ΜΕΛΕΤΗ ΤΩΝ ΔΟΜΙΚΩΝ ΙΔΙΟΤΗΤΩΝ 3C-SiC, ΚΑΤΑΛΛΗΛΟΥ ΓΙΑ ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΕΣ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "ΜΕΛΕΤΗ ΤΩΝ ΔΟΜΙΚΩΝ ΙΔΙΟΤΗΤΩΝ 3C-SiC, ΚΑΤΑΛΛΗΛΟΥ ΓΙΑ ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΕΣ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ"

Transcript

1 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΤΟΜΕΑΣ ΦΥΣΙΚΗΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗ ΔΙΑΤΡΙΒΗ ΜΕΛΕΤΗ ΤΩΝ ΔΟΜΙΚΩΝ ΙΔΙΟΤΗΤΩΝ 3C-SiC, ΚΑΤΑΛΛΗΛΟΥ ΓΙΑ ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΕΣ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ Αλκυόνης Μάντζαρη Φυσικού-MSc Φυσικής Υλικών Θεσσαλονίκη 2008

2 Η εργασία αυτή αφιερώνεται στην οικογένεια μου

3 Αλκυόνης Μάντζαρη Φυσικού-MSc Φυσικής Υλικών ΜΕΛΕΤΗ ΤΩΝ ΔΟΜΙΚΩΝ ΙΔΙΟΤΗΤΩΝ 3C-SiC, ΚΑΤΑΛΛΗΛΟΥ ΓΙΑ ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΕΣ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗ ΔΙΑΤΡΙΒΗ Υποβλήθηκε στο Τμήμα Φυσικής, Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης Ημερομηνία Προφορικής Εξέτασης: 26 Φεβρουαρίου 2008 Εξεταστική Επιτροπή Καθηγητής Ε.Κ. Πολυχρονιάδης, Επιβλέπων Αν. Καθηγητής Κ. Παρασκευόπουλος, Μέλος Τριμελούς Συμβουλευτικής Επιτροπής Επ. Καθηγητής Χ. Λιούτας, Μέλος Τριμελούς Συμβουλευτικής Επιτροπής Καθηγητής Θ. Καρακώστας, Εξεταστής Καθηγητής Α. Αναγνωστόπουλος, Εξεταστής Καθηγητής Γ. Στεργιούδης, Εξεταστής Αν. Καθηγητής Ν. Φράγκης, Εξεταστής Θεσσαλονίκη 2008

4 Αλκυόνη Μάντζαρη Α.Π.Θ. Τίτλος Διδακτορικής Διατριβής: Μελέτη των δομικών ιδιοτήτων 3C-SiC, κατάλληλου για ημιαγωγικές διαταξεις ISBN «Η έγκριση της παρούσης Διδακτορικής Διατριβής από το Τμήμα Φυσικής του Αριστοτελείου Πανεπιστημίου Θεσσαλονίκης δεν υποδηλώνει αποδοχή των γνωμών του συγγραφέως» (Ν. 5343/1932, άρθρο 202, παρ.2).

5 Περιεχόμενα Περίληψη Summary Πρόλογος Ευχαριστίες 1. Εισαγωγή Περίληψη Εφαρμογές του ανθρακοπυριτίου (SiC) Δομικές ατέλειες των κρυστάλλων SiC Ιστορική αναδρομή στη χρήση του SiC Κρυσταλλική δομή Κρυσταλλογραφία του SiC Δομή των πολυτύπων του SiC Συμπαγής συσσωμάτωση σφαιρών Πολύτυπα του SiC Φυσικές ιδιότητες Δομή της ενεργειακής ζώνης Προσμίξεις Τεχνικές ανάπτυξης κρυστάλλων SiC Ανάπτυξη από τήγμα Ανάπτυξη Lely Χημική εναπόθεση ατμών Μέθοδος Ατμού-Υγρού-Στερεού Φυσική μεταφορά ατμών Φυσική μεταφορά ατμών με συνεχή τροφοδότηση Μέθοδος μετακινούμενου θερμαντήρα Αντικείμενο διδακτορικής διατριβής..37 Αναφορές...39

6 2. Δομικός χαρακτηρισμός με Ηλεκτρονική Μικροσκοπία Διέλευσης Περίληψη Μελέτη της επίδρασης των συνθηκών ανάπτυξης στο σχηματισμό πολυτύπων και σφαλμάτων δομής Εισαγωγή Ανάπτυξη SiC με εξάχνωση απευθείας πάνω σε γραφίτη Συμπεράσματα Ανάπτυξη SiC με τη μέθοδο της φυσικής μεταφοράς ατμών (Physical Vapor Tranport PVT) Ανάπτυξη SiC πάνω σε υπόβαθρο 4H-SiC Ανάπτυξη 3C-SiC πάνω σε υπόβαθρο 6H-SiC Ανάπτυξη 3C-SiC πάνω σε υπόβαθρο 3C-SiC Συμπεράσματα Ανάπτυξη με τη μέθοδο της φυσικής μεταφοράς ατμών με συνεχή τροφοδότηση (Continuous Feed Physical Vapor Tranport CFPVT) Ανάπτυξη 3C-SiC πάνω σε υπόβαθρο 3C-SiC Ανάπτυξη 3C-SiC πάνω σε υπόβαθρο 6H-SiC Συμπεράσματα Ανάπτυξη με τη μέθοδο μετακινούμενου θερμαντήρα (Travelling Heater Method-THM) Ανάπτυξη 3C-SiC πάνω σε υπόβαθρο 6H-SiC Ανάπτυξη 3C-SiC πάνω σε υπόβαθρο 4H-SiC Συμπεράσματα Ανάπτυξη επιστρωμάτων 3C-SiC πάνω σε δισκία 3C-SiC με τη μέθοδο της χημικής εναπόθεσης ατμών..103 Συμπεράσματα Αναφορές Διεπιφάνειες αναστροφής στο κυβικό ανθρακοπυρίτιο: σύγκλιση και χαρακτηριστικά σε ατομικό επίπεδο Περίληψη Περιγραφή των διεπιφανειών αντίθετων φάσεων σε γεωμετρικό επίπεδο Δομή των διεπιφανειών αντίθετων φάσεων..128

7 3.1.2 Διεπιφάνειες αναστροφής στο κυβικό SiC Πειραματικό μέρος Μελέτη της σύγκλισης των διεπιφανειών αναστροφής με Συμβατική Ηλεκτρονική Μικροσκοπία Διέλευσης (Conventional Transmission Electron Microscopy-CTEM) Μελέτη δομικών σφαλμάτων με Ηλεκτρονική Μικροσκοπία Διέλευσης Υψηλής Διακριτικής Ικανότητας (High Resolution Transmission Electron Microscopy-HREM) Διεπιφάνειες αναστροφής τύπου {110} Διεπιφάνειες αναστροφής τύπου {111} Σφάλματα επιστοίβασης Συμπεράσματα..159 Αναφορές Οπτικός χαρακτηρισμός με φασματοσκοπία υπερύθρου Περίληψη Θεωρία οπτικής για το χαρακτηρισμό ημιαγωγών Ηλεκτρομαγνητικά κύματα στον ελεύθερο χώρο Ηλεκτρομαγνητικά κύματα στους ημιαγωγούς Ανακλαστικότητα, διαπερατότητα Οπτική απόκριση των ημιαγωγών στην υπέρυθρη ακτινοβολία Φωνόνια Πλασμόνια Σύζευξη διαμήκους οπτικού φωνονίου και πλασμονίου Φασματοσκοπία υπερύθρου με μετασχηματισμό Fourier Ταυτοποίηση πολυτύπων SiC σε πολυκρυσταλλικά δείγματα Ασθενείς τρόποι δόνησης των φωνονίων στα πολύτυπα του SiC Πειραματικά φάσματα-ταυτοποίηση πολυτύπων Μελέτη φασμάτων ανακλαστικότητας υμενίων SiC Θεωρητικά φάσματα ανακλαστικότητας 3C-SiC πάνω σε υπόβαθρο 3C-SiC Συμπαγές SiC...183

8 Υμένιο SiC πάνω σε υπόβαθρο SiC Πειραματικά φάσματα από υμένια SiC ανεπτυγμένα πάνω σε υπόβαθρο SiC Παχιά υμένια SiC ανεπτυγμένα πάνω σε υπόβαθρο 4H-SiC με τη μέθοδο της Φυσικής Μεταφοράς Ατμών Λεπτά υμένια 3C-SiC ανεπτυγμένα πάνω σε υπόβαθρο 3C-SiC με τη μέθοδο της Χημικής Εναπόθεσης Ατμών Συμπεράσματα Αναφορές Γενικά συμπεράσματα-θέματα για μελλοντική διερεύνηση 5.1 Γενικά συμπεράσματα Θέματα για μελλοντική διερεύνηση Λίστα δημοσιεύσεων..213

9 Περίληψη Το θέμα το οποίο πραγματεύεται η παρούσα διδακτορική διατριβή, είναι ο δομικός χαρακτηρισμός υμενίων ανθρακοπυριτίου (silicon carbide-sic) με την τεχνική της Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας Διέλευσης. Παράλληλα χρησιμοποιήθηκε ως συμπληρωματική μέθοδος η Φασματοσκοπία Υπερύθρου για τον οπτικό χαρακτηρισμό των δειγμάτων και την αναγνώριση των πολυτύπων στα πολυκρυσταλλικά δείγματα. Τα παχιά υμένια αναπτύχθηκαν με διάφορες τεχνικές όπως είναι η εξάχνωση, η φυσική μεταφορά ατμών, η φυσική μεταφορά ατμών με συνεχή τροφοδότηση και η μέθοδος μετακινούμενου θερμαντήρα, ενώ για την επιταξιακή ανάπτυξη επιστρωμάτων κυβικού SiC (3C-SiC) πάνω σε αυτοϋποστηριζόμενα δισκία 3C-SiC της εταιρείας Hoya, χρησιμοποιήθηκε η χημική εναπόθεση ατμών. Κύριος στόχος της παρούσας εργασίας, είναι η λεπτομερής παρατήρηση και μελέτη των δομικών χαρακτηριστικών των αναπτυσσόμενων υμενίων, ώστε να φανεί η σχέση που εμφανίζουν οι δομικές ατέλειες με τις χρησιμοποιηθείσες τεχνικές. Οι πληροφορίες αυτές είναι χρήσιμες στους ερευνητές που αναπτύσσουν τους κρυστάλλους δοκιμάζοντας τρόπους μείωσης των ατελειών, με αλλαγή των πειραματικών παραμέτρων κατά τη διάρκεια της ανάπτυξης με τελικό στόχο να επιτύχουν την ανάπτυξη 3C-SiC απαλλαγμένου από εκτεταμένες δομικές ατέλειες. Αρχικά μελετήθηκαν πολυκρυσταλλικά δείγματα SiC, τα οποία αναπτύχθηκαν με εξάχνωση απευθείας πάνω σε γραφίτη. Ανάλογα με το σχετικό κρυσταλλογραφικό τους προσανατολισμό, μερικοί κρυσταλλίτες αναπτυσσόταν γρηγορότερα, επικαλύπτοντας αυτούς που έχουν μικρότερο ρυθμό ανάπτυξης με αποτέλεσμα μόνο μερικοί μεγάλοι κρυσταλλίτες να εμφανίζονται στην επιφάνεια. Μάλιστα όσο αυξανόταν η θερμοκρασία ανάπτυξης, αυξανόταν επίσης η μέση διάμετρος των κρυσταλλιτών που φθάνουν στην επιφάνεια και μειωνόταν το ποσοστό των κρυσταλλιτών 3C-SiC. Η ταυτοποίηση των διαφόρων πολυτύπων πραγματοποιήθηκε επιπλέον χρησιμοποιώντας φάσματα ανακλαστικότητας στο υπέρυθρο. Τα πολύτυπα SiC καθορίστηκαν από τις γραμμές απορρόφησης των ασθενών φωνονίων στη ζώνη Reststrahlen για διάδοση του φωτός κάθετη στον άξονα c. Στη συνέχεια εξετάστηκαν παχιά υμένια SiC που αναπτύχθηκαν με τη μέθοδο της φυσικής μεταφοράς ατμών, πάνω σε διαφορετικά υπόβαθρα. Η χρήση υποβάθρου 4H-SiC, οδήγησε στην επιταξιακή ανάπτυξη ενός υμενίου 4H-SiC στη μία περίπτωση, ενώ σε μια άλλη περίπτωση σχηματίστηκε ένα υμένιο με διάφορα πολύτυπα όπως 4H, 6H και 8H-SiC. Τα φάσματα ανακλαστικότητας στο υπέρυθρο που λήφθηκαν για τα παραπάνω δείγματα, έδειξαν ότι το μονοκρυσταλλικό υμένιο 4H-SiC παρουσιάζει μεγαλύτερη συγκέντρωση φορέων σε σχέση με το υμένιο που περιέχει τα διάφορα πολύτυπα. Όταν χρησιμοποιήθηκε ως υπόβαθρο 6H-SiC, το αναπτυσσόμενο υμένιο ήταν το επιθυμητό 3C-SiC του οποίου οι κυριότερες δομικές ατέλειες ήταν σφάλματα επιστοίβασης με πυκνότητα που μειώθηκε σημαντικά μετά τα πρώτα 60 μm από τη διεπιφάνεια υποβάθρου/υμενίου, αλλά κατόπιν παρέμεινε σταθερή στα τελευταία 100 μm πριν την επιφάνεια έχοντας τιμή 3.5x10 3 cm -1. Τέλος η ανάπτυξη πάνω σε υπόβαθρο 3C-SiC της Hoya, είχε ως αποτέλεσμα να σχηματιστεί ένα υμένιο 3C με μεγάλη πυκνότητα δομικών σφαλμάτων, γεγονός που οφείλεται στην κακή ποιότητα του υποβάθρου από το οποίο ξεκίνησαν να διαδίδονται οι ατέλειες μέσα στο αναπτυσσόμενο υμένιο.

10 Τα παχιά υμένια 3C-SiC που αναπτύχθηκαν πάνω σε υπόβαθρο 3C-SiC της Hoya με τη μέθοδο της Φυσικής Μεταφοράς Ατμών με Συνεχή Τροφοδότηση, εμφάνισαν συναφείς διδυμίες (111) και μεγάλη πυκνότητα σφαλμάτων επιστοίβασης που σε ορισμένες περιοχές είχε ως αποτέλεσμα τη μετατροπή του πολυτύπου 3C σε 6H-SiC. Όταν όμως χρησιμοποιήθηκε ως υπόβαθρο 6H-SiC πάνω στο οποίο αναπτύχθηκε ένα αρχικό στρώμα 3C-SiC με τη μέθοδο Ατμού-Υγρού-Στερεού (Vapor-Liquid-Solid - VLS), δεν παρατηρήθηκε μετατροπή πολυτύπων στο αναπτυσσόμενο 3C υμένιο και το σημαντικότερο είναι ότι εντοπίστηκαν πολύ λιγότερες διδυμίες. Τα υμένια που αναπτύχθηκαν με τη μέθοδο του μετακινούμενου θερμαντήρα είναι κυρίως πολυκρυσταλλικά και περιέχουν σε πολλές περιπτώσεις εγκλείσματα πυριτίου τα οποία ορισμένες φορές φθάνουν μέχρι την επιφάνεια. Επίσης σε δείγματα κατά την ανάπτυξη των οποίων η ατμόσφαιρα ήταν πλούσια σε καθαρό άζωτο, παρατηρήθηκαν κρυσταλλίτες Si 3 N 4. Στη συνέχεια μελετήθηκαν επιστρώματα 3C-SiC τα οποία αναπτύχθηκαν με χημική εναπόθεση ατμών πάνω σε δισκία 3C-SiC της Hoya. Σε όλες τις περιπτώσεις παρατηρήθηκε ραγδαία μείωση της πυκνότητας ατελειών στα πρώτα 20 μm, ενώ κατόπιν παραμένει σταθερή μέχρι την μπροστινή ελεύθερη επιφάνεια με τιμή της τάξεως των 10 4 cm -1. Το αναπτυσσόμενο επίστρωμα βρίσκεται πάντοτε σε τέλεια επαφή και είναι κρυσταλλογραφικά ευθυγραμμισμένο με το υπόβαθρο. Σημαντικό είναι το γεγονός ότι σχηματίζεται τυχαία ένα επίστρωμα στην πίσω επιφάνεια του υποβάθρου. Η καλή ποιότητα αυτού του στρώματος και η ταχεία μείωση των ατελειών μέσα στα πρώτα μm υπογραμμίζει το σημαντικό ρόλο της υψηλής θερμοκρασίας εναπόθεσης (~1600 C). Με τη βοήθεια των φασμάτων ανακλαστικότητας που λήφθηκαν για δύο από τα παραπάνω δείγματα, συγκρίθηκε η συγκέντρωση φορέων μεταξύ των επιστρωμάτων αλλά και μεταξύ των υποβάθρων. Επίσης από τη διαδικασία ελαχιστοποίησης μεταξύ της πειραματικής ανακλαστικότητας του ενός δείγματος και της αντίστοιχης θεωρητικής, διαπιστώθηκε ότι το επίστρωμα έχει μικρότερη σταθερά απόσβεσης φορέων και συνεπώς μεγαλύτερη ευκινησία συγκριτικά με το υπόβαθρο. Η σύγκλιση των διεπιφανειών αναστροφής (Inversion Domain Boundaries-IDBs) που παρατηρήθηκε σε όλα τα αυτοϋποστηριζόμενα δισκία 3C-SiC της Hoya, μελετήθηκε λόγω της σπουδαιότητας της τόσο με Συμβατική όσο και με Υψηλής Διακριτικής Ικανότητας Ηλεκτρονική Μικροσκοπία Διέλευσης. Διαπιστώθηκε ότι ο φυσικός μηχανισμός που έχει ως αποτέλεσμα τη σύγκλιση των διεπιφανειών αναστροφής στο 3C-SiC, είναι η αλλαγή των κρυσταλλογραφικών επιπέδων στα οποία διαδίδονται τα IDBs. Μεγάλο ενδιαφέρον παρουσιάζει το γεγονός ότι οι διεπιφάνειες αναστροφής {110}, αλλάζουν προσανατολισμό και διαδίδονται εναλλάξ κατά μήκος των επιπέδων {111}, με αποτέλεσμα η διάδοση τους να πραγματοποιείται με τη μορφή zig-zag. Τέλος μελετήθηκαν τα σφάλματα επιστοίβασης που παρατηρήθηκαν σε ορισμένες περιοχές και διαπιστώθηκε σε ποιες περιπτώσεις ήταν εξωγενή και σε ποιες ενδογενή με απευθείας παρατήρηση της αλλαγής στη σειρά επιστοίβασης από τις πειραματικές εικόνες υψηλής διακριτικής ικανότητας. Τόσο για τις διεπιφάνειες αναστροφής, όσο και για τα σφάλματα επιστοίβασης, προτάθηκαν δομικά μοντέλα με βάση τα οποία πραγματοποιήθηκε υπολογιστική προσομοίωση με το πρόγραμμα EMS και η σύγκριση των προσομοιωμένων εικόνων με τις αντίστοιχες πειραματικές έδειξε καλή συμφωνία.

