Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω
|
|
- Ευρυδίκη Βουρδουμπάς
- 7 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ Άσκηση 1 To κύκλωµα του Fig.1 χρησιµοποιεί τρανζίστορ Ge (αγνοείστε τη Vbe) και οι χαρακτηριστικές του δίδονται στο Fig.2. Να υπολογίσετε τις αντιστάσεις εκποµπού και συλλέκτη, έτσι ώστε να έχουµε σηµείο λειτουργίας Q(25V, 1.25A). Επίσης να χαράξετε την DC γραµµή φόρτου και να υπολογίσετε την τιµή του πυκνωτή παράκαµψης εκποµπού ώστε να έχω κατώτερη συχνότητα αποκοπής 200ΗΖ. Τέλος να υπολογίσετε τη µέγιστη ισχύς εξόδου, το συντελεστή αποδοτικότητας και την ισχύ που καταναλώνεται διαµέσου του φορτίου. ΛΥΣΗ Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω 25 οπότε το δυναµικό Θεωρώντας έχω Αυτό µας δίνει: είναι: άρα µπορούµε να χαράξουµε την DC ευθεία φόρτου. DC ευθεία φόρτου για: 0 0 ρ.γ.χλουπησ 60 2,14 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [1]
2 Εφόσον γνωρίζω 35, υπολογίζω : Επίσης Όµως 0 (Γερµανίου) 50 1,43 Για να επιτυγχάνεται επαρκής παράκαµψη της από τον πρέπει Η AC γραµµή φορτίου έχει κλίση 1 αφού η παρακάµπτεται (bypassed) από τον. Έτσι τα όρια του σήµατος εισόδου περιορίζονται πλέον από την περιοχή κόρου και αποκοπής. Για να φτάσει ο ενισχυτής σε αποκοπή ( 0) βλέπω ότι έχω περιθώριο 35. Άρα έχω περιθώριο ±35 γύρω από Q. Με βάση τα ανωτέρω έχω: ,4 1,6 0,8 H µέγιστη ισχύς εξόδου είναι: ,8 2 6,4 H πηγή των 60V παρέχει όλο το DC ρεύµα: ( ) 35 1,25 1,285 ρ.γ.χλουπησ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [2]
3 Συνεπώς η ισχύς DC είναι: Με βάση τα ανωτέρω ο συντελεστής αποδοτικότητας είναι: 6,4 77 0,083 8,3% H ισχύς που καταναλώνεται διαµέσου του φορτίου: (1,25 ) 20 31,25 ρ.γ.χλουπησ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [3]
4 ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ Άσκηση 2 Ο ενισχυτής audio που φαίνεται στο Fig.1 περιέχει τρανζίστορ Si, του οποίου οι χαρακτηριστικές παρουσιάζονται στο σχ.2. Ο κατασκευαστής ορίζει για το τρανζίστορ: IC(max) = 1Α, VCE(max) = 50V, PD(max) = 5W (για θερµοκρασία κελύφους 25oC) και βmin = 30. Να υπολογιστούν οι αντιστάσεις του κυκλώµατος και η απαιτούµενη τάση τροφοδοσάις ώστε να έχουµε τη µέγιστη ισχύς επί φορτίου RL=750Ω (υποθέστε ότι οι πυκνωτές είναι αρκετά µεγάλης χωρητικότητας). Στη συνέχεια, µετατρέψτε το κύκλωµα προκειµένου να εφαρµόσετε σύζευξη µε Μ/Τ για µέγιστη ισχύ επί φορτίου 5Ω και υπολογίστε ισχύ εξόδου και συντελεστή αποδοτικότητας ΛΥΣΗ Για να επιλέξω το σηµείο λειτουργίας βασίζοµαι στην δοσµένη υπερβολή µέγιστης κατανάλωσης. Η AC γραµµή φορτίου πρέπει να εφάπτεται στην ανωτέρω υπερβολή των 5W. Αυτό όµως οδηγεί σε ένα πλήθος εφαπτόµενων µε σχεδόν ίδια ισχύ εξόδου. Θεωρώντας ότι η περιοχή υψηλών τάσεων είναι πιο γραµµική από την περιοχή των υψηλών ρευµάτων, επιλέγουµε να χρησιµοποιήσουµε όλη την επιτρεπόµενη περιοχή τάσεων και το ρεύµα να περιοριστεί από την µέγιστη κατανάλωση. Έτσι για B*C A 25 και 0.2 θα έχω 8 5; Ενώ το φορτίο ac που αντιστοιχεί θα είναι : D 5 CEF GH ρ.γ.χλουπησ ABC *.AI 125 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [4]
5 Για τον σχεδιασµό του δικτυώµατος πόλωσης, θεωρώ 3, το οποίο µου δίνει για την ~ Έτσι, η απαραίτητη τάση τροφοδοτικού θα είναι : Για ελάττωση της µεταβολής του β, χρησιµοποιώ : Για ρεύµα βάσης 4 ( στο Q ) και θεωρώντας για Si έχω ( ) Λαµβάνω : (τιµή εµπορίου) (τιµή εµπορίου) β) Η ζητούµενη µετατροπή φαίνεται στο Fig.3. Ο Μ/Τ πρέπει να προσαρµόζει το φορτίο των 5Ω στην 125Ω ευθεία φορτίου. Άρα ο λόγος Ν : Όµως, τώρα η απαραίτητη τάση τροφοδοσίας θα είναι : Φυσικά οι και επαναϋπολογίζονται. ρ.γ.χλουπησ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [5]
6 ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ Για να προσδιορίσουµε την απόδοση του ενισχυτή, έχουµε : Η ac γραµµή φορτίου στο Fig.4 τέµνει την καµπύλη στο X4MN 3 ενώ η 0 καµπύλη τέµνει στο X Άρα, η µέγιστη απαραµόρφωτη µεταβολή για την τάση, θα είναι : X456 X4MN X*,456 Με το ίδιο σκεπτικό, υπολογίζουµε 7*,456 Άρα, η ζητούµενη ισχύς 85 θα είναι : 85 X*(Y4Z) 7*(Y4Z) X*(Y4Z) 7*(Y4Z) ; Έτσι, ο συντελεστής αποδοτικότητας θα είναι? 85 8< 1.98; % 5; ρ.γ.χλουπησ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [6]
7 Άσκηση 3 Για το κύκλωµα του σχ.5, αν V1=20V, R1=R2=470Ω και Ra=Rb=30Ω, ποιες είναι οι DC τάσεις στα σηµεία B1, B2, B και Ε (σε σχέση µε τη γη)? να βρεθούν επίσης και οι DC τάσεις µεταξύ των σηµείων Β1-Ε και Β2-Ε. Επαναλάβετε και για το κύκλωµα του σχ.6 όπου V2=+10V & V3=-10V. (Θεωρήστε τρανζίστορ ταιριασµένα σε όλες τις περιπτώσεις) R1 T1 V1 B1 Ra C2 B E C1 SP1 + VG1 Rb T2 B2 R2 Σχ.5 R3 T3 V2 B1 R4 C4 B E SP2 + VG2 R5 T4 B2 R6 V3 Σχ.6 ρ.γ.χλουπησ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [7]
8 ΛΥΣΗ Οι αντιστάσεις R1,R2, Ra & Rb είναι πρακτικά σε σειρά οπότε το ρεύµα διαµέσου των θα είναι Συνεπώς η πτώση τάσης επάνω στη R1 (και οµοίως στην R2) θα είναι 470Ω 20mA 9.4V. Αντιστοίχως, η πτώση τάσης επάνω στις Ra & Rb θα είναι 30Ω 20mΑ 0.6V. Άρα στο σηµείο B1 έχω στο σηµείο B έχω Στο σηµείο Β2 έχω Εφόσον τα τρανζίστορ είναι ταιριασµένα στο σηµείο Ε έχω Vcc/2 αρα V E =10V, απ όπου καταλήγω ότι V B1-E =0.6V και V B2-E =-0.6V Για το κύκλωµα του σχ.6, το ρεύµα και η πτώση τάσης επάνω στις αντιστάσεις παραµένει ίδια µε πρίν. Οι τάσεις στα σηµεία Ε, Β1, Β2 και Β είναι αριθµητικά ίδιες µε πριν συν τα -10V (από τη V3). Ετσι οι τιµές για το σχ.6 διαµορφώνονται ως εξής V B1 =0.6V V B =0V V B2 =-0.6V V E =0V απ όπου καταλήγω πάλι ότι V B1-E =0.6V και V B2-E =-0.6V (παραµένουν αµετάβλητες) ρ.γ.χλουπησ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [8]
9 Άσκηση 4 Αν το Q 1 έχει ( ) 100 και, 600, ποια είναι η µέγιστη ισχύς που µπορεί να µεταφερθεί στο φορτίο αν Q 2, Q 3 έχουν h 20 Q2 R3 Vcc D1 C3 R4 Rs Q1 Q3 RL + VG3 R2 R5 C5 Απάντηση Αν το µέγιστο ρεύµα ηρεµίας υπάρχει στο συλλέκτη του Q 1, θα είναι 100mA. Τότε η µέγιστη τάση, θα είναι:,,, 6 Άρα η ( ) δεν µπορεί να υπερβεί τα 6V αφού, ύ έ Επίσης το ρεύµα που παρέχει το Q 1 στις βάσεις των Q 2,Q 3, δεν µπορεί να υπερβαίνει τα, 100. Αυτό σηµαίνει ότι το µέγιστο ρεύµα εξόδου στο φορτίο θα είναι: ( ) h H µέγιστη ισχύς εξόδου στο φορτίο, θα είναι: ( ) ( ) ( ) 2 ( ) ρ.γ.χλουπησ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [9]
10 ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ Άσκηση 5 Για τον ενισχυτή του σχήµατος, να βρεθεί το δυναµικό στο σηµείο Α, και η µέγιστη ισχύς εξόδου στο φορτίο Απάντηση 2,2$ Ισχύει I 2,2$! )! )! A! A I 0 (1) Αν Q2 και Q3 είναι ορθά πολωµένα, τότε: I 28 2,2 1,4 26,6 2,2 (2) H τάση στον εκποµπό του Q1 µπορεί να εκφραστεί ως εξής: ) I ) A ) A I 9,1 13! ) I 1$ p Το ρεύµα του εκποµπού του Q1 είναι: ) ) Επειδή θα έχω: ) 9, I ) ρ.γ.χλουπησ 9, I και θεωρώντας ότι τα A και Q είναι αµελητέα σε σχέση νε το ), ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [10]
11 και,. (3) Εξισώνοντας τις (2), (3) έχουµε: 26,6 2.2( 9,1) ,6 Ιδανικά για να λάβουµε στην έξοδο το µέγιστο απαραµόρφωτο σήµα, η τάση στο Α θα πρέπει να είναι 14 To ρεύµα πόλωσης Ι µπορεί να υπολογιστεί από την (3) µε χρήση 15,6 και θα είναι: 15, Πριν υπολογίσουµε τη διαθέσιµη ισχύ εξόδου στο φορτίο, ας ανατρέξουµε στους παράγοντες που επηρεάζουν την ισχύ εξόδου: a) Τάση τροφοδοσίας b) Περιορισµοί ισχύος τρανζίστορ c) Συνθήκες πόλωσης d) Στάθµη σήµατος εισόδου Εδώ, επικεντρωνόµαστε στον c) παράγοντα. Έχουµε από πριν ότι H τάση στα άκρα του Q 1 θα είναι: ( 100 ) 15.6 ( ) 13.7 Άρα η µέγιστη απαραµόρφωτη διακύµανση στο Q 1 είναι 13,7V. Με ( ) 13.7V, η ισχύς εξόδου, θα είναι: ( ( )) ( 13,7 2 ) 11,7 ρ.γ.χλουπησ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [11]
12 Άσκηση 6 Ένα στάδιο εξόδου τάξης ΑΒ, όµοιο µε το στάδιο εξόδου του παρακάτω κυκλώµατος αλλά που χρησιµοποιεί απλό τροφοδοτικό +10V και πολώνεται µε V 1 =6V, είναι χωρητικά συζευγµένο µε φορτίο 100Ω. Για τρανζίστορ µε V BE =0.7V για 1mA και τάση πόλωσης V BB =1,4V, ποιο είναι το ρεύµα ηρεµίας που προκύπτει; Για βηµατική µεταβολή στην έξοδο από 0 σε -1V, τι βηµατική τάση εισόδου απαιτείται; Υποθέτοντας µηδενικές τάσεις κορεσµού των τρανζίστορ, βρείτε τις µέγιστες θετικές και αρνητικές βηµατικές αποκρίσεις στην έξοδο. ΛΥΣΗ Έχω Ι Q =1mA Για έξοδο -1V θα έχω 10 Με χρήση της εξίσωσης: θα έχω 0,1 10,1 H τάση αυξάνεται κατά ln 10, Οπότε η αύξηση στη βηµατική τάση εισόδου θα µας δώσει -1 + (0.06) = -1.06V H µέγιστη θετική βηµατική απόκριση είναι από +6V στα +10V άρα +4V ενώ η µέγιστη αρνητική βηµατική απόκριση είναι από +6 στα 0V, άρα +6V. ρ.γ.χλουπησ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [12]
13 Άσκηση 7 Ένα στάδιο εξόδου ΑΒ το οποίο χρησιµοποιεί κύκλωµα πόλωσης µε δυο διόδους, όπως φαίνεται στο παρακάτω σχήµα, χρησιµοποιεί διόδους οι οποίες έχουν το ίδιο εµβαδό ένωσης µε τα τρανζίστορ εξόδου. Για V CC =10V, I bias =0.5mA, R L =100Ω, β Ν =50 και V CEsat =0V, ποιο είναι το ρεύµα ηρεµίας; Ποια είναι τα µέγιστα θετικά και αρνητικά επίπεδα σήµατος εξόδου; Ποια τιµή του β Ν απαιτείται αν το Ι bias δε µεταβάλλεται ώστε να επιτευχθεί µέγιστο θετικό επίπεδο σήµατος εξόδου ίσο µε το αντίστοιχο αρνητικό; Ποιά τιµή του I bias απαιτείται αν το β Ν παραµένει σταθερό στο 50; Για την παραπάνω τιµή πόσο γίνεται το Ι Q ; ΛΥΣΗ αγνοώντας ρεύµα βάσης Q N, αλλιώς H µέγιστη θετική έξοδος λαµβάνεται όταν όλο το περάσει από τη βάση του Q N, µε αποτέλεσµα τάση εξόδου ( 1) Η µέγιστη αρνητική έξοδος περιορίζεται µόνο από τον κόρο του Q Ρ δηλαδή είναι V CE,sat = -10V ρ.γ.χλουπησ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [13]
14 Άρα για να πετύχουµε τη µέγιστη θετική έξοδο πρέπει να πάρω +10V. Χωρίς να αλλάξω το I bias πρέπει το β Ν να γίνει ( 1) 10 ( 1) 199 Εναλλακτικά, αν το β Ν παραµένει αµετάβλητο και αλλάξω το I bias ( 1) 1.92 ρ.γ.χλουπησ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [14]
15 Άσκηση 8 Ένα στάδιο εξόδου τάξης ΑΒ το οποίο χρησιµοποιεί κύκλωµα πόλωσης µε δύο διόδους, όπως φαίνεται στο σχήµα, χρησιµοποιεί διόδους οι οποίες έχουν το ίδιο εµβαδόν ένωσης µε τα τρανζίστορ εξόδου. Σε θερµοκρασία δωµατίου περίπου 20 ο C το ρεύµα ηρεµίας είναι 1mA και η V BE είναι 0.6V. Λόγω κατασκευαστικού σφάλµατος, δεν υπάρχει θερµική σύζευξη µεταξύ των τρανζίστορ εξόδου και των συνδεδεµένων ως διόδων τρανζίστορ πόλωσης. Μετά από κάποιο χρόνο λειτουργίας, τα στοιχεία εξόδου θερµαίνονται στους 70 ο C ενώ τα στοιχεία πόλωσης παραµένουν στους 20 ο C. Έτσι ενώ η V BE του κάθε στοιχείου παραµένει αµετάβλητη, το ρεύµα ηρεµίας στα στοιχεία εξόδου αυξάνεται. Για να βρείτε τη νέα τιµή του ρεύµατος θυµηθείτε την ύπαρξη δυο φαινοµένων: το Ι S αυξάνεται κατά περίπου 14% / o C και η V T =kt/q µεταβάλλεται εφόσον Τ=(273 ο +θερµοκρασία σε ο C). Μπορείτε να υποθέσετε ότι το β Ν παραµένει σχεδόν σταθερό. Η υπόθεση αυτή βασίζεται στο γεγονός ότι το β αυξάνεται µε τη θερµοκρασία αλλά µειώνεται µε το ρεύµα. Ποια είναι η νέα τιµή του I Q ; Τι επιπρόσθετη ισχύς καταναλώνεται αν τα τροφοδοτικά είναι ±20V; Αν η θερµοκρασία των τρανζίστορ εξόδου αυξηθεί κατά 10 ο C για κάθε W επιπρόσθετης κατανάλωσης ισχύος, ποια είναι η επιπλέον αύξηση της θερµοκρασίας και του ρεύµατος που προκύπτει; ΛΥΣΗ Στους 20 o C, ( ) 1.. ( ) ρ.γ.χλουπησ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [15]
16 Στους 70 o C, ( ) (1.14 ) Αυτό µας δίδει ότι η τάση V T στη θερµοκρασία αυτή θα έχει αυξηθεί σε Οπότε στους 70 o C, το νέο ρεύµα ηρεµίας θα είναι ( ) Επιπρόσθετο ρεύµα 20.7mA - 1mA = 19.7mA Επιπρόσθετη ισχύς = 0.788W Επιπρόσθετη αύξηση θερµοκρασίας W 7.9 ο C Στους =77.9 ο C έχουµε για την V T Οπότε στους 77.9 o C, το νέο ρεύµα ηρεµίας θα είναι (. ) (1.14. ) Αυτό θα δηµιουργήσει επιπρόσθετο ρεύµα επιπρόσθετη αύξηση θερµοκρασίας κ.ο.κ Έχουµε ΙΑΡΚΗ ΑΥΞΗΣΗ (ΘΕΡΜΙΚΗ ΦΥΓΗ) ρ.γ.χλουπησ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ [16]
Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Τάξη Α. Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I. οπου. όταν
Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Τάξη Α Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I οπου όταν Ενισχυτικές Διατάξεις 2 Ακόλουθος εκποµπού (CC) πολωµένος µε σταθερό ρεύµα Λόγω της χαµηλής αντίστασης εξόδου, ο ακόλουθος
Πόλωση των Τρανζίστορ
Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση λέμε την κατάλληλη συνεχή τάση που πρέπει να εφαρμόσουμε στο κύκλωμα που περιλαμβάνει κάποιο ηλεκτρονικό στοιχείο (π.χ τρανζίστορ), έτσι ώστε να εξασφαλίσουμε την ομαλή λειτουργία
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 6.1 ΚΑΘΡΕΠΤΕΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Σε ένα καθρέπτη ρεύµατος, το ρεύµα του κλάδου της εξόδου είναι πάντα ίσο µε το ρεύµα του κλάδου της εισόδου, αποτελεί δηλαδή το είδωλο του. Μία τέτοια διάταξη δείχνει
Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής
Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής 1. Ένα τρανζίστορ διπλής επαφής είναι πολωµένο σωστά όταν: α. Η βάση είναι σε υψηλότερο δυναµικό από τον εκποµπό και σε χαµηλότερο από το συλλέκτη β. Η βάση είναι σε χαµηλότερο
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ Σκοπός : 1. Γνωριμία με το τρανζίστορ. Μελέτη πόλωσης του τρανζίστορ και ευθεία φορτίου. 2. Μελέτη τρανζίστορ σε λειτουργία
Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης
Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης Το σημείο ηρεμίας επιλέγεται σε μία τιμή πάνω από την αποκοπή (διαφέρει ανάλογα με το τρανζίστορ). Άρα χρειάζεται και επιπλέον ρυθμιστική
ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΣΥΛΛΕΚΤΗ ΑΚΟΛΟΥΘΗΤΗΣ ΤΑΣΗΣ
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 41 ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΣΥΛΛΕΚΤΗ ΑΚΟΛΟΥΘΗΤΗΣ ΤΑΣΗΣ Η συνδεσµολογία κοινού συλλέκτη φαίνεται στο σχήµα 41 Αν σχηµατίσουµε το ac ισοδύναµο θα δούµε ότι ο συλλέκτης συνδέεται στη γη και αποτελεί κοινό
ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).
7. Εισαγωγή στο διπολικό τρανζίστορ-ι.σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 7. TΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Ανάλογα µε το υλικό διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και 2. τρανζίστορ πυριτίου
ΑΝΑΛΥΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΟΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΜΕΛΕΤΗ DC ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑΣ Στο σχήμα φαίνεται ένα κύκλωμα κοινού εκπομπού από το βρόχο εισόδου Β-Ε ο νόμος του Kirchhoff δίνει: Τελικά έχουμε: I I BB B B E E BE B BB E IE
Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Βαθµίδες εξόδου. Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade.
Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Βαθµίδες εξόδου Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade. Η τελική βαθµίδα εξόδου είναι αυτή που αποδίδει την ισχύ στο φορτίο
Εξάλειψη παραµόρφωσης περάσµατος τάξης Β
Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Εξάλειψη παραµόρφωσης περάσµατος τάξης Β Η παραµόρφωση περάσµατος µπορεί να ελαττωθεί αν χρησιµοποιηθεί ΤΕ στην είσοδο, µε απολαβή dc A 0. Η νεκρή ζώνη των ±0.7V µειώνεται στα ±0.7V/
Ενισχυτές Ισχύος σε τάξη Β
Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Ενισχυτές Ισχύος σε τάξη Β Οι ενισχυτές τάξης Α παρουσιάζουν χαµηλή απόδοση λόγω της µόνιµης κατανάλωσης V CE I C στο τρανζίστορ. Για να µειωθεί η κατανάλωση ισχύος σε ηρεµία (~
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤHMMY Σκοπός διάλεξης Γιατί χρησιμοποιούμε στάδια εξόδου Ακόλουθος εκπομπού Παρουσίαση των βασικών προδιαγραφών του Ψαλιδισμός
ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής
ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής Ηλεκτρονική Ι Εαρινό εξάµηνο 2005 Πρακτική ανάλυση ενισχυτή κοινού εκποµπού Τransstors βασικές αρχές Τι κάνουν τα transstors Πώς αναλύoνται τα κυκλώµατα των transstors Μικρά
του διπολικού τρανζίστορ
D λειτουργία - Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ ρ Παραδείγματα D ανάλυσης Παράδειγμα : Να ευρεθεί το σημείο λειτουργίας Q. Δίνονται: β00 και 0.7. Υποθέτουμε λειτουργία στην ενεργό περιοχή. 4 a 4 0 7, 3,3
8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF
8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1 8. ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ο ΗΓΗΣΗΣ ΦΟΡΤΙΟΥ Το τρανζίστορ σαν διακόπτης ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON περιοχή αποκοπής: OFF 8. ιακοπτική Λειτουργία
R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)
Ηλ/κά ΙΙ, Σεπτ. 05 ΘΕΜΑ 1 ο (2,5 µον.) R 1 (Ω) R B Ρελέ R2 R3 Σχ. (1) Σχ. (2) Φωτεινότητα (Lux) Ένας επαγγελµατίας φωτογράφος χρειάζεται ένα ηλεκτρονικό κύκλωµα για να ενεργοποιεί µια λάµπα στο εργαστήριό
και συνδέει τον αριθμό των σπειρών του πρωτεύοντος και του
Μετασχηματιστής με μεσαία λήψη Ένας μετασχηματιστής αποτελείται από δύο πηνία που έχουν τυλιχτεί επάνω στον ίδιο πυρήνα. Στο ένα πηνίο εφαρμόζεται μία εναλλασσόμενη τάση. Η τάση αυτή, δημιουργεί ένα μεταβαλλόμενο
ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ A. Πίνακες αληθείας λογικών πυλών. Στη θετική λογική το λογικό 0 παριστάνεται µε ένα χαµηλό δυναµικό, V L, ενώ το λογικό 1
3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ
3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 3. ΙΟ ΟΣ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΙΟ ΩΝ Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια
Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης
ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 5 Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη των
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4. Volts. Από τον κανόνα Kirchhoff: Ευθεία φόρτου: Όταν I 0 η (Ε) γίνεται V VD V D
Πρόβλημα 1 Μία μπαταρία 1,5 volt πολώνει ορθά μία δίοδο που έχει συνδεθεί στη σειρά με μία αντίσταση 20Ω. α) χρησιμοποιήστε την χαρακτηριστική της διόδου για να προσδιορίσετε το σημείο λειτουργίας. β)
Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT
Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Πόλωση BJT Η πόλωση τρανζίστορ όπως την έχετε γνωρίσει, υποφέρει από δύο βασικά μειονεκτήματα: Υπερβολική χρήση πηγών dc. Το γεγονός αυτό είναι ιδιαίτερα έντονο σε κυκλώματα πολυβάθμιων
Βασικές Λειτουργίες των TR
Βασικές Λειτουργίες των TR Το TR για να λειτουργήσει απαιτεί να εφαρµοστούν σε αυτό τάσεις δυναµικά για να κινηθούν µέσα σε αυτά τα αντίστοιχα ρεύµατα. Τα δυναµικά που µπορούν να εφαρµοστούν σε αυτό είναι:
Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά
Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά -1- Η τιμή της dc παραμέτρου β ενός npn transistor έχει τιμή ίση με 100. Το transistor λειτουργεί στην ενεργή περιοχή με ρεύμα συλλέκτη 1mA. Το ρεύμα βάσης έχει
3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ
3 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το διπολικό τρανζίστορ Άσκηση 8η. Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ. 1. Πραγματοποιήστε την συνδεσμολογία του κυκλώματος του Σχ. 1α (τρανζίστορ 2Ν2219). Σχήμα
Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών
Ηλεκτρονική Ενότητα 5: D λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης reative
ÏÅÖÅ. Α. 3. Στις οπτικοηλεκτρονικές διατάξεις δεν ανήκει: α. η δίοδος laser β. το τρανζίστορ γ. η φωτοδίοδος δ. η δίοδος φωτοεκποµπής LED Μονάδες 5
Επαναληπτικά Θέµατα ΟΕΦΕ 007 Γ ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΟΜΑ Α Α Για τις παρακάτω προτάσεις Α. έως και Α.4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της πρότασης και δίπλα σε κάθε αριθµό
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) 1 FET Δομή και λειτουργία Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός
Το διπολικό τρανζίστορ
2 4 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το διπολικό τρανζίστορ 11 ο 12 ο 13 ο 14 ο Εργαστήριο ΦΥΛΛΑ ΕΡΓΑΣΙΑΣ 3 Άσκηση 11 η. 11.1 Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ. Στόχος: Μελέτη και χάραξη των χαρακτηριστικών
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3. Σχ.3.1. Συνδεσµολογία κοινού εκποµπού (npn).
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3 31 ΣΥΝ ΕΣΜΟΛΟΓΙΑ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ Η συνδεσµολογία κοινού εκποµπού φαίνεται στο σχήµα 31 Είναι η πιο συχνά χρησιµοποιούµενη συνδεσµολογία διότι απαιτεί µικρά ρεύµατα στην είσοδο Η είσοδος σε αυτή
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn. Τρανζίστορ FT 3. Πόλωση των FT - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FT 5. Διπολικό τρανζίστορ (JT) 6. Πόλωση των JT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές με
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΔΙΟΔΟΣ (Μάθημα 4 ο 5 ο 6 ο 7 ο ) 1/12 4 o εργαστήριο Ιδανική δίοδος n Συμβολισμός της διόδου n 2/12 4 o εργαστήριο Στατική χαρακτηριστική διόδου Άνοδος (+) Κάθοδος () Αν στην ιδανική
Κεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor
Κεφάλαιο Ένα: 1.1 Εισαγωγή Το 1951 ο William Schockley εφεύρε το πρώτο transistor επαφής, µια ηµιαγωγική διάταξη η οποία µπορεί να ενισχύσει ηλεκτρονικά σήµατα, όπως ραδιοφωνικά και τηλεοπτικά σήµατα.
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ 2 Δίοδοι-Επαφή pn 1. Ποιες είναι οι 3 κατηγορίες υλικών στην ηλεκτρονική; a) Στερεά, υγρά αέρια. b) Αγωγοί, μονωτές, ημιαγωγοί. c) Γη, αέρας, φωτιά. d) Ημιαγωγοί, μονωτές,
ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Διδάσκοντες:
ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014
ΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΜΑΚΑΡΙΟΣ Γ ΣΧΟΛΙΚΗ ΧΡΟΝΙΑ: 2013 2014 ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014 Κατεύθυνση: Θεωρητική Μάθημα: Τεχνολ.& Εργ. Ηλεκτρονικών Τάξη: Β Αρ. Μαθητών: 8 Κλάδος: Ηλεκτρολογία
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Σχήµα 1. Κύκλωµα DC πόλωσης ηλεκτρονικού στοιχείου Στο ηλεκτρονικό στοιχείο του σχήµατος
Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας
Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας ΔΙΟΔΟΣ Οι περισσότερες ηλεκτρονικές συσκευές όπως οι τηλεοράσεις, τα στερεοφωνικά συγκροτήματα και οι υπολογιστές χρειάζονται τάση dc για να λειτουργήσουν σωστά.
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Περιληπτικές σημειώσεις ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ
ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2010 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ
ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2010 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α ΠΡΩΤΗ A1. Για τις ηµιτελείς προτάσεις Α1.1 έως και Α1.4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της πρότασης
Δεύτερο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ
ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Η/Υ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ Δεύτερο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών Δρ. Χ. Μιχαήλ Πάτρα, 2009 ΑΣΚΗΣΗ 1 Αναλύστε τι ισχύει για την πύλη DTL του Σχ.1, ανάλογα
Διαφορικοί Ενισχυτές
Διαφορικοί Ενισχυτές Γενικά: Ο Διαφορικός ενισχυτής (ΔΕ) είναι το βασικό δομικό στοιχείο ενός τελεστικού ενισχυτή. Η λειτουργία ενός ΔΕ είναι η ενίσχυση της διαφοράς μεταξύ δύο σημάτων εισόδου. Τα αρχικά
ΑΣΚΗΣΗ 7. Θερµοϊονικό φαινόµενο - ίοδος λυχνία
ΑΣΚΗΣΗ 7 Θερµοϊονικό φαινόµενο - ίοδος λυχνία ΣΥΣΚΕΥΕΣ : Πηγή συνεχούς 0-50 Volts, πηγή 6V/2A, βολτόµετρο συνεχούς, αµπερόµετρο συνεχούς, βολτόµετρο, ροοστάτης. ΘΕΩΡΗΤΙΚΗ ΕΙΣΑΓΩΓΗ Όταν η θερµοκρασία ενός
Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής
3 Ενισχυτές Μετρήσεων 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής Πολλές φορές ένας ενισχυτής σχεδιάζεται ώστε να αποκρίνεται στη διαφορά µεταξύ δύο σηµάτων εισόδου. Ένας τέτοιος ενισχυτής ονοµάζεται ενισχυτής διαφοράς
Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)
Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Βασικά κυκλώµατα ενισχυτών µε transstr MOS Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Transstr ως ενισχυτής Ενισχυτής κοινής πηγής (cmmn surce amplfer (κύκλωµα αντιστροφέα
ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL
ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ USH-ULL ΕΠΩΝΥΜΟ ΟΝΟΜΑ Α.Μ. ΤΜΗΜΑ ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΔΙΕΞΑΓΩΓΗΣ:.... /..../ 0.. ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΠΑΡΑΔΟΣΗΣ:.... /..../ 0.. ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΣΤΟΧΟΙ η κατανόηση της
Άσκηση 4. Δίοδος Zener
ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 4 Δίοδος Zener Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη της διόδου Zener. Γίνεται μελέτη της χαρακτηριστικής
ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΤΑΞΗ
ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΑΠΟΛΥΤΗΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Σ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΤΑΡΤΗ 6 ΜΑΪΟΥ 004 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) : ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙ ΩΝ: ΠΕΝΤΕ
Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών
Ηλεκτρονική Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Ενισχυτής κοινού εκπομπού, ενισχυτής
Βασικά Στοιχεία Αναλογικών Ηλεκτρονικών
Βασικά Στοιχεία Αναλογικών Ηλεκτρονικών Ηλεκτρονική ΗΥ231 Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Σήµατα Ένα αυθαίρετο σήµα τάσης v s (t) 2 Φάσµα συχνοτήτων των σηµάτων
ÖÑÏÍÔÉÓÔÇÑÉÏ ÊÏÑÕÖÇ ÓÅÑÑÅÓ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 28 ΜΑΪΟΥ 2010 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ
ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 8 ΜΑΪΟΥ 00 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α ΠΡΩΤΗ A. Για τις ηµιτελείς προτάσεις Α. έως και Α.4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της
8. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL
ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ. Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙ ΣΤΟΧΟΙ Ημερομηνία:.... /.... /...... Τμήμα:.... Ομάδα: 8. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ USH-ULL η κατανόηση της αρχής λειτουργίας ενός
Κεφάλαιο 3. Λογικές Πύλες
Κεφάλαιο 3 Λογικές Πύλες 3.1 Βασικές λογικές πύλες Τα ηλεκτρονικά κυκλώματα που εκτελούν τις βασικές πράξεις της Άλγεβρας Boole καλούνται λογικές πύλες.κάθε τέτοια πύλη δέχεται στην είσοδό της σήματα με
3. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ
ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ. Ε. ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΙΙ ΣΤΟΧΟΙ Ημερομηνία:.... /.... /...... Τμήμα:.... Ομάδα: 3. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ η κατανόηση της αρχής λειτουργίας
ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν
1. Εισαγωγικά στοιχεία ηλεκτρονικών - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 1. ΘΕΜΕΛΙΩ ΕΙΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΑΙ ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Ηλεκτρικό στοιχείο: Κάθε στοιχείο που προσφέρει, αποθηκεύει και καταναλώνει
ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ
ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΕΠΩΝΥΜΟ ΟΝΟΜΑ Α.Μ. ΤΜΗΜΑ ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΔΙΕΞΑΓΩΓΗΣ:.... /..../ 20.. ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΠΑΡΑΔΟΣΗΣ:.... /..../ 20.. ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΣΤΟΧΟΙ η
4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ
ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΣΤΟΧΟΙ 4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ Ημερομηνία:.... /.... /...... Τμήμα:.... Ομάδα: η κατανόηση της αρχής λειτουργίας ενός ενισχυτή δύο βαθμίδων με άμεση σύζευξη η εύρεση της περιοχής
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές
Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Ο Τελεστικός ενισχυτής 741
Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Ο Τελεστικός ενισχυτής 741 Ενισχυτικές Διατάξεις 2 Iστορική Αναδρομή 1964 Ο Bob Widlar σχεδιαζει το πρώτο ΤΕ: τον 702. Μόνο 9 transistors, απολαβή OL: 1000 Πολύ ακριβός : $300 per
9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ. Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να
9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να ενισχύσει ένα σήµα (δηλ. να αυξήσει ονοµαστικά το µέγεθος της τάσης ή του ρεύµατος).
2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ
ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ T.E.I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 1 Περιεχόμενα 2 ης ενότητας Στην δεύτερη ενότητα θα ασχοληθούμε
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3ο ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΔΙΟΔΟΙ Επαφή ΡΝ Σε ένα κομμάτι κρύσταλλο πυριτίου προσθέτουμε θετικά ιόντα 5σθενούς στοιχείου για τη δημιουργία τμήματος τύπου Ν από τη μια μεριά, ενώ από την
ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος
ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΑ ΔΙΚΤΥΑ ΥΨΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ (Θ) Ενότητα 1: Μικροκυματικές Διατάξεις ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΤΕ 1 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό
ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 10/02/2015
ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: /0/0 ΘΕΜΑ ο (4 μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος, στον οποίο το τρανζίστορ πολώνεται στην ενεργό περιοχή λειτουργίας του με συμμετρικές
Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ
ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Η/Υ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών Δρ. Χ. Μιχαήλ Πάτρα, 2010 ΑΣΚΗΣΗ 1 Ένας μικροεπεξεργαστής πρέπει να οδηγήσει ένα δίαυλο
ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ
ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ ΕΠΩΝΥΜΟ ΟΝΟΜΑ Α.Μ. ΤΜΗΜΑ ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΔΙΕΞΑΓΩΓΗΣ:.... /..../ 20.. ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ ΠΑΡΑΔΟΣΗΣ:.... /..../ 20.. ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΣΤΟΧΟΙ η κατανόηση
ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ
ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ 45 ίοδοι - Επαφή p-n Τα ηλεκτρονικά εξαρτήµατα κατασκευάζονται µε βάση έναν κρύσταλλο πυριτίου. Το πυρίτιο σε πολύ χαµηλή θερµοκρασία έχει τα τέσσερα ηλεκτρόνια σθένους
SPICE Directive:.model NBJT npn(is = 2f Bf = 100)
ΙΠΟΛΙΚΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Χαρακτηριστικές εισόδου και εξόδου Κέρδος ρεύµατος Το διπολικό τρανζίστορ χαρακτηρίζεται από το κέρδος ρεύµατος που ορίζεται ως ο λόγος του ρεύµατος στο συλλέκτη προς το ρεύµα στη βάση
4. Τρανζίστορ επαφής. 4.1 Χαρακτηριστικά του τρανζίστορ
1 4. Τρανζίστορ επαφής 4.1 Χαρακτηριστικά του τρανζίστορ Το τρανζίστορ είναι ένας ημιαγωγός με προσμίξεις, που περιέχεται μεταξύ δύο ημιαγωγών από το ίδιο υλικο, αλλά με αντίθετου τύπου προσμίξεις. Έχουμε
Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.
A(dB) ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ Μάθημα: Αναλογικά Ηλεκτρονικά Εισηγητής: Ηλίας Σταύρακας Θέμα 1 ο (μονάδες 3): Ακαδημαϊκό Έτος 201112 Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις :
ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):
ΘΕΜΑ 1 ο ( μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: V 10V, V BE 0.7 V, Β 200 kω, 1 kω, 1 kω, β 100. (α) Να προσδιορίσετε το σημείο λειτουργίας Q (V E, I ) του τρανζίστορ. (1 μονάδα) (β)
ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8
ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΙΑΦΟΡΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ 1 1-1 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε BJT s 1 και ιπλή Έξοδο Ανάλυση µε το Υβριδικό Ισοδύναµο του Τρανζίστορ 2 Ανάλυση µε βάση τις Ενισχύσεις των Βαθµίδων CE- 4
Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών
Ηλεκτρονική Ενότητα 5: D λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Μεθοδολογία D ανάλυσης των κυκλωμάτων με διπολικά τρανζίστορ
Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT)
Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών & Πληροφορικής Μάθημα: Βασικά Ηλεκτρονικά Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT) Εργασία του Βασίλη Σ. Βασιλόπουλου Χειμερινό Εξάμηνο 2017-18 Πηγή:
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 20/02/2009 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ
ΘΕΜΑ ο (3 μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: V 0V, V 0.73 V, 85 kω, 0 kω, kω, Ε 0.5 kω, β 00. (α) Να προσδιορίσετε το σημείο λειτουργίας Q (I, V ) του τρανζίστορ. (β) Nα χαράξετε
Ενισχυτικές διατάξεις 1. Εισαγωγή. Περιοριστικοί παράγοντες χρήσης ενός BJT σε ενισχυτές ισχύος
Ενισχυτικές διατάξεις 1 Εισαγωγή Περιοριστικοί παράγοντες χρήσης ενός BJT σε ενισχυτές ισχύος Μέγιστο ονοµαστικό ρεύµα (απαιτούµενη τάξη µεγέθους Α). Μέγιστη ονοµαστική τάση (απαιτούµενη τάξη µεγέθους
ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017
ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Λ ΜΠΙΣΔΟΥΝΗΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 6/0/07 ΘΕΜΑ ο ( μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται:
1 1+ Η εφαρµογή ανάδρασης υποβιβάζει την αντίσταση εξόδου στην τιµή
V o g S o ( R r ), m Επειδή β, είναι Τ V,. Το κέρδος κλειστού βρόχου υπολογίζεται ως Vf, 0,957, Η αντίσταση εισόδου είναι ίση µε ΜΩ. Η αντίσταση εξόδου είναι z o 5 k 40k 4, 44kΩ Η εφαρµογή ανάδρασης υποβιβάζει
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4ο ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Διπολικά τρανζίστορ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar ή BJT) είναι ένας κρύσταλλος τριών στρωμάτων με διαφορετικό επίπεδο εμπλουτισμού: τον εκπομπό Ε, τη βάση
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ένα ηλεκτρικό κύκλωμα αποτελείται από ένα σύνολο
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 4
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 4: Ενισχυτές ισχύος Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης Το
Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος:
Παράδειγµα 8 Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος: 0,7 + 2200I 5V = 0 V D 4,3 I D = = 1, 95mA 2200 + 5 2200I D + Vout = 0 Vout=-0,7V Παράδειγµα 9 Το παρακάτω σχήµα παριστάνει κύκλωµα φόρτισης µιας
Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης
Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών & Πληροφορικής Μάθημα: Βασικά Ηλεκτρονικά Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης Εργασία των Άννα Μαγιάκη και Καλλιόπης-Κλέλιας Λυκοθανάση Χειμερινό
«Ενισχυτές με διπολικό transistor»
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Ενισχυτές με διπολικό transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή Πόλωση Αρχές ενίσχυσης Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για BJT ΤΗΜΜΥ 2 Σκοπός αυτής
ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ Γ ΤΑΞΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ 2003
ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΑ Γ ΤΑΞΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΕΝΑΟΥ ΛΥΚΕΟΥ 3 ΟΜΑ Α Α Στις ερωτήσεις Α. - Α.6 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της ερώτησης και δίπλα σε κάθε αριθµό το γράµµα που αντιστοιχεί στη σωστή
ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ
5 ΧΡΟΝΙΑ ΕΜΠΕΙΡΙΑ ΣΤΗΝ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ ΘΕΜΑΤΑ ΟΜΑΔΑ Α Α. ια τις ημιτελείς προτάσεις Α. έως Α.4 να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθμό της πρότασης και, δίπλα σε κάθε αριθμό,
ΣΥΝΕΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ
ΣΥΝΕΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΡΕΥΜΑ 1. Αγωγός διαρρέεται από ρεύμα σταθερής έντασης 4 mα. α. Να υπολογίσετε τον αριθμό των ηλεκτρονίων που διέρχονται από διατομή του αγωγού, σε χρόνο 5 s. β. Να παραστήσετε γραφικά
V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής Επα φής Ι VLS Technology and omputer Archtecture Lab ιπολικό ΤρανζίστορΓ. Επαφής Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση
Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α Α
Επαναληπτικά Θέµατα ΟΕΦΕ 0 Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α Α Για τις παρακάτω προτάσεις, Α.. έως και Α.., να γράψετε στο τετράδιό σας τον αριθµό της πρότασης και δίπλα το
ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ
ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΧΑΤΖΟΠΟΥΛΟΣ ΑΡΓΥΡΗΣ ΚΟΖΑΝΗ 2005 ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΥΜΒΟΛΙΣΜΟΙ Για τον καλύτερο προσδιορισµό των µεγεθών που χρησιµοποιούµε στις εξισώσεις, χρησιµοποιούµε τους παρακάτω συµβολισµούς
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων Στον χώρο της ηλεκτρονικής οι ενισχυτές είναι ευρέως χρησιμοποιούμενες διατάξεις με τις οποίες μπορούμε να ενισχύσουμε ένα σήμα με σχετικά μικρό πλάτος (πχ. το σήμα
Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing).
Κεφάλαιο 4 Μετρολογικές Διατάξεις Μέτρησης Θερμοκρασίας. 4.1. Μετρολογικός Ενισχυτής τάσεων θερμοζεύγους Κ και η δοκιμή (testing). Οι ενδείξεις (τάσεις εξόδου) των θερμοζευγών τύπου Κ είναι δύσκολο να
ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΠΕΙΡΑΜΑ 4
Εφόσον το τρανζίστορ ενός ενισχυτή κοινού εκπομπού πολωθεί με το σημείο Q να βρίσκεται κοντά στο μέσο της DC γραμμής φορτίου, μπορεί να συνδεθεί ένα μικρό ac σήμα στη βάση. Με αυτόν τον τρόπο, παράγεται
Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,
Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ) με τα εξής χαρακτηριστικά: 3 k, 50, k, S k και V 5 α) Nα υπολογιστούν οι τιμές των αντιστάσεων β) Να επιλεγούν οι χωρητικότητες C, CC έτσι ώστε ο ενισχυτής
ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΑΠΟΚΡΙΣΕΙΣ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ. 10 f Να προσδιορίσετε τις συχνότητες, για τις οποίες το µέτρο της ενίσχυσης είναι 10dB κάτω από την µέγιστη τιµή της.
ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΑΠΟΚΡΙΣΕΙΣ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ 9.1 Η απόκριση ενισχυτή περιγράφεται από τη σχέση, 100 A( j = 10 (1+ j (1 j 10 Να προσδιορίσετε τις συχνότητες, για τις οποίες το µέτρο της ενίσχυσης είναι 10dB κάτω από την
Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1
Ειδικά Θέματα Ηλεκτρονικών 1 ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3...2 ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ...2 3.1 Απόκριση συχνότητας ενισχυτών...2 3.1.1 Παραμόρφωση στους ενισχυτές...5 3.1.2 Πιστότητα των ενισχυτών...6 3.1.3
4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ
ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ T..I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Περιεχόμενα 4 ης ενότητας Στην τέταρτη ενότητα θα μελετήσουμε τους ενισχυτές
Τελεστικοί Ενισχυτές
Τελεστικοί Ενισχυτές Ενισχυτές-Γενικά: Οι ενισχυτές είναι δίθυρα δίκτυα στα οποία η τάση ή το ρεύμα εξόδου είναι ευθέως ανάλογη της τάσεως ή του ρεύματος εισόδου. Υπάρχουν τέσσερα διαφορετικά είδη ενισχυτών:
β) Τι θα συμβεί στην απολαβή τάσης και την απόκριση συχνότητας του ενισχυτή στο σχ.1β αν υπάρξει διακοπή στο σημείο που δεικνύεται με το αστέρι;
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ Τ.Ε.Ι. ΑΘΗΝΑΣ Μάθημα: Ενισχυτικές Διατάξεις Εισηγητής: Γιώργος Χλούπης Ακαδημαϊκό Έτος 2013-14 Εξάμηνο Χειμερινό Σημειώσεις : ανοικτές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες Ημ. εξέτασης: