ΑΝΑΡΤΗΤΕΑ ΣΤΟ ΔΙΑΔΙΚΤΥΟ ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΟΛΙΤΙΣΜΟΥ, ΠΑΙΔΕΙΑΣ ΚΑΙ ΘΡΗΣΚΕΥΜΑΤΩΝ ΓΕΝΙΚΗ ΓΡΑΜΜΑΤΕΙΑ ΕΡΕΥΝΑΣ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΕΘΝΙΚΟ ΚΕΝΤΡΟ ΕΡΕΥΝΑΣ ΦΥΣΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ «ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ» ΤΕΡΜΑ ΠΑΤΡ. ΓΡΗΓΟΡΙΟΥ & ΝΕΑΠΟΛΕΩΣ, 153 10 ΑΓ. ΠΑΡΑΣΚΕΥΗ ΑΤΤΙΚΗΣ ΤΗΛ.: 210-6503000, FAX: 210-6510649 ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ / ΙΝΣΤΙΤΟΥΤΟ : ΓΡΑΜΜΑΤΕΙΑ ΕΙΔΙΚΟΥ ΛΟΓΑΡΙΑΣΜΟΥ ΓΡΑΦΕΙΟ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΣ ΑΝΘΡΩΠΙΝΩΝ ΠΟΡΩΝ Αγ. Παρασκευή : 2-6-2015 Αρ. Πρωτ. : 015/2015-2497 Ε Κ Δ Η Λ Ω Σ Η Ε Ν Δ Ι Α Φ Ε Ρ Ο Ν Τ Ο Σ Θέμα: Πρόσκληση εκδήλωσης ενδιαφέροντος για υποβολή προτάσεων προς σύναψη συμβάσεων μίσθωσης έργου για τις ανάγκες του ερευνητικού προγράμματος / έργου με τίτλο «NanoWireMemory Τρισδιάστατες Διατάξεις Μνήμης νανονημάτων Si» (E- 11871) ΕΠΕΔΒΜ 2007-2013, Απόφαση ΓΓΕΤ με αρ. πρωτ. 3414/21-3-2014. Σχετ.: - Το απόσπασμα πρακτικού της 553 ης Συνεδρίασης / 27-5-2015 (θέμα 11 ο ) του Δ.Σ. του Ε.Κ.Ε.Φ.Ε. «Δημόκριτος». Σε συνέχεια του ανωτέρω σχετικού, το Ινστιτούτο Νανοεπιστήμης και Νανοτεχνολογίας (Ι.Ν.Ν.) του Ε.Κ.Ε.Φ.Ε. «Δημόκριτος», στο πλαίσιο υλοποίησης του ερευνητικού προγράμματος με τίτλο «NanoWireMemory Τρισδιάστατες Διατάξεις Μνήμης νανονημάτων Si» (E-11871) ΕΠΕΔΒΜ 2007-2013, Απόφαση ΓΓΕΤ με αρ. πρωτ. 3414/21-3-2014, στο πλαίσιο της Δράσης «ΑΡΙΣΤΕΙΑ ΙΙ» του Επιχειρησιακού Προγράμματος «Εκπαίδευση και Δια Βίου Μάθηση», που συγχρηματοδοτείται από την Ευρωπαϊκή Ένωση (ΕΚΤ) και από εθνικούς πόρους, προσκαλεί τους ενδιαφερόμενους να υποβάλλουν προτάσεις για σύναψη συμβάσεων μίσθωσης έργου για τρεις (3) θέσεις εξωτερικών επιστημονικών συνεργατών, ως εξής: 1/5
ΘΕΣΗ 1 Μία (1) Θέση Μεταδιδακτορικού ερευνητή Αντικείμενο έργου: Λιθογραφία ηλεκτρονικής δέσμης Προϋπολογισμός αμοιβής ανατιθέμενου έργου: 7.350,00 nm. Απαιτείται εμπερία στο σχεδιασμό, την κατασκευή και τον χαρακτηρισμό τρανζίστορ από νανονήματα πυριτίου, με έμφαση σε νανοκατασκευαστικές δραστηριότητες με λιθογραφία ηλεκτρονικής δέσμης. Πτυχιούχος φυσικός ή ισότιμο αναγνωρισμένο της αλλοδαπής. Μεταπτυχιακό τίτλο σπουδών στην μικροηλεκτρονική/νανοηλεκτρονική. Διδακτορικό δίπλωμα στις τεχνολογίες μικρο/νανοηλεκτρονικής ή ισότιμο αναγνωρισμένο της αλλοδαπής. Καλή γνώση της αγγλικής γλώσσας. 1. Εμπειρία σε τεχνολογίες νανοσχηματοποίησης μέσω λιθογραφία ηλεκτρονικής δέσμης (συντελεστής βαρύτητας έως 3.5/10). 