Βιογραφικό σημείωμα. Εμμανουήλ Δημάκης

Σχετικά έγγραφα
ΕΤΟΣ ΓΕΝΝΗΣΗΣ: 11/6/1966, ΑΤΑΛΑΝΤΗ ΦΘΙΩΤΙΔΟΣ. ΠΑΡΟΥΣΑ ΘΕΣΗ: Τακτικός Καθηγητής στο ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΕΙ ΛΑΜΙΑΣ

ΠΡΑΚΤΙΚΟ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗΣ ΥΠΟΨΗΦΙΩΝ ΣΤΑ ΠΛΑΙΣΙΑ ΤΗΣ ΠΡΟΣΚΛΗΣΗΣ ΕΚΔΗΛΩΣΗΣ ΕΝΔΙΑΦΕΡΟΝΤΟΣ ΜΕ ΑΡ.ΠΡΩΤ. 015/ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ «ΕΠΕΔΒΜ, «ΑΡΙΣΤΕΙΑ

ΠΡΑΚΤΙΚΟ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗΣ ΥΠΟΨΗΦΙΩΝ ΣΤΑ ΠΛΑΙΣΙΑ ΤΗΣ ΠΡΟΣΚΛΗΣΗΣ ΕΚΔΗΛΩΣΗΣ ΕΝΔΙΑΦΕΡΟΝΤΟΣ ΜΕ ΑΡ.ΠΡΩΤ. 015/ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ «ΕΠΕΔΒΜ, «ΑΡΙΣΤΕΙΑ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ

413 Συνεδρίαση της Ολομέλειας της Επιτροπής Ερευνών του Πανεπιστημίου Κρήτης Ηράκλειο 15/11/2013

Πλασμονικές Οργανικές Δίοδοι Εκπομπής Φωτός Υψηλής Απόδοσης

Micro & Nano ΣΗΜΕΙΑ ΕΝΔΙΑΦΕΡΟΝΤΟΣ ΤΟΥ ΤΕΥΧΟΥΣ

Βιογραφικό Σημείωμα. Βιολέττας Γιαννέτα. Κερύνειας 13, Πάτρα, Ελλάδα, Οκτώβριος 25, 1978 Πάτρα Αχαΐας, Ελλάδα

Σύνθεση νανοδομών ZnO σε υδατικά διαλύματα και η χρήση τους ως αισθητήρες όζοντος

Η εμπειρία του Τμήματος Ηλεκτρονικής απο την διοργάνωση Εντατικών Προγραμμάτων

ΝΑΝΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΓΙΩΡΓΟΣ ΤΣΙΓΑΡΙΔΑΣ.

ΑΠΟΣΠΑΣΜΑ ΠΡΑΚΤΙΚΩΝ 463 ης / ΣΥΝΕΔΡΙΑΣΗΣ ΤΗΣ ΕΠΙΤΡΟΠΗΣ ΕΡΕΥΝΩΝ

ΒΙΟΓΡΑΦΙΚΟ ΣΗΜΕΙΩΜΑ 1. ΑΤΟΜΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ

ΜΕΛΕΤΗ ΜΟΡΦΟΛΟΓΙΑΣ ΣΤΕΡΕΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ ΓΙΑ ΦΩΤΟΝΙΟΕΝΕΡΓΕΙΑΚΗ ΑΝΑΒΑΘΜΙΣΗ

ΑΠΟΦΑΣΗ. Έχοντας υπ όψιν:

Τετάρτη, 17 Οκτωβρίου 2012 Αμφιθέατρο Κτηρίου Επιστημών Πολυτεχνείο Κρήτης 10:00-14:00

Αφίξεις Τουριστών / Arrivals of Tourists

ΚΩΝΣΤΑΝΤΙΝΟΣ Σ. ΠΟΛΙΤΗΣ Διπλ. Φυσικός Πανεπιστημίου Πατρών Υποψήφιος Διδάκτωρ Ε.Μ.Π. ΒΙΟΓΡΑΦΙΚΟ ΣΗΜΕΙΩΜΑ

Φυσικοί Μηχανισµοί Επίταξης µε Μοριακές έσµες και Ιδιότητες Λεπτών Υµενίων InN (0001)

Αξιολόγηση Ημιαγώγιμων Υμενίων Σεληνιούχου Καδμίου Σε Υπόστρωμα Νικελίου Για Φωτοβολταϊκές Εφαρμογές

