ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

Σχετικά έγγραφα
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

Εργαστηριακές Ασκήσεις

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ - ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ Ι Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Εργαστήριο Συστημάτων VLSI και Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών. Γεώργιος Τσιατούχας

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΑΣΚΗΣΗ 2 η : ΟΡΓΑΝΑ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΕΣ ΤΟΥ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟΥ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

Η Ιδανική ίοδος. Η Ιδανική ίοδος σε Ανορθωτή. Ανάστροφη Πόλωση. Ορθή Πόλωση

Φίλτρα διέλευσης: (α) χαμηλών συχνοτήτων (β) υψηλών συχνοτήτων

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 3 Δίοδος. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

2 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Δίοδοι - Επαφή pn. 4 ο 5 ο 6 ο Εργαστήριο ΦΥΛΛΟ ΕΡΓΑΣΙΑΣ

ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΔΙΑΔΙΚΑΣΙΑ

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

Το διπολικό τρανζίστορ

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων

Επαφή / ίοδος p- n. Σχήµα 1: Επαφή / ίοδος p-n

1η Εργαστηριακή Άσκηση: Απόκριση κυκλώµατος RC σε βηµατική και αρµονική διέγερση

Κεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Κυκλώματα ιόδων 2

Εργαστηριακές Ασκήσεις ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου

5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση. Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

1 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Δίοδοι-Επαφή pn

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

Εισαγωγή στις Τηλεπικοινωνίες / Εργαστήριο

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής

Άσκηση 3 Η ΔΙΟΔΟΣ ΩΣ ΗΜΙΑΓΩΓΟΣ

3.1 Η δίοδος στο κύκλωμα. Στατική και δυναμική χαρακτηριστική

ΑΣΚΗΣΗ 208 ΚΥΚΛΩΜΑ ΣΥΝΤΟΝΙΣΜΟΥ ΕΝ ΣΕΙΡΑ U U (3)

2. ΑΝΟΡΘΩΤΙΚΗ ΔΙΑΤΑΞΗ ΓΕΦΥΡΑΣ

Ερώτηση 3 (2 µον.) Ε 1. ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ

Περιοχή φορτίων χώρου

Ηλεκτρονική. Ενότητα 3: Δίοδος. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Βιοµηχανικά Ηλεκτρονικά (Industrial Electronics) Κ.Ι.Κυριακόπουλος Καθηγητής Ε.Μ.Π.

PWL REPEAT FOREVER ( m m m 0) ENDREPEAT

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

Άσκηση 3 Η φωτο-εκπέµπουσα δίοδος (Light Emitting Diode)

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΘΕΩΡΙΑ

Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος:

Πανεπιστήµιο Κύπρου. Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών. ΗΜΥ 100 Εισαγωγή στην Τεχνολογία

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

.step D Diode(Is) 1n 5n 1n.step D Diode(Rs)

Άσκηση 6 ΔΙΟΔΟΣ ZENER ΚΑΙ ΠΟΛΛΑΠΛΑΣΙΑΣΤΕΣ ΤΑΣΗΣ

ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΔΙΑΔΙΚΑΣΙΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ Ι. Σημειώσεις Εργαστηριακών Ασκήσεων

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)

VLSI Systems and Computer Architecture Lab. Εργαστήριο Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών

Ενισχυτής Κοινού Εκπομπού

ΙΚΑΝΟΤΗΤΕΣ: 1. Αναγνωρίζει απλούς κωδικοποιητές - αποκωδικοποιητές.

7. ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ

Κεφάλαιο 5. Ημιαγωγικές διατάξεις Δίοδοι

Ηλεκτρονικά Ισχύος. ίοδος

Περιοχή φορτίων χώρου

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ

Άσκηση 4 ίοδος Zener

Άσκηση 3. Δίοδοι. Στόχος. Εισαγωγή 1. Ημιαγωγοί ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ)

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος Thevenin

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ

ΤΕΙ ΚΑΒΑΛΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΣΧΥΟΣ ρ. Ιωάννης Χ. ερµεντζόγλου ΑΣΚΗΣΗ 3 ΙΠΑΛΜΙΚΟΣ ΜΟΝΟΦΑΣΙΚΟΣ ΜΕΤΑΤΡΟΠΕΑΣ ΜΕΣΑΙΑΣ ΛΗΨΕΩΣ 3.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής

ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014

Η ιδανική Δίοδος. Ορθή πόλωση Χαρακτηριστική τάσης ρεύματος της ιδανικής διόδου. Ανάστροφη πόλωση

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

ΑΣΚΗΣΗ 7. Θερµοϊονικό φαινόµενο - ίοδος λυχνία

Περιοχή φορτίων χώρου

Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET)

ΤΟ ΦΙΛΤΡΟ ΕΙΣΟΔΟΥ ΠΥΚΝΩΤΗ ΠΕΙΡΑΜΑ 1

vergina.eng.auth.gr/kontoleon 1 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙΙ ευτέρα, , 9 π..µ (Αιθ. 1-7, ιάρκεια Εξετ. 3 hr)

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ ΦΥΛΛΟ ΕΡΓΟΥ ΑΣΚΗΣΗ 1 ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΜΕ ΠΟΛΥΜΕΤΡΟ (ΣΥΜΠΛΗΡΩΜΑΤΙΚΗ) ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ

«Εργαστήριο σε Θέματα Ηλεκτρικών Μετρήσεων»

Άσκηση 5 ΔΙΠΛΗ Ή ΠΛΗΡΗΣ ΑΝΟΡΘΩΣΗ

Κεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ημιαγωγοί - ίοδος Επαφής 2

«Συγκριτής τάσης (με τελεστικό ενισχυτή)»

Εισαγωγή στους Ταλαντωτές Οι ταλαντωτές είναι από τα βασικότερα κυκλώματα στα ηλεκτρονικά. Χρησιμοποιούνται κατά κόρον στα τηλεπικοινωνιακά συστήματα

ΑΝΟΡΘΩΤΙΚΗ ΔΙΑΤΑΞΗ ΓΕΦΥΡΑΣ

ΕΥΑΙΣΘΗΣΙΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ

Άσκηση 12 Ο ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ua741 ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Βαθµίδες εξόδου. Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade.

Η ιδανική Δίοδος. Ορθή πόλωση Χαρακτηριστική τάσης ρεύματος της ιδανικής διόδου. Ανάστροφη πόλωση

Πανεπιστήµιο Κύπρου Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Εργαστήριο Κυκλωµάτων και Μετρήσεων

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΣΧΥΟΣ ΑΣΚΗΣΗ 1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΙΣ ΔΙΟΔΟΥΣ & ΤΑ ΘΥΡΙΣΤΟΡ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ

Ηλεκτρικό φορτίο - Ένταση ηλεκτρικού πεδίου - Δυναµικό

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 2 JUT ΚΑΙ PUT

ΜΕΡΟΣ Α: Απαραίτητες γνώσεις

Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας

8. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL

VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Εργαστήριο Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ Γ ΤΑΞΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ 2003

Άσκηση 1. Όργανα εργαστηρίου, πηγές συνεχούς τάσης και μετρήσεις

9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ. Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να

Transcript:

Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙΙ Η ΙΟ ΟΣ 2.1 ίοδοι 2.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής άσκησης είναι η επαφή µε το κυκλωµατικό στοιχείο της διόδου και ο πειραµατισµός µε τα κυκλώµατα που κάνουν χρήση της στην υλοποίηση ενός αριθµού από λειτουργίες. Σε αυτή την άσκηση ο φοιτητής θα εξοικειωθεί µε τις έννοιες της ανόρθωσης και του ψαλιδισµού. Η δίοδος είναι το απλούστερο και το ποιο θεµελιώδες µη γραµµικό κυκλωµατικό στοιχείο. Εµφανίζεται στη δοµή σχεδόν όλων των κυκλωµατικών στοιχείων που υλοποιούνται σε ηµιαγωγούς. Στο Σχήµα 2.1 δίδεται το κυκλωµατικό σύµβολο της διόδου και οι συνδεσµολογίες ορθής και ανάστροφης πόλωσης. Στην ορθή πόλωση ένα µεγάλο ρεύµα I D διαρρέει τη δίοδο η τιµή του οποίου δίδεται από το νόµο επαφής, ενώ στην ανάστροφή πόλωση η δίοδος διαρρέετε από ένα πολύ µικρό ρεύµα, το ανάστροφο ρεύµα κόρου I S, το οποίο σε πολλές εφαρµογές µπορεί να θεωρηθεί αµελητέο. Υπό αυτό το πρίσµα η δίοδος µπορεί να ειδωθεί ως µία βαλβίδα ρεύµατος µονής ροής. i D = I S (e υd ηv T 1) Νόµος Επαφής pn Άνοδος i D + υ D Κάθοδος p n i D p n I S + + υ D Σχήµα 2.1: α) Κυκλωµατικό σύµβολο διόδου, β) ορθή πόλωση και γ) ανάστροφη πόλωση Ο θετικός ακροδέκτης της διόδου ονοµάζεται άνοδος και ο αρνητικός κάθοδος. Στο Σχήµα 2.2 δίδεται η χαρακτηριστική καµπύλη ρεύµατοςτάσης της διόδου (στατική χαρακτηριστική διόδου). ιακρίνονται οι περιοχές ορθής (V D >0) και ανάστροφης (V D <0) πόλωσης καθώς και η περιοχή κατάρρευσης (V D <V Z ). Επίσης στο σχήµα διακρίνεται η τάση αποκοπής V D0 της διόδου για την οποία η δίοδος παύει να άγει όταν (V D <V D0 ) στην ορθή πόλωση. υ D 13

Εργαστηριακές Ασκήσεις Βασικών Ηλεκτρονικών Μικροηλεκτρονικής i D Στατική ΙV Χαρακτηριστική ιόδου Τάση Κατάρρευσης Ορθή Πόλωση Περιοχή Κατάρρευσης Κατάρρευση Συµπιεσµένη Κλίµακα Ανάστροφη Πόλωση ιευρυµένη Κλίµακα V D0 υ D Τάση Αποκοπής Σχήµα 2.2: Στατική χαρακτηριστική διόδου 2.1.2 Η δίοδος Ν4148: Στο Σχήµα 2.3 δίδεται η εικόνα της διόδου Ν4148 που θα χρησιµοποιηθεί στην άσκηση. Η πλευρά της καθόδου της διόδου σηµειώνεται µε τη χαρακτηριστική µαύρη λωρίδα. Σχήµα 2.3: Η δίοδος Ν4148 14

Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών 2.2 Σχεδίαση και προσοµοίωση στο PSPICE. 2.2.1 Ανορθωτής Ηµίσεως Κύµατος (και µε φίλτρο πυκνωτή): Σχεδιάστε τη συνδεσµολογία του ανορθωτή ηµίσεως κύµατος του Σχήµατος 2.4 (χωρίς τη χρήση του πυκνωτή C) στο περιβάλλον σχεδίασης του OrCAD. Χρησιµοποιήστε πηγή ηµιτονικού σήµατος 8V pp και συχνότητας 1ΚHz (στις παραµέτρους της πηγής σήµατος VSIN δώστε FREQ=1KHz, VAMPL=4V και VOFF=0V). καθώς και αντίσταση R=10KΩ. Το σύµβολο της διόδου υπάρχει στην PSPICE βιβλιοθήκη ediode.olb. + ~ C R υ ο Σχήµα 2.4: Ανορθωτής ηµίσεως κύµατος Προσοµοιώστε τη λειτουργία του κυκλώµατος εκτελώντας ανάλυση στο πεδίο του χρόνου transient analysis (χρόνος εκτέλεσης 2ms βήµα 1µs). Κάντε χρήση της βιβλιοθήκης ediode.lib. Α) Απεικονίστε τις κυµατοµορφές του σήµατος εισόδου υ s και του σήµατος εξόδου υ ο. Ποιος ο χρόνος t αγ. που άγει η δίοδος. Μετρήστε το πλάτος V Ο του σήµατος στην έξοδο. Ποια είναι η τάση αποκοπής V D0 της διόδου. t αγ. = V Ο = V D0 = Β) Τοποθετήστε πυκνωτή C παράλληλα µε την αντίσταση R όπως φαίνεται στο Σχήµα 2.4. Εκτελέστε ανάλυση στο πεδίο του χρόνου transient analysis όπως νωρίτερα µε τιµές C=100nF και C=300nF. Απεικονίστε τις κυµατοµορφές του σήµατος εισόδου υ s και του σήµατος εξόδου υ ο σε κάθε περίπτωση καθώς και των ρευµάτων µέσα από τη δίοδο Ι(D) και την αντίσταση Ι(R). Ποια η τάση κυµατισµού V r του κυκλώµατος; Ποιος ο χρόνος αγωγής t αγ. της διόδου; C = 100nF V r = V r = t αγ. = t αγ. = C = 300nF 15

Εργαστηριακές Ασκήσεις Βασικών Ηλεκτρονικών Μικροηλεκτρονικής 2.3 Υλοποίηση στο εργαστήριο. 2.3.1 Ανορθωτής Ηµίσεως Κύµατος: Υλοποιήστε την συνδεσµολογία του ανορθωτή ηµίσεως κύµατος του Σχήµατος 2.5 στο breadboard του εργαστηρίου. Χρησιµοποιήστε πηγή ηµιτονικού σήµατος 8V pp και συχνότητας 1ΚHz καθώς και αντίσταση R=10KΩ. + ~ R υ ο Σχήµα 2.5: Ανορθωτής ηµίσεως κύµατος Στον παλµογράφο απεικονίστε τις κυµατοµορφές του σήµατος εισόδου υ s και του σήµατος εξόδου υ ο. Σχεδιάστε τις κυµατοµορφές στο πλαίσιο των αξόνων που ακολουθεί. Μετρήστε το πλάτος V Ο του σήµατος στην έξοδο και υπολογίστε την τάση αποκοπής V D0 της διόδου. V (0, 0) t V Ο = V D0 = 16

Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών 2.3.2 Ανορθωτής µε Φίλτρο Πυκνωτή: Υλοποιήστε στο breadboard του εργαστηρίου την συνδεσµολογία του ανορθωτή ηµίσεως κύµατος µε φίλτρο πυκνωτή του Σχήµατος 2.6. Χρησιµοποιήστε πηγή ηµιτονικού σήµατος 8V pp και συχνότητας 1KHz, αντίσταση R=10KΩ και πυκνωτή µε τιµές C=100nF και C=300nF. + ~ C R υ ο Σχήµα 2.6: Ανορθωτής µε φίλτρο πυκνωτή Στον παλµογράφο απεικονίστε τις κυµατοµορφές του σήµατος εισόδου υ s και του σήµατος εξόδου υ ο. Σχεδιάστε τις κυµατοµορφές στο πλαίσιο των αξόνων που ακολουθεί για C=300nF. Μετρήστε το διάστηµα αγωγής της διόδου t και την τάση κυµατισµού V r του σήµατος στην έξοδο του ανορθωτή για κάθε µία από τις δύο τιµές του πυκνωτή C. C=300nF V (0, 0) t t = V r = C=100nF t = V r = 17

Εργαστηριακές Ασκήσεις Βασικών Ηλεκτρονικών Μικροηλεκτρονικής 2.3.3 Ψαλιδιστής Άνω Κορυφής: Υλοποιήστε την συνδεσµολογία του ψαλιδιστή άνω κορυφής του Σχήµατος 2.7 στο breadboard του εργαστηρίου. Χρησιµοποιήστε πηγή ηµιτονικού σήµατος 8V pp και συχνότητας 1KHz καθώς και αντίσταση R=10KΩ. R + ~ υ ο Σχήµα 2.7: Ψαλιδιστής άνω κορυφής Στον παλµογράφο απεικονίστε τις κυµατοµορφές του σήµατος εισόδου υ s και του σήµατος εξόδου υ ο. Σχεδιάστε τις κυµατοµορφές στο πλαίσιο των αξόνων που ακολουθεί. Μετρήστε τη µέγιστη τιµή της τάσης εξόδου. Σχολιάστε την τιµή αυτή σε σχέση και µε τη µέτρηση της τάσης αποκοπής στο 3.1. V (0, 0) t υ Οmax = Σχόλιο: 18

Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών 2.3.4 Ψαλιδιστής ιπλής Κορυφής: Υλοποιήστε την συνδεσµολογία του ψαλιδιστή διπλής κορυφής του Σχήµατος 2.8 στο breadboard του εργαστηρίου. Χρησιµοποιήστε πηγή ηµιτονικού σήµατος 8V pp και συχνότητας 1KHz καθώς και αντίσταση R=10KΩ. + ~ R υ ο Σχήµα 2.8: Ψαλιδιστής διπλής κορυφής Στον παλµογράφο απεικονίστε της κυµατοµορφές του σήµατος εισόδου υ s και του σήµατος εξόδου υ ο. Μετρήστε τη µέγιστη τιµή και την ελάχιστη τιµή της τάσης εξόδου. V omax = V omin = Τα όρια αυτά αλλάζουν µε αύξηση του πλάτους του σήµατος εισόδου; Ναι: Όχι: Ποιο είναι το µέγιστο πλάτος του σήµατος εισόδου για το οποίο η έξοδος δεν παραµορφώνει (ψαλιδίζει); V imax = 19

Εργαστηριακές Ασκήσεις Βασικών Ηλεκτρονικών Μικροηλεκτρονικής 20