ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Διπολικά Τρανζίστορ
|
|
- Αγάπη Ἑλένη Βονόρτας
- 7 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Διπολικά Τρανζίστορ Rquird Txt: Microlctronic Dvics, Kith Lavr (5 th Chaptr) Τρανζίστορ Ανακαλύφθηκε το 1948 από τους William Shockly, John Bardn και Waltr Brattain στα εργαστήρια της Bll. To 1956 τους απονεμήθηκε το Nobl φυσικής for thir rsarch on smiconductors and thir discovry of th transistor ffct Το ελληνικό όνομα του τρανζίστορ είναι «κρυσταλλολυχνία». 2 1
2 Τρανζίστορ pnp και npn Είναι οι δύο βασικές μορφές τρανζίστορ. Πρόκειται για στοιχείο ενίσχυσης ρεύματος. Οσα ειπωθούν για το pnp τρανζίστορ ισχύουν αντίστοιχα και για το npn 3 Τρανζίστορ pnp transistor Οι ακραίες περιοχές ονομάζονται: Εκπομπός (mittr E) και Συλλέκτης (collctor C) Η μεσαία περιοχή ονομάζεται Βάση (Bas B) και είναι κατά το δυνατόν μικρότερου εύρους. Οι διοδικές επαφές θα θεωρηθούν τα πλαίσια του μαθήματος ιδανικές. Ο εκπομπός κατασκευαστικά έχει ισχυρότερη πρόσμιξη (p + ) 4 2
3 Αρχή Λειτουργίας pnp transistor Πολώνουμε ορθά την επαφή Ε- Β και ανάστροφα την επαφή Β- C. Λόγω της ορθής πόλωσης της επαφής Ε- Β σχηματίζεται ένα ρεύμα οπών (C- περιοχή p + ) προς την περιοχή της Βάσης, όπως σε απλή δίοδο. Μέσα στη Βάση μόνον ένα πολύ μικρό κλάσμα θα επανενωθεί με ηλεκτρόνια της περιοχή (λόγω του μικρού της εύρους). Σχεδόν το σύνολο των οπών θα περάσει στην περιοχή του Συλλέκτη, μια και η ανάστροφη πόλωση της επαφής B- C θα ενισχύσει την μετακίνηση των οπών που διαχέονται στην άκρη της περιοχή φορτίων χώρου της. 5 Αρχή Λειτουργίας pnp transistor Πρακτικά, στην επαφή B- C όπου λόγω της ανάστροφης πόλωσής της θα έπρεπε να υπάρχει ένα πολύ μικρό ρεύμα διάχυσης οπών (ανάστροφο ρεύμα κόρου). Αυτό που συμβαίνει είναι με τεχνητή αύξηση των φορέων μειονότητας (οπών) στην περιοχή της βάσης να αυξάνουμε το ρεύμα διάχυσης με τέτοιο τρόπο ώστε προσεγγιστικά: I I C E V EB kt 6 3
4 Αρχή Λειτουργίας pnp transistor Ρεύμα Συλλέκτη Λαμβάνοντας υπόψη το ρεύμα βάσης τότε θα πρέπει: I I + I E C B Για να προσδιορίσουμε το ρεύμα στον Συλλέκτη πρέπει να υπολογίσουμε τη ροή οπών στην περιοχή της βάσης, θεωρώντας ότι το «ενεργό εύρος» της (W): είναι πολύ μικρό σε σχέση με το μήκος διάχυσης των οπών και ότι οι περιοχές φορτίων χώρου των δύο επαφών είναι αμελητέες, ώστε να συμπίπτει με πραγματικό εύρος Βάσης. 7 Αρχή Λειτουργίας pnp transistor Ρεύμα Συλλέκτη Στο εσωτερικό της βάσης έχουμε διάχυση οπών σχεδόν σε όλο το μήκος της, λόγω έλλειψης ηλεκτρικού πεδίου, η οποία δημιουργεί μια γραμμική κλιμάκωση (λόγω του μικρού εύρους της βάσης) της συγκέντρωσής τους. Εάν p n είναι η συγκέντρωση οπών (φορείς μειονότητας) στη Βάση (χωρίς πόλωση, τότε: Η συγκέντρωση οπών p n στην επαφή Ε- B αυξάνεται λόγω ορθής πόλωσης: ' p n p n Η συγκέντρωση οπών p n στην επαφή B- C μειώνεται λόγω ανάστροφης πόλωσης: p '' n V BC kt p 0 n V EB kt 8 4
5 Αρχή Λειτουργίας pnp transistor Ρεύμα Συλλέκτη Τότε το ρεύμα διάχυσης των οπών θα δίνεται από τη σχέση: p p p p I I AD AD AD AD dx W W W ' '' ' VEB dp n n n n kt C p h h h h Αγνοήσαμε τη συνεισφορά του I CBO. Είναι προφανές ότι το ρεύμα του Συλλέκτη είναι πολύ ευαίσθητο στις μεταβολές της τάσης V EB. 9 Αρχή Λειτουργίας pnp transistor - Ρεύμα Βάσης Στο σχηματισμό του ρεύματος βάσης λαμβάνουν μέρος τα ακόλουθα φαινόμενα: Μικρή ροή ηλεκτρονίων από την Βάση προς τον Εκπομπό (Ι Β ). Ροή ηλεκτρονίων από την επαφή της Βάσης, ώστε να καλυφθούν οι ανάγκες για το φαινόμενο της επανασύνδεσης (Ι Β ). Το γνωστό ανάστροφο ρεύμα κόρου της επαφής B- C και τα πιθανά ρεύματα διαρροής (Ι CBO ) συνήθως αμελητέο. Αρα I I + I I ' '' B B B CBO 10 5
