Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ

Μέγεθος: px
Εμφάνιση ξεκινά από τη σελίδα:

Download "Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ"

Transcript

1 ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Η/Υ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ Τρίτο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών Δρ. Χ. Μιχαήλ Πάτρα, 2010

2 ΑΣΚΗΣΗ 1 Ένας μικροεπεξεργαστής πρέπει να οδηγήσει ένα δίαυλο (Bus) δεδομένων 64 bit, στον οποίο η κάθε γραμμή έχει χωρητικό φορτίο ίσο με 40 pf, και η λογική διακύμανση είναι 5. Οι οδηγοί του διαύλου πρέπει να εκφορτίζουν την χωρητικότητα του φορτίου από 5 σε 0 σε 1 ns. Ποιο είναι το ρεύμα κορυφής στο chip του μικροεπεξεργαστή, αν και οι 64 οδηγοί μετάγονται ταυτόχρονα; Αφού η μεταβολή τάσης είναι σταθερή κατά την διάρκεια της μετάβασης, το ρεύμα που ρέει μέσα στον πυκνωτή θα είναι σταθερό ίσο με: 5 C = C = 40 pf = 200mA dt 1ns Αυτό είναι το ρεύμα σε κάθε ένα από τα bit του διαύλου δεδομένων. Όταν και τα 64 κανάλια του διαύλου αλλάζουν ταυτόχρονα τιμή τότε το ρεύμα θα είναι 64 φορές μεγαλύτερο και ίσο με: BUS = C 64 = 12,8Amp Αξίζει να σημειωθεί ότι αν to bus έχει συχνότητα fbus=1 MHz η ισχύς που καταναλώνεται είναι: 2 PBUS = CC BUS dt FBUS = CC C FBUS = 5 12,8 1n 1M = 64mW ενώ αν η συχνότητα του bus αυξηθεί στα 100ΜΗz η ισχύς θα είναι 6,4W. Είναι προφανές ότι η ισχύς που καταναλώνεται δεν εξαρτάται από την κλίση της τάσης κατά την διάρκεια της μεταβολής της τάσης, αλλά από την χωρητικότητα που οδηγείται και το πλάτος της μεταβολής της τάσης. Είναι λοιπόν σημαντικό να προσέχουμε στις σχεδιάσεις μας έτσι ώστε να κρατάμε την παρασιτική χωρητικότητα όσο το δυνατόν μικρότερη και είναι σαφές γιατί η τεχνολογία απαιτεί μικρές τάσεις τροφοδοσίας έτσι όπως έχει εκτενώς αναφερθεί στο μάθημα.

3 ΑΣΚΗΣΗ 2 Για την TTL στο Σχ.1. να υπολογισθούν οι τιμές H, L, OH, OL καθώς και τα περιθώρια θορύβου NM L και NM H. Θεωρείστε ότι BE,just-on, D,just-on =0,6 και BE,sat=0,8. Σχήμα.1. Όπως γνωρίζουμε όταν η έξοδος έχει τιμή LOW, τότε το Q3, είναι βαθιά στον κόρο ενώ το Q4 στην αποκοπή. Δηλαδή είναι, TTL = 0. (Δείτε ανάλυση βιβλίου) OL 1 Όπως γνωρίζουμε όταν η έξοδος έχει τιμή HGH, τότε το Q4 και η δίοδος D άγουν ενώ το Q3 βρίσκεται στην αποκοπή. Δηλαδή είναι = 3. (Δείτε ανάλυση βιβλίου) OH, TTL CC BE, Q4, just on D = 8 Η τιμή L προκύπτει από το σημείο της χαρακτηριστικής (έστω σημείο C) όπου η έξοδος γίνεται HGH δηλ. εκεί όπου το τρανζίστορ Q3 έχει μόλις οδηγηθεί στην κατάσταση της αποκοπής δηλαδή έχει τιμή τάσης βάσης-εκπομπού οριακά χαμηλότερα από την τάση just-on, δλδ. τα 0,6 olt, ενώ το τρανζίστορ Q4 άγει όπως επίσης και ο διαχωριστής φάσης Q2. Αυτό συμβαίνει όταν L, TTL, C BE, Q3, just on + BE, Q2 CE, Q1 = 1. 2 =

4 Στο σημείο αυτό η τάση εξόδου είναι περίπου ίση με 2,8 olt κάτι που ίσως να μην θεωρείται αξιόπιστη τιμή HGH. Έτσι κάποιοι θεωρούν σαν σημείο καθορισμού της τιμής L το σημείο της χαρακτηριστικής (έστω σημείο Β) όπου η έξοδος είναι HGH και το τρανζίστορ διαχωριστή φάσης Q2 έχει μόλις οδηγηθεί στην κατάσταση της αποκοπής δηλαδή έχει τιμή τάσης βάσης-εκπομπού οριακά χαμηλότερα από την τάση just-on, δλδ. τα 0,6 olt, ενώ το τρανζίστορ Q3 ήδη από το σημείο C έχει οδηγηθεί στην αποκοπή. Σε αυτό το σημείο η τιμή της εξόδου είναι η γνωστή τιμή των 3,8 olt που είδαμε πιο πάνω. Αυτό συμβαίνει όταν L, TTL, B = BE, Q2, just on CE, Q1 = 0. 5 Στο τμήμα BC, (από το Β προς το C), η τάση εξόδου διαρκώς μειώνεται αφού πλέον το τρανζίστορ διαχωριστή φάσης Q2, λειτουργεί στην ενεργό περιοχή και δρα σαν γραμμικός ενισχυτής. Έτσι το ρεύμα στον συλλέκτη του Q2,που προκαλεί πτώση τάσης πάνω στην αντίσταση 2Κ μειώνει την τάση εξόδου όπως προκύπτει από την σχετική εξίσωση Κirchoff για την τάση εξόδου παίρνοντας τελικά τιμή κοντά στα 2,8 στο σημείο C. Το πιο σωστό είναι να θεωρήσουμε το σημείο L, TTL κάπου στην μέση αυτής της γραμμικής περιοχής όπου η τάση εξόδου είναι αρκετά υψηλή (κλίση τμήματος BC ισούται περίπου -1,45 /). Έτσι θεωρούμε τελικά ότι είναι L, TTL = 0. 8 Η τιμή Η προκύπτει από το σημείο της χαρακτηριστικής όπου η έξοδος γίνεται LOW δηλ. εκεί όπου το τρανζίστορ Q3 μόλις μπαίνει στον κόρο ενώ το τρανζίστορ Q4 έχει μόλις οδηγηθεί στην κατάσταση της αποκοπής. Αυτό συμβαίνει όταν τα Q1, Q2, Q3 είναι πλέον στον κόρο. Θεωρώντας την τάση βάσης-εκπομπού στα 0,8 olt στον κόρο είναι H, TTL = BE, Q3 + BE, Q2 CE, Q1 = 1.5 Επομένως τα περιθώρια υπολογίζονται ως: ΝΜ L = L OL = 0,8-0,1= 0,7 ΝΜ H = OH H = 3,8-1,5 =2,3

5 ΑΣΚΗΣΗ 3 Για την αύξηση των L και Η προσθέτουμε στην TTL δύο επιπλέον διόδους, όπως απεικονίζεται στο Σχ.2. Να δικαιολογηθεί γιατί χρειάζεται η δεύτερη δίοδος και να υπολογισθούν οι τιμές, H, L, OH, OL καθώς και τα περιθώρια θορύβου NM L και NM H. Θεωρείστε ότι BE,just-on, D,just-on =0,6 και BE,sat=0,8. Σχήμα.2. Η δεύτερη δίοδος D 2 στον εκπομπό του τρανζίστορ Q 2 μετατοπίζει υψηλότερα την τάση εισόδου κατά D, αφού για να άγει το μονοπάτι τρανζίστορ Q 2, δίοδος D 2 και τρανζίστορ Q 3, χρειάζεται η επιπλέον αυτή τάση ώστε να άγει η δίοδος D 2. Όμως εφόσον θεωρούμε σαν L τον μέσο όρο των δύο L στα σημέια B και C (Δείτε Άσκηση 2), τότε πρέπει να παρατηρήσουμε ότι η ύπαρξη της διόδου D 2 επηρεάζει τους υπολογισμούς στα σημεία Β, C όπου γίνεται: = + + = (ομοίως στο σημείο Β) L, TTL, C BE, Q3, just on D BE, Q2 CE, Q1 D = 9 Έτσι θεωρούμε τελικά ότι είναι L, TTL = 1. 5

