TRANZISTORUL BIPOLAR ÎN REGIM CONTINUU
|
|
- Αντώνης Καραβίας
- 6 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 Lucrarea nr 2 TRANZISTORUL IPOLAR ÎN REGIM ONTINUU uprins I Scopul lucrării II Noţiuni teoretice III Desfăşurarea lucrării IV Temă de casă V Simulări VI Anexă 1
2 I Scopul lucrării Ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar în conexiunile emitorcomun (E) şi bază-comună (), determinarea unor parametrii de curent continuu, determinarea experimentală a influenţei dispersiei de fabricaţie şi a temperaturii asupra comportării tranzistorului bipolar în curent continuu;se va studia si eficacitatea diferitelor scheme de polarizare pentru stabilirea punctului static de functionare al tranzistorului uprins II Noţiuni teoretice 1 În fig21 este reprezentat simbolul unui tranzistor NPN cu precizarea sensului curenţilor şi tensiunilor aşa cum vor fi folosite în această lucrare Pentru aceste mărimi se pot scrie relaţiile: i = i i (21) E u E = u u (22) 2 omportarea tranzistorului bipolar în i E regim continuu este definită de relaţiile ce descriu dependenţa curenţilor i şi ie de tensiunile aplicate la u E bornele celor două joncţiuni u şi u În regiunea activă normală, joncţiunea emitorbază este polarizată direct iar joncţiunea colector-bază fig 21 este polarizată invers Relaţiile de bază pentru curenţii unui tranzistor NPN sunt: q u qdnn p kt ie = S e (23) w i = α i I (24) E u i i u E În aceste relaţii S este suprafata joncţiunii bază-emitor, purtătorilor minoritari din bază (electronii) a căror concentraţie este n p, iar temperatura camerei, w este grosimea efectivă a bazei dată de relaţia: D n este constanta de difuzie a kt q = 26mV la w = d n p 2ε( U u ) n p (25) q n p n p unde d este grosimea fizică a bazei, U este bariera de potenţial a joncţiunii colector-bază dependentă de concentraţiile de purtători majoritari din bază n n şi din colector 2 p p, iar ε este permeativitatea electrică a materialului din care este confecţionat tranzistorul Se constată că, la creşterea tensiunii de polarizare inversă a jonctiunii bază-colactor, grosimea efectivă a bazei scade
3 Parametrul α, factorul de curent al tranzistorului în conexiunea bază comună, depinde de tensiunea colector bază prin intermediul lui w şi are expresia aproximativă : unde L n şi emitor) iar 2 1 w σ p w α = 1 1, (26) 2 Ln σ n L p L p sunt lungimile de difuzie ale electronilor (în bază) respectiv ale golurilor (în σ p şi σ n sunt conductivităţile electrice ale bazei, respectiv emitorului Din punct de vedere practic, pentru determinarea regimului de funcţionare în curent continuu, este necesară cunoaşterea caracteristicilor statice de intrare, de transfer direct şi de ieşire (numai două dintre ele sunt independente), cu particularităţi specifice fiecărui mod de conexiune În conexiunea bază comună, electrodul de referinţă este baza iar în conexiunea emitor comun electrodul de referinţă va fi emitorul 3 aracteristica de intrare a tranzistorului în conexiunea, i E = i E ( u E ), se deduce din relaţia 23, în care se înlocuieşte u = u E Reprezentarea grafică este dată în fig 22, unde s-a considerat ca parametru, tensiunea u Se constată caracterul exponenţial al caracteristicii de intrare şi influenţa mică a tensiunii de colector asupra caracteristicii de intrare Exponentul poate fi afectat de coeficientul γ, ca la dioda semiconductoare, determinarea lui experimentală făcându-se în acelaşi mod i E U = 5V fig 22 fig 23 i E T 2 > T 1 T 1 M' U = T 2 U u U u aracteristica de intrare i E = f ( u ) este puternic afectată de temperatură, aşa cum se vede şi în fig 23, înregistrîndu-se o deplasare a acesteia spre stânga sus la creşterea temperaturii aracteristica teoretică este dată de relaţia : i E qu W KT 3 = ct T e, (27) unde W este lăţimea zonei interzise a semiconductorului, q sarcina electronului, k constanta lui oltzmann iar T temperetura absolută în K La curent de emitor constant, se deduce: kt W qu T U = 3 (28) q kt T 3
4 Pentru temperaturi ambiante obişnuite, se poate considera: U -2 mv / (29) T atât pentru tranzistoarele fabricate din germaniu cât şi pentru cele fabricate din siliciu La acelaşi curent de emitor, tensiunea bază-emitor pentru două tranzistoare diferite, dar de acelaşi tip, nu este aceeaşi datorită dispersiei de fabricaţie, diferenţa fiind de cel mult 1 V la tranzistoarele din siliciu 4 aracteristica de transfer a tranzistorului în conexiunea, i = i ( i E ) este descrisă de ecuaţia (24) şi este reprezentată grafic în fig 24 Factorul de curent α, care dă panta acestei drepte, variază foarte puţin cu tensiunea u (prin intermediul lui w) şi cu curentul de colector (scădere atât la curenţi mici cât şi la curenţi mari, dependenţă care nu rezultă din teoria elementară a tranzistorului) Factorul de curent al tranzistorului în conexiunea bază comună, α, poate fi calculat cu relaţia: I I i fig24 i E i I α =, (21) i E unde I este curentul joncţiunii colector-bază polarizate invers cu emitorul în gol, de valoare foarte mică pentru tranzistoarele realizate din siliciu şi dependent de tensiunea u Precizia acestei relaţii este puternic afectată de imprecizia măsurărilor curenţilor i şi i E, de valori foarte apropiate Pentru măsurarea factorului de curent α se preferă relaţia (214) după măsurarea factorului de curent în conexiunea E, β 5 aracteristicile de ieşire a tranzistorului în conexiunea, i = i ( u ), sunt determinate de relaţiile (24) şi (25) şi sunt reprezentate grafic în fig 25 Se constată dependenţa foarte mică a curentului de colector de tensiunea u în regiunea activă normală, caracteristicile fiind practic orizontale şi echidistante, pentru trepte constante ale curentului de emitor (ceea ce conferă tranzistorului în conexiunea caracterul de generator de curent) Pentru tensiuni u <, curentul de colector scade datorită polarizării în conducţie directă a joncţiunii colector-bază, ceea ce duce la funcţionarea tranzistorului în regiunea de saturaţie i E R I M U fig 25 i E = i E i E = E u 4
5 6 Punctul static de funcţionare se determină din circuitul elementar din fig 26, prin rezolvarea grafo-analitică a sistemului de ecuaţii: I R i = i ( ie, u ) E = Ri u (211) u E u E unde valoarea curentului de emitor este fixată de circuitul de intrare (în lucrare, de către fig 26 generatorul de curent) În fig 25 în planul caracteristicilor statice, se trasează drepte de sarcină şi, pentru i E =, se obţine punctul static de funcţionare M cu coordonatele M ( I E, I, U ) ; pe carcateristica de intrare punctul static de funcţionare este M, U ) ( E 7 aracteristica de intrare a tranzistorului în conexiunea E, reprezentată grafic în fig 27, este dată de funcţia i = i ( u ) care are ca parametru tensiunea u E, ce intervine, în principal, prin parametrul w Ecuaţia acestei caracteristici se obţine din relaţiile (21), (23) şi (24) sub forma: q u S q Dnn p kt i = ( 1 α ) e I (212) w Se constată forma exponenţială a carateristicii, cu o influenţă redusă a tensiunii u E (prin intermediul variaţiei grosimii efective a bazei w şi anularea curentului de bază pentru o valoare diferită de a tensiunii u i fig 27 β fig 28 I U E = 1V U E = 5V 2 1 i () U u 1 1 i (ma) 8 aracteristica de transfer este dată de relaţia: i = β i I (213) E unde β este factorul de curent în conexiune E a cărui expresie dedusă din relaţiile (21) şi α (24) este : β =, (214) 1 α iar I E este curentul de colector măsurat cu baza in gol şi determinat prin relaţia: E ( 1) I I = β (215) 5
