ترﺪﻗ يﺎﻫ ﻢﺘﺴﯿﺳ لﺮﺘﻨﮐ وﺖﻇﺎ ﻔﺣ ﯽﺼﺼ ﺨﺗ ﺲﻧاﺮ ﻔﻨﮐ ﻦﯿﻤﺘﺸﻫ

Transcript

1 دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه تربیت مدرس تهران 65 دي ماه 9 اضافه ولتاژهاي ناشی از كليد زني از راه دور در ترانسفورماتورهای پست فوق توزيع ا يت در برق منطقه اي تهران و محسن قراط مهدي صلاي نادري گي ورگ قره پتیان مسعود معصوم دانشگاه صنعتی امیرکبیر دانشکده مهنسی برققدرت دانشگاه صنعتی امیرکبیر پژوهشکده بهره براري ایمن شبکه شرکت برق منطقه اي تهران دفتر فنی انتقال چکیده در برخی اتصالات تجهیزات به یکدیگر به دلایل مختلف استانداردهاي لازم رعایت نمیشود و کاربرد برخی وسایل خاص نادیده گرفته میشوند. در حالت معمول بین کابل و یا خط تغذیه کننده و ترانسفورماتور از کلید استفاده میشود. عدم وجود کلید بین این دو تجهیز سبب میشود که ترانسفورماتور و خط یا کابل در یک زمان و از یک پست دیگر برقدار شوند که به آن کلید زنی از راه دور میگویند. در این زمان با توجه به آرایش شبکه و امپدانس خط یا کابل تغذیه کننده و ترانسفورماتور اضافه ولتاژهایی در ثانویه ترانسفورماتور میتواند بوجود آید. در این مقاله این مساله در پست فوق توزیع آیت در شزکت برق منطقه اي تهران بررسی شده و مشخص شده است که با استفاده از برقگیر میتوان اضافه ولتاژها را تا میزان قابل ملاحظه اي کاهش داد. کلمات کلیدي اضافه ولتاژ کابل ترانسفورماتور کلید با مقاومت وصل مقدمه برقدار کردن ترانسفورماتور میتواند جریان هاي هجومی بزرگی تولید نماید که باعث اعمال تنش به سیمپیچهاي ترانسفورماتور گردند. دامنە جریان هجومی به مقدار امپدانس ترانسفورماتور مشخصات مغناطیسی هسته ترانسفورماتور و به وضعیت شار مغناطیسی پسماند در لحظە برقدار شدن ترانسفورماتور بستگی دارد. شدت این جریان براي ترانسفورماتورهایی که از مقدار شار پسماند بیشتري برخوردارند بیشتر است[ ]. نیروهاي الکترومغناطیسی بزرگ حاصل از جریان هاي هجومی میتوانند پس از چندین مورد وقوع جریان هجومی منجر به شکست عایقی نقاط ضعیف در عایق ترانسفورماتور شوند. همچنین بروز ولتاژهاي هارمونیکی موقتی طولانی مدت کاهش کیفیت تغذیە الکتریکی و عملکرد اشتباه رله هاي حفاظتی از دیگر مشکلاتی هستند که در برقدار نمودن ترانسفورماتور ممکن است رخ دهند. در مقالات مختلف به بررسی اضافه ولتاژهاي کلیدزنی در برقداري ترانسفورماتور پرداخته شده است[ ]. مقالات محدودي نیز کلیدزنی از راه دور و اضافه ولتاژهاي آنرا بررسی کرده اند. در این مقالات چگونگی وقوع این پدیده با توجه به ساختار شبکه که عمدتا ناشی از وجود خاصیت خازنی کابل و اندوکتانس ترانسفورماتور بوده اشاره شده است[ ]. در مقاله پیشرو با توجه به مشکلاتی که در پست آیت در شرکت برق منطقه اي تهران ناشی از کلیدزنی از راه دور گزارش شده به بررسی این موضوع پرداخته شده است. پست آیت داراي دو سطح ولتاژ 6 و کیلوولت است. این پست با کابل /7 کیلومتر با پست دوشان تپه در ارتباط است. در این پست با برقدار کردن کابل و ترانسفورماتور متصل به آن از پست

2 دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه تربیت مدرس تهران 65 دي ماه 9 دوشان تپه در ثانویه ترانسفورماتور و محل اتصال آن به یک طرف کلید اصلی فیدر کیلوولت اضافه ولتاژي ایجاد شده که این اضافه ولتاژ سبب شکست عایقی و ایجاد جرقه بین تیغه یک سمت کلید با محفظه اطراف آن شده است. در ادامه با توجه به شبیهسازي انجام شده و نتایج آن سعی شده است علت این حادثه مشخص و راهکار متناسب با آن ارایه شود. مدل سازي تجهیزات شبکه جهت بررسی پدیده کلیدزنی باید تجهیزات موجود در شبکه به نحو مناسبی مدل شوند. مدل کابل چندین مدل براي پیاده سازي کابل در محیط EMTP در نظر گرفته شده است که هر کدام داراي دقت خاصی میباشند. تمامی این مدل ها ورودي هاي خاصی دارند که شامل ماتریس امپدانس سري و ماتریس ادمیتانس موازي میباشند. مواد هادي در «جدول» مقاومت برخی هادي هایی که بطور معمول در صنعت برق استفاده می شوند آورده شده است. مقاومت خاك اطراف هادي وابسته به ماده تشکیل دهنده آن می باشد که از (Ω.m) براي خاك مرطوب تا (kω.m) براي صخره متغیر می باشد. مقاومت آب دریا نیز بین. تا Ω.m می باشد. Steel جدول (): مقاومت مواد هادي Mteril ρ[ωm] opper.7e8 Alumium.8E8 Le E8 8E8 مواد عایق نفوذپذیري نسبی عایق از اطلاعات کارخانه بدست می آید. «جدول» مقادیر نوعی براي عایق هاي معمول را در فرکانس قدرت نشان می دهد. Fluifille جدول (): نفوذپذیري نسبی ماده عایق Mteril Permittivity XLPE. Mssimpregte 4..5 بیشتر عایق هاي اکسترود (مانند XLPE و (PE تا MHz بدون تلفات می باشند در صورتیکه کاغذ آغشته به روغن حتی در فرکانس هاي پایین تر از فرکانس قدرت نیز داراي تلفات می باشند. نفوذپذیري وابسته به فرکانس بوده و رابطه پیچیده اي با تلفات دارد. مواد نیمه هادي عایق اصلی کابلهاي فشارقوي همیشه بین دو لایه نیمه هادي قرار میگیرند. این موضوع هم در مورد عایق اکسترود و هم در مورد عایق کاغذ روغنی صادق است. پارامترهاي الکتریکی صفحات نیمه هادي میتواند در محدوده بزرگی تغییر کند. «جدول» مقادیر مربوط به عایق اکسترود را نشان میدهد. براي کابلهاي با عایق اکسترود مقاومت مورد نیاز که توسط استاندارد (648 (IE تعیین شده است براي لایههاي نیمه هادي داخلی و خارجی به ترتیب کمتر از Ωm و 5Ωm است. جدول (): پارامترهاي لایه نیمه هادي Resistivity. Permittivity > مدل برقگیر در «شکل» این مدل نشان داده شده است. در این مدل دو شاخه غیرخطی مذکور توسط فیلتر RL از یکدیگر جدا شده اند. شکل (): مدل فرکانسی برقگیر براي موجهایی که زمان رسیدن به ماکزیمم بزرگی دارند این فیلتر RL امپدانس خیلی کوچکی دارد. پس دو شاخه با یکدیگر موازي میشوند ولی در موجهایی که زمان رسیدن به مقدار ماکزیمم کمی دارند فیلتر RL امپدانس بزرگی از خود نشان داده و شاخه A خود را نشان میدهد و طبق مدل ولتاژ برقگیر نیز افزایش مییابد [5]. مقادیر عناصر چنین بدست میآید: R = 65 Ω R = Ω L =5 µ H L =. µ H = µ H () () () (4) (5) طول برقگیر و تعداد برقگیرهاي موازي میباشد.