6 Αρχή Λειτουργίας pnp transistor Ρεύμα Βάσης Ι Β : Το ρεύμα (ηλεκτρονίων) αυτό ρέει από τη Βάση προς τον Εκπομπό. Είναι ανάλογο του ρεύματος οπών στην επαφή Ε- Β. Τα περισσότερα ηλεκτρόνια επανασυνδέονται στην περιοχή φορτίων χώρου της επαφής (μικρό μήκος διάχυσης - L λόγω υψηλής πρόσμιξης στον Εκπομπό). Συνεπώς θα ισχύουν οι αντίστοιχες σχέσεις της διόδου για την διάχυση των ηλεκτρονίων (φορέων μειονότητας στη Βάση) : n n I AD AD AD ' V EB ' dn p p kt B dx L L 11 Αρχή Λειτουργίας pnp transistor Ρεύμα Βάσης Ι Β : Το ρεύμα αναπλήρωσης ηλεκτρονίων που συμμετέχει στην επανασύνδεση οπών, στην περιοχή της Βάσης. Οι επιπλέον οπές που εισέρχονται στην περιοχή διαταράσσουν την ισορροπία της συγκέντρωσης οπών (φορείς μειονότητας) p n, με συνέπεια την αύξηση του ρυθμού επανασύνδεσης R: p pn dq ( p pn ) dv R το αντίστοιχο φορτίο που απαιτείται είναι τ τ τ h h h '' dq 1 1 IB dq Q τ τ τ όγκος βάσης h h όγκος h βάσης To Q B είναι το φορτίο των επιπλέον φορέων μειονότητας στη Βάση. B Επειδή Q B A( 1 2 p ' '' W ), I n B AWp V BE n kt 2! h 12 6
7 Αρχή Λειτουργίας pnp transistor Ρεύμα Βάσης Ι CBO : Το ρεύμα Συλλέκτη Βάσης με ανοιχτό τον Εκπομπό Πρόκειται για το ρεύμα κόρου σε ανάστροφα πολωμένη διοδική επαφή (I S ). Είναι το άθροισμα των ροών ηλεκτρονίων και οπών προς τις δύο κατευθύνσεις της επαφής. Σε καταστάσεις κανονική πόλωσης του τρανζίστορ έχει τιμή αμελητέα σε σχέση με τα άλλα δύο ρεύματα Βάσης. I CBO I 0 S Σε τρανζίστορ πυριτίου μπορούμε να το θεωρούμε αμελητέο όχι όμως και σε τρανζίστορ γερμανίου 13 Αρχή Λειτουργίας pnp transistor Συσχετισμός ρευμάτων Βάσης - Συλλέκτη I C VEB p AD n h W kt I B ' V n EB AD p kt L Συγκρίνοντας τις σχέσεις τις σχέσεις των ρευμάτων Συλλέκτη και Βάσης: I B '' AWp V BE n kt 2! h I C I B ' D h L p n D Wn p µ L N E h A B µ WN D I C I B '' 2D h! h W 2 I CBO! 0 Είναι προφανής η αναλογία του ρεύματος βάσης με το ρεύμα συλλέκτη 14 7
8 Αρχή Λειτουργίας pnp transistor Κέρδος ρεύματος Με δεδομένο ότι το τρανζίστορ είναι ρευματικό στοιχείο, το κέρδος ρεύματος είναι σημαντική παράμετρος. Κέρδος ρεύματος h FE παράμετρος β (bta) B IC Dhpn Σε πρώτη προσέγγιση έχει σταθερή τιμή: 2 I n B p W WD + L 2 τ h Εάν το Ι Β θεωρηθεί μηδενικό (γιατί δεν έχω την ισχυρή επανασύνδεση, λόγω μικρού εύρους Βάσης και μη ιδανικής επαφής C- B) τότε: I D L p µ L N E C h n h A ' B B DWn p µ WND I h FE β Ποιος ο ρόλος των προσμίξεων; I I C 15 Χαρακτηριστικές εξόδου Γενικά Οι χαρακτηριστική καμπύλη ενός διπόλου στοιχείου είναι η γραφική παράσταση ρεύματος τάσης (i- v). Στην περίπτωση τριπόλου στοιχείου, οι χαρακτηριστικές αφορούν δύο μόνον πόλους του, οι οποίοι σχηματίζουν την έξοδο ή την είσοδό του. Πάντα ένα πόλος είναι κοινός και στην είσοδο και στην έξοδο, καθορίζοντας και την αντίστοιχη συνδεσμολογία. Λαμβάνουμε σμήνος χαρακτηριστικών (i- v) για το κύκλωμα εισόδου ή εξόδου, με παράμετρο (για διάφορες σταθερές τιμές) το χαρακτηριστικό μέγεθος του κυκλώματος που σχηματίζουν οι άλλοι δύο πόλοι. 16 8
9 Χαρακτηριστικές εξόδου Συνδεσμολογία κοινής Βάσης Ο ακροδέκτης της βάσης συμμετέχει και στο κύκλωμα εισόδου και στο κύκλωμα εξόδου. Η χαρακτηριστική εξόδου της συνδεσμολογίας είναι η γραφική παράσταση (I C - V CB ) με παράμετρο (μέγεθος εισόδου) το Ι Ε. Στη θεωρητική μελέτη εξαγωγής των χαρακτηριστικών καμπύλων εξόδου θα λάβουμε υπόψη τα ακόλουθα φαινόμενα: Φαινόμενο διαμόρφωσης Βάσης Επίδραση στα h FE και I C της ορθής πόλωσης της επαφής Β- C. 17 Χαρακτηριστικές εξόδου Συνδεσμολογία κοινής Βάσης Φαινόμενο διαμόρφωσης Βάσης Η αύξηση της V CB (ανάστροφη πόλωση) οδηγεί σε αύξηση της περιοχής φορτίων χώρου, μειώνοντας το ενεργό εύρος της Βάσης, το οποίο δεν μπορεί πια να θεωρείται ίσο με το κατασκευαστικό εύρος Βάσης. Αυτό οδηγεί σε παράλληλη μετατόπιση της κλιμάκωσης της συγκέντρωσης οπών, αφού η κλίση πρέπει να μείνει ίδια μια και Ι Ε dp/dxσταθερό. Το p n μειώνεται (και V EB, I B ) ενώ το I C μένει αναλλοίωτο. 18 9
10 Χαρακτηριστικές εξόδου Συνδεσμολογία κοινής Βάσης Φαινόμενο διαμόρφωσης Βάσης ΕΝΕΡΓΗ ΠΕΡΙΟΧΗ Ε- Β πολωμένο ορθά Β- C πολωμένο ανάστροφα 19 Χαρακτηριστικές εξόδου Συνδεσμολογία κοινής Βάσης Επίδραση ορθής πόλωσης στην επαφή C- B Για V CB 0 (ορθή πόλωση) p n p n το οποίο δεν είναι πια 0, αλλάζοντας ελαφρώς το I C. Για V CB >0 (ορθή πόλωση) p n >p n και του p n (πρίν), αυξάνοντας και τις δύο συνιστώσες του Ι Β, οπότε το I C I E - I B μειώνεται δραματικά
11 Χαρακτηριστικές εξόδου Συνδεσμολογία κοινής Βάσης Επίδραση ορθής πόλωσης στην επαφή C- B ΠΕΡΙΟΧΗ ΚΟΡΟΥ Περιοχή σταθερού ρεύματος και τάσης ΕΝΕΡΓΗ ΠΕΡΙΟΧΗ Ε- Β πολωμένο ορθά Β- C πολωμένο ορθά 21 Απο διαφάνεια 15: h FE I C και απο διαφάνεια 6: I B I C I E! I B I > C + I B I E > h > I B I FE +1 I I E I B E B I B h FE +1 I B 22 11
