ΜΕΛΕΤΗ ΤΩΝ ΔΟΜΙΚΩΝ ΙΔΙΟΤΗΤΩΝ 3C-SiC, ΚΑΤΑΛΛΗΛΟΥ ΓΙΑ ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΕΣ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "ΜΕΛΕΤΗ ΤΩΝ ΔΟΜΙΚΩΝ ΙΔΙΟΤΗΤΩΝ 3C-SiC, ΚΑΤΑΛΛΗΛΟΥ ΓΙΑ ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΕΣ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ"

Transcript

1 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΤΟΜΕΑΣ ΦΥΣΙΚΗΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗ ΔΙΑΤΡΙΒΗ ΜΕΛΕΤΗ ΤΩΝ ΔΟΜΙΚΩΝ ΙΔΙΟΤΗΤΩΝ 3C-SiC, ΚΑΤΑΛΛΗΛΟΥ ΓΙΑ ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΕΣ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ Αλκυόνης Μάντζαρη Φυσικού-MSc Φυσικής Υλικών Θεσσαλονίκη 2008

2 Η εργασία αυτή αφιερώνεται στην οικογένεια μου

3 Αλκυόνης Μάντζαρη Φυσικού-MSc Φυσικής Υλικών ΜΕΛΕΤΗ ΤΩΝ ΔΟΜΙΚΩΝ ΙΔΙΟΤΗΤΩΝ 3C-SiC, ΚΑΤΑΛΛΗΛΟΥ ΓΙΑ ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΕΣ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗ ΔΙΑΤΡΙΒΗ Υποβλήθηκε στο Τμήμα Φυσικής, Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης Ημερομηνία Προφορικής Εξέτασης: 26 Φεβρουαρίου 2008 Εξεταστική Επιτροπή Καθηγητής Ε.Κ. Πολυχρονιάδης, Επιβλέπων Αν. Καθηγητής Κ. Παρασκευόπουλος, Μέλος Τριμελούς Συμβουλευτικής Επιτροπής Επ. Καθηγητής Χ. Λιούτας, Μέλος Τριμελούς Συμβουλευτικής Επιτροπής Καθηγητής Θ. Καρακώστας, Εξεταστής Καθηγητής Α. Αναγνωστόπουλος, Εξεταστής Καθηγητής Γ. Στεργιούδης, Εξεταστής Αν. Καθηγητής Ν. Φράγκης, Εξεταστής Θεσσαλονίκη 2008

4 Αλκυόνη Μάντζαρη Α.Π.Θ. Τίτλος Διδακτορικής Διατριβής: Μελέτη των δομικών ιδιοτήτων 3C-SiC, κατάλληλου για ημιαγωγικές διαταξεις ISBN «Η έγκριση της παρούσης Διδακτορικής Διατριβής από το Τμήμα Φυσικής του Αριστοτελείου Πανεπιστημίου Θεσσαλονίκης δεν υποδηλώνει αποδοχή των γνωμών του συγγραφέως» (Ν. 5343/1932, άρθρο 202, παρ.2).

5 Περιεχόμενα Περίληψη Summary Πρόλογος Ευχαριστίες 1. Εισαγωγή Περίληψη Εφαρμογές του ανθρακοπυριτίου (SiC) Δομικές ατέλειες των κρυστάλλων SiC Ιστορική αναδρομή στη χρήση του SiC Κρυσταλλική δομή Κρυσταλλογραφία του SiC Δομή των πολυτύπων του SiC Συμπαγής συσσωμάτωση σφαιρών Πολύτυπα του SiC Φυσικές ιδιότητες Δομή της ενεργειακής ζώνης Προσμίξεις Τεχνικές ανάπτυξης κρυστάλλων SiC Ανάπτυξη από τήγμα Ανάπτυξη Lely Χημική εναπόθεση ατμών Μέθοδος Ατμού-Υγρού-Στερεού Φυσική μεταφορά ατμών Φυσική μεταφορά ατμών με συνεχή τροφοδότηση Μέθοδος μετακινούμενου θερμαντήρα Αντικείμενο διδακτορικής διατριβής..37 Αναφορές...39

6 2. Δομικός χαρακτηρισμός με Ηλεκτρονική Μικροσκοπία Διέλευσης Περίληψη Μελέτη της επίδρασης των συνθηκών ανάπτυξης στο σχηματισμό πολυτύπων και σφαλμάτων δομής Εισαγωγή Ανάπτυξη SiC με εξάχνωση απευθείας πάνω σε γραφίτη Συμπεράσματα Ανάπτυξη SiC με τη μέθοδο της φυσικής μεταφοράς ατμών (Physical Vapor Tranport PVT) Ανάπτυξη SiC πάνω σε υπόβαθρο 4H-SiC Ανάπτυξη 3C-SiC πάνω σε υπόβαθρο 6H-SiC Ανάπτυξη 3C-SiC πάνω σε υπόβαθρο 3C-SiC Συμπεράσματα Ανάπτυξη με τη μέθοδο της φυσικής μεταφοράς ατμών με συνεχή τροφοδότηση (Continuous Feed Physical Vapor Tranport CFPVT) Ανάπτυξη 3C-SiC πάνω σε υπόβαθρο 3C-SiC Ανάπτυξη 3C-SiC πάνω σε υπόβαθρο 6H-SiC Συμπεράσματα Ανάπτυξη με τη μέθοδο μετακινούμενου θερμαντήρα (Travelling Heater Method-THM) Ανάπτυξη 3C-SiC πάνω σε υπόβαθρο 6H-SiC Ανάπτυξη 3C-SiC πάνω σε υπόβαθρο 4H-SiC Συμπεράσματα Ανάπτυξη επιστρωμάτων 3C-SiC πάνω σε δισκία 3C-SiC με τη μέθοδο της χημικής εναπόθεσης ατμών..103 Συμπεράσματα Αναφορές Διεπιφάνειες αναστροφής στο κυβικό ανθρακοπυρίτιο: σύγκλιση και χαρακτηριστικά σε ατομικό επίπεδο Περίληψη Περιγραφή των διεπιφανειών αντίθετων φάσεων σε γεωμετρικό επίπεδο Δομή των διεπιφανειών αντίθετων φάσεων..128

7 3.1.2 Διεπιφάνειες αναστροφής στο κυβικό SiC Πειραματικό μέρος Μελέτη της σύγκλισης των διεπιφανειών αναστροφής με Συμβατική Ηλεκτρονική Μικροσκοπία Διέλευσης (Conventional Transmission Electron Microscopy-CTEM) Μελέτη δομικών σφαλμάτων με Ηλεκτρονική Μικροσκοπία Διέλευσης Υψηλής Διακριτικής Ικανότητας (High Resolution Transmission Electron Microscopy-HREM) Διεπιφάνειες αναστροφής τύπου {110} Διεπιφάνειες αναστροφής τύπου {111} Σφάλματα επιστοίβασης Συμπεράσματα..159 Αναφορές Οπτικός χαρακτηρισμός με φασματοσκοπία υπερύθρου Περίληψη Θεωρία οπτικής για το χαρακτηρισμό ημιαγωγών Ηλεκτρομαγνητικά κύματα στον ελεύθερο χώρο Ηλεκτρομαγνητικά κύματα στους ημιαγωγούς Ανακλαστικότητα, διαπερατότητα Οπτική απόκριση των ημιαγωγών στην υπέρυθρη ακτινοβολία Φωνόνια Πλασμόνια Σύζευξη διαμήκους οπτικού φωνονίου και πλασμονίου Φασματοσκοπία υπερύθρου με μετασχηματισμό Fourier Ταυτοποίηση πολυτύπων SiC σε πολυκρυσταλλικά δείγματα Ασθενείς τρόποι δόνησης των φωνονίων στα πολύτυπα του SiC Πειραματικά φάσματα-ταυτοποίηση πολυτύπων Μελέτη φασμάτων ανακλαστικότητας υμενίων SiC Θεωρητικά φάσματα ανακλαστικότητας 3C-SiC πάνω σε υπόβαθρο 3C-SiC Συμπαγές SiC...183

8 Υμένιο SiC πάνω σε υπόβαθρο SiC Πειραματικά φάσματα από υμένια SiC ανεπτυγμένα πάνω σε υπόβαθρο SiC Παχιά υμένια SiC ανεπτυγμένα πάνω σε υπόβαθρο 4H-SiC με τη μέθοδο της Φυσικής Μεταφοράς Ατμών Λεπτά υμένια 3C-SiC ανεπτυγμένα πάνω σε υπόβαθρο 3C-SiC με τη μέθοδο της Χημικής Εναπόθεσης Ατμών Συμπεράσματα Αναφορές Γενικά συμπεράσματα-θέματα για μελλοντική διερεύνηση 5.1 Γενικά συμπεράσματα Θέματα για μελλοντική διερεύνηση Λίστα δημοσιεύσεων..213

9 Περίληψη Το θέμα το οποίο πραγματεύεται η παρούσα διδακτορική διατριβή, είναι ο δομικός χαρακτηρισμός υμενίων ανθρακοπυριτίου (silicon carbide-sic) με την τεχνική της Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας Διέλευσης. Παράλληλα χρησιμοποιήθηκε ως συμπληρωματική μέθοδος η Φασματοσκοπία Υπερύθρου για τον οπτικό χαρακτηρισμό των δειγμάτων και την αναγνώριση των πολυτύπων στα πολυκρυσταλλικά δείγματα. Τα παχιά υμένια αναπτύχθηκαν με διάφορες τεχνικές όπως είναι η εξάχνωση, η φυσική μεταφορά ατμών, η φυσική μεταφορά ατμών με συνεχή τροφοδότηση και η μέθοδος μετακινούμενου θερμαντήρα, ενώ για την επιταξιακή ανάπτυξη επιστρωμάτων κυβικού SiC (3C-SiC) πάνω σε αυτοϋποστηριζόμενα δισκία 3C-SiC της εταιρείας Hoya, χρησιμοποιήθηκε η χημική εναπόθεση ατμών. Κύριος στόχος της παρούσας εργασίας, είναι η λεπτομερής παρατήρηση και μελέτη των δομικών χαρακτηριστικών των αναπτυσσόμενων υμενίων, ώστε να φανεί η σχέση που εμφανίζουν οι δομικές ατέλειες με τις χρησιμοποιηθείσες τεχνικές. Οι πληροφορίες αυτές είναι χρήσιμες στους ερευνητές που αναπτύσσουν τους κρυστάλλους δοκιμάζοντας τρόπους μείωσης των ατελειών, με αλλαγή των πειραματικών παραμέτρων κατά τη διάρκεια της ανάπτυξης με τελικό στόχο να επιτύχουν την ανάπτυξη 3C-SiC απαλλαγμένου από εκτεταμένες δομικές ατέλειες. Αρχικά μελετήθηκαν πολυκρυσταλλικά δείγματα SiC, τα οποία αναπτύχθηκαν με εξάχνωση απευθείας πάνω σε γραφίτη. Ανάλογα με το σχετικό κρυσταλλογραφικό τους προσανατολισμό, μερικοί κρυσταλλίτες αναπτυσσόταν γρηγορότερα, επικαλύπτοντας αυτούς που έχουν μικρότερο ρυθμό ανάπτυξης με αποτέλεσμα μόνο μερικοί μεγάλοι κρυσταλλίτες να εμφανίζονται στην επιφάνεια. Μάλιστα όσο αυξανόταν η θερμοκρασία ανάπτυξης, αυξανόταν επίσης η μέση διάμετρος των κρυσταλλιτών που φθάνουν στην επιφάνεια και μειωνόταν το ποσοστό των κρυσταλλιτών 3C-SiC. Η ταυτοποίηση των διαφόρων πολυτύπων πραγματοποιήθηκε επιπλέον χρησιμοποιώντας φάσματα ανακλαστικότητας στο υπέρυθρο. Τα πολύτυπα SiC καθορίστηκαν από τις γραμμές απορρόφησης των ασθενών φωνονίων στη ζώνη Reststrahlen για διάδοση του φωτός κάθετη στον άξονα c. Στη συνέχεια εξετάστηκαν παχιά υμένια SiC που αναπτύχθηκαν με τη μέθοδο της φυσικής μεταφοράς ατμών, πάνω σε διαφορετικά υπόβαθρα. Η χρήση υποβάθρου 4H-SiC, οδήγησε στην επιταξιακή ανάπτυξη ενός υμενίου 4H-SiC στη μία περίπτωση, ενώ σε μια άλλη περίπτωση σχηματίστηκε ένα υμένιο με διάφορα πολύτυπα όπως 4H, 6H και 8H-SiC. Τα φάσματα ανακλαστικότητας στο υπέρυθρο που λήφθηκαν για τα παραπάνω δείγματα, έδειξαν ότι το μονοκρυσταλλικό υμένιο 4H-SiC παρουσιάζει μεγαλύτερη συγκέντρωση φορέων σε σχέση με το υμένιο που περιέχει τα διάφορα πολύτυπα. Όταν χρησιμοποιήθηκε ως υπόβαθρο 6H-SiC, το αναπτυσσόμενο υμένιο ήταν το επιθυμητό 3C-SiC του οποίου οι κυριότερες δομικές ατέλειες ήταν σφάλματα επιστοίβασης με πυκνότητα που μειώθηκε σημαντικά μετά τα πρώτα 60 μm από τη διεπιφάνεια υποβάθρου/υμενίου, αλλά κατόπιν παρέμεινε σταθερή στα τελευταία 100 μm πριν την επιφάνεια έχοντας τιμή 3.5x10 3 cm -1. Τέλος η ανάπτυξη πάνω σε υπόβαθρο 3C-SiC της Hoya, είχε ως αποτέλεσμα να σχηματιστεί ένα υμένιο 3C με μεγάλη πυκνότητα δομικών σφαλμάτων, γεγονός που οφείλεται στην κακή ποιότητα του υποβάθρου από το οποίο ξεκίνησαν να διαδίδονται οι ατέλειες μέσα στο αναπτυσσόμενο υμένιο.

10 Τα παχιά υμένια 3C-SiC που αναπτύχθηκαν πάνω σε υπόβαθρο 3C-SiC της Hoya με τη μέθοδο της Φυσικής Μεταφοράς Ατμών με Συνεχή Τροφοδότηση, εμφάνισαν συναφείς διδυμίες (111) και μεγάλη πυκνότητα σφαλμάτων επιστοίβασης που σε ορισμένες περιοχές είχε ως αποτέλεσμα τη μετατροπή του πολυτύπου 3C σε 6H-SiC. Όταν όμως χρησιμοποιήθηκε ως υπόβαθρο 6H-SiC πάνω στο οποίο αναπτύχθηκε ένα αρχικό στρώμα 3C-SiC με τη μέθοδο Ατμού-Υγρού-Στερεού (Vapor-Liquid-Solid - VLS), δεν παρατηρήθηκε μετατροπή πολυτύπων στο αναπτυσσόμενο 3C υμένιο και το σημαντικότερο είναι ότι εντοπίστηκαν πολύ λιγότερες διδυμίες. Τα υμένια που αναπτύχθηκαν με τη μέθοδο του μετακινούμενου θερμαντήρα είναι κυρίως πολυκρυσταλλικά και περιέχουν σε πολλές περιπτώσεις εγκλείσματα πυριτίου τα οποία ορισμένες φορές φθάνουν μέχρι την επιφάνεια. Επίσης σε δείγματα κατά την ανάπτυξη των οποίων η ατμόσφαιρα ήταν πλούσια σε καθαρό άζωτο, παρατηρήθηκαν κρυσταλλίτες Si 3 N 4. Στη συνέχεια μελετήθηκαν επιστρώματα 3C-SiC τα οποία αναπτύχθηκαν με χημική εναπόθεση ατμών πάνω σε δισκία 3C-SiC της Hoya. Σε όλες τις περιπτώσεις παρατηρήθηκε ραγδαία μείωση της πυκνότητας ατελειών στα πρώτα 20 μm, ενώ κατόπιν παραμένει σταθερή μέχρι την μπροστινή ελεύθερη επιφάνεια με τιμή της τάξεως των 10 4 cm -1. Το αναπτυσσόμενο επίστρωμα βρίσκεται πάντοτε σε τέλεια επαφή και είναι κρυσταλλογραφικά ευθυγραμμισμένο με το υπόβαθρο. Σημαντικό είναι το γεγονός ότι σχηματίζεται τυχαία ένα επίστρωμα στην πίσω επιφάνεια του υποβάθρου. Η καλή ποιότητα αυτού του στρώματος και η ταχεία μείωση των ατελειών μέσα στα πρώτα μm υπογραμμίζει το σημαντικό ρόλο της υψηλής θερμοκρασίας εναπόθεσης (~1600 C). Με τη βοήθεια των φασμάτων ανακλαστικότητας που λήφθηκαν για δύο από τα παραπάνω δείγματα, συγκρίθηκε η συγκέντρωση φορέων μεταξύ των επιστρωμάτων αλλά και μεταξύ των υποβάθρων. Επίσης από τη διαδικασία ελαχιστοποίησης μεταξύ της πειραματικής ανακλαστικότητας του ενός δείγματος και της αντίστοιχης θεωρητικής, διαπιστώθηκε ότι το επίστρωμα έχει μικρότερη σταθερά απόσβεσης φορέων και συνεπώς μεγαλύτερη ευκινησία συγκριτικά με το υπόβαθρο. Η σύγκλιση των διεπιφανειών αναστροφής (Inversion Domain Boundaries-IDBs) που παρατηρήθηκε σε όλα τα αυτοϋποστηριζόμενα δισκία 3C-SiC της Hoya, μελετήθηκε λόγω της σπουδαιότητας της τόσο με Συμβατική όσο και με Υψηλής Διακριτικής Ικανότητας Ηλεκτρονική Μικροσκοπία Διέλευσης. Διαπιστώθηκε ότι ο φυσικός μηχανισμός που έχει ως αποτέλεσμα τη σύγκλιση των διεπιφανειών αναστροφής στο 3C-SiC, είναι η αλλαγή των κρυσταλλογραφικών επιπέδων στα οποία διαδίδονται τα IDBs. Μεγάλο ενδιαφέρον παρουσιάζει το γεγονός ότι οι διεπιφάνειες αναστροφής {110}, αλλάζουν προσανατολισμό και διαδίδονται εναλλάξ κατά μήκος των επιπέδων {111}, με αποτέλεσμα η διάδοση τους να πραγματοποιείται με τη μορφή zig-zag. Τέλος μελετήθηκαν τα σφάλματα επιστοίβασης που παρατηρήθηκαν σε ορισμένες περιοχές και διαπιστώθηκε σε ποιες περιπτώσεις ήταν εξωγενή και σε ποιες ενδογενή με απευθείας παρατήρηση της αλλαγής στη σειρά επιστοίβασης από τις πειραματικές εικόνες υψηλής διακριτικής ικανότητας. Τόσο για τις διεπιφάνειες αναστροφής, όσο και για τα σφάλματα επιστοίβασης, προτάθηκαν δομικά μοντέλα με βάση τα οποία πραγματοποιήθηκε υπολογιστική προσομοίωση με το πρόγραμμα EMS και η σύγκριση των προσομοιωμένων εικόνων με τις αντίστοιχες πειραματικές έδειξε καλή συμφωνία.

