ΑΠΟΣΠΑΣΜΑ ΠΡΑΚΤΙΚΩΝ 463 ης / ΣΥΝΕΔΡΙΑΣΗΣ ΤΗΣ ΕΠΙΤΡΟΠΗΣ ΕΡΕΥΝΩΝ

Transcript

1 ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΡΗΤΗΣ ΕΙΔΙΚΟΣ ΛΟΓΑΡΙΑΣΜΟΣ This project is funded by the European Union Τμήμα: Διοικητικής Υποστήριξης-Προμήθειες Πληροφορίες: Θωμάκης Ζαφείριος Τηλ.: Fax: ΑΝΑΡΤΗΤΕΑ ΣΤΟ ΔΙΑΔΙΚΤΥΟ ΑΠΟΣΠΑΣΜΑ ΠΡΑΚΤΙΚΩΝ 463 ης / ΣΥΝΕΔΡΙΑΣΗΣ ΤΗΣ ΕΠΙΤΡΟΠΗΣ ΕΡΕΥΝΩΝ Η Επιτροπή Ερευνών του Πανεπιστημίου Κρήτης συνεδρίασε σήμερα 07 Σεπτεμβρίου 2015, ημέρα Δευτέρα και ώρα 10:00 π.μ. στις εγκαταστάσεις του Πανεπιστημίου Κρήτης στο Ρέθυμνο (αίθουσα συνεδριάσεων Συγκλήτου) και πραγματοποίησε την 463 η Συνεδρίασή της. Σημειώνεται ότι η διεξαγωγή της συνεδρίασης πραγματοποιείται σε τηλεδιάσκεψη με τις εγκαταστάσεις του Π.Κ. στο Ηράκλειο (αίθουσα συνεδριάσεων της Πρυτανείας) σύμφωνα με το άρθρο 14 παρ. 13 του Κώδικα Διοικητικής Διαδικασίας, η οποία προστέθηκε με το άρθρο 6 7 του ν.3242/2004. Παρόντες στη συνεδρίαση ήταν οι κ.κ.: -ΤΡΙΚΑΛΙΤΗΣ ΠΑΝΤΕΛΗΣ, ΑΝΤΙΠΡΟΕΔΡΟΣ - ΓΑΓΑΝΗΣ ΧΡΥΣΟΒΑΛΑΝΤΗΣ, ΜΕΛΟΣ - ΚΑΠΠΑ ΙΩΑΝΝΑ, ΜΕΛΟΣ - ΟΙΚΟΝΟΜΙΔΗΣ ΒΑΣΙΛΕΙΟΣ, ΜΕΛΟΣ Η Επιτροπή, μετά τη διαπίστωση της νόμιμης απαρτίας υπό την προεδρεία του κ. Τρικαλίτη Παντελή, Αντιπροέδρου της Επιτροπής Ερευνών του Πανεπιστημίου Κρήτης, ο οποίος προΐσταται σε αναπλήρωση του παραιτηθέντος Προέδρου της Επιτροπής Ερευνών και σύμφωνα με την Γνωμοδότηση ΝΣΚ 11/2004, για τα θέματα της με αριθ. πρωτ. 7682/ Ημερήσιας Διάταξης αποφασίζει τα παρακάτω: ΘΕΜΑ 3.2. ΠΡΟΣΚΛΗΣΕΙΣ ΕΚΔΗΛΩΣΗΣ ΕΝΔΙΑΦΕΡΟΝΤΟΣ 1

2 ΘΕΜΑ: Έγκριση πρακτικού αξιολόγησης προτάσεων υπ αρ. 7246/ πρόσκλησης και έγκριση ανάθεσης έργου (Κ.Α.3836 Ε.Υ. Τσιρώνης Γεώργιος) Η Επιτροπή Ερευνών, αφού έλαβε υπόψη στα πλαίσια του προγράμματος με τίτλο «Crete Center for Quantum Complexity and Nanotechnology (CCQCN)», το οποίο χρηματοδοτείται από την Ευρωπαϊκή Ένωση, ΚΑ 3836 α) την υπ. αριθ. πρωτ.7246/ πρόσκληση εκδήλωσης ενδιαφέροντος, β) το με αριθ. πρωτ.7794/ πρακτικό της Επιτροπής Αξιολόγησης Προτάσεων, το οποίο έχει ως εξής: «ΠΡΑΚΤΙΚΟ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗΣ ΠΡΟΤΑΣΕΩΝ ΣΤΟ ΠΛΑΙΣΙΟ ΤΗΣ ΠΡΟΣΚΛΗΣΗΣ ΕΚΔΗΛΩΣΗΣ ΕΝΔΙΑΦΕΡΟΝΤΟΣ ΜΕ ΑΡ. ΠΡΩΤ. 7246/ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ «Crete Center for Quantum Complexity and Nanotechnology (CCQCN)», ΚΑ 3836, το οποίο χρηματοδοτείται από την Ευρωπαϊκή Ένωση Σήμερα την Πέμπτη, 3 Σεπτεμβρίου 2015, 16.00, στο Τμήμα Φυσικής του Πανεπιστημίου Κρήτης (αίθουσα τηλεδιάσκεψης) στο Ηράκλειο, προσήλθαν σε κλειστή συνεδρίαση τα μέλη της Επιτροπής Αξιολόγησης Προτάσεων (ΕΑΠ) του προγράμματος με τίτλο «Crete Center for Quantum Complexity and Nanotechnology (CCQCN)» και ΚΑ 3836, που συγκροτήθηκε δυνάμει της απόφασης της 396/ Συνεδρίασης της Επιτροπής Ερευνών (θέμα ) και σύμφωνα με τα οριζόμενα στο άρθρο 12 του Οδηγού Διαχείρισης και Χρηματοδότησης του