ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΚΑΒΑΛΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΚΑΒΑΛΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ"

Transcript

1 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΚΑΒΑΛΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΜΕΤΡΗΤΗ ΑΠΟΣΤΑΣΗΣ ΓΙΑ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΑΥΤΟΚΙΝΗΤΩΝ (ΠΑΡΚΙΝΓΚ) DISTANCE METER MANUFACTOR FOR CAR APPLICATION (PARKING) ΕΚΠΟΝΗΣΗ ΕΠΙΘΕΤΟ: ΜΠΙΡΜΠΙΛΗΣ ΟΝΟΜΑ: ΘΕΟΦΑΝΗΣ Α.Ε.Μ : 4659 Ε.Ε : Ε' Εργαστηριακή Άσκηση 2 η : Επέκταση κλίμακας αμπερομέτρου ή βολτομέτρου Ημερομηνία εκτέλεσης εργασίας: Διδάσκοντας Καθηγητής Κων/νίδης Χάρ.

2 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ Περίληψη... 3 Εισαγωγή... Σφάλμα! Δεν έχει οριστεί σελιδοδείκτης. Κεφαλαίο 1 Θεωρητική εισαγωγή... Σφάλμα! Δεν έχει οριστεί σελιδοδείκτης. 1.1 Αισθητήρες στο αυτοκίνητο γενικότερα 1.2 Πρότυπα PCD 1.3 Λειτουργία ανιχνευτή 1.4 Ιδιότητες υλικων 1.5 transistor Κεφαλαίο 2 Κατασκευή... Σφάλμα! Δεν έχει οριστεί σελιδοδείκτης. 2.1 Χαρακηριστικά, τεχνικές προδιαγραφές 2.2 συναρμολόγηση της βάσης PCB: P3502B 2.3 Συναρμολόγηση του δέκτη PCB: P3502S 2.4 TEST Κεφαλαίο 3 Εφαρμογή... Σφάλμα! Δεν έχει οριστεί σελιδοδείκτης. Συμπεράσματα... Σφάλμα! Δεν έχει οριστεί σελιδοδείκτης. Βιβλιογραφία... Σφάλμα! Δεν έχει οριστεί σελιδοδείκτης.

3 ΠΕΡΙΛΗΨΗ Η παρούσα πτυχιακή εργασία εκπονήθηκε στο χειμερινό του 2013 στο τμήμα ηλεκτρολογίας του ΤΕΙ Καβάλας και αναφέρεται στην Κατασκευή ανιχνευτή για έλεγχο πάρκινγκ, ο σκοπός της εργασίας είναι να κατασκευάσουμε έναν ανιχνευτή απόστασης ώστε να μας διευκολύνει κατά το παρκάρισμα, επίσης να κάνουμε κάποιες μετρήσεις και να μελετήσουμε την λειτουργία του. Θα ήθελα να ευχαριστήσω θερμά τον Επίκουρο Καθηγητή κ. Λ. Μαγκαφά, επιβλέποντα της πτυχιακής εργασίας, για τις ουσιαστικές υποδείξεις του, την υποστήριξη και την άψογη συνεργασία όλο αυτό το χρονικό διάστημα. Ξεχωριστή αναφορά επιθυμώ να κάνω στην οικογένεια μου για την αμείωτη συμπαράστασή της σε ευχάριστες και δυσάρεστες στιγμές κατά τη διάρκεια της φοίτησης μου στο ΤΕΙ Καβάλας γιατί χωρίς αυτήν στο πλευρό μου όλα θα ήταν διαφορετικά.

4 ΕΙΣΑΓΩΓΗ Πλέον η καθημερινή χρήση του αυτοκινήτου έχει γίνει τρόπος ζωής. Οι διευκολύνσεις που έχει επιφέρει είναι αναμφισβήτητες, αλλά κανείς δεν μπορεί να αγνοήσει τα προβλήματα που συνεπάγεται η μαζική και υπέρμετρη χρήση του. Ένα καθημερινό πρόβλημα κυρίως στις μεγάλες πόλεις είναι το παρκάρισμα, άλλοι οδηγοί έχουν με την εμπειρία την αίσθηση του χώρου στο αυτοκίνητο και άλλοι όχι, με αποτέλεσμα να έχουμε συχνό φαινόμενο γρατζουνιές και χτυπήματα στα αυτοκίνητα. Σήμερα με την βοήθεια της τεχνολογίας έχουμε την δυνατότητα να παρκάρουμε με περισσότερη άνεση και σιγουριά. Εικόνα 1: Παρκάρισμα το 1994

5 Εικόνα 1.1: παρκάρισμα το 2014 Θεωριτηκή Εισαγωγή 1.1 Αισθητήρες στο αυτοκίνητο γενικότερα Πριν από κάποια χρόνια κανείς δεν μπορούσε να αντιληφθεί ότι στο χώρο του αυτοκινήτου σημαντική θέση θα καταλάμβαναν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα, οι ηλεκτρονικοί αισθητήρες και γενικά όλες οι εφαρμογές της μικρο-μηχανικής και της νανο-τεχνολογίας. Είναι σίγουρα λογικό το γεγονός πως πριν από μια με δυο δεκαετίες αν κάποιος ανέφερε τα ολοκληρωμένα κυκλώματα και το πλήθος αισθητήρων που χρησιμοποιούνται σε ένα αυτοκίνητο ελέγχοντας πολλές παραμέτρους τόσο του κινητήρα, όσο και του οχήματος γενικότερα, δεν θα ήταν πιστευτό. Αυτή την εποχή πολλές γνωστές εταιρείες κατασκευάζουν τέτοια κυκλώματα που συνήθως τοποθετούνται στους αισθητήρες που υπάρχουν στα καινούργια αυτοκίνητα, με σκοπό τη βελτίωση κάποιων από τους παράγοντες που σχετίζονται με την ασφάλεια, την άνεση της οδήγησης, την αξιοπιστία και την διαχείριση του κινητήρα. Η αλήθεια είναι πως από την στιγμή που εμφανίσθηκαν οι πρώτοι αισθητήρες και τα πρώτα ηλεκτρονικά συστήματα και βοηθήματα, θα ήταν αδύνατο να μην παίξουν καθοριστικό ρόλο όλα αυτά τα ολοκληρωμένα κυκλώματα τα οποία χαρακτηρίζονται από την τελευταία λέξη της τεχνολογίας. Αυτά τα ολοκληρωμένα κυκλώματα όπως είναι γνωστό υπάγονται στον χώρο της μικρομηχανικής τεχνολογίας και μάλιστα τα τελευταία χρόνια καθοριστικής σημασίας είναι και ο χώρος της νανο-τεχνολογίας ο οποίος ασχολείται και αυτός με προηγμένα ηλεκτρονικά κυκλώματα, απλά η μόνη διαφορά είναι στο μέγεθός τους που μπορεί να κυμαίνεται σε κάποια χιλιοστά έως και εκατομμύρια χιλιοστού.

6 Η μικρο-μηχανική τεχνολογία, στην οποία δίνεται περισσότερη σημασία αυτή την στιγμή, επιτρέπει την οικονομική παραγωγή προηγμένων αισθητήρων που χαρακτηρίζονται από το εξαιρετικά μικρό τους βάρος και το μικρό τους μέγεθος. Το ολοκληρωμένο κύκλωμα που τοποθετείται στο εσωτερικό των αισθητήρων έχει συγκεκριμένη δομή και το μέγεθός τους δεν ξεπερνάει ορισμένα εκατοστά του μικρομέτρου, ενώ περιβάλλεται από έναν σιλικονούχο ημιαγωγό λειτουργώντας σαν προστατευτικό υλικό και το οποίο σε υψηλές θερμοκρασίες αποσυντίθεται. Ενδεικτικά αναφέρεται πως οι αισθητήρες που κατασκευάζονται για την διαχείριση του κινητήρα των σημερινών αυτοκινήτων χρησιμοποιούνται από το 1994, ενώ από το 1997 κατασκευάστηκαν οι πρώτοι αισθητήρες επιτάχυνσης που σχετίζονταν άμεσα με το σύστημα αντι-μπλοκαρίσματος των φρένων ABS. Στην συνέχεια εμφανίσθηκαν και οι αισθητήρες που σχετίζονταν με την παρέκκλιση του αυτοκινήτου από την κανονική του πορεία, που όπως είναι γνωστό χρησιμοποιούνται στο γνωστό μας σύστημα ESP αλλά και στα γνωστά σε όλους μας συστήματα πλοήγησης (navigation). Και βέβαια η εξελικτική πορεία των αισθητήρων και γενικότερα της μικρο-μηχανικής τεχνολογίας τελειώνει εδώ μιας και από το 2001 έχουν κάνει αισθητή την παρουσία τους και οι αισθητήρες που μπορούν να ανιχνεύσουν την πιθανότητα ανατροπής του οχήματος ανάλογα με τις εκάστοτε συνθήκες. Επομένως, είναι φανερό πως το 2014 ο τομές των ηλεκτρονικών και συγκεκριμένα των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων που χρησιμοποιούνται για την κατασκευή των διάφορων αισθητήρων που τοποθετούνται στα αυτοκίνητα, δεν παρουσιάζει μια στάσιμη πορεία, αλλά αντιθέτως σημειώνει μια ανοδική πορεία διαρκούς εξέλιξης και βελτίωσης. Αυτό το φαινόμενο σίγουρα είναι αρεστό σε όλους καθώς προσδίδει ικανοποίηση και βεβαιότητα πως τα επόμενα χρόνια πολλά πράγματα θα έχουν αλλάξει στο χώρο του εξοπλισμού και ειδικά στον τομέα των παρελκομένων του κινητήρα του αυτοκινήτου. Η ύπαρξη αρκετών αισθητήρων πάνω στο αυτοκίνητο σίγουρα δεν αποτελεί αγχωτικό γεγονός για τον οδηγό καθώς δημιουργεί την πεποίθηση ότι όσο περισσότερα τόσο καλύτερα, αφού ο σκοπός της ύπαρξής τους είναι είτε προστατευτικός, είτε βελτιωτικός, αν και εφόσον σχετίζεται άμεσα με την απόδοση και τον τρόπο λειτουργίας του κινητήρα. Ωστόσο πρέπει να αναφερθεί ότι μια μεγάλη αύξηση των αισθητήρων στα σημερινά και μελλοντικά αυτοκίνητα, αυξάνει με όμοιο τρόπο και τον αριθμό των ηλεκτρονικών συστημάτων που θα υπάρχουν σε αυτά, αφού για να είναι αξιοποιήσιμες όλες οι πληροφορίες οι οποίες παρέχονται από τους διάφορους αισθητήρες θα πρέπει να οδηγούνται σε κάποιο ανάλογο σύστημα το οποίο θα τις συλλέγει, θα τις αναλύει και αναλόγως θα εξάγει αποτελέσματα που θα ρυθμίζουν αναλόγως πολλές από τις παραμέτρους του αυτοκινήτου. Δεν θα ήταν επιθυμητό η τεχνολογία να φτάσει σε επίπεδο όπου θα κυριαρχούν, τα ηλεκτρονικά παρελκόμενα του αυτοκινήτου σε βάρος του οδηγού, διαπιστώνοντας σε μια τέτοια περίπτωση πως ο ρόλος του οδηγού θα έχει αλλοιωθεί πλήρως. Όσο όμως η μικρο-μηχανική και η νανο-τεχνολογία θα υπάρχουν και θα διαδραματίζουν καθοριστικό ρόλο στην εξελικτική πορεία της τεχνολογίας, οι επιρροές θα είναι πολλές και τα αποτελέσματα ίσως μη ανατρέψιμα.

