ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET

Μέγεθος: px

Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET"

Γολγοθά Παπαστεφάνου
7 χρόνια πριν
Προβολές:

1 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές με διπολικά τρανζίστορ ρ 8. Ενισχυτές με ενεργό φορτίο 9. Κατασκευή ασ ολοκληρωμένων ο ω κυκλωμάτων ω 1/24 ΣΥΜΒΟΛΑ ΤΩΝ FET n channel JFET p channel n-mo πύκνωσης p-mo πύκνωσης 2

2 Ι = k[(v - V p )V - V 2 /2] Περιοχή πριν από τη φραγή Ι = Ι (1 - V / V p ) 2 Περιοχή μετά τη φραγή XAΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ XAΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΕΞΟΔΟΥ n-jfet ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ n-jfet 2 (Ι = V p k / 2) Vp ΤΑΣΗ ΦΡΑΓΗΣ Vp Επίδραση τάσης Early V A = 1 / λ : 3 V CC I EF 4

3 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΟΛΩΣΗΣ JFET V CC V V CC V V CC V 1 V I EF I O UT I EF I O UT 2 I EF I O UT 5 ΚΥΚΛΩΜΑ ΑΥΤΟΠΟΛΩΣΗΣ ME JFET V CC V V = i ( + ) + υ i = - υ / /( + )+V / /( + ) Ευθεία φόρτου C V = -I (I = 0) I EF I O UT Ι = Ι (1 - V / V p ) 2 = Ι (1 + I / V p ) 2 6

4 ΠΟΛΩΣΗ MOFET nmo ΠΟΛΩΣΗ MOFET 7 8

5 ΠΟΛΩΣΗ MOFET Πόλωση με σταθερή τάση V Πόλωση με αντίσταση πηγής 9 ΠΟΛΩΣΗ MOFET ΜΕ ΚΑΘΡΕΠΤΗ ΡΕΥΜΑΤΟΣ 10

6 Καθρέπτης ρεύματος με τρανζίστορ n-mo (τρανζίστορ στον κόρο) Για το Q1 είναι: V = V > V V t Καθρέπτες ρεύματος για απορρόφηση (sink) και παροχή (source) ρεύματος 11 (τρανζίστορ στον κόρο) 12

7 Καθρέπτης ρεύματος Wilson (τρανζίστορ στον κόρο) 13 Τροποποιημένος καθρέπτης ρεύματος Wilson Εξισορρόπηση της διαφοράς V μεταξύ των Q1 και Q2 του απλού καθρέπτη Wilson 14

8 Κασκοδικός καθρέπτης ρεύματος (τρανζίστορ στον κόρο) Αντίσταση εξόδου αυξημένη κατά 10 έως 100 φορές σε σύγκριση με τον απλό καθρέπτη ρεύματος. Μειονέκτημα : μείωση του πλάτους διακύμανσης της εξόδου, διότι τα τρανζίστορ μπορεί να εισέλθουν στην γραμμική περιοχή λειτουργίας ( V o > 2 V ov + V tn ) Πηγή ρεύματος Widlar 15 (τρανζίστορ στον κόρο) Χρησιμοποιείται για μικρά ρεύματα. Υλοποιείται με μικρές τιμές αντιστάσεων,, κατάλληλες για ολοκληρωμένα κυκλώματα. 16

9 3. ΙΣΟΔΥΝΑΜΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ F E T ΣΥΝΘΗΚΕΣ ΚΑΙ ΕΞΙΣΩΣΕΙΣ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ J-FET n-jfet Ι =V 2 p k/2 ή p ή k= 2Ι / V p 2 Δίαυλος Ωμική περιοχή Περιοχή μετά τη φραγή p V V V < V 0 V 0 > V n V V V > V 0 V 0 < V = L /σα Ι = Ι (1 V /Vp)2 Ι = k[(v )V V 2 /2] g = (2Ι /V m p)(1 V /Vp) ΙΣΟΔΥΝΑΜΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ F E T ΣΥΝΘΗΚΕΣ ΚΑΙ ΕΞΙΣΩΣΕΙΣ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ MOFET ΠΥΚΝΩΣΗΣ n-μο Δίαυλος Ωμική περιοχή Περιοχή κορεσμού p V V V < V 0 V 0 > V n V V V > V 0 V 0 < V Ι =k n (W/L)[(V V t )V V 2 /2] Ι = (½)k n (W/L)(V V t )2 g m = k n (W/L)(V V t ) = 2Ι /V 18 ov

10 3. ΙΣΟΔΥΝΑΜΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ F E T YΒΡΙΔΙΚΟ - π ΙΣΟΔΥΝΑΜΟ ΤΟΥ JFET VpF CC C gd C gs g m υ r o C ds 1-3 pf I EF 3. ΙΣΟΔΥΝΑΜΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ F E T 19 YΒΡΙΔΙΚΟ - π ΙΣΟΔΥΝΑΜΟ ΤΟΥ MOFET pf V CC C gd C gs g m υ r o C ds pf I EF 20

11 3. ΙΣΟΔΥΝΑΜΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ F E T YΒΡΙΔΙΚΟ - π ΙΣΟΔΥΝΑΜΟ ΤΩΝ FET ΣΤΙΣ ΜΕΣΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ V CC g m υ r o I EF Μόνο όταν λαμβάνεται υπόψη το φαινόμενο διαμόρφωσης μήκους καναλιού 3. ΙΣΟΔΥΝΑΜΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ F E T 21 ΜΟΝΤΕΛΟΠΟΙΗΣΗ ΤΟΥ ΦΑΙΝΟΜΕΝΟΥ ΣΩΜΑΤΟΣ ΤΩΝ MOFET V CC I EF Διαγωγιμότητα σώματος g mb 22

12 3. ΙΣΟΔΥΝΑΜΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ F E T V CC ΙΣΟΔΥΝΑΜΟ ΜΟΝΤΕΛΟ Τ I EF 3. ΙΣΟΔΥΝΑΜΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΟΥ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ F E T 23 V CC ΙΣΟΔΥΝΑΜΟ ΜΟΝΤΕΛΟ Τ ΜΕ ANTIΣΤΑΣΗ r o I EF 24/24

Σχετικά έγγραφα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4

ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4: Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών