ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ"

Transcript

1 Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ 1.1 Τελεστικοί ενισχυτές Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής άσκησης είναι η επαφή µε ένα από τα πιο χρήσιµα γραµµικά κυκλώµατα, αυτό του τελεστικού ενισχυτή (operational amplifier OpAmp). Σε αυτή την άσκηση ο φοιτητής θα εξοικειωθεί µε τις έννοιες της ενίσχυσης AC και DC σήµατος, της αντίστασης εισόδου και εξόδου και κάποια βασικά εργαλεία ανάλυσης κυκλωµάτων. Ο τελεστικός ενισχυτής είναι ένας πολύ υψηλού κέρδους διαφορικός ενισχυτής στον οποίο χρησιµοποιούνται τεχνικές ανάδρασης για να επιτευχθεί ο έλεγχος της χαρακτηριστικής απόκρισής του. Ο τελεστικός ενισχυτής ενισχύει τόσο σταθερά (DC) όσο και χρονικά µεταβαλλόµενα σήµατα. Το κυκλωµατικό του σύµβολο δίδεται στο Σχήµα 1.1 που ακολουθεί. 1 V V + + V o Σχήµα 1.1: Κυκλωµατικό σύµβολο τελεστικού ενισχυτή Οι ακροδέκτες 1 και 2 αποτελούν εισόδους σήµατος του ενισχυτή ενώ ο ακροδέκτης 3 είναι η έξοδος σήµατος. Η τάση εξόδου ενός τελεστικού ενισχυτή είναι ίση µε τη διαφορά των τάσεων οι οποίες εφαρµόζονται στους ακροδέκτες εισόδου πολλαπλασιασµένη µε το κέρδος ανοικτού βρόχου (Α). Η τάση εξόδου Vo είναι θετική όταν η τάση που εφαρµόζεται στον θετικό ακροδέκτη 2 (µη αναστρέφουσα είσοδος V+) είναι µεγαλύτερη εκείνης που εφαρµόζεται στον αρνητικό ακροδέκτη (αναστρέφουσα είσοδος V-). Ένας ιδανικός τελεστικός ενισχυτής έχει ένα άπειρο κέρδος ανοικτού βρόχου, µε αποτέλεσµα να απαιτείται η διαφορά δυναµικού µεταξύ των εισόδων V+ και V- να είναι ακραία µικρή ώστε η τάση εξόδου Vo να είναι πεπερασµένη. Συνεπώς, στην ανάλυση κυκλωµάτων µε τελεστικούς ενισχυτές θεωρούµε ότι η διαφορά δυναµικού µεταξύ των εισόδων είναι µηδενική. Επιπλέον, ο ιδανικός τελεστικός ενισχυτής έχει άπειρη αντίσταση εισόδου και µηδενική αντίσταση εξόδου. Έτσι, στην ανάλυση κυκλωµάτων µε τελεστικούς ενισχυτές θεωρούµε ότι το ρεύµα 1

2 Εργαστηριακές Ασκήσεις Βασικών Ηλεκτρονικών - Μικροηλεκτρονικής στους ακροδέκτες εισόδου είναι µηδενικό, ενώ η τάση εξόδου, όταν ο τελεστικός οδηγεί κάποιο φορτίο, είναι ίση µε την τάση του ανοικτού κυκλώµατος. Η τάση εξόδου ενός τελεστικού ενισχυτή δίδεται από την ακόλουθη σχέση: V o = A(V + - V - ) Οι τελεστικοί ενισχυτές χαίρουν ευρύτατης χρήσης σε πολλές εφαρµογές. Μπορούν να διασυνδεθούν µε κατάλληλους τρόπους ώστε να επιτελέσουν διάφορες λειτουργίες όπως: αναστροφή, ενίσχυση, υποβιβασµό, άθροιση, ολοκλήρωση, διαφόριση, φιλτράρισµα καθώς και τη γένεση σηµάτων (ταλαντωτές). Στην παρούσα εργαστηριακή άσκηση θα εξετασθούν η αναστρέφουσα και η µη αναστρέφουσα συνδεσµολογία καθώς και η συνδεσµολογία του ακόλουθου τάσης. Σχήµα 1.2: Η τοπολογία των ακροδεκτών του τελεστικού ενισχυτή Το ολοκληρωµένο κύκλωµα 741: Στο Σχήµα 1.2 δίδεται η τοπολογία των ακροδεκτών του ολοκληρωµένου τελεστικού ενισχυτή 741. Οι ακροδέκτες του είναι σε διάταξη DIP (dual in-line package) όπου ο ακροδέκτης υπ αριθµόν 1 προσδιορίζεται µε βάση την εγκοπή η οποία υπάρχει στην µία πλευρά του ολοκληρωµένου. Προς τη µεριά αυτής της εγκοπής βρίσκονται, αριστερά ο πρώτος ακροδέκτης και δεξιά ο τελευταίος. Ο ακροδέκτης νούµερο 2 είναι η αναστρέφουσα είσοδος V-, ο νούµερο 3 είναι η µη αναστρέφουσα είσοδος V+, ενώ ο ακροδέκτης 6 είναι η έξοδος Vo. Συνήθως οι ακροδέκτες τροφοδοσίας -VCC και +VCC, 4 και 7 αντίστοιχα, δεν περιγράφονται στο κυκλωµατικό σύµβολο του ενισχυτή για λόγους µεγαλύτερης ευκρίνειας του σχηµατικού, αλλά στην πράξη θα πρέπει πάντα να συνδέονται στις κατάλληλες τάσεις τροφοδοσίας ώστε το κύκλωµα να λειτουργήσει. Οι ακροδέκτες 1 και 5 χρησιµοποιούνται για τον περιορισµό της τάσης εκτροπής (offset voltage) του τελεστικού δηλ. της τάσης που εµφανίζει στην έξοδό του όταν και οι δύο είσοδοι είναι γειωµένες. Σε πολλές εφαρµογές οι ακροδέκτες αυτοί δεν χρησιµοποιούνται και αφήνονται ανοικτοκυκλωµένοι («στον αέρα»). Ο ακροδέκτης 8 δεν παρέχει καµία λειτουργία και δεν χρησιµοποιείται. 2

3 Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών 1.2 Σχεδίαση και προσοµοίωση στο PSPICE Αναστρέφουσα συνδεσµολογία: Σχεδιάστε την αναστρέφουσα συνδεσµολογία του Σχήµατος 1.3 στο περιβάλλον σχεδίασης του OrCAD. Χρησιµοποιήστε την PSPICE βιβλιοθήκη opamp.olb. Επιλέξτε την R2=10KΩ. Χρησιµοποιήστε σαν πηγή σήµατος εισόδου υ Ι την ηµιτονική πηγή VSIN. Η τροφοδοσία του τελεστικού να πραγµατοποιηθεί µε βάση το Σχήµα 1.4 και µε τη χρήση DC πηγών τροφοδοσίας (VDC). R 2 R 1 υi V Σχήµα 1.3: Η αναστρέφουσα συνδεσµολογία V 4 υ 6 Ο +12V V V -12V Σχήµα 1.4: Τροφοδοσία του τελεστικού ενισχυτή Α) ώστε την έκφραση του κέρδους κλειστού βρόχου της συνδεσµολογίας και υπολογίστε την R1 έτσι ώστε να πάρετε κέρδος α) -10 και β) (τύπος) R1 a = R1 b = 3

4 Εργαστηριακές Ασκήσεις Βασικών Ηλεκτρονικών - Μικροηλεκτρονικής Β) Χρησιµοποιήστε για είσοδο στο κύκλωµα µία σταθερή τάση 50mV (στις παραµέτρους της πηγής σήµατος VSIN δώστε FREQ=1KHz, VAMPL=0 και VOFF=50mV). Αντικαταστήστε στο κύκλωµα σας τις τιµές της R1 που βρήκατε νωρίτερα και εκτελέστε ανάλυση στο πεδίο του χρόνου transient analysis (χρόνος εκτέλεσης 2ms βήµα 1µs). Καταγράψτε τις τιµές της εξόδου V Ο σε κάθε περίπτωση. VI = 50mV (υ i = 0) R1 = a R1 b = V = Ο V Ο = Γ) Χρησιµοποιήστε για είσοδο στο κύκλωµα ηµιτονοειδές σήµα συχνότητας 1ΚHz και πλάτους 50mV (στις παραµέτρους της πηγής σήµατος VSIN δώστε την τιµή FREQ=1KHz, VAMPL=50mV και VOFF=0). Με τις ίδιες τιµές για την R1 εκτελέστε ανάλυση στο πεδίο του χρόνου transient analysis (χρόνος εκτέλεσης 2ms βήµα 1µs). Καταγράψτε τις τιµές της υ o (υ ο1 και υ ο2 ) για τις τιµές της υ i στις δύο κορυφές του ηµιτόνου εισόδου (υ i1 και υ i2 ), για κάθε τιµή της R1, καθώς και τη φάση της υ o σε σχέση µε τη υ i. Vi = 50mV και V I = 0 [υ Ι υ i = V i *sin(ωt) ] R1 = a R1 b = υ i1 = υ ο1 = υ i1 = υ ο1 = υ i2 = υ ο2 = υ i2 = υ ο2 = Φάση υ o ως προς υ i : Φάση υ o ως προς υ i : ) Χρησιµοποιήστε για είσοδο στο κύκλωµα ηµιτονοειδές σήµα συχνότητας 1ΚHz και πλάτους 50mV µε DC συνιστώσα ίση µε 50mV (στις παραµέτρους της πηγής σήµατος VSIN δώστε την τιµή FREQ=1KHz, VAMPL=50mV και VOFF=50mV). Με τις προηγούµενες τιµές για την R1 εκτελέστε ανάλυση στο πεδίο του χρόνου transient analysis (χρόνος εκτέλεσης 2ms βήµα 1µs). Καταγράψτε τις τιµές της υ Ο για τις τιµές της υ Ι στις δύο κορυφές του ηµιτόνου εισόδου και για κάθε τιµή της R1 καθώς και τη φάση της υ Ο σε σχέση µε τη υ Ι. Ποια η DC τιµή V O του σήµατος εξόδου; Είναι αναµενόµενη αυτή η τιµή και γιατί; Vi = 50mVκαι V I = 50mV [ υ Ι = V I + υ i = V I + V i *sin(ωt) ] R1 a = R1 b = υ I1 = υ Ο1 = υ I1 = υ Ο1 = υ Ι2 = υ Ο2 = υ Ι2 = υ Ο2 = Φάση υ Ο ως προς υ Ι : Φάση υ Ο ως προς υ Ι : V = O V O = 4

5 Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών Ε) Για τη µικρότερη τιµή της R1, εκτελέστε DC ανάλυση σαρώνοντας την είσοδο V I από τα -12V έως τα +12V µε βήµα 2mV (στις παραµέτρους της πηγής σήµατος VSIN δώστε την τιµή DC=0). Στο γραφικό περιβάλλον του PSPICE παρουσιάστε τη χαρακτηριστική µεταφοράς του κυκλώµατος V O = f(v I ). Σχεδιάστε τη χαρακτηριστική µεταφοράς στο πλαίσιο των αξόνων που ακολουθεί και προσδιορίστε την γραµµική περιοχή της. Ποια είναι η µέγιστη και η ελάχιστη τάση V O που µπορεί να δώσει το συγκεκριµένο κύκλωµα και για ποιες τιµές του σήµατος εισόδου; Συγκρίνεται αυτές τις τιµές µε τις αντίστοιχες τιµές των τάσεων τροφοδοσίας του τελεστικού. Υπάρχει διαφορά και αν ναι γιατί; Από τη γραφική παράσταση προσδιορίστε το κέρδος του κυκλώµατος. Ποια η τιµή της V O για V I =50mV; R1 = V O (0, 0) V I Εύρος γραµµικής περιοχής: (V I1, V O1 ) = έως (V I2, V O2 ) = V Omin = V Omax = V I = 50mV V O = ΣΤ) Για τη µικρότερη τιµή της R1, εκτελέστε ΑC ανάλυση σαρώνοντας την συχνότητα της εισόδου από τα 10Hz έως τα 10MEGHz µε βήµα 10 σηµεία/δεκάδα (στις παραµέτρους της πηγής σήµατος VSIN δώστε την τιµή AC=1V). Στο γραφικό περιβάλλον του PSPICE παρουσιάστε τα διαγράµµατα Bode για το κέρδος του κυκλώµατος (σε db) και την φάση ως προς τη συχνότητα. Προσδιορίστε το εύρος ζώνης του κυκλώµατος. Ποια η συχνότητα -3db (f (-3db) ); Το αποτέλεσµα της ανάλυσης για το κέρδος συµπίπτει µε το αντίστοιχο της περίπτωσης (Ε); Ποια η συχνότητα µοναδιαίου κέρδους (f (0db) ); Ποια η κλίση της χαρακτηριστικής κέρδους στην περιοχή των υψηλών συχνοτήτων; R1 = Εύρος ζώνης = f (-3db) = A υ(db) = Συχνότητα µοναδιαίου κέρδους f (0db) = Κλίση χαρακτηριστικής = db/dec εντός του εύρους ζώνης 5

6 Εργαστηριακές Ασκήσεις Βασικών Ηλεκτρονικών - Μικροηλεκτρονικής Μη αναστρέφουσα συνδεσµολογία: Σχεδιάστε την µη αναστρέφουσα συνδεσµολογία του Σχήµατος 1.5 στο περιβάλλον σχεδίασης του OrCAD. Επιλέξτε την R2=10KΩ. Χρησιµοποιήστε σαν πηγή σήµατος εισόδου υ Ι την ηµιτονική πηγή VSIN. Η τροφοδοσία του τελεστικού να πραγµατοποιηθεί και πάλι µε βάση το Σχήµα 1.4 και µε τη χρήση DC πηγών τροφοδοσίας (VDC). R 2 R υ I 3-12V Σχήµα 1.5: Η µη αναστρέφουσα συνδεσµολογία Α) ώστε την έκφραση του κέρδους κλειστού βρόχου της συνδεσµολογίας και υπολογίστε την R1 έτσι ώστε να πάρετε κέρδος α) 11 και β) V 4 6 υ Ο (τύπος) R1 a = R1 b = Β) Χρησιµοποιήστε για είσοδο στο κύκλωµα µία σταθερή τάση 50mV (στις παραµέτρους της πηγής σήµατος VSIN δώστε FREQ=1KHz, VAMPL=0 και VOFF=50mV). Αντικαταστήστε στο κύκλωµα σας τις τιµές της R1 που βρήκατε νωρίτερα και εκτελέστε ανάλυση στο πεδίο του χρόνου transient analysis (χρόνος εκτέλεσης 2ms βήµα 1µs). Καταγράψτε τις τιµές της εξόδου V Ο σε κάθε περίπτωση. V I = 50mV (υ i = 0) R1 a = R1 b = V Ο = V Ο = Γ) Χρησιµοποιήστε για είσοδο στο κύκλωµα ηµιτονοειδές σήµα συχνότητας 1ΚHz και πλάτους 50mV (στις παραµέτρους της πηγής σήµατος VSIN δώστε την τιµή FREQ=1KHz, VAMPL=50mV και VOFF=0). Με τις ίδιες τιµές για την R1 εκτελέστε ανάλυση στο πεδίο του χρόνου transient analysis (χρόνος εκτέλεσης 2ms βήµα 1µs). Καταγράψτε τις τιµές της υ o (υ ο1 και υ ο2 ) για τις τιµές της υ i στις δύο κορυφές του ηµιτόνου εισόδου (υ i1 και υ i2 ), για κάθε τιµή της R1, καθώς και τη φάση της υ o σε σχέση µε τη υ i. 6

7 Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών V i = 50mV και V I = 0 [υ Ι υ i = V i *sin(ωt) ] R1 a = R1 b = υ i1 = υ ο1 = υ i1 = υ ο1 = υ i2 = υ ο2 = υ i2 = υ ο2 = Φάση υ o ως προς υ i : Φάση υ o ως προς υ i : ) Χρησιµοποιήστε για είσοδο στο κύκλωµα ηµιτονοειδές σήµα συχνότητας 1ΚHz και πλάτους 50mV µε DC συνιστώσα ίση µε 50mV (στις παραµέτρους της πηγής σήµατος VSIN δώστε την τιµή FREQ=1KHz, VAMPL=50mV και VOFF=50mV). Με τις προηγούµενες τιµές για την R1 εκτελέστε ανάλυση στο πεδίο του χρόνου transient analysis (χρόνος εκτέλεσης 2ms βήµα 1µs). Καταγράψτε τις τιµές της υ Ο για τις τιµές της υ Ι στις δύο κορυφές του ηµιτόνου εισόδου και για κάθε τιµή της R1 καθώς και τη φάση της υ Ο σε σχέση µε τη υ Ι. Ποια η DC τιµή V O του σήµατος εξόδου; Είναι αναµενόµενη αυτή η τιµή και γιατί; V i = 50mVκαι V I = 50mV [ υ Ι = V I + υ i = V I + V i *sin(ωt) ] R1 a = R1 b = υ I1 = υ Ο1 = υ I1 = υ Ο1 = υ Ι2 = υ Ο2 = υ Ι2 = υ Ο2 = Φάση υ Ο ως προς υ Ι : Φάση υ Ο ως προς υ Ι : V O = V O = Ε) Για τη µικρότερη τιµή της R1, εκτελέστε DC ανάλυση σαρώνοντας την είσοδο V I από τα -12V έως τα +12V µε βήµα 2mV (στις παραµέτρους της πηγής σήµατος VSIN δώστε την τιµή DC=0). Στο γραφικό περιβάλλον του PSPICE παρουσιάστε τη χαρακτηριστική µεταφοράς του κυκλώµατος V O = f(v I ). Σχεδιάστε τη χαρακτηριστική µεταφοράς στο πλαίσιο των αξόνων που ακολουθεί και προσδιορίστε την γραµµική περιοχή της. Ποια είναι η µέγιστη και η ελάχιστη τάση V O που µπορεί να δώσει το συγκεκριµένο κύκλωµα και για ποιες τιµές του σήµατος εισόδου; Συγκρίνεται αυτές τις τιµές µε τις αντίστοιχες τιµές των τάσεων τροφοδοσίας του τελεστικού. Υπάρχει διαφορά και αν ναι γιατί; Από τη γραφική παράσταση προσδιορίστε το κέρδος του κυκλώµατος. Ποια η τιµή της V O για V I =50mV; 7

