analitice teoretice. Este

Διαβάστε περισσότερα

riptografie şi Securitate

riptografie şi Securitate riptografie şi Securitate - Prelegerea 12 - Scheme de criptare CCA sigure Adela Georgescu, Ruxandra F. Olimid Facultatea de Matematică şi Informatică Universitatea din Bucureşti Cuprins 1. Schemă de criptare

Διαβάστε περισσότερα

CIRCUITE CU DZ ȘI LED-URI

CIRCUITE CU DZ ȘI LED-URI CICUITE CU DZ ȘI LED-UI I. OBIECTIVE a) Determinarea caracteristicii curent-tensiune pentru diode Zener. b) Determinarea funcționării diodelor Zener în circuite de limitare. c) Determinarea modului de

Διαβάστε περισσότερα

Dioda Zener şi stabilizatoare de tensiune continuă

Dioda Zener şi stabilizatoare de tensiune continuă Laborator 2 Dioda Zener şi stabilizatoare de tensiune continuă Se vor studia dioda Zener şi stabilizatoarele de tensiune continua cu diodă Zener şi cu diodă Zener si tranzistor serie. Pentru diodă se va

Διαβάστε περισσότερα

COMUTAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR

COMUTAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR Lucrarea nr. 2 COMUAREA RANZISORULUI BIPOLAR Cuprins I. Scopul lucrării II. III. IV. Noţiuni teoretice Desfăşurarea lucrării emă de casă 1 I. Scopul lucrării : Se studiază regimul de comutare al tranzistorului

Διαβάστε περισσότερα

M. Stef Probleme 3 11 decembrie Curentul alternativ. Figura pentru problema 1.

M. Stef Probleme 3 11 decembrie Curentul alternativ. Figura pentru problema 1. Curentul alternativ 1. Voltmetrele din montajul din figura 1 indică tensiunile efective U = 193 V, U 1 = 60 V și U 2 = 180 V, frecvența tensiunii aplicate fiind ν = 50 Hz. Cunoscând că R 1 = 20 Ω, să se

Διαβάστε περισσότερα

Componente şi Circuite Electronice Pasive. Laborator 4. Măsurarea parametrilor mărimilor electrice

Componente şi Circuite Electronice Pasive. Laborator 4. Măsurarea parametrilor mărimilor electrice Laborator 4 Măsurarea parametrilor mărimilor electrice Obiective: o Semnalul sinusoidal, o Semnalul dreptunghiular, o Semnalul triunghiular, o Generarea diferitelor semnale folosind placa multifuncţională

Διαβάστε περισσότερα

MONTAJE CU IMPEDANŢĂ DE INTRARE MĂRITĂ

MONTAJE CU IMPEDANŢĂ DE INTRARE MĂRITĂ DCE I Îndrumar de laorator Lucrarea nr. 5 MONTAJU IMPEDANŢĂ DE INTRARE MĂRITĂ I. Scopul lucrării II. Noţiuni teoretice III. Desfăşurarea lucrării IV. Temă de casă V. Simulări VI. Anexă DCE I Îndrumar de

Διαβάστε περισσότερα

Curs 1 Şiruri de numere reale

Curs 1 Şiruri de numere reale Bibliografie G. Chiorescu, Analiză matematică. Teorie şi probleme. Calcul diferenţial, Editura PIM, Iaşi, 2006. R. Luca-Tudorache, Analiză matematică, Editura Tehnopress, Iaşi, 2005. M. Nicolescu, N. Roşculeţ,

Διαβάστε περισσότερα

COMPARATOARE DE TENSIUNE CU AO FĂRĂ REACŢIE

COMPARATOARE DE TENSIUNE CU AO FĂRĂ REACŢIE COMPARATOARE DE TENSIUNE CU AO FĂRĂ REACŢIE I. OBIECTIVE a) Determinarea caracteristicilor statice de transfer în tensiune pentru comparatoare cu AO fără reacţie. b) Determinarea tensiunilor de ieşire

Διαβάστε περισσότερα

DIODA SEMICONDUCTOARE

DIODA SEMICONDUCTOARE LUCRRE NR.1 IO SEMICONUCTORE Scopul lucrării - Ridicarea caracteristicilor şi determinarea principalilor parametri ai diodelor semiconductoare; studiul comportării diodei semiconductoare în circuite elementare.

