ΜΕΤΑΤΡΟΠΕΙΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ (ΜΙΚΤΕΣ)

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "ΜΕΤΑΤΡΟΠΕΙΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ (ΜΙΚΤΕΣ)"

Transcript

1 ΜΕΤΑΤΡΟΠΕΙΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ (ΜΙΚΤΕΣ) Στην παρούσα εργασία ασχοληθήκαµε µε τους µετατροπείς συχνότητας (µίκτες), µια κατηγορία κυκλωµάτων απαραίτητων σε κάθε σύγχρονο ποµπό ή δέκτη ραδιοσηµάτων. Αναφερθήκαµε στην αρχή λειτουργίας τους και στις παραµέτρους που χαρακτηρίζουν τη λειτουργία αυτών και λύσαµε µια σειρά ασκήσεων οι οποίες µπορούν να βοηθήσουν στην κατανόηση της θεωρίας που αναφέραµε. Παρουσιάσαµε τυπικά κυκλώµατα µικτών και στη συνέχεια σχεδιάσαµε ένα κύκλωµα µίκτη µε διπολικό τρανζίστορ, τη λειτουργία του οποίου επιβεβαιώσαµε µε κατάλληλη προσοµοίωση. Εισαγωγή Η επεξεργασία τηλεπικοινωνιακών συστηµάτων απαιτεί την ύπαρξη και κυκλωµάτων µη γραµµικών. Μία τέτοια αντιπροσωπευτική κατηγορία κυκλωµάτων είναι οι µίκτες που επιτελούν την πράξη του πολλαπλασιασµού δύο σηµάτων. Με τη µίξη δύο σηµάτων επιτυγχάνεται η µετατροπή συχνότητας, η διαµόρφωση και η αποδιαµόρφωση πλάτους ραδιοφωνικών σηµάτων καθώς και άλλες λειτουργιες. Σύγχρονοι ασύρµατοι ποµποί και δέκτες χρησιµοποιούν µίκτες και φίλτρα για να πραγµατοποιήσουν κατάλληλη µετατροπή συχνότητας ανάµεσα σε σήµα βασικής ζώνης και φέροντος κύµατος ραδιοσυχνοτήτων. Ο µίκτης είναι ένα κύκλωµα δύο εισόδων που χρησιµοποιεί µη γραµµικά στοιχεία ή στοιχεία ρυθµιζόµενου χρόνου έτσι ώστε να επιτύχει κατάλληλη µετατροπή συχνότητας. Ένας ιδανικός µίκτης παράγει στην έξοδό του σήµατα συχνότητας που βασίζονται στο άθροισµα και τη διαφορά των συχνοτήτων των σηµάτων εισόδου του. Εκτός από αυτά στην πραγµατικότητα παράγονται και τα σήµατα εισόδου αυτούσια και ένα µεγάλο φάσµα αρµονικών συχνοτήτων και άλλων ανεπιθύµητων προϊόντων, λόγω της µη γραµµικότητας των στοιχείων του µίκτη. Στο σχήµα παρουσιάζεται

2 σχηµατικά η λειτουργία της αύξησης συχνότητας που χρησιµοποιείται για την εκποµπή ενός σήµατος. Σχήµα. Λειτουργία µίκτη για αύξηση συχνότητας Στη µία είσοδο του µίκτη εφαρµόζεται σήµα υψηλής συχνότητας (f ) από τον τοπικό ταλαντωτή (): u () t cos πf t () Σήµα χαµηλότερης συχνότητας, βασικής ζώνης ή ενδιάµεσης συχνότητας (f ) εφαρµόζεται στην άλλη είσοδο του µίκτη: u () t cosπf t () Η έξοδος ενός ιδανικού µίκτη είναι το γινόµενο των δύο σηµάτων εισόδου. Με εφαρµογή του θεωρήµατος της συνέλιξης έχουµε: u u () t Ku () t u () t K K cosπf t cosπf t () t [ cos π ( f f ) t + cosπ ( f + f ) t] (3) Από τη σχέση 3 είναι φανερό πως η έξοδος αποτελείται από το άθροισµα και τη διαφορά των συχνοτήτων των σηµάτων εισόδου. f f ± f (4)

3 Το άθροισµα και η διαφορά συχνοτήτων ονοµάζονται πλευρικές συχνότητας της φέρουσας f, όπου το άθροισµα αποτελεί την άνω πλευρική συνιστώσα (USB upper sideband) και η διαφορά αποτελεί την κάτω πλευρική συνιστώσα (LSB lower sideband). Σήµα διπλής πλευρικής ζώνης (DSB) περιέχει και τις δυο πλευρικές συχνότητες, ενώ σήµα µονής πλευρικής ζώνης (SSB) περιέχει µόνο τη µία. Το σήµα µονής πλευρικής ζώνης µπορούµε να το πάρουµε φιλτράροντας τη µία πλευρική συχνότητα ή µέσω µίκτη µονής πλευρικής ζώνης. Για τον υποβιβασµό συχνότητας, όπως συµβαίνει στους ραδιοφωνικούς δέκτες, το σήµα εφαρµόζεται στη µια είσοδο του δέκτη και το σήµα του τοπικού ταλαντωτή στην άλλη. Τα δύο σήµατα έχουν µικρή διαφορά στη συχνότητα, µε αποτέλεσµα το άθροισµά τους να είναι κατά προσέγγιση δύο φορές η f, ενώ η διαφορά τους είναι πολύ µικρότερη και αποτελεί την ενδιάµεση συχνότητα () ή το σήµα βασικής ζώνης. Στο σχήµα παρουσιάζεται η λειτουργία του υποβιβασµού συχνότητας που χρησιµοποιείται για τη λήψη ενός σήµατος. Σχήµα. Λειτουργία µίκτη για υποβιβασµό συχνότητας Μια ακόµα σηµαντική διαφορά των δύο περιπτώσεων που παρουσιάστηκαν, είναι ότι στην περίπτωση εκποµπής το που προκύπτει οδηγείται σε βαθµίδα ενίσχυσης ισχύος για να γίνει εκποµπή, ενώ στην περίπτωση δέκτη το προέρχεται από ενισχυτή χαµηλού θορύβου (LNA), ο οποίος είναι µικρής ισχύος και το σήµα ενδιάµεσης συχνότητας ή βασικής ζώνης οδηγείται προς επεξεργασία ή αναπαραγωγή. Η παραπάνω ανάλυση περιλαµβάνει µόνο το άθροισµα και τη διαφορά συχνοτήτων στην έξοδο, όπως παράγονται από την µίξη των σηµάτων εισόδου. Όπως προαναφέραµε όµως, λόγω της µη γραµµικότητας του µίκτη, παράγονται ένα εύρος αρµονικών συχνοτήτων και άλλων ανεπιθύµητων φαινοµένων, τα οποία πρέπει να λαµβάνονται υπόψη και να αντιµετωπίζονται µε κατάλληλο τρόπο (έλεγχος 3

4 γραµµικότητας, φίλτρα κλπ), έτσι ώστε να µπορεί να ανακτηθεί σωστά το αρχικό σήµα. Συχνότητα Ειδώλου (Image Frequency) Ένας δέκτης δε λαµβάνει στην είσοδό του µόνο την επιθυµητή συχνότητα, αλλά σήµατα σε ένα µεγάλο εύρος συχνοτήτων. Στην περίπτωση που η συχνότητα του τοπικού ταλαντωτή είναι µεγαλύτερη από αυτήν της επιθυµητής συχνότητας λήψης (άνω πλευρική έκχυση), ισχύει: f f f (5) Αν υποθέσουµε ότι υπάρχει µια ακόµα συχνότητα, έστω f IM, η οποία µπορεί να µας δώσει την ίδια ενδιάµεση συχνότητα, τότε, λόγω ιδιοτήτων ανάλυσης Fourier, έχουµε: f f f (6) IM Προσθέτοντας κατά µέλη τις δύο σχέσεις προκύπτει: f f + f (7) IM Καταλήγουµε λοιπόν στο συµπέρασµα ότι υπάρχει µια ακόµα ραδιοφωνική συχνότητα f IM που µπορεί να δώσει την ίδια ενδιάµεση. Το ίδιο µπορεί να συµβεί και για συχνότητα τοπικού ταλαντωτή µικρότερη από αυτήν της επιθυµητής συχνότητας λήψης (κάτω πλευρική έκχυση). Η συχνότητα ειδώλου προκαλεί πρόβληµα και πρέπει να εξαλειφθεί πριν την είσοδό της στο δέκτη χρησιµοποιώντας κατάλληλο ζωνοδιαβατό φίλτρο, τέτοιο ώστε να την αποκόπτει, χωρίς όµως να αποκόπτει συχνότητες που βρίσκονται στο κανάλι που επιθυµούµε. Επίσης πρέπει το χρησιµοποιούµενο κανάλι να έχει ορισµένο εύρος και η ενδιάµεση συχνότητα να έχει 4

5 κατάλληλη τιµή, ώστε να µην τυχαίνουν συχνότητες ειδώλου µέσα σε αυτό. Το κανάλι και η ενδιάµεση συχνότητα θα πρέπει να συνδέονται µε τη σχέση: f min f ( f max f min ) (8) Απώλειες Μετατροπής (Conversion Loss) Κέρδος Μετατροπής (Conversion Gain) Κέρδος µετατροπής ενός µίκτη ορίζεται ο λόγος της διαθέσιµης ισχύος στην έξοδό του, γύρω από την επιθυµητή πλευρική συχνότητα, προς τη διαθέσιµη ισχύ στην είσοδό του. Συνήθως εκφράζεται σε db σύµφωνα µε τη σχέση: G C P OUT 0log (9) P IN Στους ενεργούς µίκτες, λόγω των ενεργών στοιχείων (τρανζίστορ) το κέρδος είναι θετικό, ενώ στους παθητικούς ή µε δίοδο, προκύπτει αρνητικό και η απόλυτη τιµή ονοµάζεται απώλειες µετατροπής L C. Τυπικές τιµές απώλειας µετατροπής σε παθητικούς µίκτες είναι από 4dB ως 7dB ενώ για ενεργούς µίκτες το κέρδος µετατροπής είναι λίγα µόνο db ή µπορεί να παρουσιάζουν µικρές απώλειες db ως db. Αποµόνωση από Θύρα σε Θύρα (Port to Port Isolation) Η αποµόνωση από θύρα σε θύρα είναι ένα µέτρο της ισορροπίας µεταξύ των εσωτερικών κυκλωµάτων ενός µίκτη. Όταν αυτή είναι υψηλή, το ποσοστό της διαρροής ισχύος µεταξύ των θυρών του µίκτη είναι µικρό. Συνήθως ο χαρακτηρισµός της αποµόνωσης γίνεται όταν ο µίκτης λειτουργεί για υποβιβασµό συχνότητας (είσοδος έξοδος ). Αν θεωρήσουµε το µίκτη ως ένα τρίθυρο µε θύρες, και, τότε ορίζουµε ως αποµόνωση την εξασθένιση σε db που υφίσταται το 5