6 Factorul de curent al tranzistorului în conexiunea E depinde de tensiunea colectoremitor (prin intermediul grosimii efective a bazei, w ) şi de curentul de colector (această dependenţă este mai puternică decât a factorului de curent α ) ca în fig 28 Factorul de curent β se determină din relaţia (213) sub forma: i I E β = (216) i Factorul de curent β depinde relativ puţin de temperatura după o relaţie de forma: β T = ( β 1) α, (217) unde α este o constantă care, pentru tranzistoarele cu siliciu, are valori în jur de 1 / 9 aracteristicile de ieşire a tranzistorului în conexiunea E (fig29) dau dependenţa curentului de colector de tensiunea u E având ca parametru curentul de bază, i Acestea sunt descrise de relaţia (213); dependenţa mai puternică a factorului de curent al tranzistorului, β, de u E, determină o înclinare mai puternică a caracteristicilor faţă de orizontală În zona tensiunilor u E mici, ecuaţia (213) nu mai este valabilă, tranzistorul funcţionând în regiunea de saturaţie E R I i M U E fig 29 i = I i = i E u E 1 Punctul static de funcţionare se determină din circuitul elementar din fig 21, prin rezolvarea grafo-analitică a sistemului de ecuaţii: i = i ( i, ue ) E = Ri u E, (218) fig 21 i i R curentul i fiind determinat de circuitul de intrare (în cazul lucrării, prin generator de curent constant) Punctul static de funcţionare al unui tranzistor este determinat prin precizarea curenţilor prin tranzistor ( I şi I ) şi a tensiunilor la bornele sale ( U şi U E ) u u E E 11 În urma procesului tehnologic de fabricaţie, principalii parametri de curent continuu ai tranzistorului bipolar (factorul de curent β, tensiunea bază-emitor U la curent de emitor dat şi curentul rezidual de colector, I sau I E ) diferă, uneori foarte mult, de la un exemplar la altul De asemenea, aceşti parametri sunt influenţaţi de temperatura mediului ambiant 6
7 a urmare a modificării parametrilor de curent continuu ai tranzistorului (fie prin înlocuirea unui dispozitiv defect cu un altul de acelaşi tip, fie prin creşterea temperaturii ambiante) se va modifica punctul static de funcţionare al tranzistorului bipolar aflat într-un circuit de curent continuu, al cărui efect poate conduce la apropierea acestuia de zonele profund neliniare ale tranzistorului (saturaţie, blocare) şi, astfel, schimbarea parametrilor de regim variabil Pentru micşorarea acestor efecte negative se utilizează diferite circuite de polarizare în curent continuu şi de stabilizare termică a punctului static de funcţionare, asigurîndu-se, în acelaşi timp, şi diminuarea influenţei dispersiei de fabricaţie Datorită variaţiei temperaturii mediului ambiant, se modifică curenţii prin tranzistor şi deci şi tensiunile la bornele joncţiunilor tranzistorului într-un circuit dat Variaţia curentului de colector determinată de o variaţie de temperatură T se poate scrie sub forma: I = S I S U (219) I U unde I şi U sunt variaţia curentului rezidual al joncţiunii bază colector, respectiv variaţia tensiunii bază-emitor la variaţia temperaturii ambiante cu T, iar S I şi S U sunt factorii de stabilizare termică ce depind de circuitul de polarizare (s-a negijat contribuţia factorului β ) 12 În figura 211 sunt prezentate patru tipuri de circuite de polarizare: M 1 - fără stabilizarea termică a punctului static de funcţionare, M 2 - cu stabilizarea punctului static de funcţionare prin reacţie serie, M 3 - o variantă a montajului M 2 cu polarizarea bazei prin divizor, M - cu stabilizare a punctului static de funcţionare prin reacţie paralel 4 E E E E R R R R 1 R R R R T T T T R E R 2 R E R E M 1 M 2 M 3 M 4 fig 211 uprins 7
8 III Desfăşurarea lucrării 1 Identificarea montajului Se identifică montajul din fig 212 Grupul de componente format din tranzistoarele T 1, T 2, rezistenţele R 1, R 2, R 3, R 4 şi potenţiometrul P constituie o sursa dublă de curent reglabilă ând se foloseşte în montaje pentru a furniza curenţii de bază necesari tranzistorului NPN în conexiune E atunci sursa se alimentează cu 5 V la borna 2 faţă de borna de masă (borna 1) şi atunci se obţine la borna 3 un curent reglabil (în sensul săgeţii) între 2 µa Pentru curenţii de emitor necesari aceluiaşi tanzistor NPN în conexiune, sursa se alimentează cu -5V la borna 2 faţă de borna 1 (borna de masă) şi se obţine la borna 4 un curent reglabil între 5 ma --în fişierul deschis prin link-ul de mai jos să se realizeze schema din fig 212; --se alimentează sursa în cele două variante (pentru E şi ) şi se verifică la bornele 3 şi 4 curenţii corespunzători; Atenţie: după terminarea laboratorului se va şterge conţinutul fişierului deschis prin link-ul de mai jos Fisiere TR\PRATIEW R 1 R 3 R 4 7 R P R 1 T 1 T 2 5 R R 2 I R fig 212 8
9 2 aracteristica de intrare a tranzistorului în conexiunea Se trasează caracteristica de intrare a tranzistorului în conexiunea conform schemei de măsură din fig 213 Pentru aceasta, sursa de curent se va alimenta corespunzător montajului cu tranzistor în conexiune Pentru curentul de emitor se vor lua valorile: 1; 2; 5; 1; 2; 5; 1; 2; 5; ma, iar tensiunea colector-bază va fi de 5 V Rezultatele se trec în tabelul 21 şi se trasează caracteristica de intrare atât la scară liniară cât şi la scară logaritmică (pentru curent) pentru determinarea parametrului γ ca la dioda semiconductoare ma - T U E U fig 213 PRATIEW Apliaţie simulată de laborator: --Se realizează montajul din fig 213 şi se măsoară caracteristica de intrare a tranzistorului în conexiunea ; U 5V Tabelul 21 (ma) U E (mv) 3 aracteristica de transfer a tranzistorului în conexiunea Se trasează caracteristica de transfer i = i ( i E ) folosind schema de măsură din fig 214 Întrucât valorile curenţilor i şi i sunt E foarte apropiate, se preferă măsurarea curentului de bază pentru fiecare valoare a curentului de emitor, iar curentul de colector se deduce din relaţia (21) tensiunea u este de 5 V Pentru curentul de emitor se vor lua aceleaşi valori ca la punctul precedent ma - T E U I fig 214 Rezultatele se trec în tabelul 22 şi se trasează caracteristica de transfer la scară liniară Pentru i E = 2mA, se determină factorul de curent al tranzistorului în conexiunea, α, cu relaţia (21) în care I este valoarea curentului de colector obţinut cu emitorul în gol --Se realizează montajul din fig 214 şi se măsoară caracteristica de transfer a tranzistorului în conexiunea ; u acest montaj se realizează şi măsurătorile pentru punctul 4 PRATIEW 9