7 1.2 Συστήματα ασφάλειας οχημάτων Τα ηλεκτρονικά συστήματα ασφάλειας αποτελούνται από τα εξής 3 μέρη: Αισθητήρες: Είναι οι μικρές συσκευές που τοποθετούνται στο χώρο του αυτοκινήτου. Στην απουσία του οδηγού από το όχημα η συσκευή το ελέγχει, περίπου όπως ο ίδιος. Οι Ανιχνευτές κινήσεως (radars) βλέπουν. Οι Ανιχνευτές θραύσεως ακούνε και Οι παγίδες ανοίγματος, αντιλαμβάνονται αυτό που συμβαίνει στο αυτοκίνητο. Οι αισθητήρες του συστήματος αφού αντιληφθούν αμέσως το ανεπιθύμητο γεγονός μεταδίδουν την πληροφορία στην κεντρική μονάδα. Κεντρική μονάδα: Είναι ο εγκέφαλος του συστήματος, ο οποίος επεξεργάζεται τις πληροφορίες που λαμβάνει από τους αισθητήρες και ενεργοποιεί τις σειρήνες στέλνοντας ταυτόχρονα το ανάλογο σήμα στο Κέντρο λήψεως σήματος. 1.3 Πρότυπα PCD Υπάρχουν πρότυπα βιομηχανίας για σχεδόν κάθε πτυχή του σχεδίου PCB. Αυτά τα πρότυπα ελέγχονται από το ίδρυμα IPC (www.ipc.org), (πρώην institute for Interconnecting and Packaging electronic Circuits). Υπάρχουν ένα IPC πρότυπο για κάθε πτυχή του σχεδίου PCB, που αφορά την κατασκευή, τη δοκιμή, και οτιδήποτε άλλο είναι γενικώς απαραίτητο για την δημιουργία ενός τυπωμένου κυκλώματος. Το σατανικότερο έγγραφο που καλύπτει τον σχεδιασμό τυπωμένων κυκλωμάτων είναι το IPC -2221, "Γενικά πρότυπα επί των τυπωμένων κυκλωμάτων". Αυτά τα πρότυπα εκτόπισαν τα παλαιά πρότυπα IPC -D- 275 (επίσης στρατιωτικά πρότυπα 275) που χρησιμοποιούνταν τα τελευταία 50 χρόνια. Οι χώρες έχουν τα διάφορα τοπικά πρότυπά τους για την κατασκευή PCB, αλλά τα πρότυπα IPC είναι τα αποδεκτά πρότυπα βιομηχανίας σε όλο τον κόσμο. Οι πλακέτες τυπωμένων κυκλωμάτων PCB είναι επίσης γνωστές ως πλακέτες τυπωμένης καλωδίωσης ή πιο απλά ως τυπωµένες πλακέτες. Στη εργασία αυτή θα χρησιμοποιήσουμε τον πιο κοινό όρο PCBs (printed circuit boards).

8 1.4 Λειτουργία ανιχνευτή Εικόνα 4: PCB s Ο ανιχνευτής κίνησης είναι μία συσκευή η οποία περιέχει ένα αισθητήριο υπέρυθρης ακτινοβολίας και κάθε φορά που μεταβάλλεται η προσπίπτουσα σε αυτό υπέρυθρη ακτινοβολία μπορεί να λειτουργήσει ως διακόπτης και να ενεργοποιήσει ένα κύκλωμα τροφοδοτώντας μια συσκευή, η οποία συνήθως είναι φωτιστικό σημείο. Όταν λοιπόν ένα αντικείμενο υπάρχει στο χώρο που ελέγχεται από τον ανιχνευτή, η ακτινοβολία μεταβάλλεται και ο ανιχνευτής ενεργοποιεί το κύκλωμα που ελέγχει. Ο χρόνος που θα μείνει ενεργοποιημένο το κύκλωμα εξαρτάται από τον πόση ώρα ο ανιχνευτής θα είναι σε λειτουργία και θα στην ονομαστική απόσταση με ένα άλλο αυτοκίνητο (0,7μ). Εικόνα 2: ανιχνευτές απόστασης

9 Ιδιότητες Υλικών Οι ιδιότητες των υλικών μελετώνται από την Επιστήμη των Υλικών (Material Science), όταν μιλάμε για την Επιστήμη των υλικών μαζί με το θυγατρικό εννοιολογικό της τμήμα την Φυσική Στερεάς Κατάστασης, εκείνο που εννοούμε είναι η Φυσική όπως εφαρμόζεται στην ύλη που βρίσκεται σε μια από τις τρεις γνωστές καταστάσεις. Η αξιοποίηση των δεδομένων της Επιστήμης των υλικών, για τεχνολογικούς σκοπούς υλοποιείται από το γνωστικό αντικείμενο που ονομάζουμε Τεχνολογία Υλικών. Η τεχνολογία υλικών ως εφαρμοσμένη έρευνα και εξέλιξη της βασικής έρευνας της Φυσικής Στερεάς Κατάστασης και της Επιστήμης των υλικών αποτελεί τη βάση της τεχνολογικής ανάπτυξης αφού η ανάπτυξη αυτή στηρίζεται στη χρησιμοποίηση των ιδιοτήτων των στερεών αλλά και στη βελτίωση τους και αυτό μόνο από την βαθιά γνώση των ιδιοτήτων τους μπορεί να γίνει. Έτσι μακροσκοπικά χαρακτηρίζουμε τα υλικά με βάση α) Τις φυσικές τους ιδιότητες σε στερεά-υγρά-αέρια. β) Τις μηχανικές τους ιδιότητες σε μαλακά-σκληρά. γ) Τις θερμικές τους ιδιότητες σε θερμικούς μονωτές-θερμικούς αγωγούς. δ) Τις ηλεκτρικές τους ιδιότητες σε αγωγούς-μονωτές-ημιαγωγούς-υπεραγωγούς. ε) Τις μαγνητικές τους ιδιότητες σε σιδηρομαγνητικά-παραμαγνητικά-διαμαγνητικά υλικά. ζ) Τις οπτικές τους ιδιότητες σε διαφανή-αδιαφανή-ημιδιαφανή. Τransistors Είναι επαφές n-p-n ή p-n-p. Το transistor επαφής κατασκευάζεται από μονοκρύσταλλο στον οποίο δημιουργούνται δύο p-n επαφές. Η μία από τις ακραίες περιοχές συνήθως η αριστερή ονομάζεται Εκπομπός (Ε) η μεσαία περιοχή είναι η Βάση (Β) και η άλλη η δεξιά καλείται Συλλέκτης (C). Κατά σύμβαση ο εκπομπός συμβολίζεται με ένα βέλος που έχει τη φορά των οπών Όταν ο εκπομπός παρέχει οπές στη βάση τότε το βέλος δείχνει προς αυτή ενώ όταν παρέχει ηλεκτρόνια στη βάση το βέλος θα έχει φορά από τη βάση στον εκπομπό. Το transistor θεωρείται μία από τις μεγαλύτερες εφευρέσεις του 20ου αιώνα. Είναι το κυριότερο συστατικό όλων σχεδόν των σύγχρονων ηλεκτρονικών κατασκευών. Η πλατιά χρήση του οφείλεται κυρίως στη δυνατότητα παραγωγής του σε τεράστιες ποσότητες που μειώνουν το κόστος ανά μονάδα. Παρόλο που αρκετοί παραγωγοί παράγουν, ακόμα και σήμερα, μεμονωμένες συσκευασίες τρανζίστορ, η μεγαλύτερη ποσότητα παράγεται μέσα σε ολοκληρωμένα κυκλώματα (που συχνά αναφέρονται ως τσιπς) μαζί με τις διόδους, αντιστάσεις, πυκνωτές και άλλα ηλεκτρονικά εξαρτήματα. ΗΔΗ: Διπολικό Τρανζίστορ Επαφής - BJT Τα διπολικά τρανζίστορ επαφής (Bipolar Junction Transistor) ήταν τα πλέον διαδεδομένα τρανζίστορ στις δεκαετίες του 1960 και Ακόμα και μετά την αύξηση της χρήσης των MOSFET παρέμειναν στη κυκλοφορία κυρίως σε αναλογικά

10 κυκλώματα όπως οι απλοί ενισχυτές λόγω της απλότητας κατασκευής τους και της γραμμικότητας που παρουσιάζει το σήμα τους. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου - FET Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (αγγλικά: Field Effect Transistor) ή FET από τα αρχικά των αγγλικών λέξεων είναι μια ηλεκτρονική διάταξη με τρεις ακροδέκτες η οποία περιλαμβάνει μια επαφή p-n. Η λειτουργία του βασίζεται στον έλεγχο ενός εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στον έναν από τους τρεις ακροδέκτες που ονομάζεται πύλη (gate). Το πεδίο αυτό ελέγχει την αγωγιμότητα μεταξύ των άλλων δυο ακροδεκτών, που ονομάζονται απαγωγός ή εκροή ή υποδοχή (drain) και πηγή (source). Το ρεύμα που διέρχεται από αυτούς τους δύο ακροδέκτες ελέγχεται από το πεδίο αυτό και έτσι, ενώ στα διπολικά τρανζίστορ ο έλεγχος του ρεύματος στην έξοδο γίνεται με το ρεύμα βάσης, στα FETs ο έλεγχος γίνεται με το δυναμικό της πύλης. Επίσης, η αγωγιμότητα γίνεται με ένα τύπο φορέων (οπές ή ηλεκτρόνια) ανάλογα με την πολικότητά τους, οπότε τα τρανζίστορ αυτά χαρακτηρίζονται ως μονοπολικά (unipolar). PNP P-channel NPN N-channel BJT JFET Εικόνα : Σύμβολα για τρανζίστορ BJT και JFET Υπάρχουν δυο τύποι FET που ονομάζονται FET επαφής, JFET (Junction FET) και FET μονωμένης πύλης ή Μετάλλου-Οξειδίου-Ημιαγωγού, (MOSFET, Metal- Oxide- Semiconductor FET). Κάθε τύπος μπορεί να κατασκευαστεί με κανάλι αγωγιμότητας ημιαγωγού τύπου n ή τύπου p, οπότε χαρακτηρίζεται αντίστοιχα ως n- καναλιού (n-channel) ή p-καναλιού (p-channel). Επιπλέον, υπάρχουν δύο κατηγορίες των παραπάνω, τα FET αραίωσης (depletion mode) και τα FET πύκνωσης (enhancement mode). Ένα σημαντικό χαρακτηριστικό του FET είναι ότι συχνά είναι απλούστερο να κατασκευαστεί και ότι καταλαμβάνει μικρότερο χώρο πάνω σε ένα μικροκύκλωμα (τσιπ) σε σύγκριση με ένα BJT. Έτσι, η πυκνότητα εξαρτημάτων πάνω σε ένα μόνο μικροκύκλωμα μπορεί να είναι εξαιρετικά μεγάλη και συχνά ξεπερνά τα MOSFET ανά τσιπ. Μια δεύτερη πολύ σημαντική ιδιότητα είναι ότι οι διατάξεις MOS μπορούν να συνδεθούν σαν αντιστάσεις και σαν πυκνωτές ανάλογα με την χρήση που απαιτείται. Αυτό επιτρέπει την σχεδίαση συστημάτων που αποτελούνται αποκλειστικά από MOSFET και όχι από άλλα εξαρτήματα. Η εκμετάλλευση των ιδιοτήτων αυτών κάνει το MOSFET την κυρίαρχη συσκευή σε συστήματα πολύ μεγάλης κλίμακας

11 ολοκλήρωσης (VLSI: Very Large Scale Integration). Αντίθετα με το BJT, το FET είναι μια συσκευή φορέων πλειονότητας. Η λειτουργία του εξαρτάται από την χρήση ενός ηλεκτρικού πεδίου που εφαρμόζεται για να ελέγχει ένα ρεύμα. Έτσι το FET είναι μια πηγή ρεύματος που ελέγχεται από τάση, που όπως είναι γνωστό μπορεί να χρησιμοποιηθεί και σαν διακόπτης και σαν ενισχυτής. Το FET Επαφής (JFET) Στο σχήμα φαίνεται η βασική δομή ενός JFET καναλιού τύπου n. Οι ακροδέκτες απαγωγού και πηγής κατασκευάζονται από τις ωμικές επαφές στα άκρα ενός κομματιού ημιαγωγού τύπου n.ηλεκτρόνια, που είναι φορείς πλειονότητας, αναγκάζονται να κινηθούν κατά μήκος του κομματιού με μια τάση που εφαρμόζεται μεταξύ απαγωγού και πηγής. Ο τρίτος ακροδέκτης, που ονομάζεται πύλη, σχηματίζεται συνδέοντας ηλεκτρικά τις δυο ρηχές περιοχές τύπου p+. Η περιοχή τύπου n μεταξύ των δυο πυλών p+ ονομάζεται κανάλι, μέσα από το οποίο οι φορείς πλειονότητας μετακινούνται μεταξύ της πηγής και του απαγωγού. Μπορεί κανείς να παρατηρήσει ότι οι περιοχές πύλης και το κανάλι αποτελούν μια επαφή p-n που, στην λειτουργία του JFET, διατηρούνται σε κατάσταση ανάστροφης πόλωσης. Αν εφαρμοστεί μια αρνητική τάση πύλης πηγής η επαφή πολώνεται κατά την ανάστροφη φορά. Το ίδιο συμβαίνει αν εφαρμοστεί μια θετική τάση απαγωγού πηγής. Στις δυο πλευρές της επαφής p-n με ανάστροφη πόλωση υπάρχουν περιοχές φορτίων χώρου. Οι φορείς ρεύματος έχουν διαχυθεί κατά μήκος της επαφής αφήνοντας μόνο ακάλυπτα θετικά ιόντα στην πλευρά n και αρνητικά ιόντα στην πλευρά p. Καθώς αυξάνει η ανάστροφη πόλωση κατά μήκος της επαφής, αυξάνει και το πάχος της περιοχής των ακίνητων ακάλυπτων φορτίων. Έτσι το αποτέλεσμα είναι ένα στρώμα φορτίων χώρου που βρίσκεται σχεδόν εξ ολοκλήρου στο κανάλι n. Η αγωγιμότητα της περιοχής αυτής είναι μηδέν, επειδή δεν υπάρχουν διαθέσιμοι φορείς ρεύματος. Έτσι, φαίνεται ότι, όταν η ανάστροφη τάση αυξάνει, το ενεργό πλάτος του καναλιού στο σχήμα ελαττώνεται. Σε τάση πύλης πηγής VGS = Vp, η οποία ονομάζεται «τάση διάτρησης», το πλάτος του καναλιού γίνεται μηδέν, επειδή όλο το ελεύθερο φορτίο έχει απομακρυνθεί από το κανάλι. Έτσι, για σταθερή τάση απαγωγού πηγής, το ρεύμα απαγωγού θα είναι συνάρτηση της τάσης ανάστροφης πόλωσης κατά μήκος