6 σήµα του τοπικού ταλαντωτή, όταν διαρρέει στη θύρα, µε τερµατισµένη, µε ορισµένο φορτίο (συνήθως 50Ω), τη θύρα. Κατά ανάλογο τρόπο ορίζονται οι αποµονώσεις και. Μη ικανοποιητική αποµόνωση έχει ως αποτέλεσµα την εµφάνιση σήµατος τοπικού ταλαντωτή στον LNA και κατά συνέπεια στην κεραία. Εξάλλου, αν η αποµόνωση είναι µικρή και οι συχνότητες, είναι κοντά µεταξύ τους, ενδέχεται η παρουσία του σχετικά ισχυρού σήµατος, ακόµα και µετά το ζωνοπερατό φίλτρο, να απευαισθητοποιήσει τις επόµενες βαθµίδες του δέκτη. Από τα τρία είδη αποµόνωσης που αναφέρθηκαν, η είναι η λιγότερο σηµαντική, καθώς το επίπεδο ισχύος του σήµατος εισόδου είναι πολύ χαµηλότερο από αυτό του σήµατος. Τυπικές τιµές της αποµόνωσης είναι 0 40 db. Σηµείο Συµπίεσης db (db Compression Point) και Σηµείο Σύµπτωσης 3 ης τάξης (3 rd order Intercept Point) Η ισχύς εισόδου (σε dbm), για την οποία η έξοδος του µίκτη παρεκκλίνει από τη γραµµικότητα και µειώνεται κατά db από τη γραµµική στάθµη, ορίζεται ως σηµείο συµπίεσης εισόδου db. Αν ο µίκτης λειτουργεί στη µη γραµµική περιοχή, στην έξοδο του προκύπτουν εκτός των άλλων, το επιθυµητό ΙF, σήµα f -f, καθώς και παράγωγα 3 ης τάξης της µορφής f f f. Ο λόγος του επιθυµητού σήµατος στην έξοδο (αµελώντας τη συµπίεση του κέρδους µετατροπής) προς το πλάτος των παραπάνω παραγώγων αποτελεί µέτρο της γραµµικότητας του µίκτη. Όσο αυξάνει το πλάτος των σηµάτων εισόδου, τόσο ο λόγος αυτός µειώνεται και γίνεται ίσος µε τη µονάδα για κάποια τιµή που ονοµάζεται σηµείο σύµπτωσης εισόδου 3 ης τάξης (3 rd order Input Intercept Point). Πρακτικά το σηµείο σύµπτωσης εισόδου 3 ης τάξης ενός µίκτη εκφρασµένο σε dbm είναι µεγαλύτερο κατά 0dB από το σηµείο συµπίεσης εισόδου db. Πολλά µη επιθυµητά παράγωγα µπορούν να καταπιεστούν µε την επίτευξη γραµµικότητας στο µίκτη. 6

7 Επίπεδο Θορύβου (Noise Figure) Θόρυβος παράγεται στους µίκτες λόγω των µη γραµµικών στοιχείων (διόδοι, τρανζίστορ) και λόγω θερµικών πηγών (αντιστάσεις) που περιλαµβάνει. Το επίπεδο θορύβου σε ένα µίκτη κυµαίνεται µεταξύ db έως 5dB. Οι µίκτες που χρησιµοποιούν δίοδο παρουσιάζουν χαµηλότερο θόρυβο σε σχέση µε αυτούς που χρησιµοποιούν τρανζίστορ. Ο θόρυβος διαφοροποιείται ανάλογα µε το αν έχουµε στην είσοδο σήµα διπλής πλευρικής ζώνης (DSB) ή µονής πλευρικής ζώνης (SSB). Ένα σήµα διπλής πλευρικής ζώνης δίνεται από τη σχέση: u DSB () t A[ cos( ω ω ) t + cos( ω + ω ) t] (0) Το σήµα αυτό µαζί µε ένα ηµιτονικό σήµα από τοπικό ταλαντωτή οδηγούνται στην είσοδο µίκτη υποβιβασµού συχνότητας και εφόσον διέλθουν από χαµηλοπερατό φίλτρο, δίνουν το σήµα εξόδου ενδιάµεσης συχνότητας: u AK () t cos( ω t)+ AK cos ( ω t) AK cos t ω () Η ισχύς του DSB σήµατος εισόδου είναι: A A S i + A () Αντίστοιχα η ισχύς εξόδου του σήµατος είναι: A K S O (3) Η ισχύς θορύβου της εισόδου δίνεται από τη σχέση: N i KT O B (4) 7

8 Όπου εξόδου ισούται: T 0 90K και Β είναι το εύρος του σήµατος. Η ισχύς θορύβου της N O KT B + N O L C ADDED (5) Όπου N είναι ο θόρυβος που προσθέτει ο µίκτης και L οι απώλειες ADDED µετατροπής. Το επίπεδο θορύβου του µίκτη έχοντας είσοδο DSB σήµα υπολογίζεται από τη σχέση: C F S i N 0 N + ADDED S0 N i K LC KTO B DSB (6) Για σήµα εισόδου SSB προκύπτει F F, δηλαδή αν τοποθετήσουµε σήµα µονής πλευρικής ζώνης στην είσοδο του µίκτη, τότε το επίπεδο θορύβου είναι διπλάσιο από ότι αν χρησιµοποιήσουµε σήµα διπλής πλευρικής ζώνης. Αυτό ήταν αναµενόµενο εφόσον ο µίκτης υποβιβασµού συχνότητας ενός DSB σήµατος κάνει µετατροπή θορύβου και στις δύο πλευρικές συχνότητες και επιπλέον η ισχύς ενός SSB σήµατος είναι η µισή ενός DSB. SSB DSB Μίκτης µε ίοδο Όπως προαναφέραµε, ο µίκτης είναι ένα κύκλωµα δύο εισόδων που χρησιµοποιεί µη γραµµικά στοιχεία ή στοιχεία ρυθµιζόµενου χρόνου έτσι ώστε να επιτύχει κατάλληλη µετατροπή συχνότητας. Ένα µη γραµµικό στοιχείο που χρησιµοποιείται σε απλά κυκλώµατα µικτών είναι η δίοδος πυριτίου ή γερµανίου. Η µη γραµµικότητα που παρουσιάζει στις χαρακτηριστικές V-I είναι ο παράγοντας που την κάνει χρήσιµη σε ανορθωτές, ανιχνευτές και µίκτες, αλλά κάνει πολύ δύσκολη την πλήρη ανάλυση της λειτουργίας του κυκλώµατος. Η βασική τοπολογία µίκτη µε 8

9 δίοδο παρουσιάζεται στο σχήµα 5. Ο µίκτης αυτός ονοµάζεται µονής εξόδου και χρησιµοποιεί µία απλή δίοδο. Σχήµα 3. Βασική τοπολογία µίκτη µε δίοδο Τα σήµατα εισόδου και εφαρµόζονται σε µια διάταξη (diplexer) που προσαρµόζει τις δύο τάσεις έτσι ώστε να οδηγήσουν τη δίοδο. Η λειτουργία του diplexer πραγµατοποιείται χρησιµοποιώντας ζεύξη σηµάτων ή µια υβριδική επαφή ώστε να επιτυγχάνεται όσο το δυνατόν καλύτερη αποµόνωση των δύο εισόδων. Η πόλωση της διόδου µπορεί να γίνει µέσω µιας DC πηγής τάσης. Το Choke στην πηγή εξασφαλίζει την αποσύζευξή της από τα σήµατα και οι πυκνωτές DC Block την αποσύζευξη της διαδροµής από DC τάση. Η AC έξοδος διέρχεται από ένα χαµηλοπερατό φίλτρο ώστε να πάρουµε µόνο την επιθυµητή συχνότητα εξόδου. Το ρεύµα εξόδου δίνεται από τη σχέση: i G ' d () t V V cosω t (7) Όπου G d είναι η παράγωγος της δυναµικής αγωγιµότητας της διόδου. Η παραπάνω περιγραφή αφορά µίκτη υποβιβασµού συχνότητας, αν και το ίδιο κύκλωµα µπορεί να χρησιµοποιηθεί και για αύξηση συχνότητας. 9

10 ιακοπτικά Μοντέλα (Switching Model) Η ανάλυση για µεγάλα σήµατα υποθέτει πως ο µίκτης µε δίοδο µπορεί να θεωρηθεί ως ένας διακόπτης. Η αγωγιµότητα της διόδου µεταβάλλεται µεταξύ µεγάλων τιµών και του µηδενός, καθώς η τάση του τοπικού ταλαντωτή µεταβάλλεται µεταξύ θετικών και αρνητικών τιµών και µπορεί να προσδιοριστεί από τη χαρακτηριστική τάσης ρεύµατος ( V ) I av ( e S ) I ή µέσω της σειράς Fourier: g () t g g cosω t (8) o + n n Εάν η αγωγιµότητα της διόδου είναι µεγαλύτερη από µερικά siemens τότε ουσιαστικά µπορεί να αντιµετωπιστεί ως βραχυκύκλωµα και έτσι να την προσεγγίσουµε µε τη σχέση: g nπ + (9) n nπ () t sin cos nω t u Το ρεύµα της διόδου προκύπτει αν πολλαπλασιάσουµε την τάση εισόδου () t cosπf t µε την αγωγιµότητα της διόδου g(t) από τη σχέση (9). Με τη χρησιµοποίηση κατάλληλου φίλτρου παίρνουµε την επιθυµητή συχνότητα εξόδου f. Το διακοπτικό µοντέλο είναι χρήσιµο για οποιοδήποτε τύπο µίκτη, συµπεριλαµβανοµένου και του µίκτη µε τρανζίστορ. 0

11 Μίκτης µε FET Τα FET παρουσιάζουν φαινόµενα µη γραµµικότητας σε πολλές παραµέτρους τους και αυτό τα κάνει ιδανικά για χρήση σε µίκτες. Η παράµετρος που χρησιµοποιείται κυρίως είναι η διαγωγιµότητα (g m ). Το τρανζίστορ συνήθως είναι συνδεδεµένο σε διάταξη κοινής πηγής µε την πύλη σε αρνητική πόλωση. Όταν χρησιµοποιείται ως ενισχυτής, η πύλη βρίσκεται σε δυναµικό κοντά στο µηδέν ή λίγο θετικό και το τρανζίστορ βρίσκεται στη γραµµική περιοχή λειτουργίας. Όταν όµως η πύλη είναι πολωµένη κοντά στο σηµείο αποκοπής, όπου η διαγωγιµότητα πλησιάζει το µηδέν, µικρές µεταβολές στην τάση πόλωσης της πύλης µπορούν να προκαλέσουν µεγάλες µεταβολές στη διαγωγιµότητα, οδηγώντας σε µη γραµµική απόκριση. Έτσι, όταν το τρανζίστορ χρησιµοποιείται ως µίκτης, το σήµα του τοπικού ταλαντωτή εφαρµόζεται κατάλληλα στην πύλη ώστε να το αναγκάζει να µεταβαίνει µεταξύ των καταστάσεων υψηλής και χαµηλής διαγωγιµότητας µε αποτέλεσµα να επιτελείται η µίξη µε τον ίδιο τρόπο όπως στο διακοπτικό µοντέλο. Στο σχήµα 4 παρουσιάζεται η βασική τοπολογία µίκτη µε FET. Σχήµα 4. Βασική τοπολογία µίκτη µε FET Τα σήµατα εισόδου και εφαρµόζονται, όπως και στο κύκλωµα µίκτη µε δίοδο, σε diplexer ώστε να οδηγηθούν στη συνέχεια στην πύλη του FET. Η πόλωση της πύλης µπορεί να γίνει µέσω µιας DC πηγής τάσης. Το Choke στην