ΣΥΜΜΕΤΟΧΕΣ ΣΕ ΣΥΝΕΔΡΙΑ ΚΑΙ ΜΕΤΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΕΣ ΗΜΕΡΙΔΕΣ

«ΜΙΚΡΟΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΚΑΙ ΝΑΝΟΔΙΑΤΑΞΕΙΣ»

ΒΙΟΓΡΑΦΙΚΟ ΣΗΜΕΙΩΜΑ. Φωτογραφία. Προσωπικά στοιχεία. Γνωστικό αντικείμενο: Αθλητική Ψυχολογία με έμφαση τις εφαρμογές

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ

Αφίξεις Τουριστών / Arrivals of Tourists

Phase Segregation of ZnO / ZnMgO Superlattice Affected by Ⅱ-Ⅵ Ratio

Εργαστήριο Ιατρικής Φυσικής

Dr Marios Vryonides. Curriculum Vitae I. PERSONAL DETAILS.. 2 II. EDUCATION... 3 III. WORK EXPERIENCE. 4

Αφίξεις Τουριστών / Arrivals of Tourists

ΒΙΟΓΡΑΦΙΚΟ ΣΗΜΕΙΩΜΑ ΠΡΟΣΩΠΙΚΕΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΕΣ. Ονοματεπώνυμο Διεύθυνση Τηλέφωνο Ηλεκτρονικό Ταχυδρομείο Υπηκοότητα Ημερομηνία Γέννησης

ΑΠΟΣΠΑΣΜΑ ΠΡΑΚΤΙΚΩΝ 438 ης / ΣΥΝΕ ΡΙΑΣΗΣ ΤΗΣ ΕΠΙΤΡΟΠΗΣ ΕΡΕΥΝΩΝ

60 χρόνια ΕΙΕ. Δρ. Ευστράτιος Ι. Καμίτσος Διευθυντής ΙΘΦΧ

Μπουλούσης Γεώργιος. Κονοπισοπούλου Αθήνα Τηλ: , boulousis@gmail.com

H επεξεργασία πληροφορίας απαιτεί ανίχνευση πληροφορίας

ΒΙΟΓΡΑΦΙΚΟ ΣΗΜΕΙΩΜΑ. Σπουδές

Στοιχεία Φυσικής Ημιαγωγών (ΕΤΥ481)

Micro & Nano ΣΗΜΕΙΑ ΕΝΔΙΑΦΕΡΟΝΤΟΣ ΤΟΥ ΤΕΥΧΟΥΣ. Γνωριμία με τη Micro & Nano. Παρουσίαση μελών της Micro & Nano

Table of contents. 1. Introduction... 4

Μικροηλεκτρονική - VLSI

Αφίξεις Τουριστών ανα μήνα 2013 Tourists Arrivals by month 2013

ΑΠΟΣΠΑΣΜΑ ΠΡΑΚΤΙΚΩΝ 458 ης / ΣΥΝΕΔΡΙΑΣΗΣ ΤΗΣ ΕΠΙΤΡΟΠΗΣ ΕΡΕΥΝΩΝ

1. ΠΤΥΧΙΟ Εθνικό και Καποδιστριακό Πανεπιστήµιο Αθηνών, Σχολή Θετικών Επιστηµών, Φυσικό Τµήµα Πτυχίο Φυσικής, 11 Ιουλίου 1986 ( ικαιολογητικό Α1)

Τεχνικές παρασκευής ζεόλιθου ZSM-5 από τέφρα φλοιού ρυζιού με χρήση φούρνου μικροκυμάτων και τεχνικής sol-gel

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ

MALMÖ UNIVERSITY HEALTH AND SOCIETY DISSERTATION 2014:3 ANTON FAGERSTRÖM EFFECTS OF SURFACTANT ADJUVANTS ON PLANT LEAF CUTICLE BARRIER PROPERTIES

Πανεπιστήµιο Κρήτης Οδηγός Μεταππτυχιακών Σπουδών ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΚΡΗΤΗΣ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΟΔΗΓΟΣ METAΠΤΥΧΙΑΚΩΝ ΣΠΟΥΔΩΝ - 1 -

Αλλαγή της δομής των ταινιών λόγω κραματοποίησης

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ

ΑΝΑΡΤΗΤΕΑ ΣΤO ΔΙΑΔΙΚΤΥΟ ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΠΑΙΔΕΙΑΣ, ΕΡΕΥΝΑΣ & ΘΡΗΣΚΕΥΜΑΤΩΝ - ΓΕΝΙΚΗ ΓΡΑΜΜΑΤΕΙΑ ΕΡΕΥΝΑΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ

Λουκάς Βλάχος Καθηγητής αστροφυσικής.

UNIVERSITY OF CRETE. Department of Materials Science & Technology (MST) Graduate Studies

ΒΙΟΓΡΑΦΙΚΟ ΣΗΜΕΙΩΜΑ ΕΥΣΤΑΘΙΟΥ ΔΕΤΟΡΑΚΗ

Δημοκρίτειο Πανεπιστήμιο Θράκης Τμήμα Μοριακής Βιολογίας και Γενετικής

ΤΘ 133 Γεωργιανοί Ηµαθίας Βέροια Τηλ:

Ποσοτική Μικροανάλυση Μέθοδος ZAF

Βιογραφικό Σημείωμα. ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΚΑΤΟΙΚΙΑΣ: Γερωνυμάκη 70, ΤΗΛΕΦΩΝΟ: ,

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ

ΧΑΡΑΛΑΜΠΟΣ Α. ΓΩΓΟΣ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ ΠΑΘΟΛΟΓΙΑΣ IΑΤΡΙΚΟΥ ΤΜΗΜΑΤΟΣ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟΥ ΠΑΤΡΩΝ ΠΡΟΕΔΡΟΣ ΙΑΤΡΙΚΟΥ ΤΜΗΜΑΤΟΣ. Πάτρα 2012

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ

ΒΕΛΤΙΣΤΟΠΟΙΗΣΗ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Ι ΙΟΤΗΤΩΝ ΕΠΙΦΑΝΕΙΩΝ ΜΕ ΣΥΓΧΡΟΝΕΣ ΝΑΝΟΤΕΧΝΟΛΟ- ΓΙΚΕΣ ΠΡΟΣΕΓΓΙΣΕΙΣ

Αρ. Πρωτ.: 260/ Αγία Παρασκευή, 07/12/2017 ΠΡΑΚΤΙΚΟ

FIB (FIB) 4. in situ FIB. Si(111) 8 QL Bi 2 Se 3 (111) FIB. capped. non-capped. Bi Bi 2 Te 3. Bi(111) Bi 2 Te 3 (111) Rashba π

ΕΠΙΠΕΔΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ. αρχικό υλικό. *στάδια επίπεδης τεχνολογίας. πλακίδιο Si. *ακολουθία βημάτων που προσθέτουν ή αφαιρούν υλικά στο πλακίδιο Si

Π Ρ Ο Σ Κ Λ Η Σ Η. Τελετή μεταβίβασης εξουσίας των Πρυτανικών Aρχών

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ

Μεταπτυχιακές σπουδές στην Ελλάδα. και το εξωτερικό

ΑΠΟΣΠΑΣΜΑ ΠΡΑΚΤΙΚΩΝ 455 ης / ΣΥΝΕΔΡΙΑΣΗΣ ΤΗΣ ΕΠΙΤΡΟΠΗΣ ΕΡΕΥΝΩΝ

1. ΠΡΟΣΩΠΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΌΝΟΜΑ: ΜΑΡΙΑ ΕΠΩΝΥΜΟ: ΚΛΑΔΑΚΗ ΌΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ ΠΑΤΕΡΑ: ΒΑΣΙΛΕΙΟΣ ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ ΜΗΤΕΡΑΣ: ΔΗΜΗΤΡΑ ΤΟΠΟΣ ΓΕΝΝΗΣΗΣ: ΡΟΔΟΣ ΥΠΗΚΟΟΤΗΤΑ:

ΒΙΟΓΡΑΦΙΚΟ ΣΗΜΕΙΩΜΑ : Πτυχίο Χημικού Μηχανικού της Πολυτεχνικής Σχολής του Α- ριστοτελείου Πανεπιστημίου Θεσσαλονίκης.

ΣΥΝΤΟΜΟ ΒΙΟΓΡΑΦΙΚΟ ΣΗΜΕΙΩΜΑ

ΣύντομοΠροφίλΑκαδημαϊκούΠροσωπικού / Σύντομο Βιογραφικό Σημείωμα

Η έρευνα σε περίοδο κρίσης:

ΒΙΟΓΡΑΦΙΚΟ ΣΗΜΕΙΩΜΑ. Αγγλικά άριστα (Certificate of Proficiency in English). Γαλλικά μέτρια (Certificat de langue Francaise).

Novel electroluminescent donor-acceptors based on dibenzo[a,c]phenazine as

Ανάπτυξη Νανοδομών και Λεπτών Υμενίων ZnO και TiO2 με χημικές τεχνικές και μελέτη της φωτοκαταλυτικής τους δράσης

1. 12η ΓΕΝΙΑ ΝΑΝΟΕΠΙΣΤΗΜΟΝΩΝ ΣΤΟ ΔΠΜΣ Ν&Ν!