12 της επαφής πύλης. Επειδή ο μηχανισμός ελέγχου του ρεύματος είναι αποτέλεσμα της ύπαρξης του πεδίου που σχετίζεται με την περιοχή εκκένωσης, για την ονομασία της διάταξης χρησιμοποιείται ο όρος «φαινόμενο πεδίου». Οι χαρακτηριστικές του JFET Οι χαρακτηριστικές εξόδου ενός συνηθισμένου διακριτού JFET καναλιού τύπου n δίνουν το ID ως συνάρτηση της VDS με παράμετρο την VGS. Για να εξεταστούν, ποιοτικά, οι λόγοι για τους οποίους οι χαρακτηριστικές έχουν αυτήν την μορφή, έστω πρώτα η περίπτωση όπου V GS = 0. Για ID = 0 το κανάλι μεταξύ των επαφών πύλης είναι εντελώς ανοικτό. Αν εφαρμοστεί μια μικρή τάση V DS, το τμήμα τύπου n αντιδρά σαν μια απλή αντίσταση από ημιαγωγό και το ρεύμα ID αυξάνεται γραμμικά σε σχέση με την V DS. Όταν αυξάνει το ρεύμα, η (ωμική) πτώση τάσης κατά μήκος της περιοχής του καναλιού τύπου n πολώνει την επαφή πύλης κατά την ανάστροφη φορά και το τμήμα του καναλιού που άγει αρχίζει να κλείνει με μορφή λαβίδας λόγω της κατανομής της πτώσης τάσης κατά μήκος του καναλιού (σύσφιγξη του καναλιού). Εξαιτίας της ωμικής πτώσης τάσης κατά μήκος του καναλιού, η σύσφιγξη δεν είναι ομοιόμορφη, αλλά είναι εντονότερη σε αποστάσεις που απέχουν περισσότερο από την πηγή, όπως φαίνεται στο Σχήμα 5-4. Στο τέλος, φτάνουμε σε μια τάση VD στην οποία παρουσιάζεται η διάτρηση του καναλιού. Αυτή είναι η τάση όπου η καμπύλη του ρεύματος ID αρχίζει να γίνεται οριζόντια και να πλησιάζει σε μια σταθερή τιμή. Βέβαια, θεωρητικά δεν είναι δυνατό να κλείσει τελείως το κανάλι και το ρεύμα ID να γίνει μηδέν. Στην πραγματικότητα αν συνέβαινε αυτό, δεν θα ήταν απαραίτητη η ωμική πτώση τάσης που χρειάζεται για την ανάστροφη πόλωση. Παρατηρούμε στις χαρακτηριστικές ότι: Κάθε χαρακτηριστική έχει μια ωμική περιοχή ή περιοχή μη κορεσμού για μικρές τιμές της VD, όπου το ID είναι ανάλογο με την VDS Κάθε καμπύλη έχει ακόμη και μια περιοχή σταθερού ρεύματος ή περιοχή κορεσμού ρεύματος για μεγάλες τιμές της VDS, όπου το ID αντιδρά πολύ λίγο στην VDS. Σχήμα 5-4 Δομή πολωμένου JFET καναλιού τύπου n όπου φαίνεται η περιοχή εκκένωσης που συσφίγγει το κανάλι. Αν, τώρα, η τάση V GS γίνει μηδέν, τότε η τάση που χρειάζεται η επαφή για να πολωθεί ανάστροφα παρέχεται από την V DS. Αν εφαρμοστεί αρνητική VGS, η περιοχή εκκένωσης που δημιουργείται ελαττώνει το πλάτος του καναλιού ακόμη και με V DS = 0. Έτσι, η διάτρηση εμφανίζεται σε μικρότερη τιμή της VDS και η μέγιστη τιμή της ID ελαττώνεται, όπως φαίνεται στο Σχήμα 5-5. Σε V GS = V p, την τάση διάτρησης, είναι ID = 0 γιατί το κανάλι έχει συσφιχθεί εντελώς για όλες τις τιμές της V DS 0. Το JFET εν λειτουργία Ας δούμε την σχηματική παράσταση μιας συσκευής καναλιού τύπου-n του παραπάνω σχήματος που παριστάνει την συνδεσμολογία κοινής πηγής.

13 Αν και η εξέτασή μας επικεντρώνεται σε συσκευή τύπου-n, ισχύει εξίσου και στο JFET καναλιού-p αν αναγνωρίσουμε ότι οι πολικότητες τάσης και οι κατευθύνσεις ρευμάτων στις συσκευές τύπου p είναι αντίθετες από τις αντίστοιχες πολικότητες και κατευθύνσεις των JFET καναλιού τύπου n. Παρατηρούμε ότι οι περιοχές πύλης και το κανάλι αποτελούν μια επαφή pn που, στην λειτουργία του JFET, διατηρούνται σε κατάσταση ανάστροφης πόλωσης. Αν εφαρμοστεί μια αρνητική τάση πύλης πηγής η επαφή πολώνεται κατά την ανάστροφη φορά. Το ίδιο συμβαίνει αν εφαρμοστεί μια θετική τάση απαγωγού πηγής. Στις δυο πλευρές της επαφής pn με ανάστροφη πόλωση υπάρχουν περιοχές φορτίων χώρου. Οι φορείς ρεύματος έχουν διαχυθεί κατά μήκος της επαφής, αφήνοντας μόνο ακάλυπτα θετικά ιόντα στην πλευρά n και αρνητικά ιόντα στην πλευρά p. Καθώς αυξάνει η ανάστροφη πόλωση κατά μήκος της επαφής, αυξάνει και το πάχος της περιοχής των ακίνητων ακάλυπτων φορτίων. Έτσι το αποτέλεσμα είναι ένα στρώμα φορτίων χώρου που βρίσκεται σχεδόν εξ ολοκλήρου στο κανάλι n. Η αγωγιμότητα της περιοχής αυτής είναι μηδέν επειδή δεν υπάρχουν διαθέσιμοι φορείς ρεύματος. Έτσι, βλέπουμε ότι όταν η ανάστροφη τάση αυξάνει το ενεργό πλάτος του καναλιού στο παρακάτω σχήμα ελαττώνεται. Σε τάση πύλης πηγής VGS = Vp, που ονομάζεται τάση «διάτρησης», το πλάτος του καναλιού γίνεται μηδέν επειδή όλο το ελεύθερο φορτίο έχει απομακρυνθεί από το κανάλι. Έτσι, για σταθερή τάση απαγωγού πηγής, το ρεύμα απαγωγού θα είναι συνάρτηση της τάσης ανάστροφης πόλωσης κατά μήκος της επαφής πύλης. Επειδή ο μηχανισμός ελέγχου του ρεύματος είναι αποτέλεσμα της ύπαρξης του πεδίου που σχετίζεται με την περιοχή εκκένωσης, στην ονομασία της διάταξης χρησιμοποιείται ο όρος «φαινόμενο πεδίου». Οι Χαρακτηριστικές του JFET Οι χαρακτηριστικές εξόδου ενός συνηθισμένου διακριτού JFET καναλιού τύπου n δίνουν το ID ως συνάρτηση της V DS με παράμετρο την V GS. Για να δούμε ποιοτικά τον λόγο για τον οποίο οι χαρακτηριστικές έχουν αυτήν την μορφή, έστω πρώτα η περίπτωση όπου V GS = 0. Για ID = 0 το κανάλι μεταξύ των επαφών πύλης είναι εντελώς ανοικτό. Αν εφαρμοστεί μια μικρή τάση V DS, το κομμάτι τύπου n αντιδρά σαν μια απλή αντίσταση από ημιαγωγό και το ρεύμα ID αυξάνεται γραμμικά με την V DS. Όταν αυξάνει το ρεύμα, η ωμική πτώση τάσης κατά μήκος της περιοχής του καναλιού τύπου n πολώνει την επαφή πύλης κατά την ανάστροφη φορά και το τμήμα του καναλιού που άγει αρχίζει να κλείνει με μορφή λαβίδας λόγω της κατανομής της πτώσης τάσης κατά μήκος του καναλιού (σύσφιγξη του καναλιού). Εξαιτίας της ωμικής πτώσης τάσης κατά μήκος του καναλιού, η σύσφιγξη δεν είναι ομοιόμορφη, αλλά είναι εντονότερη σε αποστάσεις που απέχουν περισσότερο από την πηγή, όπως φαίνεται στο παραπάνω Σχήμα. Στο τέλος, φτάνουμε σε μια τάση V D στην οποία παρουσιάζεται η διάτρηση του καναλιού. Αυτή είναι η τάση όπου η καμπύλη του ρεύματος ID αρχίζει να γίνεται οριζόντια και να πλησιάζει σε μια σταθερή τιμή. Βέβαια, θεωρητικά δεν είναι δυνατό να κλείσει τελείως το κανάλι και το ρεύμα ID να γίνει μηδέν. Στην πραγματικότητα αν συνέβαινε αυτό, δεν θα ήταν απαραίτητη η ωμική πτώση τάσης που χρειάζεται για την ανάστροφη πόλωση. Παρατηρούμε στις χαρακτηριστικές ότι:

14 Κάθε χαρακτηριστική έχει μια ωμική περιοχή ή περιοχή μη κορεσμού για μικρές τιμές της VD, όπου το ID είναι ανάλογο με την VDS. Κάθε καμπύλη έχει ακόμη και μια περιοχή σταθερού ρεύματος ή περιοχή κορεσμού ρεύματος για μεγάλες τιμές της V DS, όπου το ID αντιδρά πολύ λίγο στην VDS. Δομή πολωμένου JFET καναλιού τύπου n όπου φαίνεται η περιοχή εκκένωσης που συσφίγγει το κανάλι. Αν τώρα η τάση V GS γίνει μηδέν, τότε η τάση που χρειάζεται η επαφή για να πολωθεί ανάστροφα παρέχεται από την VDS. Αν εφαρμοστεί αρνητική V GS, η περιοχή εκκένωσης που δημιουργείται ελαττώνει το πλάτος του καναλιού ακόμη και με V DS = 0. Έτσι, η διάτρηση εμφανίζεται σε μικρότερη τιμή της VDS και η μέγιστη τιμή της ID ελαττώνεται, όπως φαίνεται στο παρακάτω Σχήμα. Στην περίπτωση όπου V GS = V p, τάση διάτρησης, είναι ID = 0 γιατί το κανάλι έχει συσφιχθεί εντελώς για όλες τις τιμές της V DS 0. Χρωματικός κώδικας αντίστασης Μελετώντας τον χρωματικό κώδικα αντίστασης παρατηρούμε ότι: Οι αντιστάσεις μοιάζουν με μικρές φιάλες με χρωματιστές γραμμές ζωγραφισμένες πάνω τους. Οι έγχρωμες γραμμές λένε την αντίσταση και το εύρος σφάλματος (ανοχής) για έναν αντιστάτη σύμφωνα με τους ακόλουθους κανόνες και τον πίνακα των αριθμών. Για να χρησιμοποιήσουμε αυτόν τον πίνακα θα πρέπει να θυμόμαστε τους παρακάτω κανόνες: 1. Η πρώτη γραμμή είναι το πρώτο ψηφίο 2. Η δεύτερη γραμμή είναι το δεύτερο ψηφίο 3. Η τρίτη γραμμή είναι ο πολλαπλασιαστής 4. Η τελευταία γραμμή (εάν υπάρχει) είναι η ανοχή Ορισμένες αντιστάσεις μπορεί να έχουν επιπλέον έγχρωμες ταινίες.

15 Εικόνα: χρωματικός κώδικας αντίστασης Κατασκευή Πλακέτας Ίσως το σημαντικότερο μέρος της πτυχιακής είναι η κατασκευή της πλακέτας. Η κατασκευή χωρίζεται σε δύο κυρίως κομμάτια: Α) στην τοποθέτηση των αντιστάσεων στην πλακέτα Β) στης συγκόλληση της πλακέτας

16 Εικόνα 4: τα σημαντικότερα εργαλεία που χρειάστηκαν για την κατασκευή της πλακέτας Εικόνα 3: Τα εξαρτήματα που χρησιμοποιηθήκαν για την κατασκευή της πλακέτας

17 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ Ο ανιχνευτής που συναρμολόγησα είναι της εταιρίας Velleman το μοντέλο Κ3502 το οποίο είναι αρκετά φιλικό προς τον χρήστη διότι έχει παροχή ηχητικής ειδοποίησης, έχει λεπτή σχεδίαση και ταιριάζει στον εσωτερικό χώρο όλων τον αυτοκινήτων, είναι εύκολο στην εγκατάσταση διότι είναι εξαιρετικά λεπτά τα καλώδια της συνδεσμολογίας. Επίσης κύριο χαρακτηριστικό του είναι ότι έχει 2 αισθητήρες απόστασης για ακριβέστατη μέτρηση κενού χώρου. Εικόνα 4: Velleman-kit K3502 Τεχνικές Προδιαγραφές Τροφοδοτικό: 10~15V DC/16mA max. Εύρος ανίχνευσης: 5cm- 1,5 m (ρυθμιζόμενο) Συχνότητα transmitter: 40KHz Συχνότητα δειγματολειψίας: 26hz. Μέγιστη κατανάλωση: 3,6W. Θερμοκρασίες λειτουργίας: -40οC ~ +60oC. Απόσταση προειδοποίησης: 2,0Μ ~ 0,3Μ.

18 Ένταση ηχητικής ειδοποίησης: 80dB. Διαστάσεις: α) αισθητήρα PCB: 28x95mm/ 1,1x3,8 β) βάση PCB : 48x125mm/ 1,9x5 Αφού πήραμε την πλακέτα το πρώτο πράγμα που κάνουμε είναι να δούμε αν έχουμε όλα τα υλικά που μας χρειάζονται για την κατασκευή και την συγκόλληση της. Αφού είδαμε ότι έχουμε ότι χρειαζόμαστε επόμενο βήμα είναι να μελετήσουμε το καθένα ξεχωριστά και να δούμε τις ιδιότητές τους. Βλέπουμε τα υλικά της βάσης PCB: P3502B και τα συνδέουμε jumper o J Εικόνα 5: τοποθέτηση Jumper διόδους (είμαστε προσεκτικοί με τους πόλους) o D1: 1N4148 o D2: 1N4148 o D3: 1N4148 o D4: 1N4148 o D5: 1N007 αντιστάσεις o R1: 10M (1-0-6-B) o R2: 22K (2-2-3-B) o R3: 27K (2-7-3-B) o R4: 27K (2-7-3-B) o R5: 47K (4-7-0-B) o R6: 10K (1-0-3-B) Εικόνα 6: τοποθέτηση Διόδων

19 Εικόνα 7: τοποθέτηση αντιστάσεων κρύσταλλος χαλαζία o X1: 5MHz Εικόνα 8: τοποθέτηση κρύσταλλου χαλαζία IC πρίζες (προσέχουμε τη θέση της εγκοπής) o IC1: 16p o IC2: 16p o IC3: 14p o IC4: 14p o IC5: 16p Εικόνα 9: τοποθέτηση IC πριζών) πυκνωτές o C1: 12pF o C2: 12pF o C3: 22nF o C4: 10nF o C5: 100nF Εικόνα 10: τοποθέτηση πυκνωτών ηλεκτρολυτικό πυκνωτή (προσέχουμε τους πόλους) o C6: 470μF

20 Εικόνα 11: τοποθέτηση ηλεκτρολυτικού πυκνωτή ποτενσιόμετρο o RV1: 470K Εικόνα 12: τοποθέτηση ποτενσιόμετρου υποδοχές βίδας o J1: 2p+2p o J2: 2p+2p Εικόνα 13: τοποθέτηση βιδών buzzer (βάζουμε την μεγαλύτερη σύνδεση στην στο + του buzzer μας) o BUZ1 Εικόνα 14: τοποθέτηση του buzzer IC (κατά την τοποθέτησή τους προσέχουμε την θέση της εγκοπής) o IC1: CD4060 ή eq o IC2: CD4020 ή eq o IC3: CD4068 ή eq o IC4: CD4093 ή eq o IC5: CD4049 ή eq

21 Εικόνα 15: τοποθέτηση IC Βλέπουμε τα υλικά του δέκτη PCB: P3502S και τα συνδέουμε αντιστάσεις o R7: 15K (1-5-3) o R8: 15K (1-5-3) o R9: 15K (1-5-3) o R10: 15K (1-5-3) o R11: 1K (1-0-2) o R12: 1K (1-0-2) o R13: 10K (1-0-3) o R14: 270K (2-7-4) Εικόνα 16: τοποθέτηση αντιστάσεων IC πρίζα o IC6: 14p Εικόνα 17: τοποθέτηση IC πρίζων Transistor o T1: BC547B Εικόνα 18: τοποθέτηση transistor

22 πυκνωτές o C7: 10nF o C8: 10nF o C9: 100nF Εικόνα 19: τοποθέτηση πυκνωτών ηλεκτρολυτικούς πυκνωτές (προσέχουμε τους πόλους) o C10: 10μF o C11: 100μF Εικόνα 20: τοποθέτηση ηλεκτρολυτικών πυκνωτών υποδοχή βίδας o J1: 3x2p Εικόνα 21: τοποθέτηση βίδων αισθητήρες o SENS1: MA40A5S ή eq (σημειώνεται με Τ) o SENS2: MA40A5R ή eq (σημειώνεται με CTD) Εικόνα 22: τοποθέτηση αισθητήρων IC (κατά την τοποθέτησή του προσέχουμε την θέση της εγκοπής) o IC6: TL07

23 Εικόνα 23: τοποθέτηση IC. Αφού συναρμολογήσαμε την πλακέτα το επόμενο βήμα είναι να την τεστάρουμε πριν την εγκατάσταση στο αυτοκίνητο για να δούμε ότι η πλακέτα μας λειτουργεί κανονικά. Αρχικά συνδέουμε τα σημεία GND, +V, RW, DIS, S1 και S2 από το κυρίως PCB στα αντίστοιχα σημεία του Δέκτη PCB. Η απόσταση ανάμεσα στον δέκτη και την βάση είναι περίπου 50cm. Στη συνέχεια προσαρμόζουμε το trimmer RV1 στη μεσαία θέση RV1. Και τέλος συνδέουμε τα σημεία GND (-) και (+) με μια παροχή 12VDC, στην συγκεκριμένη εργασία τη συνδέσαμε με μια μπαταρία. Εικόνα 23: συνδεσμολογία των πλακετών

24 Εικόνα 24: μέθοδος συνδεσμολογίας τις πλακέτας Αφού ολοκληρώσαμε όλες διαδικασίες που χρειαζόντουσαν για να είναι έτοιμη για χρήση η πλακέτα μας το μόνο που έμεινε ήταν η δοκιμή. Δοκιμάσαμε να κρατάμε το χέρι μας και αργότερα ένα κομμάτι χαρτί μπροστά στους αισθητήρες και ακούσαμε με επιτυχία τον ήχο του buzzer, η απόσταση του αντικειμένου μας με τους αισθητήρες ήταν περίπου μέχρι 80cm για να ακουγόταν ο ήχος από το buzzer. ΕΦΑΡΜΟΓΗ ΣΤΟ ΑΥΤΟΚΙΝΗΤΟ Το πιο σημαντικό μέρος αυτής της πτυχιακής εργασίας είναι η κατασκευή της πλακέτας και φυσικά η εγκατάσταση του ανιχνευτή στο αυτοκίνητο. Για την εγκατάσταση του ανιχνευτή μας στο αυτοκίνητο χρειαστήκαμε τους δύο αισθητήρες απόστασης, 1 buzzer την πλακέτα που κατασκευάσαμε και καλώδιo συναγερμού 8x0,22. Τοποθετούμε την εκτύπωση του δέκτη σε ένα συνθετικό περίβλημα με τους αισθητήρες σε οριζόντια θέση. Εγκαθιστούμε την εκτύπωση πίσω από τις οπές χρησιμοποιώντας μανίκια απόστασης, έτσι οι αισθητήρες είναι στις οπές σωστά χωρίς να ακουμπάνε το περίβλημα. Εικόνα 25: αισθητήρες απόστασης στην πλακέτα

25 Καλύπτουμε τις οπές στο εσωτερικό του περιβλήματος με ένα κομμάτι σύρμα με πολύ λεπτή γάζα, σημαντική παρατήρηση είναι ότι διπλασιάσαμε την γάζα πριν από τον καθορισμό της στις οπές γιατί τα μάτια του συρμάτινου πλέγματος ήταν τόσο μεγάλη για να αποτρέψουν τη διείσδυση του νερού. Οι αισθητήρες θα πρέπει να τοποθετηθούν σωστά κατά την συρμάτινο πλέγμα που έχει τοποθετηθεί πίσω από τις οπές. κάνουμε μια μικρή οπή στον πυθμένα του περιβλήματος, ώστε να καταστεί δυνατή η εκκένωση του νερού που τελικά έχει διεισδύσει. Εικόνα 26: Συνδεσμολογία αισθητήρα στο αυτοκίνητο Κλείνουμε το περίβλημα όσο πιο υδατοστεγής γίνεται χρησιμοποιώντας σιλικόνη. Ψάξαμε κα βρήκαμε ένα κατάλληλο μέρος στο πορτ-μπαγκάζ του αυτοκινήτου για να ενσωματόσουμε τη βάση της πλακέτας όσο την δυνατόν πλησιέστερα στους αισθητήρες. Βρίσκουμε ένα κατάλληλο μέρος περίπου στη μέση του πίσω μέρος του αυτοκινήτου, για την εγκατάσταση των αισθητήρων κάτω ή πάνω από τον προφυλακτήρα αυτοκινήτων. Οι αισθητήρες μπορούν να τοποθετηθούν ακριβώς πίσω από τον προφυλακτήρα, καθώς, αλλά τότε θα πρέπει να τρυπήσουν τον προφυλακτήρα με τις τρύπες της αντίστοιχης διαμέτρου (ή ευρύτερο) εκεί όπου βρίσκονται οι αισθητήρες. Εικόνα 26: σχηματικό διάγραμμα (τμήμα ελέγχου)

26 Συμβουλές για την εγκατάσταση των αισθητήρων: Οι αισθητήρες A,B πρέπει να είναι στην ίδια οριζόντια θέση. Οι αισθητήρες A,B πρέπει να απέχουν 45cm έως 55cm από το έδαφος. Οι αισθητήρες A,B πρέπει να τοποθετηθούν εντελώς κάθετα. Για καλύτερη λειτουργία οι ανιχνευτές A και B εγκαταστάθηκαν 8-13cm από τη γωνία του προφυλακτήρα. Αφού υπολογίσαμε υπολογίσαμε που ακριβώς θα τοποθετήσουμε τους ανιχνευτές πήραμε ένα τρυπάνι προσαρμόσαμε το ειδικό παρεχόμενο εξάρτημα και δημιουργήσαμε τις οπές με ακρίβεια. Εικόνα 26: εφαρμογή στο αυτοκίνητο Βάζουμε το Buzzer μπροστά στο αυτοκίνητο, για να ακούμε καθαρά τον ήχο όταν πλησιάσουμε κάτι από πίσω σε απόσταση <1m, και το συνδέουμε μέσω καλώδιο συναγερμού 8x0,22 με τους ανιχνευτές απόστασης που τοποθετούνται στο πίσω μέρος του αυτοκινήτου. Πειράματα Κάναμε αρκετά πειράματα για να δούμε την λειτουργία του ανιχνευτή μας και να δούμε πόσο αξιόπιστο είναι. Αρχικά πλησιάσαμε ένα άλλο αυτοκίνητο που ήταν πίσω μας, το buzzer

27 άρχισε να χτυπάει σε απόσταση περίπου 80cm, ακριβώς τα ίδια αποτελέσματα είχαμε σε παρόμοια πειράματα σε θάμνους, τοίχους, ανθρώπους, διαφανείς βιτρίνες από μαγαζιά. Σε όλες τις περιπτώσεις ο ανιχνευτής μας δούλεψε πολύ καλά σε συνθήκες μέρας και νύχτας και σε άσχημες καιρικές συνθήκες όπως σε βροχόπτωση. Ο ήχος που ακουγόταν από το buzzer είχε κάποιες διακοπές όταν η απόσταση μας ήταν κοντά στο 1 μέτρο, και όσο πλησιάζαμε τόσο πιο καθαρός ακουγόταν ο ήχος από το buzzer, χωρίς όμως να μεταβάλλεται πολύ ορατά η ένταση του ήχου. Για πιο ακριβείς μετρήσεις πήγαμε σε ένα βενζινάδικο και με την βοήθεια ενός μετρητή ήχου και ενός μέτρου επιχειρήσαμε να παρκάρουμε μπροστά από ένα άλλο σταθμευμένο αυτοκίνητο για να μετρήσουμε σε κάθε απόσταση των 2 αυτοκινήτων την λειτουργία του ανιχνευτή και του buzzer. Σε αυτό το πείραμα ξεκινήσαμε να έχουμε το αυτοκίνητό μας σε απόσταση ενός μέτρου από το άλλο και κάθε σε 5 εκατοστά που πλησιάζαμε το σταθμευμένο αυτοκίνητο σταματούσαμε και υπολογίζαμε με τον μετρητή ήχου που τοποθετήσαμε ακριβώς δίπλα στο buzzer μας τα db. Απόσταση μεταξύ των 2 αυτοκινήτων (cm) Decibel (db) , , ,9, 55 79, , ,9 Πίνακας 1: αναλογία απόστασης με db

28 Διάγραμμα απόστασης με db Με αυτό το πείραμα παρατηρούμε ότι σημείο αναφοράς είναι τα 85cm και ο χαρακτηριστικός ήχος φτάνει μέχρι τα 80dB. Ο ήχος είναι σχεδόν σταθερός που σημαίνει ότι ο ανιχνευτής μας δίνει την άνεση να κινούμαστε ελεύθερα μέχρι τα 75cm μετά θα πρέπει να είμαστε πιο προσεκτικοί αφού ο ανιχνευτής δεν θα μας δώσει καμιά επιπλέον πληροφορία.

