Διπολικά τρανζίστορ (BJT)



Σχετικά έγγραφα
Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

Ηλεκτρονική. Ενότητα: 4 Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 4: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

AC λειτουργία Ισοδύναμα κυκλώματα μικρού σήματος του

του διπολικού τρανζίστορ


Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT)

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Κεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

Πόλωση των Τρανζίστορ

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΘΕΩΡΙΑ

Διπολικό Τρανζίστορ Bipolar Junction Transistor (BJT)

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΑΡΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Διπολικά Τρανζίστορ

Ηλεκτρονικό Κύκλωµα. ΟΝόµος Kirchhoff για το Ρεύµα -KCL

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

Ορθή πόλωση της επαφής p n

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 8: Διπολικά Τρανζίστορ

Γ. Τσιατούχας. VLSI systems and Computer Architecture Lab. Εισαγωγή στη Θεωρία Κυκλωμάτων 2

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες 2

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 6

Ορθή πόλωση της επαφής p n

Άσκηση 8. Θυρίστορ. Στόχος. Εισαγωγή. 1) Θυρίστορ. 2) Δίοδος Shockley ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ)

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

Το Τρανζίστορ ως Ενισχυτής (ΙΙ)

To π-ισοδύναμο μοντέλο του BJT

Βασικές Λειτουργίες των TR

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

Η ιδανική Δίοδος. Ορθή πόλωση Χαρακτηριστική τάσης ρεύματος της ιδανικής διόδου. Ανάστροφη πόλωση

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 7

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης

Η ιδανική Δίοδος. Ορθή πόλωση Χαρακτηριστική τάσης ρεύματος της ιδανικής διόδου. Ανάστροφη πόλωση

3. ίοδος-κυκλώµατα ιόδων - Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1. Kρυσταλλοδίοδος ή δίοδος επαφής. ίοδος: συνδυασµός ηµιαγωγών τύπου Ρ και Ν ΤΕΙ ΧΑΛΚΙ ΑΣ

Το διπολικό τρανζίστορ

Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Φαινομένου

Κεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Κυκλώματα ιόδων 2

ΘΕΜΑΤΑ ΠΑΝΕΛΛΗΝΙΩΝ ΕΞΕΤΑΣΕΩΝ-ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ Γ ΛΥΚΕΙΟΥ- ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ, ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΡΟΤΥΠΟ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΟ ΛΥΚΕΙΟ ΕΥΑΓΓΕΛΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗΣ ΣΜΥΡΝΗΣ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης

Κεφάλαια 4 ο και 6 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου ΙΙ 2

Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος:

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών

D 2 D kω 100V 25V

Κεφάλαιο 1 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ενισχυτές 2

ΕΝΟΤΗΤΑ VΙ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ

μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

ρ. Λάμπρος Μπισδούνης

Κεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Ημιαγωγοί - ίοδος Επαφής 2

Ηλεκτρονική. Ενότητα 8: Απόκριση κατά Συχνότητα των Ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 3: Διπολικά Τρανζίστορ (BJT) Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Βαθµίδες εξόδου. Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade.

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ 12. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Tρανζίστορ στο οποίο το ρεύµα εξόδου ελέγχεται όχι από το ρεύµα αλλά από την τάση εισόδου.

Relay Module. Relay. Στο πλαίσιο αυτής της προσπάθειας λοιπόν, ένα relay module είναι σχεδόν σίγουρο πως θα μας χρειαστεί.

Υπολογίστε την τάση τροφοδοσίας και τις αντιστάσεις στο παραπάνω κύκλωμα έτσι ώστε να λειτουργεί στο σημείο που δείχνει η ευθεία φόρτου.

Κεφάλαιο 3. Λογικές Πύλες

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική

«Αναθεώρηση των FET Transistor»

Ηλεκτρονική Φυσική (Εργαστήριο) ρ. Κ. Ι. ηµητρίου ΙΟ ΟΙ

SPICE Directive:.model NBJT npn(is = 2f Bf = 100)

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

Δίοδοι Zener. Οι Zener χρησιμοποιούνται σε ρυθμιστές τάσεως (voltage. I s regulators) δηλαδή συσκευές όπου η τάση του φορτίου

ΘΕΜΑ : ΒΑΣΙΚΕΣ ΣΥΝΔΕΣΜΟΛΟΓΙΕΣ ΤΕΛΕΣΤΙΚΟΥ ΕΝΙΣΧΥΤΗ. ΔΙΑΡΚΕΙΑ: 1περίοδος

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4. Volts. Από τον κανόνα Kirchhoff: Ευθεία φόρτου: Όταν I 0 η (Ε) γίνεται V VD V D

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

Ηλεκτρονική ΙIΙ. 6 ο εξάμηνο

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος

Η Ιδανική ίοδος. Η Ιδανική ίοδος σε Ανορθωτή. Ανάστροφη Πόλωση. Ορθή Πόλωση

Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 05/07/2010 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.

ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Λ. ΜΠΙΣΔΟΥΝΗΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 28/01/2015

1 1+ Η εφαρµογή ανάδρασης υποβιβάζει την αντίσταση εξόδου στην τιµή

Γιάννης Λιαπέρδος ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Κριτική Ανάγνωση: Αγγελική Αραπογιάννη. Επιμέλεια πολυμεσικού διαδραστικού υλικού: Γιώργος Θεοφάνους

Transcript:

Διπολικά τρανζίστορ (BJT)

Το τρανζίστορ npn Εκπομπός Σλλέκτης Βάση Σχηματική παράσταση το τρανζίστορ npn Περιοχές λειτοργίας διπολικού τρανζίστορ Περιοχή EBJ BJ Αποκοπή Ανάστροφα Ανάστροφα Εγκάρσια τομή τρανζίστορ npn Ενεργός Ορθά Ανάστροφα Κόρος Ορθά Ορθά

Το τρανζίστορ npn στην ενεργό περιοχή 1. Η ορθή πόλωση της επαφής ΕΒ εγχέει ηλεκτρόνια από τον εκπομπό στη βάση. 2. Επειδή η περιοχή της βάσης είναι πολύ λεπτή, η πλειονότητα ατών των ηλεκτρονίων διαχέεται προς την περιοχή απογύμνωσης της επαφής B και κατόπιν σαρώνονται προς τον σλλέκτη από το ηλεκτρικό πεδίο της ανάστροφα πολωμένης επαφής B. 3. Ένα μικρό ποσοστό από ατά τα ηλεκτρόνια επανασνδέονται με τις οπές στην περιοχή της βάσης. 4. Οπές εγχέονται από τη βάση στην περιοχή το εκπομπού, (4)<<(1).

Κατανομή των φορέων μειονότητας Ρεύμα στο οποίο επικρατούν τα ηλεκτρόνια από τον εκπομπό στη βάση λόγω της ορθής πόλωσης και βαθμίδα σγκέντρωσης των φορέων μειονότητας μέσα στη βάση. Η μερική επανασύνδεση προκαλεί καμπύλωση της σγκέντρωσης στην περιοχή της βάσης.

Το ρεύμα διάχσης μέσω της βάσης Η δά διάχση ηλεκτρονίων μέσω της βάσης καθορίζεται από την σγκέντρωσή τος στην επαφή EB: n p (0 ) n p0 / BE T To ρεύμα διάχσης των ηλεκτρονίων μέσω της βάσης είναι: A E qd dn Το ρεύμα σλλέκτη είναι: n n p ( x ) dx A E c n qd ( n np(0 ) ) W

Το ρεύμα Σλλέκτη Το ρεύμα σλλέκτη είναι: S / BE T όπο qa D n E n p0 S W qa E Dnn N W A 2 To είναι ανεξάρτητο από το E. Το ρεύμα σλλέκτη ελέγχεται από την τάση τωνδύοάλλωνακροδεκτών: πηγή ρεύματος ελεγχόμενη από τάση. Το ρεύμα κόρο Ι S είναι Αντιστρόφως ανάλογο προς το W και ανάλογο προς το Α Ε. Εξαρτάται από τη θερμοκρασία, λόγω το παράγοντα n 2.

Το ρεύμα Βάσης Το ρεύμα της βάσης αποτελείται από δύο σνιστώσες: B1 και B2 το B1 είναι εκθετική σνάρτηση το BE, λόγω της ορθής πόλωσης της επαφής ΕΒ Το B2, πο οφείλεται στις επανασνδέσεις, είναι ανάλογο προς τον αριθμό των ηλεκτρονίων πο εγχέονται από τον εκπομπό, οοποίοςείναιεκθετική σνάρτηση το BE. B BE / T

Το βήτα (β) Μπορούμε να σνδέσομε το μετο B μετην παρακάτω σχέση: β / B B β S β BE / T Το β είναι σταθερό για κάθε τρανζίστορ Παίρνει τιμές μεταξύ 100 και 200 και ακόμη μεγαλύτερες Ονομάζεται ενίσχση ρεύματος κοινού εκπομπού Σμβολίζεται επίσης με β F και h FE.

Το ρεύμα Εκπομπού Θεωρώντας το τρανζίστορ σαν ένα κόμβο, μπορούμε να γράψομε: E 1 β 1+ β β B + + E ή β 1+ β α E + β β α β α 1 1 α Το α ονομάζεται ενίσχση ρεύματος κοινής βάσης και είναι α<1 αλλά κοντά στο 1.

Το τρανζίστορ pnp Τα ρεύματα το τρανζίστορ pnp στην ενεργό περιοχή.

Σμβολισμός και πόλωση των διπολικών τρανζίστορ + E B E + B + E B BE E B + EB

Παράδειγμα: Δίνονται: β100 και BE 0,7 όταν 1mA Να σχεδιαστεί το κύκλωμα έτσι ώστε 2mA και 5. R 5 kω 1 2 S S ln v 1 BE 1 BE 2 / T / T BE1 1 2 BE 2 ( 2 T 1 BE 1 BE 2 + T ln 2 E EE R E 7, 07kΩ E BE 1 BE 2 ) )/ 0, 717 T

Υπολογισμός ρεμάτων και τάσεων R R E S BE / T BB R B B B BE E E B β S β / BE T BE 0, 7 BE, BB BRB + BE β B B BB R B BE E α E R B E BE

Άσκηση: Αν B -1 και E -1,7 να πολογιστούν τα: Ι Β, Ι Ε, β, α, Ι και. Είναι το τρανζίστορ πολωμένο στην ενεργό περιοχή; 5kΩ 100kΩ

Γραφική παράσταση των χαρακτηριστικών το τρανζίστορ S / BE T Η χαρακτηριστική c - BE Επίδραση της θερμοκρασίας ρ το τρανζίστορ npn. στην χαρακτηριστική c - BE Οι χαρακτηριστικές E - BE το τρανζίστορ npn. και B- BE έχον την ίδια μορφή. 0.6 < BE < 0.8 BE 0.7

Χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού S / BE T Το ρεύμα σλλέκτη δείχνει ανεξάρτητο της E στην ενεργό περιοχή. Επομένως μπορούμε να πούμε ότι το τρανζίστορ σμπεριφέρεται σαν ιδανική πηγή ρεύματος.

Φαινόμενο Early S (1+ BE / E T A ) r o ro E A BE σταθ 1 Φαινόμενο Early: Το ρεύμα σλλέκτη στην πράξη εξαρτάται ελαφρά από την E στην ενεργό περιοχή. ΗτάσηEarly, A, είναι χαρακτηριστικό το τρανζίστορ (50 ως 100). Μη μηδενική κλίση σημαίνει πεπερασμένη αντίσταση εξόδο, r o. Για μικρές τιμές της E η επαφή σλλέκτη-βάσης πολώνεται ορθά και το τρανζίστορ μπαίνει στον κόρο.

Χαρακτηριστικές κοινής βάσης Καθώς η B γίνεται αρνητική, η επαφή σλλέκτη-βάσης πολώνεται ορθά και το τρανζίστορ εισέρχεται στον κόρο. Η B BO είναι η τάση κατάρρεσης της επαφής σλλέκτη-βάσης και έχει μεγάλη τιμή. Η κλίση των χαρακτηριστικών στην ενεργό περιοχή είναι μικρότερη από την αντίστοιχη των χαρακτηριστικών κοινού εκπομπού. Επομένως, ηαντίσταση εξόδο κοινής βάσης είναι μεγαλύτερη.

Χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού με παράμετρο το Ι Β Η τάση κατάρρεσης της επαφής σλλέκτη-εκπομπού B ΕO έχει πολύ μικρότερη τιμή από την BO. Στον κόρο η αντίσταση εξόδο έχει πολύ μικρή τιμή και το τρανζίστορ δρα ως «κλειστός διακόπτης».

Η ενίσχση ρεύματος β το τρανζίστορ β dc h FE Q BQ Δ β ac h f E σταθ Δ B Το β εξαρτάται από το ρεύμα σλλέκτη και τη θερμοκρασία. Η τιμή το β διαφέρει έντονα μεταξύ τρανζίστορ το ίδιο τύπο.