11 Summary The study reported in this thesis is related to the structural characterization of silicon carbide (SiC) crystals by Transmission Electron Microscopy. Fourier Transform Infrared Reflectivity was also employed as a complementary technique for the optical characterization of the samples and the identification of polytypes in the polycrystalline samples. Thick films were grown by different techniques such as sublimation, physical vapor transport, continuous feed physical vapor transport and the traveling heater method. The epitaxial growth of cubic SiC (3C- SiC) epilayers on free standing 3C-SiC wafers by Hoya was performed by chemical vapor deposition. The aim of this thesis is to define the structural characteristics of the grown films via detailed observation and study in such a way that they can be correlated with the used growth techniques. The information acquired is very useful for the researchers that want to grow crystals with reduced structural defects by changing the experimental parameters during growth with the aim to grow 3C-SiC films of good quality. At first polycrystalline SiC samples grown by sublimation on graphite were studied. According to their relative crystallographic orientation some of the grains grow faster, overlapping others which have slower growth rates. For this reason the number of crystallites reduces during growth and finally very few large grains exhibiting the fastest growth rate survive on the top of the ingot. As the growth temperature increases, the grain diameter on the top surface is also increased while the percentage of 3C-SiC crystallites is reduced. Infrared reflectivity spectra were also used for the identification of polytypes. SiC polytypes were determined from the weak phonon absorption lines in the Reststrahlen band with light propagation perpendicular to the c axis. Thick films of SiC grown by physical vapor transport on different substrates were also studied. In one case when 4H-SiC was used, the overgrown film was also 4H-SiC, while in another case different polytypes such as 4H, 6H and 8H-SiC were formed in the overgrowth. The reflectivity spectra for those two samples revealed that the monocrystalline 4H-SiC has a higher carrier concentration in comparison to the sample with the various polytypes. When 6H-SiC was used as a substrate, the overgrown film was the desired 3C-SiC with a stacking fault density significantly reduced after the first 60 μm from the substrate/film interface while it remained almost constant within the last 100 μm before the surface, having a value of 3.5x10 3 cm -1. Finally the growth on a 3C-SiC substrate by Hoya resulted in a 3C overgrowth with a high defect density because of the poor quality of the substrate. The thick 3C-SiC films grown on 3C-SiC Hoya substrates by the continuous feed physical vapor transport method had a lot of coherent (111) twins and high stacking fault density which resulted in the change of the 3C polytype to 6H in some areas. On the other hand when a 6H-SiC substrate with the 3C VLS (Vapor-Liquid-Solid) buffer layer was used, no polytype transformation was observed in the 3C overgrowth and twin formation was suppressed. The films grown by the traveling heater method were mainly polycrystalline and in many cases they had Si inclusions which sometimes reached the surface. Moreover when the growth atmosphere was rich in pure nitrogen, Si 3 N 4 crystallites were formed. 3C-SiC epilayers were grown by chemical vapor deposition on 3C-SiC Hoya wafers. In all cases the stacking fault density reduced rapidly within the first 20 µm of the growth and then it

12 remained constant at about 10 4 cm -1 up to the surface. The grown epilayer matches perfectly with the substrate and no interface could be distinguished between the substrate and the epilayer. In all the samples a 3C-SiC epilayer was deposited onto the backside of the wafers. The good quality of the back epilayer and the very fast reduction of the defects within the first μm reveal the important role of the high temperature deposition (at 1600 o C). From the reflectivity spectra for two samples it was possible to compare the carrier concentration between the epilayers and the substrates. The fitting process between the experimental reflectivity and the corresponding theoretical values for one sample revealed that the epilayer has a smaller damping constant and as a result a higher mobility than the substrate. The annihilation of the Inversion Domain Boundaries (IDBs) that was observed in all free standing Hoya wafers was studied by Conventional Transmission Electron Microscopy and by High Resolution Transmission Electron Microscopy. It was established that the physical mechanism that results in the annihilation of IDBs in 3C-SiC is the change of the crystallographic planes in which IDBs propagate. It is very interesting that {110} IDBs change their orientation by alternatively lying on the {111} planes which results in a zig-zag propagation. Finally stacking faults were studied in some areas and their extrinsic or intrinsic nature was determined with direct observation of the stacking sequence from the high resolution images. In all cases modelling and simulation analysis by EMS were in good agreement with the experimental results.

13 Πρόλογος Στην παρούσα διδακτορική διατριβή, πραγματοποιείται ο δομικός χαρακτηρισμός υμενίων ανθρακοπυριτίου (silicon carbide-sic) κυρίως με την τεχνική της Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας Διέλευσης. Επίσης ένα μέρος της πειραματικής διαδικασίας πραγματοποιήθηκε με Φασματοσκοπία Υπερύθρου η οποία χρησιμοποιήθηκε ως συμπληρωματική μέθοδος για τον οπτικό χαρακτηρισμό των δειγμάτων. Χρησιμοποιήθηκαν διάφορες μέθοδοι ανάπτυξης για τα παχιά υμένια όπως είναι η εξάχνωση, η φυσική μεταφορά ατμών, η φυσική μεταφορά ατμών με συνεχή τροφοδότηση και η μέθοδος μετακινούμενου θερμαντήρα, ενώ για την επιταξιακή ανάπτυξη επιστρωμάτων κυβικού SiC (3C-SiC) πάνω σε αυτοϋποστηριζόμενα δισκία 3C-SiC της εταιρείας Hoya, χρησιμοποιήθηκε η χημική εναπόθεση ατμών. Ο βασικότερος στόχος της παρούσας εργασίας, είναι η λεπτομερής παρατήρηση και μελέτη των δομικών χαρακτηριστικών των αναπτυσσόμενων υμενίων, ώστε να φανεί η σχέση που εμφανίζουν οι δομικές ατέλειες με τις χρησιμοποιηθείσες τεχνικές. Οι πληροφορίες αυτές είναι χρήσιμες στους ερευνητές που αναπτύσσουν τους κρυστάλλους δοκιμάζοντας τρόπους μείωσης των ατελειών, με αλλαγή των πειραματικών παραμέτρων κατά τη διάρκεια της ανάπτυξης. Το τελικό επιθυμητό αποτέλεσμα είναι η ανάπτυξη 3C-SiC απαλλαγμένου από εκτεταμένες δομικές ατέλειες. Στο πρώτο κεφάλαιο γίνεται μία εισαγωγή όπου αναφέρονται οι κυριότερες εφαρμογές του SiC σε συνδυασμό με τις βασικές δομικές ατέλειες που επηρεάζουν τις ηλεκτρονικές διατάξεις που βασίζονται σ αυτό. Επίσης γίνεται μια σύντομη ιστορική αναδρομή και περιγράφονται η δομή και οι σημαντικότερες τεχνικές ανάπτυξης του SiC. Στο δεύτερο κεφάλαιο πραγματοποιείται ο δομικός χαρακτηρισμός υμενίων SiC με Ηλεκτρονική Μικροσκοπία Διέλευσης, τα οποία αναπτύχθηκαν με διάφορες μεθόδους. Ακολουθεί το τρίτο κεφάλαιο όπου μελετώνται οι διεπιφάνειες αναστροφής που σχηματίζονται στο κυβικό ανθρακοπυρίτιο και διερευνάται η σύγκλιση τους τόσο με Συμβατική Ηλεκτρονική Μικροσκοπία Διέλευσης, όσο και με Ηλεκτρονική Μικροσκοπία Διέλευσης Υψηλής Διακριτικής Ικανότητας. Παράλληλα εξετάζονται τα σφάλματα επιστοίβασης που σχηματίζονται σε ορισμένες περιοχές και διακρίνονται σε εξωγενή και ενδογενή. Στο τέταρτο κεφάλαιο με τη χρήση φασμάτων ανακλαστικότητας

14 πραγματοποιείται ταυτοποίηση των πολυτύπων SiC που σχηματίζονται σε μια σειρά πολυκρυσταλλικών δειγμάτων. Κατόπιν με τη βοήθεια θεωρητικών φασμάτων ανακλαστικότητας, αναδεικνύονται οι οπτικές παράμετροι και ο τρόπος που επιδρούν στα φάσματα ανακλαστικότητας. Τα αποτελέσματα που προκύπτουν χρησιμοποιούνται για την ποιοτική και ποσοτική ανάλυση φασμάτων από υμένια SiC ανεπτυγμένα πάνω σε υπόβαθρο SiC. Τέλος στο πέμπτο κεφάλαιο εξάγονται τα γενικά συμπεράσματα και προτείνονται θέματα για μελλοντική διερεύνηση. Η διατριβή εκπονήθηκε κυρίως στο εργαστήριο Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας του Τμήματος Φυσικής του Αριστοτέλειου Πανεπιστήμιου Θεσσαλονίκης, υπό την καθοδήγηση του καθηγητή κ. Ε.Κ. Πολυχρονιάδη. Ένα μέρος της πειραματικής εργασίας πραγματοποιήθηκε στο εργαστήριο Φασματοσκοπίας Υπερύθρου (FTIR)- Ορατού/Υπεριώδους (UV/VIS) του Τμήματος Φυσικής Α.Π.Θ, όπου υπήρξε συμμετοχή σε πειράματα φασματοσκοπίας υπερύθρου. Επίσης υπήρξε συμμετοχή σε πειράματα ανάπτυξης δειγμάτων με τη μέθοδο της φυσικής μεταφοράς ατμών με συνεχή τροφοδότηση, στο εργαστήριο Laboratoire des Matériaux et du Génie Physique, INPGrenoble. Η παρούσα διδακτορική διατριβή πραγματοποιήθηκε στα πλαίσια του Ευρωπαϊκού προγράμματος «Κυβικό SiC για νέες ημιαγωγικές διατάξεις (New cubic Silicon Carbide material for innovative semiconductor Devices-SOLSIC)», και του κοινού Ερευνητικού και Τεχνολογικού πρόγραμματος Ελλάδας-Γαλλίας με τίτλο «Μελέτη του μηχανισμού ελάττωσης των σφαλμάτων δομής του κυβικού SiC (3C-SiC) κατά την κρυσταλλική του ανάπτυξη»,

15 Ευχαριστίες Θα ήθελα να εκφράσω τις θερμές μου ευχαριστίες στον επιβλέποντα της διδακτορικής μου διατριβής, καθηγητή κ. Ε.Κ. Πολυχρονιάδη για την ευκαιρία που μου έδωσε να μελετήσω ένα πολύ ενδιαφέρον υλικό όπως το ανθρακοπυρίτιο το οποίο ερευνάται σε διεθνές επίπεδο. Η εποικοδομητική καθοδήγηση του και η επιστημονική του εμπειρία, υπήρξαν πολύτιμες καθ όλη τη διάρκεια εκπόνησης της διδακτορικής μου διατριβής. Επίσης θα ήθελα να ευχαριστήσω πολύ τον αναπληρωτή καθηγητή κ. Κ. Παρασκευόπουλο για τη δυνατότητα που μου παρείχε να μελετήσω μέρος των δειγμάτων με Φασματοσκοπία Υπερύθρου. Ευχαριστώ ιδιαιτέρως τον επίκουρο καθηγητή κ. Χ. Λιούτα του οποίου η βοήθεια όσον αφορά στο μέρος της διατριβής που περιλαμβάνει παρατηρήσεις με Ηλεκτρονική Μικροσκοπία Διέλευσης Υψηλής Διακριτικής Ικανότητας, ήταν πολύτιμη. Ευχαριστώ θερμά τον ομότιμο καθηγητή κ. Ι. Στοϊμένο, του οποίου η πολυετής εμπειρία πάνω σε θέματα Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας για το ανθρακοπυρίτιο με βοήθησε να κατανοήσω σε βάθος το υλικό. Ευχαριστίες οφείλω επίσης στην επίκουρο καθηγήτρια κα. Ε. Παυλίδου για τη μελέτη με Ηλεκτρονική Μικροσκοπίας Σάρωσης ενός δείγματος. Τον λέκτορα κ. Μ. Αγγελακέρη για τη χρήση του οπτικού μικροσκοπίου. Επιπλέον ευχαριστώ ιδιαιτέρως την κα. Τ. Ζορμπά και τον κ. Θ. Χασάπη από το εργαστήριο Φασματοσκοπίας Υπερύθρου (FTIR)-Ορατού/Υπεριώδους (UV/VIS) του Τμήματος Φυσικής Α.Π.Θ, για την πολύτιμη βοήθεια τους στα πειράματα φασματοσκοπίας. Ευχαριστώ τους ερευνητές D. Chaussende και G. Ferro των εργαστηρίων Laboratoire des Matériaux et du Génie Physique (CNRS), INPGrenoble-Minatec και Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces Université Claude Bernard Lyon αντίστοιχα, για τις ερευνητικές επισκέψεις που πραγματοποίησα στα εργαστήρια τους και για την ευκαιρία που μου παρείχαν να συμμετέχω σε πειράματα ανάπτυξης. Επίσης θα ήθελα να ευχαριστήσω όλο το έμψυχο δυναμικό του εργαστηρίου Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας για τη συνεργασία που είχα μαζί τους. Συγκεκριμένα, τον κ. Β. Καλαϊτζίδη για την πολύτιμη βοήθεια και τις χρήσιμες συμβουλές του καθ όλη τη διάρκεια εκπόνησης της διδακτορικής μου διατριβής. Την κα. Α. Παντούση για την εκτύπωση φωτογραφιών και τον διδάκτορα Ι. Τσιαούση για τις χρήσιμες συμβουλές του.

16 Επιπλέον τις υποψήφιες διδάκτορες Α. Ανδρεάδου, Δ. Σακελλάρη και Μ. Marinova για την άψογη συνεργασία που είχα μαζί τους και την αλληλοδιάχυση γνώσεων που υπήρχε μεταξύ μας. Θα ήθελα ακόμη να ευχαριστήσω τον διδάκτορα κ. Π. Κάβουρα και την υποψήφια διδάκτορα κα. Ε. Τσιλίκα για ένα μέρος των εικόνων οπτικού μικροσκοπίου. Τέλος ευχαριστώ τα μέλη της οικογένειας μου και όλους τους δικούς μου ανθρώπους που μου συμπαραστάθηκαν καθ όλη τη διάρκεια της διατριβής μου.