3 و 7 هشتمین کنفرانس تخصصی حفاظت و کنترل سیستم هاي قدرت دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه تربیت مدرس تهران 65 دي ماه 9 : ظرفیت خازنی موثر ترانسفورماتور در سمت مورد نظر است. 4 مدل سازي اثر اشباع ترانسفورماتور مدل ترانسفورماتور مدل سازي ترانسفورماتور ها با توجه به ساختار مختلف هسته و وجود پارامترها ي غیر خطی و وابسته به فرکانس مشکل است فیزیکی ترانسفورماتوري مشخصه هاي بسته به رنج فرکانسی مورد نظر عبارتند از : ساختارهاي هسته و سیم پیچ اندوکتانس هاي خودي و تزویج شارهاي نشتی اشباع هسته مغناطیسی تلفات جریان گردابی هیسترزیس (پسماند) هسته و اثرات خازنی. مدل ترانسفورماتور براي مطالعات حالتهاي گذرا مورد استفاده در این مقاله در «شکل» نشان داده شده است [6]. شکل (): مدل ترانسفورماتور براي مطالعات حالتهاي گذرا براساس استاندارد IEEE مقاومت و اندوکتانس سري که در مدل کلاسیک ترانسفورماتور وجود دارد و به منظور وارد کردن اثر مقاومتی و اندوکتانس نشتی سیمپیچهاي اولیه و ثانویه ترانسفورماتور است. به علت وجود فرکانسهاي بالا در سیستم سیمپیچیهاي ترانسفورماتور با یکدیگر و با بدنه ترانسفورماتور تشکیل ظرفیت خازنی میدهند. در شکل () ظرفیت هاي خازنی بوسیله سه خازن l h و hl نشان داده شده است. پارامترهاي مذکور بصورت ذیل تعریف میشوند. : l ظرفیت خازنی سیمپیچ فشارضعیف نسبت به بدنه : h ظرفیت خازنی سیمپیچ فشار قوي نسبت به بدنه : hl ظرفیت خازنی ما بین دو سیمپیچ ترانسفورماتور ظرفیت خازنی ترانسفورماتورها وابسته به فرکانس نوسانات سیمپیچیهاي آن است. مقادیر خازنی ترانسفورماتور بوسیله روشهاي مختلف نظیر روش شناسایی فرکانس روش شناسایی حوزه زمان بدست میآید[ 6]. رابطه بین فرکانس نوسانات سیمپیچی و ظرفیت خازنی ترانسفورماتور بصورت زیر است[ = (πf ) L T :[8 (6) در رابطە فوق: : f فرکانس نوسانات در هریک از سیمپیچها است. L : T اندوکتانس نشتی معادل در سمت مورد نظر است. در مطالعات گذراي مربوط به کلیدزنی اثر غیرخطی هسته ترانسفورماتور در میزان اضافه ولتاژها تا ثیر به سزایی دارد. البته باید در نظر گرفت مدلسازي هسته و اثر غیر خطی آن سبب میشود مقادیر واقعی تري از نظر اضافه ولتاژ بدست آید. به منظور اضافه کردن اثر غیرخطی هسته ترانسفورماتور میبایست یک سلف غیرخطی را به طور موازي با مدل کلاسیک ترانسفورماتور وصل کرد. بوسیله این سلف غیرخطی میتوان مشخصه غیرخطی ترانسفورماتور را به مدل اضافه کرد. در نرمافزار EMTPRV میتوان اثر غیرخطی ترانسفورماتور را به طور مستقیم با وارد کردن منحنی مشخصه VI و یا منحنی جریان فلوي هسته در مدل مورد نظر وارد کرد[ 9 ]. مشخصات پست همانطور که ذکر آن رفت پست آیت داراي دو سطح ولتاژ 6 و کیلوولت میباشد. این پست با کابل /7 کیلومتر با پست دوشان تپه در ارتباط است. مشخصات کابل در «جدول 4» آورده شده است. هر کابلی که از پست دوشان تپه خارج می شود بدون کلید به یک ترانسفورماتور 6/ کیلوولت در پست آیت متصل میشود. ظرفیت ترانسفورماتور برابر MVA است. منحنی اشباع هسته این ترانسفورماتور بطور عملی اندازه گیري شده و در «شکل» نشان داده شده است. در ثانویه ترانسفورماتور یک ترانسفورماتور //4 کیلوولت وجود دارد. ولتاژ در ثانویه این ترانسفورماتور را با پله هاي منظم بالا برده و جریان بی باري ترانسفورماتور اندازه گیري میشود. اگرچه این روش تقریبی بوده است و داراي دقت بالایی نمیباشد ولی همانطور که در شبیه سازي ها نشان داده شده و انتظار آن نیز وجود داشت پاسخ هاي مناسبی بدست آمده است. بین کابل و ترانسفورماتور کلیدي وجود ندارد و با کلید زنی در پست فیروزي کابل و ترانسفورماتور در پست آذربایجان برقدار می شوند. جدول (4): مشخصات کابل ارتباطی بین پست هاي دوشان تپه و آیت Numer of ore (mm ) Isultio thikess *85 A resiste (ohm/km).7 Lethikess Sheththikess..7 Rete (ohm/km).7 le imeter Weight (kg/km) pite (miro F/km).6 h R L Rm Lm hl R L

4 FDQ FDQ FDQ هشتمین کنفرانس تخصصی حفاظت و کنترل سیستم هاي قدرت دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه تربیت مدرس تهران 65 دي ماه 9 A B D E SILH SILH SILS FDQ6 VM YgD_ SILH SILH SILS FDQ4 VM YgD_ SILH SILH SILS FDQ5 VM YgD_ A4 6kVRMSLL /_76. ( V(v ولتاژ ۵٠٠ ۴٠٠ ٣٠٠ ٢٠٠ ١٠٠ ٠ ٠ ٠ ٠۵ ٠ ١ ٠ ١۵ ( I(mA جریان شکل (): منحنی اشباع ترانسفورماتور 4 روش انجام انواع مطالعات کلیدزنی مطالعات کلیدزنی وابسته به متغیرهاي زیادي بوده و فرآیندي تصادفی است. از اینرو مطالعات مرتبط با آن آماري بوده و مستلزم تکرار است. در نرمافزار EMTPRV کلید آماري مدلسازي شده که بطور اتفاقی عمل میکند. چگونگی عملکرد آن بر اساس تابعهاي مختلف آماري است که تابع گوسی و یا یکنواخت از انواع آن میباشد. با استفاده از این کلید آماري میتوان بیشترین اضافه ولتاژ محتمل در شرای ط مختلف را بدست آورد. در این مدل توانایی کلیدزنی در هر زمان دلخواه از موج سینوسی وجود دارد [ ]. در برقدار کردن از راه دور کلیدزنی از پست تغذیه کننده صورت می گیرد و کلید متصل به شین تغذیه در حالت عملکرد آماري است. با وصل این کلید کابل و ترانسفورماتور متصل به آن برقدار میشود. براي دستیابی به حداکثر ولتاژ ممکن فرض میشود که ترانسفورماتور در حالت بیبار است. براي مطالعات برقدار کردن مجدد فرآیند کاملا شبیه برقدار کردن میباشد. این فرآیند زمانی اتفاق میافتد که خط بواسطه خطا و یا علل مختلف قطع کرده و کلیدهاي باز وصل پس از مدت زمان کوتاهی دوباره وصل میشوند. این در حالی است که در هنگام وصل مجدد خط داراي شارژ باشد. این شارژ براي بررسی بدترین حالت بر روي فاز برابر پریونیت و در فاز دیگر برابر پریونیت در نظر گرفته میشود. 5 شبیه سازي در مطالعات کلیدزنی بسته شدن کلیدها بطور تصادفی و مستقل از یکدیگر انجام میشود. مدل آماري کلیدزنی بر اساس مدل گوسی با میانگین میلی ثانیه و انحراف معیار /5 میلی ثانیه انتخاب شده است. شبکه از پست فیروزي به صورت امپدانس معادل در نظر گرفته شده است. دیاگرام تک خطی شبیه سازي شده در «شکل 4» نشان داده شده است. شکل (4): دیاگرام تک خطی مدار مورد مطالعه در پست آیت امپدانس اتصال کوتاه در پست دوشان تپه در جدول () آورده شده است. ZQQ امپدانس اتصال کوتاه ترتیب مثبت و ZQQ امپدانس اتصال کوتاه ترتیب صفر است. امپدانس مبنا براي اعداد نشان داده شده برابر 4 اهم است. اعداد ذکر شده بر اساس مدلسازي شبکه فوق توزیع برق منطقه اي تهران در نرم افزار توسط این شرکت برق منطقه اي اعلام شده است. جدول (5): امپدانس اتصال کوتاه در پست /6/ کیلوولت قدرت قطع 6 کیلوولت سه فاز (MVA) تک فاز فیروزي نسبت X/R Z =.9J.54(p.u).Z =.557J.(p.u) برقدار کردن خط با برقدار کردن ترانسفورماتور بیبار متصل به کابل /7 کیلومتري اضافه ولتاژي در اولیه و ثانویه ترانسفورماتور مربوطه دیده میشود. وابستگی زمان بسته شدن کلید فازهاي مختلف به یکدیگر در میزان اضافه ولتاژ تاثیر دارد. بدترین حالت زمانی بوده که تیغه ها مستقل از یکدیگر عمل نمایند که به آن کلیدزنی غیر همزمان گفته میشود. در مطالعات انجام شده در این مقاله کلیدزنی غیرهمزمان ملاك میباشد. شبیهسازي براي دستیابی به نتیجه مناسب براي مرتبه تکرار میشود. نمودارهاي اضافه ولتاژهاي مثبت و منفی فازهاي و ثانویه ترانسفورماتور پست آیت بر اساس کلیدزنی تصادفی در» شکلهاي 6 5 و «7 نشان داده شده اند. A B D E

5 دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه تربیت مدرس تهران 65 دي ماه 9 ولتاژ شارژ خط به صورت D ظاهر میشود. اضافه ولتاژ مثبت و منفی سه فاز ثانویه ترانسفورماتور 6/ کیلوولت متصل به کابل /7 کیلومتر آیت در برقداري مجدد در اند. «شکل هاي 7 و 8» نشان داده شده به دلیل آنکه ماکزیمم ولتاژ مدنظر بوده فازهاي مختلف در شکل از یکدیگر جدا نشان داده نشدهاند x 4 4 Voltge(v) 4 x 4 mi: mx: mi: mx: y شکل (8): اضافه ولتاژ مثبت سه فاز ثانویه ترانسفورماتور 6/ شکل (5): ولتاژ مثبت و منفی فاز سیمپیچ ثانویه ترانسفورماتور کیلوولت در برقداري مجدد x 4 mi: mx: 4.86 mi: mx: mi: mx: Voltge(v) 4 x 4 mi: mx: mi: mx: y.5 شکل (6): ولتاژ مثبت و منفی فاز سیمپیچ ثانویه ترانسفورماتور.5 mi: mx: 4 mi: mx: 4.5 mi: mx: x 4 (7) شکل (7): ولتاژ مثبت و منفی فاز سیمپیچ ثانویه ماکزیمم اضافه ولتاژ بر اساس بار شبیه سازي که در ثانویه ترانسفورماتور انجام شده است برابر با پریونیت یا 49 کیلوولت است. در کلید زنی اضافه ولتاژهاي مثبت و منفی در نظر گرفته شده اند تا بتوان بدترین شرایط را بدست آورد. 5 برقدارکردن مجدد اضافه ولتاژهاي ناشی از کلیدزنی هنگامی که خط داراي شارژ باشد میتواند شرایط دشوارتري را ایجاد نماید. براي خطوط بدون جبرانساز شکل (9): اضافه ولتاژ منفی سه فاز ثانویه ترانسفورماتور 6/ کیلوولت در برقداري مجدد ماکزیمم اضافه ولتاژ در ثانویه برابر 5 کیلوولت یا / پریونیت است. با توجه به حوادثی که در پست بوجود آمده است گاهی در کلیدزنیها بین تیغه یک سمت کلید و محفظه آن جرقه زده میشود. در [] براي ولتاژ شکست هوا در شرایط استاندارد (9) ارایه شده است. در رابطه فوق FO ولتاژ جرقه بحرانی در شرایط استاندارد و S فاصله برحسب سانتی متر است. این مقدار با توجه به دما و رطوبت تصحیح و از مقدار فوق کاهش خواهد یافت. با توجه به شبیه سازيها اضافه ولتاژ در ثانویه تا 48/5 کیلوولت وجود دارد. در این حالت براساس (9) میزان فاصله اي که متناسب با آن شکست رخ می دهد برابر /5 سانتی متر خواهد شد. این مقادیر در شرایط استاندارد است و در واقعیت به علل مختلف از قبیل کثیف و ناهموار بودن سطح دماي Voltge (v) mi: 9.8 mx: mi: mx: Simultio

6 دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه تربیت مدرس تهران 65 دي ماه 9 بیشتر و غیره شکست با ولتاژ کمتري رخ خواهد داد. براي جلوگیري از وقوع این حالت استفاده از برقگیر در ثانویه ترانسفورماتور در پست آیت پیشنهاد می شود. شبیه سازي ها با وجود برقگیر تکرار شده است. مشخصات برقگیر در «شکل» نشان داده شده است. برقگیر بصورت تک ستونه است. شکل (): مشخصات الکتریکی برقگیر اضافه ولتاژهاي سه فاز و در بار شبیه سازي بدست آمده است. ماکزیمم ولتاژ جدا از آنکه در کدام فاز اتفاق افتاده مهم است. نتایج شبیه سازي در «شکل هاي و» نشان داده شدهاند. به دلیل آنکه ماکزیمم ولتاژ مدنظر بوده فازهاي مختلف در شکل از یکدیگر جدا نشان داده نشدهاند. شکل (): ولتاژ مثبت سه فاز ثانویه ترانسفورماتور در حضور برقگیر شکل (): ولتاژ منفی سه فاز ثانویه ترانسفورماتور در حضور برقگیر با استفاده از برقگیر ماکزیمم اضافه ولتاژ به کیلوولت یا /4 پریونیت می رسد. این اضافه ولتاژ به ازاي بار شبیه سازي بوجود می آید. با توجه به حضور برقگیر فاصله هوایی براي ایجاد جرقه به 5/5 سانتی متر کاهش یافته است. در واقع با استفاده از این تجهیز میزان 6/5 سانتی متر حاشیه امنیت ایجاد شده است. 6 نتیجه گیري در پست آیت در شرکت برق منطقه اي تهران با توجه به اینکه کلیدزنی از راه دور انجام میشود و کابل و ترانسفورماتور با یکدیگر برقدار می شوند اضافه ولتاژ زیادي در ثانویه ترانسفورماتور دیده می شود. با توجه به شبیه سازي ها در EMTPRV دامنه اضافه ولتاژ برابر پریونیت بوده است. استفاده از برقگیر در ثانویه ترانسفورماتور این پست سبب کاهش دامنه اضافه ولتاژ تا میزان /4 پریونیت و میرایی نوسانات شده است. بنابراین قوسی بین ثانویه ترانسفورماتور و محفظه اطراف آن نیز ایجاد نخواهد شد. [] Isultio ooritio Prt 4, omputtiol guie to Isultio ooritio moelig of eletril etworks ", IE Pulitio 674, st eitio, 4 [] Bjør Gustvse, "Stuy of Trsformer Resot Overvoltges use y letrsformer HighFrequey Itertio", IEEE TRANSATIONS ON POWER DELIVERY, VOL. 5, NO., APRIL [] D.R.Smith, S.R.Swso, Overvoltges With Remotely Swithe lefe Groue WyeWye Trsformers, IEEE T r s o Power Apprtus Systems, vol. PAS94, o. 5, Septemer/Otoer 975 [4] B. Gustvse, J. A. Mrtiez, D. Durk, Prmeter Determitio for Moelig System Trsiets Prt II: Isulte les, IEEE PES Tsk Fore o Dt for Moelig System Trsiets of IEEE PES Workig Group o Moelig Alysis of System Trsiets Usig Digitl Simultio [5] J. A. Mrtiez, D. Durk, Prmeter etermitio for moelig systems trsietsprt V: Surge rresters, IEEE PES Tsk Fore o Dt for Moelig System Trsiets of IEEE PES Workig Group o Moelig Alysis of System Trsiets Usig Digitl Simultio [6] J. A. Mrtiez, R. Wllig, B. A. Mork, J. MrtiAreo, D. Durk, Prmeter Determitio for Moelig System Trsiets Prt III: Trsformers, IEEE PES Tsk Fore o Dt for Moelig System Trsiets of IEEE PES Workig Group o Moelig Alysis of System Trsiets Usig Digitl Simultio [7] A.J.F. Keri, et. Al, "Moelig Alysis of System Trsiet Usig Digitl Progrms" IEEE PES Speil Pulitio, Workig Group 5.8.9, 99TP, 998 [8] All Greewoo, "Eletril Trsiets i Power Systems", Seo Eitio, Joh Wiley & Sos, I. 99 [٩] دکتر گي ورگ قره پتیان احمد غنی زاده"راهنماي نرم افزار "EMTPRV انتشارات نور دانش ١٣٩١ [] A. M. Gole, D. W. Durk, E. H. mm, M. Mrz, R.. Degeeff, R. P. O Lery, R, Ntrj, J. A. MrtiezVelso, Kihug Lee, A. Morhe, R. Shh, E. R. Prtio, G.. Thom, B. Spherlig, D. A. Woofor, L. Rugeles, Tsk Fore Report: Moelig Guielies for Swithig Trsiets, IEEE PES Swithig Trsiets Tsk Fore.5 Voltge(v).5.5 x 4.5 Voltge(v ).5 x 4.5 mi: mx:.59 mi: mx:.4 mi: mx: mi: mx: mi:.5567 mx: mi: mx: BA