11 Summary The study reported in this thesis is related to the structural characterization of silicon carbide (SiC) crystals by Transmission Electron Microscopy. Fourier Transform Infrared Reflectivity was also employed as a complementary technique for the optical characterization of the samples and the identification of polytypes in the polycrystalline samples. Thick films were grown by different techniques such as sublimation, physical vapor transport, continuous feed physical vapor transport and the traveling heater method. The epitaxial growth of cubic SiC (3C- SiC) epilayers on free standing 3C-SiC wafers by Hoya was performed by chemical vapor deposition. The aim of this thesis is to define the structural characteristics of the grown films via detailed observation and study in such a way that they can be correlated with the used growth techniques. The information acquired is very useful for the researchers that want to grow crystals with reduced structural defects by changing the experimental parameters during growth with the aim to grow 3C-SiC films of good quality. At first polycrystalline SiC samples grown by sublimation on graphite were studied. According to their relative crystallographic orientation some of the grains grow faster, overlapping others which have slower growth rates. For this reason the number of crystallites reduces during growth and finally very few large grains exhibiting the fastest growth rate survive on the top of the ingot. As the growth temperature increases, the grain diameter on the top surface is also increased while the percentage of 3C-SiC crystallites is reduced. Infrared reflectivity spectra were also used for the identification of polytypes. SiC polytypes were determined from the weak phonon absorption lines in the Reststrahlen band with light propagation perpendicular to the c axis. Thick films of SiC grown by physical vapor transport on different substrates were also studied. In one case when 4H-SiC was used, the overgrown film was also 4H-SiC, while in another case different polytypes such as 4H, 6H and 8H-SiC were formed in the overgrowth. The reflectivity spectra for those two samples revealed that the monocrystalline 4H-SiC has a higher carrier concentration in comparison to the sample with the various polytypes. When 6H-SiC was used as a substrate, the overgrown film was the desired 3C-SiC with a stacking fault density significantly reduced after the first 60 μm from the substrate/film interface while it remained almost constant within the last 100 μm before the surface, having a value of 3.5x10 3 cm -1. Finally the growth on a 3C-SiC substrate by Hoya resulted in a 3C overgrowth with a high defect density because of the poor quality of the substrate. The thick 3C-SiC films grown on 3C-SiC Hoya substrates by the continuous feed physical vapor transport method had a lot of coherent (111) twins and high stacking fault density which resulted in the change of the 3C polytype to 6H in some areas. On the other hand when a 6H-SiC substrate with the 3C VLS (Vapor-Liquid-Solid) buffer layer was used, no polytype transformation was observed in the 3C overgrowth and twin formation was suppressed. The films grown by the traveling heater method were mainly polycrystalline and in many cases they had Si inclusions which sometimes reached the surface. Moreover when the growth atmosphere was rich in pure nitrogen, Si 3 N 4 crystallites were formed. 3C-SiC epilayers were grown by chemical vapor deposition on 3C-SiC Hoya wafers. In all cases the stacking fault density reduced rapidly within the first 20 µm of the growth and then it

12 remained constant at about 10 4 cm -1 up to the surface. The grown epilayer matches perfectly with the substrate and no interface could be distinguished between the substrate and the epilayer. In all the samples a 3C-SiC epilayer was deposited onto the backside of the wafers. The good quality of the back epilayer and the very fast reduction of the defects within the first μm reveal the important role of the high temperature deposition (at 1600 o C). From the reflectivity spectra for two samples it was possible to compare the carrier concentration between the epilayers and the substrates. The fitting process between the experimental reflectivity and the corresponding theoretical values for one sample revealed that the epilayer has a smaller damping constant and as a result a higher mobility than the substrate. The annihilation of the Inversion Domain Boundaries (IDBs) that was observed in all free standing Hoya wafers was studied by Conventional Transmission Electron Microscopy and by High Resolution Transmission Electron Microscopy. It was established that the physical mechanism that results in the annihilation of IDBs in 3C-SiC is the change of the crystallographic planes in which IDBs propagate. It is very interesting that {110} IDBs change their orientation by alternatively lying on the {111} planes which results in a zig-zag propagation. Finally stacking faults were studied in some areas and their extrinsic or intrinsic nature was determined with direct observation of the stacking sequence from the high resolution images. In all cases modelling and simulation analysis by EMS were in good agreement with the experimental results.

13 Πρόλογος Στην παρούσα διδακτορική διατριβή, πραγματοποιείται ο δομικός χαρακτηρισμός υμενίων ανθρακοπυριτίου (silicon carbide-sic) κυρίως με την τεχνική της Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας Διέλευσης. Επίσης ένα μέρος της πειραματικής διαδικασίας πραγματοποιήθηκε με Φασματοσκοπία Υπερύθρου η οποία χρησιμοποιήθηκε ως συμπληρωματική μέθοδος για τον οπτικό χαρακτηρισμό των δειγμάτων. Χρησιμοποιήθηκαν διάφορες μέθοδοι ανάπτυξης για τα παχιά υμένια όπως είναι η εξάχνωση, η φυσική μεταφορά ατμών, η φυσική μεταφορά ατμών με συνεχή τροφοδότηση και η μέθοδος μετακινούμενου θερμαντήρα, ενώ για την επιταξιακή ανάπτυξη επιστρωμάτων κυβικού SiC (3C-SiC) πάνω σε αυτοϋποστηριζόμενα δισκία 3C-SiC της εταιρείας Hoya, χρησιμοποιήθηκε η χημική εναπόθεση ατμών. Ο βασικότερος στόχος της παρούσας εργασίας, είναι η λεπτομερής παρατήρηση και μελέτη των δομικών χαρακτηριστικών των αναπτυσσόμενων υμενίων, ώστε να φανεί η σχέση που εμφανίζουν οι δομικές ατέλειες με τις χρησιμοποιηθείσες τεχνικές. Οι πληροφορίες αυτές είναι χρήσιμες στους ερευνητές που αναπτύσσουν τους κρυστάλλους δοκιμάζοντας τρόπους μείωσης των ατελειών, με αλλαγή των πειραματικών παραμέτρων κατά τη διάρκεια της ανάπτυξης. Το τελικό επιθυμητό αποτέλεσμα είναι η ανάπτυξη 3C-SiC απαλλαγμένου από εκτεταμένες δομικές ατέλειες. Στο πρώτο κεφάλαιο γίνεται μία εισαγωγή όπου αναφέρονται οι κυριότερες εφαρμογές του SiC σε συνδυασμό με τις βασικές δομικές ατέλειες που επηρεάζουν τις ηλεκτρονικές διατάξεις που βασίζονται σ αυτό. Επίσης γίνεται μια σύντομη ιστορική αναδρομή και περιγράφονται η δομή και οι σημαντικότερες τεχνικές ανάπτυξης του SiC. Στο δεύτερο κεφάλαιο πραγματοποιείται ο δομικός χαρακτηρισμός υμενίων SiC με Ηλεκτρονική Μικροσκοπία Διέλευσης, τα οποία αναπτύχθηκαν με διάφορες μεθόδους. Ακολουθεί το τρίτο κεφάλαιο όπου μελετώνται οι διεπιφάνειες αναστροφής που σχηματίζονται στο κυβικό ανθρακοπυρίτιο και διερευνάται η σύγκλιση τους τόσο με Συμβατική Ηλεκτρονική Μικροσκοπία Διέλευσης, όσο και με Ηλεκτρονική Μικροσκοπία Διέλευσης Υψηλής Διακριτικής Ικανότητας. Παράλληλα εξετάζονται τα σφάλματα επιστοίβασης που σχηματίζονται σε ορισμένες περιοχές και διακρίνονται σε εξωγενή και ενδογενή. Στο τέταρτο κεφάλαιο με τη χρήση φασμάτων ανακλαστικότητας

14 πραγματοποιείται ταυτοποίηση των πολυτύπων SiC που σχηματίζονται σε μια σειρά πολυκρυσταλλικών δειγμάτων. Κατόπιν με τη βοήθεια θεωρητικών φασμάτων ανακλαστικότητας, αναδεικνύονται οι οπτικές παράμετροι και ο τρόπος που επιδρούν στα φάσματα ανακλαστικότητας. Τα αποτελέσματα που προκύπτουν χρησιμοποιούνται για την ποιοτική και ποσοτική ανάλυση φασμάτων από υμένια SiC ανεπτυγμένα πάνω σε υπόβαθρο SiC. Τέλος στο πέμπτο κεφάλαιο εξάγονται τα γενικά συμπεράσματα και προτείνονται θέματα για μελλοντική διερεύνηση. Η διατριβή εκπονήθηκε κυρίως στο εργαστήριο Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας του Τμήματος Φυσικής του Αριστοτέλειου Πανεπιστήμιου Θεσσαλονίκης, υπό την καθοδήγηση του καθηγητή κ. Ε.Κ. Πολυχρονιάδη. Ένα μέρος της πειραματικής εργασίας πραγματοποιήθηκε στο εργαστήριο Φασματοσκοπίας Υπερύθρου (FTIR)- Ορατού/Υπεριώδους (UV/VIS) του Τμήματος Φυσικής Α.Π.Θ, όπου υπήρξε συμμετοχή σε πειράματα φασματοσκοπίας υπερύθρου. Επίσης υπήρξε συμμετοχή σε πειράματα ανάπτυξης δειγμάτων με τη μέθοδο της φυσικής μεταφοράς ατμών με συνεχή τροφοδότηση, στο εργαστήριο Laboratoire des Matériaux et du Génie Physique, INPGrenoble. Η παρούσα διδακτορική διατριβή πραγματοποιήθηκε στα πλαίσια του Ευρωπαϊκού προγράμματος «Κυβικό SiC για νέες ημιαγωγικές διατάξεις (New cubic Silicon Carbide material for innovative semiconductor Devices-SOLSIC)», και του κοινού Ερευνητικού και Τεχνολογικού πρόγραμματος Ελλάδας-Γαλλίας με τίτλο «Μελέτη του μηχανισμού ελάττωσης των σφαλμάτων δομής του κυβικού SiC (3C-SiC) κατά την κρυσταλλική του ανάπτυξη»,

15 Ευχαριστίες Θα ήθελα να εκφράσω τις θερμές μου ευχαριστίες στον επιβλέποντα της διδακτορικής μου διατριβής, καθηγητή κ. Ε.Κ. Πολυχρονιάδη για την ευκαιρία που μου έδωσε να μελετήσω ένα πολύ ενδιαφέρον υλικό όπως το ανθρακοπυρίτιο το οποίο ερευνάται σε διεθνές επίπεδο. Η εποικοδομητική καθοδήγηση του και η επιστημονική του εμπειρία, υπήρξαν πολύτιμες καθ όλη τη διάρκεια εκπόνησης της διδακτορικής μου διατριβής. Επίσης θα ήθελα να ευχαριστήσω πολύ τον αναπληρωτή καθηγητή κ. Κ. Παρασκευόπουλο για τη δυνατότητα που μου παρείχε να μελετήσω μέρος των δειγμάτων με Φασματοσκοπία Υπερύθρου. Ευχαριστώ ιδιαιτέρως τον επίκουρο καθηγητή κ. Χ. Λιούτα του οποίου η βοήθεια όσον αφορά στο μέρος της διατριβής που περιλαμβάνει παρατηρήσεις με Ηλεκτρονική Μικροσκοπία Διέλευσης Υψηλής Διακριτικής Ικανότητας, ήταν πολύτιμη. Ευχαριστώ θερμά τον ομότιμο καθηγητή κ. Ι. Στοϊμένο, του οποίου η πολυετής εμπειρία πάνω σε θέματα Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας για το ανθρακοπυρίτιο με βοήθησε να κατανοήσω σε βάθος το υλικό. Ευχαριστίες οφείλω επίσης στην επίκουρο καθηγήτρια κα. Ε. Παυλίδου για τη μελέτη με Ηλεκτρονική Μικροσκοπίας Σάρωσης ενός δείγματος. Τον λέκτορα κ. Μ. Αγγελακέρη για τη χρήση του οπτικού μικροσκοπίου. Επιπλέον ευχαριστώ ιδιαιτέρως την κα. Τ. Ζορμπά και τον κ. Θ. Χασάπη από το εργαστήριο Φασματοσκοπίας Υπερύθρου (FTIR)-Ορατού/Υπεριώδους (UV/VIS) του Τμήματος Φυσικής Α.Π.Θ, για την πολύτιμη βοήθεια τους στα πειράματα φασματοσκοπίας. Ευχαριστώ τους ερευνητές D. Chaussende και G. Ferro των εργαστηρίων Laboratoire des Matériaux et du Génie Physique (CNRS), INPGrenoble-Minatec και Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces Université Claude Bernard Lyon αντίστοιχα, για τις ερευνητικές επισκέψεις που πραγματοποίησα στα εργαστήρια τους και για την ευκαιρία που μου παρείχαν να συμμετέχω σε πειράματα ανάπτυξης. Επίσης θα ήθελα να ευχαριστήσω όλο το έμψυχο δυναμικό του εργαστηρίου Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας για τη συνεργασία που είχα μαζί τους. Συγκεκριμένα, τον κ. Β. Καλαϊτζίδη για την πολύτιμη βοήθεια και τις χρήσιμες συμβουλές του καθ όλη τη διάρκεια εκπόνησης της διδακτορικής μου διατριβής. Την κα. Α. Παντούση για την εκτύπωση φωτογραφιών και τον διδάκτορα Ι. Τσιαούση για τις χρήσιμες συμβουλές του.

16 Επιπλέον τις υποψήφιες διδάκτορες Α. Ανδρεάδου, Δ. Σακελλάρη και Μ. Marinova για την άψογη συνεργασία που είχα μαζί τους και την αλληλοδιάχυση γνώσεων που υπήρχε μεταξύ μας. Θα ήθελα ακόμη να ευχαριστήσω τον διδάκτορα κ. Π. Κάβουρα και την υποψήφια διδάκτορα κα. Ε. Τσιλίκα για ένα μέρος των εικόνων οπτικού μικροσκοπίου. Τέλος ευχαριστώ τα μέλη της οικογένειας μου και όλους τους δικούς μου ανθρώπους που μου συμπαραστάθηκαν καθ όλη τη διάρκεια της διατριβής μου.