12 πηγή τάσης εξασφαλίζει την αποσύζευξή της από τα σήµατα. Μια ακόµα πηγή τάσης πολώνει το FET µε χρήση Choke επίσης. Η AC έξοδος διέρχεται από ένα χαµηλοπερατό φίλτρο ώστε να πάρουµε µόνο την επιθυµητή συχνότητα εξόδου. Στο σχήµα 5 παρουσιάζεται το ισοδύναµο κύκλωµα για το µίκτη µε FET. Σχήµα 5. Ισοδύναµο κύκλωµα για τον µίκτη µε FET Z + Η κατά Thevenin σύνθετη αντίσταση εισόδου για το κανάλι είναι και η αντίσταση εξόδου είναι g Rg jx g L L L Z R + jx. Είναι σηµαντικό οι αντιστάσεις αυτές να ταιριάζουν µε τις αντίστοιχες αντιστάσεις εξόδου και εισόδου της προηγούµενης και επόµενης βαθµίδας αντίστοιχα, ώστε να έχουµε µέγιστη µεταφορά ισχύος από τη µια βαθµίδα στην άλλη. Η σύνθετη αντίσταση τοπικού ταλαντωτή δε µας ενδιαφέρει για τη µεταφορά ισχύος, γιατί ο τοπικός ταλαντωτής είναι ανεξάρτητη γεννήτρια σήµατος και υπάρχει δυνατότητα να σχεδιαστεί κατάλληλα ώστε να προσφέρει όση ισχύς χρειάζεται. Η διαγωγιµότητα του τρανζίστορ µεταβάλλεται µεταξύ µεγάλων και µικρών τιµών, όπως αναφέραµε παραπάνω, καθώς η τάση του τοπικού ταλαντωτή µεταβάλλεται µεταξύ θετικών και αρνητικών τιµών και µπορεί να προσδιοριστεί από τη σχέση: Z O του g () t g + g cos nω t (0) 0 n n

13 Επειδή δεν υπάρχει µια σαφής µαθηµατική έκφραση για τη διαγωγιµότητα, δεν είναι δυνατόν να υπολογιστούν οι συντελεστές της σειράς στη σχέση (0) και έτσι είµαστε αναγκασµένοι να χρησιµοποιήσουµε τιµές βασισµένες σε µετρήσεις. Όπως και στην περίπτωση του διακοπτόµενου µοντέλου, το επιθυµητό αποτέλεσµα υποβιβασµού συχνότητας είναι για n και έτσι ο µόνος συντελεστής που χρειαζόµαστε είναι ο g. Τυπικές τιµές που µπορεί να πάρει ο συντελεστής g είναι στην περιοχή των 0mSiemens. Το ρεύµα εκροής του FET προκύπτει αν πολλαπλασιάσουµε την τάση στα άκρα της χωρητικότητας πύλης πηγής που προέρχεται από το σήµα, u Cgs V cosω t, µε τη διαγωγιµότητα g(t) από τη σχέση (0). Με την Cgs χρησιµοποίηση κατάλληλου φίλτρου παίρνουµε την επιθυµητή συχνότητα εξόδου f : i D g m g m ( t) u Cgs g V () t u g V cosω t Cgs ω Cgs Cgs cosω t cosω t () Η τάση στα άκρα της χωρητικότητας πύλης πηγής που προέρχεται από το σήµα ( V Cgs ) µπορεί να υπολογιστεί από το διαιρέτη τάσης που σχηµατίζουν οι Z g, R i και C gs : V Cgs jω C gs ( R + Z ) i V g ω j C gs + jω V C gs ( R + Z ) i g () Η τάση του σήµατος της ενδιάµεσης συχνότητας ( V D ) είναι: Rd Z L V D g VCgs (3) Rd + Z L 3

14 Το κέρδος µετατροπής του µίκτη προκύπτει: G C P P avail avail V D RL Z L V 4R g 4R Z g R L L V V D (4) G C g 4ω R C d gs R i ενέργειας: Οι σύνθετες αντιστάσεις Z g και Z L είναι υπολογισµένες για µέγιστη µεταφορά R g Ri, X g, RL R ω C gs d και X 0. Οι µίκτες µε τρανζίστορ προσφέρουν κέρδος µετατροπής G C αλλά το επίπεδο θορύβου που εµφανίζουν είναι χειρότερο σε σχέση µε τους µίκτες διόδου. Τα FET έχουν χαρακτηριστικά όπως χαµηλό θόρυβο και µπορούν εύκολα να ενταχθούν σε ένα ολοκληρωµένο κύκλωµα, µαζί µε άλλα κυκλώµατα όπως διακόπτες και LNA. Στη συνέχεια παρουσιάζονται ορισµένες παραλλαγές κυκλωµάτων µικτών που χρησιµοποιούν FET µε πιο σύνθετη δοµή ώστε να εξασφαλιστούν βελτιωµένα χαρακτηριστικά. L Σχήµα 6. Μίκτης µε FET διπλής πύλης Στο σχήµα 6 παρουσιάζεται ένας µίκτης µονής εξόδου που χρησιµοποιεί FET διπλής πύλης, όπου εφαρµόζονται σε κάθε µία πύλη ξεχωριστά τα σήµατα εισόδου 4

15 και. Κατά αυτόν τον τρόπο παρέχεται υψηλό επίπεδο αποµόνωσης µεταξύ των δύο εισόδων. Μία ακόµη διάταξη που παρέχει υψηλό επίπεδο αποµόνωσης παρουσιάζεται στο σχήµα 7. Ο µίκτης χρησιµοποιεί δύο FET σε συνδεσµολογία διαφορικού ενισχυτή, ο οποίος λειτουργεί ως εναλλασσόµενος διακόπτης. Το σήµα του τοπικού ταλαντωτή αλλάζει την κατάσταση των δύο FET σε κάθε κύκλο, µε αποτέλεσµα το ένα από τα δύο τρανζίστορ να βρίσκεται συνεχώς σε αγωγιµότητα, ενώ το άλλο παραµένει στον κόρο. Σχήµα 7. Μίκτης µε FET σε συνδεσµολογία διαφορικού ενισχυτή Μία προέκταση του µίκτη µε διαφορικό ενισχυτή αποτελεί ο µίκτης Gilbert cell που παρουσιάζεται στο σχήµα 8. Ο µίκτης αυτός χρησιµοποιεί δύο διαφορικούς ενισχυτές µε FET, έτσι ώστε να πετύχει ένα διπλά ισορροπηµένο µίκτη. Το κύκλωµα αυτό πετυχαίνει υψηλή αποµόνωση των εισόδων και υψηλή δυναµική περιοχή. Επιπλέον εξαλείφει τυχόν προϊόντα ενδοδιαµόρφωσης. Είναι δηµοφιλής για εφαρµογή σε ασύρµατα ολοκληρωµένα κυκλώµατα. 5

16 Σχήµα 8. Μίκτης Gilbert cell 6

17 Άλλα κυκλώµατα µικτών Οι µίκτες µονής εξόδου µε δίοδο και FET πού µελετήθηκαν, συχνά παρουσιάζουν κακή προσαρµογή της εισόδου και κακή αποµόνωση, κάτι που µειώνει την απόδοση των ασύρµατων συστηµάτων. Το πρόβληµα αυτό µπορεί να αντιµετωπιστεί συνδυάζοντας δύο ή περισσότερους µίκτες µονής εξόδου µε υβριδικές ενώσεις, όπως για παράδειγµα στον ισορροπηµένο µίκτη (σχήµα 9). Σχήµα 9. Ισορροπηµένοι µίκτες µε υβριδικές ενώσεις Τα κυκλώµατα αποτελούνται από δύο µίκτες µονής εξόδου που ενώνονται µε υβριδική επαφή 90 ή 80. Παρέχουν εξαιρετική προσαρµογή της εισόδου και καλή - αποµόνωση για µεγάλο εύρος συχνοτήτων. Και οι δύο µίκτες έχουν την ικανότητα να απορρίπτουν προϊόντα ενδοδιαµόρφωσης. 7

18 Στο σχήµα 0 παρουσιάζεται η τοπολογία µίκτη ο οποίος απορρίπτει τη συχνότητα ειδώλου f IM. Σχήµα 0. Μίκτης που απορρίπτει τη συχνότητα ειδώλου f IM 8

19 ΣΧΕ ΙΑΣΜΟΣ ΜΙΚΤΗ ΜΕ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Η βασική θεωρία σχεδίασης µίκτη µπορεί να εξηγηθεί µε ισοδύναµα κυκλώµατα δίθυρων. Αναπαριστώντας κάθε βαθµίδα µιας διάταξης µε ένα δίθυρο, θα πρέπει η ισοδύναµη σύνθετη αγωγιµότητα εξόδου της µίας βαθµίδας να είναι ίση µε την ισοδύναµη σύνθετη αγωγιµότητα εισόδου της επόµενης, ώστε να έχουµε µέγιστη µεταφορά ενέργειας από τη µία βαθµίδα στην άλλη. Οι δύο παράµετροι του δίθυρου από τις οποίες µπορούν να προσδιοριστούν οι σύνθετες αγωγιµότητες εισόδου εξόδου είναι οι y e και y e αντίστοιχα, οι οποίες ορίζονται ως η αγωγιµότητα της µίας θύρας βραχυκυκλώνοντας την άλλη (σχήµα ). I i y e V i I y e V o o Σχήµα. Παράµετροι y e και y e δίθυρου Οι παράµετροι y e και y είναι δύσκολο να προσδιοριστούν µε απλό τρόπο γιατί λόγω της παρουσίας τρανζίστορ στο δίθυρο απαιτείται επίλυση συστηµάτων µη γραµµικών. Για αυτό το λόγο µπορούµε να χρησιµοποιήσουµε τιµές παραµέτρων που δίνονται σε διάφορα σηµειώµατα εφαρµογών. Στο παράδειγµα που ακολουθεί χρησιµοποιήσαµε πληροφορίες από το Application Note 38 της Motorola, στο οποίο οι τιµές y e και y που δίνονται για εφαρµογή σε κύκλωµα µίκτη µε 30MHz και 9