6 Η δίοδος D 2 μετατοπίζει υψηλότερα την τάση εισόδου κατά D, αφού για να άγει το μονοπάτι τρανζίστορ Q 2, δίοδος D 2 και τρανζίστορ Q 3, που καθορίζει την Η, χρειάζεται η επιπλέον αυτή τάση ώστε να άγει η δίοδος D 2. Έτσι θεωρούμε τελικά ότι είναι: H, TTL = BE, Q3 + D + BE, Q2 CE, Q1 = D = 2.2 Οι δύο επιπλέον δίοδοι προκαλούν πρόβλημα στην περίπτωση κατά την οποία τα τρανζίστορ Q 2 και Q 3 βρίσκονται στην περιοχή του κόρου. Η τάση B,Q4 σε αυτή την περίπτωση λοιπόν ισούται με: B,Q4 = BΕ,Q3,Sat + D + CE,Q2,Sat = 1.7 Εάν δεν υπήρχε η δεύτερη, επιπλέον, δίοδος D 1, στον συλλέκτη του τρανζίστορ Q 4, τότε η παραπάνω τάση στην βάση του τρανζίστορ Q 4, θα ήταν ικανή να προκαλέσει αγωγή του τρανζίστορ Q 4, και την μίας διόδου D 1 οδηγώντας σε αντικανονική λειτουργία το κύκλωμα αφού θα ήγαν τόσο το τρανζίστορ Q 3 όσο και το τρανζίστορ Q 4. Η προσθήκη όμως σε σειρά της δεύτερης διόδου D 1 στον συλλέκτη του τρανζίστορ Q 4 ανεβάζει την απαιτούμενη τάση για να υπάρξει αγωγή του τρανζίστορ Q 4 κατά 0,7. Έτσι αποφεύγεται η παραπάνω λανθασμένη λειτουργία. αφού δεν μπορεί να πολωθεί ορθά η επαφή B E του τρανζίστορ Q 4 με την επιπρόσθετη δίοδο στην έξοδο με αποτέλεσμα αυτό να μην άγει. Η ΟL παραμένει σταθερή και ίση με 0.2, ενώ η ΟH ισούται πλέον με: ΟΗ = CC BE,Q4 D1 D 3.1 Επομένως τα περιθώρια υπολογίζονται ως: ΝΜ L = L OL = 1,3 ΝΜ H = OH H = 0.9

7 ΑΣΚΗΣΗ 4 Για την πύλη Schottky TTL που απεικονίζεται στο Σχ.3 να βρεθεί ποιο είναι το ρεύμα που περνά όταν βραχυκυκλώνεται η έξοδος με την γη για τις περιπτώσεις: α) Οι είσοδοι Α και Β είναι και οι δύο σε χαμηλή στάθμη και β) Οι είσοδοι Α και Β είναι και οι δύο σε υψηλή στάθμη. Σχήμα.3. α) Όταν οι είσοδοι Α και Β και οι δύο βρίσκονται σε χαμηλή στάθμη τότε η έξοδος Y βρίσκεται σε υψηλή στάθμη αφού το τρανζίστορ Q 4 άγει. Εάν βραχυκυκλωθεί η έξοδος με την γη τότε προκύπτει ότι: B,Q4 = + BE,Q4 = = 0.8

8 C,Q4 = B,Q4 + CE,Q5,Sat = = 1.1 B,Q5 = B,Q4 + BE,Q5,Sat = = 1.6 Το ρεύμα στην έξοδο παρέχεται μέσα από τις αντιστάσεις R 1 του τρανζίστορ Q 5 και R 3 του τρανζίστορ Q 4 και προκύπτει ότι: Ι ο = Ι R1 + Ι R3 Ι CC BE, Q5 R4 = + R1 CC C, Q4 - R R 3 BE, Q 4 4 = 81.5 ma αφού για έξοδο σε υψηλή στάθμη άγουν τα τρανζίστορ Q 4 και Q 5 και επομένως και τα δύο συνεισφέρουν ρεύμα και τμήμα του ρεύματος φεύγει προς την γη μέσω της αντιστάσεως R 4 β) Όταν και οι δύο είσοδοι Α και Β έχουν υψηλή στάθμη τότε η έξοδος βρίσκεται σε χαμηλή στάθμη και το τρανζίστορ Q 4 είναι κλειστό και άγουν τα τρανζίστορ Q 2 και Q 3. Η δίοδος Schottky του τρανζίστορ Q 3 πολώνεται ορθά και τραβά ρεύμα βάσης και δεσμεύει την τάση CE,Sch,Sat. Υποθέτοντας ότι η τάση ορθής πόλωσης σε ένα τρανζίστορ Schottky, το οποίο βρίσκεται στην περιοχή του κόρου, ισούται με BC,Qi,Sch,Sat = 0.5 και CE,Qi,Sch,Sat = 0.3, προκύπτει ότι BE = 0.5 και: o CB,Q3 = B,Q3 B,Q3 = 0.5 B,Q2 = B,Q3 + BE,Q2 = 1.2 C,Q2 = B,Q2 + CE,Q2,Sat = 0.8 B,Q1 = B,Q2 + EB,Q1 = 1.8 Και εάν ισχύει: BE = 0.8 CE = 0.3 τότε CB = 0.5 Επομένως τα τρανζίστορ Q 5 και Q 6 είναι κλειστά και το ρεύμα εξόδου ισούται με: Ι o = Ι E,Q3 - Ι C,Q3 = Ι B,Q3 = Ι B,Q1 + Ι C,Q2 = CC B, Q1 R + CC R 1 C, Q2 = 9 ma

9 ΑΣΚΗΣΗ 5 Για τον αντιστροφέα με φορτίο enchancement MOS στο Σχ.4 με t,q1 = t,q2 = 1, W Q1 = 3, L W Q2 = 1/3, μ n * C ox = 20 μα/ 2, και DD = 5. α) Βρείτε τα noise L margins και β ) να βρεθεί το ρεύμα του αντιστροφέα και στις δύο καταστάσεις και εν συνεχεία να προσδιοριστεί η στατική κατανάλωση ισχύος. Σχήμα.4. α) Ισχύει ότι t,q1 = t,q2 = 1. Για να γίνει η τάση εισόδου αντιληπτή σαν χαμηλή στάθμη πρέπει το τρανζίστορ Q 1 να είναι κλειστό, το οποίο συνεπάγεται ότι το ρεύμα που το διαρέει είναι μηδενικό. Για να μην άγει το τρανζίστορ Q 1, θα πρέπει να ισχύει ότι: GS < t < t L = t,q1 = 1 (1) Με το τρανζίστορ Q 1 κλειστό η τάση εξόδου είναι σε υψηλή στάθμη και το ρεύμα που διαρέει τα Q 1, Q 2 είναι μηδενικό. Το τρανζίστορ Q 2 λειτουργεί πάντα στην περιοχή του κόρου (pinch off) λόγω του τρόπου σύνδεσης του και όπως ξέρουμε για το ρεύμα του τρανζίστορ στην περιοχή του κορεσμού (pinch off) ισχύει ότι:

10 Ι D,Q2 = k 2 * ( GS t,q2 ) 2 (2) Ι D,Q2 =0 (3) (2),(3) ( GS t,q2 ) =0 DD o = t,q2 o = DD t,q2 = 5 1 = 4 OH = 4 (4) Για τον υπολογισμό του OL ισχύει ότι το τρανζίστορ Q 2 λειτουργεί (πάντα άλλωστε) στην περιοχή του κόρου (pinch off) και για το τρανζίστορ Q 1 πρέπει να ισχύει ότι η τάση πρέπει να είναι σε υψηλή στάθμη με την τάση εξόδου o να είναι σε χαμηλή στάθμη (λειτουργία αντιστροφέα) και επομένως είναι: GD,Q1 > t Γίνεται η υπόθεση ότι το τρανζίστορ Q 1 λειτουργεί στην περιοχή της τριόδου για σε υψηλή στάθμη Προφανώς ισχύει ότι το ρεύμα του τρανζίστορ Q 1 ισούται με το ρεύμα του τρανζίστορ Q 2. Για την εξίσωση που μας δίνει το ρεύμα του τρανζίστορ Q 1 που βρίσκεται στην τριοδική ή γραμμική περιοχή ισχύει ότι: Ι D,Q1 = k 1 * [ 2 * ( GS t,q1 ) * DS 2 DS ] (5) GS,Q1 = G,Q1 = (6) DS,Q1 = D,Q1 = o (7) Για την εξίσωση που μας δίνει το ρεύμα του τρανζίστορ Q 2 ισχύει που βρίσκεται στην περιοχή κορεσμού ισχύει ότι: Ι D,Q2 = k 2 * ( GS t,q2 ) 2 (8) GS, Q2 = G,Q2 S,Q2 = DD o (9) Από τις σχέσεις (5), (6), (7), (8) και (9) και επειδή ισχύει ότι Ι D,Q2 = Ι D,Q1 προκύπτει ότι: k 1 * [ 2 * ( GS t,q1 ) * DS DS 2 ] = k 2 * ( GS t,q2 ) 2 (10)