10 U 5V Tabelul 22 (ma) I (µa) I (ma) 4 aracteristica de ieşire a tranzistorului în conexiunea Se trasează caracteristicile statice de ieşire în conexiunea cu schema de măsură din fig214 Pentru tensiunea de ieşire se vor lua valorile 1; 5; 1; 2; 5; 1; V, iar curentul de emitor va fi fixat la valorile 2; 4; 6; 8; 1; ma Rezultatele se trec în tabelul 23 Pentru i E = 2 ma, se inversează semnul tensiunii U şi se determină valoarea acestei tensiuni pentru care curentul de colector se anulează; măsurătoarea se va face cu atenţie, deoarece anularea curentului de colector se produce la valori mici ale tensiunii colector bază (circa 6 7V) (ma) U (mv) I (µa) 2 I (ma) I (µa) 4 I (ma) I (µa) 6 I (ma) I (µa) 8 I (ma) I (µa) 1 I (ma) Tabelul Punctul static de funcţionare (conexiunea ) În planul caracteristicilor ridicate la punctul precedent, se trasează dreapta statică de funcţionare, conform relaţiei (211) în care R = 3 6kΩ şi E = 12V şi se determină coordonatele punctului static de funcţionare, ştiind că = 2mA Se realizează montajul elementar din fig 26 cu R = 3 6kΩ şi E = 12V şi se măsoară coordonatele punctului static de funcţionare pentru = 2mA Se compară rezultatele obţinute prin cele două metode --în fişierul deschis de link-ul de mai jos se realizează montajul din fig 26 cu R = 3 6kΩ şi E = 12V ; --se determină coordonatele punctului static de funcţionare; --rezultatul obţinut se compară cu cele obţinute teoretic şi practic PRATIEW 1
11 6 aracteristica de intrare a tranzistorului în conexiunea E Se trasează caracteristica de intrare a tranzistorului în conexiunea E, i = i ( u ), conform schemei de măsură din fig215 Pentru aceasta, sursa de curent se va alimenta corespunzător montajului cu tranzistor în conexiune E ( 5 V la borna 2 faţă de borna 1), bornele 6 şi 1 sunt legate împreună iar miliampermetrul se conectează între bornele 3 şi 5); tensiunea u se va măsura cu un voltmetru electronic, de preferinţă numeric, conectat între bornele 5 şi 1 Între bornele 7 şi 1 se va fixa de la sursa de tensiune continuă tensiunea U E = 5V fig215 µa Se va măsura tensiunea u pentru următoarele valori ale cuentului de bază: I = ; 1; 2; 3; 4 şi 5 µa Se menţine curentul de bază la valoarea constantă I = 5µ A şi se măsoară tensiunea bază-emitor pentru următoarele valori ale tensiunii colector-emitor : ; 1; 5 şi 1 V Rezultatele se vor trece în tabelul 24 Se va trasa graficul i ( u ) cu U E = 5V, la scară liniară I T U U E E PRATIEW --În fişierul deschis de link-ul de mai jos se realizează montajul din fig215 şi se măsoară caracteristica de intrare în conexiunea E urmând instrucţiunile de la punctul 6; --Rezultatele obţinute prin simulare se trec în tabel alături de cele experimentale şi se compară între ele Tabelul24 U E (V) I (µa) U (mv) 7 aracteristica de transfer a tranzistorului în conexiunea E Se măsoară mărimile necesare pentru ridicarea caracteristicii de transfer, conform schemei de măsură din fig216 Tensiunea colector-emitor va fi u E = 5V Se va nota, mai întâi, valoarea curentului I Se va regla apoi de colector cu baza în gol, E curentul de bază pentru a se obţine curenţi de colector de valoare 5; 1; 2; 5; 1; 2; 5 ma, rezultatele fiind trecute în tabelul 25 În acelaşi tabel, se va trece factorul de curent tranzistorului, β, calculat cu relaţia (216) al fig216 µa I T ma - U E I E 11
12 Se măsoară factorul de curent al tranzistorului în conexiunea E la alte două tensiuni colector-emitor, u E = 1V şi u E = 1V Pentru fiecare dintre aceste valori, se determină, mai întâi I E (cu baza în gol) şi apoi curentul de bază necesar obţinerii aceluiaşi curent de colector I = 2mA Se va trasa graficul funcţiei de transfer i i ), la scară liniară ( --Pornind de la fişierul deschis la punctul anterior, în fişierul deschis de link-ul de mai jos se va realiza montajul din fig216 şi se va măsoară caracteristica de transfer în conexiunea E urmând instrucţiunile de la punctul 7; --Rezultatele obţinute prin simulare se trec în tabelul 25 alături de cele experimentale şi se compară între ele; --Montajul se salvează pentru punctul următor PRATIEW Tabelul25 U E (V) i (µa) i (ma) β - 8 aracteristica de ieşire a tranzistorului în conexiunea E Se determină caracteristicle de ieşire ale tranzistorului în conexiune E cu parametru i, folosind schema de măsură din fig 216, la care se va adăuga, în caz de nevoie, un voltmetru între colectorul şi emitorul tranzistorului pentru măsurarea tensiunii U E Pentru curentul de bază, i, se vor lua valorile 1; 2; 3; 4; 5 µa, iar curentul colector se va măsura pentru următoarele valori ale tensiunii colector-emitor care asigură funcţionarea tranzistorului în regiunea activă normală : 5; 1; 2; 5; 1 V şi se trasează familia de caracteristici i u ) la scară liniară Rezultatele se trec în acelaşi tabelul 26 ( E --Pornind de la fişierul salvat la punctul anterior, adăugând, eventual, un voltmetru numeric virtual între colectorul şi emitorul tranzistorului, se va determina caracteristica de ieşire în conexiunea E urmând instrucţiunile de la punctul 8; --Rezultatele obţinute prin simulare se trec în tabelul 26 alături de cele experimentale şi se compară între ele PRATIEW I (ma) I (µa) U E (V) Tabelul26,
13 9 Punctul static de funcţionare (conexiunea ) Folosind montajul realizat anterior la punctele 7 şi 8, se realizează montajul elementar din fig 21 cu R = 3 6kΩ şi E = 12V Se reglează curentul de bază până când I = 2mA Se vor nota coordonatele punctului static de funcţionare ( I, I, U E, U ) În planul caracteristicilor statice de ieşire ridicate la punctul precedent, se trasează dreapta statică de funcţionare, descrisă de ecuaţia (218) în care R = 3 6kΩ şi E = 12V Se determină coordonatele punctului static de funcţionare, rezultate în urma intersecţiei acestei drepte cu caracteristica statică corespunzătoare curentului de bază măsurat anterior, şi care se obţine prin interpolare --Folosind montajul virtual de la punctul anterior se realizează montajul din fig 21 prin introducerea unui rezistor virtual de valoare R = 3 6kΩ ; --Se fixează tensiunea de alimentare E = 12V şi se reglează sursa de curent din baza tranzistorului până când se obţine un curent de colector I = 2mA Se citeşte valoarea tensiunii colector-emitor U E PRATIEW Se compară rezultatele obţinute prin cele trei metode ale coordonatelor punctului static de funcţionare dat de punctul M ( I, U E ) 9 Factorul de curent invers Se măsoară factorul de curent