12 Χαρακτηριστικές εξόδου Συνδεσμολογία κοινής Βάσης Επίδραση ορθής πόλωσης στην επαφή C- B - Μαθηματικό Μοντέλο Επίδραση δύο παραγόντων στο ρεύμα του Συλλέκτη: Ροή από Εκπομπό μείον ροή στη βάση. I Για V CB 0, I C I E! I B I E! E h I FE 1+ h E FE 1+ h FE Εγχυση οπών από το Συλλέκτη στη βάση (λόγω ορθής πόλωσης). Συνολικά Για Ι Ε 0, ICBO 1+ V BC kt V h BC FE kt IC IE + ICBO h FE 23 Μοντέλο Τρανζίστορ Συνδεσμολογία κοινής Βάσης Η εξίσωση αυτή έχει εφαρμογή και στις δύο περιοχές (ενεργή και κόρου) V h BC FE kt IC IE + ICBO h FE Ebrs- Molls Modl 24 12
13 Μοντέλα Τρανζίστορ Είναι η συνηθέστερη συνδεσμολογία και χρησιμοποιείται ως ενισχυτής πλάτους σήματος. Η μεταβολή της V CE εφαρμόζεται σχεδόν όλη στην επαφή του συλλέκτη, μεταβάλλοντας το εύρος της περιοχής φορτίων χώρου, αλλάζοντας και πάλι τις συγκεντρώσεις των φορέων μειονότητας, αλλά με διαφορετικό τρόπο ώστε το I B να μένει σταθερό. Προσοχή: Οταν V CE < V ΒE η επαφή του συλλέκτη περνά σε ορθή πόλωση! 25 Μοντέλα Τρανζίστορ Είναι η συνηθέστερη συνδεσμολογία και χρησιμοποιείται ως ενισχυτής πλάτους σήματος. ΕΝΕΡΓΗ ΠΕΡΙΟΧΗ Η μεταβολή της V CE εφαρμόζεται σχεδόν όλη στην επαφή του συλλέκτη, μεταβάλλοντας το εύρος της περιοχής φορτίων χώρου, αλλάζοντας και πάλι τις συγκεντρώσεις των φορέων μειονότητας, αλλά με διαφορετικό τρόπο ώστε το I B να μένει σταθερό. Προσοχή: Οταν V CE < V ΒE η επαφή του συλλέκτη περνά σε ορθή πόλωση! 26 13
14 Μοντέλα Τρανζίστορ Είναι η συνηθέστερη συνδεσμολογία και χρησιμοποιείται ως ενισχυτής πλάτους σήματος. ΕΝΕΡΓΗ ΠΕΡΙΟΧΗ ΠΕΡΙΟΧΗ ΚΟΡΟΥ Η μεταβολή της V CE εφαρμόζεται σχεδόν όλη στην επαφή του συλλέκτη, μεταβάλλοντας το εύρος της περιοχής φορτίων χώρου, αλλάζοντας και πάλι τις συγκεντρώσεις των φορέων μειονότητας, αλλά με διαφορετικό τρόπο ώστε το I B να μένει σταθερό. Προσοχή: Οταν V CE < V ΒE η επαφή του συλλέκτη περνά σε ορθή πόλωση! 27 Μοντέλα Τρανζίστορ Πρόκειται για μοντέλο στο οποίο τα ρεύματα που διαρρέουν το τρανζίστορ είναι μικρά, ώστε να μην μεταβάλλουν σημαντικά παραμέτρους του. Μοντέλα αναπαράστασης ενεργής περιοχής Στις υψηλές συχνότητες θα πρέπει να ληφθούν υπόψη οι διάφορες χωρητικότητες της διοδικής επαφής
15 Μοντέλο Τρανζίστορ Μικρού Σήματος Κέρδος ρεύματος h f dic ic Ορίζεται: hf Δεν ελέγχεται εύκολα κατασκευαστικά γιατί dib i V b CE εξαρτάται από το W της βάσης. Διαγωγιμότητα g f (g m ) dic ic Ορίζεται: g f Υπάρχει ισχυρή εξάρτηση από την V BE αλλά dveb v V b CE μπορεί να ελεγχθεί. Ολες οι παράμετροι για μικρά σήματα γράφονται με δείκτες πεζούς π.χ. h f. 29 Μοντέλο Τρανζίστορ Μικρού Σήματος Με δεδομένο ότι: p di I I AD g VEB n kt C C C h f W dveb kt VCE Αν το I C ελέγχεται εξωτερικά από την κυκλωματική τοπολογία που χρησιμοποιείται, τότε και η διαγωγιμότητα θα έχει πλήρως ελεγχόμενη τιμή. (Για Τ290Κ, g f 40I C ) Ολες οι παράμετροι για μικρά σήματα γράφονται με δείκτες πεζούς π.χ. h f
16 Μοντέλο Τρανζίστορ Μικρού Σήματος Αντίσταση Εισόδου r b dvbe Ορίζεται: r Για να διευκολυνθεί ο υπολογισμός της γράφεται: b di B VCE dv BE dveb di h C rb di V di di g CE VCE Αν το κέρδος ρεύματος είναι σταθερό για μια περιοχή τιμών του I C, τότε: B C B f f r b 1 dic kt IC kt g di I I I f B C B B (Για Τ290Κ, r b 0.025/I B ) Τυπική τιμή αντίστασης εισόδου: μερικά kω 31 Μοντέλο Τρανζίστορ Μικρού Σήματος Αντίσταση Εξόδου r c Αντικατοπτρίζει το συσχετισμό των μεγεθών της εξόδου V CE και I C. dvce rc dic IB Για να διευκολυνθεί ο υπολογισμός της, λαμβάνεται υπόψη το γεγονός ότι το V CE επιδρά στη διαμόρφωση του ενεργού εύρους της Βάσης, έτσι: 1 di C dic dw rc dvce I dw dvce B IB Αγνοώντας το φαινόμενο της επανασύνδεσης μένει μόνον το φαινόμενο της έγχυσης ηλε- κτρονίων στον εκπομπό (I Β ) οπότε V BE σταθ. di p I V EB C d n kt C ADh dw dw W W 32 16