Ειδικού Λογαριασμού και τους κανόνες του Οδηγού Σύναψης Μισθώσεων Έργου της Επιτροπής Ερευνών του ΕΛΠΚ, για την αξιολόγηση των προτάσεων προς σύναψη σύμβασης μίσθωσης έργου ιδιωτικού δικαίου με αντικείμενο έργου: Έρευνα στα πλαίσια του προγράμματος CCQCN με ΚΑ3836, που υποβλήθηκαν στο πλαίσιο της με αριθμ. Πρωτ. 7246/ Πρόσκλησης Εκδήλωσης Ενδιαφέροντος (εφεξής «Πρόσκληση»), όπως αναφέρονται κατωτέρω. Παρόντες είναι τα κάτωθι μέλη της Επιτροπής Αξιολόγησης Προτάσεων: 1. Καθ. Γ. Τσιρώνης, τακτικό μέλος 2. Καθ. Ξ. Ζώτος, τακτικό μέλος 3. Επικ. Καθ. Ε. Ηλιόπουλος, τακτικό μέλος. Η Επιτροπή έλεγξε τη νομότυπη συγκρότησή της και την ικανότητα συνεδρίασης και λήψης αποφάσεων και, αφού έλαβε υπόψη τις διατάξεις της Πρόσκλησης, διαπιστώνει ότι: Για την Πρόσκληση κατατέθηκαν οι παρακάτω προτάσεις: 1. Εμπρόθεσμα Ονοματεπώνυμο Αρ. Πρωτοκόλλου Ημερομηνία πρωτ. G.KUMAR 7416/ Αδαμ Αδικημενάκης 7471/ Εκπρόθεσμα (καμία) Απαραίτητα προσόντα: Διδακτορικό Δίπλωμα στην Φυσική Ερευνητική εμπειρία και επιστημονική αριστεία σε Επιταξιακή Ανάπτυξη με Μοριακές Δέσμες με πηγή πλάσματος αζώτου (PAMBE) ετεροδομών III-Νιτριδίων πάνω σε 2

3 υποστρώματα GaN, σαπφείρου, Si και Αδάμαντα Αριστεία και καταλληλόλητα συνεργασίας σε συλλογικό περιβάλλον, όπως αυτή εκτιμάται από τη γνώμη των επιστημόνων που συνεργάζονται με τον υποψήφιο. Σύμφωνα με τους όρους της Πρόσκλησης, αποκλείονται από τη διαδικασία αξιολόγησης οι παρακάτω υποψήφιοι, οι οποίοι δεν πληρούν ένα ή περισσότερα από τα απαραίτητα προσόντα: Ονοματεπώνυμο Απαραίτητο προσόν που ΔΕΝ πληροί G. Kumar Δεν έχει διδακτορικό δίπλωμα (Ph.D.) στη Φυσική. Αναλυτικά για τους αποκλεισθέντες: Ο κ. G. Kumar Ο κ. G. Kumar δεν έχει διδακτορικό δίπλωμα (Ph.D.) στη Φυσική. Στην πρότασή του αναφέρει «2014 Ph.D (Physics) Doing- Karpagam University, Coimbatore, India» χωρίς καμία επιπρόσθετη πληροφορία ή τίτλο σπουδών. Επιπρόσθετα, η ακαδημαϊκή/επαγγελματική του δραστηριοποίηση τεκμηριώνεται κυρίως στα πεδία της εκπαίδευσης καθώς και των επιστημών του μηχανικού [M.E/M.Tech (Applied Electronics &Communication Engineering) Specialization in VLSI Systems & Embedded Systems- from Vinayaka Mission University, Salem, India. M.Sc. (Physics) Specialization in Advanced Electronics & Software Application from University of Calicut, India B.Ed. (Physical Science)- Physics & Chemistry- from University of Calicut, India B.Sc. (Applied Physics)- Subsidiary Subjects- Computer Science & Mathematics from University of Calicut, India-2002.] Για το λόγο αυτό η Επιτροπή θεώρησε ότι με την πρότασή του δεν πληρείται το κριτήριο της κατοχής Διδακτορικού Διπλώματος στην Φυσική, που τίθεται στην εν λόγω προκήρυξη ως υποχρεωτικό κριτήριο για την επιλογή του υποψηφίου. Για την κατάταξη των προτάσεων η αξιολόγηση έγινε, σύμφωνα με τους όρους της