al tranzistorului în conexiune inversă, conform schemei de măsură din ie I E fig 217 şi folosind relaţia β i=, unde i E i este curentul înregistrat de ampermetrul din emitor pentru i = 2 µa, iar I E este curentul înregistrat de acelaşi aparat pentru i = (baza în gol) fig217 µa I µa - U E E 11 ircuite de polarizare Se realizează, pe rând, cele patru montaje de polarizare M 1, M 2, M 3, M 4, din fig 211 şi se măsoară, pentru fiecare caz, punctele statice de funcţionare (I, U E ) ale tranzistorului testat urentul de colector I se măsoară cu un miliampermetru conectat în serie cu colectorul iar tensiunea dintre colector şi emitor U E cu ajutorul unui voltmetru conectat cu borna () la colector şi cu borna ( ) la emitor Tensiunea de alimentare este E = 12 V --În fişierul deschis prin link ul de mai jos se realizează pe rând cele 4 montaje de polarizare M 1, M 2, M 3, M 4 ; --onectând corespunzător un miliampermetru virtual în colector şi un voltmetru numeric virtual între colectorul şi emitorul tranzistorului testat se citesc punctele statice de funcţionare (I, U E ) PRATIEW uprins 13
14 IV Temă de casă Referatul va conţine: schemele de măsură pentru parametrii şi pentru caracteristicile statice ale tranzistorului în cele două conexiuni; tabelele cu rezultatele măsurătorilor experimentale şi simulate; graficele corespunzătoare (pentru trasarea caracteristicilor se pot folosi aplicaţii grafice din WORD, OREL sau EXEL, sau manual pe hârtie milimetrică); determinările teoretice făcute pe baza rezultatelor experimentale aşa cum se indică la modul de lucru; schemele elementare cu tranzistoare, schemele de polarizare, pentru determinarea punctelor statice de funcţionare respective; montajele virtuale utilizate în simulare uprins V Simulări Aplicaţia simulată pentru punctul 1 Fisiere TR\TR-PT1EW Aplicaţia simulată pentru punctul 2 Fisiere TR\TR-PT2EW Aplicaţia simulată pentru punctele 3 şi 4 Fisiere TR\TR-PT3EW Aplicaţia simulată pentru punctul 5 Fisiere TR\TR-PT5EW Aplicaţia simulată pentru punctul 6 Fisiere TR\TR-PT6EW Aplicaţia simulată pentru punctul 7 şi 8 Fisiere TR\TR-PT7EW 14
15 Aplicaţia simulată pentru punctul 9 Fisiere TR\TR-PT9EW Aplicaţiile simulate pentru punctul 11 Fisiere TR\TR-PT11-M1EW Fisiere TR\TR-PT11-M2EW Fisiere TR\TR-PT11-M3EW Fisiere TR\TR-PT11-M4EW uprins VI Anexă Valorile rezistenţelor montate pe plăcuţa din laborator, care este reprezentată în fig 212, sunt date mai jos: R 1 = 1,6KΩ; R 2 = 1,6KΩ; R 3 = 1KΩ; R 4 = 15KΩ; P =1KΩ; R 1 = 1KΩ; R 2 = 1KΩ; R = 3,6KΩ; R E = 5KΩ; uprins 15
5.5. REZOLVAREA CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE
5.5. A CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE PROBLEMA 1. În circuitul din figura 5.54 se cunosc valorile: μa a. Valoarea intensității curentului de colector I C. b. Valoarea tensiunii bază-emitor U BE.
Διαβάστε περισσότεραAnaliza în curent continuu a schemelor electronice Eugenie Posdărăscu - DCE SEM 1 electronica.geniu.ro
Analiza în curent continuu a schemelor electronice Eugenie Posdărăscu - DCE SEM Seminar S ANALA ÎN CUENT CONTNUU A SCHEMELO ELECTONCE S. ntroducere Pentru a analiza în curent continuu o schemă electronică,
Διαβάστε περισσότερα(N) joncţiunea BC. polarizată invers I E = I C + I B. Figura 5.13 Prezentarea funcţionării tranzistorului NPN
5.1.3 FUNŢONAREA TRANZSTORULU POLAR Un tranzistor bipolar funcţionează corect, dacă joncţiunea bază-emitor este polarizată direct cu o tensiune mai mare decât tensiunea de prag, iar joncţiunea bază-colector
Διαβάστε περισσότερα1.7. AMPLIFICATOARE DE PUTERE ÎN CLASA A ŞI AB
1.7. AMLFCATOARE DE UTERE ÎN CLASA A Ş AB 1.7.1 Amplificatoare în clasa A La amplificatoarele din clasa A, forma de undă a tensiunii de ieşire este aceeaşi ca a tensiunii de intrare, deci întreg semnalul
Διαβάστε περισσότεραComponente şi Circuite Electronice Pasive. Laborator 3. Divizorul de tensiune. Divizorul de curent
Laborator 3 Divizorul de tensiune. Divizorul de curent Obiective: o Conexiuni serie şi paralel, o Legea lui Ohm, o Divizorul de tensiune, o Divizorul de curent, o Implementarea experimentală a divizorului
Διαβάστε περισσότεραMONTAJE CU IMPEDANŢĂ DE INTRARE MĂRITĂ
DCE I Îndrumar de laorator Lucrarea nr. 5 MONTAJU IMPEDANŢĂ DE INTRARE MĂRITĂ I. Scopul lucrării II. Noţiuni teoretice III. Desfăşurarea lucrării IV. Temă de casă V. Simulări VI. Anexă DCE I Îndrumar de
Διαβάστε περισσότεραCurs 2 DIODE. CIRCUITE DR
Curs 2 OE. CRCUTE R E CUPRN tructură. imbol Relația curent-tensiune Regimuri de funcționare Punct static de funcționare Parametrii diodei Modelul cu cădere de tensiune constantă Analiza circuitelor cu
Διαβάστε περισσότεραExemple de probleme rezolvate pentru cursurile DEEA Tranzistoare bipolare cu joncţiuni
Problema 1. Se dă circuitul de mai jos pentru care se cunosc: VCC10[V], 470[kΩ], RC2,7[kΩ]. Tranzistorul bipolar cu joncţiuni (TBJ) este de tipul BC170 şi are parametrii β100 şi VBE0,6[V]. 1. să se determine
Διαβάστε περισσότερα10. STABILIZATOAE DE TENSIUNE 10.1 STABILIZATOAE DE TENSIUNE CU TANZISTOAE BIPOLAE Stabilizatorul de tensiune cu tranzistor compară în permanenţă valoare tensiunii de ieşire (stabilizate) cu tensiunea
Διαβάστε περισσότερα4. CIRCUITE LOGICE ELEMENTRE 4.. CIRCUITE LOGICE CU COMPONENTE DISCRETE 4.. PORŢI LOGICE ELEMENTRE CU COMPONENTE PSIVE Componente electronice pasive sunt componente care nu au capacitatea de a amplifica
Διαβάστε περισσότεραTranzistoare bipolare şi cu efect de câmp
apitolul 3 apitolul 3 26. Pentru circuitul de polarizare din fig. 26 se cunosc: = 5, = 5, = 2KΩ, = 5KΩ, iar pentru tranzistor se cunosc următorii parametrii: β = 200, 0 = 0, μa, = 0,6. a) ă se determine
Διαβάστε περισσότεραFig. 1 A L. (1) U unde: - I S este curentul invers de saturaţie al joncţiunii 'p-n';
ELECTRONIC Lucrarea nr.3 DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE 1. Scopurile lucrării: - ridicarea caracteristicilor statice ale unor dispozitive optoelectronice uzuale (dioda electroluminiscentă, fotodiodă, fototranzistorul);
Διαβάστε περισσότεραV O. = v I v stabilizator
Stabilizatoare de tensiune continuă Un stabilizator de tensiune este un circuit electronic care păstrează (aproape) constantă tensiunea de ieșire la variaţia între anumite limite a tensiunii de intrare,
Διαβάστε περισσότεραProblema a II - a (10 puncte) Diferite circuite electrice
Olimpiada de Fizică - Etapa pe judeţ 15 ianuarie 211 XI Problema a II - a (1 puncte) Diferite circuite electrice A. Un elev utilizează o sursă de tensiune (1), o cutie cu rezistenţe (2), un întrerupător
Διαβάστε περισσότεραDIODA SEMICONDUCTOARE
LUCRRE NR.1 IO SEMICONUCTORE Scopul lucrării - Ridicarea caracteristicilor şi determinarea principalilor parametri ai diodelor semiconductoare; studiul comportării diodei semiconductoare în circuite elementare.