ΠΕΡΙΓΡΑΜΜΑ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ

Discover Germany: Study and Research in the Land of Ideas. Deutscher Akademischer Austausch Dienst - DAAD Γερμανική Υπηρεσία Ακαδημαϊκών Ανταλλαγών

Παναγιώτα Νικολάου Ερωτοκρίτου 2, Ηράκλειο

Πρόσκληση. DOSSIER-Cloud DevOpS-based Software engineering for the cloud

Παρασκευή και χαρακτηρισµός νέων άµορφων συµπαγών κραµάτων για εφαρµογές σε µηχανικές και σε ηλεκτροµαγνητικές διατάξεις

Αριθμός 240 Ο ΠΕΡΙ ΕΠΙΣΤΗΜΟΝΙΚΟΥ ΤΕΧΝΙΚΟΥ ΕΠΙΜΕΛΗΤΗΡΙΟΥ ΚΥΠΡΟΥ ΝΟΜΟΣ

Πρακτικό Επιλογής Συνεργάτη για το έργο «New Medicines for Trypanosomatidic Infections (NMTrypI)»

260/ Αγία Παρασκευή, 15/12/2017

Ηλεκτρική αντίσταση και οπτική διαπερατότητα λεπτών υμενίων VO 2 στην περιοχή μετάλλου-μονωτή (ΜΙΤ)

ΕΠΙΧΕΙΡΗΣΙΑΚΗ ΑΛΛΗΛΟΓΡΑΦΙΑ ΚΑΙ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑ ΣΤΗΝ ΑΓΓΛΙΚΗ ΓΛΩΣΣΑ

Ημιαγωγοί: Το υλικό των «ηλεκτρονικών» που πλέον φωτίζει τις νύχτες μας

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ

Πειραματική και θεωρητική μελέτη της χημικής απόθεσης από ατμό χαλκού και αλουμινίου από αμιδικές πρόδρομες ενώσεις. Ιωάννης Γ.

Εργαστήριο Ηλεκτρονικής

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ

ΚΩΝΣΤΑΝΤΙΝΟΣ ΣΤΑΜΟΥΛΗΣ

Τμήμα Φυσικής Πανεπιστήμιο Κρήτης

Κρήτης.

ΠΡΟΣΚΛΗΣΗ ΕΚ ΗΛΩΣΗΣ ΕΝ ΙΑΦΕΡΟΝΤΟΣ ΓΙΑ ΥΠΟΒΟΛΗ ΠΡΟΤΑΣΗΣ ΠΡΟΣ ΣΥΝΑΨΗ ΣΥΜΒΑΣΕΩΝ ΜΙΣΘΩΣΗΣ ΕΡΓΟΥ Ι ΙΩΤΙΚΟΥ ΙΚΑΙΟΥ

PRESENTATION TITLE PRESENTATION SUBTITLE

ΑΝΑΡΤΗΤΕΟ ΣΤΟ ΔΙΑΔΙΚΤΥΟ ΑΠΟΣΠΑΣΜΑ της 654 πράξης της Επιτροπής Διαχείρισης του Ειδικού Λογαριασμού Κονδυλίων Έρευνας του Τ.Ε.Ι.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ

Transcript:

Βιογραφικό σημείωμα Εμμανουήλ Δημάκης Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf Institute of Ion Beam Physics and Materials Research Bautzner Landstraße 400, 01328 Δρέσδη, Γερμανία +49.351.260.2765 e.dimakis@hzdr.de, http://www.hzdr.de ΒΙΟΓΡΑΦΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ Ημερομηνία γέννησης: 30-03-1977 Υπηκοότητα: Ελληνική ΣΠΟΥΔΕΣ 2007 Διδακτορικό δίπλωμα Φυσικής (Μικροηλεκτρονική και Οπτοηλεκτρονική) Πανεπιστήμιο Κρήτης, Ηράκλειο, Επιβλέπων Καθ. Αλέξανδρος Γεωργακίλας 2003 Μεταπτυχιακό δίπλωμα Φυσικής (Μικροηλεκτρονική και Οπτοηλεκτρονική) Πανεπιστήμιο Κρήτης, Ηράκλειο 2000 Πτυχίο Φυσικής (με ειδίκευση στη Μικροηλεκτρονική) Πανεπιστήμιο Κρήτης, Ηράκλειο ΕΡΕΥΝΗΤΙΚΗ ΕΜΠΕΙΡΙΑ 2013 - σήμερα Αρχηγός ερευνητικής ομάδας, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Helmholtz- Zentrum Dresden-Rossendorf, Δρέσδη, Γερμανία 2010-2013 Μεταδιδακτορικός ερευνητής, Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Βερολίνο, Γερμανία 2007-2009 Μεταδιδακτορικός ερευνητής, Center for Photonics Research, Electrical and Computer Engineering Department, Boston University, Βοστώνη, ΗΠΑ 2000-2006 Επικουρικό ερευνητικό έργο, Ερευνητική Ομάδα Μικροηλεκτρονικής, ΙΗΔΛ, ΙΤΕ, Ηράκλειο, Ινστιτούτο Ηλεκτρονικής Δομής και Λέιζερ (ΙΗΔΛ), Ίδρυμα Τεχνολογίας και Έρευνας (ΙΤΕ), Ηράκλειο 1996-2000 Προπτυχιακό επικουρικό ερευνητικό έργο, Ερευνητική Ομάδα Μικροηλεκτρονικής, ΙΗΔΛ, ΙΤΕ, Ηράκλειο

ΚΥΡΙΑ ΕΡΕΥΝΗΤΙΚΑ ΕΝΔΙΑΦΕΡΟΝΤΑ Επιταξιακή ανάπτυξη λεπτών υμενίων και νανοδομών ημιαγωγών ΙΙΙ-V Φυσική και εφαρμογές λεπτών υμενίων και νανοδομών ΙΙΙ-νιτριδίων και ΙΙΙ-αρσενιδίων Μονολιθική ολοκλήρωση από κάτω προς τα πάνω νανοκολώνων ΙΙΙ-αρσενιδίων σε πλατφόρμες CMOS πυριτίου Νανοκολώνες με εφαρμογή σε καινοτόμες (οπτο)ηλεκτρονικές και θερμοηλεκτρικές διατάξεις Υπέρλεπτα κβαντικά πηγάδια InN ως τοπολογικοί μονωτές ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΕΣ ΔΕΞΙΟΤΗΤΕΣ Επίταξη με μοριακές δέσμες (MBE), ανακλαστική περίθλαση ηλεκτρονίων υψηλής ενέργειας (RHEED), περίθλαση ακτίνων-χ (XRD), μικροσκοπία ατομικής δύναμης (AFM), ηλεκτρονική μικροσκοπία σάρωσης (SEM), φωτολιθογραφία, τεχνικές ηλεκτρικού χαρακτηρισμού (φαινόμενο Hall, I-V, C-V), οπτική φασματοσκοπία (φωτοφωταύγεια, ηλεκτροφωταύγεια, καθοδοφωταύγεια, σκέδαση Raman, ελλειψομετρία) ΔΙΔΑΚΤΙΚΗ ΕΜΠΕΙΡΙΑ 2015, 2016 Τμήμα Φυσικής, Technische Universität Dresden Μάθημα: Ημιαγωγικές Κβαντικές Δομές 2000-2006 Επικουρικό διδακτικό έργο, Τμήμα Φυσικής, Πανεπιστήμιο Κρήτης Μαθήματα: Εργαστήριο Φυσικής Ημιαγωγών, Ημιαγωγικές Ηλεκτρονικές Διατάξεις, Αναλογικά Ηλεκτρονικά, Ψηφιακά Ηλεκτρονικά, Εισαγωγή στην Μικροηλεκτρονική ΔΗΜΟΣΙΕΥΣΕΙΣ Δημοσιεύσεις σε επιστημονικά περιοδικά με κριτές (βλ. αναλυτικό υπόμνημα δημοσιεύσεων) Αριθμός δημοσιεύσεων: 56 Αριθμός αναφορών (citations) ~ 800 Δείκτης h (h-index): 17 Πατέντες Π1. Α. Γεωργακίλας, Ν. Πελεκάνος, Ε. Δημάκης, Ανάπτυξη με την μέθοδο επίταξης με μοριακές δέσμες με πηγή πλάσματος αζώτου ετεροδομών ημιαγωγών νιτριδίων που περιλαμβάνουν στρώματα κραμάτων νιτριδίου του Ινδίου-Αργιλίου-Γαλλίου, Αριθμός διεθνούς ταξινόμησης: H01L 21/00, C30B 23/02