17 Μοντέλο Τρανζίστορ Μικρού Σήματος Θεωρώντας W+W n ασταθερό: Οπότε: I V r V I 1 C rc A c A C Οπου V A είναι το δυναμικό Early ( + ) dw da ( Wn) dwn d 2ε NA Vo VCE V EB 2 dvce dvce dvce dv CE NAND + N D 2ε N A 2 dw NAND + ND dv 2W CE n 33 Μοντέλο Τρανζίστορ Μικρού Σήματος Δυναμικό Early Μπορεί για ένα τρανζίστορ να υπολογιστεί πειραματικά από τις χαρακτηριστικές του. Συνήθως έχει τιμές 50V και πάνω, δίνοντας τιμές αντίστασης εξόδου της τάξης των 50KΩ (για I C 1mA). Η τιμή του (όπως και της αντίστασης εξόδου) εξαρτάται από τις προσμίξεις. Συνήθως κρατάμε χαμηλά την πρόσμιξη στον Συλλέκτη, για να περιορίσουμε το W n
18 Μοντέλο Τρανζίστορ Μικρού Σήματος Οταν το τρανζίστορ διαρρέεται από εναλλασσόμενα ρεύματα συχνότητας κάποιων khz, τότε πρέπει το μοντέλο μικρού σήματος να εμπλουτιστεί, λαμβάνοντας υπόψη τις χωρητικότητες των διδοδικών επαφών, έτσι ώστε να διατηρήσει ένα καλό επίπεδο προσέγγισης της πραγματικής του λειτουργίας. Οι πρόσθετες παράμετροι είναι οι ακόλουθες: Χωρητικότητα Βάσης Εκπομπού C b Χωρητικότητα Βάσης Συλλέκτη C bc Αντίσταση r bb Ολες οι παράμετροι για μικρά σήματα γράφονται με δείκτες πεζούς π.χ. h f. 35 Μοντέλο Τρανζίστορ Μικρού Σήματος Χωρητικότητα Βάσης Εκπομπού C b Επειδή η επαφή E- B είναι ορθά πολωμένη η C b είναι χωρητικότητα διάχυσης. Οπου τ f είναι ο χρόνος που απαιτείται για να διασχίσουν οι φορείς μειονότητας την περιοχή της Βάσης. Τυπικές τιμές : μερικά pf C b τ fi Cd kt C 36 18
19 Μοντέλο Τρανζίστορ Μικρού Σήματος Χωρητικότητα Βάσης Εκπομπού C b Η επίδραση της χωρητικότητας αυτής σε συνδυασμό με την αντίσταση r b εμφανίζεται ως περιορισμός του κέρδους ρεύματος στις υψηλές συχνότητες. Αύξηση της συχνότητας στην είσοδο του τρανζίστορ (Β), οδηγεί σε μείωση της εμπέδησης του C b και μείωση της τάσης v b, άρα και του ρεύματος i c g m v b. Αμεση συνέπεια: μείωση του h f. f T gain- bandwidth product η f για την οποία i c i b vb ic gmvb gm ib ZC // 2 ( ) b C i cb b ib π f Cb + Ccb hf ic gm r h b f όταν 1 τότε f ft i 2πC 2πC 2πr C b b b b b i h c f ft 1 όταν τότε f fβ i 2 h 2π r C C ( + ) b f b b cb 37 Μοντέλο Τρανζίστορ Μικρού Σήματος Χωρητικότητα Βάσης Συλλέκτη C bc Επειδή η επαφή C- B είναι ανάστροφα πολωμένη η C bc είναι χωρητικότητα επαφής. C bc ε Si A W + W Επειδή το επίπεδο πρόσμιξης είναι μικρότερο στο συλλέκτη, η δική του περιοχή φορτίων χώρου ελέγχει την τιμή της χωρητικότητας αυτής. n p Τυπικές τιμές : 0.2-1pF 38 19
20 Μοντέλο Τρανζίστορ Μικρού Σήματος Αντίσταση r bb Είναι η ωμική αντίσταση μεταξύ της περιοχής της βάσης και της μεταλλικής επαφής. V EB V EB - I B r bb Συνήθως δεν την λαμβάνουμε υπόψη. Αποκτά σημαντική τιμή όταν η επαφή της βάσης είναι στενή. Περιορίζει το ρυθμό φόρτισης- εκφόρτισης του C b. Δημιουργεί θερμικό θόρυβο αντίστασης Για να την μειώσουμε δίνουμε κατά το δυνατόν μεγαλύτερη πρόσμιξη στη Βάση (χωρίς να μειώσουμε δραστικά το h f ) Τυπικές τιμές : μερικά Ω μέχρι μερικές εκατοντάδες Ω 39 Υπολογιστικά Μοντέλα Τρανζίστορ ΣΥΜΒΑΣΕΙΣ σε υπολογιστικά μοντέλα Ολα τα ρεύματα έχουν θετική φορά προς το τρανζίστορ Οι ορθές πολώσεις επαφών θεωρούνται θετικές Οι παράμετροι του τρανζίστορ θεωρούνται θετικές (h f κέρδος ρεύματος, g f διαγωγιμότητα, r b διαντίσταση, h r ανάστροφο κέρδος ρεύματος) I CBO, I EBO h FE I C!I E + I 1+ h CBO FE h RE I E!I C + I 1+ h EBO RE " V BC $ # kt!1 % ' & " V BE $ # kt!1 % ' & 40 20
21 Υπολογιστικά Μοντέλα Τρανζίστορ Οι προηγούμενες εξισώσεις αποτελούν το Μοντέλο Ebrs- Moll και χρησιμοποιούνται και στα pnp και στα npn τρανζίστορ, με τη διαφορά ότι τα ρεύματα κόρου I CBO και I EBO είναι θετικά στα pnp τρανζίστορ και αρνητικά npn τρανζίστορ. Για να εισαχθεί η επίδραση του φαινομένου διαμόρφωσης εύρους Βάσης, εισάγουμε δύο δυναμικά Early V AF και V AR, οπότε το I S γίνεται: I S V 1 V BC AF V V BE AR 41 pnp τρανζίστορ 42 21
22 npn τρανζίστορ 43 pnp και npn τρανζίστορ 44 22
23 pnp και npn τρανζίστορ 45 23
Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης
ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 5 Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη των
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor
Κεφάλαιο Ένα: 1.1 Εισαγωγή Το 1951 ο William Schockley εφεύρε το πρώτο transistor επαφής, µια ηµιαγωγική διάταξη η οποία µπορεί να ενισχύσει ηλεκτρονικά σήµατα, όπως ραδιοφωνικά και τηλεοπτικά σήµατα.