17 Εισαγωγή Κεφάλαιο 1: Εισαγωγή Περίληψη Στο εισαγωγικό αυτό κεφάλαιο αναφέρονται αρχικά οι εφαρμογές του ανθρακοπυριτίου (Silicon Carbide-SiC) οι οποίες παρουσιάζουν μεγάλο ενδιαφέρον παγκοσμίως, σε συνδυασμό με τις κυριότερες δομικές ατέλειες που επηρεάζουν τις ηλεκτρονικές διατάξεις που βασίζονται σ αυτό. Έτσι δικαιολογείται η αναγκαιότητα της λεπτομερούς μελέτης των δομικών ατελειών. Στη συνέχεια μετά από μία σύντομη ιστορική αναδρομή περιγράφονται η κρυσταλλική δομή και οι βασικές ιδιότητες του ανθρακοπυριτίου στις οποίες βασίζονται οι εφαρμογές. Τέλος παρουσιάζονται οι σημαντικότερες τεχνικές ανάπτυξης του SiC και αναλύονται σε μεγαλύτερο βάθος οι μέθοδοι που χρησιμοποιήθηκαν για την ανάπτυξη των κρυστάλλων που μελετήθηκαν στην παρούσα διατριβή, ώστε να φανεί η σχέση που εμφανίζουν οι χρησιμοποιηθείσες τεχνικές με τις δομικές ατέλειες που δημιουργούνται στον αναπτυσσόμενο κρύσταλλο. Αυτό δε το τελευταίο αναδεικνύει το στόχο της παρούσας διδακτορικής διατριβής. Α. Μάντζαρη 1

18 Εισαγωγή 1.1 ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΤΟΥ ΑΝΘΡΑΚΟΠΥΡΙΤΙΟΥ (SiC) Τα κρυσταλλικά υλικά είναι απαραίτητα για εφαρμογή σε ηλεκτρονικές διατάξεις. Ένας από τους κρυσταλλικούς ημιαγωγούς που παρουσιάζει αξιοσημείωτες ιδιότητες είναι το ανθρακοπυρίτιο. Η ανάπτυξη του SiC στις ηλεκτρονικές διατάξεις αποτελεί αντικείμενο έρευνας για πολλά έτη εξαιτίας του εξαιρετικού συνδυασμού φυσικών ιδιοτήτων, κατάλληλων για εφαρμογές σε ηλεκτρονικές διατάξεις υψηλής θερμοκρασίας, υψηλής συχνότητας και υψηλής ισχύος [1,2,3]. Επιπλέον το ευρύ ενεργειακό χάσμα του SiC χρησιμεύει στους ανιχνευτές υπεριώδους ακτινοβολίας και στα λέιζερ μπλε φωτός. Φωτοδίοδοι εκπομπής (LEDs) μπλε φωτός [4] υπάρχουν ήδη σε εμπορική παραγωγή εδώ και κάποια χρόνια. Οι ηλεκτρονικές διατάξεις και οι αισθητήρες από SiC πρόκειται να παίξουν ένα πολύ σημαντικό ρόλο στις τεχνολογίες μετατροπών ενέργειας και μεταφορών του 21 ου αιώνα. Οι απαιτήσεις για μείωση των αερίων που προκαλούν το φαινόμενο του θερμοκηπίου σε συνδυασμό με την ελάττωση των φυσικών πηγών καυσίμων, θα οδηγήσουν στη χρήση του ηλεκτρισμού ως το προτιμητέο μηχανισμό για τη λήψη ενέργειας. Η αποτελεσματική μετατροπή της ηλεκτρικής ενέργειας μπορεί να επιτευχθεί με τη χρήση των ηλεκτρονικών ισχύος τα οποία αποτελούν μια τεχνολογία που πρόκειται να εξελιχθεί ραγδαία στις επόμενες δεκαετίες. Το SiC όπως και άλλοι ημιαγωγοί ευρέως χάσματος, προσφέρουν τη δυνατότητα για σημαντικές βελτιώσεις στην αποτελεσματικότητα και το εύρος των εφαρμογών για ηλεκτρονικά ισχύος. Η ικανότητα του SiC να λειτουργεί κάτω από ακραίες συνθήκες, αναμένεται να επιφέρει μεγάλες βελτιώσεις σε ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών. Αυτές περιλαμβάνουν εξαιρετικά βελτιωμένους διακόπτες υψηλής ισχύος για εξοικονόμηση ενέργειας στη δημόσια διανομή ηλεκτρικού ρεύματος και σε ηλεκτροκίνητες μηχανές, καθώς επίσης αισθητήρες για καλύτερη και πιο αποτελεσματική καύση σε αεροσκάφη και αυτοκινούμενες μηχανές. Επομένως είναι ένα υλικό που συμβάλλει σε πολλές καινοτόμες εξελίξεις στην ενέργεια και τις μεταφορές, όπως στα ηλεκτρονικά υψηλής ισχύος για τα αεροσκάφη, για υβριδικά ηλεκτροκίνητα οχήματα ή για εφαρμογές στο δίκτυο διανομής του ηλεκτρισμού όπου απαιτούνται διακόπτες υψηλής ταχύτητας και υψηλής τάσης. Η ευρύτερη του χρήση στις περισσότερες των εφαρμογών που αναφέρθηκαν, είναι η χρήση του ως υπόστρωμα. Α. Μάντζαρη 2

19 Εισαγωγή Παραδείγματα συσκευών που υπάρχουν σήμερα και βασίζονται στην τεχνολογία του SiC είναι: υψηλής φωτεινότητας και υπερφωτεινά μπλε και πράσινα LEDs από InGaN, τα οποία εκμεταλλεύονται στο έπακρο την ηλεκτρική αγωγιμότητα των υποστρωμάτων 6H-SiC χρησιμοποιώντας ένα αγώγιμο αρχικό (buffer) απομονωτικό στρώμα AlGaN, MESFETs (Metal Epitaxial Semiconductor Field Effect Transistors) μικροκυμάτων πάνω σε ημιαγώγιμα υποστρώματα 4H-SiC με πυκνότητες ισχύος που φτάνουν τα 4.6 W/mm στα 3.5 GHz και συνολική CW ισχύ εξόδου των 100W στα 2 GHz από ένα μοναδικό τσιπ, διόδους p-i-n των 20 kv και 25Α που κατασκευάζονται πάνω σε υψηλής ποιότητας επιταξιακά στρώματα SiC, θυρίστορες 1 cm 2 που επάγουν 300Α στα 5.5V με τάση φραγμού 1770V και τέλος HEMTs (High Electron Mobility Transistors) GaN/AlGaN που κατασκευάζονται σε ημιαγώγιμα υποστρώματα 4H-SiC παρουσιάζοντας πυκνότητες ισχύος των 11.4 W/mm στα 10 GHz [5]. Η κατασκευή μεγάλης κλίμακας ηλεκτρονικών διατάξεων, απαιτεί μια συνεχή παραγωγή καλής ποιότητας δισκίων (wafers) SiC. Ωστόσο υφίστανται ακόμη κάποια βασικά προβλήματα στην ανάπτυξη του SiC, τα οποία περιορίζουν την εμπορική χρήση αυτού του υλικού και κυρίως του κυβικού πολύτυπου. Τα προβλήματα αυτά σχετίζονται με το μέγεθος των κρυστάλλων και με την ύπαρξη εκτεταμένων μικροσκοπικών δομικών ατελειών. 1.2 ΔΟΜΙΚΕΣ ΑΤΕΛΕΙΕΣ ΤΩΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΩΝ SiC Στόχος της παρούσας διατριβής είναι ο χαρακτηρισμός και η μελέτη των δομικών ατελειών που σχηματίζονται σε υμένια SiC τα οποία έχουν αναπτυχθεί ομοεπιταξιακά ή ετεροεπιταξιακά πάνω σε υπόβαθρο SiC με διάφορες μεθόδους ανάπτυξης. Γενικά οι πιο συχνές ατέλειες που σχηματίζονται στους αναπτυσσόμενους κρυστάλλους SiC είναι οι μικροσήραγγες (micropipes), οι εξαρμόσεις, οι διεπιφάνειες κρυσταλλιτών μικρής γωνίας (Low Angle Grain Boundary-LAGBs), τα σφάλματα επιστοίβασης (stacking faults-sfs), οι διδυμίες (twins), οι διεπιφάνειες αναστροφής (Inversion Domain Boundaries-IDBs) και τα εγκλείσματα διάφορων πολυτύπων. Α. Μάντζαρη 3

20 Εισαγωγή Οι περισσότερο καταστροφικές ατέλειες που εμφανίζονται σε κρυστάλλους οι οποίοι αναπτύσσονται με τη μέθοδο της Φυσικής Μεταφοράς Ατμών, είναι οι μικροσήραγγες. Οι μικροσήραγγες είναι κοίλες ατέλειες που ευθυγραμμίζονται κατά μήκος του άξονα c στους εξαγωνικούς ή ρομβοεδρικούς κρυστάλλους και μπορούν να διεισδύσουν σε όλο τον κρύσταλλο. Οι κυριότερες απόψεις για το σχηματισμό των μικροσηράγγων βασίζονται στη θεωρία του Frank [6], σύμφωνα με την οποία η μικροσήραγγα είναι μια εξάρμοση ελίκωσης με κοίλο πυρήνα, που έχει ένα τεράστιο διάνυσμα Burger και η διάμετρος του πυρήνα σχετίζεται άμεσα με το μέγεθος αυτού του διανύσματος. Κάθε μικροσήραγγα που υπάρχει στην περιοχή μιας ηλεκτρονικής διάταξης, περιορίζει τη λειτουργία της σε υψηλή τάση. Ακόμη και μία μικροσήραγγα σε μια ενεργή περιοχή μιας διάταξης υψηλής ισχύος μπορεί να οδηγήσει σε ηλεκτρική εκκένωση. Αν και οι μικροσήραγγες αποτελούν ένα πολύ σημαντικό εμπόδιο στην παραγωγή συσκευών SiC υψηλής απόδοσης [7], ειδικά για υψηλές τάσεις ή για διατάξεις ισχύος υψηλού ρεύματος, τα τελευταία έτη έχει επιτευχθεί σημαντική μείωση της πυκνότητας τους στους αναπτυσσόμενους κρυστάλλους. Παρά το γεγονός ότι οι εξαρμόσεις δεν έχουν τόσο επιβλαβείς συνέπειες όσο οι μικροσήραγγες, μπορούν να θεωρηθούν προβληματικές αν διαδίδονται από το υπόβαθρο προς το αναπτυσσόμενο SiC προκαλώντας μία μετρήσιμη υποβάθμιση της διάταξης. Οι νηματοειδείς εξαρμόσεις ελίκωσης (threading screw dislocations) συνεισφέρουν σε πρόωρη κατάρρευση [8] και επιπροσθέτως μπορούν να παράγουν άλλες επιταξιακές ατέλειες [9]. Έχει δειχθεί ότι οι στοιχειώδεις εξαρμόσεις ελίκωσης (διάνυσμα Burger=1c), υποβαθμίζουν την ανάστροφη διαρροή και τις ιδιότητες κατάρρευσης σε διόδους p + n από 4H-SiC κατά 5%-35% σε σχέση με διόδους που δεν περιέχουν εξαρμόσεις ελίκωσης. Παρόλα αυτά δεν επιδρούν σημαντικά στις ιδιότητες αστοχίας αυτών των διόδων, όταν υποβάλλονται σε παλμούς μη αδιαβατικής πόλωσης κατάρρευσης, μικρότερους από 20μs [10]. Οι νηματοειδείς εξαρμόσεις ακμής (threading edge dislocations) παρότι καθορίζουν τις διεπιφάνειες κρυσταλλιτών μικρής γωνίας και δεν είναι επιθυμητές, θεωρούνται λιγότερο επιβλαβείς από τις νηματοειδείς εξαρμόσεις ελίκωσης και τις εξαρμόσεις στο βασικό επίπεδο (basal plane dislocations). Σε υποστρώματα που σχηματίζουν γωνίες σε σχέση με τον άξονα c των εξαγωνικών πολυτύπων, το βασικό επίπεδο του κρυστάλλου έχει κλίση σε σχέση με την επιφάνεια του δισκίου. Έτσι εξαρμόσεις στο Α. Μάντζαρη 4

21 Εισαγωγή βασικό επίπεδο διαδίδονται απευθείας μέσα στο επιταξιακό στρώμα. Οι περισσότερες από αυτές μετατρέπονται στις πιο ήπιες νηματοειδείς εξαρμόσεις ακμής κατά τη διάρκεια της ανάπτυξης. Ωστόσο αν κάποιες διαδοθούν και περιλαμβάνονται στην ενεργή περιοχή μιας διάταξης, μπορούν να προκαλέσουν ολίσθηση V f, σε αμφιπολικές διατάξεις. Συχνά παρατηρούνται επίσης διεπιφάνειες κρυσταλλιτών μικρής γωνίας που οριοθετούνται από περιοχές με υψηλή πυκνότητα εξαρμόσεων. Αν ως υποστρώματα χρησιμοποιηθούν κρύσταλλοι SiC με διεπιφάνειες κρυσταλλιτών μικρής γωνίας, τότε οι διεπιφάνειες αναπαράγονται στα επιταξιακά στρώματα της διάταξης με συνέπεια να εμφανίζεται αρνητική επίδραση στην απόδοση της. Επιπλέον οι διεπιφάνειες κρυσταλλιτών μικρής γωνίας μπορούν να συγκεντρώσουν τάσεις και να αυξήσουν την πιθανότητα ρωγμής του δισκίου SiC. Έχει βρεθεί ότι η κύρια αιτία εμφάνισης αυτών των ατελειών σε κρυστάλλους SiC που παράγονται με τη μέθοδο της Φυσικής Μεταφοράς Ατμών, είναι τα εγκλείσματα διαφορετικών πολυτύπων [11]. Πειράματα έδειξαν επίσης ότι οι διεπιφάνειες κρυσταλλιτών μικρής γωνίας εμφανίζονται κατά προτίμηση στην περιφέρεια των δισκίων SiC. Τα σφάλματα επιστοίβασης όπως και οι συναφείς διδυμίες θα αναμενόταν να είναι σχετικά ήπιες ατέλειες όσον αφορά την επίδραση τους στις ηλεκτρονικές διατάξεις, μια και αποτελούν απλώς διαφορετικές επιστοιβάσεις του βασικού επιπέδου. Εντούτοις μελέτες που έγιναν σε διόδους SiC κάτω από μεγάλης διάρκειας λειτουργία, έδειξαν μια χειροτέρευση των καμπυλών ρεύματος-τάσης (I-V), γνωστή ως «ηλεκτρονική τάση» [12,13]. Τα σφάλματα επιστοίβασης σε διόδους Schottky κατασκευασμένες πάνω σε (0001) επιστρώματα 4H-SiC με μεγάλο πάχος [14] επηρεάζουν τα χαρακτηριστικά της καμπύλης I-V και ειδικά το ύψος του φράγματος Schottky και την τάση κατάρρευσης με αποτέλεσμα οι δίοδοι που περιείχαν σφάλματα επιστοίβασης να παρουσιάσουν κατά προσέγγιση 20% μικρότερη τάση κατάρρευσης. Επίσης δίοδοι Schottky πάνω σε ( 1120) επιστρώματα 4H-SiC, παρουσίασαν αυξημένο ρεύμα διαρροής και μείωση του ύψους του φράγματος Schottky [15]. Όταν τα σφάλματα επιστοίβασης αναπτύσσονται σε μία δίοδο p-i-n από SiC, εισάγουν κβαντικά πηγάδια που λειτουργούν ως κέντρα ανασυνδυασμού. Αυτό έχει ως συνέπεια να μειώνεται ο χρόνος ζωής των φορέων μειονότητας, να Α. Μάντζαρη 5

22 Εισαγωγή αυξάνεται η αντίσταση στην περιοχή ολίσθησης και να αυξάνεται η πτώση της τάσης για να επάγει το ίδιο ρεύμα [16]. Εξαιτίας των ασταθειών στις συνθήκες ανάπτυξης, μπορεί να συμβεί μετατροπή ενός πολυτύπου σε κάποιο άλλο. Αυτό έχει ως συνέπεια να αλλάζουν οι ηλεκτρικές ιδιότητες και το ενεργειακό χάσμα του υλικού και παράλληλα να δημιουργούνται θέσεις πυρηνοποίησης για μικροσήραγγες στους εξαγωνικούς κρυστάλλους. Επιπλέον έχει παρατηρηθεί ότι τα εγκλείσματα διαφορετικών πολυτύπων μέσα στο βασικό υλικό, μειώνουν την τάση κατάρρευσης των διατάξεων. Οποιαδήποτε λοιπόν δομική ατέλεια οδηγεί σε υποβάθμιση ή και καταστροφή των ηλεκτρονικών διατάξεων που βασίζονται στο SiC. Επομένως είναι σημαντικό να γνωρίζουμε τις λεπτομέρειες σχηματισμού των ατελειών αυτών. Οι πληροφορίες αυτές μπορούν να χρησιμεύσουν στους ερευνητές που επιχειρούν να αναπτύξουν κρυστάλλους δοκιμάζοντας τρόπους μείωσης των ατελειών, με αλλαγή των πειραματικών παραμέτρων κατά τη διάρκεια της ανάπτυξης. Αυτό δικαιολογεί και το σκοπό της διατριβής, εφ όσον η εξήγηση των παρατηρήσεων μας, μας επιτρέπει να βγάλουμε κάποια συμπεράσματα για το σχηματισμό των ατελειών και πώς σχετίζονται με τους μηχανισμούς ανάπτυξης. 1.3 ΙΣΤΟΡΙΚΗ ΑΝΑΔΡΟΜΗ ΣΤΗ ΧΡΗΣΗ ΤΟΥ SiC Το ανθρακοπυρίτιο είναι το μόνο σταθερό συστατικό στο σύστημα Si-C σε ατμοσφαιρική πίεση και παρατηρήθηκε πρώτα από τον Jöns Berzelius το 1824 [17]. Η ανάπτυξη πολυκρυσταλλικού SiC με ηλεκτρικό φούρνο τήξης επιτεύχθηκε από τον Eugene Acheson γύρω στο 1885 [18,19], ο οποίος πρώτος του έδωσε το χημικό τύπο SiC και το εισήγαγε στην αγορά κυρίως ως υλικό λείανσης. Σήμερα η παγκόσμια παραγωγή σε τεχνητό SiC που αναπτύσσεται με τη μέθοδο του Acheson, είναι περισσότεροι από τόνοι τον χρόνο. Η μόνη εμφάνιση του SiC στη φύση είναι στους μετεωρίτες [20] με συνέπεια να μην υπάρχει δυνατότητα εξόρυξης του αλλά να πρέπει να αναπτυχθεί συνήθως με πολύπλοκες τεχνικές. Στις πολυκρυσταλλικές μορφές του, το SiC αποτελεί ένα πολύ καλό υλικό για εφαρμογές υψηλής θερμοκρασίας και υψηλής ισχύος, ενώ έχει μελετηθεί σχετικά Α. Μάντζαρη 6

23 Εισαγωγή πρόσφατα ως ημιαγωγός. Το πρώτο επιστημονικό άρθρο που περιγράφει τις ηλεκτρικές ιδιότητες του SiC, δημοσιεύτηκε το 1907 από τον G.W. Pierce [21]. Πολλά χρόνια αργότερα βγήκαν στην αγορά ανιχνευτές SiC για χρήση σε ραδιοδέκτες. Χρειαζόντουσαν πόλωση μερικών volt και ήταν λιγότερο ευαίσθητοι από αυτούς που φτιάχτηκαν από γαληνίτη, αλλά ήταν μηχανικά περισσότερο σταθεροί. Το 1955 ο Jan Antony Lely πρότεινε μία καινούρια μέθοδο (η οποία φέρει το όνομα του) για την ανάπτυξη υψηλής ποιότητας κρυστάλλων [22,23]. Ανέπτυξε εξαγωνικά δισκία SiC εξαερώνοντας σκόνη SiC στους 2500 C μέσα σε χωνευτήριο από γραφίτη και κάτω από συνθήκες υψηλής καθαρότητας. Έτσι το ενδιαφέρον για το SiC άρχισε να επεκτείνεται συνεχώς, με αποτέλεσμα να πραγματοποιηθεί το 1958 στη Βοστόνη το πρώτο συνέδριο για το SiC. Κατά τη διάρκεια της δεκαετίας του 60 και του 70, το SiC μελετήθηκε κυρίως στην πρώην Σοβιετική Ένωση [24-33]. Το 1978 σημειώθηκε ένα μεγάλο βήμα στην ανάπτυξη του SiC, με τη χρήση μιας τεχνικής ανάπτυξης με εξάχνωση, γνωστή ως τροποποιημένη μέθοδο Lely από τους Yu.M. Tairov και V.F. Tsvetkov [34,35]. Αυτή η πρόοδος οδήγησε στη δυνατότητα προετοιμασίας συμπαγούς SiC. Στα μέσα της δεκαετίας του 80 μία νέα μέθοδος με επιταξία αέριας φάσης (vapor phase epitaxy) του SiC, αναπτύχθηκε στο πανεπιστήμιο του Kyoto από τους H. Matsunami, K. Shibahara, N. Kuroda, W. Yoo, and S. Nishino [36,37]. Με αυτή τη μέθοδο αναπτύχθηκε επιταξιακό στρώμα SiC πάνω σε (0001) υπόβαθρο 6H-SiC με επιφανειακή όψη πυριτίου (Si-face), το οποίο είναι προσανατολισμένο σε σχέση με το βασικό επίπεδο (basal plane) κατά γωνία ως προς τη διεύθυνση Έτσι αναπτύχθηκαν πολύ καλής ποιότητας στρώματα SiC με σταθερά πολύτυπα, σε ατμοσφαιρική πίεση και θερμοκρασίες C. Η πρώτη φωτοδίοδος μπλε φωτός είχε ήδη κατασκευαστεί το 1979 και το 1987 ιδρύθηκε η Cree Research Inc., η πρώτη εταιρία που προμήθευσε υποστρώματα SiC στο εμπόριο. Σήμερα υπάρχουν λίγες εταιρίες και πολλές ερευνητικές ομάδες στο πεδίο του SiC αλλά η βιομηχανία του SiC εξακολουθεί να παραμένει περιορισμένη. Αρχικά η βιομηχανία του SiC επικεντρώθηκε γύρω από τις φωτοδιόδους μπλε φωτός οι οποίες ήταν αδύνατον να κατασκευαστούν με τη χρήση της συμβατικής τεχνολογίας πυριτίου (Si). Οι δυνατότητες της βιομηχανίας ηλεκτρονικών είναι πολύ μεγαλύτερες και το ενδιαφέρον άρχισε να αυξάνεται αφού η πρόοδος στις συσκευές Si έμεινε στάσιμη. Το γεγονός αυτό εξηγεί την ραγδαία Α. Μάντζαρη 7

24 Εισαγωγή αυξανόμενη έρευνα στην ανάπτυξη του SiC. Το διεθνές ενδιαφέρον για το υλικό αυτό αποδεικνύεται από το γεγονός ότι κάθε δύο έτη διοργανώνεται το Διεθνές Συνέδριο για το SiC και σχετικά υλικά (International Conference on Silicon Carbide and Related Materials-ICSCRM) που ξεκίνησε για πρώτη φορά το 1987 στην Washington D.C. και στα παρεμβαλλόμενα έτη το αντίστοιχο Ευρωπαϊκό Συνέδριο (European Conference on Silicon Carbide and Related Materials-ECSCRM), το οποίο διοργανώθηκε για πρώτη φορά το 1996 στην Κρήτη. 1.4 ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΗ ΔΟΜΗ Κρυσταλλογραφία του SiC Ο δεσμός Si-C είναι κυρίως ομοιοπολικός, με ένα μικρό βαθμό ιοντικότητας. Ο ιοντικός χαρακτήρας του δεσμού οφείλεται στη μεγάλη διαφορά μεγέθους μεταξύ των ατόμων πυριτίου και άνθρακα. Σύμφωνα με την ακτίνα των ατόμων Si και C με βάση τον ομοιοπολικό δεσμό (r Si =0.111nm, r C =0.077nm), απαιτείται μια απόσταση του δεσμού Si-C ίση με 0.188nm, ενώ η ιοντική ακτίνα των ιόντων Si 4+ και C 4- ( r Si 4+ = 0.041nm, r C 4 = nm ) απαιτεί μια απόσταση Si-C των 0.179nm. Η πραγματική απόσταση του δεσμού Si-C είναι 0.189nm, γεγονός που επιβεβαιώνει ότι ο δεσμός είναι κυρίως ομοιοπολικός. Ο λόγος των αξόνων c/a=0.818n, όπου n είναι ο αριθμός των διπλών στρωμάτων Si-C στη μοναδιαία κυψελίδα, είναι πολύ κοντά στη θεωρητική τιμή των n. Επομένως η διάταξη των ατόμων Si και C στη δομή του SiC είναι σχεδόν ακριβώς τετραεδρική. Στο σχήμα 1.1(α) παρουσιάζεται ένα από αυτά τα τετράεδρα στο οποίο οι τέσσερις γωνίες του καταλαμβάνονται από ένα άτομο πυριτίου (ή άνθρακα) και στο κέντρο του βρίσκεται ένα άτομο άνθρακα (ή πυριτίου). Στο σχήμα 1.1(α) θεωρούμε ως άξονα c, έναν από τους δεσμούς Si-C. Έτσι το τετράεδρο έχει συμμετρία με άξονα περιστροφής 3 ης τάξης γύρω από οποιοδήποτε από τους δεσμούς που συνδέουν το κεντρικό άτομο με ένα γωνιακό άτομο και συγκεκριμένα γύρω από τον άξονα c. Ο άξονας c είναι παράλληλος με τη διεύθυνση [0001], με συνέπεια το τρίγωνο της βάσης να είναι παράλληλο στο κάθετο του επίπεδο (0001). Επιπλέον οι άκρες του τριγώνου της βάσης καθορίζουν τις τρεις Α. Μάντζαρη 8

25 Εισαγωγή διευθύνσεις < >. Η συμμετρία με άξονα περιστροφής 3 ης τάξης του τετραέδρου γύρω από τον άξονα c, σημαίνει ότι η περιστροφή κατά γύρω από τον άξονα σπάει τη συμμετρία 3 ης τάξης και δημιουργεί μια άλλη δομή (σχ. 1.1β) που ονομάζεται «δίδυμη» δομή σε σχέση με την «κανονική» του σχήματος 1.1(α). Η προβολή του τετράεδρου του σχήματος 1.1(α) κατά τη διεύθυνση [112 0] φαίνεται στο σχήμα 1.1(γ) και του «δίδυμου» τετράεδρου αντίστοιχα στο σχήμα 1.1(δ). Οι γραμμές σε κάθε τρίγωνο δείχνουν τους δεσμούς Si-C, ενώ οι διπλές γραμμές δείχνουν τους δύο δεσμούς του ατόμου του C με τα δύο άτομα Si στη βάση του τετράεδρου που αλληλεπικαλύπτονται σ αυτή την προβολή. (α) (β) Σχήμα 1.1: (α) τετράεδρο SiC όπου ο άξονας c συμπίπτει με τον κατακόρυφο δεσμό Si-C, (β) «δίδυμο» τετράεδρο SiC που προκύπτει από περιστροφή του κανονικού κατά γύρω από τον άξονα c, (γ) προβολή του τετραέδρου SiC κατά την διεύθυνση [1120], (δ) προβολή του «δίδυμου» τετράεδρου SiC κατά την διεύθυνση [112 0]. Α. Μάντζαρη 9

26 Εισαγωγή Στην περίπτωση του SiC, η βασική δομική μονάδα είναι η διπλή στρώση ατόμων (bilayer) Si-C. Τα ζεύγη Si-C σε μία διπλή στρώση που χαρακτηρίζεται ως το βασικό επίπεδο (basal plane), σχηματίζουν μία εξαγωνική δομή συμπαγούς συσσωμάτωσης (σχήμα 1.2). Σχήμα 1.2: Βασικό επίπεδο (Α) της εξαγωνικής δομής συμπαγούς συσσωμάτωσης με τις πιθανές θέσεις επιστοίβασης (Β ή C) των διαδοχικών στρωμάτων και τους άξονες h 1, h 2 και h 3 του εξαγωνικού συστήματος συντεταγμένων. Ο άξονας c είναι κάθετος στο επίπεδο του σχήματος και έχει φορά προς τα πάνω Δομή των πολυτύπων του SiC Το φαινόμενο κατά το οποίο μία ένωση εμφανίζει περισσότερες από μία κρυσταλλικές δομές, ονομάζεται πολυμορφισμός. Σ αυτή την περίπτωση η ένωση χαρακτηρίζεται ως πολυμορφική και κάθε σταθερή φάση αυτής αποτελεί ένα πολύμορφο. Γενικά κάθε πολύμορφο είναι θερμοδυναμικά σταθερό σε συγκεκριμένη περιοχή θερμοκρασίας και πίεσης και η δομή του μπορεί να είναι τελείως διαφορετική και χωρίς καμία δομική σχέση με τα άλλα πολύμορφα. Ο πολυτυπισμός είναι μία ειδική περίπτωση πολυμορφισμού όπου τα διαφορετικά πολύτυπα διαφέρουν το ένα με το άλλο κατά ένα συγκεκριμένο τρόπο. Σε μία πολυτυπική ένωση, οι δύο διαστάσεις των μοναδιαίων κυψελίδων όλων των πολυτύπων είναι οι Α. Μάντζαρη 10

27 Εισαγωγή ίδιες, ενώ η τρίτη είναι ακέραιο πολλαπλάσιο μιας κοινής μονάδας (common unit), κάθετης στα επίπεδα που έχουν την υψηλότερη πυκνότητα ατόμων. Αυτό σημαίνει ότι η σειρά επιστοίβασης της βασικής δομικής μονάδας (που ονομάζεται «βάση»), είναι διαφορετική κατά μήκος ενός άξονα. Το SiC είναι ένα υλικό που εμφανίζει πολύτυπα [38]. Για να κατανοηθεί καλύτερα η δομή των διαφόρων πολυτύπων, θα γίνει πρώτα μια περιγραφή της δομής συμπαγούς συσσωμάτωσης Συμπαγής συσσωμάτωση σφαιρών Ο μόνος τρόπος με τον οποίο έχουμε συμπαγή συσσωμάτωση ίσων σφαιρών σε ένα επίπεδο, απεικονίζεται στο σχήμα 1.3.α όπου κάθε σφαίρα έρχεται σε επαφή με άλλες έξι στο επίπεδο. Τα κέντρα αυτών των σφαιρών καθορίζονται ως θέσεις Α, το στρώμα από αυτές τις σφαίρες χαρακτηρίζεται ως στρώμα Α και αποτελεί ένα στρώμα συμπαγούς συσσωμάτωσης με συμμετρία 6mm. Υπάρχουν δύο είδη κενών που μπορούν να καταληφθούν στη συνέχεια και συμβολίζονται σαν θέσεις Β και C. Αν οι σφαίρες του δεύτερου στρώματος τοποθετηθούν στα κενά των θέσεων Β, τότε προκύπτει ένα όμοιο στρώμα συμπαγούς συσσωμάτωσης που αποτελεί το στρώμα Β. Ομοίως το τρίτο στρώμα σφαιρών μπορεί να καταλάβει τις θέσεις C οπότε ονομάζεται στρώμα C ή να καταλάβει τις θέσεις Α. Σε ένα εξαγωνικό σύστημα συντεταγμένων δύο διαστάσεων, οι συντεταγμένες της θέσης Α είναι 0, 0, της θέσης Β είναι 1/3, 2/3 και της θέσης C είναι 2/3, 1/3 (σχήμα 1.3.β). Επομένως οι θέσεις Α, 1 Β, C σχετίζονται μεταξύ τους με μετατοπίσεις κατά τα διανύσματα και είναι 3 τελείως ισοδύναμες μεταξύ τους, δηλαδή η τοποθέτηση των σφαιρών σε ένα είδος θέσεων δεν αφήνει χώρο για σφαίρες στα άλλα δύο είδη θέσεων στο ίδιο στρώμα. Αν 1 ένα στρώμα Β υφίσταται μια απλή μετατόπιση κατά ένα διάνυσμα , τότε 3 γίνεται στρώμα C, δηλαδή κάθε σφαίρα μετατοπίζεται από θέση Β σε θέση C. Το ίδιο συμβαίνει με τα στρώματα Α και C. Α. Μάντζαρη 11

28 Εισαγωγή (α) (β) Σχήμα 1.3: (α) Δομή συμπαγούς συσσωμάτωσης σφαιρών, (β) οι θέσεις Α, Β, C, σε ένα εξαγωνικό σύστημα συντεταγμένων. Με τον ίδιο τρόπο όλα τα πολύτυπα μπορούν να θεωρηθούν ως διαφορετικές επιστοιβάσεις των στρωμάτων Α, Β, C των σφαιρών κατά μήκος του άξονα c με την προϋπόθεση ότι δύο στρώματα σφαιρών με το ίδιο γράμμα δεν μπορούν να τοποθετηθούν το ένα πάνω στο άλλο. Η 2-διαστάσεων επιστοίβαση αυτών των στρωμάτων συμπαγούς συσσωμάτωσης από σφαίρες που ικανοποιούν τον παραπάνω περιορισμό, έχει ως αποτέλεσμα τη δημιουργία μιας 3-διάστατης δομής που είναι επίσης συμπαγούς συσσωμάτωσης. Αν θεωρήσουμε μια άπειρη επιστοίβαση Α. Μάντζαρη 12

29 Εισαγωγή στρωμάτων, θα υπάρχει πάντα μια περιοδικότητα σ αυτήν που μπορεί να χαρακτηριστεί από έναν ακέραιο αριθμό n στρωμάτων και αυτός ο αριθμός αποτελεί την τάξη περιοδικότητας κατά μήκος του άξονα c στη σειρά επιστοίβασης. Επειδή σε κάθε στρώμα υπάρχουν δύο θέσεις που μπορούν να επιλεχθούν και η παράμετρος c είναι ανοιχτή μεταβλητή, μπορούν να υπάρξουν πολυάριθμες σειρές επιστοίβασης. Οι πιο απλές από αυτές είναι η ΑΒCABC που συνιστά την ολοεδρικώς κεντρωμένη κυβική επιστοίβαση (Face Centered Cubic-FCC) και η...αβαβ...που συνιστά την εξαγωνική επιστοίβαση συμπαγούς συσσωμάτωσης (Hexagonal Close Packing-HCP). Σε μία 3-διάστατη δομή συμπαγούς συσσωμάτωσης κάθε σφαίρα έρχεται σε επαφή με 6 σφαίρες στο ίδιο μ αυτήν στρώμα και με επιπλέον 3 σφαίρες από το πάνω στρώμα και 3 σφαίρες από το κάτω στρώμα. Συνολικά λοιπόν έρχεται σε επαφή με 12 σφαίρες. Ο χαλκός έχει ένα FCC πλέγμα και τα άτομα του φτιάχνουν μία δομή FCC όπου κάθε άτομο απασχολεί μία θέση στη διάταξη συμπαγούς συσσωμάτωσης...abcabc, με αποτέλεσμα κάθε άτομο χαλκού να έχει 12 συντεταγμένες. Πολλά μέταλλα έχουν τέτοιου είδους δομή και ανήκουν σε μια απ τις δύο απλές σειρές επιστοίβασης FCC και HCP. Σ αυτήν την περίπτωση εμφανίζεται η μεγαλύτερη πυκνότητα επιστοίβασης από όλες τις ατομικές δομές. Μία άλλη δομή που προκύπτει από τη διάταξη συμπαγούς συσσωμάτωσης, περιέχει δύο άτομα από ένα ή δύο στοιχεία σε κάθε θέση της σφαίρας. Η δομή που προκύπτει είναι πιο «ανοικτή» και κάθε άτομο έρχεται σε επαφή με 4 μόνο άτομα. Το SiC έχει τέτοιου είδους δομή Πολύτυπα του SiC Κάθε πολύτυπο του SiC μπορεί να θεωρηθεί ως ένας συνδυασμός από τετράεδρα [39,40,41] όπου το καθένα προκύπτει από τον τετραεδρικό δεσμό μεταξύ των ατόμων Si και C όπως έχει ήδη εξηγηθεί στο σχήμα 1.1. Τα τετράεδρα Si-C καταλαμβάνουν θέσεις παρόμοιες με τις σφαίρες σε μια διάταξη συμπαγούς συσσωμάτωσης για να σχηματίσουν διπλές στρώσεις Si-C (bilayer) όπως φαίνεται στο σχήμα 1.4, οι οποίες είναι όμοιες κατά μήκος όλων των δομών του SiC. Η μόνη διαφορά μεταξύ των διαφόρων πολυτύπων είναι η σειρά επιστοίβασης αυτών των διπλών στρώσεων. Α. Μάντζαρη 13

30 Εισαγωγή Όπως ακριβώς μία σφαίρα, έτσι και ένα τετράεδρο μπορεί να καταλάβει μια από τις τρεις πιθανές θέσεις στο χώρο που συμβολίζονται με τα γράμματα Τ 1, Τ 2 και Τ 3. Ομοίως τα τρία «δίδυμα» τετράεδρα μπορούν να καταλάβουν τις θέσεις Τ 1, Τ 2 και Τ 3. Κατά συνέπεια το SiC μπορεί να δομηθεί από μια σύνθεση κανονικών και δίδυμων τετραέδρων Τ 1, Τ 2, Τ 3, Τ 1, Τ 2 και Τ 3, με τον περιορισμό ότι δύο τετράεδρα μπορούν να συνδεθούν μόνο αν μοιράζονται ένα γωνιακό άτομο. Σχήμα. 1.4: Η προβολή των τετραέδρων Τ 1, Τ 2 και Τ 3 στο επίπεδο {11-20}, που δείχνει τη σχετική τους θέση στο χώρο. Αντί να χρησιμοποιείται η επιστοίβαση των 3-διάστατων τετράεδρων, είναι πολύ ευκολότερο να γίνεται χρήση των προβολών τους κατά μήκος της διεύθυνσης [112 0] (σχ. 1.1 γ, δ). Όπως φαίνεται στο σχήμα 1.4 κάθε τετράεδρο συνδέεται με ένα σετ διπλών στρώσεων από άτομα άνθρακα και πυριτίου. Σε κάθε σετ μία στρώση από άτομα πυριτίου τοποθετείται παράλληλα και πάνω από τη στρώση ατόμων άνθρακα σε απόσταση 3 4 d 000n =0,189nm που είναι το μήκος του δεσμού Si-C. Τα επίπεδα Si και C σε μία διπλή στρώση συμβολίζονται με τα γράμματα A, B, C και α, β, γ αντίστοιχα. Εξαιτίας της στενής σχέσης μεταξύ των τετραέδρων και των διπλών στρώσεων Si-C, ένα πολύτυπο SiC μπορεί να περιγραφεί είτε ως ένας συνδυασμός τετραέδρων είτε ως η επιστοίβαση των διπλών στρώσεων των βασικών επιπέδων Α. Μάντζαρη 14

31 Εισαγωγή κατά μήκος του άξονα c. Έτσι οι κορυφές στα τετράεδρα Τ 1 καταλαμβάνουν τις θέσεις Α, τα κέντρα των τετράεδρων τις θέσεις α και τα τρία άτομα της βάσης κάθε τετράεδρου τις θέσεις C. Άρα ισχύει Τ 1 =CαΑ (από κάτω προς τα πάνω). Οι θέσεις τοποθέτησης των υπολοίπων τετράεδρων φαίνονται στον ακόλουθο πίνακα I. Πίνακας Ι Ομάδα I (κανονικά τετράεδρα) Τ 1 =CαΑ ή εν συντομία =Α Τ 2 =ΑβΒ ή =Β Τ 3 =ΒγC ή =C Ομάδα II (δίδυμα τετράεδρα) Τ 1 =ΒαΑ ή εν συντομία =Α Τ 2 =CβB ή =Β Τ 3 =ΑγC ή =C Τα άτομα στα διαφορετικά τετράεδρα έχουν διαφορετικές και καθορισμένες θέσεις στον πίνακα. Μόνο αυτά τα γωνιακά άτομα που βρίσκονται στις ίδιες θέσεις μπορούν να μοιραστούν μία θέση μεταξύ τους. Για παράδειγμα αφού η κορυφή στο Τ 1 βρίσκεται στις θέσεις Α, μόνο τα Τ 2 και Τ 3 μπορούν να τοποθετηθούν στην κορυφή του Τ 1 και να έχουν ένα κοινό γωνιακό άτομο με αυτό, γιατί και τα δύο έχουν τρία γωνιακά άτομα της βάσης στις θέσεις Α. Τα υπόλοιπα τετράεδρα δεν μπορούν να μοιραστούν μια γωνία με το Τ 1. Τόσο το Τ 1 όσο και το Τ 2 που είναι «κανονικά», μπορούν να έχουν μόνο ένα τοπικό κυβικό περιβάλλον, ενώ το Τ 3 που είναι «δίδυμο», μπορεί να έχει μόνο τοπική εξαγωνική σχέση με το Τ 1. Ακολουθώντας τις παραπάνω συνθήκες είναι εύκολο να κατασκευαστεί η σειρά επιστοίβασης διαφόρων πολυτύπων. Για παράδειγμα για να κατασκευαστεί το 4H-SiC, ξεκινάμε από την ομάδα I, όπως CαΑ και ΑβΒ. Το δεύτερο στρώμα έχει τις θέσεις Α στο βασικό του επίπεδο που είναι οι ίδιες με τις θέσεις των κορυφών του πρώτου στρώματος. Έτσι το δεύτερο στρώμα μπορεί να κάτσει στο πρώτο στρώμα και να μοιραστεί μια γωνία μ αυτό. Το τρίτο στρώμα πρέπει να επιλεχθεί από την ομάδα II, εφόσον χρειάζεται μια εξαγωνική σχέση οπότε θα είναι το ΒαΑ. Το τέταρτο στρώμα θα είναι επίσης από την ομάδα II για τοπικό κυβικό περιβάλλον και θα είναι το ΑγC. Στη συνέχεια συνδέοντας τα γράμματα και αφαιρώντας τα επαναλαμβανόμενα στις κοινές γωνίες, προκύπτει η σειρά επιστοίβασης του 4H που είναι...ααββααγc ή Τ 1 Τ 2 Τ 1 Τ 3...ή...ΑΒΑ C Η σχέση των δεσμών Si-C και των διπλών στρώσεων Si-C για ένα Α. Μάντζαρη 15

Χαρακτηρισμός και μοντέλα τρανζίστορ λεπτών υμενίων βιομηχανικής παραγωγής: Τεχνολογία μικροκρυσταλλικού πυριτίου χαμηλής θερμοκρασίας

Χαρακτηρισμός και μοντέλα τρανζίστορ λεπτών υμενίων βιομηχανικής παραγωγής: Τεχνολογία μικροκρυσταλλικού πυριτίου χαμηλής θερμοκρασίας Χαρακτηρισμός και μοντέλα τρανζίστορ λεπτών υμενίων βιομηχανικής παραγωγής: Τεχνολογία μικροκρυσταλλικού πυριτίου χαμηλής θερμοκρασίας Υποψήφιος Διδάκτορας: Α. Χατζόπουλος Περίληψη Οι τελευταίες εξελίξεις

Διαβάστε περισσότερα

ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΓΡΑΦΙΑΣ

ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΓΡΑΦΙΑΣ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΓΡΑΦΙΑΣ 1. ΓΕΝΙΚΑ Από τις καταστάσεις της ύλης τα αέρια και τα υγρά δεν παρουσιάζουν κάποια τυπική διάταξη ατόμων, ενώ από τα στερεά ορισμένα παρουσιάζουν συγκεκριμένη διάταξη ατόμων

Διαβάστε περισσότερα

Υλικά Ηλεκτρονικής & Διατάξεις

Υλικά Ηλεκτρονικής & Διατάξεις Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Υλικά Ηλεκτρονικής & Διατάξεις 3 η σειρά διαφανειών Δημήτριος Λαμπάκης Τύποι Στερεών Βασική Ερώτηση: Πως τα άτομα διατάσσονται στο χώρο ώστε να σχηματίσουν στερεά? Τύποι Στερεών

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΚΤΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΕΣ ΔΙΕΡΓΑΣΙΕΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ. Περιληπτική θεωρητική εισαγωγή

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΚΤΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΕΣ ΔΙΕΡΓΑΣΙΕΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ. Περιληπτική θεωρητική εισαγωγή ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΚΤΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΕΣ ΔΙΕΡΓΑΣΙΕΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ Περιληπτική θεωρητική εισαγωγή α) Τεχνική zchralski Η πιο συχνά χρησιμοποιούμενη τεχνική ανάπτυξης μονοκρυστάλλων πυριτίου (i), αρίστης ποιότητας,

Διαβάστε περισσότερα

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΟΣ ΛΕΠΤΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ ΥΔΡΟΓΟΝΩΜΕΝΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ (Si:H) ΜΕ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ ΥΠΕΡΙΩΔΟΥΣ ΟΡΑΤΟΥ (UV/VIS)

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΟΣ ΛΕΠΤΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ ΥΔΡΟΓΟΝΩΜΕΝΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ (Si:H) ΜΕ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ ΥΠΕΡΙΩΔΟΥΣ ΟΡΑΤΟΥ (UV/VIS) ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΟΣ ΛΕΠΤΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ ΥΔΡΟΓΟΝΩΜΕΝΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ (Si:H) ΜΕ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ ΥΠΕΡΙΩΔΟΥΣ ΟΡΑΤΟΥ (UV/VIS) Γ. Αλεξίου, Β. Περδικάρη, Π. Δημητρακέλλης, Ε. Φάρσαρη, Α. Καλαμπούνιας, Ε.Αμανατίδης και Δ.Ματαράς

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ & ΕΠΙΣΤΗΜΗ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ & ΕΠΙΣΤΗΜΗ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ Τμήμα Τεχνολόγων Περιβάλλοντος Κατεύθυνσης Συντήρησης Πολιτισμικής Κληρονομιάς ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ & ΕΠΙΣΤΗΜΗ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ 6 η Ενότητα ΣΤΕΡΕΑ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗ Δημήτριος Λαμπάκης Τύποι Στερεών Βασική Ερώτηση: Πως τα άτομα

Διαβάστε περισσότερα

Καταστάσεις της ύλης. Αέρια: Παντελής απουσία τάξεως. Τα µόρια βρίσκονται σε συνεχή τυχαία κίνηση σε σχεδόν κενό χώρο.

Καταστάσεις της ύλης. Αέρια: Παντελής απουσία τάξεως. Τα µόρια βρίσκονται σε συνεχή τυχαία κίνηση σε σχεδόν κενό χώρο. Καταστάσεις της ύλης Αέρια: Παντελής απουσία τάξεως. Τα µόρια βρίσκονται σε συνεχή τυχαία κίνηση σε σχεδόν κενό χώρο. Υγρά: Τάξη πολύ µικρού βαθµού και κλίµακας-ελκτικές δυνάµεις-ολίσθηση. Τα µόρια βρίσκονται

Διαβάστε περισσότερα

Mετασχηματισμοί διάχυσης στα στερεά / Πυρηνοποίηση στην στερεά κατάσταση. Ομογενής πυρηνοποίηση στα στερεά/μετασχηματισμοί διάχυσης.

Mετασχηματισμοί διάχυσης στα στερεά / Πυρηνοποίηση στην στερεά κατάσταση. Ομογενής πυρηνοποίηση στα στερεά/μετασχηματισμοί διάχυσης. Mετασχηματισμοί διάχυσης στα στερεά / Πυρηνοποίηση στην στερεά κατάσταση Ομογενής πυρηνοποίηση στα στερεά/μετασχηματισμοί διάχυσης. Το πρόβλημα: Ιζηματοποίηση φάσης β (πλούσια στο στοιχείο Β) από ένα υπέρκορο

Διαβάστε περισσότερα

Nανοσωλήνες άνθρακα. Ηλεκτρονική δομή ηλεκτρικές ιδιότητες. Εφαρμογές στα ηλεκτρονικά

Nανοσωλήνες άνθρακα. Ηλεκτρονική δομή ηλεκτρικές ιδιότητες. Εφαρμογές στα ηλεκτρονικά Nανοσωλήνες άνθρακα Ηλεκτρονική δομή ηλεκτρικές ιδιότητες Εφαρμογές στα ηλεκτρονικά Νανοσωλήνες άνθρακα ιστορική αναδρομή Από το γραφίτη στους Νανοσωλήνες άνθρακα Στο γραφίτη τα άτομα C συνδέονται ισχυρά

Διαβάστε περισσότερα

Υλικά Ηλεκτρονικής & Διατάξεις

Υλικά Ηλεκτρονικής & Διατάξεις Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Υλικά Ηλεκτρονικής & Διατάξεις 4 η σειρά διαφανειών Δημήτριος Λαμπάκης Ορισμός και ιδιότητες των μετάλλων Τα χημικά στοιχεία διακρίνονται σε μέταλλα (περίπου 70 τον αριθμό)

Διαβάστε περισσότερα

Οι περισσότεροι μονοτοιχωματικοί νανοσωλήνες έχουν διάμετρο περί του 1 νανομέτρου (υπενθυμίζεται ότι 1nm = 10 Å).

Οι περισσότεροι μονοτοιχωματικοί νανοσωλήνες έχουν διάμετρο περί του 1 νανομέτρου (υπενθυμίζεται ότι 1nm = 10 Å). 1 2 Οι περισσότεροι μονοτοιχωματικοί νανοσωλήνες έχουν διάμετρο περί του 1 νανομέτρου (υπενθυμίζεται ότι 1nm = 10 Å). Οι πολυτοιχωματικοί νανοσωλήνες άνθρακα αποτελούνται από δύο ή περισσότερους ομοαξονικούς

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΚΑ ΥΛΙΚΑ. Ενότητα 2: ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΗ ΔΟΜΗ ΛΙΤΣΑΡΔΑΚΗΣ ΓΕΩΡΓΙΟΣ ΤΗΜΜΥ

ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΚΑ ΥΛΙΚΑ. Ενότητα 2: ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΗ ΔΟΜΗ ΛΙΤΣΑΡΔΑΚΗΣ ΓΕΩΡΓΙΟΣ ΤΗΜΜΥ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΚΑ ΥΛΙΚΑ Ενότητα 2: ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΗ ΔΟΜΗ ΛΙΤΣΑΡΔΑΚΗΣ ΓΕΩΡΓΙΟΣ ΤΗΜΜΥ Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες

Διαβάστε περισσότερα

Γενική Φυσική V (Σύγχρονη Φυσική) Φυσική Ακτίνων-Χ και Αλληλεπίδραση Ακτίνων-Χ και Ηλεκτρονίων με την Ύλη

Γενική Φυσική V (Σύγχρονη Φυσική) Φυσική Ακτίνων-Χ και Αλληλεπίδραση Ακτίνων-Χ και Ηλεκτρονίων με την Ύλη Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Εφαρμοσμένης Φυσικής Γενική Φυσική V (Σύγχρονη Φυσική) Φυσική Ακτίνων-Χ και Αλληλεπίδραση Ακτίνων-Χ και Ηλεκτρονίων με την Ύλη Περιεχόμενα

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή διατριβή

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή διατριβή ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΣΤΗΜΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ Πτυχιακή διατριβή Η ΣΥΓΚΕΝΤΡΩΣΗ ΤΩΝ ΒΑΡΕΩΝ ΜΕΤΑΛΛΩΝ ΣΤΟ ΕΔΑΦΟΣ ΚΑΙ ΜΕΘΟΔΟΙ ΠΡΟΣΔΙΟΡΙΣΜΟΥ ΤΟΥΣ Μιχαήλ

Διαβάστε περισσότερα

Κρυσταλλικές ατέλειες στερεών

Κρυσταλλικές ατέλειες στερεών Κρυσταλλικές ατέλειες στερεών Χαράλαμπος Στεργίου Dr.Eng. chstergiou@uowm.gr Ατέλειες Τεχνολογία Υλικών Ι Ατέλειες Ατέλειες στερεών Ο τέλειος κρύσταλλος δεν υπάρχει στην φύση. Η διάταξη των ατόμων σε δομές

Διαβάστε περισσότερα

ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ. Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής

ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ. Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής Αγωγοί- μονωτές- ημιαγωγοί Μέταλλα: Μία ζώνη μερικώς γεμάτη ή μία ζώνη επικαλύπτει την άλλη Τα ηλεκτρόνια μπορούν

Διαβάστε περισσότερα

Μετρήσεις Διατάξεων Laser Ανιχνευτές Σύμφωνης Ακτινοβολίας. Ιωάννης Καγκλής Φυσικός Ιατρικής Ακτινοφυσικός

Μετρήσεις Διατάξεων Laser Ανιχνευτές Σύμφωνης Ακτινοβολίας. Ιωάννης Καγκλής Φυσικός Ιατρικής Ακτινοφυσικός Μετρήσεις Διατάξεων Laser Ανιχνευτές Σύμφωνης Ακτινοβολίας Ιωάννης Καγκλής Φυσικός Ιατρικής Ακτινοφυσικός Maximum Permissible Exposure (MPE) - Nominal Hazard Zone (NHZ) Μέγιστη Επιτρεπτή Έκθεση (MPE) Το

Διαβάστε περισσότερα

ΣΥΝΘΕΣΗ ΝΑΝΟΣΩΛΗΝΩΝ ΑΝΘΡΑΚΑ ΜΕΣΩ ΘΕΡΜΟΛΥΣΗΣ ΟΡΓΑΜΟΜΕΤΑΛΛΙΚΗΣ ΕΝΩΣΗΣ ΣΕ ΣΤΕΡΕΑ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗ

ΣΥΝΘΕΣΗ ΝΑΝΟΣΩΛΗΝΩΝ ΑΝΘΡΑΚΑ ΜΕΣΩ ΘΕΡΜΟΛΥΣΗΣ ΟΡΓΑΜΟΜΕΤΑΛΛΙΚΗΣ ΕΝΩΣΗΣ ΣΕ ΣΤΕΡΕΑ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗ ΣΥΝΘΕΣΗ ΝΑΝΟΣΩΛΗΝΩΝ ΑΝΘΡΑΚΑ ΜΕΣΩ ΘΕΡΜΟΛΥΣΗΣ ΟΡΓΑΜΟΜΕΤΑΛΛΙΚΗΣ ΕΝΩΣΗΣ ΣΕ ΣΤΕΡΕΑ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗ Α.Μ. Νέτσου 1, Ε. Χουντουλέση 1, Μ.Περράκη 2, Α.Ντζιούνη 1, Κ. Κορδάτος 1 1 Σχολή Χημικών Μηχανικών, ΕΜΠ 2 Σχολή

Διαβάστε περισσότερα

Θέµατα που θα καλυφθούν

Θέµατα που θα καλυφθούν Ηµιαγωγοί Semiconductors 1 Θέµατα που θα καλυφθούν Αγωγοί Conductors Ηµιαγωγοί Semiconductors Κρύσταλλοι πυριτίου Silicon crystals Ενδογενείς Ηµιαγωγοί Intrinsic semiconductors ύο τύποι φορέων για το ρεύµασεηµιαγωγούς

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ. Πτυχιακή Εργασία. Κόπωση και ποιότητα ζωής ασθενών με καρκίνο.

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ. Πτυχιακή Εργασία. Κόπωση και ποιότητα ζωής ασθενών με καρκίνο. ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ Πτυχιακή Εργασία Κόπωση και ποιότητα ζωής ασθενών με καρκίνο Μαργαρίτα Μάου Λευκωσία 2012 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑ

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΙΡΑΜΑ 4: ΟΠΤΙΚΗ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ AΠΟΡΡΟΦΗΣΗΣ

ΠΕΙΡΑΜΑ 4: ΟΠΤΙΚΗ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ AΠΟΡΡΟΦΗΣΗΣ ΠΕΙΡΑΜΑ 4: ΟΠΤΙΚΗ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ AΠΟΡΡΟΦΗΣΗΣ [1] ΘΕΩΡΙΑ Σύμφωνα με τη κβαντομηχανική, τα άτομα απορροφούν ηλεκτρομαγνητική ενέργεια με διακριτό τρόπο, με «κβάντο» ενέργειας την ενέργεια hv ενός φωτονίου,

Διαβάστε περισσότερα

Επαφές μετάλλου ημιαγωγού

Επαφές μετάλλου ημιαγωγού Δίοδος Schottky Επαφές μετάλλου ημιαγωγού Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τι είναι Ημιαγωγός Κατασκευάζεται με εξάχνωση μετάλλου το οποίο μεταφέρεται στην επιφάνεια

Διαβάστε περισσότερα

Πτυχιακή Εργασία ΓΝΩΣΕΙΣ KAI ΣΤΑΣΕΙΣ ΤΩΝ ΕΠΑΓΓΕΛΜΑΤΙΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΓΙΑ ΤΗΝ ΕΠΑΓΓΕΛΜΑΤΙΚΗ ΕΚΘΕΣΗ ΣΤΟΝ HIV. Στυλιανού Στυλιανή

Πτυχιακή Εργασία ΓΝΩΣΕΙΣ KAI ΣΤΑΣΕΙΣ ΤΩΝ ΕΠΑΓΓΕΛΜΑΤΙΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΓΙΑ ΤΗΝ ΕΠΑΓΓΕΛΜΑΤΙΚΗ ΕΚΘΕΣΗ ΣΤΟΝ HIV. Στυλιανού Στυλιανή ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ Πτυχιακή Εργασία ΓΝΩΣΕΙΣ KAI ΣΤΑΣΕΙΣ ΤΩΝ ΕΠΑΓΓΕΛΜΑΤΙΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΓΙΑ ΤΗΝ ΕΠΑΓΓΕΛΜΑΤΙΚΗ ΕΚΘΕΣΗ ΣΤΟΝ HIV Στυλιανού Στυλιανή Λευκωσία 2012 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ

Διαβάστε περισσότερα

Το υποσύστηµα "αίσθησης" απαιτήσεις και επιδόσεις φυσικά µεγέθη γενική δοµή και συγκρότηση

Το υποσύστηµα αίσθησης απαιτήσεις και επιδόσεις φυσικά µεγέθη γενική δοµή και συγκρότηση Το υποσύστηµα "αίσθησης" απαιτήσεις και επιδόσεις φυσικά µεγέθη γενική δοµή και συγκρότηση Το υποσύστηµα "αίσθησης" είσοδοι της διάταξης αντίληψη του "περιβάλλοντος" τροφοδοσία του µε καθορίζει τις επιδόσεις

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Διάλεξη 1: Ημιαγωγοί Δίοδος pn Δρ. Δ. ΛΑΜΠΑΚΗΣ 1 Ταλαντωτές. Πολυδονητές. Γεννήτριες συναρτήσεων. PLL. Πολλαπλασιαστές. Κυκλώματα μετατροπής και επεξεργασίας σημάτων. Εφαρμογές με

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΚΑ Υλικα 3ο μεροσ. Θεωρητικη αναλυση

ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΚΑ Υλικα 3ο μεροσ. Θεωρητικη αναλυση ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΚΑ Υλικα 3ο μεροσ Θεωρητικη αναλυση μεταλλα Έχουν κοινές φυσικές ιδιότητες που αποδεικνύεται πως είναι αλληλένδετες μεταξύ τους: Υψηλή φυσική αντοχή Υψηλή πυκνότητα Υψηλή ηλεκτρική και θερμική

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 2 ΗΛΕΚΤΡΟΜΑΓΝΗΤΙΚΗ ΑΚΤΙΝΟΒΟΛΙΑ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 2 ΗΛΕΚΤΡΟΜΑΓΝΗΤΙΚΗ ΑΚΤΙΝΟΒΟΛΙΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 2 ΗΛΕΚΤΡΟΜΑΓΝΗΤΙΚΗ ΑΚΤΙΝΟΒΟΛΙΑ 1. Εισαγωγή. Η ενέργεια, όπως είναι γνωστό από τη φυσική, διαδίδεται με τρεις τρόπους: Α) δι' αγωγής Β) δια μεταφοράς Γ) δι'ακτινοβολίας Ο τελευταίος τρόπος διάδοσης

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ημιαγωγοί - ίοδος Επαφής 2

Κεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ημιαγωγοί - ίοδος Επαφής 2 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Ημιαγωγοί Δίοδος Επαφής Κεφάλαιο 3 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας SI Techology ad Comuter Architecture ab ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση 1. Φράγμα δυναμικού.

Διαβάστε περισσότερα

2η Εργαστηριακή Άσκηση Εξάρτηση της ηλεκτρικής αντίστασης από τη θερμοκρασία Θεωρητικό μέρος

2η Εργαστηριακή Άσκηση Εξάρτηση της ηλεκτρικής αντίστασης από τη θερμοκρασία Θεωρητικό μέρος 2η Εργαστηριακή Άσκηση Εξάρτηση της ηλεκτρικής αντίστασης από τη θερμοκρασία Θεωρητικό μέρος Όπως είναι γνωστό από την καθημερινή εμπειρία τα περισσότερα σώματα που χρησιμοποιούνται στις ηλεκτρικές ηλεκτρονικές

Διαβάστε περισσότερα

Θέμα: Παχυσαρκία και κύηση:

Θέμα: Παχυσαρκία και κύηση: ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΜΗΜ Α ΝΟΣΗΛΕΥΤΙΚΗΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ Θέμα: Παχυσαρκία και κύηση: επιπτώσεις στην έκβαση της κύησης και στο έμβρυο Ονοματεπώνυμο: Στέλλα Ριαλά Αριθμός

Διαβάστε περισσότερα

Θεµατικό Περιεχόµενο Μαθήµατος

Θεµατικό Περιεχόµενο Μαθήµατος Θεµατικό Περιεχόµενο Μαθήµατος 1. Κρυσταλικές δοµές Ιονική ακτίνα Ενέργεια πλέγµατος Πυκνές διατάξεις 4εδρικές 8εδρικές οπές Μέταλλα ιοντικά στερεά Πώς περιγράφεται η δοµή τους Πως προσδιορίζεται η δοµή

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ. Πτυχιακή εργασία ΔΙΕΡΕΥΝΗΣΗ ΤΟΥ ΚΛΙΜΑΤΟΣ ΑΣΦΑΛΕΙΑΣ ΤΩΝ ΑΣΘΕΝΩΝ ΣΤΟ ΝΟΣΟΚΟΜΕΙΟ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ. Πτυχιακή εργασία ΔΙΕΡΕΥΝΗΣΗ ΤΟΥ ΚΛΙΜΑΤΟΣ ΑΣΦΑΛΕΙΑΣ ΤΩΝ ΑΣΘΕΝΩΝ ΣΤΟ ΝΟΣΟΚΟΜΕΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ Πτυχιακή εργασία ΔΙΕΡΕΥΝΗΣΗ ΤΟΥ ΚΛΙΜΑΤΟΣ ΑΣΦΑΛΕΙΑΣ ΤΩΝ ΑΣΘΕΝΩΝ ΣΤΟ ΝΟΣΟΚΟΜΕΙΟ ΑΝΔΡΕΑΣ ΛΕΩΝΙΔΟΥ Λεμεσός, 2012 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ

Διαβάστε περισσότερα

ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ. Γ. Λευθεριώτης Επικ. καθηγητής

ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ. Γ. Λευθεριώτης Επικ. καθηγητής ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ Γ. Λευθεριώτης Επικ. καθηγητής Αγωγοί- μονωτές- ημιαγωγοί Ενεργειακά διαγράμματα ημιαγωγού Ηλεκτρόνια (ΖΑ) Οπές (ΖΣ) Ενεργειακό χάσμα και απορρόφηση hc 1,24 Eg h Eg ev m max max Χρειάζονται

Διαβάστε περισσότερα

Φασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων

Φασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων Φασματοσκοπία SIMS (secondary ion mass spectrometry) Φασματοσκοπία μάζης δευτερογενών ιόντων Ιόντα με υψηλές ενέργειες (συνήθως Ar +, O ή Cs + ) βομβαρδίζουν την επιφάνεια του δείγματος sputtering ουδετέρων

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 15 Μελέτη φωτοδιόδου (φωτοανιχνευτή) και διόδου εκπομπής φωτός LED

ΑΣΚΗΣΗ 15 Μελέτη φωτοδιόδου (φωτοανιχνευτή) και διόδου εκπομπής φωτός LED ΑΣΚΗΣΗ 15 Μελέτη φωτοδιόδου (φωτοανιχνευτή) και διόδου εκπομπής φωτός LED Απαραίτητα όργανα και υλικά 15.1 Απαραίτητα όργανα και υλικά 1. LED, Φωτοδίοδοι (φωτοανιχνευτές). 2. Τροφοδοτικό με δύο εξόδους.

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2ο ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ Αγωγοί, Μονωτές, Ημιαγωγοί Κατηγοριοποίηση υλικών βάσει των ηλεκτρικών τους ιδιοτήτων: Αγωγοί (αφήνουν το ρεύμα να περάσει) Μονωτές (δεν αφήνουν το ρεύμα να

Διαβάστε περισσότερα

ρ ε υ ν α Οι ανάγκες για ενέργεια παγκοσμίως αυξάνονται συνεχώς και εκτιμάται ότι θα διπλασιασθούν

ρ ε υ ν α Οι ανάγκες για ενέργεια παγκοσμίως αυξάνονται συνεχώς και εκτιμάται ότι θα διπλασιασθούν Οργανικά Φωτοβολταϊκά Τμήμα Ηλεκτρολογίας & Κέντρο Τεχνολογίας Υλικών και Λέιζερ, ΤΕΙ Κρήτης των Δρ. Εμμανουήλ Κουδουμά, Δρ. Εμμανουηλ Κυμάκη Οι ανάγκες για ενέργεια παγκοσμίως αυξάνονται συνεχώς και εκτιμάται

Διαβάστε περισσότερα

Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο

Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο Μιχάλης Κομπίτσας Εθνικό Ίδρυμα Ερευνών, Ινστιτούτο Θεωρ./Φυσικής Χημείας (www.laser-applications.eu) 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΤΗΣ ΟΜΙΛΙΑΣ 1.

Διαβάστε περισσότερα

ΕΠΙΠΕΔΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ. αρχικό υλικό. *στάδια επίπεδης τεχνολογίας. πλακίδιο Si. *ακολουθία βημάτων που προσθέτουν ή αφαιρούν υλικά στο πλακίδιο Si

ΕΠΙΠΕΔΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ. αρχικό υλικό. *στάδια επίπεδης τεχνολογίας. πλακίδιο Si. *ακολουθία βημάτων που προσθέτουν ή αφαιρούν υλικά στο πλακίδιο Si ΕΠΙΠΕΔΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ αρχικό υλικό + *στάδια επίπεδης τεχνολογίας πλακίδιο Si *ακολουθία βημάτων που προσθέτουν ή αφαιρούν υλικά στο πλακίδιο Si οξείδωση εναπόθεση διάχυση φωτολιθογραφία φωτοχάραξη Παραγωγή

Διαβάστε περισσότερα

Τεχνικές παρασκευής ζεόλιθου ZSM-5 από τέφρα φλοιού ρυζιού με χρήση φούρνου μικροκυμάτων και τεχνικής sol-gel

Τεχνικές παρασκευής ζεόλιθου ZSM-5 από τέφρα φλοιού ρυζιού με χρήση φούρνου μικροκυμάτων και τεχνικής sol-gel Τεχνικές παρασκευής ζεόλιθου ZSM-5 από τέφρα φλοιού ρυζιού με χρήση φούρνου μικροκυμάτων και τεχνικής sol-gel Δέσποινα Στεφοπούλου Επιβλέπων: Κωνσταντίνος Κορδάτος Στην παρούσα διπλωματική εργασία παρασκευάστηκαν

Διαβάστε περισσότερα

H επεξεργασία πληροφορίας απαιτεί ανίχνευση πληροφορίας

H επεξεργασία πληροφορίας απαιτεί ανίχνευση πληροφορίας Ανιχνευτές οπτοηλεκτρονικής H επεξεργασία πληροφορίας απαιτεί ανίχνευση πληροφορίας Ανίχνευση σημάτων με οπτικές συχνότητες (10 14 Hz) το φώς ηλεκτρικό σήμα ενίσχυση + ανίχνευση με FET, διπολικά τρανζίστορ,

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ. Πτυχιακή διατριβή. Ονοματεπώνυμο: Αργυρώ Ιωάννου. Επιβλέπων καθηγητής: Δρ. Αντρέας Χαραλάμπους

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ. Πτυχιακή διατριβή. Ονοματεπώνυμο: Αργυρώ Ιωάννου. Επιβλέπων καθηγητής: Δρ. Αντρέας Χαραλάμπους ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ Πτυχιακή διατριβή Διερεύνηση της αποτελεσματικότητας εναλλακτικών και συμπληρωματικών τεχνικών στη βελτίωση της ποιότητας της ζωής σε άτομα με καρκίνο

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΤΟΥ ΠΤΥΧΙΑΚΗ. Λεμεσός

ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΤΟΥ ΠΤΥΧΙΑΚΗ. Λεμεσός ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΤΜΗΜΑ ΝΟΣΗΛΕΥΤΙΚΗΣ ΤΟ ΚΑΠΝΙΣΜΑ ΚΑΤΑ ΤΗΝ ΕΓΚΥΜΟΣΥΝΗ ΚΑΙ Η ΒΛΑΠΤΙΚΗ ΕΠΙΔΡΑ ΑΣΗ ΤΟΥ ΣΤΗΝ ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΤΟΥ ΝΕΟΓΝΟΥ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ Ονοματεπώνυμο Αγγελική Παπαπαύλου Αριθμός Φοιτητικής

Διαβάστε περισσότερα

ΜΕΛΕΤΗ ΧΑΜΗΛΟ ΙΑΣΤΑΤΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΒΑΣΙΖΟΜΕΝΩΝ ΣΤΟ SiC

ΜΕΛΕΤΗ ΧΑΜΗΛΟ ΙΑΣΤΑΤΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΒΑΣΙΖΟΜΕΝΩΝ ΣΤΟ SiC ΤΙΤΛΟΣ Ι ΑΚΤΟΡΙΚΗΣ ΙΑΤΡΙΒΗΣ: ΜΕΛΕΤΗ ΧΑΜΗΛΟ ΙΑΣΤΑΤΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΒΑΣΙΖΟΜΕΝΩΝ ΣΤΟ SiC Λαφατζής ηµήτριος Υποψήφιος διδάκτωρ στο Α.Π.Θ. Τµήµα Φυσικής ΤΡΙΜΕΛΗΣ ΕΠΙΤΡΟΠΗ: Καθηγ. ΛΟΓΟΘΕΤΙ ΗΣ ΣΤΕΡΓΙΟΣ (Τµ. Φυσικής,

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΘΛΑΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΩΝ

ΠΕΡΙΘΛΑΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΩΝ ΠΕΡΙΘΛΑΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΩΝ Αποδείξαμε πειραματικά, με τη βοήθεια του φαινομένου της περίθλασης, ότι τα ηλεκτρόνια έχουν εκτός από τη σωματιδιακή και κυματική φύση. Υπολογίσαμε τις σταθερές πλέγματος του γραφίτη

Διαβάστε περισσότερα

Q 40 th International Physics Olympiad, Merida, Mexico, July 2009

Q 40 th International Physics Olympiad, Merida, Mexico, July 2009 ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΠΡΟΒΛΗΜΑ No. 2 ΔΕΙΚΤΗΣ ΔΙΑΘΛΑΣΗΣ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΥ (MCA) Σκοπός αυτού του πειράματος είναι ο υπολογισμός του δείκτη διάθλασης ενός κρυσταλλικού υλικού (mica). ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΥΛΙΚΑ Επιπρόσθετα από τα υλικά

Διαβάστε περισσότερα

Τα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης

Τα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης Τα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης 1 Bulk versus epitaxial growth Η κύριες διαφορές μεταξύ της ανάπτυξης από το τήγμα και της επιταξιακής ανάπτυξης προκύπτουν από την παρουσία του υποστρώματος