Διαβάστε περισσότεραL2. REGIMUL DINAMIC AL TRANZISTORULUI BIPOLAR
L2. REGMUL DNAMC AL TRANZSTRULU BPLAR Se studiază regimul dinamic, la semnale mici, al tranzistorului bipolar la o frecvenţă joasă, fixă. Se determină principalii parametrii ai circuitului echivalent natural
Διαβάστε περισσότεραPolarizarea tranzistoarelor bipolare
Polarizarea tranzistoarelor bipolare 1. ntroducere Tranzistorul bipolar poate funcţiona în 4 regiuni diferite şi anume regiunea activă normala RAN, regiunea activă inversă, regiunea de blocare şi regiunea
Διαβάστε περισσότεραAMPLIFICATOR CU TRANZISTOR BIPOLAR ÎN CONEXIUNE CU EMITORUL COMUN
AMPLIFICATOR CU TRANZISTOR BIPOLAR ÎN CONEXIUNE CU EMITORUL COMUN Montajul Experimental În laborator este realizat un amplificator cu tranzistor bipolar în conexiune cu emitorul comun (E.C.) cu o singură
Διαβάστε περισσότεραLucrarea nr. 5 STABILIZATOARE DE TENSIUNE. 1. Scopurile lucrării: 2. Consideraţii teoretice. 2.1 Stabilizatorul derivaţie
Lucrarea nr. 5 STABILIZATOARE DE TENSIUNE 1. Scopurile lucrării: - studiul dependenţei dintre tensiunea stabilizată şi cea de intrare sau curentul de sarcină pentru stabilizatoare serie şi derivaţie; -
Διαβάστε περισσότεραL1. DIODE SEMICONDUCTOARE
L1. DIODE SEMICONDUCTOARE L1. DIODE SEMICONDUCTOARE În lucrare sunt măsurate caracteristicile statice ale unor diode semiconductoare. Rezultatele fiind comparate cu relaţiile analitice teoretice. Este
Διαβάστε περισσότεραLUCRAREA NR. 1 STUDIUL SURSELOR DE CURENT
LUCAEA N STUDUL SUSELO DE CUENT Scopul lucrării În această lucrare se studiază prin simulare o serie de surse de curent utilizate în cadrul circuitelor integrate analogice: sursa de curent standard, sursa
Διαβάστε περισσότεραDIODA SEMICONDUCTOARE
Lucrarea nr. 1 IO SEMICONUCTORE I. Scopul lucrării II. Noţiuni teoretice III. esfăşurarea lucrării IV. Temă de casă V. Simulări VI. nexă 1 I. Scopul lucrării Scopul lucrării constă în ridicarea caracteristicilor
Διαβάστε περισσότεραStabilizator cu diodă Zener
LABAT 3 Stabilizator cu diodă Zener Se studiază stabilizatorul parametric cu diodă Zener si apoi cel cu diodă Zener şi tranzistor. Se determină întâi tensiunea Zener a diodei şi se calculează apoi un stabilizator
Διαβάστε περισσότεραOvidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu,
vidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu, Capitolul 6 Amplificatoare operaţionale 58. Să se calculeze coeficientul de amplificare în tensiune pentru amplficatorul inversor din fig.58, pentru care se
Διαβάστε περισσότεραi R i Z D 1 Fig. 1 T 1 Fig. 2
TABILIZATOAE DE TENINE ELECTONICĂ Lucrarea nr. 5 TABILIZATOAE DE TENINE 1. copurile lucrării: - studiul dependenţei dintre tensiunea stabilizată şi cea de intrare sau curentul de sarcină pentru stabilizatoare
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 5 Tranzistorul bipolar Caracteristici statice
Lucrarea Nr. 5 Tranzistorul bipolar Caracteristici statice A.Scopul lucrării - Determinarea experimentală a plajei mărimilor eletrice de la terminale în care T real este activ (amplifică)precum şi a unor
Διαβάστε περισσότεραCOMUTAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
Lucrarea nr. 2 COMUAREA RANZISORULUI BIPOLAR Cuprins I. Scopul lucrării II. III. IV. Noţiuni teoretice Desfăşurarea lucrării emă de casă 1 I. Scopul lucrării : Se studiază regimul de comutare al tranzistorului
Διαβάστε περισσότεραCIRCUITE LOGICE CU TB
CIRCUITE LOGICE CU T I. OIECTIVE a) Determinarea experimentală a unor funcţii logice pentru circuite din familiile RTL, DTL. b) Determinarea dependenţei caracteristicilor statice de transfer în tensiune
Διαβάστε περισσότερα2.3. Tranzistorul bipolar
2.3. Tranzistorul bipolar 2.3.1. Structură şi simboluri Tranzistorul bipolar este un dispozitiv format din 3 straturi de material semiconductor şi are trei electrozi conectati la acestea. Construcţia şi
Διαβάστε περισσότεραTranzistoare bipolare cu joncţiuni
Tranzistoare bipolare cu joncţiuni 1. Noţiuni introductive Tranzistorul bipolar cu joncţiuni, pe scurt, tranzistorul bipolar, este un dispozitiv semiconductor cu trei terminale, furnizat de către producători
Διαβάστε περισσότεραElectronică anul II PROBLEME
Electronică anul II PROBLEME 1. Găsiți expresiile analitice ale funcției de transfer şi defazajului dintre tensiunea de ieşire şi tensiunea de intrare pentru cuadrupolii din figurile de mai jos și reprezentați-le
Διαβάστε περισσότεραCapitolul 3 3. TRANZITORUL BIPOLAR CU JONCŢIUNI Principiul de funcţionare al tranzistorului bipolar cu joncţiuni
apitolul 3 3. TRANZTORUL POLAR U JONŢUN Tranzistoarele reprezintă cea mai importantă clasă de dispozitive electronice, deoarece au proprietatea de a amplifica semnalele electrice. În funcţionarea tranzistorului
Διαβάστε περισσότεραa. Caracteristicile mecanice a motorului de c.c. cu excitaţie independentă (sau derivaţie)
Caracteristica mecanică defineşte dependenţa n=f(m) în condiţiile I e =ct., U=ct. Pentru determinarea ei vom defini, mai întâi caracteristicile: 1. de sarcină, numită şi caracteristica externă a motorului
Διαβάστε περισσότεραPlanul determinat de normală şi un punct Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru Planul determinat de 3 puncte necoliniare
1 Planul în spaţiu Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru 2 Ecuaţia generală Plane paralele Unghi diedru Fie reperul R(O, i, j, k ) în spaţiu. Numim normala a unui plan, un vector perpendicular pe
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 7 Tranzistorul bipolar Caracteristici statice Determinarea unor parametri de interes
Lucrarea Nr. 7 Tranzistorul bipolar aracteristici statice Determinarea unor parametri de interes A.Scopul lucrării - Determinarea experimentală a plajei mărimilor eletrice de la terminale în care T real
Διαβάστε περισσότεραCapitolul 4 4. TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP
Capitolul 4 4. TRANZITORUL CU EFECT E CÂMP 4.1. Prezentare generală Tranzistorul cu efect de câmp a apărut pe piaţă în anii 60, după tranzistorul bipolar cu joncţiuni, deoarece tehnologia lui de fabricaţie
Διαβάστε περισσότεραL3. TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP TEC-J
L3. RANZISORUL CU EFEC DE CÂMP EC-J În lucrare sunt măsurate caracteristicile statice ale unui tranzistor cu efect de câmp cu rilă-jocţiune (EC-J) şi este verificată concordanţa cu relaţiile analitice
Διαβάστε περισσότεραLucrarea 7. Polarizarea tranzistorului bipolar
Scopul lucrării a. Introducerea unor noţiuni elementare despre funcţionarea tranzistoarelor bipolare b. Identificarea prin măsurători a regiunilor de funcţioare ale tranzistorului bipolar. c. Prezentarea
Διαβάστε περισσότερα4. Măsurarea tensiunilor şi a curenţilor electrici. Voltmetre electronice analogice
4. Măsurarea tensiunilor şi a curenţilor electrici oltmetre electronice analogice oltmetre de curent continuu Ampl.c.c. x FTJ Protectie Atenuator calibrat Atenuatorul calibrat divizor rezistiv R in const.
Διαβάστε περισσότεραComponente şi Circuite Electronice Pasive. Laborator 4. Măsurarea parametrilor mărimilor electrice
Laborator 4 Măsurarea parametrilor mărimilor electrice Obiective: o Semnalul sinusoidal, o Semnalul dreptunghiular, o Semnalul triunghiular, o Generarea diferitelor semnale folosind placa multifuncţională
Διαβάστε περισσότεραFig Impedanţa condensatoarelor electrolitice SMD cu Al cu electrolit semiuscat în funcţie de frecvenţă [36].
Componente şi circuite pasive Fig.3.85. Impedanţa condensatoarelor electrolitice SMD cu Al cu electrolit semiuscat în funcţie de frecvenţă [36]. Fig.3.86. Rezistenţa serie echivalentă pierderilor în funcţie
Διαβάστε περισσότερα4.2. CONEXIUNILE TRANZISTORULUI BIPOLAR CONEXIUNEA EMITOR COMUN CONEXIUNEA BAZĂ COMUNĂ CONEXIUNEA COLECTOR COMUN
4. TRANZISTORUL BIPOLAR 4.1. GENERALITĂŢI PRIVIND TRANZISTORUL BIPOLAR STRUCTURA ŞI SIMBOLUL TRANZISTORULUI BIPOLAR ÎNCAPSULAREA ŞI IDENTIFICAREA TERMINALELOR FAMILII UZUALE DE TRANZISTOARE BIPOLARE FUNCŢIONAREA
Διαβάστε περισσότεραMetode iterative pentru probleme neliniare - contractii
Metode iterative pentru probleme neliniare - contractii Problemele neliniare sunt in general rezolvate prin metode iterative si analiza convergentei acestor metode este o problema importanta. 1 Contractii
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 5 Circuite simple cu diode (Aplicaţii)
ucrarea Nr. 5 Circuite simple cu diode (Aplicaţii) A.Scopul lucrării - Verificarea experimentală a rezultatelor obţinute prin analiza circuitelor cu diode modelate liniar pe porţiuni ;.Scurt breviar teoretic
Διαβάστε περισσότεραFENOMENE TRANZITORII Circuite RC şi RLC în regim nestaţionar
Pagina 1 FNOMN TANZITOII ircuite şi L în regim nestaţionar 1. Baze teoretice A) ircuit : Descărcarea condensatorului ând comutatorul este pe poziţia 1 (FIG. 1b), energia potenţială a câmpului electric
Διαβάστε περισσότεραAplicaţii ale principiului I al termodinamicii la gazul ideal
Aplicaţii ale principiului I al termodinamicii la gazul ideal Principiul I al termodinamicii exprimă legea conservării şi energiei dintr-o formă în alta şi se exprimă prin relaţia: ΔUQ-L, unde: ΔU-variaţia
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 10 Stabilizatoare de tensiune
ucrarea Nr. 10 Stabilizatoare de tensiune Scopul lucrării - studiul funcţionării diferitelor tipuri de stabilizatoare de tensiune; - determinarea parametrilor de calitate ai stabilizatoarelor analizate;
Διαβάστε περισσότεραREDRESOARE MONOFAZATE CU FILTRU CAPACITIV
REDRESOARE MONOFAZATE CU FILTRU CAPACITIV I. OBIECTIVE a) Stabilirea dependenţei dintre tipul redresorului (monoalternanţă, bialternanţă) şi forma tensiunii redresate. b) Determinarea efectelor modificării
Διαβάστε περισσότεραCircuite cu diode în conducţie permanentă
Circuite cu diode în conducţie permanentă Curentul prin diodă şi tensiunea pe diodă sunt legate prin ecuaţia de funcţionare a diodei o cădere de tensiune pe diodă determină valoarea curentului prin ea
Διαβάστε περισσότεραCapitolul 4 Amplificatoare elementare
Capitolul 4 mplificatoare elementare 4.. Etaje de amplificare cu un tranzistor 4... Etajul emitor comun V CC C B B C C L L o ( // ) V gm C i rπ // B // o L // C // L B ro i B E C E 4... Etajul colector
Διαβάστε περισσότεραCurs 10 Funcţii reale de mai multe variabile reale. Limite şi continuitate.
Curs 10 Funcţii reale de mai multe variabile reale. Limite şi continuitate. Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi" Iaşi 2014 Fie p, q N. Fie funcţia f : D R p R q. Avem următoarele
Διαβάστε περισσότεραDioda Zener şi stabilizatoare de tensiune continuă
Laborator 2 Dioda Zener şi stabilizatoare de tensiune continuă Se vor studia dioda Zener şi stabilizatoarele de tensiune continua cu diodă Zener şi cu diodă Zener si tranzistor serie. Pentru diodă se va
Διαβάστε περισσότερα(a) se numeşte derivata parţială a funcţiei f în raport cu variabila x i în punctul a.
Definiţie Spunem că: i) funcţia f are derivată parţială în punctul a în raport cu variabila i dacă funcţia de o variabilă ( ) are derivată în punctul a în sens obişnuit (ca funcţie reală de o variabilă
Διαβάστε περισσότεραDispozitive electronice de putere
Lucrarea 1 Electronica de Putere Dispozitive electronice de putere Se compară calităţile de comutator ale principalelor ventile utilizate în EP şi anume tranzistorul bipolar, tranzistorul Darlington si
Διαβάστε περισσότεραLucrarea de laborator nr.6 STABILIZATOR DE TENSIUNE CU REACŢIE ÎN BAZA CIRCUITELOR INTEGRATE
Lucrarea de laborator nr.6 TABILIZATOR DE TENIUNE CU REACŢIE ÎN BAZA CIRCUITELOR INTEGRATE 6.1. copul lucrării: familiarizarea cu principiul de funcţionare şi metodele de ridicare a parametrilor de bază
Διαβάστε περισσότεραI C I E E B C V CB V EB NAB N DE. b x LUCRAREA NR. 6 TRANZISTORUL BIPOLAR. 1. Structură şi procese fizice în TB convenţional
LUCRAREA NR. 6 TRANZISTORUL BIPOLAR 1. Structură şi procese fizice în TB convenţional Tranzistorul bipolar (TB) convenţional reprezintă un dispozitiv semiconductor cu trei terminale, a cărui funcţie principală
Διαβάστε περισσότεραVII.2. PROBLEME REZOLVATE
Teoria Circuitelor Electrice Aplicaţii V PROBEME REOVATE R7 În circuitul din fiura 7R se cunosc: R e t 0 sint [V] C C t 0 sint [A] Se cer: a rezolvarea circuitului cu metoda teoremelor Kirchhoff; rezolvarea
Διαβάστε περισσότεραAparate de măsurat. Măsurări electronice Rezumatul cursului 2. MEE - prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 1
Aparate de măsurat Măsurări electronice Rezumatul cursului 2 MEE - prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 1 1. Aparate cu instrument magnetoelectric 2. Ampermetre şi voltmetre 3. Ohmetre cu instrument magnetoelectric
Διαβάστε περισσότεραAnaliza funcționării și proiectarea unui stabilizator de tensiune continuă realizat cu o diodă Zener
Analiza funcționării și proiectarea unui stabilizator de tensiune continuă realizat cu o diodă Zener 1 Caracteristica statică a unei diode Zener În cadranul, dioda Zener (DZ) se comportă ca o diodă redresoare
Διαβάστε περισσότεραCircuite cu tranzistoare. 1. Inversorul CMOS
Circuite cu tranzistoare 1. Inversorul CMOS MOSFET-urile cu canal indus N si P sunt folosite la familia CMOS de circuite integrate numerice datorită următoarelor avantaje: asigură o creştere a densităţii
Διαβάστε περισσότεραM. Stef Probleme 3 11 decembrie Curentul alternativ. Figura pentru problema 1.
Curentul alternativ 1. Voltmetrele din montajul din figura 1 indică tensiunile efective U = 193 V, U 1 = 60 V și U 2 = 180 V, frecvența tensiunii aplicate fiind ν = 50 Hz. Cunoscând că R 1 = 20 Ω, să se
Διαβάστε περισσότερα7. RETELE ELECTRICE TRIFAZATE 7.1. RETELE ELECTRICE TRIFAZATE IN REGIM PERMANENT SINUSOIDAL
7. RETEE EECTRICE TRIFAZATE 7.. RETEE EECTRICE TRIFAZATE IN REGIM PERMANENT SINSOIDA 7... Retea trifazata. Sistem trifazat de tensiuni si curenti Ansamblul format din m circuite electrice monofazate in
Διαβάστε περισσότεραMăsurări în Electronică şi Telecomunicaţii 4. Măsurarea impedanţelor
4. Măsurarea impedanţelor 4.2. Măsurarea rezistenţelor în curent continuu Metoda comparaţiei ceastă metodă: se utilizează pentru măsurarea rezistenţelor ~ 0 montaj serie sau paralel. Montajul serie (metoda
Διαβάστε περισσότεραPOARTA LOGICĂ TTL. 1. Circuitele logice din familia TTL au ca schemă de bază poarta ȘI-NU cu două intrări reprezentată în figura 4.1.
P a g i n a 29 LUCRAREA NR. 4 POARTA LOGICĂ TTL Scopul lucrării constă în cunoașterea funcționării porții TTL și în însușirea metodelor de măsurare a principalilor parametrii statici și dinamici ai acesteia.
Διαβάστε περισσότερα11.2 CIRCUITE PENTRU FORMAREA IMPULSURILOR Metoda formării impulsurilor se bazează pe obţinerea unei succesiuni periodice de impulsuri, plecând de la semnale periodice de altă formă, de obicei sinusoidale.
Διαβάστε περισσότεραMARCAREA REZISTOARELOR
1.2. MARCAREA REZISTOARELOR 1.2.1 MARCARE DIRECTĂ PRIN COD ALFANUMERIC. Acest cod este format din una sau mai multe cifre şi o literă. Litera poate fi plasată după grupul de cifre (situaţie în care valoarea
Διαβάστε περισσότεραTRANZISTORUL BIPOLAR. La modul cel mai simplu, tranzistorul bipor poate fi privit ca semiconductoare legate în serie.
TANZISTOUL IPOLA La modul cel mai simplu, tranzistorul bipor poate fi privit ca semiconductoare legate în serie. două diode În partea de jos avem o zonă de semiconductor de tip n cu un contact metalic,
Διαβάστε περισσότερα5. FUNCŢII IMPLICITE. EXTREME CONDIŢIONATE.
5 Eerciţii reolvate 5 UNCŢII IMPLICITE EXTREME CONDIŢIONATE Eerciţiul 5 Să se determine şi dacă () este o funcţie definită implicit de ecuaţia ( + ) ( + ) + Soluţie ie ( ) ( + ) ( + ) + ( )R Evident este
Διαβάστε περισσότεραFunctii definitie, proprietati, grafic, functii elementare A. Definitii, proprietatile functiilor X) functia f 1
Functii definitie proprietati grafic functii elementare A. Definitii proprietatile functiilor. Fiind date doua multimi X si Y spunem ca am definit o functie (aplicatie) pe X cu valori in Y daca fiecarui
Διαβάστε περισσότεραa. 11 % b. 12 % c. 13 % d. 14 %
1. Un motor termic funcţionează după ciclul termodinamic reprezentat în sistemul de coordonate V-T în figura alăturată. Motorul termic utilizează ca substanţă de lucru un mol de gaz ideal având exponentul
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 11 Amplificatoare de nivel mare
Lucrarea Nr. 11 Amplificatoare de nivel mare Scopul lucrării - asimilarea conceptului de nivel mare; - studiul etajului de putere clasa B; 1. Generalităţi Caracteristic etajelor de nivel mare este faptul
Διαβάστε περισσότεραCOMPARATOARE DE TENSIUNE CU AO FĂRĂ REACŢIE
COMPARATOARE DE TENSIUNE CU AO FĂRĂ REACŢIE I. OBIECTIVE a) Determinarea caracteristicilor statice de transfer în tensiune pentru comparatoare cu AO fără reacţie. b) Determinarea tensiunilor de ieşire
Διαβάστε περισσότεραCircuite electrice in regim permanent
Ovidiu Gabriel Avădănei, Florin Mihai Tufescu, Electronică - Probleme apitolul. ircuite electrice in regim permanent. În fig. este prezentată diagrama fazorială a unui circuit serie. a) e fenomen este
Διαβάστε περισσότεραDIODA STABILIZATOARE CU STRĂPUNGERE
LUCRAREA NR. 2 DIODA STABILIZATOARE CU STRĂPUNGERE OBIECTIE:. Să se studieze efectul Zener sau străpungerea inversă; 2. Să se observe diferenţa între ramurile de străpungere ale caracteristicilor diodelor
Διαβάστε περισσότεραFunctii definitie, proprietati, grafic, functii elementare A. Definitii, proprietatile functiilor
Functii definitie, proprietati, grafic, functii elementare A. Definitii, proprietatile functiilor. Fiind date doua multimi si spunem ca am definit o functie (aplicatie) pe cu valori in daca fiecarui element
Διαβάστε περισσότερα2.1 Amplificatorul de semnal mic cu cuplaj RC
Lucrarea nr.6 AMPLIFICATOAE DE SEMNAL MIC 1. Scopurile lucrării - ridicarea experimentală a caracteristicilor amplitudine-frecvenţă pentru amplificatorul cu cuplaj C şi amplificatorul selectiv; - determinarea
Διαβάστε περισσότερα3 TRANZISTORUL BIPOLAR
S.D.Anghel - azele electronicii analogice şi digitale 3 TRANZSTORUL POLAR William Shockley fizician american, laureat al premiului Nobel în 1956 împreună cu J. ardeen şi W.H rattain. Au pus la punct tehnologia
Διαβάστε περισσότεραRĂSPUNS Modulul de rezistenţă este o caracteristică geometrică a secţiunii transversale, scrisă faţă de una dintre axele de inerţie principale:,
REZISTENTA MATERIALELOR 1. Ce este modulul de rezistenţă? Exemplificaţi pentru o secţiune dreptunghiulară, respectiv dublu T. RĂSPUNS Modulul de rezistenţă este o caracteristică geometrică a secţiunii
Διαβάστε περισσότεραIV. CUADRIPOLI SI FILTRE ELECTRICE CAP. 13. CUADRIPOLI ELECTRICI
V. POL S FLTE ELETE P. 3. POL ELET reviar a) Forma fundamentala a ecuatiilor cuadripolilor si parametrii fundamentali: Prima forma fundamentala: doua forma fundamentala: b) Parametrii fundamentali au urmatoarele
Διαβάστε περισσότερα11.3 CIRCUITE PENTRU GENERAREA IMPULSURILOR CIRCUITE BASCULANTE Circuitele basculante sunt circuite electronice prevăzute cu o buclă de reacţie pozitivă, folosite la generarea impulsurilor. Aceste circuite