Διαβάστε περισσότεραΤρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT)
Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών & Πληροφορικής Μάθημα: Βασικά Ηλεκτρονικά Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT) Εργασία του Βασίλη Σ. Βασιλόπουλου Χειμερινό Εξάμηνο 2017-18 Πηγή:
Διαβάστε περισσότεραΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ
ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ ΧΑΤΖΟΠΟΥΛΟΣ ΑΡΓΥΡΗΣ ΚΟΖΑΝΗ 2005 ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΥΜΒΟΛΙΣΜΟΙ Για τον καλύτερο προσδιορισµό των µεγεθών που χρησιµοποιούµε στις εξισώσεις, χρησιµοποιούµε τους παρακάτω συµβολισµούς
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική. Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών
Ηλεκτρονική Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης reatve ommons. Για εκπαιδευτικό
Διαβάστε περισσότεραΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ Σκοπός : 1. Γνωριμία με το τρανζίστορ. Μελέτη πόλωσης του τρανζίστορ και ευθεία φορτίου. 2. Μελέτη τρανζίστορ σε λειτουργία
Διαβάστε περισσότεραΠόλωση των Τρανζίστορ
Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση λέμε την κατάλληλη συνεχή τάση που πρέπει να εφαρμόσουμε στο κύκλωμα που περιλαμβάνει κάποιο ηλεκτρονικό στοιχείο (π.χ τρανζίστορ), έτσι ώστε να εξασφαλίσουμε την ομαλή λειτουργία
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική
Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών
Διαβάστε περισσότεραΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4ο ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Διπολικά τρανζίστορ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar ή BJT) είναι ένας κρύσταλλος τριών στρωμάτων με διαφορετικό επίπεδο εμπλουτισμού: τον εκπομπό Ε, τη βάση
Διαβάστε περισσότεραΔιπολικά τρανζίστορ (BJT)
Διπολικά τρανζίστορ (BJT) Το τρανζίστορ npn Εκπομπός Σλλέκτης Βάση Σχηματική παράσταση το τρανζίστορ npn Περιοχές λειτοργίας διπολικού τρανζίστορ Περιοχή EBJ BJ Αποκοπή Ανάστροφα Ανάστροφα Εγκάρσια τομή
Διαβάστε περισσότεραΑΝΑΛΥΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΟΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΜΕΛΕΤΗ DC ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑΣ Στο σχήμα φαίνεται ένα κύκλωμα κοινού εκπομπού από το βρόχο εισόδου Β-Ε ο νόμος του Kirchhoff δίνει: Τελικά έχουμε: I I BB B B E E BE B BB E IE
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) 1 FET Δομή και λειτουργία Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός
Διαβάστε περισσότεραΔιπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT)
Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT) Θέματα που θα καλυφθούν Δομή και συμβολισμός των διπολικών τρανζίστορ Φυσική λειτουργία διπολικού τρανζίστορ Τα ρεύματα στο τρανζίστορ Μοντέλο μεγάλο
Διαβάστε περισσότεραΔιπολικά τρανζίστορ (BJT)
Διπολικά τρανζίστορ (BJT) Το τρανζίστορ npn Εκπομπός Σλλέκτης Βάση Σχηματική παράσταση το τρανζίστορ npn Περιοχές λειτοργίας διπολικού τρανζίστορ Περιοχή EBJ BJ Αποκοπή Ανάστροφα Ανάστροφα Εγκάρσια τομή
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική. Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών
Ηλεκτρονική Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Δομή και λειτουργία του τρανζίστορ npn (και pnp). Ρεύμα Βάσης, Εκπομπού, Συλλέκτη. Περιοχές λειτουργίας του
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 6
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 6: Διπολικό τρανζίστορ (BJT) Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών
Ηλεκτρονική Ενότητα 6: Η A λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Το μοντέλο μικρού σήματος του τρανζίστορ. Οι παράμετροι μικρού
Διαβάστε περισσότερα2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ
ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ T.E.I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 1 Περιεχόμενα 2 ης ενότητας Στην δεύτερη ενότητα θα ασχοληθούμε
Διαβάστε περισσότεραΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ
Εργαστήριο Τεχνολογίας Υλικού & Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΙΙI ΤΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 3.1 ιπολικό Τρανζίστορ 3.1.1 Εισαγωγή: Αντικείµενο της εργαστηριακής
Διαβάστε περισσότεραΒασικές Λειτουργίες των TR
Βασικές Λειτουργίες των TR Το TR για να λειτουργήσει απαιτεί να εφαρµοστούν σε αυτό τάσεις δυναµικά για να κινηθούν µέσα σε αυτά τα αντίστοιχα ρεύµατα. Τα δυναµικά που µπορούν να εφαρµοστούν σε αυτό είναι:
Διαβάστε περισσότερα4. Τρανζίστορ επαφής. 4.1 Χαρακτηριστικά του τρανζίστορ
1 4. Τρανζίστορ επαφής 4.1 Χαρακτηριστικά του τρανζίστορ Το τρανζίστορ είναι ένας ημιαγωγός με προσμίξεις, που περιέχεται μεταξύ δύο ημιαγωγών από το ίδιο υλικο, αλλά με αντίθετου τύπου προσμίξεις. Έχουμε
Διαβάστε περισσότερα5 Ενισχυτές τρανζίστορ σε χαμηλές συχνότητες
5 Ενισχυτές τρανζίστορ σε χαμηλές συχνότητες 5. Περιοχή γραμμικής ενισχυτικής λειτουργίας του τρανζίστορ Στην προηγούμενη ενότητα μελετήσαμε την πόλωση του τρανζίστορ σε ένα σταθερό σημείο λειτουργίας,
Διαβάστε περισσότεραΥ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ
Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ Γιάννης Λιαπέρδος TI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Ιστορικά Στοιχεία Περιεχόμενα 1 Ιστορικά
Διαβάστε περισσότεραΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ A. Πίνακες αληθείας λογικών πυλών. Στη θετική λογική το λογικό 0 παριστάνεται µε ένα χαµηλό δυναµικό, V L, ενώ το λογικό 1
Διαβάστε περισσότεραRelay Module. Relay. Στο πλαίσιο αυτής της προσπάθειας λοιπόν, ένα relay module είναι σχεδόν σίγουρο πως θα μας χρειαστεί.
Relay Module PanosRCng Στην πορεία προς ένα μέλλον αυτοματισμών, όπου θα μπορούμε να ελέγχουμε τα πάντα μέσω του φιλόξενου περιβάλλοντος του προσωπικού μας υπολογιστή, ή θα μπορούμε να αναθέτουμε σε ένα
Διαβάστε περισσότεραΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).
7. Εισαγωγή στο διπολικό τρανζίστορ-ι.σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 7. TΟ ΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Ανάλογα µε το υλικό διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και 2. τρανζίστορ πυριτίου
Διαβάστε περισσότεραΔίοδοι Ορισμός της διόδου - αρχή λειτουργίας Η δίοδος είναι μια διάταξη από ημιαγώγιμο υλικό το οποίο επιτρέπει την διέλευση ροής ρεύματος μόνο από
Δίοδοι Ορισμός της διόδου - αρχή λειτουργίας Η δίοδος είναι μια διάταξη από ημιαγώγιμο υλικό το οποίο επιτρέπει την διέλευση ροής ρεύματος μόνο από την μία κατεύθυνση, ανάλογα με την πόλωσή της. Κατασκευάζεται
Διαβάστε περισσότεραΤο διπολικό τρανζίστορ
2 4 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το διπολικό τρανζίστορ 11 ο 12 ο 13 ο 14 ο Εργαστήριο ΦΥΛΛΑ ΕΡΓΑΣΙΑΣ 3 Άσκηση 11 η. 11.1 Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ. Στόχος: Μελέτη και χάραξη των χαρακτηριστικών
Διαβάστε περισσότεραΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3ο ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΔΙΟΔΟΙ Επαφή ΡΝ Σε ένα κομμάτι κρύσταλλο πυριτίου προσθέτουμε θετικά ιόντα 5σθενούς στοιχείου για τη δημιουργία τμήματος τύπου Ν από τη μια μεριά, ενώ από την
Διαβάστε περισσότεραΟρθή πόλωση της επαφής p n
Δύο τρόποι πόλωσης της επαφής p n Ορθή πόλωση της επαφής p n Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Ορθή πόλωση p n Άνοδος Κάθοδος Ανάστροφη πόλωση p n Άνοδος Κάθοδος
Διαβάστε περισσότεραΆσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας
Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας ΔΙΟΔΟΣ Οι περισσότερες ηλεκτρονικές συσκευές όπως οι τηλεοράσεις, τα στερεοφωνικά συγκροτήματα και οι υπολογιστές χρειάζονται τάση dc για να λειτουργήσουν σωστά.
