ΗΜΙΑΓΩΓΑ ΥΛΙΚΑ: ΘΕΩΡΙΑ-ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ

Transcript

1 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΜΙΑΓΩΓΑ ΥΛΙΚΑ: ΘΕΩΡΙΑ-ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ Μέρος 1 ο : Στοιχεία Θεωρίας Ημιαγωγών Ενότητα 8 η : Αγωγιμότητα ημιαγωγών-αμιγείς αγωγοί. Γεώργιος Λιτσαρδάκης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών

2 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creative Commons. Για εκπαιδευτικό υλικό, όπως εικόνες, που υπόκειται σε άλλου τύπου άδειας χρήσης, η άδεια χρήσης αναφέρεται ρητώς. 2

3 Χρηματοδότηση Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό έχει αναπτυχθεί στα πλαίσια του εκπαιδευτικού έργου του διδάσκοντα. Το έργο «Ανοικτά Ακαδημαϊκά Μαθήματα στο» έχει χρηματοδοτήσει μόνο τη αναδιαμόρφωση του εκπαιδευτικού υλικού. Το έργο υλοποιείται στο πλαίσιο του Επιχειρησιακού Προγράμματος «Εκπαίδευση και Δια Βίου Μάθηση» και συγχρηματοδοτείται από την Ευρωπαϊκή Ένωση (Ευρωπαϊκό Κοινωνικό Ταμείο) και από εθνικούς πόρους. 3

4 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ 8. Αγωγιμότητα ημιαγωγώναμιγείς ημιαγωγοί.

5 Περιεχόμενα ενότητας 1. Αγωγιμότητα ημιαγωγών 2. Υπολογισμός συγκέντρωσης φορέων. 3. Ενεργός πυκνότητα καταστάσεων. 4. Η θέση της στάθμης Fermi. Ημιαγωγά Υλικά : Θεωρία - Διατάξεις 5

6 αγωγιμότητα ημιαγωγών δύο είδη φορέων σ = e[(nμ e )+(pμ h )] n, p η συγκέντρωση ηλεκτρονίων και οπών μ e, μ h η ευκινησία των ηλεκτρονίων & οπών αμιγείς ημιαγωγοί (χωρίς προσμίξεις) n i = p i σ = en i (μ e +μ h ) πιθανότητα διέγερσης ~ exp(-ε G /2kT) για Ε G =4 ev 10-2 για Ε G =0.25 ev (Τ=300Κ) ενδογενής αγωγιμότητα Si n i =1.45x10 10 /cm 3 και σ i =5x10-6 /Ωcm

7 υπολογισμός συγκέντρωσης φορέων Πιθανότητα κατάληψης Ενεργειακών θέσεων The density of states and carrier densities in the conduction and valence band. Shown are the electron and hole density per unit energy, n(e) and p(e), the density of states in the conduction and valence band, gc(e) and gc(e) and the probability of occupancy, f(e), (green curve). The electron (hole) density equals the red (blue) cross-hatched area. Πηγή: ecee Bart J. Van Zeghbroeck, 1996, 1997, n,p = Z(E)f(E)dE Z(E)=g(E)/V, (ελ.ηλεκτρόνια, E(k)~k 2 ), m=m* όταν E C -E F >>kt, f(e) exp[-(e-e F )/kt] στη ζώνη σθένους, αν E F -E V >>kt, f(e) 1-exp[(E-E F )/kt] για οπές, f h (E) = 1-f(E) exp[-(e F -E)/kT]

8 συγκέντρωση φορέων n = 2(2πm*kT/h²) 3/2 exp[-(e C -E F )/kt] = N C (Τ)exp[-(E C -E F )/kt] = N C f(e C ) p = 2(2πm*kT/h²) 3/2 exp[-(e F -E V )/kt] = N V (Τ)exp[-(E F -E V )/kt] = N V f h (E V )

9 ενεργός πυκνότητα καταστάσεων N C,V = (m*/m e ) 3/2 T 3/2 m -3 = (m*/m e ) 3/2 (T/300K) 3/2 m -3 = (m*/m e ) 3/2 (T/300K) 3/2 cm -3

10 αμιγείς ημιαγωγοί - ενέργεια Fermi η E Fi στο μέσο του χάσματος: n i = p i => N C exp[-(e C -E Fi )/kt]=n V exp[-(e Fi -E V )/kt] => Ε Fi = (E C +E V )/2 + (3/4)kT ln(m h */m e *) => Ε Fi (E C +E V )/2

11 αμιγείς ημιαγωγοί - συγκέντρωση φορέων 300 K GaAs Ge Si Ενδογενής πυκνότητα φορέων στη ζώνη αγωγιμότητας σε σχέση με το αντίστροφο της θερμοκρασίας. Intrinsic carrier density versus temperature in GaAs (top/black curve), Silicon (blue curve) and Germanium (bottom/red curve). The markers correspond to T = 300 K Πηγή: ecee Bart J. Van Zeghbroeck, 1996, 1997, n i p i = n i2 =N C N V exp[-(e C -E V )/kt] n i = N C N V exp[-(e G )/2kT] n i N C exp[-(e G )/2kT]

12 Σημείωμα Αναφοράς Copyright, Λιτσαρδάκης Γεώργιος. «Ημιαγωγά Υλικά: Θεωρία Διατάξεις» Έκδοση: 1.0. Θεσσαλονίκη Διαθέσιμο από τη δικτυακή διεύθυνση:

13 Σημείωμα Αδειοδότησης Το παρόν υλικό διατίθεται με τους όρους της άδειας χρήσης Creative Commons Αναφορά - Παρόμοια Διανομή [1] ή μεταγενέστερη, Διεθνής Έκδοση. Εξαιρούνται τα αυτοτελή έργα τρίτων π.χ. φωτογραφίες, διαγράμματα κ.λ.π., τα οποία εμπεριέχονται σε αυτό και τα οποία αναφέρονται μαζί με τους όρους χρήσης τους στο «Σημείωμα Χρήσης Έργων Τρίτων». Ο δικαιούχος μπορεί να παρέχει στον αδειοδόχο ξεχωριστή άδεια να χρησιμοποιεί το έργο για εμπορική χρήση, εφόσον αυτό του ζητηθεί. [1]

14 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΪΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ Τέλος ενότητας Επεξεργασία: Καρανάσιος Νικόλαος Θεσσαλονίκη, 2015