1. ΠΤΥΧΙΟ Εθνικό και Καποδιστριακό Πανεπιστήµιο Αθηνών, Σχολή Θετικών Επιστηµών, Φυσικό Τµήµα Πτυχίο Φυσικής, 11 Ιουλίου 1986 ( ικαιολογητικό Α1)
|
|
- Λέανδρος Δουμπιώτης
- 8 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 UΒΙΟΓΡΑΦΙΚΟ ΣΗΜΕΙΩΜΑ Επίθετο: Φωτόπουλος Όνοµα: Παναγιώτης Ηµεροµηνία γέννησης: 29/1/1962 Τόπος γέννησης: Αθήνα ιεύθυνση: Ζησιµοπούλου 5, Παλαιό Φάληρο. Τηλέφωνο: , ΠΤΥΧΙΟ Εθνικό και Καποδιστριακό Πανεπιστήµιο Αθηνών, Σχολή Θετικών Επιστηµών, Φυσικό Τµήµα Πτυχίο Φυσικής, 11 Ιουλίου 1986 ( ικαιολογητικό Α1) 2. ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΟΙ ΤΙΤΛΟΙ α) University of London (King s College). Μεταπτυχιακός τίτλος σπουδών στην Ιστορία και Φιλοσοφία της Επιστήµης και των Μαθηµατικών. (M.Sc History and Philosophy of Science and Mathematics ), 20 Νοεµβρίου 1991, Αρ. Αναγνώρισης ΙΚΑΤΣΑ: , 12/12/02 ( ικαιολογητικό Α2) β) Ε.Κ.Ε.Φ.Ε. «ηµόκριτος». Μεταπτυχιακός κύκλος µαθηµάτων του Ινστιτούτου Μικροηλεκτρονικής. (Με γραπτές εξετάσεις), 3 Ιανουαρίου 1995 ( ικαιολογητικό Α3) γ) University of Glamorgan. Μεταπτυχιακός τίτλος σπουδών στην διοίκηση των επιχειρήσεων. (International Masters in Business Administration), 3 Μαρτίου 2000 ( ικαιολογητικό Α4) 3. Ι ΑΚΤΟΡΙΚΟ Σχολή Εφαρµοσµένων Μαθηµατικών και Φυσικών Επιστηµών, Εθνικό Μετσόβειο Πολυτεχνείο και Ινστιτούτο Μικροηλεκτρονικής του Ε.Κ.Ε.Φ.Ε. «ηµόκριτος». Εκπόνηση ιδακτορικής διατριβής µε θέµα: ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΚΑΙ ΦΩΤΑΥΓΕΙΑ ΥΠΕΡ ΟΜΩΝ ΝΑΝΟΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΟY ΠΥΡΙΤΙΟY/ΟΞΕΙ ΙΟΥ ΤΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ (nc-si/siob2b), 12 Μαΐου 2003 ( ικαιολογητικό Α5) 1
2 4. ΥΠΟΤΡΟΦΙΕΣ i. Υπότροφος του ΕΚΕΦΕ ηµόκριτος (Ινστιτούτο Μικροηλεκτρονικής) από το 1994 έως το 1999 ( ικαιολογητικό Α6) ii. Υποτροφία για µεταδιδακτορική έρευνα η οποία χορηγήθηκε από το Ίδρυµα Κρατικών Υποτροφιών από 1/11/2005 έως 30/4/2007 ( ικαιολογητικό Β13) 5. ΠΡΟΫΠΗΡΕΣΙΑ (Παρουσιάζεται συνολικά ανά έτος στο τέλος του βιογραφικού) Έτος I. UΈρευνα Χρονικό ιάστηµα 2009 Ιαν-Φεβ Ιαν-Απρ. & Σεπτ- εκ. Ιαν-Απρ & Μαι- εκ Αντικείµενο Ίδρυµα Μήνες ικαιολογητικά Ανάπτυξη κβαντικών σηµείων πυριτίου σε δοµές MOS Μετρήσεις Οπτικής Φασµατοσκοπίας σε χαµηλοδιάστατα συστήµατα Νανοηλεκτρονικές διατάξεις µνήµης ΕΜΠ 2 Β18 ΕΜΠ 8 Β18, Β16 ΙΚΥ & ΕΜΠ 12 Β13, Β Ιαν- εκ Οπτικές µνήµες ΙΚΥ 12 Β Νοε- εκ Οπτικές µνήµες ΙΚΥ 2 Β13 Integrated gas 2000 Ιαν-Μαρ flow sensors by ΕΚΕΦΕ using porous Si ηµόκριτος 3 Β3 micromachining 1999 Ιαν-Φεβ & Ιουλ- εκ 1997 Ιουν-Νοε Silicon modules for integrated light engineering Touch and Glo project ΕΚΕΦΕ ηµόκριτος ΕΚΕΦΕ ηµόκριτος 8 Β3 6 Β3 Σύνολο: 53 µήνες 2
3 II. U ιδακτική σε Ιδρύµατα τριτοβάθµιας εκπαίδευσης Χρονικό διάστηµα Νοε Νοε 1998 Οκτ έως Ιουn Οκτ έως Ιουν Οκτ.2004 έως Ιουν Οκτ.2005 έως Ιουν Οκτ.2006 έως Ιουν Οκτ.2007 έως Ιουν Οκτ.2008 έως Φεβ ΑΕΙ Τµήµα Θέση University of Glamorgan TEI Αθήνας TEI Αθήνας ΤΕΙ Χαλκίδας ΤΕΙ Λαµίας ΤΕΙ Πειραιά ΤΕΙ Πειραιά ΤΕΙ Πειραιά ΤΕΙ Πειραιά ΤΕΙ Πειραιά * Πλήρους απασχόλησης Συνολικά: 51,6 Electronic Engineering Ηλεκτρονικής (15ωρ/εβδ) Ενεργειακής Τεχνικής (2ωρ/εβδ) Τµήµα Ηλεκτρολογίας (4ωρ/εβδ) Τµήµα Ηλεκτρολογίας (6ωρ/εβδ) Τµήµα ΗΥΣ (6 ωρ/εβδ) Τµήµα ΗΥΣ (14 ωρ/εβδ) Τµήµα ΗΥΣ (6 ωρ/εβδ) Τµήµα ΗΥΣ (6 ωρ/εβδ) Τµήµα ΗΥΣ (5 ωρ/εβδ) Senior Lecturer Εργ. Συνεργάτης Εργ. Συνεργάτης Εργ. Συνεργάτης Εργ. Συνεργάτης Επιστ. Συνεργάτης Επιστ. Συνεργάτης Επιστ. Συνεργάτης Μήνες * ικ/κά 12 Β2 9 Β5 1,6 Β5 9 Β8 Β8 Β10 9 Β10 4,5 Β10 4,5 Β10 2 Β10 ιδακτικό έργο στο Μεταπτυχιακό Μικροσυστήµατα & Νανοδιατάξεις, ΣΕΜΦΕ, ΕΜΠ τα διαστήµατα: Ιαν Απρ. 2006, Σεπ Μαι και Μαι 2008 Ιουλ Συνολικά 16 µήνες. ( ικαιολογητικά: B11, B12 και Β17) Άλλο εκπαιδευτικό Έργο: ιδασκαλία στο CMA στα Τµήµατα Electronic Engineering και Mechanical Engineering σε συνεργασία µε το University of Glamorgan. Συνολικά 24 µήνες πλήρους απασχόλησης. 3
4 III. UΕπαγγελµατική εµπειρίαu Χρονικό διάστηµα Ιαν έως 31 Αυγ Οκτ έως Ιουλ Οκτ έως Ιουν Αντικείµενο Μήνες ικαιολογητικά Τεχνική Υποστήριξη στο ιατµηµατικό Μεταπτυχιακό Πρόγραµµα του ΕΜΠ Μικροσυστήµατα και Νανοδιατάξεις Athens G.S.M. Ακαδηµαϊκός Υπεύθυνος, (ΜΒΑ Course, Nottingham Trent Business School) ICBS Athens Business School, Ακαδηµαϊκός ιευθυντής (ΜΒΑ Course, Kingston Business School) 56 Β7 21 Β5 20 Β5 6. ΣΥΓΓΡΑΦΙΚΗ ΡΑΣΤΗΡΙΟΤΗΤΑ UΒιβλία Π. Φωτόπουλος, Α. Βελώνη, Σήµατα & Συστήµατα για Τεχνολόγους, Εκδόσεις: Σύγχρονη Εκδοτική, 2008 UΣηµειώσεις Συγγραφή σηµειώσεων για το µάθηµα ιοίκηση των Επιχειρήσεων που διδάσκεται από 1/10/2002 στους φοιτητές του Ζ εξαµήνου του Τµήµατος Ενεργειακής Τεχνικής του ΤΕΙ Αθήνας. (Σύνολο σελίδων: 124) Συγγραφή Σηµειώσεων για το Τµήµα Ηλεκτρολογίας του ΤΕΙ Λαµίας, Φεβρουάριος 2005, 141 σελίδες 8. ΜΕΛΕΤΕΣ (αδηµοσίευτες) Works in the Philosophy of Science: Part I: Constructive Empiricism and the Acceptance of a Theory. Part II: Probabilistic Causality 9. ΑΝΑΚΟΙΝΩΣΕΙΣ ΣΕ ΣΥΝΕ ΡΙΑ 1. Effect of Silicon Surface Pre-oxidation on Porous Silicon formation UP.PhotopoulosU, A.G. Nassiopoulos and E. Valamontes II-International Workshop on light emitting low dimensional silicon structures, Lagonissi-Attiki, June Electrical and Optical characterization of light emitting devices based on Si/CaFB2B multilayers, A.G.Nassiopoulou, V.Tsakiri, V.Ioannou-Sougleridis, UP.PhotopoulosU, S.Menard, F. Bassani, F.Arnaud d Avitaya (invited talk), E-MRS 1998 Spring Meeting, Symposium B-II3, Strasbourg, June
5 3. Visible and near IR electroluminescence from nc-si, A.G.Nassiopoulou and P.Photopoulos, PHASDOM 98, Switzerland, October Visible and near infrared electromuninescence from nanocrystalline silicon, A.G.Nassiopoulou, P.Photopoulos and V.Ioannou-Sougleridis, MEL-ARI OPTO 2 nd annual workshop, October 1998, Tel-Aviv. 5. Nanocrystalline silicon light emitting diodes P.Photopoulos, D.Kouvatsos, A. Travlos and A.G.Nassiopoulou, XI Greek National Conference on Solid State Physics, Patras September Dielectric and Optical Properties of nc-si/caf 2 multiquantum wells V.Tsakiri, V.Ioannou-Sougleridis, P.Photopoulos, A.G.Nassiopoulou, F.Bassani and F.Arnaud d Avitaya, XI Greek National Conference on Solid State Physics, Patras September Electroluminescence from Si in nc-si/caf 2 and Si/SiO 2 superlattices, A.G.Nassiopoulou, T.Ouisse, P.Photopoulos, F.Bassani and F.Arnaud d Avitaya, MEL-ARI Workshop Project: Silicon Modules for Integrated Light Engineering, April 2000, Edinburgh, UK 8. Light emitting properties of nc-si/sio 2 single and multilayer structures P.Photopoulos, A.G.Nassiopoulou and A. Travlos, Symposium on Microcrystalline and Nanocrystalline Semiconductors, E-MRS 1999, Strasbourg, May Low Dimensional Si structures: from electron transport to light emission (invited), T. Ouisse, A.G.Nassiopoulou, V.Ioannou-Sougleridis, P.Photopoulos, D.N.Kouvatsos, XII Greek National Conference on Solid State Physics, Nauplio, September Photo- and Electroluminescence from Si/SiO2 superlattices, P. Photopoulos, A.G.Nassiopoulou and D.N.Kouvatsos, Symposium on Materials and Technologies for Optoelectronic Devices, E-MRS 2000, Spring Meeting, Strasbourg, May Radiative recombination from Si quantum dots in Si/SiO 2 superlattices, P.Photopoulos, T.Ouisse, D.N.Kouvatsos, A.G.Nassiopoulou, Microelectronics, Microsystems and Nanotechnology MMN 2000, Athens, Greece 5
6 10. ΗΜΟΣΙΕΥΣΕΙΣ ΣΕ ΙΕΘΝΗ ΠΕΡΙΟ ΙΚΑ ΜΕ ΚΡΙΤΕΣ ηµοσίευση citations* Photoluminescence from SiOB2B/Si/SiOB2B structures, 4 UP.PhotopoulosU and A.G.Nassiopoulou, J. Phys: Condens. Matter 15, 3641, (2003) Room and low temperature voltage tunable 49 electroluminescence from a single layer of quantum dots in between two thin SiOB2B layers P. Photopoulos and A. G. Nassiopoulou, Appl. Phys. Lett. 77, 1816 (2000) Photoluminescence from nanocrystalline silicon in Si/SiO2 59 superlattices UP.PhotopoulosU, A.G.Nassiopoulou, D.N.Kouvatsos, A.Travlos, Appl. Phys. Lett. 76, 6951 (2000). Photo- and electroluminescence from nanocrystalline silicon 14 single and multilayer structures, UP.PhotopoulosU, A.G.Nassiopoulou, D.N.Kouvatsos and A. Travlos, Mater. Sci. & Eng. B 69-70, 345 (2000). Light emitting structures based on nanocrystalline (Si/CaFB2B) 2 multiquantum wells, A.G.Nassiopoulou, V.Tsakiri, V.Ioannou- Sougleridis, UP.PhotopoulosU, S.Menard, F.Bassani and F.Arnaud d Avitaya, Journal of Luminescence 22, 2313 (1998). Stable visible photo- and electroluminescence from 18 nanocrystalline silicon thin films fabricated on thin SiOB2B layers by low pressure chemical vapour deposition A.G.Nassiopoulou, V.Ioannou-Sougleridis, UP.PhotopoulosU, A.Travlos, V.Tsakiri and D.Papadimitriou, Phys. St. Sol. (a) 165,79 (1998). Electroluminescence from Si/CaFB2B multilayers grown by 5 molecular beam epitaxy V.Ioannou-Sougleridis, V.Tsakiri, A.G.Nassiopoulou, UP.PhotopoulosU, F.Bassani and F.Arnaud d Avitaya Phys. St. Sol (a) 165, 97 (1998). Σύνολο: 151 * πηγή: Isis Web of Knowledge 6