11 Χρησιμοποιώντας της σχέση (10) για την εύρεση των OL και H στην κατάσταση κατά την οποία η τάση εισόδου βρίσκεται σε υψηλή στάθμη και τάση εξόδου σε χαμηλή στάθμη, αντικαθίσταται η τάση εισόδου με την τάση εξόδου που οδηγεί, δηλαδή = OH = DD t,q2 και η τάση εξόδου με o = OL Επιπρόσθετα από της δοσμένες σταθερές υπολογίζεται ότι ισχύει ότι k 1 = 9 * k 2 και προκύπτει ότι: ( 4 OL ) 2 = 9 * ( 6 * OL ( OL ) 2 ) Η επίλυσή της πιο πάνω είναι OL 0.3 (11) Για αυτή την τιμή της τάσης εξόδου o = OL = 0.3 το τρανζίστορ Q 1 βρίσκεται στην περιοχή τριόδου όπως αρχικά είχε υποτεθεί. Για την εύρεση του H, το τρανζίστορ Q 2 βρίσκεται στην περιοχή του κόρου και το τρανζίστορ Q 3 βρίσκεται στην περιοχή της τριόδου. Επομένως ισχύει η προηγούμενη σχέση k 1 * [ 2 * ( Ι t,q1 ) * ο 2 ο ] = k 2 * ( ο t,q2 ) 2 (12) στην οποία αντικαθίσταται το = DD t,q2 και έτσι υπολογίζεται το OL. Για την εύρεση του H χρειάζεται μια επιπλέον εξίσωση. Το σημείο H ορίζεται ως το σημείο της καμπύλης TC όπου ισχύει ότι o = - 1. όπως έχει αναφερθεί στο μάθηαμ αυτή η σχέση θα χρησιμοποιηθεί για να προκύψει η δεύτερη εξίσωση που χρειαζόμαστε. Αξίζει αν τονίσουμε ότι ακριβώς το ίδιο ισχύει και στην περίπτωση του αντιστροφέα CMOS, όπου απλά θα δουλεύαμε με παρόμοιο τρόπο. Διαφορίζοντας και τα δύο μέλη της (12) ως προς συνάρτηση του. Έτσι προκύπτει ότι: k 1 * [ 2 * ( Ι t,q1 ) * ο ο 2 ] = k 2 * ( ο t,q2 ) 2 k 1 * [ 2 * ( Ι t,q1 ) * = k 2 * Ισχύει ότι: d( DD d ) ( t, Q1 = o 2 t, Q2 ) t Q - ( o t, Q1 + 2 * d ) (13), 1 = 1 0 = 1 * o 2 * ο * γνωρίζοντας ότι το Ο είναι o ] =

12 d( DD o 2 t, Q2 ) = 2 * d ( DD o t, Q2 ) * ( DD o t,q2 ) = = 2 * ( DD Οπότε προκύπτει ότι: - o t Q -, 2 ) = 2 * ( 0 - o - 0 ) = - 2 * o k 1 * [ 2 * ( Ι t,q1 ) * o + 2 * o 2 * ο * o ] = = - 2 *k 2 * ( DD o - t,q2 ) * o (14) Όμως ισχύει ότι o και k R = k 1 /k 2 k 1 = k R * k 2 προκύπτει ότι: = - 1 εξ ορισμού του σημείου H και αντικαθιστώντας με H k R * [ - ( ΙH t,q1 ) + o + ο ] = DD o - t,q2 (15) Έτσι βρήκαμε και την δεύτερη εξίσωση του συστήματος εξισώσεων, η επίλυσή του οποίου δίνει σαν αποτελέσματα ότι: H 2.2 (16) o 0.8 Από τις τιμές των OL και ΙΗ επιβεβαιώνεται ότι το τρανζίστορ Q 1 βρίσκεται στην περιοχή της τριόδου, όπως αρχικά είχε υποτεθεί. Από της (1), (4), (11), (16) προκύπτει τελικά ότι τα noise margins ισούνται με: NM L = L OL = t,q1 OL = = 0.7 NM H = OH H = ( DD - t,q2 ) H = = 1.8 ΠΡΟΣΟΧΗ ΜΕ ΑΚΡΙΒΩΣ ΤΟ ΙΔΙΟ ΣΚΕΠΤΙΚΟ ΑΝΤΙΜΕΤΩΠΙΖΟΝΤΑΙ ΠΑΡΟΜΟΙΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΟΠΩΣ Η ΕΥΡΕΣΗ ΤΩΝ NOSE MARGNS ΤΟΥ CMOS ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑ ΠΟΥ ΛΥΘΗΚΕ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ. ΔΕΙΤΕ ΚΑΙ ΕΞΑΣΚΗΘΕΙΤΕ.

13 γ) Για την περίπτωση κατά την οποία βρίσκεται σε χαμηλή στάθμη και η τάση της εξόδου o βρίσκεται σε υψηλή στάθμη το τρανζίστορ Q 1 είναι κλειστό και ρέει ένα αμελητέο ρεύμα το οποίο δημιουργεί μια αμελητέα στατική κατανάλωση ισχύος. Για o = OL = 0.3 το ρεύμα το αναστροφέα είναι: D,Q2 = k 2 * ( DD o t,q2 ) 2 D,Q2,o=low = ½ * 20 * 1/3 ( ) 2 D,Q2,o=low = 46 μα Επομένως στην κατάσταση όπου η έξοδος έχει χαμηλή στάθμη, άρα λογικό μηδέν, η στατική κατανάλωση ισχύος ισούται με: P D,low = D,Q2,OL * DD = 46 μα * 5 = 230 μw Η μέση κατανάλωση του αντιστροφέα είναι: P D = P + P D, low D, high 2 = μw = 115 μw.

14 ΑΣΚΗΣΗ 6 Να βρεθεί η τάση για την οποία o = i σε ένα CMOS αναστροφέα, όπως αυτός στο Σχ.5., με α)k n = k p και β) k n = 2.5 * k p. Σχήμα.5. Για o = i = DD και τα δύο τρανζίστορ είναι στο pinch off και ισχύει ότι: DS,Qn = DS,Qp k n * ( GS t,n ) 2 = k p * ( GS t,p ) 2 Με: GS,Qn = i GS,Qp = i - DD k R = k n / k p Προκύπτει ότι: k R * ( i t,n ) 2 = ( i DD - t,p ) 2 k R * ( i t,n ) = ( i DD - t,p ) i * ( 1 + k R ) = ( DD + t,p + t,n * k R ) i = ( DD + t, Qp + t, Qn (1 + k R ) * k R )

15 Οπότε για k R = 1 o = i = 2.5 ενώ για k R = 2.5 o = i = Για τις περιοχές αγωγής ισχύει o i 2.5 και t,qn = 1 και t,qp = - 1. Για την i < DD t,qn i < 4 ΑΣΚΗΣΗ 7 Να βρεθούν τα OH και OL για την πύλη pseudo-nmos στο Σχ. 6.. Σχήμα.6. Στην πύλη του σχήματος έχει στην πάνω θέση ένα Q p με γειωμένη την πύλη G και δεν συνδέεται σε αυτή καμία είσοδος. Άρα αυτή η πύλη με τις διαστάσεις (W/L) είναι μια πύλη NMOS όπου σαν φορτίο υπάρχει ένα Q p. Η πύλη αυτή λέγεται pseudo NMOS. Για i σε χαμηλή στάθμη για να βρεθεί OH ισχύει για το τρανζίστορ Q n ότι: GS = i 0 = i και i < t,qn GS < t,qn Το τρανζίστορ Q n είναι κλειστό. Και για το τρανζίστορ Q p ότι: GS = 0 5 < t,qp Το τρανζίστορ Q p άγει πάντα.

16 Η τάση εξόδου OH εξαρτάται από το σημείο που θα σταματήσει να άγει το PMOS τρανζίστορ, το οποίο όμως άγει συνέχεια και τελικά προκύπτει ότι OH = DD. Για την εύρεση του OL, η οποία θα είναι μια τάση χαμηλότερη από t,qn = t,qn, για τα δύο MOS τρανζίστορ ισχύει ότι o = OL και τάση εισόδου σε υψηλή στάθμη, δηλαδή = OH = DD (αφού η πύλη αυτή είναι ένας αντιστροφέας). Για το NMOS τρανζίστορ ισχύει ότι: GS = i = DD > t,qn GD = i o = OH OL > t,qn Άρα το τρανζίστορ NMOS βρίσκεται στη περιοχή της τριόδου. Για το PMOS τρανζίστορ ισχύει ότι: GS = 0 DD < t,qp GD = 0 o 0 > t,qp Άρα το τρανζίστορ PMOS βρίσκεται στη περιοχή pinch off. Για i = OH, ισχύει o = OL άρα το τρανζίστορ NMOS βρίσκεται στην περιοχή τριόδου και το τρανζίστορ PMOS βρίσκεται στη περιοχή pinch off και ισχύει ότι: Ι DS,Qn = Ι DS,Qp k p * ( GS t,qp ) 2 = k n * ( ( GS t,qn ) + 2 * DS ) * DS ) ( ( OH t,qn ) + 2 * OL ) * OL = k p /k p * ( DD + t,qn ) 2 OL k p / k n * ( ( DD OH + t, Qp ) t, Qn 2 ) Και υποθέτωντας ότι t,qp = - t,qn = - t,qn προκύπτει ότι: OL k p / k n * ( DD + t,qn ) Και επόμενα για να δουλέψει καλά η pseudo NMOS λογική πρέπει να ισχύει k n >> k p και όχι k n k p όπως ισχύει στον CMOS λογική.

