Ενισχυτές Ισχύος σε τάξη Β

Σχετικά έγγραφα
Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Τάξη Α. Αγει καθ ολη τη διάρκεια της περιόδου της v I. οπου. όταν

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY

Εξάλειψη παραµόρφωσης περάσµατος τάξης Β

Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Βαθµίδες εξόδου. Προκειµένου να αποδοθεί σηµαντική ισχύς στο φορτίο είναι απαραίτητη η χρήση ενισχυτών cascade.

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω

του διπολικού τρανζίστορ

5. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ

Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ


Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά

Πόλωση των Τρανζίστορ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙO ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΩΤΗΣΕΙΣ

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

Υπολογίστε τη Vout. Aπ: Άγει η κάτω δίοδος:

8. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL

Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής

Τρανζίστορ FET Επαφής

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΑΣΠΑΙΤΕ / Τμήμα Εκπαιδευτικών Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Εκπαιδευτικών Ηλεκτρονικών Μηχανικών

Κεφάλαιο Ένα: ιπολικά Transistor

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙIΙ Ενότητα 4

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΙΟ ΟΣ 1

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρολογία Τεχνολογικής Κατεύθυνσης Γ Λυκείου 2001

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

Ηλεκτρολογία Τεχνολογικής Κατεύθυνσης Γ Λυκείου 2001

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. διπολικά τρανζίστορ διακρίνονται σε: 1. τρανζίστορ γερµανίου (Ge) και. 2. τρανζίστορ πυριτίου (Si ).

ÏÅÖÅ. Α. 3. Στις οπτικοηλεκτρονικές διατάξεις δεν ανήκει: α. η δίοδος laser β. το τρανζίστορ γ. η φωτοδίοδος δ. η δίοδος φωτοεκποµπής LED Μονάδες 5

Ενισχυτικές διατάξεις 1. Εισαγωγή. Περιοριστικοί παράγοντες χρήσης ενός BJT σε ενισχυτές ισχύος

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΙΣΧΥΟΣ PUSH-PULL

ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 2 JUT ΚΑΙ PUT

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

Γενικά χαρακτηριστικά ανάδρασης

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΣΥΛΛΕΚΤΗ ΑΚΟΛΟΥΘΗΤΗΣ ΤΑΣΗΣ

Υπολογίστε την τάση τροφοδοσίας και τις αντιστάσεις στο παραπάνω κύκλωμα έτσι ώστε να λειτουργεί στο σημείο που δείχνει η ευθεία φόρτου.

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος

ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ

Ακαδημαϊκό Έτος Εξάμηνο Εαρινό Α Εξεταστική Περίοδος Σημειώσεις : ανοικτές/κλειστές Διάρκεια εξέτασης: 2 ώρες. Ημ. εξέτασης:../../.

Δεύτερο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ

ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ

Το διπολικό τρανζίστορ

Βασικά Στοιχεία Αναλογικών Ηλεκτρονικών

Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ETY-482) 1 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΑΣΗΣ-ΡΕΥΜΑΤΟΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ ΚΑΙ ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης

4. ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ (ΜΕ ΔΙΠΟΛΙΚΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ) 1

Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής

Η Ιδανική ίοδος. Η Ιδανική ίοδος σε Ανορθωτή. Ανάστροφη Πόλωση. Ορθή Πόλωση

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 8. Ενισχυτής ισχύος

4. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΑΜΕΣΗ ΣΥΖΕΥΞΗ

ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. παθητικά: προκαλούν την απώλεια ισχύος ενός. ενεργά: όταν τροφοδοτηθούν µε σήµα, αυξάνουν

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

3. ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΜΕ ΣΥΖΕΥΞΗ ΜΕΣΩ ΠΥΚΝΩΤΗ

1 1+ Η εφαρµογή ανάδρασης υποβιβάζει την αντίσταση εξόδου στην τιµή

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3. Σχ.3.1. Συνδεσµολογία κοινού εκποµπού (npn).

ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ Τµήµα Ηλεκτρονικής

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET

Εισαγωγή. Ακουστικό. Μικρόφωνο

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. Ασκήσεις. Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ.

