رشد نانو لوله های کربنی تک جداره روی سطوح سیلیکونی و نیکلی به روش رسوب بخارات شیمیایی

Transcript

1 رشد نانو لوله های کربنی تک جداره روی سطوح سیلیکونی و نیکلی به روش رسوب بخارات شیمیایی سید علیرضا هاشمی 1 و دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه آزاد اسالمی واحد نجف آباد نجف آباد ایران 1 چکیده نانو لوله های کربنی دارای خواص بسیار عالی الکتریکی مکانیکی مغناطیسی و حرارتی هستند و می توان آنها را به روش رسوب بخارات شیمیایی در محیط خالء در حضور گاز حامل منبع کربن و حرارت مناسب روی سطوح سیلیکونی و نیکلی رشد داد و جهت کاربرد های ممز از آن بهره گرفت برای این منظور سطوح سیلیکونی یا نیکلی را به روش های مرسوم الیه گذاری و الیه برداری ماشینکاری کرده سپس نانو لوله ها را روی سطوح مورد نظر رشد داد نانو لوله ها روی سطوح نیکلی به طور مستقیم رشد می کنند ولی بر روی سطوح سیلیکونی این امکان را ندارند و برای رشد نانو لوله ها روی سطوح سیلیکونی با الیه نشانی کاتالیست روی سطح به وسیله روش های رسوب بخارات فیزیکی این امر امکان پذیر می شود و می توان نانو لوله ها را روی سطح سیلیکون رشد داد در این مقاله عوامل موثر بر رشد نانولوله ها مکانیزم رشد نانو لوله ها در روش رسوب بخارات شیمیایی و در پایان رشد نانو لوله ها روی سطوح سیلیکونی و نیکلی را بررسی می کنیم. کلمات کلیدی : کربنی نانولوله های کربنی سنتز نانولوله ها رسوب بخارات شیمیایی رشد نانولوله های

2 Growth of single wall carbon nanotube on nickel and silicon surface by chemical Vapor Deposition Seyyed Alireza Hashemi 1, 1 Department of mechanical Engineering, najafabad branch, Islamic azad university, Isfahan, Iran: Simorgh_199000@yahoo.com Abstract CNT s have extraordinary electrical, mechanical, magnetic and thermal properties and they can be growth on surface of silicon and nickel by the presence of carrier gas, carbon source and proper temperature in the vacuum chamber and we can use it for the MEMS application, for this purpose first we must machining the levels of silicon and nickel with conventional layering and peeling methods, then we can growth the SWCNT s on Desired levels,cnt s can directly growth on surface of nickel but for the silicon they can t growth directly on the silicon surface and in order to growth the CNT s on silicon surface first we must deposition the catalyst on surface of the silicon with the chemical vapor deposition method then we can growth the CNT s on it, in this article we first we review the factors affecting the growth of CNT s then we check the growth mechanism of CNT s in chemical vapor Deposition and growth of the CNT s on the surface of silicon and nickel. Keywords: Carbon nanotube, Synthesis of carbon nanotube, Chemical vapor deposition, Growth of carbon nanotube

