Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου ΙΙ 2
|
|
- Σωφρόνιος Βυζάντιος
- 6 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο (FET FET) Ι Κεφάλαια 4 ο και 6 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση. Το MOS τρανζίστορ σε ενισχτές. Ενισχτής κοινής πύλης 3. Ενισχτής κοινής πηγής 4. Ενισχτής κοινής ποδοχής 5. Καθρέπτης ρεύματος 6. CMOS ενισχτής VLS Techly ad Cputer rchtecture Lab Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ
2 Τοπολογία το πό Μελέτη Ενισχτή Για να χρησιμοποιηθεί τρανζίστορ MOSFET σε κκλώματα ενισχτών θα πρέπει να λειτοργεί, με την κατάλληλη πόλωση, στην περιοχή κόρο. = d Ο S Δίθρο Δικτύωμα Ι S Έξοδος Είσοδος MOS S Ενισχτής s Σήμα S S S = V S s V S Πόλωση Ι (t) Ο (t) S = V S ds V Τροφοδοσία Είσοδος Έξοδος Στο σχήμα δίδεται κύκλωμα ενισχτή με χρήση MOS τρανζίστορ. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 3 Το MOS ως Ενισχτής (Ι) Κόρος V C Ανάλση V Ο V S Στο κύκλωμα το σχήματος, η εύρεση το σημείο λειτοργίας (C πόλωσης) επιτγχάνεται θέτοντας s =0. V Ι V S Είσοδος MOS Έξοδος Το ρεύμα στον απαγωγό, για την περιοχή το κόρο, θα δίνεται από τη σχέση: S Ενισχτής V S K V V S t V S χωρίς να λαμβάνεται π όψιν το φαινόμενο διαμόρφωσης καναλιού, δηλ. λ 0. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 4
3 Το MOS ως Ενισχτής (ΙΙ) Κόρος V Επιπλέον ισχύει (από KVL): V S V Το τρανζίστορ θα λειτοργεί στην περιοχή το κόρο όταν V S > (V S V t )>0. MOS V S Καθώς θα πρέπει να λάβομε π όψιν και τη μεταβαλλόμενη σνιστώσα της S το V S θα πρέπει να είναι πολύ μεγαλύτερο το (V S V t )! V S Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 5 Κόρος V Το MOS ως Ενισχτής (ΙΙ) ΑC Ανάλση Με δεδομένο ότι S = V S s, θα ισχύει: K V K V V S t S s t MOS K V V K V V K S t S t s s s S S V S Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 6 3
4 Κόρος V Το MOS ως Ενισχτής (ΙV) Ισοδύναμα γράφομε: K V S V t s K s μη γραμμικός όρος MOS s S V S Αν κρατήσομε το σήμα εισόδο s μικρό έτσι ώστε: K s K VS Vt s ή αλλιώς: s << (V S V t ) τότε καθώς = d θα ισχύει: d K VS Vt s Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 7 Το MOS ως Ενισχτής (V) Κόρος Η παράμετρος πο σνδέει τα d και s είναι η και ονομάζεται διαγωγιμότητα: V d W K V V V V s S t t x L S t s MOS S V S ή / t x W/L Η διαγωγιμότητα αντιπροσωπεύει την κλίση της d s χαρακτηριστικής στο σημείο πόλωσης: d s S V S Ι Σημείο Λειτοργίας (Πόλωσης) V t V S S Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 8 4
5 Κόρος V Το MOS ως Ενισχτής (V) Για την τάση στον απαγωγό θα ισχύει (KVL): S V V ( d ) S V d VS d s MOS S V S Επειδή S = V S ds ισχύει ότι το σήμα στον απαγωγό θα δίνεται από τη σχέση: ds d Σνεπώς η απολαβή (κέρδος) τάσης θα είναι: s Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 9 ds Το μείον στη σχέση δηλώνει διαφορά φάσης των δύο σημάτων 80 ο s ax V χαρακτηριστική εισόδο εξόδο στον κόρο Το MOS ως Ενισχτής (V) Q κλίση = V κλίση Q V S V χαρακτηριστική εξόδο κόρος Sax V S S V S V V t S Sax S S V S εθεία φόρτο Sax S S V pp_ S V pp_ t Είσοδος t Έξοδος Sax < V S Sax V t Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 0 5
6 Πηγή Ρεύματος Ελεγχόμενη από Τάση S V εθεία φόρτο d s σημείο λειτοργίας s Sax Ι V S Ι V S S V t V S S t t ds S Το MOS σμπεριφέρεται ως μία πηγή ρεύματος ελεγχόμενη από τάση Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ Ισοδύναμο Μοντέλο Ασθενούς Σήματος / t x W/L r V Μοντέλο Ασθενούς Σήματος για Λειτοργία στον Κόρο Το μοντέλο είναι το ίδιο και για pmos και για MOS τρανζίστορ s s d r Λαμβάνοντας πόψιν το μοντέλο ασθενούς σήματος το τρανζίστορ στον προηγούμενο ενισχτή, το κέρδος τάσης θα είναι: s S ds //r Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 6
7 Μη Γραμμική Λειτοργία εθεία φόρτο > ax Sax V S S V S V S t t S Μη γραμμική παραμόρφωση καθώς το στιγμιαίο σημείο λειτοργίας εισέρχεται στην τρίοδο περιοχή. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 3 Ενισχτής V =5V =0ΚΩ =0MΩ Παράδειγμα 4(Ι) Ποιο το κέρδος τάσης ασθενούς σήματος για το κύκλωμα το σχήματος και ποια η αντίσταση εισόδο, αν V t =.5V, K =0.5/V και V = 50V; L =0ΚΩ Αγνοήστε το φαινόμενο διαμόρφωσης μήκος καναλιού στις εξισώσεις το ρεύματος στον κόρο. Η αντίσταση L είναι ο φόρτος στην έξοδο το ενισχτή. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 4 7
8 V =5V =0ΚΩ Παράδειγμα 4(ΙΙ) Εύρεση Σημείο Λειτοργίας C Ανάλση Ισχύει ότι V S =V S Λειτοργία στον κόρο καθώς εξασφαλίσαμε ότι V S > V S V t! =0MΩ K V V S t =0 L =0ΚΩ K V V S t Στο C οι πκνωτές δρον ως ανοικτοκκλώματα! Λύνοντας έχομε το σημείο λειτοργίας: V S και: V =.06 και V S =V S =4.4V Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 5 Παράδειγμα 4(ΙΙΙ) =0ΚΩ C Ανάλση Μικρού Σήματος Η αντίσταση εξόδο r θα είναι: =0MΩ L =0ΚΩ r V 47KΩ Στην C λειτοργία οι πκνωτές δρον ως βραχκκλώματα! Η διαγωγιμότητα θα είναι: Στην ΑC ανάλση οι C πηγές τάσης βραχκκλώνονται και οι C πηγές ρεύματος ανοικτοκκλώνονται! Δηλ. οι C πηγές μηδενίζονται! K V V 0.75 / V S Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 6 t 8
9 Παράδειγμα 4(ΙV) s s s L r S S Ν. Oh Χρήση ισοδύναμο κκλώματος ασθενούς σήματος. Αγνοούμε το ρεύμα μέσα από την καθώς =0MΩ >>>. s // //r // // r L L Σνεπώς το κέρδος τάσης θα είναι: // //r 3. 3 Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 7 L Παράδειγμα 4(V) s s r L S S Μοντέλο Τρανζίστορ Ενισχτής Το ρεύμα εισόδο θα είναι: Ν. Oh Η αντίσταση εισόδο θα είναι: ed Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 8.33MΩ ( ) 9
10 Ο Ενισχτής Κοινής Πηγής () Κόρος V Ι Βασικό Κύκλωμα Μελέτης Ενισχτών με MOSFET Z L Ο ακροδέκτης Υ (πηγή) σνδέεται στη γη. Το σήμα εισόδο σνδέεται στον ακροδέκτη Χ (πύλη). Η αντίσταση φόρτο σνδέεται στον ακροδέκτη Ζ (απαγωγός ποδοχή). Το κύκλωμα αποτελεί δίθρο με τη θύρα εισόδο ανάμεσα στην πύλη και τη πηγή (γη) και τη θύρα εξόδο ανάμεσα στον απαγωγό και την πηγή (γη). Σνεπώς η πηγή είναι κοινός ακροδέκτης και στις δύο θύρες. Z V SS Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 9 C Ανάλση Μικρού Σήματος Ο Ενισχτής Κοινής Πηγής (Ι) Αντικατάσταση MOSFET με το ισοδύναμο κύκλωμα ασθενούς σήματος. Για την εύρεση της αντίστασης εισόδο εφαρμόζομε στην είσοδο τάση και λαμβάνοντας πόψιν το ρεύμα προκύπτει: Z s s L r Τρανζίστορ άπειρη S Ενισχτής * Η L είναι ο φόρτος και δεν αποτελεί τμήμα το ενισχτή ( L θεωρείται ) Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 0 0
11 Ο Ενισχτής Κοινής Πηγής (ΙΙ) Για την εύρεση της αντίστασης εξόδο ut θέτομε =0 και L = * Σνεπώς, s = = 0! Εφαρμόζομε τάση z στην έξοδο και λαμβάνοντας ας πόψιν το ρεύμα z προκύπτει: ut z z // r =0 βραχκκλωμένη μηδενίζεται Z s s L r Τρανζίστορ S Ενισχτής ut * Η L είναι ο φόρτος και δεν αποτελεί τμήμα το ενισχτή ( L θεωρείται ) Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ άπειρη z z Ο Ενισχτής Κοινής Πηγής (ΙV) Κέρδος Τάσης ut Ανοικτού Κκλώματος L (χωρίς την s = L ) Τρανζίστορ s // //r // L s r L ut Κέρδος Τάσης Z L S Ενισχτής Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ
12 Ο Ενισχτής Κοινής Πύλης () Κόρος V Z Ο ακροδέκτης Χ (πύλη) σνδέεται στη γη. Το σήμα εισόδο σνδέεται στον ακροδέκτη Υ (πηγή). Η αντίσταση φόρτο σνδέεται στον ακροδέκτη Ζ (απαγωγός ποδοχή). Ι L Το κύκλωμα αποτελεί δίθρο με τη θύρα εισόδο ανάμεσα στην πηγή και τη πύλη (γη) και τη θύρα εξόδο ανάμεσα στον απαγωγό και τη πύλη (γη). Σνεπώς η πύλη είναι κοινός ακροδέκτης και στις δύο θύρες. Z V SS Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 3 Ο Ενισχτής Κοινής Πύλης (Ι) Αντικατάσταση MOSFET με το ισοδύναμο κύκλωμα ασθενούς σήματος. Για να απλοποιήσομε το κύκλωμα χρησιμοποιούμε το δεδομένο ότι η r είναι μια πολύ μεγάλη αντίσταση και σνεπώς μπορεί να παραληφθεί! s = = βραχκκλωμένη μηδενίζεται s Ενισχτής s L r Τρανζίστορ r Z * Η S L είναι ο φόρτος και δεν αποτελεί τμήμα το ενισχτή ( L θεωρείται ) Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 4 άπειρη
13 Ο Ενισχτής Κοινής Πύλης (ΙΙ) Για την εύρεση της αντίστασης εξόδο ut θέτομε =0 & L =! Εφαρμόζομε τάση z στην έξοδο το ενισχτή. s = 0 ut = // r (r ) Τρανζίστορ Ενισχτής s s r L z S =0 Z ut Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 5 άπειρη Ο Ενισχτής Κοινής Πύλης (V) s = L // r Κέρδος Τάσης Δεχόμαστε ότι η r είναι μια πολύ μεγάλη αντίσταση και σνεπώς μπορεί να παραληφθεί! Τρανζίστορ Ενισχτής Z s s r L S Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 6 3
14 Ο Ενισχτής Κοινής Υποδοχής () Κόρος V Z Ο ακροδέκτης Ζ (ποδοχή) σνδέεται στη γη. Το σήμα εισόδο σνδέεται στον ακροδέκτη Χ (πύλη). Η αντίσταση φόρτο σνδέεται στον ακροδέκτη Υ (πηγή). Ι Το κύκλωμα αποτελεί δίθρο με την ποδοχή ως κοινό ακροδέκτη των δύο θρών. Ακόλοθος Πηγής L Surce Fllwer V SS Z Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 7 Ο Ενισχτής Κοινής Υποδοχής (Ι) Αντικατάσταση MOSFET με το ισοδύναμο κύκλωμα ασθενούς σήματος. Για την εύρεση της αντίστασης εισόδο εφαρμόζομε στην είσοδο τάση και λαμβάνοντας πόψιν το ρεύμα προκύπτει: Τρανζίστορ s S Ενισχτής s r L Z άπειρη * Η L είναι ο φόρτος και δεν αποτελεί τμήμα το ενισχτή ( L θεωρείται ) Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 8 βραχκκλωμένη μηδενίζεται 4
15 Ο Ενισχτής Κοινής Υποδοχής (ΙΙΙ) Για την εύρεση της αντίστασης εξόδο ut θέτομε =0 & L =! Εφαρμόζομε τάση y στην έξοδο το ενισχτή. y = ( /r //r s = y y y y ) ut y < < r r =0 βραχκκλωμένη μηδενίζεται Τρανζίστορ s y S Ενισχτής y s y L r ut Z Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 9 Ο Ενισχτής Κοινής Υποδοχής (V) Κέρδος Τάσης Ανοικτού Κκλώματος < s r sr / r L Τρανζίστορ s Ενισχτής s r Z S sr L Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 30 5