8 Εργαστηριακές Ασκήσεις Βασικών Ηλεκτρονικών - Μικροηλεκτρονικής R1 = V O (0, 0) V I Εύρος γραµµικής περιοχής: (V I1, V O1 ) = έως (V I2, V O2 ) = V Omin = V Omax = V I = 50mV V O = ΣΤ) Για τη µικρότερη τιµή της R1, εκτελέστε ΑC ανάλυση σαρώνοντας την συχνότητα της εισόδου από τα 10Hz έως τα 10MEGHz µε βήµα 10 σηµεία/δεκάδα (στις παραµέτρους της πηγής σήµατος VSIN δώστε την τιµή AC=1V). Στο γραφικό περιβάλλον του PSPICE παρουσιάστε τα διαγράµµατα Bode για το κέρδος του κυκλώµατος (σε db) και την φάση ως προς τη συχνότητα. Προσδιορίστε το εύρος ζώνης του κυκλώµατος. Ποια η συχνότητα -3db (f (-3db) ); Το αποτέλεσµα της ανάλυσης για το κέρδος συµπίπτει µε το αντίστοιχο της περίπτωσης (Ε); Ποια η συχνότητα µοναδιαίου κέρδους (f (0db) ); Ποια η κλίση της χαρακτηριστικής κέρδους στην περιοχή των υψηλών συχνοτήτων; R1 = Εύρος ζώνης = f (-3db) = A υ(db) = Συχνότητα µοναδιαίου κέρδους f (0db) = Κλίση χαρακτηριστικής = db/dec εντός του εύρους ζώνης 8

9 Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών Ακόλουθος τάσης: Σχεδιάστε την συνδεσµολογία του ακόλουθου τάσης του Σχήµατος 1.6 στο περιβάλλον σχεδίασης του OrCAD. Χρησιµοποιήστε σαν πηγή σήµατος εισόδου υ Ι την ηµιτονική πηγή VSIN. Η τροφοδοσία του τελεστικού να πραγµατοποιηθεί και πάλι µε βάση το Σχήµα 1.4 και µε τη χρήση DC πηγών τροφοδοσίας (VDC) υ I V 7 6 υ O -12V Σχήµα 1.6: Ο ακόλουθος τάσης Α) Χρησιµοποιήστε για είσοδο στο κύκλωµα µία σταθερή τάση 5V (στις παραµέτρους της πηγής σήµατος VSIN δώστε VAMPL=0V και VOFF=5V). Εκτελέστε ανάλυση στο πεδίο του χρόνου transient analysis (χρόνος εκτέλεσης 2ms βήµα 1µs). Καταγράψτε την τιµή της τάσης V Ο στην έξοδο. V I = 5V (υ i = 0) V Ο = Β) Χρησιµοποιήστε για είσοδο στο κύκλωµα ηµιτονοειδές σήµα συχνότητας 1ΚHz και πλάτους 2V µε DC συνιστώσα ίση µε 5V (στις παραµέτρους της πηγής σήµατος VSIN δώστε την τιµή FREQ=1KHz, VAMPL=2V και VOFF=5V). Εκτελέστε ανάλυση στο πεδίο του χρόνου transient analysis (χρόνος εκτέλεσης 2ms βήµα 1µs). Καταγράψτε τις τιµές της υ Ο για τις τιµές της υ Ι στις δύο κορυφές του ηµιτόνου εισόδου καθώς και τη φάση της υ Ο σε σχέση µε τη υ Ι. Ποια η DC τιµή V O του σήµατος εξόδου; V i = 2Vκαι V I = 5V [ υ Ι = V I + υ i = V I + V i *sin(ωt) ] υ Ι1 = υ Ο1 = υ Ι2 = υ Ο2 = Φάση υ Ο ως προς υ Ι : V O = 9

10 Εργαστηριακές Ασκήσεις Βασικών Ηλεκτρονικών - Μικροηλεκτρονικής Γ) Εκτελέστε DC ανάλυση σαρώνοντας την είσοδο V I από τα -12V έως τα +12V µε βήµα 2mV (στις παραµέτρους της πηγής σήµατος VSIN δώστε την τιµή DC=0). Στο γραφικό περιβάλλον του PSPICE παρουσιάστε τη χαρακτηριστική µεταφοράς του κυκλώµατος V O = f(v I ). Ποια είναι η µέγιστη και η ελάχιστη τάση V O που µπορεί να δώσει το συγκεκριµένο κύκλωµα και για ποιες τιµές του σήµατος εισόδου; Από τη γραφική παράσταση προσδιορίστε το κέρδος του κυκλώµατος. Ποια η τιµή της V O για V I =5V; Εύρος γραµµικής περιοχής: (V I1, V O1 ) = έως (V I2, V O2 ) = V Omin = V Omax = V I = 5V V O = ) Εκτελέστε ΑC ανάλυση σαρώνοντας την συχνότητα της εισόδου από τα 10Hz έως τα 10MEGHz µε βήµα 10 σηµεία/δεκάδα (στις παραµέτρους της πηγής σήµατος VSIN δώστε την τιµή AC=1V). Στο γραφικό περιβάλλον του PSPICE παρουσιάστε τα διαγράµµατα Bode για το κέρδος του κυκλώµατος (σε db) και την φάση ως προς τη συχνότητα. Προσδιορίστε το εύρος ζώνης του κυκλώµατος. Ποια η συχνότητα -3db (f (-3db) ); Ποιο κέρδος A υ µέσα στο εύρος ζώνης. Ποια η συχνότητα µοναδιαίου κέρδους (f (0db) ); Ποια η κλίση της χαρακτηριστικής κέρδους στην περιοχή των υψηλών συχνοτήτων; Εύρος ζώνης = f (-3db) = A υ(db) = Συχνότητα µοναδιαίου κέρδους f (0db) = Κλίση χαρακτηριστικής = db/dec εντός του εύρους ζώνης 10

11 Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών 1.3 Υλοποίηση στο εργαστήριο Αναστρέφουσα συνδεσµολογία: Υλοποιήστε την αναστρέφουσα συνδεσµολογία του Σχήµατος 1.3 στο breadboard του εργαστηρίου. Χρησιµοποιήστε αντιστάσεις µε τιµές R1=1KΩ και R2=10KΩ. Επιπρόσθετα, χρησιµοποιήστε τις υπάρχουσες DC τροφοδοσίες των +12V και -12V για την τροφοδοσία του τελεστικού ενισχυτή. Α) Χρησιµοποιήστε για είσοδο στο κύκλωµα ηµιτονοειδές σήµα, από τη γεννήτρια συχνοτήτων, συχνότητας 1ΚHz και πλάτους 50mV. Καταγράψτε τις τιµές της υ o για τις τιµές της υ i στις δύο κορυφές του ηµιτόνου εισόδου, καθώς και τη φάση της υ o σε σχέση µε τη υ i. Μετρήστε το κέρδος κλειστού βρόχου της συνδεσµολογίας και συγκρίνετέ το µε το θεωρητικά αναµενόµενο της ενότητας 2.1.Α. V i = 50mV και V I = 0 [υ Ι υ i = V i *sin(ωt) ] υ ο1 = υ ο2 = Φάση υ o ως προς υ i : B) Χρησιµοποιήστε για είσοδο στο κύκλωµα ηµιτονοειδές σήµα, από τη γεννήτρια συχνοτήτων, συχνότητας 1ΚHz και πλάτους 50mV µε DC συνιστώσα ίση µε 50mV. Καταγράψτε τις τιµές της υ Ο για τις τιµές της υ Ι στις δύο κορυφές του ηµιτόνου εισόδου, καθώς και τη φάση της υ Ο σε σχέση µε τη υ Ι. Ποια η DC τιµή V O του σήµατος εξόδου; Είναι αναµενόµενη αυτή η τιµή; V i = 50mVκαι V I = 50mV [ υ Ι = V I + υ i = V I + V i *sin(ωt) ] υ Ο1 = υ Ο2 = Φάση υ Ο ως προς υ Ι : V O = Μη αναστρέφουσα συνδεσµολογία: Σχεδιάστε την µη αναστρέφουσα συνδεσµολογία του Σχήµατος 1.5 στο breadboard του εργαστηρίου. Χρησιµοποιήστε αντιστάσεις µε τιµές R1=1KΩ και R2=10KΩ. Επιπρόσθετα, χρησιµοποιήστε τις υπάρχουσες DC τροφοδοσίες των +12V και -12V για την τροφοδοσία του τελεστικού ενισχυτή. Α) Χρησιµοποιήστε για είσοδο στο κύκλωµα ηµιτονοειδές σήµα, από τη γεννήτρια συχνοτήτων, συχνότητας 1ΚHz και πλάτους 50mV. Καταγράψτε τις τιµές της υ o για τις τιµές της υ i στις δύο κορυφές του ηµιτόνου εισόδου, καθώς και τη φάση της υ o σε σχέση µε τη υ i. 11