3 1 -مقدمه: نانو تیوپ کربن اولین بار توسط ایجیما در سال 1991 کشف شد [1] او هنگامی که در حال مشاهده کردن فلورین های سنتز شده توسط قوس الکتریکی بود نانو تیوپ ها را مشاهده کرد و از این کشف خود به عنوان مشاهده کردن سوزن در انبار کاه یاد کرد پس از این کشف دانشمندان و محققین زیادی روی خواص نانو تیوپ ها مطالعه و تحقیق انجام دادند و بسیاری از خواص و رفتارهای آن را اندازه گیری و مشاهده نمودند نانو تیوپ کربن دارای خواص بسیار عالی الکتریکی حرارتی مغناطیسی و مکانیکی می باشد و از این رو کاربردهای بسیار متنوعی در صنایع گوناگون پیدا کرده است برخی خواص نانو تیوپ ها در جدول 1 آورده شده است از جمله کاربردهای نانو تیوپ ها ساخت قطعات حساس الکتریکی در مقیاس بسیار کوچک است که در MEMS 1 کاربرد بسیار زیادی دارد در این مقاله ما قصد داریم نحوه رشد نانو تیوپ ها روی سطوح سیلیکونی و نیکلی به روش رسوب بخارات شیمیایی را بررسی بنماییم و در پایان برخی کاربردهای گوناگون نانو لوله ها را بررسی کنیم. خواص جدول 1- بررسی برخی خواص نانو لوله های تک جداره و چند جداره-[ 2] نانو لوله های تک جداره نانو لوله های چند جداره gcc gcc 1 وزن مخصوص.3-1Tpa 1Tpa مدول االستیسیته استحکام مقاومت ویژه 10-60Gpa 5-50 میکرو اهم سانتیمتر Gpa 5-50 میکرو اهم سانتیمتر 3000 Wm 1 k Wm 1 k 1 هدایت حرارتی جزئی جزئی انبساط حرارتی اکسیداسیون در هوا >700 C >700 C 2 -رشد نانو تیوپ کربن : 1-2- روش رسوب بخارات شیمیایی :CVD 1 CVD در اصل یک واکنش هیدروژن زدایی حرارتی است که به موجب آن از کاتالیزورهای فلزی انتقالی همچون آهن نیکل یا کبالت برای کاهش دمای مورد نیاز برای شکستن هیدورکربن گازی به کربن و هیدروژن استفاده می شود CVD یک روش همه کاره مناسب برای ساخت پوشش ها پودر الیاف و اجزاء یکپارچه می باشد. با CVD می توان بیشتر عناصر فلزی و غیر فلزی همچون کربن و سیلیکون و همچنین تعداد زیادی از ترکیبات از جمله کاربیدها نیتریدها اکسیدها ترکیبات بین فلزی و بسیاری مواد دیگر را در مقیاس باال تولید کرد این تکنولوژی در حال حاضر عامل بسیار مهمی در ساخت نیمه هادی ها و دیگر قطعات الکترونیکی مورد استفاده در 1 Micro Electro Mechanical Sensor 2 Chemical Vapor Deposition

4 پوشش ابزار یاطاقان ها قطعات مقاوم در برابر سایش و برنامه های کاربردی الکترونیک نوری و خوردگی می باشد از CVD می توان به عنوان رسوب یک ماده جامد روی یک سطح حرارت داده شده از یک واکنش شیمیایی در فاز بخار یاد کرد نمونه های نانوتیوپ در راکتور نشان داده شده در شکل 1 تولید می شوند که از یک لوله کوارتز به طول 50 mm OD 1500mm و یافته اند. 40 mm ID تشکیل شده که در طول دو کوره گسترش کاتالیزور فروسن در داخل یک قایق سرامیکی می باشد که درون یک لوله سرامیکی در مرکز کوره اول قرار گرفته است رشد نانو تیوپ ها در کوره دوم اتفاق می افتد و در داخل قایق سرامیکی که در مرکز کوره اول قرار گرفته است جمع آوری می شود در سیستم ابتدا گاز آرگون برای اطمینان از وجود محیط آزاد اکسیژن اعمال می شود در این میان کوره دوم تا رسیدن به دمای مورد نظر حرارت داده می شود حرارت دادن تا آنجایی که به شرایط مطلوب و دائمی ) state (steady برسیم ادامه می یابد سپس جریان گاز آرگون متوقف می شود و کوره اول شود تا به دمای C 150 برسد سپس جریان C 2 H 2 H 2 روشن می که به عنوان منبع کربن ما می باشد به همراه گاز هلیوم به داخل کوره اعمال می گردند سپس تا زمان مورد نظر ما این واکنش ادامه می یابد و پس از آن نانوتیوپ ها روی سطح کوره دوم و قایق سرامیکی رسوب داده میشوند.[ 3] شکل 1- شماتیک روش CVD را نشان می دهد-[ 3 ] با استفاده از روش CVD می توان با هزینه و انرژی کمتر حجم زیادی از نانوتیوپ را )تا 1 کیلوگرم ) تولید کرد که این روش نسبت به سایر روش های تولید اقتصادی تر می باشد عالوه بر این با این روش می توان با قرار دادن کاتالیزور روی سطوح نانو تیوپ ها را روی آن رشد داد در بین نانو تیوپ ها نانو تیوپ های تک جداره خواص