Διαβάστε περισσότερα

7.a. Οι δεσμοί στα στερεά

7.a. Οι δεσμοί στα στερεά ΤΕΤΥ Σύγχρονη Φυσική Κεφ. 7-1 Κεφάλαιο 7. Στερεά Εδάφια: 7.a. Οι δεσμοί στα στερεά 7.b. Η θεωρία των ενεργειακών ζωνών 7.c. Νόθευση ημιαγωγών και εφαρμογές 7.d. Υπεραγωγοί 7.a. Οι δεσμοί στα στερεά Με

Διαβάστε περισσότερα

ΟΡΓΑΝΟΛΟΓΙΑ ΦΑΣΜΑΤΟΜΕΤΡΙΚΩΝ ΟΡΓΑΝΩΝ ΜΕΤΡΗΣΗΣ: ΑΠΟΡΡΟΦΗΣΗΣ ΦΘΟΡΙΣΜΟΥ, ΦΩΣΦΩΡΙΣΜΟΥ, ΣΚΕΔΑΣΗΣ ΕΚΠΟΜΠΗΣ, ΧΗΜΕΙΟΦΩΤΑΥΓΕΙΑΣ

ΟΡΓΑΝΟΛΟΓΙΑ ΦΑΣΜΑΤΟΜΕΤΡΙΚΩΝ ΟΡΓΑΝΩΝ ΜΕΤΡΗΣΗΣ: ΑΠΟΡΡΟΦΗΣΗΣ ΦΘΟΡΙΣΜΟΥ, ΦΩΣΦΩΡΙΣΜΟΥ, ΣΚΕΔΑΣΗΣ ΕΚΠΟΜΠΗΣ, ΧΗΜΕΙΟΦΩΤΑΥΓΕΙΑΣ ΟΡΓΑΝΟΛΟΓΙΑ ΦΑΣΜΑΤΟΜΕΤΡΙΚΩΝ ΟΡΓΑΝΩΝ ΜΕΤΡΗΣΗΣ: ΑΠΟΡΡΟΦΗΣΗΣ ΦΘΟΡΙΣΜΟΥ, ΦΩΣΦΩΡΙΣΜΟΥ, ΣΚΕΔΑΣΗΣ ΕΚΠΟΜΠΗΣ, ΧΗΜΕΙΟΦΩΤΑΥΓΕΙΑΣ ΠΗΓΕΣ ΑΚΤΙΝΟΒΟΛΙΑΣ ΣΥΝΕΧΕΙΣ ΠΗΓΕΣ ΠΗΓΕΣ ΓΡΑΜΜΩΝ ΚΟΙΛΗΣ ΚΑΘΟΔΟΥ & ΛΥΧΝΙΕΣ ΕΚΚΕΝΩΣΕΩΝ

Διαβάστε περισσότερα

Τα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης

Τα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης Τα αρχικά στάδια της επιταξιακής ανάπτυξης Η κύριες διαφορές μεταξύ της ανάπτυξης από το τήγμα και της επιταξιακής ανάπτυξης προκύπτουν από την παρουσία του υποστρώματος και ειδικότερα τις εξής παραμέτρους:

Διαβάστε περισσότερα

Γραπτή εξέταση προόδου «Επιστήμη και Τεχνολογία Υλικών Ι»-Νοέμβριος 2015

Γραπτή εξέταση προόδου «Επιστήμη και Τεχνολογία Υλικών Ι»-Νοέμβριος 2015 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΤΜΗΜΑ ΧΗΜΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ-ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΛΙΚΩΝ (Καθ. Β.Ζασπάλης) ΘΕΜΑ 1 ο (15 Μονάδες) Πόσα γραμμάρια καθαρού κρυσταλλικού

Διαβάστε περισσότερα

Η θέση ύπνου του βρέφους και η σχέση της με το Σύνδρομο του αιφνίδιου βρεφικού θανάτου. ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ

Η θέση ύπνου του βρέφους και η σχέση της με το Σύνδρομο του αιφνίδιου βρεφικού θανάτου. ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ Η θέση ύπνου του βρέφους και η σχέση της με το Σύνδρομο του αιφνίδιου βρεφικού θανάτου. Χρυσάνθη Στυλιανού Λεμεσός 2014 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή σε προχωρημένες μεθόδους υπολογισμού στην Επιστήμη των Υλικών

Εισαγωγή σε προχωρημένες μεθόδους υπολογισμού στην Επιστήμη των Υλικών ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΙΩΑΝΝΙΝΩΝ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ Εισαγωγή σε προχωρημένες μεθόδους υπολογισμού στην Επιστήμη των Υλικών Χτίζοντας τους κρυστάλλους από άτομα Είδη δεσμών Διδάσκων : Επίκουρη Καθηγήτρια

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 5 ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΟ ΦΑΙΝΟΜΕΝΟ

Άσκηση 5 ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΟ ΦΑΙΝΟΜΕΝΟ Άσκηση 5 ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΟ ΦΑΙΝΟΜΕΝΟ 1. ΓΕΝΙΚΑ Τα ηλιακά στοιχεία χρησιμοποιούνται για τη μετατροπή του φωτός (που αποτελεί μία μορφή ηλεκτρομαγνητικής ενέργειας) σε ηλεκτρική ενέργεια. Κατασκευάζονται από

Διαβάστε περισσότερα

ΠΑΡΑΓΩΓΗ ΜΙΚΡΟΚΥΜAΤΩΝ ΜΕ ΔΙΟΔΟ GUNN

ΠΑΡΑΓΩΓΗ ΜΙΚΡΟΚΥΜAΤΩΝ ΜΕ ΔΙΟΔΟ GUNN ΠΑΡΑΓΩΓΗ ΜΙΚΡΟΚΥΜAΤΩΝ ΜΕ ΔΙΟΔΟ GUNN Το φαινόμενο Gunn, ή το φαινόμενο των μεταφερόμενων ηλεκτρονίων, που ανακαλύφθηκε από τον Gunn το 1963 δηλώνει ότι όταν μια μικρή τάση DC εφαρμόζεται κατά μήκος του

Διαβάστε περισσότερα

«ΜΕΛΕΤΗ ΙΑΤΑΞΕΩΝ ΦΩΤΟΝΙΚΩΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΩΝ ΓΙΑ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ»

«ΜΕΛΕΤΗ ΙΑΤΑΞΕΩΝ ΦΩΤΟΝΙΚΩΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΩΝ ΓΙΑ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ» ΠΡΟΣΚΛΗΣΗ ΕΝ ΙΑΦΕΡΟΝΤΟΣ ΓΙΑ ΕΚΠΟΝΗΣΗ Ι ΑΚΤΟΡΙΚΗΣ ΙΑΤΡΙΒΗΣ «ΜΕΛΕΤΗ ΙΑΤΑΞΕΩΝ ΦΩΤΟΝΙΚΩΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΩΝ ΓΙΑ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ» Υπεύθυνος Καθηγητής: κ. Θωµάς Σφηκόπουλος Υπεύθυνος Επιστηµονικός Συνεργάτες:

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 2 Η επαφή pn. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 2 Η επαφή pn. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα: Η επαφή Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creatve Commos. Για εκπαιδευτικό υλικό, όπως

Διαβάστε περισσότερα

ιδάσκων: Λευτέρης Λοιδωρίκης Π1 0-7146

ιδάσκων: Λευτέρης Λοιδωρίκης Π1 0-7146 Φωτονικά Υλικά ιδάσκων: Λευτέρης Λοιδωρίκης Π1 0-7146 Τεχνολογίες φωτός σήμερα Το φώς έχει εισχωρήσει προ πολλού στη ζωή μας Ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία Καλύπτει πολύ μεγάλο φάσμα Συστατικά τεχνολογίας

Διαβάστε περισσότερα

Ο νοσηλευτικός ρόλος στην πρόληψη του μελανώματος

Ο νοσηλευτικός ρόλος στην πρόληψη του μελανώματος ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ Πτυχιακή διατριβή Ο νοσηλευτικός ρόλος στην πρόληψη του μελανώματος Ονοματεπώνυμο: Αρτέμης Παναγιώτου Επιβλέπων καθηγητής: Δρ. Αντρέας Χαραλάμπους

Διαβάστε περισσότερα

ΜΕΛΕΤΗ ΔΟΜΙΚΩΝ ΙΔΙΟΤΗΤΩΝ ΛΕΠΤΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ 3C-SiC ΑΝΕΠΤΥΓΜΕΝΩΝ ΣΕ ΥΠΟΒΑΘΡΟ Si

ΜΕΛΕΤΗ ΔΟΜΙΚΩΝ ΙΔΙΟΤΗΤΩΝ ΛΕΠΤΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ 3C-SiC ΑΝΕΠΤΥΓΜΕΝΩΝ ΣΕ ΥΠΟΒΑΘΡΟ Si Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης Τμήμα Φυσικής Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης Ανδρεάδου Αριάδνη Φυσικός ΜΕΛΕΤΗ ΔΟΜΙΚΩΝ ΙΔΙΟΤΗΤΩΝ ΛΕΠΤΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ 3C-SiC ΑΝΕΠΤΥΓΜΕΝΩΝ ΣΕ ΥΠΟΒΑΘΡΟ Si ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗ ΔΙΑΤΡΙΒΗ

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ. Πτυχιακή εργασία ΑΓΧΟΣ ΚΑΙ ΚΑΤΑΘΛΙΨΗ ΣΕ ΓΥΝΑΙΚΕΣ ΜΕ ΚΑΡΚΙΝΟΥ ΤΟΥ ΜΑΣΤΟΥ ΜΕΤΑ ΑΠΟ ΜΑΣΤΕΚΤΟΜΗ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ. Πτυχιακή εργασία ΑΓΧΟΣ ΚΑΙ ΚΑΤΑΘΛΙΨΗ ΣΕ ΓΥΝΑΙΚΕΣ ΜΕ ΚΑΡΚΙΝΟΥ ΤΟΥ ΜΑΣΤΟΥ ΜΕΤΑ ΑΠΟ ΜΑΣΤΕΚΤΟΜΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ Πτυχιακή εργασία ΑΓΧΟΣ ΚΑΙ ΚΑΤΑΘΛΙΨΗ ΣΕ ΓΥΝΑΙΚΕΣ ΜΕ ΚΑΡΚΙΝΟΥ ΤΟΥ ΜΑΣΤΟΥ ΜΕΤΑ ΑΠΟ ΜΑΣΤΕΚΤΟΜΗ ΧΡΥΣΟΒΑΛΑΝΤΗΣ ΒΑΣΙΛΕΙΟΥ ΛΕΜΕΣΟΣ 2014 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ

Διαβάστε περισσότερα

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Ηµιαγώγιµα υλικά και πυρίτιο Η κατασκευή ενός ολοκληρωµένου κυκλώµατος γίνεται µε βάση ένα υλικό ηµιαγωγού (semiconductor), το οποίο

Διαβάστε περισσότερα

Φυσική ΜΕΤΑΛΛΟΥΡΓΙΑ. Ενότητα 2: Κρυσταλλική Δομή των Μετάλλων. Γρηγόρης Ν. Χαϊδεμενόπουλος Πολυτεχνική Σχολή Μηχανολόγων Μηχανικών

Φυσική ΜΕΤΑΛΛΟΥΡΓΙΑ. Ενότητα 2: Κρυσταλλική Δομή των Μετάλλων. Γρηγόρης Ν. Χαϊδεμενόπουλος Πολυτεχνική Σχολή Μηχανολόγων Μηχανικών Φυσική ΜΕΤΑΛΛΟΥΡΓΙΑ Ενότητα 2: Κρυσταλλική Δομή των Μετάλλων Γρηγόρης Ν. Χαϊδεμενόπουλος Πολυτεχνική Σχολή Μηχανολόγων Μηχανικών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creative

Διαβάστε περισσότερα

10η Ενότητα: Το υποσύστημα "αίσθησης"

10η Ενότητα: Το υποσύστημα αίσθησης 10η Ενότητα: Το υποσύστημα "αίσθησης" απαιτήσεις και επιδόσεις φυσικά μεγέθη γενική δομή και συγκρότηση ΤΕΙ Πειραιά Καθηγητής Γ. Χαμηλοθώρης ΜΗΧΑΤΡΟΝΙΚΗ ISL I nt el l i gent Syst ems Lab 1 Το υποσύστημα

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΔΡ. ΒΑΣΙΛΕΙΟΣ ΜΠΙΝΑΣ Post Doc Researcher, Chemist Τμήμα Φυσικής, Πανεπιστήμιο Κρήτης Email: binasbill@iesl.forth.gr Thl. 1269 Crete Center for Quantum Complexity and Nanotechnology

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΝΑΝΟΔΟΜΗΜΕΝΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΜΕ ΝΑΝΟΣΩΛΗΝΕΣ ΑΝΘΡΑΚΑ ΓΙΑ ΧΡΗΣΗ ΣΕ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΥΨΗΛΗΣ ΑΝΤΟΧΗΣ

ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΝΑΝΟΔΟΜΗΜΕΝΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΜΕ ΝΑΝΟΣΩΛΗΝΕΣ ΑΝΘΡΑΚΑ ΓΙΑ ΧΡΗΣΗ ΣΕ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΥΨΗΛΗΣ ΑΝΤΟΧΗΣ ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΝΑΝΟΔΟΜΗΜΕΝΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΜΕ ΝΑΝΟΣΩΛΗΝΕΣ ΑΝΘΡΑΚΑ ΓΙΑ ΧΡΗΣΗ ΣΕ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΥΨΗΛΗΣ ΑΝΤΟΧΗΣ Πετούσης Μάρκος, Δρ. Μηχανολόγος Μηχανικός Τμήμα Μηχανολόγων Μηχανικών Τ.Ε. ΤΕΙ Κρήτης Σύνθετα υλικά Σύνθετα υλικά

Διαβάστε περισσότερα

Οργανική Χημεία. Κεφάλαια 12 &13: Φασματοσκοπία μαζών και υπερύθρου

Οργανική Χημεία. Κεφάλαια 12 &13: Φασματοσκοπία μαζών και υπερύθρου Οργανική Χημεία Κεφάλαια 12 &13: Φασματοσκοπία μαζών και υπερύθρου 1. Γενικά Δυνατότητα προσδιορισμού δομών με σαφήνεια χρησιμοποιώντας τεχνικές φασματοσκοπίας Φασματοσκοπία μαζών Μέγεθος, μοριακός τύπος

Διαβάστε περισσότερα

Μοριακή Φασματοσκοπία I. Παραδόσεις μαθήματος Θ. Λαζαρίδης

Μοριακή Φασματοσκοπία I. Παραδόσεις μαθήματος Θ. Λαζαρίδης Μοριακή Φασματοσκοπία I Παραδόσεις μαθήματος Θ. Λαζαρίδης 2 Τι μελετά η μοριακή φασματοσκοπία; Η μοριακή φασματοσκοπία μελετά την αλληλεπίδραση των μορίων με την ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία Από τη μελέτη

Διαβάστε περισσότερα

http://www.electronics.teipir.gr /personalpages/papageorgas/ download/3/

http://www.electronics.teipir.gr /personalpages/papageorgas/ download/3/ Δίοδος επαφής 1 http://www.electronics.teipir.gr /personalpages/papageorgas/ download/3/ 2 Θέματα που θα καλυφθούν Ορθή πόλωση Forward bias Ανάστροφη πόλωση Reverse bias Κατάρρευση Breakdown Ενεργειακά

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Ενεργειακές Ζώνες και Στατιστική Φορέων Φορτίου Required Text: Microelectronic Devices, Keith Leaver (2 nd Chapter) Εισαγωγή Στο προηγούμενο κεφάλαιο προσεγγίσαμε τους ημιαγωγούς

Διαβάστε περισσότερα

Όλα τα θέματα των εξετάσεων έως και το 2014 σε συμβολή, στάσιμα, ηλεκτρομαγνητικά κύματα, ανάκλαση - διάθλαση Η/Μ ΚΥΜΑΤΑ. Ερωτήσεις Πολλαπλής επιλογής

Όλα τα θέματα των εξετάσεων έως και το 2014 σε συμβολή, στάσιμα, ηλεκτρομαγνητικά κύματα, ανάκλαση - διάθλαση Η/Μ ΚΥΜΑΤΑ. Ερωτήσεις Πολλαπλής επιλογής Η/Μ ΚΥΜΑΤΑ 1. Τα ηλεκτροµαγνητικά κύµατα: Ερωτήσεις Πολλαπλής επιλογής α. είναι διαµήκη. β. υπακούουν στην αρχή της επαλληλίας. γ. διαδίδονται σε όλα τα µέσα µε την ίδια ταχύτητα. δ. Δημιουργούνται από

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΦΥΣΙΚΗΣ ΧΗΜΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑΤΟΣ ΦΑΡΜΑΚΕΥΤΙΚΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΦΥΣΙΚΗΣ ΧΗΜΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑΤΟΣ ΦΑΡΜΑΚΕΥΤΙΚΗΣ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΧΗΜΕΙΑΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΦΥΣΙΚΟΧΗΜΕΙΑΣ Γραφείο 211 Επίκουρος Καθηγητής: Δ. Τσιπλακίδης Τηλ.: 2310 997766 e mail: dtsiplak@chem.auth.gr url:

Διαβάστε περισσότερα

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ ΑΡΧΗ ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΕΣΠΕΡΙΝΩΝ ΠΑΝΕΛΛΑΔΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Δ ΤΑΞΗΣ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΤΑΡΤΗ ΜΑΪΟΥ 03 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΤΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΑΙ ΤΩΝ ΔΥΟ ΚΥΚΛΩΝ) ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙΔΩΝ:

Διαβάστε περισσότερα

διατήρησης της μάζας.

