ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ 11 Μαρτίου 2004

Σχετικά έγγραφα
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 06/02/2009 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 21/01/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 04/02/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2010 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Τάξη Α. Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I. οπου. όταν

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017

Ερώτηση 3 (2 µον.) Ε 1. ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι,2 η ΕΞΕΤ. ΠΕΡΙΟ. ΕΑΡ. ΕΞΑΜΗΝΟΥ

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ Γ ΤΑΞΗ

Πόλωση των Τρανζίστορ

5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Βαθµίδες εξόδου. Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade.

ΘΕΜΑ 1 ο (3.5 μονάδες) V CC R C1 R C2. R s. v o v s R L. v i I 1 I 2 ΛΥΣΗ R 10 10

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΣΥΛΛΕΚΤΗ ΑΚΟΛΟΥΘΗΤΗΣ ΤΑΣΗΣ

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 12/09/2013

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 20/02/2009 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΤΑΞΗ

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

vergina.eng.auth.gr/kontoleon 1 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙΙ ευτέρα, , 9 π..µ (Αιθ. 1-7, ιάρκεια Εξετ. 3 hr)

1 1+ Η εφαρµογή ανάδρασης υποβιβάζει την αντίσταση εξόδου στην τιµή

5. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ

12. Εάν ένα κομμάτι ημιαγωγού τύπου n και ένα κομμάτι ΟΧΙ

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 10/02/2015

5. Τροφοδοτικά - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Ανορθωµένη τάση Εξοµαλυµένη τάση Σταθεροποιηµένη τάση. Σχηµατικό διάγραµµα τροφοδοτικού

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) Γ ΤΑΞΗΣ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ 2002

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

και έντασης ρεύματος I 0 που περιστρέφονται με γωνιακή ταχύτητα ω. Το κύκλωμα περιλαμβάνει: α. μόνο ωμική αντίσταση β. μόνο ιδανικό πηνίο

3. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ

ÖÑÏÍÔÉÓÔÇÑÉÏ ÊÏÑÕÖÇ ÓÅÑÑÅÓ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 28 ΜΑΪΟΥ 2010 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

Γʹ ΤΑΞΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) ΣΑΒΒΑΤΟ 5 ΙΟΥΝΙΟΥ 2004 ΟΜΑ Α Α

Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος:

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΟΜΑ Α ΠΡΩΤΗ

Κεφάλαιο 1 ο. Βασικά στοιχεία των Κυκλωμάτων

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2009 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α Α

SPICE Directive:.model NBJT npn(is = 2f Bf = 100)

(μονάδες 5) A1.2 Κύκλωμα RLC σε σειρά τροφοδοτείται από εναλλασσόμενη τάση V=V 0 ημ ωt + και διαρρέεται. +. Τότε:

ΟΜΑ Α Α. α. i = β. i = ηµ (ωt-90 ο ) γ. i =

ρ. Λάμπρος Μπισδούνης

ΕΝΑΛΛΑΣΣΟΜΕΝΑ ΡΕΥΜΑΤΑ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 27 ΜΑΪΟΥ 2009 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α Α

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2. Ανάλυση Ηλεκτρικού Σήµατος

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 4: Ενισχυτής κοινού εκπομπού. Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ

ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΟΜΑ Α Α

Θέματα Ηλεκτρολογίας στις Πανελλαδικές. Ηλεκτρονικά

β) db έντασης = 20log οεισ δ) db έντασης = 10log οεισ

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

2η Εργαστηριακή Άσκηση: ιαγράµµατα Bode και εφαρµογή θεωρήµατος Thevenin

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

Προτεινόμενες Ασκήσεις στις Εξαρτημένες Πηγές και στους Τελεστικούς Ενισχυτές

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL

Γ' ΛΥΚΕΙΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α Α

ΟΜΟΣΠΟΝ ΙΑ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΩΝ ΦΡΟΝΤΙΣΤΩΝ ΕΛΛΑ ΟΣ (Ο.Ε.Φ.Ε.) ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ ΕΠΑΝΑΛΗΠΤΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ 2013

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

ÏÅÖÅ. Α. 3. Στις οπτικοηλεκτρονικές διατάξεις δεν ανήκει: α. η δίοδος laser β. το τρανζίστορ γ. η φωτοδίοδος δ. η δίοδος φωτοεκποµπής LED Μονάδες 5

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Επιµέλεια: Οµάδα Φυσικών της Ώθησης

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

5.10 Εναλλακτικοί τρόποι σύζευξης ενισχυτών συντονισμού

5 Ενισχυτές τρανζίστορ σε χαμηλές συχνότητες

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ) 2011 ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α ΠΡΩΤΗ

β) Τι θα συμβεί στην απολαβή τάσης και την απόκριση συχνότητας του ενισχυτή στο σχ.1β αν υπάρξει διακοπή στο σημείο που δεικνύεται με το αστέρι;

Προτεινόµενες Ασκήσεις στις Αρχές και Θεωρήµατα των Ηλεκτρικών Κυκλωµάτων

Βασικές Λειτουργίες των TR

Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων

Διαφορικοί Ενισχυτές

ΛΥΣΕΙΣ ΘΕΜΑΤΩΝ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ» Ι ΑΣΚΩΝ: Λ. ΜΠΙΣ ΟΥΝΗΣ

9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ. Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

MOSFET. Shockley W L W L

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

δ. R 1 > R ΟΛ > R 2 β. (153) 10 γ. (134) 8 δ. Τ=1 sec γ. Τ=50 sec

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

«Ενισχυτές με διπολικό transistor»

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Transcript:

Επώνυµο Όνοµα Α.Μ Α ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Μαρτίου 004 Θέµατα βαθµολογικά ισοδύναµα ιάρκεια εξέτασης 0 Θέµα ο Α) Κρύσταλλος S περιέχει προσµίξεις δότη µε συγκέντρωση Ν D 0 5 cm - ενώ, στη θερµοκρασία δωµατίου η συγκέντρωση ενδογενών φορέων του καθαρού κρυστάλλου είναι n,5 0 0 cm -. Στην ίδια θερµοκρασία οι ευκινησίες οπών και ηλεκτρονίων είναι, µ 500 cm /V ec και µ e 500 cm /V ec. Να προσδιοριστεί η αντίσταση δείγµατος κύβου πλευράς cm. ίνεται το φορτίο του ηλεκτρονίου q,6 0-9. 50% Β) Στην ηµιανορθωµένη κυµατοµορφή ηµιτονικής τάσης του σχ. να οριστεί και να προσδιοριστεί αναλυτικά η συνεχής συνιστώσα της τάσης. 50% Vlt 0 5 0 ωt 0 π π Σχ. Λύση Α) Η ειδική αγωγιµότητα του ηµιαγωγού δίνεται από τη σχέση, (Κεφ. ), n σ q µ end qµ ND Επειδή η συγκέντρωση των δοτών είναι µεγαλύτερη από δυο τάξεις µεγέθους σχετικά µε τη συγκέντρωση ενδογενών φορέων, η παραπάνω σχέση προσεγγίζεται ικανοποιητικά ως, σ qµ e N D Αντικαθιστώντας τις τιµές προκύπτει, 9 5 cm σ,6 0 500 0 V ec cm σ 0,48 0,48 ec V cm Ω cm Εποµένως, η ειδική αντίσταση του ηµιαγωγού είναι, ρ, Ω cm σ Η αντίσταση δείγµατος κύβου προκύπτει ως,

Β) π l ρ, Ω S V dc ( ωt)d( ωt) V n( ωt)d( ωt) π π 0 V π V Vdc c( ωt) 0 π π π 0,8 V Θέµα ο Α) Στον ενισχυτή του σχ. να προσδιορίσετε το σηµείο ηρεµίας Q για το τρανσίστορ. ίνονται: V E 0,7V και β00. 70% Β) Στο ηλεκτρικό ισοδύναµο µοντέλο του JT τρανσίστορ, πώς ορίζονται οι παράµετροι e, fe και πώς προσδιορίζονται µε βάση τις χαρακτηριστικές καµπύλες του τρανσίστορ. 0% V 0V 00K 4K 5K E K Σχ. Λύσή Α) Το ισοδύναµο κύκλωµα του σχ., στο συνεχές, δεικνύεται παρακάτω. V I V I Ε όπου, // 0 KΩ V V V V I V E βιβε I 6, 5 µα

Β) Βλ. κεφ. 5 Ι βi, m V I VE IE VE Q (,5 V, m),5 V Θέµα ο Α) Στον ενισχυτή του σχ. να προσδιορίσετε την ενίσχυση τάσης σε γραµµική κλίµατα και σε d. Θεωρείστε ότι όλοι οι πυκνωτές δρουν ως βραχυκυκλώµατα στο εναλλασσόµενο. ίνονται: fe 00 και e 4K. 70% Β) Περιγράψτε το αρχείο εισόδου SPIE βάσει του οποίου είναι δυνατός ο προσδιορισµός της ενίσχυσης τάσης µε εξοµοίωση. 0% V 0V 00K 4K K 5K E K 0K Σχ. Λύση Το ισοδύναµο κύκλωµα του ενισχυτή στο εναλλασσόµενο δεικνύεται παρακάτω, e ce c α) e fe β)

όπου, // 0 KΩ. Γνωρίζουµε ότι, όπου, λόγω διαιρέτη ρεύµατος, είναι, Άρα, όπου, Θέτοντας, Προκύπτει, Όπου από διαιρέτη τάσης, Εποµένως, Β) SPIE mplfer x. Vcc 4 0 dc 0 V 0 ac k u 4 00k 0 5k c 4 5 4k e 6 0 k e 6 0 u Q 5 6 qtet.mdel qtet npn F00 5 7 u 7 0 0k.p.ac ct 0 0 meg.pre.end fe fe fe //,85 KΩ e fe e ( // e ( // e ) fe e ) 0,56 75 d 0lg c 0,56 75 7,5 d 4

Θέµα 4 ο Α) Στο κύκλωµα του σχ.4 η τάση είναι ηµιτονική πλάτους V και συχνότητας KHz, ενώ, η V E είναι συνεχής τιµής V. Θεωρώντας ότι ο ΤΕ είναι ιδανικός, προσδιορίστε µε βάση την αρχή της επαλληλίας την έξοδο συναρτήσει των και V E. K K K V E V 4 K Σχ.4 Λύση α) Όταν V E 0, έχουµε έναν ενισχυτή αρνητικής ενίσχυσης, ; β) Όταν 0, έχουµε έναν ενισχυτή θετικής ενίσχυσης, Άρα, ;; ( ) ;; V 4 VE VE 4 E ; ;; VE n( ω t) n(π 0 t) V 5

Θέµα 5 ο Στο κύκλωµα του σχ.4 οι τάσεις και είναι ηµιτονικές πλάτους V και συχνότητας KHz, ενώ, η V E είναι συνεχής τιµής V. Θεωρώντας ότι ο ΤΕ είναι ιδανικός, προσδιορίστε µε βάση την αρχή της επαλληλίας την έξοδο συναρτήσει των, και V E. Απ.: 4V K E f K K V E V Σχ.4 Θέµα 6 ο Στο κύκλωµα του σχ.4 οι τάσεις και είναι ηµιτονικές πλάτους V και συχνότητας KHz. Θεωρώντας ότι ο ΤΕ είναι ιδανικός, προσδιορίστε µε βάση την αρχή της επαλληλίας την έξοδο συναρτήσει των,. Απ.: 4 K f K K Σχ.Γ4 6

Θέµα 7 ο Α) Στον ενισχυτή του σχ. να προσδιορίσετε την ενίσχυση ρεύµατος σε γραµµική κλίµατα και σε d. Θεωρείστε ότι όλοι οι πυκνωτές δρουν ως βραχυκυκλώµατα στο εναλλασσόµενο. ίνονται: fe 00 και e 4K. 70% Β) Περιγράψτε το αρχείο εισόδου SPIE βάσει του οποίου είναι δυνατός ο προσδιορισµός της ενίσχυσης ρεύµατος µε εξοµοίωση. 0% Απ.: 47,4 V 0V d,5 d 90K 4K K 5K E.6K 0K Σχ.Γ 7