Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

Σχετικά έγγραφα
Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

AC λειτουργία Ισοδύναμα κυκλώματα μικρού σήματος του

του διπολικού τρανζίστορ


Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT)

Κεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Το Τρανζίστορ ως Ενισχυτής (ΙΙ)

Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT)

Κεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Κυκλώματα ιόδων 2

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Πόλωση των Τρανζίστορ

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

Γ. Τσιατούχας. VLSI systems and Computer Architecture Lab. Εισαγωγή στη Θεωρία Κυκλωμάτων 2

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Διπολικά Τρανζίστορ

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Φαινομένου

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου ΙΙ 2

Η ιδανική Δίοδος. Ορθή πόλωση Χαρακτηριστική τάσης ρεύματος της ιδανικής διόδου. Ανάστροφη πόλωση

Ηλεκτρονικό Κύκλωµα. ΟΝόµος Kirchhoff για το Ρεύµα -KCL

Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΘΕΩΡΙΑ

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.

Ορθή πόλωση της επαφής p n

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

Η Ιδανική ίοδος. Η Ιδανική ίοδος σε Ανορθωτή. Ανάστροφη Πόλωση. Ορθή Πόλωση

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

Άσκηση 8. Θυρίστορ. Στόχος. Εισαγωγή. 1) Θυρίστορ. 2) Δίοδος Shockley ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ)

Βασικές Λειτουργίες των TR

«Ενισχυτές με διπολικό transistor»

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος:

To π-ισοδύναμο μοντέλο του BJT

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες 2

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 21/01/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος

Κεφάλαιο 1 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ενισχυτές 2

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ

Ορθή πόλωση της επαφής p n

Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου ((FET) Γ.Πεδίου

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 6

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7

Η ιδανική Δίοδος. Ορθή πόλωση Χαρακτηριστική τάσης ρεύματος της ιδανικής διόδου. Ανάστροφη πόλωση

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

Κεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ημιαγωγοί - ίοδος Επαφής 2

K14 Αναλογικά Ηλεκτρονικά 9: Διαφορικός Ενισχυτής Τελεστικός Ενισχυτής

ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ. Σ.Δ. Φωτόπουλος 1/24. ΘΕΩΡΙΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ και ΣΗΜΑΤΩΝ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY

Relay Module. Relay. Στο πλαίσιο αυτής της προσπάθειας λοιπόν, ένα relay module είναι σχεδόν σίγουρο πως θα μας χρειαστεί.

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Βαθµίδες εξόδου. Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade.

μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

Ηλεκτρονική. Ενότητα 8: Απόκριση κατά Συχνότητα των Ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ

Το διπολικό τρανζίστορ

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013

Η Λ Ε Κ Τ Ρ Ο Ν Ι Κ Η

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 12/09/2013

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 1

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική

ΘΕΜΑΤΑ ΠΑΝΕΛΛΗΝΙΩΝ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ-ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ- ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ, ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΡΟΤΥΠΟ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΛΥΚΕΙΟ ΕΥΑΓΓΕΛΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗΣ ΣΜΥΡΝΗΣ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

Μοντέλα Διόδων i. Δίοδος Διακόπτης Δίοδος Πηγή. i=i(υ) i=i(υ) i i. i i. = 0 γιά. 0 γιά. Παρεμπόδισης

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών

Δίοδοι Zener. Οι Zener χρησιμοποιούνται σε ρυθμιστές τάσεως (voltage. I s regulators) δηλαδή συσκευές όπου η τάση του φορτίου

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ

SPICE Directive:.model NBJT npn(is = 2f Bf = 100)

3. Μετασχηματισμοί Πηγών 4. Μεταφορά Μέγιστης Ισχύος 5. Μη Γραμμικά Κυκλωματικά Στοιχεία 6. Ανάλυση Μικρού Σήματος

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ

ρ. Λάμπρος Μπισδούνης

Transcript:

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

Το τρανζίστορ npn Εκπομπός Σλλέκτης Βάση Σχηματική παράσταση το τρανζίστορ npn Περιοχές λειτοργίας διπολικού τρανζίστορ Περιοχή EBJ BJ Αποκοπή Ανάστροφα Ανάστροφα Εγκάρσια τομή τρανζίστορ npn Ενεργός Ορθά Ανάστροφα Κόρος Ορθά Ορθά

Το τρανζίστορ npn στην ενεργό περιοχή 1. Η ορθή πόλωση της επαφής ΕΒ εγχέει ηλεκτρόνια από τον εκπομπό στη βάση. 2. Επειδή η περιοχή της βάσης είναι πολύ λεπτή, η πλειονότητα ατών των ηλεκτρονίων διαχέεται προς την περιοχή απογύμνωσης της επαφής B και κατόπιν σαρώνονται προς τον σλλέκτη από το ηλεκτρικό πεδίο της ανάστροφα πολωμένης επαφής B. 3. Ένα μικρό ποσοστό από ατά τα ηλεκτρόνια επανασνδέονται με τις οπές στην περιοχή της βάσης. 4. Οπές εγχέονται από τη βάση στην περιοχή το εκπομπού, (4)<<(1).

Κατανομή των φορέων μειονότητας Ρεύμα στο οποίο επικρατούν τα ηλεκτρόνια από τον εκπομπό στη βάση λόγω της ορθής πόλωσης και βαθμίδα σγκέντρωσης των φορέων μειονότητας μέσα στη βάση. Η μερική επανασύνδεση προκαλεί καμπύλωση της σγκέντρωσης στην περιοχή της βάσης.

Το ρεύμα διάχσης μέσω της βάσης Η δά διάχση ηλεκτρονίων μέσω της βάσης καθορίζεται από την κατανομή της σγκέντρωσής τος στην επαφή EB. n p (0 ) n p0 e / BE V T To ρεύμα διάχσης των ηλεκτρονίων μέσω της βάσης είναι: A E qd dn Το ρεύμα σλλέκτη είναι: n n p ( x ) dx A E c n qd ( n np(0 ) ) W

Το ρεύμα Σλλέκτη Το ρεύμα σλλέκτη είναι: S e / BE V T όπο qa D n E n p0 S W qa E Dnn N W A 2 To είναι ανεξάρτητο από το E. Το ρεύμα σλλέκτη ελέγχεται από την τάση τωνδύοάλλωνακροδεκτών: πηγή ρεύματος ελεγχόμενη από τάση. Το ρεύμα κόρο Ι S είναι Αντιστρόφως ανάλογο προς το W και ανάλογο προς το Α Ε. Εξαρτάται από τη θερμοκρασία, λόγω το παράγοντα n 2.

Το ρεύμα Βάσης Το ρεύμα της βάσης αποτελείται από δύο σνιστώσες: B1 και B2 το B1 είναι εκθετική σνάρτηση το BE, λόγω της ορθής πόλωσης της επαφής ΕΒ Το B2, πο οφείλεται στις επανασνδέσεις, είναι ανάλογο προς τον αριθμό των ηλεκτρονίων πο εγχέονται από τον εκπομπό, οοποίοςείναιεκθετική σνάρτηση το BE. B e BE / VT

Το βήτα (β) Μπορούμε να σνδέσομε το μετο B μετην παρακάτω σχέση: β / B B c β S e β / BE V T Το β είναι σταθερό για κάθε τρανζίστορ Παίρνει τιμές μεταξύ 100 και 200 και ακόμη μεγαλύτερες Ονομάζεται ενίσχση ρεύματος κοινού εκπομπού Σμβολίζεται επίσης με β F και h FE.

Το ρεύμα Εκπομπού Θεωρώντας το τρανζίστορ σαν ένα κόμβο, μπορούμε να γράψομε: E 1 β 1+ β β B + + E ή β 1+ β α E + β β α β α 1 1 α Το α ονομάζεται ενίσχση ρεύματος κοινής βάσης και είναι α<1 αλλά κοντά στο 1.

Ισοδύναμα κκλώματα το τρανζίστορ npn στην ενεργό περιοχή.

Το τρανζίστορ pnp Τα ρεύματα το τρανζίστορ pnp στην ενεργό περιοχή.

Ισοδύναμα κκλώματα το τρανζίστορ pnp στην ενεργό περιοχή.

Σμβολισμός και πόλωση των διπολικών τρανζίστορ + E B E + B V + E VB VBE V E VB + VEB

Παράδειγμα: Δίνονται: β100 και BE 0,7V όταν 1mA Να σχεδιαστεί το κύκλωμα έτσι ώστε 2mA και V 5V. R V V 5 kω 1 2 S S ln e e v 1 BE 1 BE 2 / V T / V T BE1 V 1 2 BE 2 e ( 2 T 1 BE 1 BE 2 + V T ln 2 VE VEE R E 7, 07kΩ E BE 1 BE 2 ) )/ V 0, 717V T

Υπολογισμός ρεμάτων και τάσεων R R E S e BE / V T V BB R B B V B V BE V E E V B β S e β / BE V T V BE 0, 7V V BE, BB BRB + VBE β B B V BB V R B BE E α V E V R V B V E V BE

Άσκηση: Αν V B -1V και V E -1,7V να πολογιστούν τα: Ι Β, Ι Ε, β, α, Ι και V. Είναι το τρανζίστορ πολωμένο στην ενεργό περιοχή; 5kΩ 100kΩ

Γραφική παράσταση των χαρακτηριστικών το τρανζίστορ S e / BE V T Η χαρακτηριστική c - BE Επίδραση της θερμοκρασίας ρ το τρανζίστορ npn. στην χαρακτηριστική c - BE Οι χαρακτηριστικές E - BE το τρανζίστορ npn. και B- BE έχον την ίδια μορφή. 0.6V < BE < 0.8V BE 0.7V

Χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού S e / BE V T Το ρεύμα σλλέκτη δείχνει ανεξάρτητο της V E στην ενεργό περιοχή. Επομένως μπορούμε να πούμε ότι το τρανζίστορ σμπεριφέρεται σαν ιδανική πηγή ρεύματος.

Φαινόμενο Early S e (1+ BE / V E T V A ) r o V ro E A V BE σταθ 1 Φαινόμενο Early: Το ρεύμα σλλέκτη στην πράξη εξαρτάται ελαφρά από την V E στην ενεργό περιοχή. ΗτάσηEarly, V A, είναι χαρακτηριστικό το τρανζίστορ (50 ως 100). Μη μηδενική κλίση σημαίνει πεπερασμένη αντίσταση εξόδο, r o. Για μικρές τιμές της V E η επαφή σλλέκτη-βάσης πολώνεται ορθά και το τρανζίστορ μπαίνει στον κόρο.

Χαρακτηριστικές κοινής βάσης Καθώς η B γίνεται αρνητική, η επαφή σλλέκτη-βάσης πολώνεται ορθά και το τρανζίστορ εισέρχεται στον κόρο. Η BV BO είναι η τάση κατάρρεσης της επαφής σλλέκτη-βάσης και έχει μεγάλη τιμή. Η κλίση των χαρακτηριστικών στην ενεργό περιοχή είναι μικρότερη από την αντίστοιχη των χαρακτηριστικών κοινού εκπομπού. Επομένως, ηαντίσταση εξόδο κοινής βάσης είναι μεγαλύτερη.

Χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού με παράμετρο το Ι Β Η τάση κατάρρεσης της επαφής σλλέκτη-εκπομπού BV ΕO έχει πολύ μικρότερη τιμή από την V BO. Στον κόρο η αντίσταση εξόδο έχει πολύ μικρή τιμή και το τρανζίστορ δρα ως «κλειστός διακόπτης».

Η ενίσχση ρεύματος β το τρανζίστορ β dc h FE Q BQ Δ β ac h fe V E σταθ Δ B Το β εξαρτάται από το ρεύμα σλλέκτη και τη θερμοκρασία. Η τιμή το β διαφέρει έντονα μεταξύ τρανζίστορ το ίδιο τύπο.