7 ΠΕΡΙΛΗΨΕΙΣ ΗΜΟΣΙΕΥΣΕΩΝ 7
8 ΗΜΟΣΙΕΥΣΕΙΣ ΣΕ ΠΕΡΙΟ ΙΚΑ ΜΕ ΚΡΙΤΕΣ 1 Photoluminescence from SiOB2B/Si/SiOB2B structures, UP.PhotopoulosU and A.G.Nassiopoulou, J. Phys: Condens. Matter 15, 3641, (2003) Περίληψη: Η δηµοσίευση συγκρίνει τις ιδιότητες φωτοφωταύγειας από δοµές SiOB2B/nc-Si/SiOB2B οι οποίες αναπτύχθηκαν µέσω µιας διαδικασίας εναπόθεσης ενός λεπτού υµενίου Si ακολουθούµενου από θερµική οξείδωση σε υψηλή θερµοκρασία. Η ανάπτυξη των υµενίων Si έγινε µε την µέθοδο της χηµικής εναπόθεσης ατµών σε θερµοκρασίες 580,610 και 625P0PC. Καταγράφτηκε η αύξηση της ισχύος της φωτοφωταύγειας στην περίπτωση που το εναποµένον υµένιο nc-si έχει πάχος µικρότερο από 4nm. Επιπλέον καταγράφτηκε η εξάρτηση της ισχύος της φωτοφωταύγειας από το πάχος του υµενίου SiOB2B µεταξύ υποστρώµατος και νανοκρυσταλλικού πυριτίου καθώς και από την φύση του υποστρώµατος. 2 Room and low temperature voltage tunable electroluminescence from a single layer of quantum dots in between two thin SiOB2B layers P. Photopoulos and A. G. Nassiopoulou, Appl. Phys. Lett. 77, 1816 (2000) Περίληψη: Η δηµοσίευση παρουσιάζει τα αποτελέσµατα φωταύγειας από ένα στρώµα κβαντικών σηµείων πυριτίου ανεπτυγµένων µεταξύ δύο λεπτών υµενίων οξειδίου του πυριτίου, κάτω από ηλεκτρική διέγερση. Κατά τις µετρήσεις καταγράφηκε η εξάρτηση του µέγιστου της ηλεκτροφωταύγειας από την εφαρµοζόµενη τάση. Μειώνοντας την θερµοκρασία υπό σταθερή τάση διέγερσης παρατηρήθηκε αύξηση της ισχύος του φάσµατος ηλεκτροφωταύγειας και µετατόπιση προς µικρότερα µήκη κύµατος. Η µετατόπιση προς µικρότερα µήκη κύµατος ήταν εντονότερη αυτής που παρατηρείται κάτω από έντονη οπτική διέγερση. Η συµπεριφορά αυτή αποδίδεται σε επανασύνδεση Auger, φαινόµενα φόρτισης των νανοκρυστάλλων είτε φαινόµενο Stark σε κρυσταλλίτες νανοµετρικών διαστάσεων. 8
9 3 Photoluminescence from nanocrystalline silicon in Si/SiO2 superlattices UP.PhotopoulosU, A.G.Nassiopoulou, D.N.Kouvatsos, A.Travlos, Appl. Phys. Lett. 76, 6951 (2000). Περίληψη: Η εργασία παρουσιάζει την κατασκευή υπερδοµών νανοκρυσταλλικού Si/SiOB2B µέσω µιας διαδικασίας διαδοχικών εναποθέσεων λεπτών υµενίων Si (10-12nm) ακολουθούµενων από θερµική οξείδωση σε υψηλή θερµοκρασία. Η ανάπτυξη των υµενίων Si έγινε µε την µέθοδο της χηµικής εναπόθεσης ατµών σε θερµοκρασία 580P0PC. Μετρήσεις ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας ιέλευσης έδειξαν ότι τα αµέσως µετά την εναπόθεση, τα υµένια Si ήταν άµορφα, ενώ από µετρήσεις φωτοφωταύγειας προέκυψε ότι τα φάσµατά τους εµφάνιζαν δύο ασθενείς κορυφές: Μία ασταθή στα nm και µια δεύτερη στα 650nm περίπου, η οποία διατηρούσε σταθερό µέγιστο. Μετά το στάδιο της οξείδωσης στους 900P0PC, το πάχος του υµενίου Si µετατράπηκε σε νανοκρυσταλλικό µε πάχος µικρότερο από 5nm και παρουσίαζε ισχυτή φωτοφωταύγεια. Το µέγιστο του φάσµατος µετατοπιζόταν προς µικρότερα µήκη κύµατος καθώς ο χρόνος οξείδωσης αυξανόταν. Συγκεκριµένα καταγράφτηκε µετατόπιση του µήκους κύµατος του µεγίστου από τα nm (πάχος νανοκρυσταλλικού υµενίου 2-4nm) στα nm (πάχος νανοκρυσταλλικού υµενίου 1-1,5nm). Όταν η διάρκεια της οξείδωσης ήταν πολύ µεγάλη το φάσµα φωταύγειας που καταγράφτηκε ήταν εξαιρετικά ασθενές. Η παρατηρούµενη φωταύγεια αποδόθηκε στην επαναδύνδεση οπών-ηλεκτρονίων τα οποία παγιδεύονται σε εντοπισµένες καταστάσεις στην επιφάνεια των νανοκρυστάλλων Si όταν το µεγεθός τους γίνεται µικρότερο από την ακτίνα του ελεύθερου εξιτονίου (5nm). Παρατηρήθηκε ότι η αύξηση των περιόδων της υπερδοµής συνοδεύτηκε από υπεργραµµική αύξηση της ισχύος της φωτοφωταύγειας η οποία αποδόθηκε σε καλύτερη κρυσταλλοποίηση, µείωση της πυκνότητας των µη-ακτινοβόλων κέντρων επανασύνδεσης ή οπτική ενίσχυση λόγω ανάκλασης στην διεπιφάνεια. 9
10 4 Photo- and electroluminescence from nanocrystalline silicon single and multilayer structures, UP.PhotopoulosU, A.G.Nassiopoulou, D.N.Kouvatsos and A. Travlos, Mater. Sci. & Eng. B 69-70, 345 (2000). Περίληψη: Η δηµοσίευση εστιάζει στις δοµικές διαφορές καθώς και στις διαφορές που παρουσιάζουν τα φάσµατα φωτο- και ηλεκτροφωταύγειας από δοµές SiOB2B/Si/SiOB2B. Το ενδιαφέρον εντοπίζεται στις σηµαντικές διαφορές που καταγράφονται όταν τα πάχη του υµενίου Si είναι µεταξύ 4 και 15nm από την µια πλευρά και µικρότερα από 2nm από την άλλη. Κατασκευάστηκαν υπερδοµές Si/SiOB2B µέσω µιας διαδικασίας διαδοχικών εναποθέσεων λεπτών υµενίων Si ακολουθούµενων από θερµική οξείδωση σε υψηλή θερµοκρασία. Αξιοποιούνται τα αποτελέσµατα µετρήσεων Μικροσκοπίας Ηλεκτρονικής έσµης διέλευσης για τον εντοπισµό των δοµικών διαφορών που παρουσιάζουν τα λεπτά υµένια Si που αναπτύσσονται σε θερµοκρασίες µεταξύ 580 και 560P0PC. Τα αποτελέσµατα έδειξαν ότι εναποθέσεις σε θερµοκρασία 580P0PC ευνοούν τον σχηµατισµό απότοµων διεπιφανειών Si/SiOB2B. Οι µετρήσεις φωταύγειας από υπερδοµές Si/SiOB2B στις οποίες το πάχος του υµενίου Si ήταν ~10nm παρουσίαζαν τρεις κορυφές στο ~550, ~650 και ~750nm. Καταγράφτηκαν µε λεπτοµέρεια τα χαρακτηριστικά της ασταθούς κορυφής στα 550nm µέσω µετρήσεων συνεχούς διέγερσης (cw) φωτοφωταύγειας και ηλεκτροφωταύγειας, µετρήσεων οπτικής ισχύος και µεταβατικών µετρήσεων κάτω από διέγερση ηλεκτρικού παλµού. Επιπλέον παρατηρήθηκε ότι µετά από ένα στάδιο παρατεταµένης οξείδωσης σχηµατίζονται υπερδοµές νανοκρυσταλλικού Si/SiOB2B οι οποίες εµφανίζουν φωταύγεια στο εγγύς υπέρυθρο (>750nm) χωρίς να εµφανίζεται η ασταθής κορυφή στα 550nm και η κορυφή στα 650nm η οποία οφείλεται σε ατέλειες στην διεπιφάνεια Si/SiOB2B. 10
11 5 6 Light emitting structures based on nanocrystalline (Si/CaFB2B) multiquantum wells, A.G.Nassiopoulou, V.Tsakiri, V.Ioannou- Sougleridis, UP.PhotopoulosU, S.Menard, F.Bassani and F.Arnaud d Avitaya, Journal of Luminescence 22, 2313 (1998). Περίληψη: Αντικείµενο της εργασίας είναι η κατασκευή φωτοδιόδων στις οποίες το οπτικά ενεργό υλικό είναι πολυστρωµατικές δοµές νανοκρυσταλλικού Si/CaFB2 B(50 περίοδοι) οι οποίες αναπτύχθηκαν µε την µέθοδο της επιταξίας Μοριακής έσµης. Το τυπικό πάχος των υµενίων Si κυµαινόταν µεταξύ 1.4 και 1.6nm και των υµενίων CaFB2B µεταξύ 0.8 και 2.8nm. Καταγράφτηκε η οµοιότητα των φασµάτων ηλεκτρο- και φωτοφωταύγειας πράγµα που καταδεικνύει την ύπαρξη ενός µηχανισµού επανασύνδεσης οπών-ηλεκτρονίων στους νανοκρυσταλλίτες Si. Οι ηλεκτρικές µετρήσεις C-V κατέδειξαν την ύπαρξη βρόγχου υστέρησης, γεγονός που αποδίδεται στην αποθήκευση φορτίου στους νανοκρυσταλλίτες Si. Από την µορφή των βρόγχων υστέρησης προκύπτει ότι στις διατάξεις δεν παρατηρείται παγίδευση φορτίου στην διεπιφάνεια. Η διέλευση φορτίων σε χαµηλές τάσεις κατά τις µετρήσεις I-V, κυριαρχείται από ταλαντώσεις του ρεύµατος οι οποίες µπορούν να αποδοθούν σε εντοπισµένα φαινόµενα διέλευσης συντονισµού σύραγγας. Για µεγάλες τιµές της τάσης η χαρακτηριστική Ι-V είναι τύπου Shottky. Stable visible photo- and electroluminescence from nanocrystalline silicon thin films fabricated on thin SiOB2B layers by low pressure chemical vapour deposition A.G.Nassiopoulou, V.Ioannou- Sougleridis, UP.PhotopoulosU, A.Travlos, V.Tsakiri and D.Papadimitriou, Phys. St. Sol. (a) 165,79 (1998). Περίληψη: Η εργασία παρουσιάζει τα δοµικά χαρακτηριστικά καθώς και τις ιδιότητες φωτο- και ηλεκτροφωταύγειας από υµένια Si, τα οποία αναπτύχθηκαν µε χηµική εναπόθεση ατµών επάνω σε προοξειδωµένα υποστρώµατα πυριτίου. Οι εναποθέσεις έγιναν σε θερµοκρασίες από 580 έως 610P0PC. Τα δείγµατα εξετάστηκαν µε µετρήσεις Μικροσκοπίας Ηλεκτρονικής έσµης ιέλευσης. Μελετήθηκε η µορφολογία των διεπιφανειών Si/SiOB2B καθώς και η επίδραση που είχε η οξείδωση στην κρυσταλλικότητα των αρχικών υµενίων. Τα φάσµατα φωτοφωταύγειας ήταν ανοµοιόρφα από σηµείου σε σηµείο του ίδιου δείγµατος ενώ παρουσίασαν εξάρτηση από τις συνθήκες εναπόθεσης του αρχικού υµενίου και την θερµική διεργασία που υπέστη. Τα φάσµατα φωταύγειας αποδόθηκαν σε επανασύνδεση φορέων σε εντοπισµένες καταστάσεις που δηµιουργούνται µέσα στο πολυκρυσταλλικό υµένιο πυριτίου. Οι µετρήσεις διέλευσης φορτίου παρουσίασαν εξάρτηση από την ηλεκτρική προϊστορία του δείγµατος πράγµα που αποδίδεται στην αταξία της δοµής των υµενίων Si. 11