17 Εισαγωγή Κεφάλαιο 1: Εισαγωγή Περίληψη Στο εισαγωγικό αυτό κεφάλαιο αναφέρονται αρχικά οι εφαρμογές του ανθρακοπυριτίου (Silicon Carbide-SiC) οι οποίες παρουσιάζουν μεγάλο ενδιαφέρον παγκοσμίως, σε συνδυασμό με τις κυριότερες δομικές ατέλειες που επηρεάζουν τις ηλεκτρονικές διατάξεις που βασίζονται σ αυτό. Έτσι δικαιολογείται η αναγκαιότητα της λεπτομερούς μελέτης των δομικών ατελειών. Στη συνέχεια μετά από μία σύντομη ιστορική αναδρομή περιγράφονται η κρυσταλλική δομή και οι βασικές ιδιότητες του ανθρακοπυριτίου στις οποίες βασίζονται οι εφαρμογές. Τέλος παρουσιάζονται οι σημαντικότερες τεχνικές ανάπτυξης του SiC και αναλύονται σε μεγαλύτερο βάθος οι μέθοδοι που χρησιμοποιήθηκαν για την ανάπτυξη των κρυστάλλων που μελετήθηκαν στην παρούσα διατριβή, ώστε να φανεί η σχέση που εμφανίζουν οι χρησιμοποιηθείσες τεχνικές με τις δομικές ατέλειες που δημιουργούνται στον αναπτυσσόμενο κρύσταλλο. Αυτό δε το τελευταίο αναδεικνύει το στόχο της παρούσας διδακτορικής διατριβής. Α. Μάντζαρη 1

18 Εισαγωγή 1.1 ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΤΟΥ ΑΝΘΡΑΚΟΠΥΡΙΤΙΟΥ (SiC) Τα κρυσταλλικά υλικά είναι απαραίτητα για εφαρμογή σε ηλεκτρονικές διατάξεις. Ένας από τους κρυσταλλικούς ημιαγωγούς που παρουσιάζει αξιοσημείωτες ιδιότητες είναι το ανθρακοπυρίτιο. Η ανάπτυξη του SiC στις ηλεκτρονικές διατάξεις αποτελεί αντικείμενο έρευνας για πολλά έτη εξαιτίας του εξαιρετικού συνδυασμού φυσικών ιδιοτήτων, κατάλληλων για εφαρμογές σε ηλεκτρονικές διατάξεις υψηλής θερμοκρασίας, υψηλής συχνότητας και υψηλής ισχύος [1,2,3]. Επιπλέον το ευρύ ενεργειακό χάσμα του SiC χρησιμεύει στους ανιχνευτές υπεριώδους ακτινοβολίας και στα λέιζερ μπλε φωτός. Φωτοδίοδοι εκπομπής (LEDs) μπλε φωτός [4] υπάρχουν ήδη σε εμπορική παραγωγή εδώ και κάποια χρόνια. Οι ηλεκτρονικές διατάξεις και οι αισθητήρες από SiC πρόκειται να παίξουν ένα πολύ σημαντικό ρόλο στις τεχνολογίες μετατροπών ενέργειας και μεταφορών του 21 ου αιώνα. Οι απαιτήσεις για μείωση των αερίων που προκαλούν το φαινόμενο του θερμοκηπίου σε συνδυασμό με την ελάττωση των φυσικών πηγών καυσίμων, θα οδηγήσουν στη χρήση του ηλεκτρισμού ως το προτιμητέο μηχανισμό για τη λήψη ενέργειας. Η αποτελεσματική μετατροπή της ηλεκτρικής ενέργειας μπορεί να επιτευχθεί με τη χρήση των ηλεκτρονικών ισχύος τα οποία αποτελούν μια τεχνολογία που πρόκειται να εξελιχθεί ραγδαία στις επόμενες δεκαετίες. Το SiC όπως και άλλοι ημιαγωγοί ευρέως χάσματος, προσφέρουν τη δυνατότητα για σημαντικές βελτιώσεις στην αποτελεσματικότητα και το εύρος των εφαρμογών για ηλεκτρονικά ισχύος. Η ικανότητα του SiC να λειτουργεί κάτω από ακραίες συνθήκες, αναμένεται να επιφέρει μεγάλες βελτιώσεις σε ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών. Αυτές περιλαμβάνουν εξαιρετικά βελτιωμένους διακόπτες υψηλής ισχύος για εξοικονόμηση ενέργειας στη δημόσια διανομή ηλεκτρικού ρεύματος και σε ηλεκτροκίνητες μηχανές, καθώς επίσης αισθητήρες για καλύτερη και πιο αποτελεσματική καύση σε αεροσκάφη και αυτοκινούμενες μηχανές. Επομένως είναι ένα υλικό που συμβάλλει σε πολλές καινοτόμες εξελίξεις στην ενέργεια και τις μεταφορές, όπως στα ηλεκτρονικά υψηλής ισχύος για τα αεροσκάφη, για υβριδικά ηλεκτροκίνητα οχήματα ή για εφαρμογές στο δίκτυο διανομής του ηλεκτρισμού όπου απαιτούνται διακόπτες υψηλής ταχύτητας και υψηλής τάσης. Η ευρύτερη του χρήση στις περισσότερες των εφαρμογών που αναφέρθηκαν, είναι η χρήση του ως υπόστρωμα. Α. Μάντζαρη 2

19 Εισαγωγή Παραδείγματα συσκευών που υπάρχουν σήμερα και βασίζονται στην τεχνολογία του SiC είναι: υψηλής φωτεινότητας και υπερφωτεινά μπλε και πράσινα LEDs από InGaN, τα οποία εκμεταλλεύονται στο έπακρο την ηλεκτρική αγωγιμότητα των υποστρωμάτων 6H-SiC χρησιμοποιώντας ένα αγώγιμο αρχικό (buffer) απομονωτικό στρώμα AlGaN, MESFETs (Metal Epitaxial Semiconductor Field Effect Transistors) μικροκυμάτων πάνω σε ημιαγώγιμα υποστρώματα 4H-SiC με πυκνότητες ισχύος που φτάνουν τα 4.6 W/mm στα 3.5 GHz και συνολική CW ισχύ εξόδου των 100W στα 2 GHz από ένα μοναδικό τσιπ, διόδους p-i-n των 20 kv και 25Α που κατασκευάζονται πάνω σε υψηλής ποιότητας επιταξιακά στρώματα SiC, θυρίστορες 1 cm 2 που επάγουν 300Α στα 5.5V με τάση φραγμού 1770V και τέλος HEMTs (High Electron Mobility Transistors) GaN/AlGaN που κατασκευάζονται σε ημιαγώγιμα υποστρώματα 4H-SiC παρουσιάζοντας πυκνότητες ισχύος των 11.4 W/mm στα 10 GHz [5]. Η κατασκευή μεγάλης κλίμακας ηλεκτρονικών διατάξεων, απαιτεί μια συνεχή παραγωγή καλής ποιότητας δισκίων (wafers) SiC. Ωστόσο υφίστανται ακόμη κάποια βασικά προβλήματα στην ανάπτυξη του SiC, τα οποία περιορίζουν την εμπορική χρήση αυτού του υλικού και κυρίως του κυβικού πολύτυπου. Τα προβλήματα αυτά σχετίζονται με το μέγεθος των κρυστάλλων και με την ύπαρξη εκτεταμένων μικροσκοπικών δομικών ατελειών. 1.2 ΔΟΜΙΚΕΣ ΑΤΕΛΕΙΕΣ ΤΩΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΩΝ SiC Στόχος της παρούσας διατριβής είναι ο χαρακτηρισμός και η μελέτη των δομικών ατελειών που σχηματίζονται σε υμένια SiC τα οποία έχουν αναπτυχθεί ομοεπιταξιακά ή ετεροεπιταξιακά πάνω σε υπόβαθρο SiC με διάφορες μεθόδους ανάπτυξης. Γενικά οι πιο συχνές ατέλειες που σχηματίζονται στους αναπτυσσόμενους κρυστάλλους SiC είναι οι μικροσήραγγες (micropipes), οι εξαρμόσεις, οι διεπιφάνειες κρυσταλλιτών μικρής γωνίας (Low Angle Grain Boundary-LAGBs), τα σφάλματα επιστοίβασης (stacking faults-sfs), οι διδυμίες (twins), οι διεπιφάνειες αναστροφής (Inversion Domain Boundaries-IDBs) και τα εγκλείσματα διάφορων πολυτύπων. Α. Μάντζαρη 3

20 Εισαγωγή Οι περισσότερο καταστροφικές ατέλειες που εμφανίζονται σε κρυστάλλους οι οποίοι αναπτύσσονται με τη μέθοδο της Φυσικής Μεταφοράς Ατμών, είναι οι μικροσήραγγες. Οι μικροσήραγγες είναι κοίλες ατέλειες που ευθυγραμμίζονται κατά μήκος του άξονα c στους εξαγωνικούς ή ρομβοεδρικούς κρυστάλλους και μπορούν να διεισδύσουν σε όλο τον κρύσταλλο. Οι κυριότερες απόψεις για το σχηματισμό των μικροσηράγγων βασίζονται στη θεωρία του Frank [6], σύμφωνα με την οποία η μικροσήραγγα είναι μια εξάρμοση ελίκωσης με κοίλο πυρήνα, που έχει ένα τεράστιο διάνυσμα Burger και η διάμετρος του πυρήνα σχετίζεται άμεσα με το μέγεθος αυτού του διανύσματος. Κάθε μικροσήραγγα που υπάρχει στην περιοχή μιας ηλεκτρονικής διάταξης, περιορίζει τη λειτουργία της σε υψηλή τάση. Ακόμη και μία μικροσήραγγα σε μια ενεργή περιοχή μιας διάταξης υψηλής ισχύος μπορεί να οδηγήσει σε ηλεκτρική εκκένωση. Αν και οι μικροσήραγγες αποτελούν ένα πολύ σημαντικό εμπόδιο στην παραγωγή συσκευών SiC υψηλής απόδοσης [7], ειδικά για υψηλές τάσεις ή για διατάξεις ισχύος υψηλού ρεύματος, τα τελευταία έτη έχει επιτευχθεί σημαντική μείωση της πυκνότητας τους στους αναπτυσσόμενους κρυστάλλους. Παρά το γεγονός ότι οι εξαρμόσεις δεν έχουν τόσο επιβλαβείς συνέπειες όσο οι μικροσήραγγες, μπορούν να θεωρηθούν προβληματικές αν διαδίδονται από το υπόβαθρο προς το αναπτυσσόμενο SiC προκαλώντας μία μετρήσιμη υποβάθμιση της διάταξης. Οι νηματοειδείς εξαρμόσεις ελίκωσης (threading screw dislocations) συνεισφέρουν σε πρόωρη κατάρρευση [8] και επιπροσθέτως μπορούν να παράγουν άλλες επιταξιακές ατέλειες [9]. Έχει δειχθεί ότι οι στοιχειώδεις εξαρμόσεις ελίκωσης (διάνυσμα Burger=1c), υποβαθμίζουν την ανάστροφη διαρροή και τις ιδιότητες κατάρρευσης σε διόδους p + n από 4H-SiC κατά 5%-35% σε σχέση με διόδους που δεν περιέχουν εξαρμόσεις ελίκωσης. Παρόλα αυτά δεν επιδρούν σημαντικά στις ιδιότητες αστοχίας αυτών των διόδων, όταν υποβάλλονται σε παλμούς μη αδιαβατικής πόλωσης κατάρρευσης, μικρότερους από 20μs [10]. Οι νηματοειδείς εξαρμόσεις ακμής (threading edge dislocations) παρότι καθορίζουν τις διεπιφάνειες κρυσταλλιτών μικρής γωνίας και δεν είναι επιθυμητές, θεωρούνται λιγότερο επιβλαβείς από τις νηματοειδείς εξαρμόσεις ελίκωσης και τις εξαρμόσεις στο βασικό επίπεδο (basal plane dislocations). Σε υποστρώματα που σχηματίζουν γωνίες σε σχέση με τον άξονα c των εξαγωνικών πολυτύπων, το βασικό επίπεδο του κρυστάλλου έχει κλίση σε σχέση με την επιφάνεια του δισκίου. Έτσι εξαρμόσεις στο Α. Μάντζαρη 4

21 Εισαγωγή βασικό επίπεδο διαδίδονται απευθείας μέσα στο επιταξιακό στρώμα. Οι περισσότερες από αυτές μετατρέπονται στις πιο ήπιες νηματοειδείς εξαρμόσεις ακμής κατά τη διάρκεια της ανάπτυξης. Ωστόσο αν κάποιες διαδοθούν και περιλαμβάνονται στην ενεργή περιοχή μιας διάταξης, μπορούν να προκαλέσουν ολίσθηση V f, σε αμφιπολικές διατάξεις. Συχνά παρατηρούνται επίσης διεπιφάνειες κρυσταλλιτών μικρής γωνίας που οριοθετούνται από περιοχές με υψηλή πυκνότητα εξαρμόσεων. Αν ως υποστρώματα χρησιμοποιηθούν κρύσταλλοι SiC με διεπιφάνειες κρυσταλλιτών μικρής γωνίας, τότε οι διεπιφάνειες αναπαράγονται στα επιταξιακά στρώματα της διάταξης με συνέπεια να εμφανίζεται αρνητική επίδραση στην απόδοση της. Επιπλέον οι διεπιφάνειες κρυσταλλιτών μικρής γωνίας μπορούν να συγκεντρώσουν τάσεις και να αυξήσουν την πιθανότητα ρωγμής του δισκίου SiC. Έχει βρεθεί ότι η κύρια αιτία εμφάνισης αυτών των ατελειών σε κρυστάλλους SiC που παράγονται με τη μέθοδο της Φυσικής Μεταφοράς Ατμών, είναι τα εγκλείσματα διαφορετικών πολυτύπων [11]. Πειράματα έδειξαν επίσης ότι οι διεπιφάνειες κρυσταλλιτών μικρής γωνίας εμφανίζονται κατά προτίμηση στην περιφέρεια των δισκίων SiC. Τα σφάλματα επιστοίβασης όπως και οι συναφείς διδυμίες θα αναμενόταν να είναι σχετικά ήπιες ατέλειες όσον αφορά την επίδραση τους στις ηλεκτρονικές διατάξεις, μια και αποτελούν απλώς διαφορετικές επιστοιβάσεις του βασικού επιπέδου. Εντούτοις μελέτες που έγιναν σε διόδους SiC κάτω από μεγάλης διάρκειας λειτουργία, έδειξαν μια χειροτέρευση των καμπυλών ρεύματος-τάσης (I-V), γνωστή ως «ηλεκτρονική τάση» [12,13]. Τα σφάλματα επιστοίβασης σε διόδους Schottky κατασκευασμένες πάνω σε (0001) επιστρώματα 4H-SiC με μεγάλο πάχος [14] επηρεάζουν τα χαρακτηριστικά της καμπύλης I-V και ειδικά το ύψος του φράγματος Schottky και την τάση κατάρρευσης με αποτέλεσμα οι δίοδοι που περιείχαν σφάλματα επιστοίβασης να παρουσιάσουν κατά προσέγγιση 20% μικρότερη τάση κατάρρευσης. Επίσης δίοδοι Schottky πάνω σε ( 1120) επιστρώματα 4H-SiC, παρουσίασαν αυξημένο ρεύμα διαρροής και μείωση του ύψους του φράγματος Schottky [15]. Όταν τα σφάλματα επιστοίβασης αναπτύσσονται σε μία δίοδο p-i-n από SiC, εισάγουν κβαντικά πηγάδια που λειτουργούν ως κέντρα ανασυνδυασμού. Αυτό έχει ως συνέπεια να μειώνεται ο χρόνος ζωής των φορέων μειονότητας, να Α. Μάντζαρη 5

22 Εισαγωγή αυξάνεται η αντίσταση στην περιοχή ολίσθησης και να αυξάνεται η πτώση της τάσης για να επάγει το ίδιο ρεύμα [16]. Εξαιτίας των ασταθειών στις συνθήκες ανάπτυξης, μπορεί να συμβεί μετατροπή ενός πολυτύπου σε κάποιο άλλο. Αυτό έχει ως συνέπεια να αλλάζουν οι ηλεκτρικές ιδιότητες και το ενεργειακό χάσμα του υλικού και παράλληλα να δημιουργούνται θέσεις πυρηνοποίησης για μικροσήραγγες στους εξαγωνικούς κρυστάλλους. Επιπλέον έχει παρατηρηθεί ότι τα εγκλείσματα διαφορετικών πολυτύπων μέσα στο βασικό υλικό, μειώνουν την τάση κατάρρευσης των διατάξεων. Οποιαδήποτε λοιπόν δομική ατέλεια οδηγεί σε υποβάθμιση ή και καταστροφή των ηλεκτρονικών διατάξεων που βασίζονται στο SiC. Επομένως είναι σημαντικό να γνωρίζουμε τις λεπτομέρειες σχηματισμού των ατελειών αυτών. Οι πληροφορίες αυτές μπορούν να χρησιμεύσουν στους ερευνητές που επιχειρούν να αναπτύξουν κρυστάλλους δοκιμάζοντας τρόπους μείωσης των ατελειών, με αλλαγή των πειραματικών παραμέτρων κατά τη διάρκεια της ανάπτυξης. Αυτό δικαιολογεί και το σκοπό της διατριβής, εφ όσον η εξήγηση των παρατηρήσεων μας, μας επιτρέπει να βγάλουμε κάποια συμπεράσματα για το σχηματισμό των ατελειών και πώς σχετίζονται με τους μηχανισμούς ανάπτυξης. 1.3 ΙΣΤΟΡΙΚΗ ΑΝΑΔΡΟΜΗ ΣΤΗ ΧΡΗΣΗ ΤΟΥ SiC Το ανθρακοπυρίτιο είναι το μόνο σταθερό συστατικό στο σύστημα Si-C σε ατμοσφαιρική πίεση και παρατηρήθηκε πρώτα από τον Jöns Berzelius το 1824 [17]. Η ανάπτυξη πολυκρυσταλλικού SiC με ηλεκτρικό φούρνο τήξης επιτεύχθηκε από τον Eugene Acheson γύρω στο 1885 [18,19], ο οποίος πρώτος του έδωσε το χημικό τύπο SiC και το εισήγαγε στην αγορά κυρίως ως υλικό λείανσης. Σήμερα η παγκόσμια παραγωγή σε τεχνητό SiC που αναπτύσσεται με τη μέθοδο του Acheson, είναι περισσότεροι από τόνοι τον χρόνο. Η μόνη εμφάνιση του SiC στη φύση είναι στους μετεωρίτες [20] με συνέπεια να μην υπάρχει δυνατότητα εξόρυξης του αλλά να πρέπει να αναπτυχθεί συνήθως με πολύπλοκες τεχνικές. Στις πολυκρυσταλλικές μορφές του, το SiC αποτελεί ένα πολύ καλό υλικό για εφαρμογές υψηλής θερμοκρασίας και υψηλής ισχύος, ενώ έχει μελετηθεί σχετικά Α. Μάντζαρη 6

23 Εισαγωγή πρόσφατα ως ημιαγωγός. Το πρώτο επιστημονικό άρθρο που περιγράφει τις ηλεκτρικές ιδιότητες του SiC, δημοσιεύτηκε το 1907 από τον G.W. Pierce [21]. Πολλά χρόνια αργότερα βγήκαν στην αγορά ανιχνευτές SiC για χρήση σε ραδιοδέκτες. Χρειαζόντουσαν πόλωση μερικών volt και ήταν λιγότερο ευαίσθητοι από αυτούς που φτιάχτηκαν από γαληνίτη, αλλά ήταν μηχανικά περισσότερο σταθεροί. Το 1955 ο Jan Antony Lely πρότεινε μία καινούρια μέθοδο (η οποία φέρει το όνομα του) για την ανάπτυξη υψηλής ποιότητας κρυστάλλων [22,23]. Ανέπτυξε εξαγωνικά δισκία SiC εξαερώνοντας σκόνη SiC στους 2500 C μέσα σε χωνευτήριο από γραφίτη και κάτω από συνθήκες υψηλής καθαρότητας. Έτσι το ενδιαφέρον για το SiC άρχισε να επεκτείνεται συνεχώς, με αποτέλεσμα να πραγματοποιηθεί το 1958 στη Βοστόνη το πρώτο συνέδριο για το SiC. Κατά τη διάρκεια της δεκαετίας του 60 και του 70, το SiC μελετήθηκε κυρίως στην πρώην Σοβιετική Ένωση [24-33]. Το 1978 σημειώθηκε ένα μεγάλο βήμα στην ανάπτυξη του SiC, με τη χρήση μιας τεχνικής ανάπτυξης με εξάχνωση, γνωστή ως τροποποιημένη μέθοδο Lely από τους Yu.M. Tairov και V.F. Tsvetkov [34,35]. Αυτή η πρόοδος οδήγησε στη δυνατότητα προετοιμασίας συμπαγούς SiC. Στα μέσα της δεκαετίας του 80 μία νέα μέθοδος με επιταξία αέριας φάσης (vapor phase epitaxy) του SiC, αναπτύχθηκε στο πανεπιστήμιο του Kyoto από τους H. Matsunami, K. Shibahara, N. Kuroda, W. Yoo, and S. Nishino [36,37]. Με αυτή τη μέθοδο αναπτύχθηκε επιταξιακό στρώμα SiC πάνω σε (0001) υπόβαθρο 6H-SiC με επιφανειακή όψη πυριτίου (Si-face), το οποίο είναι προσανατολισμένο σε σχέση με το βασικό επίπεδο (basal plane) κατά γωνία ως προς τη διεύθυνση Έτσι αναπτύχθηκαν πολύ καλής ποιότητας στρώματα SiC με σταθερά πολύτυπα, σε ατμοσφαιρική πίεση και θερμοκρασίες C. Η πρώτη φωτοδίοδος μπλε φωτός είχε ήδη κατασκευαστεί το 1979 και το 1987 ιδρύθηκε η Cree Research Inc., η πρώτη εταιρία που προμήθευσε υποστρώματα SiC στο εμπόριο. Σήμερα υπάρχουν λίγες εταιρίες και πολλές ερευνητικές ομάδες στο πεδίο του SiC αλλά η βιομηχανία του SiC εξακολουθεί να παραμένει περιορισμένη. Αρχικά η βιομηχανία του SiC επικεντρώθηκε γύρω από τις φωτοδιόδους μπλε φωτός οι οποίες ήταν αδύνατον να κατασκευαστούν με τη χρήση της συμβατικής τεχνολογίας πυριτίου (Si). Οι δυνατότητες της βιομηχανίας ηλεκτρονικών είναι πολύ μεγαλύτερες και το ενδιαφέρον άρχισε να αυξάνεται αφού η πρόοδος στις συσκευές Si έμεινε στάσιμη. Το γεγονός αυτό εξηγεί την ραγδαία Α. Μάντζαρη 7

24 Εισαγωγή αυξανόμενη έρευνα στην ανάπτυξη του SiC. Το διεθνές ενδιαφέρον για το υλικό αυτό αποδεικνύεται από το γεγονός ότι κάθε δύο έτη διοργανώνεται το Διεθνές Συνέδριο για το SiC και σχετικά υλικά (International Conference on Silicon Carbide and Related Materials-ICSCRM) που ξεκίνησε για πρώτη φορά το 1987 στην Washington D.C. και στα παρεμβαλλόμενα έτη το αντίστοιχο Ευρωπαϊκό Συνέδριο (European Conference on Silicon Carbide and Related Materials-ECSCRM), το οποίο διοργανώθηκε για πρώτη φορά το 1996 στην Κρήτη. 1.4 ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΗ ΔΟΜΗ Κρυσταλλογραφία του SiC Ο δεσμός Si-C είναι κυρίως ομοιοπολικός, με ένα μικρό βαθμό ιοντικότητας. Ο ιοντικός χαρακτήρας του δεσμού οφείλεται στη μεγάλη διαφορά μεγέθους μεταξύ των ατόμων πυριτίου και άνθρακα. Σύμφωνα με την ακτίνα των ατόμων Si και C με βάση τον ομοιοπολικό δεσμό (r Si =0.111nm, r C =0.077nm), απαιτείται μια απόσταση του δεσμού Si-C ίση με 0.188nm, ενώ η ιοντική ακτίνα των ιόντων Si 4+ και C 4- ( r Si 4+ = 0.041nm, r C 4 = nm ) απαιτεί μια απόσταση Si-C των 0.179nm. Η πραγματική απόσταση του δεσμού Si-C είναι 0.189nm, γεγονός που επιβεβαιώνει ότι ο δεσμός είναι κυρίως ομοιοπολικός. Ο λόγος των αξόνων c/a=0.818n, όπου n είναι ο αριθμός των διπλών στρωμάτων Si-C στη μοναδιαία κυψελίδα, είναι πολύ κοντά στη θεωρητική τιμή των n. Επομένως η διάταξη των ατόμων Si και C στη δομή του SiC είναι σχεδόν ακριβώς τετραεδρική. Στο σχήμα 1.1(α) παρουσιάζεται ένα από αυτά τα τετράεδρα στο οποίο οι τέσσερις γωνίες του καταλαμβάνονται από ένα άτομο πυριτίου (ή άνθρακα) και στο κέντρο του βρίσκεται ένα άτομο άνθρακα (ή πυριτίου). Στο σχήμα 1.1(α) θεωρούμε ως άξονα c, έναν από τους δεσμούς Si-C. Έτσι το τετράεδρο έχει συμμετρία με άξονα περιστροφής 3 ης τάξης γύρω από οποιοδήποτε από τους δεσμούς που συνδέουν το κεντρικό άτομο με ένα γωνιακό άτομο και συγκεκριμένα γύρω από τον άξονα c. Ο άξονας c είναι παράλληλος με τη διεύθυνση [0001], με συνέπεια το τρίγωνο της βάσης να είναι παράλληλο στο κάθετο του επίπεδο (0001). Επιπλέον οι άκρες του τριγώνου της βάσης καθορίζουν τις τρεις Α. Μάντζαρη 8

25 Εισαγωγή διευθύνσεις < >. Η συμμετρία με άξονα περιστροφής 3 ης τάξης του τετραέδρου γύρω από τον άξονα c, σημαίνει ότι η περιστροφή κατά γύρω από τον άξονα σπάει τη συμμετρία 3 ης τάξης και δημιουργεί μια άλλη δομή (σχ. 1.1β) που ονομάζεται «δίδυμη» δομή σε σχέση με την «κανονική» του σχήματος 1.1(α). Η προβολή του τετράεδρου του σχήματος 1.1(α) κατά τη διεύθυνση [112 0] φαίνεται στο σχήμα 1.1(γ) και του «δίδυμου» τετράεδρου αντίστοιχα στο σχήμα 1.1(δ). Οι γραμμές σε κάθε τρίγωνο δείχνουν τους δεσμούς Si-C, ενώ οι διπλές γραμμές δείχνουν τους δύο δεσμούς του ατόμου του C με τα δύο άτομα Si στη βάση του τετράεδρου που αλληλεπικαλύπτονται σ αυτή την προβολή. (α) (β) Σχήμα 1.1: (α) τετράεδρο SiC όπου ο άξονας c συμπίπτει με τον κατακόρυφο δεσμό Si-C, (β) «δίδυμο» τετράεδρο SiC που προκύπτει από περιστροφή του κανονικού κατά γύρω από τον άξονα c, (γ) προβολή του τετραέδρου SiC κατά την διεύθυνση [1120], (δ) προβολή του «δίδυμου» τετράεδρου SiC κατά την διεύθυνση [112 0]. Α. Μάντζαρη 9

26 Εισαγωγή Στην περίπτωση του SiC, η βασική δομική μονάδα είναι η διπλή στρώση ατόμων (bilayer) Si-C. Τα ζεύγη Si-C σε μία διπλή στρώση που χαρακτηρίζεται ως το βασικό επίπεδο (basal plane), σχηματίζουν μία εξαγωνική δομή συμπαγούς συσσωμάτωσης (σχήμα 1.2). Σχήμα 1.2: Βασικό επίπεδο (Α) της εξαγωνικής δομής συμπαγούς συσσωμάτωσης με τις πιθανές θέσεις επιστοίβασης (Β ή C) των διαδοχικών στρωμάτων και τους άξονες h 1, h 2 και h 3 του εξαγωνικού συστήματος συντεταγμένων. Ο άξονας c είναι κάθετος στο επίπεδο του σχήματος και έχει φορά προς τα πάνω Δομή των πολυτύπων του SiC Το φαινόμενο κατά το οποίο μία ένωση εμφανίζει περισσότερες από μία κρυσταλλικές δομές, ονομάζεται πολυμορφισμός. Σ αυτή την περίπτωση η ένωση χαρακτηρίζεται ως πολυμορφική και κάθε σταθερή φάση αυτής αποτελεί ένα πολύμορφο. Γενικά κάθε πολύμορφο είναι θερμοδυναμικά σταθερό σε συγκεκριμένη περιοχή θερμοκρασίας και πίεσης και η δομή του μπορεί να είναι τελείως διαφορετική και χωρίς καμία δομική σχέση με τα άλλα πολύμορφα. Ο πολυτυπισμός είναι μία ειδική περίπτωση πολυμορφισμού όπου τα διαφορετικά πολύτυπα διαφέρουν το ένα με το άλλο κατά ένα συγκεκριμένο τρόπο. Σε μία πολυτυπική ένωση, οι δύο διαστάσεις των μοναδιαίων κυψελίδων όλων των πολυτύπων είναι οι Α. Μάντζαρη 10

27 Εισαγωγή ίδιες, ενώ η τρίτη είναι ακέραιο πολλαπλάσιο μιας κοινής μονάδας (common unit), κάθετης στα επίπεδα που έχουν την υψηλότερη πυκνότητα ατόμων. Αυτό σημαίνει ότι η σειρά επιστοίβασης της βασικής δομικής μονάδας (που ονομάζεται «βάση»), είναι διαφορετική κατά μήκος ενός άξονα. Το SiC είναι ένα υλικό που εμφανίζει πολύτυπα [38]. Για να κατανοηθεί καλύτερα η δομή των διαφόρων πολυτύπων, θα γίνει πρώτα μια περιγραφή της δομής συμπαγούς συσσωμάτωσης Συμπαγής συσσωμάτωση σφαιρών Ο μόνος τρόπος με τον οποίο έχουμε συμπαγή συσσωμάτωση ίσων σφαιρών σε ένα επίπεδο, απεικονίζεται στο σχήμα 1.3.α όπου κάθε σφαίρα έρχεται σε επαφή με άλλες έξι στο επίπεδο. Τα κέντρα αυτών των σφαιρών καθορίζονται ως θέσεις Α, το στρώμα από αυτές τις σφαίρες χαρακτηρίζεται ως στρώμα Α και αποτελεί ένα στρώμα συμπαγούς συσσωμάτωσης με συμμετρία 6mm. Υπάρχουν δύο είδη κενών που μπορούν να καταληφθούν στη συνέχεια και συμβολίζονται σαν θέσεις Β και C. Αν οι σφαίρες του δεύτερου στρώματος τοποθετηθούν στα κενά των θέσεων Β, τότε προκύπτει ένα όμοιο στρώμα συμπαγούς συσσωμάτωσης που αποτελεί το στρώμα Β. Ομοίως το τρίτο στρώμα σφαιρών μπορεί να καταλάβει τις θέσεις C οπότε ονομάζεται στρώμα C ή να καταλάβει τις θέσεις Α. Σε ένα εξαγωνικό σύστημα συντεταγμένων δύο διαστάσεων, οι συντεταγμένες της θέσης Α είναι 0, 0, της θέσης Β είναι 1/3, 2/3 και της θέσης C είναι 2/3, 1/3 (σχήμα 1.3.β). Επομένως οι θέσεις Α, 1 Β, C σχετίζονται μεταξύ τους με μετατοπίσεις κατά τα διανύσματα και είναι 3 τελείως ισοδύναμες μεταξύ τους, δηλαδή η τοποθέτηση των σφαιρών σε ένα είδος θέσεων δεν αφήνει χώρο για σφαίρες στα άλλα δύο είδη θέσεων στο ίδιο στρώμα. Αν 1 ένα στρώμα Β υφίσταται μια απλή μετατόπιση κατά ένα διάνυσμα , τότε 3 γίνεται στρώμα C, δηλαδή κάθε σφαίρα μετατοπίζεται από θέση Β σε θέση C. Το ίδιο συμβαίνει με τα στρώματα Α και C. Α. Μάντζαρη 11

28 Εισαγωγή (α) (β) Σχήμα 1.3: (α) Δομή συμπαγούς συσσωμάτωσης σφαιρών, (β) οι θέσεις Α, Β, C, σε ένα εξαγωνικό σύστημα συντεταγμένων. Με τον ίδιο τρόπο όλα τα πολύτυπα μπορούν να θεωρηθούν ως διαφορετικές επιστοιβάσεις των στρωμάτων Α, Β, C των σφαιρών κατά μήκος του άξονα c με την προϋπόθεση ότι δύο στρώματα σφαιρών με το ίδιο γράμμα δεν μπορούν να τοποθετηθούν το ένα πάνω στο άλλο. Η 2-διαστάσεων επιστοίβαση αυτών των στρωμάτων συμπαγούς συσσωμάτωσης από σφαίρες που ικανοποιούν τον παραπάνω περιορισμό, έχει ως αποτέλεσμα τη δημιουργία μιας 3-διάστατης δομής που είναι επίσης συμπαγούς συσσωμάτωσης. Αν θεωρήσουμε μια άπειρη επιστοίβαση Α. Μάντζαρη 12

29 Εισαγωγή στρωμάτων, θα υπάρχει πάντα μια περιοδικότητα σ αυτήν που μπορεί να χαρακτηριστεί από έναν ακέραιο αριθμό n στρωμάτων και αυτός ο αριθμός αποτελεί την τάξη περιοδικότητας κατά μήκος του άξονα c στη σειρά επιστοίβασης. Επειδή σε κάθε στρώμα υπάρχουν δύο θέσεις που μπορούν να επιλεχθούν και η παράμετρος c είναι ανοιχτή μεταβλητή, μπορούν να υπάρξουν πολυάριθμες σειρές επιστοίβασης. Οι πιο απλές από αυτές είναι η ΑΒCABC που συνιστά την ολοεδρικώς κεντρωμένη κυβική επιστοίβαση (Face Centered Cubic-FCC) και η...αβαβ...που συνιστά την εξαγωνική επιστοίβαση συμπαγούς συσσωμάτωσης (Hexagonal Close Packing-HCP). Σε μία 3-διάστατη δομή συμπαγούς συσσωμάτωσης κάθε σφαίρα έρχεται σε επαφή με 6 σφαίρες στο ίδιο μ αυτήν στρώμα και με επιπλέον 3 σφαίρες από το πάνω στρώμα και 3 σφαίρες από το κάτω στρώμα. Συνολικά λοιπόν έρχεται σε επαφή με 12 σφαίρες. Ο χαλκός έχει ένα FCC πλέγμα και τα άτομα του φτιάχνουν μία δομή FCC όπου κάθε άτομο απασχολεί μία θέση στη διάταξη συμπαγούς συσσωμάτωσης...abcabc, με αποτέλεσμα κάθε άτομο χαλκού να έχει 12 συντεταγμένες. Πολλά μέταλλα έχουν τέτοιου είδους δομή και ανήκουν σε μια απ τις δύο απλές σειρές επιστοίβασης FCC και HCP. Σ αυτήν την περίπτωση εμφανίζεται η μεγαλύτερη πυκνότητα επιστοίβασης από όλες τις ατομικές δομές. Μία άλλη δομή που προκύπτει από τη διάταξη συμπαγούς συσσωμάτωσης, περιέχει δύο άτομα από ένα ή δύο στοιχεία σε κάθε θέση της σφαίρας. Η δομή που προκύπτει είναι πιο «ανοικτή» και κάθε άτομο έρχεται σε επαφή με 4 μόνο άτομα. Το SiC έχει τέτοιου είδους δομή Πολύτυπα του SiC Κάθε πολύτυπο του SiC μπορεί να θεωρηθεί ως ένας συνδυασμός από τετράεδρα [39,40,41] όπου το καθένα προκύπτει από τον τετραεδρικό δεσμό μεταξύ των ατόμων Si και C όπως έχει ήδη εξηγηθεί στο σχήμα 1.1. Τα τετράεδρα Si-C καταλαμβάνουν θέσεις παρόμοιες με τις σφαίρες σε μια διάταξη συμπαγούς συσσωμάτωσης για να σχηματίσουν διπλές στρώσεις Si-C (bilayer) όπως φαίνεται στο σχήμα 1.4, οι οποίες είναι όμοιες κατά μήκος όλων των δομών του SiC. Η μόνη διαφορά μεταξύ των διαφόρων πολυτύπων είναι η σειρά επιστοίβασης αυτών των διπλών στρώσεων. Α. Μάντζαρη 13