20 5MHz για παραγωγή 5MHz µε τρανζίστορ Ν ( I C ma, V CE 0V ) είναι: y y e e j9.5 mmhos j0.7 mmhos (5) Για την υλοποίηση κυκλώµατος µίκτη µε 00MHz και 89.3MHz (ή εναλλακτικά 0.7) για παραγωγή 0.7MHz χρησιµοποιήσαµε το τρανζίστορ Ν, το οποίο παρουσιάζει χαρακτηριστικά που ταιριάζουν σε κυκλώµατα αυτής της κατηγορίας. Για να χρησιµοποιήσουµε τις παραπάνω τιµές για τις σύνθετες αγωγιµότητες εισόδου εξόδου υποθέσαµε ότι η αλλαγή της συχνότητας εισόδου από τα 30MHz στα 00MHz θα επηρέαζε σε µικρό βαθµό τα χαρακτηριστικά εισόδου, ενώ η αλλαγή της ενδιάµεσης συχνότητας από τα 5MHz στα 0.7MHz δεν θα επηρέαζε σχεδόν καθόλου τα χαρακτηριστικά εξόδου. Η υπόθεσή µας στηρίχτηκε σε ανάλογη προσοµοίωση, στην οποία συνδέσαµε ένα τρανζίστορ Ν κατάλληλα ώστε να αναπαραστήσουµε την τοπολογία των δίθυρων του σχήµατος (σελ 9) και προσπαθήσαµε να παρατηρήσουµε τη µεταβολή της σύνθετης αγωγιµότητας εξόδου σε συνάρτηση µε τη συχνότητα εξόδου. Η προσοµοίωση αυτή είχε ενδεικτικό χαρακτήρα και δε θα µπορούσε να αποτελέσει στοιχείο για υπολογισµό των τιµών αυτών. Τα αποτελέσµατά της παρουσιάζονται στο παράρτηµα των προσοµοιώσεων (σελ. 7). Η βασική παράµετρος που επηρεάζεται από τη συχνότητα στα τρανζίστορ είναι ο συντελεστής β, ο οποίος ελαττώνεται µε την αύξηση της συχνότητας, µε αποτέλεσµα να αυξάνονται οι αγωγιµότητες εισόδου εξόδου. Λαµβάνοντας υπόψη και το µοντέλο χαµηλής συχνότητας για την αγωγιµότητα εισόδου, θεωρήσαµε ότι ήταν αναµενόµενο να αυξηθεί το πραγµατικό µέρος της y, µε αποτέλεσµα να ελαττωθεί η επιλεκτικότητα του δικτυώµατος εισόδου, ενώ αναµένονταν αµετάβλητο το φανταστικό µέρος. Κάτι τέτοιο θα είχε ως αποτέλεσµα εσφαλµένο υπολογισµό του πυκνωτή του δικτυώµατος και αντιµετωπίστηκε µε την τοποθέτηση µεταβλητού πυκνωτή, η ύπαρξη του οποίου θα εξάλειφε και τυχόν µεταβολή του φανταστικού µέρους. 0

21 Ανάλογα αντιµετωπίσαµε και την τοπολογία του δικτυώµατος εξόδου, όπου το φαινόµενο µεταβολής των χαρακτηριστικών λόγω αλλαγής της συχνότητας αναµένονταν µικρότερο. Η χρήση µεταβλητών πυκνωτών άλλωστε στα δικτυώµατα εισόδου εξόδου είναι συνηθισµένο φαινόµενο, γιατί µε αυτόν τον τρόπο µπορούν να αντιµετωπιστούν οι ανοχές των υλικών αλλά και να εξαλειφθούν παρασιτικές αντιστάσεις, χωρητικότητες ή αυτεπαγωγές που δηµιουργούνται από τις συσκευασίες και την τοποθέτηση των υλικών. Στο σχήµα παρουσιάζεται το θεωρητικό κύκλωµα µίκτη σχεδιασµένο για παραγωγή ενδιάµεσης συχνότητας 0.7MHz µε 00MHz και 89.3MHz (ή εναλλακτικά 0.7). VCC 9.3V VCC L CHOKE 4 C 30pF KeyA 5% 9 5% 6 Q C4 L3 0.3uH 3 C5 5nF 5 7 R 50Ω C3 00pF KeyB 5% 5% C 00pF KeyC 0 8% 8% L 84.5nH N R kω 0 30pF KeyD VCC -.7V VCC 3% 3% 0 Σχήµα. Κύκλωµα µίκτη µε 0.7MHz από 00MHz Η πόλωση του τρανζίστορ εξασφαλίστηκε µε την τροφοδοσία VCC VCC του κυκλώµατος, το L ( CHOKE), το L και την R, ώστε το ρεύµα εκποµπού να είναι Ι Ε ma και η τάση συλλέκτη εκποµπού V CE 0V. Τα σήµατα του τοπικού ταλαντωτή και της ραδιοσυχνότητας προσαρµόστηκαν στη βάση του τρανζίστορ (έκχυση βάσης) µέσω των C και C3 και η έξοδος του µίκτη προσαρµόστηκε σε φορτίο 50Ω µέσω του πυκνωτή αποσύζευξης C5. Για να πετύχουµε την προσαρµογή της εξόδου εξασφαλίσαµε ότι το κύκλωµα στην έξοδο θα ταιριάσει σε φορτίο R L 50Ω και θα έχει συµπεριφορά χαµηλοπερατού

22 φίλτρου, γιατί οι υψηλότερες συχνότητες από την επιθυµητή ενδιάµεση συχνότητα πρέπει να εξασθενούνται σηµαντικά. Στο σχήµα 3 παρουσιάζεται το ισοδύναµο κύκλωµα εξόδου. Σχήµα 3. Ισοδύναµο κύκλωµα εξόδου Ο παράγοντας ποιότητας Q για κύκλωµα συντονισµού σειράς που υπολογίσαµε είναι: Qs 7.3 (6) G R 0.07mS 50Ω p s Όπου G p είναι το πραγµατικό µέρος της παράλληλης σύνθετης αγωγιµότητας εξόδου, το οποίο δίνεται από το πραγµατικό µέρος της y. R s είναι η αντίσταση σειράς, στην οποία πρόκειται να µετασχηµατιστεί η αγωγιµότητα εξόδου, δηλαδή 50Ω. Από τον παράγοντα ποιότητας του κυκλώµατος συντονισµού σειράς Q s υπολογίσαµε την απαιτούµενη αυτεπαγωγή L s, δηλαδή την τιµή του L3, για ενδιάµεση συχνότητα 0.7MHz: Q s L ωl R s s s Qs Rs πf Ω MHz 0.3µ H (7)

23 Για να υπολογίσουµε τον πυκνωτή C4 χρειάστηκε να µετατρέψουµε το κύκλωµα συντονισµού σειράς σε κύκλωµα παράλληλου συντονισµού. Η ανακλώµενη παράλληλη αυτεπαγωγή L p που προέκυπτε υπολογίστηκε από τη σχέση: L p + Ls (8) Ls Qs από τη σχέση: Η απαραίτητη χωρητικότητα C p για συντονισµό στα 0.7MHz υπολογίστηκε f π L C p p C p 4 π f Lp pf (9) Από το φανταστικό µέρος της y υπολογίσαµε τον ισοδύναµο πυκνωτή C y για τη σύνθετη αγωγιµότητα εξόδου από τη σχέση: Im y jωc C 4 pf y y (30) Από τα παραπάνω καταλήξαµε ότι η τιµή του πυκνωτή C4 είναι: C C C pf (3) 4 p y 7 Στο κύκλωµα τοποθετήσαµε έναν µεταβλητό πυκνωτή 30pF έτσι ώστε να µπορέσουµε να εξαλείψουµε τυχόν διαφορές όπως αναφέρθηκε παραπάνω. Στην προσοµοίωση του κυκλώµατος (σελ. 30, 3) που έγινε µετά το πέρας του σχεδιασµού, παρατηρήσαµε ότι καλύτερο συντονισµό είχαµε στο 3% της ρύθµισης του πυκνωτή δηλαδή 6.9pF, γεγονός που επιβεβαιώνει την αρχική παραδοχή ότι τα χαρακτηριστικά εξόδου αναµένονταν ελάχιστα διαφοροποιηµένα. 3

24 Για να πετύχουµε την προσαρµογή της εισόδου εξασφαλίσαµε ότι το κύκλωµα του µίκτη θα ταιριάσει ως φορτίο R L 50Ω στην προηγούµενη βαθµίδα και έτσι θα έπρεπε να έχει τη µορφή του κυκλώµατος που παρουσιάζεται στο σχήµα 4. Σχήµα 4. Ισοδύναµο κύκλωµα εισόδου Ο παράγοντας ποιότητας Q για κύκλωµα συντονισµού σειράς που υπολογίσαµε είναι: Qs.44 (3) G R 6.5mS 50Ω p s Όπου G p είναι το πραγµατικό µέρος της παράλληλης σύνθετης αγωγιµότητας εισόδου, το οποίο δίνεται από το πραγµατικό µέρος της y. R s είναι η αντίσταση σειράς στην οποία πρόκειται να µετασχηµατιστεί η αγωγιµότητα εισόδου, δηλαδή 50Ω. Από τον παράγοντα ποιότητας του κυκλώµατος συντονισµού σειράς Q s υπολογίσαµε την απαιτούµενη χωρητικότητα C s για ραδιοφωνική συχνότητα 00MHz: Q s C ωc R s s s πfr Q s s MHz 50Ω.44 pf (33) 4

25 Για να υπολογίσουµε τον πυκνωτή C χρειάστηκε να µετατρέψουµε το κύκλωµα συντονισµού σειράς σε κύκλωµα παράλληλου συντονισµού. C Cs 4. pf (34) + Q p 8 s Από το φανταστικό µέρος της y υπολογίσαµε τον ισοδύναµο πυκνωτή C y για τη σύνθετη αγωγιµότητα εισόδου από τη σχέση: Im y jωc y C 5.pF y (35) Η τιµή του πυκνωτή C είναι το άθροισµα των δύο χωρητικοτήτων: C C + C 9. pf (36) p y 9 Στο κύκλωµα τοποθετήσαµε έναν µεταβλητό πυκνωτή 00pF για να µπορέσουµε να εξαλείψουµε τυχόν διαφορές όπως αναφέρθηκε παραπάνω. Παράλληλα µε τον C τοποθετήσαµε το L, το οποίο υπολογίστηκε ώστε να αποκτήσει κάποια επιλεκτικότητα το κύκλωµα εισόδου και να απορρίπτονται οι συχνότητες ειδώλου. Οι C, C και C3 ρυθµίστηκαν να συντονίζεται το κύκλωµα εισόδου στα 00MHz και να επιτρέπονται κάποιες πλευρικές συχνότητες για να καλύπτεται όλη η µπάντα των FM. Στην προσοµοίωση του κυκλώµατος παρατηρήσαµε ότι ο συντονισµός του κυκλώµατος µπορούσε να γίνει µε επιτυχία για όλη την µπάντα των FM και έτσι επιβεβαιώθηκε η αρχική παραδοχή ότι τα χαρακτηριστικά εισόδου αναµένονταν διαφοροποιηµένα σε µικρό βαθµό και ότι το κύκλωµα µπορούσε να σχεδιαστεί µε τα στοιχεία του Application Note που χρησιµοποιήσαµε παρόλο που οι συχνότητες ήταν διαφορετικές. Το κέρδος του µίκτη ήταν περίπου µηδέν, όπως άλλωστε ήταν αναµενόµενο λόγω του τύπου του τρανζίστορ που χρησιµοποιήσαµε και υπήρχε µικρή εξάρτηση από το πλάτος του τοπικού ταλαντωτή. Η σταθερότητα του µίκτη ήταν πολύ καλή σε όλη την περιοχή λειτουργίας του και για ανωπλευρική και για κατωπλευρική έκχυση. 5