Άσκηση 10 Στοιχεία ηλεκτρονικής τεχνολογίας

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

9. Ενισχυτικές ιατάξεις- Ι.Σ. ΧΑΛΚΙΑ ΗΣ διαφάνεια 1 9. ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΕΣ ΙΑΤΑΞΕΙΣ. Βασική λειτουργία ενισχυτικής διάταξης: να

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 2ο.. Λιούπης

4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET

Τρανζίστορ Φαινοµένου Πεδίου Ι

Ταλαντωτές. Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος 2011 Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη

5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ

Το Τρανζίστορ ως Ενισχυτής (ΙΙ)

ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

3 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το διπολικό τρανζίστορ

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

ΑΠΑΝΤΗΣΕΙΣ. Επιµέλεια: Οµάδα Φυσικών της Ώθησης

K14 Αναλογικά Ηλεκτρονικά 9: Διαφορικός Ενισχυτής Τελεστικός Ενισχυτής

ΕΝ ΕΙΚΤΙΚΑ ΠΑΡΑ ΕΙΓΜΑΤΑ ΚΡΙΤΗΡΙΩΝ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗΣ

Άσκηση 7. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου Επαφής (JFET)

Κεφάλαιο 3 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Technology and Computer Architecture Lab. Κυκλώματα ιόδων 2

Άσκηση 8. Θυρίστορ. Στόχος. Εισαγωγή. 1) Θυρίστορ. 2) Δίοδος Shockley ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ)

Απόκριση συχνότητας ενισχυτή CE (I)

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7. Σχ.7.1. Σύµβολο κοινού τελεστικού ενισχυτή και ισοδύναµο κύκλωµα.

ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ

8. ιακοπτική Λειτουργία Τρανζίστορ- Ι.Σ. Χαλκιάδης διαφάνεια 1. ιακοπτική λειτουργία: περιοχή κόρου: ON ΤΕΙ - ΧΑΛΚΙ ΑΣ. περιοχή αποκοπής: OFF

Ανάδραση. Ηλεκτρονική Γ τάξη Επ. Καθηγ. Ε. Καραγιάννη

ΑΠΟΛΥΤΗΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Γ ΤΑΞΗΣ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΣΑΒΒΑΤΟ 24 ΙΟΥΝΙΟΥ 2000

ΕΚΦΩΝΗΣΕΙΣ ΟΜΑ Α Α. Στα ερωτήµατα Α.1 έως Α.5 να απαντήσετε χωρίς να αιτιολογήσετε τις απαντήσεις σας. Α.1. Σε ένα τµήµα ηµιαγωγού πρόσµιξης τύπου n:

Σελίδα 1 από 8. Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52

Παρατηρούμε ότι πολύ μικρή τάση εισόδου μπορεί να αλλάξει την κατάσταση στην έξοδο.

και Ac είναι οι απολαβές διαφορικού και κοινού τρόπου του ενισχυτή αντίστοιχα.

Τµήµα Βιοµηχανικής Πληροφορικής Σηµειώσεις Ηλεκτρονικών Ισχύος Παράρτηµα

Transcript:

Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Ενισχυτές Ισχύος σε τάξη Β Οι ενισχυτές τάξης Α παρουσιάζουν χαµηλή απόδοση λόγω της µόνιµης κατανάλωσης V CE I C στο τρανζίστορ. Για να µειωθεί η κατανάλωση ισχύος σε ηρεµία (~ θερµότητα) µετακίνηση Q προς σε χαµηλότερες τιµές. Αν Ι C =0, κατανάλωση ισχύος σε ηρεµία 0. ηλαδή τοποθετώντας το Q στο σηµείο αποκοπής επιτυγχάνεται: αύξηση της απόδοσης του ενισχυτή αφού αποφεύγεται η κατανάλωσης ισχύος σε ηρεµία (απουσία σήµατος εισόδου) και αυξάνεται η ισχύς στο φορτίο Με τον τρόπο υφίσταται ρεύµα συλλέκτη µόνο κατά τη µία ηµιπερίοδο του σήµατος εισόδου (ηµιτονοειδής διέγερση)

Ενισχυτικές Διατάξεις 2 Στάδιο Εξόδου σε Τάξη Β Το BJT αγει µόνο στη θετική ηµιπερίοδο του σήµατος εισόδου ηλαδή ο ενισχυτής άγει όταν ισχύει Το τρανζίστορ στην αποκοπή (i c =0) όταν Όταν v I < 0.7V, i C = 0 Το κύκλωµα λειτουργεί περισσότερο ως ανορθωτής παρά ως ενισχυτής Απαιτείται ένα επιπλέον στάδιο το οποίο θα επιτρέπει και την λειτουργία του ενισχυτή κατά τη διάρκεια της αρνητικής ηµιπεριόδου ιπλά τρανζίστορ µε χρήση Μ/Τ (µη πρακτικό) Συµπληρωµατικά τρανζίστορ

Ενισχυτικές Διατάξεις 3 Στάδιο εξόδου συµπληρωµατικής συµµετρίας Καθώς η v I αυξάνεται θετικά και ξεπερνά τα 0.7V περίπου, το Q N αρχίζει να άγει και λειτουργεί ως ακόλουθος εκποµπού. Η v ο ακολουθεί την v I (v ο = v I 0.7V) και το Q N παρέχει ρεύµα φορτίου. Στο µεταξύ η επαφή ΒΕ του Q P είναι ανάστροφα πολωµένη από τα 0.7V της ΒΕ του Q Ρ, οπότε το Q N είναι σε αποκοπή. Αρα: b) v I > V BEN = 0.7 V, Q N = ON, Q Ρ = OFF, i L =i EN i CN Q N στον κόρο αν v O > V CC - V CENsat. Q P στην αποκοπή για v I > -0.7 V. Με την ίδια λογική για την αρνητική ηµιπερίοδο, όταν η v I γίνει περισσότερο αρνητική από -0.7V, το Q P θα αρχίζει να άγει και να λειτουργεί ως ακόλουθος εκποµπού. Η v ο ακολουθεί πάλι την v I (v ο = v I 0.7V) αλλά τώρα το Q P είναι σε αποκοπή. Ετσι: a) Για -0.7V v I 0.7V, Q N και Q P είναι σε αποκοπή v O = 0 V c) v I < -V BEP = -0.7 V, Q N = OFF, Q Ρ = ON, i L = i EP i CP Q P στον κόρο αν v O < - V CC V ECPsat Q N στην αποκοπή αν v I < 0.7 V.

Ενισχυτικές Διατάξεις 4 Χαρακτηριστική µεταφοράς Όταν Αντίστοιχη Τάξη Α Όταν Όταν

Ενισχυτικές Διατάξεις 5 Παραµόρφωση περάσµατος Υπάρχει µία περιοχή τιµών της v I (γύρω από το 0) όπου και τα δύο τρανζίστορ βρίσκονται στην αποκοπή και η v O =0 Αυτή η νεκρή ζώνη έχει ως αποτέλεσµα την εµφάνιση της παραµόρφωσης περάσµατος (crossover distortion) Η επίδραση της είναι περισσότερο εµφανής όταν έχουµε µικρού πλάτους σήµα εισόδου

Ενισχυτικές Διατάξεις 6 Παραµόρφωση περάσµατος (παράδειγµα) T1 2N3904 V1 12 VF1 VF2 R1 100 VG1 V2 12 T2 2N3906

Ενισχυτικές Διατάξεις 7 Υπολογισµοί Ισχύος push-pull τάξης Β Απλουστεύσεις : α) αγνοούµε νεκρή ζώνη β) V CEN-sat = V ECP-sat = 0 V µέγιστη διακύµανση v O είναι V CC v O V CC Η µέση ισχύς στην αντίσταση φορτίου είναι µε v O =V o peak sin (ωt) ίδιο µε τάξη Α Η µέση ισχύς που µεταφέρεται από τη θετικό τροφοδοτικό ( V CC ) κατά τη διάρκεια της θετικής ηµιπεριόδου 0 t T/2 (i C = 0 για T/2 t T) είναι

Ενισχυτικές Διατάξεις 8 Υπολογισµοί Ισχύος push-pull τάξης Β (ΙΙ) Από πριν έχουµε Με δεδοµένο ότι, έχουµε τελικά

Ενισχυτικές Διατάξεις 9 Υπολογισµοί Ισχύος push-pull τάξης Β (ΙΙΙ) Η µέση ισχύς που µεταφέρεται από τo αρνητικό θετικό τροφοδοτικό (- V CC ) κατά τη διάρκεια της αρνητικής ηµιπεριόδου T/2 t T, είναι ίση µε την αντίστοιχη ισχύ που υπολογίσαµε από το V CC, άρα Οπότε Η αποδοτικότητα µετατροπής ενέργειας τάξης Β (ακριβής για V o-peak > 0.7 V)

Ενισχυτικές Διατάξεις 10 Υπολογισµοί Ισχύος push-pull τάξης Β (ΙV) Μέγιστη θεωρητικά αναµενόµενη αποδοτικότητα µετατροπής ενέργειας τάξης Β Εφόσον έχουµε V CC v o V CC θα είναι Κατανάλωση ισχύος στα τρανζίστορ P Disp (V o peak =0)=0 {ακριβέστερα όταν V o peak 0.7V}

Ενισχυτικές Διατάξεις 11 Υπολογισµοί Ισχύος push-pull τάξης Β (V) Για ποια τιµή της V o peak έχουµε την µέγιστη κατανάλωση ισχύος στα τρανζίστορ? Για να βρούµε την µέγιστη P Disp διαφορίζουµε την εξίσωση ως προς V o peak και την εξισώνουµε µε µηδεν (µηδενισµός παραγώγου) Το ½ της P Disp(max) καταναλώνεται στο Q N και το άλλο ½ στο Q P Αύξηση της V o peak πάνω από την τιµή 2V CC /π µειώνει την κατανάλωση ισχύος ενώ ταυτόχρονα αυξάνει την ισχύ φορτίου. Όµως αυξάνεται και η THD

Ενισχυτικές Διατάξεις 12 Υπολογισµοί Ισχύος push-pull τάξης Β (Περίληψη) Ισχύς από τα τροφοδοτικά: max V o-peak = V CC Ισχύς στο φορτίο: max V ο-peak = V CC Αποδοτικότητα ενέργειας µετατροπής Κατανάλωση ισχύος στα τρανζίστορ Μέγιστη κατανάλωση ισχύος στα τρανζίστορ για τάση:

Ενισχυτικές Διατάξεις 13 Παράδειγµα Ι P Disp =P Dav P Lav

Ενισχυτικές Διατάξεις 14 Παράδειγµα Ι (συν.)

Ενισχυτικές Διατάξεις 15 Παράδειγµα Ι - εξοµοίωση Pn W T1 2N3904 V1 12 W PL VG1 0 R1 100 V2 12 T2 2N3906 W Pp

Ενισχυτικές Διατάξεις 16 Παράδειγµα Ι εξοµοίωση (συν) Pn W T1 2N3904 V1 12 W PL VG1 0 R1 100 V2 12 T2 2N3906 W Pp n sim PLav 0.647 = = = P P 0.419 0.419 V V CC CC 0.772

Ενισχυτικές Διατάξεις 17 Παράδειγµα ΙΙ Να σχεδιαστεί βαθµίδα εξόδου push-pull τάξης Β η οποία να παρέχει ισχύ 20W σε φορτίο 8Ω. Η τάση τροφοδοσίας να επιλεγεί έτσι ώστε η V CC να είναι 5V µεγαλύτερη από τη µέγιστη τάση εξόδου (για να αποφευχθεί ο κορεσµός και η συνεπαγόµενη µη γραµµική παραµόρφωση). Βρείτε την απαιτούµενη τροφοδοσία, το µέγιστο ρεύµα που δίδει κάθε τροφοδοτικό, τη συνολική ισχύ τροφοδοσίας, την αποδοτικότητα µετατροπής ενέργειας και τη µέγιστη ισχύ που θα πρέπει να µπορεί να καταναλώνει το κάθε τρανζίστορ µε ασφάλεια Προσδιορισµός V CC P Lav =20W, R L =8V άρα έχω Προσδιορισµός µεγίστου ρεύµατος από κάθε τροφοδοτικό

Ενισχυτικές Διατάξεις 18 Παράδειγµα ΙΙ (συν) Προσδιορισµός συνολικής ισχύος τροφοδοσίας Προσδιορισµός αποδοτικότητας µετατροπής ενέργειας Προσδιορισµός µέγιστης ασφαλούς κατανάλωσης ισχύος επί των τρανζίστορ