διατήρησης της μάζας. 6. Ατομική φύση της ύλης Ο πρώτος που ισχυρίστηκε ότι η ύλη αποτελείται από δομικά στοιχεία ήταν ο αρχαίος Έλληνας φιλόσοφος Δημόκριτος. Το πείραμα μετά από 2400 χρόνια ήρθε και επιβεβαίωσε την άποψη αυτή,

Διαβάστε περισσότερα

Αλλαγή της δομής των ταινιών λόγω κραματοποίησης

Αλλαγή της δομής των ταινιών λόγω κραματοποίησης Αλλαγή της δομής των ταινιών λόγω κραματοποίησης Παράμετροι που τροποποιούν την δομή των ταινιών Σχηματισμός κράματος ή περισσοτέρων ημιαγωγών Ανάπτυξη ετεροδομών ή υπερδομών κβαντικός περιορισμός (quantum

Διαβάστε περισσότερα

Μάθημα 23 ο. Μεταλλικός Δεσμός Θεωρία Ζωνών- Ημιαγωγοί Διαμοριακές Δυνάμεις

Μάθημα 23 ο. Μεταλλικός Δεσμός Θεωρία Ζωνών- Ημιαγωγοί Διαμοριακές Δυνάμεις Μάθημα 23 ο Μεταλλικός Δεσμός Θεωρία Ζωνών- Ημιαγωγοί Διαμοριακές Δυνάμεις Μεταλλικός Δεσμός Μοντέλο θάλασσας ηλεκτρονίων Πυρήνες σε θάλασσα e -. Μεταλλική λάμψη. Ολκιμότητα. Εφαρμογή δύναμης Γενική και

Διαβάστε περισσότερα

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Επιµέλεια: Οµάδα Φυσικών της Ώθησης

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Επιµέλεια: Οµάδα Φυσικών της Ώθησης ΕΘΝΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 0 ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ Επιµέλεια: Οµάδα Φυσικών της Ώθησης ΘΕΜΑ A ΕΘΝΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ 0 Παρασκευή, 0 Μαΐου 0 Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ ΦΥΣΙΚΗ Στις ερωτήσεις Α -Α να γράψετε στο τετράδιό σας τον

Διαβάστε περισσότερα

Νέα Οπτικά Μικροσκόπια

Νέα Οπτικά Μικροσκόπια Νέα Οπτικά Μικροσκόπια Αντίθεση εικόνας (contrast) Αντίθεση πλάτους Αντίθεση φάσης Αντίθεση εικόνας =100 x (Ι υποβ -Ι δειγμα )/ Ι υποβ Μικροσκοπία φθορισμού (Χρησιμοποιεί φθορίζουσες χρωστικές για το

Διαβάστε περισσότερα

Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n

Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων dpapageo@cc.uoi.gr http://pc164.materials.uoi.gr/dpapageo Επαφή p n Ανάστροφη πόλωση Πολώνουμε

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ. Πτυχιακή διατριβή Η ΚΑΤΑΘΛΙΨΗ ΩΣ ΠΑΡΑΓΟΝΤΑΣ ΚΙΝΔΥΝΟΥ ΓΙΑ ΑΠΟΠΕΙΡΑ ΑΥΤΟΚΤΟΝΙΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ. Πτυχιακή διατριβή Η ΚΑΤΑΘΛΙΨΗ ΩΣ ΠΑΡΑΓΟΝΤΑΣ ΚΙΝΔΥΝΟΥ ΓΙΑ ΑΠΟΠΕΙΡΑ ΑΥΤΟΚΤΟΝΙΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ Πτυχιακή διατριβή Η ΚΑΤΑΘΛΙΨΗ ΩΣ ΠΑΡΑΓΟΝΤΑΣ ΚΙΝΔΥΝΟΥ ΓΙΑ ΑΠΟΠΕΙΡΑ ΑΥΤΟΚΤΟΝΙΑΣ Παναγιώτου Νεοφύτα 2008969752 Επιβλέπων καθηγητής Δρ. Νίκος Μίτλεττον,

Διαβάστε περισσότερα

ΠΟΥ ΔΙΑΔΙΔΕΤΑΙ ΤΟ ΦΩΣ

ΠΟΥ ΔΙΑΔΙΔΕΤΑΙ ΤΟ ΦΩΣ 1 ΦΩΣ Στο μικρόκοσμο θεωρούμε ότι το φως έχει δυο μορφές. Άλλοτε το αντιμετωπίζουμε με τη μορφή σωματιδίων που ονομάζουμε φωτόνια. Τα φωτόνια δεν έχουν μάζα αλλά μόνον ενέργεια. Άλλοτε πάλι αντιμετωπίζουμε

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικών

Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικών Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικών Εργαστηριακή Άσκηση 02 Μεταλλογραφική Παρατήρηση Διδάσκοντες: Δρ Γεώργιος Ι. Γιαννόπουλος Δρ Θεώνη Ασημακοπούλου Δρ ΘεόδωροςΛούτας Τμήμα Μηχανολογίας ΑΤΕΙ Πατρών Πάτρα 2011

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή Σε Ολοκληρωµένα Κυκλώµατα (Microchips) Αναλογικά ή Ψηφιακά Κυκλώµατα;

Εισαγωγή Σε Ολοκληρωµένα Κυκλώµατα (Microchips) Αναλογικά ή Ψηφιακά Κυκλώµατα; Εισαγωγή Σε Ολοκληρωµένα Κυκλώµατα (Microchips) ρ. Ιούλιος Γεωργίου Further Reading Texts: Design of Analog CMOS Integrated Circuits Behzad Razavi Microelectronic Circuits, Sedra & Smith Αναλογικά ή Ψηφιακά

Διαβάστε περισσότερα

Παραγωγή ακτίνων Χ. V e = h ν = h c/λ λ min = h c/v e λ min (Å) 12400/V

Παραγωγή ακτίνων Χ. V e = h ν = h c/λ λ min = h c/v e λ min (Å) 12400/V Παραγωγή ακτίνων Χ Οι ακτίνες Χ είναι ηλεκτροµαγνητική ακτινοβολία µε µήκη κύµατος της τάξης των Å (=10-10 m). Στο ηλεκτροµαγνητικό φάσµα η ακτινοβολία Χ εκτείνεται µεταξύ της περιοχής των ακτίνων γ και

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή διατριβή

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή διατριβή ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ Πτυχιακή διατριβή ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΑΝΤΙΔΡΑΣΗΣ ΚΑΤΑΛΥΤΙΚΗΣ ΑΝΑΓΩΓΗΣ ΝΙΤΡΙΚΩΝ ΚΑΙ ΝΙΤΡΩΔΩΝ ΙΟΝΤΩΝ ΣΕ ΝΕΡΟ ΜΕ ΧΡΗΣΗ ΥΔΡΟΓΟΝΟΥ

Διαβάστε περισσότερα

ΕΠΙΣΤΗΜΗ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ 1

ΕΠΙΣΤΗΜΗ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ 1 ΕΠΙΣΤΗΜΗ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ 1 Ενότητα: ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ Επιμέλεια: ΝΙΚΟΛΑΟΣ ΚΟΥΤΡΟΥΜΑΝΗΣ Τμήμα: ΧΗΜΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΤΡΑΣ 5 Μαρτίου 2015 2 ο Φροντιστήριο 1) Ποια είναι τα ηλεκτρόνια σθένους και ποιός ο ρόλος τους;

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ. Πτυχιακή εργασία

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ. Πτυχιακή εργασία ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΥΓΕΙΑΣ Πτυχιακή εργασία ΤΟ ΚΑΠΜΝΙΣΜΑ ΩΣ ΠΑΡΑΓΟΝΤΑΣ ΥΨΗΛΟΥ ΚΙΝΔΥΝΟΥ ΓΙΑ ΠΡΟΚΛΗΣΗ ΥΠΟΓΟΝΙΜΟΤΗΤΑΣ ΣΤΟΥΣ ΑΝΔΡΕΣ Κατσαρής Γιάγκος Λεμεσός 2014 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ

Διαβάστε περισσότερα

Γκύζη 14-Αθήνα Τηλ :

Γκύζη 14-Αθήνα Τηλ : ΘΕΜΑ Α ΠΑΝΕΛΛΑΔΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Γ ΤΑΞΗΣ ΗΜΕΡΗΣΙΟΥ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΚΑΙ ΕΠΑΛ (ΟΜΑΔΑ Β ) ΤΕΤΑΡΤΗ 22 ΜΑΪΟΥ 2013 ΦΥΣΙΚΗ ΘΕΤΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΑΙ ΤΩΝ ΔΥΟ ΚΥΚΛΩΝ) Στις ερωτήσεις Α1-Α4 να γράψετε

Διαβάστε περισσότερα

ΜΗΤΡΙΚΟΣ ΘΗΛΑΣΜΟΣ ΚΑΙ ΓΝΩΣΤΙΚΗ ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΜΕΧΡΙ ΚΑΙ 10 ΧΡΟΝΩΝ

ΜΗΤΡΙΚΟΣ ΘΗΛΑΣΜΟΣ ΚΑΙ ΓΝΩΣΤΙΚΗ ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΜΕΧΡΙ ΚΑΙ 10 ΧΡΟΝΩΝ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΤΜΗΜΑ ΝΟΣΗΛΕΥΤΙΚΗΣ ΜΗΤΡΙΚΟΣ ΘΗΛΑΣΜΟΣ ΚΑΙ ΓΝΩΣΤΙΚΗ ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΜΕΧΡΙ ΚΑΙ 10 ΧΡΟΝΩΝ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ Ονοματεπώνυμο Κεντούλλα Πέτρου Αριθμός Φοιτητικής Ταυτότητας 2008761539 Κύπρος

Διαβάστε περισσότερα

Ευρύκλεια Καραγιαννίδου, Έλλη Βασταρδή, Θεοχάρης Κόφτης. 5 th Πανελλήνιο Συνέδριο Θερμικής Ανάλυσης & Θερμιδομετρίας Mαϊου 2012, Θεσσαλονίκη

Ευρύκλεια Καραγιαννίδου, Έλλη Βασταρδή, Θεοχάρης Κόφτης. 5 th Πανελλήνιο Συνέδριο Θερμικής Ανάλυσης & Θερμιδομετρίας Mαϊου 2012, Θεσσαλονίκη ΜΕΛΕΤΗ ΤΟΥ ΠΟΛΥΜΟΡΦΙΣΜΟΥ ΤΗΣ ΔΡΑΣΤΙΚΗΣ ΟΥΣΙΑΣ ΦΑΡΜΑΚΩΝ ΜΕ ΤΗ ΒΟΗΘΕΙΑ ΤΗΣ ΔΙΑΦΟΡΙΚΗΣ ΘΕΡΜΙΔΟΜΕΤΡΙΑΣ ΣΑΡΩΣΗΣ, ΤΗΣ ΘΕΡΜΟΣΤΑΘΜΙΚΗΣ ΑΝΑΛΥΣΗΣ ΚΑΙ ΤΗΣ ΠΟΛΩΤΙΚΗΣ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑΣ ΘΕΡΜΑΙΝΟΜΕΝΗΣ ΤΡΑΠΕΖΑΣ Ευρύκλεια Καραγιαννίδου,

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΦΥΣΙΚΗΣ ΧΗΜΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑΤΟΣ ΒΙΟΛΟΓΙΑΣ Φασματοφωτομετρία

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΦΥΣΙΚΗΣ ΧΗΜΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑΤΟΣ ΒΙΟΛΟΓΙΑΣ Φασματοφωτομετρία 1 ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΦΥΣΙΚΗΣ ΧΗΜΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑΤΟΣ ΒΙΟΛΟΓΙΑΣ Φασματοφωτομετρία Ιωάννης Πούλιος Αθανάσιος Κούρας Ευαγγελία Μανώλη ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΦΥΣΙΚΗΣ ΧΗΜΕΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΧΗΜΕΙΑΣ ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ 54124

Διαβάστε περισσότερα

ηλεκτρικό ρεύμα ampere

ηλεκτρικό ρεύμα ampere Ηλεκτρικό ρεύμα Το ηλεκτρικό ρεύμα είναι ο ρυθμός με τον οποίο διέρχεται ηλεκτρικό φορτίο από μια περιοχή του χώρου. Η μονάδα μέτρησης του ηλεκτρικού ρεύματος στο σύστημα SI είναι το ampere (A). 1 A =

Διαβάστε περισσότερα

ΤΥΠΟΛΟΓΙΟ ΟΡΙΣΜΟΙ ΦΥΣΙΚΗΣ Β ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ

ΤΥΠΟΛΟΓΙΟ ΟΡΙΣΜΟΙ ΦΥΣΙΚΗΣ Β ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ ΤΥΠΟΛΟΓΙΟ ΟΡΙΣΜΟΙ ΦΥΣΙΚΗΣ Β ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ Τα σημαντικότερα στοιχεία της επιστημονικής μεθόδου είναι η παρατήρηση, η υπόθεση, το πείραμα, η γενίκευση και η πρόβλεψη νέων φαινομένων. Για να μελετήσουμε πλήρως

Διαβάστε περισσότερα

«Αριθμητική και πειραματική μελέτη της διεπιφάνειας χάλυβασκυροδέματος στις σύμμικτες πλάκες με χαλυβδόφυλλο μορφής»

«Αριθμητική και πειραματική μελέτη της διεπιφάνειας χάλυβασκυροδέματος στις σύμμικτες πλάκες με χαλυβδόφυλλο μορφής» ΠΕΡΙΛΗΨΗ ΤΗΣ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗΣ ΔΙΑΤΡΙΒΗΣ «Αριθμητική και πειραματική μελέτη της διεπιφάνειας χάλυβασκυροδέματος στις σύμμικτες πλάκες με χαλυβδόφυλλο μορφής» του Θεμιστοκλή Τσαλκατίδη, Δρ. Πολιτικού Μηχανικού

Διαβάστε περισσότερα

Πυρηνοποίηση και διεπιφάνειες Διεπιφάνειες στερεού/ατμού & στερεού/τήγματος

Πυρηνοποίηση και διεπιφάνειες Διεπιφάνειες στερεού/ατμού & στερεού/τήγματος Πυρηνοποίηση και διεπιφάνειες Διεπιφάνειες στερεού/ατμού & στερεού/τήγματος Η ανάπτυξη πυρήνων προάγεται σε διεπιφάνειες στερεού/ατμού, στερεού/υγρού ή μεταξύ διαφορετικών φάσεων σε στερεά. Οι διεπιφάνειες

Διαβάστε περισσότερα

6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC

6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC 6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC Θεωρητικό µέρος Αν µεταξύ δύο αρχικά αφόρτιστων αγωγών εφαρµοστεί µία συνεχής διαφορά δυναµικού ή τάση V, τότε στις επιφάνειές τους θα

Διαβάστε περισσότερα

Φύση του φωτός. Θεωρούμε ότι το φως έχει διττή φύση: διαταραχή που διαδίδεται στο χώρο. μήκος κύματος φωτός. συχνότητα φωτός

Φύση του φωτός. Θεωρούμε ότι το φως έχει διττή φύση: διαταραχή που διαδίδεται στο χώρο. μήκος κύματος φωτός. συχνότητα φωτός Γεωμετρική Οπτική Φύση του φωτός Θεωρούμε ότι το φως έχει διττή φύση: ΚΥΜΑΤΙΚΗ Βασική ιδέα Το φως είναι μια Η/Μ διαταραχή που διαδίδεται στο χώρο Βασική Εξίσωση Φαινόμενα που εξηγεί καλύτερα (κύμα) μήκος

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ LASER ΤΜΗΜΑ ΟΠΤΙΚΗΣ & ΟΠΤΟΜΕΤΡΙΑΣ ΑΤΕΙ ΠΑΤΡΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ LASER ΤΜΗΜΑ ΟΠΤΙΚΗΣ & ΟΠΤΟΜΕΤΡΙΑΣ ΑΤΕΙ ΠΑΤΡΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ LASER ΤΜΗΜΑ ΟΠΤΙΚΗΣ & ΟΠΤΟΜΕΤΡΙΑΣ ΑΤΕΙ ΠΑΤΡΑΣ «Ίσως το φως θα ναι μια νέα τυραννία. Ποιος ξέρει τι καινούρια πράγματα θα δείξει.» Κ.Π.Καβάφης ΑΡΧΕΣ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ LASER Εισαγωγικές Έννοιες

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή διατριβή

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ. Πτυχιακή διατριβή ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΥΠΡΟΥ ΣΧΟΛΗ ΓΕΩΤΕΧΝΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ Πτυχιακή διατριβή ΣΥΓΚΡΙΣΗ ΜΙΚΡΟΒΙΟΛΟΓΙΚΗΣ ΠΟΙΟΤΗΤΑΣ ΒΙΟΛΟΓΙΚΟΥ ΚΑΙ ΣΥΜΒΑΤΙΚΟΥ ΝΩΠΟΥ ΓΑΛΑΚΤΟΣ Λούκας Νεοφύτου Λεμεσός

Διαβάστε περισσότερα

Γιατί να Σπουδάσω Φυσική?

Γιατί να Σπουδάσω Φυσική? Γιατί να Σπουδάσω Φυσική? Μια σύντομη παρουσιάση του Τμήματος Φυσικής του Α.Π.Θ. Δημήτρης Μπαλής Αναπληρωτής Καθηγήτης, Τμήμα Φυσικής, 1 Εργαστήριο Φυσικής της Ατμόσφαιρας, Α.Π.Θ. Τι είναι η Φυσική? Περιεχόμενα

Διαβάστε περισσότερα