12 Εργαστηριακές Ασκήσεις Βασικών Ηλεκτρονικών - Μικροηλεκτρονικής Μετρήστε το κέρδος κλειστού βρόχου της συνδεσµολογίας και συγκρίνετέ το µε το θεωρητικά αναµενόµενο της ενότητας 2.2.Α. V i = 50mV και V I = 0 [υ Ι υ i = V i *sin(ωt) ] υ ο1 = υ ο2 = Φάση υ o ως προς υ i : B) Χρησιµοποιήστε για είσοδο στο κύκλωµα ηµιτονοειδές σήµα, από τη γεννήτρια συχνοτήτων, συχνότητας 1ΚHz και πλάτους 50mV µε DC συνιστώσα ίση µε 50mV. Καταγράψτε τις τιµές της υ Ο για τις τιµές της υ Ι στις δύο κορυφές του ηµιτόνου εισόδου, καθώς και τη φάση της υ Ο σε σχέση µε τη υ Ι. Ποια η DC τιµή V O του σήµατος εξόδου; Είναι αναµενόµενη αυτή η τιµή; V i = 50mVκαι V I = 50mV [ υ Ι = V I + υ i = V I + V i *sin(ωt) ] υ Ο1 = υ Ο2 = Φάση υ Ο ως προς υ Ι : V O = 12

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ 4.1 MOS Τρανζίστορ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙV ΤΟ MOS ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 4.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστηριακές Ασκήσεις

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστηριακές Ασκήσεις Γ. Τσιατούχας ΙΩΑΝΝΙΝΑ 2008 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1. Ο Τελεστικός Ενισχυτής 1 2. Η Δίοδος 13

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙΙI ΤΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 3.1 ιπολικό Τρανζίστορ 3.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής

Διαβάστε περισσότερα

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙΙ Η ΙΟ ΟΣ 2.1 ίοδοι 2.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής άσκησης είναι η επαφή

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής Ο τελεστικός ενισχυτής, TE (operational ampliier, op-amp) είναι ένα από τα πιο χρήσιμα αναλογικά κυκλώματα. Κατασκευάζεται ως ολοκληρωμένο κύκλωμα (integrated circuit) και

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΔΙΑΔΙΚΑΣΙΑ

ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΔΙΑΔΙΚΑΣΙΑ ΕΙΣΑΓΩΓΗ: Ο τελεστικός ενισχυτής είναι ένα προκατασκευασμένο κύκλωμα μικρών διαστάσεων που συμπεριφέρεται ως ενισχυτής τάσης, και έχει πολύ μεγάλο κέρδος, πολλές φορές της τάξης του 10 4 και 10 6. Ο τελεστικός

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΠΕΛΟΠΟΝΝΗΣΟΥ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Τ.Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ (μέσω προσομοίωσης) Γιάννης

Διαβάστε περισσότερα

1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ 1. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ Ο τελεστικός ενισχυτής αποτελεί την βασική δομική μονάδα των περισσοτέρων αναλογικών κυκλωμάτων. Στην ενότητα αυτή θα μελετήσουμε τις ιδιότητες του τελεστικού ενισχυτή, μερικά βασικά

Διαβάστε περισσότερα

ΗΜΥ 203 Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων. Εργαστηριακή Αναφορά ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 5 ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΑΠΛΗΣ ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΗΣ ΒΑΘΜΙΔΑΣ

ΗΜΥ 203 Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων. Εργαστηριακή Αναφορά ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 5 ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΑΠΛΗΣ ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΗΣ ΒΑΘΜΙΔΑΣ ΗΜΥ 203 Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων Εργαστηριακή Αναφορά ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 5 ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΑΠΛΗΣ ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΗΣ ΒΑΘΜΙΔΑΣ Ονοματεπώνυμο: Ο Πιο Καλός Ο Μαθητής Αριθμός Ομάδας: 13 Αριθμός Ταυτότητάς: 131313

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τελεστικοί Ενισχυτές Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ο ιδανικός τελεστικός ενισχυτής Είσοδος αντιστροφής Ισοδύναμα Είσοδος μη αντιστροφής A( ) A d 2 1 2 1

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ

ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΤΕΙ ΚΑΛΑΜΑΤΑΣ - ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ ΣΠΑΡΤΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ: ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΗΤΡΩΟΥ:.. ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ: ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΗΤΡΩΟΥ:.. Α. ΜΕΤΡΗΣΗ ΣΥΝΕΧΟΥΣ

Διαβάστε περισσότερα

Εξαρτημένες Πηγές και Τελεστικός Ενισχυτής

Εξαρτημένες Πηγές και Τελεστικός Ενισχυτής Ανάλυση Κυκλωμάτων Εξαρτημένες Πηγές και Τελεστικός Ενισχυτής Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Εισαγωγή Οι εξαρτημένες πηγές είναι πολύ ενδιαφέροντα ηλεκτρικά στοιχεία, αφού αποτελούν αναπόσπαστα στοιχεία

Διαβάστε περισσότερα

2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος Thevenin

2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος Thevenin Ονοµατεπώνυµο: Αριθµός Μητρώου: Εξάµηνο: Υπογραφή Εργαστήριο Ηλεκτρικών Κυκλωµάτων και Συστηµάτων 2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος hevenin Απόκριση στο πεδίο της συχνότητας

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής Ο διαφορικός ενισχυτής (differential amplifier) είναι από τα πλέον διαδεδομένα και χρήσιμα κυκλώματα στις ενισχυτικές διατάξεις. Είναι βασικό δομικό στοιχείο του τελεστικού

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά -1- Η τιμή της dc παραμέτρου β ενός npn transistor έχει τιμή ίση με 100. Το transistor λειτουργεί στην ενεργή περιοχή με ρεύμα συλλέκτη 1mA. Το ρεύμα βάσης έχει

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής 3 Ενισχυτές Μετρήσεων 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής Πολλές φορές ένας ενισχυτής σχεδιάζεται ώστε να αποκρίνεται στη διαφορά µεταξύ δύο σηµάτων εισόδου. Ένας τέτοιος ενισχυτής ονοµάζεται ενισχυτής διαφοράς

Διαβάστε περισσότερα

Βασικά Στοιχεία Αναλογικών Ηλεκτρονικών

Βασικά Στοιχεία Αναλογικών Ηλεκτρονικών Βασικά Στοιχεία Αναλογικών Ηλεκτρονικών Ηλεκτρονική ΗΥ231 Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Σήµατα Ένα αυθαίρετο σήµα τάσης v s (t) 2 Φάσµα συχνοτήτων των σηµάτων

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήµιο Κύπρου. Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών. ΗΜΥ 100 Εισαγωγή στην Τεχνολογία

Πανεπιστήµιο Κύπρου. Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών. ΗΜΥ 100 Εισαγωγή στην Τεχνολογία Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών ΗΜΥ 100 Εισαγωγή στην Τεχνολογία Εργαστήριο: Εισαγωγή στο Βασικό Εξοπλισµό Μετρήσεως Σηµάτων Σκοποί: 1. Η εξοικείωση µε τη βασική

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές

Τελεστικοί Ενισχυτές Θεωρητική Ανάλυση: Τελεστικοί Ενισχυτές 1. Διαβάστε το datasheet του LM741 και συμπληρώστε τις παρακάτω παραμέτρους. Supply Voltage, Input Offset Current, Input Offset Voltage, Input Resistance, Output

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ 2 ΑΣΚΗΣΗ 1 η Μετρήσεις τάσεων και ρευμάτων με χρήση ψηφιακού πολύμετρου. Προετοιμασία: Για να πραγματοποιήσετε την άσκηση, θα πρέπει να έχετε μελετήσει τα κεφάλαια 1 και 2 του θεωρητικού

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7. Σχ.7.1. Σύµβολο κοινού τελεστικού ενισχυτή και ισοδύναµο κύκλωµα.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7. Σχ.7.1. Σύµβολο κοινού τελεστικού ενισχυτή και ισοδύναµο κύκλωµα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 7. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ Ο τελεστικός ενισχυτής εφευρέθηκε κατά τη διάρκεια του δεύτερου παγκοσµίου πολέµου και. χρησιµοποιήθηκε αρχικά στα συστήµατα σκόπευσης των αντιαεροπορικών πυροβόλων για

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές-Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1

Τελεστικοί Ενισχυτές-Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1 Τελεστικοί Ενισχυτές-Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ (Τ.Ε. ή OpAmps) ιαφορικοί Ενισχυτές: ενισχυτές που έχουν δυο εισόδους και µια έξοδο. Τελεστικοί Ενισχυτές (Τ.Ε.): διαφορικοί ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΙΑΦΟΡΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ 1 1-1 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε BJT s 1 και ιπλή Έξοδο Ανάλυση µε το Υβριδικό Ισοδύναµο του Τρανζίστορ 2 Ανάλυση µε βάση τις Ενισχύσεις των Βαθµίδων CE- 4

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ 45 ίοδοι - Επαφή p-n Τα ηλεκτρονικά εξαρτήµατα κατασκευάζονται µε βάση έναν κρύσταλλο πυριτίου. Το πυρίτιο σε πολύ χαµηλή θερµοκρασία έχει τα τέσσερα ηλεκτρόνια σθένους

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΡΛΙ ΑΣ ΗΜΗΤΡΙΟΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΕΣ ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΚΑΙ ΜΕΘΟ ΟΙ 9 Πορλιδάς ηµήτριος www.porlidas.gr dporli@physics.auth.gr Τελεστικοί Ενισχυτές Κυκλώµατα Πειραµατικές Μετρήσεις και

Διαβάστε περισσότερα

K14 Αναλογικά Ηλεκτρονικά 9: Διαφορικός Ενισχυτής Τελεστικός Ενισχυτής

K14 Αναλογικά Ηλεκτρονικά 9: Διαφορικός Ενισχυτής Τελεστικός Ενισχυτής K14 Αναλογικά Ηλεκτρονικά 9: Διαφορικός Ενισχυτής Τελεστικός Ενισχυτής Γιάννης Λιαπέρδος TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Γενικά Περιεχόμενα 1 Γενικά 2 Διαφορικός

Διαβάστε περισσότερα

1η Εργαστηριακή Άσκηση: Απόκριση κυκλώµατος RC σε βηµατική και αρµονική διέγερση

1η Εργαστηριακή Άσκηση: Απόκριση κυκλώµατος RC σε βηµατική και αρµονική διέγερση Ονοµατεπώνυµο: Αριθµός Μητρώου: Εξάµηνο: Υπογραφή Εργαστήριο Ηλεκτρικών Κυκλωµάτων και Συστηµάτων 1η Εργαστηριακή Άσκηση: Απόκριση κυκλώµατος σε βηµατική και αρµονική διέγερση Μέρος Α : Απόκριση στο πεδίο

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Σχήµα 1. Κύκλωµα DC πόλωσης ηλεκτρονικού στοιχείου Στο ηλεκτρονικό στοιχείο του σχήµατος

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής 1. Ένα τρανζίστορ διπλής επαφής είναι πολωµένο σωστά όταν: α. Η βάση είναι σε υψηλότερο δυναµικό από τον εκποµπό και σε χαµηλότερο από το συλλέκτη β. Η βάση είναι σε χαµηλότερο

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 3. Εισαγωγή στους Τελεστικούς Ενισχυτές - Γραμμική - Μη Γραμμική Λειτουργία - Απλά κυκλώματα

Κεφάλαιο 3. Εισαγωγή στους Τελεστικούς Ενισχυτές - Γραμμική - Μη Γραμμική Λειτουργία - Απλά κυκλώματα Κεφάλαιο 3. Εισαγωγή στους Τελεστικούς Ενισχυτές - Γραμμική - Μη Γραμμική Λειτουργία - Απλά κυκλώματα Σύνοψη Στο κεφάλαιο αυτό εισάγεται η έννοια του τελεστικού ενισχυτή και αναλύονται οι βασικές αρχές

Διαβάστε περισσότερα

Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος:

Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος: Παράδειγµα 8 Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος: 0,7 + 2200I 5V = 0 V D 4,3 I D = = 1, 95mA 2200 + 5 2200I D + Vout = 0 Vout=-0,7V Παράδειγµα 9 Το παρακάτω σχήµα παριστάνει κύκλωµα φόρτισης µιας

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων F Ενότητα: Φίλτρα και Επαναληπτικές Ασκήσεις Στυλιανός Μυτιληναίος Τμήμα Ηλεκτρονικής, Σχολή

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική ΙΙ 5 ο εξάμηνο

Ηλεκτρονική ΙΙ 5 ο εξάμηνο 5 ο εξάμηνο Αλκης Χατζόπουλος Καθηγητής Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχ. και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Εργαστήριο Ηλεκτρονικής 1/33 Αλκης Χατζόπουλος - Eργαστήριο Ηλεκτρονικής Τμ.Η.Μ.Μ.Υ. Α.Π.Θ. 5 ο εξάμηνο 1. Διαφορικός

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο υο: Τελεστικοί Ενισχυτές

Κεφάλαιο υο: Τελεστικοί Ενισχυτές Κεφάλαιο υο: 2.1 Γενικά περί ενισχυτών Ο ιδανικός τελεστικός ενισχυτής είναι κατά αρχήν ένας ενισχυτής (amplifier). Ο ενισχυτής είναι από τα σηµαντικότερα δοµικά υλικά των αναλογικών ηλεκτρονικών. Στην

Διαβάστε περισσότερα

1η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ:

1η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Ι η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: ΣΤΟΙΧΕΙΩΔΕΣ ΤΗΛΕΦΩΝΙΚΟ ΣΥΣΤΗΜΑ Εισαγωγή. Η διεξαγωγή της παρούσας εργαστηριακής άσκησης προϋποθέτει την μελέτη τουλάχιστον των πρώτων παραγράφων του

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2. Ανάλυση Ηλεκτρικού Σήµατος

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2. Ανάλυση Ηλεκτρικού Σήµατος ΚΕΦΑΛΑΙΟ Ανάλυση Ηλεκτρικού Σήµατος. Εισαγωγή Τα σήµατα εξόδου από µετρητικές διατάξεις έχουν συνήθως τη µορφή ηλεκτρικών σηµάτων. Πριν από την καταγραφή ή περαιτέρω επεξεργασία, ένα σήµα υφίσταται µια

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 3 ΣΧΕ ΙΑΣΜΟΣ ΚΑΙ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΕΝΕΡΓΩΝ ΦΙΛΤΡΩΝ. ΣΚΟΠΟΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 3 ΣΧΕ ΙΑΣΜΟΣ ΚΑΙ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΕΝΕΡΓΩΝ ΦΙΛΤΡΩΝ. ΣΚΟΠΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 3 ΣΧΕ ΙΑΣΜΟΣ ΚΑΙ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΕΝΕΡΓΩΝ ΦΙΛΤΡΩΝ. ΣΚΟΠΟΣ Ένα ενεργό σύστηµα είναι ένα ηλεκτρικό κύκλωµα που αποτελείται από παθητικά στοιχεία και ελεγχόµενες πηγές. Ενεργή σύνθεση είναι η

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 12 Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ua741 ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ

Άσκηση 12 Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ua741 ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ Άσκηση 12 Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ua741 ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ Αυτό έργο χορηγείται με άδεια Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike Greece 3.0. Ονοματεπώνυμο: Μητρόπουλος Σπύρος Α.Ε.Μ.: 3215 Εξάμηνο:

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας

Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Ανάλυση Κυκλωμάτων Εργαστηριακές Ασκήσεις Εργαστήριο 5 Κυκλώματα RC (φόρτιση/εκφόρτιση πυκνωτή, σύνθετη αντίσταση) Φ. Πλέσσας

Διαβάστε περισσότερα

5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση. Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού

5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση. Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού 5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 5. ΤΡΟΦΟ ΟΤΙΚΑ 220 V, 50 Hz. 0 V Μετασχηµατιστής Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση 0 V 0 V Ανορθωτής Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού Φίλτρο

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού

Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού Σύνοψη Στο κεφάλαιο αυτό αναλύεται η λειτουργία των κυκλωμάτων χρονισμού. Τα κυκλώματα αυτά παρουσιάζουν πολύ μεγάλο πρακτικό ενδιαφέρον και απαιτείται να λειτουργούν με

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές

Τελεστικοί Ενισχυτές Τελεστικοί Ενισχυτές Ο Τελεστικός Ενισχυτής (ΤΕ) αποτελεί ένα ιδιαίτερο είδος ενισχυτή, το οποίο έχει ευρύτατη αποδοχή ως δομικό στοιχείο των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων. Η μεγάλη του δημοτικότητα οφείλεται

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 11 Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ua741 ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ

Άσκηση 11 Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ua741 ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ Άσκηση 11 Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ua741 ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ Αυτό έργο χορηγείται με άδεια Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike Greece 3.0. Ονοματεπώνυμο: Μητρόπουλος Σπύρος Α.Ε.Μ.: 3215

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 3: ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΥ ΒΟΛΤΟΜΕΤΡΟΥ