26 Για την αλλαγή από τον έναν τύπο έκχυσης στον άλλον δε χρειαζόταν µετατροπή στο κύκλωµα παρά µόνο αλλαγή στη συχνότητα του τοπικού ταλαντωτή. Τα αποτελέσµατα της προσοµοίωσης παρουσιάζονται στο παράρτηµα των προσοµοιώσεων (σελ 7). 6

27 ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΣΕΩΝ 7

28 Σχήµα 5. Προσοµοίωση δίθυρου για τη σύνθετη αγωγιµότητα εισόδου 8

29 Σχήµα 6. Προσοµοίωση δίθυρου για τη σύνθετη αγωγιµότητα εισόδου 9

30 Σχήµα 7. Προσοµοίωση κυκλώµατος µίκτη µε 89.3MHz 30

31 Σχήµα 8. Προσοµοίωση κυκλώµατος µίκτη µε 0.7MHz 3

32 Επίλογος Οι µετατροπείς συχνότητας (µίκτες) είναι βασικά κυκλώµατα σε όλα τα συστήµατα τηλεπικοινωνιών. Στην παρούσα εργασία έγινε µια σύντοµη παρουσίαση της αρχής λειτουργίας τους και της βασικής θεωρίας των µικτών. Παρουσιάσαµε επίσης τυπικά κυκλώµατα µικτών και στη συνέχεια σχεδιάσαµε ένα κύκλωµα µίκτη µε διπολικό τρανζίστορ, τη λειτουργία του οποίου επιβεβαιώσαµε µε κατάλληλη προσοµοίωση. Οι τεχνικές που παρουσιάσαµε κατά το σχεδιασµό παρακάµπτουν πολύπλοκους υπολογισµούς και αναζήτηση στοιχείων υλικών και επικεντρώνονται στην αποτελεσµατική υλοποίηση του κυκλώµατος. Ωστόσο οι σύγχρονες διατάξεις δε χρησιµοποιούν πλέον διακριτά στοιχεία αλλά µονολιθικά κυκλώµατα, ειδικά σχεδιασµένα για εφαρµογή στην κάθε διάταξη, τα οποία συµπεριλαµβάνουν και τον LNA, όπως τα ολοκληρωµένα της MAXIM: MAX ΒΑΣΣΟΥ ΧΡΥΣΟΥΛΑ ΠΟΡΛΙ ΑΣ ΗΜΗΤΡΙΟΣ 3

33 Βιβλιογραφία - David M. Pozar, Microwave and Design of Wireless Systems, John Wiley & Sons INC, 00 - Stephen A. Maas, Microwave Mixers, Artech House Publishers, Stephen A. Maas, The and Microwave Circuit Design Cookbook, Artech House Publishers, Peter Vizmuller, Design Guide - Systems, Circuits, and Equations, Artech House Publishers, Κ. Α. Καρύµπακας, Γενική Ηλεκτρονική, 00 - Motorola, Application Note 38, Tranzistor mixer design using -port parameters - Motorola, Application Note 5, Small signal design using -port parameters - SGS-Thomson, N Data Sheet - National Instruments, Multisim Helpdesk 33

Ασκήσεις στα Συστήµατα Ηλεκτρονικών Επικοινωνιών Κεφάλαιο 3 ο : ΕΙΣΑΓΩΓΗ στις ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΜΑΓΝΗΤΙΚΟ ΚΥΜΑ και ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΙΑΜΟΡΦΩΣΗΣ

Ασκήσεις στα Συστήµατα Ηλεκτρονικών Επικοινωνιών Κεφάλαιο 3 ο : ΕΙΣΑΓΩΓΗ στις ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΜΑΓΝΗΤΙΚΟ ΚΥΜΑ και ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΙΑΜΟΡΦΩΣΗΣ Κεφάλαιο 3 ο : ΕΙΣΑΓΩΓΗ στις ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΜΑΓΝΗΤΙΚΟ ΚΥΜΑ και ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΙΑΜΟΡΦΩΣΗΣ 1. Ποµπός ΑΜ εκπέµπει σε φέρουσα συχνότητα 1152 ΚΗz, µε ισχύ φέροντος 10KW. Η σύνθετη αντίσταση της κεραίας είναι

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF

Εισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF Εισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 6.2 Mixers /25 Βασικές Παράμετροι Μικτών Mixer Βασικές παράμετροι των μικτών: Z =5Ω Band Selecion Filer - -8dBm Z =5Ω Receiver Fron End LNA A 5dB Z =5Ω Image Rejec

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση των Τρανζίστορ

Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση λέμε την κατάλληλη συνεχή τάση που πρέπει να εφαρμόσουμε στο κύκλωμα που περιλαμβάνει κάποιο ηλεκτρονικό στοιχείο (π.χ τρανζίστορ), έτσι ώστε να εξασφαλίσουμε την ομαλή λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 6.1 ΚΑΘΡΕΠΤΕΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Σε ένα καθρέπτη ρεύµατος, το ρεύµα του κλάδου της εξόδου είναι πάντα ίσο µε το ρεύµα του κλάδου της εισόδου, αποτελεί δηλαδή το είδωλο του. Μία τέτοια διάταξη δείχνει

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΙΑΦΟΡΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ 1 1-1 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε BJT s 1 και ιπλή Έξοδο Ανάλυση µε το Υβριδικό Ισοδύναµο του Τρανζίστορ 2 Ανάλυση µε βάση τις Ενισχύσεις των Βαθµίδων CE- 4

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 6 -Μίκτες. Κεφάλαιο 6. Μίκτες (Mixers) (Mixers) 1

Κεφάλαιο 6 -Μίκτες. Κεφάλαιο 6. Μίκτες (Mixers) (Mixers) 1 Κεφάλαιο 6 Μίκτες (Mixers) (Mixers) 1 Βασικές παράµετροι των Μικτών Τυπικά χαρακτηριστικά του µίκτη NF (εικόνα θορύβου) I I P3 Απολαβή Αντίσταση εισόδου (ετερόδυνη) Αποµόνωση Port-to-Port 12 db +5 dbm

Διαβάστε περισσότερα

Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος:

Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος: Παράδειγµα 8 Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος: 0,7 + 2200I 5V = 0 V D 4,3 I D = = 1, 95mA 2200 + 5 2200I D + Vout = 0 Vout=-0,7V Παράδειγµα 9 Το παρακάτω σχήµα παριστάνει κύκλωµα φόρτισης µιας

Διαβάστε περισσότερα

ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΕΠΟΠΤΙΚΟ ΥΛΙΚΟ

ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΕΠΟΠΤΙΚΟ ΥΛΙΚΟ ΤΕΙ ΣΤΕΡΕΑΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΕΠΟΠΤΙΚΟ ΥΛΙΚΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΕΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ Χ. ΤΣΩΝΟΣ ΛΑΜΙΑ 2013 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16

Διαβάστε περισσότερα

Βασικά Στοιχεία Αναλογικών Ηλεκτρονικών

Βασικά Στοιχεία Αναλογικών Ηλεκτρονικών Βασικά Στοιχεία Αναλογικών Ηλεκτρονικών Ηλεκτρονική ΗΥ231 Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Σήµατα Ένα αυθαίρετο σήµα τάσης v s (t) 2 Φάσµα συχνοτήτων των σηµάτων

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ A. Πίνακες αληθείας λογικών πυλών. Στη θετική λογική το λογικό 0 παριστάνεται µε ένα χαµηλό δυναµικό, V L, ενώ το λογικό 1

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΣΥΛΛΕΚΤΗ ΑΚΟΛΟΥΘΗΤΗΣ ΤΑΣΗΣ

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΣΥΛΛΕΚΤΗ ΑΚΟΛΟΥΘΗΤΗΣ ΤΑΣΗΣ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 41 ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΣΥΛΛΕΚΤΗ ΑΚΟΛΟΥΘΗΤΗΣ ΤΑΣΗΣ Η συνδεσµολογία κοινού συλλέκτη φαίνεται στο σχήµα 41 Αν σχηµατίσουµε το ac ισοδύναµο θα δούµε ότι ο συλλέκτης συνδέεται στη γη και αποτελεί κοινό

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν 1. Εισαγωγικά στοιχεία ηλεκτρονικών - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 1. ΘΕΜΕΛΙΩ ΕΙΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΑΙ ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Ηλεκτρικό στοιχείο: Κάθε στοιχείο που προσφέρει, αποθηκεύει και καταναλώνει

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής 1. Ένα τρανζίστορ διπλής επαφής είναι πολωµένο σωστά όταν: α. Η βάση είναι σε υψηλότερο δυναµικό από τον εκποµπό και σε χαµηλότερο από το συλλέκτη β. Η βάση είναι σε χαµηλότερο

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 1-1 Ενεργειακές Ζώνες 3 1-2 Αµιγείς και µη Αµιγείς Ηµιαγωγοί 5 ότες 6 Αποδέκτες 8 ιπλοί ότες και Αποδέκτες 10 1-3 Γένεση, Παγίδευση και Ανασύνδεση Φορέων 10 1-4 Ένωση pn

Διαβάστε περισσότερα

ΕΞΑΝΑΓΚΑΣΜΕΝΗ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΤΑΛΑΝΤΩΣΗ Ο ΣΥΝΤΟΝΙΣΜΟΣ ΚΑΙ ΟΙ ΕΚ ΟΧΕΣ ΤΟΥ

ΕΞΑΝΑΓΚΑΣΜΕΝΗ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΤΑΛΑΝΤΩΣΗ Ο ΣΥΝΤΟΝΙΣΜΟΣ ΚΑΙ ΟΙ ΕΚ ΟΧΕΣ ΤΟΥ η ΠΕΡΙΠΤΩΣΗ ΕΞΑΝΑΓΚΑΣΜΕΝΗ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΤΑΛΑΝΤΩΣΗ Ο ΣΥΝΤΟΝΙΣΜΟΣ ΚΑΙ ΟΙ ΕΚ ΟΧΕΣ ΤΟΥ ΣΥΝΤΟΝΙΣΜΟΣ ΣΕ ΚΥΚΛΩΜΑ -L-C ΣΕ ΣΕΙΡΑ Κύκλωµα που αποτελείται από ωµική αντίσταση,ιδανικό πηνίο µε συντελεστή αυτεπαγωγής L

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής Ηλεκτρονική Ι Εαρινό εξάµηνο 2005 Πρακτική ανάλυση ενισχυτή κοινού εκποµπού Τransstors βασικές αρχές Τι κάνουν τα transstors Πώς αναλύoνται τα κυκλώµατα των transstors Μικρά

Διαβάστε περισσότερα

Κύριες λειτουργίες ραδιοφωνικών δεκτών

Κύριες λειτουργίες ραδιοφωνικών δεκτών Εμπορικοί δέκτες Κύριες λειτουργίες ραδιοφωνικών δεκτών Αποδιαμόρφωση λήψη του σήματος πληροφορίας Συντονισμός φέροντος επιλογή του σταθμού Φιλτράρισμα απαλοιφή θορύβου και παρεμβολών Ενίσχυση αντιμετώπιση

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής 3 Ενισχυτές Μετρήσεων 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής Πολλές φορές ένας ενισχυτής σχεδιάζεται ώστε να αποκρίνεται στη διαφορά µεταξύ δύο σηµάτων εισόδου. Ένας τέτοιος ενισχυτής ονοµάζεται ενισχυτής διαφοράς

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας ΔΙΟΔΟΣ Οι περισσότερες ηλεκτρονικές συσκευές όπως οι τηλεοράσεις, τα στερεοφωνικά συγκροτήματα και οι υπολογιστές χρειάζονται τάση dc για να λειτουργήσουν σωστά.