16 Ο Ενισχτής Κοινής Υποδοχής (V) Κέρδος Τάσης //r //r L s L L //r //r / L Τρανζίστορ s Ενισχτής s r Z αν L >>/ S L Χρήση ως απομονωτής Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 3 Ενισχτής Μόνο με Χρήση MOS (Ι) V Μόνιμα στον κόρο τρίοδος Q Καμπύλη Φόρτο κόρος = Q s Ο S V S S S S O S = S = V S = V O = K ( S V t ) = K (V S V t ) Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 3 6
17 Ενισχτής Μόνο με Χρήση MOS (Ι) V Μόνιμα στον κόρο Κόρος Τρίοδος Q Q Αποκοπή Χαρακτηριστική Μεταφοράς (εισόδο εξόδο) s V S S Ο S Θεωρούμε ότι V t =V t =V t. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 33 Ενισχτής Μόνο με Χρήση MOS (Ι) = =. V Στον κόρο το Q ισχύει: = K ( S V t ) = K ( V t ) S S s V S S Q Q Ο Θεωρούμε ότι V t =V t =V t. = K ( S V t ) = K (V Ο V t ) O V V Σνεπώς: t K V t K K K Το κύκλωμα λειτοργεί ως γραμμικός ενισχτής μεγάλο σήματος με κέρδος τάσης: K K W/L W/L Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 34 7
18 Ενισχτής Μόνο με Χρήση MOS (ΙV) Σμπεριφορά το ενισχτή σε ασθενή σήματα. Χρήση μοντέλων ασθενούς σήματος. = s [(/ ) // r // r ] και s = /r /r (W/L) (W/L) S C x W/L s s / s r s r Στην ΑC ανάλση οι C πηγές τάσης βραχκκλώνονται! S Q: MOS Q: MOS Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 35 Καθρέπτης Ρεύματος Λειτοργεί στον κόρο O Κλίση V S = V S V S V O Πρέπει να λειτοργεί στον κόρο όριο Κόρο Τριόδο EF = K (V S V t ) O = K (V S V t ) O EF K K O EF W/L W/L Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 36 8
19 MOS Καθρέπτες Ρεύματος Cascde Βασικός Wls Τροποποιημένος Wls Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 37 Ο CMOS Ενισχτής (Ι) Q : ενεργό φορτίο Q στην τρίοδο Q στον κόρο Κλίση S Χαρακτηριστική Q S = V Ο και S = Ο Τα Q QQ 3 αποτελούν ένα ταιριασμένο ζεύγος τρανζίστορ (έχον ίδια χαρακτηριστικά) και σνθέτον μία πηγή ρεύματος ελεγχόμενη από το ρεύμα αναφοράς EF. Το Q πρέπει να λειτοργεί στον κόρο όπο και θα ισχύει: V r EF S V Ο Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 38 9
20 Ο CMOS Ενισχτής (ΙΙ) Q στην τρίοδο Q στον κόρο κλίση r Κέρδος Ασθενούς Σήματος: r //r S Χαρακτηριστικές Q (Q : σνδεσμολογία κοινής πηγής) C x W/L EF 4KEF Αν r =r r r K EF V V EF V Q : Αποκοπή Q : Κόρος Q : Τρίοδος Q : Κόρος Q : Κόρος Q : Τρίοδος Q : Κόρος Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 39 Ο CMOS Ενισχτής (ΙΙΙ) = s (r // r ) και s = Στην ΑC ανάλση οι C πηγές τάσης βραχκκλώνονται και οι C πηγές ρεύματος ανοικτοκκλώνονται! (r //r ) s (r //r ) s s s 0 ο r s r s =0 S Q: MOS Q: pmos Χρήση μοντέλων ασθενούς σήματος για Q και Q. Το Q 3 δεν επηρεάζει την ανάλση μικρού σήματος! Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 40 S 0
21 Παράδειγμα 5(Ι) Δεδομένα: V =0V, V t = V tp = V, K =00μ/V, K p =50μ/V, V =00V και EF =00μ. Ζητούμενα: α) Ποιο το κέρδος ασθενούς σήματος; β) Ποια τα όρια της περιοχής ενίσχσης, δηλ. της γραμμικής περιοχής (περιοχή ΙΙΙ) στην χαρακτηριστική εισόδο εξόδο; (α) K EF V 00 Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 4 Παράδειγμα 5(ΙΙ) (β) Προσδιορισμός της τάσης V S των Q και Q 3, όπο ισχύει = EF. Χρήση σχέσης ρεύματος στον κόρο. K p Έτσι V S =.44V. V S VS Vtp V Q στην τρίοδο Q στον κόρο Άρα: V O = V (V S V tp ) = 8.586V. S V O = Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 4
22 Παράδειγμα 5(ΙΙΙ) Λύνοντας ως προς O καταλήγομε στη σχέση: Για τον προσδιορισμό της V ΙΑ εκμεταλλεόμαστε το γεγονός ότι τα ρεύματα ποδοχής των Q και Q είναι ίσα. O K Vt V EF K p V O VS Vtp V V V O EF K Vt EF V Αντικαθιστώντας: O = V O = 8.585V και =V παίρνομε V =.963V Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 43 Παράδειγμα 5(ΙV) V O Καθώς η γραμμική περιοχή είναι πολύ στενή μπορούμε να θεωρήσομε ότι V ΙΒ V ΙΑ =V. Επειδή το Β ανήκει στο όριο κόρο και τριόδο περιοχής ισχύει: V ΟΒ =V ΙB V t =V. Και σε ατή την περίπτωση ισχύει: V V O EF K Vt EF V Αντικαθιστώντας: O = V OΒ = V και =V Β παίρνομε V Β =.039V Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 44
23 Παράδειγμα 5(V) V O Χρησιμοποιώντας τη νέα τιμή το V B στη σχέση πο ορίζει το όριο μεταξύ κόρο και τριόδο, παίρνομε την νέα (πιο ακριβή) τιμή το V OB : V ΟΒ =V ΙB V t =.039V Ισχύει: ΔV Ι = V ΙΒ V ΙΑ = 37V και αντίστοιχα: ΔV ΟΒ = V ΟΑ V ΟΒ = 7.586V V Το κέρδος τάσης ισχρού σήματος θα είναι: 3 O V 99. V Κλίση της εθείας ed Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 45 Το MOS Τρανζίστορ ως Διακόπτης V s V V Ι s V T T t Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 46 3
24 Παράδειγμα 6(Ι) V =0V Δεδομένα: Στο κύκλωμα το σχήματος ισχύει: V =0V, V t =.V και =45KΩ., t =45KΩ Ι Ζητούμενα: Να δοθεί η κματομορφή εξόδο το κκλώματος =f( s ) αν η είσοδος έχει την κματομορφή πο ακολοθεί. s s 0V 5s t Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 47 Παράδειγμα 6(Ι) 00μ V. V S = V V S = 0V V S = 8V s 0V.V 00μΑ K( S Vt) V S = 6V V S V t =.V 0V V S =V V =0V Η S χαρακτηριστική θεωρείται δεδομένο το προβλήματος S S =V T=5s ed Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίο ΙΙ 48 t 4
Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Φαινομένου
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τρανζίστορ Φαινομένο Πεδίο (FET FET) Ι Κεφάλαια 4 ο και 6 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση. Το MO τρανζίστορ σε ενισχτές. Ενισχτής
Διαβάστε περισσότεραΤρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου ((FET) Γ.Πεδίου
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ((FET) FET) ΙΙ Τρανζίστορ Φαινοµένο ΙΙ Γ.Πεδίο Τσιατούχας ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένο Πεδίο ΙΙ Το MO ως Ενισχτής
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 7 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. 4. Ο CMOS διαφορικός ενισχυτής
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Διαφορικός Ενισχτής MOS Κεφάλαιο 7 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση. Το διαφορικό ζεύγος. Διαφορικό κέρδος κοινού σήματος 3.
Διαβάστε περισσότεραΤο ιαφορικό Ζεύγος MOS (ΙΙ)
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιαφορικός Ενισχτής MO S MOS ιαφορικός Ενισχτής Γ. MOS Τσιατούχας ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιαφορικός Ενισχτής MOS Το ιαφορικό Ζεύγος MOS (Ι) G Φόρτος Q ()
Διαβάστε περισσότεραΗ Λ Ε Κ Τ Ρ Ο Ν Ι Κ Η
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Φροντιστηριακές Ασκήσεις Ι Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας Άσκηση η1 1) Στο κύκλωμα οι τελεστικοί ενισχτές 2 είναι ιδανικοί () και =10ΚΩ. α) Υπολογίστε
Διαβάστε περισσότεραΓ. Τσιατούχας. VLSI systems and Computer Architecture Lab. Εισαγωγή στη Θεωρία Κυκλωμάτων 2
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Εισαγωγή γή στη Θεωρία Κκλωμάτων Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση. Ηλεκτρονικό κύκλωμα. Νόμοι Krcoff 3. Κκλωματικά στοιχεία Σνδέσεις
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 1 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ενισχυτές 2
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Ενισχτές Κεφάλαιο ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας VSI Technlgy and Cmputer rchtecture ab ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση. Ενισχτές 2. Κέρδος τάσης, ρεύματος,
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Κυκλώματα ιόδων 2
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Κκλώματα Διόδων Κεφάλαιο 3 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ LSI echnology an Compue Achecue Lab Διάρθρωση. Ιδανική δίοδος 2. Μοντέλα διόδων
Διαβάστε περισσότεραΤο Τρανζίστορ ως Ενισχυτής (ΙΙ)
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιπολικό Τρανζίστορ Επα φής ΙΙ Επαφής ιπολικό ΤρανζίστορΓΕπαφής. Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 2 1 Το Τρανζίστορ ως Ενισχτής
Διαβάστε περισσότεραAC λειτουργία Ισοδύναμα κυκλώματα μικρού σήματος του
A λειτοργία Ισοδύναμα κκλώματα μικρού σήματος το διπολικού τρανζίστορ Το τρανζίστορ ως ενισχτής Επαλληλία της D πόλωσης με το A σήμα: + Το ρεύμα σλλέκτη γράφεται: S ( + )/ S / / / Η διαγωγιμότητα μικρού
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τελεστικοί Ενισχυτές 2
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τελεστικοί Ενισχτές Κεφάλαιο ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας VLS Technology and Computer rchtecture Lab ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση. Ιδανικός τελεστικός
Διαβάστε περισσότεραΓ. Τσιατούχας. 1. Δίθυρα Δίκτυα. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. Ανάλυση ικτύου ΙΙI
ΑΣΙΚΣ ΑΡΧΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων ΑΝΑΛΥΣΗ ΔΙΚΤΥΟΥ ΙΙ ο Κεφάλαιο Γ. Τσιατούχας Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Διάρθρωση. Δίθρα Δίκτα. Παραδείγματα LS Systems and ompute Actectue Lab Μονόθρα
Διαβάστε περισσότερα3. Μετασχηματισμοί Πηγών 4. Μεταφορά Μέγιστης Ισχύος 5. Μη Γραμμικά Κυκλωματικά Στοιχεία 6. Ανάλυση Μικρού Σήματος
ΒΑΣΙΚΕΣ ΑΡΧΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων ΑΝΑΛΥΣΗ ΔΙΚΤΥΟΥ ΙΙ ο Κεφάλαιο Γ. Τσιατούχας Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Διάρθρωση. Μονόθρα Δίκτα. Θεωρήματα hevenn Norton. Μετασχηματισμοί Πηγών
Διαβάστε περισσότερα3. Μετασχηματισμοί Πηγών 4. Μεταφορά Μέγιστης Ισχύος 5. Μη Γραμμικά Κυκλωματικά Στοιχεία 6. Ανάλυση Μικρού Σήματος
ΒΑΣΙΚΕΣ ΑΡΧΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων ΑΝΑΛΥΣΗ ΔΙΚΤΥΟΥ ΙΙ ο Κεφάλαιο Γ. Τσιατούχας Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Διάρθρωση. Μονόθρα Δίκτα. Θεωρήματα hevenn Norton. Μετασχηματισμοί Πηγών
Διαβάστε περισσότεραΗ Ιδανική ίοδος. Η Ιδανική ίοδος σε Ανορθωτή. Ανάστροφη Πόλωση. Ορθή Πόλωση
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Κκλώµατα ιόδων Κκλώµατα ιόδων Γ. Τσιατούχας ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Κκλώµατα ιόδων 2 Η Ιδανική ίοδος Άνοδος Κάθοδος Ανάστροφη Πόλωση 0 Ορθή Πόλωση Αν στην