Διαβάστε περισσότερα7. AMPLIFICATOARE DE SEMNAL CU TRANZISTOARE
7. AMPLIFICATOARE DE SEMNAL CU TRANZISTOARE 7.1. GENERALITĂŢI PRIVIND AMPLIFICATOARELE DE SEMNAL MIC 7.1.1 MĂRIMI DE CURENT ALTERNATIV 7.1.2 CLASIFICARE 7.1.3 CONSTRUCŢIE 7.2 AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC
Διαβάστε περισσότεραElectronică STUDIUL FENOMENULUI DE REDRESARE FILTRE ELECTRICE DE NETEZIRE
STDIL FENOMENLI DE REDRESARE FILTRE ELECTRICE DE NETEZIRE Energia electrică este transportată şi distribuită la consumatori sub formă de tensiune alternativă. În multe aplicaţii este însă necesară utilizarea
Διαβάστε περισσότεραCAPITOLUL 3. STABILIZATOARE DE TENSIUNE
CAPTOLL 3. STABLZATOAE DE TENSNE 3.1. GENEALTĂȚ PVND STABLZATOAE DE TENSNE. Stabilizatoarele de tensiune sunt circuite electronice care furnizează la ieșire (pe rezistența de sarcină) o tensiune continuă
Διαβάστε περισσότερα5.4. MULTIPLEXOARE A 0 A 1 A 2
5.4. MULTIPLEXOARE Multiplexoarele (MUX) sunt circuite logice combinaţionale cu m intrări şi o singură ieşire, care permit transferul datelor de la una din intrări spre ieşirea unică. Selecţia intrării
Διαβάστε περισσότεραV CC 10V. Rc 5.6k C2. Re 1k OSCILOSCOP
LUCRARE DE LABORATOR 1 AMPLIFICATOR CU UN TRANZISTOR ÎN CONEXIUNEA EMITOR COMUN. o Realizarea circuitului de amplificare cu simulatorul; o Realizarea practică a circuitului de amplificare; o Setarea și
Διαβάστε περισσότεραLUCRARE DE LABORATOR 1
LUCRARE DE LABORATOR 1 VERIFICAREA ȘI IDENTIFICAREA TERMINALELOR UNEI DIODE. OBIECTIVE: o Verificarea diodei semiconductoare; o Identificarea terminalelor diodei cu multimetru digital. RESURSE: o Multimetru
Διαβάστε περισσότεραLucrarea 9. Analiza în regim variabil de semnal mic a unui circuit de amplificare cu tranzistor bipolar
Scopul lucrării: determinarea parametrilor de semnal mic ai unui circuit de amplificare cu tranzistor bipolar. Cuprins I. Noţiuni introductive. II. Determinarea prin măsurători a parametrilor de funcţionare
Διαβάστε περισσότερα4. Tranzistoare bipolare 4.1 Structură şi procese fizice in tranzistorul bipolar (TB)
apitolul 4 Tranzistoare bipolare 4. Tranzistoare bipolare 4.1 Structură şi procese fizice in tranzistorul bipolar (T) Tranzistorul este un dispozitiv electronic activ, cu trei terminale, care realizează
Διαβάστε περισσότεραDISTANŢA DINTRE DOUĂ DREPTE NECOPLANARE
DISTANŢA DINTRE DOUĂ DREPTE NECOPLANARE ABSTRACT. Materialul prezintă o modalitate de a afla distanţa dintre două drepte necoplanare folosind volumul tetraedrului. Lecţia se adresează clasei a VIII-a Data:
Διαβάστε περισσότεραFigura 1. Caracteristica de funcţionare a modelului liniar pe porţiuni al diodei semiconductoare..
I. Modelarea funcţionării diodei semiconductoare prin modele liniare pe porţiuni În modelul liniar al diodei semiconductoare, se ţine cont de comportamentul acesteia atât în regiunea de conducţie inversă,
Διαβάστε περισσότεραL7. REDRESOARE MONOFAZATE
L7. REDRESOARE MONOFAZATE În lucrare se studiază redresorul monofazat in punte, cu doua variante: fără filtru si cu filtru cu condensator. Se fac comparaţii intre rezultatele experimentale si cele teoretice.
Διαβάστε περισσότεραLucrarea Nr. 3 Tranzistorul bipolar în regim de comutaţie. Aplicaţii.
Lucrarea Nr. 3 Tranzistorul bipolar în regi de coutaţie. Aplicaţii. Scopul lucrării - Studiul condiţiilor de saturaţie pentru T; - Studiul aplicaţiilor cu T în regi de coutaţie; 1. ondiţia de saturaţie
Διαβάστε περισσότεραProfesor Blaga Mirela-Gabriela DREAPTA
DREAPTA Fie punctele A ( xa, ya ), B ( xb, yb ), C ( xc, yc ) şi D ( xd, yd ) în planul xoy. 1)Distanţa AB = (x x ) + (y y ) Ex. Fie punctele A( 1, -3) şi B( -2, 5). Calculaţi distanţa AB. AB = ( 2 1)
Διαβάστε περισσότερα3.5. STABILIZATOARE DE TENSIUNE CU CIRCUITE INTEGRATE.
3.5. STABILIZATOARE DE TENSIUNE CU CIRCUITE INTEGRATE. 3.5.1 STABILIZATOARE DE TENSIUNE CU AMPLIFICATOARE OPERAȚIONALE. Principalele caracteristici a unui stabilizator de tensiune sunt: factorul de stabilizare
Διαβάστε περισσότεραMetode de interpolare bazate pe diferenţe divizate
Metode de interpolare bazate pe diferenţe divizate Radu Trîmbiţaş 4 octombrie 2005 1 Forma Newton a polinomului de interpolare Lagrange Algoritmul nostru se bazează pe forma Newton a polinomului de interpolare
Διαβάστε περισσότεραCurs 14 Funcţii implicite. Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi"
Curs 14 Funcţii implicite Facultatea de Hidrotehnică Universitatea Tehnică "Gh. Asachi" Iaşi 2014 Fie F : D R 2 R o funcţie de două variabile şi fie ecuaţia F (x, y) = 0. (1) Problemă În ce condiţii ecuaţia
Διαβάστε περισσότεραREACŢIA NEGATIVĂ ÎN AMPLIFICATOARE
Lucrarea nr. 7 REACŢA NEGATVĂ ÎN AMPLFCATOARE. Scopurile lucrării: - determinarea experimentală a parametrilor amplificatorului cu şi fără reacţie negativă şi compararea rezultatelor obţinute cu valorile
Διαβάστε περισσότεραLucrarea 3 : Studiul efectului Hall la semiconductori
Lucrarea 3 : Studiul efectului Hall la semiconductori 1 Consideraţii teoretice În această lucrare vom studia efectul Hall intr-o plăcuţă semiconductoare de formă paralelipipedică, precum cea din Figura
Διαβάστε περισσότεραFig Stabilizatorul de tensiune continuă privit ca un cuadripol, a), şi caracteristica de ieşire ideală, b).
6. STABILIZATOARE DE TENSIUNE LINIARE 6.1. Probleme generale 6.1.1. Definire si clasificare Un stabilizator de tensiune continuă este un circuit care, alimentat de la o sursă de tensiune continuă ce prezintă
Διαβάστε περισσότεραF I Ş Ă D E L U C R U 5
F I Ş Ă D E L U C R U 5 UNITATEA DE ÎNVĂŢARE:STABILIZATOARE DE TENSIUNE TEMA: STABILIZATOARE DE TENSIUNE CU TRANZISTOARE BIPOLARE.. STABILIZATOR DE TENSIUNE SERIE A. Prezentarea montajului 8V Uce - V 3.647
Διαβάστε περισσότερα