Πρόσκλησης, με βάση τα παρακάτω κριτήρια: Κριτήρια Βαθμολογία κριτηρίων Διδακτορικό Δίπλωμα στην Φυσική ΝΑΙ/ΟΧΙ Επιστημονική αριστεία όπως αυτή εκτιμάται από επιστημονικές δημοσιεύσεις Ερευνητική εργασία και εμπειρία στα θέματα της προκήρυξης και γνώμες διεθνώς αναγνωρισμένων ερευνητών 70 μονάδες (στις 100) (ο τρόπος αξιολόγησης καθορίζεται από τον αριθμό ερευνητικών δημοσιεύσεων στο εν λόγω πεδίο, διαιρεμένου δια του αριθμού ετών, αρχομένου από το έτος απόκτησης διδακτορικού έως σήμερα, συν τον αριθμό ετερο-αναφορών διαιρεμένου δια του αριθμού ετών, αρχομένου από το έτος απόκτησης διδακτορικού έως σήμερα) 30 μονάδες (στις 100) Κατόπιν των ανωτέρω, η συνολική βαθμολόγηση και κατάταξη των υποψηφίων αποτυπώνεται στον κάτωθι πίνακα: 3

4 ΠΙΝΑΚΑΣ ΚΑΤΑΤΑΞΗΣ & ΒΑΘΜΟΛΟΓΙΑΣ των υποψηφίων που πληρούν τα απαραίτητα κριτήρια ΣΕΙΡΑ ΚΑΤΑΤΑΞΗΣ ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ Τίτλος σπουδών ΚΡΙΤΗΡΙΟ 1: ΚΡΙΤΗΡΙΟ 2: ΜΟΝΑΔΕΣ ΚΡΙΤΗΡΙΟΥ 1 ΜΟΝΑΔΕΣ ΚΡΙΤΗΡΙΟΥ 2 ΣΥΝΟΛΟ ΒΑΘΜΟΛΟΓΙΑΣ 1 Αδάμ Αδικημενάκης Έλαβε το διδακτορικό του το Έχει 28 δημοσιευμένες ερευνητικές εργασίες σε διεθνή περιοδικά με κριτές (5 ως πρώτoς τη τάξει), στο συγκεκριμένο πεδίο. Έχει 289 ετερο-αναφορές. H-index=11. Έχει πολύ σημαντική εμπειρία και εργασία στο περιγραφόμενο ερευνητικό πεδίο της προκήρυξης και σε θέματα που άπτονται του προγράμματος καθώς και αριστεία όπως αυτή εκτιμάται από τη γνώμη των επιστημόνων που συνεργάζονται μαζί του Ο κ. Αδάμ Αδικημενάκης έλαβε το διδακτορικό του (PhD) από το Πανεπιστήμιο Κρήτης (Supervisor: Αλ. Γεωργακίλας, Title: Επιταξιακή ανάπτυξη με μοριακές δέσμες ετεροδομών για τρανζίστορ υψηλής ευκινησίας), το Έχει 28 δημοσιευμένες ερευνητικές εργασίες (εκ των οποίων 5 ως πρώτος τη τάξει συγγραφέας) σε διεθνή περιοδικά με κριτές. Η ερευνητική εργασία του έχει αποκτήσει 289 ετερο-αναφορές (h-index=11), και εστιάζει στο περιγραφόμενο ερευνητικό πεδίο της προκήρυξης, όπως αναδεικνύεται στις δημοσιευμένες ερευνητικές εργασίες του: 1. Direct spontaneous growth and interfacial structural properties of inclined GaN nanopillars on r-plane sapphire, A. Adikimenakis, A. Lotsari, G. P. Dimitrakopulos, T. Kehagias, K. E. Aretouli, K. Tsagaraki, M. Androulidaki, Ph. Komninou, A. Georgakilas, J. Appl. Phys. 117, (2015) 2. GaN heterostructures with diamond and graphene for high power applications B. Pécz1, L. Tóth, G. Tsiakatouras, A. Adikimenakis, A. Kovács, M. Duchamp, R. E. Dunin-Borkowski, R. Yakimova, P. L. Neumann, H. Behmenburg, B. Foltynski, C. Giesen and M. Heuken, A. Georgakilas, Semiconductor Science and Technology, accepted 3. Electron density and currents of AlN/GaN high electron mobility transistors with thin GaN/AlN buffer layer, A. Bairamis, Ch. Zervos, A. Adikimenakis, A. Kostopoulos, M. Kayambaki, K. Tsagaraki, G. Konstantinidis, and