2. Εργαστηριακή εμπειρία στην κατασκευή και ηλεκτρικό χαρακτηρισμό διατάξεων (συντελεστής βαρύτητας έως 2.5/10). 3. Εμπειρία στις διαδικασίες καθαρού χώρου μικροηλεκτρονικής (συντελεστής βαρύτητας έως 2.5/10). 4. Εμπειρία στην εκτέλεση ερευνητικών προγραμμάτων (συντελεστής βαρύτητας έως 1.5/10). Η κλίμακα βαθμολογίας (ΚΒ) υπολογίζεται για το κάθε ένα από τα επιθυμητά προσόντα 1,2, και 3, αναλόγως της ποιότητας (impact factor, 20%) και του αριθμού (30%) συναφών επιστημονικών δημοσιεύσεων, ανακοινώσεων σε συνεδρία (20%), το εύρος γνώσεων (20%) και τα χρόνια εμπειρίας (10%). Όσον αφορά στο προσόν 4, η ΚΒ υπολογίζεται αναλόγως του αριθμού (30%) και συνάφειας (30%) των προγραμμάτων, του βαθμού υπευθυνότητας στα προγράμματα αυτά (20%) και τα σχετικά χρόνια εμπειρίας (20%). ΘΕΣΗ 2 Μία (1) Θέση Υποψήφιου Διδάκτορα Αντικείμενο έργου: Διεργασίες κατασκευής διατάξεων πυριτίου Προϋπολογισμός αμοιβής ανατιθέμενου έργου: 4.350,00 2/5
nm. Ο υποψήφιος διδάκτορας θα απασχοληθεί με την κατασκευή και το χαρακτηρισμό τρανζίστορ από νανονήματα πυριτίου. Πτυχιούχος φυσικός ή επιστήμης υλικών ή ισότιμο αναγνωρισμένο της αλλοδαπής. Υποψήφιος Διδάκτορας με αντικείμενο σχετικό με τις διεργασίες κατασκευής ηλεκτρονικών διατάξεων. Καλή γνώση της αγγλικής γλώσσας 1. Εργαστηριακή εμπειρία στην κατασκευή και χαρακτηρισμό διατάξεων πυριτίου (συντελεστής βαρύτητας έως 5/10). 2. Εμπειρία στις διαδικασίες καθαρού χώρου μικροηλεκτρονικής (συντελεστής βαρύτητας έως 3/10). 3. Εμπειρία στην εκτέλεση ερευνητικών προγραμμάτων (συντελεστής βαρύτητας έως 2/10). Η κλίμακα βαθμολογίας (ΚΒ) υπολογίζεται για το κάθε ένα από τα επιθυμητά προσόντα 1 & 2 αναλόγως της ποιότητας (impact factor, 20%) και του αριθμού (30%) συναφών επιστημονικών δημοσιεύσεων, ανακοινώσεων σε συνεδρία (20%), το εύρος γνώσεων (20%) και τα χρόνια εμπειρίας (10%). Όσον αφορά στο προσόν 3, η ΚΒ υπολογίζεται αναλόγως του αριθμού (30%) και συνάφειας (30%) των προγραμμάτων, του βαθμού υπευθυνότητας στα προγράμματα αυτά (20%) και τα σχετικά χρόνια εμπειρίας (20%). ΘΕΣΗ 3 Μία (1) Θέση Μεταδιδακτορικού ερευνητή Αντικείμενο έργου: Προσομοίωση διατάξεων junction-less FETs νανονημάτων πυριτίου Προϋπολογισμός αμοιβής ανατιθέμενου έργου: 7.350,00 nm. Απαιτείται εμπειρία στο χαρακτηρισμό και στη μοντελοποίηση τρανζίστορ από νανονήματα πυριτίου. Πτυχιούχος φυσικός ή ισότιμο αναγνωρισμένο της αλλοδαπής. Μεταπτυχιακό τίτλο σπουδών στην μικροηλεκτρονική ή φυσική των υλικών. 3/5
Διδακτορικό δίπλωμα στις τεχνολογίες νανοηλεκτρονικής ή ισότιμο αναγνωρισμένο της αλλοδαπής. Καλή γνώση της αγγλικής γλώσσας. ΑΔΑ: Ω0Γ4469ΗΕΒ-6ΡΩ 1. Εμπειρία στην ανάπτυξη συμπαγών αναλυτικών μοντέλων σε ηλεκτρονικές διατάξεις πυλών νανοκλίμακας (συντελεστής βαρύτητας έως 6/10). 2. Εμπειρία στο χαρακτηρισμό ηλεκτρικών νανοδιατάξεων (συντελεστής βαρύτητας έως 2.5/10). 3. Εμπειρία στην εκτέλεση ερευνητικών προγραμμάτων (συντελεστής βαρύτητας έως 1.5/10). Η κλίμακα βαθμολογίας (ΚΒ) υπολογίζεται για το κάθε ένα από τα επιθυμητά προσόντα 1 και 2, αναλόγως της ποιότητας (impact factor, 20%) και του αριθμού (30%) συναφών επιστημονικών δημοσιεύσεων, ανακοινώσεων σε συνεδρία (20%), το εύρος γνώσεων (20%) και τα χρόνια εμπειρίας (10%). Όσον αφορά στο προσόν 3, η ΚΒ υπολογίζεται αναλόγως του αριθμού (30%) και συνάφειας (30%) των προγραμμάτων, του βαθμού υπευθυνότητας στα προγράμματα αυτά (20%) και τα σχετικά χρόνια εμπειρίας (20%). Οι υπογραφές των συμβάσεων και οι προσλήψεις θα καταστούν δυνατές μόνο στην περίπτωση που εγκριθεί παράταση του ερευνητικού προγράμματος «NanoWireMemory Τρισδιάστατες Διατάξεις Μνήμης νανονημάτων Si» από τη Γενική Γραμματεία Έρευνας & Τεχνολογίας. Οι επικρατέστεροι υποψήφιοι ενδέχεται να κληθούν σε συνέντευξη από την Επιτροπή επιλογής είτε δια ζώσης είτε μέσω ηλεκτρονικών μέσων στο ΕΚΕΦΕ «ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ», στο Ινστιτούτο Νανοεπιστήμης και Νανοτεχνολογίας (Ι.Ν.Ν.). Οι αιτήσεις και πλήρη βιογραφικά πρέπει να υποβληθούν μέχρι 18-6-2015 στη Γραμματεία Ειδικού Λογαριασμού του ΕΚΕΦΕ «Δημόκριτος» (Ταχυδρομική διεύθυνση: ΕΚΕΦΕ «Δημόκριτος», Γραμματεία Ειδικού Λογαριασμού, ΤΘ 60037, 15310 Αγία Παρασκευή). Οι υποψήφιοι έχουν δικαίωμα υποβολής ένστασης και πρόσβασης στους ατομικούς φακέλους και στα ατομικά φύλλα αξιολόγησης, κατόπιν αίτησης τους μέσω του Κεντρικού Πρωτοκόλλου του Κέντρου, εντός δέκα (10) ημερών από την ημερομηνία ανάρτησης των αποτελεσμάτων στην επίσημη ιστοσελίδα του Κέντρου. Η παρούσα εκδήλωση ενδιαφέροντος, καθώς και η αίτηση βρίσκονται αναρτημένες στην ιστοσελίδα του ΕΚΕΦΕ «Δημόκριτος» (http://www.demokritos.gr/). Για περισσότερες πληροφορίες οι ενδιαφερόμενοι μπορούν να επικοινωνούν κατά τις εργάσιμες ημέρες και ώρες με τον Δρ. Pascal Normand, στο τηλέφωνο 210-6503115 και στο e-mail: p.normand@inn.demokritos.gr Προσοχή: Σε κάθε αίτηση πρέπει να αναγράφεται το ινστιτούτο (Ι.Ν.Ν.) το ακρωνύμιο του έργου («NanoWireMemory»), ο αριθμός του έργου (E-11871), ο αρμόδιος για πληροφορίες (Δρ. Pascal Normand), η θέση που ενδιαφέρει και ο αριθμός πρωτοκόλλου (015/2015-2497) της εκδήλωσης ενδιαφέροντος. Η Προϊσταμένη Γραμματείας Ειδικού Λογαριασμού 4/5
Μαρίνα Κ. Φονταρά 5/5