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονικό Κύκλωµα. ΟΝόµος Kirchhoff για το Ρεύµα -KCL
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εισαγωγή στη Θεωρία Κκλωµάτων Εισαγωγή στη Θεωρία Γ Κκλωµάτων. Τσιατούχας ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εισαγωγή στη Θεωρία Κκλωµάτων Ηλεκτρονικό Κύκλωµα Ένα ηλεκτρονικό
Διαβάστε περισσότερα3. Δίθυρα Δικτυώματα
ΒΑΣΙΚΕΣ ΑΡΧΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΑ ΙΙ Γ. Τσιατούχας Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Θέματα. Θεώρημα Thevenin. Θεώρημα Norton. Δίθρα Δικτώματα LS systems nd Computer Architecture
Διαβάστε περισσότεραΤρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου (FET) FET) Ι VLI Techology ad Comuter Architecture Lab Τρανζίστορ Φαινοµένου Ι Γ.Πεδίου Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ
Διαβάστε περισσότεραΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Ενισχυτές. Ενισχυτές. ΕνισχυτέςΓ. Τσιατούχας
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ενισχτές ΕνισχτέςΓ. Τσιατούχας ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ενισχτές 2 Σήµατα Σήµα: πληροφορία πο αφορά τη δραστηριότητα το φσικού κόσµο. Σνήθως, τα σήµατα µετατρέπονται
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων CMOS Αναστροφέας Κεφάλαιο ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας VLSI Systems ad Computer Architecture Lab ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Διάρθρωση 1. I V χαρακτηριστική
Διαβάστε περισσότεραΕνισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)
Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Βασικά κυκλώµατα ενισχυτών µε transstr MOS Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Transstr ως ενισχυτής Ενισχυτής κοινής πηγής (cmmn surce amplfer (κύκλωµα αντιστροφέα
Διαβάστε περισσότεραV CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής Επα φής Ι VLS Technology and omputer Archtecture Lab ιπολικό ΤρανζίστορΓ. Επαφής Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση
Διαβάστε περισσότεραΤρανζίστορ FET Επαφής
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου ((FET) FET) Ι Τρανζίστορ Φαινοµένου Ι Γ.Πεδίου Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 1 Τρανζίστορ
Διαβάστε περισσότεραΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ
Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ 4.1 MOS Τρανζίστορ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙV ΤΟ MOS ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 4.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική. Ενότητα 9: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (FET) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών
Ηλεκτρονική Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενο ενότητας (1 από 2) Τύποι τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (JFET, MOSFET, MESFET). Ομοιότητες και διαφορές των FET με τα διπολικά
Διαβάστε περισσότεραΠόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης
Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών & Πληροφορικής Μάθημα: Βασικά Ηλεκτρονικά Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης Εργασία των Άννα Μαγιάκη και Καλλιόπης-Κλέλιας Λυκοθανάση Χειμερινό
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI
Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1 Δομή Παρουσίασης MOSFET
Διαβάστε περισσότεραΗ ιδανική Δίοδος. Ορθή πόλωση Χαρακτηριστική τάσης ρεύματος της ιδανικής διόδου. Ανάστροφη πόλωση
Δίοδοι Η ιδανική Δίοδος Ορθή πόλωση Χαρακτηριστική τάσης ρεύματος της ιδανικής διόδο. Ανάστροφη πόλωση Εφαρμογή: Ο ιδανικός Ανορθωτής Κύκλωμα Ανορθωτή Κματομορφή Εισόδο Ορθή πόλωση Ανάστροφη πόλωση Ημιανόρθωση:
Διαβάστε περισσότεραμιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ
Βασικές τοολογίες ενισχτών μιας βαθμίδας με διολικά τρανζίστορ Ενισχτής κοινού Εκομού Πόλωση με δικτύωμα τεσσάρων αντιστάσεων. Το C σήμα εισόδο εισάγεται στη Βάση το τρανζίστορ μέσω ενός κνωτή σύζεξης.
Διαβάστε περισσότεραΔιπολικά τρανζίστορ (BJT)
Διπολικά τρανζίστορ (BJT) Το τρανζίστορ npn Εκπομπός Σλλέκτης Βάση Σχηματική παράσταση το τρανζίστορ npn Περιοχές λειτοργίας διπολικού τρανζίστορ Περιοχή EBJ BJ Αποκοπή Ανάστροφα Ανάστροφα Εγκάρσια τομή
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή. Στο κεφάλαιο αυτό θα µελετηθεί ο τελεστικός ενισχυτής.
Εισαγωγή Στο κεφάλαιο ατό θα µελετηθεί ο τελεστικός ενισχτής. Οι πρώτοι τελεστικοί ενισχτές ήταν κατασκεασµένοι από διακριτά στοιχεία (λχνίες κενού, και κατόπιν τρανζίστορ και αντιστάσεις) και το κόστος
Διαβάστε περισσότεραμιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ
Βασικές τοολογίες ενισχτών μιας βαθμίδας με διολικά τρανζίστορ Ενισχτής κοινού Εκομού Πόλωση με δικτύωμα τεσσάρων αντιστάσεων. Το C σήμα εισόδο εισάγεται στη Βάση το τρανζίστορ μέσω ενός κνωτή σύζεξης.
Διαβάστε περισσότεραΠόλωση των Τρανζίστορ
Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση λέμε την κατάλληλη συνεχή τάση που πρέπει να εφαρμόσουμε στο κύκλωμα που περιλαμβάνει κάποιο ηλεκτρονικό στοιχείο (π.χ τρανζίστορ), έτσι ώστε να εξασφαλίσουμε την ομαλή λειτουργία
Διαβάστε περισσότεραΤα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής
Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Τα πιο βασικά στοιχεία δομής των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων
Διαβάστε περισσότεραΜοντέλα Διόδων i. Δίοδος Διακόπτης Δίοδος Πηγή. i=i(υ) i=i(υ) i i. i i. = 0 γιά. 0 γιά. Παρεμπόδισης
Μοντέλα Διόδων Ανάστροφη Δναµικό Πόλωση Κατάρρεσης PI Ορθή Πόλωση Δναμικό Παρεμπόδισης Δίοδος Διακόπτης Δίοδος Πηγή =() =() 0 γιά = 0 = 0 γιά < 0 0 γιά = 0 γιά = < Μοντέλα Διόδων σνεχ. Ανάστροφη Δναµικό
Διαβάστε περισσότερα1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed.
Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας ΗΥ430: Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων Άνοιξη 2005 Εργαστηριακές Ασκήσεις Περιεχόμενα 1 Διπολικό και MOS τρανσίστορ................................... 2 2 Ενισχυτές με διπολικά
Διαβάστε περισσότεραΥ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs
Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs Γιάννης Λιαπέρδος TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Ενισχυτής
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) 1 FET Δομή και λειτουργία Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός
Διαβάστε περισσότεραΣτατική ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική
Στατική ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMO Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Στατική (C) ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMO Θα εξάγουµε τη χαρακτηριστική τάσης = f( ) (καθώς και τη χαρακτηριστική ρεύµατος
Διαβάστε περισσότερα3. Νόμοι Kirchhoff 4. Αντιστάσεις Πυκνωτές Πηνία 5. Διαιρέτης Τάσης Ρεύματος 6. Ηλεκτρική Ισχύς
ΒΑΣΙΚΕΣ ΑΡΧΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων ΕΙΣΑΓΩΓΗ ο Κεφάλαιο Γ. Τσιατούχας Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Διάρθρωση. Ηλεκτρικό κύκλωμα. Ρεύματα Τάσεις. Πηγές ρεύματος τάσης. Νόμοι Krchhoff
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI
Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων S «Διαφορικά Ζεύγη» Φώτης Πλέσσας fplessas@f.uth.r Δομή Παρουσίασης Αναθεώρηση απλής διαφορικής λειτουργίας Περιγραφή και ανάλυση του διαφορικού ζεύγους Λόγος απόρριψης κοινού
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική
Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 5: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (MOS-FET, J-FET) Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα
Διαβάστε περισσότεραΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2
ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2 Το διαφορικό ζεύγος Το κάτω τρανζίστορ (I bias ) καθορίζει το ρεύμα του κυκλώματος Τα δυο πάνω τρανζίστορ συναγωνίζονται γιατοποιοθαπάρειαυτότορεύμα 2 Ανάλυση
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική ΙΙ 5 ο εξάμηνο
5 ο εξάμηνο Αλκης Χατζόπουλος Καθηγητής Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχ. και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Εργαστήριο Ηλεκτρονικής 1/33 Αλκης Χατζόπουλος - Eργαστήριο Ηλεκτρονικής Τμ.Η.Μ.Μ.Υ. Α.Π.Θ. 5 ο εξάμηνο 1. Διαφορικός
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές
Διαβάστε περισσότεραΔιπολικά τρανζίστορ (BJT)
Διπολικά τρανζίστορ (BJT) Το τρανζίστορ npn Εκπομπός Σλλέκτης Βάση Σχηματική παράσταση το τρανζίστορ npn Περιοχές λειτοργίας διπολικού τρανζίστορ Περιοχή EBJ BJ Αποκοπή Ανάστροφα Ανάστροφα Εγκάρσια τομή
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4: Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές
Διαβάστε περισσότερα4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET
4 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το MOSFET Άσκηση 12η. Ενισχυτής κοινής πηγής με MOSFET, DC λειτουργία. 1. Υλοποιείστε το κύκλωμα του ενισχυτή κοινής πηγής με MOSFET (2Ν7000) του Σχ. 1. V DD = 12 V C by R g = 50 C i R A 1
Διαβάστε περισσότερα2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ
ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ T.E.I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 1 Περιεχόμενα 2 ης ενότητας Στην δεύτερη ενότητα θα ασχοληθούμε
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών
Ηλεκτρονική Ενότητα 6: Η A λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Το μοντέλο μικρού σήματος του τρανζίστορ. Οι παράμετροι μικρού
Διαβάστε περισσότεραΗ ιδανική Δίοδος. Ορθή πόλωση Χαρακτηριστική τάσης ρεύματος της ιδανικής διόδου. Ανάστροφη πόλωση
Δίοδοι Η ιδανική Δίοδος Ορθή πόλωση Χαρακτηριστική τάσης ρεύματος της ιδανικής διόδο. Ανάστροφη πόλωση Εφαρμογή: Ο ιδανικός Ανορθωτής Κύκλωμα Ανορθωτή Κματομορφή μ Εισόδο Ορθή πόλωση Ανάστροφη πόλωση Ημιανόρθωση:
Διαβάστε περισσότερα3. Νόμοι Kirchhoff 4. Αντιστάσεις Πυκνωτές Πηνία 5. Διαιρέτης Τάσης Ρεύματος 6. Ηλεκτρική Ισχύς
ΒΑΣΙΚΕΣ ΑΡΧΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων ΕΙΣΑΓΩΓΗ ο Κεφάλαιο Γ. Τσιατούχας Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Διάρθρωση. Ηλεκτρικό κύκλωμα. Ρεύματα Τάσεις. Πηγές ρεύματος τάσης. Νόμοι Krchhoff
Διαβάστε περισσότεραΔιαφορικοί Ενισχυτές
Διαφορικοί Ενισχυτές Γενικά: Ο Διαφορικός ενισχυτής (ΔΕ) είναι το βασικό δομικό στοιχείο ενός τελεστικού ενισχυτή. Η λειτουργία ενός ΔΕ είναι η ενίσχυση της διαφοράς μεταξύ δύο σημάτων εισόδου. Τα αρχικά
Διαβάστε περισσότεραΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Α. Αναστροφέας MOSFET. Α.1 Αναστροφέας MOSFET µε φορτίο προσαύξησης. Ο αναστροφέας MOSFET (πύλη NOT) αποτελείται από
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου
Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός
Διαβάστε περισσότεραΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1
ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1 Ενισχυτές ενός τρανζίστορ Ο στόχος αυτής της παρουσίασης είναι 1. Μελέτη των χαρακτηριστικών ενός ενισχυτή 2. Ανάλυση του ενισχυτή χρησιμοποιώντας ωμικά φορτία 2 Χαρακτηριστικά
Διαβάστε περισσότεραΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5
ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5 Cascode Κυκλώματα (1/2) Χρησιμοποιούμε ένα κοινήςπύλης/βάσης τρανζίστορ για να: Βελτιώσουμε την αντίσταση εξόδου ενός άλλου τρανζίστορ. V drain Μειώσουμε το φαινόμενο Gate-to-
Διαβάστε περισσότερα«Αναθεώρηση των FET Transistor»
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Αναθεώρηση των FET Transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή FET Χαρακτηριστικά Λειτουργία Πόλωση Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για FET ΤΗΜΜΥ - 2
Διαβάστε περισσότεραΕνισχυτές με FET. Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής
Ενισχυτές με FET Σπύρος Νικολαΐδης Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ενισχυτές με FET Τα FET οδηγούνται με την τάση u GS ενώ τα BJT με το ρεύμα i B Μηχανισμός ενίσχυσης Για το FET η σχέση
Διαβάστε περισσότερα4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ
ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ T..I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Περιεχόμενα 4 ης ενότητας Στην τέταρτη ενότητα θα μελετήσουμε τους ενισχυτές
Διαβάστε περισσότεραΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Πάτρα 0 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Τ.Ε.Ι. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ Ενότητες του μαθήματος Η πιο συνηθισμένη επεξεργασία αναλογικών σημάτων είναι η ενίσχυση τους, που επιτυγχάνεται με
Διαβάστε περισσότεραΤελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής
Τελεστικοί Ενισχυτές Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ο ιδανικός τελεστικός ενισχυτής Είσοδος αντιστροφής Ισοδύναμα Είσοδος μη αντιστροφής A( ) A d 2 1 2 1
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών) Διεργασίες Μικροηλεκτρονικής Τεχνολογίας, Οξείδωση, Διάχυση, Φωτολιθογραφία, Επιμετάλλωση, Εμφύτευση, Περιγραφή CMOS
Διαβάστε περισσότερα1 1+ Η εφαρµογή ανάδρασης υποβιβάζει την αντίσταση εξόδου στην τιµή
V o g S o ( R r ), m Επειδή β, είναι Τ V,. Το κέρδος κλειστού βρόχου υπολογίζεται ως Vf, 0,957, Η αντίσταση εισόδου είναι ίση µε ΜΩ. Η αντίσταση εξόδου είναι z o 5 k 40k 4, 44kΩ Η εφαρµογή ανάδρασης υποβιβάζει
Διαβάστε περισσότεραΆσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης
ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 5 Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη των
Διαβάστε περισσότεραΒασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική
Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Ηµιαγώγιµα υλικά και πυρίτιο Η κατασκευή ενός ολοκληρωµένου κυκλώµατος γίνεται µε βάση ένα υλικό ηµιαγωγού (semiconductor), το οποίο
Διαβάστε περισσότεραΕρωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET
Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET 1. Nα σχεδιάσετε τη δομή (διατομή) και το κυκλωματικό σύμβολο ενός τρανζίστορ MOSFET πύκνωσης (ή εμπλουτισμού) καναλιού τύπου n. 2. Να αναπτύξετε τις
Διαβάστε περισσότεραΝα σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,
Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ) με τα εξής χαρακτηριστικά: 3 k, 50, k, S k και V 5 α) Nα υπολογιστούν οι τιμές των αντιστάσεων β) Να επιλεγούν οι χωρητικότητες C, CC έτσι ώστε ο ενισχυτής
Διαβάστε περισσότεραΑριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.
Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ασκήσεις Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Θεσσαλονίκη, Σεπτέμβριος 2015 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό
Διαβάστε περισσότεραΣΤΟΙΧΕΙΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ. Σ.Δ. Φωτόπουλος 1/24. ΘΕΩΡΙΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ και ΣΗΜΑΤΩΝ
ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ 1/24 βασικά μεγέθη φορτίο ρεύμα τάση ενέργεια ισχύς 2/24 ορισμοί στοιχείο κκλώματος είναι το μαθηματικό μοντέλο ενός πραγματικού στοιχείο πο έχει δύο
Διαβάστε περισσότεραΕργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος
Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος Αναφορά αποτελεσμάτων εργαστηριακών μετρήσεων και μετρήσεων προσομοίωσης κυκλωμάτων εργαστηρίου Ονόματα φοιτητών ομάδας Μουστάκα
Διαβάστε περισσότεραΓ. Τσιατούχας. 1. Διαγράμματα Bode. VLSI systems and Computer Architecture Lab. Φροντιστήρια ΙV
ΒΑΣΙΚΕΣ ΑΡΧΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΑ ΙV Γ. Τσιατούχας Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Θέματα. Διαγράμματα Bode. Φίλτρα VLSI systems and Computer Architecture Lab Πρόβλημα:
Διαβάστε περισσότεραΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ
ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: /6/6 ΘΕΜΑ ο (5 μονάδες Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: =, = 6 kω, = kω και = = Ε = = kω, ενώ για το τρανζίστορ δίνονται: = 78, β
Διαβάστε περισσότερα«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ»
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗMMΥ Σκοπός διάλεξης Παρουσίαση των σημαντικότερων τοπολογιών ενισχυτών με ένα και περισσότερα
Διαβάστε περισσότεραΛογικά Κυκλώματα CMOS. Διάλεξη 5
Λογικά Κυκλώματα CMOS Διάλεξη 5 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή Η τεχνολογία αντιστροφέων CMOS Λειτουργία του κυκλώματος Χαρακτηριστική μεταφοράς τάσης Περιθώρια θορύβου Κατανάλωση ισχύος Οι πύλες CMOS NOR
Διαβάστε περισσότεραΆσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET)
ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 7 Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET) Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η κατανόηση της λειτουργία των
Διαβάστε περισσότεραΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Πάτρα 0 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Τ.Ε.Ι. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ Ενότητες του μαθήματος Η πιο συνηθισμένη επεξεργασία αναλογικών σημάτων είναι η ενίσχυση τους, που επιτυγχάνεται με
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών
Ηλεκτρονική Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Ενισχυτής κοινού εκπομπού, ενισχυτής
Διαβάστε περισσότεραΕνισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT
Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Πόλωση BJT Η πόλωση τρανζίστορ όπως την έχετε γνωρίσει, υποφέρει από δύο βασικά μειονεκτήματα: Υπερβολική χρήση πηγών dc. Το γεγονός αυτό είναι ιδιαίτερα έντονο σε κυκλώματα πολυβάθμιων
Διαβάστε περισσότεραΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;
ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; Ηλεκτρονικοί Υπολογιστές Κινητά τηλέφωνα Τηλεπικοινωνίες Δίκτυα Ο κόσμος της Ηλεκτρονικής Ιατρική Ενέργεια Βιομηχανία Διασκέδαση ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τι περιέχουν οι ηλεκτρονικές
Διαβάστε περισσότερα«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο
ΤΕΙ Δυτικής Ελλάδας Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Εργαστήριο Σχεδίασης Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων «Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο 2016-2017 Διάλεξη 2 η :
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3: Τρανζίστορ FET Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης Το παρόν
Διαβάστε περισσότεραΑΝΑΛΥΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΟΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΜΕΛΕΤΗ DC ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑΣ Στο σχήμα φαίνεται ένα κύκλωμα κοινού εκπομπού από το βρόχο εισόδου Β-Ε ο νόμος του Kirchhoff δίνει: Τελικά έχουμε: I I BB B B E E BE B BB E IE
Διαβάστε περισσότεραΠανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Εργαστήριο Συστημάτων VLSI και Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών. Γεώργιος Τσιατούχας
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Η Λ Ε Κ Τ Ρ Ο Ν Ι Κ Η Εργαστηριακές Ασκήσεις Γεώργιος Τσιατούχας Ιωάννινα 2017 VLSI Systems and Computer Architecture Lab ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ Ο Τελεστικός
Διαβάστε περισσότεραΤελεστικοί Ενισχυτές
Τελεστικοί Ενισχυτές Ενισχυτές-Γενικά: Οι ενισχυτές είναι δίθυρα δίκτυα στα οποία η τάση ή το ρεύμα εξόδου είναι ευθέως ανάλογη της τάσεως ή του ρεύματος εισόδου. Υπάρχουν τέσσερα διαφορετικά είδη ενισχυτών:
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Ενισχυτές
Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MO Ενισχυτέςενόςσταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Βασική Φυσική Στοιχείων MOS
Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός
Διαβάστε περισσότεραΥ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ
Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ Γιάννης Λιαπέρδος TI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Ιστορικά Στοιχεία Περιεχόμενα 1 Ιστορικά
Διαβάστε περισσότερα5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ
ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ T.E.I. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 1 Περιεχόμενα 5 ης ενότητας Στην πέμπτη ενότητα θα μελετήσουμε την ανατροφοδότηση
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές
Διαβάστε περισσότερα5 Ενισχυτές τρανζίστορ σε χαμηλές συχνότητες
5 Ενισχυτές τρανζίστορ σε χαμηλές συχνότητες 5. Περιοχή γραμμικής ενισχυτικής λειτουργίας του τρανζίστορ Στην προηγούμενη ενότητα μελετήσαμε την πόλωση του τρανζίστορ σε ένα σταθερό σημείο λειτουργίας,
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου
Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 1 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. CMOS Κυκλώματα 2
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων MOS Ψηφιακά Κυκλώματα Κεφάλαιο 1 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Διάρθρωση 1. Άλγεβρα oole Χάρτης Karnaugh 2. MOS τρανζίστορ 3.
Διαβάστε περισσότεραρ. Λάμπρος Μπισδούνης
ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής T.E.. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ιδάσκων και ώρες / αίθουσα διδασκαλίας ιδάσκων: Λάμπρος Μπισδούνης Γραφείο: Εργαστήριο Ηλεκτρονικών, ος όροφος Σ.Τ.Ε.
Διαβάστε περισσότεραΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):
ΘΕΜΑ 1 ο ( μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: V 10V, V BE 0.7 V, Β 200 kω, 1 kω, 1 kω, β 100. (α) Να προσδιορίσετε το σημείο λειτουργίας Q (V E, I ) του τρανζίστορ. (1 μονάδα) (β)
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 9 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. CMOS Λογικές ομές 2
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Συνδυαστική Λογική Κεφάλαιο 9 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Διάρθρωση 1. Στατική CMOS λογική και λογική 2. Διαφορική λογική 3.
Διαβάστε περισσότερα13 Γενική Μηχανική 1 Γενικότητες Κινηματική του Υλικού Σημείου 15/9/2014
13 Γενική Μηχανική 1 Γενικότητες Κινηματική το Υλικού Σημείο 15/9/14 Η Φσική της Α Λκείο σε 8.1 sec 1. Γενικότητες Κινηματική το λικού σημείο Μεταβολή & Ρθμός μεταβολής Μεταβολή ενός μεγέθος ονομάζομε
Διαβάστε περισσότερα2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131
Περιεχόμενα v ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1: ΔΙΟΔΟΙ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ...1 1.1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ...1 1.2 ΥΛΙΚΑ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ: Ge, Si ΚΑΙ GaAs...2 1.3 ΟΜΟΙΟΠΟΛΙΚΟΙ ΔΕΣΜΟΙ ΚΑΙ ΕΝΔΟΓΕΝΗ ΥΛΙΚΑ...3 1.4 ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΕΣ ΣΤΑΘΜΕΣ...6 1.5 ΕΞΩΓΕΝΗ
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός είδους
Διαβάστε περισσότερα