Διατριβές και διπλωματικές εργασίες T3. Φυσικοί μηχανισμοί επίταξης με μοριακές δέσμες και ιδιότητες λεπτών υμενίων InN (0001), Διδακτορική διατριβή, Τμήμα Φυσικής, Πανεπιστήμιο Κρήτης, 2007 T2. Επιταξιακή ανάπτυξη ετεροδομών από τετραμερή κράματα ΙΙΙ-νιτριδίων για βελτιωμένες διόδους λέιζερ, Μεταπτυχιακή διατριβή, Τμήμα Φυσικής, Πανεπιστήμιο Κρήτης, 2003 T1. Ανάπτυξη τρανζίστορ AlGaN/GaN υψηλής ευκινησίας (HEMT) με επίταξη με μοριακές δέσμες, Διπλωματική εργασία, Τμήμα Φυσικής, Πανεπιστήμιο Κρήτης, 2000 ΠΡΟΣΚΕΚΛΗΜΕΝΕΣ ΟΜΙΛΙΕΣ ΣΕ ΔΙΕΘΝΗ ΣΥΝΕΔΡΙΑ/ΣΕΜΙΝΑΡΙΑ I8. What Ga droplets can and cannot do in the growth of GaAs nanowires on Si, 19 th European Workshop on Molecular Beam Epitaxy, Korobitsyno, Russia, March 2017 I7. The role of Ga droplets in the epitaxy of GaAs nanowires on Si substrates, FemtoTera workshop, Budapest, Hungary, September 2016 I6. Growth and applications of III-V nanowires on Si substrates, Seminar talk, Karlsruhe Institute of Technology, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany, September 2016 I5. The role of Ga droplets in the epitaxy of GaAs nanowires on Si substrates, Seminar talk, Foundation for Research and Technology Hellas, Heraklion, Greece, August 2016 I4. Light emitting diode based on (In,Ga)As/GaAs coaxial multi-shell nanowires monolithically integrated on Silicon, Nanowires Workshop, Rehovot, Israel, November 2013 I3. III-As nanowires on Si: From growth mechanisms and doping to light emitting diodes, European Workshop on Heterostructure Technology - HETECH, Barcelona, Spain, November 2012 I2. Towards III-As nanowire devices on Si: growth and doping mechanisms, SemicoNano, Traunkirchen, Austria, September 2011 I1. Molecular beam epitaxy of III-As nanowires on Si, Seminar talk, Dept. of Mechanical and Manufacturing Engineering, University of Cyprus, Cyprus, April 2011 ΟΜΙΛΙΕΣ ΣΕ ΔΙΕΘΝΗ ΣΥΝΕΔΡΙΑ O18. Droplet-confined alternate pulsed epitaxy of GaAs nanowires on Si substrates: meeting the typical MBE standards, 19 th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Montpellier, France, September 2016 O17. New possibilities in the self-catalyzed growth of GaAs nanowires using a modification of migrationenhanced epitaxy, Nanowire Growth Workshop, Barcelona, Spain, October 2015 O16. How polytypism in InAs nanowires is affected by the presence of liquid indium during the growth on silicon, Nanowire Growth Workshop, Eindhoven, Netherlands, August 2014 O15. Light emitting diode made of (In,Ga)As/GaAs multi-shell nanowires on Silicon, Deutscher MBE, Dresden, Germany, September 2013

O14. Light emitting diodes based on vertical GaAs/(In,Ga)As core-shell nanowires on Si, MRS Fall Meeting, Boston, USA, November 2012 O13. Shell-doping of GaAs nanowires with Si for n-type conductivity, Nanowires Workshop, Berlin, Germany, September 2012 O12. Vapor-solid growth mode of InAs nanowires on Si(111), Topical workshop on nanowire growth by MBE, Berlin, Germany, September 2011 O11. Distinct nucleation and growth modes of self-assisted InAs nanowires on bare Si(111), 16 th European MBE Workshop, Alpe d'huez, France, March 2011 Ο10. Investigation of the emission properties of InN/GaN quantum wells using temperature-dependent photoluminescence, 5 th International Workshop on Nitride Semiconductors - IWN, Montreux, Switzerland, October 2008 O9. Growth and properties of near-uv light emitting diodes based on InN/GaN quantum wells, 7 th International Conference on Nitride Semiconductors - ICNS, Las Vegas, USA, September 2007 O8. InN-based ultraviolet light emitting diodes grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy, 24 th North American MBE Conference, Albuquerque, USA, September 2007 Ο7. Physical processes during growth of InN on GaN (0001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy, Electronic Materials Conference, TMS, Pennsylvania State University, USA, June 2006 O6. Effect of the growth mode and substrate properties on the biaxial strain in InN (0001) epilayers, Electronic Materials Conference, TMS, Pennsylvania State University, USA, June 2006 O5. Properties of MBE-grown InN (0001) films, E-MRS Fall Meeting, Warsaw, Poland, September 2005 O4. Biaxial strain in InN films grown heteroepitaxially on GaN (0001) by plasma assisted molecular beam epitaxy, E-MRS Fall Meeting, Warsaw, Poland, September 2005 O3. Molecular beam epitaxy of InN films and micro-columns on Ga-face GaN (0001), European Workshop on Heterostructure Technology - HETECH, Koutouloufari, Greece, October 2004 O2. The role of nucleation temperature in InN on GaN growth by plasma-assisted MBE, E-MRS Spring Meeting, Strasbourg, France, May 2004 O1. High quality quaternary InAlGaN alloys grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy, 12 th Semiconducting and Insulating Materials Conference, Smolenice, Slovakia, June 2002 ---------- ΑΚΟΛΟΥΘΕΙ Η ΑΓΓΛΙΚΗ ΕΚΔΟΣΗ ΤΟΥ ΒΙΟΓΡΑΦΙΚΟΥ ΣΗΜΕΙΩΜΑΤΟΣ ----------