30 Εισαγωγή Όπως ακριβώς μία σφαίρα, έτσι και ένα τετράεδρο μπορεί να καταλάβει μια από τις τρεις πιθανές θέσεις στο χώρο που συμβολίζονται με τα γράμματα Τ 1, Τ 2 και Τ 3. Ομοίως τα τρία «δίδυμα» τετράεδρα μπορούν να καταλάβουν τις θέσεις Τ 1, Τ 2 και Τ 3. Κατά συνέπεια το SiC μπορεί να δομηθεί από μια σύνθεση κανονικών και δίδυμων τετραέδρων Τ 1, Τ 2, Τ 3, Τ 1, Τ 2 και Τ 3, με τον περιορισμό ότι δύο τετράεδρα μπορούν να συνδεθούν μόνο αν μοιράζονται ένα γωνιακό άτομο. Σχήμα. 1.4: Η προβολή των τετραέδρων Τ 1, Τ 2 και Τ 3 στο επίπεδο {11-20}, που δείχνει τη σχετική τους θέση στο χώρο. Αντί να χρησιμοποιείται η επιστοίβαση των 3-διάστατων τετράεδρων, είναι πολύ ευκολότερο να γίνεται χρήση των προβολών τους κατά μήκος της διεύθυνσης [112 0] (σχ. 1.1 γ, δ). Όπως φαίνεται στο σχήμα 1.4 κάθε τετράεδρο συνδέεται με ένα σετ διπλών στρώσεων από άτομα άνθρακα και πυριτίου. Σε κάθε σετ μία στρώση από άτομα πυριτίου τοποθετείται παράλληλα και πάνω από τη στρώση ατόμων άνθρακα σε απόσταση 3 4 d 000n =0,189nm που είναι το μήκος του δεσμού Si-C. Τα επίπεδα Si και C σε μία διπλή στρώση συμβολίζονται με τα γράμματα A, B, C και α, β, γ αντίστοιχα. Εξαιτίας της στενής σχέσης μεταξύ των τετραέδρων και των διπλών στρώσεων Si-C, ένα πολύτυπο SiC μπορεί να περιγραφεί είτε ως ένας συνδυασμός τετραέδρων είτε ως η επιστοίβαση των διπλών στρώσεων των βασικών επιπέδων Α. Μάντζαρη 14

31 Εισαγωγή κατά μήκος του άξονα c. Έτσι οι κορυφές στα τετράεδρα Τ 1 καταλαμβάνουν τις θέσεις Α, τα κέντρα των τετράεδρων τις θέσεις α και τα τρία άτομα της βάσης κάθε τετράεδρου τις θέσεις C. Άρα ισχύει Τ 1 =CαΑ (από κάτω προς τα πάνω). Οι θέσεις τοποθέτησης των υπολοίπων τετράεδρων φαίνονται στον ακόλουθο πίνακα I. Πίνακας Ι Ομάδα I (κανονικά τετράεδρα) Τ 1 =CαΑ ή εν συντομία =Α Τ 2 =ΑβΒ ή =Β Τ 3 =ΒγC ή =C Ομάδα II (δίδυμα τετράεδρα) Τ 1 =ΒαΑ ή εν συντομία =Α Τ 2 =CβB ή =Β Τ 3 =ΑγC ή =C Τα άτομα στα διαφορετικά τετράεδρα έχουν διαφορετικές και καθορισμένες θέσεις στον πίνακα. Μόνο αυτά τα γωνιακά άτομα που βρίσκονται στις ίδιες θέσεις μπορούν να μοιραστούν μία θέση μεταξύ τους. Για παράδειγμα αφού η κορυφή στο Τ 1 βρίσκεται στις θέσεις Α, μόνο τα Τ 2 και Τ 3 μπορούν να τοποθετηθούν στην κορυφή του Τ 1 και να έχουν ένα κοινό γωνιακό άτομο με αυτό, γιατί και τα δύο έχουν τρία γωνιακά άτομα της βάσης στις θέσεις Α. Τα υπόλοιπα τετράεδρα δεν μπορούν να μοιραστούν μια γωνία με το Τ 1. Τόσο το Τ 1 όσο και το Τ 2 που είναι «κανονικά», μπορούν να έχουν μόνο ένα τοπικό κυβικό περιβάλλον, ενώ το Τ 3 που είναι «δίδυμο», μπορεί να έχει μόνο τοπική εξαγωνική σχέση με το Τ 1. Ακολουθώντας τις παραπάνω συνθήκες είναι εύκολο να κατασκευαστεί η σειρά επιστοίβασης διαφόρων πολυτύπων. Για παράδειγμα για να κατασκευαστεί το 4H-SiC, ξεκινάμε από την ομάδα I, όπως CαΑ και ΑβΒ. Το δεύτερο στρώμα έχει τις θέσεις Α στο βασικό του επίπεδο που είναι οι ίδιες με τις θέσεις των κορυφών του πρώτου στρώματος. Έτσι το δεύτερο στρώμα μπορεί να κάτσει στο πρώτο στρώμα και να μοιραστεί μια γωνία μ αυτό. Το τρίτο στρώμα πρέπει να επιλεχθεί από την ομάδα II, εφόσον χρειάζεται μια εξαγωνική σχέση οπότε θα είναι το ΒαΑ. Το τέταρτο στρώμα θα είναι επίσης από την ομάδα II για τοπικό κυβικό περιβάλλον και θα είναι το ΑγC. Στη συνέχεια συνδέοντας τα γράμματα και αφαιρώντας τα επαναλαμβανόμενα στις κοινές γωνίες, προκύπτει η σειρά επιστοίβασης του 4H που είναι...ααββααγc ή Τ 1 Τ 2 Τ 1 Τ 3...ή...ΑΒΑ C Η σχέση των δεσμών Si-C και των διπλών στρώσεων Si-C για ένα Α. Μάντζαρη 15

Nανοσωλήνες άνθρακα. Ηλεκτρονική δομή ηλεκτρικές ιδιότητες. Εφαρμογές στα ηλεκτρονικά

Nανοσωλήνες άνθρακα. Ηλεκτρονική δομή ηλεκτρικές ιδιότητες. Εφαρμογές στα ηλεκτρονικά Nανοσωλήνες άνθρακα Ηλεκτρονική δομή ηλεκτρικές ιδιότητες Εφαρμογές στα ηλεκτρονικά Νανοσωλήνες άνθρακα ιστορική αναδρομή Από το γραφίτη στους Νανοσωλήνες άνθρακα Στο γραφίτη τα άτομα C συνδέονται ισχυρά

Διαβάστε περισσότερα

Φασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων

Φασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων Φασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων Ιόντα με υψηλές ενέργειες (συνήθως Ar +, O ή Cs + ) βομβαρδίζουν την επιφάνεια του δείγματος sputtering ουδετέρων

Διαβάστε περισσότερα

Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο

Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο Μιχάλης Κομπίτσας Εθνικό Ίδρυμα Ερευνών, Ινστιτούτο Θεωρ./Φυσικής Χημείας (www.laser-applications.eu) 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΤΗΣ ΟΜΙΛΙΑΣ 1.

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ LASER ΤΜΗΜΑ ΟΠΤΙΚΗΣ & ΟΠΤΟΜΕΤΡΙΑΣ ΑΤΕΙ ΠΑΤΡΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ LASER ΤΜΗΜΑ ΟΠΤΙΚΗΣ & ΟΠΤΟΜΕΤΡΙΑΣ ΑΤΕΙ ΠΑΤΡΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ LASER ΤΜΗΜΑ ΟΠΤΙΚΗΣ & ΟΠΤΟΜΕΤΡΙΑΣ ΑΤΕΙ ΠΑΤΡΑΣ «Ίσως το φως θα ναι μια νέα τυραννία. Ποιος ξέρει τι καινούρια πράγματα θα δείξει.» Κ.Π.Καβάφης ΑΡΧΕΣ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ LASER Εισαγωγικές Έννοιες

Διαβάστε περισσότερα

Αλλαγή της δομής των ταινιών λόγω κραματοποίησης

Αλλαγή της δομής των ταινιών λόγω κραματοποίησης Αλλαγή της δομής των ταινιών λόγω κραματοποίησης Παράμετροι που τροποποιούν την δομή των ταινιών Σχηματισμός κράματος ή περισσοτέρων ημιαγωγών Ανάπτυξη ετεροδομών ή υπερδομών κβαντικός περιορισμός (quantum

Διαβάστε περισσότερα

Η θέση ύπνου του βρέφους και η σχέση της με το Σύνδρομο του αιφνίδιου βρεφικού θανάτου. ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ

Η θέση ύπνου του βρέφους και η σχέση της με το Σύνδρομο του αιφνίδιου βρεφικού θανάτου. ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ Η θέση ύπνου του βρέφους και η σχέση της με το Σύνδρομο του αιφνίδιου βρεφικού θανάτου. Χρυσάνθη Στυλιανού Λεμεσός 2014 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ

Διαβάστε περισσότερα

Πτυχιακή Εργασία. Αισθητήρες Οπτικών Ινών ΟΝΟΜΑ ΣΠΟΥΔΑΣΤΗ: ΛΙΓΚΑΝΑΡΗ ΔΗΜΗΤΡΑ ΕΠΙΒΛΕΠΩΝ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ: ΛΑΜΠΡΟΥ ΚΩΝΣΤΑΝΤΙΝΟΣ

Πτυχιακή Εργασία. Αισθητήρες Οπτικών Ινών ΟΝΟΜΑ ΣΠΟΥΔΑΣΤΗ: ΛΙΓΚΑΝΑΡΗ ΔΗΜΗΤΡΑ ΕΠΙΒΛΕΠΩΝ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ: ΛΑΜΠΡΟΥ ΚΩΝΣΤΑΝΤΙΝΟΣ Πτυχιακή Εργασία Αισθητήρες Οπτικών Ινών ΟΝΟΜΑ ΣΠΟΥΔΑΣΤΗ: ΛΙΓΚΑΝΑΡΗ ΔΗΜΗΤΡΑ ΕΠΙΒΛΕΠΩΝ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ: ΛΑΜΠΡΟΥ ΚΩΝΣΤΑΝΤΙΝΟΣ Ιστορική Αναδρομή Η εξέλιξη των οπτικών συστημάτων εμφανίζεται σε πέντε γενιές Στις

Διαβάστε περισσότερα

ιδάσκων: Λευτέρης Λοιδωρίκης Π1 0-7146

ιδάσκων: Λευτέρης Λοιδωρίκης Π1 0-7146 Φωτονικά Υλικά ιδάσκων: Λευτέρης Λοιδωρίκης Π1 0-7146 Τεχνολογίες φωτός σήμερα Το φώς έχει εισχωρήσει προ πολλού στη ζωή μας Ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία Καλύπτει πολύ μεγάλο φάσμα Συστατικά τεχνολογίας

Διαβάστε περισσότερα

Νέα Οπτικά Μικροσκόπια

Νέα Οπτικά Μικροσκόπια Νέα Οπτικά Μικροσκόπια Αντίθεση εικόνας (contrast) Αντίθεση πλάτους Αντίθεση φάσης Αντίθεση εικόνας =100 x (Ι υποβ -Ι δειγμα )/ Ι υποβ Μικροσκοπία φθορισμού (Χρησιμοποιεί φθορίζουσες χρωστικές για το

Διαβάστε περισσότερα

Η ανακλαστικότητα των φωτοβολταϊκών πλαισίων

Η ανακλαστικότητα των φωτοβολταϊκών πλαισίων Η ανακλαστικότητα των φωτοβολταϊκών πλαισίων Γ Έκδοση Ιανουάριος 2009 Το παρόν κείμενο αποτελεί αναδημοσίευση των βασικών σημείων από τη Μελέτη για την Αντανακλαστικότητα Φωτοβολταϊκών Πλαισίων Τεχνολογίας

Διαβάστε περισσότερα

Οργανική Χημεία. Κεφάλαια 12 &13: Φασματοσκοπία μαζών και υπερύθρου

Οργανική Χημεία. Κεφάλαια 12 &13: Φασματοσκοπία μαζών και υπερύθρου Οργανική Χημεία Κεφάλαια 12 &13: Φασματοσκοπία μαζών και υπερύθρου 1. Γενικά Δυνατότητα προσδιορισμού δομών με σαφήνεια χρησιμοποιώντας τεχνικές φασματοσκοπίας Φασματοσκοπία μαζών Μέγεθος, μοριακός τύπος

Διαβάστε περισσότερα

τα μεταλλικά Μια στρώμα. Για την έννοια πως αν και νανοσωματίδια (με εξάχνωση Al). πρέπει κανείς να τοποθετήσει τα μερικές δεκάδες nm πράγμα

τα μεταλλικά Μια στρώμα. Για την έννοια πως αν και νανοσωματίδια (με εξάχνωση Al). πρέπει κανείς να τοποθετήσει τα μερικές δεκάδες nm πράγμα Φραγή Coulomb σε διατάξεις που περιέχουν νανοσωματίδια. Ι. Φραγή Coulomb σε διατάξεις που περιέχουν μεταλλικά νανοσωματίδια 1. Περιγραφή των διατάξεων Μια διάταξη που περιέχει νανοσωματίδια μπορεί να αναπτυχθεί

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ. Πτυχιακή Εργασία ΕΠΙΛΟΧΕΙΑ ΚΑΤΑΘΛΙΨΗ: Ο ΡΟΛΟΣ ΤΗΣ ΚΑΤ ΟΙΚΟΝ ΝΟΣΗΛΕΙΑΣ. Φοινίκη Αλεξάνδρου

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ. Πτυχιακή Εργασία ΕΠΙΛΟΧΕΙΑ ΚΑΤΑΘΛΙΨΗ: Ο ΡΟΛΟΣ ΤΗΣ ΚΑΤ ΟΙΚΟΝ ΝΟΣΗΛΕΙΑΣ. Φοινίκη Αλεξάνδρου ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ Πτυχιακή Εργασία ΕΠΙΛΟΧΕΙΑ ΚΑΤΑΘΛΙΨΗ: Ο ΡΟΛΟΣ ΤΗΣ ΚΑΤ ΟΙΚΟΝ ΝΟΣΗΛΕΙΑΣ Φοινίκη Αλεξάνδρου Λεμεσός 2014 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΤΜΗΜΑ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΙΑΚΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗ ΚΑΙ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ. 1. Ηλιακή ακτινοβολία

ΗΛΙΑΚΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗ ΚΑΙ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ. 1. Ηλιακή ακτινοβολία ΗΛΙΑΚΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗ ΚΑΙ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ 1. Ηλιακή ακτινοβολία Ο ήλιος ενεργεί σχεδόν, ως μια τέλεια πηγή ακτινοβολίας σε μια θερμοκρασία κοντά στους 5.800 Κ Το ΑΜ=1,5 είναι το τυπικό ηλιακό φάσμα πάνω

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή εργασία

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή εργασία ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ Πτυχιακή εργασία ΜΑΘΗΜΑΤΙΚΟΙ ΑΛΓΟΡΙΘΜΟΙ ΓΙΑ ΑΝΑΛΥΣΗ ΠΙΣΤΟΠΟΙΗΤΙΚΩΝ ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΗΣ ΑΠΟΔΟΣΗΣ ΚΤΙΡΙΩΝ Εβελίνα Θεμιστοκλέους

Διαβάστε περισσότερα

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΙΣ ΦΑΣΜΑΤΟΜΕΤΡΙΚΕΣ ΤΕΧΝΙΚΕΣ (SPECTROMETRIC TECHNIQUES)

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΙΣ ΦΑΣΜΑΤΟΜΕΤΡΙΚΕΣ ΤΕΧΝΙΚΕΣ (SPECTROMETRIC TECHNIQUES) ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΙΣ ΦΑΣΜΑΤΟΜΕΤΡΙΚΕΣ ΤΕΧΝΙΚΕΣ (SPECTROMETRIC TECHNIQUES) ΑΘΗΝΑ, ΟΚΤΩΒΡΙΟΣ 2014 ΦΑΣΜΑΤΟΜΕΤΡΙΚΕΣ ΤΕΧΝΙΚΕΣ Στηρίζονται στις αλληλεπιδράσεις της ηλεκτρομαγνητικής ακτινοβολίας με την ύλη. Φασματομετρία=

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΔΡ. ΒΑΣΙΛΕΙΟΣ ΜΠΙΝΑΣ Post Doc Researcher, Chemist Τμήμα Φυσικής, Πανεπιστήμιο Κρήτης Email: binasbill@iesl.forth.gr Thl. 1269 Crete Center for Quantum Complexity and Nanotechnology

Διαβάστε περισσότερα

6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC

6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC 6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC Θεωρητικό µέρος Αν µεταξύ δύο αρχικά αφόρτιστων αγωγών εφαρµοστεί µία συνεχής διαφορά δυναµικού ή τάση V, τότε στις επιφάνειές τους θα

Διαβάστε περισσότερα

ΥΛΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ

ΥΛΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ ΥΛΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ ΓΙΩΡΓΟΣ ΤΣΙΓΑΡΙΔΑΣ E-mail: gtsigaridas@teilam.gr ΔΟΜΗ ΤΟΥ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΕΠΙΣΤΗΜΗ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΔΟΜΗ ΤΟΥ ΑΤΟΜΟΥ ΔΕΣΜΟΙ ΚΑΙ ΤΥΠΟΙ ΣΤΕΡΕΩΝ ΜΟΡΙΑΚΗ ΚΙΝΗΤΙΚΗ ΘΕΩΡΙΑ ΜΟΡΙΑΚΗ

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΝΟΣΗΛΕΥΤΙΚΗΣ. Πτυχιακή εργασία

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΝΟΣΗΛΕΥΤΙΚΗΣ. Πτυχιακή εργασία ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΝΟΣΗΛΕΥΤΙΚΗΣ Πτυχιακή εργασία ΕΠΙΠΤΩΣΕΙΣ ΤΗΣ ΚΑΚΗΣ ΔΙΑΤΡΟΦΗΣ ΣΤΗ ΠΡΟΣΧΟΛΙΚΗ ΗΛΙΚΙΑ ΜΕ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑ ΤΗ ΠΑΧΥΣΑΡΚΙΑ Έλλη Φωτίου 2010364426 Επιβλέπουσα

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στην πυρηνοποίηση. http://users.auth.gr/~paloura/ Ομο- & ετερογενής πυρηνοποίηση: αρχικά στάδια ανάπτυξης υλικών ή σχηματισμού νέας φάσης.