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 3 ΣΧΕ ΙΑΣΜΟΣ ΚΑΙ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΕΝΕΡΓΩΝ ΦΙΛΤΡΩΝ. ΣΚΟΠΟΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 3 ΣΧΕ ΙΑΣΜΟΣ ΚΑΙ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΕΝΕΡΓΩΝ ΦΙΛΤΡΩΝ. ΣΚΟΠΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 3 ΣΧΕ ΙΑΣΜΟΣ ΚΑΙ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΕΝΕΡΓΩΝ ΦΙΛΤΡΩΝ. ΣΚΟΠΟΣ Ένα ενεργό σύστηµα είναι ένα ηλεκτρικό κύκλωµα που αποτελείται από παθητικά στοιχεία και ελεγχόµενες πηγές. Ενεργή σύνθεση είναι η

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ

ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΤΕΙ ΚΑΛΑΜΑΤΑΣ - ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ ΣΠΑΡΤΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ: ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΗΤΡΩΟΥ:.. ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ: ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΗΤΡΩΟΥ:.. Α. ΜΕΤΡΗΣΗ ΣΥΝΕΧΟΥΣ

Διαβάστε περισσότερα

Μάθηµα 3 ο : Το δορυφορικό τηλεπικοινωνιακό υποσύστηµα

Μάθηµα 3 ο : Το δορυφορικό τηλεπικοινωνιακό υποσύστηµα Μάθηµα 3 ο : Το δορυφορικό τηλεπικοινωνιακό υποσύστηµα Στόχοι: Στο τέλος αυτού του µαθήµατος ο σπουδαστής θα γνωρίζει: Tη δοµή και τις βασικές λειτουργίες ενός δορυφορικού τηλεπικοινωνιακού υποσυστήµατος

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΤΑΞΗ

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΤΑΞΗ ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΑΠΟΛΥΤΗΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Σ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΤΑΡΤΗ 28 ΜΑΪΟΥ 2003 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) : ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙ ΩΝ: ΕΞΙ

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής Ο τελεστικός ενισχυτής, TE (operational ampliier, op-amp) είναι ένα από τα πιο χρήσιμα αναλογικά κυκλώματα. Κατασκευάζεται ως ολοκληρωμένο κύκλωμα (integrated circuit) και

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙΙI ΤΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 3.1 ιπολικό Τρανζίστορ 3.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΠΕΛΟΠΟΝΝΗΣΟΥ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Τ.Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ (μέσω προσομοίωσης) Γιάννης

Διαβάστε περισσότερα

Επικοινωνίες I FM ΔΙΑΜΟΡΦΩΣΗ. Τεχνολογικό Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Σερρών Τμήμα Πληροφορικής & Επικοινωνιών

Επικοινωνίες I FM ΔΙΑΜΟΡΦΩΣΗ. Τεχνολογικό Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Σερρών Τμήμα Πληροφορικής & Επικοινωνιών Τεχνολογικό Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Σερρών Τμήμα Πληροφορικής & Επικοινωνιών Επικοινωνίες I ΔΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΓΩΝΙΑΣ FM ΔΙΑΜΟΡΦΩΣΗ Σήμα FM Η ακόλουθη εξίσωση δίδει την ισοδύναμη για τη διαμόρφωση συχνότητας έκφραση

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2. Ανάλυση Ηλεκτρικού Σήµατος

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2. Ανάλυση Ηλεκτρικού Σήµατος ΚΕΦΑΛΑΙΟ Ανάλυση Ηλεκτρικού Σήµατος. Εισαγωγή Τα σήµατα εξόδου από µετρητικές διατάξεις έχουν συνήθως τη µορφή ηλεκτρικών σηµάτων. Πριν από την καταγραφή ή περαιτέρω επεξεργασία, ένα σήµα υφίσταται µια

Διαβάστε περισσότερα

ΜΕΤΑΤΡΟΠΕΙΣ ΣΥΝΕΧΟΥΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ

ΜΕΤΑΤΡΟΠΕΙΣ ΣΥΝΕΧΟΥΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΜΑΘ.. 12 ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟΥΣ ΜΕΤΑΤΡΟΠΕΙΣ ΣΥΝΕΧΟΥΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ 1. ΓΕΝΙΚΑ Οι μετατροπείς συνεχούς ρεύματος επιτελούν τη μετατροπή μιας τάσης συνεχούς μορφής, σε συνεχή τάση με ρυθμιζόμενο σταθερό πλάτος ή και πολικότητα.

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ 1.1 Τελεστικοί ενισχυτές 1.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; Ηλεκτρονικοί Υπολογιστές Κινητά τηλέφωνα Τηλεπικοινωνίες Δίκτυα Ο κόσμος της Ηλεκτρονικής Ιατρική Ενέργεια Βιομηχανία Διασκέδαση ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τι περιέχουν οι ηλεκτρονικές

Διαβάστε περισσότερα

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ»

«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗMMΥ Σκοπός διάλεξης Παρουσίαση των σημαντικότερων τοπολογιών ενισχυτών με ένα και περισσότερα

Διαβάστε περισσότερα

Τηλεπικοινωνικακά Συστήματα Ι - Ενδεικτικές Ερωτήσεις Ασκήσεις 1)

Τηλεπικοινωνικακά Συστήματα Ι - Ενδεικτικές Ερωτήσεις Ασκήσεις 1) Τηλεπικοινωνικακά Συστήματα Ι - Ενδεικτικές Ερωτήσεις Ασκήσεις Δ.Ευσταθίου Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ, ΤΕΙ Κεντρικής Μακεδονίας 1) 1. Ποια από τις παρακάτω συχνότητες δεν εμφανίζεται στην έξοδο ενός

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7. Σχ.7.1. Σύµβολο κοινού τελεστικού ενισχυτή και ισοδύναµο κύκλωµα.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7. Σχ.7.1. Σύµβολο κοινού τελεστικού ενισχυτή και ισοδύναµο κύκλωµα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 7. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ Ο τελεστικός ενισχυτής εφευρέθηκε κατά τη διάρκεια του δεύτερου παγκοσµίου πολέµου και. χρησιµοποιήθηκε αρχικά στα συστήµατα σκόπευσης των αντιαεροπορικών πυροβόλων για

Διαβάστε περισσότερα

9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ. Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να

9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ. Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να 9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να ενισχύσει ένα σήµα (δηλ. να αυξήσει ονοµαστικά το µέγεθος της τάσης ή του ρεύµατος).

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 4 ίοδος Zener

Άσκηση 4 ίοδος Zener Άσκηση 4 ίοδος Zener Εισαγωγή Σκοπός Πειράµατος Στην εργαστηριακή άσκηση 2 µελετήθηκε η δίοδος ανόρθωσης η οποία είδαµε ότι λειτουργεί µονάχα εάν πολωθεί ορθά. Το ίδιο ισχύει και στην περίπτωση της φωτοεκπέµπουσας

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ένα ηλεκτρικό κύκλωμα αποτελείται από ένα σύνολο

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Α. Αναστροφέας MOSFET. Α.1 Αναστροφέας MOSFET µε φορτίο προσαύξησης. Ο αναστροφέας MOSFET (πύλη NOT) αποτελείται από

Διαβάστε περισσότερα

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2) Ηλ/κά ΙΙ, Σεπτ. 05 ΘΕΜΑ 1 ο (2,5 µον.) R 1 (Ω) R B Ρελέ R2 R3 Σχ. (1) Σχ. (2) Φωτεινότητα (Lux) Ένας επαγγελµατίας φωτογράφος χρειάζεται ένα ηλεκτρονικό κύκλωµα για να ενεργοποιεί µια λάµπα στο εργαστήριό

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF Ενότητα: Πομποδέκτες, Μείκτες, Ενισχυτές Στυλιανός Μυτιληναίος Τμήμα Ηλεκτρονικής, Σχολή Τεχνολογικών

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής Ο διαφορικός ενισχυτής (differential amplifier) είναι από τα πλέον διαδεδομένα και χρήσιμα κυκλώματα στις ενισχυτικές διατάξεις. Είναι βασικό δομικό στοιχείο του τελεστικού

Διαβάστε περισσότερα

Τεχνολογικό Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Σερρών Τμήμα Πληροφορικής & Επικοινωνιών Επικοινωνίες I SSB Παραγωγή - Αποδιαμόρφωση FM Διαμόρφωση

Τεχνολογικό Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Σερρών Τμήμα Πληροφορικής & Επικοινωνιών Επικοινωνίες I SSB Παραγωγή - Αποδιαμόρφωση FM Διαμόρφωση Τεχνολογικό Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Σερρών Τμήμα Πληροφορικής & Επικοινωνιών Επικοινωνίες I SSB Παραγωγή - Αποδιαμόρφωση FM Διαμόρφωση ΔΙΠΛΟΠΛΕΥΡΙΚΕΣ - ΜΟΝΟΠΛΕΥΡΙΚΕΣ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ ΑΜ 0 f DSB 0 f SSB 0 f SINGLE

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ 2 Δίοδοι-Επαφή pn 1. Ποιες είναι οι 3 κατηγορίες υλικών στην ηλεκτρονική; a) Στερεά, υγρά αέρια. b) Αγωγοί, μονωτές, ημιαγωγοί. c) Γη, αέρας, φωτιά. d) Ημιαγωγοί, μονωτές,

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3ο ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΔΙΟΔΟΙ Επαφή ΡΝ Σε ένα κομμάτι κρύσταλλο πυριτίου προσθέτουμε θετικά ιόντα 5σθενούς στοιχείου για τη δημιουργία τμήματος τύπου Ν από τη μια μεριά, ενώ από την

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Σχήµα 1. Κύκλωµα DC πόλωσης ηλεκτρονικού στοιχείου Στο ηλεκτρονικό στοιχείο του σχήµατος

Διαβάστε περισσότερα

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014 ΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΜΑΚΑΡΙΟΣ Γ ΣΧΟΛΙΚΗ ΧΡΟΝΙΑ: 2013 2014 ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014 Κατεύθυνση: Θεωρητική Μάθημα: Τεχνολ.& Εργ. Ηλεκτρονικών Τάξη: Β Αρ. Μαθητών: 8 Κλάδος: Ηλεκτρολογία

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ 45 ίοδοι - Επαφή p-n Τα ηλεκτρονικά εξαρτήµατα κατασκευάζονται µε βάση έναν κρύσταλλο πυριτίου. Το πυρίτιο σε πολύ χαµηλή θερµοκρασία έχει τα τέσσερα ηλεκτρόνια σθένους

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τελεστικοί Ενισχυτές Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ο ιδανικός τελεστικός ενισχυτής Είσοδος αντιστροφής Ισοδύναμα Είσοδος μη αντιστροφής A( ) A d 2 1 2 1

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός είδους

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 2 ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΑΠΟ ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΠΛΑΤΟΥΣ (ΑΜ)

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 2 ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΑΠΟ ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΠΛΑΤΟΥΣ (ΑΜ) ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 2 ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΑΠΟ ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΠΛΑΤΟΥΣ (ΑΜ) 1. ιαµόρφωση Πλάτους. Στην άσκηση αυτή θα ασχοληθούµε µε τη ιαµόρφωση Πλάτους (Amplitude Modulation) χρησιµοποιώντας τον ολοκληρωµένο διαµορφωτή

Διαβάστε περισσότερα

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 3. ΙΟ ΟΣ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΙΟ ΩΝ Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια

Διαβάστε περισσότερα

1η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ:

1η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Ι η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: ΣΤΟΙΧΕΙΩΔΕΣ ΤΗΛΕΦΩΝΙΚΟ ΣΥΣΤΗΜΑ Εισαγωγή. Η διεξαγωγή της παρούσας εργαστηριακής άσκησης προϋποθέτει την μελέτη τουλάχιστον των πρώτων παραγράφων του

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 5 -Ενισχυτές

Κεφάλαιο 5 -Ενισχυτές Κεφάλαιο 5 Ενισχυτές Χαµηλού Θορύβου (LNA) Χαµηλού Θορύβου 1 Βασικές παρέµετροι των Ενισχυτών Χαµηλού Θορύβου. Τυπικά χαρακτηριστικά των LNA για ετερόδυνες αρχιτεκτονικές NF (εικόνα θορύβου) db I I P 3-10

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier) Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Βασικά κυκλώµατα ενισχυτών µε transstr MOS Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Transstr ως ενισχυτής Ενισχυτής κοινής πηγής (cmmn surce amplfer (κύκλωµα αντιστροφέα

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3. Σχ.3.1. Συνδεσµολογία κοινού εκποµπού (npn).

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3. Σχ.3.1. Συνδεσµολογία κοινού εκποµπού (npn). ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3 31 ΣΥΝ ΕΣΜΟΛΟΓΙΑ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ Η συνδεσµολογία κοινού εκποµπού φαίνεται στο σχήµα 31 Είναι η πιο συχνά χρησιµοποιούµενη συνδεσµολογία διότι απαιτεί µικρά ρεύµατα στην είσοδο Η είσοδος σε αυτή

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΕΣ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ Σελίδα 1 από 13

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΕΣ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ Σελίδα 1 από 13 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΕΣ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ Σελίδα από 3 ΦΥΛΛΑ ΙΟ 4 ο η : Το δοµικό διάγραµµα του ποµπού ΑΜ φαίνεται στο παραπάνω σχήµα. Με βάση αυτό η διαδικασία της διαµόρφωσης αποτελείται από δύο λειτουργικά τµήµατα:

Διαβάστε περισσότερα

5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση. Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού

5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση. Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού 5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 5. ΤΡΟΦΟ ΟΤΙΚΑ 220 V, 50 Hz. 0 V Μετασχηµατιστής Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση 0 V 0 V Ανορθωτής Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού Φίλτρο

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ 4.1 MOS Τρανζίστορ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙV ΤΟ MOS ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 4.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

Κυκλώµατα εναλλασσόµενης τάσης

Κυκλώµατα εναλλασσόµενης τάσης Κυκλώµατα εναλλασσόµενης τάσης Στόχος αυτής της ενότητας του µαθήµατος είναι η µελέτη των ηλεκτρικών κυκλωµάτων στα οποία η ηλεκτροκινητήρια δύναµη παρέχεται από πηγή εναλλασσόµενης τάσης Σε αυτή την ενότητα

Διαβάστε περισσότερα

ΜΑΘΗΜΑ / ΤΑΞΗ : ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΕΣ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ / Γ ΕΠΑΛ ΣΕΙΡΑ: ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 14/04/2013. ΘΕΜΑ 1 ο

ΜΑΘΗΜΑ / ΤΑΞΗ : ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΕΣ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ / Γ ΕΠΑΛ ΣΕΙΡΑ: ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 14/04/2013. ΘΕΜΑ 1 ο ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΕΚΠ. ΕΤΟΥΣ 01-013 ΜΑΘΗΜΑ / ΤΑΞΗ : ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΕΣ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ / Γ ΕΠΑΛ ΣΕΙΡΑ: ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 14/04/013 ΘΕΜΑ 1 ο 1) Να χαρακτηρίσετε τις προτάσεις που ακολουθούν, γράφοντας δίπλα στο γράμμα που αντιστοιχεί

Διαβάστε περισσότερα

Ε Ρ Ω Τ Η Σ Ε Ι Σ Θ Ε Μ Α Τ Α

Ε Ρ Ω Τ Η Σ Ε Ι Σ Θ Ε Μ Α Τ Α ΔΗΜΟΚΡΙΤΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΡΑΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ & ΔΙΑΣΤΗΜΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΚΥΜΑΤΩΝ Μάθημα: ΑΡΧΕΣ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΩΝ ΖΕΥΞΕΩΝ Διδάσκοντες:

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ 1 ο. α. τα μήκη κύματος από 100m έως 50m ονομάζονται κύματα νύχτας και τα μήκη κύματος από 50m έως 10m ονομάζονται κύματα ημέρας.

ΘΕΜΑ 1 ο. α. τα μήκη κύματος από 100m έως 50m ονομάζονται κύματα νύχτας και τα μήκη κύματος από 50m έως 10m ονομάζονται κύματα ημέρας. ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙΔΑΣ Γ ΤΑΞΗ ΕΠΑΛ (ΟΜΑΔΑ Α ) & ΜΑΘΗΜΑΤΩΝ ΕΙΔΙΚΟΤΗΤΑΣ ΕΠΑΛ (ΟΜΑΔΑ Β ) ΘΕΜΑ 1 ο ΤΕΤΑΡΤΗ 16/04/014 - ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΕΣ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙΔΩΝ: ΕΞΙ (6) ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ 1) Να χαρακτηρίσετε

Διαβάστε περισσότερα

Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α Α

Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α Α Επαναληπτικά Θέµατα ΟΕΦΕ 00 Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α Α Για τις παρακάτω προτάσεις Α έως και Α4 να γράψετε στο φύλλο απαντήσεων σας τον αριθµό της πρότασης και δίπλα

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 4: Ενισχυτής κοινού εκπομπού. Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 4: Ενισχυτής κοινού εκπομπού. Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι Ενότητα 4: Ενισχυτής κοινού εκπομπού Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creative Commons.

Διαβάστε περισσότερα

εδάφους Την οργάνωση και τα βασικά χατακτηριστικά ενός δορυφορικού σταθµού

εδάφους Την οργάνωση και τα βασικά χατακτηριστικά ενός δορυφορικού σταθµού Μάθηµα 5 ο : Ο δορυφορικός σταθµός εδάφους Στόχοι: Στο τέλος αυτού του µαθήµατος ο σπουδαστής θα γνωρίζει: Την οργάνωση και τα βασικά χατακτηριστικά ενός δορυφορικού σταθµού εδάφους Τις κατηγορίες στις

Διαβάστε περισσότερα

Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1

Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1 Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3...2 ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ...2 3.1 Απόκριση συχνότητας ενισχυτών...2 3.1.1 Παραμόρφωση στους ενισχυτές...5 3.1.2 Πιστότητα των ενισχυτών...6 3.1.3

Διαβάστε περισσότερα

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing).

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Κεφάλαιο 4 Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Οι ενδείξεις (τάσεις εξόδου) των θερμοζευγών τύπου Κ είναι δύσκολο να

Διαβάστε περισσότερα

Σελίδα 1 από 8. Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52

Σελίδα 1 από 8. Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52 Σελίδα 1 από 8 Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52 Ερώτηση 1 η : Πολυδονητές ονοµάζονται τα ηλεκτρονικά κυκλώµατα που παράγουν τετραγωνικούς παλµούς. 2 η : Ανάλογα µε τον τρόπο λειτουργίας τους διακρίνονται σε:

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ). 7. Εισαγωγή στο διπολικό τρανζίστορ-ι.σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 7. TΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Ανάλογα µε το υλικό διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και 2. τρανζίστορ πυριτίου

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM ΜΑΘΗΜΑ : ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM Σκοπός: Η Εξέταση λειτουργίας του ενισχυτή κοινού εκπομπού και εντοπισμός βλαβών στο κύκλωμα με τη χρήση του προγράμματος προσομοίωσης

Διαβάστε περισσότερα

Ανάλυση και υλοποίηση ταλαντωτή τύπου Colpitts

Ανάλυση και υλοποίηση ταλαντωτή τύπου Colpitts Εργασία στο μάθημα «Εργαστήριο Αναλογικών VLSI» Ανάλυση και υλοποίηση ταλαντωτή τύπου Colpitts Ομάδα Γεωργιάδης Κωνσταντίνος konsgeorg@inf.uth.gr Σκετόπουλος Νικόλαος sketopou@inf.uth.gr ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΑΛΛΑΣΣΟΜΕΝΑ ΡΕΥΜΑΤΑ

ΕΝΑΛΛΑΣΣΟΜΕΝΑ ΡΕΥΜΑΤΑ ΕΝΑΛΛΑΣΣΟΜΕΝΑ ΡΕΥΜΑΤΑ Ένα ρεύµα ονοµάζεται εναλλασσόµενο όταν το πλάτος του χαρακτηρίζεται από µια συνάρτηση του χρόνου, η οποία εµφανίζει κάποια περιοδικότητα. Το συνολικό ρεύµα που διέρχεται από µια

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. 12. ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)-Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ ιαφάνεια 1 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. Αρχή

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑΤΑ & ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ

ΘΕΜΑΤΑ & ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ ΘΕΜΑΤΑ & ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ Μάθημα: Επικοινωνίες ΙΙ. Εξεταστική Περίοδος: B Θερινή, 14 Σεπτεμβρίου 2009. ΕΙΣΗΓΗΤΗΣ: Αναστάσιος Παπατσώρης Θέμα 1 ο (25 μονάδες) Ένα ADSL modem λειτουργεί με ταχύτητα downloading

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στις Τηλεπικοινωνίες

Εισαγωγή στις Τηλεπικοινωνίες ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Εισαγωγή στις Τηλεπικοινωνίες Ενότητα : Εισαγωγή στη Διαμόρφωση Πλάτους (AΜ) Όνομα Καθηγητή: Δρ. Ηρακλής Σίμος Τμήμα: Ηλεκτρονικών