17 ΑΣΚΗΣΗ 8 Για την NOR πύλη που απεικονίζεται στο Σχ.7. ισχύει ότιdd=5 k 2 = k 4 = 2 * k 1 = 2 * k 3, και t = 1 παντού. Να βρεθεί η τάση κατωφλίου th της πύλης για τις περιπτώσεις: α) Η είσοδος Β είναι συνδεδεμένη με την γη και β) Οι είσοδοι Α και Β είναι συνδεδεμένοι μεταξύ τους. Σχήμα.7. α) Για την είσοδο Β συνδεδεμένη με την γη σημαίνει ότι η είσοδος αυτή βρίσκεται πάντα σε χαμηλή στάθμη. Το τρανζίστορ Q 4 άγει, ενώ το τρανζίστορ Q 3 είναι κλειστό. Για το PMOS Q 4 ισχύει ότι: GS = 0 high < t GD = B y = 0 DD < t Και επόμενα το τρανζίστορ Q 4 βρίσκεται στην περιοχή της τριόδου.

18 Η τάση κατωφλίου πύλης th εμφανίζεται για το μέγιστο ρεύμα όταν o = i = DD / 2, οπότε τα τρανζίστορ Q 1 και Q 2 βρίσκονται στην περιοχή pinch off. Επομένως με το τρανζίστορ Q 3 κλειστό ισχύει ότι: DS,Q1 = DS,Q2 = DS,Q4 k 1 * ( i t ) 2 = k 2 * ( ( i - th ) t ) 2 = = k 4 * [ 2 * ( DD i ) * ( DD - i ) ( DD - i ) 2 Με i = th, i th = GS,Q2, th i = GS,Q4 προκύπτει ότι i = 4.8 και th = και επιβεβαιώνεται ότι το τρανζίστορ Q 4 βρίσκεται στην περιοχή τριόδου. β) Για την περίπτωση κατά την οποία οι είσοδοι Α και Β είναι συνδεδεμένες μεταξύ τους, από τα τρανζίστορ Q 1 και Q 3 ρέει ρεύμα ίσο με /2 και γίνεται η υπόθεση ότι τα τρανζίστορ Q 1, Q 2 και Q 3 βρίσκονται στην περιοχή pinch off το τρανζίστορ Q 4 βρίσκεται στην περιοχή τριόδου. Άρα ισχύει ότι: DS,Q1 + DS,Q3 = DS,Q2 = DS,Q4 k 1 * ( th t ) 2 + k 3 * ( th t ) 2 = k 2 * ( i th t ) 2 = = k 4 [ 2 * ( DD i ) * ( DD t ) 2 - ( DD i ) 2 ] th = 2.37 και i = 4.75 που επιβεβαιώνει την αγωγή των τρανζίστορ Q 1, Q 2, Q 3 και Q 4.

19 ΑΣΚΗΣΗ 9 Για τον CMOS αντιστροφέα που απεικονίζεται στο Σχ.8. και λειτουργεί με συχνότητα f = 10 MHz. Να βρεθεί η κατανάλωση ισχύος βραχυκυκλώματος Σχήμα.8. Όπως ξέρουμε από της περιοχές λειτουργίας του CMOS αντιστοφέα ισχύει ότι: Για i = DD έως DD t, δηλαδή 4 i 5 είναι o = OL = 0. Ομοίως για i = 0 έως t, δηλαδή για 0 i 1 είναι o = OH = 5. Στα διαστήματα αυτά της i από 0 έως 1 και από 4 έως 5 δεν ρέει ρεύμα στο κύκλωμα. Για i = 1 έως 4 στο κύκλωμα ρέει ρεύμα το οποίο παίρνει την μέγιστη τιμή του για th = DD / 2 = 2.5 όπου και τα δύο τρανζίστορ βρίσκονται στην περιοχή pinch off. Εάν ο χρόνος για να πάει η έξοδος από 0 σε 5 είναι 1 ns, η άνοδος της τάσης γίνεται με γραμμικό τρόπο ως προς τον χρόνο t. Για o = 5 έως 1 και o = 4 έως 5, δεν υπάρχει ρεύμα ενώ στο o = 1 έως 4 υπάρχει ρεύμα και επομένως για τα 3 από τα 5 μεταβολής ρέει ρεύμα στο κύκλωμα. Το ρεύμα ρέει για χρόνο 3/5 * 1 ns =0,6 ns = t r = t f. To ρεύμα αυτό είναι ίδιο τόσο κατά την μετάβαση από χαμηλή στάθμη σε υψηλή στάθμη και το αντίστροφο και έχει την μέγιστη τιμή του στο th = DD / 2 της πύλης όπου και τα δύο τρανζίστορ βρίσκονται στην περιοχή pinch off.

20 Για k R = 1 προκύπτει ότι μέγιστο αυτό ρεύμα ισούται με: i = th = DD / 2 και o = DD / 2. peak = k n * ( GS - t ) 2 και GS = G S = i = DD / 2 peak = k n * ( DD / 2 - t ) 2 = k n * ( 2.5-1) 2 H κατανάλωση ισχύος βραχυκυκλώματος είναι: P D,short = ½ * DD * f * peak * ( t r + t f ). Στην CMOS λογική η οποία είναι συμμετρική ισχύει ότι t r = t f και επομένως: P D,short = ½ * DD * f * peak * 2 * t r = DD * f * peak * t r =

Δεύτερο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ

Δεύτερο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών. Δρ. Χ. Μιχαήλ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Η/Υ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ Δεύτερο Σετ Φροντιστηριακών ασκήσεων Ψηφιακών Ηλεκτρονικών Δρ. Χ. Μιχαήλ Πάτρα, 2009 ΑΣΚΗΣΗ 1 Αναλύστε τι ισχύει για την πύλη DTL του Σχ.1, ανάλογα

Διαβάστε περισσότερα

Λογική Τρανζίστορ-Τρανζίστορ. Διάλεξη 3

Λογική Τρανζίστορ-Τρανζίστορ. Διάλεξη 3 Λογική Τρανζίστορ-Τρανζίστορ (TTL) και Schottky TTL Διάλεξη 3 Δομή της διάλεξης Το κύκλωμα της πύλης TTL Ανάλυση της πύλης TTL Χαρακτηριστικά της πύλης TTL ΗπύληNAND TTL και άλλα λογικά κυκλώματα TTL Βελτίωση

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ MOS KAI CMOS Α. Αναστροφέας MOSFET. Α.1 Αναστροφέας MOSFET µε φορτίο προσαύξησης. Ο αναστροφέας MOSFET (πύλη NOT) αποτελείται από

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Οικογένειες Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ψηφιακής Λογικής

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Οικογένειες Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ψηφιακής Λογικής Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Οικογένειες Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Ψηφιακής Λογικής Επιμέλεια Διαφανειών: Δ. Μπακάλης Πάτρα, Φεβρουάριος 2009 Περιεχόμενα Βασικά ηλεκτρικά χαρακτηριστικά

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή. Στατική Λειτουργία V DD Q P Q N Q N =SAT QP=LIN QN=LIN Q P =SAT. Vi (Volts)

Εισαγωγή. Στατική Λειτουργία V DD Q P Q N Q N =SAT QP=LIN QN=LIN Q P =SAT. Vi (Volts) Εισαγωγή Η τεχνολογία COS εφευρέθηκε από τον Δρ. Frank Wanlass (17/5/33) το 1963 και κατοχυρώθηκε με πατέντα το 1967 (Αρ. πατέντας 3,356,5). Η COS τεχνολογία είναι αυτή που έχει κάνει πραγματικότητα την

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (9 η σειρά διαφανειών) Διεργασίες Μικροηλεκτρονικής Τεχνολογίας, Οξείδωση, Διάχυση, Φωτολιθογραφία, Επιμετάλλωση, Εμφύτευση, Περιγραφή CMOS

Διαβάστε περισσότερα

Λογικά Κυκλώματα με Διόδους, Αντιστάσεις και BJTs. Διάλεξη 2

Λογικά Κυκλώματα με Διόδους, Αντιστάσεις και BJTs. Διάλεξη 2 Λογικά Κυκλώματα με Διόδους, Αντιστάσεις και BJTs Διάλεξη 2 Δομή της διάλεξης Επανάληψη άλγεβρας Boole Λογική με διόδους Λογική Αντιστάσεων-Τρανζίστορ (Resistor-Transistor Logic ή RTL) Λογική Διόδων-Τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab

Κεφάλαιο 2 ο. Γ. Τσιατούχας. VLSI Systems and Computer Architecture Lab ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων CMOS Αναστροφέας Κεφάλαιο ο Τμήμα Μηχανικών Η/Υ και Πληροφορικής Γ. Τσιατούχας VLSI Systems ad Computer Architecture Lab ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ VLSI Διάρθρωση 1. I V χαρακτηριστική

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΥΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΟΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΜΕΛΕΤΗ DC ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑΣ Στο σχήμα φαίνεται ένα κύκλωμα κοινού εκπομπού από το βρόχο εισόδου Β-Ε ο νόμος του Kirchhoff δίνει: Τελικά έχουμε: I I BB B B E E BE B BB E IE

Διαβάστε περισσότερα

Μνήμες RAM. Διάλεξη 12

Μνήμες RAM. Διάλεξη 12 Μνήμες RAM Διάλεξη 12 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή Κύτταρα Στατικής Μνήμης Κύτταρα Δυναμικής Μνήμης Αισθητήριοι Ενισχυτές Αποκωδικοποιητές Διευθύνσεων Ασκήσεις 2 Μνήμες RAM Εισαγωγή 3 Μνήμες RAM RAM: μνήμη

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ & ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ & ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ Διδάσκοντες:

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΜΑΘΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ Σκοπός : 1. Γνωριμία με το τρανζίστορ. Μελέτη πόλωσης του τρανζίστορ και ευθεία φορτίου. 2. Μελέτη τρανζίστορ σε λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

Λογικά Κυκλώματα CMOS. Διάλεξη 5

Λογικά Κυκλώματα CMOS. Διάλεξη 5 Λογικά Κυκλώματα CMOS Διάλεξη 5 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή Η τεχνολογία αντιστροφέων CMOS Λειτουργία του κυκλώματος Χαρακτηριστική μεταφοράς τάσης Περιθώρια θορύβου Κατανάλωση ισχύος Οι πύλες CMOS NOR

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (5 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (5 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (5 η σειρά διαφανειών) Τρανζίστορ διπολικής επαφής (Bipolar Junction Transistor BJT) Στα ψηφιακά κυκλώματα αυτό το τρανζίστορ χρησιμοποιείται

Διαβάστε περισσότερα

«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο

«Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο ΤΕΙ Δυτικής Ελλάδας Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Εργαστήριο Σχεδίασης Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων «Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων σε FPGA» Εαρινό εξάμηνο 2016-2017 Διάλεξη 2 η :

Διαβάστε περισσότερα

Πολυσύνθετες πύλες. Διάλεξη 11

Πολυσύνθετες πύλες. Διάλεξη 11 Πολυσύνθετες πύλες NMOS και CMOS Διάλεξη 11 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή ΗσύνθετηλογικήNMOS ΗσύνθετηλογικήCMOS Η πύλη μετάδοσης CMOS Ασκήσεις 2 Πολυσύνθετες πύλες NMOS και CMOS Εισαγωγή 3 Εισαγωγή Στη λογική

Διαβάστε περισσότερα

Επιπλέον, για ευκολία στις πράξεις ορίζουμε τις παρακάτω μεταβλητές

Επιπλέον, για ευκολία στις πράξεις ορίζουμε τις παρακάτω μεταβλητές Αναστροφέας με φορτίο Enhancement OSFE Η απλούστερη υλοποίηση OSFE αναστροφέα με ενεργό φορτίο χρησιμοποιεί δύο N-OSFES. Στην ανάλυση που ακολουθεί θα διαπιστώσουμε ότι η χαρακτηριστική μεταφοράς απέχει

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 3. Λογικές Πύλες

Κεφάλαιο 3. Λογικές Πύλες Κεφάλαιο 3 Λογικές Πύλες 3.1 Βασικές λογικές πύλες Τα ηλεκτρονικά κυκλώματα που εκτελούν τις βασικές πράξεις της Άλγεβρας Boole καλούνται λογικές πύλες.κάθε τέτοια πύλη δέχεται στην είσοδό της σήματα με

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 4ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 4ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 4ο. Λιούπης Λογική συζευγµένου εκποµπού Emitter-coupled logic (ECL) Χρησιµοποιούνται BJT transistor, µόνο στην ενεργή περιοχή Εµφανίζονται µικρές αλλαγές δυναµικού µεταξύ των

Διαβάστε περισσότερα

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ A. Πίνακες αληθείας λογικών πυλών. Στη θετική λογική το λογικό 0 παριστάνεται µε ένα χαµηλό δυναµικό, V L, ενώ το λογικό 1

Διαβάστε περισσότερα

Λογικά Κυκλώματα NMOS. Διάλεξη 4

Λογικά Κυκλώματα NMOS. Διάλεξη 4 Λογικά Κυκλώματα NMOS Διάλεξη 4 Δομή της διάλεξης Η Σχεδίαση του Αντιστροφέα NMOS με Ωμικό Φόρτο Η Στατική Σχεδίαση του Αντιστροφέα NMOS με Κορεσμένο Φόρτο ΟΑντιστροφέαςΝMOS με Γραμμικό Φόρτο ΟΑντιστροφέαςΝMOS

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 3ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 3ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 3ο. Λιούπης Χαρακτηριστική καµπύλη µεταφοράς τάσης TTL V out (volts) εγγυηµένη περιοχή V OH V OH(min) V OL(max) 2.4 Ηκαµπύλη µεταφοράς εξαρτάται από τη θερµοκρασία περιβάλλοντος

Διαβάστε περισσότερα

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Τα πιο βασικά στοιχεία δομής των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 2ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 2ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 2ο. Λιούπης Transistor διπολικής επαφής (BJT) I B B C E I C Στα ψηφιακά κυκλώµατα χρησιµοποιείται κατά κύριο λόγο ως διακόπτης Στο σχήµαφαίνεταιένα τυπικό BJT τύπου NPN I B :

Διαβάστε περισσότερα

Στατική ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Στατική ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Στατική ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMO Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Στατική (C) ηλεκτρική ανάλυση του αντιστροφέα CMO Θα εξάγουµε τη χαρακτηριστική τάσης = f( ) (καθώς και τη χαρακτηριστική ρεύµατος

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση των Τρανζίστορ

Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση των Τρανζίστορ Πόλωση λέμε την κατάλληλη συνεχή τάση που πρέπει να εφαρμόσουμε στο κύκλωμα που περιλαμβάνει κάποιο ηλεκτρονικό στοιχείο (π.χ τρανζίστορ), έτσι ώστε να εξασφαλίσουμε την ομαλή λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω

Άσκηση 1 ΛΥΣΗ. Το Q Στη χαρακτηριστική αντιστοιχεί σε ρεύµα βάσης 35 (Fig.2). Η πτώση τάσης πάνω στην : Στο Q έχω ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΙΣΧΥΟΣ Άσκηση 1 To κύκλωµα του Fig.1 χρησιµοποιεί τρανζίστορ Ge (αγνοείστε τη Vbe) και οι χαρακτηριστικές του δίδονται στο Fig.2. Να υπολογίσετε τις αντιστάσεις εκποµπού και συλλέκτη, έτσι ώστε

Διαβάστε περισσότερα

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT)

Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT) Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών & Πληροφορικής Μάθημα: Βασικά Ηλεκτρονικά Τρανζίστορ διπολικής επαφής (BJT) Εργασία του Βασίλη Σ. Βασιλόπουλου Χειμερινό Εξάμηνο 2017-18 Πηγή:

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος

Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Υπεύθυνος καθηγητής Πλέσσας Φώτιος Αναφορά αποτελεσμάτων εργαστηριακών μετρήσεων και μετρήσεων προσομοίωσης κυκλωμάτων εργαστηρίου Ονόματα φοιτητών ομάδας Μουστάκα

Διαβάστε περισσότερα

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες 2

Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες 2 Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Φυσικής Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Δίοδοι, BJT και MOSFET ως Διακόπτες Επιμέλεια Διαφανειών: Δ. Μπακάλης Πάτρα, Φεβρουάριος 2009 Ιδανικός διακόπτης ΙΔΑΝΙΚΟΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ ΠΡΑΓΜΑΤΙΚΟΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ

Διαβάστε περισσότερα

Ο BJT Αναστροφέας. Στατική Ανάλυση. Δεδομένα. Ο Απλός BJT Αναστροφέας

Ο BJT Αναστροφέας. Στατική Ανάλυση. Δεδομένα. Ο Απλός BJT Αναστροφέας Ο BJT Αναστροφέας Ο πιο απλός αναστροφέας που μπορούμε να υλοποιήσουμε φαίνεται στο διπλανό σχήμα και αποτελείται από ένα τρανζίστορ και δύο αντιστάσεις. Μελετώντας το κύκλωμα θα διαπιστώσουμε ότι οι επιδόσεις

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης

Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης Πανεπιστήμιο Πατρών Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών & Πληροφορικής Μάθημα: Βασικά Ηλεκτρονικά Πόλωση των τρανζίστορ ενίσχυσης Εργασία των Άννα Μαγιάκη και Καλλιόπης-Κλέλιας Λυκοθανάση Χειμερινό

Διαβάστε περισσότερα

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs

Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs Υ60 Σχεδίαση Αναλογικών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων 12: Καθρέφτες Ρεύματος και Ενισχυτές με MOSFETs Γιάννης Λιαπέρδος TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (7 η σειρά διαφανειών) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός είδους

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4 Ο : FET (Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου) 1 FET Δομή και λειτουργία Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού ρεύματος είναι ενός

Διαβάστε περισσότερα

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Ανοχή στον Θόρυβο

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Ανοχή στον Θόρυβο Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων 6: Ταχύτητα Κατανάλωση Ανοχή στον Θόρυβο Γιάννης Λιαπέρδος TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής ΤΕ Εισαγωγή

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I

Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I Σχεδιασμός Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων VLSI I 2 η Εργαστηριακή Άσκηση Μελέτη των Παρασιτικών Χωρητικοτήτων και της Καθυστέρησης στα Κυκλώματα CMOS Άδειες Χρήσης Το παρόν υλικό διατίθεται με τους όρους της

Διαβάστε περισσότερα

Υλοποίηση λογικών πυλών µε τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Υλοποίηση λογικών πυλών µε τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Υλοποίηση λογικών πυλών µε τρανζίστορ MOS Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Λογική MOS Η αναπαράσταση των λογικών µεταβλητών 0 και 1 στα ψηφιακά κυκλώµατα γίνεται µέσω κατάλληλων επιπέδων τάσης, όπου κατά σύµβαση

Διαβάστε περισσότερα

4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET

4 η ΕΝΟΤΗΤΑ. Το MOSFET 4 η ΕΝΟΤΗΤΑ Το MOSFET Άσκηση 12η. Ενισχυτής κοινής πηγής με MOSFET, DC λειτουργία. 1. Υλοποιείστε το κύκλωμα του ενισχυτή κοινής πηγής με MOSFET (2Ν7000) του Σχ. 1. V DD = 12 V C by R g = 50 C i R A 1

Διαβάστε περισσότερα

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2)

R 1. Σχ. (1) Σχ. (2) Ηλ/κά ΙΙ, Σεπτ. 05 ΘΕΜΑ 1 ο (2,5 µον.) R 1 (Ω) R B Ρελέ R2 R3 Σχ. (1) Σχ. (2) Φωτεινότητα (Lux) Ένας επαγγελµατίας φωτογράφος χρειάζεται ένα ηλεκτρονικό κύκλωµα για να ενεργοποιεί µια λάµπα στο εργαστήριό

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 5ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 5ο. Λιούπης Τεχνολογία CMOS Υλοποιεί την πλειοψηφία των µοντέρνων ψηφιακών κυκλωµάτων λογικές πύλες µνήµες επεξεργαστές άλλα σύνθετα κυκλώµατα Συνδυάζει συµπληρωµατικά pmos και

Διαβάστε περισσότερα

Επιπλέον, για ευκολία στις πράξεις ορίζουμε τις παρακάτω μεταβλητές

Επιπλέον, για ευκολία στις πράξεις ορίζουμε τις παρακάτω μεταβλητές Αναστροφέας με φορτίο Depletion MOSFET Ένας ακόμη αναστροφέας NMOS τεχνολογίας είναι ο αναστροφέας με φορτίο (ML) Depletion NMOS. Ο αναστροφέας αυτός έχει καλύτερη χαρακτηριστική μεταφοράς σε σύγκριση

Διαβάστε περισσότερα

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ;

ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; ΤΙ ΕΙΝΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ; Ηλεκτρονικοί Υπολογιστές Κινητά τηλέφωνα Τηλεπικοινωνίες Δίκτυα Ο κόσμος της Ηλεκτρονικής Ιατρική Ενέργεια Βιομηχανία Διασκέδαση ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Τι περιέχουν οι ηλεκτρονικές

Διαβάστε περισσότερα

Εργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε αναστροφείς CMOS VLSI

Εργαστηριακή άσκηση. Θεωρητικός και πρακτικός υπολογισμός καθυστερήσεων σε αναστροφείς CMOS VLSI Ε.Μ.Π. - ΣΧΟΛΗ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΫΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΚΑΙ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΗ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ VLSI

Διαβάστε περισσότερα

1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed.

1993 (Saunders College 1991). P. R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 4th ed. Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας ΗΥ430: Εργαστήριο Αναλογικών Κυκλωμάτων Άνοιξη 2005 Εργαστηριακές Ασκήσεις Περιεχόμενα 1 Διπολικό και MOS τρανσίστορ................................... 2 2 Ενισχυτές με διπολικά

Διαβάστε περισσότερα

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος.

ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6. Σχ.6.1. Απλή συνδεσµολογία καθρέπτη ρεύµατος. ΚΕΦΑΛΑΙΟ 6 6.1 ΚΑΘΡΕΠΤΕΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ Σε ένα καθρέπτη ρεύµατος, το ρεύµα του κλάδου της εξόδου είναι πάντα ίσο µε το ρεύµα του κλάδου της εισόδου, αποτελεί δηλαδή το είδωλο του. Μία τέτοια διάταξη δείχνει

Διαβάστε περισσότερα

Καθυστέρηση στατικών πυλών CMOS

Καθυστέρηση στατικών πυλών CMOS Καθυστέρηση στατικών πυλών CMOS Πρόχειρες σημειώσεις Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Άνοιξη 2008 Παρόλο που οι εξισώσεις των ρευμάτων των MOS τρανζίστορ μας δίνουν

Διαβάστε περισσότερα

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ

2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 2 η ενότητα ΤΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ T.E.I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. 1 Περιεχόμενα 2 ης ενότητας Στην δεύτερη ενότητα θα ασχοληθούμε

Διαβάστε περισσότερα

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design

Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων. Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design Υ52 Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων και Συστημάτων Δεληγιαννίδης Σταύρος Φυσικός, MsC in Microelectronic Design TEI Πελοποννήσου Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ.Ε.

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων

Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Αγγελική Αραπογιάννη Σχολή Θετικών Επιστημών Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Τύποι Αναλύσεων (1 από2) Για την μελέτη της συμπεριφοράς των κυκλωμάτων

Διαβάστε περισσότερα

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 6ο.. Λιούπης

Ψηφιακά Ηλεκτρονικά. Μάθηµα 6ο.. Λιούπης Ψηφιακά Ηλεκτρονικά Μάθηµα 6ο. Λιούπης Κίνδυνοι για ένα ολοκληρωµένο CMOS Ηλεκτροστατική εκκένωση (electrostatic discharge ESD) ανταλλαγή στατικών φορτίων και δηµιουργία σπινθήρα, όταν πλησιάσουν δύο σώµατα

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (2 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (2 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (2 η σειρά διαφανειών) Τα ψηφιακά ηλεκτρονικά κυκλώματα χωρίζονται σε κατηγορίες ( λογικές οικογένειες ) ανάλογα με την τεχνολογία κατασκευής

Διαβάστε περισσότερα

Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού

Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού Κεφάλαιο 11. Κυκλώματα Χρονισμού Σύνοψη Στο κεφάλαιο αυτό αναλύεται η λειτουργία των κυκλωμάτων χρονισμού. Τα κυκλώματα αυτά παρουσιάζουν πολύ μεγάλο πρακτικό ενδιαφέρον και απαιτείται να λειτουργούν με

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 26/01/2017 ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΤΕ ΔΙΔΑΣΚΩΝ: Λ ΜΠΙΣΔΟΥΝΗΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 6/0/07 ΘΕΜΑ ο ( μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται:

Διαβάστε περισσότερα

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier)

Ενισχυτής κοινής πηγής (common source amplifier) Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Βασικά κυκλώµατα ενισχυτών µε transstr MOS Τµήµα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ Transstr ως ενισχυτής Ενισχυτής κοινής πηγής (cmmn surce amplfer (κύκλωµα αντιστροφέα

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI «Τρανζίστορ και Απλά Κυκλώματα» (επανάληψη βασικών γνώσεων) Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Η/Υ 1 Δομή Παρουσίασης MOSFET