Curriculum vitae Emmanouil Dimakis Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf Institute of Ion Beam Physics and Materials Research Bautzner Landstraße 400, 01328 Dresden, Germany +49.351.260.2765 e.dimakis@hzdr.de, http://www.hzdr.de PERSONAL DATA Birth date: 30-03-1977 Citizenship: Hellenic EDUCATION 2007 Ph.D. in Physics (Microelectronics and Optoelectronics) University of Crete, Heraklion, Greece, Advisor: Prof. Alexandros Georgakilas 2003 M.S. in Physics (Microelectronics and Optoelectronics) University of Crete, Heraklion, Greece 2000 B.S. in Physics (specialty in Microelectronics) University of Crete, Heraklion, Greece RESEARCH EXPERIENCE 2013 - present Group leader, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Helmholtz-Zentrum Dresden- Rossendorf, Dresden, Germany 2010-2013 Research Associate, Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Berlin, Germany 2007-2009 Research Associate, Center for Photonics Research, Electrical and Computer Engineering Department, Boston University, USA 2000-2006 Research Assistant, Microelectronics Research Group, Institute of Electronic Structure and Lasers (IESL), Foundation for Research and Technology Hellas (FORTH), Heraklion, Greece 1996-2000 Undergraduate Research Assistant, Microelectronics Research Group, IESL, FORTH, Heraklion, Greece

MAIN SCIENTIFIC INTERESTS Molecular beam epitaxy of III-V semiconductor films and nanostructures Physics and applications of III-nitride and III-arsenide films and nanostructures Bottom-up monolithic integration of III-arsenide nanowires on Si CMOS platforms Nanowires for novel (opto)electronic and thermoelectric device architectures Ultra-thin InN quantum wells as topological insulators EXPERIMENTAL SKILLS Molecular Beam Epitaxy (MBE), Reflection High-Energy Electron Diffraction (RHEED), X-Ray Diffraction (XRD), Atomic Force Microscopy (AFM), Scanning Electron Microscopy (SEM), Photolithography, Electrical characterization (Hall effect, I-V, C-V), Optical spectroscopy (Photoluminescence, Electroluminescence, Raman, Ellipsometry) TEACHING EXPERIENCE 2015, 2016 Physics Department, Technische Universität Dresden Course: Semiconductor Quantum Structures 2000-2006 Teaching Assistant, Physics Department, University of Crete Courses: Physics of Semiconductors Laboratory, Electronic Semiconductor Devices, Analogue electronics, Digital electronics, Introduction to Microelectronics PUBLICATIONS Peer-reviewed journal publications (see detailed memorandum of publications) Number of publications: 56 Times cited ~ 800 h-index: 17 Patents Π1. A. Georgakilas, N. T. Pelekanos, E. Dimakis, Growth of nitride semiconductor heterostructures including layers of InAlGaN quaternary alloys by molecular beam epitaxy, International classification No.: H01L 21/00, C30B 23/02