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ Σχήµα 1. Κύκλωµα DC πόλωσης ηλεκτρονικού στοιχείου Στο ηλεκτρονικό στοιχείο του σχήµατος
Διαβάστε περισσότεραΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ ΕΠΑΦΗΣ (JFET) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού
Διαβάστε περισσότεραΔιαφορικοί Ενισχυτές
Διαφορικοί Ενισχυτές Γενικά: Ο Διαφορικός ενισχυτής (ΔΕ) είναι το βασικό δομικό στοιχείο ενός τελεστικού ενισχυτή. Η λειτουργία ενός ΔΕ είναι η ενίσχυση της διαφοράς μεταξύ δύο σημάτων εισόδου. Τα αρχικά
Διαβάστε περισσότεραΠεριεχόμενο της άσκησης
Προαπαιτούμενες γνώσεις Επαφή p- Στάθμη Fermi Χαρακτηριστική ρεύματος-τάσης Ορθή και ανάστροφη πόλωση Περιεχόμενο της άσκησης Οι επαφές p- παρουσιάζουν σημαντικό ενδιαφέρον επειδή βρίσκουν εφαρμογή στη
Διαβάστε περισσότεραΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 9/0/00 ΘΕΜΑ ο ( μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: 0, 0.7, kω, 0 kω, Ε kω, L kω, β fe 00, e kω. (α) Να προσδιορίσετε τις τιμές των αντιστάσεων,
Διαβάστε περισσότεραΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου
Απαραίτητα όργανα και υλικά ΑΣΚΗΣΗ 7 Μέτρηση ωμικής αντίστασης και χαρακτηριστικής καμπύλης διόδου 7. Απαραίτητα όργανα και υλικά. Τροφοδοτικό DC.. Πολύμετρα (αμπερόμετρο, βολτόμετρο).. Πλακέτα για την
Διαβάστε περισσότερα«Ενισχυτές με διπολικό transistor»
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Ενισχυτές με διπολικό transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή Πόλωση Αρχές ενίσχυσης Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για BJT ΤΗΜΜΥ 2 Σκοπός αυτής
Διαβάστε περισσότεραΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)
ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός είδους
Διαβάστε περισσότεραΕρωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά
Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά -1- Η τιμή της dc παραμέτρου β ενός npn transistor έχει τιμή ίση με 100. Το transistor λειτουργεί στην ενεργή περιοχή με ρεύμα συλλέκτη 1mA. Το ρεύμα βάσης έχει
Διαβάστε περισσότεραΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 5 ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΑΦΗΣ (BJT) Το τρανζίστορ επαφής, που αναφέρεται συχνά, απλώς σαν τρανζίστορ, ανακαλύφθηκε το 1948 στα εργαστήρια της Bell από τους J. Βardeen, W. Bratain και W. Shockley και
Διαβάστε περισσότεραΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):
ΘΕΜΑ 1 ο ( μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: V 10V, V BE 0.7 V, Β 200 kω, 1 kω, 1 kω, β 100. (α) Να προσδιορίσετε το σημείο λειτουργίας Q (V E, I ) του τρανζίστορ. (1 μονάδα) (β)
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές
Διαβάστε περισσότεραΕνισχυτικές Διατάξεις 1. Βαθµίδες εξόδου. Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade.
Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Βαθµίδες εξόδου Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade. Η τελική βαθµίδα εξόδου είναι αυτή που αποδίδει την ισχύ στο φορτίο
Διαβάστε περισσότεραΣχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI
Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1 Δομή Παρουσίασης MOSFET
Διαβάστε περισσότεραΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ. Ρεύµατα στο τρανζίστορ επαφής
ΤΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Στο κεφάλαιο αυτό θα εξετάσουµε τη φυσική συµπεριφορά του διπολικού τρανζίστορ επαφής (Bipolar Junction Transistor) ή όπως θα το ονοµάζουµε απλά τρανζίστορ. Ο όρος διπολικό αφορά στο ότι
Διαβάστε περισσότεραΚεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ημιαγωγοί - ίοδος Επαφής 2
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Ημιαγωγοί Δίοδος Επαφής Κεφάλαιο 3 ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας SI Techology ad Comuter Architecture ab ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση 1. Φράγμα δυναμικού.
Διαβάστε περισσότερα«Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ»
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤHMMY Σκοπός διάλεξης Μελέτη της συμπεριφοράς μικρού σήματος των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
Διαβάστε περισσότεραV CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.
ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής Επα φής Ι VLS Technology and omputer Archtecture Lab ιπολικό ΤρανζίστορΓ. Επαφής Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7: Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών
Διαβάστε περισσότεραΕρωτήσεις πολλαπλής επιλογής
Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής 1. Ένα τρανζίστορ διπλής επαφής είναι πολωµένο σωστά όταν: α. Η βάση είναι σε υψηλότερο δυναµικό από τον εκποµπό και σε χαµηλότερο από το συλλέκτη β. Η βάση είναι σε χαµηλότερο
Διαβάστε περισσότεραΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΘΕΩΡΙΑ
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΘΕΩΡΙΑ 2 Το τρανζιστορ Ορισμός Το τρανζίστορ είναι μία διάταξη στερεάς κατάστασης φτιαγμένη από ημιαγώγιμο υλικό με ακροδέκτες σε τρία ή περισσότερα σημεία τα ηλεκτρικά χαρακτηριστικά
Διαβάστε περισσότεραΑκαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.
A(dB) ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ Μάθημα: Αναλογικά Ηλεκτρονικά Εισηγητής: Ηλίας Σταύρακας Θέμα 1 ο (μονάδες 3): Ακαδημαϊκό Έτος 201112 Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις :
Διαβάστε περισσότεραΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ
ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 7/0/0 ΣΕΙΡΑ Β: :00 8:0 ΘΕΜΑ ο (4 μονάδες) Ο ενισχυτής του διπλανού σχήματος περιλαμβάνει ένα τρανζίστορ τύπου npn (Q ) και ένα τρανζίστορ τύπου pnp (Q ), για τα οποία δίνονται:
Διαβάστε περισσότεραΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 12/09/2013
ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: /09/0 ΘΕΜΑ ο (4 μονάδες Στον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος, το τρανζίστορ πολώνεται με συμμετρικές πηγές τάσης V και V των V Για το τρανζίστορ δίνονται:
Διαβάστε περισσότεραΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Πάτρα 0 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Τ.Ε.Ι. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ Ενότητες του μαθήματος Η πιο συνηθισμένη επεξεργασία αναλογικών σημάτων είναι η ενίσχυση τους, που επιτυγχάνεται με
Διαβάστε περισσότεραΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 6.1 ΚΑΘΡΕΠΤΕΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Σε ένα καθρέπτη ρεύµατος, το ρεύµα του κλάδου της εξόδου είναι πάντα ίσο µε το ρεύµα του κλάδου της εισόδου, αποτελεί δηλαδή το είδωλο του. Μία τέτοια διάταξη δείχνει
Διαβάστε περισσότεραΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤHMMY Σκοπός διάλεξης Γιατί χρησιμοποιούμε στάδια εξόδου Ακόλουθος εκπομπού Παρουσίαση των βασικών προδιαγραφών του Ψαλιδισμός
Διαβάστε περισσότεραΕνισχυτής Κοινού Εκπομπού
Θεωρητική Ανάλυση: Ενισχυτής Κοινού Εκπομπού 1. Κατασκευάστε έναν ενισχυτή κοινού εκπομπού, όπως φαίνεται στο παρακάτω σχήμα με κέρδος τάσης -10, ο οποίος να τροφοδοτείται από τάση VCC=+12V και να εμφανίζει
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρική Ενέργεια. Ηλεκτρικό Ρεύμα
Ηλεκτρική Ενέργεια Σημαντικές ιδιότητες: Μετατροπή από/προς προς άλλες μορφές ενέργειας Μεταφορά σε μεγάλες αποστάσεις με μικρές απώλειες Σημαντικότερες εφαρμογές: Θέρμανση μέσου διάδοσης Μαγνητικό πεδίο
Διαβάστε περισσότεραΑνάστροφη πόλωση της επαφής p n
Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων dpapageo@cc.uoi.gr http://pc164.materials.uoi.gr/dpapageo Επαφή p n Ανάστροφη πόλωση Πολώνουμε
Διαβάστε περισσότεραΟρθή πόλωση της επαφής p n
Δύο τρόποι πόλωσης της επαφής p n Ορθή πόλωση της επαφής p n Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων Ορθή πόλωση p n Άνοδος Κάθοδος Ανάστροφη πόλωση p n Άνοδος Κάθοδος
Διαβάστε περισσότεραΆσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω
ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ Άσκηση 1 To κύκλωµα του Fig.1 χρησιµοποιεί τρανζίστορ Ge (αγνοείστε τη Vbe) και οι χαρακτηριστικές του δίδονται στο Fig.2. Να υπολογίσετε τις αντιστάσεις εκποµπού και συλλέκτη, έτσι ώστε
Διαβάστε περισσότεραΠείραμα. Ο Διαφορικός Ενισχυτής. Εξοπλισμός. Διαδικασία
Ο Διαφορικός Ενισχυτής Ο διαφορικός ενισχυτής είναι η βαθμίδα εισόδου άμεσης σύζευξης ενός τυπικού τελεστικού ενισχυτή. Η πιο κοινή μορφή ενός διαφορικού ενισχυτή είναι ένα κύκλωμα με είσοδο δύο άκρων
Διαβάστε περισσότεραΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;
ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; Ηλεκτρονικοί Υπολογιστές Κινητά τηλέφωνα Τηλεπικοινωνίες Δίκτυα Ο κόσμος της Ηλεκτρονικής Ιατρική Ενέργεια Βιομηχανία Διασκέδαση ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τι περιέχουν οι ηλεκτρονικές
Διαβάστε περισσότερα«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ»
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗMMΥ Σκοπός διάλεξης Παρουσίαση των σημαντικότερων τοπολογιών ενισχυτών με ένα και περισσότερα
Διαβάστε περισσότερα3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ
3 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το διπολικό τρανζίστορ Άσκηση 8η. Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ. 1. Πραγματοποιήστε την συνδεσμολογία του κυκλώματος του Σχ. 1α (τρανζίστορ 2Ν2219). Σχήμα
Διαβάστε περισσότεραΕνισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT
Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Πόλωση BJT Η πόλωση τρανζίστορ όπως την έχετε γνωρίσει, υποφέρει από δύο βασικά μειονεκτήματα: Υπερβολική χρήση πηγών dc. Το γεγονός αυτό είναι ιδιαίτερα έντονο σε κυκλώματα πολυβάθμιων
Διαβάστε περισσότεραΑνάστροφη πόλωση της επαφής p n
Ανάστροφη πόλωση της επαφής p n Δ. Γ. Παπαγεωργίου Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων dpapageo@cc.uoi.gr http://pc164.materials.uoi.gr/dpapageo Επαφή p n Ανάστροφη πόλωση Πολώνουμε
Διαβάστε περισσότεραΕισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 Η ΙΟ ΟΣ ΕΠΑΦΗΣ
Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-48) 1 Η ΙΟ ΟΣ ΕΠΑΦΗΣ Κατά τη δηµιουργία µιας -n επαφής αρχικά υπάρχουν µόνο οπές στην -περιοχή και µόνο ηλεκτρόνια στην n-περιοχή. Οι οπές µε τα αρνητικά ιόντα της πρόσµιξης
Διαβάστε περισσότεραΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΠΕΙΡΑΜΑ 4
Εφόσον το τρανζίστορ ενός ενισχυτή κοινού εκπομπού πολωθεί με το σημείο Q να βρίσκεται κοντά στο μέσο της DC γραμμής φορτίου, μπορεί να συνδεθεί ένα μικρό ac σήμα στη βάση. Με αυτόν τον τρόπο, παράγεται
Διαβάστε περισσότεραΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ
ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Ηλεκτρικό κύκλωμα ονομάζεται μια διάταξη που αποτελείται από ένα σύνολο ηλεκτρικών στοιχείων στα οποία κυκλοφορεί ηλεκτρικό ρεύμα. Τα βασικά ηλεκτρικά στοιχεία είναι οι γεννήτριες,
Διαβάστε περισσότεραΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος
ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΑ ΔΙΚΤΥΑ ΥΨΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ (Θ) Ενότητα 1: Μικροκυματικές Διατάξεις ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΤΕ 1 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό
Διαβάστε περισσότεραΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Πάτρα 0 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Τ.Ε.Ι. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ Ενότητες του μαθήματος Η πιο συνηθισμένη επεξεργασία αναλογικών σημάτων είναι η ενίσχυση τους, που επιτυγχάνεται με
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn. Τρανζίστορ FT 3. Πόλωση των FT - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FT 5. Διπολικό τρανζίστορ (JT) 6. Πόλωση των JT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές με
Διαβάστε περισσότεραΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014
ΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ ΜΑΚΑΡΙΟΣ Γ ΣΧΟΛΙΚΗ ΧΡΟΝΙΑ: 2013 2014 ΓΡΑΠΤΕΣ ΠΡΟΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ/ΙΟΥΝΙΟΥ 2014 Κατεύθυνση: Θεωρητική Μάθημα: Τεχνολ.& Εργ. Ηλεκτρονικών Τάξη: Β Αρ. Μαθητών: 8 Κλάδος: Ηλεκτρολογία
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών
Ηλεκτρονική Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Ενισχυτής κοινού εκπομπού, ενισχυτής
Διαβάστε περισσότεραΤα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής
Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Τα πιο βασικά στοιχεία δομής των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων
Διαβάστε περισσότεραΛογική Τρανζίστορ-Τρανζίστορ. Διάλεξη 3
Λογική Τρανζίστορ-Τρανζίστορ (TTL) και Schottky TTL Διάλεξη 3 Δομή της διάλεξης Το κύκλωμα της πύλης TTL Ανάλυση της πύλης TTL Χαρακτηριστικά της πύλης TTL ΗπύληNAND TTL και άλλα λογικά κυκλώματα TTL Βελτίωση
Διαβάστε περισσότεραΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής Ο τελεστικός ενισχυτής, TE (operational ampliier, op-amp) είναι ένα από τα πιο χρήσιμα αναλογικά κυκλώματα. Κατασκευάζεται ως ολοκληρωμένο κύκλωμα (integrated circuit) και
Διαβάστε περισσότεραΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΔΙΟΔΟΣ (Μάθημα 4 ο 5 ο 6 ο 7 ο ) 1/12 4 o εργαστήριο Ιδανική δίοδος n Συμβολισμός της διόδου n 2/12 4 o εργαστήριο Στατική χαρακτηριστική διόδου Άνοδος (+) Κάθοδος () Αν στην ιδανική
Διαβάστε περισσότεραΕνισχυτικές Διατάξεις 1. Τάξη Α. Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I. οπου. όταν
Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Τάξη Α Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I οπου όταν Ενισχυτικές Διατάξεις 2 Ακόλουθος εκποµπού (CC) πολωµένος µε σταθερό ρεύµα Λόγω της χαµηλής αντίστασης εξόδου, ο ακόλουθος
Διαβάστε περισσότερα3.1 Η δίοδος στο κύκλωμα. Στατική και δυναμική χαρακτηριστική
1 3. Κυκλώματα διόδων 3.1 Η δίοδος στο κύκλωμα. Στατική και δυναμική χαρακτηριστική Στην πράξη η δίοδος προσεγγίζεται με τμηματική γραμμικοποίηση, όπως στο σχήμα 3-1, όπου η δυναμική αντίσταση της διόδου
Διαβάστε περισσότεραΠεριοχή φορτίων χώρου
1. ΔΙΟΔΟΙ (ΚΑΙ ΒΑΣΙΚΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ) 1.1. Γενικά Η δίοδος αποτελείται από έναν ημιαγωγό τύπου «p» (φορείς πλειονότητας: οπές) και έναν ημιαγωγό τύπου «n» (φορείς πλειονότητας: ηλεκτρόνια). Γύρω από την επαφή
Διαβάστε περισσότεραΟ BJT Αναστροφέας. Στατική Ανάλυση. Δεδομένα. Ο Απλός BJT Αναστροφέας
Ο BJT Αναστροφέας Ο πιο απλός αναστροφέας που μπορούμε να υλοποιήσουμε φαίνεται στο διπλανό σχήμα και αποτελείται από ένα τρανζίστορ και δύο αντιστάσεις. Μελετώντας το κύκλωμα θα διαπιστώσουμε ότι οι επιδόσεις
Διαβάστε περισσότεραΕργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος
Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος Αναφορά αποτελεσμάτων εργαστηριακών μετρήσεων και μετρήσεων προσομοίωσης κυκλωμάτων εργαστηρίου Ονόματα φοιτητών ομάδας Μουστάκα
Διαβάστε περισσότεραΠεριοχή φορτίων χώρου
1. ΔΙΟΔΟΙ 1.1. Γενικά Η δίοδος αποτελείται από έναν ημιαγωγό τύπου «p» (φορείς πλειονότητας: οπές) και έναν ημιαγωγό τύπου «n» (φορείς πλειονότητας: ηλεκτρόνια). Γύρω από την επαφή p-n, δημιουργείται μια
Διαβάστε περισσότεραΠεριοχή φορτίων χώρου
1. ΔΙΟΔΟΙ 1.1. Γενικά Η δίοδος αποτελείται από έναν ημιαγωγό τύπου «p» (φορείς πλειονότητας: οπές) και έναν ημιαγωγό τύπου «n» (φορείς πλειονότητας: ηλεκτρόνια). Γύρω από την επαφή p-n, δημιουργείται μια
Διαβάστε περισσότεραΚυκλώματα με ημιτονοειδή διέγερση
Κυκλώματα με ημιτονοειδή διέγερση Κυκλώματα με ημιτονοειδή διέγερση ονομάζονται εκείνα στα οποία επιβάλλεται τάση της μορφής: = ( ω ϕ ) vt V sin t όπου: V το πλάτος (στιγμιαία μέγιστη τιμή) της τάσης ω
Διαβάστε περισσότεραΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Διδάσκοντες:
Διαβάστε περισσότεραΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ενισχυτές Ασθενών Σημάτων Στον χώρο της ηλεκτρονικής οι ενισχυτές είναι ευρέως χρησιμοποιούμενες διατάξεις με τις οποίες μπορούμε να ενισχύσουμε ένα σήμα με σχετικά μικρό πλάτος (πχ. το σήμα
Διαβάστε περισσότερα4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ
ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ T..I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Περιεχόμενα 4 ης ενότητας Στην τέταρτη ενότητα θα μελετήσουμε τους ενισχυτές
Διαβάστε περισσότεραΗλεκτρονική Φυσική & Οπτικο-ηλεκτρονική Εισαγωγή
Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικο-ηλεκτρονική Εισαγωγή Α ΕΞΑΜΗΝΟ ΣΠΟΥΔΩΝ α/α Τίτλος Μαθήματος Ωρες Διδασκαλίας ΣΥΝΟΛΟ Θεωρία Ασκ. Πράξης Εργαστ. 1 Μαθηματικά Ι 4 3 1 0 2 Φυσική 6 3 1 2 3 Η//N Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική
Διαβάστε περισσότεραΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017
ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Λ ΜΠΙΣΔΟΥΝΗΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 6/0/07 ΘΕΜΑ ο ( μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται:
Διαβάστε περισσότεραΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 21/01/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ /0/0 ΘΕΜΑ ο (5 μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: 0 Ω, Ε kω, Β 00 kω, 4 kω, L kω, e 5 kω και 00 (α) Να προσδιορίσετε την ενίσχυση τάσης (A
Διαβάστε περισσότεραΔίοδοι Zener. Οι Zener χρησιμοποιούνται σε ρυθμιστές τάσεως (voltage. I s regulators) δηλαδή συσκευές όπου η τάση του φορτίου
ontrol Systems Laboratory Δίοδοι Zener συνεχ. Οι Zener χρησιμοποιούνται σε ρυθμιστές τάσεως (voltage I s regulators) δηλαδή συσκευές όπου η τάση του φορτίου I V Z υ διατηρείται σταθερή για μία ευρεία περιοχή
Διαβάστε περισσότεραΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 3: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι Ενότητα 3: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creative Commons.
Διαβάστε περισσότερακαι συνδέει τον αριθμό των σπειρών του πρωτεύοντος και του
Μετασχηματιστής με μεσαία λήψη Ένας μετασχηματιστής αποτελείται από δύο πηνία που έχουν τυλιχτεί επάνω στον ίδιο πυρήνα. Στο ένα πηνίο εφαρμόζεται μία εναλλασσόμενη τάση. Η τάση αυτή, δημιουργεί ένα μεταβαλλόμενο
Διαβάστε περισσότερα5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ
ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ T.E.I. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 1 Περιεχόμενα 5 ης ενότητας Στην πέμπτη ενότητα θα μελετήσουμε την ανατροφοδότηση
Διαβάστε περισσότεραΠεριεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή
Περιεχόμενα ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος 1.1 Εισαγωγή 1.2 Περιοχή Απογύμνωσης μιας Επαφής pn 1.2.1 Χωρητικότητα της Περιοχής Απογύμνωσης 1.2.2 Κατάρρευση Επαφής 1.3
Διαβάστε περισσότερα