3 η Θεµατική Ενότητα : Κατασκευή ολοκληρωµένων κυκλωµάτων και Κανόνες Σχεδίασης Επιµέλεια διαφανειών:. Μπακάλης Κατασκευή δίσκου πυριτίου Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 2
Κατασκευή ολοκληρωµένων κυκλωµάτων Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 3 Κοπή ολοκληρωµένων κυκλωµάτων Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 4
Συσκευασία ολοκληρωµένων κυκλωµάτων Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 5 Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 6
Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 7 Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 8
Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 9 Βήµα 1ο: Κατασκευή του n-well οξείδωση σε υψηλή θερµοκρασία (900-1200 ο C) Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 10
Βήµα 1ο: Κατασκευή του n-well οξείδωση σε υψηλή θερµοκρασία (900-1200 ο C) τοποθέτηση φωτοευαίσθητου υλικού Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 11 Βήµα 1ο: Κατασκευή του n-well οξείδωση σε υψηλή θερµοκρασία (900-1200 ο C) τοποθέτηση φωτοευαίσθητου υλικού έκθεση στο φως των περιοχών του n-well Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 12
Βήµα 1ο: Κατασκευή του n-well οξείδωση σε υψηλή θερµοκρασία (900-1200 ο C) τοποθέτηση φωτοευαίσθητου υλικού έκθεση στο φως των περιοχών του n-well αφαίρεση του οξειδίου µε χηµικά Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 13 Βήµα 1ο: Κατασκευή του n-well οξείδωση σε υψηλή θερµοκρασία (900-1200 ο C) τοποθέτηση φωτοευαίσθητου υλικού έκθεση στο φως των περιοχών του n-well αφαίρεση του οξειδίου µε χηµικά αφαίρεση του φωτοευαίσθητου υλικού Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 14
Βήµα 1ο: Κατασκευή του n-well οξείδωση σε υψηλή θερµοκρασία (900-1200 ο C) τοποθέτηση φωτοευαίσθητου υλικού έκθεση στο φως των περιοχών του n-well αφαίρεση του οξειδίου µε χηµικά αφαίρεση του φωτοευαίσθητου υλικού δηµιουργία του n-well µε διάχυση ή εµφύτευση ιόντων Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 15 Βήµα 1ο: Κατασκευή του n-well οξείδωση σε υψηλή θερµοκρασία (900-1200 ο C) τοποθέτηση φωτοευαίσθητου υλικού έκθεση στο φως των περιοχών του n-well αφαίρεση του οξειδίου µε χηµικά αφαίρεση του φωτοευαίσθητου υλικού δηµιουργία του n-well µε διάχυση ή εµφύτευση ιόντων αφαίρεση του οξειδίου µε χηµικά Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 16
Βήµα 2ο: Κατασκευή των αγωγών πολυπυριτίου δηµιουργία ενός λεπτού στρώµατος οξειδίου απόθεση του πολυπυριτίου Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 17 Βήµα 2ο: Κατασκευή των αγωγών πολυπυριτίου δηµιουργία ενός λεπτού στρώµατος οξειδίου απόθεση του πολυπυριτίου τοποθέτηση φωτοευαίσθητου υλικού έκθεση στο φως των περιοχών εκτός του πολυπυριτίου αφαίρεση του πολυπυριτίου και του οξειδίου µε χηµικά αφαίρεση του φωτοευαίσθητου υλικού από τις περιοχές πολυπυριτίου Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 18
Βήµα 3ο: Κατασκευή των περιοχών n-diffusion δηµιουργία ενός στρώµατος οξειδίου Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 19 Βήµα 3ο: Κατασκευή των περιοχών n-diffusion δηµιουργία ενός στρώµατος οξειδίου αφαίρεση του οξειδίου στις n-diffusion περιοχές µε χρήση photoresist Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 20
Βήµα 3ο: Κατασκευή των περιοχών n-diffusion δηµιουργία ενός στρώµατος οξειδίου αφαίρεση του οξειδίου στις n-diffusion περιοχές µε χρήση photoresist δηµιουργία των n-diffusion περιοχών µε διάχυση ή εµφύτευση ιόντων Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 21 Βήµα 3ο: Κατασκευή των περιοχών n-diffusion δηµιουργία ενός στρώµατος οξειδίου αφαίρεση του οξειδίου στις n-diffusion περιοχές µε χρήση photoresist δηµιουργία των n-diffusion περιοχών µε διάχυση ή εµφύτευση ιόντων αφαίρεση του στρώµατος οξειδίου Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 22
Βήµα 4ο: Κατασκευή των περιοχών p-diffusion παρόµοια µε την κατασκευή των n-diffusion περιοχών Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 23 Βήµα 5ο: Κατασκευή των επαφών δηµιουργία ενός µονωτικού στρώµατος οξειδίου αφαίρεση του οξειδίου στις περιοχές των επαφών µε χρήση photoresist Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 24
Βήµα 6ο: Κατασκευή των αγωγών µετάλλου δηµιουργία των αγωγών µετάλλου µε αλουµίνιο Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 25 Σε περίπτωση που έχουµε περισσότερα από 1 επίπεδα µετάλλου τότε η διαδικασία συνεχίζεται όπως προηγούµενα και κάθε επίπεδο µετάλλου αποτίθεται πάνω από το προηγούµενο. Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 26
Κανόνες Σχεδίασης Οι κανόνες σχεδίασης περιγράφουν τα ελάχιστα µεγέθη των αγωγών των τρανζίστορ και τις ελάχιστες αποστάσεις µεταξύ αυτών. Οι κανόνες σχεδίασης καθορίζονται: 1. είτε σε µικρόµετρα (µm) ή νανόµετρα (nm) 2. είτε µε βάση µια παράµετρο λ Το λ ορίζεται ως το ½ του ελάχιστου µήκους καναλιού του τρανζίστορ. Παράδειγµα: για ελάχιστο µήκος 0.18µm = 180nm λ = 0.09µm Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 27 Κανόνες Σχεδίασης Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 28
Κανόνες Σχεδίασης Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 29 Κανόνες Σχεδίασης Y = A B C Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 30
Κανόνες Σχεδίασης Y = (A + B + C) D Κατασκευή ICs και Κανόνες Σχεδίασης 31