12 7 Electroluminescence from Si/CaFB2B multilayers grown by molecular beam epitaxy V.Ioannou-Sougleridis, V.Tsakiri, A.G.Nassiopoulou, UP.PhotopoulosU, F.Bassani and F.Arnaud d Avitaya Phys. St. Sol (a) 165, 97 (1998). Περίληψη: Καταγράφτηκε ηλεκτροφωταύγεια στο ορατό από πολυστρωµατικές δοµές νανοκρυσταλλικού Si/CaFB2 B(50 περίοδοι) οι οποίες αναπτύχθηκαν µε την µέθοδο της Επιταξίας Μοριακής έσµης επάνω σε υποστρώµατα Si (111). Το πάχος των υµενίων Si ήταν 1.4, 1.5 και 1.6nm και των υµενίων CaFB2B 1.2nm. Η πύλη ήταν ένα ηµιδιαφανές υµένιο ΙΤΟ το οποίο εναποτέθηκε µε την µέθοδο της ιοντοβολής. Μετρήσεις φωτοφωταύγειας έδειξαν ότι κατά τα διάφορα στάδια κατασκευής των φωτοδιόδων το µήκος κύµατος µέγιστης ισχύος µετατοπίζεται προς µικρότερα µήκη κύµατος πράγµα που υποδεικνύει προσρόφηση οξυγόνου στην επιφάνεια των νανοκρυσταλλιτών. Κατά τις ηλεκτρικές µετρήσεις C-V καταγράφτηκε η τυπική συµπεριφορά διατάξεων MIS η οποία αποδίδεται στην αποθήκευση φορτίου. Η µετατόπιση της χαρακτηριστικής C-V ήταν µεγαλύτερη στα δείγµατα εκείνα στα οποία τα πάχος του υµενίου CaFB2B ήταν µεγαλύτερο. Τέλος παρατηρήθηκε ηλεκτροφωταύγεια για τάσεις µεγαλύτερες από 5V. 12
13 ΑΚΟΙΝΩΣΕΙΣ ΣΕ ΣΥΝΕ ΡΙΑ Silicon nanostructures in Si/SiOB2B superlattices for light emission applications: possibilities and limits, A.G.Nassiopoulou, T.Ouisse, UP.PhotopoulosU, in Frontiers of Nano-optoelectronic systems: Molecular scale engineering and processes, Edited by L. Pavesi and E.V. Buzaneva, (Kluwer Publishing, Ukraine, 2000) Περίληψη: 1 Το άρθρο εστιάζει στη δυσκολία διέγερσης των νανοκρυστάλλων πυριτίου σε δοµές SiOB2B/nc-Si/SiOB2B µε εφαρµογή τάσης. Με βάση την µετατόπιση του µήκους κύµατος µέγιστης εκποµπής προς µικρότερα µήκη κύµατος µε την αύξηση της εφαρµοζόµενης τάσης, τις ηλεκτρικές µετρήσεις I-V και C-V προκύπτουν µια σειρά από ενδιαφέροντα συµπεράσµατα. Οι διατάξεις εµφάνισαν µία ή το πολύ δύο συχνότητες αποκοπής πράγµα που οδηγεί στο συµπέρασµα ότι το υµένιο πολυκρυσταλλικού πυριτίου εµφανίζει πολύ µεγαλύτερη αγωγιµότητα συγκρινόµενο µε τα δύο λεπτά υµένια οξειδίου. Με βάση αυτή την παρατήρηση οι διατάξεις µπορούν να αναπαρασταθούν µε δύο κυκλώµατα R-C στα οποία οι αντιστάσεις αντιστοιχούν στην διέλευση των ρευµάτων διαρροής µέσα από τα οξείδια. Οι διαφορές στις τιµές των αντιστάσων που προέκυψαν µετά από υπολογισµούς σε διαφορετικές διατάξεις δείχνουν ότι η αγωγή φορέων µέσα από τα οξείδια γίνεται µέσω ατελειών των οποίων η πυκνότητα µεταβάλλεται από διάταξη σε διάταξη. Τα αποτελέσµατα αυτά σε συνδυασµό µετρήσεις αγωγιµότητας οδηγούν στο συµπέρασµα ότι οι οπές εγχέονται στους νανοκρυσταλλίτες από το υπόστρωµα και επανασυνδέονται εκεί µε τα ηλεκτρόνια τα οποία εγχέονται από την πύλη. 13
14 Radiative recombination from Si quantum dots in Si/SiOB2B superlattices, UP.PhotopoulosU, T.Ouisse, D.N.Kouvatsos, A.G.Nassiopoulou, Microelectronics, Microsystems and Nanotechnology MMN 2000, Athens, Greece Περίληψη: 2 Η παρούσα δηµοσίευση εξετάζει την επανασύνδεση οπώνηλεκτρονίων σε κβαντικά σηµεία πυριτίου τα οποία έχουν αναπτυχθεί σε πολυστρωµατικές δοµές nc-si/siob2b. Για πάχη των υµενίων nc-si µικρότερα από 5-6nm καταγράφτηκε φωταύγεια τόσο από µονοστρωµατικές όσο και από πολυστρωµατικές δοµές. Παρατηρήθηκε µετατόπιση του φάσµατος φωτο- και ηλεκτροφωταύγειας προς µικρότερα µήκη κύµατος όταν µειωνόταν το πάχος του υµενίου nc-si. Επίσης, καταγράφτηκε αντιστρεπτή µετατόπιση του µήκους κύµατος µέγιστης εκποµπής µε την εφαρµοζόµενη τάση και την θερµοκρασία. Στην εργασία εξετάζεται η επίδραση που έχει τόσο η εφαρµοζόµενη τάση, όσο και η θερµοκρασία στους χρόνους ακτινοβόλου επανασύνδεσης. 14
15 Low Dimensional Si structures: from electron transport to light emission (invited), T. Ouisse, A.G.Nassiopoulou, V.Ioannou- Sougleridis, UP.PhotopoulosU, D.N.Kouvatsos, XII Greek National Conference on Solid State Physics, Nauplio, September Περίληψη: 3 Η δηµοσίευση συγκρίνει τα χαρακτηριστικά ηλεκτροφωταύγειας σε δοµές nc-si/cafb2b and nc-si/siob2b. Για τις πρώτες εντοπίζεται η αύξηση της ενέργειας µέγιστης εκποµπής των φασµάτων φωταύγειας µε το πάχος των υµενίων CaFB2 Bπράγµα που δεν µπορεί να εξηγηθεί µε κάποιου είδους επιφανειακή οξείδωση των νανοκτυσταλλιτών Si όταν το πάχος του υµενίου CaFB2B είναι λεπτό π.χ nm. Για πολύ λεπτά υµένια CaFB2 Bη ηλεκτρονική δοµή του µονωτή δεν ακολουθεί αυτήν του υλικού σε µακροσκοπικές δοµές και κατά συνέπεια ο περιορισµός των νανοκρυσταλλιτών είναι πιο χαλαρός. Η παρατηρούµενη µπλέ µετατόπιση των φασµάτων ηλεκτροφωταύγειας µε την τάση δεν µπορεί να αποδοθεί στο κβαντικό φαινόµενο Stark, το οποίο είναι αµελητέο για διαστάσεις των νανοκρυσταλλιτών µικρότερες από 2nm, αλλά µόνο στο φαινόµενο Auger. Αντίστοιχα στις δοµές nc-si/siob2b το σηµαντικότερο εµπόδιο για την ανάπτυξη εφαρµογών οπτοηλεκτρονικής είναι η δυσκολία έγχυσης των φορέων στους νανοκρυσταλλίτες. Με βάση αποτελέσµατα προσοµοίωσης προκύπτει ότι: στην περίπτωση του ενός στρώµατος νανοκρυσταλλιτών µεγαλύτερη απόδοση ηλεκτροφωταύγειας προκύπτει όταν τα δύο υµένια SiOB2B µέσα στα οποία έχουν αναπτυχθεί οι νανοκρύσταλλοι έχουν το ίδιο πάχος. Θα πρέπει τα πάχη των δύο οξειδίων να είναι αρκούντως µικρά έτσι ώστε να επιτρέπουν την διέλευση µεγαλύτερων ρευµάτων. 15
16 Nanocrystalline silicon for light emitting device applications, A.G. Nassiopoulou, UP.PhotopoulosU and A. Travlos, in: Physics Chemistry and Applications of Nanostructures, 1999, Edited by: V.E.Borisenko, A.B. Filonov, S.V. Gaponenko, V.S. Gurin, (World Scientific, Singapore, 1999), pp Περίληψη: 4 Στόχος της εργασίας ήταν η ανάπτυξη υµενίων νανοκρυσταλλικού πυριτίου για την κατασκευή φωτοδιόδων τεχνολογίας Si. Για τον σκοπό αυτό χρησιµοποιήθηκε η µέθοδος Χηµικής Εναπόθεσης Ατµών (LPCVD). Τα δείγµατα αναπτύχθηκαν επάνω σε προοξειδωµένα υποστρώµατα πυριτίου και χαρακτηρίστηκαν µε Ηλεκτρονική Μικροσκοπία (HREM), περίθλαση ηλεκτρονίων και φωτοφωταύγεια. Κατασκευάστηκαν δίοδοι οι οποίες κάτω από ηλεκτρική διέγερση 5,5V επεδύκνυαν σταθερή φωταύγεια η οποία κάλυπτε δύο περιοχές του φάσµατος: µία στο ορατό µεταξύ nm και µια δεύτερη στο εγγύς υπέρυθρο. Nanocrystalline silicon light emitting diodes UP.PhotopoulosU, D.Kouvatsos, A. Travlos and A.G.Nassiopoulou, XI Greek National Conference on Solid State Physics, Patras September Περίληψη: 5 Η δηµοσίευση εστιάζει στην µεταβολή της φωτοφωταύγειας µε την θερµοκρασία και δείχνει ότι στα φάσµατα εµπεριέχονται δύο συνιστώσες µε διαφορετική εξέλιξη µε την θερµοκρασία και κατά συνέπεια διαφορετικό µηχανισµό. Η φωταύγεια ~750nm ακολουθεί την τυπική εξάρτηση που αναφέρεται σε επανασύνδεση οπώνηλεκτρονίων σε συστήµατα πυριτίου µηδενικών διαστάσεων, ενώ η φωταύγεια στα 550nm µειώνεται µονότονα µε την θερµοκρασία και αποδίδεται σε ατέλειες στο οξείδιο. Τέλος παρουσιάζονται µετρήσεις αποδιέγερσης της φωτο- και ηλεκτροφωταύγειας. Από την σύγκρισή τους και από αποτελέσµατα µέτρησης της κβαντικής απόδοσης επισηµαίνεται ότι απαραίτητη προϋπόθεση για την ανάπτυξη οπτικών εφαρµογών νανοκρυσταλλικού πυριτίου είναι η βελτίωση της έγχυσης φορέων στους νανοκρυσταλλίτες όταν εφαρµόζεται ηλεκτρική διέγερση. 16
17 Visible and near infrared electromuninescence from nanocrystalline silicon, A.G.Nassiopoulou, UP.PhotopoulosU and V.Ioannou- Sougleridis, MEL-ARI OPTO 2PndP annual workshop, October 1998, Tel-Aviv. Περίληψη: 6 Το άρθρο αποτελεί µια συνολική περιγραφή της µεθόδου ανάπτυξης υπερδοµών νανοκρυσταλλικού Si/SiOB2B µέσω µιας διαδικασίας διαδοχικών εναποθέσεων λεπτών υµενίων Si (10-12nm) µε Εναπόθεση Ατµών LPCVD) ακολουθούµενων από θερµική οξείδωση σε υψηλή θερµοκρασία και των ιδιοτήτων φωταύγειας από τις δοµές αυτές. Συγκρίνει τα φάσµατα φωταύγειας µε τα φάσµατα ηλεκτροφωταύγειας που καταγράφονται από δοµές της SiOB2B/nc- Si/SiOB2B οι οποίες περιέχουν νανοκρυστάλλους µε παραπλήσιο µέγεθος. Τέλος, παρουσιάζονται τα αποτελέσµατα ηλεκτρικών µετρήσεων από τέτοιες δοµές και συνάγονται συµπεράσµατα σχετικά µε την δυνατότητα αξιοποίησής τους σε εφαρµογές. Visible and near infrared room temperature luminescence from nanocrystalline Si developed on thin SiOB2B layers, P. Photopoulos, V. Ioannou-Sougleridis, A. Nassipoulou, XIV Greek National Conference on Solid State Physics, Ioannina, September Περίληψη: 7 Το νανοκρυσταλλικό πυρίτιο αποτελεί ένα από τα υλικά που µελετούνται µε στόχο την ανάπτυξη ολοκληρωµένων οπτοηλεκτρονικών διατάξεων πυριτίου. Στην παρούσα εργασία, συζητείται η αξιοποίηση της µεθόδου της Χηµικής Ενοπόθεσης Ατµών σε χαµηλή πίεση (LPCVD) για την ανάπτυξη νανο-κρυσταλλικού πυριτίου επάνω σε λεπτά υµένια θερµικού οξειδίου πάχους 8-20nm. Η θερµοκρασία εναπόθεσης κυµαινόταν µεταξύ 580 και 610P0PC ενώ η ροή της σιλάνης κρατήθηκε σταθερή στα 50sccm σε πίεση 30 και 40Pa. Τα δείγµατα που κατασκευάστηκαν παρουσιάζουν φωταύγεια κάτω από οπτική και ηλεκτρική διέγερση, στο ορατό και το εγγύς υπέρυθρο, σε θερµοκρασία περιβάλλοντος. Η φωταύγεια του υλικού (µήκος κύµατος µέγιστης εκποµπής και ένταση) παρουσίασε εξάρτηση από τις συνθήκες εναπόθεσης και την δοµή του αντίστοιχου υµενίου πυριτίου που εναποτέθηκε όπως αυτή καταγράφεται σε µετρήσεις Μικροσκοπίας Ηλεκτρονικής έσµης ιέλευσης. 17
18 Electroluminescent Devices based on zero and one-dimensional silicon structures A.G. Nassiopoulos, P. Photopoulos, V. Ioannou- Sougleridis, S. Grigoropoulos, D. Papadimitriou, Mat. Res. Soc. Symp. Vol 452, 1997 Περίληψη: 8 Κατασκευάστηκαν διατάξεις ηλεκτροφωταύγειας µε βάση µονοδιάστατες δοµές πυριτίου καθώς και µε δοµές µηδενικών διαστάσεων. Οι µονοδιάστατες δοµές ήταν νανοκολώνες πυριτίου οι οποίες αναπτύχθηκαν σε υπόστρωµα πυριτίου µε τεχνικές οπτικής λιθογραφίας και ξηρής εγχάραξης. Η αποµόνωση, µηχανική στήριξη αλλά και διαµόρφωση του ύψους των κβαντικών νηµάτων έτσι ώστε να είναι επίπεδη η επιφάνεια της πύλης, έγινε µε PMMA. Το PMMA είναι ένα µονωτικό πολυµερές διαφανές στην περιοχή του ορατού. Οι δοµές µηδενικών διαστάσεων, κβαντικά σηµεία, αναπτύχθηκαν επάνω σε ένα λεπτό υµένιο θερµικού οξειδίου µε την µέθοδο της χηµικής ενοπόθεσης ατµών (LPCVD). Το µέταλλο πύλης στις διατάξεις που κατασκευάστηκαν ήταν χρυσός ή αλουµίνιο. Τα δύο είδη φωτοδιόδων που κατασκευάστηκαν επιδεικνύουν ηλεκτροφωταύγεια στην περιοχή του ορατού για τάσεις µεγαλύτερες από 5 µε 7V η οποία είναι ορατή µε γυµνό µάτι. εν παρατηρήθηκε µείωση της ηλεκτροφωταύγειας Γγα αρκετές ώρες συνεχούς λειτουργίας των φωτοδιόδων. 18
19 ΣΥΝΟΛΙΚΗ ΠΡΟΫΠΗΡΕΣΙΑ ΑΝΑ ΕΤΟΣ 19
20 1994 Τύπος Προϋπηρεσίας ΙΑΝ ΦΕΒ ΜΑΡ ΑΠΡ ΜΑΙ ΙΟΥΝ ΙΟΥΛ ΑΥΓ ΣΕΠ ΟΚΤ ΝΟΕ ΕΚ Έρευνα ιδασκαλία CMA CMA CMA Επαγγελµατική Σύνολο Προϋπηρεσίας µετά από αναγωγή σε πλήρες ωράριο σε µήνες Έρευνα 0 ιδασκαλία 3 Επαγγελµατική 0 CMA: ιδασκαλία στα τµήµατα Electronic και Mechanical Engineering στο C.M.A. Athens ( ικαιολογητικά Β1) 20
21 1995 Τύπος Προϋπηρεσίας ΙΑΝ ΦΕΒ ΜΑΡ ΑΠΡ ΜΑΙ ΙΟΥΝ ΙΟΥΛ ΑΥΓ ΣΕΠ ΟΚΤ ΝΟΕ ΕΚ Έρευνα ιδασκαλία CMA CMA CMA CMA CMA CMA CMA CMA Επαγγελµατική Σύνολο Προϋπηρεσίας µετά από αναγωγή σε πλήρες ωράριο σε µήνες Έρευνα 0 ιδασκαλία 8 Επαγγελµατική 0 CMA: ιδασκαλία στα τµήµατα Electronic και Mechanical Engineering στο C.M.A. Athens ( ικαιολογητικά Β1) 21
22 1996 Τύπος Προϋπηρεσίας ΙΑΝ ΦΕΒ ΜΑΡ ΑΠΡ ΜΑΙ ΙΟΥΝ ΙΟΥΛ ΑΥΓ ΣΕΠ ΟΚΤ ΝΟΕ ΕΚ Έρευνα ιδασκαλία CMA CMA CMA CMA CMA CMA CMA CMA Επαγγελµατική Σύνολο Προϋπηρεσίας µετά από αναγωγή σε πλήρες ωράριο σε µήνες Έρευνα 0 ιδασκαλία 8 Επαγγελµατική 0 CMA: ιδασκαλία στα τµήµατα Electronic και Mechanical Engineering στο C.M.A. Athens ( ικαιολογητικά Β1) 22
23 1997 Τύπος Προϋπηρεσίας ΙΑΝ ΦΕΒ ΜΑΡ ΑΠΡ ΜΑΙ ΙΟΥΝ ΙΟΥΛ ΑΥΓ ΣΕΠ ΟΚΤ ΝΟΕ ΕΚ Έρευνα IMEL IMEL IMEL IMEL IMEL IMEL ιδασκαλία CMA CMA CMA CMA CMA UoG UoG UoG UoG Επαγγελµατική Σύνολο Προϋπηρεσίας µετά από αναγωγή σε πλήρες ωράριο σε µήνες Έρευνα 6 ιδασκαλία 9 Επαγγελµατική 0 CMA: ιδασκαλία στα τµήµατα Electronic και Mechanical Engineering στο C.M.A. Athens ( ικαιολογητικά Β1) UoG: Lectures Senior Lecturer, University of Glamorgan ( ικαιολογητικά Β2) IMEL: Έρευνα στο Ινστιτούτο Μικροηλεκτρονικής ΕΚΕΦΕ ηµόκριτος ( ικαιολογητικά Β3) 23
24 1998 Τύπος Προϋπηρεσίας ΙΑΝ ΦΕΒ ΜΑΡ ΑΠΡ ΜΑΙ ΙΟΥΝ ΙΟΥΛ ΑΥΓ ΣΕΠ ΟΚΤ ΝΟΕ ΕΚ Έρευνα ιδασκαλία UoG UoG UoG UoG UoG UoG UoG UoG Επαγγελµατική Σύνολο Προϋπηρεσίας µετά από αναγωγή σε πλήρες ωράριο σε µήνες Έρευνα 0 ιδασκαλία 8 Επαγγελµατική 0 UoG: Lectures Senior Lecturer, University of Glamorgan ( ικαιολογητικά Β2) 24
25 1999 Τύπος Προϋπηρεσίας ΙΑΝ ΦΕΒ ΜΑΡ ΑΠΡ ΜΑΙ ΙΟΥΝ ΙΟΥΛ ΑΥΓ ΣΕΠ ΟΚΤ ΝΟΕ ΕΚ Έρευνα IMEL IMEL IMEL IMEL IMEL IMEL IMEL IMEL ιδασκαλία CMA CMA CMA CMA CMA CMA CMA Επαγγελµατική Σύνολο Προϋπηρεσίας µετά από αναγωγή σε πλήρες ωράριο σε µήνες Έρευνα 8 ιδασκαλία 7 Επαγγελµατική 0 IMEL: Έρευνα στο Ινστιτούτο Μικροηλεκτρονικής ΕΚΕΦΕ ηµόκριτος ( ικαιολογητικά Β3) CMA: ιδασκαλία στα τµήµατα Electronic και Mechanical Engineering στο C.M.A. Athens ( ικαιολογητικά Β4) 25
26 2000 Τύπος Προϋπηρεσίας ΙΑΝ ΦΕΒ ΜΑΡ ΑΠΡ ΜΑΙ ΙΟΥΝ ΙΟΥΛ ΑΥΓ ΣΕΠ ΟΚΤ ΝΟΕ ΕΚ Έρευνα IMEL IMEL IMEL ιδασκαλία CMA CMA CMA CMA CMA Επαγγελµατική ICBS ICBS ICBS Σύνολο Προϋπηρεσίας µετά από αναγωγή σε πλήρες ωράριο σε µήνες Έρευνα 3 ιδασκαλία 5 Επαγγελµατική 3 IMEL: Έρευνα στο Ινστιτούτο Μικροηλεκτρονικής ΕΚΕΦΕ ηµόκριτος ( ικαιολογητικά Β3) CMA: ιδασκαλία στα τµήµατα Electronic και Mechanical Engineering στο C.M.A. Athens ( ικαιολογητικά Β4) ICBS: Ακαδηµαϊκός ιευθυντής στο ICBS University of Kingston ( ικαιολογητικά Β5) 26
27 2001 Τύπος Προϋπηρεσίας ΙΑΝ ΦΕΒ ΜΑΡ ΑΠΡ ΜΑΙ ΙΟΥΝ ΙΟΥΛ ΑΥΓ ΣΕΠ ΟΚΤ ΝΟΕ ΕΚ Έρευνα ιδασκαλία teiath/ερ teiath/ερ teiath/ερ Επαγγελµατική ICBS ICBS ICBS ICBS ICBS ICBS ICBS ICBS ICBS ICBS ICBS ICBS Σύνολο Προϋπηρεσίας µετά από αναγωγή σε πλήρες ωράριο σε µήνες Έρευνα 0 ιδασκαλία 3 Επαγγελµατική 12 teiath/ep: Εργαστηριακός συνεργάτης ΤΕΙ Αθήνας, Τµήµα Ηλεκτρονικής 15ώρες/εβδοµάδα ( ικαιολογητικά Β6) ICBS: Ακαδηµαϊκός ιευθυντής στο ICBS University of Kingston ( ικαιολογητικά Β5) 27
28 2002 Τύπος Προϋπηρεσίας ΙΑΝ ΦΕΒ ΜΑΡ ΑΠΡ ΜΑΙ ΙΟΥΝ ΙΟΥΛ ΑΥΓ ΣΕΠ ΟΚΤ ΝΟΕ ΕΚ Έρευνα ιδασκαλία teiath/ερ teiath/ερ teiath/ερ teiath/ερ teiath/εp teiath/ερ teiath/ερ teiath/ερ teiath/ερ Επαγγελµατική ICBS ICBS ICBS ICBS ICBS ICBS AGSM AGSM AGSM Σύνολο Προϋπηρεσίας µετά από αναγωγή σε πλήρες ωράριο σε µήνες Έρευνα 0 ιδασκαλία 6,8 Επαγγελµατική 9 teiath/ep (ΙΑΝ-ΙΟΥΝ): Εργαστηριακός συνεργάτης ΤΕΙ Αθήνας, Τµήµα Ηλεκτρονικής 15ώρες/εβδοµάδα ( ικαιολογητικά Β6) teiath/ep (ΟΚΤ- ΕΚ): Εργαστηριακός συνεργάτης ΤΕΙ Αθήνας, Τµήµα Ενεργ. Τεχν. 2ώρες/εβδοµάδα ( ικαιολογητικά Β6) ICBS: Ακαδηµαϊκός ιευθυντής στο ICBS University of Kingston ( ικαιολογητικά Β5) 28
29 2003 Τύπος Προϋπηρεσίας ΙΑΝ ΦΕΒ ΜΑΡ ΑΠΡ ΜΑΙ ΙΟΥΝ ΙΟΥΛ ΑΥΓ ΣΕΠ ΟΚΤ ΝΟΕ ΕΚ Έρευνα ιδασκαλία teiath/ερ teiath/ερ teiath/ερ teiath/ερ teiath/ερ teiath/ερ Επαγγελµατική AGSM AGSM AGSM AGSM AGSM AGSM AGSM AGSM AGSM AGSM AGSM AGSM Σύνολο Προϋπηρεσίας µετά από αναγωγή σε πλήρες ωράριο σε µήνες Έρευνα 0 ιδασκαλία 1,6 Επαγγελµατική 12 teiath/ep (ΙΑΝ-ΙΟΥΝ): Εργαστηριακός συνεργάτης ΤΕΙ Αθήνας, Τµήµα Ενεργ. Τεχν. 2ώρες/εβδοµάδα ( ικαιολογητικά Β6) AGSM: Ακαδηµαϊκός ιευθυντής στο AGSM Nottingham Trent University ( ικαιολογητικά Β5) 29
30 2004 Τύπος Προϋπηρεσίας Έρευνα ΙΑΝ ΦΕΒ ΜΑΡ ΑΠΡ ΜΑΙ ΙΟΥΝ ΙΟΥΛ ΑΥΓ ΣΕΠ ΟΚΤ ΝΟΕ ΕΚ ιδασκαλία teihal/ερ teilam/ep teipir/ep teihal/ερ teilam/ep teipir/ep teihal/ερ teilam/ep teipir/ep Επαγγελµατική µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ Σύνολο Προϋπηρεσίας µετά από αναγωγή σε πλήρες ωράριο σε µήνες Έρευνα 0 ιδασκαλία 3 Επαγγελµατική 12 µ&νεμπ: Τεχνική Υποστήριξη στο ΠΜΣ Μικροσυστήµατα & Νανοδιατάξεις ( ικαιολογητικά Β7) teilam/ep: Εργαστηριακός συνεργάτης ΤΕΙ Λαµίας, Τµήµα Ηλεκτρολογίας 6ώρες/εβδοµάδα ( ικαιολογητικά Β8) teihal/ep: Εργαστηριακός συνεργάτης ΤΕΙ Χαλκίδας, Τµήµα Ηλεκτρολογίας 4ώρες/εβδοµάδα ( ικαιολογητικά Β9) teipir/ep: Εργαστηριακός συνεργάτης ΤΕΙ Πειραιά, Τµήµα ΗΥΣ 6ώρες/εβδοµάδα ( ικαιολογητικά Β10) 30
31 2005 Τύπος Προϋπηρεσίας ΙΑΝ ΦΕΒ ΜΑΡ ΑΠΡ ΜΑΙ ΙΟΥΝ ΙΟΥΛ ΑΥΓ ΣΕΠ ΟΚΤ ΝΟΕ ΕΚ Έρευνα IKY IKY ιδασκαλία teihal/ερ teilam/ep teihal/ερ teilam/ep teihal/ερ teilam/ep teihal/ερ teilam/ep teihal/ερ teilam/ep teihal/ερ teilam/ep teipir/ep teipir/ep teipir/ep teipir/ep teipir/ep teipir/ep teipir/ep teipir/ep Επαγγελµατική µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ Σύνολο Προϋπηρεσίας µετά από αναγωγή σε πλήρες ωράριο σε µήνες Έρευνα 2 ιδασκαλία 8 Επαγγελµατική 12 ΙΚΥ: Μεταδιδακτορική Έρευνα ( ικαιολογητικά Β13) teilam/ep: Εργαστηριακός συνεργάτης ΤΕΙ Λαµίας, Τµήµα Ηλεκτρολογίας 6ώρες/εβδοµάδα ( ικαιολογητικά Β8) teihal/ep: Εργαστηριακός συνεργάτης ΤΕΙ Χαλκίδας, Τµήµα Ηλεκτρολογίας 4ώρες/εβδοµάδα ( ικαιολογητικά Β9) teipir/ep: Εργαστηριακός συνεργάτης ΤΕΙ Πειραιά, Τµήµα ΗΥΣ 6ώρες/εβδοµάδα ( ικαιολογητικά Β10) µ&νεμπ: Τεχνική Υποστήριξη στο ΠΜΣ Μικροσυστήµατα & Νανοδιατάξεις ( ικαιολογητικά Β7) 31
32 2006 Τύπος Προϋπηρεσία ΙΑΝ ΦΕΒ ΜΑΡ ΑΠΡ ΜΑΙ ΙΟΥΝ ΙΟΥΛ ΑΥΓ ΣΕΠ ΟΚΤ ΝΟΕ ΕΚ ς Έρευνα IKY IKY IKY IKY IKY IKY IKY IKY IKY IKY IKY IKY ιδασκαλία Επαγγελµατι κή teipir/ep teipir/ep teipir/ep teipir/ep teipir/eπ teipir/eπ teipir/eπ teipir/ep teipir/ep ΕΜΠ ΕΜΠ ΕΜΠ ΕΜΠ ΕΜΠ ΕΜΠ ΕΜΠ ΕΜΠ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ Σύνολο Προϋπηρεσίας µετά από αναγωγή σε πλήρες ωράριο σε µήνες Έρευνα 12 ιδασκαλία 10 Επαγγελµατική 12 ΙΚΥ: Μεταδιδακτορική Έρευνα ( ικαιολογητικά Β13) teipir/ep: Εργαστηριακός συνεργάτης ΤΕΙ Πειραιά, Τµήµα ΗΥΣ 14ώρες/εβδοµάδα ( ικαιολογητικά Β10) ΕΜΠ (ΙΑΝ-ΑΠΡ): Εκπαίδευση φοιτητών του ΠΜΣ Μικροσυστήµατα & Νανοδιατάξεις σε Εργαστηριακές Τεχνικές για Νανο-υλικά ( ικαιολογητικά Β11) ΕΜΠ (ΣΕΠ- ΕΚ): Προσαρµογή Εκπαιδευτικού Υλικού του Προγράµµατος PULLNANO για τις εκπαιδευτικές ανάγκες των φοιτητών του ΠΜΣ Μικροσυστήµατα & Νανοδιατάξεις ( ικαιολογητικά Β12) teipir/eπ: Επιστηµονικός συνεργάτης ΤΕΙ Πειραιά, Τµήµα ΗΥΣ 6ώρες/εβδοµάδα µάθηµα Σήµατα & Συστήµατα ( ικαιολογητικά Β10) 32
33 2007 Τύπος Προϋπηρεσίας ΙΑΝ ΦΕΒ ΜΑΡ ΑΠΡ ΜΑΙ ΙΟΥΝ ΙΟΥΛ ΑΥΓ ΣΕΠ ΟΚΤ ΝΟΕ ΕΚ Έρευνα IKY IKY IKY IKY ΕΜΠ ΕΜΠ ΕΜΠ ΕΜΠ ΕΜΠ ΕΜΠ ΕΜΠ ΕΜΠ ιδασκαλία teipir/eπ ΕΜΠ teipir/eπ ΕΜΠ teipir/eπ ΕΜΠ teipir/eπ ΕΜΠ teipir/eπ ΕΜΠ teipir/eπ teipir/eπ teilam/eπ teipir/eπ teilam/eπ Επαγγελµατική µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ Σύνολο Προϋπηρεσίας µετά από αναγωγή σε πλήρες ωράριο σε µήνες Έρευνα 12 ιδασκαλία 7,5 Επαγγελµατική 12 ΙΚΥ: Μεταδιδακτορική Έρευνα ( ικαιολογητικά Β13) ΕΜΠ (ΙΟΥΛ- ΕΚ): Έρευνα µε θέµα Νανοηλεκτρονικές διατάξεις µνήµης στο ΕΜΠ ( ικαιολογητικά Β14) µ&νεμπ: Τεχνική Υποστήριξη στο ΠΜΣ Μικροσυστήµατα & Νανοδιατάξεις ( ικαιολογητικά Β7) teipir/eπ: Επιστηµονικός συνεργάτης ΤΕΙ Πειραιά, Τµήµα ΗΥΣ 6ώρες/εβδοµάδα µάθηµα Σήµατα & Συστήµατα ( ικαιολογητικά Β10) ΕΜΠ (ΙΑΝ-ΜΑΙ): Προσαρµογή Εκπαιδευτικού Υλικού του Προγράµµατος PULLNANO για τις εκπαιδευτικές ανάγκες των φοιτητών του ΠΜΣ Μικροσυστήµατα & Νανοδιατάξεις ( ικαιολογητικά Β12) 33
34 2008 Τύπος Προϋπηρεσίας ΙΑΝ ΦΕΒ ΜΑΡ ΑΠΡ ΜΑΙ ΙΟΥΝ ΙΟΥΛ ΑΥΓ ΣΕΠ ΟΚΤ ΝΟΕ ΕΚ Έρευνα ΕΜΠ ΕΜΠ ΕΜΠ ΕΜΠ ΕΜΠ ΕΜΠ ΕΜΠ ΕΜΠ ιδασκαλία teipir/eπ teilam/eπ teipir/eπ teilam/eπ teipir/eπ teilam/eπ teipir/eπ teilam/eπ teipir/eπ teilam/eπ ΕΜΠ teipir/eπ teilam/eπ ΕΜΠ ΕΜΠ teipir/eπ teipir/eπ teipir/eπ Επαγγελµατική µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ µ&νεμπ Σύνολο Προϋπηρεσίας µετά από αναγωγή σε πλήρες ωράριο σε µήνες Έρευνα 8 ιδασκαλία 7,5 Επαγγελµατική 8 ΕΜΠ (ΙΑΝ-ΑΠΡ & ΣΕΠ-ΝΟΕ): Έρευνα Μετρήσεις Οπτικής Φασµατοσκοπίας σε Χαµηλοδιάστατα Συστήµατα ( ικαιολογητικά Β16) ΕΜΠ ( ΕΚ): Έρευνα Ανάπτυξη κβαντικών σηµείων πυριτίου σε δοµές MOS ( ικαιολογητικά Β18) ΕΜΠ (ΜΑΙ-ΙΟΥΛ): Εκπαίδευση φοιτητών του ΠΜΣ Μικροσυστήµατα & Νανοδιατάξεις σε Εργαστηριακές Τεχνικές για Νανο-υλικά ( ικαιολογητικά Β17) teilam/ep: Επιστηµονικός συνεργάτης ΤΕΙ Λαµίας, Τµήµα Ηλεκτρονικής 6ώρες/εβδοµάδα ( ικαιολογητικά Β15) teipir/eπ: Επιστηµονικός συνεργάτης ΤΕΙ Πειραιά, Τµήµα ΗΥΣ 5ώρες/εβδοµάδα µάθηµα Σήµατα & Συστήµατα ( ικαιολογητικά Β10) µ&νεμπ: Τεχνική Υποστήριξη στο ΠΜΣ Μικροσυστήµατα & Νανοδιατάξεις ( ικαιολογητικά Β7) 34
35 2009 Τύπος Προϋπηρεσίας ΙΑΝ ΦΕΒ Έρευνα ΕΜΠ ΕΜΠ ιδασκαλία teipir/eπ teipir/eπ Επαγγελµατική Σύνολο Προϋπηρεσίας µετά από αναγωγή σε πλήρες ωράριο σε µήνες Έρευνα 0 ιδασκαλία 3 Επαγγελµατική 0 ΕΜΠ (ΙΑΝ-ΦΕΒ): Έρευνα Ανάπτυξη κβαντικών σηµείων πυριτίου σε δοµές MOS ( ικαιολογητικά Β18) teipir/eπ: Επιστηµονικός συνεργάτης ΤΕΙ Πειραιά, Τµήµα ΗΥΣ 5ώρες/εβδοµάδα µάθηµα Σήµατα & Συστήµατα ( ικαιολογητικά Β10) 35
Βιογραφικό Σημείωμα. Βιολέττας Γιαννέτα. Κερύνειας 13, Πάτρα, Ελλάδα, 26441 Οκτώβριος 25, 1978 Πάτρα Αχαΐας, Ελλάδα
Βιογραφικό Σημείωμα Βιολέττας Γιαννέτα ΠΡΟΣΩΠΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ Διεύθυνση: Ημερομηνία Γέννησης: Τόπος Γέννησης: Διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου: Tηλ: Κερύνειας 13, Πάτρα, Ελλάδα, 26441 Οκτώβριος 25, 1978
Διαβάστε περισσότεραΧαρακτηρισμός και μοντέλα τρανζίστορ λεπτών υμενίων βιομηχανικής παραγωγής: Τεχνολογία μικροκρυσταλλικού πυριτίου χαμηλής θερμοκρασίας
Χαρακτηρισμός και μοντέλα τρανζίστορ λεπτών υμενίων βιομηχανικής παραγωγής: Τεχνολογία μικροκρυσταλλικού πυριτίου χαμηλής θερμοκρασίας Υποψήφιος Διδάκτορας: Α. Χατζόπουλος Περίληψη Οι τελευταίες εξελίξεις
Διαβάστε περισσότεραΕΠΙΠΕΔΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ. αρχικό υλικό. *στάδια επίπεδης τεχνολογίας. πλακίδιο Si. *ακολουθία βημάτων που προσθέτουν ή αφαιρούν υλικά στο πλακίδιο Si
ΕΠΙΠΕΔΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ αρχικό υλικό + *στάδια επίπεδης τεχνολογίας πλακίδιο Si *ακολουθία βημάτων που προσθέτουν ή αφαιρούν υλικά στο πλακίδιο Si οξείδωση εναπόθεση διάχυση φωτολιθογραφία φωτοχάραξη Παραγωγή
Διαβάστε περισσότεραΤο υποσύστηµα "αίσθησης" απαιτήσεις και επιδόσεις φυσικά µεγέθη γενική δοµή και συγκρότηση
Το υποσύστηµα "αίσθησης" απαιτήσεις και επιδόσεις φυσικά µεγέθη γενική δοµή και συγκρότηση Το υποσύστηµα "αίσθησης" είσοδοι της διάταξης αντίληψη του "περιβάλλοντος" τροφοδοσία του µε καθορίζει τις επιδόσεις
Διαβάστε περισσότεραΕΤΟΣ ΓΕΝΝΗΣΗΣ: 11/6/1966, ΑΤΑΛΑΝΤΗ ΦΘΙΩΤΙΔΟΣ. ΠΑΡΟΥΣΑ ΘΕΣΗ: Τακτικός Καθηγητής στο ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΛΑΜΙΑΣ
Δρ. ΘΕΟΔΩΡΟΣ ΓΚΑΝΕΤΣΟΣ ΠΥΛΟΥ 22, Ν.ΚΗΦΙΣΙΑ ΤΗΛΕΦΩΝΟ: 22310 60140 Kινητό τηλέφωνο: 6945-273390 email : g anetsos@teilam.gr 1. ΠΡΟΣΩΠΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΕΤΟΣ ΓΕΝΝΗΣΗΣ: 11/6/1966, ΑΤΑΛΑΝΤΗ ΦΘΙΩΤΙΔΟΣ ΠΑΡΟΥΣΑ ΘΕΣΗ:
Διαβάστε περισσότεραΜΕΛΕΤΗ ΧΑΜΗΛΟ ΙΑΣΤΑΤΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΒΑΣΙΖΟΜΕΝΩΝ ΣΤΟ SiC
ΤΙΤΛΟΣ Ι ΑΚΤΟΡΙΚΗΣ ΙΑΤΡΙΒΗΣ: ΜΕΛΕΤΗ ΧΑΜΗΛΟ ΙΑΣΤΑΤΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΒΑΣΙΖΟΜΕΝΩΝ ΣΤΟ SiC Λαφατζής ηµήτριος Υποψήφιος διδάκτωρ στο Α.Π.Θ. Τµήµα Φυσικής ΤΡΙΜΕΛΗΣ ΕΠΙΤΡΟΠΗ: Καθηγ. ΛΟΓΟΘΕΤΙ ΗΣ ΣΤΕΡΓΙΟΣ (Τµ. Φυσικής,
Διαβάστε περισσότεραΘέµατα που θα καλυφθούν
Ηµιαγωγοί Semiconductors 1 Θέµατα που θα καλυφθούν Αγωγοί Conductors Ηµιαγωγοί Semiconductors Κρύσταλλοι πυριτίου Silicon crystals Ενδογενείς Ηµιαγωγοί Intrinsic semiconductors ύο τύποι φορέων για το ρεύµασεηµιαγωγούς
Διαβάστε περισσότεραΜελέτη Ηλεκτρικών Ιδιοτήτων Νανοδοµηµένων ιηλεκτρικών: i) SiN ii) Νανοκρυσταλλικό ιαµάντι
Εθνικό και Καποδιστριακό Πανεπιστήµιο Αθηνών Μελέτη Ηλεκτρικών Ιδιοτήτων Νανοδοµηµένων ιηλεκτρικών: i) SiN ii) Νανοκρυσταλλικό ιαµάντι Χρήστος Λιούτας Τριµελής Επιτροπή Καθ. Παπαϊωάννου Γ., Τµ. Φυσικής,
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρική αντίσταση και οπτική διαπερατότητα λεπτών υμενίων VO 2 στην περιοχή μετάλλου-μονωτή (ΜΙΤ)
Εθνικό και Καποδιστριακό Πανεπιστήμιο Αθηνών Τμήμα Φυσικής Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης Ηλεκτρική αντίσταση και οπτική διαπερατότητα λεπτών υμενίων VO 2 στην περιοχή μετάλλου-μονωτή (ΜΙΤ) Δήμητρα
Διαβάστε περισσότεραΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΟΣ ΛΕΠΤΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ ΥΔΡΟΓΟΝΩΜΕΝΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ (Si:H) ΜΕ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ ΥΠΕΡΙΩΔΟΥΣ ΟΡΑΤΟΥ (UV/VIS)
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΟΣ ΛΕΠΤΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ ΥΔΡΟΓΟΝΩΜΕΝΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ (Si:H) ΜΕ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ ΥΠΕΡΙΩΔΟΥΣ ΟΡΑΤΟΥ (UV/VIS) Γ. Αλεξίου, Β. Περδικάρη, Π. Δημητρακέλλης, Ε. Φάρσαρη, Α. Καλαμπούνιας, Ε.Αμανατίδης και Δ.Ματαράς
Διαβάστε περισσότεραΝανοτεχνολογία και Ηλεκτρονική Μικροσκοπία
ΕΚΕΦΕ ΗΜΟΚΡΙΤΟΣ Ινστιτούτο Επιστήµης Υλικών Νανοτεχνολογία και Ηλεκτρονική Μικροσκοπία Ν. Μπούκος Αυτός ο κόσµος ο µικρός, ο µέγας. Περίγραµµα Εισαγωγή - Κίνητρα Νανοτεχνολογία Σχέση παρασκευής-µικροδοµήςιδιοτήτων
Διαβάστε περισσότεραΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΜΙΚΡΟ ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΣΤΟ ΕΜΠ ΕΙΣΑΓΩΓΗ - ΓΕΝΙΚΑ ΠΑΡΑ ΕΙΓΜΑ ΜΙΚΡΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΣΤΟ ΕΜΠ ΠΑΡΑ ΕΙΓΜΑ ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΣΤΟ ΕΜΠ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΕΣ ΣΠΟΥ ΕΣ
ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΜΙΚΡΟ ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΣΤΟ ΕΜΠ. ΤΣΟΥΚΑΛΑΣ, Αναπλ. Καθηγ., ΣΕΜΦΕ (dtsouk@central.ntua.gr). ΤΣΑΜΑΚΗΣ, Καθηγητής, ΣΗΜΜΜΥ (dtsamak@central.ntua.gr) Κ. ΧΑΡΙΤΙ ΗΣ, Αναπλ. Καθηγ., ΣΧΜ (charitidis@chemeng.ntua.gr)
Διαβάστε περισσότερα2) Μελέτη Φυσικών Διεργασιών Κατασκευής Νανοδιατάξεων σε Πυρίτιο και Γερμάνιο i) Φαινόμενα διάχυσης και ενεργοποίησης προσμίξεων εκτός
ΝΑΝΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΣΤΟ Ε.Μ.Π. Δ, Τσαμάκης Πρόεδρος ΣΗΜΜΥ ΓΕΝΙΚΑ Τελευταία δεκαετία: : Τάση για επενδύσεις στην ΈΡΕΥΝΑ στους τομείς της Νανοτεχνολογίας με στόχο τη δημιουργία υποδομής νέας γνώσης στην περιοχή
Διαβάστε περισσότεραΜπουλούσης Γεώργιος. Κονοπισοπούλου 6 11524 Αθήνα Τηλ: 2106927616, 6942215022 boulousis@gmail.com
Μπουλούσης Γεώργιος Κονοπισοπούλου 6 11524 Αθήνα Τηλ: 2106927616, 6942215022 boulousis@gmail.com ΠΡΟΣΩΠΙΚΑ ΔΕΔΟΜΕΝΑ Ημ. και Τόπος Γέννησης : 18 Νοεμβρίου 1977, Werl Γερμανίας Στρατιωτικές Υποχρεώσεις :
Διαβάστε περισσότερα*ΜΗΝΙΑΙΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΕΚΚΑΘΑΡΙΣΗΣ ΣΤΑ ΜΗ ΔΙΑΣΥΝΔΕΔΕΜΕΝΑ ΝΗΣΙΑ ETOYΣ ΜMΚ_ΜΔΝ ( /MWh) ΜΠΚΠ_ΜΔΝ ( /MWh) ΑΠΕ (MWh)
Ιαν-16 Φεβ-16 0,00 108,05 448,06 241,44 0,00 86,05 408,19 230,29 0,00 72,96 508,01 352,57 0,00 57,13 449,45 285,73 24,48 683,59 405,62 208,72 31,82 571,09 415,99 189,67 0,00 84,31 548,78 242,50 0,00 72,20
Διαβάστε περισσότερα*ΜΗΝΙΑΙΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΕΚΚΑΘΑΡΙΣΗΣ ΣΤΑ ΜΗ ΔΙΑΣΥΝΔΕΔΕΜΕΝΑ ΝΗΣΙΑ ETOYΣ ΜMΚ_ΜΔΝ ( /MWh) ΜΠΚΠ_ΜΔΝ ( /MWh) ΑΠΕ (MWh)
** Ιαν-16 ** Φεβ-16 0,00 108,05 448,06 241,44 0,00 86,05 408,19 230,29 0,00 72,96 508,01 352,57 0,00 57,13 449,45 285,73 24,48 683,59 405,62 208,72 31,82 571,09 415,99 189,67 0,00 84,31 548,78 242,50 0,00
Διαβάστε περισσότεραΆσκηση 3 Η φωτο-εκπέµπουσα δίοδος (Light Emitting Diode)
Άσκηση 3 Η φωτο-εκπέµπουσα δίοδος (Light Emitting Diode) Εισαγωγή Στην προηγούµενη εργαστηριακή άσκηση µελετήσαµε την δίοδο ανόρθωσης ένα στοιχείο που σχεδιάστηκε για να λειτουργεί ως µονόδροµος αγωγός.
Διαβάστε περισσότεραΒΙΟΓΡΑΦΙΚΟ ΣΗΜΕΙΩΜΑ 1. ΑΤΟΜΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ
ΒΙΟΓΡΑΦΙΚΟ ΣΗΜΕΙΩΜΑ 1. ΑΤΟΜΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ Επώνυμο : Παπαδοπούλου Όνομα : Παναγιώτα Όνομα πατρός : Δημήτριος Όνομα συζύγου : Λεωνίδας Ημερομηνία Γέννησης : 1-6 - 1970 Οικογενειακή Κατάσταση : Έγγαμη με ένα
Διαβάστε περισσότεραCONFERENCE PRESENTATIONS. A. International Conferences
CONFERENCE PRESENTATIONS A. International Conferences A.1 "Highly ordered porous alumina and porous Si films for electronic, photonic and sensor applications", A. G. Nassiopoulou (invited talk), REGMINA
Διαβάστε περισσότεραΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΚΤΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΕΣ ΔΙΕΡΓΑΣΙΕΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ. Περιληπτική θεωρητική εισαγωγή
ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΚΤΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΕΣ ΔΙΕΡΓΑΣΙΕΣ ΣΤΕΡΕΑΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ Περιληπτική θεωρητική εισαγωγή α) Τεχνική zchralski Η πιο συχνά χρησιμοποιούμενη τεχνική ανάπτυξης μονοκρυστάλλων πυριτίου (i), αρίστης ποιότητας,
Διαβάστε περισσότεραΤέταρτος Κύκλος Σπουδών
TECHNOLOGICAL EDUCATION INSTITUTE OF CENTRAL MACEDONIA SCHOOL OF TECHNOLOGICAL APPLICATIONS DEPARTMENT OF MECHANICAL ENGINEERING Graduate Studies Program: Academic Year 2016-17 Renewable Energy Systems:
Διαβάστε περισσότεραΝΑΝΟΥΛΙΚΑ ΚΑΙ ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΣΤΕΛΛΑ ΚΕΝΝΟΥ ΚΑΘΗΓΗΤΡΙΑ
ΣΤΕΛΛΑ ΚΕΝΝΟΥ ΚΑΘΗΓΗΤΡΙΑ 1 Ιδιότητες εξαρτώμενες από το μέγεθος Στην νανοκλίμακα, οι ιδιότητες εξαρτώνται δραματικά από το μέγεθος Για παράδειγμα, ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΝΑΝΟΥΛΙΚΩΝ (1) Θερμικές ιδιότητες θερμοκρασία
Διαβάστε περισσότεραΠέμπτος Κύκλος Σπουδών
TECHNOLOGICAL EDUCATION INSTITUTE OF CENTRAL MACEDONIA SCHOOL OF TECHNOLOGICAL APPLICATIONS DEPARTMENT OF MECHANICAL ENGINEERING Graduate Studies Program: Academic Year 2017-18 Renewable Energy Systems:
Διαβάστε περισσότεραΟΝΟΜΑ ΠΑΤΕΡΑ /νση Κατοικίας Προς: ΤΕΙ Χαλκίδας Οδός, αριθµός Τµήµα ιοίκησης Επιχ/σεων Περιοχή Τηλέφωνο Κινητό e-mail
ΑΙΤΗΣΗ ΑΝΑΘΕΣΗΣ Ι ΑΚΤΙΚΟΥ ΕΡΓΟΥ Για να καταθέσετε την παρούσα αίτηση οφείλετε προηγουµένως να έχετε διαβάσει το φυλλάδιο των οδηγιών συµπλήρωσης που βρίσκεται στο τέλος του εντύπου. Επίσης πρέπει να συµβουλευτείτε
Διαβάστε περισσότερα260/ Αγία Παρασκευή, 15/12/2017
260/2017-4182 Αγία Παρασκευή, 15/12/2017 Την 14/12/2017 συνεκλήθη η Επιτροπή Αξιολόγησης, όπως ορίστηκε µε την απόφαση µε Αριθµ. Πρωτ. 100/2017-4699/07/11/2017 της ΔΔ/Τµ. Προσωπικού, αποτελούµενη από τους
Διαβάστε περισσότεραΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ. Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής
ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής Αγωγοί- μονωτές- ημιαγωγοί Μέταλλα: Μία ζώνη μερικώς γεμάτη ή μία ζώνη επικαλύπτει την άλλη Τα ηλεκτρόνια μπορούν
Διαβάστε περισσότεραΠλασμονικές Οργανικές Δίοδοι Εκπομπής Φωτός Υψηλής Απόδοσης
Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. Πλασμονικές Οργανικές Δίοδοι Εκπομπής Φωτός Υψηλής Απόδοσης Πτυχιακή Εργασία Φοιτήτρια: Μακρή Δέσποινα ΑΜ: 43059
Διαβάστε περισσότεραΝΑΝΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΓΙΩΡΓΟΣ ΤΣΙΓΑΡΙΔΑΣ. E-mail: gtsigaridas@teilam.gr
ΝΑΝΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΓΙΩΡΓΟΣ ΤΣΙΓΑΡΙΔΑΣ E-mail: gtsigaridas@teilam.gr ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΑ Η ΕΞΕΛΙΞΗ ΤΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΟΔΗΓΕΙ ΣΤΗΝ ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΔΙΑΤΑΞΕΩΝ ΣΕ ΟΛΟΕΝΑ ΚΑΙ ΜΙΚΡΟΤΕΡΗ ΚΛΙΜΑΚΑ ΜΕ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑ ΝΑ ΜΗΝ ΙΣΧΥΟΥΝ ΠΛΕΟΝ
Διαβάστε περισσότεραΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ. Γ. Λευθεριώτης Επικ. καθηγητής
ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ Γ. Λευθεριώτης Επικ. καθηγητής Αγωγοί- μονωτές- ημιαγωγοί Ενεργειακά διαγράμματα ημιαγωγού Ηλεκτρόνια (ΖΑ) Οπές (ΖΣ) Ενεργειακό χάσμα και απορρόφηση hc 1,24 Eg h Eg ev m max max Χρειάζονται
Διαβάστε περισσότερα10η Ενότητα: Το υποσύστημα "αίσθησης"
10η Ενότητα: Το υποσύστημα "αίσθησης" απαιτήσεις και επιδόσεις φυσικά μεγέθη γενική δομή και συγκρότηση ΤΕΙ Πειραιά Καθηγητής Γ. Χαμηλοθώρης ΜΗΧΑΤΡΟΝΙΚΗ ISL I nt el l i gent Syst ems Lab 1 Το υποσύστημα
Διαβάστε περισσότεραΜελέτη Ηλεκτρομηχανικών Ιδιοτήτων Χωρητικών Διακοπτών RF-MEMS
Εθνικό και Καποδιστριακό Πανεπιστήμιο Αθηνών Τμήμα Φυσικής Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης Μελέτη Ηλεκτρομηχανικών Ιδιοτήτων Χωρητικών Διακοπτών RF-MEMS Μπιρμπιλιώτης Δημήτριος Τριμελής Επιτροπή Καθηγητής
Διαβάστε περισσότεραΚαινοτόµο σύστηµα αξιοποίησης φυσικού φωτισµού µε αισθητήρες στο επίπεδο εργασίας
ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΦΩΤΟΤΕΧΝΙΑΣ Καινοτόµο σύστηµα αξιοποίησης φυσικού φωτισµού µε αισθητήρες στο επίπεδο εργασίας Ευάγγελος-Νικόλαος
Διαβάστε περισσότεραΜετρήσεις Διατάξεων Laser Ανιχνευτές Σύμφωνης Ακτινοβολίας. Ιωάννης Καγκλής Φυσικός Ιατρικής Ακτινοφυσικός
Μετρήσεις Διατάξεων Laser Ανιχνευτές Σύμφωνης Ακτινοβολίας Ιωάννης Καγκλής Φυσικός Ιατρικής Ακτινοφυσικός Maximum Permissible Exposure (MPE) - Nominal Hazard Zone (NHZ) Μέγιστη Επιτρεπτή Έκθεση (MPE) Το
Διαβάστε περισσότεραΤ.Ε.Ι. ΥΤΙΚΗΣ ΜΑΚΕ ΟΝΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΜΕΣΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΣ
Τ.Ε.Ι. ΥΤΙΚΗΣ ΜΑΚΕ ΟΝΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΜΕΣΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΣ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΩΝ ΣΥΝΕΡΓΑΤΩΝ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ ΤΡΙΣ ΙΑΣΤΑΤΕΣ ΨΗΦΙΑΚΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΚΑ. ΕΤΟΣ 2018-2019 ΠΙΝΑΚΑΣ (α) άρθρου 2, παρ.
Διαβάστε περισσότεραΣύνθεση νανοδομών ZnO σε υδατικά διαλύματα και η χρήση τους ως αισθητήρες όζοντος
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΡΗΤΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΧΗΜΕΙΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΚΡΗΤΗΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΠΡΟΣΤΑΣΙΑΣ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΟΣ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΩΝ
Διαβάστε περισσότεραΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ. Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής
ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής Φασματική απόκριση φ/β (SR) Ενέργεια φωτονίων μεγαλύτερη από το Eg δεν αξιοποιείται, δηλ. δεν οδηγεί στην αύξηση του
Διαβάστε περισσότεραΠΡΟΣΩΠΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ: ΕΚΠΑΙ ΕΥΣΗ: ΌΝΟΜΑ: ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΓΕΝΝΗΣΗΣ: 1 ΙΟΥΝΙΟΥ 1976 ΤΟΠΟΣ ΓΕΝΝΗΣΗΣ: ΕΘΝΙΚΟΤΗΤΑ: ΟΙΚΟΓΕΝΕΙΑΚΗ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗ:
ΓΕΩΡΓΙΟΣ ΘΩΜΟΣ Ρ. ΠΟΛΙΤΙΚΟΣ ΜΗΧΑΝΙΚΟΣ ΒΙΟΓΡΑΦΙΚΟ ΣΗΜΕΙΩΜΑ ΠΡΟΣΩΠΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ: ΕΠΩΝΥΜΟ: ΌΝΟΜΑ: ΘΩΜΟΣ ΓΕΩΡΓΙΟΣ ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΓΕΝΝΗΣΗΣ: 1 ΙΟΥΝΙΟΥ 1976 ΤΟΠΟΣ ΓΕΝΝΗΣΗΣ: ΕΘΝΙΚΟΤΗΤΑ: ΟΙΚΟΓΕΝΕΙΑΚΗ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗ: ΙΕΥΘΥΝΣΗ
Διαβάστε περισσότεραμη διδακτικής
ΠΡΑΚΤΙΚΟ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗΣ ΥΠΟΨΗΦΙΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΩΝ ΣΥΝΕΡΓΑΤΩΝ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΟΥ ΕΤΟΥΣ 2018-2019 ΓΙΑ ΤΑ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑ ΦΥΣΙΚΗΣ, ΦΥΣΙΚΗΣ I ΚΑΙ ΦΥΣΙΚΗ ΙΙ ΤΟΥ ΠΑΙΔΑΓΩΓΙΚΟΥ ΤΜΗΜΑΤΟΣ Σήμερα, 20-09-2018 ημέρα Πέμπτη και ώρα
Διαβάστε περισσότεραΒιογραφικό σημείωμα. Εμμανουήλ Δημάκης
Βιογραφικό σημείωμα Εμμανουήλ Δημάκης Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf Institute of Ion Beam Physics and Materials Research Bautzner Landstraße 400, 01328 Δρέσδη, Γερμανία +49.351.260.2765 e.dimakis@hzdr.de,
Διαβάστε περισσότερατα μεταλλικά Μια στρώμα. Για την έννοια πως αν και νανοσωματίδια (με εξάχνωση Al). πρέπει κανείς να τοποθετήσει τα μερικές δεκάδες nm πράγμα
Φραγή Coulomb σε διατάξεις που περιέχουν νανοσωματίδια. Ι. Φραγή Coulomb σε διατάξεις που περιέχουν μεταλλικά νανοσωματίδια 1. Περιγραφή των διατάξεων Μια διάταξη που περιέχει νανοσωματίδια μπορεί να αναπτυχθεί
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική 1. Στοιχειακοί ηµιαγωγοί
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική 1 Στοιχειακοί ηµιαγωγοί Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική Οµοιοπολικοί δεσµοί στο πυρίτιο Κρυσταλλική δοµή Πυριτίου ιάσταση κύβου για το Si: 0.543 nm Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική
Διαβάστε περισσότεραΕφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο
Εφαρμογές των Laser στην Φ/Β τεχνολογία: πιο φτηνό ρεύμα από τον ήλιο Μιχάλης Κομπίτσας Εθνικό Ίδρυμα Ερευνών, Ινστιτούτο Θεωρ./Φυσικής Χημείας (www.laser-applications.eu) 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΤΗΣ ΟΜΙΛΙΑΣ 1.