Διαβάστε περισσότερα

του διπολικού τρανζίστορ

του διπολικού τρανζίστορ D λειτουργία - Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ ρ Παραδείγματα D ανάλυσης Παράδειγμα : Να ευρεθεί το σημείο λειτουργίας Q. Δίνονται: β00 και 0.7. Υποθέτουμε λειτουργία στην ενεργό περιοχή. 4 a 4 0 7, 3,3

Διαβάστε περισσότερα

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF 8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1 8. ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ο ΗΓΗΣΗΣ ΦΟΡΤΙΟΥ Το τρανζίστορ σαν διακόπτης ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON περιοχή αποκοπής: OFF 8. ιακοπτική Λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΔΙΑΔΙΚΑΣΙΑ

ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΔΙΑΔΙΚΑΣΙΑ ΕΙΣΑΓΩΓΗ: Ο τελεστικός ενισχυτής είναι ένα προκατασκευασμένο κύκλωμα μικρών διαστάσεων που συμπεριφέρεται ως ενισχυτής τάσης, και έχει πολύ μεγάλο κέρδος, πολλές φορές της τάξης του 10 4 και 10 6. Ο τελεστικός

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων F Ενότητα: Φίλτρα και Επαναληπτικές Ασκήσεις Στυλιανός Μυτιληναίος Τμήμα Ηλεκτρονικής, Σχολή

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα 5: D λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης reative

Διαβάστε περισσότερα

Χαρακτηρισμός (VCVS) (VCIS) Μετατροπέας ρεύματος σε τάση (ICVS)

Χαρακτηρισμός (VCVS) (VCIS) Μετατροπέας ρεύματος σε τάση (ICVS) 6. ΓΕΝΙΚΗ ΘΕΩΡΗΣΗ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ 6.. Ενισχυτές ανοικτού βροχου (χωρίς ανάδραση) Ανεξάρτητα από την τάξη (Α, Β, C), το είδος της σύζευξης (R-C, με μετασχηματιστή, άμεση κλπ.), υπάρχουν (με κριτήριο τη χρήση

Διαβάστε περισσότερα

Α2. Α2.1 Α2.2 Α2.1 Α2.2 Μονάδες 10 Α3.

Α2. Α2.1 Α2.2 Α2.1 Α2.2 Μονάδες 10 Α3. ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΑΠΟΛΥΤΗΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ʹ ΤΑΞΗΣ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΚΑΙ ΠΑΝΕΛΛΑ ΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΕΠΑΛ (ΟΜΑ ΑΣ Β ) ΠΕΜΠΤΗ 20 ΜΑΪΟΥ 2010 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) Γ ΤΑΞΗΣ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ 2002

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) Γ ΤΑΞΗΣ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ 2002 ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) Γ ΤΑΞΗΣ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ 00 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α I A. Στις ερωτήσεις 1-4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της ερώτησης και δίπλα

Διαβάστε περισσότερα

«Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ»

«Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤHMMY Σκοπός διάλεξης Μελέτη της συμπεριφοράς μικρού σήματος των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

Διαβάστε περισσότερα

Ερώτηση 3 (2 µον.) Ε 1. ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2003-2004

Ερώτηση 3 (2 µον.) Ε 1. ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2003-2004 ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ 2003-2004 Ερώτηση 1 (2 µον.) Το σχ. (α) δείχνει το κύκλωµα ενός περιοριστή. Από τη χαρακτηριστική καµπύλη τάσης εισόδου-εξόδου V out =

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2011 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α ΠΡΩΤΗ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2011 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α ΠΡΩΤΗ ΗΕΚΤΡΟΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΟΣ ΤΕΧΝΟΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 011 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α ΠΡΩΤΗ 1. Για τις παρακάτω προτάσεις Α1.1 και Α1. να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της πρότασης και δίπλα σε

Διαβάστε περισσότερα

Το σήμα εξόδου ενός διαμορφωτή συμβατικού ΑΜ είναι:

Το σήμα εξόδου ενός διαμορφωτή συμβατικού ΑΜ είναι: Άσκηση 1 Το σήμα εξόδου ενός διαμορφωτή συμβατικού ΑΜ είναι: i. Προσδιορίστε το σήμα πληροφορίας και το φέρον. ii. Βρείτε το δείκτη διαμόρφωσης. iii. Υπολογίστε το λόγο της ισχύος στις πλευρικές ζώνες

Διαβάστε περισσότερα

Πείραμα. Ο Διαφορικός Ενισχυτής. Εξοπλισμός. Διαδικασία

Πείραμα. Ο Διαφορικός Ενισχυτής. Εξοπλισμός. Διαδικασία Ο Διαφορικός Ενισχυτής Ο διαφορικός ενισχυτής είναι η βαθμίδα εισόδου άμεσης σύζευξης ενός τυπικού τελεστικού ενισχυτή. Η πιο κοινή μορφή ενός διαφορικού ενισχυτή είναι ένα κύκλωμα με είσοδο δύο άκρων

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2007 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α Α

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2007 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α Α ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2007 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α Α Για τις παρακάτω προτάσεις, Α.. έως και Α.4., να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της πρότασης

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. (Silicon Controlled Rectifier). πυριτίου (TRlAC). (Silicon Controll ed Switch). - 0 ελεγχόµενος ανορθωτής πυριτίου SCR

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. (Silicon Controlled Rectifier). πυριτίου (TRlAC). (Silicon Controll ed Switch). - 0 ελεγχόµενος ανορθωτής πυριτίου SCR 6. Θυρίστορ - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφανεια 1 6. ΤΑ ΘΥΡΙΣΤΟΡ - 0 ελεγχόµενος ανορθωτής πυριτίου SCR (Silicon Controlled Rectifier). - Η αµφίδροµη δίοδος THYRlSTOR (DIAC). - 0 αµφίδροµος ελεγχόµενος ανορθωτής

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Εργαστήριο 8 Κυκλώµατα RLC και Σταθερή Ηµιτονοειδής Κατάσταση Λευκωσία, 2015 Εργαστήριο 8

Διαβάστε περισσότερα

ΕΥΕΛΙΚΤΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΗΜΥ 499

ΕΥΕΛΙΚΤΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΗΜΥ 499 ΕΥΕΛΙΚΤΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΗΜΥ 499 ΣΤΑΤΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΕΛΕΓΧΟΥ ΑΕΡΓΟΥ ΙΣΧΥΟΣ (S) ρ Ανρέας Σταύρου ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ Τα Θέµατα Βαθµίες

Διαβάστε περισσότερα

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ ΕΠΑΦΗΣ (JFET) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ Γ ΤΑΞΗ

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ Γ ΤΑΞΗ ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΑΠΟΛΥΤΗΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Γ ΤΑΞΗΣ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΣΑΒΒΑΤΟ 8 ΙΟΥΝΙΟΥ 00 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ): ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙ ΩΝ: ΠΕΝΤΕ (5)

Διαβάστε περισσότερα

- Ραδιόφωνο. - Κινητή τηλεφωνία - Ψηφιακή τηλεόραση (π.χ. NOVA)

- Ραδιόφωνο. - Κινητή τηλεφωνία - Ψηφιακή τηλεόραση (π.χ. NOVA) ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ Ο σκοπός ενός τηλεπικοινωνιακού συστήµατος είναι η µεταφορά πληροφορίας µε τη µορφή σήµατος µέσω ενός καναλιού το οποίο χωρίζει τον ποµπό από τον δέκτη. Το κανάλι µπορεί να είναι είτε κάποια

Διαβάστε περισσότερα

2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος Thevenin

2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος Thevenin Ονοµατεπώνυµο: Αριθµός Μητρώου: Εξάµηνο: Υπογραφή Εργαστήριο Ηλεκτρικών Κυκλωµάτων και Συστηµάτων 2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος hevenin Απόκριση στο πεδίο της συχνότητας

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά -1- Η τιμή της dc παραμέτρου β ενός npn transistor έχει τιμή ίση με 100. Το transistor λειτουργεί στην ενεργή περιοχή με ρεύμα συλλέκτη 1mA. Το ρεύμα βάσης έχει

Διαβάστε περισσότερα

Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α Α

Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α Α Επαναληπτικά Θέµατα ΟΕΦΕ 0 Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α Α Για τις παρακάτω προτάσεις, Α.. έως και Α.., να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της πρότασης και δίπλα το

Διαβάστε περισσότερα

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131 Περιεχόμενα v ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1: ΔΙΟΔΟΙ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ...1 1.1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ...1 1.2 ΥΛΙΚΑ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ: Ge, Si ΚΑΙ GaAs...2 1.3 ΟΜΟΙΟΠΟΛΙΚΟΙ ΔΕΣΜΟΙ ΚΑΙ ΕΝΔΟΓΕΝΗ ΥΛΙΚΑ...3 1.4 ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΕΣ ΣΤΑΘΜΕΣ...6 1.5 ΕΞΩΓΕΝΗ

Διαβάστε περισσότερα

ΕΧΕΙ ΤΑΞΙΝΟΜΗΘΕΙ ΑΝΑ ΕΝΟΤΗΤΑ ΚΑΙ ΑΝΑ ΤΥΠΟ ΓΙΑ ΔΙΕΥΚΟΛΥΝΣΗ ΤΗΣ ΜΕΛΕΤΗΣ ΣΑΣ ΚΑΛΗ ΕΠΙΤΥΧΙΑ ΣΤΗ ΠΡΟΣΠΑΘΕΙΑ ΣΑΣ ΚΙ 2014

ΕΧΕΙ ΤΑΞΙΝΟΜΗΘΕΙ ΑΝΑ ΕΝΟΤΗΤΑ ΚΑΙ ΑΝΑ ΤΥΠΟ ΓΙΑ ΔΙΕΥΚΟΛΥΝΣΗ ΤΗΣ ΜΕΛΕΤΗΣ ΣΑΣ ΚΑΛΗ ΕΠΙΤΥΧΙΑ ΣΤΗ ΠΡΟΣΠΑΘΕΙΑ ΣΑΣ ΚΙ 2014 ΤΟ ΥΛΙΚΟ ΕΧΕΙ ΑΝΤΛΗΘΕΙ ΑΠΟ ΤΑ ΨΗΦΙΑΚΑ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΑ ΒΟΗΘΗΜΑΤΑ ΤΟΥ ΥΠΟΥΡΓΕΙΟΥ ΠΑΙΔΕΙΑΣ http://wwwstudy4examsgr/ ΕΧΕΙ ΤΑΞΙΝΟΜΗΘΕΙ ΑΝΑ ΕΝΟΤΗΤΑ ΚΑΙ ΑΝΑ ΤΥΠΟ ΓΙΑ ΔΙΕΥΚΟΛΥΝΣΗ ΤΗΣ ΜΕΛΕΤΗΣ ΣΑΣ ΚΑΛΗ ΕΠΙΤΥΧΙΑ ΣΤΗ

Διαβάστε περισσότερα