5 بهتری نسبت به سایر نانو تیوپ ها دارند که ما در این مقاله قصد داریم راههای رشد آن روی سطوح سیلیکونی و نیکلی را بررسی کنیم. از دیگر مزایای روش CVD قابل کنترل بودن این روش است از جمله عوامل موثر بر رشد نانو تیوپ ها می توان به کاتالیزور گاز حامل سطح مورد نظر دما و زمان سنتز و میزان گاز حامل اشاره کرد و با این عوامل و تغییر آنها می توان به نانو تیوپ هایی با خواص و طول مورد نظرمان دست پیدا کنیم. از سایر روش CVD می توان به CCVD 1 PECVD 2 و اشاره کرد که در این مقاله روش CCVD مطلوب ما است زیرا در این روش نانولوله ها روی یک سطح رشد می کنند و با الیه نشانی سطوح مطلوب روی سطح سیلیکون و یا نیکل می توانیم نانولوله هایی با طول و خواص مورد نظرمان را رشد دهیم. : CCVD در این روش سنتز نانو لوله ها روی سطح کاتالیست صورت می گیرد جهت نیکل نیکل خود یکی از موادی 3 است که نانو لوله های کربنی به طور مستقیم روی آن رشد می کنند ولی جهت سیلیکون اینگونه نمی باشد و قبل از آن باید به روش های مرسوم الیه نشانی فیزیکی از جمله مگنترون اسپاترینگ کاتالیست را روی سطح 4 رشد داده و سپس سییکون الیه نشانی شده را در کوره قرار داده و نانو لوله ها را روی آن رشد دهیم. شماتیک برخی از انواع روش های CCVD به شرح ذیل است: :Fixed-bed Technique این روش شامل قسمت هایی به صورت ذیل است که در شکل 2 نیز قابل رویت است : 5- کاتالیزور 1 -کوره 2 -ترموکوپل 3 -گاز حامل 4 -منبع کربن شکل [4]- 2 1 Catalyst Chemical Vapor Deposition 4 Magnetron sputtering 2 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 3 Catalyst

6 : Floating Technique این روش شامل قسمت هایی به صورت ذیل است که در شکل 3 نیز قابل رویت است : 1 -کوره 2 -ترموکوپل 3 -گاز حامل 4 -کاتالیزور محلول در منبع کربن فرار 5 -قایق های خالی برای رسوب نانولوله شکل 3-[4] : Fluidization Technique این روش شامل قسمت هایی به صورت ذیل است که در شکل 4 نیز قابل رویت است : 1 -راکتور 2- کوره 3 -توزیع کننده 4 -ترموکوپل 5 -رتامتر 6 -منبع کربن 7 -گاز حامل 8 -خروجی 9- ابزار تحلیلی مانند سنسور فشار شکل [4] 4 3- بررسی مکانیزم رشد نانو لوله ها : مکانیزم رشد نانو لوله های کربنی غالبا به این صورت شناخته می شود شیوه ای که در آن اتم های کربن منتقل شده جذب شده حل شده و یا در درون ذرات کاتالیزور و یا در اطراف سطح ذرات کاتالیزور جهت رشد پیوسته ذرات جامدگرافیت روی سطح کاتالیزور منتشر می شوند مکانیزم رشد به دو صورت کلی صورت می گیرد : 1- رشد از نوک 2- رشد از ریشه در رشد از نوک ذرات کاتالیزور روی نوک نانو لوله باقی می مانند و الیه های کربن روی هم رشد کرده و نانو لوله را تشکیل می دهند گام های اولیه در مدل رشد از نوک تبدیل نانو ذرات کاتالیزور از طریق اثر متقابل پروپ

