Το Τρανζίστορ ως Ενισχυτής (ΙΙ)

Σχετικά έγγραφα
Το ιαφορικό Ζεύγος MOS (ΙΙ)

Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου ((FET) Γ.Πεδίου

AC λειτουργία Ισοδύναμα κυκλώματα μικρού σήματος του

Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου ΙΙ 2

Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Φαινομένου

Κεφάλαιο 7 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. 4. Ο CMOS διαφορικός ενισχυτής

Ηλεκτρονικό Κύκλωµα. ΟΝόµος Kirchhoff για το Ρεύµα -KCL

Η Ιδανική ίοδος. Η Ιδανική ίοδος σε Ανορθωτή. Ανάστροφη Πόλωση. Ορθή Πόλωση

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Ενισχυτές. Ενισχυτές. ΕνισχυτέςΓ. Τσιατούχας

Κεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Κυκλώματα ιόδων 2

Η Λ Ε Κ Τ Ρ Ο Ν Ι Κ Η

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

Κεφάλαιο 1 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ενισχυτές 2

3. Μετασχηματισμοί Πηγών 4. Μεταφορά Μέγιστης Ισχύος 5. Μη Γραμμικά Κυκλωματικά Στοιχεία 6. Ανάλυση Μικρού Σήματος

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

3. Μετασχηματισμοί Πηγών 4. Μεταφορά Μέγιστης Ισχύος 5. Μη Γραμμικά Κυκλωματικά Στοιχεία 6. Ανάλυση Μικρού Σήματος

Γ. Τσιατούχας. VLSI systems and Computer Architecture Lab. Εισαγωγή στη Θεωρία Κυκλωμάτων 2

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τελεστικοί Ενισχυτές 2

Η ιδανική Δίοδος. Ορθή πόλωση Χαρακτηριστική τάσης ρεύματος της ιδανικής διόδου. Ανάστροφη πόλωση

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

Βασικές Λειτουργίες των TR

Τρανζίστορ FET Επαφής

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Τάξη Α. Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I. οπου. όταν

Γ. Τσιατούχας. 1. Δίθυρα Δίκτυα. VLSI Systems and Computer Architecture Lab. Ανάλυση ικτύου ΙΙI

Πόλωση των Τρανζίστορ

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών


Εισαγωγή. Στο κεφάλαιο αυτό θα µελετηθεί ο τελεστικός ενισχυτής.

Ηλεκτρονική ΙΙ 5 ο εξάμηνο

Ενισχυτές Ισχύος σε τάξη Β

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

1 1+ Η εφαρµογή ανάδρασης υποβιβάζει την αντίσταση εξόδου στην τιµή

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

Η ιδανική Δίοδος. Ορθή πόλωση Χαρακτηριστική τάσης ρεύματος της ιδανικής διόδου. Ανάστροφη πόλωση

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΣΥΛΛΕΚΤΗ ΑΚΟΛΟΥΘΗΤΗΣ ΤΑΣΗΣ

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3. Σχ.3.1. Συνδεσµολογία κοινού εκποµπού (npn).

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Βαθµίδες εξόδου. Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade.

3. Δίθυρα Δικτυώματα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

του διπολικού τρανζίστορ

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω

ΟΜΟΣΠΟΝ ΙΑ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΩΝ ΦΡΟΝΤΙΣΤΩΝ ΕΛΛΑ ΟΣ (Ο.Ε.Φ.Ε.) ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ 2013

Κεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor

4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ

SPICE Directive:.model NBJT npn(is = 2f Bf = 100)

Μοντέλα Διόδων i. Δίοδος Διακόπτης Δίοδος Πηγή. i=i(υ) i=i(υ) i i. i i. = 0 γιά. 0 γιά. Παρεμπόδισης

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

και Ac είναι οι απολαβές διαφορικού και κοινού τρόπου του ενισχυτή αντίστοιχα.

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET)

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013

Εισαγωγή. Ακουστικό. Μικρόφωνο

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 10/02/2015

3. Νόμοι Kirchhoff 4. Αντιστάσεις Πυκνωτές Πηνία 5. Διαιρέτης Τάσης Ρεύματος 6. Ηλεκτρική Ισχύς

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Διαφορικοί Ενισχυτές

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

«Ενισχυτές με διπολικό transistor»

ρ. Λάμπρος Μπισδούνης

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7

Εργαστηριακές Ασκήσεις

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)

5. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

3. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 2

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 3: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ

Γ ΛΥΚΕΙΟΥ (Επαναληπτικός ιαγωνισµός)

Ενισχυτικές διατάξεις 1. Εισαγωγή. Περιοριστικοί παράγοντες χρήσης ενός BJT σε ενισχυτές ισχύος

3. Νόμοι Kirchhoff 4. Αντιστάσεις Πυκνωτές Πηνία 5. Διαιρέτης Τάσης Ρεύματος 6. Ηλεκτρική Ισχύς

Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης

Βασικά Στοιχεία Αναλογικών Ηλεκτρονικών

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος:

Transcript:

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιπολικό Τρανζίστορ Επα φής ΙΙ Επαφής ιπολικό ΤρανζίστορΓΕπαφής. Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 2 1

Το Τρανζίστορ ως Ενισχτής (Ι) Το τρανζίστορ ως ενισχτής πρέπει να λειτοργεί αποκλειστικά στην ενεργό περιοχή. Είσοδος Β npn Έξοδος Ατό επιτγχάνεται µε κατάλληλες D πολώσεις και έτσι ώστε η να είναι µεγαλύτερη της κατά τρόπο πο η κµάτωση το σήµατος εισόδο να µην βγάζει το τρανζίστορ από την ενεργό περιοχή. Σήµα Εισόδο ce ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 3 Το Τρανζίστορ ως Ενισχτής (ΙΙ) Σνθήκες D Λειτοργίας S e Ι Ι /α Ι Ι /β Β α β 1 α ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 4 2

Το Τρανζίστορ ως Ενισχτής (ΙΙΙ) Ρεύµα Σλλέκτη Se Se Se e Β e (1 ) αν << ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 5 Το Τρανζίστορ ως Ενισχτής (Ι) Β Η ιαγωγιµότητα (1 ) c Άρα για µικρά σήµατα στην είσοδο το J σµπεριφέρεται ως µία γραµµική πηγή ρεύµατος ελεγχόµενη από τάση. Όπο η καλείται διαγωγιµότητα και ορίζεται ως: ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 6 3

Το Τρανζίστορ ως Ενισχτής ()( Ασθενές Σήµα Γραµµική Λειτοργία Το κύκλωµα στην έξοδο σµπεριφέρεται ως: Πηγή Ρεύµατος Ελεγχόµενη από Τάση µε Άπειρη Αντίσταση Εξόδο Q Κλίση c t Β t ΒΕ και << ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 7 Το Τρανζίστορ ως Ενισχτής (Ι)( Το Ρεύµα Βάσης Αντίσταση Εισόδο β β 1 β Β Άρα: b 1 β b β ή Ηαντίσταση εισόδο είναι: r π b β ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 8 4

Το Τρανζίστορ ως Ενισχτής (ΙΙ)( Το Μοντέλο Υβριδικούπ Ασθενούς Σήµατος b c b c β b Μοντέλο Ενισχτή ιαγωγιµότητας e β β b b c β b e Μοντέλο Ενισχτή Ρεύµατος r π β ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 9 Το Τρανζίστορ ως Ενισχτής (ΙΙΙ)( Το Ρεύµα Εκποµπού α α 1 α Β Άρα: e Αντίσταση εκποµπού: 1 α Ε Ε e re α e ή α 1 ( β 1)r e ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 10 5

Το Τρανζίστορ ως Ενισχτής (ΙΧ) Το Κέρδος Τάσης ( c ) ( ) c c c c Β Κέρδος Τάσης A c 0 ιαφορά φάσης 180 ο ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 11 Το Τρανζίστορ ως Ενισχτής (Χ) Επίδραση Φαινοµένο arly b c Μοντέλο Ενισχτή ιαγωγιµότητας e r o ro A Β b β b c Μοντέλο Ενισχτή Ρεύµατος r o e ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 12 6

Το Τρανζίστορ ως Ενισχτής (ΧΙ) b c Ανάλση Ασθενούς Σήµατος ή A Ανάλση r o c e b e ce c ce ( // r ) o A ( // ) c 0 ro ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 13 Παράδειγµα 5 (Ι) 10 ΒΒ 100KΩ 3KΩ Να προσδιοριστεί το σηµείο λειτοργίας (, ) και να γίνει ανάλση το ενισχτή ώστε να βρεθεί το κέρδος τάσης. Ισχύει β100 και 25. Β 3 Β Ο (Υποθέστε ότι η είναι µικρό σήµα και ότι η αντίσταση εξόδο r o το τρανζίστορ είναι άπειρη). ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 14 7

Παράδειγµα 5 (ΙΙ) 3KΩ Σνθήκες D Λειτοργίας Υποθέτοµε λειτοργία στην ενεργό περιοχή και χρησιµοποιούµε το D µοντέλο κοινού εκποµπού για την εύρεση το σηµείο λειτοργίας. ΒΒ 100KΩ Ι Β Ι Β Ο Β Ι 0.7 Μοντέλο D βι Ι Ι Ο ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 15 Παράδειγµα 5 (ΙΙ) Σνθήκες D Λειτοργίας Υπόθεση λειτοργίας στην ενεργό περιοχή 3KΩ 3KΩ ΒΒ 100KΩ Ι Β Ι Β ΒΒ 100KΩ Ι Β Β 0.7 Ι β Ισοδύναµηαναπαράσταση. Μια δεύτερη εικόνα! ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 16 8

Παράδειγµα 5 (Ι) KL στο βρόχο ΒΕ: 0.023A (1) Σνθήκες D Λειτοργίας KL στο βρόχο Ε: O 3.1 > 0.3 (3) β 2.3A (2) Ι Ι βι Σνεπώς, σε σνθήκες ηρεµίας (D) το τρανζίστορ όντως λειτοργεί στην ενεργό περιοχή και οι λύσεις είναι αποδεκτές. Β 0.7 Ι Ο Σηµείο Λειτοργίας: (, )(2.3A, 3.1) ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 17 Παράδειγµα 5 ()( Ανάλση Μικρού Σήµατος 3KΩ Για λειτοργία το τρανζίστορ στην ενεργό περιοχή, πό την παροσία σήµατος, γίνεται χρήση το µοντέλο βριδικούπ ασθενούς σήµατος. ΒΒ 100KΩ b c e o ΒΒ b Μοντέλο µικρού σήµατος e c o ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 18 9

Παράδειγµα 5 () Ανάλση Μικρού Σήµατος Υπόθεση λειτοργίας στην ενεργό περιοχή 3KΩ 3KΩ ΒΒ 100KΩ b c e ΒΒ 100KΩ b c e Ισοδύναµηαναπαράσταση. Μια δεύτερη εικόνα! ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 19 Παράδειγµα 5 () KL στο βρόχο ΒΕ r π 0. 011 rπ διαιρέτης τάσης Ητάση εξόδο o δίδεται από τη σχέση: o 3. 04 νόµος Oh στην Το κέρδος τάσης θα είναι: o A 3.04 (6) (5) (4) ΒΒ Ανάλση Μικρού Σήµατος 2.3A 92A / 25 β 100 rπ 1.09KΩ 92 b c e o ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 20 10

Παράδειγµα 5 () Υποθέσαµεότι η είναι ένα µικρό σήµα. Τι όµως σηµαίνει ατό για εµάς; Η θεώρηση ατή σηµαίνει ότι για όλες τις τιµές της η σνολική τάση στο σλλέκτη Ο θα πρέπει να είναι >0.7 ώστε η επαφή J να είναι ανάστροφα πολωµένη και το τρανζίστορ να λειτοργεί σνεχώς στην ενεργό περιοχή. Σνεπώς το µέγιστο πλάτος στην έξοδο µπορεί να είναι ίσο µε: Από τη σχέση (6) προκύπτει ότι το µέγιστο πλάτος στην είσοδο είναι: Από το νόµο Oh στο βρόχο ΒΕ (σελ. 20): Από το διαιρέτη τάσης στο βρόχο ΒΕ (σελ. 20): o 0.7 3.1 0.7 2.4 b O o 0.79 3.04 r rπ r π π 0.008A 8.6 << 25 Φσικά θα ισχύει: c βb 0.8A ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 21 Παράδειγµα 5 (X) Κµατοµορφές Σηµάτων ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 22 11

Γραφική Ανάλση (Ι) Β 0 κλίση 1 Β Β Β npn Β 0.7 D ανάλση 0: 0 ΒΕ ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 23 Γραφική Ανάλση (ΙΙ) κλίση 1 Β5 Β4 Β3 npn Q Β2 Β1 Ε Β Β Β Εθεία Φόρτο ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 24 12

Γραφική Ανάλση (ΙΙ) Ι) κλίση 1 2 1 Q b t 2 κλίση Q 1 Β 2 Β c t ΒΕ 1 Β 1 Ε t t ce t ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 25 Το Τρανζίστορ σαν ίοδος Το τρανζίστορ λειτοργεί στην ενεργό περιοχή καθώς 0. Ι Β npn Ι Ι Νόµος Oh: και 0.7 Ισχύει: Ι βι Β και Ι Ι άρα: 1 ( β 1) 1 β e S ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 26 13

Παράδειγµα 6 Ι Q1 npn 10 10KΩ Ι 1 Q2 Ι Β Ι Β Ι 2 Το κύκλωµα το σχήµατος παροσιάζει µια πηγή ρεύµατος (καθρέπτης ρεύµατος). α Q1 και Q2 είναι όµοια. Να βρεθεί το 2 για β100 και β200. 1 2 και 1 β 2 β Για β100: 1 β β 2 2 0.912A Για β200: 2 0.921A ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής 27 14