«Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ»
|
|
- Χλωρίς Μήτζου
- 8 χρόνια πριν
- Προβολές:
Transcript
1 ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Ενισχυτές ενός τρανζίστορ και πολλών τρανζίστορ» Φώτης Πλέσσας ΤΗMMΥ
2 Σκοπός διάλεξης Παρουσίαση των σημαντικότερων τοπολογιών ενισχυτών με ένα και περισσότερα τρανζίστορ τόσο σε CMOS όσο και σε διπολική τεχνολογία Βέλτιστη υλοποίηση ως προς την απόδοση και το κόστος λαμβάνοντας υπόψη τους περιορισμούς της τεχνολογίας που θα επιλεγεί THΜMΥ - 2
3 Δομή παρουσίασης Παραδείγματα διπολικών και CMOS ενισχυτών Μοντελοποίηση δύο θυρών «two-port» των ενισχυτών Ενισχυτές με ένα τρανζίστορ Ενισχυτές με πολλά τρανζίστορ THΜMΥ - 3
4 Discrete Component Amplifier Δύο διαδοχικά διπολικά στάδια Common Emitter (CE) και ένα στάδιο Common Collector (CC). Είσοδος AC-coupled, μεταξύ σταδίων και εξόδου. Απαιτεί μεγάλα «εξωτερικά» στοιχεία, R και C. THΜMΥ - 4
5 Integrated Circuit Amplifier CMOS τριών σταδίων: Διαφορικό στάδιο εισόδου με ενεργό φορτίο Στάδιο κέρδους Common Source Στάδιο απομόνωσης Common Drain THΜMΥ - 5
6 Δίθυρα μοντέλα ενισχυτών THΜMΥ - 6
7 Δίθυρο ισοδύναμο κύκλωμα παραμέτρων σύνθετης αγωγιμότητας THΜMΥ - 7
8 Δίθυρο ισοδύναμο κύκλωμα παραμέτρων σύνθετης αγωγιμότητας Σύνθετη αγωγιμότητα εισόδου με βραχυκυκλωμένη την έξοδο Ανάστροφη διαγωγιμότητα με βραχυκυκλωμένη την είσοδο Ορθή διαγωγιμότητα με βραχυκυκλωμένη την έξοδο Σύνθετη αγωγιμότητα εξόδου με βραχυκυκλωμένη την είσοδο Σε πολλές πρακτικές περιπτώσεις ειδικά στις χαμηλές συχνότητες η ανατροφοδότηση είναι αμελητέα και η y 12 θεωρείται μηδέν. Μονόπλευρος - unilateral ενισχυτής. Διαφορετικά ονομάζεται αμφίπλευρος - bilateral (y 12 0) THΜMΥ - 8
9 Δίθυρο ισοδύναμο κύκλωμα παραμέτρων σύνθετης αντίστασης Συχνά χρησιμοποιούμε το μοντέλο με σύνθετες αντιστάσεις Μοντέλο εξόδου Norton (G m = y 21 ) Μοντέλο εξόδου Thevenin a v v v 2 1 i 2 0 G m Z o THΜMΥ - 9
10 Μονόπλευρο δίθυρο με φορτίο THΜMΥ - 10
11 Ενισχυτής κοινού εκπομπού (CE) με ωμικό φορτίο THΜMΥ - 11
12 Ενισχυτής (CE) με ωμικό φορτίο Μοντέλο μικρού σήματος THΜMΥ - 12
13 Ενισχυτής κοινού εκπομπού (CE) με ωμικό φορτίο Κέρδος τάσης ανοιχτοκυκλώματος (χωρίς φορτίο) Κέρδος ρεύματος βραχυκυκλώματος THΜMΥ - 13
14 Ενισχυτής κοινής πηγής (CS) με ωμικό φορτίο THΜMΥ - 14
15 Ενισχυτής (CS) με ωμικό φορτίο Μοντέλο μικρού σήματος THΜMΥ - 15
16 Ενισχυτής κοινής βάσης (CB) με ωμικό φορτίο THΜMΥ - 16
17 Ενισχυτής (CB) με ωμικό φορτίο Μοντέλο μικρού σήματος THΜMΥ - 17
18 Ενισχυτής (CB) με ωμικό φορτίο Μοντέλο μικρού σήματος r b = 0, r o = THΜMΥ - 18
19 Ενισχυτής (CB) με ωμικό φορτίο Μοντέλο μικρού σήματος r b 0, r o = THΜMΥ - 19
20 Ενισχυτής (CB) με ωμικό φορτίο Μοντέλο μικρού σήματος r b 0, r o < THΜMΥ - 20
21 Ενισχυτής (CB) με ωμικό φορτίο Λόγοι για τη χρήση του O C bc δεν δημιουργεί ένα HF μονοπάτι ανάδρασης υψηλής συχνότητας όπως στον ενισχυτή CE καλός ενισχυτής RF. Η R o μπορεί να είναι πολύ μεγάλη καλή πηγή ρεύματος. THΜMΥ - 21
22 Ενισχυτής κοινής πύλης (CG) με ωμικό φορτίο THΜMΥ - 22
23 Ενισχυτής (CG) με ωμικό φορτίο Μοντέλο μικρού σήματος r o = για πεπερασμένη r o THΜMΥ - 23
24 Ενισχυτής κοινού συλλέκτη (CC) με ωμικό φορτίο Ακόλουθος εκπομπού a R o 1 1 R r s 1 R r 0 r R R i r 1 0 o r R 1 Rs r 1 L o όταν L s o 0 gm 1 gmrl 1 g R m 0 L r R 1, r s, 0 o R L r 0 g m THΜMΥ - 24
25 Ενισχυτής κοινού απαγωγού (CD) με ωμικό φορτίο Ακόλουθος πηγής THΜMΥ - 25
26 Ενισχυτής (CD) με ωμικό φορτίο Μοντέλο μικρού σήματος THΜMΥ - 26
27 Ενισχυτής (CE) με εκφυλισμό εκπομπού THΜMΥ - 27
28 Ενισχυτής (CE) με εκφυλισμό εκπομπού Μοντέλο μικρού σήματος Γενικότερα για την R ο ισχύει: THΜMΥ - 28
29 Ενισχυτής (CS) με εκφυλισμό πηγής THΜMΥ - 29
30 Ενισχυτής (CS) με εκφυλισμό πηγής Μοντέλο μικρού σήματος THΜMΥ - 30
31 Συνδέσεις CC-CE & CC-CC Σύνθετο τρανζίστορ Ισοδύναμο μικρού σήματος THΜMΥ - 31
32 Ενισχυτές CC-CE & CC-CC Αυξημένη αντίσταση εισόδου και κέρδος ρεύματος: Τα μεγέθη αυτά είναι άπειρα για τα MOSFET τρανζίστορ άρα η συνδεσμολογία δεν χρησιμοποιείται σε αυτή την τεχνολογία THΜMΥ - 32
33 Συνδεσμολογία Darlington Αύξηση του ενεργού κέρδους ρεύματος Όταν χρησιμοποιείται ως ακόλουθος εκπομπού είναι ίδια με την CC-CC Όταν χρησιμοποιείται ως ενισχυτής κοινού εκπομπού είναι παρόμοια με την CC-CΕ (ο συλλέκτης του Q1 συνδέεται στην έξοδο αντί για την τροφοδοσία Μειώνεται η ενεργός αντίστασης εξόδου της συσκευής Αυξάνει η χωρητικότητα εισόδου Έτσι προτιμάται η CC-CE O όρος Darlington χρησιμοποιείται πολλές φορές όταν γίνεται αναφορά τόσο στην CC-CE όσο και στην CC-CC συνδεσμολογία THΜMΥ - 33
34 Κασκοδική συνδεσμολογία CE-CB Mειώνει το Miller effect στο Q1. Πως; R i(cb) 1/g m2. Άρα το κέρδος τάσης απο τη βάση στον συλλέκτη του Q1 είναι περίπου 1. Για να βρούμε την αντίσταση εξόδου, βραχυκυκλώνουμε την είσοδο οπότε και η πηγή g m2 v 1 είναι ανενεργή Λειτουργώντας με ένα υποθετικό που έχει άπειρη αυξητική αντίσταση φορτίο συλλέκτη αν g m2 >> β ο και β ο >>1, β ο φορές μεγαλύτερη αντίσταση εξόδου από τον CE THΜMΥ - 34
35 Κασκοδική συνδεσμολογία CS-CG THΜMΥ - 35
36 Διαφορικός ενισχυτής Ένας ενισχυτής που ενισχύει τη διαφορά μεταξύ δύο τάσεων και απορρίπτει τη μέση ή common mode τιμή THΜMΥ - 36
37 Απλή και διαφορική λειτουργία Οι ενισχυτές που γνωρίσαμε ως τώρα υποστηρίζουν απλή (single ended) λειτουργία το σήμα ορίζεται ως προς ένα σταθερό σημείο αναφοράς (π.χ. γείωση). Σε διαφορική λειτουργία (differential) το σήμα ορίζεται ως η τάση (ή το ρεύμα) μεταξύ δύο σημείων που έχουν ίσα μέτρα αλλά αντίθετες φάσεις ως προς μία κοινή τάση (ή ρεύμα). THΜMΥ - 37
38 Πλεονεκτήματα διαφορικής λειτουργίας (1/2) Μικρότερη έως ελάχιστη ευαισθησία στην επίδραση γειτονικών σημάτων και θορύβου THΜMΥ - 38
39 Πλεονεκτήματα διαφορικής λειτουργίας (2/2) Μικρότερη έως ελάχιστη ευαισθησία σε θορυβώδη τροφοδοσία και μεγαλύτερα σήματα. Σαν υλοποίηση καταλαμβάνει μεγαλύτερη επιφάνεια όμως χρειάζονται μικρότερες και λιγότερες περιοχές απομόνωσης (guard rings) THΜMΥ - 39
40 Διαφορικά ζεύγη Emitter coupled pair THΜMΥ - 40
41 Διαφορικά ζεύγη Ρεύματα στους συλλέκτες THΜMΥ - 41
42 Διαφορικά ζεύγη Διαφορική τάση εξόδου THΜMΥ - 42
43 Διαφορικά ζεύγη Αμιγώς διαφορική είσοδος - Μοντέλο μικρού σήματος THΜMΥ - 43
44 Διαφορικά ζεύγη Αμιγώς διαφορική είσοδος - Μοντέλο μικρού σήματος Το κύκλωμα είναι συμμετρικό και οι είσοδοι οδηγούνται από ίσες και αντίθετες τάσεις. Το (AC) ρεύμα εισέρχεται από τη μία είσοδο και εξέρχεται από την άλλη. Έτσι η R TAIL δεν διαρρέεται από (AC) ρεύμα και η τάση της δεν εμφανίζει καθόλου διακυμάνσεις. Οπότε αν βραχυκυκλώσουμε (αφαιρέσουμε) την R TAIL η λειτουργία του κυκλώματος δεν επηρεάζεται Στον κοινό κόμβο των εκπομπών δημιουργείται μια «εικονική» γείωση (0V) THΜMΥ - 44
45 Διαφορικά ζεύγη Ημικύκλωμα διαφορικού σήματος (differential mode) Κέρδος Τάσης Έτσι μπορούμε να καθορίσουμε την απόκριση για τη διαφορική είσοδο αναλύοντας τη μία πλευρά του κυκλώματος ημικύκλωμα διαφορικού σήματος Ενισχυτής CE THΜMΥ - 45
46 Διαφορικά ζεύγη Ημικύκλωμα διαφορικού σήματος (differential mode) Αντίσταση Εισόδου Ενισχυτής CE άρα THΜMΥ - 46
47 Διαφορικά ζεύγη Διαφορικό ζεύγος με είσοδο αμιγώς κοινού σήματος i x =0 THΜMΥ - 47
48 Διαφορικά ζεύγη Ημικύκλωμα κοινού σήματος (common mode) Ενισχυτής CE με εκφυλισμό εκπομπού Προσοχή: Αυτό ισχύει για το ημικύκλωμα! Για τον πλήρη διαφορικό ενισχυτή: R ic =V ic /2 ib Λαμβάνοντας υπόψη την r o, η R πρέπει να αντικατασταθεί από την R//R o όπου R o η αντίσταση εξόδου του ενισχυτή κοινού εκπομπού με εκφυλισμό εκπομπού R E = 2R TAIL. THΜMΥ - 48
49 Διαφορικά ζεύγη Source coupled pair R ic =R id =0 THΜMΥ - 49
50
«Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ»
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤHMMY Σκοπός διάλεξης Μελέτη της συμπεριφοράς μικρού σήματος των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Καθρέπτες ρεύματος, ενεργά φορτία και αναφορές τάσης ρεύματος» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Σκοπός διάλεξης Παρουσίαση των καθρεπτών ρεύματος και της χρήσης τους
ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5
ΤΟΠΟΛΟΓΙΕΣ ΣΥΣΤΟΙΧΙΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 5 Cascode Κυκλώματα (1/2) Χρησιμοποιούμε ένα κοινήςπύλης/βάσης τρανζίστορ για να: Βελτιώσουμε την αντίσταση εξόδου ενός άλλου τρανζίστορ. V drain Μειώσουμε το φαινόμενο Gate-to-
Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI
Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων S «Διαφορικά Ζεύγη» Φώτης Πλέσσας fplessas@f.uth.r Δομή Παρουσίασης Αναθεώρηση απλής διαφορικής λειτουργίας Περιγραφή και ανάλυση του διαφορικού ζεύγους Λόγος απόρριψης κοινού
Περιεχόμενα. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος. 1.1 Εισαγωγή
Περιεχόμενα ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1 Μοντέλα για Ενεργές Συσκευές Ολοκληρωμένου Κυκλώματος 1.1 Εισαγωγή 1.2 Περιοχή Απογύμνωσης μιας Επαφής pn 1.2.1 Χωρητικότητα της Περιοχής Απογύμνωσης 1.2.2 Κατάρρευση Επαφής 1.3
«Ενισχυτές με διπολικό transistor»
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Ενισχυτές με διπολικό transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή Πόλωση Αρχές ενίσχυσης Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για BJT ΤΗΜΜΥ 2 Σκοπός αυτής
«Αναθεώρηση των FET Transistor»
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Αναθεώρηση των FET Transistor» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Δομή FET Χαρακτηριστικά Λειτουργία Πόλωση Μοντέλα και υλοποιήσεις μικρού σήματος για FET ΤΗΜΜΥ - 2
Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI
Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1 Δομή Παρουσίασης MOSFET
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY
ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤHMMY Σκοπός διάλεξης Γιατί χρησιμοποιούμε στάδια εξόδου Ακόλουθος εκπομπού Παρουσίαση των βασικών προδιαγραφών του Ψαλιδισμός
Εισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF
Εισαγωγή στη Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF Κεφάλαιο 6. NA Σωτήριος Ματακιάς, -3, Σχεδίαση Τηλεπικοινωνιακών I Κυκλωμάτων, Κεφάλαιο 5 /3 Βασικές παράμετροι των NA: Receiver Front End Z =5Ω RF Filter - -8dB Z =5Ω
ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2
ΔΙΑΦΟΡΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΟΛΥΒΑΘΜΙΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 2 Το διαφορικό ζεύγος Το κάτω τρανζίστορ (I bias ) καθορίζει το ρεύμα του κυκλώματος Τα δυο πάνω τρανζίστορ συναγωνίζονται γιατοποιοθαπάρειαυτότορεύμα 2 Ανάλυση
K14 Αναλογικά Ηλεκτρονικά 9: Διαφορικός Ενισχυτής Τελεστικός Ενισχυτής
K14 Αναλογικά Ηλεκτρονικά 9: Διαφορικός Ενισχυτής Τελεστικός Ενισχυτής Γιάννης Λιαπέρδος TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Γενικά Περιεχόμενα 1 Γενικά 2 Διαφορικός
Εξαρτημένες Πηγές και Τελεστικός Ενισχυτής
Ανάλυση Κυκλωμάτων Εξαρτημένες Πηγές και Τελεστικός Ενισχυτής Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Εισαγωγή Οι εξαρτημένες πηγές είναι πολύ ενδιαφέροντα ηλεκτρικά στοιχεία, αφού αποτελούν αναπόσπαστα στοιχεία
4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ
ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ T..I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Περιεχόμενα 4 ης ενότητας Στην τέταρτη ενότητα θα μελετήσουμε τους ενισχυτές
ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1
ΕΝΙΣΧΥΤΕΣΜΙΑΣΒΑΘΜΙΔΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 1 Ενισχυτές ενός τρανζίστορ Ο στόχος αυτής της παρουσίασης είναι 1. Μελέτη των χαρακτηριστικών ενός ενισχυτή 2. Ανάλυση του ενισχυτή χρησιμοποιώντας ωμικά φορτία 2 Χαρακτηριστικά
ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος
ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑΚΑ ΔΙΚΤΥΑ ΥΨΗΛΩΝ ΣΥΧΝΟΤΗΤΩΝ (Θ) Ενότητα 1: Μικροκυματικές Διατάξεις ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Δρ. Στυλιανός Τσίτσος ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΤΕ 1 Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό
Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου
Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός
Διαφορικοί Ενισχυτές
Διαφορικοί Ενισχυτές Γενικά: Ο Διαφορικός ενισχυτής (ΔΕ) είναι το βασικό δομικό στοιχείο ενός τελεστικού ενισχυτή. Η λειτουργία ενός ΔΕ είναι η ενίσχυση της διαφοράς μεταξύ δύο σημάτων εισόδου. Τα αρχικά
2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ
ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ T.E.I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 1 Περιεχόμενα 2 ης ενότητας Στην δεύτερη ενότητα θα ασχοληθούμε
1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed.
Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας ΗΥ430: Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων Άνοιξη 2005 Εργαστηριακές Ασκήσεις Περιεχόμενα 1 Διπολικό και MOS τρανσίστορ................................... 2 2 Ενισχυτές με διπολικά
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 Διαφορικός ενισχυτής Ο διαφορικός ενισχυτής (differential amplifier) είναι από τα πλέον διαδεδομένα και χρήσιμα κυκλώματα στις ενισχυτικές διατάξεις. Είναι βασικό δομικό στοιχείο του τελεστικού
Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,
Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ) με τα εξής χαρακτηριστικά: 3 k, 50, k, S k και V 5 α) Nα υπολογιστούν οι τιμές των αντιστάσεων β) Να επιλεγούν οι χωρητικότητες C, CC έτσι ώστε ο ενισχυτής
Απαντήσεις στο 1 0 Homework στην Προχωρημένη Ηλεκτρονική Εαρινό Εξάμηνο
Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Απαντήσεις στο 1 0 Homework στην Προχωρημένη Ηλεκτρονική Εαρινό Εξάμηνο 2014 2015 Διδάσκων: Πλέσσας Φώτιος Βοηθός Διδασκαλίας: Ζωγραφόπουλος
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 5: Πολυβάθμιοι ενισχυτές Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης
Ηλεκτρονική ΙΙ 5 ο εξάμηνο
5 ο εξάμηνο Αλκης Χατζόπουλος Καθηγητής Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχ. και Μηχ. Υπολογιστών Α.Π.Θ. Εργαστήριο Ηλεκτρονικής 1/33 Αλκης Χατζόπουλος - Eργαστήριο Ηλεκτρονικής Τμ.Η.Μ.Μ.Υ. Α.Π.Θ. 5 ο εξάμηνο 1. Διαφορικός
1 1+ Η εφαρµογή ανάδρασης υποβιβάζει την αντίσταση εξόδου στην τιµή
V o g S o ( R r ), m Επειδή β, είναι Τ V,. Το κέρδος κλειστού βρόχου υπολογίζεται ως Vf, 0,957, Η αντίσταση εισόδου είναι ίση µε ΜΩ. Η αντίσταση εξόδου είναι z o 5 k 40k 4, 44kΩ Η εφαρµογή ανάδρασης υποβιβάζει
Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης
ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 5 Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη των
2.9 ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΩΝ Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής (BJT) ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3: ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΔΙΠΟΛΙΚΗΣ ΕΠΑΦΗΣ (BJT)...131
Περιεχόμενα v ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1: ΔΙΟΔΟΙ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ...1 1.1 ΕΙΣΑΓΩΓΗ...1 1.2 ΥΛΙΚΑ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ: Ge, Si ΚΑΙ GaAs...2 1.3 ΟΜΟΙΟΠΟΛΙΚΟΙ ΔΕΣΜΟΙ ΚΑΙ ΕΝΔΟΓΕΝΗ ΥΛΙΚΑ...3 1.4 ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΕΣ ΣΤΑΘΜΕΣ...6 1.5 ΕΞΩΓΕΝΗ
Γιάννης Λιαπέρδος ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ. Κριτική Ανάγνωση: Αγγελική Αραπογιάννη. Επιμέλεια πολυμεσικού διαδραστικού υλικού: Γιώργος Θεοφάνους
Γιάννης Λιαπέρδος ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Κριτική Ανάγνωση: Αγγελική Αραπογιάννη Επιμέλεια πολυμεσικού διαδραστικού υλικού: Γιώργος Θεοφάνους Copyright ΣΕΑΒ, 2015 Το παρόν έργο αδειοδοτείται υπό τους
Εισαγωγή στη Σχεδίαση RF Κυκλωμάτων
Εισαγωγή στη Σχεδίαση F Κυκλωμάτων Κεφάλαιο,.3 Βασικές έννοιες Σχεδίασης F Κυκλωμάτων Σωτήριος Ματακιάς, 0-3, Σχεδίαση Τηλεπικοινωνιακών LI Κυκλωμάτων, Κεφάλαιο /34 Φασματική πυκνότητα ισχύος Power pectral
PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών
PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών Μία PWM κυματομορφή στην πραγματικότητα αποτελεί μία περιοδική κυματομορφή η οποία έχει δύο τμήματα. Το τμήμα ΟΝ στο οποίο η κυματομορφή έχει την μέγιστη
Πόλωση των Τρανζίστορ
Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση λέμε την κατάλληλη συνεχή τάση που πρέπει να εφαρμόσουμε στο κύκλωμα που περιλαμβάνει κάποιο ηλεκτρονικό στοιχείο (π.χ τρανζίστορ), έτσι ώστε να εξασφαλίσουμε την ομαλή λειτουργία
5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ
ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 5 η ενότητα ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΟΤΗΣΗ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ T.E.I. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 1 Περιεχόμενα 5 ης ενότητας Στην πέμπτη ενότητα θα μελετήσουμε την ανατροφοδότηση
ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ ΜΕΡΟΣ ΠΡΩΤΟ ΘΕΩΡΙΑ
ΠΡΟΛΟΓΟΣ Το παρόν βιβλίο «Ηλεκτρονικά Κυκλώματα-Θεωρία και Ασκήσεις» αποτελεί μία διευθέτηση ύλης που προέρχεται από τον Α και Β τόμο του συγγράμματος «Γενική Ηλεκτρονική» Α και Β τόμων έκδοσης 2001 και
Ηλεκτρονική. Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών
Ηλεκτρονική Ενότητα 7: Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Ενισχυτής κοινού εκπομπού, ενισχυτής
HMY 102 Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων
H Ανάλυση Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Από την προηγούμενη διάλεξη Στην ανάλυση πλεγμάτων, εφαρμόζουμε τον νόμο τάσης του Kirchhoff σε όλα τα πλέγματα του κυκλώματος. Τα ρεύμα σε ένα συγκεκριμένο πλέγμα εκφράζεται
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 21/01/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ /0/0 ΘΕΜΑ ο (5 μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: 0 Ω, Ε kω, Β 00 kω, 4 kω, L kω, e 5 kω και 00 (α) Να προσδιορίσετε την ενίσχυση τάσης (A
Ανάδραση. Ηλεκτρονική Γ τάξη Επ. Καθηγ. Ε. Καραγιάννη
Ανάδραση Ηλεκτρονική Γ τάξη Επ. Καθηγ. Ε. Καραγιάννη 3 Συστήματα Ελέγχου Σύστημα Ελέγχου Ανοικτού Βρόχου Α Σύστημα Ελέγχου Κλειστού Βρόχου με Ανάδραση Ε =β Α β Μάρτιος 2 Μάθημα 3, Ηλεκτρονική Γ' Έτος 2
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4ο ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Διπολικά τρανζίστορ Το διπολικό τρανζίστορ (bipolar ή BJT) είναι ένας κρύσταλλος τριών στρωμάτων με διαφορετικό επίπεδο εμπλουτισμού: τον εκπομπό Ε, τη βάση
Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ. Ανασκόπηση Κεφαλαίου
Ηλεκτρικά Κυκλώματα & Δίκτυα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός
Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά
Ερωτήσεις στην ενότητα: Γενικά Ηλεκτρονικά -1- Η τιμή της dc παραμέτρου β ενός npn transistor έχει τιμή ίση με 100. Το transistor λειτουργεί στην ενεργή περιοχή με ρεύμα συλλέκτη 1mA. Το ρεύμα βάσης έχει
ΜΟΝΤΕΛΑ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ ΚΑΙ ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 4
ΜΟΝΤΕΛΑ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ ΚΑΙ ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ ΔΙΑΛΕΞΗ 4 Το βασικό μοντέλο ενισχυτή Χαρακτηριστικά Ενίσχυση σημάτων μηδενικής (σχεδόν) τάσης Τροφοδοσία από μια ή περισσότερες DC πηγές Απαιτεί κατάλληλο DC biasing
5 Ενισχυτές τρανζίστορ σε χαμηλές συχνότητες
5 Ενισχυτές τρανζίστορ σε χαμηλές συχνότητες 5. Περιοχή γραμμικής ενισχυτικής λειτουργίας του τρανζίστορ Στην προηγούμενη ενότητα μελετήσαμε την πόλωση του τρανζίστορ σε ένα σταθερό σημείο λειτουργίας,
Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης
Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών & Πληροφορικής Μάθημα: Βασικά Ηλεκτρονικά Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης Εργασία των Άννα Μαγιάκη και Καλλιόπης-Κλέλιας Λυκοθανάση Χειμερινό
Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος
Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος Αναφορά αποτελεσμάτων εργαστηριακών μετρήσεων και μετρήσεων προσομοίωσης κυκλωμάτων εργαστηρίου Ονόματα φοιτητών ομάδας Μουστάκα
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Πάτρα 0 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Τ.Ε.Ι. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ Ενότητες του μαθήματος Η πιο συνηθισμένη επεξεργασία αναλογικών σημάτων είναι η ενίσχυση τους, που επιτυγχάνεται με
Προενισχυτής μουσικού οργάνου
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΣΧΟΛΗ ΘΕΤΙΚΩΝ ΕΠΙΣΤΗΜΩΝ ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ Η/Υ ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ Προενισχυτής μουσικού οργάνου Τοπουζλής Κωνσταντίνος Α.Ε.Μ. 13165 Επιβλέποντες:
Ηλεκτρονική. Ενότητα 6: Η AC λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών
Ηλεκτρονική Ενότητα 6: Η A λειτουργία του διπολικού τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Το μοντέλο μικρού σήματος του τρανζίστορ. Οι παράμετροι μικρού
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. Ενότητα 4: Ενισχυτής κοινού εκπομπού. Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι Ενότητα 4: Ενισχυτής κοινού εκπομπού Επ. Καθηγητής Γαύρος Κωνσταντίνος ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης Creative Commons.
Χαρακτηρισμός (VCVS) (VCIS) Μετατροπέας ρεύματος σε τάση (ICVS)
6. ΓΕΝΙΚΗ ΘΕΩΡΗΣΗ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ 6.. Ενισχυτές ανοικτού βροχου (χωρίς ανάδραση) Ανεξάρτητα από την τάξη (Α, Β, C), το είδος της σύζευξης (R-C, με μετασχηματιστή, άμεση κλπ.), υπάρχουν (με κριτήριο τη χρήση
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn. Τρανζίστορ FT 3. Πόλωση των FT - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FT 5. Διπολικό τρανζίστορ (JT) 6. Πόλωση των JT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές με
Αρχές και Θεωρήματα Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων
Ανάλυση Κυκλωμάτων Αρχές και Θεωρήματα Ηλεκτρικών Κυκλωμάτων Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Αρχή της επαλληλίας Θεώρημα της αντικατάστασης Εισαγωγή Θεωρήματα Thevenin και Norton Μετατόπιση των πηγών
10. Χαρακτηριστικά στοιχεία λογικών κυκλωμάτων
10. ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΩΝ ΛΟΓΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ 10.1 Εισαγωγή στο Ολοκληρωμένο Κύκλωμα (integrated circuit) IC Ένα IC αποτελείται από ένα κομμάτι ημιαγώγιμου υλικού (σιλικόνης) ονομαζόμενο
Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής
Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Τα πιο βασικά στοιχεία δομής των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων
Χαρακτηρισμός (VCVS) (VCIS) Μετατροπέας ρεύματος σε τάση (ICVS)
6. ΓΕΝΙΚΗ ΘΕΩΡΗΣΗ ΕΝΙΣΧΥΤΩΝ 6.. Ενισχυτές ανοικτού βροχου (χωρίς ανάδραση) Ανεξάρτητα από την τάξη (Α, Β, C), το είδος της σύζευξης (R-C, με μετασχηματιστή, άμεση κλπ.), υπάρχουν (με κριτήριο τη χρήση
ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ
ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: /6/6 ΘΕΜΑ ο (5 μονάδες Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: =, = 6 kω, = kω και = = Ε = = kω, ενώ για το τρανζίστορ δίνονται: = 78, β
Το διπολικό τρανζίστορ
2 4 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το διπολικό τρανζίστορ 11 ο 12 ο 13 ο 14 ο Εργαστήριο ΦΥΛΛΑ ΕΡΓΑΣΙΑΣ 3 Άσκηση 11 η. 11.1 Στατικές χαρακτηριστικές κοινού εκπομπού του διπολικού τρανζίστορ. Στόχος: Μελέτη και χάραξη των χαρακτηριστικών
Τελεστικοί Ενισχυτές
Τελεστικοί Ενισχυτές Ενισχυτές-Γενικά: Οι ενισχυτές είναι δίθυρα δίκτυα στα οποία η τάση ή το ρεύμα εξόδου είναι ευθέως ανάλογη της τάσεως ή του ρεύματος εισόδου. Υπάρχουν τέσσερα διαφορετικά είδη ενισχυτών:
ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;
ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; Ηλεκτρονικοί Υπολογιστές Κινητά τηλέφωνα Τηλεπικοινωνίες Δίκτυα Ο κόσμος της Ηλεκτρονικής Ιατρική Ενέργεια Βιομηχανία Διασκέδαση ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τι περιέχουν οι ηλεκτρονικές
ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 12/09/2013
ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: /09/0 ΘΕΜΑ ο (4 μονάδες Στον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος, το τρανζίστορ πολώνεται με συμμετρικές πηγές τάσης V και V των V Για το τρανζίστορ δίνονται:
ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ. 1-3 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε FET s 8
ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ 1 ΙΑΦΟΡΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ 1 1-1 Κέρδος Τάσης του ιαφορικού Ενισχυτή µε BJT s 1 και ιπλή Έξοδο Ανάλυση µε το Υβριδικό Ισοδύναµο του Τρανζίστορ 2 Ανάλυση µε βάση τις Ενισχύσεις των Βαθµίδων CE- 4
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Ο : ΘΕΩΡΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΔΙΚΤΥΩΝ
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Ο : ΘΕΩΡΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΔΙΚΤΥΩΝ Ο βασικός στόχος του θεωρήματος αυτού είναι η μετατροπή της συνδεσμολογίας τύπου αστέρα σε τρίγωνα και το αντίθετο έτσι ώστε τα δίκτυα α και β να είναι ισοδύναμα
Κεφάλαιο 5 -Ενισχυτές
Κεφάλαιο 5 Ενισχυτές Χαµηλού Θορύβου (LNA) Χαµηλού Θορύβου 1 Βασικές παρέµετροι των Ενισχυτών Χαµηλού Θορύβου. Τυπικά χαρακτηριστικά των LNA για ετερόδυνες αρχιτεκτονικές NF (εικόνα θορύβου) db I I P 3-10
Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Ο Τελεστικός ενισχυτής 741
Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Ο Τελεστικός ενισχυτής 741 Ενισχυτικές Διατάξεις 2 Iστορική Αναδρομή 1964 Ο Bob Widlar σχεδιαζει το πρώτο ΤΕ: τον 702. Μόνο 9 transistors, απολαβή OL: 1000 Πολύ ακριβός : $300 per
ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 9/0/00 ΘΕΜΑ ο ( μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: 0, 0.7, kω, 0 kω, Ε kω, L kω, β fe 00, e kω. (α) Να προσδιορίσετε τις τιμές των αντιστάσεων,
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ θεωρία και ασκήσεις Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΚΑΙ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ένα ηλεκτρικό κύκλωμα αποτελείται από ένα σύνολο
Διαφορικός ενισχυτής (op-amp)
Κ. Πολιτόπουλος Διαφορικός ενισχυτής (opamp) Ενισχύει την διαφορά του σήματος εισόδου Vout=G(V V ) Δεν ενδιαφερόμαστε για απόλυτη τιμή τάσης Ground loop Πολλά γραμμικά κυκλώματα Πολλά μη γραμμικά κυκλώματα
Ενισχυτικές Διατάξεις 1. Πόλωση BJT
Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Πόλωση BJT Η πόλωση τρανζίστορ όπως την έχετε γνωρίσει, υποφέρει από δύο βασικά μειονεκτήματα: Υπερβολική χρήση πηγών dc. Το γεγονός αυτό είναι ιδιαίτερα έντονο σε κυκλώματα πολυβάθμιων
Βασικές CMOS Λογικές οικογένειες (CMOS και Domino)
Βασικές CMOS Λογικές οικογένειες (CMOS και Domino) CMOS Κάθε λογική πύλη αποτελείται από δύο τμήματα p-mos δικτύωμα, τοποθετείται μεταξύ τροφοδοσίας και εξόδου. Όταν είναι ενεργό φορτίζει την έξοδο στην
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΙΑΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών. Διπλωματική εργασία
ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΙΑΣ ΠΟΛΥΤΕΧΝΙΚΗ ΣΧΟΛΗ Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Διπλωματική εργασία ΜΕΛΕΤΗ ΚΑΙ ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗ ΧΑΜΗΛΟΥ ΘΟΡΥΒΟΥ 2.5GHz ΣΕ 180nm CMOS Αναστασίου Κωνσταντίνος
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 17/06/2011 ΣΕΙΡΑ Β: 16:00 18:30 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ
ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ 7/0/0 ΣΕΙΡΑ Β: :00 8:0 ΘΕΜΑ ο (4 μονάδες) Ο ενισχυτής του διπλανού σχήματος περιλαμβάνει ένα τρανζίστορ τύπου npn (Q ) και ένα τρανζίστορ τύπου pnp (Q ), για τα οποία δίνονται:
Ανάλυση Κυκλωμάτων. Φώτης Πλέσσας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών
Ανάλυση Κυκλωμάτων Κυκλώματα Δύο Ακροδεκτών Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Μηχανικών Υπολογιστών Εισαγωγή Τα ηλεκτρικά κυκλώματα ταξινομούνται σε διάφορες κατηγορίες,
Ενισχυτές Μετρήσεων. 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής
3 Ενισχυτές Μετρήσεων 3.1 Ο διαφορικός Ενισχυτής Πολλές φορές ένας ενισχυτής σχεδιάζεται ώστε να αποκρίνεται στη διαφορά µεταξύ δύο σηµάτων εισόδου. Ένας τέτοιος ενισχυτής ονοµάζεται ενισχυτής διαφοράς
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Διάλεξη 4: Διπολικά Τρανζίστορ Δρ Δημήτριος Λαμπάκης ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ 1 Ηλεκτρονικές λυχνίες κενού Η εφεύρεση του τρανζίστορ υπήρξε αποτέλεσμα της προσπάθειας κατασκευής μιας
ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ι ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ
ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Ι ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 1 1. ΒΑΣΙΚΟΙ ΟΡΙΣΜΟΙ Κύκλωμα είναι ένα σύνολο ηλεκτρικών πηγών και άλλων στοιχείων που είναι συνδεμένα μεταξύ τους και διέρχεται ηλεκτρικό ρεύμα από
Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ. Ενίσχυση Κέρδους (Gain Boosting)
Ηλεκτρονικά Στοιχεία και Κυκλώματα ΙΙ Εισαγωγή στα Ολο. Κυκλ. Βασική Φυσική MOS Ενισχυτές ενός σταδίου Διαφορικοί Ενισχυτές Καθρέφτες Ρεύματος Απόκριση Συχνότητας Ηλεκτρικός Θόρυβος Ανατροφοδότηση Σχεδιασμός
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική γ δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Πάτρα 0 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Τ.Ε.Ι. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ Ενότητες του μαθήματος Η πιο συνηθισμένη επεξεργασία αναλογικών σημάτων είναι η ενίσχυση τους, που επιτυγχάνεται με
- Η ισοδύναμη πηγή τάσης Thevenin (V ή VT) είναι ίση με τη τάση ανοικτού κυκλώματος VAB.
ΘΕΩΡΗΜΑ THEVENIN Κάθε γραμμικό ενεργό κύκλωμα με εξωτερικούς ακροδέκτες Α, Β μπορεί να αντικατασταθεί από μια πηγή τάση V (ή VT) σε σειρά με μια σύνθετη αντίσταση Z (ή ZT), όπως φαίνεται στο παρακάτω σχήμα.
ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013
ΘΕΜΑ ο (.5 μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: Β 90 kω, C kω, Ε E kω, kω, V CC V, V B 0.70 V και Ι Β 0 μα. Επίσης, για τα δύο τρανζίστορ του ενισχυτή δίνονται: β h e h e 00 και h
Ενισχυτές με Ανασύζευξη-Ανάδραση
Ενισχυτές με ΑνασύζευξηΑνάδραση Ανασύζευξη ή Ανάδραση είναι το φαινόμενο εκείνο στο οποίο μέρος του σήματος εξόδου επιστρέφεται στην είσοδο του ενισχυτή Υπάρχουν : Αρνητική Ανάδραση έχουμε όταν μέρος του
ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):
ΘΕΜΑ 1 ο ( μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: V 10V, V BE 0.7 V, Β 200 kω, 1 kω, 1 kω, β 100. (α) Να προσδιορίσετε το σημείο λειτουργίας Q (V E, I ) του τρανζίστορ. (1 μονάδα) (β)
Βασικές Λειτουργίες των TR
Βασικές Λειτουργίες των TR Το TR για να λειτουργήσει απαιτεί να εφαρµοστούν σε αυτό τάσεις δυναµικά για να κινηθούν µέσα σε αυτά τα αντίστοιχα ρεύµατα. Τα δυναµικά που µπορούν να εφαρµοστούν σε αυτό είναι:
ΑΝΑΛΥΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΟΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΜΕΛΕΤΗ DC ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑΣ Στο σχήμα φαίνεται ένα κύκλωμα κοινού εκπομπού από το βρόχο εισόδου Β-Ε ο νόμος του Kirchhoff δίνει: Τελικά έχουμε: I I BB B B E E BE B BB E IE
Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs
Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs Γιάννης Λιαπέρδος TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Ενισχυτής
4. Τρανζίστορ επαφής. 4.1 Χαρακτηριστικά του τρανζίστορ
1 4. Τρανζίστορ επαφής 4.1 Χαρακτηριστικά του τρανζίστορ Το τρανζίστορ είναι ένας ημιαγωγός με προσμίξεις, που περιέχεται μεταξύ δύο ημιαγωγών από το ίδιο υλικο, αλλά με αντίθετου τύπου προσμίξεις. Έχουμε
Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους
3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 2
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 2: Διαφορικός ενισχυτής (BJT) Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες Χρήσης
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) 1 FET Δομή και λειτουργία Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός
Η αντιστοιχία των παραπάνω επαφών με αυτές του διπολικού τρανζίστορ είναι (προφανώς) η εξής: S E, D C, G B.
3. ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΓΚΑΡΣΙΟΥ ΠΕΔΙΟΥ (Field Effect Transistor FET) 3.1. Γενικά Σε αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ, που στηρίζουν τη λειτουργία τους σε δύο τύπους φορέων (ηλεκτρόνια και οπές), τα τρανζίστορ
Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)
Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Βασικά κυκλώµατα ενισχυτών µε transstr MOS Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Transstr ως ενισχυτής Ενισχυτής κοινής πηγής (cmmn surce amplfer (κύκλωµα αντιστροφέα
Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας
Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών Ανάλυση Κυκλωμάτων Εργαστηριακές Ασκήσεις Εργαστήριο 7 Θεωρήματα Thevenin, Norton, Υπέρθεσης Φ. Πλέσσας Βόλος 2015 Στόχοι Στόχοι
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 4
ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ IΙ Ενότητα 4: Ενισχυτές στις υψηλές συχνότητες Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών Άδειες
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 7 Τελεστικός ενισχυτής Ο τελεστικός ενισχυτής, TE (operational ampliier, op-amp) είναι ένα από τα πιο χρήσιμα αναλογικά κυκλώματα. Κατασκευάζεται ως ολοκληρωμένο κύκλωμα (integrated circuit) και
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 4ο.. Λιούπης
Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 4ο. Λιούπης Λογική συζευγµένου εκποµπού Emitter-coupled logic (ECL) Χρησιµοποιούνται BJT transistor, µόνο στην ενεργή περιοχή Εµφανίζονται µικρές αλλαγές δυναµικού µεταξύ των
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 04/02/2011 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ
ΘΕΜΑ 1 ο ( μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: 1, 0.7, 00 kω, 4 kω, h e. kω και β h 100. (α) Να προσδιορίσετε τις τιμές των αντιστάσεων και ώστε το σημείο λειτουργίας Q (, ) του τρανζίστορ
Ηλεκτρονική. Ενότητα 1: Εισαγωγή. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών
Ηλεκτρονική Ενότητα : Εισαγωγή Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενα ενότητας Ανασκόπηση των βασικών εννοιών, κανόνων και θεωρημάτων των γραμμικών δικτυωμάτων: κανόνες
Λογική Τρανζίστορ-Τρανζίστορ. Διάλεξη 3
Λογική Τρανζίστορ-Τρανζίστορ (TTL) και Schottky TTL Διάλεξη 3 Δομή της διάλεξης Το κύκλωμα της πύλης TTL Ανάλυση της πύλης TTL Χαρακτηριστικά της πύλης TTL ΗπύληNAND TTL και άλλα λογικά κυκλώματα TTL Βελτίωση
ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΤΑΞΗ
ΟΜΑ Α Α ΑΡΧΗ 1ΗΣ ΣΕΛΙ ΑΣ ΑΠΟΛΥΤΗΡΙΕΣ ΕΞΕΤΑΣΕΙΣ Σ ΕΣΠΕΡΙΝΟΥ ΕΝΙΑΙΟΥ ΛΥΚΕΙΟΥ ΠΑΡΑΣΚΕΥΗ 26 ΜΑΪΟΥ 2006 ΕΞΕΤΑΖΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΗΣ (ΚΥΚΛΟΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ & ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ): ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ ΣΥΝΟΛΟ ΣΕΛΙ
Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής
Τελεστικοί Ενισχυτές Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ο ιδανικός τελεστικός ενισχυτής Είσοδος αντιστροφής Ισοδύναμα Είσοδος μη αντιστροφής A( ) A d 2 1 2 1