οµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).
|
|
- ÏΚαϊνάμ Μητσοτάκης
- 8 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 οµές MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Τα τρανζίστορ MOSFET είναι διατάξεις ελεγχόµενες από τάση οι οποίες δεν απαιτούν µεγάλα ρεύµατα οδήγησης όπως οι αντίστοιχες διπολικές διατάξεις. Πρόκειται για τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) που λειτουργούν µε τρόπο παρόµοιο µε τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου επαφής (JFET). Η βασική τους διαφορά έναντι των JFET είναι ότι το δυναµικό που ελέγχει τη λειτουργία τους (δυναµικό πύλης) εφαρµόζεται στην ενεργό περιοχή (κανάλι) διαµέσου ενός µονωτικού στρώµατος από κατάλληλο οξείδιο αντί να εφαρµόζεται µέσω µιας p-n επαφής. Τα MOSFET µπορούν να κατασκευαστούν τόσο µεµονωµένα (διακριτά τρανζίστορ) όσο και ως µέρη ενός ευρύτερου ολοκληρωµένου κυκλώµατος. Η ενεργή περιοχή τους µπορεί να είναι ένα κανάλι p-τύπου οπότε το τρανζίστορ χαρακτηρίζεται και ως PMOS ή ένα κανάλι n-τύπου οπότε το τρανζίστορ χαρακτηρίζεται και ως NMOS. Το µεγάλο πλεονέκτηµα των δοµών MOSFET είναι η πολύ µικρή ισχύς τους λόγω του µονωτικού στρώµατος που παρεµβάλλεται µεταξύ πύλης και καναλιού. Λόγω αυτής της µόνωσης τα τρανζίστορ αυτά χαρακτηρίζονται και ως "Insulated Gate Field Effect Transistors" (IGFET) µια ονοµασία πιο γενική µε δεδοµένο ότι οι πύλες δεν είναι πάντα µεταλλικές. Αρχικά οι δοµές MOSFET χρησιµοποιούσαν µεταλλική πύλη, κανάλι πυριτίου και διοξείδιο του πυριτίου ως µονωτικό στρώµα. Στη συνέχεια, οι µεταλλικές πύλες αντικαταστάθηκαν από πύλες πολυκρυσταλλικού πυριτίου (γενιά κόµβων πύλης των 65nm) και οι πιο εξελιγµένες τεχνολογίες έκαναν χρήση οξυνιτριδίου του πυριτίου ως µονωτικού υλικού αντί του διοξειδίου του πυριτίου.
2 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 2 Οι µεταλλικές πύλες επανέρχονται στο προσκήνιο σε συνδυασµό µε τη χρήση διηλεκτρικών υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς ως µονωτικών πύλης, στις τεχνολογίες πύλης των 45nm και κάτω. Αναφορικά τώρα µε τον ηµιαγωγό που χρησιµοποιείται, αυτός είναι κυρίως το πυρίτιο ενώ κατασκευαστές όπως η IBM χρησιµοποιούν καιι το SiGe. Ηµιαγωγοί µε υψηλές επιδόσεις, λόγω αυξηµένης ευκινησίας φορέων σε σχέση µε το πυρίτιο, όπως το GaAs δεν είναι κατάλληλοι για την κατασκευή MOS τρανζίστορ λόγω της αδυναµίας ανάπτυξης του αντίστοιχου οξειδίου του ηµιαγωγού. Η κεντρική ιδέα της λειτουργίας των MOSFET είναι η ακόλουθη: Η εφαρµογή µιας διαφοράς δυναµικού µεταξύ πύλης και πηγής δηµιουργεί ένα ηλεκτρικό πεδίο το οποίο διαπερνά το διηλεκτρικό της πύλης και δηµιουργεί (MOSFET προσαύξησης) ή τροποποιεί (MOSFET διακένωσης) ένα στρώµα αναστροφής. Το στρώµα αναστροφής έχει αντίθετο τύπο αγωγιµότητας από αυτόν του υποβάθρου και ταυτόσηµο µε αυτόν των διαχύσεων σε πηγή και απαγωγό. Σχήµα 1. MOSFET προσαύξησης n-καναλιού (enhancement NMOS) µε το σύµβολό του.
3 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 3 Για παράδειγµα σε µια δοµή όπως αυτή του σχήµατος 1 όπου η πηγή (S) και ο απαγωγός (D) είναι n-τύπου και το υπόστρωµα p-τύπου, το κανάλι αναστροφής που θα σχηµατιστεί µεταξύ πηγής και απαγωγού µε την εφαρµογή κατάλληλης διαφοράς δυναµικού µεταξύ πύλης και πηγής θα είναι n-τύπου. ηµιουργείται έτσι ένας δίαυλος που επιτρέπει τη ροή του ρεύµατος µεταξύ πηγής και απαγωγού. Η µεταβολή της διαφοράς δυναµικού µεταξύ της πύλης και του σώµατος του υποστρώµατος (που συνήθως το υπόστρωµα βραχυνυκλώνεται µε την πηγή όπως φαίνεται στο σχήµα 2) διαµορφώνει την αγωγιµότητα του καναλιού ελέγχοντας έτσι τη ροή του ρεύµατος µεταξύ πηγής και απαγωγού. Σχήµα 2. MOSFET προσαύξησης n-καναλιού (enhancement NMOS) µε βραχυκύκλωµα µεταξύ της πηγής και του σώµατος του υποστρώµατος (Bulk) µαζί µε το σύµβολό του.
4 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 4 A. MOSFET προσαύξησης (enhancement MOSFET). Α1. Βασικά χαρακτηριστικά. Οι δοµές που παρουσιάστηκαν στα σχήµατα 1 και 2 είναι κατάλληλες για τη λειτουργία ενός MOSFET ως MOSFET προσαύξησης n-καναλιού (enhancement NMOS). Αντίστοιχα οι δοµές των σχηµάτων 3 και 4 είναι κατάλληλες για λειτουργία ως MOSFET προσαύξησης p-καναλιού (enhancement PMOS). Σχήµα 3. MOSFET προσαύξησης p-καναλιού (enhancement PMOS) µε το σύµβολό του. Σχήµα 4. MOSFET προσαύξησης p-καναλιού (enhancement PMOS) µε βραχυκύκλωµα µεταξύ της πηγής και του σώµατος του υποστρώµατος (Bulk) µαζί µε το σύµβολό του.
5 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 5 Στο σχήµα 5 παρουσιάζεται η διαδικασία δηµιουργίας ενός καναλιού αναστροφής (κανάλι n-τύπου) µέσα σε ένα υπόστρωµα p-τύπου, δηµιουργώντας έτσι έναν n-δίαυλο που ενώνει τις n + -τύπου περιοχές της πηγής και του απαγωγού. Όταν στην πύλη δεν εφαρµόζεται κάποιο δυναµικό δεν υπάρχει ο n- δίαυλος και οι n + -τύπου περιοχές του απαγωγού και της πηγής χωρίζονται από το p-τύπου υλικό του υποστρώµατος που είναι πολύ µικρής αγωγιµότητας. Το p-τύπου υπόστρωµα το µονωτικό οξείδιο και η µεταλλική πύλη αποτελούν έναν πυκνωτή. Όταν η µεταλλική πύλη βρεθεί σε θετικό δυναµικό υψηλότερο από αυτό της πηγής (υ GS >0 στο σχήµα 5) συσσωρεύονται σε αυτήν θετικά φορτία τα οποία έλκουν ηλεκτρόνια (φορείς µειονότητας) από το p-υπόστρωµα προς τη διεπιφάνεια µε το οξείδιο απωθώντας παράλληλα τις οπές. Όταν η συσσώρευση αυτών των αρνητικών φορτίων φτάσει σε συγκέντρωση τέτοια ώστε να ξεπερνά τη συγκέντρωση των φορέων πλειονότητας (οπών) του p-υποστρώµατος επέρχεται η αναστροφή του τύπου αγωγιµότητας και σχηµατίζεται ένας οµοιογενής δίαυλος τύπου n στο p- υπόστρωµα, όπως φαίνεται στο σχήµα 5. Για να µπορέσει η συγκέντρωση ηλεκτρονίων να ξεπεράσει τοπικά - κοντά στο µονωτικό στρώµα και κατά µήκος ολόκληρης της έκτασης της πύλης- αυτήν των οπών χρειάζεται η τάση υ GS να ξεπεράσει κάποια τιµή κατωφλίου V T (Threshold Voltage) που είναι της τάξης των 1-4V. Το κατώφλι αυτό είναι αντίστοιχο σε ρόλο µε το δυναµικό pinch off, V P, που παρουσιάστηκε στο κεφάλαιο των JFET. Ο σχηµατισµός του διαύλου ουσιαστικά ισοδυναµεί µε τη δηµιουργία ενός καναλιού υψηλής αγωγιµότητας µεταξύ πηγής και απαγωγού. Όσο το θετικό δυναµικό της πύλης αυξάνει τόσο αυξάνεται και η αγωγιµότητα του διαύλου.
6 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 6 Σχήµα 5. MOSFET προσαύξησης n-καναλιού (enhancement NMOS). ηµιουργία του n-καναλιού όταν η θετική τάση υ GS ξεπεράσει την τιµή κατωφλίου V Τ. Αν στη συνέχεια ο απαγωγός έρθει σε θετικό δυναµικό σε σχέση µε την πηγή θα παρουσιαστεί ροή ρεύµατος µεταξύ πηγής και απαγωγού ενώ παράλληλα λόγω της πτώσης τάσης που προκαλεί το ρεύµα κατά µήκος της αντίστασης του διαύλου το σχήµα του διαύλου θα τροποποιηθεί παρουσιάζοντας µια συρρίκνωση προς την περιοχή του απαγωγού (σχήµα 6). Αν µε τη µεταβλητή x συµβολίσουµε την απόσταση ενός σηµείου του διαύλου από την πηγή τότε το δυναµικό του σηµείου αυτού µε αναφορά το δυναµικό της πηγής θα είναι υ XS. Το δυναµικό υ XS των σηµείων του διαύλου αυξάνεται καθώς κινούµαστε από την πηγή προς τον απαγωγό. Για να συντηρείται δίαυλος σε κάποια θέση x µεταξύ πηγής και απαγωγού θα πρέπει η διαφορά δυναµικού υ GX να είναι τουλάχιστον ίση ή να ξεπερνά το δυναµικό κατωφλίου V T.
7 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 7 Σχήµα 6. MOSFET προσαύξησης n-καναλιού (enhancement NMOS). Τροποποίηση της µορφής του καναλιού υπό την επίδραση διαφοράς δυναµικού υ DS µεταξύ απαγωγού και πηγής. Ένα χρήσιµο µέγεθος που δείχνει το κατά πόσο σε κάποιο σηµείο x µεταξύ πηγής και απαγωγού συντηρείται η αναστροφή τύπου αγωγιµότητας, υπάρχει δηλαδή ο δίαυλος, είναι το δυναµικό διατήρησης διαύλου, V δδ : V δδ = υ V (1) GX T Στα σηµεία όπου το δυναµικό αυτό είναι θετικό ο n-δίαυλος συντηρείται στα σηµεία όπου αλλάζει πρόσηµο και γίνεται αρνητικό ο δίαυλος παύει να υφίσταται. Όταν ο δίαυλος διατηρείται σε όλο του το µήκος από την πηγή στον απαγωγό η αγωγιµότητα του MOSFET χαρακτηρίζεται ως µη κορεσµένη. Το ρεύµα i D, που ρέει στην περίπτωση αυτή µεταξύ πηγής και απαγωγού εξαρτάται τόσο από το υ DS όσο και από το υ GS, και αυξάνει
8 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 8 µε την αύξησή τους. Όταν ο δίαυλος κλείνει από κάποιο σηµείο του µέχρι τον απαγωγό η αγωγιµότητα χαρακτηρίζεται ως κορεσµένη και το ρεύµα που ρέει µεταξύ πηγής και απαγωγού είναι ανεξάρτητο της διαφοράς δυναµικού υ DS στους δύο αυτούς ακροδέκτες και εξαρτάται µόνο από το υ GS. Όταν ο δίαυλος δεν σχηµατίζεται καθόλου (υ GS < V T ) τότε το τρανζίστορ βρίσκεται σε αποκοπή και το ρεύµα µηδενίζεται. ΠΑΡΑ ΕΙΓΜΑ 1. Μη κορεσµένη αγωγιµότητα. Σχήµα 7. MOSFET προσαύξησης n-καναλιού (enhancement NMOS). Κατάσταση µη-κορεσµένης αγωγιµότητας (non-saturated conduction). Στη διάταξη του σχήµατος 7 µπορεί εύκολα να αποδειχθεί µε τη βοήθεια της έννοιας του δυναµικού διατήρησης διαύλου ότι ο δίαυλος δεν κλείνει σε κανένα σηµείο µεταξύ πηγής και απαγωγού και κατά συνέπεια η αγωγιµότητά του χαρακτηρίζεται ως µη κορεσµένη. Η εξίσωση 1 για µεγαλύτερη ευκολία µπορεί να γραφεί ως εξής: Vδδ = υgx VT = υgs υxs VT (2)
9 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 9 Η εφαρµογή της εξίσωσης 2 για τα δύο άκρα του εν δυνάµει διαύλου δίνει τα εξής αποτελέσµατα: Vδδ = υ V = υ υ V = ΑΚΡΟ ΠΗΓΗΣ GX T GS XS T = 10V Vδδ = υ V = υ υ V = ΑΚΡΟ ΑΠΑΓΩΓΟΥ GX T GS XS T υ υ V = = 6V GS DS T Παρατηρούµε ότι και στα δύο άκρα το δυναµικό διατήρησης είναι θετικό οπότε ο δίαυλος υφίσταται σε ολόκληρη τη διαθέσιµή του έκταση (από την πηγή ως τον απαγωγό). ΠΑΡΑ ΕΙΓΜΑ 2. Κορεσµένη αγωγιµότητα. Σχήµα 8. MOSFET προσαύξησης n-καναλιού (enhancement NMOS). Κατάσταση κορεσµένης αγωγιµότητας (saturated conduction).
10 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 10 Η εφαρµογή της εξίσωσης 2 για τα δύο άκρα του εν δυνάµει διαύλου της διάταξης του σχήµατος 8 δίνει τα εξής αποτελέσµατα: Vδδ = υ V = υ υ V = ΑΚΡΟ ΠΗΓΗΣ GX T GS XS T 7 0 2= 5V Vδδ = υ V = υ υ V = ΑΚΡΟ ΑΠΑΓΩΓΟΥ GX T GS XS T υ υ V = = 5V GS DS T Παρατηρούµε ότι στο άκρο της πηγής ο δίαυλος υφίσταται αφού εκεί είναι V δδ = 5V >0. Αντίθετα στο άκρο του απαγωγού ο δίαυλος δε διατηρείται αφού V δδ = -5V < 0. Επειδή µάλιστα στον απαγωγό η τιµή του συγκεκριµένου δείκτη, δηλαδή του δυναµικού διατήρησης, είναι αρκετά χαµηλότερη της κρίσιµης τιµής των 0V. Αναµένεται πως ο δίαυλος θα κλείνει σε µια ενδιάµεση θέση µεταξύ πηγής και απαγωγού. Σχήµα 9. MOSFET προσαύξησης n-καναλιού (enhancement NMOS). Το κανάλι κλείνει σε µια απόσταση L K από την πηγή.
11 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 11 Σχήµα 10. MOSFET προσαύξησης n-καναλιού (enhancement NMOS). Το κανάλι κλείνει στον απαγωγό (pinch off). Σχήµα 11. MOSFET προσαύξησης n-καναλιού (enhancement NMOS). Το κανάλι δεν κλείνει.
12 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 12 Για µεγαλύτερη εµπέδωση της όλης συµπεριφοράς του διαύλου, στα σχήµατα 9-11 παρουσιάζεται σε µορφή διαγραµµάτων η γραφική παράσταση του δυναµικού του υ XS του εν δυνάµει διαύλου στα διάφορα σηµεία του συναρτήσει της απόστασής τους x από την πηγή. Με την κίτρινου χρώµατος σκίαση καταδεικνύονται στα τρία διαγράµµατα οι θέσεις του εν δυνάµει διαύλου για τις οποίες ο δίαυλος διατηρείται και ισχύει: V υ δδ = υ V > 0 (3) GX T < υ V (4) XS GS T Η τελευταία ανισότητα ουσιαστικά εκφράζει τη σύγκριση µεταξύ της υ XS και του ορίου υ GS V T το οποίο παρουσιάζεται και στα τρία σχήµατα. Όταν η υ XS ξεπερνά αυτό το όριο ο δίαυλος κλείνει. Έτσι στο σχήµα 9 ο δίαυλος κλείνει σε µια απόσταση L K µακριά από την πηγή πριν φτάσει στον απαγωγό, στο σχήµα 10 κλείνει ακριβώς πάνω στον απαγωγό ενώ στο σχήµα 11 δεν κλείνει καθόλου αφού η καµπύλη της υ XS δεν προλαβαίνει να τµήσει την ευθεία υ GS V T. Από τη µελέτη των σχηµάτων 9-11 προκύπτει επίσης ότι για σταθερή τιµή της υ GS, ο δίαυλος κλείνει ολοένα και πιο κοντά προς την πηγή όσο η τάση υ DS αυξάνει.
13 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 13 Α2. Το ρεύµα στις τρεις καταστάσεις λειτουργίας του MOSFET προσαύξησης. Σχήµα 12. Χαρακτηριστικές i D -υ DS MOSFET προσαύξησης. Σχήµα 13. Χαρακτηριστική µεταφοράς MOSFET προσαύξησης. Η χαρακτηριστική µεταφοράς υπολογίζεται για σταθερή τιµή της υ DS.
14 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 14 Στα σχήµατα 12 και 13 παρουσιάζονται οι χαρακτηριστικές ρεύµατος του MOSFET προσαύξησης. Ο γεωµετρικός τόπος που χωρίζει τη µη κορεσµένη αγωγιµότητα από την κορεσµένη στο σχήµα 12 αντιστοιχεί στα σηµεία εκείνα για τα οποία κλείνει ο δίαυλος στον απαγωγό, και κατά συνέπεια ισχύει: υ = V υ υ = V GD T GS DS T υ = υ V (5) DS GS T Γενικά για το ρεύµα στις τρεις διαφορετικές καταστάσεις λειτουργίας του MOSFET προσαύξησης n-καναλιού ισχύουν τα ακόλουθα: 1. Περιοχή αποκοπής (cut-off ή sub-threshold περιοχή). Στην περιοχή αυτή, που αντιστοιχεί σε υ GS < V T, ο δίαυλος κλείνει στη θέση της πηγής (δε σχηµατίζεται δηλαδή καθόλου δίαυλος) και το ρεύµα που ρέει µεταξύ πηγής και απαγωγού στην ιδανική περίπτωση είναι µηδέν. Στην πραγµατικότητα όµως, λόγω του ότι οι ενέργειες των ηλεκτρονίων ακολουθούν την κατανοµή Boltzmann υπάρχουν πάντα κάποια ενεργητικά ηλεκτρόνια στην πηγή που εισέρχονται στην p-περιοχή και φτάνουν στον απαγωγό δηµιουργώντας ένα ρεύµα διαρροής (sub-threshold leakage) που είναι εκθετική συνάρτηση της τάσης υ GS. 2. Περιοχή τριόδου ή γραµµικής λειτουργίας. Οι συνθήκες για να βρεθεί το MOSFET σε αυτήν την περιοχή λειτουργίας είναι: υ GS > V T και υ DS < V GS -V T. Το τρανζίστορ αρχίζει να λειτουργεί καθώς τώρα δηµιουργείται ένα n-τύπου κανάλι που συνδέει πηγή και απαγωγό και επιτρέπει τη ροή ρεύµατος µεταξύ των δύο αυτών
15 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 15 περιοχών. Στην περιοχή αυτή το MOSFET συµπεριφέρεται σαν µια αντίσταση ελεγχόµενη από τάση. Μια αντίσταση που ελέγχεται τόσο από την τάση υ DS όσο και από την τάση υ GS. Λόγω αυτής της εξάρτησης, το ρεύµα i D που διαρρέει το κανάλι θα γράφεται σα συνάρτηση των τάσεων υ DS και υ GS : W 2 υ DS id = µ ncox ( υgs VT) υds = L 2 µε 2 n W DS ( GS VT ) υ = υ υds = tox L 2 υ = β ( υgs VT ) υds 2 2 DS όπου: µ n η ευκινησία των ελευθέρων φορέων, ε η ηλεκτρική διαπερατότητα του οξειδίου C OX η χωρητικότητα της πύλης ανά µονάδα επιφάνειας, t OX το πάχος του µονωτικού οξειδίου πύλης, W το εύρος του καναλιού (σχήµα 14), L το µήκος του καναλιού (σχήµα 14) και β ο παράγοντας ενίσχυσης (gain factor) του MOS τρανζίστορ. (6) 3. Περιοχή κόρου (saturation). Οι συνθήκες για να βρεθεί το MOSFET σε αυτήν την περιοχή λειτουργίας είναι: υ GS > V T και υ DS > V GS -V T. Το κανάλι - όπως ήδη προαναφέρθηκε - είναι εν µέρει σχηµατισµένο. Καλύπτει ένα συγκεκριµένο κλάσµα του συνολικού µήκους L του εν δυνάµει καναλιού, από την πηγή µέχρι ένα µήκος L K, όπως φαίνεται και στο σχήµα.9, ενώ στο υπόλοιπο
16 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 16 τµήµα µέχρι τον απαγωγό είναι κλειστό. Το ρεύµα κάτω από αυτές τις συνθήκες µπορεί να θεωρηθεί σε πρώτη προσέγγιση αναξάρτητο της τάσης υ DS : µ ncox W 2 β 2 id = ( υgs VT) = ( υgs VT) (7) 2 L 2 Οι εξισώσεις 6 και 7 ισχύουν και για PMOS τρανζίστορ µε τη διαφορά ότι πρέπει ρεύµατα και τάσεις έχουν αντίθετο πρόσηµο και η ευκινησία των ηλεκτρονίων, µ n, να αντικατασταθεί από την ευκινησία των οπών, µ p. Σχήµα 14. MOSFET προσαύξησης n-καναλιού (enhancement NMOS). Γεωµετρικά χαρακτηριστικά. ΕΠΙΣΗΜΑΝΣΗ 1. Οριοθέτηση περιοχής κορεσµού. Αν στις εξισώσεις 6 και 7 αντικαταστήσουµε το υgs VT µε το υ DS (µε βάση την εξίσωση 5) τότε θα προκύψει η χαρακτηριστική εξίσωση
17 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 17 του γεωµετρικού τόπου των σηµείων του επιπέδου i D -υ DS που χωρίζουν την κορεσµένη από τη µη-κορεσµένη αγωγιµότητα. Οι εξισώσεις 6 και 7 καταλήγουν στην ακόλουθη µορφή του γεωµετρικού τόπου συνόρου: β υ 2 2 i D GS = (8) ΕΠΙΣΗΜΑΝΣΗ 2. ιαµόρφωση µήκους καναλιού. Παρατηρώντας τις χαρακτηριστικές του σχήµατος 12, γίνεται φανερό πως η εξίσωση 7 ισχύει µόνο σε πρώτη προσέγγιση αφού οι χαρακτηριστικές στην περιοχή του κόρου δεν είναι οριζόντιες αλλά το ρεύµα i D παρουσιάζει µια ασθενική αύξηση συναρτήσει της τάσης υ DS. Το φαινόµενο αυτό οφείλεται στη διαµόρφωση του µήκους του διαύλου κατά τη µεταβολή της τάσης υ DS και όταν λαµβάνεται υπόψη η εξίσωση 7 τροποποιείται στην : i β 2 = ( υ V ) ( 1 + λυ ) (9) 2 D GS T DS όπου λ (το 1/λ ονοµάζεται τάση Early) είναι ένας εµπειρικός παράγοντας διαµόρφωσης του µήκους του καναλιού (channel length modulation factor) που η τιµή του µεταβάλλεται στην περιοχή V -1. ΕΠΙΣΗΜΑΝΣΗ 3. Φαινόµενο σώµατος (body effect). Το φαινόµενο σώµατος αναφέρεται στην εξάρτηση του δυναµικού κατωφλίου, V T, από τη διαφορά δυναµικού µεταξύ της πηγής και του σώµατος (bulk) του υποστρώµατος 1. Στα σχήµατα 2,4,7 και 8 η πηγή µε τον ακροδέκτη του υποστρώµατος παρουσιάζονται βραχυκυκλωµένες. Κάτω από αυτές τις συνθήκες το δυναµικό κατωφλίου χαρακτηρίζεται ως 1 Το σώµα του υποστρώµατος πολλές φορές χρησιµοποιείται ως δεύτερη πύλη και χαρακτηρίζεται τότε σαν πίσω πύλη (back gate).
18 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 18 V T0. Αν µεταξύ της πηγής και του υποστρώµατος η διαφορά δυναµικού πάρει µη µηδενική τιµή, V SB 0, τότε το δυναµικό κατωφλίου γράφεται σα συνάρτηση της V SB ως: ( ) VT = VT0 + γ VSB + 2φF 2φF (10) όπου: γ η παράµετρος του φαινοµένου σώµατος και φ F η παράµετρος επιφανειακού δυναµικού Η παράµετρος γ γράφεται ως: γ t OX = εox 2qε N Si SUB όπου: q το φορτίο του ηλεκτρονίου, t OX το πάχος του µονωτικού οξειδίου πύλης, ε OX η διηλεκτρική σταθερά του οξειδίου, ε Si η διηλεκτρική σταθερά του πυριτίου και Ν SUB η συγκέντρωση φορέων του υποστρώµατος. (11) Α3. Η ανάγκη ελέγχου του V T και της χρήσης µονωτικών πύλης υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς. Ο έλεγχος του δυναµικού κατωφλίου, V T, είναι ένα πολύ βασικό ζήτηµα στη µικροηλεκτρονική. Όταν δεν είναι επιθυµητή η δηµιουργία στρωµάτων αναστροφής (του τύπου αγωγιµότητας) το δυναµικό κατωφλίου ρυθµίζεται ώστε να έχει µεγάλη τιµή. Ιδιαίτερα σε περιοχές ανάµεσα σε τρανζίστορ, η αναστροφή αποφεύγεται µε διαχύσεις ή
19 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 19 εµφυτεύσεις προσµίξεων σε µεγάλη συγκέντρωση, ή µε χρήση παχύτερου µονωτικού στρώµατος. Αντίθετα στα MOS τρανζίστορ η δηµιουργία στρώµατος αναστροφής είναι επιθυµητή. Υπάρχουν δύο κύριοι τρόποι για να ρυθµιστεί σε επιθυµητά επίπεδα το δυναµικό κατωφλίου. Ο ένας είναι η µεταβολή, µε εµφύτευση ιόντων, της συγκέντρωσης προσµίξεων στη διεπιφάνεια πυριτίου µονωτή και ο άλλος είναι η χρήση µονωτικού υλικού διαφορετικού από το διοξείδιο του πυριτίου. Χαρακτηριστικό παράδειγµα στην τελευταία περίπτωση είναι η χρήση του νιτριδίου του πυριτίου (Si 3 N 4 ) ως µονωτικού υλικού. Το Si 3 N 4 έχει διηλεκτρική σταθερά 7.5 ενώ το SiO 2 3.9, γεγονός που σηµαίνει ότι αν για το ίδιο πάχος µονωτικού υλικού χρησιµοποιηθεί το νιτρίδιο αντί του διοξειδίου του πυριτίου, το στρώµα που θα προκύψει θα αντιστοιχεί σε λεπτότερο στρώµα διοξειδίου του πυριτίου. Η τάση για περιορισµό των διαστάσεων στη µικροηλεκτρονική έχει οδηγήσει στην αναζήτηση διηλεκτρικών πύλης µε υψηλή διηλεκτρική σταθερά. Το διοξείδιο του πυριτίου έχει χρησιµοποιηθεί ως διηλεκτρικό πύλης εδώ και πολλές δεκαετίες. Καθώς όµως τα τρανζίστορ ολοένα συρρικνώνονται σε µέγεθος, το πάχος του διοξειδίου του πυριτίου που χρησιµοποιείται ως διηλεκτρικό πύλης ολοένα µικραίνει µε στόχο την αύξηση της χωρητικότητας πύλης (gate capacitance) και τη βελτιστοποίηση των επιδόσεων. Καθώς όµως το πάχος του οξειδίου πέφτει κάτω από τα 2nm τα ρεύµατα διαρροής λόγο φαινοµένου tunneling αυξάνονται δραστικά υποβαθµίζοντας την αξιοπιστία της συσκευής και οδηγώντας σε ανεπιθύµητη κατανάλωση ενέργειας. Η αντικατάσταση του διοξειδίου του πυριτίου από µονωτικό υλικό µε υψηλότερη διηλεκτρική σταθερά καθιστά εφικτή την επίτευξη υψηλής χωρητικότητας πύλης χωρίς τα ανεπιθύµητα φαινόµενα ρευµάτων διαρροής.
20 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 20 Λαµβάνοντας υπόψη τη σχέση που δίνει τη χωρητικότητα της πύλης (αγνοώντας κβαντοµηχανικά φαινόµενα και φαινόµενα δηµιουργίας περιοχών διακένωσης από το υπόβαθρο πυριτίου και την πύλη): εoxε0a C = t OX όπου: A η επιφάνεια του πυκνωτή που σχηµατίζεται και ε 0 η ηλεκτρική διαπερατότητα του κενού (12) γίνεται εύκολα αντιληπτό ότι αν αντί του στρώµατος του διοξειδίου του πυριτίου πάχους κάτω του 1.5 nm, που παρουσιάζει προβλήµατα λόγω ρευµάτων διαρροής, χρησιµοποιηθεί ένα διηλεκτρικό υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς ε OX συγκριτικά µε αυτήν του SiO 2 πάχους 3nm τότε µπορεί να επιτευχθεί η ίδια χωρητικότητα χρησιµοποιώντας παχύτερο διηλεκτρικό πύλης και κατ επέκταση µειώνοντας σηµαντικά τα ρεύµατα διαρροής. Ήδη από το έτος συγγραφής αυτού του κεφαλαίου (2007) και µε χρονικό ορίζοντα το 2010, εταιρείες όπως οι Intel, IBM, NEC κ.ά έχουν στα πλάνα τους τη µετάβαση σε διηλεκτρικά πύλης υψηλότερης διηλεκτρικής σταθεράς από αυτήν του SiO 2 βασισµένα στο στοιχείο Χάφνιο (Hf), µε πιθανότερα διηλεκτρικά τα : HfSiON, HfO 2 και HfSiO ενώ επίσης έχει παρουσιαστεί ενδιαφέρον και για οξείδια ή πυριτίδια του ζιρκονίου.
21 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 21 Β. MOSFET διακένωσης (depletion MOSFET). Το MOSFET διακένωσης ή αραίωσης έχει µια δοµή που µοιάζει µε αυτήν του MOSFET προσαύξησης µε τη διαφορά ότι στην περιοχή µεταξύ πηγής και απαγωγού προϋπάρχει κανάλι µε τον ίδιο τύπο αγωγιµότητας (σχήµα 15). Σχήµα 15. MOSFET διακένωσης n-καναλιού (depletion NMOS) µε το σύµβολό του. Αν στην πύλη εφαρµοστεί ένα αρνητικό δυναµικό, όπως εικονίζεται στο σχήµα 16, τότε αυτό επάγει θετικά φορτία στο κανάλι. Τα θετικά αυτά επαγόµενα φορτία επανασυντίθενται µε τους φορείς πλειονότητας του n- καναλιού (ηλεκτρόνια) δηµιουργώντας έτσι µια περιοχή εκκένωσης φορέων πλειονότητας. Αν η τάση πύλης γίνει περισσότερο αρνητική, η περιοχή διακένωσης (σχήµα 16) θα διευρυνθεί και το διαθέσιµο n-τύπου κανάλι θα στενέψει ακόµη περισσότερο µέχρι να φτάσει τελικά σε µια τιµή κατωφλίου V T <0 όπου το κανάλι εκκενώνεται ολοκληρωτικά από φορείς πλειονότητας.
22 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 22 Σχήµα 16. MOSFET διακένωσης n-καναλιού (depletion NMOS). Οµοιόµορφος περιορισµός του εύρους του n-τύπου καναλιού υπό την επίδραση αρνητικής τάσης υ GS. Σχήµα 17. MOSFET διακένωσης n-καναλιού (depletion NMOS). Ανοµοιόµορφη διαµόρφωση του εύρους του n-τύπου καναλιού υπό την επίδραση διαφοράς δυναµικού υ DS µεταξύ απαγωγού και πηγής.
23 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 23 Αν παράλληλα µε την αρνητική τάση υ GS, η οποία ας υποτεθεί πως δεν έχει γίνει αρνητικότερη από το κατώφλι (σχήµα 17) εφαρµοστεί και µια θετική τάση υ DS τότε παρατηρείται µια διεύρυνση της περιοχής εκκένωσης στην περιοχή του απαγωγού. Αυτή η ανοµοιοµορφία οφείλεται στην πτώση τάσης κατά µήκος του διαύλου λόγω του ρεύµατος που τον διαρρέει. Αυτή η πτώση τάσης µεγαλώνει όσο κινούµαστε από την πηγή προς τον απαγωγό µε αποτέλεσµα η διεύρυνση της περιοχής εκκένωσης να είναι πιο έντονη στην περιοχή του απαγωγού. Το φαινόµενο αυτό της συρρίκνωσης του διαύλου είναι παρόµοιο µε αυτό που περιγράφηκε στο κεφάλαιο των FET επαφής (JFET). Κατά συνέπεια η λειτουργία του MOSFET διακένωσης για υ GS 0 είναι ταυτόσηµη µε αυτήν του JFET. (Περιοχή κίτρινου χρώµατος στο σχήµα 18). Σχήµα 18. Χαρακτηριστικές i D -υ DS MOSFET διακένωσης. Σκιασµένη περιοχή: λειτουργία παρόµοια µε JFET, µη σκιασµένη περιοχή: λειτουργία παρόµοια µε MOSFET προσαύξησης.
24 Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 24 Αν τώρα το δυναµικό υ GS γίνει θετικό, λόγω του γεγονότος ότι n-τύπου κανάλι υπάρχει εξαρχής η περαιτέρω αύξηση του θετικού δυναµικού της πύλης θα επάγει (λόγω της χωρητικότητας πύλης-διαύλου) ολοένα και περισσότερα αρνητικά φορτία µέσα στο κανάλι αυξάνοντας την αγωγιµότητά του. Κατά συνέπεια, για θετικές τιµές της υ GS το τρανζίστορ συµπεριφέρεται όπως ένα τρανζίστορ προσαύξησης. Η χαρακτηριστική µεταφοράς του MOSFET διακένωσης (σχήµα 19) είναι παρόµοια µε αυτήν του JFET. Σχήµα 19. Χαρακτηριστική µεταφοράς MOSFET διακένωσης. Επίσης, από το σχήµα 18 φαίνεται πως η αγωγιµότητα του MOSFET διακένωσης µπορεί να είναι είτε ωµική είτε κορεσµένη. Οι εξισώσεις 6 και 7 που δίνουν τη µορφή του ρεύµατος στις δύο αυτές περιοχές (µη κορεσµένης και κορεσµένης αντίστοιχα) αγωγιµότητας για την περίπτωση του MOSFET πρσαύξησης ισχύουν και για το MOSFET διακένωσης µε τη διαφορά ότι V T <0.
Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET
Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET 1. Nα σχεδιάσετε τη δομή (διατομή) και το κυκλωματικό σύμβολο ενός τρανζίστορ MOSFET πύκνωσης (ή εμπλουτισμού) καναλιού τύπου n. 2. Να αναπτύξετε τις
Διαβάστε περισσότεραΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Α. Αναστροφέας MOSFET. Α.1 Αναστροφέας MOSFET µε φορτίο προσαύξησης. Ο αναστροφέας MOSFET (πύλη NOT) αποτελείται από
Διαβάστε περισσότεραΒασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική
Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Ηµιαγώγιµα υλικά και πυρίτιο Η κατασκευή ενός ολοκληρωµένου κυκλώµατος γίνεται µε βάση ένα υλικό ηµιαγωγού (semiconductor), το οποίο
Διαβάστε περισσότεραΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ ΕΠΑΦΗΣ (JFET) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (8 η σειρά διαφανειών) Τα μοντέρνα ψηφιακά κυκλώματα (λογικές πύλες, μνήμες, επεξεργαστές και άλλα σύνθετα κυκλώματα) υλοποιούνται σήμερα
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός είδους
Διαβάστε περισσότεραΤα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής
Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Τα πιο βασικά στοιχεία δομής των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) 1 FET Δομή και λειτουργία Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός
Διαβάστε περισσότεραΥ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design
Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ.Ε.
Διαβάστε περισσότεραΜΕΛΕΤΗ TRANSISTOR MOSFET
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΗΠΕΙΡΟΥ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ Τ.Ε. ΜΕΛΕΤΗ TRANSISTOR MOSFET Πτυχιακή εργασία της Μήτσιου Χριστίνας Επιβλέπων Καθηγητής: Αγγέλης Κωνσταντίνος ΑΡΤΑ 2015 Περιεχόμενα
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Αγγελική Αραπογιάννη Σχολή Θετικών Επιστημών Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών The MOS Transistor Polysilicon Aluminum 2 N-MOS Τρανζίστορ Διάταξη τριών
Διαβάστε περισσότεραΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Τρανζίστορ Μετάλλου Οξειδίου MOSFET
ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Τρανζίστορ Μετάλλου Οξειδίου MOSFET Recommended Text: Microelectronic Devices, Keith Leaver (4 th Chapter) Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Behzad Razavi ( nd Chapter)
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική
Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 5: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (MOS-FET, J-FET) Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ. Eλεγχος εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου με την εφαρμογή εξωτερικού δυναμικού στην πύλη (gate, G).
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές
Διαβάστε περισσότεραΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ
ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ 1. ΟΜΗ ΚΑΙ ΑΡΧΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ ΤΟΥ ΙΠΟΛΙΚΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΟΜΗ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar junction transistor-bjt) είναι ένας κρύσταλλος µε τρεις περιοχές εµπλουτισµένες µε προσµίξεις, δηλ. αποτελείται
Διαβάστε περισσότεραΆσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET)
ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 7 Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET) Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η κατανόηση της λειτουργία των
Διαβάστε περισσότερα«Αναθεώρηση των FET Transistor»
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Αναθεώρηση των FET Transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή FET Χαρακτηριστικά Λειτουργία Πόλωση Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για FET ΤΗΜΜΥ - 2
Διαβάστε περισσότεραΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.
12. ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)-Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ ιαφάνεια 1 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου. Αρχή
Διαβάστε περισσότεραΜικροηλεκτρονική - VLSI
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 2: Το Τρανζίστορ Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. Άδειες Χρήσης
Διαβάστε περισσότεραΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ
ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΦΥΣΙΚΗΣ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ & ΔΙΑΤΑΞΕΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ: 10 ΤΙΤΛΟΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΑΣΚΗΣΗΣ: Χαρακτηριστικές n-mosfet ΑΣΚΗΣΗ 10: Το tranitor MOSFET Σε αυτή την Άσκηση θα
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Εισαγωγή σε Βασική Φυσική Στοιχείων MOS
Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός
Διαβάστε περισσότεραHY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα
HY121-Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Συνοπτική παρουσίαση της δομής και λειτουργίας του MOS τρανζίστορ Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Η δομή του τρανζίστορ Όπως ξέρετε υπάρχουν
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 3: Τρανζίστορ FET Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης Το παρόν
Διαβάστε περισσότεραΨηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 5ο. Λιούπης Τεχνολογία CMOS Υλοποιεί την πλειοψηφία των µοντέρνων ψηφιακών κυκλωµάτων λογικές πύλες µνήµες επεξεργαστές άλλα σύνθετα κυκλώµατα Συνδυάζει συµπληρωµατικά pmos και
Διαβάστε περισσότεραHY330 Ψηφιακά Κυκλώματα - Εισαγωγή στα Συστήματα VLSI Διδάσκων: Χ. Σωτηρίου, Βοηθοί: θα ανακοινωθούν http://www.csd.uoc.gr/~hy330 1 Περιεχόμενα Συσκευές στο Πυρίτιο Πυρίτιο n και p Δίοδος Θετική, αρνητική
Διαβάστε περισσότεραΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4ο ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Διπολικά τρανζίστορ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar ή BJT) είναι ένας κρύσταλλος τριών στρωμάτων με διαφορετικό επίπεδο εμπλουτισμού: τον εκπομπό Ε, τη βάση
Διαβάστε περισσότεραΤρανζίστορ FET Επαφής
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου ((FET) FET) Ι Τρανζίστορ Φαινοµένου Ι Γ.Πεδίου Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι 1 Τρανζίστορ
Διαβάστε περισσότεραΣχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I
Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I Επιμέλεια: Γεώργιος Θεοδωρίδης, Επίκουρος Καθηγητής Οδυσσέας Κουφοπαύλου, Καθηγητής Ανδρέας Εμερετλής, Υποψήφιος Διδάκτορας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Τεχνολογίας
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών) Διεργασίες Μικροηλεκτρονικής Τεχνολογίας, Οξείδωση, Διάχυση, Φωτολιθογραφία, Επιμετάλλωση, Εμφύτευση, Περιγραφή CMOS
Διαβάστε περισσότεραΘεωρία MOS Τρανζίστορ
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ I Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Θεωρία MO Τρανζίστορ Κεφάλαιο ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ I Διάρθρωση I ystems ad Comuter Architecture ab 1. Ημιαγωγοί Επαφή. MO τρανζίστορ
Διαβάστε περισσότεραΗ επαφή p n. Η επαφή p n. Υπενθύμιση: Ημιαγωγός τύπου n. Υπενθύμιση: Ημιαγωγός τύπου p
Η επαφή p n Τι είναι Που χρησιμεύει Η επαφή p n p n Η διάταξη που αποτελείται από μία επαφή p n ονομάζεται δίοδος. Άνοδος Κάθοδος Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων
Διαβάστε περισσότεραΆσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET)
Άσκηση Transistors επίδραση Πεδίου (JFET) Εισαγωγή Σκοπός Πειράµατος Στην εργαστηριακή αυτή άσκηση θα µελετηθεί το transistor επίδρασης πεδίου (Field Effect Transistors). Πιο συγκεκριµένα µε την βοήθεια
Διαβάστε περισσότεραΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ
Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ 4.1 MOS Τρανζίστορ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙV ΤΟ MOS ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 4.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής
Διαβάστε περισσότεραΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΔΙΟΔΟΣ (Μάθημα 4 ο 5 ο 6 ο 7 ο ) 1/12 4 o εργαστήριο Ιδανική δίοδος n Συμβολισμός της διόδου n 2/12 4 o εργαστήριο Στατική χαρακτηριστική διόδου Άνοδος (+) Κάθοδος () Αν στην ιδανική
Διαβάστε περισσότεραΣε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους
3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ
Διαβάστε περισσότεραΗ αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.
3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ
Διαβάστε περισσότεραΔιατάξεις ημιαγωγών. Δίοδος, δίοδος εκπομπής φωτός (LED) Τρανζίστορ. Ολοκληρωμένο κύκλωμα
Δίοδος, δίοδος εκπομπής φωτός (LED) Διατάξεις ημιαγωγών p n Άνοδος Κάθοδος Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Άνοδος Κάθοδος dpapageo@cc.uoi.gr http://pc64.materials.uoi.gr/dpapageo
Διαβάστε περισσότεραΧαρακτηρισμός και μοντέλα τρανζίστορ λεπτών υμενίων βιομηχανικής παραγωγής: Τεχνολογία μικροκρυσταλλικού πυριτίου χαμηλής θερμοκρασίας
Χαρακτηρισμός και μοντέλα τρανζίστορ λεπτών υμενίων βιομηχανικής παραγωγής: Τεχνολογία μικροκρυσταλλικού πυριτίου χαμηλής θερμοκρασίας Υποψήφιος Διδάκτορας: Α. Χατζόπουλος Περίληψη Οι τελευταίες εξελίξεις
Διαβάστε περισσότεραΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ A. Πίνακες αληθείας λογικών πυλών. Στη θετική λογική το λογικό 0 παριστάνεται µε ένα χαµηλό δυναµικό, V L, ενώ το λογικό 1
Διαβάστε περισσότεραΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Σχήμα 1 Σχήμα 2 Σχήμα 3
ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Μάθημα: Φυσική Ημιαγωγών και Διατάξεων Εξεταστική Περίοδος: Ιούνιος 017 Καθηγητής: Δ. Τριάντης ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ ΘΕΜΑ 1 Ο (+=4 ΜΟΝΑΔΕΣ) Α) Θεωρούμε μια διάταξη MIS (Metal: Al, Isulator:
Διαβάστε περισσότεραΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Διάλεξη 2: Δίοδος pn Δρ Δημήτριος Λαμπάκης 1 Δίοδος pn Είναι μια μη γραμμική συσκευή Η γραφική παράσταση του ρεύματος σε σχέση με την τάση δεν είναι ευθεία γραμμή Η εξωτερική τάση
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI
Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1 Δομή Παρουσίασης MOSFET
Διαβάστε περισσότεραΠεριεχόμενο της άσκησης
Προαπαιτούμενες γνώσεις Επαφή p- Στάθμη Fermi Χαρακτηριστική ρεύματος-τάσης Ορθή και ανάστροφη πόλωση Περιεχόμενο της άσκησης Οι επαφές p- παρουσιάζουν σημαντικό ενδιαφέρον επειδή βρίσκουν εφαρμογή στη
Διαβάστε περισσότεραΗΥ-121: Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Γιώργος Δημητρακόπουλος. Βασικές Αρχές Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων
Πανεπιστήμιο Κρήτης Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών ΗΥ-121: Ηλεκτρονικά Κυκλώματα Γιώργος Δημητρακόπουλος Άνοιξη 2008 Βασικές Αρχές Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Ηλεκτρικό ρεύμα Το ρεύμα είναι αποτέλεσμα της κίνησης
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική. Ενότητα 9: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (FET) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών
Ηλεκτρονική Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενο ενότητας (1 από 2) Τύποι τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (JFET, MOSFET, MESFET). Ομοιότητες και διαφορές των FET με τα διπολικά
Διαβάστε περισσότεραΚατασκευή διατάξεων µικροηλεκτρονικής.
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 Κατασκευή διατάξεων µικροηλεκτρονικής. Α. ιεργασίες κατασκευής ολοκληρωµένων κυκλωµάτων. Η επίπεδη τεχνολογία κατασκευής ολοκληρωµένων κυκλωµάτων περιλαµβάνει
Διαβάστε περισσότεραΆσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας
Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας ΔΙΟΔΟΣ Οι περισσότερες ηλεκτρονικές συσκευές όπως οι τηλεοράσεις, τα στερεοφωνικά συγκροτήματα και οι υπολογιστές χρειάζονται τάση dc για να λειτουργήσουν σωστά.
Διαβάστε περισσότεραΠΑΡΑΓΩΓΗ ΜΙΚΡΟΚΥΜAΤΩΝ ΜΕ ΔΙΟΔΟ GUNN
ΠΑΡΑΓΩΓΗ ΜΙΚΡΟΚΥΜAΤΩΝ ΜΕ ΔΙΟΔΟ GUNN Το φαινόμενο Gunn, ή το φαινόμενο των μεταφερόμενων ηλεκτρονίων, που ανακαλύφθηκε από τον Gunn το 1963 δηλώνει ότι όταν μια μικρή τάση DC εφαρμόζεται κατά μήκος του
Διαβάστε περισσότεραΚΕΦΑΛΑΙΟ 8. Η δοµή του JFET n-διαύλου φαίνεται στο σχήµα 8.1. Σχ.8.1. οµή του JFET (α) και επικρατέστερο σύµβολο για n-διαύλου (β) και p-διαύλου (γ).
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 8 8.1 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) χαρακτηρίζονται ως τρανζίστορ µονοφυούς αγωγιµότητας διότι οι φορείς ρεύµατος είναι µόνο ενός είδους, δηλαδή ηλεκτρόνια
Διαβάστε περισσότεραΒιοµηχανικά Ηλεκτρονικά (Industrial Electronics) Κ.Ι.Κυριακόπουλος Καθηγητής Ε.Μ.Π.
Βιοµηχανικά Ηλεκτρονικά (Industrial Electronics) Κ.Ι.Κυριακόπουλος Καθηγητής Ε.Μ.Π. Εισαγωγή Control Systems Laboratory Γιατί Ηλεκτρονικά? Τι είναι τα Mechatronics ( hrp://mechatronic- design.com/)? Περιεχόμενο
Διαβάστε περισσότεραΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου
Απαραίτητα όργανα και υλικά ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου 7. Απαραίτητα όργανα και υλικά. Τροφοδοτικό DC.. Πολύμετρα (αμπερόμετρο, βολτόμετρο).. Πλακέτα για την
Διαβάστε περισσότεραΤρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου (FET) FET) Ι VLI Techology ad Comuter Architecture Lab Τρανζίστορ Φαινοµένου Ι Γ.Πεδίου Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ
Διαβάστε περισσότεραΗ αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.
3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ & ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΑ
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ & ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΑ 1 ΝΟΜΟΣ ΤΟΥ OHM (ΩΜ) Για πολλά υλικά ο λόγος της πυκνότητας του ρεύματος προς το ηλεκτρικό πεδίο είναι σταθερός και ανεξάρτητος από το ηλεκτρικό
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στις κρυσταλλολυχνίες (Transistors)
Εισαγωγή στις κρυσταλλολυχνίες (Transistors) Dr. Petros Panayi Διακόπτες Ένας διακόπτης είναι μια συσκευή που αλλάζει τη ροή ενός κυκλώματος. Το πρότυπο είναι μια μηχανική συσκευή (παραδείγματος χάριν
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική Φυσική (Εργαστήριο) ρ. Κ. Ι. ηµητρίου ΙΟ ΟΙ
Ηλεκτρονική Φυσική (Εργαστήριο) ρ. Κ. Ι. ηµητρίου ΙΟ ΟΙ Για να κατανοήσουµε τη λειτουργία και το ρόλο των διόδων µέσα σε ένα κύκλωµα, θα πρέπει πρώτα να µελετήσουµε τους ηµιαγωγούς, υλικά που περιέχουν
Διαβάστε περισσότερα3 η διάλεξη Συσκευές στο Πυρήτιο
3 η διάλεξη Συσκευές στο Πυρήτιο 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Η δίοδος συναντάται ως δομή σε κάθε MOS τρανζίστορ. Αποτελείται από δυο ομοιογενείς περιοχές n και p πυριτίου, οι οποίες διαχωρίζονται από ένα χώρο μετάβασης
Διαβάστε περισσότερα«Τεχνολογίες ολοκληρωμένων κυκλωμάτων»
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Τεχνολογίες ολοκληρωμένων κυκλωμάτων» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Σκοπός διάλεξης Γνωριμία κυρίως με τη MOS και τη διπολική τεχνολογία ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
Διαβάστε περισσότεραΝανοηλεκτρονικές Διατάξεις Π. Φωτόπουλος ΠΑΔΑ
1. Απεικονίστε την διαδρομή του ηλεκτρονίου στην αγωγή με σκέδαση και στην βαλλιστική αγωγή. Υπολογίστε τι μήκος πρέπει να έχει ένας αγωγός GaAs ώστε η αγωγή να γίνεται βαλλιστικά Δίνεται: η ευκινησία
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική Μάθημα V Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου. Καθηγητής Αντώνιος Γαστεράτος Τμήμα Μηχανικών Παραγωγής και Διοίκησης, Δ.Π.Θ.
Ηλεκτρονική Μάθημα V Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Καθηγητής Αντώνιος Γαστεράτος Τμήμα Ε.ΔΙ.Π. Μηχανικών Δρ. Αθανάσιος Παραγωγής Ψωμούλης και Διοίκησης, Δ.Π.Θ. Τμήμα Μηχανικών Παραγωγής και Διοίκησης, Δ.Π.Θ.
Διαβάστε περισσότεραΣχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I
Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I 2 η Εργαστηριακή Άσκηση Μελέτη των Παρασιτικών Χωρητικοτήτων και της Καθυστέρησης στα Κυκλώματα CMOS Άδειες Χρήσης Το παρόν υλικό διατίθεται με τους όρους της
Διαβάστε περισσότερα3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ
3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 3. ΙΟ ΟΣ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΙΟ ΩΝ Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν 3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια
Διαβάστε περισσότεραΤο MOS τρανζίστορ και οι ιδιότητες του
Το MOS τρανζίστορ και οι ιδιότητες του Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Φθινόπωρο 2008 1 Αναλογία φορτίου νερού Ενα μόριο νερού με μάζα m σε ύψος h έχει ενέργεια
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor
Κεφάλαιο Ένα: 1.1 Εισαγωγή Το 1951 ο William Schockley εφεύρε το πρώτο transistor επαφής, µια ηµιαγωγική διάταξη η οποία µπορεί να ενισχύσει ηλεκτρονικά σήµατα, όπως ραδιοφωνικά και τηλεοπτικά σήµατα.
Διαβάστε περισσότεραΤΟΜΕΑΣ ΦΥΣΙΚΗΣ ΕΡΕΥΝΗΤΙΚΟ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ - ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΣ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΟΣ
ΤΟΜΕΑΣ ΦΥΣΙΚΗΣ ΕΡΕΥΝΗΤΙΚΟ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ - ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΣ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΟΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΣΕ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ Οι ηλεκτρικές μετρήσεις χρησιμοποιούνται για τη μελέτη της ηλεκτρικής συμπεριφοράς
Διαβάστε περισσότεραΘέµατα Εξετάσεων 94. δ. R
Θέµατα Εξετάσεων 94 Συνεχές ρεύµα 42) Ο ρόλος µιας ηλεκτρικής πηγής σ' ένα κύκλωµα είναι: α) να δηµιουργεί διαφορά δυναµικού β) να παράγει ηλεκτρικά φορτία γ) να αποθηκεύει ηλεκτρικά φορτία δ) να επιβραδύνει
Διαβάστε περισσότεραΛογικά Κυκλώματα CMOS. Διάλεξη 5
Λογικά Κυκλώματα CMOS Διάλεξη 5 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή Η τεχνολογία αντιστροφέων CMOS Λειτουργία του κυκλώματος Χαρακτηριστική μεταφοράς τάσης Περιθώρια θορύβου Κατανάλωση ισχύος Οι πύλες CMOS NOR
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονικά Ισχύος. ίοδος
Ηλεκτρονικά Ισχύος Πρόκειται για στοιχεία κατασκευασμένα από υλικά με συγκεκριμένες μη γραμμικές ηλεκτρικές ιδιότητες (ημιαγωγά στοιχεία) Τα κυριότερα από τα στοιχεία αυτά είναι: Η δίοδος Το thyristor
Διαβάστε περισσότεραΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ
ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Ηλεκτρικό κύκλωμα ονομάζεται μια διάταξη που αποτελείται από ένα σύνολο ηλεκτρικών στοιχείων στα οποία κυκλοφορεί ηλεκτρικό ρεύμα. Τα βασικά ηλεκτρικά στοιχεία είναι οι γεννήτριες,
Διαβάστε περισσότερα12. Εάν ένα κομμάτι ημιαγωγού τύπου n και ένα κομμάτι ΟΧΙ
Πρόβλημα 1 Απαντήστε στις ερωτήσεις Σωστό 1. Οι ημιαγωγοί δεν είναι καλοί αγωγοί ούτε καλοί μονωτές. * ΝΑΙ 2. Το ιόν είναι ένα άτομο που έχει χάσει ή έχει προσλάβει ένα ΝΑΙ ή περισσότερα ηλεκτρόνια. 3.
Διαβάστε περισσότεραΑνάστροφη πόλωση της επαφής p n
Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων dpapageo@cc.uoi.gr http://pc164.materials.uoi.gr/dpapageo Επαφή p n Ανάστροφη πόλωση Πολώνουμε
Διαβάστε περισσότεραΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ. Εργαστήριο Φυσικής IΙ. Μελέτη της απόδοσης φωτοβολταϊκού στοιχείου με χρήση υπολογιστή. 1. Σκοπός. 2. Σύντομο θεωρητικό μέρος
ΘΕΩΡΗΤΙΚΟ ΜΕΡΟΣ 1. Σκοπός Το φωτοβολταϊκό στοιχείο είναι μία διάταξη ημιαγωγών η οποία μετατρέπει την φωτεινή ενέργεια που προσπίπτει σε αυτήν σε ηλεκτρική.. Όταν αυτή φωτιστεί με φωτόνια κατάλληλης συχνότητας
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 Η ΙΟ ΟΣ ΕΠΑΦΗΣ
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-48) 1 Η ΙΟ ΟΣ ΕΠΑΦΗΣ Κατά τη δηµιουργία µιας -n επαφής αρχικά υπάρχουν µόνο οπές στην -περιοχή και µόνο ηλεκτρόνια στην n-περιοχή. Οι οπές µε τα αρνητικά ιόντα της πρόσµιξης
Διαβάστε περισσότερα6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC
6η Εργαστηριακή Άσκηση Μέτρηση διηλεκτρικής σταθεράς σε κύκλωµα RLC Θεωρητικό µέρος Αν µεταξύ δύο αρχικά αφόρτιστων αγωγών εφαρµοστεί µία συνεχής διαφορά δυναµικού ή τάση V, τότε στις επιφάνειές τους θα
Διαβάστε περισσότεραΆσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης
ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 5 Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη των
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 8. Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET)
Κεφάλαιο 8. Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σύνοψη Στο κεφάλαιο αυτό αναλύεται η λειτουργία του τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (Field Effect Transistor -FET), μελετώνται τα χαρακτηριστικά του καθώς και
Διαβάστε περισσότεραηλεκτρικό ρεύµα ampere
Ηλεκτρικό ρεύµα Το ηλεκτρικό ρεύµα είναι ο ρυθµός µε τον οποίο διέρχεται ηλεκτρικό φορτίο από µια περιοχή του χώρου. Η µονάδα µέτρησης του ηλεκτρικού ρεύµατος στο σύστηµα SI είναι το ampere (A). 1 A =
Διαβάστε περισσότεραΑνάστροφη πόλωση της επαφής p n
Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων dpapageo@cc.uoi.gr http://pc164.materials.uoi.gr/dpapageo Επαφή p n Ανάστροφη πόλωση Πολώνουμε
Διαβάστε περισσότερα1.1 Ηλεκτρονικές ιδιότητες των στερεών. Μονωτές και αγωγοί
1. Εισαγωγή 1.1 Ηλεκτρονικές ιδιότητες των στερεών. Μονωτές και αγωγοί Από την Ατομική Φυσική είναι γνωστό ότι οι επιτρεπόμενες ενεργειακές τιμές των ηλεκτρονίων είναι κβαντισμένες, όπως στο σχήμα 1. Σε
Διαβάστε περισσότεραΞεκινώντας από την εξίσωση Poisson για το δυναμικό V στο στατικό ηλεκτρικό πεδίο:
1 2. Διοδος p-n 2.1 Επαφή p-n Στο σχήμα 2.1 εικονίζονται δύο μέρη ενός ημιαγωγού με διαφορετικού τύπου αγωγιμότητες. Αριστερά ο ημιαγωγός είναι p-τύπου και δεξια n-τύπου. Και τα δύο μέρη είναι ηλεκτρικά
Διαβάστε περισσότεραΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3ο ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΔΙΟΔΟΙ Επαφή ΡΝ Σε ένα κομμάτι κρύσταλλο πυριτίου προσθέτουμε θετικά ιόντα 5σθενούς στοιχείου για τη δημιουργία τμήματος τύπου Ν από τη μια μεριά, ενώ από την
Διαβάστε περισσότεραΚΥΚΛΩΜΑΤΑ AC-DC. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1ο ΒΑΣΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΚΑΙ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ - ΑΠΛΑ ΓΡΑΜΜΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ AC-DC ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1ο ΒΑΣΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΚΑΙ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ - ΑΠΛΑ ΓΡΑΜΜΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Βασικά στοιχεία κυκλωμάτων Ένα ηλεκτρονικό κύκλωμα αποτελείται από: Πηγή ενέργειας (τάσης ή ρεύματος) Αγωγούς Μονωτές
Διαβάστε περισσότερατα μεταλλικά Μια στρώμα. Για την έννοια πως αν και νανοσωματίδια (με εξάχνωση Al). πρέπει κανείς να τοποθετήσει τα μερικές δεκάδες nm πράγμα
Φραγή Coulomb σε διατάξεις που περιέχουν νανοσωματίδια. Ι. Φραγή Coulomb σε διατάξεις που περιέχουν μεταλλικά νανοσωματίδια 1. Περιγραφή των διατάξεων Μια διάταξη που περιέχει νανοσωματίδια μπορεί να αναπτυχθεί
Διαβάστε περισσότεραΟρθή πόλωση της επαφής p n
Δύο τρόποι πόλωσης της επαφής p n Ορθή πόλωση της επαφής p n Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Ορθή πόλωση p n Άνοδος Κάθοδος Ανάστροφη πόλωση p n Άνοδος Κάθοδος
Διαβάστε περισσότεραΤελεστικοί Ενισχυτές
Τελεστικοί Ενισχυτές Ενισχυτές-Γενικά: Οι ενισχυτές είναι δίθυρα δίκτυα στα οποία η τάση ή το ρεύμα εξόδου είναι ευθέως ανάλογη της τάσεως ή του ρεύματος εισόδου. Υπάρχουν τέσσερα διαφορετικά είδη ενισχυτών:
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 3. Λογικές Πύλες
Κεφάλαιο 3 Λογικές Πύλες 3.1 Βασικές λογικές πύλες Τα ηλεκτρονικά κυκλώματα που εκτελούν τις βασικές πράξεις της Άλγεβρας Boole καλούνται λογικές πύλες.κάθε τέτοια πύλη δέχεται στην είσοδό της σήματα με
Διαβάστε περισσότερα( ) Στοιχεία που αποθηκεύουν ενέργεια Ψ = N Φ. διαφορικές εξισώσεις. Πηνίο. μαγνητικό πεδίο. του πηνίου (κάθε. ένα πηνίο Ν σπειρών:
Στοιχεία που αποθηκεύουν ενέργεια Λέγονται επίσης και δυναμικά στοιχεία Οι v- χαρακτηριστικές τους δεν είναι αλγεβρικές, αλλά ολοκληρο- διαφορικές εξισώσεις. Πηνίο: Ουσιαστικά πρόκειται για έναν περιεστραμμένο
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ι ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ
ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ι ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 1 1. ΒΑΣΙΚΟΙ ΟΡΙΣΜΟΙ Κύκλωμα είναι ένα σύνολο ηλεκτρικών πηγών και άλλων στοιχείων που είναι συνδεμένα μεταξύ τους και διέρχεται ηλεκτρικό ρεύμα από
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ενότητα 2:Στοιχεία Ηλεκτρονικής Σχεδίασης VLSI Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 1: Οι διατάξεις MOS
Σχεδίαση Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ενότητα 2:Στοιχεία Ηλεκτρονικής Σχεδίασης VLSI Κυκλωμάτων Κεφάλαιο 1: Οι διατάξεις MOS Αραπογιάννη Αγγελική Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών. Σελίδα 2 1. Σκοποί
Διαβάστε περισσότεραΜετρήσεις ηλεκτρικών παραμέτρων ημιαγωγών και διατάξεων
ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΚΑΙ ΝΑΝΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΔΙΑΤΑΞΕΩΝ μμ MμμΜμε Μετρήσεις ηλεκτρικών παραμέτρων ημιαγωγών και
Διαβάστε περισσότεραΔίοδοι Ορισμός της διόδου - αρχή λειτουργίας Η δίοδος είναι μια διάταξη από ημιαγώγιμο υλικό το οποίο επιτρέπει την διέλευση ροής ρεύματος μόνο από
Δίοδοι Ορισμός της διόδου - αρχή λειτουργίας Η δίοδος είναι μια διάταξη από ημιαγώγιμο υλικό το οποίο επιτρέπει την διέλευση ροής ρεύματος μόνο από την μία κατεύθυνση, ανάλογα με την πόλωσή της. Κατασκευάζεται
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Σχήµα 1. Κύκλωµα DC πόλωσης ηλεκτρονικού στοιχείου Στο ηλεκτρονικό στοιχείο του σχήµατος
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στα κυκλώµατα CMOS 2
1 η Θεµατική Ενότητα : Εισαγωγή στα κυκλώµατα CMOS Επιµέλεια διαφανειών:. Μπακάλης Εισαγωγή Τεχνολογία CMOS = Complementary Metal Oxide Semiconductor Συµπληρωµατικού Ηµιαγωγού Μετάλλου Οξειδίου Αποτελείται
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική 1. Στοιχειακοί ηµιαγωγοί
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική 1 Στοιχειακοί ηµιαγωγοί Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική Οµοιοπολικοί δεσµοί στο πυρίτιο Κρυσταλλική δοµή Πυριτίου ιάσταση κύβου για το Si: 0.543 nm Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική
Διαβάστε περισσότεραΑπό τι αποτελείται ένας πυκνωτής
Πυκνωτές Οι πυκνωτές είναι διατάξεις οι οποίες αποθηκεύουν ηλεκτρικό φορτίο. Xρησιµοποιούνται ως «αποθήκες ενέργειας» που µπορούν να φορτίζονται µε αργό ρυθµό και µετά να εκφορτίζονται ακαριαία, παρέχοντας
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στους Υπολογιστές
Ιόνιο Πανεπιστήμιο Τμήμα Πληροφορικής Εισαγωγή στην Επιστήμη των Υπολογιστών 2015-16 Εισαγωγή στους Υπολογιστές (αρχές λειτουργίας και τεχνολογία) http://di.ionio.gr/~mistral/tp/csintro/ Μ.Στεφανιδάκης
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (11 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (11 η σειρά διαφανειών) Μελέτη των Παρασιτικών Χωρητικοτήτων και της Καθυστέρησης στα Κυκλώματα CMOS Με βάση το εργαλείο σχεδιασμού Microwind
Διαβάστε περισσότεραΠεριεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή
Περιεχόμενα ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος 1.1 Εισαγωγή 1.2 Περιοχή Απογύμνωσης μιας Επαφής pn 1.2.1 Χωρητικότητα της Περιοχής Απογύμνωσης 1.2.2 Κατάρρευση Επαφής 1.3
Διαβάστε περισσότεραΤρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET)
Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Field-effect transistors (FET) Χρησιµοποιούνται σε κλίµακα υψηλής ολοκλήρωσης VLSI Χρησιµοποιούνται και σε αναλογικούς ενισχυτές καθώς και στο στάδιο εξόδου ενισχυτών Ισχύος-
Διαβάστε περισσότεραΆσκηση 3 Η φωτο-εκπέµπουσα δίοδος (Light Emitting Diode)
Άσκηση 3 Η φωτο-εκπέµπουσα δίοδος (Light Emitting Diode) Εισαγωγή Στην προηγούµενη εργαστηριακή άσκηση µελετήσαµε την δίοδο ανόρθωσης ένα στοιχείο που σχεδιάστηκε για να λειτουργεί ως µονόδροµος αγωγός.
Διαβάστε περισσότερα