Εισαγωγή στην πυρηνοποίηση. http://users.auth.gr/~paloura/ Ομο- & ετερογενής πυρηνοποίηση: αρχικά στάδια ανάπτυξης υλικών ή σχηματισμού νέας φάσης. Εισαγωγή στην πυρηνοποίηση. http://users.auth.gr/~paloura/ Αντικείμενο Ομο- & ετερογενής πυρηνοποίηση: αρχικά στάδια ανάπτυξης υλικών ή σχηματισμού νέας φάσης. Ομογενής πυρηνοποίηση: αυθόρμητος σχηματισμός

Διαβάστε περισσότερα

Α.Τ.Ε.Ι. ΠΕΙΡΑΙΑ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Α.Τ.Ε.Ι. ΠΕΙΡΑΙΑ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ Α.Τ.Ε.Ι. ΠΕΙΡΑΙΑ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ Μελέτη φωτισμού συγκροτήματος γραφείων με τεχνολογία LED Επιβλέπων Καθηγητής: Ιωαννίδης Γεώργιος Σπουδαστής: Ζάρδας Δημήτριος Μάιος2014

Διαβάστε περισσότερα

Λουκάς Βλάχος Αν. Καθηγητής. http://www.physics.auth.gr vlahos@astro.auth.gr

Λουκάς Βλάχος Αν. Καθηγητής. http://www.physics.auth.gr vlahos@astro.auth.gr Γιατί να σπουδάσω Φυσική; Λουκάς Βλάχος Αν. Καθηγητής http://www.physics.auth.gr vlahos@astro.auth.gr Θέματα Εισαγωγή Η φυσική και οι άλλες επιστήμες Οι τομείς και οι κατευθύνσεις στο Τμήμα φυσικής Τα

Διαβάστε περισσότερα

Π. Κοράλλη 1, S. Fiat 4, Μ. Κομπίτσας 2, İ. Polat 3, E. Bacaksiz 3 και Δ. Ε. Μανωλάκος 1

Π. Κοράλλη 1, S. Fiat 4, Μ. Κομπίτσας 2, İ. Polat 3, E. Bacaksiz 3 και Δ. Ε. Μανωλάκος 1 ΝΕΑ ΥΛΙΚΑ ΚΑΙ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΓΙΑ ΧΑΜΗΛΟΥ ΚΟΣΤΟΥΣ & ΥΨΗΛΗΣ ΑΠΟΔΟΣΗΣ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ Π. Κοράλλη 1, S. Fiat 4, Μ. Κομπίτσας 2, İ. Polat 3, E. Bacaksiz 3 και Δ. Ε. Μανωλάκος 1 1 Σχολή Μηχανολόγων Μηχανικών,

Διαβάστε περισσότερα

Εκπαιδευτικό υλικό στα πλαίσια του Ευρωπαϊκού Προγράμματος Chain Reaction: Α sustainable approach to inquiry based Science Education

Εκπαιδευτικό υλικό στα πλαίσια του Ευρωπαϊκού Προγράμματος Chain Reaction: Α sustainable approach to inquiry based Science Education Εκπαιδευτικό υλικό στα πλαίσια του Ευρωπαϊκού Προγράμματος Chain Reaction: Α sustainable approach to inquiry based Science Education «Πράσινη» Θέρμανση Μετάφραση-επιμέλεια: Κάλλια Κατσαμποξάκη-Hodgetts

Διαβάστε περισσότερα

ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ. Λουκία Βασιλείου

ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ. Λουκία Βασιλείου ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΝΟΣΗΛΕΥΤΙΚΗΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΠΑΙΔΙΚΗ ΚΑΙ ΕΦΗΒΙΚΗ ΚΑΚΟΠΟΙΗΣΗ: ΕΠΙΠΤΩΣΕΙΣ ΣΤΗΝ ΥΓΕΙΑ Λουκία Βασιλείου 2010646298 Επιβλέπουσα καθηγήτρια: Δρ.

Διαβάστε περισσότερα

Ακτίνες Χ (Roentgen) Κ.-Α. Θ. Θωμά

Ακτίνες Χ (Roentgen) Κ.-Α. Θ. Θωμά Ακτίνες Χ (Roentgen) Είναι ηλεκτρομαγνητικά κύματα με μήκος κύματος μεταξύ 10 nm και 0.01 nm, δηλαδή περίπου 10 4 φορές μικρότερο από το μήκος κύματος της ορατής ακτινοβολίας. ( Φάσμα ηλεκτρομαγνητικής

Διαβάστε περισσότερα

Καρκίνος του Μαστού: Οι παράγοντες που επηρεάζουν τη ψυχοσωματική υγεία των γυναικών που υποβλήθηκαν σε μαστεκτομή και ο ρόλος του νοσηλευτή.

Καρκίνος του Μαστού: Οι παράγοντες που επηρεάζουν τη ψυχοσωματική υγεία των γυναικών που υποβλήθηκαν σε μαστεκτομή και ο ρόλος του νοσηλευτή. ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΝΟΣΗΛΕΥΤΙΚΗΣ Πτυχιακή Εργασία Καρκίνος του Μαστού: Οι παράγοντες που επηρεάζουν τη ψυχοσωματική υγεία των γυναικών που υποβλήθηκαν σε μαστεκτομή

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ Πτυχιακή Εργασία Χαμηλά επίπεδα βιταμίνης D σχετιζόμενα με το βρογχικό άσθμα στα παιδιά και στους έφηβους Κουρομπίνα Αλεξάνδρα Λεμεσός [2014] i ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή Στοιχεία Θεωρίας

Εισαγωγή Στοιχεία Θεωρίας Εισαγωγή Σκοπός της άσκησης αυτής είναι η εισαγωγή στην τεχνογνωσία των οπτικών ινών και η μελέτη τους κατά τη διάδοση μιας δέσμης laser. Συγκεκριμένα μελετάται η εξασθένιση που υφίσταται το σήμα στην

Διαβάστε περισσότερα

Χαρακτηρισμός υλικών με ιόντα

Χαρακτηρισμός υλικών με ιόντα Χαρακτηρισμός υλικών με ιόντα 1. Secondary ion mass spectroscopy (SIMS) Φασματοσκοπία μάζας δευτερογενών ιόντων. Rutherford backscattering (RBS) Φασματοσκοπία οπισθοσκέδασης κατά Rutherford Secondary ion

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ. Πτυχιακή Εργασία

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ. Πτυχιακή Εργασία ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ Πτυχιακή Εργασία ΙΕΡΕΥΝΗΣΗ ΤΩΝ ΕΠΙΠΕ ΩΝ ΘΝΗΣΙΜΟΤΗΤΑΣ ΚΑΙ ΤΩΝ ΚΥΡΙΟΤΕΡΩΝ ΑΙΤΙΩΝ ΠΡΟΚΛΗΣΗΣ ΘΑΝΑΤΟΥ ΑΤΟΜΩΝ ΜΕ ΨΥΧΟΓΕΝΗ ΑΝΟΡΕΞΙΑ Γεωργία Χαραλάµπους Λεµεσός

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 8 (ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ) ΦΑΣΜΑΤΟΦΩΤΟΜΕΤΡΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 8 (ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ) ΦΑΣΜΑΤΟΦΩΤΟΜΕΤΡΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 8 (ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ) ΦΑΣΜΑΤΟΦΩΤΟΜΕΤΡΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ Με τον όρο αυτό ονοµάζουµε την τεχνική ποιοτικής και ποσοτικής ανάλυσης ουσιών µε βάση το µήκος κύµατος και το ποσοστό απορρόφησης της ακτινοβολίας

Διαβάστε περισσότερα

Κατηγορίες και Βασικές Ιδιότητες Θερμοστοιχείων.

Κατηγορίες και Βασικές Ιδιότητες Θερμοστοιχείων. Κεφάλαιο 3 Κατηγορίες και Βασικές Ιδιότητες Θερμοστοιχείων. Υπάρχουν διάφοροι τύποι μετατροπέων για τη μέτρηση θερμοκρασίας. Οι βασικότεροι από αυτούς είναι τα θερμόμετρα διαστολής, τα θερμοζεύγη, οι μετατροπείς

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΟΤΗΤΑ 3 3.0 ΜΕΣΑ ΜΕΤΑΔΟΣΗΣ ΕΙΣΑΓΩΓΗ

ΕΝΟΤΗΤΑ 3 3.0 ΜΕΣΑ ΜΕΤΑΔΟΣΗΣ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΕΝΟΤΗΤΑ 3 3.0 ΜΕΣΑ ΜΕΤΑΔΟΣΗΣ ΕΙΣΑΓΩΓΗ Όπως είναι ήδη γνωστό, ένα σύστημα επικοινωνίας περιλαμβάνει τον πομπό, το δέκτη και το κανάλι επικοινωνίας. Στην ενότητα αυτή, θα εξετάσουμε τη δομή και τα χαρακτηριστικά

Διαβάστε περισσότερα

Το Φως Είναι Εγκάρσιο Κύμα!

Το Φως Είναι Εγκάρσιο Κύμα! ΓΙΩΡΓΟΣ ΑΣΗΜΕΛΛΗΣ Μαθήματα Οπτικής 3. Πόλωση Το Φως Είναι Εγκάρσιο Κύμα! Αυτό που βλέπουμε με τα μάτια μας ή ανιχνεύουμε με αισθητήρες είναι το αποτέλεσμα που προκύπτει όταν φως με συγκεκριμένο χρώμα -είδος,

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΝΟΣΗΛΕΥΤΙΚΗΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΝΟΣΗΛΕΥΤΙΚΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΝΟΣΗΛΕΥΤΙΚΗΣ ΚΑΠΝΙΣΤΙΚΕΣ ΣΥΝΗΘΕΙΕΣ ΓΟΝΕΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΡΡΟΗ ΤΟΥΣ ΣΤΗΝ ΕΝΑΡΞΗ ΤΟΥ ΚΑΠΝΙΣΜΑΤΟΣ ΣΤΟΥΣ ΕΦΗΒΟΥΣ Ονοματεπώνυμο Φοιτήτριας: Χριστοφόρου Έλενα

Διαβάστε περισσότερα

Περίθλαση από ακµή και από εµπόδιο.

Περίθλαση από ακµή και από εµπόδιο. ρ. Χ. Βοζίκης Εργαστήριο Φυσικής ΙΙ 63 6. Άσκηση 6 Περίθλαση από ακµή και από εµπόδιο. 6.1 Σκοπός της εργαστηριακής άσκησης Σκοπός της άσκησης αυτής, καθώς και των δύο εποµένων, είναι η γνωριµία των σπουδαστών

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ & ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2ο ΑΝΤΙΣΤΑΣΕΙΣ Θερμική ενέργεια Q και Ισχύς Ρ Όταν μια αντίσταση R διαρρέεται από ρεύμα Ι για χρόνο t, τότε παράγεται θερμική ενέργεια Q. Για το συνεχές ρεύμα η ισχύς

Διαβάστε περισσότερα

ΝΕΟ ΥΒΡΙΔΙΚΟ ΒΙΟΫΛΙΚΟ ΒΙΟΠΟΛΥΜΕΡΩΝ ΕΝΙΣΧΥΜΕΝΩΝ ΜΕ ΝΑΝΟΣΩΜΑΤΙΔΙΑ ΑΡΓΥΡΟΥ ΚΑΙ Η ΧΡΗΣΗ ΤΟΥ ΣΤΗΝ ΒΙΟΪΑΤΡΙΚΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗ

ΝΕΟ ΥΒΡΙΔΙΚΟ ΒΙΟΫΛΙΚΟ ΒΙΟΠΟΛΥΜΕΡΩΝ ΕΝΙΣΧΥΜΕΝΩΝ ΜΕ ΝΑΝΟΣΩΜΑΤΙΔΙΑ ΑΡΓΥΡΟΥ ΚΑΙ Η ΧΡΗΣΗ ΤΟΥ ΣΤΗΝ ΒΙΟΪΑΤΡΙΚΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗ ο ΠΑΝΕΛΛΗΝΙΟ ΕΠΙΣΤΗΜΟΝΙΚΟ ΣΥΝΕΔΡΙΟ ΧΗΜΙΚΗΣ ΜΗΧΑΝΙΚΗΣ, ΠΑΤΡΑ, 4-6 ΙΟΥΝΙΟΥ, 5. ΝΕΟ ΥΒΡΙΔΙΚΟ ΒΙΟΫΛΙΚΟ ΒΙΟΠΟΛΥΜΕΡΩΝ ΕΝΙΣΧΥΜΕΝΩΝ ΜΕ ΝΑΝΟΣΩΜΑΤΙΔΙΑ ΑΡΓΥΡΟΥ ΚΑΙ Η ΧΡΗΣΗ ΤΟΥ ΣΤΗΝ ΒΙΟΪΑΤΡΙΚΗ ΜΗΧΑΝΙΚΗ Σπαθής Ά.,

Διαβάστε περισσότερα

αγωγοί ηµιαγωγοί µονωτές Σχήµα 1

αγωγοί ηµιαγωγοί µονωτές Σχήµα 1 Η2 Μελέτη ηµιαγωγών 1. Σκοπός Στην περιοχή της επαφής δυο ηµιαγωγών τύπου p και n δηµιουργούνται ορισµένα φαινόµενα τα οποία είναι υπεύθυνα για τη συµπεριφορά της επαφής pn ή κρυσταλλοδιόδου, όπως ονοµάζεται,

Διαβάστε περισσότερα

Πώς να γράψω μία επιστημονική εργασία?

Πώς να γράψω μία επιστημονική εργασία? Α. Π. Θ., Τμήμα Φυσικής Ενημερωτικές διαλέξεις για φοιτητές/τριες «Έρευνα στο Τμήμα Φυσικής» Πώς να γράψω μία επιστημονική εργασία? Εργασία για εργαστήριο??? Βιβλιογραφική εργασία?? Πτυχιακή εργασία? Ε.

Διαβάστε περισσότερα

Λουκάς Βλάχος Καθηγητής αστροφυσικής. http://www.physics.auth.gr valhos@astro.auth.gr

Λουκάς Βλάχος Καθηγητής αστροφυσικής. http://www.physics.auth.gr valhos@astro.auth.gr Λουκάς Βλάχος Καθηγητής αστροφυσικής http://www.physics.auth.gr valhos@astro.auth.gr Εισαγωγή Δεξιότητες του σύγχρονου φυσικού Οι τομείς και οι κατευθύνσεις στο Τμήμα φυσικής Τα μεταπτυχιακά Γιατί να σπουδάσω

Διαβάστε περισσότερα

Πτυχιακή εργασία. Παραγωγή Βιοντίζελ από Χρησιμοποιημένα Έλαια

Πτυχιακή εργασία. Παραγωγή Βιοντίζελ από Χρησιμοποιημένα Έλαια ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ Πτυχιακή εργασία Παραγωγή Βιοντίζελ από Χρησιμοποιημένα Έλαια Ελένη Χριστοδούλου Λεμεσός 2014 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ

Διαβάστε περισσότερα

Α1. Πράσινο και κίτρινο φως προσπίπτουν ταυτόχρονα και µε την ίδια γωνία πρόσπτωσης σε γυάλινο πρίσµα. Ποιά από τις ακόλουθες προτάσεις είναι σωστή:

Α1. Πράσινο και κίτρινο φως προσπίπτουν ταυτόχρονα και µε την ίδια γωνία πρόσπτωσης σε γυάλινο πρίσµα. Ποιά από τις ακόλουθες προτάσεις είναι σωστή: 54 Χρόνια ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΑ ΜΕΣΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ ΣΑΒΒΑΪΔΗ-ΜΑΝΩΛΑΡΑΚΗ ΠΑΓΚΡΑΤΙ : Φιλολάου & Εκφαντίδου 26 : Τηλ.: 2107601470 ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ : ΦΥΣΙΚΗ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ 2014 ΘΕΜΑ Α Α1. Πράσινο και κίτρινο φως

Διαβάστε περισσότερα

Πως διαδίδονται τα Η/Μ κύματα σε διαφανή διηλεκτρικά?

Πως διαδίδονται τα Η/Μ κύματα σε διαφανή διηλεκτρικά? Πως διαδίδονται τα Η/Μ κύματα σε διαφανή διηλεκτρικά? (Μη-μαγνητικά, μη-αγώγιμα, διαφανή στερεά ή υγρά με πυκνή, σχετικά κανονική διάταξη δομικών λίθων). Γραμμικά πολωμένο κύμα προσπίπτει σε ηλεκτρόνιο

Διαβάστε περισσότερα

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com

Βρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com 1 2.4 Παράγοντες από τους οποίους εξαρτάται η αντίσταση ενός αγωγού Λέξεις κλειδιά: ειδική αντίσταση, μικροσκοπική ερμηνεία, μεταβλητός αντισ ροοστάτης, ποτενσιόμετρο 2.4 Παράγοντες που επηρεάζουν την

Διαβάστε περισσότερα

ΑΘΑΝΑΣΙΟΣ Ι. ΦΡΕΝΤΖΟΣ. 6 ο ΕΤΟΣ ΙΑΤΡΙΚΗΣ (2004-05) του Ε.Κ.Π.Α. ΕΡΓΑΣΙΑ

ΑΘΑΝΑΣΙΟΣ Ι. ΦΡΕΝΤΖΟΣ. 6 ο ΕΤΟΣ ΙΑΤΡΙΚΗΣ (2004-05) του Ε.Κ.Π.Α. ΕΡΓΑΣΙΑ ΑΘΑΝΑΣΙΟΣ Ι. ΦΡΕΝΤΖΟΣ 6 ο ΕΤΟΣ ΙΑΤΡΙΚΗΣ (2004-05) του Ε.Κ.Π.Α. ΕΡΓΑΣΙΑ 148 ΑΡΧΕΣ ΦΥΣΙΚΗΣ ΤΩΝ ΥΠΕΡΗΧΩΝ ΑΣΦΑΛΕΙΑ ΤΩΝ ΥΠΕΡΗΧΩΝ ΣΤΗ ΜΑΙΕΥΤΙΚΗ Γ ΜΑΙΕΥΤΙΚΗ ΚΑΙ ΓΥΝΑΙΚΟΛΟΓΙΚΗ ΚΛΙΝΙΚΗ ΑΝ. ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ Δ. ΚΑΣΣΑΝΟΣ

Διαβάστε περισσότερα

Λαμπτήρες Μαγνητικής Επαγωγής

Λαμπτήρες Μαγνητικής Επαγωγής Φωτισμός οδοποιίας, πάρκων, πλατειών ΚΡΙΤΗΡΙΑ ΕΠΙΛΟΓΗΣ ΠΛΕΟΝΕΚΤΗΜΑΤΑ-ΜΕΙΟΝΕΚΤΗΜΑΤΑ ΦΩΤΙΣΤΙΚΩΝ ΔΙΑΤΑΞΕΩΝ ΜΑΓΝΗΤΙΚΗΣ ΕΠΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ LED Λαμπτήρες Μαγνητικής Επαγωγής Light Emitting Diodes LED Αρχή λειτουργίας

Διαβάστε περισσότερα

Συμπεράσματα από την ανάλυση για την Ευρωπαϊκή Ένωση

Συμπεράσματα από την ανάλυση για την Ευρωπαϊκή Ένωση Ενεργειακή πολιτική για την Ελλάδα: σύγκλιση ή απόκλιση από την Ευρωπαϊκή προοπτική; Π. Κάπρου, Καθηγητή ΕΜΠ Εισαγωγή Πρόσφατα δημοσιεύτηκε από την Ευρωπαϊκή Επιτροπή, Γενική Διεύθυνση Ενέργειας, η έκδοση

Διαβάστε περισσότερα

Μεταφορά Ενέργειας με Ακτινοβολία

Μεταφορά Ενέργειας με Ακτινοβολία ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΙΚΗ ΕΠΙΣΤΗΜΗ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ Εργαστηριακή Άσκηση: Μεταφορά Ενέργειας με Ακτινοβολία Σκοπός της Εργαστηριακής Άσκησης: Να προσδιοριστεί ο τρόπος με τον οποίο μεταλλικά κουτιά με επιφάνειες διαφορετικού

Διαβάστε περισσότερα

Ατομικές θεωρίες (πρότυπα)

Ατομικές θεωρίες (πρότυπα) Ατομικές θεωρίες (πρότυπα) 1. Αρχαίοι Έλληνες ατομικοί : η πρώτη θεωρία που διατυπώθηκε παγκοσμίως (καθαρά φιλοσοφική, αφού δεν στηριζόταν σε καμιά πειραματική παρατήρηση). Δημόκριτος (Λεύκιπος, Επίκουρος)

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστήριο Οπτικής ΠΕΡΙΘΛΑΣΗ ΤΟΥ ΦΩΤΟΣ. Μάκης Αγγελακέρης 2010

Εργαστήριο Οπτικής ΠΕΡΙΘΛΑΣΗ ΤΟΥ ΦΩΤΟΣ. Μάκης Αγγελακέρης 2010 ΠΕΡΙΘΛΑΣΗ ΤΟΥ ΦΩΤΟΣ Μάκης Αγγελακέρης 2010 Σκοπός της άσκησης Να μπορείτε να περιγράψετε ποιοτικά το φαινόμενο της περίθλασης του φωτός καθώς επίσης να μπορείτε να διακρίνετε τις συνθήκες που χαρακτηρίζουν

Διαβάστε περισσότερα

Νανοτεχνολογία και Ηλεκτρονική Μικροσκοπία

Νανοτεχνολογία και Ηλεκτρονική Μικροσκοπία ΕΚΕΦΕ ΗΜΟΚΡΙΤΟΣ Ινστιτούτο Επιστήµης Υλικών Νανοτεχνολογία και Ηλεκτρονική Μικροσκοπία Ν. Μπούκος Αυτός ο κόσµος ο µικρός, ο µέγας. Περίγραµµα Εισαγωγή - Κίνητρα Νανοτεχνολογία Σχέση παρασκευής-µικροδοµήςιδιοτήτων

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΝΟΣΗΛΕΥΤΙΚΗΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΝΟΣΗΛΕΥΤΙΚΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΝΟΣΗΛΕΥΤΙΚΗΣ Πτυχιακή Διατριβή Επιβλέπουσα καθηγήτρια: Κα Παναγιώτα Ταμανά ΣΤΑΣΕΙΣ ΚΑΙ ΠΕΠΟΙΘΗΣΕΙΣ ΑΤΟΜΩΝ ΑΠΕΝΑΝΤΙ ΣΤΟ ΕΜΒΟΛΙΟ ΚΑΤΑ ΤΟΥ ΚΑΡΚΙΝΟΥ

Διαβάστε περισσότερα

Μεταπτυχιακή διατριβή

Μεταπτυχιακή διατριβή ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ Μεταπτυχιακή διατριβή «100% Α.Π.Ε.» : ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΚΑΙ ΟΙΚΟΝΟΜΙΚΕΣ ΠΡΟΚΛΗΣΕΙΣ ΓΙΑ ΤΗΝ ΠΛΗΡΗ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗ ΤΩΝ ΣΥΜΒΑΤΙΚΩΝ

Διαβάστε περισσότερα

ΑΠΟΓΡΑΦΙΚΟ ΔΕΛΤΙΟ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗΣ ΔΙΑΤΡΙΒΗΣ ΤΙΤΛΟΣ Συμπληρώστε τον πρωτότυπο τίτλο της Διδακτορικής διατριβής ΑΡ. ΣΕΛΙΔΩΝ ΕΙΚΟΝΟΓΡΑΦΗΜΕΝΗ

ΑΠΟΓΡΑΦΙΚΟ ΔΕΛΤΙΟ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗΣ ΔΙΑΤΡΙΒΗΣ ΤΙΤΛΟΣ Συμπληρώστε τον πρωτότυπο τίτλο της Διδακτορικής διατριβής ΑΡ. ΣΕΛΙΔΩΝ ΕΙΚΟΝΟΓΡΑΦΗΜΕΝΗ ΕΘΝΙΚΟ & ΚΑΠΟΔΙΣΤΡΙΑΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΑΘΗΝΩΝ ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΑΝΑΓΝΩΣΤΗΡΙΟ Πανεπιστημιούπολη, Κτήρια Πληροφορικής & Τηλεπικοινωνιών 15784 ΑΘΗΝΑ Τηλ.: 210 727 5190, email: library@di.uoa.gr,

Διαβάστε περισσότερα

Course: Renewable Energy Sources

Course: Renewable Energy Sources Course: Renewable Energy Sources Interdisciplinary programme of postgraduate studies Environment & Development, National Technical University of Athens C.J. Koroneos (koroneos@aix.meng.auth.gr) G. Xydis

Διαβάστε περισσότερα

Μάθημα 4.10: Οπτικά Αποθηκευτικά Μέσα

Μάθημα 4.10: Οπτικά Αποθηκευτικά Μέσα Κεφάλαιο 4 ο Ο Προσωπικός Υπολογιστής Μάθημα 4.10: Οπτικά Αποθηκευτικά Μέσα Όταν ολοκληρώσεις το κεφάλαιο θα μπορείς: Να εξηγείς τις αρχές λειτουργίας των οπτικών αποθηκευτικών μέσων. Να περιγράφεις τον

Διαβάστε περισσότερα

ΧΗΜΙΚΟΙ ΔΕΣΜΟΙ. Να δίδουν τον ορισμό του χημικού δεσμού. Να γνωρίζουν τα είδη των δεσμών. Να εξηγούν το σχηματισμό του ιοντικού ομοιοπολικού δεσμού.

ΧΗΜΙΚΟΙ ΔΕΣΜΟΙ. Να δίδουν τον ορισμό του χημικού δεσμού. Να γνωρίζουν τα είδη των δεσμών. Να εξηγούν το σχηματισμό του ιοντικού ομοιοπολικού δεσμού. ΧΗΜΙΚΟΙ ΔΕΣΜΟΙ ΣΤΟΧΟΙ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ Στο τέλος αυτής της διδακτικής ενότητας οι μαθητές θα πρέπει να μπορούν: Να δίδουν τον ορισμό του χημικού δεσμού. Να γνωρίζουν τα είδη των δεσμών Να εξηγούν το σχηματισμό

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 36 Μελέτη ακουστικών κυμάτων σε ηχητικό σωλήνα

Άσκηση 36 Μελέτη ακουστικών κυμάτων σε ηχητικό σωλήνα Μιχάλης Καλογεράκης 9 ο Εξάμηνο ΣΕΜΦΕ ΑΜ:911187 Υπεύθυνος Άσκησης: Κος Πέογλος Ημερομηνία Διεξαγωγής:3/11/25 Άσκηση 36 Μελέτη ακουστικών κυμάτων σε ηχητικό σωλήνα 1) Εισαγωγή: Σκοπός και στοιχεία Θεωρίας

Διαβάστε περισσότερα

Περιβαλλοντικές απόψεις της παροχής ενέργειας στις χηµικές αντιδράσεις.

Περιβαλλοντικές απόψεις της παροχής ενέργειας στις χηµικές αντιδράσεις. Περιβαλλοντικές απόψεις της παροχής ενέργειας στις χηµικές αντιδράσεις. Περίληψη Η επιβάρυνση του περιβάλλοντος που προκαλείται από την παροχή ηλεκτρικής ή θερµικής ενέργειας είναι ιδιαίτερα σηµαντική.

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΟΤΗΤΑ 6 6.0 ΤΗΛΕΟΡΑΣΗ ΕΙΣΑΓΩΓΗ

ΕΝΟΤΗΤΑ 6 6.0 ΤΗΛΕΟΡΑΣΗ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΕΝΟΤΗΤΑ 6 60 ΤΗΛΕΟΡΑΣΗ ΕΙΣΑΓΩΓΗ Η τηλεόραση είναι σήμερα ένα από τα πιο σημαντικά επικοινωνιακά συστήματα Δεν υπάρχει άνθρωπος, στις ανεπτυγμένες χώρες, που να μην αφιερώνει ορισμένες ώρες την ημέρα μπροστά

Διαβάστε περισσότερα

ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ ΑΚΤΙΝΩΝ Χ

ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ ΑΚΤΙΝΩΝ Χ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ ΑΚΤΙΝΩΝ Χ Ορισµός ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ ΑΚΤΙΝΩΝ Χ - Οι ακτίνες Χ είναι ηλεκτροµαγνητική ακτινοβολία µικρού µήκους κύµατος (10-5 - 100 Å) - Συνήθως χρησιµοποιούνται ακτίνες Χ µε µήκος κύµατος 0.1-25

Διαβάστε περισσότερα

1 ο ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΘΕΤΙΚΗΣ-ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ

1 ο ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΘΕΤΙΚΗΣ-ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ο ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΦΥΣΙΗΣ ΘΕΤΙΗΣ-ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΗΣ ΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Γ ΛΥΕΙΟΥ Θέμα ο. ύλινδρος περιστρέφεται γύρω από άξονα που διέρχεται από το κέντρο μάζας του με γωνιακή ταχύτητα ω. Αν ο συγκεκριμένος κύλινδρος περιστρεφόταν

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΧΑΛΚΙ ΑΣ Ενεργειακές µετρήσεις σε κτήρια, κέλυφος Χρήση θερµοκάµερας, διαπίστωση και προσδιορισµός απωλειών από θερµογέφυρες. ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΧΑΛΚΙ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΙΑΣ Ενεργειακές Μετρήσεις σε

Διαβάστε περισσότερα

Στα 1849 ο Sir David Brewster περιγράφει τη μακροσκοπική μηχανή λήψης και παράγονται οι πρώτες στερεοσκοπικές φωτογραφίες (εικ. 5,6).

Στα 1849 ο Sir David Brewster περιγράφει τη μακροσκοπική μηχανή λήψης και παράγονται οι πρώτες στερεοσκοπικές φωτογραφίες (εικ. 5,6). ΣΤΕΡΕΟΣΚΟΠΙΑ Η στερεοσκοπία είναι μια τεχνική που δημιουργεί την ψευδαίσθηση του βάθους σε μια εικόνα. Στηρίζεται στο ότι η τρισδιάστατη φυσική όραση πραγματοποιείται διότι κάθε μάτι βλέπει το ίδιο αντικείμενο

Διαβάστε περισσότερα

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing).

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Κεφάλαιο 4 Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Οι ενδείξεις (τάσεις εξόδου) των θερμοζευγών τύπου Κ είναι δύσκολο να

Διαβάστε περισσότερα

Προσομοιωτική μελέτη της οπτικής συμπεριφοράς της ετεροεπαφής Μέταλλο/a-SiC:H/c-Si(n).

Προσομοιωτική μελέτη της οπτικής συμπεριφοράς της ετεροεπαφής Μέταλλο/a-SiC:H/c-Si(n). ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΚΑΒΑΛΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ: Προσομοιωτική μελέτη της οπτικής συμπεριφοράς της ετεροεπαφής Μέταλλο/a-SiC:H/c-Si(n). Μάγκος

Διαβάστε περισσότερα

Μια ματιά στο πρώτο εργοστάσιο παραγωγής φωτοβολταϊκών πάνελ λεπτών υμενίων στην Ελλάδα. Ilias Garidis COO

Μια ματιά στο πρώτο εργοστάσιο παραγωγής φωτοβολταϊκών πάνελ λεπτών υμενίων στην Ελλάδα. Ilias Garidis COO Μια ματιά στο πρώτο εργοστάσιο παραγωγής φωτοβολταϊκών πάνελ λεπτών υμενίων στην Ελλάδα Ilias Garidis COO 0 Παγκόσμια ενεργειακή κάλυψη έως το 2100 1 Η εταιρεία μας 2 Κεντρικά γραφεία στην Αθήνα Εργοστάσιο

Διαβάστε περισσότερα

Φυσικοί Νόμοι διέπουν Το Περιβάλλον

Φυσικοί Νόμοι διέπουν Το Περιβάλλον Φυσικοί Νόμοι διέπουν Το Περιβάλλον Απαρχές Σύμπαντος Ύλη - Ενέργεια E = mc 2 Θεμελιώδεις καταστάσεις ύλης Στερεά Υγρή Αέριος Χημικές μορφές ύλης Χημικά στοιχεία Χημικές ενώσεις Χημικά στοιχεία 92 στη

Διαβάστε περισσότερα

Εύρεση της πυκνότητας στερεών και υγρών.

Εύρεση της πυκνότητας στερεών και υγρών. Μ4 Εύρεση της πυκνότητας στερεών και υγρών. 1 Σκοπός Στην άσκηση αυτή προσδιορίζεται πειραματικά η πυκνότητα του υλικού ενός στερεού σώματος. Το στερεό αυτό σώμα βυθίζεται ή επιπλέει σε υγρό γνωστής πυκνότητας

Διαβάστε περισσότερα

Μεταπτυχιακή διατριβή

Μεταπτυχιακή διατριβή ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ Μεταπτυχιακή διατριβή ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΕΚΛΕΚΤΙΚΗΣ ΚΑΤΑΛΥΤΙΚΗΣ ΟΞΕΙΔΩΣΗΣ ΤΟΥ ΜΕΘΑΝΙΟΥ ΠΡΟΣ ΔΙΟΞΕΙΔΙΟ ΤΟΥ ΑΝΘΡΑΚΑ Βασιλική

Διαβάστε περισσότερα

Περίθλαση φωτός από συμπαγή δίσκο (CD)

Περίθλαση φωτός από συμπαγή δίσκο (CD) Περίθλαση φωτός από συμπαγή δίσκο (CD) Επίδειξη-Πείραμα Σκοπός Με την άσκηση αυτή θέλουμε να εξοικειωθούν οι μαθητές με τα φαινόμενα της συμβολής και περίθλασης, χρησιμοποιώντας ένα καθημερινό και πολύ

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστήριο Οπτικής ΣΥΜΒΟΛΗ ΤΟΥ ΦΩΤΟΣ

Εργαστήριο Οπτικής ΣΥΜΒΟΛΗ ΤΟΥ ΦΩΤΟΣ ΣΥΜΒΟΛΗ ΤΟΥ ΦΩΤΟΣ Μάκης Αγγελακέρης 010 Σκοπός της άσκησης Να μπορείτε να εξηγήσετε το φαινόμενο της Συμβολής και κάτω από ποιες προϋποθέσεις δύο δέσμες φωτός, μπορεί να συμβάλουν. Να μπορείτε να περιγράψετε

Διαβάστε περισσότερα

Επίδραση του συνδυασμού μόνωσης και υαλοπινάκων στη μεταβατική κατανάλωση ενέργειας των κτιρίων

Επίδραση του συνδυασμού μόνωσης και υαλοπινάκων στη μεταβατική κατανάλωση ενέργειας των κτιρίων Επίδραση του συνδυασμού μόνωσης και υαλοπινάκων στη μεταβατική κατανάλωση ενέργειας των κτιρίων Χ. Τζιβανίδης, Λέκτορας Ε.Μ.Π. Φ. Γιώτη, Μηχανολόγος Μηχανικός, υπ. Διδάκτωρ Ε.Μ.Π. Κ.Α. Αντωνόπουλος, Καθηγητής

Διαβάστε περισσότερα

SUPER THERM ΘΕΩΡΙΑ ΜΕΤΑΔΟΣΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ

SUPER THERM ΘΕΩΡΙΑ ΜΕΤΑΔΟΣΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ Αυτό το σεμινάριο έχει απλώς ως στόχο να δώσει μερικά από τα βασικά της Θερμοδυναμικής, και πως σχετίζεται με τη μόνωση και με τη μόνωση με κεραμικά επιχρίσματα. Η θερμότητα μεταφέρεται με τους παρακάτω

Διαβάστε περισσότερα

Φασματοσκοπία πρίσματος Βαθμονόμηση Φασματοσκόπιου και ταυτοποίηση αερίου από το φάσμα του

Φασματοσκοπία πρίσματος Βαθμονόμηση Φασματοσκόπιου και ταυτοποίηση αερίου από το φάσμα του Σκοπός Μέθοδος 14 Φασματοσκοπία πρίσματος Βαθμονόμηση Φασματοσκόπιου και ταυτοποίηση αερίου από το φάσμα του Η άσκηση αυτή αποσκοπεί στην κατανόηση της αρχή λειτουργίας του οπτικού φασματοσκόπιου και στην

Διαβάστε περισσότερα

Σύνθετα Υλικά: Χαρακτηρισμός και Ιδιότητες

Σύνθετα Υλικά: Χαρακτηρισμός και Ιδιότητες Σύνθετα Υλικά: Χαρακτηρισμός και Ιδιότητες Εργαστηριακή Άσκηση 6: Ποιοτικός Έλεγχος Σύνθετων Υλικών Διδάσκοντες: Α. Παϊπέτης, Αν. Καθηγητής, Δρ. Μηχ/γος Μηχανικός Εργαστηριακή Υποστήριξη: Τ. Μπέκας, Υποψήφιος

Διαβάστε περισσότερα

Φάσµατα άνθρακα-13 ( 13 C NMR)

Φάσµατα άνθρακα-13 ( 13 C NMR) Φάσµατα άνθρακα-3 ( 3 NMR) I = ½ Φυσική αφθονία.% γ και µ Ευαισθησία Τ Χηµική µετατόπιση Ενταση κορυφών Φάσµατα ~ 4 φορές µικρότερα του πρωτονίου ~ 64 µικρότερη του πρωτονίου µεγαλύτερος από εκείνον του

Διαβάστε περισσότερα

Μηχανικές ιδιότητες υάλων. Διάγραμμα τάσης-παραμόρφωσης (stress-stain)

Μηχανικές ιδιότητες υάλων. Διάγραμμα τάσης-παραμόρφωσης (stress-stain) Μηχανικές ιδιότητες υάλων Η ψαθυρότητα των υάλων είναι μια ιδιότητα καλά γνωστή που εύκολα διαπιστώνεται σε σύγκριση με ένα μεταλλικό υλικό. Διάγραμμα τάσης-παραμόρφωσης (stress-stain) E (Young s modulus)=

Διαβάστε περισσότερα

2.2. Συμβολή και στάσιμα κύματα. Ομάδα Γ.

2.2. Συμβολή και στάσιμα κύματα. Ομάδα Γ. 2.2. Συμβολή και στάσιμα κύματα. Ομάδα Γ. 2.2.21. σε γραμμικό ελαστικό μέσο. Δύο σύγχρονες πηγές Ο 1 και Ο 2 παράγουν αρμονικά κύματα που διαδίδονται με ταχύτητα υ=2m/s κατά μήκος ενός γραμμικού ελαστικού

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ Α Ι. Στις ερωτήσεις 1-4 να γράψετε στο τετράδιο σας τον αριθμό της ερώτησης και το γράμμα που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση.

ΘΕΜΑ Α Ι. Στις ερωτήσεις 1-4 να γράψετε στο τετράδιο σας τον αριθμό της ερώτησης και το γράμμα που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση. ΔΙΑΓΩΝΙΣΜΑ ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΣΗΣ ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΤΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΘΕΜΑ Α Ι. Στις ερωτήσεις 1-4 να γράψετε στο τετράδιο σας τον αριθμό της ερώτησης και το γράμμα που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση. 1.

Διαβάστε περισσότερα

ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΘΕΜΑ: Ο ΥΠΟΣΤΗΡΙΚΤΙΚΟΣ ΡΟΛΟΣ ΤΟΥ ΝΟΣΗΛΕΥΤΗ ΣΕ ΓΥΝΑΙΚΕΣ ΜΕ ΚΑΡΚΙΝΟ ΜΑΣΤΟΥ ΠΟΥ ΥΠΟΒΑΛΛΟΝΤΑΙ ΣΕ ΧΗΜΕΙΟΘΕΡΑΠΕΙΑ

ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΘΕΜΑ: Ο ΥΠΟΣΤΗΡΙΚΤΙΚΟΣ ΡΟΛΟΣ ΤΟΥ ΝΟΣΗΛΕΥΤΗ ΣΕ ΓΥΝΑΙΚΕΣ ΜΕ ΚΑΡΚΙΝΟ ΜΑΣΤΟΥ ΠΟΥ ΥΠΟΒΑΛΛΟΝΤΑΙ ΣΕ ΧΗΜΕΙΟΘΕΡΑΠΕΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑ: ΝΟΣΗΛΕΥΤΙΚΗΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΘΕΜΑ: Ο ΥΠΟΣΤΗΡΙΚΤΙΚΟΣ ΡΟΛΟΣ ΤΟΥ ΝΟΣΗΛΕΥΤΗ ΣΕ ΓΥΝΑΙΚΕΣ ΜΕ ΚΑΡΚΙΝΟ ΜΑΣΤΟΥ ΠΟΥ ΥΠΟΒΑΛΛΟΝΤΑΙ ΣΕ ΧΗΜΕΙΟΘΕΡΑΠΕΙΑ ΕΠΙΒΛΕΠΩΝ

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 7. Τρισδιάστατα Μοντέλα

Κεφάλαιο 7. Τρισδιάστατα Μοντέλα Κεφάλαιο 7. 7.1 ομές εδομένων για Γραφικά Υπολογιστών. Οι δομές δεδομένων αποτελούν αντικείμενο της επιστήμης υπολογιστών. Κατά συνέπεια πρέπει να γνωρίζουμε πώς οργανώνονται τα γεωμετρικά δεδομένα, προκειμένου

Διαβάστε περισσότερα

Δίκτυα Τηλεπικοινωνιών. και Μετάδοσης

Δίκτυα Τηλεπικοινωνιών. και Μετάδοσης Τεχνολογικό Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Σερρών Τμήμα Πληροφορικής & Επικοινωνιών Δίκτυα Τηλεπικοινωνιών και Μετάδοσης Σύστημα μετάδοσης με οπτικές ίνες Tο οπτικό φέρον κύμα μπορεί να διαμορφωθεί είτε από αναλογικό

Διαβάστε περισσότερα

ΟΜΟΣΠΟΝ ΙΑ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΩΝ ΦΡΟΝΤΙΣΤΩΝ ΕΛΛΑ ΟΣ (Ο.Ε.Φ.Ε.) ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ 2014

ΟΜΟΣΠΟΝ ΙΑ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΩΝ ΦΡΟΝΤΙΣΤΩΝ ΕΛΛΑ ΟΣ (Ο.Ε.Φ.Ε.) ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ 2014 ΤΑΞΗ: ΜΑΘΗΜΑ: Γ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΦΥΣΙΚΗ / ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΘΕΜΑ Α Ηµεροµηνία: Κυριακή 13 Απριλίου 2014 ιάρκεια Εξέτασης: 3 ώρες ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ 1. ύο µονοχρωµατικές ακτινοβολίες Α και Β µε µήκη κύµατος στο κενό

Διαβάστε περισσότερα

Σχετικά με το μάθημα. Ο Υπολογιστής Η γενική εικόνα. Η μνήμη. Ενότητες μαθήματος. Εισαγωγή στους Υπολογιστές. Βιβλία για το μάθημα

Σχετικά με το μάθημα. Ο Υπολογιστής Η γενική εικόνα. Η μνήμη. Ενότητες μαθήματος. Εισαγωγή στους Υπολογιστές. Βιβλία για το μάθημα Ιόνιο Πανεπιστήμιο Τμήμα Πληροφορικής Εισαγωγή στην Επιστήμη των Υπολογιστών 2014-15 Εισαγωγή στους Υπολογιστές (αρχές λειτουργίας και τεχνολογία) Σχετικά με το μάθημα Ενότητες μαθήματος Αρχές λειτουργίας

Διαβάστε περισσότερα

Τ.Ε.Ι Λαμίας Σ.Τ.ΕΦ. Τμήμα Ηλεκτρονικής Εργασία Κεραίες

Τ.Ε.Ι Λαμίας Σ.Τ.ΕΦ. Τμήμα Ηλεκτρονικής Εργασία Κεραίες Τ.Ε.Ι Λαμίας Σ.Τ.ΕΦ. Τμήμα Ηλεκτρονικής Εργασία Κεραίες Μπαρμπάκος Δημήτριος Δεκέμβριος 2012 Περιεχόμενα 1. Εισαγωγή 2. Κεραίες 2.1. Κεραία Yagi-Uda 2.2. Δίπολο 2.3. Μονόπολο 2.4. Λογαριθμική κεραία 3.

Διαβάστε περισσότερα

Φωτοβολταϊκά συστήματα και σύστημα συμψηφισμού μετρήσεων (Net metering) στην Κύπρο

Φωτοβολταϊκά συστήματα και σύστημα συμψηφισμού μετρήσεων (Net metering) στην Κύπρο Ενεργειακό Γραφείο Κυπρίων Πολιτών Φωτοβολταϊκά συστήματα και σύστημα συμψηφισμού μετρήσεων (Net metering) στην Κύπρο Βασικότερα τμήματα ενός Φ/Β συστήματος Τα φωτοβολταϊκά (Φ/Β) συστήματα μετατρέπουν

Διαβάστε περισσότερα

ΥΛΙΚΑ ΠΑΡΟΝ ΚΑΙ ΜΕΛΛΟΝ

ΥΛΙΚΑ ΠΑΡΟΝ ΚΑΙ ΜΕΛΛΟΝ ΥΛΙΚΑ ΠΑΡΟΝ ΚΑΙ ΜΕΛΛΟΝ Ι 2 Κατηγορίες Υλικών ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΡΗΤΗΣ ΤΜΗΜΑ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΛΙΚΩΝ Παραδείγματα Το πεντάγωνο των υλικών Κατηγορίες υλικών 1 Ορυκτά Μέταλλα Φυσικές πηγές Υλικάπουβγαίνουναπότηγημεεξόρυξηήσκάψιμοή

Διαβάστε περισσότερα

Γιατί απαιτείται σύστημα λίπανσης

Γιατί απαιτείται σύστημα λίπανσης 1 Γιατί απαιτείται σύστημα λίπανσης Οι βαλβίδες και οι έδρες των βαλβίδων μερικών κινητήρων είναι περισσότερο επιρρεπείς στη φθορά όταν ένα όχημα οδηγείτε με υγραέριο LPG ή φυσικό αέριο CNG. Αυτό δεν ισχύει

Διαβάστε περισσότερα

Μεταπτυχιακή διατριβή

Μεταπτυχιακή διατριβή ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ Μεταπτυχιακή διατριβή ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑ ΑΠΟΒΛΗΤΩΝ ΒΙΟΜΗΧΑΝΙΑΣ ΠΑΡΑΣΚΕΥΗΣ ΧΥΜΟΥ ΠΟΡΤΟΚΑΛΙΟΥ ΓΙΑ ΤΗΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή εργασία

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή εργασία ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ Πτυχιακή εργασία ΚΙΝΗΤΙΚΗ ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΜΕΙΩΣΗΣ ΤΩΝ ΦΑΙΝΟΛΩΝ ΕΛΑΙΟΛΑΔΟΥ ΚΑΤΑ ΤΟ ΤΗΓΑΝΙΣΜΑ Χριστοφόρου Ανδρέας Λεμεσός

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΩΤΑΤΗ ΣΧΟΛΗ ΠΑΙ ΑΓΩΓΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΕΚΠΑΙ ΕΥΣΗΣ ΠΑΡΑΔΟΤΕΟ ΕΠΙΣΤΗΜΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΣΕ ΔΙΕΘΝΕΣ ΕΠΙΣΤΗΜΟΝΙΚΟ ΠΕΡΙΟΔΙΚΟ

ΑΝΩΤΑΤΗ ΣΧΟΛΗ ΠΑΙ ΑΓΩΓΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΕΚΠΑΙ ΕΥΣΗΣ ΠΑΡΑΔΟΤΕΟ ΕΠΙΣΤΗΜΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΣΕ ΔΙΕΘΝΕΣ ΕΠΙΣΤΗΜΟΝΙΚΟ ΠΕΡΙΟΔΙΚΟ ΑΝΩΤΑΤΗ ΣΧΟΛΗ ΠΑΙ ΑΓΩΓΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΕΚΠΑΙ ΕΥΣΗΣ (Α.Σ.ΠΑΙ.Τ.Ε.) «Αρχιμήδης ΙΙΙ Ενίσχυση Ερευνητικών ομάδων στην Α.Σ.ΠΑΙ.Τ.Ε.» Υποέργο: 8 Τίτλος: «Εκκεντρότητες αντισεισμικού σχεδιασμού ασύμμετρων

Διαβάστε περισσότερα

Εφαρμοσμένη Θερμογραφία στη

Εφαρμοσμένη Θερμογραφία στη Το υλικό της παρουσίασης αυτής προέρχεται από το αρχείο (i) της IRISTEM Engineering (ii) της INFRAEC GmbH, (iii) του Dr.-Ing. Georg Dittié. Τα σχετικά αρχεία παραμένουν στην αρχική τους ιδιοκτησία Με την

Διαβάστε περισσότερα

Η θέρμανση του μέλλοντος. naoseurope.gr

Η θέρμανση του μέλλοντος. naoseurope.gr Η θέρμανση του μέλλοντος naoseurope.gr εξαιρετικοί λόγοι να επιλέξετε θερμαντικό φιλμ Εξαιρετικά λεπτό, πάχος μόλις 0,5 mm βασισμένο σε τεχνολογία εκπομπής μακρών κυμάτων υπέρυθρου φωτός Υγιεινή θέρμανση

Διαβάστε περισσότερα

Περίθλαση από µία σχισµή.

Περίθλαση από µία σχισµή. ρ. Χ. Βοζίκης Εργαστήριο Φυσικής ΙΙ 71 7. Άσκηση 7 Περίθλαση από µία σχισµή. 7.1 Σκοπός της εργαστηριακής άσκησης Σκοπός της άσκησης είναι η γνωριµία των σπουδαστών µε την συµπεριφορά των µικροκυµάτων

Διαβάστε περισσότερα

ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ ΚΑΡΩΤΙΔΩΝ ΕΠΙΔΡΑΣΗ ΣΑΚΧΑΡΟΥ

ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ ΚΑΡΩΤΙΔΩΝ ΕΠΙΔΡΑΣΗ ΣΑΚΧΑΡΟΥ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ ΚΑΡΩΤΙΔΩΝ ΕΠΙΔΡΑΣΗ ΣΑΚΧΑΡΟΥ ΧΡΙΣΤΙΝΑ ΚΑΛΟΓΕΡΟΠΟΥΛΟΥ ΑΘΗΝΑ 2010 1 ΣΚΟΠΟΣ Η ανάλυση και μελέτη της μοριακής δομής των καρωτίδων αρτηριών με υπέρυθρη φασματοσκοπία. Η εξαγωγή συμπερασμάτων

Διαβάστε περισσότερα

ΠΡΑΚΤΙΚΟ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗΣ ΥΠΟΨΗΦΙΩΝ ΣΤΑ ΠΛΑΙΣΙΑ ΤΗΣ ΠΡΟΣΚΛΗΣΗΣ ΕΚΔΗΛΩΣΗΣ ΕΝΔΙΑΦΕΡΟΝΤΟΣ ΜΕ ΑΡ.ΠΡΩΤ. 015/2014-4318 ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ «ΕΠΕΔΒΜ, 2007-2013 «ΑΡΙΣΤΕΙΑ

ΠΡΑΚΤΙΚΟ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗΣ ΥΠΟΨΗΦΙΩΝ ΣΤΑ ΠΛΑΙΣΙΑ ΤΗΣ ΠΡΟΣΚΛΗΣΗΣ ΕΚΔΗΛΩΣΗΣ ΕΝΔΙΑΦΕΡΟΝΤΟΣ ΜΕ ΑΡ.ΠΡΩΤ. 015/2014-4318 ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ «ΕΠΕΔΒΜ, 2007-2013 «ΑΡΙΣΤΕΙΑ ΠΡΑΚΤΙΚΟ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗΣ ΥΠΟΨΗΦΙΩΝ ΣΤΑ ΠΛΑΙΣΙΑ ΤΗΣ ΠΡΟΣΚΛΗΣΗΣ ΕΚΔΗΛΩΣΗΣ ΕΝΔΙΑΦΕΡΟΝΤΟΣ ΜΕ ΑΡ.ΠΡΩΤ. 015/2014-4318 ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ «ΕΠΕΔΒΜ, 2007-2013 «ΑΡΙΣΤΕΙΑ ΙΙ»-(κωδ.4709)-(THUNDER)» - «Νανοδομές φωτονικών-φωνονικών

Διαβάστε περισσότερα