7 سطح کاتالیزوری با یک محیط فعال است. کربن حاوی ملکول در طرف ذرات شروع کننده فرآیند گرافیتیزاسیون منتشر می شوند در رشد از ریشه ذرات کاتالیزور روی سطح باقی مانده و الیه های کربن به مرور روی آن شکل گرفته و نانو لوله را تشکیل می دهند که مکانیزم های مختلف رشد آن در مجموعه شکل های 5 قابل مشاهده است. [7] شکل 5 مکانیزم رشد نانو لوله های کربنی روی سطوح[ 7 ]

8 4 -عوامل موثر در رشد نانو لوله ها : عوامل زیادی بر رشد نانو تیوپ ها تاثیر می گذارند که مهمترین آنها عبارتند از :کاتالیست گاز حامل بستر دمای سنتز زمان سنتز میزان گاز حامل تزریق شده به محفظه فشار گازهای موجود در محفظه و منبع کربن که تاثیر هر کدام به طور خالصه به شرح ذیل است. [3] 1-4 -کاتالیست : کاتالیست تاثیر زیادی روی رشد نانو لوله های کربنی می گذارد هرچه اتم های تشکیل دهنده کاتالیست بزرگتر باشند سرعت رشد نانو لوله ها کمتر خواهد شد و منبع کربن در ارتباط با کاتالیست تاثیر زیادی روی رشد نانولوله ها دارد. برعکس همچنین Diffusion Rate از جمله پر کاربردترین کاتالیست ها می توان به نیکل کبالت آهن و تیتانیوم اشاره کرد همچنین گاهی اوقات از ترکیب این فلزات و اکسید آنها نیز به عنوان کاتالیست بهره می گیرند مس و سرب نیز کاربرد وسیعی در رشد نانو لوله ها در ساخت قطعات الکترونیکی دارند و هنگامی که از سرب به عنوان کاتالیست استفاده می شود هیچ گونه ناخالصی فلزی در نانولوله های تولید شده باقی نمی ماند.[ 3] 2-4 -گاز حامل :گاز حامل نیز تاثیر بسیار زیادی در سنتز نانو لوله ها دارد و هر چه میزان آن بیشتر باشد رشد نانو لوله ها سریع تر اتفاق می افتد از جمله پر کاربردترین آنها می توان به هلیوم نیتروژن و آرگون اشاره کرد.[ 3 ] 3-4 -بستر : همانند کاتالیست جنس بستری که نانو لوله ها روی آن رسوب داده می شوند پیوند اتمی و ترکیب آنها نیز تاثیر زیادی در رشد نانو لوله ها دارد.[ 3] 4-4 -دمای سنتز : نسبت به سایر عوامل موثر در رشد نانو لوله های کربنی دما بیشترین تاثیر را دارد به طوری که دما تاثیر زیادی در کیفیت طول و قطر نانو لوله های کربنی دارد هر چه دما بیشتر باشد میزان گرافیتیزه شدن و کیفیت نانو لوله ها نیز بیشتر خواهد شد و کم شدن دما باعث کاهش شکل گیری نانو لوله ها و کیفیت آنها می شود در رسوب بخارات شیمیایی دما باید بین 550 تا 1000 درجه سانتی گراد باشد و در کمتر از این دما سنتز نانولوله ها اتفاق نمی افتد.[ 3] 5-4- زمان سنتز : زمان سنتز تاثیر زیادی در میزان و طول نانو لوله های سنتز شده دارد معموال این دما را بین 30 تا 60 دقیقه می گیرند و در موارد خاص بسته به نیاز آن را بیشتر می کنند.[ 3] 6-4- میزان گاز حامل تزریق شده به محفظه : میزان گاز حامل تاثیر زیادی در قطر نانو لوله ها دارد اگر میزان آن افزایش یابد ( با فشار ثابت ) قطر نانو لوله ها افزایش می یابد و برعکس هر چه قطر نانو لوله ها کمتر

9 باشد کیفیت عملکرد بهتری خواهند داشت اگر میزان گاز حامل در حصور گاز آرگون افزایش یابد قطر نانو لوله ها ثابت باقی می ماند ولی سرعت سنتز آن بیشتر می شود.[ 3] 7-4- فشار گازهای موجود در محفظه :فشار نیز مانند دما جزء موثر ترین عوامل در رشد نانو لوله ها است به طوری که اگر فشار کم باشد هیچ نانو لوله ای تشکیل نمی شود و معموال بین 100 Torr تا 600 آن را در نظر می گیرند.[ 3] 8-4- منبع کربن :منابع کربن متفاوت منجر به واکنش های متفاوت و محصوالت متنوع کربنی می شود از جمله پر کاربردترین منابع کربن در رسوب بخارات شیمیایی می توان به متان اتیلن اکتیلن بنزن کربن مونوکسید اتانول و استیلن اشاره کرد.[ 3] 5 -رشد نانو لوله ها روی سطوح سیلیکونی و نیکلی : نانو لوله های کربنی به صورت مستقیم روی سیلیکون رشد نمی کنند و باید یک الیه کاتالیست روی سطح سیلیکون الیه نشانی شود تا نانو لوله ها روی سطح آن رشد کنند ولی نیکل از کاتالیست های پر کاربرد در رابطه با رشد نانو لوله ها است و نانو لوله ها روی سطح آن رشد می کنند و نیازی به الیه نشانی کاتالیست نمی باشد ولی در بعضی اوقات برای افزایش کیفیت نانو لوله ها نیکل را با ترکیب چند کاتالیست دیگر به کار می برند در اینجا ما چند روش مرسوم جهت رشد نانو لوله ها را به طور خالصه شرح کی دهیم رشد نانو لوله کربنی روی سطح سیلیکون : آماده سازی سطح : در این مرحله ابتدا سطوح سیلیکونی و نیکلی را به روش های مرسوم تمیز کاری می کنند قطعه را در محلولی متشکل از آب اکسیژنه آمونیاک و آب دیونیزه قرار داده و سطح را جهت مراحل الگو نشانی و الیه برداری آماده می کنند سپس با الیه نشانی اکسید سیلیکون یک ماسک در سطح قطعه به وجود می آورند تا بتوانند الیه برداری را به صورت کنترل شده انجام دهند که نمونه هایی از این فرآیندها را به شرح ذیل می باشند : اچ یکنواخت با دیواره های صاف : در اینجا میکرو ساختار سیلیکونی از یک ویفر سیلیکونی به قطر 6 اینچ نوع ساخته شده است و الیه برداری از طریق اچ یونی عمیق P با مقاومت 1 الی 10 Ω cm DRIE 1 با استفاده از پالسمای SF 6 /C 4 F 8 RIE 2 با اچ یونی پالسمای کلر و اچ تر در پتاسیم هیدروکسید انجام می گیرد.( 30%) KOH in Dl H 2 O at C 80 1 Deep Reactive Ion Etching 2 Reactive Ion Etching

10 روش DRIE به ما ساختاری با دیوار های عمودی صاف می دهد مانند مجموعه ای از استوانه های نشان داده شده در شکل 6 هنگامی که همان الگو توسط پالسمای کلر انجام می گیرد محصول حاصله به صورت شکل )b تا d( خواهد بود.[ 8] Micrograss RIE شکل 8]-6 ] که معادل سیلیکون سیاه می باشد بخاطر ماسک میکرویی که روی سطح آن می باشد به وسیله به فرم دلخواه شکل می گیرد این ماسک ممکن است از به صورت گرده یا دیگر ذرات آالینده باشند که معموال از الیه اکسید سیلیکون به عنوان ماسک بهره می برند و با الیه نشانی اکسید سیلیکون می توانند نقاط دلخواه را باقی گذاشته و الیه برداری کنترل شده ای را به قطعه اعمال نمایند در این سیستم سرعت الیه برداری حدود.3-1 µm per min است که شکل زیر نمایی از الیه برداری و ماسک گذاری را نشان می دهد الزم به ذکر است اچ در سیلیکون با راستای 100 زودتر از سیلیکون با راستای 110 اتفاق می افتد. شکل 7-1 -الیه نشانی اکسید سیلیکون روی سطح سیلیکون 2 -اچ اکسید سیلیکون در پالسمای 3 -اچ CF 4 سیلیکون در پالسمای Cl 2 ماسک گذاری و زدایش سیلیکون که در نهایت به شکل نهایی با نقاط نوک تیز در می آیند- [8]