A. Georgakilas, Appl. Phys. Lett. 105, (2014) 4. Comparative study of AlN dielectric films electrical properties for MEMS capacitive switches, M. Koutsoureli, A. Adikimenakis, L. Michalas, E. Papandreou, G. Stavrinidis, G. Konstantinidis, A. Georgakilas, G. Papaioannou, Microelectronic Engineering 130, (2014) 5. Growth mechanism and microstructure of low defect density InN (0001) In-face thin films on Si (111) substrates, Th. Kehagias, G. P. Dimitrakopulos, A. O. Ajagunna, T. Koukoula, K. Tsagaraki, A. Adikimenakis, Ph. Komninou and A. Georgakilas, J. Appl. Phys. 114, (2013) 6. Mechanism of Si outdiffusion in plasma-assisted molecular beam epitaxy of GaN on Si, A. Adikimenakis, K. E. Aretouli, K. Tsagaraki, M. Kayambaki, and A. Georgakilas, Phys. Status Solidi C 10, No. 1, (2013) 7. Raman scattering of InxAl1-xN alloys with 0.2 < x < 0.9, M. Katsikini, J. Arvanitidis, D. Christofilos, S. Ves, A. Adikimenakis, and A. Georgakilas, Phys. Status Solidi C 7, No. 1, (2010) 8. High electron mobility transistors based on the AlN/GaN heterojunction, A. Adikimenakis, K. E. Aretouli, E. Iliopoulos, A. Kostopoulos, K. Tsagaraki, G. Konstantinidis and A. Georgakilas, Microelectronic Engineering 86, (2009) 9. Effect of AlN interlayers in the structure of GaN-on-Si grown by plasma-assisted MBE, A. Adikimenakis, S.-L. Sahonta, G.P. Dimitrakopulos, J. Domagala, Th. Kehagias, Ph. Komninou, E. Iliopoulos, and A. Georgakilas, Journal of Crystal Growth 311, 7, (2009) 4

5 10. Spontaneous growth of III-nitride nanowires on Si by molecular beam epitaxy, A. P. Vajpeyi, A.O. Ajagunna, G. Tsiakatouras, A. Adikimenakis, E. Iliopoulos, K. Tsagaraki, M. Androulidaki and A. Georgakilas, Microelectronic engineering 86, 4-6, (2009) 11. Mechanism of compositional modulations in epitaxial InAlN films grown by molecular beam epitaxy, S.-L. Sahonta, G. P. Dimitrakopulos, Th. Kehagias, J. Kioseoglou, A. Adikimenakis, E. Iliopoulos, A. Georgakilas, H. Kirmse, W. Neumann, and Ph. Komninou, Appl. Phys. Lett. 95, (2009) 12. InN films and nanostructures grown on Si (111) by RF-MBE, A. O. Ajagunna, A. Adikimenakis, E. Iliopoulos, K. Tsagaraki, M. Androulidaki, and A. Georgakilas, Journal of Crystal Growth 311, (2009) 13. Energy bandgap bowing of InAlN alloys studied by spectroscopic ellipsometry, E. Iliopoulos, A. Adikimenakis, C. Giesen, M. Heuken and A. Georgakilas, Appl. Phys. Let. 92, (2008) 14. Surface electronic properties of undoped InAlN alloys, P. D. C. King, T. D. Veal, A. Adikimenakis, H. Lu, L. R. Bailey, E. Iliopoulos, A. Georgakilas, W. J. Schaff and C. F. McConville, Appl. Phys. Lett. 92, (2008) 15. Effect of composition on the bonding environment of In in InAlN and InGaN epilayers,m. Katsikini, F. Pinakidou, E. C. Paloura, Ph. Komninou, E. Iliopoulos, A. Adikimenakis, A. Georgakilas and E. Welter, phys. stat. sol. (a), 1 5 (2008) / DOI /pssa Potassium selective chemically modified field effect transistors based on AlGaN/GaN two-dimensional electron gas heterostructures, Y. Alifragis, A. Volosirakis, N. A. Chaniotakis, G. Konstantinidis, A. Adikimenakis and A. Georgakilas, Biosensors and Bioelectronics 22, pp (2007) 17. Analysis of biaxial strain in InN (0001) epilayers grown by molecular beam epitaxy, E. Dimakis, J. Domagala, E. Iliopoulos, A. Adikimenakis and A. Georgakilas, Phys. Stat. Sol. (a) 204, pp (2007) 18. Properties of Si-doped GaN and AlGaN/GaN heterostructures grown by RF-MBE on high resistivity Fedoped GaN, E. Iliopoulos, M. Zervos, A. Adikimenakis, K. Tsagaraki, A. Georgakilas, Superlattices and Microstructures 40, pp (2006) 19. GaN micromachined FBAR structures for microwave applications, A. Müller, D. Neculoiu, D. Vasilache, D. Dascalu, G. Konstantinidis, A. Kostopoulos, A. Adikimenakis, A. Georgakilas, K. Mutamba, C. Sydlo, H.L. Hartnagel and A. Dadgar, Superlattices and Microstructures 40, pp (2006) 20. Energy gaps and bowing parameters of InAlGaN ternary and quaternary alloys, M. Androulidaki, N. T. Pelekanos, K. Tsagaraki, E. Dimakis, E. Iliopoulos, A. Adikimenakis, E. Bellet-Amalric, D. Jalabert and A. Georgakilas, Phys. Stat. Sol. (c) 3, pp (2006) 21. Biaxial strain and lattice constants of InN (0001) films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy, E. Dimakis, E. Iliopoulos, K. Tsagaraki, A. Adikimenakis and A. Georgakilas, Appl. Phys. Lett. 88, (2006) 22. Structural properties of 10μm thick InN grown on sapphire (0001), E. Dimakis, J. Domagała, A. Delimitis, Ph. Komninou, A. Adikimenakis, E. Iliopoulos, and A. Georgakilas, Superlattices and Microstructures 40, pp (2006) 23. InGaN (0001) alloys grown in the entire composition range by plasma assisted molecular beam epitaxy, E. Iliopoulos, A. Georgakilas, E. Dimakis, A. Adikimenakis, K. Tsagaraki, M. Androulidaki, and N. T. Pelekanos, Phys. Stat. Sol. (a) 203, pp (2006) 24. Active nitrogen species dependence on radiofrequency plasma source operating parameters and their role in GaN growth, E. Iliopoulos, A. Adikimenakis, E. Dimakis, K. Tsagaraki, G. Konstantinidis and A. Georgakilas, J. Cryst. Growth 278, pp (2005) 25. The role of nucleation temperature in In-face InN-on-GaN (0001) growth by plasma-assisted molecular beam epitaxy, E. Dimakis, G. Konstantinidis, K. Tsagaraki, A. Adikimenakis, E. Iliopoulos and A. Georgakilas, Superlatt. Microstruct. 36, pp (2004) 26. Design and technology for III-V (arsenides, nitrides) membrane supported Yagi-Uda antennae for 45 and 60 GHz, G. Konstantinidis, A. Muller, Z. Chatzopoulos, D. Neculoiu, A. Kostopoulos, A. Georgakilas, A. Adikimenakis, D. Vaschilache, A. Pantazis, M. Lagadas, Series in Micro and Nanoengineering 7, p. 87, Romanian academy of sciences (2005)

6 27. High Optical Quality GaN Nanopillars Grown on (111) Si Using Molecular Beam Epitaxy, Agam Prakash Vajpeyi, G. Tsiakatouras, A Adikimenakis, K. Tsagaraki, M Androulidaki, and Alexandros Georgakilas, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol (2008) Materials Research Society 1068-C Effects of stress-relieving AlN interlayers in GaN-on-Si grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy, A. Adikimenakis, L. Sahonta, G.P. Dimitrakopulos, J. Domagala, Ph. Komninou, and A. Georgakilas, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol (2008) Materials Research Society 1068-C

7 Κατόπιν των ανωτέρω η Επιτροπή Αξιολόγησης Προτάσεων διαπιστώνει ότι η πρόταση που συγκεντρώνει τη μεγαλύτερη βαθμολογία είναι η πρόταση του κυρίου Αδάμ Αδικημενάκη, και παραπέμπει το παρόν στην Επιτροπή Ερευνών του Πανεπιστημίου Κρήτης προς έγκριση. Τα μέλη της Επιτροπής Αξιολόγησης Προτάσεων Γεώργιος Τσιρώνης, Ξενοφών Ζώτος, Ελευθέριος Ηλιόπουλος» γ)το με αριθ. Πρωτ. 7794/ αίτημα έγκρισης ανάθεσης έργου του Ε.Υ. του προγράμματος α) εγκρίνει το ανωτέρω πρακτικό της Επιτροπής Αξιολόγησης Προτάσεων, β) ενημερώνει τους υποψηφίους ότι έχουν δικαίωμα: i. υποβολής ένστασης, αποκλειστικά για λόγους νομιμότητας της διαδικασίας, εντός 5 εργάσιμων ημερών από της επόμενης της ανάρτησης της παρούσης απόφασης της Ε.Ε. στην Ιστοσελίδα του Ειδικού Λογαριασμού. Η ένσταση μπορεί να γίνει είτε ηλεκτρονικά στην ηλεκτρονική διεύθυνση thomakis@uoc.gr, είτε με έντυπη κατάθεσή της στη Γραμματεία του Ε.Λ.Π.Κ. Εάν η ένσταση αφορά στα προσόντα/ιδιότητες των λοιπών συνυποψηφίων, κοινοποιείται σε όσους αφορά, ηλεκτρονικώς, με μέριμνα της γραμματείας του ΕΛ. Κάθε συνυποψήφιος έχει δικαίωμα υποβολής των απόψεών του με ηλεκτρονική ή έντυπη κατάθεσή τους στη Γραμματεία του Ε.Λ. εντός πέντε (5) εργάσιμων ημερών από την σχετική γνωστοποίηση. ii. πρόσβασης στους ατομικούς φακέλους και στα ατομικά φύλλα αξιολόγησης/βαθμολόγησης των υπολοίπων υποψηφίων, αποκλειστικώς καθ' όλη τη διάρκεια της προθεσμίας άσκησης της ως άνω ένστασης ή της υποβολής των απόψεων των συνυποψηφίων, όπως ανωτέρω αναφέρεται, χωρίς τη δυνατότητα χορήγησης αντιγράφων, και με τις προϋποθέσεις που θέτει ο Κώδικας Διοικητικής Διαδικασίας και η λοιπή Νομοθεσία για την προστασία των προσωπικών δεδομένων. γ) εγκρίνει την ανάθεση στον κ. Αδικημενάκη Αδάμ / Μεταδιδάκτορας του έργου «Έρευνα στα πλαίσια του προγράμματος CCQCN με ΚΑ3836», ποσού ,00, που αφορά στο χρονικό διάστημα από έως , υπό την προϋπόθεση της άπρακτης παρέλευσης της ανωτέρω οριζόμενης προθεσμίας προς υποβολή ένστασης Ο ΑΝΤΙΠΡΟΕΔΡΟΣ ΤΗΣ ΕΠΙΤΡΟΠΗΣ ΕΡΕΥΝΩΝ ΣΕ ΑΝΑΠΛΗΡΩΣΗ ΤΟΥ ΠΡΟΕΔΡΟΥ ΤΡΙΚΑΛΙΤΗΣ ΠΑΝΤΕΛΗΣ