Theses T3. Physical mechanisms in molecular beam epitaxy and properties of InN(0001) films, Ph.D. thesis, Physics Department, University of Crete, 2007 T2. Epitaxial growth of InAlGaN heterostructures for optimized laser diodes, M.S. thesis, Physics Department, University of Crete, 2003 T1. Growth of AlGaN/GaN HEMTs by RF-plasma-assisted molecular beam epitaxy, Diploma thesis, Physics Department, University of Crete, 2000 INVITED TALKS AT INTERNATIONAL CONFERENCES/WORKSHOPS/SEMINARS I8. What Ga droplets can and cannot do in the growth of GaAs nanowires on Si, 19 th European Workshop on Molecular Beam Epitaxy, Korobitsyno, Russia, March 2017 I7. The role of Ga droplets in the epitaxy of GaAs nanowires on Si substrates, FemtoTera workshop, Budapest, Hungary, September 2016 I6. Growth and applications of III-V nanowires on Si substrates, Seminar talk, Karlsruhe Institute of Technology, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany, September 2016 I5. The role of Ga droplets in the epitaxy of GaAs nanowires on Si substrates, Seminar talk, Foundation for Research and Technology Hellas, Heraklion, Greece, August 2016 I4. Light emitting diode based on (In,Ga)As/GaAs coaxial multi-shell nanowires monolithically integrated on Silicon, Nanowires Workshop, Rehovot, Israel, November 2013 I3. III-As nanowires on Si: From growth mechanisms and doping to light emitting diodes, European Workshop on Heterostructure Technology - HETECH, Barcelona, Spain, November 2012 I2. Towards III-As nanowire devices on Si: growth and doping mechanisms, SemicoNano, Traunkirchen, Austria, September 2011 I1. Molecular beam epitaxy of III-As nanowires on Si, Seminar talk, Dept. of Mechanical and Manufacturing Engineering, University of Cyprus, Cyprus, April 2011 REGULAR TALKS AT INTERNATIONAL CONFERENCES/WORKSHOPS O18. Droplet-confined alternate pulsed epitaxy of GaAs nanowires on Si substrates: meeting the typical MBE standards, 19 th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Montpellier, France, September 2016 O17. New possibilities in the self-catalyzed growth of GaAs nanowires using a modification of migrationenhanced epitaxy, Nanowire Growth Workshop, Barcelona, Spain, October 2015 O16. How polytypism in InAs nanowires is affected by the presence of liquid indium during the growth on silicon, Nanowire Growth Workshop, Eindhoven, Netherlands, August 2014 O15. Light emitting diode made of (In,Ga)As/GaAs multi-shell nanowires on Silicon, Deutscher MBE, Dresden, Germany, September 2013

O14. Light emitting diodes based on vertical GaAs/(In,Ga)As core-shell nanowires on Si, MRS Fall Meeting, Boston, USA, November 2012 O13. Shell-doping of GaAs nanowires with Si for n-type conductivity, Nanowires Workshop, Berlin, Germany, September 2012 O12. Vapor-solid growth mode of InAs nanowires on Si(111), Topical workshop on nanowire growth by MBE, Berlin, Germany, September 2011 O11. Distinct nucleation and growth modes of self-assisted InAs nanowires on bare Si(111), 16 th European MBE Workshop, Alpe d'huez, France, March 2011 Ο10. Investigation of the emission properties of InN/GaN quantum wells using temperature-dependent photoluminescence, 5 th International Workshop on Nitride Semiconductors - IWN, Montreux, Switzerland, October 2008 O9. Growth and properties of near-uv light emitting diodes based on InN/GaN quantum wells, 7 th International Conference on Nitride Semiconductors - ICNS, Las Vegas, USA, September 2007 O8. InN-based ultraviolet light emitting diodes grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy, 24 th North American MBE Conference, Albuquerque, USA, September 2007 Ο7. Physical processes during growth of InN on GaN (0001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy, Electronic Materials Conference, TMS, Pennsylvania State University, USA, June 2006 O6. Effect of the growth mode and substrate properties on the biaxial strain in InN (0001) epilayers, Electronic Materials Conference, TMS, Pennsylvania State University, USA, June 2006 O5. Properties of MBE-grown InN (0001) films, E-MRS Fall Meeting, Warsaw, Poland, September 2005 O4. Biaxial strain in InN films grown heteroepitaxially on GaN (0001) by plasma assisted molecular beam epitaxy, E-MRS Fall Meeting, Warsaw, Poland, September 2005 O3. Molecular beam epitaxy of InN films and micro-columns on Ga-face GaN (0001), European Workshop on Heterostructure Technology - HETECH, Koutouloufari, Greece, October 2004 O2. The role of nucleation temperature in InN on GaN growth by plasma-assisted MBE, E-MRS Spring Meeting, Strasbourg, France, May 2004 O1. High quality quaternary InAlGaN alloys grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy, 12 th Semiconducting and Insulating Materials Conference, Smolenice, Slovakia, June 2002