Διαβάστε περισσότερα

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική. «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας UTH ΤHMMY ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Βαθμίδες Εξόδου» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤHMMY Σκοπός διάλεξης Γιατί χρησιμοποιούμε στάδια εξόδου Ακόλουθος εκπομπού Παρουσίαση των βασικών προδιαγραφών του Ψαλιδισμός

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική

Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική Ηλεκτρονική Φυσική & Οπτικοηλεκτρονική ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ενότητα 5: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (MOS-FET, J-FET) Δρ. Δημήτριος Γουστουρίδης Τμήμα

Διαβάστε περισσότερα

Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET

Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET Ερωτήσεις θεωρίας Σημειώσεις στο τρανζίστορ MOSFET 1. Nα σχεδιάσετε τη δομή (διατομή) και το κυκλωματικό σύμβολο ενός τρανζίστορ MOSFET πύκνωσης (ή εμπλουτισμού) καναλιού τύπου n. 2. Να αναπτύξετε τις

Διαβάστε περισσότερα

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k,

Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ.1) με τα εξής χαρακτηριστικά: R 2.3 k, Να σχεδιαστεί ένας ενισχυτής κοινού εκπομπού (σχ) με τα εξής χαρακτηριστικά: 3 k, 50, k, S k και V 5 α) Nα υπολογιστούν οι τιμές των αντιστάσεων β) Να επιλεγούν οι χωρητικότητες C, CC έτσι ώστε ο ενισχυτής

Διαβάστε περισσότερα

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ

4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ ρ. Λάμπρος Μπισδούνης Καθηγητής 4 η ενότητα ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΠΟΛΛΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ T..I. ΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑ ΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Περιεχόμενα 4 ης ενότητας Στην τέταρτη ενότητα θα μελετήσουμε τους ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 9: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (FET) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 9: Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (FET) Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Περιεχόμενο ενότητας (1 από 2) Τύποι τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (JFET, MOSFET, MESFET). Ομοιότητες και διαφορές των FET με τα διπολικά

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες): ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 9/0/00 ΘΕΜΑ ο ( μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: 0, 0.7, kω, 0 kω, Ε kω, L kω, β fe 00, e kω. (α) Να προσδιορίσετε τις τιμές των αντιστάσεων,

Διαβάστε περισσότερα

Σελίδα 1 από 8. Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52

Σελίδα 1 από 8. Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52 Σελίδα 1 από 8 Απαντήσεις στο φυλλάδιο 52 Ερώτηση 1 η : Πολυδονητές ονοµάζονται τα ηλεκτρονικά κυκλώµατα που παράγουν τετραγωνικούς παλµούς. 2 η : Ανάλογα µε τον τρόπο λειτουργίας τους διακρίνονται σε:

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΔΙΟΔΟΣ (Μάθημα 4 ο 5 ο 6 ο 7 ο ) 1/12 4 o εργαστήριο Ιδανική δίοδος n Συμβολισμός της διόδου n 2/12 4 o εργαστήριο Στατική χαρακτηριστική διόδου Άνοδος (+) Κάθοδος () Αν στην ιδανική

Διαβάστε περισσότερα

Μικροηλεκτρονική - VLSI

Μικροηλεκτρονική - VLSI ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Μικροηλεκτρονική - VLSI Ενότητα 5: Αντιστροφέας CMOS Κυριάκης - Μπιτζάρος Ευστάθιος Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. Άδειες Χρήσης

Διαβάστε περισσότερα

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET)

ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) Εισαγωγή στη Μικροηλεκτρονική (ΕΤΥ-482) 1 ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ (FET) ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΕΠΙ ΡΑΣΗΣ ΠΕ ΙΟΥ ΕΠΑΦΗΣ (JFET) Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού

Διαβάστε περισσότερα

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ

ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ - ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ

Διαβάστε περισσότερα

7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα

7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα 7 η διάλεξη Ακολουθιακά Κυκλώματα 1 2 3 4 5 6 7 Παραπάνω βλέπουμε ακολουθιακό κύκλωμα σχεδιασμένο με μανταλωτές διαφορετικής φάσης. Παρατηρούμε ότι συνδυαστική λογική μπορεί να προστεθεί μεταξύ και των

Διαβάστε περισσότερα

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου.

V CB V BE. Ορθό ρεύμα έγχυσης οπών. Συλλέκτης Collector. Εκπομπός Emitter. Ορθό ρεύμα έγχυσης ηλεκτρονίων. Ανάστροφο ρεύμα κόρου. ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ιπολικό Τρανζίστορ Επαφής Επα φής Ι VLS Technology and omputer Archtecture Lab ιπολικό ΤρανζίστορΓ. Επαφής Τσιατούχας 1 ΒΑΣΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Διάρθρωση

Διαβάστε περισσότερα

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής

Τελεστικοί Ενισχυτές. Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Τελεστικοί Ενισχυτές Σπύρος Νικολαΐδης Αναπληρωτής Καθηγητής Τομέας Ηλεκτρονικής & ΗΥ Τμήμα Φυσικής Ο ιδανικός τελεστικός ενισχυτής Είσοδος αντιστροφής Ισοδύναμα Είσοδος μη αντιστροφής A( ) A d 2 1 2 1

Διαβάστε περισσότερα

1) Ταχύτητα. (Χρόνος καθυστερήσεως της διαδόσεως propagation delay Tpd ). Σχήμα 11.1β Σχήμα 11.1γ

1) Ταχύτητα. (Χρόνος καθυστερήσεως της διαδόσεως propagation delay Tpd ). Σχήμα 11.1β Σχήμα 11.1γ Κεφάλαιο 11 ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ 11.1. Εισαγωγή Τα ψηφιακά κυκλώματα κατασκευάζονται κυρίως με χρήση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων (που λέγονται για συντομία ICs INTEGRATED CIRCUITS). Κάθε IC είναι ένας μικρός

Διαβάστε περισσότερα

10. Χαρακτηριστικά στοιχεία λογικών κυκλωμάτων

10. Χαρακτηριστικά στοιχεία λογικών κυκλωμάτων 10. ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΩΝ ΛΟΓΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ 10.1 Εισαγωγή στο Ολοκληρωμένο Κύκλωμα (integrated circuit) IC Ένα IC αποτελείται από ένα κομμάτι ημιαγώγιμου υλικού (σιλικόνης) ονομαζόμενο

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4 ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ ΑΝΟΙΚΤΑ ΑΚΑΔΗΜΑΙΚΑ ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι Ενότητα 4: Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα Χατζόπουλος Αλκιβιάδης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχ. Υπολογιστών

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 12/09/2013

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 12/09/2013 ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: /09/0 ΘΕΜΑ ο (4 μονάδες Στον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος, το τρανζίστορ πολώνεται με συμμετρικές πηγές τάσης V και V των V Για το τρανζίστορ δίνονται:

Διαβάστε περισσότερα

Εισαγωγή στα ψηφιακά κυκλώματα. Διάλεξη 1

Εισαγωγή στα ψηφιακά κυκλώματα. Διάλεξη 1 Εισαγωγή στα ψηφιακά κυκλώματα Διάλεξη 1 Δομή της διάλεξης Εισαγωγή στο Μάθημα Βασικές αρχές λογικών κυκλωμάτων Ο BJT ως διακόπτης Μεταβατικά φαινόμενα Παράδειγμα μεταβατικής λειτουργίας Ασκήσεις 2 Εισαγωγή

Διαβάστε περισσότερα

4/10/2008. Στατικές πύλες CMOS και πύλες με τρανζίστορ διέλευσης. Πραγματικά τρανζίστορ. Ψηφιακή λειτουργία. Κανόνες ψηφιακής λειτουργίας

4/10/2008. Στατικές πύλες CMOS και πύλες με τρανζίστορ διέλευσης. Πραγματικά τρανζίστορ. Ψηφιακή λειτουργία. Κανόνες ψηφιακής λειτουργίας 2 η διάλεξη 25 Σεπτεμβρίου Πραγματικά τρανζίστορ Στατικές πύλες CMOS και πύλες με τρανζίστορ διέλευσης Γιώργος Δημητρακόπουλος Τμήμα Επιστήμης Υπολογιστών Πανεπιστήμιο Κρήτης Η τάση στο gate του τρανζίστορ

Διαβάστε περισσότερα

Βασικές CMOS Λογικές οικογένειες (CMOS και Domino)

Βασικές CMOS Λογικές οικογένειες (CMOS και Domino) Βασικές CMOS Λογικές οικογένειες (CMOS και Domino) CMOS Κάθε λογική πύλη αποτελείται από δύο τμήματα p-mos δικτύωμα, τοποθετείται μεταξύ τροφοδοσίας και εξόδου. Όταν είναι ενεργό φορτίζει την έξοδο στην