11 Fe سپس فیلم کاتالیزور شامل 20 نانومتر Al 2 O نانومتر Fe و 3 نانو متر Mo ر یو e-beam evaporation رسوب داده می شود که الیه Mo به صورت مداوم روی سطح به وسیله روش رسوب داده می شود و در اثر حرارت دادن این الیه ها به صورت MoO 3 Fe 2 O 3 همراه با ترکیب Al 2 O 3 در می آیند بعد از اینکه الیه کاتالیست روی قطعه الیه نشانی شد به وسیله رسوب بخارات شیمیایی نانو لوله ها را روی سطح آن رشد می دهند که نمایی از آن در شکل 8 قابل مشاهده است. شکل 8 [8] شکل 9- نمایی از نانو لوله های رشد یافته روی سطوح تیز و دیواره سیلیکون اچ شده [8] اچ غیر یکنواخت با دیواره های خشن : در این روش ابتدا الیه سیلیکون تمیز می شود سپس یک الیه سیلیکون متخلخل در سطح ویفر سیلیکون با استفاده از روش معمول اچ الکتروشیمیایی قرار داده می شود به طور خالصه ویفر سیلیکون ار نوع در مخلوطی از (1 0 0) n HF 1000 نانو متر و عمق و حالل اتانول قرار می گیرد سپس الیه سیلیکون متخلخل با منافذ پیچیده ( قطر از 200 تا LM 40 ) با استفاده از یک ولتاژ DC تشکیل می شود با نور سفید ( المپ هالوژن سفید

12 با توان 50 وات ) و به مدت 40 دقیقه بستر سیلیکونی متخلخل توسط امواج فراصوت با حضور استون اتانول و آب یونیزه تمیز می شود. بستر سیلیکونی متخلخل آماده شده تمیز و اصالح گردیده به وسیله گروه های هیدروکسیل به درون پیرانا اصالح شده فشار داده می شود( 3:1 = 2 (H 2 SO 4 :H 2 O و این کار به مدت 30 دقیقه ادامه می یابد سپس سطح سیلیکون متخلل به وسیله امواج فراصوت در آب دیونیزه شسته شده و برای حذف پیرانا از منافذ اصالح می شود هر دو سطح باال و داخلی درون سیلیکون دارای خلل و فرج بسیار خشن هستند بعد از اچ کردن ویفر سیلیکونی در مرحله بعد الیه کاتالیست روی قطعه الیه نشانی می شود و در نهایت با قرار گیری در کوره به روش رسوب بخارات شیمیایی نانو لوله های کربنی روی سطح قطعه رشد می کنند شماتیکی از این فرآیند در مجموعه شکل های 10 قابل مشاهده است.[ 9] از مهمترین معایب در این روش این است که دیواره ها نامنظم و غیر یکنواخت تشکیل می شوند که کیفیت الیه برداری آن در شکل 11 سیلیکون در شکل 12 قابل مشاهده است. قابل مشاهده است همچنین تصاویر AFM از نانولوله های رشد یافته روی سطح مجموعه شکل های [9] 10