Διαβάστε περισσότερα

a) b) c) Fig Caracteristici de amplitudine-frecvenţă ale amplificatoarelor.

a) b) c) Fig Caracteristici de amplitudine-frecvenţă ale amplificatoarelor. Clasificarea amplificatoarelor Amplificatoarele pot fi comparate după criterii diverse şi corespunzător există numeroase variante de clasificare ale amplificatoarelor. În primul rând, dacă pot sau nu să

Διαβάστε περισσότερα

Capitolul 2. Functionarea tranzistorului MOS.

Capitolul 2. Functionarea tranzistorului MOS. Capitolul 2. Functionarea tranzistorului MOS. Circuitele integrate MOS au fost realizate la inceput in tehnologia PMOS, datorita predictibilitatii tensiunii de prag pentru acest tip de tranzistoare. Pe

Διαβάστε περισσότερα

2.1 Amplificatorul de semnal mic cu cuplaj RC

2.1 Amplificatorul de semnal mic cu cuplaj RC Lucrarea nr.6 AMPLIFICATOAE DE SEMNAL MIC 1. Scopurile lucrării - ridicarea experimentală a caracteristicilor amplitudine-frecvenţă pentru amplificatorul cu cuplaj C şi amplificatorul selectiv; - determinarea

Διαβάστε περισσότερα

Definiţia generală Cazul 1. Elipsa şi hiperbola Cercul Cazul 2. Parabola Reprezentari parametrice ale conicelor Tangente la conice

Definiţia generală Cazul 1. Elipsa şi hiperbola Cercul Cazul 2. Parabola Reprezentari parametrice ale conicelor Tangente la conice 1 Conice pe ecuaţii reduse 2 Conice pe ecuaţii reduse Definiţie Numim conica locul geometric al punctelor din plan pentru care raportul distantelor la un punct fix F şi la o dreaptă fixă (D) este o constantă

Διαβάστε περισσότερα

SERII NUMERICE. Definiţia 3.1. Fie (a n ) n n0 (n 0 IN) un şir de numere reale şi (s n ) n n0

SERII NUMERICE. Definiţia 3.1. Fie (a n ) n n0 (n 0 IN) un şir de numere reale şi (s n ) n n0 SERII NUMERICE Definiţia 3.1. Fie ( ) n n0 (n 0 IN) un şir de numere reale şi (s n ) n n0 şirul definit prin: s n0 = 0, s n0 +1 = 0 + 0 +1, s n0 +2 = 0 + 0 +1 + 0 +2,.......................................

Διαβάστε περισσότερα

DIODA STABILIZATOARE CU STRĂPUNGERE

DIODA STABILIZATOARE CU STRĂPUNGERE LUCRAREA NR. 2 DIODA STABILIZATOARE CU STRĂPUNGERE OBIECTIE:. Să se studieze efectul Zener sau străpungerea inversă; 2. Să se observe diferenţa între ramurile de străpungere ale caracteristicilor diodelor

Διαβάστε περισσότερα

Fig Stabilizatorul de tensiune continuă privit ca un cuadripol, a), şi caracteristica de ieşire ideală, b).

Fig Stabilizatorul de tensiune continuă privit ca un cuadripol, a), şi caracteristica de ieşire ideală, b). 6. STABILIZATOARE DE TENSIUNE LINIARE 6.1. Probleme generale 6.1.1. Definire si clasificare Un stabilizator de tensiune continuă este un circuit care, alimentat de la o sursă de tensiune continuă ce prezintă

Διαβάστε περισσότερα