Διαβάστε περισσότεραΤ.Ε.Ι. ΥΤΙΚΗΣ ΜΑΚΕ ΟΝΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΜΕΣΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΣ
Τ.Ε.Ι. ΥΤΙΚΗΣ ΜΑΚΕ ΟΝΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΜΕΣΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΣ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΩΝ ΣΥΝΕΡΓΑΤΩΝ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΠΙΤΡΑΠΕΖΙΑ ΤΥΠΟΓΡΑΦΙΑ ΑΚΑ. ΕΤΟΣ 2018-2019 ΠΙΝΑΚΑΣ (α) άρθρου 2, παρ. 2, Π.. 163,
Διαβάστε περισσότερα6. ΘΕΡΜΙΚΕΣ Ι ΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΠΟΛΥΜΕΡΩΝ
6-1 6. ΘΕΡΜΙΚΕΣ Ι ΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΠΟΛΥΜΕΡΩΝ 6.1. ΙΑ ΟΣΗ ΤΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ Πολλές βιοµηχανικές εφαρµογές των πολυµερών αφορούν τη διάδοση της θερµότητας µέσα από αυτά ή γύρω από αυτά. Πολλά πολυµερή χρησιµοποιούνται
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτροχρωμικές διατάξεις βασισμένες στο WO 3 παρασκευασμένο με χημική εναπόθεση ατμών
Ηλεκτροχρωμικές διατάξεις βασισμένες στο WO 3 παρασκευασμένο με χημική εναπόθεση ατμών Δήμητρα Βερνάρδου Κέντρο Τεχνολογίας Υλικών και Φωτονικής, Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών, Τεχνολογικό Εκπαιδευτικό
Διαβάστε περισσότεραΠ. Κοράλλη 1, S. Fiat 4, Μ. Κομπίτσας 2, İ. Polat 3, E. Bacaksiz 3 και Δ. Ε. Μανωλάκος 1
ΝΕΑ ΥΛΙΚΑ ΚΑΙ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΓΙΑ ΧΑΜΗΛΟΥ ΚΟΣΤΟΥΣ & ΥΨΗΛΗΣ ΑΠΟΔΟΣΗΣ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ Π. Κοράλλη 1, S. Fiat 4, Μ. Κομπίτσας 2, İ. Polat 3, E. Bacaksiz 3 και Δ. Ε. Μανωλάκος 1 1 Σχολή Μηχανολόγων Μηχανικών,
Διαβάστε περισσότεραΤ.Ε.Ι. ΥΤΙΚΗΣ ΜΑΚΕ ΟΝΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΜΕΣΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΣ. A/A Oνοµατεπώνυµο Βασικό Πτυχίο Μεταπτυχιακοί Τίτλοι Επαγγελµατική Εµπειρία
Τ.Ε.Ι. ΥΤΙΚΗΣ ΜΑΚΕ ΟΝΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΜΕΣΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΣ ΜΑΘΗΜΑ: ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΙΣ ΝΕΕΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΣ (Εργαστήριο) ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΩΝ ΣΥΝΕΡΓΑΤΩΝ ΑΚΑ. ΕΤΟΣ 2014-2015 ΠΙΝΑΚΑΣ (α) άρθρου
Διαβάστε περισσότεραΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ. Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής
ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής Αγωγοί- μονωτές- ημιαγωγοί Μέταλλα: Μία ζώνη μερικώς γεμάτη ή μία ζώνη επικαλύπτει την άλλη Τα ηλεκτρόνια μπορούν
Διαβάστε περισσότεραΜελέτη Λεπτών Υµενίων MgCl2 Πάνω Στην Αναδοµηµένη Επιφάνεια Si(111)7x7 Με Επιφανειακά Ευαίσθητες Τεχνικές
UNIVERSITY of PATRAS Μελέτη Λεπτών Υµενίων MgCl2 Πάνω Στην Αναδοµηµένη Επιφάνεια Si(111)7x7 Με Επιφανειακά Ευαίσθητες Τεχνικές ιπλωµατική εργασία ΣΥΚΑΡΗ ΒΙΟΛΕΤΑ Επιβλέπων καθηγητής ΛΑ ΑΣ ΣΠΥΡΙ ΩΝ ΠΑΤΡΑ
Διαβάστε περισσότεραΤετάρτη, 17 Οκτωβρίου 2012 Αμφιθέατρο Κτηρίου Επιστημών Πολυτεχνείο Κρήτης 10:00-14:00
NETWORKING DAY Συνεργασία στην Έρευνα & Επαγγελματικές Προοπτικές Νέων Επιστημόνων Τετάρτη, 17 Οκτωβρίου 2012 Αμφιθέατρο Κτηρίου Επιστημών Πολυτεχνείο Κρήτης 10:00-14:00 Νάνο/Μικροηλεκτρονική και Ενσωματωμένα
Διαβάστε περισσότεραρ ε υ ν α Οι ανάγκες για ενέργεια παγκοσμίως αυξάνονται συνεχώς και εκτιμάται ότι θα διπλασιασθούν
Οργανικά Φωτοβολταϊκά Τμήμα Ηλεκτρολογίας & Κέντρο Τεχνολογίας Υλικών και Λέιζερ, ΤΕΙ Κρήτης των Δρ. Εμμανουήλ Κουδουμά, Δρ. Εμμανουηλ Κυμάκη Οι ανάγκες για ενέργεια παγκοσμίως αυξάνονται συνεχώς και εκτιμάται
Διαβάστε περισσότεραΑλλαγή της δομής των ταινιών λόγω κραματοποίησης
Αλλαγή της δομής των ταινιών λόγω κραματοποίησης Παράμετροι που τροποποιούν την δομή των ταινιών Σχηματισμός κράματος ή περισσοτέρων ημιαγωγών Ανάπτυξη ετεροδομών ή υπερδομών κβαντικός περιορισμός (quantum
Διαβάστε περισσότεραΒασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική
Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Ηµιαγώγιµα υλικά και πυρίτιο Η κατασκευή ενός ολοκληρωµένου κυκλώµατος γίνεται µε βάση ένα υλικό ηµιαγωγού (semiconductor), το οποίο
Διαβάστε περισσότερα1) Να οριστεί η δοµή των στερεών. 2) Ποιες είναι οι καταστάσεις της ύλης; 3) Τι είναι κρυσταλλικό πλέγµα και κρυσταλλική κυψελίδα;
ιάλεξη η 10 ΕΠΑΝΑΛΗΨΗ ιάλεξη 4η 1) Να οριστεί η δοµή των στερεών. 2) Ποιες είναι οι καταστάσεις της ύλης; 3) Τι είναι κρυσταλλικό πλέγµα και κρυσταλλική κυψελίδα; 4) Ποια είναι η ιδιότητα, η οποία ξεχωρίζει
Διαβάστε περισσότεραΗμιαγωγοί και Νανοηλεκτρονική
Ημιαγωγοί και Νανοηλεκτρονική Ε. Ηλιόπουλος Φ103: Θέματα Σύγχρονης Φυσικής Νοέμβριος 2017 Περί Τεχνολογίας Σύντομη ανασκόπηση της εξέλιξης της τεχνολογίας Περί Τεχνολογίας Σύντομη ανασκόπηση της εξέλιξης
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΑΛΟΥΜΙΝΙΟΥ (ΕΝΑΕΡΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΦΟΡΑ ΣΥΡΜΑΤΑ)
ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΑΛΟΥΜΙΝΙΟΥ (ΕΝΑΕΡΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΦΟΡΑ ΣΥΡΜΑΤΑ) Οι ηλεκτρικές εφαρµογές του αλουµινίου εκµεταλλεύονται πρώτιστα την πολύ καλή ηλεκτρική αγωγιµότητα (χαµηλή ειδική αντίσταση) του µετάλλου,
Διαβάστε περισσότεραΑνθεκτικότητα Υλικών και Περιβάλλον
Ανθεκτικότητα Υλικών και Περιβάλλον Ν. Μ. Μπάρκουλα, Επίκουρη Καθηγήτρια, Δρ. Μηχ/γος Μηχανικός 1 Τι είναι: Περίγραμμα Μαθήματος Επιλογής Μάθημα Επιλογής στο 9ο Εξάμηνο του ΤΜΕΥ Με τι ασχολείται: Με την
Διαβάστε περισσότεραΤ.Ε.Ι. ΥΤΙΚΗΣ ΜΑΚΕ ΟΝΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΜΕΣΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΣ
Τ.Ε.Ι. ΥΤΙΚΗΣ ΜΑΚΕ ΟΝΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΜΕΣΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΣ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΩΝ ΣΥΝΕΡΓΑΤΩΝ ΓΙΑ ΤΟ ΜΑΘΗΜΑ ΣΧΕ ΙΑΣΜΟΣ ΚΑΙ ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΙΣΤΟΣΕΛΙ ΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΚΑ. ΕΤΟΣ 2018-2019 ΠΙΝΑΚΑΣ (α) άρθρου 2,
Διαβάστε περισσότεραΟΜΟΣΠΟΝ ΙΑ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΩΝ ΦΡΟΝΤΙΣΤΩΝ ΕΛΛΑ ΟΣ (Ο.Ε.Φ.Ε.) ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ 2012. Ηµεροµηνία: Κυριακή 1 Απριλίου 2012 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ
ΤΑΞΗ: ΜΑΘΗΜΑ: ΘΕΜΑ Α Γ ΓΕΝΙΚΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΦΥΣΙΚΗ / ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙ ΕΙΑΣ Ηµεροµηνία: Κυριακή 1 Απριλίου 01 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ Να γράψετε στο τετράδιο σας τον αριθµό καθεµιάς από τις παρακάτω ερωτήσεις 1-4 και δίπλα το
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ ΔΡ. ΒΑΣΙΛΕΙΟΣ ΜΠΙΝΑΣ Τμήμα Φυσικής, Πανεπιστήμιο Κρήτης Email: binasbill@iesl.forth.gr Thl. 1269 Crete Center for Quantum Complexity and Nanotechnology Department of Physics, University
Διαβάστε περισσότεραΤ.Ε.Ι. ΥΤΙΚΗΣ ΜΑΚΕ ΟΝΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΜΕΣΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΣ
Τ.Ε.Ι. ΥΤΙΚΗΣ ΜΑΚΕ ΟΝΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΜΕΣΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΣ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΩΝ ΣΥΝΕΡΓΑΤΩΝ ΓΙΑ ΤΟ ΜΑΘΗΜΑ ΣΧΕ ΙΑΣΗ ΓΡΑΦΙΚΩΝ ΑΚΑ. ΕΤΟΣ 2018-2019 ΠΙΝΑΚΑΣ (α) άρθρου 2, παρ. 2, Π.. 163, ΦΕΚ 149/26-06-2002,
Διαβάστε περισσότεραΗ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗ ΤΩΝ ΤΜΗΜΑΤΩΝ ΤΗΣ ΣΧΟΛΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΟΥ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ. ΣΥΜΠΕΡΑΣΜΑΤΑ ΚΑΙ ΜΕΛΛΟΝΤΙΚΟΙ ΣΤΟΧΟΙ
Η ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗ ΤΩΝ ΤΜΗΜΑΤΩΝ ΤΗΣ ΣΧΟΛΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΟΥ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ. ΣΥΜΠΕΡΑΣΜΑΤΑ ΚΑΙ ΜΕΛΛΟΝΤΙΚΟΙ ΣΤΟΧΟΙ Δ. Τριάντης, Ι. Λεράκη, Α. Κιντώνη ΣΥΝΤΟΜΗ ΠΑΡΟΥΣΙΑΣΗ ΤΗΣ ΣΧΟΛΗΣ Συνέδριο «Διασφάλιση και
Διαβάστε περισσότερα6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC
6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC Θεωρητικό µέρος Αν µεταξύ δύο αρχικά αφόρτιστων αγωγών εφαρµοστεί µία συνεχής διαφορά δυναµικού ή τάση V, τότε στις επιφάνειές τους θα
Διαβάστε περισσότεραΟΠΤΙΚΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Μάθημα 6ο Φωτοπηγές Φωτοεκπέμπουσες δίοδοι LED. Αρ. Τσίπουρας, Phd ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ &ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ
ΟΠΤΙΚΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Μάθημα 6ο Φωτοπηγές Φωτοεκπέμπουσες δίοδοι LED Αρ. Τσίπουρας, Phd Email: aris@di.uoa.gr 1 Περιεχόμενα Παραγωγή φωτός Απαιτούμενα χαρακτηριστικά φωτοπηγών Λειτουργία LED 2 Εκπομπή φωτός
Διαβάστε περισσότεραΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Αγωγιμότητα σε ημιαγωγούς
ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Αγωγιμότητα σε ημιαγωγούς Δρ. Ιούλιος Γεωργίου Required Text: Microelectronic Devices, Keith Leaver (1 st Chapter) Τρέχον περιεχόμενο Αγωγή ηλεκτρικών φορτίων σε ημιαγωγούς
Διαβάστε περισσότεραΕΠΙΣΤΗΜΗ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ 1
ΕΠΙΣΤΗΜΗ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ 1 Ενότητα: ΦΡΟΝΤΙΣΤΗΡΙΟ Επιμέλεια: ΝΙΚΟΛΑΟΣ ΚΟΥΤΡΟΥΜΑΝΗΣ Τμήμα: ΧΗΜΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΤΡΑΣ 5 Μαρτίου 2015 2 ο Φροντιστήριο 1) Ποια είναι τα ηλεκτρόνια σθένους και ποιός ο ρόλος τους;
Διαβάστε περισσότεραΒρέντζου Τίνα Φυσικός Μεταπτυχιακός τίτλος: «Σπουδές στην εκπαίδευση» ΜEd Email : stvrentzou@gmail.com
1 2.4 Παράγοντες από τους οποίους εξαρτάται η αντίσταση ενός αγωγού Λέξεις κλειδιά: ειδική αντίσταση, μικροσκοπική ερμηνεία, μεταβλητός αντισ ροοστάτης, ποτενσιόμετρο 2.4 Παράγοντες που επηρεάζουν την
Διαβάστε περισσότεραΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ. Εργαστήριο Φυσικής IΙ. Μελέτη της απόδοσης φωτοβολταϊκού στοιχείου με χρήση υπολογιστή. 1. Σκοπός. 2. Σύντομο θεωρητικό μέρος
ΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ 1. Σκοπός Το φωτοβολταϊκό στοιχείο είναι μία διάταξη ημιαγωγών η οποία μετατρέπει την φωτεινή ενέργεια που προσπίπτει σε αυτήν σε ηλεκτρική.. Όταν αυτή φωτιστεί με φωτόνια κατάλληλης συχνότητας
Διαβάστε περισσότεραΠΡΑΚΤΙΚΟ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗΣ ΥΠΟΨΗΦΙΩΝ ΣΤΑ ΠΛΑΙΣΙΑ ΤΗΣ ΠΡΟΣΚΛΗΣΗΣ ΕΚΔΗΛΩΣΗΣ ΕΝΔΙΑΦΕΡΟΝΤΟΣ ΜΕ ΑΡ.ΠΡΩΤ. 015/2014-4318 ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ «ΕΠΕΔΒΜ, 2007-2013 «ΑΡΙΣΤΕΙΑ
ΠΡΑΚΤΙΚΟ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗΣ ΥΠΟΨΗΦΙΩΝ ΣΤΑ ΠΛΑΙΣΙΑ ΤΗΣ ΠΡΟΣΚΛΗΣΗΣ ΕΚΔΗΛΩΣΗΣ ΕΝΔΙΑΦΕΡΟΝΤΟΣ ΜΕ ΑΡ.ΠΡΩΤ. 015/2014-4318 ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ «ΕΠΕΔΒΜ, 2007-2013 «ΑΡΙΣΤΕΙΑ ΙΙ»-(κωδ.4709)-(THUNDER)» - «Νανοδομές φωτονικών-φωνονικών
Διαβάστε περισσότεραΠΕΙΡΑΜΑ 4: ΟΠΤΙΚΗ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ AΠΟΡΡΟΦΗΣΗΣ
ΠΕΙΡΑΜΑ 4: ΟΠΤΙΚΗ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ AΠΟΡΡΟΦΗΣΗΣ [1] ΘΕΩΡΙΑ Σύμφωνα με τη κβαντομηχανική, τα άτομα απορροφούν ηλεκτρομαγνητική ενέργεια με διακριτό τρόπο, με «κβάντο» ενέργειας την ενέργεια hv ενός φωτονίου,
Διαβάστε περισσότεραΤ.Ε.Ι. ΥΤΙΚΗΣ ΜΑΚΕ ΟΝΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΜΕΣΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΣ
Τ.Ε.Ι. ΥΤΙΚΗΣ ΜΑΚΕ ΟΝΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΜΕΣΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΣ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΩΝ ΣΥΝΕΡΓΑΤΩΝ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΙΣ ΝΕΕΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΤΗΣ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΣ ΑΚΑ. ΕΤΟΣ 2018-2019 ΠΙΝΑΚΑΣ (α) άρθρου 2, παρ.
Διαβάστε περισσότεραΠ Ρ Α Ξ Η 5/31-03-2015
ΑΝΩΤΑΤΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΕΙΡΑΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟΥ ΤΟΜΕΑ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΙΕΥΘΥΝΣΗ ΣΧΟΛΗΣ Άρθρο 9 του N. 4009/2011 Π Ρ Α Ξ Η 5/31-03-2015 Στο Αιγάλεω, σήµερα στις 31-03-2015 ηµέρα Τρίτη και ώρα
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 3: Εισαγωγή στη Διαδικασία Κατασκευής (CMOS Processing) Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών
Διαβάστε περισσότεραΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ. Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής
ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής Αγωγοί- μονωτές- ημιαγωγοί Μέταλλα: Μία ζώνη μερικώς γεμάτη ή μία ζώνη επικαλύπτει την άλλη Τα ηλεκτρόνια μπορούν
Διαβάστε περισσότεραΤ.Ε.Ι. ΥΤΙΚΗΣ ΜΑΚΕ ΟΝΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΜΕΣΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΣ
Τ.Ε.Ι. ΥΤΙΚΗΣ ΜΑΚΕ ΟΝΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΜΕΣΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΣ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΩΝ ΣΥΝΕΡΓΑΤΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΑΚΑ. ΕΤΟΣ 2017-2018 ΠΙΝΑΚΑΣ (α) άρθρου 2, παρ. 2, Π.. 163, ΦΕΚ 149/26-06-2002, τεύχος Α ΚΑΤΑΓΡΑΦΗ
Διαβάστε περισσότεραΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Διάλεξη 1: Ημιαγωγοί Δίοδος pn Δρ. Δ. ΛΑΜΠΑΚΗΣ 1 Ταλαντωτές. Πολυδονητές. Γεννήτριες συναρτήσεων. PLL. Πολλαπλασιαστές. Κυκλώματα μετατροπής και επεξεργασίας σημάτων. Εφαρμογές με
Διαβάστε περισσότεραΟι περισσότεροι μονοτοιχωματικοί νανοσωλήνες έχουν διάμετρο περί του 1 νανομέτρου (υπενθυμίζεται ότι 1nm = 10 Å).
1 2 Οι περισσότεροι μονοτοιχωματικοί νανοσωλήνες έχουν διάμετρο περί του 1 νανομέτρου (υπενθυμίζεται ότι 1nm = 10 Å). Οι πολυτοιχωματικοί νανοσωλήνες άνθρακα αποτελούνται από δύο ή περισσότερους ομοαξονικούς
Διαβάστε περισσότεραΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΩΝ ΣΠΟΥΔΩΝ «Επιστήμη Οίνου και Ζύθου MSc Wine and Beer Science» με δυο κατευθύνσεις: Oίνος (Wine) ή Ζύθος (Beer)
ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΤΡΟΦΙΜΩΝ ΚΑΙ ΔΙΑΤΡΟΦΗΣ ΤΜΗΜΑ ΟΙΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΠΟΤΩΝ Αντικείμενο ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΩΝ ΣΠΟΥΔΩΝ «Επιστήμη Οίνου και Ζύθου MSc Wine and Beer Science» με δυο κατευθύνσεις: Oίνος
Διαβάστε περισσότεραchatzipa@math.uoc.gr http://www.math.uoc.gr/ chatzipa
ΒΙΟΓΡΑΦΙΚΟ ΣΗΜΕΙΩΜΑ Ονοµατεπώνυµο : ιεύθυνση : Email: Web: ΠΑΝΑΓΙΩΤΗΣ ΧΑΤΖΗΠΑΝΤΕΛΙ ΗΣ Τµήµα Μαθηµατικών, Λεωφ. Κνωσσού, Ηράκλειο, 71409. chatzipa@math.uoc.gr http://www.math.uoc.gr/ chatzipa Προσωπικά
Διαβάστε περισσότεραΓενική Μεταπτυχιακή Εξέταση - ΕΜΠ & ΕΚΕΦΕ-" ηµόκριτος"
ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ NATIONAL TECHNICAL UNIVERSITY ΣΧΟΛΗ ΕΦΑΡΜΟΣΜΕΝΩΝ ΜΑΘΗΜΑΤΙΚΩΝ & DEPARTMENT OF PHYSICS ΦΥΣΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ - ΤΟΜΕΑΣ ΦΥΣΙΚΗΣ ZOGRAFOU CAMPUS ΗΡΩΩΝ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟΥ 9 157 80 ATHENS -
Διαβάστε περισσότεραΗ ανακλαστικότητα των φωτοβολταϊκών πλαισίων
Η ανακλαστικότητα των φωτοβολταϊκών πλαισίων Γ Έκδοση Ιανουάριος 2009 Το παρόν κείμενο αποτελεί αναδημοσίευση των βασικών σημείων από τη Μελέτη για την Αντανακλαστικότητα Φωτοβολταϊκών Πλαισίων Τεχνολογίας
Διαβάστε περισσότεραΚατηγορίες Αντιστατών. Σταθεροί Ροοστάτες (µεταβλητοί) Ποτενσιόµετρα (µεταβλητοί)
Κατηγορίες Αντιστατών Σταθεροί Ροοστάτες (µεταβλητοί) Ποτενσιόµετρα (µεταβλητοί) 1 Παράµετροι Αντιστατών Τιµή Ισχύς Ανοχή Θερµοκρασιακός συντελεστής αντίστασης Θόρυβος Χρόνος ζωής 2 Τύποι Αντιστατών Οι
Διαβάστε περισσότεραΠώς γίνεται η µετάδοση των δεδοµένων µέσω οπτικών ινών:
1 ΔΟΜΗ ΟΠΤΙΚΗΣ ΙΝΑΣ Κάθε οπτική ίνα αποτελείται από τρία μέρη: Την κεντρική γυάλινη κυλινδρική ίνα, που ονομάζεται πυρήνας(core core) και είναι το τμήμα στο οποίο διαδίδεται το φως. Την επικάλυψη (απλή
Διαβάστε περισσότεραΠΕΡΙΓΡΑΜΜΑ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ
ΠΕΡΙΓΡΑΜΜΑ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ 1. ΓΕΝΙΚΑ ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ ΔΙΔΑΣΚΟΝΤΟΣ ΛΥΚΟΥΡΓΟΣ ΜΑΓΚΑΦΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΕΠΙΠΕΔΟ ΣΠΟΥΔΩΝ ΠΡΟΠΤΥΧΙΑΚΟ ΚΩΔΙΚΟΣ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ ΒN4 ΕΞΑΜΗΝΟ ΣΠΟΥΔΩΝ
Διαβάστε περισσότεραΟ ΕΥ του έργου ρ. Ε. Μαθιουλάκης ο οποίος είναι και ο αρµόδιος ερευνητής στο συγκεκριµένο φυσικό αντικείµενο, πραγµατοποίησε
Πρακτικό Επιτροπής Αξιολόγησης για δυο (2) θέσεις εξωτερικών συνεργατών στο πρόγραµµα SolMeD δράση «ΑΡΙΣΤΕΙΑ ΙΙ» Την 17/07/2015 συνεκλήθη η Επιτροπή Αξιολόγησης, όπως ορίστηκε µε την απόφαση µε αριθµ.
Διαβάστε περισσότεραΣΥΝΘΕΣΗ ΝΑΝΟΣΩΛΗΝΩΝ ΑΝΘΡΑΚΑ ΜΕΣΩ ΘΕΡΜΟΛΥΣΗΣ ΟΡΓΑΜΟΜΕΤΑΛΛΙΚΗΣ ΕΝΩΣΗΣ ΣΕ ΣΤΕΡΕΑ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗ
ΣΥΝΘΕΣΗ ΝΑΝΟΣΩΛΗΝΩΝ ΑΝΘΡΑΚΑ ΜΕΣΩ ΘΕΡΜΟΛΥΣΗΣ ΟΡΓΑΜΟΜΕΤΑΛΛΙΚΗΣ ΕΝΩΣΗΣ ΣΕ ΣΤΕΡΕΑ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗ Α.Μ. Νέτσου 1, Ε. Χουντουλέση 1, Μ.Περράκη 2, Α.Ντζιούνη 1, Κ. Κορδάτος 1 1 Σχολή Χημικών Μηχανικών, ΕΜΠ 2 Σχολή
Διαβάστε περισσότεραΥΛΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ
ΥΛΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ ΓΙΩΡΓΟΣ ΤΣΙΓΑΡΙΔΑΣ E-mail: gtsigaridas@teilam.gr ΔΟΜΗ ΤΟΥ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΕΠΙΣΤΗΜΗ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΔΟΜΗ ΤΟΥ ΑΤΟΜΟΥ ΔΕΣΜΟΙ ΚΑΙ ΤΥΠΟΙ ΣΤΕΡΕΩΝ ΜΟΡΙΑΚΗ ΚΙΝΗΤΙΚΗ ΘΕΩΡΙΑ ΜΟΡΙΑΚΗ
Διαβάστε περισσότεραΤ.Ε.Ι. ΥΤΙΚΗΣ ΜΑΚΕ ΟΝΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΜΕΣΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΣ
Τ.Ε.Ι. ΥΤΙΚΗΣ ΜΑΚΕ ΟΝΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΜΕΣΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΣ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΩΝ ΣΥΝΕΡΓΑΤΩΝ ΓΙΑ ΤΟ ΜΑΘΗΜΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΗ ΗΜΙΟΥΡΓΙΑ ΠΟΛΥΜΕΣΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΚΑ. ΕΤΟΣ 2018-2019 ΠΙΝΑΚΑΣ (α) άρθρου 2, παρ.
Διαβάστε περισσότεραηλεκτρικό ρεύµα ampere
Ηλεκτρικό ρεύµα Το ηλεκτρικό ρεύµα είναι ο ρυθµός µε τον οποίο διέρχεται ηλεκτρικό φορτίο από µια περιοχή του χώρου. Η µονάδα µέτρησης του ηλεκτρικού ρεύµατος στο σύστηµα SI είναι το ampere (A). 1 A =
Διαβάστε περισσότεραMaster of Science in Information Technology (Software and Systems), 01/12/2000, ΙΚΑΤΣΑ, Μάστερ Επιστήµων (Μ.C.s.) στην πληροφορική 23/04/2001
Τ.Ε.Ι. ΥΤΙΚΗΣ ΜΑΚΕ ΟΝΙΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΜΟΣΙΩΝ ΣΧΕΣΕΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΣ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΩΝ ΣΥΝΕΡΓΑΤΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΑΚΑ ΗΜΑΪΚΟ ΕΤΟΣ 2012-2013 ΠΙΝΑΚΑΣ (α) άρθρου 2, παρ. 2, Π.. 163, ΦΕΚ 149/26-06-2002, τεύχος
Διαβάστε περισσότεραΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ. Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής
ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΑ Γ. Λευθεριώτης Αναπλ. Καθηγητής Γ. Συρροκώστας Μεταδιδακτορικός Ερευνητής Ορισμοί: Φασματική απόκριση φ/β (SR) Κβαντική απόδοση φ/β (QE) Φασματική απόκριση SR: Ο λόγος του φωτορεύματος I ph
Διαβάστε περισσότεραΕκτίµηση παχών ασφαλτικών στρώσεων οδοστρώµατος µε χρήση γεωφυσικής µεθόδου
Εκτίµηση παχών ασφαλτικών στρώσεων οδοστρώµατος µε χρήση γεωφυσικής µεθόδου Ανδρέας Λοΐζος Αν. Καθηγητής ΕΜΠ Χριστίνα Πλατή Πολιτικός Μηχανικός ΕΜΠ Γεώργιος Ζάχος Πολιτικός Μηχανικός ΕΜΠ ΠΕΡΙΛΗΨΗ Τα τελευταία
Διαβάστε περισσότεραΜΑΘΗΜΑ: ΟΠΤΙΚΕΣ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ ΚΑΙ ΟΠΤΙΚΑ ΙΚΤΥΑ - ΙΟ ΟΙ LASER
ΕΘΝΙΚΟ ΚΑΙ ΚΑΠΟ ΙΣΤΡΙΑΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΑΘΗΝΩΝ ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΚΑΙ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΟΠΤΙΚΩΝ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΜΑΘΗΜΑ: ΟΠΤΙΚΕΣ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ ΚΑΙ ΟΠΤΙΚΑ ΙΚΤΥΑ - ΙΟ ΟΙ LASER ΥΠ. ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ: ΗΜΗΤΡΗΣ ΣΥΒΡΙ
Διαβάστε περισσότερα«ΠΡΟΜΗΘΕΑΣ: ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΟΣ ΔΙΑΔΡΟΜΟΣ» (Ε-12192)
Αρ. Πρωτ.: 260/2018-903 08/03/2018 Πρακτικό για την Εκδήλωση Ενδιαφέροντος με αρ. 015/2018-473 στο πλαίσιο της Πράξης με τίτλο «ΠΡΟΜΗΘΕΑΣ: ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΟΣ ΔΙΑΔΡΟΜΟΣ» (Ε-12192) με κωδικό ΟΠΣ (MIS) 5002704.
Διαβάστε περισσότεραΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 4. ΕΙ ΙΚΕΣ ΙΟ ΟΙ. ίοδος zener. Χαρακτηριστική καµπύλη διόδου zener. Χαρακτηριστική καµπύλη διόδου Zener
4. Ειδικές ίοδοι - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 4. ΕΙ ΙΚΕΣ ΙΟ ΟΙ ίοδος zener Χαρακτηριστική καµπύλη διόδου zener Τάση Zener ( 100-400 V για µια απλή δίοδο) -V Άνοδος Ι -Ι Κάθοδος V Τάση zener V Z I Ζ 0,7V
Διαβάστε περισσότεραΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ NATIONAL TECHNICAL UNIVERSITY OF ATHENS
ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ NATIONAL TECHNICAL UNIVERSITY OF ATHENS ΠΟΛΙΤΙΚΟΙ ΜΗΧΑΝΟΛΟΓΟΙ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΟΙ ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΕΣ Σχολές Μηχανικών του ΕΜΠ ΧΗΜΙΚΟΙ ΤΟΠΟΓΡΑΦΟΙ ΜΕΤΑΛΛΕΙΟΛΟΓΟΙ ΝΑΥΠΗΓΟΙ APPL SCIE 2000 2016
Διαβάστε περισσότεραΕΠΑ.Λ. Β ΟΜΑ ΑΣ ΦΥΣΙΚΗ I ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ
1 ΕΠΑ.Λ. Β ΟΜΑ ΑΣ ΦΥΣΙΚΗ I ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΘΕΜΑ 1 ο Να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό καθεµιάς από τις παρακάτω ερωτήσεις 1- και δίπλα το γράµµα που αντιστοιχεί στη σωστή απάντηση. 1. Σχετικά µε τις ιδιότητες
Διαβάστε περισσότεραΒΙΟΓΡΑΦΙΚΟ ΣΗΜΕΙΩΜΑ. α1. ΑΤΟΜΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ
ΒΙΟΓΡΑΦΙΚΟ ΣΗΜΕΙΩΜΑ α1. ΑΤΟΜΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ Ονοµατεπώνυµο : ΑΙΜΙΛΙΑ ΚΟΝ ΥΛΗ Πατρώνυµο : Μιχαήλ Ηµ/νία Γέννησης : 9 Αυγούστου 1960 ιεύθυνση : Βελισσαρίου 8, Νέα Σµύρνη 171-23 Τηλέφωνο : 6978003057, 010-9326224
Διαβάστε περισσότεραΒΙΟΓΡΑΦΙΚΟ ΣΗΜΕΙΩΜΑ ΠΡΟΣΩΠΙΚΕΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΕΣ. Ελληνική ΕΚΠΑΙ ΕΥΣΗ ΚΑΙ. Ονοµατεπώνυµο ΜΕΝΝΗΣ ΕΥΑΓΓΕΛΟΣ. ιεύθυνση ΚΟΡΑΗ 2Α, 82100, ΧΙΟΣ - ΕΛΛΑ Α
ΒΙΟΓΡΑΦΙΚΟ ΣΗΜΕΙΩΜΑ ΠΡΟΣΩΠΙΚΕΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΕΣ Ονοµατεπώνυµο ΜΕΝΝΗΣ ΕΥΑΓΓΕΛΟΣ ιεύθυνση ΚΟΡΑΗ 2Α, 82100, ΧΙΟΣ - ΕΛΛΑ Α Τηλέφωνο 2271035042 Τηλεοµοιοτυπία 2271035299 Ηλεκτρονικό ταχυδροµείο v.mennis@aegean.gr
Διαβάστε περισσότερα