13 شکل 11- دیواره ها و سوراخ های ایجاد شده در سیلیکون با تصاویر در مقیاس های مختلف رشد نامنظم نانولوله ها روی سطوح سیلیکون به خوبی قابل رویت است.[ 9] شکل 12- تصاویر AFM از نانو لوله های رشد یافته روی سطح سیلیکون (a) قبل از رشد (b) بعد از رشد روی سطح سیلیکون [9] 6- نتیجه گیری: نانو لوله های تک جداره دارای خواص بسیار عالی مکانیکی حرارتی الکتریکی و مغناطیسی هستند همچنین نانو لوله های تک جداره نسبت به چند جداره ها دارای خواص و عملکرد بهتری هستند نانو لوله های کربنی به طرز چشم گیری هدایت حرارتی و خواص مکانیکی قطعه ما را افزایش می دهد و از طرفی از آن می توان به عنوان یک ابر رسانا استفاده کرد با این حال با رشد نانو لوله ها روی بستر های پر کاربرد در MEMS )سیلیکون و نیکل ) می توان کارایی قطعات ساخته شده و مقاومت آنها در برابر عوامل خارجی را به طرز چشمگیری افزایش داد ولی عیب بزرگ نانو لوله ها باال بودن هزینه تولید آن است از این رو با توجه به مطالب گفته شده نانولوله ها یکی از بهترین کاندیداها برای بکارگیری در قطعات حساس الکتریکی هستند و به دلیل گران بودن آن بیشتر در صنایع نظامی و هواپیمایی کاربرد دارند که با تجاری سازی آن و تولید در مقیاس باال می توان تا حدودی بر این مشکل فایق آمد عالوه بر این با رشد کنترل شده نانولوله ها می توان از آنها به عنوان گیره های میکرونی و یا کلید های میکرو استفاده کرد و آن را جایگزین گیره ها و سوئیچ های پر هزینه ساخته شده از سیلیکون و یا نیکل

14 نمود که بسیار در برابر عوامل خارجی و حرارت آسیب پذیر هستند همچنین زدایش شیمیایی منجر به ایجاد دیواره های خشن و غیر یکنواخت می شود که با استفاده از روش Deep Reactive Ion Etching دیواره هایی با سطوح یکنواخت و صاف دست یافت. می توان به [1] S. Iijima, Nature 354 (1991) مراجع: [2] آجایان شادلر بروان و ترجمه بابک کفاشی و همکاران علوم و فناوری نانو کامپوزیت انتشارات دانشگاه تهران 1389 [3] N.M. Mubarak, E.C. Abdullah, N.S. Jayakumar, J.N. Sahu, Journal of Industrial and Engineering Chemistry 1532 (2013) [4] Firoozeh Danafar,Fakhru l-razi, Mohd Amran Mohd Salleh, Dayang Radiah Awang Biaka, Fluidized bed catalytic chemical vapor deposition synthesis of carbon nanotubes, Chemical Engineering Journal 155 (2009) [5] Matthew R. Maschmann, Placidus B. Amama, Amit Goyal, Zafar Iqbal,Roy Gat, Timothy S. Fisher,Parametric study of synthesis conditions in plasma-enhanced CVD of high-quality single-walled carbon nanotubes, Carbon 44 (2006) [6] Tomohiro Nozaki, Kuma Ohnishi, Ken Okazaki, Uwe Kortshagen, Fabrication of vertically aligned single-walled carbon nanotubes in atmospheric pressure non-thermal plasma CVD, Carbon 45 (2007) [7] Wilson Merchan-Merchan, Alexei V. Saveliev, Lawrence Kennedy, Walmy Cuello Jimenez, Combustion synthesis of carbon nanotubes and related nanostructures, Progress in Energy and Combustion Science 36 (2010) [8] A J Hart, BOBoskovic, AT H Chuang, V BGolovko,J Robertson, B F G Johnson, A H Slocum, Uniform and selective CVD growth of carbon nanotubes and nanofibres on arbitrarily microstructured silicon surfaces, Nanotechnology 17 (2006) [9] Tae Jae Lee, Jungeun Seo, Haiwon Lee, Jung Woo Lee, Whikun Yi, Fabrication of single-walled carbon nanotube threedimensional networks inside the pores of a porous silicon structure, carbon 48 )2010 )