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF

Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων RF ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα ᄃ Σχεδίαση Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων F Ασκήσεις Ενότητας: Ταλαντωτές και Πολυδονητές Στυλιανός Μυτιληναίος Τμήμα Ηλεκτρονικής, Σχολή

Διαβάστε περισσότερα

του διπολικού τρανζίστορ

του διπολικού τρανζίστορ D λειτουργία - Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ ρ Παραδείγματα D ανάλυσης Παράδειγμα : Να ευρεθεί το σημείο λειτουργίας Q. Δίνονται: β00 και 0.7. Υποθέτουμε λειτουργία στην ενεργό περιοχή. 4 a 4 0 7, 3,3

Διαβάστε περισσότερα

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Βασικές αρχές ηµιαγωγών και τρανζίστορ MOS Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Ηµιαγώγιµα υλικά και πυρίτιο Η κατασκευή ενός ολοκληρωµένου κυκλώµατος γίνεται µε βάση ένα υλικό ηµιαγωγού (semiconductor), το οποίο

Διαβάστε περισσότερα

3.1 Η δίοδος στο κύκλωμα. Στατική και δυναμική χαρακτηριστική

3.1 Η δίοδος στο κύκλωμα. Στατική και δυναμική χαρακτηριστική 1 3. Κυκλώματα διόδων 3.1 Η δίοδος στο κύκλωμα. Στατική και δυναμική χαρακτηριστική Στην πράξη η δίοδος προσεγγίζεται με τμηματική γραμμικοποίηση, όπως στο σχήμα 3-1, όπου η δυναμική αντίσταση της διόδου

Διαβάστε περισσότερα

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική

ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Καθρέπτες ρεύματος, ενεργά φορτία και αναφορές τάσης ρεύματος» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤΗΜΜΥ Σκοπός διάλεξης Παρουσίαση των καθρεπτών ρεύματος και της χρήσης τους

Διαβάστε περισσότερα

Διαφορικοί Ενισχυτές

Διαφορικοί Ενισχυτές Διαφορικοί Ενισχυτές Γενικά: Ο Διαφορικός ενισχυτής (ΔΕ) είναι το βασικό δομικό στοιχείο ενός τελεστικού ενισχυτή. Η λειτουργία ενός ΔΕ είναι η ενίσχυση της διαφοράς μεταξύ δύο σημάτων εισόδου. Τα αρχικά

Διαβάστε περισσότερα

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι. n channel. p channel JFET ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι 1. Ημιαγωγική δίοδος Ένωση pn 2. Τρανζίστορ FET 3. Πόλωση των FET - Ισοδύναμα κυκλώματα 4. Ενισχυτές με FET 5. Διπολικό τρανζίστορ (BJT) 6. Πόλωση των BJT - Ισοδύναμα κυκλώματα 7. Ενισχυτές

Διαβάστε περισσότερα

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών

PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών PWM (Pulse Width Modulation) Διαμόρφωση εύρους παλμών Μία PWM κυματομορφή στην πραγματικότητα αποτελεί μία περιοδική κυματομορφή η οποία έχει δύο τμήματα. Το τμήμα ΟΝ στο οποίο η κυματομορφή έχει την μέγιστη

Διαβάστε περισσότερα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ ΑΣΚΗΣΗ 1η: ΜΕΛΕΤΗ ΤΟΥ MOSFET Σκοπός της άσκησης Στην άσκηση αυτή θα μελετήσουμε το τρανζίστορ τύπου MOSFET και τη λειτουργία

Διαβάστε περισσότερα

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική. Ενότητα 5: DC λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ. Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Ηλεκτρονική Ενότητα 5: D λειτουργία Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ Αγγελική Αραπογιάννη Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών Άδειες Χρήσης Το παρόν εκπαιδευτικό υλικό υπόκειται σε άδειες χρήσης reative

Διαβάστε περισσότερα

Καθυστέρηση αντιστροφέα και λογικών πυλών CMOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Καθυστέρηση αντιστροφέα και λογικών πυλών CMOS. Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Καθυστέρηση αντιστροφέα και λογικών πυλών MOS Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Ορισµοί καθυστέρησης λογικών πυλών MOS Καθυστερήσεις διάδοσης (propagaion delays) εισόδουεξόδου: Καθυστέρηση ανόδου ph : η διαφορά

Διαβάστε περισσότερα

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (11 η σειρά διαφανειών)

ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ. Δρ. Δ. Λαμπάκης (11 η σειρά διαφανειών) ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ Δρ. Δ. Λαμπάκης (11 η σειρά διαφανειών) Μελέτη των Παρασιτικών Χωρητικοτήτων και της Καθυστέρησης στα Κυκλώματα CMOS Με βάση το εργαλείο σχεδιασμού Microwind

Διαβάστε περισσότερα

Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης

Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης Ενισχυτικές Διατάξεις 1 Πόλωση τάξης ΑΒ με χρήση διαιρέτη τάσης Το σημείο ηρεμίας επιλέγεται σε μία τιμή πάνω από την αποκοπή (διαφέρει ανάλογα με το τρανζίστορ). Άρα χρειάζεται και επιπλέον ρυθμιστική

Διαβάστε περισσότερα

Ταλαντωτές. Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος 2011 Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη

Ταλαντωτές. Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος 2011 Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη Ταλαντωτές Ηλεκτρονική Γ Τάξη Β εξάμηνο Μάρτιος Επ. Καθ. Ε. Καραγιάννη Ταλαντωτές ΑΝΑΔΡΑΣΗ Στοιχεία Ταλάντωσης Ενισχυτής OUT Ταλαντωτής είναι ένα κύκλωμα που παράγει ηλεκτρικό σήμα σταθερής συχνότητας

Διαβάστε περισσότερα

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI

Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων VLSI Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων S «Διαφορικά Ζεύγη» Φώτης Πλέσσας fplessas@f.uth.r Δομή Παρουσίασης Αναθεώρηση απλής διαφορικής λειτουργίας Περιγραφή και ανάλυση του διαφορικού ζεύγους Λόγος απόρριψης κοινού

Διαβάστε περισσότερα

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Πάτρα 0 ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. Τ.Ε.Ι. ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ Ενότητες του μαθήματος Η πιο συνηθισμένη επεξεργασία αναλογικών σημάτων είναι η ενίσχυση τους, που επιτυγχάνεται με

Διαβάστε περισσότερα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 06/02/2009 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙ ΕΥΤΙΚΟ Ι ΡΥΜΑ ΠΑΤΡΑΣ 06/02/2009 ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑΣ ΘΕΜΑ ο (.5 μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: V 0V, V E 0.7 V, kω, 00 kω, kω, 0 kω, β h e 00, h e.5 kω. (α) Να προσδιορίσετε το σημείο λειτουργίας Q (I, V E ) του τρανζίστορ. (β)

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 05/02/2013 ΘΕΜΑ ο (.5 μονάδες) Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: Β 90 kω, C kω, Ε E kω, kω, V CC V, V B 0.70 V και Ι Β 0 μα. Επίσης, για τα δύο τρανζίστορ του ενισχυτή δίνονται: β h e h e 00 και h

Διαβάστε περισσότερα

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες):

ΘΕΜΑ 1 ο (3 μονάδες): ΘΕΜΑ 1 ο ( μονάδες): Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: V 10V, V BE 0.7 V, Β 200 kω, 1 kω, 1 kω, β 100. (α) Να προσδιορίσετε το σημείο λειτουργίας Q (V E, I ) του τρανζίστορ. (1 μονάδα) (β)

Διαβάστε περισσότερα

«Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ»

«Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ» ΗΥ335: Προχωρημένη Ηλεκτρονική «Απόκριση Συχνότητας Ενισχυτών με Τρανζίστορ» Φώτης Πλέσσας fplessas@inf.uth.gr ΤHMMY Σκοπός διάλεξης Μελέτη της συμπεριφοράς μικρού σήματος των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

Διαβάστε περισσότερα

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης

Άσκηση 5. Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης ΤΕΙ ΔΥΤΙΚΗΣ ΕΛΛΑΔΑΣ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ Τ.Ε. ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι (ΕΡ) Άσκηση 5 Τρανζίστορ Διπολικής Επαφής σε συνδεσμολογία Κοινής Βάσης Στόχος Ο στόχος της εργαστηριακής άσκησης είναι η μελέτη των

Διαβάστε περισσότερα

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ

ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: 23/06/2016 ΜΟΝΟ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΕΠΙ ΠΤΥΧΙΩ ΦΟΙΤΗΤΕΣ ΛΥΣΕΙΣ ΕΞΕΤΑΣΗΣ ΣΤΟ ΜΑΘΗΜΑ «ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΙ» ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ: /6/6 ΘΕΜΑ ο (5 μονάδες Για τον ενισχυτή του παρακάτω σχήματος δίνονται: =, = 6 kω, = kω και = = Ε = = kω, ενώ για το τρανζίστορ δίνονται: = 78, β

Διαβάστε περισσότερα