ΑΣΚΗΣΗ 3: ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΥ ΒΟΛΤΟΜΕΤΡΟΥ ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ. Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ Ημερομηνία:... /.... /20... Τμήμα:..... Ομάδα: ΑΣΚΗΣΗ 3: ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΥ ΒΟΛΤΟΜΕΤΡΟΥ Βήμα 1. Υλοποιήστε μη

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Εργαστήριο 5 Γραµµικότητα (Linearity), Αναλογικότητα (Proportionality), και Επαλληλία (Superposition)

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET)

Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET) Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET) Εισαγωγή Σκοπός Πειράµατος Στην εργαστηριακή αυτή άσκηση θα µελετηθεί το transistor επίδρασης πεδίου (Field Effect Transistors). Πιο συγκεκριµένα µε την βοήθεια

Διαβάστε περισσότερα

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; Ηλεκτρονικοί Υπολογιστές Κινητά τηλέφωνα Τηλεπικοινωνίες Δίκτυα Ο κόσμος της Ηλεκτρονικής Ιατρική Ενέργεια Βιομηχανία Διασκέδαση ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τι περιέχουν οι ηλεκτρονικές

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν 1. Εισαγωγικά στοιχεία ηλεκτρονικών - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 1. ΘΕΜΕΛΙΩ ΕΙΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΑΙ ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Ηλεκτρικό στοιχείο: Κάθε στοιχείο που προσφέρει, αποθηκεύει και καταναλώνει

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ 2 1. Υπολογίστε την σχέση των δύο αντιστάσεων, ώστε η συνάρτηση V

ΘΕΜΑ 2 1. Υπολογίστε την σχέση των δύο αντιστάσεων, ώστε η συνάρτηση V Θέµατα εξετάσεων Θ. Κυκλωµάτων & Σηµάτων Σας προσφέρω τα περισσότερα θέµατα που έχουν τεθεί στις εξετάσεις τα τελευταία χρόνια ελπίζοντας ότι θα ασχοληθείτε µαζί τους κατά την προετοιµασία σας. Τα θέµατα

Διαβάστε περισσότερα

ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΕΠΟΠΤΙΚΟ ΥΛΙΚΟ

ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΕΠΟΠΤΙΚΟ ΥΛΙΚΟ ΤΕΙ ΣΤΕΡΕΑΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΕΠΟΠΤΙΚΟ ΥΛΙΚΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΕΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ Χ. ΤΣΩΝΟΣ ΛΑΜΙΑ 2013 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16

Διαβάστε περισσότερα

Σελίδα 1 από 8. Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52

Σελίδα 1 από 8. Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52 Σελίδα 1 από 8 Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52 Ερώτηση 1 η : Πολυδονητές ονοµάζονται τα ηλεκτρονικά κυκλώµατα που παράγουν τετραγωνικούς παλµούς. 2 η : Ανάλογα µε τον τρόπο λειτουργίας τους διακρίνονται σε:

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτής Κοινού Εκπομπού

Ενισχυτής Κοινού Εκπομπού Θεωρητική Ανάλυση: Ενισχυτής Κοινού Εκπομπού 1. Κατασκευάστε έναν ενισχυτή κοινού εκπομπού, όπως φαίνεται στο παρακάτω σχήμα με κέρδος τάσης -10, ο οποίος να τροφοδοτείται από τάση VCC=+12V και να εμφανίζει

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Εργαστήριο 4 Συνδεσµολογίες Παράλληλων Αντιστάσεων και Χρήση Ποτενσιόµετρου στη ιαίρεση Τάσης

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 86 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ...3 1. ΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ...6 1.1 ΓΕΝΙΚΑ: Τελεστικοί Ενισχυτές...6 1.2 Ο ιδανικός τελεστικός ενισχυτής...6 1.3 Υποθέσεις για την Ανάλυση των Ιδανικών Τελεστικών Ενισχυτών...7 1.4

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 4 Ο ΕΞΑΜΗΝΟ ΗΜΜΥ ΛΥΜΕΝΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 4 Ο ΕΞΑΜΗΝΟ ΗΜΜΥ ΛΥΜΕΝΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 4 Ο ΕΞΑΜΗΝΟ ΗΜΜΥ ΛΥΜΕΝΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ Ν. ΝΑΣΚΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΟΣ ΜΗΧ. & Μ/Υ, PHD, MA ΑΘΗΝΑ 006 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ... ΔΙΟΔΟΙ...9

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων ΗΜΥ203

Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων ΗΜΥ203 Περίληψη Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων ΗΜΥ203 Παρατηρήσεις / Απορίες στα Εργ. 0 και 1 Εισαγωγή στο Εργαστήριο 2 Εισαγωγή στο PSpice ιάλεξη και Φροντιστήριο 2 11/09/13 1 2 Εργαστήριο 0 Βρείτε τις

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστηρίου Αναλογικών Κυκλωμάτων

Εργαστηρίου Αναλογικών Κυκλωμάτων 1/13/2014 Αναφορά Εργαστηρίου Αναλογικών Κυκλωμάτων Διδάσκων: Πλέσσας Φώτιος Ομάδα Φοιτητών: Ζήνδρος Γεώργιος ΑΕΜ: 938 mail: zindros@inf.uth.gr Ζωγραφόπουλος Γιάννης ΑΕΜ: 934 mail: zografop@inf.uth.gr

Διαβάστε περισσότερα

Το ιαφορικό Ζεύγος MOS (ΙΙ)

Το ιαφορικό Ζεύγος MOS (ΙΙ) ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιαφορικός Ενισχτής MO S MOS ιαφορικός Ενισχτής Γ. MOS Τσιατούχας ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιαφορικός Ενισχτής MOS Το ιαφορικό Ζεύγος MOS (Ι) G Φόρτος Q ()

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 2 ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΑΠΟ ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΠΛΑΤΟΥΣ (ΑΜ)

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 2 ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΑΠΟ ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΠΛΑΤΟΥΣ (ΑΜ) ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ 2 ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΑΠΟ ΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΠΛΑΤΟΥΣ (ΑΜ) 1. ιαµόρφωση Πλάτους. Στην άσκηση αυτή θα ασχοληθούµε µε τη ιαµόρφωση Πλάτους (Amplitude Modulation) χρησιµοποιώντας τον ολοκληρωµένο διαµορφωτή

Διαβάστε περισσότερα

Η Ιδανική ίοδος. Η Ιδανική ίοδος σε Ανορθωτή. Ανάστροφη Πόλωση. Ορθή Πόλωση

Η Ιδανική ίοδος. Η Ιδανική ίοδος σε Ανορθωτή. Ανάστροφη Πόλωση. Ορθή Πόλωση ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Κκλώµατα ιόδων Κκλώµατα ιόδων Γ. Τσιατούχας ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Κκλώµατα ιόδων 2 Η Ιδανική ίοδος Άνοδος Κάθοδος Ανάστροφη Πόλωση 0 Ορθή Πόλωση Αν στην

Διαβάστε περισσότερα

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 3. ΙΟ ΟΣ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΙΟ ΩΝ Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας ΔΙΟΔΟΣ Οι περισσότερες ηλεκτρονικές συσκευές όπως οι τηλεοράσεις, τα στερεοφωνικά συγκροτήματα και οι υπολογιστές χρειάζονται τάση dc για να λειτουργήσουν σωστά.

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 6.1 ΚΑΘΡΕΠΤΕΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Σε ένα καθρέπτη ρεύµατος, το ρεύµα του κλάδου της εξόδου είναι πάντα ίσο µε το ρεύµα του κλάδου της εισόδου, αποτελεί δηλαδή το είδωλο του. Μία τέτοια διάταξη δείχνει

Διαβάστε περισσότερα

ΑΣΚΗΣΗ 7 ΚΥΚΛΩΜΑ R-L-C: ΣΥΝΔΕΣΗ ΣΕ ΣΕΙΡΑ ΣΥΝΤΟΝΙΣΜΟΣ

ΑΣΚΗΣΗ 7 ΚΥΚΛΩΜΑ R-L-C: ΣΥΝΔΕΣΗ ΣΕ ΣΕΙΡΑ ΣΥΝΤΟΝΙΣΜΟΣ ΑΣΚΗΣΗ 7 ΚΥΚΛΩΜΑ R-L-C: ΣΥΝΔΕΣΗ ΣΕ ΣΕΙΡΑ ΣΥΝΤΟΝΙΣΜΟΣ 1 Σκοπός Στην άσκηση αυτή μελετάται η συμπεριφορά ενός κυκλώματος RLC σε σειρά κατά την εφαρμογή εναλλασσόμενου ρεύματος. Συγκεκριμένα μελετάται η μεταβολή

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση: Ένα σύστηµα µε είσοδο u(t), έξοδο y(t) και διάνυσµα κατάστασης x(t) = (x 1 (t) x 2 (t)) T περιγράφεται από το ακόλουθο διάγραµµα:

Άσκηση: Ένα σύστηµα µε είσοδο u(t), έξοδο y(t) και διάνυσµα κατάστασης x(t) = (x 1 (t) x 2 (t)) T περιγράφεται από το ακόλουθο διάγραµµα: 1 Άσκηση: Ένα σύστηµα µε είσοδο u(t), έξοδο y(t) και διάνυσµα κατάστασης x(t) = (x 1 (t) x 2 (t)) T περιγράφεται από το ακόλουθο διάγραµµα: Όπου Κ R α) Να βρεθεί η περιγραφή στο χώρο κατάστασης και η συνάρτηση

Διαβάστε περισσότερα

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1 1-1 Ενεργειακές Ζώνες 3 1-2 Αµιγείς και µη Αµιγείς Ηµιαγωγοί 5 ότες 6 Αποδέκτες 8 ιπλοί ότες και Αποδέκτες 10 1-3 Γένεση, Παγίδευση και Ανασύνδεση Φορέων 10 1-4 Ένωση pn

Διαβάστε περισσότερα

περιεχομενα Πρόλογος vii

περιεχομενα Πρόλογος vii Πρόλογος vii περιεχομενα ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ: Κυκλώματα Συνεχούς Ρεύματος... 2 ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1: ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ... 3 1.1 Εισαγωγή...4 1.2 Συστήματα και Μονάδες...5 1.3 Φορτίο και Ρεύμα...6 1.4 Δυναμικό...9 1.5 Ισχύς

Διαβάστε περισσότερα

Τ.Ε.Ι Λαμίας Τμήμα Ηλεκτρονικής Σ.Τ.ΕΦ ΑΙΣΘΗΤΗΡΕΣ-ΙΝTERFACES Υλοποίηση κύκλωματος απεικόνισης μεταβολής γραμμικού ποτενσιομέτρου

Τ.Ε.Ι Λαμίας Τμήμα Ηλεκτρονικής Σ.Τ.ΕΦ ΑΙΣΘΗΤΗΡΕΣ-ΙΝTERFACES Υλοποίηση κύκλωματος απεικόνισης μεταβολής γραμμικού ποτενσιομέτρου Τ.Ε.Ι Λαμίας Τμήμα Ηλεκτρονικής Σ.Τ.ΕΦ ΑΙΣΘΗΤΗΡΕΣ-ΙΝTERFACES Υλοποίηση κύκλωματος απεικόνισης μεταβολής γραμμικού ποτενσιομέτρου Καπελέρη Βασιλική Πατσιαδάς Αθανάσιος Σπαθάρας Γρηγόριος Τζούτζης Έ λτον-αντώνιος

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων

Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων Εργαστήριο 9 Μέτρηση και Διόρθωση Συντελεστή Ισχύος (Power Factor) Λευκωσία, 2015 Εργαστήριο

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στους τελεστικούς ενισχυτές

Εισαγωγή στους τελεστικούς ενισχυτές ΗΥ121-Ηλεκτρονικά Κυκλώµατα Γιώργος ηµητρακόπουλος Εισαγωγή στους τελεστικούς ενισχυτές 1 Εισαγωγή Ο τελεστικός ενισχυτής είναι ένας ενισχυτής τάσης µε πολύ µεγάλο κέρδος. Το κέρδος µπορεί να παίρνει πολύ

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier) Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Βασικά κυκλώµατα ενισχυτών µε transstr MOS Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Transstr ως ενισχυτής Ενισχυτής κοινής πηγής (cmmn surce amplfer (κύκλωµα αντιστροφέα

Διαβάστε περισσότερα

Παρουσιάσεις στο ΗΜΥ203, 2015

Παρουσιάσεις στο ΗΜΥ203, 2015 Παρουσιάσεις στο ΗΜΥ203, 2015 Πρόγραμμα Παρουσιάσεων Τετάρτης 18/11/2015 Παρουσίαση Ομάδας 1 Περιγράψτε αναλυτικά την πειραματική διαδικασία ελέγχου της γραμμικότητας στο πιο κάτω κύκλωμα. Έπειτα, υπολογίστε

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων

Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων Εργαστήριο 5 Γραμμικότητα (Linearity), Αναλογικότητα (Proportionality), και Επαλληλία (Superposition)

Διαβάστε περισσότερα

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ ΕΠΑΦΗΣ (JFET) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων ΗΜΥ203

Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων ΗΜΥ203 Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων ΗΜΥ203 ιάλεξη 5 (Επανάληψη) 02/10/13 1 Λύσεις 1ης Ενδιάµεσης Εξέτασης Αναφέρετε τις ρυθµίσεις που θα κάνετε στον παλµογράφο (σε σχέση µε τα κουµπιά VOLTS/DIV και TIME/DIV),

Διαβάστε περισσότερα

Γιάννης Λιαπέρδος ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Κριτική Ανάγνωση: Αγγελική Αραπογιάννη. Επιμέλεια πολυμεσικού διαδραστικού υλικού: Γιώργος Θεοφάνους

Γιάννης Λιαπέρδος ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Κριτική Ανάγνωση: Αγγελική Αραπογιάννη. Επιμέλεια πολυμεσικού διαδραστικού υλικού: Γιώργος Θεοφάνους Γιάννης Λιαπέρδος ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Κριτική Ανάγνωση: Αγγελική Αραπογιάννη Επιμέλεια πολυμεσικού διαδραστικού υλικού: Γιώργος Θεοφάνους Copyright ΣΕΑΒ, 2015 Το παρόν έργο αδειοδοτείται υπό τους

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών

Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων Εργαστήριο 6 Θεώρημα Thevenin Λευκωσία, 2010 Εργαστήριο 6 Θεώρημα Thevenin Σκοπός: Σκοπός

Διαβάστε περισσότερα

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM ΜΑΘΗΜΑ : ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΤΑΞΗΣ Α ME TO MULTISIM Σκοπός: Η Εξέταση λειτουργίας του ενισχυτή κοινού εκπομπού και εντοπισμός βλαβών στο κύκλωμα με τη χρήση του προγράμματος προσομοίωσης

Διαβάστε περισσότερα

6 η ενότητα ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ

6 η ενότητα ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 6 η ενότητα ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ T.E.I. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Περιεχόμενα 6 ης ενότητας Στην έκτη ενότητα, θα μελετήσουμε τον τελεστικό ενισχυτή,

Διαβάστε περισσότερα

ΠΙΝΑΚΑΣ ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΩΝ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ

ΠΙΝΑΚΑΣ ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΩΝ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ ΠΙΝΑΚΑΣ ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΩΝ ΠΡΟΛΟΓΟΣ...17 ΕΙΣΑΓΩΓΗ...19 ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΠΡΩΤΟ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΜΕΘΟ ΟΛΟΓΙΑ ΣΧΕ ΙΑΣΗΣ 1.1 Μεθοδολογία σχεδίασης...25 1.2 Η διαδικασία της σχεδίασης...26 1.3 ηµιουργικότητα στη

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 2: Τελεστικός Ενισχυτής. Αντικείμενο. Απαιτούμενες Θεωρητικές Γνώσεις. 2.1 Συγκριτές

Άσκηση 2: Τελεστικός Ενισχυτής. Αντικείμενο. Απαιτούμενες Θεωρητικές Γνώσεις. 2.1 Συγκριτές Εργαστήριο Συστημάτων Αυτομάτου Ελέγχου Άσκηση Τελεστικός Ενισχυτής Άσκηση : Τελεστικός Ενισχυτής Αντικείμενο ) Άθροιση με τελεστικό ενισχυτή ) Έλεγχος κέρδους τελεστικού ενισχυτή Απαιτούμενες Θεωρητικές

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕ ΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΠΡΟΕΝΙΣΧΥΤΗ ΜΙΚΡΟΦΩΝΟΥ ΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΓΚΙΖΕΛΗΣ ΗΜΗΤΡΗΣ

ΣΧΕ ΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΠΡΟΕΝΙΣΧΥΤΗ ΜΙΚΡΟΦΩΝΟΥ ΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΓΚΙΖΕΛΗΣ ΗΜΗΤΡΗΣ ΣΧΕ ΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΠΡΟΕΝΙΣΧΥΤΗ ΜΙΚΡΟΦΩΝΟΥ ΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ ΓΚΙΖΕΛΗΣ ΗΜΗΤΡΗΣ ΕΠΙΒΛΕΠΩΝ : ΓΕΩΡΓΙΟΣ ΚΑΜΠΟΥΡΑΚΗΣ ΛΕΚΤΟΡΑΣ. ΑΘΗΝΑ ΦΕΒΡΟΥΑΡΙΟΣ 2006 1 ΠΡΟΛΟΓΟΣ Η σχεδίαση ηλεκτρονικών κυκλωµάτων απαιτεί

Διαβάστε περισσότερα

4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ

4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΣΤΟΧΟΙ 4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ Ημερομηνία:.... /.... /...... Τμήμα:.... Ομάδα: η κατανόηση της αρχής λειτουργίας ενός ενισχυτή δύο βαθμίδων με άμεση σύζευξη η εύρεση της περιοχής

Διαβάστε περισσότερα

1 η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΚΑΜΠΥΛΗ ΩΜΙΚΟΥ ΑΝΤΙΣΤΑΤΗ ΚΑΙ ΛΑΜΠΤΗΡΑ ΠΥΡΑΚΤΩΣΗΣ

1 η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΚΑΜΠΥΛΗ ΩΜΙΚΟΥ ΑΝΤΙΣΤΑΤΗ ΚΑΙ ΛΑΜΠΤΗΡΑ ΠΥΡΑΚΤΩΣΗΣ 1 ο Γενικό Λύκειο Ηρακλείου Αττικής Σχ έτος 2011-2012 Εργαστήριο Φυσικής Υπεύθυνος : χ τζόκας 1 η ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΚΑΜΠΥΛΗ ΩΜΙΚΟΥ ΑΝΤΙΣΤΑΤΗ ΚΑΙ ΛΑΜΠΤΗΡΑ ΠΥΡΑΚΤΩΣΗΣ Η γραφική παράσταση

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 1 ο. Βασικά στοιχεία των Κυκλωμάτων

Κεφάλαιο 1 ο. Βασικά στοιχεία των Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 1 ο Βασικά στοιχεία των Κυκλωμάτων Ένα ηλεκτρικό/ηλεκτρονικό σύστημα μπορεί εν γένει να παρασταθεί από ένα κυκλωματικό διάγραμμα ή δικτύωμα, το οποίο αποτελείται από στοιχεία δύο ακροδεκτών συνδεδεμένα

Διαβάστε περισσότερα

ΗΜΥ Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων. Πανεπιστήμιο Κύπρου. Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών

ΗΜΥ Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων. Πανεπιστήμιο Κύπρου. Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων ΗΜΥ203 ιάλεξη και Φροντιστήριο 2 12/09/12 1 Περίληψη Παρατηρήσεις / Απορίες στα Εργ. 0 και 1 Εισαγωγή στο Εργαστήριο 2 Εισαγωγή στο PSpice 2 Εργαστήριο 0 Βρείτε τις

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση των Τρανζίστορ

Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση λέμε την κατάλληλη συνεχή τάση που πρέπει να εφαρμόσουμε στο κύκλωμα που περιλαμβάνει κάποιο ηλεκτρονικό στοιχείο (π.χ τρανζίστορ), έτσι ώστε να εξασφαλίσουμε την ομαλή λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

Κ Ε Φ Α Λ Α Ι Ο 1 ΕΣΩΤΕΡΙΚΗ ΔΟΜΗ ΤΟΥ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥ ΕΝΙΣΧΥΤΗ

Κ Ε Φ Α Λ Α Ι Ο 1 ΕΣΩΤΕΡΙΚΗ ΔΟΜΗ ΤΟΥ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥ ΕΝΙΣΧΥΤΗ Κ Ε Φ Α Λ Α Ι Ο 1 ΕΣΩΤΕΡΙΚΗ ΔΟΜΗ ΤΟΥ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥ ΕΝΙΣΧΥΤΗ 1.1. ΕΙΣΑΓΩΓΗ Τα γραμμικά ολοκληρωμένα κυκλώματα (Linear Integrated Circuits) βρίσκουν ευρύτατες εφαρμογές σε ολοένα και περισσότερα ηλεκτρονικά

Διαβάστε περισσότερα

«Εργαστήριο σε Θέματα Ηλεκτρικών Μετρήσεων»

«Εργαστήριο σε Θέματα Ηλεκτρικών Μετρήσεων» Η ΠΡΑΞΗ ΥΛΟΠΟΙΕΙΤΑΙ ΣΤΟ ΠΛΑΙΣΙΟ ΤΟΥ ΕΠΙΧΕΙΡΗΣΙΑΚΟΥ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑΤΟΣ «Εκπαίδευση και Δια Βίου Μάθηση» ΚΑΙ ΣΥΓΧΡΗΜΑΤΟΔΟΤΕΙΤΑΙ ΑΠΟ ΤΗΝ ΕΥΡΩΠΑΪΚΗ ΕΝΩΣΗ (ΕΥΡΩΠΑΪΚΟ ΚΟΙΝΩΝΙΚΟ ΤΑΜΕΙΟ ΕΚΤ) ΚΑΙ ΑΠΟ ΕΘΝΙΚΟΥΣ ΠΟΡΟΥΣ

Διαβάστε περισσότερα

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα ΣΗΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ

ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα ΣΗΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα ΣΗΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Ενότητα : ΣΥΝΑΡΤΗΣΗ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ (Transfer function) ΜΑΘΗΜΑΤΙΚΑ ΜΟΝΤΕΛΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Aναστασία Βελώνη Τμήμα Η.Υ.Σ

Διαβάστε περισσότερα

Πείραμα. Ο Διαφορικός Ενισχυτής. Εξοπλισμός. Διαδικασία

Πείραμα. Ο Διαφορικός Ενισχυτής. Εξοπλισμός. Διαδικασία Ο Διαφορικός Ενισχυτής Ο διαφορικός ενισχυτής είναι η βαθμίδα εισόδου άμεσης σύζευξης ενός τυπικού τελεστικού ενισχυτή. Η πιο κοινή μορφή ενός διαφορικού ενισχυτή είναι ένα κύκλωμα με είσοδο δύο άκρων

Διαβάστε περισσότερα

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing).

Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Κεφάλαιο 4 Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Οι ενδείξεις (τάσεις εξόδου) των θερμοζευγών τύπου Κ είναι δύσκολο να

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ ΦΥΛΛΟ ΕΡΓΟΥ ΑΣΚΗΣΗ 1 ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΜΕ ΠΟΛΥΜΕΤΡΟ (ΣΥΜΠΛΗΡΩΜΑΤΙΚΗ) ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ ΦΥΛΛΟ ΕΡΓΟΥ ΑΣΚΗΣΗ 1 ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΜΕ ΠΟΛΥΜΕΤΡΟ (ΣΥΜΠΛΗΡΩΜΑΤΙΚΗ) ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ ΗΜΕΡΑ ΩΡΑ.. ΟΜΑΔΑ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ. ΦΥΛΛΟ ΕΡΓΟΥ ΑΣΚΗΣΗ 1 ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΜΕ ΠΟΛΥΜΕΤΡΟ (ΣΥΜΠΛΗΡΩΜΑΤΙΚΗ) ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ.. Μέτρηση αντιστάσεων με ωμόμετρο 1. Ρυθμίζουμε το πολύμετρο

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος Αναφορά αποτελεσμάτων εργαστηριακών μετρήσεων και μετρήσεων προσομοίωσης κυκλωμάτων εργαστηρίου Ονόματα φοιτητών ομάδας Μουστάκα

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων

Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων Εργαστήριο 8 Κυκλώματα RLC και Σταθερή Ημιτονοειδής Κατάσταση Λευκωσία, 2010 Εργαστήριο 8

Διαβάστε περισσότερα

ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΥ ΒΟΛΤΟΜΕΤΡΟΥ

ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΥ ΒΟΛΤΟΜΕΤΡΟΥ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΥ ΒΟΛΤΟΜΕΤΡΟΥ ΕΠΩΝΥΜΟ ΟΝΟΜΑ Α.Μ. ΤΜΗΜΑ ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΔΙΕΞΑΓΩΓΗΣ:.... /..../ 0.. ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΠΑΡΑΔΟΣΗΣ:.... /..../ 0.. ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΑΝΤΙΚΕΙΜΕΝΟ

Διαβάστε περισσότερα

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131

2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131 Περιεχόμενα v ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1: ΔΙΟΔΟΙ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ...1 1.1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ...1 1.2 ΥΛΙΚΑ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ: Ge, Si ΚΑΙ GaAs...2 1.3 ΟΜΟΙΟΠΟΛΙΚΟΙ ΔΕΣΜΟΙ ΚΑΙ ΕΝΔΟΓΕΝΗ ΥΛΙΚΑ...3 1.4 ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΕΣ ΣΤΑΘΜΕΣ...6 1.5 ΕΞΩΓΕΝΗ

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 7/0/0 ΣΕΙΡΑ Β: :00 8:0 ΘΕΜΑ ο (4 μονάδες) Ο ενισχυτής του διπλανού σχήματος περιλαμβάνει ένα τρανζίστορ τύπου npn (Q ) και ένα τρανζίστορ τύπου pnp (Q ), για τα οποία δίνονται:

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων

Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων ΗΜΥ203 Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων Εισαγωγή στις Μετρήσεις Σημάτων και Επίδραση Οργάνου στις Μετρήσεις ιδάσκων: ρ. Γιώργος Ζάγγουλος Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων

Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων Πανεπιστήμιο Κύπρου Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωμάτων και Μετρήσεων Εργαστήριο 10 Μετάδοση και Αποδιαμόρφωση Ραδιοφωνικών Σημάτων Λευκωσία, 2010 Εργαστήριο 10

Διαβάστε περισσότερα