29 Συμπέρασμα Από τη κατασκευή της πλακέτας και την εφαρμογή της στο αυτοκίνητο που κάναμε, συμπεραίνουμε ότι ο ανιχνευτής μας λειτουργεί κανονικά, αξίζει να αναφέρουμε ότι εκεί που θα τοποθετηθεί ο ανιχνευτής δεν πρέπει να εκτεθειμένο σε περίπτωση βροχόπτωσης γιατί είναι πολύ πιθανόν να χαλάσει, και όταν θέλουμε να πλύνουμε το αυτοκίνητο απαραίτητο είναι να το προστατέψουμε με την βοήθεια μια κολλητικής ταινίας. Από την εφαρμογή στο αυτοκίνητο που κάναμε παρατηρήσαμε ότι το buzzer άρχισε να χτυπάει στα 80cm με σταθερή ένταση και όσο πλησιάζαμε ένα άλλο αυτοκίνητο ο ήχος ακουγόταν πιο καθαρός, χωρίς διακοπές αλλά η ένταση του ήχου αυξανόταν ελάχιστα, έμενε δηλαδή στα ίδια επίπεδα (80dB). Όταν το αυτοκίνητό μας έχει την σβησμένη τη μηχανή και είναι σε απόσταση <80cm δεν ακούγεται ο χαρακτηριστικός ήχος γιατί η πλακέτα μας δεν τροφοδοτείται από πουθενά αλλού εκτός από την 12V μπαταρία του αυτοκινήτου. Με διάφορα πειράματα που δοκιμάσαμε παρατηρήσαμε ότι ο ανιχνευτής λειτουργεί το ίδιο καλά την νύχτα όσο και την μέρα παρά την έλλειψη του φως.

30 ΒΙΒΛΙΟΓΡΑΦΙΑ https://www.cedengineering.com/upload/transistors.pdf

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 5 Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη των

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4ο ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Διπολικά τρανζίστορ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar ή BJT) είναι ένας κρύσταλλος τριών στρωμάτων με διαφορετικό επίπεδο εμπλουτισμού: τον εκπομπό Ε, τη βάση

Διαβάστε περισσότερα

«Αναθεώρηση των FET Transistor»

«Αναθεώρηση των FET Transistor» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Αναθεώρηση των FET Transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή FET Χαρακτηριστικά Λειτουργία Πόλωση Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για FET ΤΗΜΜΥ - 2

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός είδους

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου

ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου Απαραίτητα όργανα και υλικά ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου 7. Απαραίτητα όργανα και υλικά. Τροφοδοτικό DC.. Πολύμετρα (αμπερόμετρο, βολτόμετρο).. Πλακέτα για την

Διαβάστε περισσότερα

Δίοδοι Ορισμός της διόδου - αρχή λειτουργίας Η δίοδος είναι μια διάταξη από ημιαγώγιμο υλικό το οποίο επιτρέπει την διέλευση ροής ρεύματος μόνο από

Δίοδοι Ορισμός της διόδου - αρχή λειτουργίας Η δίοδος είναι μια διάταξη από ημιαγώγιμο υλικό το οποίο επιτρέπει την διέλευση ροής ρεύματος μόνο από Δίοδοι Ορισμός της διόδου - αρχή λειτουργίας Η δίοδος είναι μια διάταξη από ημιαγώγιμο υλικό το οποίο επιτρέπει την διέλευση ροής ρεύματος μόνο από την μία κατεύθυνση, ανάλογα με την πόλωσή της. Κατασκευάζεται

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών) Τα μοντέρνα ψηφιακά κυκλώματα (λογικές πύλες, μνήμες, επεξεργαστές και άλλα σύνθετα κυκλώματα) υλοποιούνται σήμερα

Διαβάστε περισσότερα

Συλλογή & Επεξεργασία Δεδομένων Εργαστήριο 5. Ρυθμίζοντας τη Φορά Περιστροφής. Σύστημα Συλλογής & Επεξεργασίας Μετρήσεων

Συλλογή & Επεξεργασία Δεδομένων Εργαστήριο 5. Ρυθμίζοντας τη Φορά Περιστροφής. Σύστημα Συλλογής & Επεξεργασίας Μετρήσεων Σκοπός Συλλογή & Επεξεργασία Δεδομένων Εργαστήριο 5 Ρυθμίζοντας τη Φορά Περιστροφής DC Κινητήρα. Σύστημα Συλλογής & Επεξεργασίας Μετρήσεων Βασική δομή ενός προγράμματος στο LabVIEW. Εμπρόσθιο Πλαίσιο (front

Διαβάστε περισσότερα

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ ΕΠΑΦΗΣ (JFET) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. 12. ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)-Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ ιαφάνεια 1 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. Αρχή

Διαβάστε περισσότερα

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Τα πιο βασικά στοιχεία δομής των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 5: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (MOS-FET, J-FET) Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα

Διαβάστε περισσότερα

ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ AC-DC. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1ο ΒΑΣΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΚΑΙ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ - ΑΠΛΑ ΓΡΑΜΜΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ

ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ AC-DC. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1ο ΒΑΣΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΚΑΙ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ - ΑΠΛΑ ΓΡΑΜΜΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ AC-DC ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1ο ΒΑΣΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΚΑΙ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ - ΑΠΛΑ ΓΡΑΜΜΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Βασικά στοιχεία κυκλωμάτων Ένα ηλεκτρονικό κύκλωμα αποτελείται από: Πηγή ενέργειας (τάσης ή ρεύματος) Αγωγούς Μονωτές

Διαβάστε περισσότερα

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing).

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Κεφάλαιο 4 Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Οι ενδείξεις (τάσεις εξόδου) των θερμοζευγών τύπου Κ είναι δύσκολο να

Διαβάστε περισσότερα

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B. 3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

(α) Σχ. 5/30 Σύμβολα πυκνωτή (α) με πολικότητα, (β) χωρίς πολικότητα

(α) Σχ. 5/30 Σύμβολα πυκνωτή (α) με πολικότητα, (β) χωρίς πολικότητα 5. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ Ι ( ΠΥΚΝΩΤΕΣ) Πυκνωτές O πυκνωτής είναι ένα ηλεκτρικό εξάρτημα το οποίο έχει την ιδιότητα να απορροφά και να αποθηκεύει ηλεκτρική ενέργεια και να την απελευθερώνει, σε προκαθορισμένο

Διαβάστε περισσότερα

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΟΜΗ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar junction transistor-bjt) είναι ένας κρύσταλλος µε τρεις περιοχές εµπλουτισµένες µε προσµίξεις, δηλ. αποτελείται

Διαβάστε περισσότερα

Παράρτημα. Πραγματοποίηση μέτρησης τάσης, ρεύματος, ωμικής αντίστασης με χρήση του εργαστηριακού εξοπλισμού Άσκηση εξοικείωσης

Παράρτημα. Πραγματοποίηση μέτρησης τάσης, ρεύματος, ωμικής αντίστασης με χρήση του εργαστηριακού εξοπλισμού Άσκηση εξοικείωσης Παράρτημα Πραγματοποίηση μέτρησης τάσης, ρεύματος, ωμικής αντίστασης με χρήση του εργαστηριακού εξοπλισμού Άσκηση εξοικείωσης Σκοπός του παραρτήματος είναι η εξοικείωση των φοιτητών με τη χρήση και τη

Διαβάστε περισσότερα

Πειραματική διάταξη μελέτης, της. χαρακτηριστικής καμπύλης διπόλου

Πειραματική διάταξη μελέτης, της. χαρακτηριστικής καμπύλης διπόλου Πειραματική διάταξη μελέτης, της χαρακτηριστικής καμπύλης διπόλου Επισημάνσεις από τη θεωρία. 1 Ηλεκτρικό δίπολο ονομάζουμε κάθε ηλεκτρική συσκευή που έχει δύο πόλους (άκρα) και όταν συνδεθεί σε ηλεκτρικό

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET)

Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET) Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET) Εισαγωγή Σκοπός Πειράµατος Στην εργαστηριακή αυτή άσκηση θα µελετηθεί το transistor επίδρασης πεδίου (Field Effect Transistors). Πιο συγκεκριµένα µε την βοήθεια

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1 Δομή Παρουσίασης MOSFET

Διαβάστε περισσότερα

ηλεκτρικό ρεύμα ampere

ηλεκτρικό ρεύμα ampere Ηλεκτρικό ρεύμα Το ηλεκτρικό ρεύμα είναι ο ρυθμός με τον οποίο διέρχεται ηλεκτρικό φορτίο από μια περιοχή του χώρου. Η μονάδα μέτρησης του ηλεκτρικού ρεύματος στο σύστημα SI είναι το ampere (A). 1 A =

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΑΣΚΗΣΗ 1η: ΜΕΛΕΤΗ ΤΟΥ MOSFET Σκοπός της άσκησης Στην άσκηση αυτή θα μελετήσουμε το τρανζίστορ τύπου MOSFET και τη λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ : ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΔΙΑΡΚΕΙΑ: 1 περιόδος. 24/11/2011 12:09 Όνομα: Λεκάκης Κωνσταντίνος καθ. Τεχνολογίας

ΘΕΜΑ : ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΔΙΑΡΚΕΙΑ: 1 περιόδος. 24/11/2011 12:09 Όνομα: Λεκάκης Κωνσταντίνος καθ. Τεχνολογίας ΘΕΜΑ : ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΔΙΑΡΚΕΙΑ: 1 περιόδος 24/11/2011 12:09 καθ. Τεχνολογίας ΜΙΚΡΟΕΠΕΞΕΡΓΑΣΤΗΣ Ένας μικροεπεξεργαστής είναι ένα ολοκληρωμένο κύκλωμα που επεξεργάζεται όλες τις πληροφορίες σε ένα

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας ΔΙΟΔΟΣ Οι περισσότερες ηλεκτρονικές συσκευές όπως οι τηλεοράσεις, τα στερεοφωνικά συγκροτήματα και οι υπολογιστές χρειάζονται τάση dc για να λειτουργήσουν σωστά.

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3ο ΠΥΚΝΩΤΕΣ Πυκνωτής Πυκνωτής δημιουργείται πάντα μεταξύ δύο αγωγών (οπλισμοί), όταν υπάρχουν οι προϋποθέσεις να σχηματιστεί ηλεκτρικό πεδίο. Χωρητικότητα πυκνωτή

Διαβάστε περισσότερα

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ.Ε.

Διαβάστε περισσότερα

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΧΑΤΖΟΠΟΥΛΟΣ ΑΡΓΥΡΗΣ ΚΟΖΑΝΗ 2005 ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΥΜΒΟΛΙΣΜΟΙ Για τον καλύτερο προσδιορισµό των µεγεθών που χρησιµοποιούµε στις εξισώσεις, χρησιµοποιούµε τους παρακάτω συµβολισµούς

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ

ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΤΕΙ ΚΑΛΑΜΑΤΑΣ - ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ ΣΠΑΡΤΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ: ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΗΤΡΩΟΥ:.. ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ: ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΗΤΡΩΟΥ:.. Α. ΜΕΤΡΗΣΗ ΣΥΝΕΧΟΥΣ

Διαβάστε περισσότερα

Φωτοδίοδος. 1.Σκοπός της άσκησης. 2.Θεωρητικό μέρος

Φωτοδίοδος. 1.Σκοπός της άσκησης. 2.Θεωρητικό μέρος Φωτοδίοδος 1.Σκοπός της άσκησης Ο σκοπός της άσκησης είναι να μελετήσουμε την συμπεριφορά μιας φωτιζόμενης επαφής p-n (φωτοδίοδος) όταν αυτή είναι ορθά και ανάστροφα πολωμένη και να χαράξουμε την χαρακτηριστική

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ Γ ΗΜΕΡΗΣΙΩΝ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ Γ ΗΜΕΡΗΣΙΩΝ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ ΑΡΧΗ ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ Γ ΗΜΕΡΗΣΙΩΝ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ ΠΑΝΕΛΛΑΔΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Γ ΤΑΞΗΣ ΗΜΕΡΗΣΙΟΥ ΚΑΙ Δ ΤΑΞΗΣ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΠΑΡΑΣΚΕΥΗ 6 ΙΟΥΝΙΟΥ 4 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ

Διαβάστε περισσότερα

Όργανα Μέτρησης Υλικά Πολύμετρο Πειραματική Διαδικασία

Όργανα Μέτρησης Υλικά Πολύμετρο Πειραματική Διαδικασία ΕΚΦΕ Ν.ΚΙΛΚΙΣ 1 1 η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Β ΛΥΚΕΙΟΥ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑ : Κ. ΚΟΥΚΟΥΛΑΣ, ΦΥΣΙΚΟΣ - ΡΑΔΙΟΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΟΣ [ Ε.Λ. ΠΟΛΥΚΑΣΤΡΟΥ ] ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΗ ΜΕΛΕΤΗ ΑΠΛΟΥ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΥ ΚΥΚΛΩΜΑΤΟΣ ΔΙΑΡΡΕΟΜΕΝΟΥ

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση των Τρανζίστορ

Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση λέμε την κατάλληλη συνεχή τάση που πρέπει να εφαρμόσουμε στο κύκλωμα που περιλαμβάνει κάποιο ηλεκτρονικό στοιχείο (π.χ τρανζίστορ), έτσι ώστε να εξασφαλίσουμε την ομαλή λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ ΤΩΝ ΕΡΩΤΗΣΕΩΝ ΤΟΥ ΣΧΟΛΙΚΟΥ ΒΙΒΛΙΟΥ

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ ΤΩΝ ΕΡΩΤΗΣΕΩΝ ΤΟΥ ΣΧΟΛΙΚΟΥ ΒΙΒΛΙΟΥ Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com 1 ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ ΤΩΝ ΕΡΩΤΗΣΕΩΝ ΤΟΥ ΣΧΟΛΙΚΟΥ ΒΙΒΛΙΟΥ Χρησιμοποίησε και εφάρμοσε τις έννοιες που έμαθες:

Διαβάστε περισσότερα

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Επιµέλεια: Οµάδα Φυσικών της Ώθησης

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Επιµέλεια: Οµάδα Φυσικών της Ώθησης ΕΘΝΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 04 ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ Επιµέλεια: Οµάδα Φυσικών της Ώθησης ΟΜΑ Α ΠΡΩΤΗ ΕΘΝΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 04 Παρασκευή, 6 Ιουνίου 04 Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ Α. Για τις ημιτελείς προτάσεις Α. και Α.

Διαβάστε περισσότερα

ΟΚΙΜΑΣΤΙΚΟ MS 48 NS Σύντοµες οδηγίες χρήσης

ΟΚΙΜΑΣΤΙΚΟ MS 48 NS Σύντοµες οδηγίες χρήσης ΟΚΙΜΑΣΤΙΚΟ MS 48 NS Σύντοµες οδηγίες χρήσης Προσοχή: i) Απαγορεύεται η χρήση του δοκιµαστικού από παιδιά. ii) H χρήση του συγκεκριµένου δοκιµαστικού εργαλείου απαιτεί να τηρούνται όλοι οι κανόνες προστασίας

Διαβάστε περισσότερα

Συλλογή μεταφορά και έλεγχος Δεδομένων ΕΛΕΓΧΟΣ ΦΩΤΙΣΜΟΥ

Συλλογή μεταφορά και έλεγχος Δεδομένων ΕΛΕΓΧΟΣ ΦΩΤΙΣΜΟΥ Συλλογή μεταφορά και έλεγχος Δεδομένων ΕΛΕΓΧΟΣ ΦΩΤΙΣΜΟΥ Αισθητήρια φωτός Οι φωτοανιχνευτές (light detectors) διαιρούνται σε δύο κατηγορίες: τους κβαντικούς (quantum) και τους θερμικούς (thermal), ανάλογα

Διαβάστε περισσότερα

Συλλογή & Επεξεργασία Δεδομένων Εργαστήριο 3 Μέτρηση Θερμοκρασίας Σύστημα Ελέγχου Θερμοκρασίας. Σύστημα Συλλογής & Επεξεργασίας Μετρήσεων

Συλλογή & Επεξεργασία Δεδομένων Εργαστήριο 3 Μέτρηση Θερμοκρασίας Σύστημα Ελέγχου Θερμοκρασίας. Σύστημα Συλλογής & Επεξεργασίας Μετρήσεων Συλλογή & Επεξεργασία Δεδομένων Εργαστήριο 3 Μέτρηση Θερμοκρασίας Σύστημα Ελέγχου Θερμοκρασίας με Θερμοστάτη. Σύστημα Συλλογής & Επεξεργασίας Μετρήσεων Σκοπός Βασική δομή ενός προγράμματος στο LabVIEW.

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 5 ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΟ ΦΑΙΝΟΜΕΝΟ

Άσκηση 5 ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΟ ΦΑΙΝΟΜΕΝΟ Άσκηση 5 ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΟ ΦΑΙΝΟΜΕΝΟ 1. ΓΕΝΙΚΑ Τα ηλιακά στοιχεία χρησιμοποιούνται για τη μετατροπή του φωτός (που αποτελεί μία μορφή ηλεκτρομαγνητικής ενέργειας) σε ηλεκτρική ενέργεια. Κατασκευάζονται από

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 8. Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET)

Κεφάλαιο 8. Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Κεφάλαιο 8. Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σύνοψη Στο κεφάλαιο αυτό αναλύεται η λειτουργία του τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (Field Effect Transistor -FET), μελετώνται τα χαρακτηριστικά του καθώς και

Διαβάστε περισσότερα

Πολύμετρο Βασικές Μετρήσεις

Πολύμετρο Βασικές Μετρήσεις Πολύμετρο Βασικές Μετρήσεις 1. Σκοπός Σκοπός της εισαγωγικής άσκησης είναι η εξοικείωση του σπουδαστή με τη χρήση του πολύμετρου για τη μέτρηση βασικών μεγεθών ηλεκτρικού κυκλώματος, όπως μέτρηση της έντασης

Διαβάστε περισσότερα

5. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ Ι (ΑΝΤΙΣΤΑΤΕΣ )

5. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ Ι (ΑΝΤΙΣΤΑΤΕΣ ) 5. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ Ι (ΑΝΤΙΣΤΑΤΕΣ ) Μεταβλητοί αντιστάτες Η τιμή της αντίστασης των μεταβλητών αντιστατών σε αντίθεση με αυτή των σταθερών, δε διατηρείται σταθερή αλλά μεταβάλλεται, είτε μηχανικά

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ 5 ΧΡΟΝΙΑ ΕΜΠΕΙΡΙΑ ΣΤΗΝ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΘΕΜΑΤΑ ΟΜΑΔΑ Α Α. ια τις ημιτελείς προτάσεις Α. έως Α.4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της πρότασης και, δίπλα σε κάθε αριθμό,

Διαβάστε περισσότερα

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B. 3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

ηλεκτρικό ρεύµα ampere

ηλεκτρικό ρεύµα ampere Ηλεκτρικό ρεύµα Το ηλεκτρικό ρεύµα είναι ο ρυθµός µε τον οποίο διέρχεται ηλεκτρικό φορτίο από µια περιοχή του χώρου. Η µονάδα µέτρησης του ηλεκτρικού ρεύµατος στο σύστηµα SI είναι το ampere (A). 1 A =

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 9

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 9 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 9: Ενισχυτές με ενεργό φορτίο Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης

Διαβάστε περισσότερα

Διαφορικοί Ενισχυτές

Διαφορικοί Ενισχυτές Διαφορικοί Ενισχυτές Γενικά: Ο Διαφορικός ενισχυτής (ΔΕ) είναι το βασικό δομικό στοιχείο ενός τελεστικού ενισχυτή. Η λειτουργία ενός ΔΕ είναι η ενίσχυση της διαφοράς μεταξύ δύο σημάτων εισόδου. Τα αρχικά

Διαβάστε περισσότερα

ΦΥΣΙΚΗ Γ ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ 2.1 ΤΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ

ΦΥΣΙΚΗ Γ ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ 2.1 ΤΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ ΦΥΣΙΚΗ Γ ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ 2Η ΕΝΟΤΗΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ 2.1 ΤΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ Τι είναι ; Ηλεκτρικό ρεύμα ονομάζεται η προσανατολισμένη κίνηση των ηλεκτρονίων ή γενικότερα των φορτισμένων σωματιδίων Που μπορεί να

Διαβάστε περισσότερα

ΑΠΟΤΥΠΩΣΗ ΜΕΛΕΤΗ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΠΕΔΙΩΝ

ΑΠΟΤΥΠΩΣΗ ΜΕΛΕΤΗ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΠΕΔΙΩΝ 1 ο ΕΚΦΕ (Ν. ΣΜΥΡΝΗΣ) Δ Δ/ΝΣΗΣ Δ. Ε. ΑΘΗΝΑΣ 1 ΑΠΟΤΥΠΩΣΗ ΜΕΛΕΤΗ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΠΕΔΙΩΝ Α. ΣΤΟΧΟΙ Η επαφή και εξοικείωση του μαθητή με βασικά όργανα του ηλεκτρισμού και μετρήσεις. Η ικανότητα συναρμολόγησης απλών

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2ο ΑΝΤΙΣΤΑΣΕΙΣ Θερμική ενέργεια Q και Ισχύς Ρ Όταν μια αντίσταση R διαρρέεται από ρεύμα Ι για χρόνο t, τότε παράγεται θερμική ενέργεια Q. Για το συνεχές ρεύμα η ισχύς

Διαβάστε περισσότερα

ΝΟΜΟΣ ΤΟΥ OHM ( σε αντιστάτη και λαμπτήρα )

ΝΟΜΟΣ ΤΟΥ OHM ( σε αντιστάτη και λαμπτήρα ) 1 ο ΕΚΦΕ (Ν. ΣΜΥΡΝΗΣ) Δ Δ/ΝΣΗΣ Δ. Ε. ΑΘΗΝΑΣ 1 ΝΟΜΟΣ ΤΟΥ OHM ( σε αντιστάτη και λαμπτήρα ) Α. ΣΤΟΧΟΙ Η ικανότητα συναρμολόγησης απλών πειραματικών κυκλωμάτων του ηλεκτρικού ρεύματος. Η εξοικείωση με το

Διαβάστε περισσότερα

Relay Module. Relay. Στο πλαίσιο αυτής της προσπάθειας λοιπόν, ένα relay module είναι σχεδόν σίγουρο πως θα μας χρειαστεί.

Relay Module. Relay. Στο πλαίσιο αυτής της προσπάθειας λοιπόν, ένα relay module είναι σχεδόν σίγουρο πως θα μας χρειαστεί. Relay Module PanosRCng Στην πορεία προς ένα μέλλον αυτοματισμών, όπου θα μπορούμε να ελέγχουμε τα πάντα μέσω του φιλόξενου περιβάλλοντος του προσωπικού μας υπολογιστή, ή θα μπορούμε να αναθέτουμε σε ένα

Διαβάστε περισσότερα

11 η ΕΥΡΩΠΑΙΚΗ ΟΛΥΜΠΙΑ Α ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ EUSO 2013

11 η ΕΥΡΩΠΑΙΚΗ ΟΛΥΜΠΙΑ Α ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ EUSO 2013 11 η ΕΥΡΩΠΑΙΚΗ ΟΛΥΜΠΙΑ Α ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ EUSO 2013 ΤΟΠΙΚΟΣ ΜΑΘΗΤΙΚΟΣ ΙΑΓΩΝΙΣΜΟΣ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΟΚΙΜΑΣΙΑ ΣΤΗ ΦΥΣΙΚΗ Σάββατο 8 ΕΚΕΜΒΡΙΟΥ 2012 ΕΚΦΕ ΑΧΑΪΑΣ (ΑΙΓΙΟΥ) (Διάρκεια εξέτασης 60 min) Μαθητές: Σχολική Μονάδα

Διαβάστε περισσότερα

ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2

ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2 ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2 Το διαφορικό ζεύγος Το κάτω τρανζίστορ (I bias ) καθορίζει το ρεύμα του κυκλώματος Τα δυο πάνω τρανζίστορ συναγωνίζονται γιατοποιοθαπάρειαυτότορεύμα 2 Ανάλυση

Διαβάστε περισσότερα

Εγχειρίδιο Χρήσης. Ασύρματο ραντάρ οπισθοπορείας TL-3036

Εγχειρίδιο Χρήσης. Ασύρματο ραντάρ οπισθοπορείας TL-3036 Εγχειρίδιο Χρήσης Ασύρματο ραντάρ οπισθοπορείας TL-3036 Περιεχόμενα Περιεχόμενα...1 Εισαγωγή...2 Χαρακτηριστικά...3 Τεχνικές Προδιαγραφές...3 Εγκατάσταση...4 Συμβουλές Εγκατάστασης Αισθητήρων...5 Τοποθέτηση

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3ο ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΔΙΟΔΟΙ Επαφή ΡΝ Σε ένα κομμάτι κρύσταλλο πυριτίου προσθέτουμε θετικά ιόντα 5σθενούς στοιχείου για τη δημιουργία τμήματος τύπου Ν από τη μια μεριά, ενώ από την

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ - Λύσεις ασκήσεων στην ενότητα

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ - Λύσεις ασκήσεων στην ενότητα ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ - Λύσεις ασκήσεων στην ενότητα 1. Να αναφέρετε τρεις τεχνολογικούς τομείς στους οποίους χρησιμοποιούνται οι τελεστικοί ενισχυτές. Τρεις τεχνολογικοί τομείς που οι τελεστικοί ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΗ ΜΕΛΕΤΗ ΤΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΑΠΛΟΥ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΥ ΚΥΚΛΩΜΑΤΟΣ DC ΜΕ ΠΗΓΗ, ΩΜΙΚΟ ΚΑΤΑΝΑΛΩΤΗ ΚΑΙ ΚΙΝΗΤΗΡΑ

ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΗ ΜΕΛΕΤΗ ΤΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΑΠΛΟΥ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΥ ΚΥΚΛΩΜΑΤΟΣ DC ΜΕ ΠΗΓΗ, ΩΜΙΚΟ ΚΑΤΑΝΑΛΩΤΗ ΚΑΙ ΚΙΝΗΤΗΡΑ 1 ο ΕΚΦΕ (Ν. ΣΜΥΡΝΗΣ) Δ Δ/ΝΣΗΣ Δ. Ε. ΑΘΗΝΑΣ 1 ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΗ ΜΕΛΕΤΗ ΤΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΑΠΛΟΥ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΥ ΚΥΚΛΩΜΑΤΟΣ DC Α. ΣΤΟΧΟΙ Η ικανότητα συναρμολόγησης απλών πειραματικών κυκλωμάτων του ηλεκτρικού ρεύματος.

Διαβάστε περισσότερα

Μετρήσεις σε ράβδους γραφίτη.

Μετρήσεις σε ράβδους γραφίτη. 13 η ΟΛΥΜΠΙΑΔΑ ΦΥΣΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΕΚΦΕ ΧΑΛΑΝΔΡΙΟΥ Τοπικός διαγωνισμός στη ΦΥΣΙΚΗ 13 Δεκεμβρίου2014 Σχολείο: Ονόματα μαθητών:1) 2) 3) Μετρήσεις σε ράβδους γραφίτη. Για να γράψουμε χρησιμοποιούμε τα μολύβια,

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Αντικείμενα Μάθημα 1 Δραστηριότητα 2. Προγραμματισμός Φυσικών Συστημάτων. Συστήματα Πραγματικών Εφαρμογών. Νέα Ψηφιακά Αντικείμενα

Ψηφιακά Αντικείμενα Μάθημα 1 Δραστηριότητα 2. Προγραμματισμός Φυσικών Συστημάτων. Συστήματα Πραγματικών Εφαρμογών. Νέα Ψηφιακά Αντικείμενα Σκοπός Ψηφιακά Αντικείμενα Μάθημα 1 Δραστηριότητα 2 ΤΟ ΣΥΣΤΗΜΑ ΣΑΡΩΣΗΣ ΤΟΥ ΟΠΤΙΚΟΥ ΠΕΔΙΟΥ. Ψηφιακά Αντικείμενα Μικροελεγκτής Προγραμματισμός Φυσικών Συστημάτων Συστήματα Πραγματικών Εφαρμογών Νέα Ψηφιακά

Διαβάστε περισσότερα

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών Μία PWM κυματομορφή στην πραγματικότητα αποτελεί μία περιοδική κυματομορφή η οποία έχει δύο τμήματα. Το τμήμα ΟΝ στο οποίο η κυματομορφή έχει την μέγιστη

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Α. Αναστροφέας MOSFET. Α.1 Αναστροφέας MOSFET µε φορτίο προσαύξησης. Ο αναστροφέας MOSFET (πύλη NOT) αποτελείται από

Διαβάστε περισσότερα

Πείραμα. Ο Διαφορικός Ενισχυτής. Εξοπλισμός. Διαδικασία

Πείραμα. Ο Διαφορικός Ενισχυτής. Εξοπλισμός. Διαδικασία Ο Διαφορικός Ενισχυτής Ο διαφορικός ενισχυτής είναι η βαθμίδα εισόδου άμεσης σύζευξης ενός τυπικού τελεστικού ενισχυτή. Η πιο κοινή μορφή ενός διαφορικού ενισχυτή είναι ένα κύκλωμα με είσοδο δύο άκρων

Διαβάστε περισσότερα

1 η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΚΑΜΠΥΛΗ ΩΜΙΚΟΥ ΑΝΤΙΣΤΑΤΗ ΚΑΙ ΛΑΜΠΤΗΡΑ ΠΥΡΑΚΤΩΣΗΣ

1 η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΚΑΜΠΥΛΗ ΩΜΙΚΟΥ ΑΝΤΙΣΤΑΤΗ ΚΑΙ ΛΑΜΠΤΗΡΑ ΠΥΡΑΚΤΩΣΗΣ 1 ο Γενικό Λύκειο Ηρακλείου Αττικής Σχ έτος 2011-2012 Εργαστήριο Φυσικής Υπεύθυνος : χ τζόκας 1 η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΚΑΜΠΥΛΗ ΩΜΙΚΟΥ ΑΝΤΙΣΤΑΤΗ ΚΑΙ ΛΑΜΠΤΗΡΑ ΠΥΡΑΚΤΩΣΗΣ Η γραφική παράσταση

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 15 Μελέτη φωτοδιόδου (φωτοανιχνευτή) και διόδου εκπομπής φωτός LED

ΑΣΚΗΣΗ 15 Μελέτη φωτοδιόδου (φωτοανιχνευτή) και διόδου εκπομπής φωτός LED ΑΣΚΗΣΗ 15 Μελέτη φωτοδιόδου (φωτοανιχνευτή) και διόδου εκπομπής φωτός LED Απαραίτητα όργανα και υλικά 15.1 Απαραίτητα όργανα και υλικά 1. LED, Φωτοδίοδοι (φωτοανιχνευτές). 2. Τροφοδοτικό με δύο εξόδους.

Διαβάστε περισσότερα

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΒΙΟΜΗΧΑΝΙΑΣ

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΒΙΟΜΗΧΑΝΙΑΣ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΒΙΟΜΗΧΑΝΙΑΣ MM505 ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΜΗΧΑΝΕΣ ΒΙΟΜΗΧΑΝΙΚΟΙ ΑΥΤΟΜΑΤΙΣΜΟΙ Εργαστήριο ο - Θεωρητικό Μέρος Βασικές ηλεκτρικές μετρήσεις σε συνεχές και εναλλασσόμενο

Διαβάστε περισσότερα

ΣΥΝΕΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ

ΣΥΝΕΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ ΣΥΝΕΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ 1. Αγωγός διαρρέεται από ρεύμα σταθερής έντασης 4 mα. α. Να υπολογίσετε τον αριθμό των ηλεκτρονίων που διέρχονται από διατομή του αγωγού, σε χρόνο 5 s. β. Να παραστήσετε γραφικά

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΙΚΗ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗ 1 ΠΥΚΝΩΤΗ :

ΑΡΧΙΚΗ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗ 1 ΠΥΚΝΩΤΗ : ΤΕΙ ΧΑΛΚΙΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ Α/Α ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ : ΑΣΚΗΣΗ 5 η Τίτλος Άσκησης : ΜΕΤΡΗΣΗ ΧΩΡΗΤΙΚΟΤΗΤΑΣ ΜΕ ΑΜΕΣΕΣ ΚΑΙ ΕΜΜΕΣΕΣ ΜΕΘΟΔΟΥΣ Θεωρητική Ανάλυση Πυκνωτής

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών) Διεργασίες Μικροηλεκτρονικής Τεχνολογίας, Οξείδωση, Διάχυση, Φωτολιθογραφία, Επιμετάλλωση, Εμφύτευση, Περιγραφή CMOS

Διαβάστε περισσότερα

Β.1 Ακίνητο θετικό σημειακό ηλεκτρικό φορτίο Q δημιουργεί γύρω του ηλεκτρικό πεδίο. Σε σημείο Α του πεδίου τοποθετούμε θετικό ηλεκτρικό φορτίο q.

Β.1 Ακίνητο θετικό σημειακό ηλεκτρικό φορτίο Q δημιουργεί γύρω του ηλεκτρικό πεδίο. Σε σημείο Α του πεδίου τοποθετούμε θετικό ηλεκτρικό φορτίο q. Β.1 Ακίνητο θετικό σημειακό ηλεκτρικό φορτίο Q δημιουργεί γύρω του ηλεκτρικό πεδίο. Σε σημείο Α του πεδίου τοποθετούμε θετικό ηλεκτρικό φορτίο q. +Q + (α ) R 1 E Vv R 2 Ι 1 Ι 2 (β) (γ) +q Αν θέλαμε να

Διαβάστε περισσότερα

Επισημάνσεις από τη θεωρία

Επισημάνσεις από τη θεωρία 13 η ΟΛΥΜΠΙΑΔΑ ΦΥΣΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΕΚΦΕ Ν.ΙΩΝΙΑΣ Τοπικός διαγωνισμός στη Φυσική 13 Δεκεμβρίου2014 α. β. γ. Ονοματεπώνυμο μαθητών Επισημάνσεις από τη θεωρία Σχολείο Ηλεκτρικό δίπολο ονομάζουμε κάθε ηλεκτρική

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΑΥΤΟΜΑΤΟΥ ΕΛΕΓΧΟΥ ΣΑΕ ΙΙ. Αισθητήρια θερμοκρασίας Εισαγωγή

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΑΥΤΟΜΑΤΟΥ ΕΛΕΓΧΟΥ ΣΑΕ ΙΙ. Αισθητήρια θερμοκρασίας Εισαγωγή ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΑΥΤΟΜΑΤΟΥ ΕΛΕΓΧΟΥ ΣΑΕ ΙΙ Εργαστηριακή Άσκηση 1 Αισθητήρια θερμοκρασίας Εισαγωγή Η μέτρηση της θερμοκρασίας είναι μια σημαντική ασχολία για τους μηχανικούς παραγωγής γιατί είναι, συνήθως,

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 0. Κύκλωμα - Όργανα

ΑΣΚΗΣΗ 0. Κύκλωμα - Όργανα ΑΣΚΗΣΗ 0 Κύκλωμα Όργανα ΤΙ ΧΡΕΙΑΖΟΜΑΣΤΕ: Ένα τροφοδοτικό GP 4303D, δύο πολύμετρα FLUKE 179 ένα λαμπάκι πυρακτώσεως, ένα πυκνωτή και καλώδια. ΣΚΟΠΟΣ: α) Να μάθουμε να φτιάχνουμε ένα κύκλωμα στον πάγκο β)

Διαβάστε περισσότερα

Κατασκευάστε ένα απλό antenna tuner (Μέρος Α )

Κατασκευάστε ένα απλό antenna tuner (Μέρος Α ) Κατασκευάστε ένα απλό antenna tuner (Μέρος Α ) Του Νίκου Παναγιωτίδη (SV6 DBK) φυσικού και ραδιοερασιτέχνη. Ο σκοπός του άρθρου αυτού είναι να κατευθύνει τον αναγνώστη ραδιοερασιτέχνη να κατασκευάσει το

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΩΤΑΤΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ

ΑΝΩΤΑΤΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΩΤΑΤΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ: ΤΕΚΤΟΝΙΔΗΣ ΑΠΟΣΤΟΛΟΣ ΤΜΗΜΑ: ΟΧΗΜΑΤΩΝ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΟ ΕΤΟΣ: 2004-2005 ΕΞΑΜΗΝΟ: Ζ ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΗΤΡΩΟΥ: 08/01 ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΑ ΟΧΗΜΑΤΩΝ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ:

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ A. Πίνακες αληθείας λογικών πυλών. Στη θετική λογική το λογικό 0 παριστάνεται µε ένα χαµηλό δυναµικό, V L, ενώ το λογικό 1

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 1 η ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ ΕΙΣΑΓΩΓΗ. Στόχοι της εργαστηριακής άσκησης είναι η εξοικείωση των σπουδαστών με την:

ΑΣΚΗΣΗ 1 η ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ ΕΙΣΑΓΩΓΗ. Στόχοι της εργαστηριακής άσκησης είναι η εξοικείωση των σπουδαστών με την: Σκοπός της Άσκησης: ΑΣΚΗΣΗ η ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ ΕΙΣΑΓΩΓΗ Στόχοι της εργαστηριακής άσκησης είναι η εξοικείωση των σπουδαστών με την: α. Κατασκευή μετασχηματιστών. β. Αρχή λειτουργίας μετασχηματιστών.

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 6 ΔΙΟΔΟΣ ZENER ΚΑΙ ΠΟΛΛΑΠΛΑΣΙΑΣΤΕΣ ΤΑΣΗΣ

Άσκηση 6 ΔΙΟΔΟΣ ZENER ΚΑΙ ΠΟΛΛΑΠΛΑΣΙΑΣΤΕΣ ΤΑΣΗΣ Άσκηση 6 ΔΙΟΔΟΣ ZENER ΚΑΙ ΠΟΛΛΑΠΛΑΣΙΑΣΤΕΣ ΤΑΣΗΣ Αυτό έργο χορηγείται με άδεια Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike Greece 3.0. Ονοματεπώνυμο: Μητρόπουλος Σπύρος Α.Ε.Μ.: 3215 Εξάμηνο: Β'

Διαβάστε περισσότερα

ΣΥΣΤΗΜΑ ΟΠΙΣΘΕΝ ΜΕ ΑΙΣΘΗΤΗΡΕΣ RTG 2012 (Plate Sensor 2012)

ΣΥΣΤΗΜΑ ΟΠΙΣΘΕΝ ΜΕ ΑΙΣΘΗΤΗΡΕΣ RTG 2012 (Plate Sensor 2012) 5040291500-WEB- ΣΥΣΤΗΜΑ ΟΠΙΣΘΕΝ ΜΕ ΑΙΣΘΗΤΗΡΕΣ RTG 2012 (Plate Sensor 2012) ΚΥΡΙΑ ΤΕΧΝΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΚΑΙ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΤΟΥ ΠΡΟΪΟΝΤΟΣ Τροφοδοσία 12 Vcc (10V 15V ). Απορρόφηση >50 ma (μόνο με τον πίνακα

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ ΦΥΛΛΟ ΕΡΓΟΥ ΑΣΚΗΣΗ 1 ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΜΕ ΠΟΛΥΜΕΤΡΟ ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ ΦΥΛΛΟ ΕΡΓΟΥ ΑΣΚΗΣΗ 1 ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΜΕ ΠΟΛΥΜΕΤΡΟ ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ ΗΜΕΡΑ ΩΡΑ.. ΟΜΑΔΑ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ. ΦΥΛΛΟ ΕΡΓΟΥ ΑΣΚΗΣΗ 1 ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΜΕ ΠΟΛΥΜΕΤΡΟ ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ.. 1. Δοκιμαστική λυχνία ή δοκιμαστικό (Test lights) Η δοκιμαστική λυχνία

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 6. Μελέτη συντονισμού σε κύκλωμα R,L,C, σειράς

ΑΣΚΗΣΗ 6. Μελέτη συντονισμού σε κύκλωμα R,L,C, σειράς ΑΣΚΗΣΗ 6 Μελέτη συντονισμού σε κύκλωμα R,L,C, σειράς Σκοπός : Να μελετήσουμε το φαινόμενο του συντονισμού σε ένα κύκλωμα που περιλαμβάνει αντιστάτη (R), πηνίο (L) και πυκνωτή (C) συνδεδεμένα σε σειρά (κύκλωμα

Διαβάστε περισσότερα

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 3. ΙΟ ΟΣ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΙΟ ΩΝ Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής Ο τελεστικός ενισχυτής, TE (operational ampliier, op-amp) είναι ένα από τα πιο χρήσιμα αναλογικά κυκλώματα. Κατασκευάζεται ως ολοκληρωμένο κύκλωμα (integrated circuit) και

Διαβάστε περισσότερα

Φυσική Β Γενικού Λυκείου

Φυσική Β Γενικού Λυκείου Φυσική Β Γενικού Λυκείου Απαντήσεις στα θέματα της Τράπεζας Θεμάτων Συγγραφή απαντήσεων: Νεκτάριος Πρωτοπαπάς Χρησιμοποιήστε τους σελιδοδείκτες (bookmarks) στο αριστερό μέρος της οθόνης για την πλοήγηση

Διαβάστε περισσότερα

ΕΚΦΕ Λέσβου - Τοπικός διαγωνισμός Σάββατο 7 Δεκεμβρίου Σχολείο:.. Ονοματεπώνυμα μελών ομάδας: Φυσική

ΕΚΦΕ Λέσβου - Τοπικός διαγωνισμός Σάββατο 7 Δεκεμβρίου Σχολείο:.. Ονοματεπώνυμα μελών ομάδας: Φυσική ΕΚΦΕ Λέσβου - Τοπικός διαγωνισμός Σάββατο 7 Δεκεμβρίου 2013 Σχολείο:.. Ονοματεπώνυμα μελών ομάδας:... Φυσική Μελέτη της χαρακτηριστικής καμπύλης ηλεκτρικής πηγής ΘΕΜΑ Η μέτρηση της τάσης Vπ στα άκρα της

Διαβάστε περισσότερα

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΑ ΔΙΚΤΥΑ ΥΨΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ (Θ) Ενότητα 5: Μικροκυματικές Διατάξεις ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΤΕ 1 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό

Διαβάστε περισσότερα

ΠΑΡΑΓΩΓΗ ΜΙΚΡΟΚΥΜAΤΩΝ ΜΕ ΔΙΟΔΟ GUNN

ΠΑΡΑΓΩΓΗ ΜΙΚΡΟΚΥΜAΤΩΝ ΜΕ ΔΙΟΔΟ GUNN ΠΑΡΑΓΩΓΗ ΜΙΚΡΟΚΥΜAΤΩΝ ΜΕ ΔΙΟΔΟ GUNN Το φαινόμενο Gunn, ή το φαινόμενο των μεταφερόμενων ηλεκτρονίων, που ανακαλύφθηκε από τον Gunn το 1963 δηλώνει ότι όταν μια μικρή τάση DC εφαρμόζεται κατά μήκος του

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονικά Ισχύος. ίοδος

Ηλεκτρονικά Ισχύος. ίοδος Ηλεκτρονικά Ισχύος Πρόκειται για στοιχεία κατασκευασμένα από υλικά με συγκεκριμένες μη γραμμικές ηλεκτρικές ιδιότητες (ημιαγωγά στοιχεία) Τα κυριότερα από τα στοιχεία αυτά είναι: Η δίοδος Το thyristor

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΠΕΙΡΑΜΑ 4

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΠΕΙΡΑΜΑ 4 Εφόσον το τρανζίστορ ενός ενισχυτή κοινού εκπομπού πολωθεί με το σημείο Q να βρίσκεται κοντά στο μέσο της DC γραμμής φορτίου, μπορεί να συνδεθεί ένα μικρό ac σήμα στη βάση. Με αυτόν τον τρόπο, παράγεται

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ ΦΥΛΛΟ ΕΡΓΟΥ ΑΣΚΗΣΗ 1 ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΜΕ ΠΟΛΥΜΕΤΡΟ (ΣΥΜΠΛΗΡΩΜΑΤΙΚΗ) ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ ΦΥΛΛΟ ΕΡΓΟΥ ΑΣΚΗΣΗ 1 ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΜΕ ΠΟΛΥΜΕΤΡΟ (ΣΥΜΠΛΗΡΩΜΑΤΙΚΗ) ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ ΗΜΕΡΑ ΩΡΑ.. ΟΜΑΔΑ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ. ΦΥΛΛΟ ΕΡΓΟΥ ΑΣΚΗΣΗ 1 ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΜΕ ΠΟΛΥΜΕΤΡΟ (ΣΥΜΠΛΗΡΩΜΑΤΙΚΗ) ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ.. Μέτρηση αντιστάσεων με ωμόμετρο 1. Ρυθμίζουμε το πολύμετρο

Διαβάστε περισσότερα

Περιεχόμενα. Σελίδα. Διακόπτες μεμβράνης Σύνδεσμοι Λάμπες και μεταβλητή αντίσταση Ηλεκτρομαγνήτης Σύμβολα κυκλώματος ΔΙΕΡΕΥΝΗΤΙΚΗ ΜΑΘΗΣΗ

Περιεχόμενα. Σελίδα. Διακόπτες μεμβράνης Σύνδεσμοι Λάμπες και μεταβλητή αντίσταση Ηλεκτρομαγνήτης Σύμβολα κυκλώματος ΔΙΕΡΕΥΝΗΤΙΚΗ ΜΑΘΗΣΗ 1 Περιεχόμενα Σελίδα Περιεχόμενα 1 Εισαγωγή 2 Ηλεκτρικά εξαρτήματα 3 Ηλεκτρισμός στο σπίτι 4 Ένα κύκλωμα 5 Η τάση 6 Θετικό και αρνητικό 7 Το κόψιμο και η απογύμνωση καλωδίων 8 Η σύνδεση των εξαρτημάτων

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ 5 ο ΕΞΑΜΗΝΟ ΗΜΜΥ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ 1 Ι. ΠΑΠΑΝΑΝΟΣ ΑΠΡΙΛΙΟΣ

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 2 η ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΜΕ ΦΟΡΤΙΟ

ΑΣΚΗΣΗ 2 η ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΜΕ ΦΟΡΤΙΟ ΑΣΚΗΣΗ η ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΜΕ ΦΟΡΤΙΟ Σκοπός της Άσκησης: Στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη των χαρακτηριστικών λειτουργίας ενός μονοφασικού μετασχηματιστή υπό φορτίο. 1. Λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΕ ΑΠΛΕΣ ΣΥΝΔΕΣΜΟΛΟΓΙΕΣ ΑΝΤΙΣΤΑΤΩΝ

ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΕ ΑΠΛΕΣ ΣΥΝΔΕΣΜΟΛΟΓΙΕΣ ΑΝΤΙΣΤΑΤΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΕ ΑΠΛΕΣ ΣΥΝΔΕΣΜΟΛΟΓΙΕΣ ΑΝΤΙΣΤΑΤΩΝ Αντιστάτες συνδεδεμένοι σε σειρά Όταν ν αντιστάτες ενός κυκλώματος διαρρέονται από το ίδιο ρεύμα τότε λέμε ότι οι αντιστάτες αυτοί είναι συνδεδεμένοι σε σειρά.

Διαβάστε περισσότερα

ΑΙΣΘΗΤΗΡΑΣ ΣΧΕΤΙΚΗΣ ΥΓΡΑΣΙΑΣ. Η πιο συνηθισμένη έκφραση για την υγρασία του αέρα είναι η σχετική υγρασία (Relative Ηumidity, RH).

ΑΙΣΘΗΤΗΡΑΣ ΣΧΕΤΙΚΗΣ ΥΓΡΑΣΙΑΣ. Η πιο συνηθισμένη έκφραση για την υγρασία του αέρα είναι η σχετική υγρασία (Relative Ηumidity, RH). ΑΙΣΘΗΤΗΡΑΣ ΣΧΕΤΙΚΗΣ ΥΓΡΑΣΙΑΣ Η πιο συνηθισμένη έκφραση για την υγρασία του αέρα είναι η σχετική υγρασία (Relative Ηumidity, RH). Η σχετική υγρασία είναι ο λόγος επί τοις εκατό (%) της μάζας των υδρατμών

Διαβάστε περισσότερα

ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ ΦΥΣΙΚΗΣ Γ ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ

ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ ΦΥΣΙΚΗΣ Γ ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ ΦΥΣΙΚΗΣ Γ ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ Κεφάλαιο 2 - Ηλεκτρικό Ρεύμα Επιμέλεια: Αγκανάκης Παναγιώτης, Φυσικός https://physicscourses.wordpress.com/ Με ποιες θεμελιώδεις έννοιες συνδέεται το ηλεκτρικό ρεύμα; Το

Διαβάστε περισσότερα

Περιεχόμενο της άσκησης

Περιεχόμενο της άσκησης Προαπαιτούμενες γνώσεις Επαφή p- Στάθμη Fermi Χαρακτηριστική ρεύματος-τάσης Ορθή και ανάστροφη πόλωση Περιεχόμενο της άσκησης Οι επαφές p- παρουσιάζουν σημαντικό ενδιαφέρον επειδή βρίσκουν εφαρμογή στη

Διαβάστε περισσότερα

ΠΡΟΤΥΠΟ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΛΥΚΕΙΟ ΕΥΑΓΓΕΛΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗΣ ΣΜΥΡΝΗΣ

ΠΡΟΤΥΠΟ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΛΥΚΕΙΟ ΕΥΑΓΓΕΛΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗΣ ΣΜΥΡΝΗΣ ΠΡΟΤΥΠΟ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΛΥΚΕΙΟ ΕΥΑΓΓΕΛΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗΣ ΣΜΥΡΝΗΣ ΕΠΙΛΟΓΗ ΘΕΜΑΤΩΝ ΑΠΟ ΤΗΝ ΤΡΑΠΕΖΑ ΘΕΜΑΤΩΝ «Β ΘΕΜΑΤΑ ΕΠΙΛΥΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ» ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ Β ΛΥΚΕΙΟΥ Χ. Δ. ΦΑΝΙΔΗΣ ΣΧΟΛΙΚΟ ΕΤΟΣ 014-015 B.1 Σ' έναν

Διαβάστε περισσότερα

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com 1 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2ο ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ Σκοπός Στο δεύτερο κεφάλαιο θα εισαχθεί η έννοια του ηλεκτρικού ρεύματος και της ηλεκτρικής τάσης,θα μελετηθεί ένα ηλεκτρικό κύκλωμα και θα εισαχθεί η έννοια της αντίστασης.

Διαβάστε περισσότερα